[go: up one dir, main page]

JP2858078B2 - Answering device - Google Patents

Answering device

Info

Publication number
JP2858078B2
JP2858078B2 JP6090590A JP9059094A JP2858078B2 JP 2858078 B2 JP2858078 B2 JP 2858078B2 JP 6090590 A JP6090590 A JP 6090590A JP 9059094 A JP9059094 A JP 9059094A JP 2858078 B2 JP2858078 B2 JP 2858078B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
signal
microwave
capacitor
antenna
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6090590A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH07280920A (en
Inventor
和介 柳沢
凉 堀江
工 矢野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
YOKOO KK
Original Assignee
YOKOO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by YOKOO KK filed Critical YOKOO KK
Priority to JP6090590A priority Critical patent/JP2858078B2/en
Publication of JPH07280920A publication Critical patent/JPH07280920A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2858078B2 publication Critical patent/JP2858078B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波信号の照射
に対して、その高調波信号を発射させまたは発射させな
い2つの状態に切り替え制御できる応答装置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a response device capable of switching between two states of emitting or not emitting a harmonic signal in response to irradiation of a microwave signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のマイクロ波信号の照射に対してそ
の高調波信号を発射する応答装置は、マイクロ波信号に
反応して高調波を発生させる高周波用ダイオードを含ん
で閉ループが形成されたものである。そして、マイクロ
波信号を照射するゲート装置等をこの応答装置が通過す
る際に生じる高調波信号を、ゲート装置側で検出するシ
ステムに組み込まれる。かかるシステムの応用例として
は、商店の出入口にマイクロ波信号を照射するゲート装
置等を設置し、商品に応答装置を付設し、この応答装置
が付設されたままの商品が店外に持ち出されると、高調
波信号を検出して警報等を発生させることができる。
2. Description of the Related Art A conventional response device for emitting a harmonic signal in response to irradiation of a microwave signal has a closed loop formed including a high-frequency diode that generates a harmonic in response to the microwave signal. It is. Then, a harmonic signal generated when the response device passes through a gate device or the like that emits a microwave signal is incorporated in a system that detects the harmonic signal on the gate device side. As an application example of such a system, a gate device or the like for irradiating a microwave signal is installed at the entrance of a store, a response device is attached to the product, and when the product with the response device attached is taken out of the store. , A warning signal or the like can be generated by detecting a harmonic signal.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の応答装置にあっ
ては、組み込まれている高周波用ダイオードを破壊しな
いかぎり、マイクロ波信号の照射に対して必ず高調波信
号が発射される。そこで、警報等を発生させることなく
商品を店外に持ち出すには、この応答装置を商品から取
り外すかまたは装置を破壊しなければならない。
In the conventional response device, a harmonic signal is always emitted in response to the irradiation of the microwave signal unless the built-in high-frequency diode is destroyed. Therefore, in order to take the product out of the store without generating an alarm or the like, the response device must be removed from the product or the device must be destroyed.

【0004】このような従来の応答装置であっても、店
外に一度持ち出された商品が再度店内に持ち込まれない
ような場合は、何んら不具合はない。
[0004] Even with such a conventional response device, there is no problem if the product once taken out of the store is not brought into the store again.

【0005】しかしながら、レンタル商品のごとく同一
商品が繰り返して持ち出し持ち込みがなされる場合に
は、応答装置を取り外す手間が煩雑である。また、応答
装置を破壊すれば、繰り返しの使用ができず不経済であ
る。
[0005] However, when the same product is repeatedly brought out and brought in like rental products, it is troublesome to remove the response device. Further, if the response device is destroyed, it cannot be used repeatedly, which is uneconomical.

