JP2875437B2 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
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- JP2875437B2 JP2875437B2 JP20402792A JP20402792A JP2875437B2 JP 2875437 B2 JP2875437 B2 JP 2875437B2 JP 20402792 A JP20402792 A JP 20402792A JP 20402792 A JP20402792 A JP 20402792A JP 2875437 B2 JP2875437 B2 JP 2875437B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光素子および
その製造方法に関し、詳しくは、多色発光可能で、か
つ、高輝度、高精細のフラットパネルディスプレイを作
製し得る半導体発光素子およびその製造方法に関する。
その製造方法に関し、詳しくは、多色発光可能で、か
つ、高輝度、高精細のフラットパネルディスプレイを作
製し得る半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近頃、薄型、軽量の画像表示装置の開発
が活発である。特に、液晶表示装置（ＬＣＤ）は消費電
力は少なく、コンパクトに作れるので一般に普及してい
る。しかし、周囲が明るい場合には見にくいなどの欠点
を有する。
が活発である。特に、液晶表示装置（ＬＣＤ）は消費電
力は少なく、コンパクトに作れるので一般に普及してい
る。しかし、周囲が明るい場合には見にくいなどの欠点
を有する。
【０００３】一方、発光ダイオード（ＬＥＤ）は、明る
いところでも見やすく、各種表示ランプなどのディスプ
レイ装置に広く用いられている。緑、黄緑のＬＥＤとし
ては発光部にＮをドープしたＧａＰを用いた素子、黄色
のＬＥＤとしては発光部にＮをドープしたＧａＡｓＰを
用いた素子、赤のＬＥＤとしては発光部にＺｎ−Ｏをド
ープしたＧａＡｓＰまたはＡｌＧａＡｓを用いた素子が
あり、それぞれ製品化されている。
いところでも見やすく、各種表示ランプなどのディスプ
レイ装置に広く用いられている。緑、黄緑のＬＥＤとし
ては発光部にＮをドープしたＧａＰを用いた素子、黄色
のＬＥＤとしては発光部にＮをドープしたＧａＡｓＰを
用いた素子、赤のＬＥＤとしては発光部にＺｎ−Ｏをド
ープしたＧａＡｓＰまたはＡｌＧａＡｓを用いた素子が
あり、それぞれ製品化されている。
【０００４】しかし、上記ＬＥＤは、以下のような欠点
を有する。すなわち、ＧａＰ,ＧａＡｓＰは間接遷移型
の半導体であり、不純物を添加して発光中心を形成して
いるため、この発光中心の濃度が低い。従って、電流を
増加すると発光出力がすぐに飽和してしまい、高輝度が
得られない。また、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）
は、ストップランプなどの高輝度ＬＥＤとして使用され
ているが、Ａｌ組成比ｘが０．４５より大きくなると間
接遷移となる。よって、Ａｌ組成比が増大するほど、す
なわち発光波長が短くなるほど効率が低下する。さら
に、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓ系の半導体で
は、青色発光が得られない。
を有する。すなわち、ＧａＰ,ＧａＡｓＰは間接遷移型
の半導体であり、不純物を添加して発光中心を形成して
いるため、この発光中心の濃度が低い。従って、電流を
増加すると発光出力がすぐに飽和してしまい、高輝度が
得られない。また、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（０≦ｘ≦１）
は、ストップランプなどの高輝度ＬＥＤとして使用され
ているが、Ａｌ組成比ｘが０．４５より大きくなると間
接遷移となる。よって、Ａｌ組成比が増大するほど、す
なわち発光波長が短くなるほど効率が低下する。さら
に、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓ系の半導体で
は、青色発光が得られない。
【０００５】全波長領域で直接遷移型である半導体材料
として、ＩｎＧａＮ系材料の研究が進められている。Ｉ
ｎＧａＮでは、図７に示すようにIII族の組成を変える
ことにより赤から紫外の発光を得ることができる。特
に、サファイア基板とＧａＮを用いてなる素子の研究が
進められている。例えば、Appl.Phys.Lett.48(1986)p.3
53に示されるように、サファイア基板とＧａＮの間にＡ
ｌＮからなるバッファ層を導入することにより、良好な
ＧａＮの結晶が得られる。また、Jpn.J.Appl.Phys.30(1
991)L1705に示されるように、サファイア基板とＧａＮ
との間に低温成長のＧａＮからなるバッファ層を導入す
ることにより良好なＧａＮの結晶が得られる。さらに、
Jpn.J.Appl.Phys.28(1989)L2112に示されるように、Ｍ
ｇドープＧａＮに電子線を照射することにより、ｐ型Ｇ
ａＮが得られ、高輝度の青色ＬＥＤが得られている。
として、ＩｎＧａＮ系材料の研究が進められている。Ｉ
ｎＧａＮでは、図７に示すようにIII族の組成を変える
ことにより赤から紫外の発光を得ることができる。特
に、サファイア基板とＧａＮを用いてなる素子の研究が
進められている。例えば、Appl.Phys.Lett.48(1986)p.3
53に示されるように、サファイア基板とＧａＮの間にＡ
ｌＮからなるバッファ層を導入することにより、良好な
ＧａＮの結晶が得られる。また、Jpn.J.Appl.Phys.30(1
991)L1705に示されるように、サファイア基板とＧａＮ
との間に低温成長のＧａＮからなるバッファ層を導入す
ることにより良好なＧａＮの結晶が得られる。さらに、
Jpn.J.Appl.Phys.28(1989)L2112に示されるように、Ｍ
ｇドープＧａＮに電子線を照射することにより、ｐ型Ｇ
ａＮが得られ、高輝度の青色ＬＥＤが得られている。
【０００６】ところで、ディスプレイを高精細化するた
め、画素密度を大きくする試みがなされている。例え
ば、図８に示すように、異なる波長を発光するＬＥＤを
複数備えた発光装置が製品化されている。
め、画素密度を大きくする試みがなされている。例え
ば、図８に示すように、異なる波長を発光するＬＥＤを
複数備えた発光装置が製品化されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ＬＥＤで
は、複数の素子を１つにモールドするため、集積化に限
界がある。さらに集積化を進めるためには、１つの素子
で異なる波長を発光できる素子が必要である。
は、複数の素子を１つにモールドするため、集積化に限
界がある。さらに集積化を進めるためには、１つの素子
