JP2819588B2 - Hard carbon film generator - Google Patents
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- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 title description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、たとえば磁気ディスク，磁気ヘッド，及
び光学部品等の保護膜として用いられる硬質カーボン膜
の製造装置に関し、特に、ECR（Electron Cyclotron Re
sonans:電子サイクロトロン共鳴）プラズマCVD法により
硬質カーボン膜を生成する装置に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a hard carbon film used as a protective film of, for example, a magnetic disk, a magnetic head, and an optical component.
The present invention relates to an apparatus for forming a hard carbon film by a plasma CVD method.
磁気ディスク，磁気ヘッドの保護膜及び光学部品等の
保護膜として、硬質カーボン膜であるダイヤモンド状膜
（以下、DLC膜と記す）が用いられている。A diamond-like film (hereinafter, referred to as a DLC film), which is a hard carbon film, is used as a protective film for a magnetic disk, a magnetic head, and a protective film for optical components and the like.
このDLC膜を生成する技術として、最近、ECRプラズCV
D法が開発され、既に実用に供されている。その例とし
て、例えば特開昭60−103099号や特開昭60−195092号に
記載されるものがある。Recently, as a technology for producing this DLC film, ECR Plas CV
Method D has been developed and is already in practical use. Examples thereof are described in, for example, JP-A-60-1003099 and JP-A-60-195092.
これらの公報ではいずれも、プラズマ室周囲に配設さ
れた電磁コイルに通電してプラズマ室内に875ガウスの
磁界を発生させ、この状態で、前記プラズマ室に2.45GH
zのマイクロ波を導入し、このプラズマ室に電子サイク
ロトロン共鳴による放電を起こさせ高密度プラズマを発
生させるようにしている。そしてこのプラズマ流を試料
室内に引込んで基板に照射させ、この基板上に薄膜を堆
積させるようにしている。In each of these publications, an electromagnetic coil disposed around the plasma chamber is energized to generate a 875 gauss magnetic field in the plasma chamber. In this state, 2.45 GH is applied to the plasma chamber.
The microwave of z is introduced to cause a discharge by electron cyclotron resonance in this plasma chamber to generate a high density plasma. Then, the plasma flow is drawn into the sample chamber and irradiated on the substrate to deposit a thin film on the substrate.
前記いずれの公報においても、反応ガスはプラズマ室
側から導入されるようになっている。In each of the above publications, the reaction gas is introduced from the plasma chamber side.
ところが、ECRプラズマは高い分解能力を持っている
ため、反応ガスとして炭化水素系のガスを用い、プラズ
マ室側からこの炭化水素系ガスを導入した場合には、炭
化水素が分解され過ぎて大量のＨラジカルが発生し、こ
れが膜中に取り込まれてDLC膜が生成できない場合があ
った。DLC膜の生成においては、反応を促進させる必要
から反応圧力を高くしなければならないため、このよう
な現象がより一層増長されることになるとともに、この
結果、膜厚分布を良好にできない。However, since ECR plasma has a high decomposition ability, when a hydrocarbon-based gas is used as a reaction gas and this hydrocarbon-based gas is introduced from the plasma chamber side, the hydrocarbon is decomposed too much and a large amount of In some cases, H radicals were generated and were incorporated into the film, making it impossible to form a DLC film. In the production of the DLC film, the reaction pressure must be increased to promote the reaction, so that such a phenomenon is further increased, and as a result, the film thickness distribution cannot be improved.
この発明の目的は、DLC膜等の硬質カーボン膜を安定
して生成することができる硬質カーボン膜生成装置を提
供することにある。An object of the present invention is to provide a hard carbon film generation device capable of stably generating a hard carbon film such as a DLC film.
この発明に係る硬質カーボン膜生成装置は、マイクロ
波が導入されプラズマを発生するためのプラズマ室と、
このプラズマ室の周囲に配設され、前記プラズマ室内に
電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁界を形成するた
めの磁気回路と、前記プラズマ室内に発生したプラズマ
流が照射される基板が内部に配置される試料室と、前記
試料室内の前記プラズマ室と試料室とを仕切る隔壁の近
くに設けられ、反応ガスを均等に噴出するように構成さ
れた反応ガス導入手段とを備えたことを特徴としてい
る。A hard carbon film generation device according to the present invention includes a plasma chamber for generating plasma when microwaves are introduced,
A magnetic circuit arranged around the plasma chamber for forming a magnetic field satisfying an electron cyclotron resonance condition in the plasma chamber, and a sample in which a substrate to which a plasma flow generated in the plasma chamber is irradiated is disposed therein And a reaction gas introducing means provided near a partition wall separating the plasma chamber and the sample chamber in the sample chamber and configured to uniformly eject the reaction gas.