【0006】本発明は、かかる従来の応答装置の事情に
鑑みてなされたもので、装置を破壊することなしに、マ
イクロ波信号の照射に対して、高周波信号を発射させ、
または発射させないように切り替え制御できるようにし
た応答装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the circumstances of such a conventional response device, and emits a high-frequency signal in response to microwave signal irradiation without destroying the device.
Alternatively, it is an object of the present invention to provide a response device capable of performing switching control so as not to fire.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明の応答装置は、マイクロ波信号の照射に対
してその高調波信号を発射させる応答装置であって、前
記マイクロ波信号に反応して高調波を発生させる高周波
用ダイオードとコンデンサと前記マイクロ波より低い第
1の周波数に共振する第1のアンテナとを接続して閉ル
ープを形成し、前記コンデンサに並列にスイッチ手段を
設け、前記マイクロ波より低い周波数で前記第1の周波
数と異なる第2の周波数に共振して前記スイッチ手段を
導通させるスイッチ制御手段を設けて構成されている。
In order to achieve the above object, a response device according to the present invention is a response device that emits a harmonic signal in response to irradiation of a microwave signal. A high-frequency diode that reacts to generate harmonics, a capacitor, and a first antenna that resonates at a first frequency lower than the microwave are connected to form a closed loop, and a switch is provided in parallel with the capacitor; A switch control unit is provided which resonates at a second frequency different from the first frequency at a frequency lower than the microwave and makes the switch unit conductive.

【0008】また、前記スイッチ手段がトランジスタで
あり、前記スイッチ制御手段が前記第2の周波数に共振
する第2のアンテナと前記トランジスタのベースに接続
される前記マイクロ波に反応しない低周波用ダイオード
とから構成しても良い。
The switch means is a transistor, and the switch control means includes a second antenna resonating at the second frequency, and a low-frequency diode connected to the base of the transistor and not reacting to the microwave. May be configured.

【0009】[0009]

【作 用】高周波用ダイオードとコンデンサと第1のア
ンテナとを接続して閉ループを形成したので、コンデン
サに充電されておらず高周波用ダイオードが零バイアス
であれば、マイクロ波信号の照射に対して高調波信号を
発射させ得る。そして、第1のアンテナが共振する第1
の低周波数の信号を照射することで、この信号が高周波
用ダイオードで整流されてコンデンサに充電され、高周
波用ダイオードは逆バイアスされてマイクロ波信号の照
射に対して高調波信号を発射させ得ない。さらに、スイ
ッチ手段を導通させてコンデンサの充電電圧を放電する
ことで、高周波用ダイオードは零バイアスとなり、再び
高調波信号の発射が可能となる。
[Work] Since a closed loop is formed by connecting a high-frequency diode, a capacitor, and a first antenna, if the high-frequency diode is zero-biased without being charged to the capacitor, the microwave signal is not irradiated. A harmonic signal may be emitted. Then, the first antenna in which the first antenna resonates
By irradiating the low frequency signal, this signal is rectified by the high frequency diode and charged to the capacitor, and the high frequency diode is reverse biased and cannot emit a harmonic signal in response to the irradiation of the microwave signal. . Further, by discharging the charging voltage of the capacitor by turning on the switch means, the high-frequency diode becomes zero-biased, and it becomes possible to emit a harmonic signal again.

【0010】また、スイッチ手段をトランジスタとし、
スイッチ制御手段を第2の周波数に共振する第2のアン
テナと低周波用ダイオードで形成するならば、第2の周
波数の信号が照射されると、この信号が第2のアンテナ
で共振されさらに低周波用ダイオードで整流されてトラ
ンジスタを導通させ、コンデンサの充電電圧を放電させ
る。
The switching means is a transistor,
If the switch control means is formed by a second antenna that resonates at the second frequency and a low-frequency diode, when a signal of the second frequency is irradiated, the signal resonates at the second antenna and further lowers. The voltage is rectified by the frequency diode to make the transistor conductive, and the charged voltage of the capacitor is discharged.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例を図1および図2を参
照して説明する。図1は、本発明の応答装置の一実施例
の回路図であり、図2(a)は高調波信号を発射する動
作を説明する図であり、図2(b)は高調波信号を発射
させない動作を説明する図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a response device according to the present invention. FIG. 2A is a diagram for explaining an operation of emitting a harmonic signal, and FIG. It is a figure explaining operation which is not made to do.

