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JP2830559B2 - 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2830559B2
JP2830559B2 JP3331337A JP33133791A JP2830559B2 JP 2830559 B2 JP2830559 B2 JP 2830559B2 JP 3331337 A JP3331337 A JP 3331337A JP 33133791 A JP33133791 A JP 33133791A JP 2830559 B2 JP2830559 B2 JP 2830559B2
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JP
Japan
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width
shield
recording
gap
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▲隆▼男 丸山
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は複合型薄膜磁気ヘッドに関し、特
に磁気抵抗効果ヘッドと巻線型ヘッドとを組合せた複合
型薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来技術】従来、この種の複合型薄膜磁気ヘッドにお
いては、図5に示すように、下シールド1と、下再生ギ
ャップ2と、磁気抵抗効果素子3と、上再生ギャップ5
と、上シールドを兼ねる下ヨーク10と、記録ギャップ
7と、上ヨーク11とが順次積層されている。
【0003】下ヨーク10および上ヨーク11は記録ギ
ャップ7の磁気記録媒体(図示せず)側の面に対して反
対側の端面で接続され、その接続点を中心にコイル8が
平面状に巻かれている。このコイル8に電流が流される
と下ヨーク10および上ヨーク11が磁化され、記録ギ
ャップ7から漏洩する磁界で磁気記録媒体に対する記録
動作が行われる。
【0004】一方、磁気記録媒体からのデータの再生時
には磁気記録媒体から発生する磁界を磁気抵抗効果素子
3の抵抗値の変化として検出し、センス電流を供給する
ことによって再生出力電圧を得る。下ヨーク10および
下シールド1は磁気抵抗効果素子3が検知する磁界の検
出幅を下再生ギャップ2から上再生ギャップ5の間に制
限し、磁気抵抗効果素子3の分解能を増加させる。
【0005】このような従来の複合型薄膜ヘッドでは、
下ヨーク10の磁気記録媒体対向面の幅を上ヨーク11
の磁気記録媒体対向面の幅に一致させて形成することが
非常に困難であるので、記録幅aを厳密に制御すること
ができないという欠点がある。すなわち、上ヨーク11
を下ヨーク10に重ねて形成する際に位置合せ誤差が避
けられないため、上ヨーク11の幅を下ヨーク10の幅
よりも狭くせざるを得ないので、上ヨーク11の幅と下
ヨーク10の幅との差の領域に記録にじみが生じ、記録
幅aの両端がぼやけてしまう。
【0006】一方、磁気記録媒体対向面において上ヨー
ク11の幅と下ヨーク10の幅とを夫々所定の記録幅a
よりも予め広く形成しておき、上ヨーク11を形成した
後に所定の記録幅aを有するマスク材料を用いて上ヨー
ク11と下ヨーク10とを一括してイオンエッチングす
ることによって、上ヨーク11の幅と下ヨーク10の幅
とを一致させるヘッド作製方法がインダクティブヘッド
では提案されている。しかし、この方法においては上ヨ
ーク11と下ヨーク10の下端に至るまでを連続してエ
ッチングするため、エッチングの終点制御が困難であ
り、磁気抵抗効果素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドに
適用すると、エッチングの際にしばしば磁気抵抗効果素
子3や電極4を損傷させてしまうという欠点がある。
【0007】
【発明の目的】本発明は上記のような従来のものの欠点
を除去すべくなされたもので、記録幅を厳密に制御する
ことができるとともに記録にじみを少なくすることがで
き、磁気抵抗効果素子や電極の損傷を防止することがで
きる複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の提供を目的とす
る。
【0008】
【発明の構成】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドは、
下シールドと下再生ギャップと磁気抵抗効果素子と上再
生ギャップと上シールドとが順次積層された磁気抵抗効
