JP2832836B2 - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、所望のパターンをもつ薄膜を得るための真
空成膜装置に関するのである。
空成膜装置に関するのである。
従来、所望のパターンをもつ薄膜を真空成膜を用いて
得るためにはレジストを用いる方法、マスクを用いる方
法等がある（薄膜ハンドブック５章）。
得るためにはレジストを用いる方法、マスクを用いる方
法等がある（薄膜ハンドブック５章）。
しかし、多層の薄膜にそれぞれのパターンを形成する
場合、レジストを用いる方法を使った場合、一般には次
のように、 という工程を経ねばならず、また成膜中にマスクを用い
る場合にも第１の膜を成膜した後、大気中に取り出し所
望のマスクに交換した後、さらに第２の膜を成膜する必
要があった。
場合、レジストを用いる方法を使った場合、一般には次
のように、 という工程を経ねばならず、また成膜中にマスクを用い
る場合にも第１の膜を成膜した後、大気中に取り出し所
望のマスクに交換した後、さらに第２の膜を成膜する必
要があった。
いずれの場合でも第１の膜を成膜した後、一度大気あ
るいは何らかの液体にさらされた面に第２の膜を成膜し
なければならず、膜の密着強度や、界面準位の増加度の
点で問題があった。
るいは何らかの液体にさらされた面に第２の膜を成膜し
なければならず、膜の密着強度や、界面準位の増加度の
点で問題があった。
本発明は上記の事情に鑑みなされたものであって、そ
の目的とするところは、真空を破ることなく真空槽内で
パターン形成用のマスクを交換することができて少なく
とも第１の膜、第２の膜を真空雰囲気を破らずに連続成
膜でき、このために第１、第２の膜の間の吸着分子の影
響がなくなって膜間の密着強度が上がり、また界面準位
密度も減少させることを可能にする真空成膜装置を提供
することにある。
の目的とするところは、真空を破ることなく真空槽内で
パターン形成用のマスクを交換することができて少なく
とも第１の膜、第２の膜を真空雰囲気を破らずに連続成
膜でき、このために第１、第２の膜の間の吸着分子の影
響がなくなって膜間の密着強度が上がり、また界面準位
密度も減少させることを可能にする真空成膜装置を提供
することにある。
上記の目的を達成するために本発明は、真空槽と、こ
の真空槽内に設けられてマスクを着脱自在に保持し且つ
マスクを昇降させる複数のマスクホルダ機構と、真空槽
内に設けられた薄膜形成部と、真空槽内に移動可能に設
けられて基板を保持する搬送トレイと、真空槽内に設け
られて前記搬送トレイを移動させて基板を各マスクホル
ダ機構の直上及び薄膜形成部上に位置させる搬送機構
と、前記搬送トレイに設けられてマスクを基板に吸着さ
せる吸着手段とを備えた構成にしてある。
の真空槽内に設けられてマスクを着脱自在に保持し且つ
マスクを昇降させる複数のマスクホルダ機構と、真空槽
内に設けられた薄膜形成部と、真空槽内に移動可能に設
けられて基板を保持する搬送トレイと、真空槽内に設け
られて前記搬送トレイを移動させて基板を各マスクホル
ダ機構の直上及び薄膜形成部上に位置させる搬送機構
と、前記搬送トレイに設けられてマスクを基板に吸着さ
せる吸着手段とを備えた構成にしてある。
そして、一方のマスクホルダ機構のマスク上に基板を
位置させてこのマスクを上昇させて基板に密着させ吸着
手段によってマスクを基板に吸着し、この状態で基板を
薄膜形成部上に移動して基板に薄膜を形成し、再び基板
を一方のマスクホルダ機械の直上に移動して吸着を解除
してマスクをマスクホルダ機構に回収させ、次に基板を
他方のマスクホルダ機構のマスク上に移動して上記した
マスクの場合と同様の手順でマスクを基板に吸着し、基
板に薄膜を形成する。
位置させてこのマスクを上昇させて基板に密着させ吸着
手段によってマスクを基板に吸着し、この状態で基板を
薄膜形成部上に移動して基板に薄膜を形成し、再び基板
を一方のマスクホルダ機械の直上に移動して吸着を解除
してマスクをマスクホルダ機構に回収させ、次に基板を
他方のマスクホルダ機構のマスク上に移動して上記した
マスクの場合と同様の手順でマスクを基板に吸着し、基
板に薄膜を形成する。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図に本発明に係る真空成膜装置の構成を示し、同
図中１は真空槽であり、この真空槽１の一側部に排気口
２が形成してある。真空槽１内には搬送機構３が設けて
あり、この搬送機構３は多数個の搬送用コロ４を所定間
隔をおいて、左右方向に水平に配置して成る。
図中１は真空槽であり、この真空槽１の一側部に排気口
２が形成してある。真空槽１内には搬送機構３が設けて
あり、この搬送機構３は多数個の搬送用コロ４を所定間
隔をおいて、左右方向に水平に配置して成る。
また、前記真空槽１内に左右にマスクホルダ機構5,
5′が配設してある。これらマスクホルダ機構5,5′は支
柱７を備えており、この支柱７の下端部はベローズ８に
よって支持されており、支柱７は上端部にはマスクホル
ダ９が設けてある。
5′が配設してある。これらマスクホルダ機構5,5′は支
