JP2820870B2 - Thermal head and manufacturing method - Google Patents
Thermal head and manufacturing methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はサーマルヘッド、特にワ
イヤボンディングによる電気的接続の不良を改良したサ
ーマルヘッドに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal head and, more particularly, to a thermal head having improved electrical connection failure by wire bonding.
【0002】[0002]
【従来の技術】サーマルヘッドは、感熱紙等に熱により
印字する電子部品である。ファクシミリやプリンタの印
字出力部に用いられるが、これらの機器の小型化・携帯
化に伴いサーマルヘッドに対しても更に小型化かつ信頼
性・品質の向上が要求されている。2. Description of the Related Art A thermal head is an electronic component for printing on thermal paper or the like by heat. It is used for a facsimile or a print output unit of a printer. With the miniaturization and portability of these devices, the thermal head is required to be further miniaturized and to have improved reliability and quality.
【0003】図9は、特公平5−5668号公報に示さ
れた従来のサーマルヘッドの断面図である。図9におい
て、1は発熱抵抗体、2は第1の基板、3は第2の基
板、4は集積回路(IC)、5はボンディングワイヤ、
6は保護樹脂、7はヒートシンクである。また、図10
は、従来のサーマルヘッドの製造工程を説明する工程フ
ローチャートである。FIG. 9 is a cross-sectional view of a conventional thermal head disclosed in Japanese Patent Publication No. 5-5668. In FIG. 9, 1 is a heating resistor, 2 is a first substrate, 3 is a second substrate, 4 is an integrated circuit (IC), 5 is a bonding wire,
6 is a protective resin and 7 is a heat sink. FIG.
3 is a process flowchart for explaining a conventional thermal head manufacturing process.
【0004】従来のサーマルヘッドの構成は、まず複数
の発熱抵抗体1を有しセラミック等から成る第1の基板
2が、ガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板等のプリン
ト配線板(PCB)等から成る第2の基板3の上に配置
されている。この従来のサーマルヘッドの構造によれ
ば、発熱抵抗体1を駆動する集積回路4は、第2の基板
3上に実装され、各発熱抵抗体1へのスイッチング回路
の出力は、ボンディングワイヤ5Aを介して集積回路4
より第1の基板2上の図示しないパターンに接続されて
いる。また、外部CPU等からの制御用信号は、ボンデ
ィングワイヤ5Bを介して第2の基板3の図示しないパ
ターンから集積回路4に入力される。In a conventional thermal head, first, a first substrate 2 made of ceramic or the like having a plurality of heating resistors 1 is made of a printed wiring board (PCB) such as a glass cloth base epoxy resin copper-clad laminate. And so on, on a second substrate 3 made of the same. According to the structure of the conventional thermal head, the integrated circuit 4 for driving the heating resistors 1 is mounted on the second substrate 3, and the output of the switching circuit to each heating resistor 1 is connected to the bonding wire 5A. Through integrated circuit 4
It is connected to a pattern (not shown) on the first substrate 2. Further, a control signal from an external CPU or the like is input to the integrated circuit 4 from a pattern (not shown) of the second substrate 3 via the bonding wires 5B.
【0005】従来のサーマルヘッドに用いられるボンデ
ィングワイヤ5は、金(Au)またはアルミニウム(A
l)から成る細線(25μm程度)であった。一方、第
2の基板3はプリント配線板等から成るため、ガラス転
移点(「ガラス転移温度」ともいう)は、約130℃で
ある。従って、集積回路4を実装する場合、ボンディン
グワイヤ5Bは、上記ガラス転移点130℃以下の温度
で集積回路4と第2の基板3及び集積回路4と第1の基
板2とにワイヤボンド接続されている。A bonding wire 5 used in a conventional thermal head is made of gold (Au) or aluminum (A).
1) (approximately 25 μm). On the other hand, since the second substrate 3 is made of a printed wiring board or the like, the glass transition point (also referred to as “glass transition temperature”) is about 130 ° C. Therefore, when the integrated circuit 4 is mounted, the bonding wire 5B is wire-bonded to the integrated circuit 4 and the second substrate 3 and to the integrated circuit 4 and the first substrate 2 at a temperature of 130 ° C. or less. ing.
【0006】そして、実装された集積回路4は、保護樹
脂6によって封止され保護されている。一般に、セラミ
ック等から成る第1の基板2の線膨脹係数と、プリント
配線板等から成る第2の基板3の線膨脹係数とは相違す
る。このため、保護樹脂6は、この線膨脹係数の相違に
起因する中縮みを緩和するため、硬度の低いシリコン樹
脂が用いられている。[0006] The mounted integrated circuit 4 is sealed and protected by a protective resin 6. Generally, the coefficient of linear expansion of the first substrate 2 made of ceramic or the like is different from the coefficient of linear expansion of the second substrate 3 made of a printed wiring board or the like. For this reason, as the protective resin 6, a silicone resin having a low hardness is used to alleviate the middle shrinkage caused by the difference in the linear expansion coefficient.
【0007】従来のサーマルヘッドの製造工程について
詳細に説明すると、図10に示すように、まず第1の基
板2上にパターン、発熱抵抗体1及び保護膜を形成する
(S201)。次に、第1の基板2を分割する(S20
2)。次に、第1の基板2と第2の基板3とを接合する
(S203)。第2の基板3上にICダイボンド実装を
行う(S204)。そして、第1の基板2と集積回路4
とをボンディングワイヤ5Aによりワイヤボンド接続
し、また第2の基板3と集積回路4とをボンディングワ
イヤ5Bによりワイヤボンド接続する(S205)。こ
のとき、上述したように、第2の基板3のガラス転移点
の約130℃以下でワイヤボンド接続が行われる。その
後、集積回路4及びその近傍に保護樹脂6を被膜する
(S206)。[0010] The manufacturing process of a conventional thermal head will be described in detail. As shown in FIG. 10, first, a pattern, a heating resistor 1 and a protective film are formed on a first substrate 2 (S201). Next, the first substrate 2 is divided (S20).