で異なる波長を発光できる素子が必要である。
【０００８】本発明は、上記問題点を解決しようとする
ものであり、組成の異なるＩｎＧａＮ層を格子歪を緩和
して積層させ、多色発光可能で、かつ、高輝度、高精細
のフラットパネルディスプレイを作製し得る半導体発光
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
ものであり、組成の異なるＩｎＧａＮ層を格子歪を緩和
して積層させ、多色発光可能で、かつ、高輝度、高精細
のフラットパネルディスプレイを作製し得る半導体発光
素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は、基板上に、ＩｎxＧａ1-xＮ(０≦ｘ≦１)からなる半
導体層が積層形成され、該半導体層がｐｎ接合された複
数の発光部を有する半導体発光素子であって、複数の該
発光部の間に介装されたバッファ層と、Ｍｇドープ半導
体層とを有し、該Ｍｇドープ半導体層は、該Ｍｇドープ
半導体層の上に形成された該半導体層の一部の欠落によ
り露出され、該発光部を構成する露出部分であるｐ型領
域と、非露出部分である高抵抗領域とを有し、そのこと
により上記課題を達成することができる。本発明の別の
局面において、本発明の半導体発光素子は、基板上に、
Ｉｎ x Ｇａ 1-x Ｎ(０≦ｘ≦１)からなる半導体層が積層形
成され、該半導体層がｐｎ接合された複数の発光部を有
する半導体発光素子であって、複数の前記発光部の間に
バッファ層が介装され、複数の該発光部間で、前記基板
に最も近い該発光部におけるｐｎ接合を構成するｎ型半
導体層が、他の該発光部におけるｐｎ接合を構成するｎ
型半導体層よりも厚い。 本発明の別の局面において、基
板上に、Ｉｎ x Ｇａ 1-x Ｎ(０≦ｘ≦１)からなる半導体層
が積層形成され、該半導体層がｐｎ接合された複数の発
光部を有する半導体発光素子であって、複数の前記発光
部の間にバッファ層が介装され、複数の該発光部間で、
該基板に近い方がＩｎ x Ｇａ 1-x Ｎ半導体層のｘの値が小
さい。
は、基板上に、ＩｎxＧａ1-xＮ(０≦ｘ≦１)からなる半
導体層が積層形成され、該半導体層がｐｎ接合された複
数の発光部を有する半導体発光素子であって、複数の該
発光部の間に介装されたバッファ層と、Ｍｇドープ半導
体層とを有し、該Ｍｇドープ半導体層は、該Ｍｇドープ
半導体層の上に形成された該半導体層の一部の欠落によ
り露出され、該発光部を構成する露出部分であるｐ型領
域と、非露出部分である高抵抗領域とを有し、そのこと
により上記課題を達成することができる。本発明の別の
局面において、本発明の半導体発光素子は、基板上に、
Ｉｎ x Ｇａ 1-x Ｎ(０≦ｘ≦１)からなる半導体層が積層形
成され、該半導体層がｐｎ接合された複数の発光部を有
する半導体発光素子であって、複数の前記発光部の間に
バッファ層が介装され、複数の該発光部間で、前記基板
に最も近い該発光部におけるｐｎ接合を構成するｎ型半
導体層が、他の該発光部におけるｐｎ接合を構成するｎ
型半導体層よりも厚い。 本発明の別の局面において、基
板上に、Ｉｎ x Ｇａ 1-x Ｎ(０≦ｘ≦１)からなる半導体層
が積層形成され、該半導体層がｐｎ接合された複数の発
光部を有する半導体発光素子であって、複数の前記発光
部の間にバッファ層が介装され、複数の該発光部間で、
該基板に近い方がＩｎ x Ｇａ 1-x Ｎ半導体層のｘの値が小
さい。
【００１０】上記バッファ層は、ＡｌＮ層および／また
はＧａＮ層からなるものであってもよい。
はＧａＮ層からなるものであってもよい。
【００１１】上記バッファ層は、ＡｌＮまたはＧａＮか
らなる層と、ＩｎyＧａ1-yＮ(０≦ｙ≦１)層とが交互に
積層形成されてなるものであってもよい。上記バッファ
層を複数有し、該バッファ層のそれぞれが、ＡｌＮ層ま
たはＧａＮ層からなる層と、Ｉｎ y Ｇａ 1-y Ｎ(０≦ｙ≦
１)層とが交互に積層形成されてなり、複数の該バッフ
ァ層間で、上記基板に近い方が該Ｉｎ y Ｇａ 1-y Ｎ(０≦
ｙ≦１)層のｙの値が小さい構成であってもよい。
らなる層と、ＩｎyＧａ1-yＮ(０≦ｙ≦１)層とが交互に
積層形成されてなるものであってもよい。上記バッファ
層を複数有し、該バッファ層のそれぞれが、ＡｌＮ層ま
たはＧａＮ層からなる層と、Ｉｎ y Ｇａ 1-y Ｎ(０≦ｙ≦
１)層とが交互に積層形成されてなり、複数の該バッフ
ァ層間で、上記基板に近い方が該Ｉｎ y Ｇａ 1-y Ｎ(０≦
ｙ≦１)層のｙの値が小さい構成であってもよい。
【００１２】本発明の半導体発光素子の製造方法は、基
板上に、ＩｎxＧａ1-xＮ(０≦ｘ≦１)からなる半導体層
が積層形成され、該半導体層でｐｎ接合された複数の発
光部を有し、複数の該発光部の間にバッファ層が介装さ
れ、該発光部の上方が、該発光部の上に形成された該半
導体層の一部の欠落により露出されている半導体発光素
子の製造方法であって、該ＩｎxＧａ1-xＮからなる複数
の該半導体層を積層形成する工程と、該半導体層の一部
を欠落させて該発光部となる部分を露出させる工程と、
該露出された部分に荷電粒子を照射してｐｎ接合された
該発光部を形成する工程とを含み、そのことにより上記
課題を達成することができる。
板上に、ＩｎxＧａ1-xＮ(０≦ｘ≦１)からなる半導体層
が積層形成され、該半導体層でｐｎ接合された複数の発
光部を有し、複数の該発光部の間にバッファ層が介装さ
れ、該発光部の上方が、該発光部の上に形成された該半
導体層の一部の欠落により露出されている半導体発光素
子の製造方法であって、該ＩｎxＧａ1-xＮからなる複数
の該半導体層を積層形成する工程と、該半導体層の一部
を欠落させて該発光部となる部分を露出させる工程と、
該露出された部分に荷電粒子を照射してｐｎ接合された
該発光部を形成する工程とを含み、そのことにより上記
課題を達成することができる。
【００１３】
【作用】本発明においては、ＩｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦
１）半導体層からなる各発光部の間に、ＡｌＮ層または
ＧａＮ層を有するバッファ層が設けられているので、各
発光部同志の格子定数の違いによる格子歪みが緩和でき
る。ＩｎＧａＮは、直接遷移型の半導体であるので、高
輝度、高効率の発光が得られる。
１）半導体層からなる各発光部の間に、ＡｌＮ層または
ＧａＮ層を有するバッファ層が設けられているので、各
発光部同志の格子定数の違いによる格子歪みが緩和でき
る。ＩｎＧａＮは、直接遷移型の半導体であるので、高
輝度、高効率の発光が得られる。
【００１４】また、各半導体層の発光部を露出させ、そ
の発光部の露出部分に荷電粒子を照射することにより各
半導体層にｐｎ接合が形成されている。よって、発光を
分離制御することができる。
の発光部の露出部分に荷電粒子を照射することにより各
半導体層にｐｎ接合が形成されている。よって、発光を
