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JP2866055B2 - Recording method of optical information recording medium - Google Patents

Recording method of optical information recording medium

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Publication number
JP2866055B2
JP2866055B2 JP8148626A JP14862696A JP2866055B2 JP 2866055 B2 JP2866055 B2 JP 2866055B2 JP 8148626 A JP8148626 A JP 8148626A JP 14862696 A JP14862696 A JP 14862696A JP 2866055 B2 JP2866055 B2 JP 2866055B2
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JP
Japan
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light
layer
absorbing layer
laser
laser beam
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Application number
JP8148626A
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Japanese (ja)
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雄治 新井
恵美子 浜田
有明 辛
隆 石黒
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Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光により記
録されたピットを有する光情報記録媒体とその記録方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording medium having pits recorded by a laser beam and a recording method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザ光の照射により、データを記録す
ることができる光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等
の金属層や、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン
等の色素層等からなる記録層を有し、レーザ光の照射に
より、前記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等
の手段で、ピットを形成し、データを記録する。この記
録層を有する光情報記録媒体では、ピットを形成する際
の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするた
め、記録層の背後に空隙を設けることが一般に行なわれ
ている。具体的には例えば、空間部を挟んで2枚の基板
を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる
積層構造がとられる。この光情報記録媒体では、前記透
光性を有する基板1側からレーザ光を照射し、ピットを
形成する。そして、記録したデータを再生するときは、
前記基板1側から記録時よりパワーの弱いレーザ光を照
射し、前記ピットとそれ以外の部分との反射光の違いに
より、信号を読みとる。
2. Description of the Related Art An optical information recording medium on which data can be recorded by irradiating a laser beam has a recording layer composed of a metal layer such as Te, Bi, Mn or the like, or a dye layer such as cyanine, merocyanine or phthalocyanine. A pit is formed by means of deformation, sublimation, evaporation or denaturation of the recording layer by laser light irradiation, and data is recorded. In an optical information recording medium having this recording layer, a gap is generally provided behind the recording layer to facilitate deformation, sublimation, evaporation or denaturation of the recording layer when forming pits. . Specifically, for example, a laminated structure called an air sandwich structure in which two substrates are laminated with a space portion interposed therebetween is employed. In this optical information recording medium, pits are formed by irradiating laser light from the transparent substrate 1 side. And when playing back the recorded data,
A laser beam having a lower power than that at the time of recording is irradiated from the substrate 1 side, and a signal is read based on a difference in reflected light between the pit and other portions.

【0003】一方、予めデータが記録され、その後のデ
ータの書き込みや消去ができない、いわゆるROM型光
情報記録媒体が情報処理や音響部門で既に広く実用化さ
れている。この種の光情報記録媒体は、前記のような記
録層を持たず、記録データを再生するためのピットを予
めプレス等の手段でポリカーボネート製の基板の上に形
成し、この上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜から
なる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったも
のである。
On the other hand, a so-called ROM type optical information recording medium in which data is recorded in advance and data cannot be written or erased thereafter has already been widely put into practical use in the information processing and audio departments. This type of optical information recording medium has no recording layer as described above, and pits for reproducing recorded data are previously formed on a polycarbonate substrate by means such as pressing, and Au, Ag is formed thereon. , A reflective layer made of a metal film such as Cu, Al or the like is formed, and the reflective layer is further covered with a protective layer.

【0004】このROM型光情報記録媒体で最も代表的
なものが音響部門や情報処理部門等で広く実用化されて
いるコンパクトディスク、いわゆるCDであり、このC
Dの記録、再生信号の仕様は、いわゆるCDフォーマッ
トとして規格化され、これに準拠する再生装置は、コン
パクトディスクプレーヤ(CDプレーヤ)として極めて
広く普及している。
[0004] The most representative of the ROM type optical information recording medium is a compact disk, so-called CD, which is widely put into practical use in the audio department and the information processing department.
The specification of the recording and reproduction signals of D is standardized as a so-called CD format, and a reproduction apparatus conforming to this is very widely used as a compact disk player (CD player).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとしている課題】前記光情報記録媒
体は、例えば再生に際し、既に広く普及したCDと互換
性を有し、CDプレーヤで再生できることが強く望まれ
る。そのためには、変調度の大きい再生信号が得られる
光情報記録媒体が必要である。しかしながら、前記の光
情報記録媒体は、CDには無い記録層を有し、基板にで
はなく、記録層にピットを形成して記録する手段がとら
れる。さらに、この記録層にピットを形成するのを容易
にするための空隙層等を有することから、レーザ光の反
射率、再生信号の変調度等の点で再生信号がCDと異な
ってくる。特に、レーザ光を照射して形成するピット
は、プレスのように機械的に形成されるピットのように
明瞭でないため、大きな変調度がとりにくい。このた
め、いわゆるCDについての規格を定めた前記CDフォ
ーマットを満足することが困難であり、CDプレーヤで
再生可能な光ディスクを提供することができなかった。
本発明は、前記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その目的は、変調度の高い再生信号が得られる光
情報記録媒体を提供することにある。
It is strongly desired that the above-mentioned optical information recording medium has, for example, compatibility with a CD which has already become widespread and can be reproduced by a CD player at the time of reproduction. For that purpose, an optical information recording medium capable of obtaining a reproduction signal having a large modulation degree is required. However, the above-mentioned optical information recording medium has a recording layer which is not provided in a CD, and means for forming and recording pits on the recording layer, not on the substrate. Further, since the recording layer has a gap layer or the like for facilitating the formation of pits, the reproduced signal differs from the CD in terms of the reflectance of the laser beam, the modulation of the reproduced signal, and the like. In particular, a pit formed by irradiating a laser beam is not as clear as a pit formed mechanically like a press, so that it is difficult to obtain a large degree of modulation. For this reason, it is difficult to satisfy the CD format that defines the standard for a so-called CD, and it has not been possible to provide an optical disc that can be reproduced by a CD player.
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an optical information recording medium capable of obtaining a reproduced signal having a high degree of modulation.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明では、第一に、透
光性基板の上に直接または他の層を介してレーザ光を吸
収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接または他の
層を介してレーザ光を反射する光反射層と、レーザ光の
照射によってデータを再生するためのピットが形成され
ている光情報記録媒体において、このピットの部分の光
吸収層と隣接する基板側の層が変形し、且つ光吸収層の
レーザ光を照射した部分が分解し、レーザ光が照射され
た位置にピットが形成されていることを特徴とする。さ
らに、このような光情報記録媒体の光吸収層にレーザ光
を照射し、そこに前記のようなピットを形成することを
特徴とするものである。
According to the present invention, first, a light absorbing layer for absorbing a laser beam directly on a light-transmitting substrate or through another layer, and directly on the light absorbing layer. Alternatively, in an optical information recording medium in which a pit for reproducing data by laser light irradiation and a light reflecting layer for reflecting laser light through another layer are formed, the pit portion is adjacent to the light absorbing layer. The layer on the substrate side to be deformed is deformed, the portion of the light absorbing layer irradiated with the laser light is decomposed, and pits are formed at the position irradiated with the laser light. Further, the present invention is characterized in that the light absorbing layer of such an optical information recording medium is irradiated with laser light to form the pits as described above.

【0007】ここで、光吸収層にレーザ光を照射するこ
とにより、光吸収層がレーザ光を吸収して発熱すると共
に、融解、蒸発、昇華、変形または変性している。或は
前記光吸収層を構成する成分の一部が同層と隣接する層
に拡散或は粘性流動し、これが前記光吸収層に隣接する
透光性基板側の層の成分と混合し、或は部分的に化合し
ている。或は前記光吸収層とこれに隣接する他の層との
界面が剥離し、そこに空隙部が形成されているか、或は
前記光吸収層の中に気泡が発生し、且つそれが残存して
いる。
Here, by irradiating the light absorbing layer with a laser beam, the light absorbing layer absorbs the laser beam and generates heat, and is melted, evaporated, sublimated, deformed or denatured. Alternatively, a part of the components constituting the light absorbing layer diffuses or viscously flows into a layer adjacent to the same layer and mixes with components of the layer on the light-transmitting substrate side adjacent to the light absorbing layer. Is partially compounded. Alternatively, the interface between the light-absorbing layer and another layer adjacent to the light-absorbing layer is peeled off, and a void is formed there, or bubbles are generated in the light-absorbing layer and remain. ing.

【0008】このような光情報記録媒体では、そのピッ
トにおいて、光吸収層と隣接する基板側の層が局部的に
変形していることにより、ピット部分とピット部分以外
との間に位相差が生じ、かつ、入射したレーザスポット
が散乱され、レーザ光の反射光量に大きな違いが生じ
る。そのため、再生信号の変調度を大きくとることがで
きる。
In such an optical information recording medium, since a layer on the substrate adjacent to the light absorbing layer is locally deformed in the pit, a phase difference between the pit portion and the portion other than the pit portion is generated. Then, the incident laser spot is scattered, and a large difference occurs in the amount of reflected laser light. Therefore, the modulation degree of the reproduced signal can be increased.

【0009】この場合において、ピット部分の基板側の
変形は、光吸収層側に凸状であると、凹状であると、波
状であるとを問わず、上述の作用は概ね同等である。さ
らに、ピット部分に前記のような変形に加えて、基板側
の層に局部的に光学特性が変わった光学特性変性部を有
していたり、光吸収層と同層に隣接する他の層との界面
部分に空隙が形成されていたり、ピットの部分の光吸収
層に微細な気泡が分散していると、これらによるレーザ
スポットの位相差、吸収、散乱等の作用により、ピット
の部分とピット以外の部分とのレーザ光の反射光量によ
り大きな違いが生じ、再生信号の変調度をより大きくと
ることができる。
In this case, regardless of whether the pit portion is deformed on the substrate side on the side of the light absorbing layer, whether it is convex or concave, the above-mentioned action is substantially the same. Further, in addition to the above-described deformation in the pit portion, the layer on the substrate side has an optical property changing portion in which the optical property is locally changed, or another layer adjacent to the same layer as the light absorbing layer. If a void is formed at the interface of the pit or fine bubbles are dispersed in the light absorbing layer at the pit, the pit and the pit may be affected by the phase difference, absorption, scattering, etc. of the laser spot. A large difference occurs depending on the reflected light amount of the laser beam from other portions, and the modulation degree of the reproduction signal can be increased.