果ヘッドと、前記上シールドを兼ねる下ヨークと上ヨー
クとの間に記録ギャップとコイルとが積層された巻線型
ヘッドとからなる複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記
下ヨークの磁気記録媒体対向面を前記上ヨーク側の辺が
前記上ヨークと等しい幅の四辺形の上半部と、前記下シ
ールド側の辺が前記下シールドと略同一幅の四辺形の下
半部とから構成するようにしたことを特徴とする。
【0009】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、下シールド、下再生ギャップ、磁気抵抗効果素
子、上再生ギャップ、上シールドを兼ねる下ヨーク、記
録ギャップ、コイル、および上ヨークを順次積層し、前
記上シールドを兼ねる下ヨークが、磁気記録媒体対向面
において、前記下シールド側の辺が前記磁気抵抗効果素
子に接続される2つの電極の最外端間の幅より大きい幅
の四辺形をなす下半部と、前記上ヨーク側の辺が前記上
ヨークと等しい幅の四辺形をなす上半部とから構成され
る複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記上ヨ
ークとなる部分を成膜した後に、前記上ヨークから記録
ギャップおよび前記上シールドを兼ねる下ヨークの前記
上ヨーク側の上半部までのみを前記磁気記録媒体対向面
近傍のみ記録幅と同一幅のマスクを用いて一括してイオ
ンエッチング加工し、前記上シールドを兼ねる下ヨーク
の上ヨーク側の辺に連なる側面の2辺が前記上ヨークの
側面の辺の延長線上にあるように形成することを特徴と
する。
【0010】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。
【0011】図1は本発明の一実施例の斜視図であり、
図2は図1の正面図である。これらの図において、下シ
ールド1の上には下再生ギャップ2を介して磁気抵抗効
果素子3と磁気抵抗効果素子3に接続される電極4とが
形成されている。これら磁気抵抗効果素子3および電極
4の上には上再生ギャップ5を介して上シールドを兼ね
る下ヨーク6が形成されている。ここで、磁気抵抗効果
素子3および電極4の磁気記録媒体対向面近傍において
少なくとも下シールド1上にのみあり、かつ下ヨーク
6によって完全に覆われている。
【0012】下ヨーク6の上には記録ギャップ7を介し
て上ヨーク9が形成され、下ヨーク6および上ヨーク9
は記録ギャップ7の磁気記録媒体(図示せず)側の面に
対して反対側の端面で接続され、その接続点を中心にコ
イル8が平面状に巻かれている。
【0013】また、下ヨーク6の形状は上半部6aが上
ヨーク9と等しい幅の矩形で、下半部6bが下シールド
1の幅と略同一幅の台形状となっている。上ヨーク9お
よび下ヨーク6の上半部6aの幅は下シールド1および
下ヨーク6の下半部6bの幅よりも狭くなっている。す
なわち、下ヨーク6の上半部6aは下ヨークとして動作
し、下ヨーク6の下半部6bは上シールドとして作用す
る。そのため、記録幅aは互いに等しい幅を有する上ヨ
ーク9と下ヨーク6の上半部6aとによって厳密に制御
される。
【0014】また、磁気抵抗効果素子3および電極4は
下ヨーク6の下半部6bによって完全に覆われているた
め、下ヨーク6および上ヨーク9の形成時に断線を引起
こすような損傷を受けることはない。
【0015】さらに、下シールド1および下ヨーク6に
おいては少なくともコイル8が巻かれる部分の断面形状
が台形となっているため、それらの間に形成される磁気
抵抗効果素子3の電極4やコイル8が下シールド1およ
び下ヨーク6における段差を乗越える際に断線などが生
じ難くなっている。但し、下シールド1および下ヨーク
6の段差解消を行う平坦処理が行われる場合には、必ず
しもそれらの断面形状が台形である必要はない。
【0016】下ヨーク6の上半部6aおよび下半部6b
各々の厚さは上ヨーク9から下半部6bへの磁束の漏洩
とシールド効果とによって最適化される。上ヨーク9か
ら下半部6bへの磁束の漏洩の影響を避けるために、上
半部6aの厚さは記録ギャップ7の幅の5倍以上である
ことが望ましい。また、シールド効果を十分に得るため
に、下半部6bの厚さは1μm以上であることが望まし
い。
【0017】図3および図4は本発明の一実施例による
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。これ
ら図3および図4を用いて本発明の一実施例による複合
型薄膜磁気ヘッドの製造方法について以下説明する。
【0018】まず、図示せぬ基板上にNiFe合金から
なる下シールド1をメッキやスパッタなどの方法によっ
て成膜し、イオンエッチング技術を用いて加工する[図