分離制御することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１６】（実施例１）図３は本発明の実施例１の半
導体発光素子を示す断面図である。
導体発光素子を示す断面図である。
【００１７】この半導体素子は、サファイア基板１の
（０００１）面上に、ＡｌＮまたはＧａＮからなるバッ
ファ層２、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層３、Ｍｇド
ープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４、ＡｌＮまたはＧａＮか
らなるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層
５、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６、ＡｌＮまた
はＧａＮからなるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎx
Ｇａ1-xＮ層７およびＭｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ
層８が積層形成されている。該ＡｌＮまたはＧａＮから
なるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層
５、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６、ＡｌＮまた
はＧａＮからなるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎＮ
層７およびＭｇドープ高抵抗ＩｎＮ層８は、Ｍｇドープ
高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４およびＭｇドープ高抵抗Ｉｎ
xＧａ1-xＮ層６が露出するように部分的に除去されてい
る。該Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層８の一部、Ｍ
ｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４およびＭｇドープ高
抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６の露出部分は、ｐ型領域4a、6
a、8aとして形成され、該ｐ型領域4a、6a、8aの上に
は、ｐ型Ａｌ電極10、11、12が設けられ、半導体を露出
させなかった方の側面には、ｎ型Ａｌ電極９が設けられ
ている。
（０００１）面上に、ＡｌＮまたはＧａＮからなるバッ
ファ層２、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層３、Ｍｇド
ープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４、ＡｌＮまたはＧａＮか
らなるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層
５、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６、ＡｌＮまた
はＧａＮからなるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎx
Ｇａ1-xＮ層７およびＭｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ
層８が積層形成されている。該ＡｌＮまたはＧａＮから
なるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層
５、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６、ＡｌＮまた
はＧａＮからなるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎＮ
層７およびＭｇドープ高抵抗ＩｎＮ層８は、Ｍｇドープ
高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４およびＭｇドープ高抵抗Ｉｎ
xＧａ1-xＮ層６が露出するように部分的に除去されてい
る。該Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層８の一部、Ｍ
ｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４およびＭｇドープ高
抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６の露出部分は、ｐ型領域4a、6
a、8aとして形成され、該ｐ型領域4a、6a、8aの上に
は、ｐ型Ａｌ電極10、11、12が設けられ、半導体を露出
させなかった方の側面には、ｎ型Ａｌ電極９が設けられ
ている。
【００１８】実施例１の半導体素子を図１から３を参照
して説明する。
して説明する。
【００１９】まず、図１に示すように、サファイア基板
１を基板温度１１５０℃でサーマルクリーニングした。
その後、基板温度を６００℃に下げ、サファイア基板１
の（０００１）面上に、ＡｌＮまたはＧａＮからなるバ
ッファ層２を成長させ、続いて、基板温度を８００℃に
上げ、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層３およびＭｇド
ープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４を成長させた。次に、基
板温度を６００℃に下げ、ＡｌＮまたはＧａＮからなる
バッファ層２を成長させ、続いて、基板温度を８００℃
に上げ、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層５およびＭｇ
ドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６を成長させた。さら
に、基板温度を６００℃に下げ、ＡｌＮまたはＧａＮか
らなるバッファ層２を成長させ、続いて、基板温度を８
００℃に上げ、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層７およ
びＭｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層８を成長させた。
１を基板温度１１５０℃でサーマルクリーニングした。
その後、基板温度を６００℃に下げ、サファイア基板１
の（０００１）面上に、ＡｌＮまたはＧａＮからなるバ
ッファ層２を成長させ、続いて、基板温度を８００℃に
上げ、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層３およびＭｇド
ープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４を成長させた。次に、基
板温度を６００℃に下げ、ＡｌＮまたはＧａＮからなる
バッファ層２を成長させ、続いて、基板温度を８００℃
に上げ、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層５およびＭｇ
ドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６を成長させた。さら
に、基板温度を６００℃に下げ、ＡｌＮまたはＧａＮか
らなるバッファ層２を成長させ、続いて、基板温度を８
００℃に上げ、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層７およ
びＭｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層８を成長させた。
【００２０】上記各半導体層の成長方法としては、ＭＯ
ＣＶＤ法（有機金属化合物気相成長法）、ガスソースＭ
ＢＥ法（分子線エピタキシー法）が好ましい。上記各半
導体層を形成する原子のソースおよびドーパント材料と
しては、以下の化合物を用いることができる。
ＣＶＤ法（有機金属化合物気相成長法）、ガスソースＭ
ＢＥ法（分子線エピタキシー法）が好ましい。上記各半
導体層を形成する原子のソースおよびドーパント材料と
しては、以下の化合物を用いることができる。
【００２１】Ｇａソース：トリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ)など、Ａｌソ
ース：トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）またはトリエ
チルアルミニウム（ＴＥＡ）など、Ｉｎソース：トリメ
チルインジウム（ＴＭＩ）またはトリエチルインジウム
（ＴＥＩ）など、Ｎソース：アンモニア（ＮＨ3）な
ど、ドーパント材料：シラン（ＳｉＨ4）（ｎ型ドーパ
ント用）およびビスシクロペンタジエニルマグネシウム
（Ｃｐ2Ｍｇ）（ｐ型ドーパント用）など。
Ｇ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ)など、Ａｌソ
ース：トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）またはトリエ
チルアルミニウム（ＴＥＡ）など、Ｉｎソース：トリメ
チルインジウム（ＴＭＩ）またはトリエチルインジウム
（ＴＥＩ）など、Ｎソース：アンモニア（ＮＨ3）な
ど、ドーパント材料：シラン（ＳｉＨ4）（ｎ型ドーパ
ント用）およびビスシクロペンタジエニルマグネシウム
（Ｃｐ2Ｍｇ）（ｐ型ドーパント用）など。
【００２２】次に、図２に示すようにドライエッチング
または選択エッチングにより、ＡｌＮまたはＧａＮから
なるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層
５、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６、ＡｌＮまた
はＧａＮからなるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎx
Ｇａ1-xＮ層７およびＭｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ
層８を、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４およびＭ
ｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６が露出するように部
分的に除去した。
または選択エッチングにより、ＡｌＮまたはＧａＮから
なるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層
５、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６、ＡｌＮまた
はＧａＮからなるバッファ層２、ＳｉドープｎーＩｎx
Ｇａ1-xＮ層７およびＭｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ
層８を、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４およびＭ
ｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６が露出するように部
分的に除去した。
【００２３】さらに、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ
層８の一部、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４およ
びＭｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６の露出部分に、
電子の到達深さが0.5μｍ程度になるように電子線を照
射し、ｐ型領域4a、6a、8aを形成した。
層８の一部、Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４およ
びＭｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６の露出部分に、
電子の到達深さが0.5μｍ程度になるように電子線を照
射し、ｐ型領域4a、6a、8aを形成した。
【００２４】続いて、図３に示すように、該ｐ型領域4
a、6a、8aの上に、500μｍφのｐ型Ａｌ電極10、11、12
を、また、半導体層を露出させなかった方の側面に、ｎ
型Ａｌ電極９を蒸着する。各Ａｌ電極形成後、ダイシン
グによりチップに分割し、半導体発光素子とした。
a、6a、8aの上に、500μｍφのｐ型Ａｌ電極10、11、12
を、また、半導体層を露出させなかった方の側面に、ｎ
型Ａｌ電極９を蒸着する。各Ａｌ電極形成後、ダイシン
グによりチップに分割し、半導体発光素子とした。
【００２５】上記のような直接遷移型のＩｎＧａＮを用
いて多波長発光素子を実現するためには、III族の組成
が異なる半導体層を連続成長させる必要がある。しか
し、図８に示すように、格子定数に違いがあるため、連
続成長させた場合には格子歪が生じる。格子歪は格子欠
陥を誘発し、ピット（穴）、クラック（ひび割れ）によ
り発光効率が低下する。そこで、本発明の半導体素子は
各半導体層の間にＡｌＮまたはＧａＮからなるバッファ
層を介装している。そのバッファ層により、上記格子歪
を緩和することができる。
いて多波長発光素子を実現するためには、III族の組成
が異なる半導体層を連続成長させる必要がある。しか
し、図８に示すように、格子定数に違いがあるため、連