この発明に係る硬質カーボン膜生成装置では、反応ガ
スは試料室側から導入される。したがって、高い分解能
力を有するECRプラズマによりプラズマ室内の反応ガス
の分解過剰が防止される。これにより、たとえば反応ガ
スとして炭化水素系のガスを用いた場合には、この炭化
水素系ガスの分解過剰によるＨラジカルの大量発生が抑
えられる。In the apparatus for producing a hard carbon film according to the present invention, the reaction gas is introduced from the sample chamber side. Therefore, excessive decomposition of the reaction gas in the plasma chamber is prevented by the ECR plasma having a high decomposition ability. Thus, for example, when a hydrocarbon-based gas is used as the reaction gas, the generation of a large amount of H radicals due to excessive decomposition of the hydrocarbon-based gas can be suppressed.
また、反応ガスは試料室内に均等に噴出する。 Further, the reaction gas is evenly ejected into the sample chamber.
第１図は本発明の一実施例による硬質カーボン膜生成
装置の断面構成図である。図において、１は導入される
マイクロ波（周波数2.45GHz）に対して空洞共振器とな
るように構成されたプラズマ室である。プラズマ室１に
は、石英等で構成されたマイクロ波導入窓２を介してマ
イクロ波導入用の導波管３が接続されている。FIG. 1 is a sectional configuration diagram of a hard carbon film generation apparatus according to one embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a plasma chamber configured to be a cavity resonator for an introduced microwave (frequency 2.45 GHz). A microwave introduction waveguide 3 is connected to the plasma chamber 1 via a microwave introduction window 2 made of quartz or the like.
プラズマ室１の周囲には、プラズマ発生用の磁気回路
として電磁コイル4a,4bが配設されている。この電磁コ
イル4a,4bによる磁界の強度は、マイクロ波による電子
サイクロトロン共鳴の条件がプラズマ室１の内部で成立
するように決定される。この電磁コイル4a,4bによって
下方に向けて発散する発散磁界が形成される。Around the plasma chamber 1, electromagnetic coils 4a and 4b are arranged as a magnetic circuit for generating plasma. The strength of the magnetic field generated by the electromagnetic coils 4a and 4b is determined so that the conditions of the electron cyclotron resonance by the microwave are satisfied inside the plasma chamber 1. A diverging magnetic field diverging downward is formed by the electromagnetic coils 4a and 4b.
プラズマ室１の下方には、試料室５が設けられてい
る。試料室５には、プラズマ室１から引き出されたプラ
ズマ流Ｍが照射される基板７が基板ホルダー８に保持さ
れている。基板ホルダー８には支軸９が取り付けられて
おり、この支軸９は図示しない昇降装置により昇降可能
になっている。また基板ホルダー８は、支軸９を介して
高周波電源10に接続されている。基板ホルダー８の上方
には、プラズマ流Ｍの基板７への照射を制限するための
シャッタ11が設けられている。シャッタ11はピン11aの
回りに回動自在に設けられており、閉位置（実線）及び
開位置（２点鎖線）をとり得るようになっている。Below the plasma chamber 1, a sample chamber 5 is provided. In the sample chamber 5, a substrate 7 to be irradiated with the plasma flow M drawn from the plasma chamber 1 is held by a substrate holder 8. A support shaft 9 is attached to the substrate holder 8, and the support shaft 9 can be moved up and down by a lifting device (not shown). The substrate holder 8 is connected to a high frequency power supply 10 via a support shaft 9. Above the substrate holder 8, a shutter 11 is provided for restricting the irradiation of the substrate 7 with the plasma flow M. The shutter 11 is rotatably provided around the pin 11a, and can take a closed position (solid line) and an open position (two-dot chain line).