柱７を備えており、この支柱７の下端部はベローズ８に
よって支持されており、支柱７は上端部にはマスクホル
ダ９が設けてある。
また、前記真空槽１内には左右のマスクホルダ機構5,
5′間に位置させてルツボ10とヒータ11と電子銃12とシ
ャッタ13とより成る薄膜形成部Ｅが配設してあり、ルツ
ボ10には蒸着材Ａ、Ｂが入っている。
5′間に位置させてルツボ10とヒータ11と電子銃12とシ
ャッタ13とより成る薄膜形成部Ｅが配設してあり、ルツ
ボ10には蒸着材Ａ、Ｂが入っている。
前記シャッタ13は支軸14回りを回転できるようにして
あり、ルツボ10もその中心軸を中心に回転できるように
してある。
あり、ルツボ10もその中心軸を中心に回転できるように
してある。
前記搬送機構３には、搬送用コロ４に引っ掛けて搬送
トレイ15が移動可能に設けてある。この搬送トレイ15は
基板ホルダ16を吊持していて、この基板ホルダ16には吸
着手段Ｆとしての電磁石17が取付けてある。
トレイ15が移動可能に設けてある。この搬送トレイ15は
基板ホルダ16を吊持していて、この基板ホルダ16には吸
着手段Ｆとしての電磁石17が取付けてある。
この基板ホルダ16の下面には第３図、第４図に示すよ
うに四角形鋭の枠状の基板アダプタ17と基板押え18とが
取付ネジ19により固着してあり、また基板ホルダ16の下
面には基板押え18により基板20が取付けてある。
うに四角形鋭の枠状の基板アダプタ17と基板押え18とが
取付ネジ19により固着してあり、また基板ホルダ16の下
面には基板押え18により基板20が取付けてある。
次に、真空成膜装置の動作を説明する。
マスクホルダ機構5,5′のマスクホルダ９に、強磁性
体で作られたマスク6,6′をセットし、真空槽１内に排
気する。
体で作られたマスク6,6′をセットし、真空槽１内に排
気する。
搬送トレイ15を搬送用コロ４で移動して基板ホルダ16
をマスクホルダ機構５のマスクホルダ９の直上に位置さ
せる。
をマスクホルダ機構５のマスクホルダ９の直上に位置さ
せる。
次にベローズ８を油圧等で操作して支柱７を介してマ
スクホルダ９を上昇させ、マスク６を基板ホルダ16の基
板20に密着させる。次に電磁石17に通電しマスク６を基
板20に吸着させる。そして、ベローズ８を操作してマス
クホルダ９を下降させる。
スクホルダ９を上昇させ、マスク６を基板ホルダ16の基
板20に密着させる。次に電磁石17に通電しマスク６を基
板20に吸着させる。そして、ベローズ８を操作してマス
クホルダ９を下降させる。
次に、搬送用コロ４を回転させ、搬送トレイ15を移動
してこれの基板ホルダ16部分をルツボ10、電子銃12を備
える薄膜形成部Ｅの直上に移動させ、ヒーター11で基板
20を所定の温度に加熱する。
してこれの基板ホルダ16部分をルツボ10、電子銃12を備
える薄膜形成部Ｅの直上に移動させ、ヒーター11で基板
20を所定の温度に加熱する。
真空槽１内が所定の圧力（電子ビーム蒸着の場合10-6
Torr以下）まで下ったら、電子銃12から電子ビームを飛
ばして蒸着材Ａに当て加熱し、シャッタ13を開いて基板
20上に蒸着する。所定の膜厚まで成膜されたら、シャッ
タ14を閉じて電子ビームを止め、ヒータ11を切って、搬
送用コロ４を回転させ、基板ホルダ16部分を再びマスク
ホルダ９の直上に移動させる。この時、基板20上にはマ
スク６で、規定された蒸着材Ａの薄膜のパターンが形成
されている。
Torr以下）まで下ったら、電子銃12から電子ビームを飛
ばして蒸着材Ａに当て加熱し、シャッタ13を開いて基板
20上に蒸着する。所定の膜厚まで成膜されたら、シャッ
タ14を閉じて電子ビームを止め、ヒータ11を切って、搬
送用コロ４を回転させ、基板ホルダ16部分を再びマスク
ホルダ９の直上に移動させる。この時、基板20上にはマ
スク６で、規定された蒸着材Ａの薄膜のパターンが形成
されている。
次にベローズ８を操作し、マスクホルダ９を上昇さ
せ、基板ホルダ16部分に密着させ、電磁石17への通電を
切る。このために、マスク６が基板20より離れてマスク
ホルダ９に納まる。
せ、基板ホルダ16部分に密着させ、電磁石17への通電を
切る。このために、マスク６が基板20より離れてマスク
ホルダ９に納まる。
ベローズ８を操作してマスクホルダ９を下降させる。
次に搬送用コロ４を回転させ、搬送トレイ15を右方向
に移動し、基板ホルダ16部分を右のマスクホルダ機構
５′のマスクホルダ９の直上に位置させる。
に移動し、基板ホルダ16部分を右のマスクホルダ機構
５′のマスクホルダ９の直上に位置させる。
そして、前記マスク６の基板20への吸着と同様な手順
で基板20にマスク６′を吸着させる。次に基板ホルダ16
部分を薄膜形成部Ｅの直上に位置させ、ヒーター11で所
定の温度まで加熱し、ルツボ10を回転させて電子ビーム
が蒸着材Ｂに当るようにして電子銃12から電子ビームを
飛ばして蒸着材Ｂに当て加熱し、シャッタ13を開いて基
板20上に蒸着する。
で基板20にマスク６′を吸着させる。次に基板ホルダ16
部分を薄膜形成部Ｅの直上に位置させ、ヒーター11で所
定の温度まで加熱し、ルツボ10を回転させて電子ビーム
