JP2860010B2 - Multilayer dielectric filter - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は積層型誘電体フィルタに
関し、特に携帯用電話機等の高周波回路無線機器に利用
する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレクサ等に
使用される積層型誘電体フィルタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated dielectric filter, and more particularly to a high-frequency circuit filter used for high-frequency circuit radio equipment such as a portable telephone and a laminated dielectric filter used for an antenna duplexer.
【０００２】[0002]
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】図１
９、２０は、それぞれ本発明者らが案出した積層型誘電
体フィルタの模式展開図および斜視図であり、図２１は
図１９のＸ−Ｘ線断面図である。2. Description of the Related Art FIG.
9 and 20 are a schematic development view and a perspective view, respectively, of the laminated dielectric filter devised by the present inventors, and FIG. 21 is a sectional view taken along line XX of FIG.
【０００３】図１９に示すように、後記するアース電極
７０に一端部が電気的に接続されて１／４波長型ストリ
ップライン共振器を構成する共振素子２１を誘電体層１
１の右側面上に形成し、さらに一端部が後記するアース
電極７０に電気的に接続され、かつ他端部が共振素子２
１の開放端から所定の間隔離れて共振素子２１と対向す
る電極３１を誘電体層１１の右側面上に形成する。共振
素子２１が入力端側の共振素子である。なお、誘電体層
１１の左側面上には、アース電極７０および入力電極４
１１が後に形成され、誘電体層１１の下面には、アース
電極７０および入力電極４１４が後に形成される。As shown in FIG. 19, a resonance element 21 having one end electrically connected to a later-described ground electrode 70 to constitute a quarter wavelength strip line resonator is formed by a dielectric layer 1.
1, one end of which is electrically connected to a ground electrode 70 described later, and the other end of which is connected to the resonance element 2
An electrode 31 facing the resonance element 21 at a predetermined distance from the open end of the dielectric layer 11 is formed on the right side surface of the dielectric layer 11. The resonance element 21 is a resonance element on the input end side. The ground electrode 70 and the input electrode 4 are provided on the left side surface of the dielectric layer 11.
11 is formed later, and a ground electrode 70 and an input electrode 414 are formed later on the lower surface of the dielectric layer 11.
【０００４】後記するアース電極７０に一端部が電気的
に接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２２を誘電体層１３の右側面上に形成
し、さらに一端部が後記するアース電極７０に電気的に
接続され、かつ他端部が共振素子２２の開放端から所定
の間隔離れて共振素子２２と対向する電極３２を誘電体
層１３の右側面上に形成する。One end is electrically connected to a ground electrode 70 to be described later to form a quarter-wave strip line resonator, and a resonance element 22 is formed on the right side of the dielectric layer 13, and one end is further formed. An electrode 32 electrically connected to a later-described ground electrode 70 and having the other end separated from the open end of the resonance element 22 by a predetermined distance and facing the resonance element 22 is formed on the right side surface of the dielectric layer 13.
【０００５】後記するアース電極７０に一端部が電気的
に接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２３を誘電体層１５の右側面上に形成
し、さらに一端部が後記するアース電極７０に電気的に
接続され、かつ他端部が共振素子２３の開放端から所定
の間隔離れて共振素子２３と対向する電極３３を誘電体
層１５の右側面上に形成する。共振素子２３が出力端側
の共振素子である。One end is electrically connected to a ground electrode 70 to be described later to form a quarter-wave strip line resonator, and a resonance element 23 is formed on the right side of the dielectric layer 15, and one end is further formed. An electrode 33 electrically connected to a later-described ground electrode 70 and having the other end separated from the open end of the resonance element 23 by a predetermined distance and facing the resonance element 23 is formed on the right side surface of the dielectric layer 15. The resonance element 23 is a resonance element on the output end side.
【０００６】誘電体層１５の右側面上に、右側面にアー
ス電極７０および出力電極４２１が形成され、下面にア
ース電極７０および出力電極４２４が形成される誘電体
層１９を積層し、誘電体層１１、１３、１５、１９を一
体に構成し、その後焼成して積層体１００を形成する。On the right side of the dielectric layer 15, a dielectric layer 19 on which a ground electrode 70 and an output electrode 421 are formed on the right side, and a ground layer 70 on which a ground electrode 70 and an output electrode 424 are formed is laminated. The layers 11, 13, 15, and 19 are integrally formed and then fired to form the laminate 100.
【０００７】図２０に示すように、積層体１００の上
面、入力端子部５１１、出力端子部５２１を除く側面、
および入力端子部５１４、出力端子部５２４を除く下面
にアース電極７０を形成する。さらに積層体１００の側
面の入力端子部５１１内に、アース電極７０と電気的に
絶縁され、かつ共振素子２１と対向する入力電極４１１
を形成する。そして積層体１００の下面の入力端子部５
１４内にもアース電極７０と電気的に絶縁され、かつ入
力電極４１１と接続される入力電極４１４を形成する。
また同様に、積層体１００の側面の出力端子部５２１内
に、アース電極７０および入力電極４１１、４１４と電
気的に絶縁され、かつ共振素子２３と対向する出力電極
４２１を形成する。そして、積層体１００の下面の出力
端子部５２４内にも、アース電極７０および入力電極４
１１、４１４と電気的に絶縁され、かつ出力電極４２１
と接続される出力電極４２４を形成する。As shown in FIG. 20, the upper surface of the laminated body 100, the side surface excluding the input terminal portion 511 and the output terminal portion 521,
The ground electrode 70 is formed on the lower surface excluding the input terminal portion 514 and the output terminal portion 524. Further, an input electrode 411 that is electrically insulated from the ground electrode 70 and faces the resonance element 21 is provided in the input terminal portion 511 on the side surface of the multilayer body 100.
To form The input terminal 5 on the lower surface of the laminate 100
An input electrode 414 that is electrically insulated from the ground electrode 70 and is connected to the input electrode 411 is also formed in 14.
Similarly, an output electrode 421 that is electrically insulated from the ground electrode 70 and the input electrodes 411 and 414 and faces the resonance element 23 is formed in the output terminal portion 521 on the side surface of the multilayer body 100. The ground electrode 70 and the input electrode 4 are also provided in the output terminal portion 524 on the lower surface of the multilayer body 100.
11, 414, and is electrically insulated from the output electrode 421.
An output electrode 424 is formed to be connected to.
【０００８】図１９、２１を参照すれば、共振素子２１
と入力電極４１１間には誘電体層１１を挟んで重なり部
分があって、誘電体層１１を含む重なり部分において容
量結合された状態となっている。この静電容量を静電容
量８１１とする。共振素子２３と出力電極４２１間にも
誘電体層１９を挟んで重なり部分があって、誘電体層１
９を含む重なり部分において容量結合された状態となっ
ている。この静電容量を静電容量８１２とする。Referring to FIG. 19 and FIG.
The input electrode 411 has an overlapping portion with the dielectric layer 11 interposed therebetween, and the overlapping portion including the dielectric layer 11 is in a capacitively coupled state. This capacitance is referred to as capacitance 811. There is also an overlap between the resonance element 23 and the output electrode 421 with the dielectric layer 19 interposed therebetween.
9 are capacitively coupled in the overlapping portion. This capacitance is referred to as a capacitance 812.
【０００９】さらに、共振素子２１、２２、２３の開放
端と電極３１、３２、３３との間には、それぞれ静電容
量６１、６２、６３が形成されている。そして、これら
の静電容量６１〜６３が存在することによって、共振素
子２１と共振素子２２はインダクタンス８５１によっ
て、共振素子２２と共振素子２３はインダクタンス８５
２によってそれぞれ結合され、コムライン型のフィルタ
を構成している。なお、並列共振回路の静電容量２１
１、２２１、２３１およびインダクタンス２１２、２２
２、２３２は、共振素子２１、２２、２３をそれぞれ等
価変換したときの静電容量およびインダクタンスであ
る。Furthermore, capacitances 61, 62, 63 are formed between the open ends of the resonance elements 21, 22, 23 and the electrodes 31, 32, 33, respectively. The presence of these capacitances 61 to 63 causes the resonance element 21 and the resonance element 22 to have an inductance 851 and the resonance element 22 and the resonance element 23 to have an inductance 851.
2 form a comb-line type filter. The capacitance 21 of the parallel resonance circuit
1, 221 and 231 and inductances 212 and 22
Reference numerals 2 and 232 denote capacitance and inductance when the resonance elements 21, 22, and 23 are equivalently converted, respectively.
【００１０】図２２は、上記のように構成された積層型
誘電体フィルタの等価回路であり、バンドパスフィルタ
を形成している。FIG. 22 is an equivalent circuit of the laminated dielectric filter configured as described above, and forms a band-pass filter.
【００１１】このような積層型誘電体フィルタは、共振
素子２１、２２、２３を垂直にして並設しているから、
フィルタの横幅は大幅に小さくなり実装時の占有面積も
大幅に小さくなる構造となっており、また、このような
積層型誘電体フィルタにおいては、共振素子２１〜２３
各々の間の分布結合によって、帯域幅等の希望する周波
数特性を有するバンドパスフィルタを得るようにしてい
る。In such a laminated dielectric filter, the resonance elements 21, 22, and 23 are vertically arranged side by side.
The filter has a structure in which the lateral width is significantly reduced and the area occupied during mounting is also significantly reduced. In such a laminated dielectric filter, the resonance elements 21 to 23 are provided.
By the distributed coupling between the respective components, a bandpass filter having a desired frequency characteristic such as a bandwidth is obtained.
【００１２】しかしながら、このような構成では隣合う
共振素子２１〜２３間の結合しかないために、減衰ピー
クを形成して減衰特性を改善することはできなかった。
減衰特性を改善するために、共振素子数を増加させる方
法を採ることも考えられるが、共振素子数を増加させた
場合は挿入損失が増加してしまうという問題点がある。
また、共振素子数を増加させた場合において挿入損失を
改善するには共振素子を大きくするしかなく、誘電体フ
ィルタが大型化してしまうという問題点がある。However, in such a configuration, since there is only coupling between the adjacent resonance elements 21 to 23, an attenuation peak cannot be formed to improve the attenuation characteristic.
In order to improve the attenuation characteristics, a method of increasing the number of resonance elements may be adopted. However, when the number of resonance elements is increased, there is a problem that insertion loss increases.
In addition, when the number of resonance elements is increased, the only way to improve the insertion loss is to increase the size of the resonance element, and there is a problem that the size of the dielectric filter increases.
【００１３】さらに、周波数特性に減衰ピークを形成す
るために、隣合う共振素子間以外に、共振素子を飛び越
した結合を設けることが探索されている。例えば、特開
昭６４−７８００１公報に示されているように、隔たっ
た共振素子を結合させることによって帯域の高域側、ま
たは低域側に減衰ピークを形成することが提案されてい
る。Further, in order to form an attenuation peak in the frequency characteristic, it has been sought to provide a coupling that jumps over the resonance elements in addition to between adjacent resonance elements. For example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-78001, it has been proposed to form an attenuation peak on a high frequency side or a low frequency side of a band by coupling separated resonance elements.
【００１４】しかしながら、このような方法によるとき
は共振素子の他に、共振素子間に結合のためのコイル
や、隔たった共振素子を結合させるための容量素子など
を必要とし、製作に手数がかかるという問題点に加え
て、部品点数が増加して小型化が困難となるという問題
点もあった。However, such a method requires a coil for coupling between the resonant elements, a capacitive element for coupling a separate resonant element, and the like, in addition to the resonant elements, and the production is troublesome. In addition to the problem described above, there is also a problem that the number of parts increases and miniaturization becomes difficult.