2). Next, the first substrate 2 and the second substrate 3 are joined (S203). IC die bonding is performed on the second substrate 3 (S204). Then, the first substrate 2 and the integrated circuit 4
Are bonded by bonding wires 5A, and the second substrate 3 and the integrated circuit 4 are bonded by bonding wires 5B (S205). At this time, as described above, the wire bond connection is performed at about 130 ° C. or lower of the glass transition point of the second substrate 3. Thereafter, the protective resin 6 is coated on the integrated circuit 4 and its vicinity (S206).
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように、第2の基板は、ガラス布基材エポキシ樹脂銅
張積層板等のプリント配線板(PCB)等から成るた
め、第1の基板と集積回路及び第2の基板と集積回路と
をワイヤボンド接続する際に、第2の基板のガラス転移
温度(Tg)130℃以上で行うと、プリント配線板等
が軟化してしまい、安定したワイヤボンディングの接合
強度が得られないという問題があった。これは、サーマ
ルヘッドの信頼性を低下させる要因となる。However, as described above, since the second substrate is formed of a printed wiring board (PCB) such as a glass cloth base epoxy resin copper-clad laminate or the like, the second substrate is When the integrated circuit and the second substrate and the integrated circuit are connected by wire bonding, if the glass transition temperature (Tg) of the second substrate is 130 ° C. or more, the printed wiring board and the like are softened, and a stable wire is formed. There is a problem that the bonding strength of bonding cannot be obtained. This causes a reduction in the reliability of the thermal head.
【0009】例えば、A4サイズのサーマルヘッドの場
合、1728ビット(bit)の発熱抵抗体を有するた
め、1728ヶ所以上の第1の基板と集積回路とのワイ
ヤボンディングと、約200ヶ所以上の第2の基板と集
積回路とのワイヤボンディングとが行われる。一般に、
合計2000ヶ所以上のワイヤボンディングを高速で接
続するためには、金のボールボンディング法が用いられ
る。この方法によれば、200℃〜250℃程度に基板
温度を設定することによって、安定したワイヤボンディ
ングを行うことができることが一般に知られている。For example, in the case of an A4 size thermal head, since it has a heating resistor of 1728 bits (bits), wire bonding between the first substrate and the integrated circuit at 1728 or more places and the second board at about 200 places or more are made. Bonding between the substrate and the integrated circuit is performed. In general,
In order to connect at a high speed a total of 2,000 or more wire bondings, a gold ball bonding method is used. According to this method, it is generally known that stable wire bonding can be performed by setting the substrate temperature to about 200 ° C. to 250 ° C.
【0010】一方、従来のサーマルヘッドにおける金ワ
イヤボンディング温度は、基板のガラス転移温度(T
g)の影響により130℃以下であった。このため、金
ワイヤボンディングの好適接合温度の200℃〜250
℃より低い温度で接合を行わなければならず、ワイヤボ
ンディング不良が多発するという問題があった。On the other hand, the gold wire bonding temperature in the conventional thermal head is the glass transition temperature (T
The temperature was 130 ° C. or lower due to the influence of g). Therefore, the preferable bonding temperature of gold wire bonding is 200 ° C. to 250 ° C.
Bonding must be performed at a temperature lower than ℃, and there has been a problem that defective wire bonding frequently occurs.
【0011】実際には、第2の基板の表面温度を130
℃になるように設定すると、その上に配設された第1の
基板の表面温度は約110℃程度になる。このため、A
4サイズで1728ヶ所以上のワイヤボンド接合は、実
際著しく低温で行われていることになる。In practice, the surface temperature of the second substrate is set to 130
When the temperature is set so as to be set to about 110 ° C., the surface temperature of the first substrate provided thereon becomes about 110 ° C. Therefore, A
More than 1728 wire bond bonds in four sizes are actually performed at extremely low temperatures.
【0012】本発明は以上のような問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、基板と集積回路とのワイヤ
ボンディングを安定に行い、信頼性が高く高品質でかつ
小型化されたサーマルヘッドを提供することである。ま
た、ファクシミリまたはプリンタ等のシステムと一体化
した機能を有するサーマルヘッドを提供することであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to stably perform wire bonding between a substrate and an integrated circuit, and to provide a highly reliable, high quality, and miniaturized thermal. Is to provide a head. Another object of the present invention is to provide a thermal head having a function integrated with a system such as a facsimile or a printer.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】以上のような課題を解決
するために、本発明に係るサーマルヘッドは、以下のよ
うな特徴がある。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the thermal head according to the present invention has the following features.
【0014】(1)複数の発熱抵抗体が形成される第1
の基板と、感熱紙の有無又はエンドマーク及びスタート
マークを含む動作指示マークを検出する検出素子を搭載
した第2の基板とを有するサーマルヘッドにおいて、前
記第1の基板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積回
路が形成され、前記集積回路と第1の基板とを電気的に
接続される場合は、第2の基板のガラス転移温度以上で
ワイヤボンディングされ、前記集積回路と第2の基板と
を電気的に接続する場合は、前記第2の基板のガラス転
移温度以下でワイヤボンディングされる。(1) First where a plurality of heating resistors are formed
And a second substrate on which a detection element for detecting the presence or absence of thermal paper or an operation instruction mark including an end mark and a start mark is mounted. When an integrated circuit for driving a body is formed and the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, wire bonding is performed at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the second substrate. When electrically connecting to the substrate, wire bonding is performed below the glass transition temperature of the second substrate.
【0015】(2)複数の発熱抵抗体が形成される第1
の基板と、感熱紙の有無又はエンドマーク及びスタート
マークを含む動作指示マークを検出する検出素子を搭載
した第2の基板とを有するサーマルヘッドにおいて、前
記第1の基板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積回
路が形成され、前記集積回路と第1の基板とを電気的に
接続される場合は、200℃〜250℃でワイヤボンデ
ィングされ、前記集積回路と第2の基板とを電気的に接
続する場合は、130℃以下でワイヤボンディングされ
る。(2) First where a plurality of heating resistors are formed
And a second substrate on which a detection element for detecting the presence or absence of thermal paper or an operation instruction mark including an end mark and a start mark is mounted. When an integrated circuit for driving a body is formed and the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, wire bonding is performed at 200 ° C. to 250 ° C. to electrically connect the integrated circuit and the second substrate. In the case of the connection, the wire bonding is performed at 130 ° C. or less.