続成長させた場合には格子歪が生じる。格子歪は格子欠
陥を誘発し、ピット（穴）、クラック（ひび割れ）によ
り発光効率が低下する。そこで、本発明の半導体素子は
各半導体層の間にＡｌＮまたはＧａＮからなるバッファ
層を介装している。そのバッファ層により、上記格子歪
を緩和することができる。
【００２６】また、各半導体層を連続成長させた場合、
各層の発光を分離、制御するための素子構造が必要であ
る。そこで、本発明の半導体発光素子の製造方法では、
上方の半導体層の一部を欠落させて下方の半導体層を露
出させるエッチング工程と、露出された部分に荷電粒子
を照射する工程とを含む。このため、各半導体層の発光
部が分離独立して形成され、よって、発光を分離制御す
ることができる。
各層の発光を分離、制御するための素子構造が必要であ
る。そこで、本発明の半導体発光素子の製造方法では、
上方の半導体層の一部を欠落させて下方の半導体層を露
出させるエッチング工程と、露出された部分に荷電粒子
を照射する工程とを含む。このため、各半導体層の発光
部が分離独立して形成され、よって、発光を分離制御す
ることができる。
【００２７】各半導体層バッファ層の詳細は以下の通り
とした。
とした。
【００２８】 ＡｌＮバッファ層２：厚み５００オングストローム ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層３：Ｉｎ0.3Ｇａ
0.7Ｎ、厚み２μｍ Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４：Ｉｎ0.3Ｇａ0.7
Ｎ、厚み０．５μｍ ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層５：Ｉｎ0.7Ｇａ
0.3Ｎ、厚み１μｍ Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６：Ｉｎ0.7Ｇａ0.3
Ｎ、厚み０．５μｍ ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層７：ＩｎＮ、厚み１μ
ｍ Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層８：ＩｎＮ、厚み
０．５μｍ 各半導体層は、ピット、クラックなどの格子欠陥が見ら
れなかった。
0.7Ｎ、厚み２μｍ Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層４：Ｉｎ0.3Ｇａ0.7
Ｎ、厚み０．５μｍ ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層５：Ｉｎ0.7Ｇａ
0.3Ｎ、厚み１μｍ Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層６：Ｉｎ0.7Ｇａ0.3
Ｎ、厚み０．５μｍ ＳｉドープｎーＩｎxＧａ1-xＮ層７：ＩｎＮ、厚み１μ
ｍ Ｍｇドープ高抵抗ＩｎxＧａ1-xＮ層８：ＩｎＮ、厚み
０．５μｍ 各半導体層は、ピット、クラックなどの格子欠陥が見ら
れなかった。
【００２９】本実施例の半導体発光素子においては、
赤、緑、青の高効率、高輝度な発光が得られた。
赤、緑、青の高効率、高輝度な発光が得られた。
【００３０】（実施例２）図４（ａ）は本発明の実施例
２の半導体発光素子の露出部分を形成する前の状態を示
す断面図であり、図４（ｂ）はその半導体発光素子のバ
ッファ層を示す断面図である。
２の半導体発光素子の露出部分を形成する前の状態を示
す断面図であり、図４（ｂ）はその半導体発光素子のバ
ッファ層を示す断面図である。
【００３１】実施例２の半導体発光素子のバッファ層40
ａ、40ｂ、40ｃは、20オングストロームのＡｌＮ層41と
20オングストロームのＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層
42とを交互に積層してなる多層体（150周期）である。
この実施例では、ｙの値は、バッファ層40ａでは0.3、
バッファ層40ｂでは0.7、バッファ層40ｃでは1.0として
ある。
ａ、40ｂ、40ｃは、20オングストロームのＡｌＮ層41と
20オングストロームのＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層
42とを交互に積層してなる多層体（150周期）である。
この実施例では、ｙの値は、バッファ層40ａでは0.3、
バッファ層40ｂでは0.7、バッファ層40ｃでは1.0として
ある。
【００３２】この半導体発光素子は、バッファ層とし
て、ＡｌＮバッファ層41とＩｎyＧａ1 -yＮ（０≦ｙ≦
１）バッファ層42とを交互に積層させた以外は、実施例
１と同様の構成とし、同様の成長方法で作成した。
て、ＡｌＮバッファ層41とＩｎyＧａ1 -yＮ（０≦ｙ≦
１）バッファ層42とを交互に積層させた以外は、実施例
１と同様の構成とし、同様の成長方法で作成した。
【００３３】各半導体層は、ピット、クラックなどの格
子欠陥が見られなかった。
子欠陥が見られなかった。
【００３４】このバッファ層は超格子構造になっている
ため、実施例１のバッファ層より、さらに格子歪の緩和
効果が高く、また、サーマルクリーニングなどによって
除去されない不純物などが基板上に残留していても、そ
の不純物は超格子にトラップされるので、その悪影響を
除くことができる。
ため、実施例１のバッファ層より、さらに格子歪の緩和
効果が高く、また、サーマルクリーニングなどによって
除去されない不純物などが基板上に残留していても、そ
の不純物は超格子にトラップされるので、その悪影響を
除くことができる。
【００３５】本実施例の半導体発光素子においては、
赤、緑、青の高効率、高輝度な発光が得られた。
赤、緑、青の高効率、高輝度な発光が得られた。
【００３６】（実施例３）図５（ａ）は本発明の実施例
３の半導体発光素子の露出部分を形成する前の状態を示
す断面図であり、図５（ｂ）はその半導体発光素子のバ
ッファ層を示す断面図である。
３の半導体発光素子の露出部分を形成する前の状態を示
す断面図であり、図５（ｂ）はその半導体発光素子のバ
ッファ層を示す断面図である。
【００３７】実施例３の半導体発光素子のバッファ層50
ａ、50ｂ、50ｃは、ＩｎＧａＮ層の厚みを変えた以外は
実施例２の半導体発光素子のバッファ層40ａ、40ｂ、40
ｃと同様の構成である。具体的には、以下のような構成
となっている。ＡｌＮ層51の上のＩｎyＧａ1-yＮ（０≦
ｙ≦１）層52は２０オングストロームであり、その上の
ＡｌＮ層51の上のＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層53は
３０オングストロームであり、その上のＡｌＮ層51の上
のＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層54は４０オングスト