が蒸着材Ｂに当るようにして電子銃12から電子ビームを
飛ばして蒸着材Ｂに当て加熱し、シャッタ13を開いて基
板20上に蒸着する。
次に、上記の蒸着材Ａの基板20上へ蒸着後の手順と同
じ手順でマスクホルダ９にマスク６′を回収する。
じ手順でマスクホルダ９にマスク６′を回収する。
このようにすることにより、基板20上に異なる材料の
２層膜を異なるパターンで真空を破ることなく形成する
ことができる。
２層膜を異なるパターンで真空を破ることなく形成する
ことができる。
また、多層の薄膜を異なるパターンで成膜する場合に
は、マスクホルダ機構5,5′を多数設けるようにしても
良いが、第４図に示すようにマスク交換室21と成膜室22
をゲートバルブ23で仕切り、マスク交換室21にマスクホ
ルダ機構5,5′を設けて上記した実施例と同様に２層目
までの薄膜を成膜し、２層目の成膜中にマスク交換室21
をリークし、扉（図示せず）を開いて１層目の成膜に用
いたマスクを取出し、かわりに３層目に用いるマスクを
マスクホルダにセットし、真空排気を行っておく。
は、マスクホルダ機構5,5′を多数設けるようにしても
良いが、第４図に示すようにマスク交換室21と成膜室22
をゲートバルブ23で仕切り、マスク交換室21にマスクホ
ルダ機構5,5′を設けて上記した実施例と同様に２層目
までの薄膜を成膜し、２層目の成膜中にマスク交換室21
をリークし、扉（図示せず）を開いて１層目の成膜に用
いたマスクを取出し、かわりに３層目に用いるマスクを
マスクホルダにセットし、真空排気を行っておく。
２層目の成膜終了後にゲートバルブ23を開き、基板20
をマスク交換室21まで搬送し、マスクを交換し、成膜室
22へ搬送しゲートバルブ23を閉じて成膜を行う。
をマスク交換室21まで搬送し、マスクを交換し、成膜室
22へ搬送しゲートバルブ23を閉じて成膜を行う。
以下同様に繰り返せば、異なるパターンの多層膜を真
空を破ることなく成膜することができる。
空を破ることなく成膜することができる。
このようにゲートバルブ23で仕切る場合は電磁石17へ
の通電は搬送用コロ４を通して行うか、成膜室22から電
流導入端子で入れる必要がある。
の通電は搬送用コロ４を通して行うか、成膜室22から電
流導入端子で入れる必要がある。
なお、上記した二つの実施例では電子ビーム蒸着法に
よる成膜について述べたが、抵抗加熱による蒸着スパッ
タ、プラズマCVD等一般の真空成膜法、またはそれらの
組み合せでもよい。
よる成膜について述べたが、抵抗加熱による蒸着スパッ
タ、プラズマCVD等一般の真空成膜法、またはそれらの
組み合せでもよい。
以上詳述したように本発明に係る真空成膜装置は、真
空槽と、この真空槽内に設けられてマスクを着脱自在に
保持し且つマスクを昇降させる複数のマスクホルダ機構
と、真空槽内に設けられた薄膜形成部と、真空槽内に移
動可能に設けられて基板を保持する搬送トレイと、真空
槽内に設けられて前記搬送トレイを移動させて基板を各
マスクホルダ機構の直上及び薄膜形成部上に位置させる
搬送機構と、前記搬送トレイに設けられてマスクを基板
に吸着させる吸着手段とを備えたことを特徴とするもの
である。
空槽と、この真空槽内に設けられてマスクを着脱自在に
保持し且つマスクを昇降させる複数のマスクホルダ機構
と、真空槽内に設けられた薄膜形成部と、真空槽内に移
動可能に設けられて基板を保持する搬送トレイと、真空
槽内に設けられて前記搬送トレイを移動させて基板を各
マスクホルダ機構の直上及び薄膜形成部上に位置させる
搬送機構と、前記搬送トレイに設けられてマスクを基板
に吸着させる吸着手段とを備えたことを特徴とするもの
である。
したがって、一方のマスクホルダ機構のマスク上に基
板を位置させてこのマスクを上昇させて基板に密着させ
吸着手段によってマスクを基板に吸着し、この状態で基
板を薄膜形成部上に移動して基板に薄膜を形成し、再び
基板を一方のマスクホルダ機構の直上に移動して吸着を
解除してマスクをマスクホルダ機構に回収させ、次に基
板を他方のマスクホルダ機構のマスク上に移動して上記
したマスクの場合と同様の手順でマスクを基板に吸着
し、基板に薄膜を形成することができる。
板を位置させてこのマスクを上昇させて基板に密着させ
吸着手段によってマスクを基板に吸着し、この状態で基
板を薄膜形成部上に移動して基板に薄膜を形成し、再び
基板を一方のマスクホルダ機構の直上に移動して吸着を
解除してマスクをマスクホルダ機構に回収させ、次に基
板を他方のマスクホルダ機構のマスク上に移動して上記
したマスクの場合と同様の手順でマスクを基板に吸着
し、基板に薄膜を形成することができる。
このように、真空を破ることなく真空槽内でパターン
形成用のマスクを交換することができて、少くとも第１
の膜、第２の膜を真空雰囲気を破らずに連続成膜できる
ので、第１、第２の膜の間の吸着分子の影響がなくな
り、膜間の密着強度が上がり、また界面準位密度も減少
する。
形成用のマスクを交換することができて、少くとも第１
の膜、第２の膜を真空雰囲気を破らずに連続成膜できる
ので、第１、第２の膜の間の吸着分子の影響がなくな