【0016】(3)複数の発熱抵抗体が形成される第1
の基板と、感熱紙の有無又はエンドマーク及びスタート
マークを含む動作指示マークを検出する検出素子を搭載
した第2の基板とを有するサーマルヘッドにおいて、前
記第2の基板上に第1の基板が配設され、前記第1の基
板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積回路が形成さ
れ、前記集積回路と第1の基板とを電気的に接続される
場合は、第2の基板のガラス転移温度以上でワイヤボン
ディングされ、前記集積回路と第2の基板とを電気的に
接続する場合は、前記第2の基板のガラス転移温度以下
でワイヤボンディングされる。(3) First where a plurality of heating resistors are formed
And a second substrate mounted with a detection element for detecting the presence or absence of thermal paper or an operation instruction mark including an end mark and a start mark, wherein the first substrate is provided on the second substrate. An integrated circuit for driving the heating resistor is formed on the first substrate, and when the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, the integrated circuit is connected to the second substrate. When the integrated circuit is electrically connected to the second substrate at a temperature higher than the glass transition temperature, the wire bonding is performed at a temperature lower than the glass transition temperature of the second substrate.
【0017】(4)複数の発熱抵抗体が形成される第1
の基板と、感熱紙の有無又はエンドマーク及びスタート
マークを含む動作指示マークを検出する検出素子を搭載
した第2の基板とを有するサーマルヘッドにおいて、前
記第2の基板上に第1の基板が配設され、前記第1の基
板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積回路が形成さ
れ、前記集積回路と第1の基板とを電気的に接続される
場合は、第2の基板のガラス転移温度以上でワイヤボン
ディングされ、前記集積回路と第2の基板とを電気的に
接続する場合は、前記第2の基板のガラス転移温度以下
でワイヤボンディングされ、前記第2の基板は、放熱用
のヒートシンク上に配設されている。(4) First where a plurality of heating resistors are formed
And a second substrate mounted with a detection element for detecting the presence or absence of thermal paper or an operation instruction mark including an end mark and a start mark, wherein the first substrate is provided on the second substrate. An integrated circuit for driving the heating resistor is formed on the first substrate, and when the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, the integrated circuit is connected to the second substrate. When wire bonding is performed at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature and the integrated circuit is electrically connected to the second substrate, wire bonding is performed at a temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the second substrate, and the second substrate dissipates heat. It is arranged on a heat sink.
【0018】(5)複数の発熱抵抗体が形成される第1
の基板と、感熱紙の有無又はエンドマーク及びスタート
マークを含む動作指示マークを検出する検出素子を搭載
した第2の基板とを有するサーマルヘッドにおいて、前
記第2の基板上に第1の基板が配設され、前記第1の基
板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積回路が形成さ
れ、前記集積回路と第1の基板とを電気的に接続される
場合は、第2の基板のガラス転移温度以上でワイヤボン
ディングされ、前記集積回路と第2の基板とを電気的に
接続する場合は、前記第2の基板のガラス転移温度以下
でワイヤボンディングされ、前記第2の基板は、放熱用
のヒートシンク上に配設され、前記ヒートシンクは、前
記発熱抵抗体と接するプラテンローラを挟み込むように
両端にアームが設けられている。(5) First where a plurality of heating resistors are formed
And a second substrate mounted with a detection element for detecting the presence or absence of thermal paper or an operation instruction mark including an end mark and a start mark, wherein the first substrate is provided on the second substrate. An integrated circuit for driving the heating resistor is formed on the first substrate, and when the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, the integrated circuit is connected to the second substrate. When wire bonding is performed at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature and the integrated circuit is electrically connected to the second substrate, wire bonding is performed at a temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the second substrate, and the second substrate dissipates heat. The heat sink has arms at both ends so as to sandwich a platen roller in contact with the heating resistor.
【0019】すなわち、本発明に係るサーマルヘッド
は、集積回路(IC)を第1の基板上に実装し、かつ第
1の基板と第2の基板との接合工程前に集積回路と第1
の基板とをワイヤボンディングを行い、更に感熱紙検出
素子及びプラテンローラの中心と発熱抵抗体との位置決
め機構を有するヒートシンクを内蔵するものである。That is, in the thermal head according to the present invention, an integrated circuit (IC) is mounted on a first substrate, and the integrated circuit and the first circuit are mounted before the step of bonding the first substrate and the second substrate.
And a heat sink having a mechanism for positioning the heat-sensitive paper detecting element and the center of the platen roller with the heating resistor.
【0020】また、本発明に係るサーマルヘッドの製造
方法は、以下のような特徴を有する。The method for manufacturing a thermal head according to the present invention has the following features.
【0021】(1)第1の基板に複数の発熱抵抗体を形
成する発熱抵抗体形成工程と、第2の基板に感熱紙の有
無又はエンドマーク及びスタートマークを含む動作指示
マークを検出する検出素子を搭載する搭載工程と、前記
第1の基板に前記発熱抵抗体を駆動させる集積回路を実
装する集積回路実装工程と、前記第1の基板と前記集積
回路とを第2の基板のガラス転移温度以上でワイヤボン
ディングにより電気的に接続する第1の接続工程と、前
記第1の基板と前記第2の基板を接合する接合工程と、
前記第2の基板と前記集積回路とを第2の基板のガラス
転移温度以下でワイヤボンディングにより電気的に接続
する第2の接続工程と、を有する。(1) A heating resistor forming step of forming a plurality of heating resistors on the first substrate, and a detection of detecting presence or absence of thermal paper or an operation instruction mark including an end mark and a start mark on the second substrate. A mounting step of mounting an element, an integrated circuit mounting step of mounting an integrated circuit for driving the heating resistor on the first substrate, and a glass transition of the second substrate to the first substrate. A first connection step of electrically connecting by wire bonding at a temperature equal to or higher than a temperature, a bonding step of bonding the first substrate and the second substrate,
A second connection step of electrically connecting the second substrate and the integrated circuit by wire bonding at a temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the second substrate.