【0010】さらに、ピットの部分の光吸収層と隣接す
る基板側の層に、局部的に光学特性が変わった光学特性
変性部を有することにより、入射したレーザ光が前記光
学特性変性部で位相差、吸収、散乱等の作用により、ピ
ット以外の部分と、ピットの部分との光学的条件、特に
レーザ光の反射に大きな違いが生じ、前記第一の手段と
同様に、再生信号の変調度を大きくとることができる。
このように光吸収層に隣接する基板側の層を変形或は変
化させてピットを形成する光情報記録媒体では、光吸収
層の背後に密着して反射層を設けることができ、特に、
データを読みとる際の再生信号が例えばCDフォーマッ
トに適合する記録可能な光情報記録媒体が容易に得られ
る。
[0010] Further, by providing an optical property modification portion having locally changed optical characteristics in a layer on the substrate adjacent to the light absorption layer in the pit portion, incident laser light is localized at the optical property modification portion. Due to the effects of phase difference, absorption, scattering, etc., a large difference occurs in the optical conditions, particularly the reflection of laser light, between the portion other than the pit and the pit portion. Can be increased.
In such an optical information recording medium in which pits are formed by deforming or changing the layer on the substrate adjacent to the light absorbing layer, a reflective layer can be provided in close contact behind the light absorbing layer.
A recordable optical information recording medium in which a reproduction signal for reading data conforms to, for example, the CD format can be easily obtained.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について具体的且つ詳細に説明する。本
発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、図1
〜図3に示す。同図において、1は、透光性を有する基
板、2は、その上に形成された光吸収層で、後述するよ
うに、照射されたレーザ光を吸収して発熱すると共に、
融解、蒸発、昇華、変形または変性し、レーザスポット
が照射された位置にピット5を形成するための層であ
る。図2は、レーザ光による記録前の状態を、図3は、
記録後の状態、すなわち、光学ピックアップ8からレー
ザ光7を光吸収層2に収束して照射した時に、透光性基
板1の表面が一部変形及び/または変化し、ピット5が
形成された状態を模式的に示す。
Embodiments of the present invention will now be described specifically and in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a schematic structure of an optical information recording medium according to the present invention.
3 to FIG. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a light-transmitting substrate, and 2 denotes a light-absorbing layer formed thereon, which absorbs the irradiated laser light and generates heat, as described later.
This layer is for melting, evaporating, sublimating, deforming or denaturing, and forming pits 5 at the position irradiated with the laser spot. FIG. 2 shows a state before recording by a laser beam, and FIG.
After recording, that is, when the laser beam 7 was converged and irradiated onto the light absorbing layer 2 from the optical pickup 8, the surface of the light transmitting substrate 1 was partially deformed and / or changed, and the pits 5 were formed. The state is schematically shown.

【0012】光吸収層2にレーザ光7を照射したとき、
その照射部分がレーザ光7を吸収して発熱すると共に、
同照射部分が融解、分解し、同時にこれに隣接する層も
軟化、融解する。そして、前記光吸収層2を構成する成
分の一部が同層と隣接する層に拡散或は粘性流動し、こ
れが光吸収層2に隣接する透光性基板1側の層の成分と
混合し、部分的に化合する。これに伴って、光吸収層2
と隣接する層の表面に凸状の変形部分6が形成される。
こうした現象は、例えば、光吸収層2と隣接する一方の
層が金属層からなる光反射層3であり、隣接する他方の
層が樹脂層からなる透光性基板1である場合には、主と
して透光性基板1側で起こり易いが、光吸収層2との界
面側の変形は、光反射層3側にも生じることがある。な
お、前記変形部分6は、場合によっては、光吸収層2側
に波状の場合もあり、さらには、凹状である場合もあ
る。
When the light absorbing layer 2 is irradiated with a laser beam 7,
The irradiated part absorbs the laser beam 7 and generates heat,
The irradiated portion melts and decomposes, and at the same time, the layer adjacent thereto softens and melts. Some of the components constituting the light absorbing layer 2 diffuse or viscously flow into a layer adjacent to the light absorbing layer 2, and are mixed with components of the layer on the light transmitting substrate 1 side adjacent to the light absorbing layer 2. , Partially compound. Accordingly, the light absorbing layer 2
And a convex deformed portion 6 is formed on the surface of the layer adjacent to.
Such a phenomenon is mainly caused, for example, when one layer adjacent to the light absorption layer 2 is the light reflection layer 3 made of a metal layer and the other adjacent layer is the light transmissive substrate 1 made of a resin layer. Although it tends to occur on the light-transmitting substrate 1 side, deformation on the interface side with the light absorbing layer 2 may also occur on the light reflecting layer 3 side. In some cases, the deformed portion 6 may have a wavy shape on the light absorbing layer 2 side, or may have a concave shape.

【0013】透光性基板1は、レーザ光に対する透明度
の高い材料で、耐衝撃性に優れた主として樹脂により形
成されたもの、例えばポリカーボネート板、アクリル
板、エポキシ板等が用いられる。光吸収層2は、前記透
光性基板1側から入射したレーザ光を吸収して発熱する
と共に、融解、分解するもので、例えば、インドジカー
ボシアニン等のシアニン系色素を前記基板1の上または
その上に形成された他の層を介してスピンコート法等に
より形成される。反射層3は金属膜により形成され、例
えば、金、銀、銅、アルミニウムあるいはこれらを含む
合金膜等により形成される。保護層4は、透光性基板1
と同様の耐衝撃性に優れた樹脂により形成され、最も一
般的には紫外線硬化性樹脂をスピンコート法により塗布
し、これに紫外線を照射して硬化させることにより形成
される。この他、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコ
ーン系ハードコート樹脂等が一般に使用される。
The light-transmitting substrate 1 is made of a material having high transparency to laser light and mainly made of resin having excellent impact resistance, such as a polycarbonate plate, an acrylic plate, and an epoxy plate. The light absorbing layer 2 absorbs the laser light incident from the light transmitting substrate 1 side, generates heat, and melts and decomposes. For example, a cyanine dye such as indodicarbocyanine is coated on the substrate 1. Alternatively, it is formed by a spin coating method or the like via another layer formed thereon. The reflection layer 3 is formed of a metal film, for example, gold, silver, copper, aluminum, or an alloy film containing them. The protective layer 4 is made of a transparent substrate 1
And most commonly formed by applying a UV-curable resin by a spin coating method and irradiating the UV-curable resin with the UV-curable resin to cure the resin. In addition, epoxy resins, acrylic resins, silicone-based hard coat resins, and the like are generally used.

【0014】なお、この発明による光情報記録媒体にお
いて、前記光吸収層2の複素屈折率の実数部nabs とそ
の膜厚dabs と再生光の波長λとで与えられるρ=n
absabs/λが0.05≦ρ≦0.6であり、かつ前記
複素屈折率の虚部kabs が0.3以下であるのが望まし
い。これは、前記再生光に対する反射率を高くするため
であり、前記の条件を満足する場合は、高い反射率が得
られ、反射率70%以上というCDフォーマット等に定
められた規格特性を十分確保できる。
In the optical information recording medium according to the present invention, ρ = n given by the real part n abs of the complex refractive index of the light absorbing layer 2, its thickness d abs and the wavelength λ of the reproduction light.
It is desirable that abs d abs / λ is 0.05 ≦ ρ ≦ 0.6 and that the imaginary part kabs of the complex refractive index is 0.3 or less. This is to increase the reflectance with respect to the reproduction light, and when the above condition is satisfied, a high reflectance is obtained and the standard characteristics of 70% or more, which is defined in a CD format or the like, are sufficiently secured. it can.

【0015】図4〜図8にレーザ光を照射して形成され
た上述のピット5の状態の例を模式的に示している。図
4は、ピット5の部分において、レーザ光7のスポット
を光吸収層2に照射する事により、光吸収層2と隣接す
る基板1に変形6が生じた状態を模式的に示している。
FIGS. 4 to 8 schematically show examples of the state of the pits 5 formed by irradiating a laser beam. FIG. 4 schematically shows a state in which a spot 6 of a laser beam 7 is applied to the light absorbing layer 2 at the pit 5 to deform the substrate 1 adjacent to the light absorbing layer 2.

【0016】これをより具体的に説明すると、図4
(a)は、光吸収層2にレーザスポットを照射したと
き、同層2の成分が融解、分解されると共に、透光性基
板1の前記光吸収層2との界面側が軟化し、これによっ
て光吸収層2の成分が透光性基板1側に拡散或は粘性流
動することにより、変形6が形成された場合を模式的に
示している。この変形6の部分は、同時に、光吸収層2
の成分が透光性基板1を構成する材料と局部的に混合
し、部分的に化合することにより、光吸収層2や透光性
基板1と光学的特性が異なるようになった光学特性変性
部12であることもある。
This will be described more specifically.
(A), when a laser spot is applied to the light absorbing layer 2, the components of the light absorbing layer 2 are melted and decomposed, and the interface side of the light transmitting substrate 1 with the light absorbing layer 2 is softened. This schematically shows a case where the deformation 6 is formed by the components of the light absorbing layer 2 being diffused or viscous flow toward the transparent substrate 1 side. The portion of the modification 6 is simultaneously formed with the light absorbing layer 2.
Is locally mixed with the material constituting the light-transmitting substrate 1 and partially combined, whereby the optical characteristics of the light-absorbing layer 2 and the light-transmitting substrate 1 are different from those of the light-absorbing layer 2 or the light-transmitting substrate 1. It may be the unit 12.

【0017】ピット5を形成するため、光吸収層2にレ
ーザスポットを照射すると、その部分で光吸収層2を形
成する成分が局部的に発熱し、融解、分解するため、光
吸収層2の光学特性も局部的に変化するのが通例であ
る。さらに、こうした現象に伴い、物理的には図4
(b)で示すように、光吸収層2とこれに隣接する他の
層、例えば光反射層3との界面が剥離し、そこに空隙部
10が形成されたり、或は光吸収層2の中に気泡が発生
し、これが冷却後にも残存していることがある。
When the light absorbing layer 2 is irradiated with a laser spot in order to form the pits 5, the components forming the light absorbing layer 2 locally generate heat, melt and decompose at that portion. Usually, the optical characteristics also change locally. Furthermore, with such a phenomenon, physically, FIG.
As shown in (b), the interface between the light-absorbing layer 2 and another layer adjacent thereto, for example, the light-reflecting layer 3 is peeled off, and a void 10 is formed there, or the light-absorbing layer 2 Bubbles may be generated inside and may remain after cooling.

【0018】前記のような空隙10は、光吸収層2のレ
ーザ光7の入射する側に隣接する層、例えば基板1側
が、光吸収層2の背後側の層、例えば光反射層3及び保
護層4側より比較的熱変形しやすく、光吸収層2との結
着性が、後者が前者に比べて悪い場合に形成できる。す
なわち、このような光情報記録媒体では、光吸収層2の
レーザ光7を照射したとき、既に述べたようにして光吸
収層2にエネルギーが発生し、基板1が変形6されると
同時に、光吸収層2の中にガスが発生し、これによって
結着性の悪い光吸収層2とそれに隣接する光反射層3と
の界面が剥離し、そこにガスが溜ることによって生じる
ものと考えられる。また、光吸収層2の内部で発生した
ガスは、気泡11となって残存する。
The air gap 10 as described above is formed by a layer adjacent to the side of the light absorbing layer 2 on which the laser beam 7 is incident, for example, the substrate 1 is located on the back side of the light absorbing layer 2, for example, the light reflecting layer 3 and the protective layer. The layer can be formed when the layer 4 is relatively easily deformed by heat and the binding property with the light absorbing layer 2 is lower in the latter than in the former. That is, in such an optical information recording medium, when the laser beam 7 of the light absorbing layer 2 is irradiated, energy is generated in the light absorbing layer 2 as described above, and the substrate 1 is deformed 6 at the same time. It is considered that gas is generated in the light absorbing layer 2, whereby the interface between the light absorbing layer 2 having poor binding properties and the light reflecting layer 3 adjacent thereto is separated, and the gas is accumulated there. . The gas generated inside the light absorbing layer 2 remains as bubbles 11.