試料室５内のシャッタ11上方には、反応ガスを試料室
５内に導入するための反応ガス散布管６が設けられてい
る。このガス散布管６は、第２図に示すように、外部か
ら反応ガスが導入される直線状のガス導入部6aと、この
導入部6aに接続された円環状のガス散布部6bとから構成
されている。散布部6bには、円環の径方向から上方約45
゜の方向に複数の孔（図では８個）61が形成されてい
る。この孔61の隣合うもの同士のピッチは、ガス導入部
6a側が最も大きく、ガス導入部側から遠ざかるに従い徐
々に小さくなっている。なお、基板ホルダー８には、冷
却水が循環するジャケット（図示せず）が装着されてい
る。Above the shutter 11 in the sample chamber 5, there is provided a reaction gas distribution tube 6 for introducing a reaction gas into the sample chamber 5. As shown in FIG. 2, the gas distribution tube 6 includes a linear gas introduction portion 6a into which a reaction gas is introduced from the outside, and an annular gas distribution portion 6b connected to the introduction portion 6a. Have been. The spraying part 6b has a height of approximately 45 from the radial direction of the ring.
A plurality of holes (eight in the figure) 61 are formed in the direction of ゜. The pitch between adjacent ones of the holes 61 depends on the gas introduction section.
The 6a side is the largest, and gradually decreases as the distance from the gas inlet side increases. The substrate holder 8 is provided with a jacket (not shown) through which cooling water circulates.
次に、作用効果について説明する。 Next, the operation and effect will be described.
まず、図示しない排気系によりプラズマ室１及び試料
室５を真空状態にする。次に、反応ガス散布管６を通
じ、メタンガスCH4を導入する。メタンガスは、ガス散
布管６の散布部6bに形成された孔61から、散布部6bの内
側45゜上方に噴出する。このとき、前述のように、ガス
散布管６に形成された孔61は、導入部6a側の方が数が少
ない。したがって、導入部6aに導入されたメタンガスは
各孔からほぼ均等に噴出する。試料室５内に噴出したメ
タンガスは、試料室５上部の内壁5bに衝突して、下方に
拡散する。First, the plasma chamber 1 and the sample chamber 5 are evacuated by an exhaust system (not shown). Next, methane gas CH 4 is introduced through the reaction gas distribution pipe 6. The methane gas is ejected from a hole 61 formed in the spraying portion 6b of the gas spraying tube 6 to a position 45 ° above the inside of the spraying portion 6b. At this time, as described above, the number of the holes 61 formed in the gas distribution tube 6 is smaller on the introduction portion 6a side. Therefore, the methane gas introduced into the introduction section 6a is ejected from the holes almost uniformly. The methane gas ejected into the sample chamber 5 collides with the inner wall 5b on the upper part of the sample chamber 5 and diffuses downward.
次に、プラズマ室１の周囲に設けられた電磁コイル4
a,4bに通電して、プラズマ室１内の磁束密度が875ガウ
スになるようにする。次に導波管２を介して周波数2.45
GHzのマイクロ波をプラズマ室１に導入する。このよう
な条件により、プラズマ室１内においては、875ガウス
の磁場により回転する電子の周波数とマイクロ波の周波
数2.45GHzとが一致し、電子サイクロトロン共鳴を起こ
す。したがって、電子はマイクロ波から効率よくエネル
ギーを吸収し、低ガス圧にて高密度のプラズマが発生す
る。Next, the electromagnetic coil 4 provided around the plasma chamber 1
Electric current is supplied to a and 4b so that the magnetic flux density in the plasma chamber 1 becomes 875 gauss. Next, the frequency 2.45 is passed through the waveguide 2.
A microwave of GHz is introduced into the plasma chamber 1. Under these conditions, in the plasma chamber 1, the frequency of electrons rotating by a magnetic field of 875 gauss matches the frequency of microwaves of 2.45 GHz, causing electron cyclotron resonance. Therefore, the electrons efficiently absorb energy from the microwave, and a high-density plasma is generated at a low gas pressure.
このプラズマ室１内に発生したプラズマは、電磁コイ
ル4a,4bによって形成される発散磁界の磁力線に沿って
引き出される。この状態でシャッタ11を開くと（２点鎖
線の状態）、プラズマ室１内に発生したプラズマ流は基
板７に照射される。The plasma generated in the plasma chamber 1 is drawn out along the lines of magnetic force of the divergent magnetic field formed by the electromagnetic coils 4a and 4b. When the shutter 11 is opened in this state (the state shown by the two-dot chain line), the plasma flow generated in the plasma chamber 1 is irradiated on the substrate 7.