【0022】(2)第1の基板に複数の発熱抵抗体を形
成する発熱抵抗体形成工程と、第2の基板に感熱紙の有
無又はエンドマーク及びスタートマークを含む動作指示
マークを検出する検出素子を搭載する搭載工程と、前記
第1の基板に前記発熱抵抗体を駆動させる集積回路を実
装する集積回路実装工程と、前記第1の基板と前記集積
回路とを200℃〜250℃でワイヤボンディングによ
り電気的に接続する第1の接続工程と、前記第1の基板
と前記第2の基板を接合する接合工程と、前記第2の基
板と前記集積回路とを130℃以下でワイヤボンディン
グにより電気的に接続する第2の接続工程と、前記集積
回路を保護樹脂で被膜する被膜工程と、を有する。(2) A heating resistor forming step for forming a plurality of heating resistors on the first substrate, and detection for detecting presence or absence of thermal paper on the second substrate or an operation instruction mark including an end mark and a start mark. A mounting step of mounting an element, an integrated circuit mounting step of mounting an integrated circuit for driving the heating resistor on the first substrate, and wire-bonding the first substrate and the integrated circuit at 200 ° C. to 250 ° C. A first connection step of electrically connecting by bonding, a bonding step of bonding the first substrate and the second substrate, and a wire bonding of the second substrate and the integrated circuit at 130 ° C. or less by wire bonding. A second connection step of making electrical connection; and a coating step of coating the integrated circuit with a protective resin.
【0023】[0023]
【作用】以上のように構成された本発明のサーマルヘッ
ドにおいて、第1の基板上に発熱抵抗体を駆動する集積
回路を実装し、第1の基板と第2の基板との接合前に第
1の基板と集積回路をワイヤボンディングするので、金
ワイヤボンディングの好適温度(200℃〜250℃)
で行うことができる。このため、第1の基板と集積回路
とのワイヤボンディングの不良率が低下し、サーマルヘ
ッドの信頼性を向上する。In the thermal head of the present invention constructed as described above, the integrated circuit for driving the heating resistor is mounted on the first substrate, and the first substrate is bonded to the second substrate before the first substrate is joined to the second substrate. Suitable temperature (200 ° C to 250 ° C) for gold wire bonding because the substrate 1 and the integrated circuit are wire bonded.
Can be done with For this reason, the failure rate of wire bonding between the first substrate and the integrated circuit is reduced, and the reliability of the thermal head is improved.
【0024】また、第1の基板上に発熱抵抗体を駆動す
る集積回路を実装することにより、第2の基板の面積を
縮小することができる。このため、サーマルヘッドの小
型化が図れる。Further, by mounting an integrated circuit for driving the heating resistor on the first substrate, the area of the second substrate can be reduced. Therefore, the size of the thermal head can be reduced.
【0025】更に、第2の基板の下方に放熱用のヒート
シンクを配設することにより、サーマルヘッドの放熱が
良好となり、このヒートシンクの両端に、発熱抵抗体と
接するプラテンローラを挟み込むアームを設けたことに
より、プラテンローラの中心と発熱抵抗体との位置決め
用ブラケットの配設を省略できる。このため、サーマル
ヘッドの小型化が図れる。Further, by disposing a heat sink for heat radiation below the second substrate, heat radiation of the thermal head is improved. Arms for sandwiching a platen roller in contact with the heat generating resistor are provided at both ends of the heat sink. Thus, the arrangement of the bracket for positioning the center of the platen roller and the heating resistor can be omitted. Therefore, the size of the thermal head can be reduced.
【0026】また、本発明のサーマルヘッドの製造方法
において、第1の基板に発熱抵抗体を駆動させる集積回
路を実装する集積回路実装工程の後、第1の基板と集積
回路とをワイヤボンディングにより電気的に接続する第
1の接続工程を行い、その後に第1の基板と第2の基板
を接合する工程を行って、第2の基板と集積回路とを電
気的に接続する第2の接続工程を行うことにした。この
ため、第1の基板と集積回路とをワイヤボンディングを
ワイヤボンディングに好適な温度(第2の基板のガラス
転移温度以上、例えば200℃〜250℃)で行うこと
ができ、一方、軟化しやすい第2の基板と集積回路とを
ワイヤボンディングする場合には、その第2の基板のガ
ラス転移温度以下(130℃以下)でワイヤボンディン
グを行うことができる。このため、第1の基板と集積回
路とのワイヤボンディングの不良率が低下し、サーマル
ヘッドの信頼性を向上する。In the method of manufacturing a thermal head according to the present invention, after the integrated circuit mounting step of mounting the integrated circuit for driving the heating resistor on the first substrate, the first substrate and the integrated circuit are bonded by wire bonding. Performing a first connection step of electrically connecting, and thereafter performing a step of joining the first substrate and the second substrate, and performing a second connection for electrically connecting the second substrate and the integrated circuit; I decided to do the process. Therefore, wire bonding between the first substrate and the integrated circuit can be performed at a temperature suitable for wire bonding (equal to or higher than the glass transition temperature of the second substrate, for example, 200 ° C. to 250 ° C.). When wire bonding the second substrate and the integrated circuit, the wire bonding can be performed at a temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the second substrate (130 ° C. or lower). For this reason, the failure rate of wire bonding between the first substrate and the integrated circuit is reduced, and the reliability of the thermal head is improved.
【0027】[0027]
【実施例】以下、図に基づいて本発明の好適な実施例を
説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0028】第1の実施例 図1は、本発明に係るサーマルヘッドの第1の実施例の
断面図である。図2は、本発明に係るサーマルヘッドの
第1の実施例の斜視図である。図3は、本発明に係るサ
ーマルヘッドの第1の実施例の要部斜視拡大図である。
図4は、本発明に係るサーマルヘッドの第1の実施例の
製造方法を説明する工程フローチャートである。前記従
来のものと同一または相当部分には同一符号を付して、
説明を省略する。 First Embodiment FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of a thermal head according to the present invention. FIG. 2 is a perspective view of the first embodiment of the thermal head according to the present invention. FIG. 3 is an enlarged perspective view of a main part of the first embodiment of the thermal head according to the present invention.
FIG. 4 is a process flowchart illustrating a method for manufacturing the thermal head according to the first embodiment of the present invention. The same or equivalent parts as those of the conventional one are denoted by the same reference numerals,
Description is omitted.