り、膜間の密着強度が上がり、また界面準位密度も減少
する。
第１図は本発明一実施例の構成説明図、第２図は基板と
基板ホルダ部分の平面図、第３図は第２図III−III線に
沿う断面図、第４図は本発明の他の実施例の構成説明図
である。 １は真空槽、３は搬送機構、5,5′はマスクホルダ機
構、6,6′はマスク、15は搬送トレイ、20は基板。
基板ホルダ部分の平面図、第３図は第２図III−III線に
沿う断面図、第４図は本発明の他の実施例の構成説明図
である。 １は真空槽、３は搬送機構、5,5′はマスクホルダ機
構、6,6′はマスク、15は搬送トレイ、20は基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/56 C23C 16/04 H01L 21/203 - 21/205
Claims (2)
- 【請求項１】真空槽と、この真空槽内に設けられてマス
クを着脱自在に保持し且つマスクを昇降させる複数のマ
スクホルダ機構と、真空槽内に設けられた薄膜形成部
と、真空槽内に移動可能に設けられて基板を保持する搬
送トレイと、真空槽内に設けられて前記搬送トレイを移
動させて基板を各マスクホルダ機構の直上及び薄膜形成
部上に位置させる搬送機構と、前記搬送トレイに設けら
れてマスクを基板に吸着させる吸着手段とを備えたこと
を特徴とする真空成膜装置。 - 【請求項２】吸着手段を電磁石で構成したことを特徴と
する請求項（１）記載の真空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32595788A JP2832836B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32595788A JP2832836B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 真空成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02173261A JPH02173261A (ja) | 1990-07-04 |
| JP2832836B2 true JP2832836B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=18182492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32595788A Expired - Fee Related JP2832836B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832836B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW490714B (en) | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
| US7517551B2 (en) | 2000-05-12 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device |
| SG113448A1 (en) | 2002-02-25 | 2005-08-29 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
| US7309269B2 (en) | 2002-04-15 | 2007-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device |
| JP4609754B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-01-12 | 三井造船株式会社 | マスククランプの移動機構および成膜装置 |
| KR100727470B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2007-06-13 | 세메스 주식회사 | 유기물 증착 장치 및 방법 |
| JP4781835B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-09-28 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
| JP5772736B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2015-09-02 | 株式会社デンソー | 原子層蒸着装置 |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP32595788A patent/JP2832836B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH02173261A (ja) | 1990-07-04 |
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