JP2807715B2 - Ion beam processing equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、イオンビームによるエッチング及び金属膜
付けを行うイオンビーム加工装置において、IC配線加工
時の回路素子の保護、及び、加工前後のICの動作状態を
観測できるイオンビーム加工装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to an ion beam processing apparatus that performs etching and metal film formation using an ion beam. The present invention relates to an ion beam processing apparatus capable of observing the operation state of an ion beam.
本発明は、イオンビーム加工装置において、IC配線切
断時のチャージアップによる、回路素子の破壊を防ぐた
めに、試料上に配置された探針を切断前に配線へ接触さ
せ、深針を接地することにより、回路素子へのダメージ
をなくすことができる。又、該深針をIC配線に接触し、
オシロスコープ等で観察することにより、加工前後、及
び加工中のICの動作解析を、同一鏡体内で可能にした、
イオンビーム加工装置を提供するものである。The present invention relates to an ion beam processing apparatus, in which a probe arranged on a sample is brought into contact with a wiring before cutting and a deep needle is grounded in order to prevent destruction of a circuit element due to charge-up when cutting an IC wiring. Thereby, damage to the circuit element can be eliminated. Also, the deep needle contacts the IC wiring,
By observing with an oscilloscope etc., it is possible to analyze the operation of IC before and after processing and during processing in the same mirror body,
An ion beam processing apparatus is provided.
〔従来の技術〕 IC配線の高密度化、微細化に伴い、それに対応した評
価・解析技術が必要である。従来、先端の細いタングス
テン針などを、IC配線へ直接接触させ、オシロスコープ
等で観察したり、電子ビームテスタにより、非接触でIC
の表面電位を測定していた。しかし、これらの方法は、
多層配線構造を持つ素子やパシベーション膜の上からの
適用に対しては有効でない。そこで開発されたのが、イ
オンビームエッチングによる、配線上パシベーション膜
の穴あけや、配線の切断、イオンビームCVD法を利用し
た金属膜付けによる、パシベーション膜越しの配線接続
や、プロービングパットの形成等が行える、集束イオン
ビーム加工装置である。この装置を用いて、IC配線上の
パシベーション膜の穴あけや配線の切断、配線の接続や
プロービングパットの形成を行い、機械的深針法や電子
ビームテスタで、ICの内部信号測定が可能になった。
（月刊Semiconductor World 1987.9「FIBを用いたVLSI
の新しい評価・解析技術」）（日本学術振興会第132委
員会第101回研究会資料、1987、11「EBテスタによる高
速バイポーラLSIの故障解析」、「集束イオンビームに
よるICの動作解析及び配線変更」、「集束イオンビーム
を用いた電子ビームスティング技術」） 第２図は、集束イオンビーム加工装置の実施例を示す
図で、１はイオン源、２はビームモニタ、３はコンデン
サレンズ、４はブランカ、５は仕切バルブ、６は可動絞
り、７は８極スティグメータ、８は対物レンズ、９はXY
デフレクタ、10はガス銃、11は二次電子検出器、12はイ
オンビーム、13は試料、18は試料ステージ、19は高圧電
源、20はイオン光学系コントローラ、21はブランキング
コントローラ、22はスキャンコントローラ、23はガス銃
コントローラ、24は二次電子検出コントローラ、25はス
テージドライバ、26はステージコントローラ、27は観察
用CRT、28は制御コンピュータシステムである。[Prior Art] With the increasing density and miniaturization of IC wiring, evaluation and analysis technology corresponding to the technology is required. Conventionally, a thin needle such as a tungsten needle is brought into direct contact with the IC wiring and observed with an oscilloscope or the like.
Was measured for surface potential. However, these methods
It is not effective for an element having a multilayer wiring structure or for application from above a passivation film. Therefore, it was developed to form a hole in the passivation film on the wiring by ion beam etching, cut the wiring, attach a metal film using the ion beam CVD method, connect the wiring through the passivation film, and form a probing pad. A focused ion beam processing device that can be used. Using this device, it is possible to drill holes in the passivation film on the IC wiring, cut the wiring, connect the wiring and form a probing pad, and measure the internal signal of the IC using the mechanical deep needle method and the electron beam tester. Was.