ロームであり、・・・その上のＡｌＮ層51の上のＩｎy
Ｇａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層55は９０オングストローム
であり、その上のＡｌＮ層51の上のＩｎyＧａ1-yＮ（０
≦ｙ≦１）層56は１００オングストロームというよう
に、ＡｌＮ層51とＩｎyＧａ1-yＮ層（０≦ｙ≦１）とを
積層してなる。
ａ、50ｂ、50ｃは、ＩｎＧａＮ層の厚みを変えた以外は
実施例２の半導体発光素子のバッファ層40ａ、40ｂ、40
ｃと同様の構成である。具体的には、以下のような構成
となっている。ＡｌＮ層51の上のＩｎyＧａ1-yＮ（０≦
ｙ≦１）層52は２０オングストロームであり、その上の
ＡｌＮ層51の上のＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層53は
３０オングストロームであり、その上のＡｌＮ層51の上
のＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層54は４０オングスト
ロームであり、・・・その上のＡｌＮ層51の上のＩｎy
Ｇａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層55は９０オングストローム
であり、その上のＡｌＮ層51の上のＩｎyＧａ1-yＮ（０
≦ｙ≦１）層56は１００オングストロームというよう
に、ＡｌＮ層51とＩｎyＧａ1-yＮ層（０≦ｙ≦１）とを
積層してなる。
【００３８】この半導体発光素子は、バッファ層とし
て、ＡｌＮ層51とＩｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）層52、
53、54・・・55、56とを交互に積層させた以外は、実施
例１と同様にして作成した。
て、ＡｌＮ層51とＩｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）層52、
53、54・・・55、56とを交互に積層させた以外は、実施
例１と同様にして作成した。
【００３９】各半導体層は、ピット、クラックなどの格
子欠陥が見られなかった。
子欠陥が見られなかった。
【００４０】このバッファ層は実施例２と同様に、超格
子構造になっているため、実施例１のバッファ層より、
さらに格子歪の緩和効果が高い。
子構造になっているため、実施例１のバッファ層より、
さらに格子歪の緩和効果が高い。
【００４１】本実施例の半導体発光素子においては、
赤、緑、青の高効率、高輝度な発光が得られた。
赤、緑、青の高効率、高輝度な発光が得られた。
【００４２】（実施例４）図６（ａ）は本発明の実施例
４の半導体発光素子の露出部分を形成する前の状態を示
す断面図であり、図６（ｂ）はその半導体発光素子のバ
ッファ層を示す断面図である。
４の半導体発光素子の露出部分を形成する前の状態を示
す断面図であり、図６（ｂ）はその半導体発光素子のバ
ッファ層を示す断面図である。
【００４３】実施例４の半導体発光素子のバッファ層60
ａ、60ｂ、60ｃは、ＡｌＮまたはＧａＮからなる層61と
ＡｌＮ層62およびＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層63と
を積層してなる。この実施例では、ｙの値は、バッファ
層40ａでは0.3、バッファ層40ｂでは0.7、バッファ層40
ｃでは1.0としてある。
ａ、60ｂ、60ｃは、ＡｌＮまたはＧａＮからなる層61と
ＡｌＮ層62およびＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層63と
を積層してなる。この実施例では、ｙの値は、バッファ
層40ａでは0.3、バッファ層40ｂでは0.7、バッファ層40
ｃでは1.0としてある。
【００４４】この半導体発光素子は、バッファ層とし
て、ＡｌＮ層61と、ＡｌＮ層62およびＩｎyＧａ1-yＮ
（０≦ｙ≦１）層63とを交互に積層させた以外は、実施
例１と同様にして作成した。
て、ＡｌＮ層61と、ＡｌＮ層62およびＩｎyＧａ1-yＮ
（０≦ｙ≦１）層63とを交互に積層させた以外は、実施
例１と同様にして作成した。
【００４５】各半導体層は、ピット、クラックなどの格
子欠陥が見られなかった。
子欠陥が見られなかった。
【００４６】このバッファ層は実施例２と同様に、超格
子構造になっているため、実施例１のバッファ層より、
さらに格子歪の緩和効果が高い。
子構造になっているため、実施例１のバッファ層より、
さらに格子歪の緩和効果が高い。
【００４７】本実施例の半導体発光素子においては、
赤、緑、青の高効率、高輝度な発光が得られた。
赤、緑、青の高効率、高輝度な発光が得られた。
【００４８】なお、上記実施例では、赤、緑、青の三原
色の半導体発光素子について述べたが、半導体層のIII
族元素の組成を変えることにより、赤から紫外領域まで
の発光が得られる。例えば、ｘ＝0.75ならば、黄色の半
導体発光素子が、ｘ＝0.9ならば、オレンジ色の半導体
発光素子が、ｘ＝０ならば、紫外域の半導体発光素子が
得られる。
色の半導体発光素子について述べたが、半導体層のIII
族元素の組成を変えることにより、赤から紫外領域まで
の発光が得られる。例えば、ｘ＝0.75ならば、黄色の半
導体発光素子が、ｘ＝0.9ならば、オレンジ色の半導体
発光素子が、ｘ＝０ならば、紫外域の半導体発光素子が
得られる。
【００４９】また、基板としては、サファイア基板を用
いたが、それ以外に半絶縁性のＺｎＯ基板またはＳｉＣ
基板などを用いることができる。
いたが、それ以外に半絶縁性のＺｎＯ基板またはＳｉＣ
基板などを用いることができる。
【００５０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、組成の異なる直接遷移型のＩｎＧａＮを格子歪
みを緩和して積層できるので、高輝度、高効率の多色発
光が得られる半導体発光素子を提供できる。この半導体
発光素子は、１つの基板上に複数の発光部を有している
ので、多色発光可能で、かつ高輝度、高効率で高精細の
フラットパネルディスプレイを実現させることができ
る。
よれば、組成の異なる直接遷移型のＩｎＧａＮを格子歪
みを緩和して積層できるので、高輝度、高効率の多色発
光が得られる半導体発光素子を提供できる。この半導体
発光素子は、１つの基板上に複数の発光部を有している
ので、多色発光可能で、かつ高輝度、高効率で高精細の
フラットパネルディスプレイを実現させることができ
る。
【図１】本発明の実施例１の半導体発光素子の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施例１の半導体発光素子の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明の実施例１の半導体発光素子を示す断面
図である。
図である。
【図４】（ａ）は本発明の実施例２の半導体発光素子の
露出部分を形成する前の状態を示す断面図であり、
（ｂ）は本発明の実施例２の半導体発光素子のバッファ
層を示す断面図である。
露出部分を形成する前の状態を示す断面図であり、
（ｂ）は本発明の実施例２の半導体発光素子のバッファ
層を示す断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の実施例３の半導体発光素子の
露出部分を形成する前の状態を示す断面図であり、
（ｂ）は本発明の実施例３の半導体発光素子のバッファ
層を示す断面図である。
露出部分を形成する前の状態を示す断面図であり、
（ｂ）は本発明の実施例３の半導体発光素子のバッファ
層を示す断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の実施例４の半導体発光素子の
露出部分を形成する前の状態を示す断面図であり、
（ｂ）は本発明の実施例４の半導体発光素子のバッファ
層を示す断面図である。
露出部分を形成する前の状態を示す断面図であり、
（ｂ）は本発明の実施例４の半導体発光素子のバッファ
層を示す断面図である。
【図７】従来の半導体発光素子を示す斜視図である。
【図８】ＩｎXＧａ1-XＮのIII族元素の組成と格子定数
との関係およびエネルギーギャップとの関係を表す図で
ある。
との関係およびエネルギーギャップとの関係を表す図で
ある。
１ サファイア基板 ２ ＡｌＮまたはＧａＮからなるバッファ層 ３ ＳｉドープｎーＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎ層 ４ Ｍｇドープ高抵抗Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ｎ層 ５ ＳｉドープｎーＩｎ0.7Ｇａ0.3Ｎ層 ６ Ｍｇドープ高抵抗Ｉｎ0.7Ｇａ0.3Ｎ層 ７ ＳｉドープｎーＩｎＮ層 ８ Ｍｇドープ高抵抗ＩｎＮ層 4a、6a、8a ｐ型領域 10、11、12 ｐ型Ａｌ電極 ９ ｎ型Ａｌ電極 40ａ、40ｂ、40ｃ ＡｌＮ層／ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ
≦１）層の周期的多層体からなるバッファ層 50ａ、50ｂ、50ｃ ＡｌＮ層／ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ
≦１）層の不規則多層体からなるバッファ層 60ａ、60ｂ、60ｃ ＡｌＮまたはＧａＮからなる層とＡ
ｌＮ層／ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層の周期的多層
体とからなるバッファ層 41、51、61、63 ＡｌＮバッファ層 42、52、53、54、55、56、62 ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ
≦１）バッファ層
≦１）層の周期的多層体からなるバッファ層 50ａ、50ｂ、50ｃ ＡｌＮ層／ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ
≦１）層の不規則多層体からなるバッファ層 60ａ、60ｂ、60ｃ ＡｌＮまたはＧａＮからなる層とＡ
ｌＮ層／ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）層の周期的多層
体とからなるバッファ層 41、51、61、63 ＡｌＮバッファ層 42、52、53、54、55、56、62 ＩｎyＧａ1-yＮ（０≦ｙ
≦１）バッファ層
フロントページの続き (72)発明者 細羽 弘之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 大林 健 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 幡 俊雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 須山 尚宏 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−38073（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−203388（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に、ＩｎxＧａ1-xＮ(０≦ｘ≦１)
からなる半導体層が積層形成され、該半導体層がｐｎ接
合された複数の発光部を有する半導体発光素子であっ
て、複数の該発光部の間に介装されたバッファ層と、Ｍ
ｇドープ半導体層とを有し、該Ｍｇドープ半導体層は、
該Ｍｇドープ半導体層の上に形成された該半導体層の一
部の欠落により露出され、該発光部を構成する露出部分
であるｐ型領域と、非露出部分である高抵抗領域とを有
する、半導体発光素子。 - 【請求項２】 基板上に、Ｉｎ x Ｇａ 1-x Ｎ(０≦ｘ≦１)
からなる半導体層が積層形成され、該半導体層がｐｎ接
合された複数の発光部を有する半導体発光素子であっ
て、複数の前記発光部の間にバッファ層が介装され、複
数の該発光部間で、前記基板に最も近い該発光部におけ
るｐｎ接合を構成するｎ型半導体層が、他の該発光部に
おけるｐｎ接合を構成するｎ型半導体層よりも厚い、半
導体発光素子。 - 【請求項３】 基板上に、Ｉｎ x Ｇａ 1-x Ｎ(０≦ｘ≦１)
からなる半導体層が積層形成され、該半導体層がｐｎ接
合された複数の発光部を有する半導体発光素子であっ
て、複数の前記発光部の間にバッファ層が介装され、複
数の該発光部間で、該基板に近い方がＩｎ x Ｇａ 1-x Ｎ半
導体層のｘの値が小さい、半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記バッファ層が、ＡｌＮ層および／ま
たはＧａＮ層からなる、請求項１から３のいずれかに記
載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記バッファ層が、ＡｌＮまたはＧａＮ
からなる層と、ＩｎyＧａ1-yＮ(０≦ｙ≦１)層とが交互
に積層形成されてなる、請求項１から３のいずれかに記
載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記バッファ層を複数有し、該バッファ
層のそれぞれが、ＡｌＮ層またはＧａＮ層からなる層
と、Ｉｎ y Ｇａ 1-y Ｎ(０≦ｙ≦１)層とが交互に積層形成
されてなり、複数の該バッファ層間で、前記基板に近い
方が該Ｉｎ y Ｇａ 1-y Ｎ(０≦ｙ≦１)層のｙの値が小さ
い、請求項３に記載の半導体発光素子。 - 【請求項７】 基板上に、ＩｎxＧａ1-xＮ(０≦ｘ≦１)
からなる半導体層が積層形成され、該半導体層がｐｎ接
合された複数の発光部を有し、複数の該発光 部の間にバ