【0012】まず、図1において、ショットキーバリア
型ダイオード等の端子間容量が小さくマイクロ波f0
信号に対して反応する高周波用ダイオード10のカソー
ドにコンデンサ12の一端が接続され、高周波用ダイオ
ード10のアノードとコンデンサ12の他端の間に第1
のループアンテナ14が介装され、高周波用ダイオード
10とコンデンサ12および第1のループアンテナ14
の直列接続により閉ループが形成される。この第1のル
ープアンテナ14は、マイクロ波f0より低い第1の周
波数f1、例えば数百KHz、の信号に共振するように
形成されている。
[0012] First, in FIG. 1, one end of the capacitor 12 to the cathode of the high-frequency diode 10 capacitance between terminals such as a Schottky barrier diode is to respond to small microwave f 0 of the signal is connected, a high frequency diode 10 between the anode of the capacitor 10 and the other end of the capacitor 12.
, A high-frequency diode 10, a capacitor 12, and a first loop antenna 14.
Form a closed loop. The first loop antenna 14 is formed so as to resonate with a signal having a first frequency f 1 lower than the microwave f 0 , for example, several hundred KHz.

【0013】さらに、コンデンサ12に対して並列にN
PNのトランジスタ16が接続される。高周波用ダイオ
ード10のカソードに接続されたコンデンサ12の一端
にトランジスタ16のコレクタが接続され、コンデンサ
12の他端にトランジスタ16のエミッタが接続され
る。また、このトランジスタ16のベースに、マイクロ
波f0に反応しないシリコンダイオード等の低周波用ダ
イオード18のカソードが接続される。そして、この低
周波用ダイオード18のアノードとトランジスタ16の
エミッタの間に第2のループアンテナ20が介装されて
いる。この第2のループアンテナ20は、マイクロ波f
0より低く第1の周波数f1とは異なる第2の周波数f2
の信号に共振するように形成されている。なお、第1の
ループアンテナ14に第2の周波数f2の信号は共振せ
ず、第2のループアンテナ20に第1の周波数f1の信
号は共振しない。
Further, N
The PN transistor 16 is connected. The collector of the transistor 16 is connected to one end of the capacitor 12 connected to the cathode of the high-frequency diode 10, and the emitter of the transistor 16 is connected to the other end of the capacitor 12. The cathode of a low-frequency diode 18 such as a silicon diode that does not react to the microwave f 0 is connected to the base of the transistor 16. Then, a second loop antenna 20 is interposed between the anode of the low-frequency diode 18 and the emitter of the transistor 16. This second loop antenna 20 has a microwave f
A second frequency f 2 lower than 0 and different from the first frequency f 1
Is formed so as to resonate with the signal of The signal of the second frequency f 2 does not resonate at the first loop antenna 14, and the signal of the first frequency f 1 does not resonate at the second loop antenna 20.

【0014】かかる構成において、コンデンサ12に充
電がなされていない状態では、高周波用ダイオード10
は零バイアスであり、マイクロ波f0の信号が照射され
ると、図2(a)のごとく、非線形領域でマイクロ波f
0の信号を整流することとなり、2次および3次の高調
波2f0,3f0等の信号を発射させる。
In such a configuration, when the capacitor 12 is not charged, the high-frequency diode 10
Is a zero bias, and when a signal of the microwave f 0 is irradiated, as shown in FIG.
Thus, the signal of 0 is rectified, and signals of the second and third harmonics 2f 0 and 3f 0 are emitted.

【0015】そして、第1の周波数f1の信号が照射さ
れると、この信号が第1のループアンテナ14で共振さ
れ、さらに高周波用ダイオード10で整流されてコンデ
ンサ12に充電される。ここで、第1の周波数f1の信
号は第2のループアンテナ20では共振されず、トラン
ジスタ16は非導通である。そこで、高周波用ダイオー
ド10は、図2(b)のごとく、コンデンサ12の充電
電圧Vcで逆バイアスされて線形領域となり、マイクロ
波f0の信号が照射されても高調波を発射しない。
When a signal of the first frequency f 1 is irradiated, the signal is resonated by the first loop antenna 14, further rectified by the high-frequency diode 10, and charged in the capacitor 12. Here, the signal of the first frequency f 1 is not resonated by the second loop antenna 20, and the transistor 16 is non-conductive. Therefore, as shown in FIG. 2B, the high-frequency diode 10 is reverse-biased by the charging voltage Vc of the capacitor 12 to be in a linear region, and does not emit harmonics even when irradiated with the microwave f 0 signal.