3(a)参照]。このとき、マスクとなるフォトレジス
トを130 度程度でベークし、入射角10°程度でエッチ
ングすることによって下シールド1の磁気記録媒体対向
面に直交する端面をテーパ化することができる。
【0019】次に、Al2 3 からなる下再生ギャップ
2をスパッタ法によって成膜した後に、NiFe、Ti
およびCoZrMoの積層構造からなる磁気抵抗効果素
子3をスパッタ法や蒸着法などによって成膜し、フォト
リソグラフィ技術やイオンエッチング技術を用いて図示
した形状に加工する。この後に、磁気抵抗効果素子3の
両端にAuからなる電極膜を蒸着法などによって成膜
し、電極4を形成する[図3(b)参照]。
【0020】これら磁気抵抗効果素子3および電極4の
上にAl2 3 からなる上再生ギャップ5をスパッタ法
によって成膜した後に、NiFe合金からなる下ヨーク
6をメッキやスパッタなどの方法によって成膜し、イオ
ンエッチング技術を用いて加工する[図3(c)参
照]。このとき、上記の下シールド1の場合と同様の処
理を施すことによって、下ヨーク6の磁気記録媒体対向
面に直交する端面をテーパ化することができる。また、
下ヨーク6の磁気記録媒体対向面の下辺の幅を下シール
ド1の幅と略同一幅として下ヨーク6で磁気抵抗効果素
子3および電極4を完全に覆うようにする。
【0021】この下ヨーク6の上にAl2 3 からなる
記録ギャップ7をスパッタ法によって成膜した後に、上
下に絶縁層(図示せず)を介してコイル8を成膜加工す
る[図3(d)参照]。コイル8は予め下地膜上にフォ
トレジストパターンを形成した基板上に電気メッキ法に
よって成膜される。
【0022】コイル8の上にNiFe合金からなる上ヨ
ーク9をメッキやスパッタなどの方法によって成膜した
後に、フォトリソグラフィ技術やイオンエッチング技術
を用いて図示した形状に加工する。このとき、上ヨーク
9の磁気記録媒体対向面の幅は記録幅aより広く設定さ
れる[図4(a)参照]。
【0023】ここで、下シールド1と下ヨーク6と上ヨ
ーク9とに対する加工法としてフォトリソグラフィ技術
やイオンエッチング技術を用いる例を示したが、予め下
地膜上にフォトレジストパターンを形成した基板面に電
気メッキ法によって形成することも可能である。この場
合、端面形状をテーパ化することができないので、電極
4あるいはコイル8の断線防止のために何らかの平坦化
処理が必要となる。
【0024】上ヨーク9を形成した後に、所定の記録幅
aを有するフォトレジストマスクを用いて、上ヨーク9
と下ヨーク6とを一括してイオンエッチング技術によっ
て図示した形状に加工する。すなわち、上ヨーク9の磁
気記録媒体対向面の幅が記録幅aに加工されるととも
に、下ヨーク6に上半部6aと下半部6bとが形成され
る[図4(b)参照]。
【0025】この工程において、上ヨーク9および下ヨ
ーク6のエッチングされる領域は、図1に示すように、
磁気記録媒体対向面近傍のみであり、かつエッチングは
下ヨーク6の途中まで行われた所で停止される。
【0026】各層の膜厚は下シールド1が1〜2μm、
下再生ギャップ2が0.1 〜0.5 μm、上再生ギャップ2
が0.1 〜0.5 μm、下ヨーク6の下半部6bが1〜2μ
m、下ヨーク6の上半部6aが3〜4μm、記録ギャッ
プ7が0.2 〜0.7 μm、上ヨーク9が3〜5μmに設定
される。
【0027】このように、下ヨーク6の磁気記録媒体対
向面を上ヨーク9側の辺が上ヨーク9と等しい幅の上半
部6aと、下シールド1側の辺が下シールド1と略同一
幅の下半部6bとから構成することによって、記録幅a
を下ヨーク6の上半部6aと上ヨーク9とによって厳密
に制御することができる。これによって、記録幅aの両
端における記録にじみを少なくすることができる。
【0028】また、下ヨーク6の下半部6bの下シール
ド1側の辺の幅を磁気抵抗効果素子3に接続される電極
4の幅よりも大きくすることによって、磁気抵抗効果素
子3および電極4を完全に覆うことができるので、上ヨ
ーク9の加工時の断線となるような損傷を防止すること
ができる。
【0029】さらに、下シールド1および下ヨーク6に
おいて少なくともコイル8が巻かれる部分の断面形状を
台形状とすることによって、磁気抵抗効果素子3に接続
される電極4やコイル8の断線を生じ難くすることがで
きる。
【0030】さらにまた、複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、下ヨーク6の下シールド1側の辺を磁気
抵抗効果素子3に接続される電極4の幅よりも大きな幅
で形成しかつ下ヨーク6の上ヨーク9側の辺を記録ギャ
ップ7の幅よりも大きな幅で形成する処理と、上ヨーク
9の下ヨーク6側の辺を記録ギャップ7の幅よりも大き