【0029】図1〜図3において、4は、発熱抵抗体1
を有する第1の基板2上にダイボンド実装された集積回
路(IC)である。また、図1及び図3において、5A
は、この集積回路4から第1の基板2上に配線されたパ
ターン内のボンディングパッド10Aに接続されている
ボンディングワイヤである。更に、5Bは、集積回路4
から第2の基板3上のパターン内のボンディングパッド
10Bに接続されているボンディングワイヤである。ま
た、8は、第1の基板2と第2の基板3とを接合するた
めの接着樹脂であり、通常両面テープまたは弾力性のあ
る接着剤が用いられる。更に、9は、第2の基板3の下
端に配設され、外部回路とのインターフェイスとなるコ
ネクタである。1 to 3, reference numeral 4 denotes a heating resistor 1;
Is an integrated circuit (IC) die-bonded on the first substrate 2 having 1 and 3, 5A
Are bonding wires connected from the integrated circuit 4 to the bonding pads 10A in the pattern wired on the first substrate 2. 5B is the integrated circuit 4
To the bonding wires connected to the bonding pads 10B in the pattern on the second substrate 3. Reference numeral 8 denotes an adhesive resin for joining the first substrate 2 and the second substrate 3, and usually a double-sided tape or an elastic adhesive is used. Reference numeral 9 denotes a connector provided at the lower end of the second substrate 3 and serving as an interface with an external circuit.
【0030】本実施例のサーマルヘッドは、図4に示さ
れるような工程で製造される。The thermal head of this embodiment is manufactured by the steps shown in FIG.
【0031】まず、第1の基板2上にパターン、複数の
発熱抵抗体及び保護膜を形成する(S101)。通常、
第1の基板2は、複数台のサーマルヘッドを製造するよ
うに設計されている。本発明の特徴は、この複数台分を
含む元の基板サイズのまま第1の基板2に集積回路4を
実装し、更に第1の基板2上のパターン内のボンディン
グパッド10Bと集積回路4とをワイヤボンド接続する
ことである。すなわち、第1の基板2上に集積回路4を
ダイボンド実装する(S102)。その後、金ワイヤボ
ンディングに好適な温度である250℃で第1の基板2
上のパターン内のボンディングパッド10Aと集積回路
4とをワイヤボンド接続する(S103)。そして、第
1の基板2を分割し、第1の基板2と第2の基板3を接
着樹脂8で接合する(S104)。その後、ガラス布基
材エポキシ樹脂銅張積層板等のプリント配線板(PC
B)等から成る第2の基板3のガラス転移温度以下(1
30℃以下)で、集積回路4から第2の基板3上に配線
されたパターン内のボンディングパッド10Bに接続さ
れているワイヤボンド接続する(S105)。その後、
集積回路4及びその近傍にに保護樹脂6を被膜する(S
206)。First, a pattern, a plurality of heating resistors and a protective film are formed on the first substrate 2 (S101). Normal,
The first substrate 2 is designed to manufacture a plurality of thermal heads. A feature of the present invention is that the integrated circuit 4 is mounted on the first substrate 2 while maintaining the original substrate size including the plurality of units, and the bonding pads 10B and the integrated circuit 4 in the pattern on the first substrate 2 Is connected by wire bonding. That is, the integrated circuit 4 is die-bonded on the first substrate 2 (S102). Then, the first substrate 2 is heated at 250 ° C., which is a temperature suitable for gold wire bonding.
The bonding pads 10A in the upper pattern and the integrated circuit 4 are wire-bonded (S103). Then, the first substrate 2 is divided, and the first substrate 2 and the second substrate 3 are joined with the adhesive resin 8 (S104). Then, a printed wiring board (PC such as glass cloth base epoxy resin copper clad laminate)
B) or lower (1)
At 30 ° C. or lower), wire bonding is performed from the integrated circuit 4 to the bonding pad 10B in the pattern wired on the second substrate 3 (S105). afterwards,
The protective resin 6 is coated on the integrated circuit 4 and its vicinity (S
206).
【0032】上記のような構成及び製造工程を有するこ
とによって、以下のような利点がある。すなわち、第1
の基板2と集積回路4とをワイヤボンディングした後、
第1の基板2と第2の基板3とを接合することとしたの
で、金ワイヤボンディングの好適温度である200℃〜
250℃で、集積回路4とセラミック等から成る第1の
基板2とをワイヤボンド接続することができる。これに
より、ボンディングワイヤ5Aと第1の基板2上のパタ
ーン内のボンディングパッド10Aとの接合強度を安定
させることができる。The following advantages are obtained by having the above configuration and manufacturing process. That is, the first
After the substrate 2 and the integrated circuit 4 are wire-bonded,
Since the first substrate 2 and the second substrate 3 are joined together, the preferable temperature for gold wire bonding is 200 ° C.
At 250 ° C., the integrated circuit 4 can be wire-bonded to the first substrate 2 made of ceramic or the like. Thereby, the bonding strength between the bonding wires 5A and the bonding pads 10A in the pattern on the first substrate 2 can be stabilized.
【0033】本発明者の実験によれば、グレーズドセラ
ミック基板上に形成された金パターン0.3μm上に2
5μmの純度99.9%の金ボンディングワイヤをワイ
ヤボンディング実装した場合、従来の構成及び製造工程
(すなわち、130℃以下でワイヤボンディング)で得
られるサーマルヘッドは、ボンディングプルテストの平
均値が2〜3g程度であるのに対して、本発明のサーマ
ルヘッドの場合は、平均値が9g程度と向上することが
確認されている。これは、金ワイヤボンディング5Aと
ボンディングパッド10Aとの化合反応が熱により促進
されたためであると考えられる。According to the experiment of the present inventors, it was found that the gold pattern formed on the glazed ceramic substrate
When a gold bonding wire having a purity of 99.9% of 5 μm is mounted by wire bonding, the thermal head obtained by the conventional configuration and manufacturing process (that is, wire bonding at 130 ° C. or lower) has an average value of 2 to 2 in the bonding pull test. It has been confirmed that the average value is improved to about 9 g in the case of the thermal head of the present invention, while it is about 3 g. This is considered to be because the chemical reaction between the gold wire bonding 5A and the bonding pad 10A was promoted by heat.