【0016】さらに、第2の周波数f2の信号が照射さ
れると、この信号が第2のループアンテナ20で共振さ
れ、さらに低周波用ダイオード18で整流され、トラン
ジスタ16を導通させる。すると、コンデンサ12の充
電電圧は放電され、高周波用ダイオード10は零バイア
スとなり、再びマイクロ波f0の照射により高調波2
0,3f0を発射するようになる。ここで、第2の周波
数f2の信号は第1のループアンテナ14では共振され
ず、コンデンサ12が充電されることはない。
Further, when a signal of the second frequency f 2 is irradiated, the signal is resonated by the second loop antenna 20 and rectified by the low-frequency diode 18 to make the transistor 16 conductive. Then, the charging voltage of the capacitor 12 is discharged, the high-frequency diode 10 becomes zero bias, the harmonic again by irradiation of microwave f 0 2
f 0 and 3f 0 are fired. Here, the signal of the second frequency f 2 is not resonated by the first loop antenna 14 and the capacitor 12 is not charged.

【0017】このように、本発明の応答装置において
は、第1と第2の周波数f1,f2の信号を照射すること
で、マイクロ波f0の信号の照射に対して、高調波を発
射させまたは発射させないように繰り返して切り替え制
御することができる。したがって、レンタル商品等に付
される応答装置として、繰り返し使用が可能でしかも商
品から取り外す手間も省かれ、実用上極めて好都合であ
る。
As described above, in the response device of the present invention, by irradiating the signals of the first and second frequencies f 1 and f 2 , the higher harmonic wave is generated with respect to the irradiation of the microwave f 0 signal. Switching control can be repeatedly performed so as to fire or not to fire. Therefore, as a response device attached to a rental product or the like, it can be used repeatedly, and the trouble of removing the product from the product is omitted, which is extremely convenient in practical use.

【0018】図3は、本発明の応答装置の他の実施例の
回路図である。図3において、図1と同じ回路素子には
同じ符号を付けて重複する説明を省略する。
FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the response device according to the present invention. In FIG. 3, the same reference numerals are given to the same circuit elements as those in FIG. 1, and duplicate description will be omitted.

【0019】図3に示す他の実施例において、図1のも
のと相違する点は、高周波用ダイオード10と低周波用
ダイオード18の接続向きが反転していることと、NP
Nのトランジスタ16に代えて、PNPのトランジスタ
22が接続されたことにある。図3に示す他の実施例の
動作は、図1に示すものと同じである。
The other embodiment shown in FIG. 3 differs from that of FIG. 1 in that the connection directions of the high frequency diode 10 and the low frequency diode 18 are reversed,
That is, a PNP transistor 22 is connected instead of the N transistor 16. The operation of the other embodiment shown in FIG. 3 is the same as that shown in FIG.

【0020】図4は、本発明の応答装置の別の実施例の
回路図である。図4において、図1と同じ回路素子には
同じ符号を付けて重複する説明を省略する。
FIG. 4 is a circuit diagram of another embodiment of the response device according to the present invention. 4, the same circuit elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0021】図4に示す別の実施例において、図1に示
すものと相違する点は、トランジスタ16に代えて、コ
ンデンサ12に並列にリードスイッチ24の常開接点2
4aが接続され、このリードスイッチ24のコイル24
bに第2のループアンテナ20が接続されたことにあ
る。なお、低周波用ダイオード18は省かれている。
4 differs from that shown in FIG. 1 in that the normally open contact 2 of the reed switch 24 is connected in parallel with the capacitor 12 in place of the transistor 16.
4a is connected to the coil 24 of the reed switch 24.
b is that the second loop antenna 20 is connected. Note that the low-frequency diode 18 is omitted.