このとき、基板７には高周波数電源10が接続されてい
るので、周期的に正，負の電位がかかる。この結果、基
板７に負の自己バイアスが発生し、これによりプラズマ
中の正イオンが引き込まれ、基板７上にDLC膜が生成さ
れる。また成膜中においては、図示しない移動機構によ
って基板ホルダ８を昇降させて、基板７上の膜厚分布が
良好なものになるようにする。At this time, since the high frequency power supply 10 is connected to the substrate 7, positive and negative potentials are applied periodically. As a result, a negative self-bias is generated in the substrate 7, whereby positive ions in the plasma are attracted, and a DLC film is generated on the substrate 7. During the film formation, the substrate holder 8 is moved up and down by a moving mechanism (not shown) so that the film thickness distribution on the substrate 7 becomes good.
実験例 プラズマ室１の形状を内径200mm,長さ200mmとし、ガ
ス散布管６として径150mm,孔61の径が0.5mm〜1.5mmのも
のを用いた。メタンガスを流量80sccm（standard cubic
per minutes）で供給し、試料室５内の圧力を６×10-3
Torr、マイクロ波パワーを150W、基板の自己バイアスを
−200Vとした。また基板として直径６インチのシリコン
ウエハを用いた。Experimental Example The plasma chamber 1 had an inner diameter of 200 mm and a length of 200 mm, and the gas distribution tube 6 used had a diameter of 150 mm and the hole 61 had a diameter of 0.5 mm to 1.5 mm. Methane gas flow rate 80sccm (standard cubic
per minutes) and the pressure in the sample chamber 5 is 6 × 10 -3
Torr, microwave power was 150 W, and substrate self-bias was -200 V. A silicon wafer having a diameter of 6 inches was used as a substrate.
約50分後、基板全面に厚さ約0.5μｍの膜が堆積し
た。膜の硬度はHK（ヌープ硬度）＝約2000kg/mm2、屈折
率2.1、H/Cの原子数被比は約0.2であった。After about 50 minutes, a film having a thickness of about 0.5 μm was deposited on the entire surface of the substrate. The hardness of the film was H K (Knoop hardness) = about 2000 kg / mm 2 , the refractive index was 2.1, and the atomic number ratio of H / C was about 0.2.
以上の結果により、生成された膜はDLC膜であると判
断した。また膜厚分布については触針による膜厚測定及
びエリプリメータによる膜厚測定の結果、いずれの判定
においても膜厚分布±５％以内であった。したがって、
良好な膜厚分布を得ることができた。Based on the above results, the generated film was determined to be a DLC film. As for the film thickness distribution, as a result of the film thickness measurement using the stylus and the film thickness measurement using the ellipsometer, it was found that the film thickness distribution was within ± 5% in any judgment. Therefore,
A good film thickness distribution could be obtained.
このような本実施例では、試料室５側から反応ガスを
導入するようにしたので、メタンガスが分解されすぎる
ことによる大量のＨラジカルの発生を抑制することがで
き、これにより安定してDLC膜を生成することができ
る。また試料室内に反応ガスが均等に噴出するように
し、さらに基板ホルダー８を昇降可能にしたので、膜厚
分布を良好なものにすることができる。In this embodiment, since the reaction gas is introduced from the sample chamber 5 side, it is possible to suppress generation of a large amount of H radicals due to excessive decomposition of the methane gas, and thereby, the DLC film is stably formed. Can be generated. In addition, since the reaction gas is uniformly jetted into the sample chamber and the substrate holder 8 can be moved up and down, the film thickness distribution can be improved.
（ａ） 前記ガス散布管６は円環状に限られるものでは
なく、短形状等であってもよい。また、ガス散布管６に
形成される孔61は８個に限定されるものではなく、さら
に孔61の形成される方向は45゜の方向に限定されるもの
ではない。(A) The gas distribution tube 6 is not limited to an annular shape, but may be a short shape or the like. Further, the number of holes 61 formed in the gas distribution pipe 6 is not limited to eight, and the direction in which the holes 61 are formed is not limited to the direction of 45 °.
（ｂ） 前記実施例では、ガス散布管６に形成される孔
61のピッチを変えることにより反応ガスが均等に散布さ
れるようにしたが、たとえば孔61を同ピッチで形成し
て、ガス導入部6a側の孔径を最も小さく、ガス導入部6a
から遠ざかるに従い徐々に大きくなるようにしてもよ
い。この場合でも反応ガスを均等に散布することができ
る。(B) In the above embodiment, the holes formed in the gas distribution tube 6
By changing the pitch of 61, the reaction gas is evenly dispersed.For example, the holes 61 are formed at the same pitch, and the diameter of the gas introduction section 6a side is smallest, and the gas introduction section 6a
The distance may be gradually increased as the distance from the distance increases. Even in this case, the reaction gas can be evenly sprayed.
（ｃ） 反応ガスとしてはメタンガスに限られるもので
はなく、硬質カーボン膜を生成することのできるもので
あれば他の炭化水素系のガスであってもよい。(C) The reaction gas is not limited to methane gas, but may be another hydrocarbon gas as long as it can form a hard carbon film.
（ｄ） また、高周波電源10の周波数は13.56MHzに限定
されるものではない。(D) The frequency of the high-frequency power supply 10 is not limited to 13.56 MHz.
この発明に係る硬質カーボン膜生成装置によれば、試
料室側から反応ガスを導入するようにしたので、メタン
ガスが分解されすぎることによるＨラジカルの大量発生
を防止することができ、これにより安定して硬質カーボ
ン膜を生成することができる。また反応ガスが均等に噴
出するようにしたので、基板上の膜圧分布を良好なもの
にすることができる。According to the hard carbon film generation apparatus of the present invention, since the reaction gas is introduced from the sample chamber side, it is possible to prevent the generation of a large amount of H radicals due to the excessive decomposition of methane gas, thereby stably Thus, a hard carbon film can be formed. In addition, since the reaction gas is evenly ejected, the film pressure distribution on the substrate can be improved.
第１図は本発明の一実施例による硬質カーボン膜生成装
置の断面構成図、第２図は反応ガス散布管の平面図、第
３図はこの散布管のIII−III断面図である。 １……プラズマ室、３……導波管、4a,4b……電磁コイ
ル、５……試料室、６……反応ガス散布管、７……基
板、８……基板ホルダー。FIG. 1 is a sectional configuration view of a hard carbon film generating apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a reaction gas distribution tube, and FIG. 1 ... plasma chamber, 3 ... waveguide, 4a, 4b ... electromagnetic coil, 5 ... sample chamber, 6 ... reactive gas distribution tube, 7 ... substrate, 8 ... substrate holder.
Claims (1)
ためのプラズマ室と、このプラズマ室の周囲に配設さ
れ、前記プラズマ室内に電子サイクロトロン共鳴条件を
満たす磁界を形成するための磁気回路と、前記プラズマ
室内に発生したプラズマ流が照射される基板が内部に配
置される試料室と、前記試料室内の前記プラズマ室と試
料室とを仕切る隔壁の近くに設けられ、反応ガスを均等
に噴出するように構成された反応ガス導入手段とを備え
た硬質カーボン膜生成装置。A plasma chamber for generating a plasma by introducing a microwave; a magnetic circuit disposed around the plasma chamber for forming a magnetic field satisfying an electron cyclotron resonance condition in the plasma chamber; A sample chamber in which a substrate to be irradiated with a plasma flow generated in the plasma chamber is disposed, and a sample chamber is provided near a partition partitioning the plasma chamber and the sample chamber, and uniformly ejects a reaction gas. And a reaction gas introducing means configured as described above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043916A JP2819588B2 (en) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | Hard carbon film generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043916A JP2819588B2 (en) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | Hard carbon film generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225672A JPH02225672A (en) | 1990-09-07 |
| JP2819588B2 true JP2819588B2 (en) | 1998-10-30 |
Family
ID=12677040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1043916A Expired - Fee Related JP2819588B2 (en) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | Hard carbon film generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819588B2 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427827A (en) * | 1991-03-29 | 1995-06-27 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Deposition of diamond-like films by ECR microwave plasma |
| JP2808922B2 (en) * | 1991-04-30 | 1998-10-08 | 株式会社島津製作所 | Method for forming diamond-like carbon film |
| US5626963A (en) * | 1993-07-07 | 1997-05-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same |
| US5691010A (en) * | 1993-10-19 | 1997-11-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Arc discharge plasma CVD method for forming diamond-like carbon films |
| EP0665307A3 (en) * | 1994-01-27 | 1997-04-09 | Canon Sales Co Inc | Film forming CVD-apparatus and method effected by the same. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155717A (en) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Komatsu Ltd | Plasma cvd apparatus |
| JPS63185894A (en) * | 1987-01-28 | 1988-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of diamond thin film or diamond-like thin film |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1043916A patent/JP2819588B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155717A (en) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Komatsu Ltd | Plasma cvd apparatus |
| JPS63185894A (en) * | 1987-01-28 | 1988-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of diamond thin film or diamond-like thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02225672A (en) | 1990-09-07 |
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