【0034】また、第1の基板2を各台毎に分割し、第
1の基板2と第2の基板3と接合してから、集積回路4
と第2の基板3のボンディングパッド10Bとをワイヤ
ボンディングすることとしたので、ガラス布基材エポキ
シ樹脂銅張積層板等のプリント配線板(PCB)等から
成る第2の基板3の軟化点以下、すなわちガラス転移温
度以下(130℃以下)でワイヤボンディングすること
ができる。Further, the first substrate 2 is divided into individual units, and the first substrate 2 and the second substrate 3 are joined together.
And the bonding pads 10B of the second substrate 3 are wire-bonded, so that the softening point of the second substrate 3 made of a printed wiring board (PCB) such as a glass cloth base epoxy resin copper-clad laminate or the like is lower than the softening point. That is, wire bonding can be performed at a glass transition temperature or lower (130 ° C. or lower).
【0035】通常、サーマルヘッド全面のワイヤボンデ
ィング数は、上述の通り[1728ビット+約200ビ
ット]であり、合計約2000ビット以上である。そし
て、第1の基板2へのワイヤボンディング数が全体の約
90%を占めている。Usually, the number of wire bondings on the entire surface of the thermal head is [1728 bits + about 200 bits] as described above, which is about 2000 bits or more in total. The number of wire bonds to the first substrate 2 accounts for about 90% of the whole.
【0036】従って、本発明によれば、ワイヤボンデイ
ング不良率が大幅に低下し、サーマルヘッドの信頼性も
向上する。Therefore, according to the present invention, the defective rate of wire bonding is greatly reduced, and the reliability of the thermal head is also improved.
【0037】第2の実施例 次に、本発明に係るサーマルヘッドの第2の実施例につ
いて説明する。Second Embodiment Next, a description will be given of a second embodiment of the thermal head according to the present invention.
【0038】図5は、本発明に係るサーマルヘッドの第
2の実施例の断面図である。図6は、本発明に係るサー
マルヘッドの第2の実施例の斜視図である。前記従来の
ものと同一または相当部分には同一符号を付して、説明
を省略する。FIG. 5 is a sectional view of a second embodiment of the thermal head according to the present invention. FIG. 6 is a perspective view of a second embodiment of the thermal head according to the present invention. The same reference numerals are given to the same or corresponding portions as those of the conventional one, and the description is omitted.
【0039】符号11は、感熱紙のサイズ、感熱紙の有
無、またはエンドマーク・スタートマーク等を検出する
検出素子である。そして、この検出素子11は、第2の
基板3上に接着剤または半田付け等により機械的・電気
的に接合されている。これにより、ホトセンサまたはリ
ミットスイッチ等の検出素子との電気的信号を第2の基
板3のコネクタ9を介して外部に出力することができ
る。Reference numeral 11 denotes a detecting element for detecting the size of the thermal paper, the presence / absence of the thermal paper, or the end mark / start mark. The detection element 11 is mechanically and electrically joined to the second substrate 3 by an adhesive or soldering. Thus, an electrical signal with a photosensor or a detection element such as a limit switch can be output to the outside via the connector 9 of the second substrate 3.
【0040】第3の実施例 次に、本発明に係るサーマルヘッドの第3の実施例につ
いて説明する。 Third Embodiment Next, a third embodiment of the thermal head according to the present invention will be described.
【0041】図7は、本発明に係るサーマルヘッドの第
3の実施例の側面図である。図8は、本発明に係るサー
マルヘッドの第3の実施例の斜視図である。前記従来の
ものと同一または相当部分には同一符号を付して、説明
を省略する。FIG. 7 is a side view of a third embodiment of the thermal head according to the present invention. FIG. 8 is a perspective view of a third embodiment of the thermal head according to the present invention. The same reference numerals are given to the same or corresponding portions as those of the conventional one, and the description is omitted.
【0042】符号7は、サーマルヘッドの熱を放熱する
ヒートシンクである。これにより、サーマルヘッドの熱
を逃すことができる。本実施例の特徴は、このヒートシ
ンク7を図7及び図8の7Aのようにサーマルヘッドの
両端にアームを突出させたことである。このアームは、
プラテンローラ12の外径を挟み込み、プラテンローラ
12と発熱抵抗体1との位置決め機構の役目を有する。
これにより、従来のサーマルヘッドに別途取り付けられ
ていた位置決め用ブラケットが不要となり、サーマルヘ
ッドを更に小型化することができる。Reference numeral 7 is a heat sink for radiating heat of the thermal head. Thereby, the heat of the thermal head can be released. The feature of this embodiment is that this heat sink 7 has arms protruding from both ends of the thermal head as shown at 7A in FIGS. This arm
It has a role of a positioning mechanism for sandwiching the outer diameter of the platen roller 12 and positioning the platen roller 12 and the heating resistor 1.
This eliminates the need for a positioning bracket separately attached to the conventional thermal head, and can further reduce the size of the thermal head.
【0043】なお、上記実施例では、プラテンローラ1
2の中心と発熱抵抗体1との位置決めにプラテンローラ
の外径を挟み込む機構を示したが、サーマルヘッドのヒ
ートシンク7の両端から発熱抵抗体1とすでに位置決め
されたピンを配設してサーアマルヘッドヘッド筺体を介
してプラテンローラ12の中心と発熱抵抗体1との位置
決めしても同様の効果を奏する。In the above embodiment, the platen roller 1
Although the mechanism for sandwiching the outer diameter of the platen roller in positioning the center of the heating resistor 2 and the heating resistor 1 has been described, the heating resistor 1 and the pins already positioned are arranged from both ends of the heat sink 7 of the thermal head. The same effect can be obtained by positioning the center of the platen roller 12 and the heating resistor 1 via the head housing.
【0044】[0044]
【発明の効果】以上のように、本発明のサーマルヘッド
において、第1の基板上に発熱抵抗体を駆動する集積回
路を実装し、第1の基板と第2の基板との接合前に第1
の基板と集積回路をワイヤボンディングするので、金ワ
イヤボンディングの好適温度(200℃〜250℃)で
行うことができる。これにより、第1の基板と集積回路
とのワイヤボンディングの不良率が低下され、サーマル
ヘッドの信頼性を向上させることができる。As described above, in the thermal head of the present invention, the integrated circuit for driving the heating resistor is mounted on the first substrate, and the first substrate is bonded to the second substrate before the first substrate is joined to the second substrate. 1
Since the substrate and the integrated circuit are bonded by wire, the bonding can be performed at a preferable temperature (200 ° C. to 250 ° C.) for gold wire bonding. Thereby, the defect rate of wire bonding between the first substrate and the integrated circuit is reduced, and the reliability of the thermal head can be improved.