【0022】かかる構成において、第2の周波数f2
信号が照射されると、これが第2のループアンテナ20
で共振され、コイル24bが励磁されてリードスイッチ
24の常開接点24aが閉成される。したがって、コン
デンサ12の充電電圧が放電される。
In such a configuration, when a signal of the second frequency f 2 is irradiated, the signal is transmitted to the second loop antenna 20.
, The coil 24b is excited, and the normally open contact 24a of the reed switch 24 is closed. Therefore, the charging voltage of the capacitor 12 is discharged.

【0023】図5は、本発明の応答装置のさらに別の実
施例の回路図である。図5において、図1と同じ回路素
子には同じ符号を付けて重複する説明を省略する。
FIG. 5 is a circuit diagram of still another embodiment of the response device according to the present invention. 5, the same circuit elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0024】図5に示すさらに別の実施例において、図
1に示すものと相違する点は、第1と第2のループアン
テナ14,20に代えて、第1と第2のマイクロストリ
ップアンテナ26,28が用いられ、また第1と第2の
共振回路30,32が用いられたことにある。第1のマ
イクロストリップアンテナ26と第1の共振回路30
は、第1の周波数f1の信号に共振するよう形成され、
第2のマイクロストリップアンテナ28と第2の共振回
路32は、第2の周波数f2の信号に共振するよう形成
される。そして、高周波用ダイオード10とコンデンサ
12と第1の共振回路30が直列接続されて閉ループが
形成され、さらに第1の共振回路30に第1のマイクロ
ストリップアンテナ26が接続される。また、トランジ
スタ16のベースとエミッタ間に、低周波用ダイオード
18と第2の共振回路32が直列に介装され、さらに第
2の共振回路32に第2のマイクロストリップアンテナ
28が接続される。
In another embodiment shown in FIG. 5, the difference from the one shown in FIG. 1 is that the first and second microstrip antennas 26 and 20 are replaced with the first and second microstrip antennas 26 and 20. , 28 are used, and the first and second resonance circuits 30, 32 are used. First microstrip antenna 26 and first resonance circuit 30
Is formed to resonate with the signal of the first frequency f 1 ,
A second microstrip antenna 28 and the second resonant circuit 32 is formed so as to resonate in a second frequency f 2 of the signal. Then, the high-frequency diode 10, the capacitor 12, and the first resonance circuit 30 are connected in series to form a closed loop, and the first resonance circuit 30 is further connected to the first microstrip antenna 26. A low-frequency diode 18 and a second resonance circuit 32 are interposed in series between the base and the emitter of the transistor 16, and a second microstrip antenna 28 is connected to the second resonance circuit 32.

【0025】かかる構成において、第1の周波数f1
信号が照射されると、第1のマイクロストリップアンテ
ナ26で受信され、さらに第1の共振回路30で共振さ
れ、高周波用ダイオード10で整流されて、コンデンサ
12が充電される。また、第2の周波数f2の信号が照
射されると、第2のマイクロストリップアンテナ28で
受信され、さらに第2の共振回路32で共振され、低周
波用ダイオード18で整流されて、トランジスタ16が
導通される。本発明の応答装置が、カード形状に形成さ
れるならば、アンテナとしての第1と第2のマイクロス
トリップアンテナ26,28は薄形を構成するのに好都
合である。また、第1と第2の共振回路30,32を設
けることで、第1と第2の周波数f1,f2が近接してい
ても選別することが可能である。ここで、第1のマイク
ロストリップアンテナ26で第2の周波数f2の信号が
受信できず、第2のマイクロストリップアンテナ30で
第1の周波数f1の信号が受信できないならば、第1と
第2の共振回路30,32は、なくても良い。また、第
1と第2のマイクロストリップアンテナ26,28に代
えて、ロッドアンテナ等のいかなるアンテナであっても
良い。
In this configuration, when the signal of the first frequency f 1 is irradiated, the signal is received by the first microstrip antenna 26, further resonated by the first resonance circuit 30, and rectified by the high-frequency diode 10. Thus, the capacitor 12 is charged. When a signal of the second frequency f 2 is irradiated, the signal is received by the second microstrip antenna 28, resonated by the second resonance circuit 32, rectified by the low-frequency diode 18, and Is conducted. If the transponder of the present invention is formed in the shape of a card, the first and second microstrip antennas 26 and 28 as antennas are advantageous for forming a thin shape. Further, by providing the first and second resonance circuits 30 and 32, it is possible to select even if the first and second frequencies f 1 and f 2 are close to each other. Here, if the signal of the second frequency f 2 cannot be received by the first microstrip antenna 26 and the signal of the first frequency f 1 cannot be received by the second microstrip antenna 30, The two resonance circuits 30 and 32 need not be provided. Further, instead of the first and second microstrip antennas 26 and 28, any antenna such as a rod antenna may be used.