(Monthly Semiconductor World 1987.9 "VLSI using FIB
New Evaluation / Analysis Technology of ") (JSPS 132th Committee, 101st Workshop Meeting, 1987, 11" Failure analysis of high-speed bipolar LSI using EB tester "," IC analysis and wiring using focused ion beam ") FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of a focused ion beam processing apparatus, wherein 1 is an ion source, 2 is a beam monitor, 3 is a condenser lens, Is a blanker, 5 is a partition valve, 6 is a movable diaphragm, 7 is an 8-pole stig meter, 8 is an objective lens, 9 is XY
Deflector, 10 gas gun, 11 secondary electron detector, 12 ion beam, 13 sample, 18 sample stage, 19 high voltage power supply, 20 ion optical system controller, 21 blanking controller, 22 scan A controller, 23 is a gas gun controller, 24 is a secondary electron detection controller, 25 is a stage driver, 26 is a stage controller, 27 is an observation CRT, and 28 is a control computer system.
このような構成の集束イオンビーム装置は、イオン源
１にガリウム等の液体金属イオン源を用い、ビームモニ
タ２によりエミッション電流を検出し、ビーム電流の安
定化を図っている。イオンビーム12は、コンデンサレン
ズ３と対物レンズ８によって試料13上にフォーカスされ
る。又、可動絞り６によりビーム電流を変えることがで
き、試料ステージ18とXYデフレクタ９により、集束され
たイオンビーム12は試料13上の任意の場所を走査するこ
とができる。目的加工場所の位置決めは、イオンビーム
照射により試料から発生する二次電子を、二次電子検出
11で検出し、二次電子像を監察用CRT27に表示します。
制御用コンピュータシステムは、この二次電子像を取り
込み、複数の加工条件が登録でき、連続加工処理が可能
である。The focused ion beam apparatus having such a configuration uses a liquid metal ion source such as gallium as the ion source 1, detects an emission current with the beam monitor 2, and stabilizes the beam current. The ion beam 12 is focused on the sample 13 by the condenser lens 3 and the objective lens 8. Further, the beam current can be changed by the movable stop 6, and the focused ion beam 12 can scan an arbitrary position on the sample 13 by the sample stage 18 and the XY deflector 9. The target processing location is determined by detecting secondary electrons generated from the sample by ion beam irradiation.
Detects at 11, and displays the secondary electron image on CRT27 for inspection.
The control computer system captures the secondary electron image, registers a plurality of processing conditions, and enables continuous processing.
従来は、集束イオンビーム加工装置でのICの配線変更
やプロービングパット形成した後に、ICを真空チャンバ
ーから取り出し、機械的深針法や電子ビームテスタ等の
外部テスタで動作解析をする必要があり、試料の出し入
れや再加工時の真空引き・再加工・再動作解析等の作業
が加わり、作業時間が増大する等の欠点がある。Conventionally, after changing the wiring of ICs and forming probing pads in a focused ion beam processing device, it is necessary to remove the ICs from the vacuum chamber and analyze the operation with an external tester such as a mechanical deep needle method or an electron beam tester. Work such as evacuation, reworking, and re-operation analysis during loading and unloading of the sample and reworking is added, and there is a drawback that the working time is increased.
又、接地されていない回路や、切断により接地されな
くなる回路は、加工時のチャージアップにより、回路素
子へダメージを与えます。In addition, circuits that are not grounded or circuits that are not grounded by cutting will damage circuit elements due to charge-up during processing.
本発明のイオンビーム加工装置は、イオンビームによ
るエッチングと金属膜付けをするイオンビーム加工装置
において、IC試料上に配置された深針を真空外から自由
に操作できることを特徴とする。An ion beam processing apparatus according to the present invention is characterized in that a deep needle disposed on an IC sample can be freely operated from outside a vacuum in an ion beam processing apparatus for performing etching by an ion beam and forming a metal film.
本発明のイオンビーム加工装置は、イオンビームエッ
チングをイオンビームCVDを利用した金属膜付けによ
り、IC配線の切断・接続と、プロービングパット形成を
した後、IC試料上に配置した深針を真空外より操作し、
概プロービングパットへ接触させ、動作解析をすること
が可能なため、作業時間の大幅な短縮ができる。According to the ion beam processing apparatus of the present invention, after cutting / connecting an IC wiring and forming a probing pad by applying a metal film using ion beam etching to the ion beam etching, the deep needle placed on the IC sample is put out of vacuum. Operate more,
Since it is possible to make contact with the probing pad and analyze the motion, the working time can be greatly reduced.
又、加工により接地されなくなる配線は、あらかじ
め、概深針で接地しておくことにより、加工時のチャー
ジアップを防ぎ、回路素子へのダメージをなくすことが
できる。In addition, wiring that is not grounded by processing is grounded with a roughly deep needle in advance, thereby preventing charge-up during processing and eliminating damage to circuit elements.
以下、本発明のイオンビーム加工装置の実施例を図面
を参照して簡単に説明する。Hereinafter, embodiments of an ion beam processing apparatus according to the present invention will be briefly described with reference to the drawings.
第１図は、イオンビーム加工装置に、深針を備えたも
のの一実施例を示したものです。Fig. 1 shows an embodiment of an ion beam processing apparatus equipped with a deep needle.
本発明の基本構成は、第２図のイオンビーム加工装置
であり、図中、14はICソケット付ホルダー、15はパター
ンジェネレータ、16は深針、17はXYZポジショナであ
る。イオン源１より引き出され、加速されたイオンビー
ム12は、対物レンズ８により集束され、XYデフレクタ９
でIC試料上を走査する。イオン励起二次電子は、検出器
11で検出され、CRT27で像観察し、加工場所の位置出し
をする。加工領域を設定し、イオンビームエッチング
と、イオンビームCVDで配線の変更を行い、動作解析場
所へ、プロービングパットを形成する。次に、CRT27で
像観察をしながら、IC試料上の深針16を、概プロービン
グパットへ接触させる。そして、ICソケット付ホルダー
14に取り付けたIC試料13へ、外部のパターンジェネレー
タ15から信号を入力し、深針16の信号を観測することに
より、動作解析することができる。The basic configuration of the present invention is the ion beam processing apparatus shown in FIG. 2, in which 14 is a holder with an IC socket, 15 is a pattern generator, 16 is a deep needle, and 17 is an XYZ positioner. An ion beam 12 extracted and accelerated from the ion source 1 is focused by an objective lens 8 and is deflected by an XY deflector 9.
Scan on the IC sample with. Ion excited secondary electron detector
It is detected at 11, and the image is observed on the CRT 27 to determine the position of the processing place. The processing area is set, the wiring is changed by ion beam etching and ion beam CVD, and a probing pad is formed at the operation analysis location. Next, while observing an image on the CRT 27, the deep needle 16 on the IC sample is brought into contact with the general probing pad. And holder with IC socket
By inputting a signal from the external pattern generator 15 to the IC sample 13 attached to the device 14 and observing the signal of the deep needle 16, the operation can be analyzed.
第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明である集束イオンビ
ーム加工装置を使用して、IC試料の加工、及び、動作解
析を行う手順を示した図です。3 (a) to 3 (d) are diagrams showing a procedure for processing an IC sample and analyzing an operation using the focused ion beam processing apparatus according to the present invention.
図中、13は二層配線構造を持つIC試料、31はパシベー
ション膜、32はAl配線、33は基板、34は金属有機化合物
ガス、35は金属膜、36はオシロスコープである。まず最
初に、集束イオンビーム12による像観察と加工領域設定
を行い（ａ）、パシベーション膜31のエッチングをする
（ｂ）。次に、ガス銃10より金属有機化合物ガス34を供
給し、イオンビームCVDにより金属膜35を形成する
（ｃ）。上記金属膜35へ、深針16を接触させ、パターン
ジェネレータ15からの信号をIC試料13へ入力し、深針16
の信号を、オシロスコープ36で測定する（ｄ）。又、Al
配線32をＡ点で切断することにより配線が接地されなく
なり、チャージアップが起き、回路へのダメージが生じ
る場合、あらかじめ、深針16を接地して、チャージアッ
プを防ぎ、回路素子の保護ができる。In the figure, 13 is an IC sample having a two-layer wiring structure, 31 is a passivation film, 32 is Al wiring, 33 is a substrate, 34 is a metal organic compound gas, 35 is a metal film, and 36 is an oscilloscope. First, image observation and processing area setting by the focused ion beam 12 are performed (a), and the passivation film 31 is etched (b). Next, a metal organic compound gas 34 is supplied from the gas gun 10, and a metal film 35 is formed by ion beam CVD (c). The deep needle 16 is brought into contact with the metal film 35, a signal from the pattern generator 15 is input to the IC sample 13, and the deep needle 16
Is measured by the oscilloscope 36 (d). Also, Al
When the wiring 32 is cut at the point A, the wiring is no longer grounded and charge-up occurs, and if damage to the circuit occurs, the deep needle 16 is grounded in advance to prevent charge-up and protect circuit elements. .
本発明のイオンビーム加工装置は、同一鏡体内に、真
空外から自由に操作できる深針を有するため、イオンビ
ームによるエッチング加工や金属膜形成を行なった後の
IC試料の動作解析が同一鏡体内で可能なため、作業時間
の大幅な短縮ができる。又、加工時のチャージアップか
ら、回路素子を保護することができる。Since the ion beam processing apparatus of the present invention has a deep needle that can be freely operated from outside the vacuum in the same mirror body, the ion beam processing apparatus after performing the etching process or the metal film formation by the ion beam.
Since the operation analysis of the IC sample can be performed within the same mirror, the working time can be greatly reduced. Further, the circuit element can be protected from charge-up during processing.
第１図は、本発明の集束イオンビーム加工装置全体構成
を示すブロックダイヤグラム、第２図は、従来の集束イ
オンビーム加工装置のブロックダイヤグラム、第３図
（ａ）〜（ｄ）は、本発明の集束イオンビーム加工装置
を用いて、IC試料の加工、及び、動作解析を行う手順を
示した説明図である。 １……イオン源 ２……ビームモニタ ３……コンデンサレンズ ４……ブランカ ５……仕切バルブ ６……可動絞り ７……８極スティグメータ ８……対物レンズ ９……XYデフレクタ 10……ガス銃 11……二次電子検出器 12……イオンビーム 13……試料 14……ICソケット付ホルダー 15……パターンジェネレータ 16……深針 17……XYZポジション 18……試料ステージ 19……高圧電源 20……イオン光学系コントローラ 21……ブランキングコントローラ 22……スキャンコントローラ 23……ガス銃コントローラ 24……二次電子検出コントローラ 25……ステージドライバ 26……ステージコントローラ 27……観察用CRT 28……制御用コンピュータシステム 31……パシベーション膜 32……Al配線 33……基板 34……金属有機化合物ガス 35……金属膜（イオンビームCVD膜） 36……オシロスコープFIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of a focused ion beam processing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of a conventional focused ion beam processing apparatus, and FIGS. 3 (a) to 3 (d) show the present invention. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a procedure for processing an IC sample and performing operation analysis using the focused ion beam processing apparatus of FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ion source 2 ... Beam monitor 3 ... Condenser lens 4 ... Blanker 5 ... Partition valve 6 ... Movable aperture 7 ... 8 pole stigmator 8 ... Objective lens 9 ... XY deflector 10 ... Gas Gun 11 Secondary electron detector 12 Ion beam 13 Sample 14 Holder with IC socket 15 Pattern generator 16 Deep needle 17 XYZ position 18 Sample stage 19 High voltage power supply 20 ... Ion optical system controller 21 ... Blanking controller 22 ... Scan controller 23 ... Gas gun controller 24 ... Secondary electron detection controller 25 ... Stage driver 26 ... Stage controller 27 ... CRT for observation 28 ... ... Control computer system 31 ... Passivation film 32 ... Al wiring 33 ... Substrate 34 ... Metal organic compound gas 35 ... Metal film (ion beam CVD film) 3 6 ... Oscilloscope
Claims (1)
ビームを照射するイオンビーム照射系と、前記IC試料取
り付け、前記IC試料に外部パターンジェネレータからの
信号を入力するICソケットと、前記ICソケットを載置し
Ｘ−Ｙ−Ｚ方向に駆動する試料台と、前記集束イオンビ
ームの照射位置に金属有機化合物ガスを吹き付けるガス
銃と、前記集束イオンビーム照射により前記IC試料表面
から発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、前
記二次電子検出器信号を入力し、画像を表示するCRT
と、前記試料室内に配置された先端部を前記IC試料の所
定位置に接触するために試料室外から自由にＸ−Ｙ−Ｚ
方向に駆動でき、接地可能な探針とからなることを特徴
とするイオンビーム加工装置。An ion beam irradiation system provided in a sample chamber for irradiating a focused ion beam to an IC sample; an IC socket for mounting the IC sample and inputting a signal from an external pattern generator to the IC sample; A sample table on which a socket is mounted and driven in the XYZ directions; a gas gun for blowing a metal organic compound gas to the irradiation position of the focused ion beam; A secondary electron detector for detecting secondary electrons, and a CRT for inputting the secondary electron detector signal and displaying an image
XYZ freely from outside the sample chamber in order to bring the tip located in the sample chamber into contact with a predetermined position of the IC sample.
An ion beam processing apparatus comprising: a probe which can be driven in a direction and can be grounded.
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