ッファ層が介装され、該発光部の上方が、該発光部の上
に形成された該半導体層の一部の欠落により露出されて
いる半導体発光素子の製造方法であって、 該ＩｎxＧａ1-xＮからなる複数の該半導体層を積層形成
する工程と、 該半導体層の一部を欠落させて該発光部となる部分を露
出させる工程と、 該露出された部分に荷電粒子を照射してｐｎ接合された
該発光部を形成する工程と、 を含む、半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20402792A JP2875437B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20402792A JP2875437B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25624998A Division JP3122644B2 (ja) | 1998-09-10 | 1998-09-10 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653549A JPH0653549A (ja) | 1994-02-25 |
| JP2875437B2 true JP2875437B2 (ja) | 1999-03-31 |
Family
ID=16483551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20402792A Expired - Lifetime JP2875437B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2875437B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11776448B2 (en) | 2019-04-10 | 2023-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, manufacturing method of light emitting diode and display device including light emitting diode |
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|---|---|---|---|---|
| JPS63213562A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 繊維強化耐熱性ポリオレフイン組成物 |
| US5650641A (en) * | 1994-09-01 | 1997-07-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device having group III nitride compound and enabling control of emission color, and flat display comprising such device |
| FR2726126A1 (fr) * | 1994-10-24 | 1996-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Procede de fabrication de dispositifs a diodes electroluminescentes a lumiere visible |
| JP3448450B2 (ja) | 1996-04-26 | 2003-09-22 | 三洋電機株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
| JP2002134787A (ja) * | 1996-04-26 | 2002-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
| JP3486900B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2004-01-13 | ソニー株式会社 | 発光装置およびそれを用いた光装置 |
| JP3912043B2 (ja) | 2001-04-25 | 2007-05-09 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| JP3758562B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2006-03-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体多色発光素子 |
| JP2004260111A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその半導体発光素子を用いた半導体発光装置 |
| JP4636501B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-02-23 | 株式会社沖データ | 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置 |
| JP2009081379A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| KR101404143B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2014-06-05 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | 인이 함유되지 않은 레드 및 화이트 질소 기반 ｌｅｄ 제조 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20402792A patent/JP2875437B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11776448B2 (en) | 2019-04-10 | 2023-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, manufacturing method of light emitting diode and display device including light emitting diode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0653549A (ja) | 1994-02-25 |
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