【0019】図4(c)と(d)は、透光性基板1側の
変形6の他の形状を示すもので、(c)は、凸状の変形
6の頂部が2つに割れた状態を示しており、(d)は、
凹凸が交互に繰り返される波状の変形6を示している。
これらの場合にも、前記のような空隙部10、気泡1
1、光学的変性部12が形成されることがあり得る。図
8は、透光性基板1の表面に形成されたトラッキング手
段であるところのプレグルーブ13に沿ってピット5を
形成するため、前記プレグルーブ13に沿って光吸収層
2にレーザスポットを照射した後、保護層4と光反射層
3を透光性基板1から剥離し、さらに同基板1の表面か
ら光吸収層2を除去した状態を模式的に示している。
FIGS. 4C and 4D show other shapes of the deformation 6 on the light-transmitting substrate 1 side. FIG. 4C shows that the top of the convex deformation 6 is split into two. (D) shows the state.
A wavy deformation 6 in which unevenness is alternately repeated is shown.
In these cases, the gap 10 and the bubble 1
1. The optically modified portion 12 may be formed. FIG. 8 shows that a laser spot is irradiated on the light absorbing layer 2 along the pre-groove 13 in order to form the pits 5 along the pre-groove 13 which is a tracking means formed on the surface of the translucent substrate 1. After that, a state in which the protective layer 4 and the light reflecting layer 3 are separated from the light transmitting substrate 1 and the light absorbing layer 2 is removed from the surface of the substrate 1 is schematically shown.

【0020】さらに、STM(Scanning Tunneling Mic
roscope)を用いて、前記プレグルーブ13に沿う透光
性基板1の表面の状態を観察した例を、図9に示す。同
図では、チップ(探針)14のプレグルーブ13に沿う
方向、つまりトラッキング方向の移動距離を横軸にと
り、透光性基板1の表面の高度を縦軸にとって示してあ
る。同図(a)は、ピットの距離が10000オングス
トロームと比較的短い場合であり、ここでは高さ約20
0オングストロームの凸状の明瞭な変形6が形成されて
いることが理解できる。また、同図(b)は、ピットの
距離が40000オングストロームと比較的長い場合で
あり、ここでは高さ約200オングストロームの凸状の
変形6が認められるが、この変形の中間部がやや低くな
っており、変形6の峰が2つに分かれていることが分か
る。
Further, STM (Scanning Tunneling Mic)
FIG. 9 shows an example of observing the state of the surface of the translucent substrate 1 along the pre-groove 13 using a microscope. In the drawing, the direction along the pregroove 13 of the tip (probe) 14, that is, the moving distance in the tracking direction is plotted on the horizontal axis, and the altitude of the surface of the translucent substrate 1 is plotted on the vertical axis. FIG. 9A shows a case where the distance between the pits is relatively short, that is, 10000 angstroms.
It can be seen that a 0 angstrom convex clear deformation 6 is formed. FIG. 6B shows a case where the distance between the pits is relatively long at 40,000 angstroms. Here, a convex deformation 6 having a height of about 200 angstroms is recognized, but the intermediate portion of this deformation is slightly lower. It can be seen that the peak of deformation 6 is divided into two.

【0021】図5は、ピット5の部分における、光吸収
層2と隣接する透光性基板1の変形6が、光吸収層2に
対し、凹状に形成されている場合を模式的に示す。図5
(a)は、光吸収層2と光反射層3との境界に空隙10
が形成された場合を示しており、同図(b)は、前記空
隙10が形成されるのと同時に、光吸収層2の中に微細
な気泡11、11…が分散し、さらに変形6が形成され
た透光性基板1に、光吸収層2の分解成分が拡散し、こ
の成分と透光性基板1を構成する成分とが混合して、部
分的に化合し、光学特性変性部12が形成されている場
合を示している。さらに、同図(c)は、前記空隙10
が形成されるのと同時に、基板1と光吸収層2との間に
空隙10’が形成された場合を示している。
FIG. 5 schematically shows a case where the deformation 6 of the light-transmitting substrate 1 adjacent to the light absorbing layer 2 at the pit 5 is formed in a concave shape with respect to the light absorbing layer 2. FIG.
(A) shows a gap 10 at the boundary between the light absorbing layer 2 and the light reflecting layer 3.
. FIG. 3B shows the case where fine bubbles 11, 11... Are dispersed in the light absorbing layer 2 at the same time when the voids 10 are formed, and the deformation 6 is further reduced. The decomposed component of the light absorbing layer 2 diffuses into the formed light-transmitting substrate 1, and this component and the component constituting the light-transmitting substrate 1 are mixed and partially combined to form the optical property modifying portion 12. Are formed. Further, FIG.
Is formed, and at the same time, a gap 10 ′ is formed between the substrate 1 and the light absorbing layer 2.

【0022】図6は、ピット5における変形6、6’
が、光吸収層2に隣接する双方の層に及んでいる場合を
示している。こうしたピットは、光吸収層2を挟む両側
の層、例えば基板1と光反射層2及び保護層4との熱変
形温度または硬度がほぼ同等である場合に形成されるこ
とが多い。図6(a)では、前記ピット5において、光
吸収層2と基板1との間に空隙10’が形成された場合
を、同図(b)は、光吸収層2と隣接する基板1及び光
反射層3との間の双方に空隙部10、10’が形成され
た場合を、同図(c)は、光吸収層2の中に微細な気泡
11、11…が分散している場合を各々示している。図
6(d)には、透光性基板1と光反射層3側の変形6、
6’が、何れも光吸収層2側に向かって凸状に形成され
ている状態を示している。
FIG. 6 shows deformations 6 and 6 ′ in the pit 5.
Indicates a case in which both layers are adjacent to the light absorption layer 2. Such pits are often formed when the layers on both sides sandwiching the light absorbing layer 2, for example, the substrate 1 and the light reflecting layer 2 and the protective layer 4 have substantially the same thermal deformation temperature or hardness. FIG. 6A shows a case where a gap 10 ′ is formed between the light absorbing layer 2 and the substrate 1 in the pit 5, and FIG. FIG. 3C shows a case where voids 10, 10 ′ are formed between the light-absorbing layer 2 and the light-reflecting layer 3. Are respectively shown. FIG. 6D shows a modification 6 on the side of the translucent substrate 1 and the light reflecting layer 3.
6 'shows a state in which each of them is formed in a convex shape toward the light absorbing layer 2 side.

【0023】さらに図7は、光吸収層2に対して、レー
ザ光7が入射される側の層に、ピット5の部分において
他の部分と光学的特性の変わった光学特性変性部13を
有する場合である。この変性部13は、必ずレーザ光7
の入射側にあり、これが光吸収層2の内部に及ぶことが
多い。この場合、光吸収層2に隣接する層の変形6がみ
られることがあるが、光学特性変性部13の存在によ
り、変形が不明瞭であるのが一般的である。
Further, FIG. 7 shows that the layer on the side where the laser beam 7 is incident with respect to the light absorbing layer 2 has an optical property altering section 13 in which the optical property is changed in the pit 5 from the other portions. Is the case. This denaturing section 13 is always
This often reaches the inside of the light absorbing layer 2. In this case, deformation 6 of the layer adjacent to the light absorption layer 2 may be seen, but the deformation is generally unclear due to the presence of the optical property modification portion 13.

【0024】図7(a)は、光吸収層2に隣接する、例
えば基板1の部分に光学特性変性部13が形成された状
態を示し、同図(b)は、前記基板1から光吸収層2に
至って、その厚み方向に光学特性が漸次変化する状態を
示している。こうした各層の変性は、光吸収層2にレー
ザ光7が照射されたときに発生する熱の作用により、光
吸収層2や他の層が分解、反応、相互拡散することによ
り形成される。従って、このようなピット5は、光吸収
層2とこれに隣接する層とに、こうした作用を有する材
料を選択したときに形成される。
FIG. 7A shows a state in which an optical property modifying portion 13 is formed adjacent to the light absorbing layer 2, for example, in a portion of the substrate 1, and FIG. This shows a state in which the optical characteristics gradually change in the thickness direction of the layer 2. Such denaturation of each layer is formed by the action of heat generated when the light absorbing layer 2 is irradiated with the laser beam 7, whereby the light absorbing layer 2 and other layers are decomposed, reacted, and mutually diffused. Therefore, such pits 5 are formed when a material having such an action is selected for the light absorbing layer 2 and the layer adjacent thereto.

【0025】さらに、本発明の具体的な実施例につい
て、以下に説明する。 (実施例1)表面に幅0.8μm、深さ0.08μm、
ピッチ1.6μmのスパイラル状のプレグルーブ8が形
成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径15
mmφのポリカーボネート基板1を射出成形法により成
形した。このポリカーボネート基板1のロックウェル硬
度ASTM D785は、M75(鉛筆硬度HBと同
等)であり、熱変形温度ASTM D648は、4.6
kg/cm2、121℃であった。
Further, specific examples of the present invention will be described below. (Example 1) 0.8 μm in width, 0.08 μm in depth,
A spiral pre-groove 8 having a pitch of 1.6 μm is formed, having a thickness of 1.2 mm, an outer diameter of 120 mmφ, and an inner diameter of 15 mm.
A mmφ polycarbonate substrate 1 was molded by an injection molding method. Rockwell hardness ASTM D785 of this polycarbonate substrate 1 is M75 (equivalent to pencil hardness HB), and heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6.
kg / cm 2 and 121 ° C.

【0026】光吸収層2を形成するための有機色素とし
て、0.65gの1,1’ジブチル3,3,3’,3’
テトラメチル4,5,4’,5’ジベンゾインドジカー
ボシアニンパークロレート(日本感光色素研究所製、品
番NK3219)を、ジアセトンアルコール溶剤10c
cに溶解し、これを前記の基板1の表面に、スピンコー
ト法により塗布し、膜厚130nmの光吸収層2を形成
した。
As an organic dye for forming the light absorbing layer 2, 0.65 g of 1,1′-dibutyl 3,3,3 ′, 3 ′
Tetramethyl 4,5,4 ', 5' dibenzoindodicarbocyanine perchlorate (manufactured by Nippon Kogaku Dyestuff Research Laboratory, product number NK3219) was added to diacetone alcohol solvent 10c.
c, and this was applied to the surface of the substrate 1 by spin coating to form a light absorbing layer 2 having a thickness of 130 nm.

【0027】次に、このディスクの直径45〜118m
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚80
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。この保護層4の硬化後のロックウ
ェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温
度ASTM D648は、4.6kg/cm2、135℃
であった。
Next, the diameter of this disk is 45 to 118 m.
The film thickness is 80
An Au film having a thickness of 3 nm was formed, and the reflective layer 3 was formed. further,
An ultraviolet curable resin was spin-coated on the reflective layer 3 and irradiated with ultraviolet light to be cured, thereby forming a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the protective layer 4 is M90, and the heat deformation temperature ASTM D648 is 4.6 kg / cm 2 , 135 ° C.
Met.