【0045】また、第1の基板上に発熱抵抗体を駆動す
る集積回路を実装することにより、第2の基板の面積を
縮小することができる。このため、サーマルヘッドの小
型化が図れる。Further, by mounting an integrated circuit for driving the heating resistor on the first substrate, the area of the second substrate can be reduced. Therefore, the size of the thermal head can be reduced.
【0046】更に、第2の基板の下方に放熱用のヒート
シンクを配設することにより、サーマルヘッドの放熱が
良好となり、このヒートシンクの両端に、発熱抵抗体と
接するプラテンローラを挟み込むアームを設けたことに
より、プラテンローラの中心と発熱抵抗体との位置決め
用ブラケットの配設を省略することができ、サーマルヘ
ッドの小型化が図れる。Further, by disposing a heat sink for heat radiation below the second substrate, heat radiation of the thermal head is improved. Arms for sandwiching a platen roller in contact with the heating resistor are provided at both ends of the heat sink. Thus, the arrangement of the bracket for positioning the center of the platen roller and the heating resistor can be omitted, and the thermal head can be reduced in size.
【0047】また、本発明のサーマルヘッドの製造方法
において、第1の基板に発熱抵抗体を駆動させる集積回
路を実装する集積回路実装工程の後、第1の基板と集積
回路とをワイヤボンディングにより電気的に接続する第
1の接続工程を行い、その後に第1の基板と第2の基板
を接合する工程を行って、第2の基板と集積回路とを電
気的に接続する第2の接続工程を行うこととした。この
ため、第1の基板と集積回路とをワイヤボンディングを
ワイヤボンディングに好適な温度(第2の基板のガラス
転移温度以上、例えば200℃〜250℃)で行うこと
ができ、一方、軟化しやすい第2の基板と集積回路とを
ワイヤボンディングする場合には、その第2の基板のガ
ラス転移温度以下(130℃以下)でワイヤボンディン
グを行うことができる。これにより、第1の基板と集積
回路とのワイヤボンディングの不良率が低下され、サー
マルヘッドの信頼性を向上させることができる。In the method of manufacturing a thermal head according to the present invention, after the integrated circuit mounting step of mounting the integrated circuit for driving the heating resistor on the first substrate, the first substrate and the integrated circuit are bonded by wire bonding. Performing a first connection step of electrically connecting, and thereafter performing a step of joining the first substrate and the second substrate, and performing a second connection for electrically connecting the second substrate and the integrated circuit; The process was performed. Therefore, wire bonding between the first substrate and the integrated circuit can be performed at a temperature suitable for wire bonding (equal to or higher than the glass transition temperature of the second substrate, for example, 200 ° C. to 250 ° C.). When wire bonding the second substrate and the integrated circuit, the wire bonding can be performed at a temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the second substrate (130 ° C. or lower). Thereby, the defect rate of wire bonding between the first substrate and the integrated circuit is reduced, and the reliability of the thermal head can be improved.
【0048】以上のことより、小型かつ高品質のサーマ
ルヘッドが得られる。As described above, a small and high quality thermal head can be obtained.
【図1】本発明に係るサーマルヘッドの第1の実施例の
断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of a thermal head according to the present invention.
【図2】本発明に係るサーマルヘッドの第1の実施例の
斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a first embodiment of the thermal head according to the present invention.
【図3】本発明に係るサーマルヘッドの第1の実施例の
要部斜視拡大図である。FIG. 3 is an enlarged perspective view of a main part of the first embodiment of the thermal head according to the present invention.
【図4】本発明に係るサーマルヘッドの第1の実施例の
製造方法を説明する工程フローチャートである。FIG. 4 is a process flowchart illustrating a method for manufacturing a thermal head according to a first embodiment of the present invention.
【図5】本発明に係るサーマルヘッドの第2の実施例の
断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a second embodiment of the thermal head according to the present invention.
【図6】本発明に係るサーマルヘッドの第2の実施例の
斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a second embodiment of the thermal head according to the present invention.
【図7】本発明に係るサーマルヘッドの第3の実施例の
側面図である。FIG. 7 is a side view of a third embodiment of the thermal head according to the present invention.
【図8】本発明に係るサーマルヘッドの第3の実施例の
斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of a third embodiment of the thermal head according to the present invention.
【図9】従来のサーマルヘッドの断面図である。FIG. 9 is a sectional view of a conventional thermal head.
【図10】従来のサーマルヘッドの製造工程を説明する
工程フローチャートである。FIG. 10 is a process flowchart illustrating a conventional thermal head manufacturing process.
1 発熱抵抗体 2 第1の基板 3 第2の基板 4 集積回路 5、5A、5B ボンディングワイヤ 6 保護樹脂 7、7A ヒートシンク 8 接着樹脂 9 コネクタ 11 検出素子 12 プラテンローラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heating resistor 2 1st board 3 2nd board 4 Integrated circuit 5, 5A, 5B Bonding wire 6 Protective resin 7, 7A Heat sink 8 Adhesive resin 9 Connector 11 Detection element 12 Platen roller
Claims (7)
板と、第 2のプリント基板とを有するサーマルヘッドにおい
て、 前記第1の基板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積
回路が形成され、 前記集積回路と第1の基板とを電気的に接続される場合
は、第2の基板のガラス転移温度以上でワイヤボンディ
ングされ、 前記集積回路と第2の基板とを電気的に接続する場合
は、前記第2の基板のガラス転移温度以下でワイヤボン
ディングされることを特徴とするサーマルヘッド。A first substrate 1. A plurality of heating resistors are formed, in a thermal head and a second printed circuit board, on the first substrate, an integrated circuit for driving the heating resistor Is formed, and when the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, wire bonding is performed at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the second substrate, and the integrated circuit and the second substrate are electrically connected. When connecting, the thermal head is wire-bonded below the glass transition temperature of the second substrate.