【００１５】従って、本発明の目的は、減衰ピークを形
成して減衰特性を改善させ、かつ実装時の占有面積が小
さい積層型誘電体フィルタを提供することにある。Accordingly, it is an object of the present invention to provide a laminated dielectric filter which forms an attenuation peak to improve the attenuation characteristics and occupies a small area when mounted.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、入力電
極が形成された誘電体層、入力端側共振素子が形成され
た誘電体層、出力端側共振素子が形成された誘電体層、
出力電極が形成された誘電体層をこの順序で備える積層
型誘電体フィルタにおいて、前記入力端側共振素子が形
成された誘電体層と前記出力端側共振素子が形成された
誘電体層との間には、前記入力端側共振素子および前記
出力端側共振素子のそれぞれと容量結合する、前記入力
電極と電気的に接続された電極（すなわち、別の入力電
極）が形成された誘電体層あるいは前記出力電極と電気
的に接続された電極（すなわち、別の出力電極）が形成
された誘電体層の少なくともいずれか一方が介在されて
いることを特徴とする積層型誘電体フィルタが得られ
る。好ましくは、前記入力電極が形成された誘電体層と
前記入力端側共振素子が形成された誘電体層との間に
は、前記入力端側共振素子と容量結合し、かつ前記入力
電極と電気的に接続された電極（すなわち、さらに別の
入力電極）が形成された誘電体層が介在され、および／
または、前記出力電極が形成された誘電体層と前記出力
端側共振素子が形成された誘電体層との間には、前記出
力端側共振素子と容量結合し、かつ前記出力電極と電気
的に接続された電極（すなわち、さらに別の出力電極）
が形成された誘電体層がさらに介在されている。 According to the present invention, an input power supply is provided.
The dielectric layer on which the poles are formed, the input end side resonance element is formed
A dielectric layer, a dielectric layer on which an output end side resonance element is formed,
Lamination comprising a dielectric layer with an output electrode formed in this order
In the type dielectric filter, the input-end-side resonance element has a shape.
The formed dielectric layer and the output terminal side resonance element are formed.
Between the dielectric layer and the input end side resonance element and the
The input, which is capacitively coupled to each of the output-end-side resonance elements.
An electrode that is electrically connected to the electrode (that is, another input
Electrode) and the output electrode and the dielectric layer
Connected electrodes (ie, another output electrode) are formed
At least one of the dielectric layers is interposed
Thus , a laminated dielectric filter is obtained. Preferably, a dielectric layer on which the input electrode is formed,
Between the dielectric layer on which the input-end-side resonance element is formed
Is capacitively coupled to the input terminal side resonance element, and
An electrode electrically connected to the electrode (ie, yet another
A dielectric layer on which an input electrode is formed, and / or
Alternatively, the dielectric layer on which the output electrode is formed and the output
The aforementioned output is provided between the dielectric layer on which the end-side resonance element is formed.
Capacitively coupled with the force end side resonance element, and electrically connected to the output electrode
Connected electrodes (ie, yet another output electrode)
Is further interposed.
【００１７】また、本発明によれば、入力電極が形成さ
れた誘電体層、入力端側共振素子が形成された誘電体
層、内部共振素子が形成された誘電体層を１つ以上、出
力端側共振素子が形成された誘電体層、出力電極が形成
された誘電体層をこの順序で備える積層型誘電体フィル
タにおいて、前記入力端側共振素子が形成された誘電体
層とこれに隣接する前記内部共振素子が形成された誘電
体層との間には、前記入力端側共振素子および前記内部
共振素子のそれぞれと容量結合し、かつ前記入力電極と
電気的に接続された電極（すなわち、別の入力電極）が
形成された誘電体層が介在され、および／または、前記
出力端側共振素子が形成された誘電体層とこれに隣接す
る前記内部共振素子が形成された誘電体層との間には、
前記出力端側共振素子および前記内部共振素子のそれぞ
れと容量結合し、かつ前記出力電極と電気的に接続され
た電極（すなわち、別の出力電極）が形成された誘電体
層が介在されていることを特徴とする積層型誘電体フィ
ルタが得られる。好ましくは、前記入力電極が形成され
た誘電体層と前記入力端側共振素子が形成された誘電体
層との間には、前記入力端側共振素子と容量結合し、か
つ前記入力電極と電気的に接続された電極（すなわち、
さらに別の入力電極）が形成された誘電体層が介在さ
れ、および／または、前記出力電極が形成された誘電体
層と前記出力端側共振素子が形成された誘電体層との間
には、前記出力端側共振素子と容量結合し、かつ前記出
力電極と電気的に接続された電極（すなわち、さらに別
の出力電極）が形成された誘電体層がさらに介在されて
いる。 According to the present invention, an input electrode is formed.
Dielectric layer on which the input end side resonance element is formed
One or more dielectric layers on which the internal resonance elements are formed.
Dielectric layer with output end side resonance element formed, output electrode formed
-Type dielectric film comprising a plurality of dielectric layers in this order
A dielectric, on which the input-end-side resonance element is formed.
A dielectric layer in which a layer and the internal resonant element adjacent to the layer are formed.
The input-end-side resonance element and the internal
Capacitively coupled to each of the resonance elements, and
An electrically connected electrode (ie, another input electrode)
The formed dielectric layer is interposed and / or
The dielectric layer on which the output-end-side resonance element is formed is adjacent to the dielectric layer.
Between the dielectric layer on which the internal resonance element is formed,
Each of the output end side resonance element and the internal resonance element
Is capacitively coupled to the output electrode, and is electrically connected to the output electrode.
Dielectric with an electrode formed (ie another output electrode)
A laminated dielectric filter characterized by having a layer interposed is obtained. Preferably, the input electrode is formed
Having a dielectric layer formed thereon and the input-end-side resonance element formed thereon
Between the layer and the input end side resonance element,
Electrodes that are electrically connected to the input electrodes (ie,
And a dielectric layer on which another input electrode is formed.
And / or a dielectric on which the output electrode is formed
Between the layer and the dielectric layer on which the output-end-side resonance element is formed
Is capacitively coupled to the output terminal side resonance element and
An electrode electrically connected to the force electrode (ie,
Output electrode) is further interposed in the dielectric layer
I have.
【００１８】[0018]
【作用】本発明においては、入力端側共振素子が形成さ
れた誘電体層と出力端側共振素子が形成された誘電体層
との間に、前記入力端側共振素子および前記出力端側共
振素子のそれぞれと容量結合する、入力電極と電気的に
接続された電極（別の入力電極）が形成された誘電体層
あるいは出力電極と電気的に接続された電極（別の出力
電極）が形成された誘電体層の少なくともいずれか一方
を介在させることにより、または、入力端側共振素子が
形成された誘電体層とこれに隣接する内部共振素子が形
成された誘電体層との間に、前記入力端側共振素子およ
び前記内部共振素子のそれぞれと容量結合し、かつ入力
電極と電気的に接続された電極（別の入力電極）が形成
された誘電体層を介在させ、および／または、出力端側
共振素子が形成された誘電体層とこれに隣接する内部共
振素子が形成された誘電体層との間に、前記出力端側共
振素子および前記内部共振素子のそれぞれと容量結合
し、かつ出力電極と電気的に接続された電極（別の出力
電極）が形成された誘電体層を介在させることにより、
入力端側共振素子または出力端側共振素子の少なくとも
いずれか一方の共振素子にインダクタンスが直列接続さ
れた状態となり、バンドパスフィルタの通過帯域の高域
側に減衰ピークを生じさせ、減衰特性を改善することが
できる。そして、前記入力電極が形成された誘電体層と
前記入力端側共振素子が形成された誘電体層との間に、
前記入力端側共振素子と容量結合し、かつ前記入力電極
と電気的に接続された電極（すなわち、さらに別の入力
電極）が形成された誘電体層を介在させ、および／また
は、前記出力電極が形成された誘電体層と前記出力端側
共振素子が形成された誘電体層との間に、前記出力端側
共振素子と容量結合し、かつ前記出力電極と電気的に接
続された電極（すなわち、さらに別の出力電極）が形成
された誘電体層を介在させることにより、これらの間の
静電容量の容量値を大きくしながらリップルを小さくす
ることができる。 According to the present invention, an input end side resonance element is formed.
Dielectric layer on which the output dielectric layer and the output end side resonance element are formed
Between the input terminal side resonance element and the output terminal side.
Electrically coupled to the input electrode
Dielectric layer with connected electrodes (another input electrode)
Alternatively, an electrode electrically connected to the output electrode (another output
Electrode) formed on at least one of the dielectric layers
Or the input end side resonance element
The formed dielectric layer and the adjacent internal resonance element
Between the input end side resonance element and the formed dielectric layer.
And each of the internal resonance elements is capacitively coupled, and
An electrode (another input electrode) electrically connected to the electrode is formed
And / or on the output end side
The dielectric layer on which the resonant element is formed and the internal
Between the output end side and the dielectric layer on which the resonator element is formed.
Capacitive coupling with a vibration element and each of the internal resonance elements
And an electrode that is electrically connected to the output electrode (another output
Electrode) formed on the dielectric layer ,
An inductance is connected in series to at least one of the input end side resonance element and the output end side resonance element, and an attenuation peak is generated on the high band side of the pass band of the band pass filter, Damping characteristics can be improved. And a dielectric layer on which the input electrode is formed;
Between the dielectric layer on which the input end side resonance element is formed,
Capacitively coupled to the input-end-side resonance element, and the input electrode
Electrode (ie, yet another input)
Electrodes) formed on the dielectric layer, and / or
The dielectric layer on which the output electrode is formed and the output end side
Between the output terminal side and the dielectric layer on which the resonance element is formed.
Capacitively coupled to the resonance element and electrically connected to the output electrode
Connected electrodes (ie, yet another output electrode)
The intervening dielectric layer allows
Reduce ripple while increasing capacitance value
Can be
【００１９】また、本発明においては、積層型誘電体フ
ィルタを実装基板上に実装したときに、複数の共振素子
の主面が前記実装基板に対してほぼ垂直となるように構
成されているから、実装時の占有面積を小さくできる。Further, in the present invention, when the multilayer dielectric filter is mounted on a mounting substrate, the main surfaces of the plurality of resonance elements are configured to be substantially perpendicular to the mounting substrate. Thus, the occupied area during mounting can be reduced.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００２１】図１は本発明の第１の実施例の模式展開図
であり、図２は本実施例の斜視図であり、図３は本実施
例の底面図である。FIG. 1 is a schematic development view of the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of the present embodiment, and FIG. 3 is a bottom view of the present embodiment.
【００２２】図１に示すように、誘電体層１１の左側面
上には後にアース電極７０および入力電極４１１が形成
される。As shown in FIG. 1, a ground electrode 70 and an input electrode 411 are formed on the left side surface of the dielectric layer 11 later.
【００２３】誘電体層１２の右側面上には、後記する共
振素子２１の開放端の一部に後記する誘電体層１３を挟
んで重なるとともに共振素子２１とほぼ直交する入力電
極４１２を形成する。後記するアース電極７０に一端部
が電気的に接続されて１／４波長型ストリップライン共
振器を構成する共振素子２１を誘電体層１３の右側面上
に形成し、さらに一端部が後記するアース電極７０に電
気的に接続され、かつ他端部が共振素子２１の開放端か
ら所定の間隔離れて共振素子２１と対向する電極３１を
誘電体層１３の右側面上に形成する。共振素子２１が入
力端側の共振素子である。An input electrode 412 is formed on the right side of the dielectric layer 12 so as to overlap a part of an open end of the resonance element 21 described later with the dielectric layer 13 described later interposed therebetween and to be substantially orthogonal to the resonance element 21. . One end is electrically connected to a ground electrode 70 described later to form a quarter wavelength strip line resonator, and a resonance element 21 is formed on the right side surface of the dielectric layer 13. An electrode 31 electrically connected to the electrode 70 and having the other end separated from the open end of the resonance element 21 by a predetermined distance and facing the resonance element 21 is formed on the right side surface of the dielectric layer 13. The resonance element 21 is a resonance element on the input end side.
【００２４】誘電体層１４の右側面上には、共振素子２
１の開放端の一部に誘電体層１４を挟んで重なり、後記
する共振素子２２の開放端の一部にも後記する誘電体層
１５を挟んで重なるとともに共振素子２１および２２と
ほぼ直交する入力電極４１３を形成する。On the right side of the dielectric layer 14, the resonance element 2
1 overlaps a part of the open end with the dielectric layer 14 interposed therebetween, and also overlaps a part of the open end of the resonance element 22 described later with the dielectric layer 15 described later interposed therebetween and is substantially orthogonal to the resonance elements 21 and 22. An input electrode 413 is formed.
【００２５】後記するアース電極７０に一端部が電気的
に接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２２を誘電体層１５の右側面上に形成
し、さらに一端部が後記するアース電極７０に電気的に
接続され、かつ他端部が共振素子２２の開放端から所定
の間隔離れて共振素子２２と対向する電極３２を誘電体
層１５の右側面上に形成する。One end is electrically connected to a ground electrode 70, which will be described later, to form a resonance element 22 constituting a quarter wavelength strip line resonator on the right side surface of the dielectric layer 15, and one end is further formed. An electrode 32 electrically connected to a later-described ground electrode 70 and having the other end separated from the open end of the resonance element 22 by a predetermined distance and facing the resonance element 22 is formed on the right side surface of the dielectric layer 15.
【００２６】誘電体層１６の右側面上には、共振素子２
２の開放端の一部に誘電体層１６を挟んで重なり、後記
する共振素子２３の開放端の一部にも後記する誘電体層
１７を挟んで重なるとともに共振素子２２および２３と
ほぼ直交する出力電極４２３を形成する。On the right side of the dielectric layer 16, the resonance element 2
2 overlaps with a part of the open end of the resonance element 23 with the dielectric layer 16 interposed therebetween, and also overlaps with a part of the open end of the resonance element 23 described later with the dielectric layer 17 described later interposed therebetween and is substantially orthogonal to the resonance elements 22 and 23. An output electrode 423 is formed.
【００２７】後記するアース電極７０に一端部が電気的
に接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２３を誘電体層１７の右側面上に形成
し、さらに一端部が後記するアース電極７０に電気的に
接続され、かつ他端部が共振素子２３の開放端から所定
の間隔離れて共振素子２３と対向する電極３３を誘電体
層１７の右側面上に形成する。共振素子２３が出力端側
の共振素子である。One end is electrically connected to a later-described ground electrode 70 to form a resonance element 23 constituting a quarter wavelength strip line resonator on the right side of the dielectric layer 17, and one end is further formed. An electrode 33 electrically connected to a ground electrode 70 described later and having the other end separated from the open end of the resonance element 23 by a predetermined distance and facing the resonance element 23 is formed on the right side surface of the dielectric layer 17. The resonance element 23 is a resonance element on the output end side.
【００２８】誘電体層１８の右側面上には、共振素子２
３の開放端の一部に誘電体層１８を挟んで重なるととも
に共振素子２３とほぼ直交する出力電極４２２を形成す
る。On the right side of the dielectric layer 18, the resonance element 2
An output electrode 422 that overlaps with a part of the open end of No. 3 with the dielectric layer 18 interposed therebetween and that is substantially orthogonal to the resonance element 23 is formed.
【００２９】誘電体層１８の右側面上に、右側面にアー
ス電極７０および出力電極４２１が形成される誘電体層
１９を積層し、誘電体層１１〜１９を一体に構成し、そ
の後焼成して積層体１００を形成する。On the right side of the dielectric layer 18, the dielectric layer 19 on which the ground electrode 70 and the output electrode 421 are formed is laminated on the right side, and the dielectric layers 11 to 19 are integrally formed and then fired. To form a laminate 100.
【００３０】図２、３に示すように、積層体１００の上
面、入力端子部５１１、出力端子部５２１を除く側面、
および入力端子部５１４、出力端子部５２４を除く下面
にアース電極７０を形成する。さらに積層体１００の側
面の入力端子部５１１内に、アース電極７０と電気的に
絶縁され、入力電極４１２と対向する入力電極４１１を
形成する。そして積層体１００の下面の入力端子部５１
４内にはアース電極７０と電気的に絶縁され、かつ入力
電極４１１、４１２、４１３と接続される入力電極４１
４を形成する。また同様に、積層体１００の側面の出力
端子部５２１内に、アース電極７０と電気的に絶縁さ
れ、出力電極４２２と対向する出力電極４２１を形成す
る。そして積層体１００の下面の出力端子部５２４内に
はアース電極７０と電気的に絶縁され、かつ出力電極４
２１、４２２、４２３と接続される出力電極４２４を形
成する。As shown in FIGS. 2 and 3, the upper surface of the laminate 100, the side surfaces excluding the input terminal portion 511 and the output terminal portion 521,
The ground electrode 70 is formed on the lower surface excluding the input terminal portion 514 and the output terminal portion 524. Further, an input electrode 411 that is electrically insulated from the ground electrode 70 and faces the input electrode 412 is formed in the input terminal portion 511 on the side surface of the multilayer body 100. The input terminal 51 on the lower surface of the laminate 100
4 has an input electrode 41 electrically insulated from the ground electrode 70 and connected to the input electrodes 411, 412, 413.
4 is formed. Similarly, an output electrode 421 that is electrically insulated from the ground electrode 70 and faces the output electrode 422 is formed in the output terminal portion 521 on the side surface of the multilayer body 100. The output terminal 524 on the lower surface of the multilayer body 100 is electrically insulated from the ground electrode 70 and
An output electrode 424 connected to 21, 422, 423 is formed.
【００３１】本実施例においては共振素子２１、２２、
２３を垂直にして並設しているから、フィルタの横幅は
大幅に小さくなり、実装時の占有面積も大幅に小さくな
る。In the present embodiment, the resonance elements 21, 22,
Since the filters 23 are arranged side by side vertically, the width of the filter is significantly reduced, and the area occupied during mounting is also significantly reduced.
【００３２】また、本実施例において、入力電極４１２
および出力電極４２２を積層体１００の内部に設けてい
るのは次の理由による。すなわち、両端の共振素子２
１、２３とアース電極７０との間の誘電体層が薄いと、
フィルタのＱが低下して、フィルタの挿入損失が増加す
るから、両端の共振素子２１、２３とアース電極７０と
の距離はある程度大きくする必要がある。そして、この
ような状態で、入力電極４１１、出力電極４２１を積層
体の表面にのみ設けた構造とすると、入力電極４１１、
出力電極４２１と両端の共振素子２１、２３との距離が
大きくなり、これらの間に形成される静電容量の容量値
が小さくなり、リップルが大きくなってしまう。そこ
で、入力電極４１２、出力電極４２２を積層体１００の
内部に設け、これらの電極と両端の共振素子２１、２３
との距離を小さくすることによって、これらの間に形成
される静電容量の容量値を大きくすることができ、リッ
プルを小さくすることができる。In this embodiment, the input electrode 412
The reason why the output electrode 422 is provided inside the multilayer body 100 is as follows. That is, the resonance elements 2 at both ends
If the dielectric layer between 1, 23 and the ground electrode 70 is thin,
Since the Q of the filter decreases and the insertion loss of the filter increases, it is necessary to increase the distance between the resonance elements 21 and 23 at both ends and the ground electrode 70 to some extent. In such a state, if the input electrode 411 and the output electrode 421 are provided only on the surface of the multilayer body,
The distance between the output electrode 421 and the resonance elements 21 and 23 at both ends becomes large, the capacitance value of the capacitance formed between them becomes small, and the ripple becomes large. Therefore, the input electrode 412 and the output electrode 422 are provided inside the multilayer body 100, and these electrodes and the resonance elements 21 and 23 at both ends are provided.
, The capacitance value of the capacitance formed between them can be increased, and the ripple can be reduced.
【００３３】また、本実施例において、入力電極４１
２、出力電極４２２を積層体１００の内部に設けている
にもかかわらず、積層体１００の表面に、これらの入力
電極４１２および出力電極４２２とそれぞれ電気的に接
続される入力電極４１１、出力電極４２１を設けている
のは、次の理由による。すなわち、これらの入力電極４
１１、出力電極４２１を積層体の側面に設けることによ
り、実装時に半田がこれらの入力電極４１１、出力電極
４２１に沿って這い上がり、フィルタの実装がより確実
なものとなるからである。In the present embodiment, the input electrode 41
2. Although the output electrode 422 is provided inside the multilayer body 100, the input electrode 411 and the output electrode 411 electrically connected to the input electrode 412 and the output electrode 422, respectively, on the surface of the multilayer body 100. 421 is provided for the following reason. That is, these input electrodes 4
This is because, by providing the output electrode 421 on the side surface of the laminate, the solder creeps up along the input electrode 411 and the output electrode 421 during mounting, and the mounting of the filter becomes more reliable.
【００３４】以上のように構成した本実施例において、
共振素子２１〜２３、電極３１〜３３、入力電極４１１
〜４１４、出力電極４２１〜４２４およびアース電極７
０の空間的な構成を右側面図およびそのＸ−Ｘ線断面図
で示せば図４および図５に示すようになる。In this embodiment configured as described above,
Resonant elements 21 to 23, electrodes 31 to 33, input electrode 411
To 414, output electrodes 421 to 424 and ground electrode 7
4 and FIG. 5 show the spatial configuration of 0 in a right side view and its XX line sectional view.
【００３５】共振素子２１と入力電極４１２との間には
誘電体層１３を挟んで重なり部分があって、誘電体層１
３を含む重なり部分において容量結合された状態となっ
ている。この静電容量を静電容量３０１とする。共振素
子２１と入力電極４１３との間には誘電体層１４を挟ん
で重なり部分があって、誘電体層１４を含む重なり部分
において容量結合された状態となっている。この静電容
量を静電容量３０２とする。共振素子２２と入力電極４
１３との間には誘電体層１５を挟んで重なり部分があっ
て、誘電体層１５を含む重なり部分において容量結合さ
れた状態となっている。この静電容量を静電容量３０３
とする。共振素子２２と出力電極４２３との間には誘電
体層１６を挟んで重なり部分があって、誘電体層１６を
含む重なり部分において容量結合された状態となってい
る。この静電容量を静電容量３０４とする。共振素子２
３と出力電極４２３との間には誘電体層１７を挟んで重
なり部分があって、誘電体層１７を含む重なり部分にお
いて容量結合された状態となっている。この静電容量を
静電容量３０５とする。共振素子２３と出力電極４２２
との間には誘電体層１８を挟んで重なり部分があって、
誘電体層１８を含む重なり部分において容量結合された
状態となっている。この静電容量を静電容量３０６とす
る。There is an overlap between the resonance element 21 and the input electrode 412 with the dielectric layer 13 interposed therebetween.
3 are capacitively coupled in the overlapping portion. This capacitance is referred to as capacitance 301. There is an overlapping portion between the resonance element 21 and the input electrode 413 with the dielectric layer 14 interposed therebetween, and the overlapping portion including the dielectric layer 14 is in a capacitively coupled state. This capacitance is referred to as a capacitance 302. Resonant element 22 and input electrode 4
There is an overlapping portion between the insulating layer 13 and the dielectric layer 15 with the dielectric layer 15 interposed therebetween, and the overlapping portion including the dielectric layer 15 is capacitively coupled. This capacitance is referred to as capacitance 303
And There is an overlapping portion between the resonance element 22 and the output electrode 423 with the dielectric layer 16 interposed therebetween, and the overlapping portion including the dielectric layer 16 is in a capacitively coupled state. This capacitance is referred to as capacitance 304. Resonant element 2
3 and the output electrode 423 have an overlapping portion with the dielectric layer 17 interposed therebetween, and the overlapping portion including the dielectric layer 17 is capacitively coupled. This capacitance is referred to as capacitance 305. Resonant element 23 and output electrode 422
There is an overlapping portion between the dielectric layer 18 and
Capacitively coupled at the overlapping portion including the dielectric layer 18. This capacitance is referred to as capacitance 306.
【００３６】さらに、共振素子２１、２２、２３の開放
端と電極３１、３２、３３との間には、それぞれ静電容
量６１、６２、６３が形成されている。そして、これら
の静電容量６１、６２、６３が存在することによって、
共振素子２１と共振素子２２はインダクタンス３５１に
よって、共振素子２２と共振素子２３はインダクタンス
３５２によってそれぞれ結合され、コムライン型のフィ
ルタを構成している。Further, capacitances 61, 62, 63 are formed between the open ends of the resonance elements 21, 22, 23 and the electrodes 31, 32, 33, respectively. And, due to the presence of these capacitances 61, 62, 63,
The resonance element 21 and the resonance element 22 are coupled by an inductance 351, and the resonance element 22 and the resonance element 23 are coupled by an inductance 352, thereby forming a comb-line filter.
【００３７】上記のように構成されるフィルタの電気的
な等価回路は図６に示すようになる。図６におけるイン
ダクタンス３５１、静電容量３０１〜３０３をΔ−Ｙ変
換すれば図７における入力側静電容量８１、結合静電容
量８２および共振素子２１と直列接続されるインダクタ
ンス８０１となり、同様にインダクタンス３５２、静電
容量３０４〜３０６をΔ−Ｙ変換すれば、図７における
出力側静電容量８４、結合静電容量８３および共振素子
２３と直列接続されるインダクタンス８０２となる。従
って、図６の等価回路は図７の等価回路となり、バンド
パス特性を呈する。FIG. 6 shows an electrical equivalent circuit of the filter configured as described above. If the inductance 351 and the capacitances 301 to 303 in FIG. 6 are subjected to Δ-Y conversion, the inductance 801 connected in series with the input-side capacitance 81, the coupling capacitance 82, and the resonance element 21 in FIG. 352 and the capacitances 304 to 306 are subjected to Δ-Y conversion to become an inductance 802 connected in series with the output-side capacitance 84, the coupling capacitance 83, and the resonance element 23 in FIG. Therefore, the equivalent circuit of FIG. 6 becomes the equivalent circuit of FIG. 7 and exhibits bandpass characteristics.
【００３８】このように、上記構成のフィルタは、等価
的に、共振素子２１に直列にインダクタンス８０１が接
続された状態および共振素子２３に直列にインダクタン
ス８０２が接続された状態となって、バンドパスフィル
タの通過帯域の高域側に減衰のピークを生じさせる。As described above, the filter having the above configuration equivalently has a state in which the inductance 801 is connected in series with the resonance element 21 and a state in which the inductance 802 is connected in series with the resonance element 23, and the bandpass An attenuation peak is generated on the high band side of the pass band of the filter.
【００３９】なお、この減衰のピークが生ずる周波数は
静電容量３０３、静電容量３０４によって変動する。The frequency at which the peak of the attenuation occurs varies depending on the capacitance 303 and the capacitance 304.
【００４０】しかしながら、静電容量３０３は、誘電体
層１５の厚さを一定とすれば、誘電体層１５を挟んで共
振素子２２と入力電極４１３との対向面積によって設定
され、静電容量３０４は、誘電体層１６を挟んで共振素
子２２と出力電極４２３との対向面積によって設定され
る一方、共振素子２２の幅および入力電極４１３、出力
電極４２３の幅の設定は比較的容易であるから、共振素
子２２と入力電極４１３との対向面積および共振素子２
２と出力電極４２３との対向面積をばらつきなく設定す
ることも容易である。従って、これらの対向面積をばら
つきなく設定することによって減衰のピークが生ずる周
波数のばらつきを抑制することができる。However, when the thickness of the dielectric layer 15 is constant, the capacitance 303 is set by the facing area between the resonance element 22 and the input electrode 413 with the dielectric layer 15 interposed therebetween. Is set by the opposing area of the resonance element 22 and the output electrode 423 with the dielectric layer 16 interposed therebetween, while the width of the resonance element 22 and the width of the input electrode 413 and the output electrode 423 are relatively easy to set. Area between the resonance element 22 and the input electrode 413 and the resonance element 2
It is also easy to set the opposing area between 2 and the output electrode 423 without variation. Therefore, by setting these opposing areas without variation, it is possible to suppress variations in the frequency at which the peak of attenuation occurs.
【００４１】なお、本実施例においては、図８（Ａ）に
示すように入力電極４１３、出力電極４２３の幅を一定
のものとしたが、図８（Ｂ）に示すように入力電極４１
３、出力電極４２３の幅を共振素子２１〜２３と対向す
る部分を含む所定長にわたって狭く設定してすれば、共
振素子２１〜２３との間に位置ずれが生じても共振素子
２１〜２３と入力電極４１、出力電極４３との対向面積
のばらつきは殆どなく、この結果静電容量３０３、３０
４の変化は少なくて済み、その結果、減衰ピークが生ず
る周波数の変動がより少なくなる。In the present embodiment, the width of the input electrode 413 and the width of the output electrode 423 are fixed as shown in FIG. 8A, but as shown in FIG.
3. If the width of the output electrode 423 is set to be narrow over a predetermined length including a portion opposed to the resonance elements 21 to 23, even if a positional shift occurs between the output elements 423 and the resonance elements 21 to 23, There is almost no variation in the areas of the input electrodes 41 and the output electrodes 43 facing each other.
4 requires less change, resulting in less variation in frequency at which the attenuation peak occurs.
【００４２】また、インダクタンス３５１および３５２
は共振素子２１、２２、２３間の誘導結合で得られ、静
電容量３０１〜３０６は誘電体層１３〜１８、共振素子
２１〜２３、入力電極４１２、４１３および出力電極４
２２、４２３を利用して得られるから、別途部品を必要
とせず、小型化が可能となる。Further, the inductances 351 and 352
Are obtained by inductive coupling between the resonance elements 21, 22, and 23, and the capacitances 301 to 306 are the dielectric layers 13 to 18, the resonance elements 21 to 23, the input electrodes 412, 413, and the output electrode 4.
Since it can be obtained by utilizing the components 22, 423, it is possible to reduce the size without requiring any additional components.
【００４３】次に、第１の実施例の積層型誘電体フィル
タの製造方法について説明する。Next, a method of manufacturing the laminated dielectric filter of the first embodiment will be described.
【００４４】本積層型誘電体フィルタは共振素子２１〜
２３、電極３１〜３３、入力電極４１２、４１３および
出力電極４２２、４２３を完全に誘電体中に内蔵するこ
とから、共振素子２１〜２３、電極３１〜３３、入力電
極４１２、４１３および出力電極４２２、４２３には損
失の少ない比抵抗の低いものを用いることが望ましく、
低抵抗のＡｇ系、若しくはＣｕ系の導体を用いることが
好ましい。 使用する誘電体としては、信頼性が高く比
誘電率εγが大きいため、小型化が可能となるセラミッ
クス誘電体が好ましい。The laminated dielectric filter has the resonance elements 21 to 21.
23, electrodes 31 to 33, input electrodes 412 and 413, and output electrodes 422 and 423 are completely contained in the dielectric, so that the resonance elements 21 to 23, electrodes 31 to 33, input electrodes 412 and 413, and output electrode 422 are formed. , 423, it is desirable to use a material having low loss and low specific resistance.
It is preferable to use a low-resistance Ag-based or Cu-based conductor. As a dielectric to be used, a ceramic dielectric which can be downsized because of high reliability and a large relative permittivity εγ is preferable.
【００４５】また、製造方法としては、セラミックス粉
末の成形体に導体ペーストを塗布して電極パターンを形
成した後、各々の成形体を積層しさらに焼成して緻密化
し、導体がその内部に積層された状態でセラミックス誘
電体と一体化することが望ましい。As a manufacturing method, a conductor paste is applied to a ceramic powder compact to form an electrode pattern, and then each compact is laminated and fired to densify, and the conductor is laminated inside the compact. It is desirable to integrate it with the ceramic dielectric in a state where the ceramic dielectric is in a closed state.
【００４６】Ａｇ系やＣｕ系の導体を使用する場合に
は、それらの導体の融点が低く、通常の誘電体材料と同
時焼成することは困難であるところから、それらの融点
（１１００℃以下）よりも低い温度で焼成され得る誘電
体材料を用いる必要がある。また、マイクロ波フィルタ
としてのデバイスの性格上、形成される並列共振回路の
共振周波数の温度特性（温度係数）が±５０ｐｐｍ／℃
以下になるような誘電体材料が好ましい。このような誘
電体材料としては、例えば、コージェライト系ガラス粉
末とＴｉＯ2 粉末およびＮｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末との混合
物等のガラス系のものや、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ2 Ｏ
3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系組成（Ｒｅ：レアアース成分）に若干
のガラス形成成分やガラス粉末を添加したもの、酸化バ
リウム−酸化チタン−酸化ネオジウム系誘電体磁気組成
物粉末に若干のガラス粉末を添加したものがある。When using Ag-based or Cu-based conductors, the melting points of the conductors are low (1100 ° C. or less) because it is difficult to co-fire with ordinary dielectric materials. It is necessary to use a dielectric material that can be fired at a lower temperature. Further, due to the nature of the device as a microwave filter, the temperature characteristic (temperature coefficient) of the resonance frequency of the formed parallel resonance circuit is ± 50 ppm / ° C.
The following dielectric materials are preferred. Examples of such a dielectric material, for example, those of glass-based mixtures of cordierite glass powder and TiO 2 powder and Nd 2 Ti 2 O 7 powder and, BaO-TiO 2 -Re 2 O
3 -Bi 2 O 3 based compositions (Re: rare earth component) to that added some glass forming component or glass powder, barium oxide - titanium oxide - adding some glass powder neodymium oxide based dielectric magnetic composition powder There is something.
【００４７】一例として、ＭｇＯ：１８ｗｔ％−Ａｌ2
Ｏ3 ：３７ｗｔ％−ＳｉＯ2 ：３７ｗｔ％−Ｂ2 Ｏ3 ：
５ｗｔ％−ＴｉＯ2 ：３ｗｔ％なる組成のガラス粉末の
７３ｗｔ％と、市販のＴｉＯ2 粉末の１７ｗｔ％と、Ｎ
ｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末の１０ｗｔ％を充分に混合し、混合
粉末を得た。なお、Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末は、Ｎｄ2Ｏ
3 粉末とＴｉＯ2 粉末を１２００℃で仮焼した後、粉砕
して得たものを使用した。次いで、この混合粉末に、ア
クリル系有機バインダー、可塑剤、トルエンおよびアル
コール系の溶剤を加え、アルミナ玉石で充分に混合して
スラリーとした。そして、このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により、０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの厚み
のグリーンシートを作製した。As an example, MgO: 18 wt% -Al 2
O 3 : 37 wt% -SiO 2 : 37 wt% -B 2 O 3 :
73 wt% of glass powder having a composition of 5 wt% -TiO 2 : 3 wt%, 17 wt% of commercially available TiO 2 powder, and N
10 wt% of the d 2 Ti 2 O 7 powder was sufficiently mixed to obtain a mixed powder. Note that Nd 2 Ti 2 O 7 powder is Nd 2 O
After calcining the 3 powder and the TiO 2 powder at 1200 ° C., those obtained by pulverization were used. Next, an acrylic organic binder, a plasticizer, toluene and an alcohol-based solvent were added to the mixed powder, and the mixture was sufficiently mixed with alumina cobblestone to form a slurry. Then, using this slurry, a green sheet having a thickness of 0.2 mm to 0.5 mm was produced by a doctor blade method.
【００４８】次に、上記第１の実施例の場合は、銀ペー
ストを導体ペーストとして図１に示した導体パターンを
それぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷さ
れたグリーンシートの厚みを調整するため必要なグリー
ンシートを重ねて図１の構造となるように重ね、積層し
た後、９００℃で焼成して、積層体１００を形成した。Next, in the case of the first embodiment, the conductor patterns shown in FIG. 1 are printed using silver paste as the conductor paste, and then the thickness of the green sheet on which these conductor patterns are printed is adjusted. For this reason, necessary green sheets were stacked and stacked so as to have the structure of FIG. 1, stacked, and fired at 900 ° C. to form a stacked body 100.
【００４９】上記のように構成した積層体１００の上
面、入力端子部５１１、出力端子部５２１を除く側面、
および入力端子部５１４、出力端子部５２４を除く下面
に図２、３に示すように銀電極からなるアース電極７０
を印刷し、さらにアース電極７０から電気的に絶縁する
銀電極を入力端子部５１１、出力端子部５２１内に入力
電極４１１、出力電極４２１として印刷し、さらに、ま
た、アース電極７０から電気的に絶縁し、かつ入力電極
４１１〜４１３に接続する銀電極４１４を入力端子部５
１４内に入力電極４１４として印刷し、アース電極７０
から電気的に絶縁し、かつ出力電極４２１〜４２３に接
続する銀電極４２４を出力端子部５２４内に出力電極４
２４として印刷し、印刷した電極を８５０℃で焼きつけ
た。The upper surface of the laminated body 100 configured as described above, the side surface excluding the input terminal portion 511 and the output terminal portion 521,
As shown in FIGS. 2 and 3, a ground electrode 70 made of a silver electrode is formed on the lower surface excluding the input terminal portion 514 and the output terminal portion 524.
Is printed, and silver electrodes that are electrically insulated from the ground electrode 70 are printed as the input electrode 411 and the output electrode 421 in the input terminal portion 511 and the output terminal portion 521. A silver electrode 414 insulated and connected to the input electrodes 411 to 413 is connected to the input terminal 5.
14 is printed as an input electrode 414 and the ground electrode 70 is
A silver electrode 424 electrically insulated from the output electrode 421 to 423 is connected to the output electrode 4
24 and the printed electrodes were baked at 850 ° C.
【００５０】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
第１の実施例は共振素子が３個の場合を例示したが、本
実施例においては共振素子は２個である。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
Although the first embodiment has exemplified the case where the number of the resonance elements is three, in the present embodiment, the number of the resonance elements is two.
【００５１】図９は本発明の第２の実施例の模式展開図
であり、図１０は本実施例の斜視図である。FIG. 9 is a schematic development view of the second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a perspective view of the second embodiment.
【００５２】図９に示すように、誘電体層１１の左側面
上には後にアース電極７０および入力電極４１１が形成
される。As shown in FIG. 9, a ground electrode 70 and an input electrode 411 are formed on the left side surface of the dielectric layer 11 later.
【００５３】誘電体層１２の右側面上には、後記する共
振素子２１の開放端の一部に後記する誘電体層１３を挟
んで重なるとともに共振素子２１とほぼ直交する入力電
極４１２を誘電体層１２の下面より上方に延在して形成
する。On the right side surface of the dielectric layer 12, an input electrode 412 which overlaps a part of an open end of the resonance element 21 described later with the dielectric layer 13 described later interposed therebetween and is substantially orthogonal to the resonance element 21 is formed by a dielectric material. It is formed to extend above the lower surface of the layer 12.
【００５４】後記するアース電極７０に一端部が電気的
に接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２１を誘電体層１３の右側面上に形成
し、さらに一端部が後記するアース電極７０に電気的に
接続され、かつ他端部が共振素子２１の開放端から所定
の間隔離れて共振素子２１と対向する電極３１を誘電体
層１３の右側面上に形成する。共振素子２１が入力端側
の共振素子である。One end is electrically connected to a ground electrode 70 described later to form a quarter-wave strip line resonator, and a resonance element 21 is formed on the right side surface of the dielectric layer 13, and one end is further formed. An electrode 31 electrically connected to a later-described ground electrode 70 and having the other end separated from the open end of the resonance element 21 by a predetermined distance and facing the resonance element 21 is formed on the right side surface of the dielectric layer 13. The resonance element 21 is a resonance element on the input end side.
【００５５】誘電体層１６の右側面上には、共振素子２
１の開放端の一部に誘電体層１６を挟んで重なり、後記
する共振素子２３の開放端の一部にも後記する誘電体層
１４、１７を挟んで重なるとともに共振素子２１および
２３とほぼ直交する出力電極４２３を誘電体層１６の上
面より下方に延在して形成する。On the right side of the dielectric layer 16, the resonance element 2
1 overlaps a part of the open end with the dielectric layer 16 interposed therebetween, and also overlaps a part of the open end of the resonance element 23 described later with the dielectric layers 14 and 17 described later interposed therebetween and substantially overlaps the resonance elements 21 and 23. The orthogonal output electrodes 423 are formed to extend below the upper surface of the dielectric layer 16.
【００５６】誘電体層１４の右側面上には、共振素子２
１の開放端の一部に誘電体層１６、１４を挟んで重な
り、後記する共振素子２３の開放端の一部にも後記する
誘電体層１７を挟んで重なるとともに共振素子２１およ
び２３とほぼ直交する入力電極４１３を誘電体層１４の
下面より上方に延在して形成する。On the right side of the dielectric layer 14, the resonance element 2
1 overlaps a part of the open end with the dielectric layers 16 and 14 interposed therebetween, and a part of the open end of a resonance element 23 described later overlaps with the dielectric layer 17 described later and substantially overlaps the resonance elements 21 and 23. The orthogonal input electrodes 413 are formed to extend above the lower surface of the dielectric layer 14.
【００５７】後記するアース電極７０に一端部が電気的
に接続されて１／４波長型ストリップライン共振器を構
成する共振素子２３を誘電体層１７の右側面上に形成
し、さらに一端部が後記するアース電極７０に電気的に
接続され、かつ他端部が共振素子２３の開放端から所定
の間隔離れて共振素子２３と対向する電極３３を誘電体
層１７の右側面上に形成する。共振素子２３が出力端側
の共振素子である。One end is electrically connected to a later-described ground electrode 70 to form a resonance element 23 constituting a quarter wavelength strip line resonator on the right side surface of the dielectric layer 17, and one end is further formed. An electrode 33 electrically connected to a ground electrode 70 described later and having the other end separated from the open end of the resonance element 23 by a predetermined distance and facing the resonance element 23 is formed on the right side surface of the dielectric layer 17. The resonance element 23 is a resonance element on the output end side.
【００５８】誘電体層１８の右側面上には、共振素子２
３の開放端の一部に誘電体層１８を挟んで重なるととも
に共振素子２３とほぼ直交する出力電極４２２を誘電体
層１８の上面より下方に延在して形成する。On the right side of the dielectric layer 18, the resonance element 2
An output electrode 422 that overlaps with a part of the open end of the dielectric layer 3 with the dielectric layer 18 interposed therebetween and that is substantially perpendicular to the resonance element 23 is formed to extend below the upper surface of the dielectric layer 18.
【００５９】誘電体層１８の右側面上に、右側面にアー
ス電極７０および出力電極４２１が形成される誘電体層
１９を積層し、誘電体層１１、１２、１３、１６、１
４、１７１８、１９を一体に構成し、その後焼成して積
層体１００を形成する。On the right side of the dielectric layer 18, a dielectric layer 19 on which the ground electrode 70 and the output electrode 421 are formed is laminated on the right side, and the dielectric layers 11, 12, 13, 16, 1
4, 1718, and 19 are integrally formed and then fired to form the laminate 100.
【００６０】図１０に示すように、入力端子部５１５、
出力端子部５２４を除く積層体１００の上面、入力端子
部５１１、出力端子部５２１を除く側面、および入力端
子部５１４、出力端子部５２５を除く下面にアース電極
７０を形成する。さらに積層体１００の側面の入力端子
部５１１内に、アース電極７０と電気的に絶縁された入
力電極４１１を形成し、積層体１００の上面の入力端子
部５１５内に、アース電極７０と電気的に絶縁された入
力電極４１５を形成する。そして積層体１００の下面の
入力端子部５１４内にはアース電極７０と電気的に絶縁
され、かつ入力電極４１１、４１２、４１３と接続され
る入力電極４１４を形成する。また同様に、積層体１０
０の側面の出力端子部５２１内に、アース電極７０と電
気的に絶縁された出力電極４２１を形成し、積層体１０
０の下面の入力端子部５２５内に、アース電極７０と電
気的に絶縁された出力電極４２５を形成する。そして積
層体１００の上面の出力端子部５２４内にはアース電極
７０と電気的に絶縁され、かつ出力電極４２１、４２
２、４２３と接続される出力電極４２４を形成する。As shown in FIG. 10, the input terminal 515,
The ground electrode 70 is formed on the upper surface of the laminate 100 excluding the output terminal portion 524, the side surface excluding the input terminal portion 511 and the output terminal portion 521, and the lower surface excluding the input terminal portion 514 and the output terminal portion 525. Further, an input electrode 411 that is electrically insulated from the ground electrode 70 is formed in the input terminal portion 511 on the side surface of the multilayer body 100, and is electrically connected to the ground electrode 70 in the input terminal portion 515 on the upper surface of the multilayer body 100. The insulated input electrode 415 is formed. Then, an input electrode 414 that is electrically insulated from the ground electrode 70 and connected to the input electrodes 411, 412, and 413 is formed in the input terminal portion 514 on the lower surface of the multilayer body 100. Similarly, the laminate 10
The output electrode 421 electrically insulated from the ground electrode 70 is formed in the output terminal portion 521 on the side surface of the
An output electrode 425 that is electrically insulated from the ground electrode 70 is formed in the input terminal portion 525 on the lower surface of the zero. The output terminals 524 on the upper surface of the multilayer body 100 are electrically insulated from the ground electrode 70 and output electrodes 421 and 42.
An output electrode 424 connected to the first and second 423 is formed.
【００６１】本実施例においても共振素子２１、２３を
垂直にして並設しているから、フィルタの横幅は大幅に
小さくなり、実装時の占有面積も大幅に小さくなる。Also in this embodiment, since the resonance elements 21 and 23 are arranged side by side vertically, the width of the filter is significantly reduced, and the occupied area in mounting is also significantly reduced.
【００６２】以上のように構成した本実施例において、
図９のＸ−Ｘ線断面図は図１１に示すようになる。In this embodiment configured as described above,
The sectional view taken along line XX of FIG. 9 is as shown in FIG.
【００６３】共振素子２１と入力電極４１２との間には
誘電体層１３を挟んで重なり部分があって、誘電体層１
３を含む重なり部分において容量結合された状態となっ
ている。この静電容量を静電容量３０１とする。共振素
子２１と入力電極４１３との間には誘電体層１６、１４
を挟んで重なり部分があって、誘電体層１６、１４を含
む重なり部分において容量結合された状態となってい
る。この静電容量を静電容量３０２とする。共振素子２
１と出力電極４２３との間には誘電体層１６を挟んで重
なり部分があって、誘電体層１６を含む重なり部分にお
いて容量結合された状態となっている。この静電容量を
静電容量３０７とする。共振素子２３と入力電極４１３
との間には誘電体層１７を挟んで重なり部分があって、
誘電体層１７を含む重なり部分において容量結合された
状態となっている。この静電容量を静電容量３０８とす
る。共振素子２３と出力電極４２３との間には誘電体層
１４、１７を挟んで重なり部分があって、誘電体層１
４、１７を含む重なり部分において容量結合された状態
となっている。この静電容量を静電容量３０５とする。
共振素子２３と出力電極４２２との間には誘電体層１８
を挟んで重なり部分があって、誘電体層１８を含む重な
り部分において容量結合された状態となっている。この
静電容量を静電容量３０６とする。There is an overlap between the resonance element 21 and the input electrode 412 with the dielectric layer 13 interposed therebetween.
3 are capacitively coupled in the overlapping portion. This capacitance is referred to as capacitance 301. The dielectric layers 16 and 14 are provided between the resonance element 21 and the input electrode 413.
Are overlapped, and the overlapped portion including the dielectric layers 16 and 14 is capacitively coupled. This capacitance is referred to as a capacitance 302. Resonant element 2
1 and the output electrode 423 have an overlapping portion with the dielectric layer 16 interposed therebetween, and the overlapping portion including the dielectric layer 16 is capacitively coupled. This capacitance is referred to as capacitance 307. Resonant element 23 and input electrode 413
There is an overlapped portion with the dielectric layer 17 therebetween,
Capacitively coupled at the overlapping portion including the dielectric layer 17. This capacitance is referred to as a capacitance 308. There is an overlap between the resonance element 23 and the output electrode 423 with the dielectric layers 14 and 17 interposed therebetween.
Capacitatively coupled at the overlapping portion including 4 and 17. This capacitance is referred to as capacitance 305.
The dielectric layer 18 is provided between the resonance element 23 and the output electrode 422.
Are overlapped, and the overlapped portion including the dielectric layer 18 is capacitively coupled. This capacitance is referred to as capacitance 306.
【００６４】さらに、共振素子２１、２３の開放端と電
極３１、３３との間には、それぞれ静電容量６１、６３
が形成されている。そして、これらの静電容量６１、６
３が存在することによって、共振素子２１と共振素子２
３はインダクタンス３５３によって結合され、コムライ
ン型のフィルタを構成している。Further, between the open ends of the resonance elements 21 and 23 and the electrodes 31 and 33, capacitances 61 and 63 are respectively provided.
Are formed. Then, these capacitances 61, 6
3, the resonance element 21 and the resonance element 2
3 are connected by an inductance 353 to form a comb-line type filter.
【００６５】上記のように構成されるフィルタの電気的
な等価回路は図１２に示すようになり、この場合におい
ても上記した第１の実施例と同様の作用をし、バンドパ
スフィルタの通過帯域の高域側に減衰のピークを生じさ
せる。FIG. 12 shows an electrical equivalent circuit of the filter constructed as described above. In this case, the same operation as in the first embodiment is performed, and the pass band of the band-pass filter is changed. , A peak of attenuation occurs on the high frequency side of.
【００６６】次に、本実施例の積層型誘電体フィルタの
製造方法について説明する。本実施例においても、第１
の実施例において使用したグリーンシートを用い、銀ペ
ーストを導体ペーストとして図９に示した導体パターン
をそれぞれ印刷し、次いで、これら導体パターンが印刷
されたグリーンシートの厚みを調整するため必要なグリ
ーンシートを重ねて図１０の構造となるように重ね、積
層した後、９００℃で焼成して、積層体１００を作成し
た。Next, a method of manufacturing the multilayer dielectric filter of this embodiment will be described. Also in this embodiment, the first
Using the green sheets used in the above Examples, the conductor patterns shown in FIG. 9 were printed using silver paste as the conductor paste, and then the green sheets necessary for adjusting the thickness of the green sheets on which these conductor patterns were printed were used. Were laminated to form the structure shown in FIG. 10 and laminated, and then fired at 900 ° C. to produce a laminated body 100.
【００６７】上記のように構成した積層体１００の入力
端子部５１５、出力端子部５２４を除く上面、入力端子
部５１１、出力端子部５２１を除く側面、および入力端
子部５１４、出力端子部５２５を除く下面に図１０に示
すように銀電極からなるアース電極７０を印刷し、さら
にアース電極７０から電気的に絶縁する銀電極を入力端
子部５１１、出力端子部５２１内に入力電極４１１、出
力電極４２１として印刷し、アース電極７０から電気的
に絶縁する銀電極を入力端子部５１５、出力端子部５２
５内に入力電極４１５、出力電極４２５として印刷し、
さらに、また、アース電極７０から電気的に絶縁し、か
つ入力電極４１１〜４１３に接続する銀電極４１４を入
力端子部５１４内に入力電極４１４として印刷し、アー
ス電極７０から電気的に絶縁し、かつ出力電極４２１〜
４２３に接続する銀電極４２４を出力端子部５２４内に
出力電極４２４として印刷し、印刷した電極を８５０℃
で焼きつけた。The upper surface excluding the input terminal portion 515 and the output terminal portion 524, the side surface excluding the input terminal portion 511 and the output terminal portion 521, and the input terminal portion 514 and the output terminal portion 525 of the laminate 100 configured as described above. As shown in FIG. 10, a ground electrode 70 made of a silver electrode is printed on the lower surface except for a silver electrode that is electrically insulated from the ground electrode 70, and the input electrode 511 and the output electrode 521 are provided in the output terminal 521. 421, and a silver electrode electrically insulated from the ground electrode 70 is connected to the input terminal 515 and the output terminal 52
5, printed as an input electrode 415 and an output electrode 425,
Further, a silver electrode 414 electrically insulated from the ground electrode 70 and connected to the input electrodes 411 to 413 is printed as an input electrode 414 in the input terminal portion 514, and is electrically insulated from the ground electrode 70. And the output electrodes 421 to 421
A silver electrode 424 connected to 423 is printed as an output electrode 424 in the output terminal portion 524, and the printed electrode is heated to 850 ° C.
Baked in.
【００６８】次に本発明の第３の実施例について説明す
る。図１３は本発明の第３の実施例の模式展開図であ
り、図１４は本実施例の主要部の構成を示す右側面図、
図１５、図１６はそれぞれ図１４のＸ−Ｘ線断面図、Ｙ
−Ｙ線断面図である。Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 13 is a schematic development view of a third embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a right side view showing a configuration of a main part of the third embodiment.
15 and 16 are sectional views taken along line XX of FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along line -Y.
【００６９】上記第１の実施例においては、誘電体層１
２〜１８上には共振素子、２１〜２３、電極３１〜３
３、入力電極４１２、４１３、出力電極４２２、４２３
のみを設けているが、本実施例においては、誘電体層１
２と誘電体層１３との間に積層される誘電体層１１１の
右側面上に内部アース電極９１を設け、誘電体層１３と
誘電体層１４との間に積層される誘電体層１１２の右側
面上に内部アース電極９２を設け、誘電体層１４の右側
面上には入力電極４１３に加え、内部アース電極９３を
設け、誘電体層１６の右側面上には出力電極４２３に加
え、内部アース電極９４を設け、誘電体層１６と誘電体
層１７との間に積層される誘電体層１１３の右側面上に
内部アース電極９５を設け、誘電体層１７と誘電体層１
８との間に積層される誘電体層１１４の右側面上に内部
アース電極９６を設けている点が第１の実施例と異なる
が、他の構成は第１の実施例と同様である。In the first embodiment, the dielectric layer 1
Resonant elements, 21 to 23, electrodes 31 to 3, on 2 to 18
3, input electrodes 412, 413, output electrodes 422, 423
Only the dielectric layer 1 is provided in this embodiment.
An internal ground electrode 91 is provided on the right side of the dielectric layer 111 laminated between the dielectric layer 13 and the dielectric layer 13, and the dielectric layer 112 laminated between the dielectric layer 13 and the dielectric layer 14 is formed. An internal ground electrode 92 is provided on the right side surface, an internal ground electrode 93 is provided on the right side surface of the dielectric layer 14 in addition to the input electrode 413, and an output electrode 423 is provided on the right side surface of the dielectric layer 16; An internal ground electrode 94 is provided, and an internal ground electrode 95 is provided on the right side of the dielectric layer 113 laminated between the dielectric layer 16 and the dielectric layer 17.
The third embodiment differs from the first embodiment in that an internal ground electrode 96 is provided on the right side surface of a dielectric layer 114 laminated between the first embodiment and the second embodiment, but other configurations are the same as those in the first embodiment.
【００７０】内部アース電極９１は共振素子２１の開放
端の一部に誘電体層１３を挟んで重なり、その端部はア
ース電極７０と接続される。内部アース電極９２は共振
素子２１の開放端側の一部に誘電体層１１２を挟んで重
なり、その端部はアース電極７０と電気的に接続され
る。内部アース電極９３は共振素子２２の開放端側の一
部に誘電体層１５を挟んで重なり、その端部はアース電
極７０と電気的に接続される。内部アース９４は共振素
子２２の開放端の一部に誘電体層１６を挟んで重なり、
その端部はアース電極７０と接続される。内部アース電
極９５は共振素子２３の開放端側の一部に誘電体層１７
を挟んで重なり、その端部はアース電極７０と電気的に
接続される。内部アース電極９６は共振素子２３の開放
端側の一部に誘電体層１１４を挟んで重なり、その端部
はアース電極７０と電気的に接続される。The internal ground electrode 91 overlaps a part of the open end of the resonance element 21 with the dielectric layer 13 interposed therebetween, and the end is connected to the ground electrode 70. The internal ground electrode 92 overlaps a part of the resonance element 21 on the open end side with the dielectric layer 112 interposed therebetween, and the end is electrically connected to the ground electrode 70. The internal ground electrode 93 overlaps a part of the open end of the resonance element 22 with the dielectric layer 15 interposed therebetween, and the end is electrically connected to the ground electrode 70. The internal ground 94 overlaps a part of the open end of the resonance element 22 with the dielectric layer 16 interposed therebetween,
Its end is connected to the ground electrode 70. The internal earth electrode 95 is provided on the dielectric layer 17
And the ends thereof are electrically connected to the ground electrode 70. The internal ground electrode 96 overlaps a part of the resonance element 23 on the open end side with the dielectric layer 114 interposed therebetween, and the end is electrically connected to the ground electrode 70.
【００７１】図１６を参照すれば、共振素子２１と内部
アース電極９１、９２との間には静電容量９０１、９０
２がそれぞれ形成され、共振素子２２と内部アース電極
９３、９４との間には静電容量９０３、９０４がそれぞ
れ形成され、共振素子２３と内部アース電極９５、９６
との間には静電容量９０５、９０６がそれぞれ形成され
ている。Referring to FIG. 16, the capacitances 901 and 90 are provided between the resonance element 21 and the internal earth electrodes 91 and 92.
2 are formed, and capacitances 903 and 904 are formed between the resonance element 22 and the internal earth electrodes 93 and 94, respectively, and the resonance element 23 and the internal earth electrodes 95 and 96 are formed.
Capacitances 905 and 906 are formed between them.
【００７２】また、共振素子２１、２２および２２の開
放端と電極３１、３２および３３との間には、図１３に
示すように、それぞれ静電容量６１、６２および６３が
形成されている。As shown in FIG. 13, capacitances 61, 62 and 63 are formed between the open ends of the resonance elements 21, 22 and 22 and the electrodes 31, 32 and 33, respectively.
【００７３】そして、これらの静電容量６１〜６３、９
０１〜９０６が存在することによって、共振素子２１、
２２はインダクタンス３５１で結合され、共振素子２
２、２３はインダクタンス３５２で結合されてコムライ
ン型のフィルタが構成されている。The capacitances 61 to 63, 9
01 to 906, the resonance element 21,
22 are coupled by an inductance 351 and the resonance element 2
2 and 23 are coupled by an inductance 352 to form a comb-line filter.
【００７４】図１７には、上記のようにして構成された
本実施例の積層型誘電体フィルタの等価回路を示す。共
振素子２１に静電容量９０１、９０２が並列に接続さ
れ、共振素子２２に静電容量９０３、９０４が並列に接
続され、共振素子２３に静電容量９０５、９０６が並列
に接続されている点が第１の実施例の等価回路である図
６と異なるが他の構成は同一である。そして、この場合
も、図１７におけるインダクタンス３５１、静電容量３
０１〜３０３をΔ−Ｙ変換すれば図１８における入力側
静電容量８１、結合静電容量８２および共振素子２１と
直列接続されるインダクタンス８０１となり、同様にイ
ンダクタンス３５２、静電容量３０４〜３０６をΔ−Ｙ
変換すれば、図１８における出力側静電容量８４、結合
静電容量８３および共振素子２３と直列接続されるイン
ダクタンス８０２となる。従って、図１７の等価回路は
図１８の等価回路となり、バンドパス特性を呈する。FIG. 17 shows an equivalent circuit of the laminated dielectric filter of this embodiment constructed as described above. A point in which capacitances 901 and 902 are connected in parallel to the resonance element 21, capacitances 903 and 904 are connected in parallel to the resonance element 22, and capacitances 905 and 906 are connected in parallel to the resonance element 23. Is different from FIG. 6 which is an equivalent circuit of the first embodiment, but other configurations are the same. Also in this case, the inductance 351 and the capacitance 3 in FIG.
By performing Δ-Y conversion on 01 to 303, an inductance 801 connected in series with the input-side capacitance 81, the coupling capacitance 82, and the resonance element 21 in FIG. 18 is obtained. Similarly, the inductance 352 and the capacitances 304 to 306 are changed. Δ-Y
When converted, the output-side capacitance 84, the coupling capacitance 83, and the inductance 802 connected in series with the resonance element 23 in FIG. Therefore, the equivalent circuit of FIG. 17 becomes the equivalent circuit of FIG. 18 and exhibits bandpass characteristics.
【００７５】このように、上記構成のフィルタは、等価
的に、共振素子２１に直列にインダクタンス８０１が接
続された状態および共振素子２３に直列にインダクタン
ス８０２が接続された状態となって、本実施例において
もバンドパスフィルタの通過帯域の高域側に減衰のピー
クを生じさせる。As described above, the filter having the above configuration is equivalently in a state in which the inductance 801 is connected in series to the resonance element 21 and a state in which the inductance 802 is connected in series to the resonance element 23. Also in the example, an attenuation peak is generated on the high band side of the pass band of the band pass filter.
【００７６】また、本実施例のように、内部アース電極
９２、９３を共振素子２１、２２の開放端側に追加し、
内部アース電極９４、９５を共振素子２２、２３の開放
端側に追加することにより、共振素子２１、２２の開放
端側であって、内部アース電極９２、９３と重なった部
分および共振素子２２、２３の開放端側であって、内部
アース電極９４、９５と重なった部分はよりアースに近
くなり、アースとの結合が強くなるから、内部アース電
極９２、９３と重なった部分の共振素子２１、２２同士
の結合および内部アース電極９４、９５と重なった部分
の共振素子２２、２３同士の結合が弱くなる。従って、
共振素子２１、２２同士の結合は内部アース電極９２、
９３と重ならない部分で主として行われるようになり、
共振素子２２、２３同士の結合は内部アース電極９４、
９５と重ならない部分で主として行われるようになる。
このことは、共振素子２１、２２の結合電気長θが、実
質的には内部アース電極９２、９３と重ならない部分の
長さと等しくなり、共振素子２２、２３の結合電気長θ
が、実質的には内部アース電極９４、９５と重ならない
部分の長さと等しくなることを意味する。このように共
振素子２１、２２の結合電気長θが短くなれば、共振素
子２１、２２同士を結合する分布定数素子のリアクタン
スも小さくなり、共振素子２２、２３同士を結合する分
布定数素子のリアクタンスも小さくなるから、共振素子
２１〜２３同士がより強く結合するようになり、フィル
タ特性の広帯域化が図られるようになる。Further, as in the present embodiment, internal ground electrodes 92 and 93 are added to the open ends of the resonance elements 21 and 22,
By adding the internal grounding electrodes 94 and 95 to the open ends of the resonance elements 22 and 23, the portions overlapping the internal grounding electrodes 92 and 93 on the open ends of the resonance elements 21 and 22 and the resonance element 22, On the open end side of 23, the portion overlapping with the internal ground electrodes 94 and 95 is closer to the ground, and the coupling with the ground is strengthened. The coupling between the resonance elements 22 and 23 in the portion overlapping the internal ground electrodes 94 and 95 and between the resonance elements 22 and 23 is weakened. Therefore,
The coupling between the resonance elements 21 and 22 is performed by the internal earth electrode 92,
It is mainly performed in the part that does not overlap with 93,
The coupling between the resonance elements 22 and 23 is performed by the internal earth electrode 94,
It is mainly performed in the portion that does not overlap with 95.
This means that the coupling electric length θ of the resonance elements 21 and 22 is substantially equal to the length of the portion that does not overlap with the internal ground electrodes 92 and 93, and the coupling electric length θ of the resonance elements 22 and 23 is
Means that the length is substantially equal to the length of the portion that does not overlap with the internal ground electrodes 94 and 95. As described above, when the coupling electric length θ of the resonance elements 21 and 22 decreases, the reactance of the distributed constant element coupling the resonance elements 21 and 22 decreases, and the reactance of the distributed constant element coupling the resonance elements 22 and 23 decreases. Therefore, the resonance elements 21 to 23 are more strongly coupled to each other, so that the filter characteristics can be broadened.
【００７７】また、電極３１〜３３を設けているから共
振素子２１〜２３とアースとの間には静電容量６１〜６
３がそれぞれ加わっているが、さらに、内部アース電極
９１〜９６を設けることにより、共振素子２１と内部ア
ース電極９１、９２との間には静電容量９０１および９
０２が、共振素子２２と内部アース電極９３、９４との
間には静電容量９０３および９０４が、共振素子２３と
内部アース電極９５、９６との間には静電容量９０５お
よび９０６がそれぞれ形成され、これらの静電容量も共
振素子２１〜２３とアースとの間に付加されることにな
る。従って、図１８に示す並列共振回路の静電容量は共
振素子２１〜２３を等価交換したときの静電容量６１〜
６３と、これらの付加された静電容量９０１〜９０６と
の和からなる合成静電容量となって、共振周波数を同一
とすれば、並列共振回路のインダクタンスはより小さく
て済むことになる。従って、共振素子２１〜２３の長さ
もより短くなり、積層型誘電体フィルタの全体の長さも
短くなる。Further, since the electrodes 31 to 33 are provided, the capacitances 61 to 6 are provided between the resonance elements 21 to 23 and the ground.
3 are added, however, by further providing the internal earth electrodes 91 to 96, the capacitances 901 and 9 are provided between the resonance element 21 and the internal earth electrodes 91 and 92.
02, capacitances 903 and 904 are formed between the resonance element 22 and the internal ground electrodes 93 and 94, and capacitances 905 and 906 are formed between the resonance element 23 and the internal ground electrodes 95 and 96, respectively. These capacitances are also added between the resonance elements 21 to 23 and the ground. Therefore, the capacitance of the parallel resonance circuit shown in FIG.
63 and a sum of these added capacitances 901 to 906, and if the resonance frequency is the same, the inductance of the parallel resonance circuit can be smaller. Therefore, the lengths of the resonance elements 21 to 23 are further reduced, and the overall length of the multilayer dielectric filter is also reduced.
【００７８】[0078]
【発明の効果】本発明においては、入力端側共振素子が
形成された誘電体層と出力端側共振素子が形成された誘
電体層との間に、前記入力端側共振素子および前記出力
端側共振素子のそれぞれと容量結合する、入力電極と電
気的に接続された電極（別の入力電極）が形成された誘
電体層あるいは出力電極と電気的に接続された電極（別
の出力電極）が形成された誘電体層の少なくともいずれ
か一方を介在させることにより、または、入力端側共振
素子が形成された誘電体層とこれに隣接する内部共振素
子が形成された誘電体層との間に、前記入力端側共振素
子および前記内部共振素子のそれぞれと容量結合し、か
つ入力電極と電気的に接続された電極（別の入力電極）
が形成された誘電体層を介在させ、および／または、出
力端側共振素子が形成された誘電体層とこれに隣接する
内部共振素子が形成された誘電体層との間に、前記出力
端側共振素子および前記内部共振素子のそれぞれと容量
結合し、かつ出力電極と電気的に接続された電極（別の
出力電極）が形成された誘電体層を介在させることによ
り、入力端側共振素子または出力端側共振素子の少なく
ともいずれか一方の共振素子にインダクタンスが直列接
続された状態となり、バンドパスフィルタの通過帯域の
高域側に減衰ピークを生じさせ、減衰特性を改善するこ
とができる。そして、前記入力電極が形成された誘電体
層と前記入力端側共振素子が形成された誘電体層との間
に、前記入力端側共振素子と容量結合し、かつ前記入力
電極と電気的に接続された電極（さらに別の入力電極）
が形成された誘電体層を介在させ、および／または、前
記出力電極が形成された誘電体層と前記出力端側共振素
子が形成された誘電体層との間に、前記出力端側共振素
子と容量結合し、かつ前記出力電極と電気的に接続され
た電極（さらに別の出力電極）が形成された誘電体層を
介在させることにより、これらの間の静電容量の容量値
を大きくしながらリップルを小さくすることができる。 According to the present invention, the input end side resonance element is
The dielectric layer and the output terminal side resonance element are formed.
The input terminal side resonance element and the output
The input electrode and the electrode, which are capacitively coupled with each of the end-side resonance elements,
Induction of a gas-connected electrode (another input electrode)
Electrode electrically connected to the conductor layer or output electrode (separate
At least one of the dielectric layers on which the
Or the input end side resonance
The dielectric layer on which the element is formed and the internal resonator adjacent to it
Between the input end side resonator element and the dielectric layer on which the element is formed.
Capacitive coupling with each of the element and the internal resonance element,
Electrode electrically connected to one input electrode (another input electrode)
And / or interposing a dielectric layer formed with
The dielectric layer on which the force-end-side resonance element is formed and adjacent to this
The output between the dielectric layer on which the internal resonance element is formed;
Each of the end resonance element and the internal resonance element and the capacitance
An electrode that is coupled and electrically connected to the output electrode (another
By interposing a dielectric layer on which an output electrode) is formed , the number of input end side resonance elements or output end side resonance elements can be reduced.
In both cases, the inductance is connected in series to one of the resonance elements, and an attenuation peak is generated on the higher side of the pass band of the band-pass filter, so that the attenuation characteristics can be improved. And a dielectric on which the input electrode is formed.
Between the layer and the dielectric layer on which the input-end-side resonance element is formed
To the input-end-side resonance element, and
Electrode electrically connected to the electrode (an additional input electrode)
And / or interposing a dielectric layer on which
A dielectric layer on which the output electrode is formed and the output-end-side resonator
Between the output end side resonator element and the dielectric layer on which the element is formed.
Capacitively coupled to the output electrode and electrically connected to the output electrode.
The dielectric layer on which the electrode (and another output electrode) is formed
By intervening, the capacitance value of the capacitance between these
Can be reduced while increasing the ripple.
【００７９】また、本発明においては、積層型誘電体フ
ィルタを実装基板上に実装したときに、複数の共振素子
の主面が前記実装基板に対してほぼ垂直となるように構
成されているから、実装時の占有面積を小さくできる。Further, in the present invention, when the laminated dielectric filter is mounted on a mounting substrate, the main surfaces of the plurality of resonance elements are configured to be substantially perpendicular to the mounting substrate. Thus, the occupied area during mounting can be reduced.
【図１】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
を説明するための模式展開図である。FIG. 1 is a schematic developed view for explaining a multilayer dielectric filter according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
を説明するための斜視図である。FIG. 2 is a perspective view for explaining the multilayer dielectric filter according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
を説明するための底面図である。FIG. 3 is a bottom view for explaining the multilayer dielectric filter according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の主要部の構成を示す右側面図である。FIG. 4 is a right side view showing a configuration of a main part of the multilayer dielectric filter according to the first embodiment of the present invention.
【図５】図４のＸ−Ｘ線断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line XX of FIG. 4;
【図６】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the multilayer dielectric filter according to the first embodiment of the present invention.
【図７】図６の回路の等価回路図である。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the circuit of FIG. 6;
【図８】本発明の第１の実施例の積層型誘電体フィルタ
の変形例を説明するための右側面図である。FIG. 8 is a right side view for explaining a modification of the multilayer dielectric filter of the first embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第２の実施例の積層型誘電体フィルタ
を説明するための模式展開図である。FIG. 9 is a schematic developed view for explaining a multilayer dielectric filter according to a second embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第２の実施例の積層型誘電体フィル
タを説明するための斜視図である。FIG. 10 is a perspective view illustrating a laminated dielectric filter according to a second embodiment of the present invention.
【図１１】図９のＸ−Ｘ線断面図である。FIG. 11 is a sectional view taken along line XX of FIG. 9;
【図１２】本発明の第２の実施例の積層型誘電体フィル
タの等価回路図である。FIG. 12 is an equivalent circuit diagram of a multilayer dielectric filter according to a second embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の第３の実施例の積層型誘電体フィル
タを説明するための模式展開図である。FIG. 13 is a schematic developed view for explaining a multilayer dielectric filter according to a third embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の第３の実施例の積層型誘電体フィル
タの主要部の構成を示す右側面図である。FIG. 14 is a right side view showing a configuration of a main part of a multilayer dielectric filter according to a third embodiment of the present invention.
【図１５】図１４のＸ−Ｘ線断面図である。FIG. 15 is a sectional view taken along line XX of FIG. 14;
【図１６】図１４のＹ−Ｙ線断面図である。FIG. 16 is a sectional view taken along line YY of FIG. 14;
【図１７】本発明の第３の実施例の積層型誘電体フィル
タの等価回路図である。FIG. 17 is an equivalent circuit diagram of a multilayer dielectric filter according to a third embodiment of the present invention.
【図１８】図１７の回路の等価回路図である。18 is an equivalent circuit diagram of the circuit of FIG.
【図１９】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの模式展開図である。FIG. 19 is a schematic development view of a conventional laminated dielectric filter devised by the present inventors.
【図２０】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの斜視図である。FIG. 20 is a perspective view of a conventional laminated dielectric filter devised by the present inventors.
【図２１】図１９のＸ−Ｘ線断面図である。21 is a sectional view taken along line XX of FIG.
【図２２】本発明者らが案出した従来の積層型誘電体フ
ィルタの等価回路図である。FIG. 22 is an equivalent circuit diagram of a conventional laminated dielectric filter devised by the present inventors.
１１〜１９，１１１〜１１４…誘電体層 ２１〜２３…共振素子 ３１〜３３…電極 ９１〜９６…内部アース電極 ４１１〜４１４…入力電極 ４２１〜４２４…出力電極 11 to 19, 111 to 114 dielectric layers 21 to 23 resonant elements 31 to 33 electrodes 91 to 96 internal ground electrodes 411 to 414 input electrodes 421 to 424 output electrodes
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−64404（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−51803（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−113502（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−106701（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01P 1/203 H01P 1/205Continuation of the front page (56) References JP-A-63-64404 (JP, A) JP-A-62-51803 (JP, A) JP-A-3-113502 (JP, U) JP-A-2-106701 (JP) , U) (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01P 1/203 H01P 1/205
Claims (4)
共振素子が形成された誘電体層、出力端側共振素子が形
成された誘電体層、出力電極が形成された誘電体層をこ
の順序で備える積層型誘電体フィルタにおいて、 前記入力端側共振素子が形成された誘電体層と前記出力
端側共振素子が形成された誘電体層との間には、前記入
力端側共振素子および前記出力端側共振素子のそれぞれ
と容量結合する、前記入力電極と電気的に接続された電
極が形成された誘電体層あるいは前記出力電極と電気的
に接続された電極が形成された誘電体層の少なくともい
ずれか一方が介在されている ことを特徴とする積層型誘
電体フィルタ。1. A dielectric layer on which an input electrode is formed, on an input end side.
The dielectric layer on which the resonant element is formed
The dielectric layer formed and the dielectric layer
The dielectric layer provided with the input-end-side resonance element and the output layer, wherein
Between the dielectric layer on which the end-side resonance element is formed,
Each of the power-end-side resonance element and the output-end-side resonance element
An electrode that is capacitively coupled to the input electrode and that is electrically connected to the input electrode.
Electrical connection with the dielectric layer on which the poles are formed or the output electrode
At least one of the dielectric layers on which the electrodes connected to
A laminated dielectric filter, wherein at least one of them is interposed .
共振素子が形成された誘電体層、内部共振素子が形成さ
れた誘電体層を１つ以上、出力端側共振素子が形成され
た誘電体層、出力電極が形成された誘電体層をこの順序
で備える積層型誘電体フィルタにおいて、 前記入力端側共振素子が形成された誘電体層とこれに隣
接する前記内部共振素子が形成された誘電体層との間に
は、前記入力端側共振素子および前記内部共振素子のそ
れぞれと容量結合し、かつ前記入力電極と電気的に接続
された電極が形成された誘電体層が介在され、および／
または、 前記出力端側共振素子が形成された誘電体層とこれに隣
接する前記内部共振素子が形成された誘電体層との間に
は、前記出力端側共振素子および前記内部共振素子のそ
れぞれと容量結合し、かつ前記出力電極と電気的に接続
された電極が形成された誘電体層が介在されている こと
を特徴とする積層型誘電体フィルタ。2. A dielectric layer on which an input electrode is formed, on an input end side.
Dielectric layer with resonance element formed, internal resonance element formed
The output end side resonance element is formed with at least one
The dielectric layer on which the output electrode is formed
Stacked in the dielectric filter, said input end side resonance elements are formed dielectric layer and the adjacent thereto comprising at
Between the dielectric layer on which the internal resonance element is in contact
Are the input end side resonance element and the internal resonance element.
Capacitively coupled with each and electrically connected to the input electrode
A dielectric layer on which the formed electrode is formed, and / or
Alternatively, the dielectric layer on which the output terminal side resonance element is formed and the dielectric layer
Between the dielectric layer on which the internal resonance element is in contact
Is the output end side resonance element and the internal resonance element.
Capacitively coupled with each and electrically connected to the output electrode
A laminated dielectric filter comprising a dielectric layer on which a patterned electrode is formed .
ルタにおいて、前記入力電極が形成された誘電体層と前記入力端側共振
素子が形成された誘電体層との間には、前記入力端側共
振素子と容量結合し、かつ前記入力電極と電気的に接続
された電極が形成された誘電体層がさらに介在され、お
よび／または、 前記出力電極が形成された誘電体層と前
記出力端側共振素子が形成された誘電体層との間には、
前記出力端側共振素子と容量結合し、かつ前記出力電極
と電気的に接続された電極が形成された誘電体層がさら
に介在されている ことを特徴とする積層型誘電体フィル
タ。3. The multilayer dielectric filter according to claim 1, wherein said dielectric layer on which said input electrode is formed is connected to said input terminal side resonance.
Between the input end side and the dielectric layer on which the element is formed,
Capacitively coupled to the vibration element and electrically connected to the input electrode
A dielectric layer on which the formed electrodes are formed,
And / or a dielectric layer on which the output electrode is formed and
Between the dielectric layer on which the output end side resonance element is formed,
Capacitively coupled to the output terminal side resonance element, and the output electrode
The dielectric layer on which the electrodes electrically connected to the
1. A laminated dielectric filter interposed in a multilayer dielectric filter.
誘電体フィルタにおいて、前記積層型誘電体フィルタの
構成が、このフィルタを実装基板上に実装した際、前記
各誘電体層の主面が前記実装基板に対してほぼ垂直とな
る構成であることを特徴とする積層型誘電体フィルタ。4. A laminated dielectric filter according to any one of claims 1 to 3, of the laminated dielectric filter
When this filter is mounted on a mounting board ,
Laminated dielectric filter main surface of the dielectric layer is characterized by a substantially perpendicular configuration with respect to the mounting board.
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1992
- 1992-08-27 JP JP22849692A patent/JP2860010B2/en not_active Expired - Lifetime
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