【0028】こうして得られた光ディスクに、波長78
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ(Aure
x XR−V73、再生光の波長λ=780nm)で再
生したところ、半導体レーザの反射率が72%、I11
top が0.68、I3/Itop が0.35、ブロックエ
ラーレートBLERが1.2×10-2であった。
The optical disk thus obtained has a wavelength of 78
A 0 nm semiconductor laser was irradiated at a linear velocity of 1.2 m / sec at a recording power of 6.0 mW to record an EFM signal. After that, this optical disc is loaded onto a commercially available CD player (Aure
x XR-V73, the reproduction light wavelength λ = 780 nm), the reflectivity of the semiconductor laser was 72%, and I 11 /
I top was 0.68, I 3 / I top was 0.35, and the block error rate BLER was 1.2 × 10 −2 .

【0029】CD規格では、反射率が70%以上、I11
/Itopが0.6以上、I3/Itopが0.3〜0.7、
ブロックエラーレートBLERが3×10-2以下と定め
られており、この実施例による光ディスクは、この規格
を満足している。さらにこの記録後の光ディスクの前記
保護層4と光反射層3とを剥離し、光吸収層2を溶剤で
洗浄、除去して、透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、ピット
の部分に凸状の変形が見られた。
According to the CD standard, the reflectance is 70% or more, and I 11
/ I top is 0.6 or more, I 3 / I top is 0.3 to 0.7,
The block error rate BLER is determined to be 3 × 10 −2 or less, and the optical disc according to this embodiment satisfies this standard. Further, the protective layer 4 and the light reflecting layer 3 of the optical disk after recording are peeled off, the light absorbing layer 2 is washed and removed with a solvent, and the surface of the light transmitting substrate 1 is subjected to STM (Scanni).
When observed with an ng Tunneling Microscope), convex deformation was observed at the pits.

【0030】(実施例2)前記実施例1において、光吸
収層2と光反射層3との間に、エポキシ樹脂をスピンコ
ートし、膜厚100nmの硬質層を設けたこと以外は、
前記実施例1と同様にして、光ディスクを製作した。な
お、このエポキシ樹脂硬化後のロックウェル硬度AST
M D785はM90であり、熱変形温度ASTM D
648は、4.6kg/cm2、135℃であった。
(Example 2) In Example 1, except that an epoxy resin was spin-coated between the light absorbing layer 2 and the light reflecting layer 3 to provide a hard layer having a thickness of 100 nm.
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1. The Rockwell hardness AST after curing of this epoxy resin
M D785 is M90 and the heat distortion temperature ASTM D
648 was 4.6 kg / cm 2 , 135 ° C.

【0031】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、市販のCDプレーヤで再生したところ、前
記実施例1と同様の半導体レーザの反射率、再生信号出
力特性が得られ、さらにブロックエラーレートBLER
は、3.0×10-3であった。また、前記実施例1と同
様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1の表面を
STM(Scanning Tunneling Microscope)で観察した
ところ、凸状の変形部分6が認められた。この変形部分
6の中間はやや低くなっており、変形の峰が2つに分か
れていることが確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in the first embodiment. After that, when this optical disc was reproduced by a commercially available CD player, the reflection of the semiconductor laser was the same as in the first embodiment. Rate and playback signal output characteristics, and furthermore, the block error rate BLER
Was 3.0 × 10 −3 . When the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope) in the same manner as in Example 1, a convex deformed portion 6 was observed. The middle of the deformed portion 6 was slightly lower, and it was confirmed that the peak of deformation was divided into two.

【0032】(実施例3)前記実施例1において、光吸
収層2と光反射層3との間であって、光吸収層2の上面
に形成するエポキシ樹脂に代えて厚膜100nmのシリ
コンアクリル樹脂の硬質層を設け、この硬質層の上面に
エポキシ樹脂からなる20nmの結着層をそれぞれスピ
ンコート法により形成したこと以外は、前記実施例1と
同様にして、光ディスクを製作した。なお、シリコンア
クリル樹脂層の硬化後のロックウェル硬度ASTM D
785はM100であり、熱変形温度ASTM D64
8は、4.6kg/cm2、100℃であった。
(Example 3) In Example 1, a 100 nm thick silicon acryl was used between the light absorbing layer 2 and the light reflecting layer 3 and instead of the epoxy resin formed on the upper surface of the light absorbing layer 2. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a hard layer of resin was provided, and a binding layer of 20 nm made of epoxy resin was formed on the upper surface of the hard layer by spin coating. The Rockwell hardness ASTM D after curing the silicone acrylic resin layer
785 is M100, heat distortion temperature ASTM D64
8 was 4.6 kg / cm 2 and 100 ° C.

【0033】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例1と同じ
CDプレーヤ(Aurex XR−V73、再生光の波
長780nmで再生したところ、半導体レーザの反射率
が75%、I11/Itop が0.63、I3/Itop が0.
35、ブロックエラーレートBLERが2.5×10-3
であった。また、前記実施例1と同様にして、記録後の
光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanning T
unneling Microscope)で観察したところ、実施例1と
同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in the first embodiment. Thereafter, this optical disc was loaded into the same CD player (Aurex XR-V73, When reproduction was performed at a wavelength of 780 nm of the reproduction light, the reflectivity of the semiconductor laser was 75%, I 11 / I top was 0.63, and I 3 / I top was 0.
35, block error rate BLER is 2.5 × 10 -3
Met. Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording is STM (Scanning T).
When observed with an unneling microscope, the same state as in Example 1 was confirmed.

【0034】(実施例4)前記実施例1において、光吸
収層2の上に、光反射層3として金とアンチモンとの
9:1の割合の合金膜を真空蒸着法で形成したこと、及
びこの反射層3の上に、エポキシ樹脂からなる20nm
の結着層を介して紫外線硬化樹脂からなる保護層4を形
成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、光ディ
スクを製作した。なお、前記光反射層3は、鉛筆硬度と
して「H」以上の硬度を有する。
(Embodiment 4) In Embodiment 1, an alloy film of gold and antimony having a ratio of 9: 1 was formed on the light absorbing layer 2 by a vacuum evaporation method as the light reflecting layer 3, and On this reflective layer 3, 20 nm of epoxy resin
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the protective layer 4 made of an ultraviolet-curable resin was formed via the binder layer. The light reflection layer 3 has a pencil hardness of "H" or more.

【0035】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にして記録パワー6.2mWにてEFM信号
を記録し、その後、この光ディスクを、実施例1と同じ
CDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率
が72%、I11/Itop が0.62、I3/Itop が0.
32、ブロックエラーレートBLERが3.5×10-3
であった。また、前記実施例1と同様にして、記録後の
光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanning T
unneling Microscope)で観察したところ、実施例1と
同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 6.2 mW in the same manner as in the first embodiment. Thereafter, this optical disc was reproduced by the same CD player as in the first embodiment. The reflectance of the laser is 72%, I 11 / I top is 0.62, and I 3 / I top is 0.2.
32, block error rate BLER is 3.5 × 10 -3
Met. Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording is STM (Scanning T).
When observed with an unneling microscope, the same state as in Example 1 was confirmed.

【0036】(実施例5)前記実施例1において、ポリ
カーボネート基板1の光入射側上に紫外線硬化型ハード
コート樹脂をスピンコートし、厚さ1μmの基板保護層
を設け、プリグルーブを設けた面上に光吸収層2を形成
したこと、及びこの光吸収層2の上に、光反射層3とし
てイリジウムと金との3:1の割合の合金膜をスパッタ
リング法により形成したこと以外は、前記実施例1と同
様にして、光ディスクを製作した。なお、前記光反射層
3は、鉛筆硬度として「5H」以上の硬度を有する。
Example 5 In Example 1, the surface of the polycarbonate substrate 1 was spin-coated with a UV-curable hard coat resin on the light incident side, provided with a 1 μm-thick substrate protection layer, and provided with a pre-groove. The light-absorbing layer 2 was formed thereon, and a 3: 1 alloy film of iridium and gold was formed as a light-reflective layer 3 on the light-absorbing layer 2 by a sputtering method. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1. The light reflection layer 3 has a pencil hardness of “5H” or more.

【0037】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、前記実施例1と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が70%、I11/I
top が0.62、I3/Itop が0.37、ブロックエラ
ーレートBLERが3.7×10-3であった。また、前
記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性
基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscop
e)で観察したところ、実施例1と同様の状態が確認さ
れた。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in the first embodiment. After that, when this optical disc was reproduced by the same CD player as in the first embodiment, the reflectance of the semiconductor laser was 70%. %, I 11 / I
The top was 0.62, the I 3 / I top was 0.37, and the block error rate BLER was 3.7 × 10 −3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording is applied to an STM (Scanning Tunneling Microscop).
When observed in e), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0038】(実施例6)前記実施例1において、光反
射層3を厚さ60nmの銀膜で形成したこと、その上に
シリコーン系ハードコート剤をスピンコートし、これを
加熱、硬化させて厚み3μmの硬質保護層4を形成した
以外は、前記実施例1と同様にして、光ディスクを製作
した。なお、前記保護層4は、鉛筆硬度として「HB」
以上の硬度を有する。
(Example 6) In Example 1, the light reflection layer 3 was formed of a silver film having a thickness of 60 nm, and a silicone-based hard coat agent was spin-coated thereon, followed by heating and curing. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the hard protective layer 4 having a thickness of 3 μm was formed. The protective layer 4 has a pencil hardness of “HB”.
It has the above hardness.

【0039】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が71%、I11/Itop
0.63、I3/Itop が0.35、ブロックエラーレー
トBLERが2.8×10-3であった。また、前記実施
例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1
の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で
観察したところ、実施例1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in the first embodiment. After that, when this optical disc was reproduced by the same CD player as that in the first embodiment, the reflectance of the semiconductor laser was 71%. , I 11 / I top was 0.63, I 3 / I top was 0.35, and the block error rate BLER was 2.8 × 10 −3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the light-transmitting substrate 1
When the surface of the sample was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0040】(実施例7)前記実施例1において、膜厚
50nmのAu膜を真空蒸着した光反射層3の上に、ジ
グリシジルエーテルで希釈したポリサルファイド添加エ
ポキシ樹脂をスピンコートして形成された30nmの結
着層を介してシリコーン系ハードコート剤をスピンコー
トし、これを加熱、硬化させて厚み3μmの硬質保護層
4を形成した以外は、前記実施例1と同様にして、光デ
ィスクを製作した。
Example 7 In Example 1, a polysulfide-added epoxy resin diluted with diglycidyl ether was spin-coated on the light reflecting layer 3 on which a 50 nm-thick Au film was vacuum-deposited. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a silicone-based hard coat agent was spin-coated through a 30-nm binding layer, and this was heated and cured to form a hard protective layer 4 having a thickness of 3 μm. did.