な幅で形成する処理と、上ヨーク9の形成後に下ヨーク
6の上半部6aおよび上ヨーク9を記録ギャップ7の幅
と同一幅のマスクを用いてイオンエッチング加工する処
理とを含むようにすることによって、記録幅aを厳密に
制御することができるとともに記録にじみを少なくする
ことができ、磁気抵抗効果素子3や電極4の損傷を防止
することができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように本発明の複合型薄膜
磁気ヘッドによれば、下ヨークの磁気記録媒体対向面を
上ヨーク側の辺が上ヨークと等しい幅の四辺形の上半部
と、下シールド側の辺が下シールドと略同一幅の四辺形
の下半部とから構成することによって、記録幅を厳密に
制御することができるとともに記録にじみを少なくする
ことができるという効果がある。
【0032】また、本発明の他の複合型薄膜磁気ヘッド
によれば、下ヨークの下シールド側の辺の幅を磁気抵抗
効果素子に接続される電極の幅よりも大きくすることに
よって、磁気抵抗効果素子や電極の損傷を防止すること
ができるという効果がある。
【0033】さらに、本発明の別の複合型薄膜磁気ヘッ
ドによれば、下ヨークにおいて少なくともコイルが巻か
れる部分の断面形状を下シールド側の辺の幅が上ヨーク
側の辺の幅よりも大きな台形状とすることによって、磁
気抵抗効果素子に接続される電極やコイルの断線を生じ
難くすることができるという効果がある。
【0034】さらにまた、本発明の複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、下ヨークの下シールド側の辺を
磁気抵抗効果素子に接続される電極の幅よりも大きな幅
で形成しかつ下ヨークの上ヨーク側の辺を記録ギャップ
の記録幅よりも大きな幅で形成する処理と、上ヨークの
下ヨーク側の辺を記録幅よりも大きな幅で形成する処理
と、上ヨークの形成後に下ヨークの上ヨーク側の上半部
および上ヨークを記録幅と同一幅のマスクを用いてイオ
ンエッチング加工する処理とを含むようにすることによ
って、記録幅を厳密に制御することができるとともに記
録にじみを少なくすることができ、磁気抵抗効果素子や
電極の損傷を防止することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の斜視図である。
【図2】図1の正面図である。
【図3】本発明の一実施例による複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法を示す図である。
【図4】本発明の一実施例による複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法を示す図である。
【図5】従来例の斜視図である。
【符号の説明】
1 下シールド 2 下再生ギャップ 3 磁気抵抗効果素子 4 電極 5 上再生ギャップ 6 下ヨーク 6a 上半部 6b 下半部 7 記録ギャップ 8 コイル 9 上ヨーク

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下シールド、下再生ギャップ、磁気抵抗
    効果素子、上再生ギャップ、上シールドを兼ねる下ヨー
    ク、記録ギャップ、コイル、および上ヨークを順次積層
    、前記上シールドを兼ねる下ヨークが、磁気記録媒体
    対向面において、前記下シールド側の辺が前記磁気抵抗
    効果素子に接続される2つの電極の最外端間の幅より大
    きい幅の四辺形をなす下半部と、前記上ヨーク側の辺が
    前記上ヨークと等しい幅の四辺形をなす上半部とから構
    成される複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記上ヨークとなる部分を成膜した後に、前記上ヨーク
    から記録ギャップおよび前記上シールドを兼ねる下ヨー
    クの前記上ヨーク側の上半部までのみを前記磁気記録媒
    体対向面近傍のみ記録幅と同一幅のマスクを用いて一括
    してイオンエッチング加工し、前記上シールドを兼ねる
    下ヨークの上ヨーク側の辺に連なる側面の2辺が前記上
    ヨークの側面の辺の延長線上にあるように形成すること
    特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
JP3331337A 1991-11-20 1991-11-20 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 Expired - Lifetime JP2830559B2 (ja)

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