【0026】なお、上記実施例では、トランジスタ1
6,22およびリードスイッチ24をスイッチ手段とし
て用いているが、これに限られず、コンデンサ12の充
電電圧を適宜に放電させ得る構造であれば良い。そし
て、スイッチ制御手段もかかるスイッチ手段を制御でき
る構造であれば良い。例えば、スイッチ手段としてフォ
トトランジスタや、ホール素子等を用い、スイッチ制御
手段として光を照射しまた遮断するものとか、磁界を加
えるもの等であっても良い。
In the above embodiment, the transistor 1
6, 22 and the reed switch 24 are used as the switch means, but the present invention is not limited to this, and any structure may be used as long as the charge voltage of the capacitor 12 can be appropriately discharged. The switch control means may have any structure capable of controlling the switch means. For example, a phototransistor, a Hall element, or the like may be used as the switch means, and the switch control means may be one that irradiates and blocks light, or one that applies a magnetic field.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の応答装置
は構成されているので、以下のごとき格別な効果を奏す
る。
As described above, since the response device of the present invention is constituted, the following special effects can be obtained.

【0028】請求項1記載の応答装置にあっては、マイ
クロ波信号の照射に対して、高調波信号を発射させまた
は発射させない2つの状態に任意に切り替え制御でき
る。
In the response device according to the first aspect, it is possible to arbitrarily switch between two states in which the harmonic signal is emitted or not emitted in response to the irradiation of the microwave signal.

【0029】また、請求項2記載の応答装置にあって
は、マイクロ波信号の照射に対して、高調波信号を発射
させない状態を解除するスイッチ手段およびスイッチ制
御手段を簡単な回路で形成できる。
Further, in the response device according to the second aspect, the switch means and the switch control means for canceling the state in which the harmonic signal is not emitted in response to the irradiation of the microwave signal can be formed by a simple circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の応答装置の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a response device according to the present invention.

【図2】(a)は高調波信号を発射する動作を説明する
図であり、(b)は高調波信号を発射させない動作を説
明する図である。
2A is a diagram illustrating an operation of emitting a harmonic signal, and FIG. 2B is a diagram illustrating an operation of not emitting a harmonic signal.

【図3】本発明の応答装置の他の実施例の回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the response device of the present invention.

【図4】本発明の応答装置の別の実施例の回路図であ
る。
FIG. 4 is a circuit diagram of another embodiment of the response device of the present invention.

【図5】本発明の応答装置のさらに別の実施例の回路図
である。
FIG. 5 is a circuit diagram of still another embodiment of the response device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 高周波用ダイオード 12 コンデンサ 14 第1のループアンテナ 16,22 トランジスタ 18 低周波用ダイオード 20 第2のループアンテナ 24 リードスイッチ 26 第1のマイクロストリップアンテナ 28 第2のマイクロストリップアンテナ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 High frequency diode 12 Capacitor 14 First loop antenna 16, 22 Transistor 18 Low frequency diode 20 Second loop antenna 24 Reed switch 26 First microstrip antenna 28 Second microstrip antenna