【0041】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が72%、I11/Itop
0.65、I3/Itop が0.35、ブロックエラーレー
トBLERが2.5×10-3であった。また、前記実施
例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1
の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で
観察したところ、実施例1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained in the same manner as in the first embodiment. After that, when this optical disk was reproduced by the same CD player as in the first embodiment, the reflectance of the semiconductor laser was 72%. , I 11 / I top was 0.65, I 3 / I top was 0.35, and the block error rate BLER was 2.5 × 10 −3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the light-transmitting substrate 1
When the surface of the sample was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0042】(実施例8)前記実施例1において、1、
1’ジブチル3、3、3’、3’テトラメチル5、5’
ジエトキシインドジカーボシアニンアイオダイドを用い
て光吸収層2を形成したこと、光反射層3の上にエポキ
シ樹脂からなる100nmの硬質層を形成し、さらにこ
の上に紫外線硬化樹脂を10μm設けて、保護層4を形
成した以外は、前記実施例1と同様にして、光ディスク
を製作した。
(Embodiment 8)
1 'dibutyl 3, 3, 3', 3 'tetramethyl 5, 5'
The light-absorbing layer 2 was formed using diethoxyindodicarbocyanine iodide, a 100-nm hard layer made of epoxy resin was formed on the light-reflective layer 3, and an ultraviolet-curing resin was further provided thereon by 10 μm. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the protective layer 4 was formed.

【0043】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、この光
ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したと
ころ、半導体レーザの反射率が74%、I11/Itop
0.68、I3/Itop が0.34、ブロックエラーレー
トBLERが8.3×10-3であった。また、前記実施
例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1
の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で
観察したところ、実施例1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained in the same manner as in the first embodiment. After that, when this optical disk was reproduced by the same CD player as that in the first embodiment, the reflectivity of the semiconductor laser was 74%. , I 11 / I top was 0.68, I 3 / I top was 0.34, and the block error rate BLER was 8.3 × 10 −3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the light-transmitting substrate 1
When the surface of the sample was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0044】(実施例9)前記実施例1において、ポリ
カーボネート基板1の光入射側上に紫外線硬化型ハード
コート樹脂をスピンコートし、厚さ1μmの基板保護層
を設けたこと以外は、前記実施例1と同様にして、光デ
ィスクを製作した。こうして得られた光ディスクに、前
記実施例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、前記実施例1と同じCDプレーヤで
再生したところ、半導体レーザの反射率が70%、I11
/Itop が0.62、I3/Itop が0.37、ブロック
エラーレートBLERが1.3×10-2であった。ま
た、前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの
透光性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Mic
roscope)で観察したところ、実施例1と同様の状態が
確認された。
Ninth Embodiment The procedure of the first embodiment is the same as that of the first embodiment except that an ultraviolet-curing hard coat resin is spin-coated on the light incident side of the polycarbonate substrate 1 to provide a 1 μm-thick substrate protection layer. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1. An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained in the same manner as in the first embodiment.
When this optical disc was reproduced with the same CD player as in the first embodiment, the reflectance of the semiconductor laser was 70% and I 11
/ I top was 0.62, I 3 / I top was 0.37, and the block error rate BLER was 1.3 × 10 -2 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording is STM (Scanning Tunneling Mic).
(roscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0045】(実施例10)前記実施例1において、光
吸収層2と反射層3との間に、シクロヘキサンに溶解し
たポリブタジエン樹脂をスピンコートし、厚さ10nm
のポリブタジエン樹脂層を設けたこと以外は、前記実施
例1と同様にして、光ディスクを製作した。こうして得
られた光ディスクに、前記実施例1と同様にしてEFM
信号を記録し、その後、この光ディスクを、前記実施例
1と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザ
の反射率が72%、I11/Itop が0.65、I3/I
top が0.35、ブロックエラーレートBLERが8.
6×10-3であった。また、前記実施例1と同様にし
て、記録後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM
(Scanning Tunneling Microscope)で観察したとこ
ろ、実施例1と同様の状態が確認された。
Example 10 In Example 1, a polybutadiene resin dissolved in cyclohexane was spin-coated between the light absorbing layer 2 and the reflecting layer 3 to a thickness of 10 nm.
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the polybutadiene resin layer was provided. The optical disk thus obtained was subjected to EFM in the same manner as in the first embodiment.
A signal was recorded, and then this optical disk was reproduced by the same CD player as in the first embodiment. As a result, the reflectance of the semiconductor laser was 72%, I 11 / I top was 0.65, and I 3 / I
Top is 0.35, block error rate BLER is 8.
It was 6 × 10 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is
(Scanning Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0046】(実施例11)前記実施例1において使用
したのと同じポリカーボネート基板1の表面にジイソブ
チルケトンで溶解したアクリル樹脂をスピンコートし、
厚み40nmの樹脂層(図示せず)を形成した。この樹
脂層のロックウェル硬度ASTM D785は、M85
であり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg
/cm2、100℃であった。
Example 11 The same polycarbonate substrate 1 as used in Example 1 was spin-coated with an acrylic resin dissolved with diisobutyl ketone on the surface thereof.
A resin layer (not shown) having a thickness of 40 nm was formed. The Rockwell hardness ASTM D785 of this resin layer is M85
And the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg.
/ Cm 2 and 100 ° C.

【0047】光吸収層2を形成するための有機色素とし
て、0.6gの1,1’ジプロピル,3,3,3’,
3’テトラメチル5,5’ジメトキシインドジカーボシ
アニンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤1
0ccに溶解し、これを前記の基板1の表面に、スピン
コート法により塗布し、膜厚120nmの光吸収層2を
形成した。この光吸収層2の複素屈折率の実数部nabs
とその膜厚dabs と再生光の波長λとで与えられるρ=
absabs/λは、0.41であり、かつ前記複素屈折
率の虚部kabs は0.02であった。
As an organic dye for forming the light absorbing layer 2, 0.6 g of 1,1′-dipropyl, 3,3,3 ′,
3 ′ tetramethyl 5,5 ′ dimethoxyindodicarbocyanine iodide was added to isopropyl alcohol solvent 1
The solution was dissolved in 0 cc, and the solution was applied to the surface of the substrate 1 by spin coating to form a light absorbing layer 2 having a thickness of 120 nm. The real part n abs of the complex refractive index of the light absorbing layer 2
Ρ given by the following formula and its film thickness d abs and the wavelength λ of the reproduction light:
n abs d abs / λ was 0.41, and the imaginary part k abs of the complex refractive index was 0.02.

【0048】次に、この上にシクロヘキサンに溶解した
シリコンアクリル樹脂をスピンコートし、厚さ100n
mの硬質層を形成した。この硬質層は、鉛筆硬度2H、
熱変形温度ASTM D648 4.6kg/cm2、1
20℃であった。硬質層の上にスパッタリング法によ
り、膜厚50nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成し
た。さらに、この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をス
ピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚
10μmの保護層4を形成した。この保護層4の硬化後
のロックウェル硬度ASTM D785はM90であ
り、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/c
2、135℃であった。
Next, a silicon acrylic resin dissolved in cyclohexane was spin-coated thereon to form a
m hard layers were formed. This hard layer has a pencil hardness of 2H,
Heat deformation temperature ASTM D648 4.6 kg / cm 2 , 1
20 ° C. An Au film having a thickness of 50 nm was formed on the hard layer by a sputtering method, and the reflective layer 3 was formed. Further, an ultraviolet curable resin was spin-coated on the reflective layer 3 and irradiated with ultraviolet light to be cured, thereby forming a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the protective layer 4 is M90, and the heat deformation temperature ASTM D648 is 4.6 kg / c.
m 2 , 135 ° C.

【0049】こうして得られた光ディスクに、波長78
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー7.5mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤで
再生したところ、半導体レーザの反射率が74%、I11
/Itop が0.62、I3/Itop が0.31、ブロック
エラーレートBLERが4.0×10-3であった。ま
た、前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの
透光性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Mic
roscope)で観察したところ、実施例1と同様の状態が
確認された。
The optical disk thus obtained has a wavelength of 78
A 0 nm semiconductor laser was irradiated at a linear velocity of 1.2 m / sec at a recording power of 7.5 mW to record an EFM signal. Thereafter, when this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 74%, and I 11
/ I top was 0.62, I 3 / I top was 0.31, and the block error rate BLER was 4.0 × 10 −3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording is STM (Scanning Tunneling Mic).
(roscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0050】(実施例12)前記実施例11において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと以外は、前記実施例11と同様に
して、光ディスクを製作した。こうして得られた光ディ
スクに、前記実施例11と同様にして記録パワー7.8
mWにてEFM信号を記録し、その後、この光ディスク
を、実施例11と同じCDプレーヤで再生したところ、
半導体レーザの反射率が73%、I11/Itopが0.6
2、I3/Itop が0.31、ブロックエラーレートBL
ERが3.4×10-3であった。また、前記実施例1と
同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1の表面
をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で観察し
たところ、実施例1と同様の状態が確認された。
(Embodiment 12) In Embodiment 11,
Spin coat a silicone coating agent on the resin layer,
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 11, except that a silicate layer having a thickness of 0.01 μm was provided, and the light absorbing layer 2 was formed thereon. A recording power of 7.8 was applied to the optical disk thus obtained in the same manner as in the eleventh embodiment.
When an EFM signal was recorded at mW, and then this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 11,
Semiconductor laser reflectivity 73%, I 11 / I top 0.6
2, I 3 / I top is 0.31, block error rate BL
The ER was 3.4 × 10 −3 . When the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope) in the same manner as in Example 1, the same state as in Example 1 was confirmed.

【0051】(実施例13)前記実施例11において、
基板1としてガラス基板を用いたこと、及び反射層の上
に、トルエンとメチルエチルケトンの1:1の溶剤で溶
解したイソシアネート樹脂をスピンコート法にて形成さ
れた厚さ20nmの結着層を形成したこと以外は、前記
実施例11と同様にして、光ディスクを製作した。こう
して得られた光ディスクに、前記実施例11と同様にし
て記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、その
後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が72%、I
11/Itopが0.65、I3/Itop が0.33、ブロッ
クエラーレートBLERが3.6×10-3であった。ま
た、前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの
透光性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Mic
roscope)で観察したところ、実施例1と同様の状態が
確認された。
(Thirteenth Embodiment) In the eleventh embodiment,
A glass substrate was used as the substrate 1, and a 20 nm-thick binding layer formed by spin coating an isocyanate resin dissolved in a 1: 1 solvent of toluene and methyl ethyl ketone was formed on the reflective layer. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 11 except for the above. An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in the eleventh embodiment. Thereafter, the optical disk was reproduced by the same CD player as in the eleventh embodiment. Rate is 72%, I
11 / I top was 0.65, I 3 / I top was 0.33, and the block error rate BLER was 3.6 × 10 −3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording is STM (Scanning Tunneling Mic).
(roscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0052】(実施例14)前記実施例11において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと、及び光反射層3の上に、ポリブ
タジエンをスピンコート法にて形成した厚さ20nmの
結着層を形成したこと以外は、前記実施例11と同様に
して、光ディスクを製作した。
(Embodiment 14) In the eleventh embodiment,
Spin coat a silicone coating agent on the resin layer,
A silicate layer having a thickness of 0.01 μm was provided, a light absorbing layer 2 was formed thereon, and a binding layer having a thickness of 20 nm formed by spin coating polybutadiene was formed on the light reflecting layer 3. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 11 except for the above.

【0053】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.2mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が72%、I11/Itopが0.66、I3/Itop
0.35、ブロックエラーレートBLERが3.5×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disk at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in the eleventh embodiment. Thereafter, the optical disk was reproduced by the same CD player as in the eleventh embodiment. Laser reflectivity is 72%, I 11 / I top is 0.66, I 3 / I top is 0.35, and block error rate BLER is 3.5 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0054】(実施例15)前記実施例11において、
樹脂層の厚みを20nmとしたこと、シリコンアクリル
樹脂層を設けないこと及び反射層3としてイリジウムと
金との1:9の割合の合金膜をスパッタリング法により
形成したこと以外は、前記実施例11と同様にして、光
ディスクを製作した。なお、前記合金膜の鉛筆硬度は2
Hであった。
(Embodiment 15)
Example 11 except that the thickness of the resin layer was set to 20 nm, no silicon acrylic resin layer was provided, and an alloy film of iridium and gold having a ratio of 1: 9 was formed as the reflective layer 3 by a sputtering method. An optical disk was manufactured in the same manner as described above. The alloy film has a pencil hardness of 2
H.

【0055】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が71%、I11/Itopが0.63、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが3.3×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in the eleventh embodiment. Thereafter, the optical disk was reproduced by the same CD player as in the eleventh embodiment. Laser reflectivity 71%, I 11 / I top 0.63, I 3 / I top 0.32, block error rate BLER 3.3 × 1
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0056】(実施例16)前記実施例11において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層3としてイリジウムと金との1:9
の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこと
以外は、前記実施例11と同様にして、光ディスクを製
作した。
(Embodiment 16) In the eleventh embodiment,
Spin coat a silicone coating agent on the resin layer,
A silicate layer having a thickness of 0.01 μm was provided, a light absorbing layer 2 was formed thereon, no silicon acrylic resin layer was provided, and a 1: 9 mixture of iridium and gold was used as the reflective layer 3.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 11 except that an alloy film having the following ratio was formed by a sputtering method.

【0057】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.8mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が71%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが2.8×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disk at a recording power of 7.8 mW in the same manner as in the eleventh embodiment. Thereafter, the optical disk was reproduced by the same CD player as in the eleventh embodiment. Laser reflectance 71%, I 11 / I top 0.64, I 3 / I top 0.32, block error rate BLER 2.8 × 1
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0058】(実施例17)前記実施例11において、
シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3と
してイリジウムと金との1:9の割合の合金膜をスパッ
タリング法により形成したこと、及び光反射層の上に、
ポリイソプレンをスピンコートして、厚さ20nmの結
着層を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂製の保護層4
を形成したこと以外は、前記実施例11と同様にして、
光ディスクを製作した。
(Embodiment 17) In Embodiment 11,
A silicon acrylic resin layer was not provided, an alloy film of iridium and gold having a ratio of 1: 9 was formed as a reflective layer 3 by a sputtering method, and on the light reflective layer,
Polyisoprene is spin-coated to form a binding layer having a thickness of 20 nm, and a protective layer 4 made of an ultraviolet curable resin is formed thereon.
Except that was formed in the same manner as in Example 11 above.
An optical disk was manufactured.

【0059】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.4mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が72%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが4.1×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in the eleventh embodiment. After that, the optical disk was reproduced by the same CD player as in the eleventh embodiment. Laser reflectivity is 72%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.32, and block error rate BLER is 4.1 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0060】(実施例18)前記実施例11において、
シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3と
して厚さ50nmの銅膜を形成したこと、及び保護層4
としてジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノ
ール硬化型エポキシ樹脂をスピンコートして厚さ5μm
のエポキシ樹脂層を形成したこと以外は、前記実施例1
1と同様にして、光ディスクを製作した。なお、前記保
護層はロックウェル硬度ASTM D785がM110
であることから硬質層としての機能を有する。
(Embodiment 18) In the eleventh embodiment,
That no silicon acrylic resin layer is provided, that a copper film having a thickness of 50 nm is formed as the reflective layer 3, and that the protective layer 4
Spin-coated bisphenol-curable epoxy resin diluted in diglycidyl ether solvent to a thickness of 5 μm
Example 1 except that the epoxy resin layer of Example 1 was formed.
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 1. The protective layer has a Rockwell hardness ASTM D785 of M110.
Therefore, it has a function as a hard layer.

【0061】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が75%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが2.9×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in the eleventh embodiment. Thereafter, the optical disk was reproduced by the same CD player as in the eleventh embodiment. Laser reflectance 75%, I 11 / I top 0.64, I 3 / I top 0.33, block error rate BLER 2.9 × 1
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0062】(実施例19)前記実施例11において、
樹脂層の上に、シリコンコート剤をスピンコートして、
厚み0.01μmのシリケート層を設け、その上に光吸
収層2を形成したこと、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層3として厚さ50nmの銅膜を形成
したこと、及び保護層4としてジグリシジルエーテル溶
剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピ
ンコートして厚さ5μmのエポキシ樹脂層を形成したこ
と以外は、前記実施例11と同様にして、光ディスクを
製作した。
(Embodiment 19) In the embodiment 11 described above,
Spin coat a silicone coating agent on the resin layer,
A 0.01 μm-thick silicate layer, a light-absorbing layer 2 formed thereon, no silicon-acrylic resin layer provided, a 50 nm-thick copper film formed as a reflective layer 3, and a protective layer 4 An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 11 except that a bisphenol-curable epoxy resin diluted in a diglycidyl ether solvent was spin-coated to form a 5 μm-thick epoxy resin layer.

【0063】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが3.5×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disk at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in the eleventh embodiment. Thereafter, the optical disk was reproduced by the same CD player as in the eleventh embodiment. Laser reflectance is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.33, and block error rate BLER is 3.5 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0064】(実施例20)前記実施例11において、
アクリル樹脂に発砲剤を混入し、シリコンアクリル樹脂
層を設けないこと及び反射層3として厚さ50nmの銅
膜を真空蒸着法で形成したこと、反射層の上に、トルエ
ンとメチルエチルケトンの6:4の溶剤で溶解したポリ
酢酸ビニル樹脂をスピンコートて形成した厚さ20nm
の結着層を介して保護層4を形成したこと、及び保護層
4としてジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェ
ノール硬化型エポキシ樹脂をスピンコートして厚さ5μ
mのエポキシ樹脂層を形成したこと以外は、前記実施例
11と同様にして、光ディスクを製作した。
(Example 20) In Example 11,
A foaming agent was mixed into an acrylic resin, a silicon acrylic resin layer was not provided, a copper film having a thickness of 50 nm was formed as a reflective layer 3 by a vacuum evaporation method, and a 6: 4 mixture of toluene and methyl ethyl ketone was formed on the reflective layer. 20nm thick formed by spin coating polyvinyl acetate resin dissolved in solvent
That the protective layer 4 was formed via the binder layer, and the protective layer 4 was spin-coated with a bisphenol-curable epoxy resin diluted in a diglycidyl ether solvent to a thickness of 5 μm.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 11 except that an m-th epoxy resin layer was formed.

【0065】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例11と同様にして記録パワー7.4mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例11と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが3.6×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in the eleventh embodiment. Thereafter, the optical disk was reproduced by the same CD player as in the eleventh embodiment. Laser reflectance is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.33, and block error rate BLER is 3.6 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0066】(実施例21)表面に幅0.8μm、深さ
0.08μm、ピッチ1.6μmのスパイラル状のプレ
グルーブ8が形成された厚さ1.2mm、外径120m
mφ、内径15mmφのガラス基板1の上に、光吸収層
2を形成するための有機色素として、0.5gの1,
1’,ジプロピル3,3,3’,3’テトラメチル5,
5’ジエトキシインドジカーボシアニンパークロレート
を、ジクロロエタン溶剤10ccに溶解し、これを前記
の基板1の表面に、スピンコート法により塗布し、膜厚
100nmの光吸収層2を形成した。
EXAMPLE 21 A spiral pre-groove 8 having a width of 0.8 μm, a depth of 0.08 μm, and a pitch of 1.6 μm was formed on the surface, a thickness of 1.2 mm, and an outer diameter of 120 m.
As an organic dye for forming the light absorbing layer 2 on a glass substrate 1 having a diameter of 15 mmφ and a diameter of 0.5 g,
1 ', dipropyl 3, 3, 3', 3 'tetramethyl 5,
5 ′ diethoxyindodicarbocyanine perchlorate was dissolved in 10 cc of a dichloroethane solvent, and the solution was applied to the surface of the substrate 1 by spin coating to form a light absorption layer 2 having a thickness of 100 nm.

【0067】次に、このディスクの直径45〜118m
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚50
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上にメチルエチルケトンで溶解したウレ
タン樹脂を100nmの厚みにスピンコートし、緩衝層
を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。
Next, the diameter of this disk is 45 to 118 m.
A film thickness of 50 m
An Au film having a thickness of 3 nm was formed, and the reflective layer 3 was formed. further,
A urethane resin dissolved with methyl ethyl ketone is spin-coated to a thickness of 100 nm on the reflective layer 3 to form a buffer layer, and an ultraviolet-curable resin is spin-coated thereon and irradiated with ultraviolet light to be cured. A protective layer 4 having a thickness of 10 μm was formed.

【0068】こうして得られた光ディスクに、波長78
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー7.2mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ(Aure
x XR−V73、再生光の波長λ=780nm)で再
生したところ、半導体レーザの反射率が77%、I11
top が0.65、I3/Itop が0.33、ブロックエ
ラーレートBLERが3.0×10-3であった。また、
前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光
性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Microsc
ope)で観察したところ、実施例1と同様の状態が確認
された。
The optical disk thus obtained has a wavelength of 78
A 0 nm semiconductor laser was irradiated at a linear velocity of 1.2 m / sec and a recording power of 7.2 mW to record an EFM signal. After that, this optical disc is loaded onto a commercially available CD player (Aure
x XR-V73, the wavelength of the reproduction light λ = 780 nm), the reflectivity of the semiconductor laser was 77%, and I 11 /
I top was 0.65, I 3 / I top was 0.33, and the block error rate BLER was 3.0 × 10 −3 . Also,
In the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording is STM (Scanning Tunneling Microsc
ope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0069】(実施例22)表面に幅0.8μm、深さ
0.08μm、ピッチ1.6μmのスパイラル状のプレ
グルーブ8が形成された厚さ1.2mm、外径120m
mφ、内径15mmφのポリカーボネート基板1を射出
成型した。光吸収層2を形成するための有機色素とし
て、0.5gの1,1’,ジプロピル3,3,3’,
3’テトラメチル5,5’ジエトキシインドジカーボシ
アニンパークロレートを、イソプロピルアルコール溶剤
10ccに溶解し、これを前記の基板1の表面に、スピ
ンコート法により塗布し、膜厚100nmの光吸収層2
を形成した。さらにこの上にSiO2 膜を40nmの厚
みにスパッタリング法で成膜した。
Example 22 A spiral pre-groove 8 having a width of 0.8 μm, a depth of 0.08 μm and a pitch of 1.6 μm was formed on the surface, a thickness of 1.2 mm, and an outer diameter of 120 m.
A polycarbonate substrate 1 having mφ and an inner diameter of 15 mmφ was injection molded. As an organic dye for forming the light absorbing layer 2, 0.5 g of 1,1 ′, dipropyl 3,3,3 ′,
3 ′ tetramethyl 5,5 ′ diethoxyindodicarbocyanine perchlorate is dissolved in 10 cc of an isopropyl alcohol solvent, and the solution is applied to the surface of the substrate 1 by spin coating to form a light absorbing layer having a thickness of 100 nm. 2
Was formed. Further, an SiO 2 film was formed thereon to a thickness of 40 nm by a sputtering method.

【0070】次に、このディスクの直径45〜118m
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚50
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上にメチルエチルケトンで溶解したウレ
タン樹脂を100nmの厚みにスピンコートし、緩衝層
を形成し、この上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。
Next, the diameter of this disk is 45 to 118 m.
A film thickness of 50 m
An Au film having a thickness of 3 nm was formed, and the reflective layer 3 was formed. further,
A urethane resin dissolved with methyl ethyl ketone is spin-coated to a thickness of 100 nm on the reflective layer 3 to form a buffer layer, and an ultraviolet-curable resin is spin-coated thereon and irradiated with ultraviolet light to be cured. A protective layer 4 having a thickness of 10 μm was formed.

【0071】こうして得られた光ディスクに、波長78
0nmの半導体レーザを線速1.2m/sec、記録パ
ワー6.8mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のCDプレーヤ(Aure
x XR−V73、再生光の波長λ=780nm)で再
生したところ、半導体レーザの反射率が77%、I11
top が0.66、I3/Itop が0.36、ブロックエ
ラーレートBLERが3.5×10-3であった。また、
前記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光
性基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Microsc
ope)で観察したところ、実施例2と同様の状態が確認
された。
The optical disk thus obtained has a wavelength of 78
A 0 nm semiconductor laser was irradiated at a linear velocity of 1.2 m / sec at a recording power of 6.8 mW to record an EFM signal. After that, this optical disc is loaded onto a commercially available CD player (Aure
x XR-V73, the wavelength of the reproduction light λ = 780 nm), the reflectivity of the semiconductor laser was 77%, and I 11 /
I top was 0.66, I 3 / I top was 0.36, and the block error rate BLER was 3.5 × 10 −3 . Also,
In the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording is STM (Scanning Tunneling Microsc
ope), the same state as in Example 2 was confirmed.

【0072】(実施例23)前記実施例22において、
SiO2 膜をLPD法により形成したこと、及び光吸収
層2を形成する際のコーティング剤の溶剤としてジオキ
サン溶剤を用いたこと以外は、前記実施例22と同様に
して、光ディスクを製作した。こうして得られた光ディ
スクに、前記実施例22と同様にして記録パワー7.2
mWにてEFM信号を記録し、その後、この光ディスク
を、実施例22と同じCDプレーヤで再生したところ、
半導体レーザの反射率が77%、I11/Itopが0.6
6、I3/Itop が0.35、ブロックエラーレートBL
ERが4.0×10-3であった。また、前記実施例1と
同様にして、記録後の光ディスクの透光性基板1の表面
をSTM(Scanning Tunneling Microscope)で観察し
たところ、実施例1と同様の状態が確認された。
(Embodiment 23) In the above embodiment 22,
An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 22 except that the SiO 2 film was formed by the LPD method, and that a dioxane solvent was used as a solvent of the coating agent when forming the light absorbing layer 2. A recording power of 7.2 was applied to the optical disk thus obtained in the same manner as in Example 22.
An EFM signal was recorded at mW, and then this optical disc was reproduced by the same CD player as in Example 22.
Semiconductor laser reflectivity of 77%, I 11 / I top of 0.6
6, I 3 / I top is 0.35, block error rate BL
The ER was 4.0 × 10 −3 . When the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope) in the same manner as in Example 1, the same state as in Example 1 was confirmed.

【0073】(実施例24)前記実施例22において、
SiO2 膜に代えて、ジグリシジルエーテルに溶解した
エポキシ樹脂をスピンコートして、厚さ100nmのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと、反射層3として金とチタ
ンの9:1の割合による合金薄膜層を形成したこと、及
び光吸収層2と反射層3との間に、シクロヘキサンに溶
解したポリブタジエン樹脂をスピンコートし、厚さ12
0nmのポリブタジエン樹脂層を設けたこと以外は、前
記実施例22と同様にして、光ディスクを製作した。
(Embodiment 24) In the above embodiment 22,
Instead of the SiO 2 film, an epoxy resin dissolved in diglycidyl ether was spin-coated to form an epoxy resin layer having a thickness of 100 nm. As the reflective layer 3, an alloy thin film layer of gold and titanium in a ratio of 9: 1 was used. Was formed, and a polybutadiene resin dissolved in cyclohexane was spin-coated between the light absorbing layer 2 and the reflective layer 3 to obtain a thickness of 12
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 22 except that a 0-nm polybutadiene resin layer was provided.

【0074】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例22と同様にして記録パワー7.0mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例22と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが2.5×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 22. Thereafter, the optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 22. Laser reflectance is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.33, and block error rate BLER is 2.5 × 1
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0075】(実施例25)前記実施例22において、
SiO2 膜に代えて、ジグリシジルエーテルに溶解した
エポキシ樹脂をスピンコートして、厚さ100nmのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと、反射層3として金とチタ
ンの9:1の割合による合金薄膜層を形成したこと、光
吸収層2と反射層3との間に、シクロヘキサンに溶解し
たポリブタジエン樹脂をスピンコートし、厚さ120n
mのポリブタジエン樹脂層を設けたこと、及び光反射層
と保護層4との結着性を高めるため、その間にビスフェ
ノール硬化型エポキシ樹脂を20nmの厚みにスピンコ
ートしたこと以外は、前記実施例22と同様にして、光
ディスクを製作した。
(Embodiment 25) In the embodiment 22 described above,
Instead of the SiO 2 film, an epoxy resin dissolved in diglycidyl ether was spin-coated to form an epoxy resin layer having a thickness of 100 nm. As the reflective layer 3, an alloy thin film layer of gold and titanium in a ratio of 9: 1 was used. Was formed, and a polybutadiene resin dissolved in cyclohexane was spin-coated between the light absorption layer 2 and the reflection layer 3 to obtain a thickness of 120 n.
Example 22 except that a polybutadiene resin layer having a thickness of 20 m was provided and that a bisphenol-curable epoxy resin was spin-coated to a thickness of 20 nm between the light reflection layer and the protective layer 4 in order to enhance the binding property. An optical disk was manufactured in the same manner as described above.

【0076】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例22と同様にして記録パワー7.2mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例22と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.33、ブロックエラーレートBLERが3.0×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22. Thereafter, this optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 22. Laser reflectance is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.33, and block error rate BLER is 3.0 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0077】(実施例26)前記実施例22において、
SiO2 膜に代えて、ジグリシジルエーテルに溶解した
エポキシ樹脂をスピンコートして、厚さ100nmのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと、このエポキシ樹脂層と反
射層3との間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジ
ェン樹脂をスピンコートし、厚さ120nmのポリブタ
ジエン樹脂層を設けたこと、及び保護層の膜厚を5μm
としたこと以外は、前記実施例22と同様にして、光デ
ィスクを製作した。
(Embodiment 26) In embodiment 22 above,
In place of the SiO 2 film, an epoxy resin dissolved in diglycidyl ether was spin-coated to form an epoxy resin layer having a thickness of 100 nm. The epoxy resin layer was dissolved in cyclohexane between the epoxy resin layer and the reflective layer 3. A polybutadiene resin was spin-coated to provide a polybutadiene resin layer having a thickness of 120 nm, and the protective layer had a thickness of 5 μm.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 22 except that the above-mentioned was used.

【0078】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例22と同様にして記録パワー7.2mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例22と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.64、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが3.3×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in the twenty-second embodiment. Thereafter, the optical disc was reproduced by the same CD player as in the twenty-second embodiment. Laser reflectance is 74%, I 11 / I top is 0.64, I 3 / I top is 0.32, and block error rate BLER is 3.3 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0079】(実施例27)前記実施例22において、
SiO2 膜を形成しないこと、光吸収層2と反射層3と
の間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジエン樹脂
をスピンコートし、厚さ120nmのポリブタジエン樹
脂層を設けたこと、反射層と保護層4との結着性を高め
るため、その間にビスフェノール硬化型エポキシ樹脂を
20nmの厚みにスピンコートしたこと、及び保護層の
膜厚を5μmとしたこと以外は、前記実施例22と同様
にして、光ディスクを製作した。
(Embodiment 27) In the above embodiment 22,
Does not form a SiO 2 film, between the light absorbing layer 2 and the reflective layer 3, the polybutadiene resin dissolved in cyclohexane was spin-coated, provided with a polybutadiene resin layer having a thickness of 120 nm, the reflective layer and the protective layer 4 In the same manner as in Example 22, except that a bisphenol-curable epoxy resin was spin-coated to a thickness of 20 nm in the meantime and the thickness of the protective layer was set to 5 μm in order to enhance the binding property to the optical disk. Was made.

【0080】こうして得られた光ディスクに、前記実施
例22と同様にして記録パワー7.2mWにてEFM信
号を記録し、その後、この光ディスクを、実施例22と
同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74%、I11/Itopが0.63、I3/Itop
0.32、ブロックエラーレートBLERが2.8×1
-3であった。また、前記実施例1と同様にして、記録
後の光ディスクの透光性基板1の表面をSTM(Scanni
ng Tunneling Microscope)で観察したところ、実施例
1と同様の状態が確認された。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disk at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in the twenty-second embodiment. Thereafter, this optical disk was reproduced by the same CD player as in the twenty-second embodiment. Laser reflectivity is 74%, I 11 / I top is 0.63, I 3 / I top is 0.32, and block error rate BLER is 2.8 × 1.
It was 0 -3 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disc after recording is STM (Scanni).
ng Tunneling Microscope), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0081】(実施例28)前記実施例22において、
前記SiO2 膜を形成しないこと以外は、前記実施例2
2と同様にして、光ディスクを製作した。こうして得ら
れた光ディスクに、前記実施例22と同様にして記録パ
ワー7.2mWにてEFM信号を記録し、その後、この
光ディスクを、実施例22と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が77%、I11/I
topが0.66、I3/Itop が0.35、ブロックエラ
ーレートBLERが1.0×10-2であった。また、前
記実施例1と同様にして、記録後の光ディスクの透光性
基板1の表面をSTM(Scanning Tunneling Microscop
e)で観察したところ、実施例1と同様の状態が確認さ
れた。
(Embodiment 28) In the above embodiment 22,
Example 2 except that the SiO 2 film was not formed.
An optical disk was manufactured in the same manner as in No. 2. An EFM signal was recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22. Thereafter, the optical disk was reproduced by the same CD player as in Example 22. The rate is 77%, I 11 / I
The top was 0.66, the I 3 / I top was 0.35, and the block error rate BLER was 1.0 × 10 −2 . Further, in the same manner as in the first embodiment, the surface of the light-transmitting substrate 1 of the optical disk after recording is applied to an STM (Scanning Tunneling Microscop).
When observed in e), the same state as in Example 1 was confirmed.

【0082】(実施例29)表面に幅0.4μm、深さ
0.1μm、ピッチ0.8μmのスパイラル状のプレグ
ルーブ8が形成された厚さ1.2mm、外径120mm
φ、内径15mmφのポリカーボネート基板1を射出成
形法により成形した。このポリカーボネート基板1のロ
ックウェル硬度ASTM D785は、M75(鉛筆硬
度HBと同等)であり、熱変形温度ASTM D648
は、4.6kg/cm2、121℃であった。
Example 29 A spiral pre-groove 8 having a width of 0.4 μm, a depth of 0.1 μm, and a pitch of 0.8 μm was formed on the surface, having a thickness of 1.2 mm and an outer diameter of 120 mm.
A polycarbonate substrate 1 having an inner diameter of 15 mmφ was formed by an injection molding method. Rockwell hardness ASTM D785 of this polycarbonate substrate 1 is M75 (equivalent to pencil hardness HB), and heat deformation temperature ASTM D648.
Was 4.6 kg / cm 2 and 121 ° C.

【0083】光吸収層2を形成するための有機色素とし
て、0.65gの1,1’ジブチル3,3,3’,3’
テトラメチル4,5,4’,5’ジベンゾインドモノカ
ーボシアニンパークロレートを、ジアセトンアルコール
溶剤10ccに溶解し、これを前記の基板1の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚100nmの光吸収
層2を形成した。
As an organic dye for forming the light absorbing layer 2, 0.65 g of 1,1 ′ dibutyl 3,3,3 ′, 3 ′
Tetramethyl 4,5,4 ′, 5 ′ dibenzoindomonocarbocyanine perchlorate is dissolved in 10 cc of a diacetone alcohol solvent, and this is dissolved on the surface of the substrate 1.
The light-absorbing layer 2 having a thickness of 100 nm was formed by spin coating.

【0084】次に、このディスクの直径45〜118m
mφの領域の全面にスパッタリング法により、膜厚80
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの
保護層4を形成した。この保護層4の硬化後のロックウ
ェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温
度ASTM D648は、4.6kg/cm2、135℃
であった。
Next, the diameter of this disk is 45 to 118 m.
The film thickness is 80
An Au film having a thickness of 3 nm was formed, and the reflective layer 3 was formed. further,
An ultraviolet curable resin was spin-coated on the reflective layer 3 and irradiated with ultraviolet light to be cured, thereby forming a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of the protective layer 4 is M90, and the heat deformation temperature ASTM D648 is 4.6 kg / cm 2 , 135 ° C.
Met.

【0085】こうして得られた光ディスクに、波長67
0nmの半導体レーザを線速2.0m/sec、記録パ
ワー8.0mWで照射し、EFM信号を記録した。その
後、この光ディスクを再生したところ、半導体レーザの
反射率が70%、I11/Itop が0.70、I3/Itop
が0.32であった。
The optical disk thus obtained has a wavelength of 67
A 0 nm semiconductor laser was irradiated at a linear velocity of 2.0 m / sec and a recording power of 8.0 mW to record an EFM signal. Then, when this optical disk was reproduced, the reflectance of the semiconductor laser was 70%, I 11 / I top was 0.70, I 3 / I top
Was 0.32.

【0086】この実施例による光ディスクは、変調度の
大きな記録が出来た。さらにこの記録後の光ディスクの
前記保護層4と光反射層3とを剥離し、光吸収層2を溶
剤で洗浄、除去して、透光性基板1の表面を分析したと
ころ、光吸収層の分解が確認された。また、その表面を
STM(Scanning Tunneling Microscope)で観察した
ところ、ピットの部分に凸状の変形が見られた。
In the optical disk according to this embodiment, recording with a large degree of modulation could be performed. Further, the protective layer 4 and the light reflecting layer 3 of the optical disk after the recording were separated, the light absorbing layer 2 was washed and removed with a solvent, and the surface of the light transmitting substrate 1 was analyzed. Decomposition was confirmed. When the surface was observed with an STM (Scanning Tunneling Microscope), convex deformation was observed at the pits.

【0087】[0087]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明の光情報記録
媒体によれば、変調度の高い再生信号が得られるピット
が形成できる。
As described above, according to the optical information recording medium of the present invention, it is possible to form pits from which a reproduced signal having a high modulation degree can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断面
斜視図である。
FIG. 1 is a schematic half sectional perspective view showing an example of the structure of an optical information recording medium.

【図2】図1の光情報記録媒体の光記録前のトラックに
沿って断面した部分拡大図である。
FIG. 2 is a partially enlarged view of a section of the optical information recording medium of FIG. 1 taken along a track before optical recording.

【図3】図1の光情報記録媒体の光記録後のトラックに
沿って断面した部分拡大図である。
FIG. 3 is a partially enlarged view of a cross section along a track after optical recording of the optical information recording medium of FIG. 1;

【図4】光情報記録媒体ピットの例を示すためトラック
に沿って断面した要部断面拡大図である。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along a track to show an example of a pit of an optical information recording medium.

【図5】光情報記録媒体ピットの他の例を示すためトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図である。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along a track to show another example of a pit of an optical information recording medium.

【図6】光情報記録媒体ピットの他の例を示すためトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図である。
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along a track to show another example of a pit of an optical information recording medium.

【図7】光情報記録媒体ピットの他の例を示すためトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図である。
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along a track to show another example of the optical information recording medium pit.

【図8】記録後の光情報記録媒体の透光性基板の表面を
示す要部拡大斜視図である。
FIG. 8 is an enlarged perspective view of a main part showing a surface of a light transmitting substrate of the optical information recording medium after recording.

【図9】前記透光性基板の表面をSTM(Scanning Tun
neling Microscope)で観察したときのチップのトラッ
キング方向に沿う移動距離と高度の関係を示すグラフの
例である。
FIG. 9 shows the surface of the translucent substrate as STM (Scanning Tun).
7 is an example of a graph showing a relationship between a moving distance of a chip along a tracking direction and an altitude when observed by a neling microscope.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 光吸収層 3 光反射層 4 保護層 5 ピット 6 変形部分 6’ 変形部分 10 空隙部 10’ 空隙部 11 微細な気泡 12 光学的変性部 13 光学特性変性部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Light absorption layer 3 Light reflection layer 4 Protective layer 5 Pit 6 Deformation part 6 'Deformation part 10 Void part 10' Void part 11 Fine bubble 12 Optical modification part 13 Optical characteristic modification part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 平9−138972(JP,A) 特開 平2−139732(JP,A) 特開 昭58−189851(JP,A) 特開 昭63−259854(JP,A) 特開 昭59−217245(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 7/24 G11B 7/00──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Takashi Ishiguro 6-16-20 Ueno, Taito-ku, Tokyo Taiyo Yuden Co., Ltd. (56) References JP-A-9-138972 (JP, A) JP-A-2 JP-139732 (JP, A) JP-A-58-189851 (JP, A) JP-A-63-259854 (JP, A) JP-A-59-217245 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. . 6 , DB name) G11B 7/24 G11B 7/00

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
ピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法にお
いて、レーザ光の照射によって前記光吸収層にレーザ光
を吸収させて発熱させると共に、融解、蒸発、昇華、変
形または変性させ、レーザ光の照射によってこのピット
の部分の光吸収層と隣接する基板側の層を変形し、且つ
光吸収層のレーザ光を照射した部分を分解し、レーザス
ポットが照射された位置にピットを形成することを特徴
とする光情報記録媒体の記録方法。
1. A light-absorbing layer that absorbs laser light directly on a light-transmitting substrate or through another layer, and reflects the laser light directly on the light-absorbing layer or through another layer. In a recording method for an optical information recording medium in which a pit for reproducing data is formed by irradiating a laser beam with a light reflecting layer, the laser beam is absorbed into the light absorbing layer to generate heat while irradiating the laser beam. Melting, evaporating, sublimating, deforming or denaturing, deforming the layer on the substrate adjacent to the light absorbing layer in the pit portion by laser light irradiation, and decomposing the laser light irradiated portion of the light absorbing layer Forming a pit at a position irradiated with a laser spot.
【請求項2】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
ピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法にお
いて、レーザ光の照射によって前記光吸収層にレーザ光
を吸収させて発熱させると共に、融解、蒸発、昇華、変
形または変性させ、レーザ光の照射によって前記光吸収
層を構成する成分の一部を同層と隣接する層に拡散或は
粘性流動させ、これを前記光吸収層に隣接する透光性基
板側の層の成分と混合させ、或は部分的に化合させ、レ
ーザスポットが照射された位置にピットを形成すること
を特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
2. A light-absorbing layer that absorbs laser light directly on a light-transmitting substrate or through another layer, and reflects the laser light directly on the light-absorbing layer or through another layer. In a recording method of an optical information recording medium in which a pit for reproducing data is formed by irradiating a laser beam with a light reflecting layer, the laser beam is absorbed into the light absorbing layer to generate heat while irradiating the laser beam. Melting, evaporating, sublimating, deforming or denaturing, and diffusing or viscous flowing a part of the components constituting the light absorbing layer to a layer adjacent to the same layer by irradiating a laser beam, and passing this to the light absorbing layer. A recording method for an optical information recording medium, comprising: forming a pit at a position irradiated with a laser spot by mixing or partially combining a component of a layer on an adjacent light-transmitting substrate side.
【請求項3】 透光性基板の上に直接または他の層を介
してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層と、レーザ光の照射によってデータを再生するための
ピットが形成されている光情報記録媒体の記録方法にお
いて、レーザ光の照射によって前記光吸収層にレーザ光
を吸収させて発熱させると共に、融解、蒸発、昇華、変
形または変性させ、レーザ光の照射によって前記光吸収
層とこれに隣接する他の層との界面を剥離し、そこに空
隙部を形成するか、或は前記光吸収層の中に気泡を発生
させ、レーザスポットが照射された位置にピットを形成
していることを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
3. A light-absorbing layer that absorbs laser light directly on a light-transmitting substrate or through another layer, and reflects the laser light directly on the light-absorbing layer or through another layer. In a recording method for an optical information recording medium in which a pit for reproducing data is formed by irradiating a laser beam with a light reflecting layer, the laser beam is absorbed into the light absorbing layer to generate heat while irradiating the laser beam. Melting, evaporating, subliming, deforming or denaturing, peeling off the interface between the light absorbing layer and another layer adjacent thereto by irradiating a laser beam, and forming a void there, or forming the light absorbing layer. A recording method for an optical information recording medium, characterized in that bubbles are generated in a layer, and pits are formed at positions irradiated with a laser spot.
【請求項4】 特許請求の範囲第項において、前記光
吸収層を構成する成分の一部が同層と隣接する層に拡散
或は粘性流動し、これが前記光吸収層に隣接する透光性
基板側の層の成分と混合し、或は部分的に化合している
ことを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
4. The light-transmitting layer according to claim 1 , wherein a part of the constituents of the light-absorbing layer diffuses or viscously flows into a layer adjacent to the light-absorbing layer. A recording method for an optical information recording medium, wherein the recording medium is mixed with or partially combined with a component of a layer on the side of a conductive substrate.
【請求項5】 特許請求の範囲第項または第項にお
いて、前記光吸収層とこれに隣接する他の層との界面が
剥離し、そこに空隙部が形成されているか、或は前記光
吸収層の中に気泡が発生し、且つそれが残存しているこ
とを特徴とする光情報記録媒体の記録方法。
5. A Patent paragraph 1 or claim 2, interface with other layers adjacent thereto and the light absorbing layer is peeled off, there? Air gap is formed, or the A recording method for an optical information recording medium, wherein bubbles are generated in the light absorbing layer and remain.
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