板と、第 2のプリント基板とを有するサーマルヘッドにおい
て、 前記第1の基板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積
回路が形成され、 前記集積回路と第1の基板とを電気的に接続される場合
は、200℃〜250℃でワイヤボンディングされ、 前記集積回路と第2の基板とを電気的に接続する場合
は、130℃以下でワイヤボンディングされることを特
徴とするサーマルヘッド。A first substrate 2. A plurality of heating resistors are formed, in a thermal head and a second printed circuit board, on the first substrate, an integrated circuit for driving the heating resistor When the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, wire bonding is performed at 200 ° C. to 250 ° C. When the integrated circuit is electrically connected to the second substrate, A thermal head which is wire-bonded at 130 ° C. or lower.
板と、第 2のプリント基板とを有するサーマルヘッドにおい
て、 前記第2の基板上に第1の基板が配設され、 前記第1の基板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積
回路が形成され、 前記集積回路と第1の基板とを電気的に接続される場合
は、第2の基板のガラス転移温度以上でワイヤボンディ
ングされ、 前記集積回路と第2の基板とを電気的に接続する場合
は、前記第2の基板のガラス転移温度以下でワイヤボン
ディングされることを特徴とするサーマルヘッド。A first substrate 3. A plurality of heating resistors are formed, in a thermal head and a second printed circuit board, the first substrate is disposed on the second substrate, the first An integrated circuit for driving the heating resistor is formed on the first substrate. When the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, a wire is formed at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the second substrate. A thermal head, wherein, when the integrated circuit is electrically connected to the second substrate, wire bonding is performed at a temperature equal to or lower than a glass transition temperature of the second substrate.
板と、第 2のプリント基板とを有するサーマルヘッドにおい
て、 前記第2の基板上に第1の基板が配設され、 前記第1の基板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積
回路が形成され、 前記集積回路と第1の基板とを電気的に接続される場合
は、第2の基板のガラス転移温度以上でワイヤボンディ
ングされ、 前記集積回路と第2の基板とを電気的に接続する場合
は、前記第2の基板のガラス転移温度以下でワイヤボン
ディングされ、 前記第2の基板は、放熱用のヒートシンク上に配設され
ていることを特徴とするサーマルヘッド。A first substrate 4. A plurality of heating resistors are formed, in a thermal head and a second printed circuit board, the first substrate is disposed on the second substrate, the first An integrated circuit for driving the heating resistor is formed on the first substrate. When the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, a wire is formed at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the second substrate. When the integrated circuit and the second substrate are electrically connected, wire bonding is performed at a temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the second substrate, and the second substrate is disposed on a heat sink for heat radiation. A thermal head, which is provided.
板と、第 2のプリント基板とを有するサーマルヘッドにおい
て、 前記第2の基板上に第1の基板が配設され、 前記第1の基板上には、前記発熱抵抗体を駆動する集積
回路が形成され、 前記集積回路と第1の基板とを電気的に接続される場合
は、第2の基板のガラス転移温度以上でワイヤボンディ
ングされ、 前記集積回路と第2の基板とを電気的に接続する場合
は、前記第2の基板のガラス転移温度以下でワイヤボン
ディングされ、 前記第2の基板は、放熱用のヒートシンク上に配設さ
れ、 前記ヒートシンクは、前記発熱抵抗体と接するプラテン
ローラを挟み込むように両端にアームが設けられている
ことを特徴とするサーマルヘッド。A first substrate wherein the plurality of heating resistors are formed, in a thermal head and a second printed circuit board, the first substrate is disposed on the second substrate, the first An integrated circuit for driving the heating resistor is formed on the first substrate. When the integrated circuit is electrically connected to the first substrate, a wire is formed at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the second substrate. When the integrated circuit and the second substrate are electrically connected, wire bonding is performed at a temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the second substrate, and the second substrate is disposed on a heat sink for heat radiation. A thermal head, wherein the heat sink is provided with arms at both ends so as to sandwich a platen roller in contact with the heating resistor.
る発熱抵抗体形成工程と、 前記第1の基板に前記発熱抵抗体を駆動させる集積回路
を実装する集積回路実装工程と、 前記第1の基板と前記集積回路とを第2の基板のガラス
転移温度以上でワイヤボンディングにより電気的に接続
する第1の接続工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板を接合する接合工程
と、 前記第2の基板と前記集積回路とを第2の基板のガラス
転移温度以下でワイヤボンディングにより電気的に接続
する第2の接続工程と、 を有することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。6.No.Forming multiple heating resistors on one substrate
Heating resistor forming process, An integrated circuit for driving the heating resistor on the first substrate
An integrated circuit mounting step of mounting the first substrate and the integrated circuit on a glass of a second substrate
Electrical connection by wire bonding above the transition temperature
A first connecting step, and a joining step of joining the first substrate and the second substrate
And the second substrate and the integrated circuit are glass of a second substrate.
Electrical connection by wire bonding below the transition temperature
A method for manufacturing a thermal head, comprising:
る発熱抵抗体形成工程と、 前記第1の基板に前記発熱抵抗体を駆動させる集積回路
を実装する集積回路実装工程と、 前記第1の基板と前記集積回路とを200℃〜250℃
でワイヤボンディングにより電気的に接続する第1の接
続工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板を接合する接合工程
と、 前記第2の基板と前記集積回路とを130℃以下でワイ
ヤボンディングにより電気的に接続する第2の接続工程
と、 前記集積回路を保護樹脂で被膜する被膜工程と、 を有することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。7.No.Forming multiple heating resistors on one substrate
Heating resistor forming process, An integrated circuit for driving the heating resistor on the first substrate
Mounting the first substrate and the integrated circuit at 200 ° C. to 250 ° C.
The first connection electrically connected by wire bonding at
A continuation step; and a bonding step of bonding the first substrate and the second substrate.
And bonding the second substrate and the integrated circuit at 130 ° C. or less.
Second connection step of electrically connecting by wire bonding
And a coating step of coating the integrated circuit with a protective resin.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25168093A JP2820870B2 (en) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | Thermal head and manufacturing method |
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---|---|---|---|
JP25168093A JP2820870B2 (en) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | Thermal head and manufacturing method |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH07101092A JPH07101092A (en) | 1995-04-18 |
JP2820870B2 true JP2820870B2 (en) | 1998-11-05 |
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