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−275386(JP,A) 特開 平7−35845(JP,A) 特開 平3−6481(JP,A) 特開 平3−269286(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-2-275386 (JP, A) JP-A-7-35845 (JP, A) JP-A-3-6481 (JP, A) JP-A-3-3581 269286 (JP, A)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 マイクロ波信号の照射に対してその高調
波信号を発射させる応答装置であって、前記マイクロ波
信号に反応して高調波を発生させる高周波用ダイオード
とコンデンサと前記マイクロ波より低い第1の周波数に
共振する第1のアンテナとを接続して閉ループを形成
し、前記コンデンサに並列にスイッチ手段を設け、前記
マイクロ波より低い周波数で前記第1の周波数と異なる
第2の周波数に共振して前記スイッチ手段を導通させる
スイッチ制御手段を設けて構成したことを特徴とする応
答装置。
1. A responding device for emitting a harmonic signal in response to irradiation of a microwave signal, comprising: a high-frequency diode and a capacitor for generating a harmonic in response to the microwave signal; and a capacitor lower than the microwave. A closed loop is formed by connecting to a first antenna that resonates at a first frequency, a switch is provided in parallel with the capacitor, and a second frequency different from the first frequency at a frequency lower than the microwave is provided. A response device comprising switch control means for causing the switch means to conduct by resonating.
【請求項2】 請求項1記載の応答装置であって、前記
スイッチ手段がトランジスタであり、前記スイッチ制御
手段が前記第2の周波数に共振する第2のアンテナと前
記トランジスタのベースに接続される前記マイクロ波に
反応しない低周波用ダイオードとからなることを特徴と
する応答装置。
2. The response device according to claim 1, wherein said switch means is a transistor, and said switch control means is connected to a second antenna resonating at said second frequency and a base of said transistor. And a low-frequency diode that does not react to the microwave.
JP6090590A 1994-04-05 1994-04-05 Answering device Expired - Fee Related JP2858078B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6090590A JP2858078B2 (en) 1994-04-05 1994-04-05 Answering device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6090590A JP2858078B2 (en) 1994-04-05 1994-04-05 Answering device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07280920A JPH07280920A (en) 1995-10-27
JP2858078B2 true JP2858078B2 (en) 1999-02-17

Family

ID=14002678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6090590A Expired - Fee Related JP2858078B2 (en) 1994-04-05 1994-04-05 Answering device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2858078B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07280920A (en) 1995-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100754307B1 (en) Enable / disable security tag with enhanced electrostatic protection for electronic security systems
US5182544A (en) Security tag with electrostatic protection
US5119099A (en) Microwave responder
US5815076A (en) Pulsed-signal magnetomechanical electronic article surveillance system with improved damping of transmitting antenna
CA1196408A (en) Surveillance system employing a dual function floor mat radiator
US4992776A (en) Antipilferage tags and their use
EP1107205A2 (en) Resonant tag
US20220139178A1 (en) Alarming Product Security Device
JP2003533143A (en) Radio frequency detection and identification system
NL8420106A (en) RESONANCE LABEL AND INACTIVATOR FOR USE IN AN ELECTRONIC MONITORING SYSTEM.
JPH047000B2 (en)
JPH0230554B2 (en)
KR20030024843A (en) Integrated hybrid electronic article surveillance marker
US3925774A (en) Field disturbance type motion detection system
CA2575174C (en) Frequency divider with variable capacitance
JP2858078B2 (en) Answering device
US6919806B2 (en) Deactivatable radio frequency security label
KR910000108B1 (en) High frequeney anti-theft system
EP1564701B1 (en) A frequency-division marker for an electronic article surveillance system
WO1994014143A1 (en) Dual frequency tag using rf and microwave technology
ATE125377T1 (en) INTRUSION DETECTION DEVICE.
JPS62273475A (en) Moving body identifier
KR930000136B1 (en) Resonant tog and deactivator for use in an electronic security system
JP2001014564A (en) Theft prevention device
JPH0665992U (en) Alarm device for shoplifting prevention device

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071204

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081204

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees