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JP2806317B2 - Permanent magnet film and magnetoresistive head using the same - Google Patents

Permanent magnet film and magnetoresistive head using the same

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Publication number
JP2806317B2
JP2806317B2 JP7217330A JP21733095A JP2806317B2 JP 2806317 B2 JP2806317 B2 JP 2806317B2 JP 7217330 A JP7217330 A JP 7217330A JP 21733095 A JP21733095 A JP 21733095A JP 2806317 B2 JP2806317 B2 JP 2806317B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
permanent magnet
magnetoresistive
chromium
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP7217330A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0963020A (en
Inventor
栄三 深見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7217330A priority Critical patent/JP2806317B2/en
Publication of JPH0963020A publication Critical patent/JPH0963020A/en
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  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、永久磁石膜および
それを用いた磁気抵抗効果ヘッドに関する。さらに詳し
くは、磁気抵抗効果により、磁気記録媒体から情報を読
み取ることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドに関する。
The present invention relates to a permanent magnet film and a magnetoresistive head using the same. More specifically, the present invention relates to a magnetoresistive head which reads information from a magnetic recording medium by a magnetoresistive effect.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッド(磁
気抵抗効果ヘッド)を用いて磁気記録媒体から情報を読
み取る場合、磁気ヘッドの磁気抵抗効果膜の磁区あるい
は磁壁の不安定性に伴い再生出力波形にノイズ(バルク
ハウゼンノイズ)が発生する。そこで、このノイズを防
止する一つの方法として永久磁石膜を用いて縦バイアス
を発生させる方法が特開平3−125311号公報など
に開示されている。
2. Description of the Related Art When reading information from a magnetic recording medium using a magnetic head utilizing the magnetoresistance effect (magnetoresistive head), a reproduction output waveform is generated due to the instability of the magnetic domain or domain wall of the magnetoresistance effect film of the magnetic head. (Barkhausen noise) occurs in Therefore, as one method for preventing this noise, a method of generating a longitudinal bias using a permanent magnet film is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-125311.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気抵
抗効果ヘッドの製造過程においては有機溶剤・剥離液・
現像液・エッチング溶液等が用いられるが、従来、それ
らに対する永久磁石膜の耐薬品性は十分ではなかった。
また、耐腐食性についても満足できるものではなかっ
た。耐薬品性や耐腐食性が悪いと磁気特性に変化が生
じ、これにより磁気抵抗効果膜への縦バイアス磁界の変
動、ひいてはバルクハウゼンノイズが発生する可能性が
高くなり、その結果、対称性のよい良好な再生波形が得
られなくなる。また、信頼性の点でも問題となる。
However, in the manufacturing process of the magnetoresistive head, an organic solvent, a stripper,
Developers, etching solutions and the like are used, but the chemical resistance of the permanent magnet film against them has not been sufficient.
Further, the corrosion resistance was not satisfactory. Poor chemical or corrosion resistance causes a change in magnetic properties, which increases the possibility of fluctuations in the longitudinal bias magnetic field on the magnetoresistive film and, consequently, Barkhausen noise. Good and good reproduction waveforms cannot be obtained. Also, there is a problem in reliability.

【0004】そこで本発明の目的は、磁気抵抗効果ヘッ
ドの製造に用いられる有機溶剤・剥離液・現像液・エッ
チング溶液等に対して優れた耐薬品性を有し、また耐腐
食性に優れ、その結果、良好かつ安定な磁気特性を示す
永久磁石膜を提供することである。また、この永久磁石
膜を用いることによって、磁気抵抗効果膜への縦バイア
ス磁界が安定でバルクハウゼンノイズもなく再生波形の
対称性がよい、且つ耐腐食性に富んだ信頼性の高い磁気
抵抗効果ヘッドを提供することである。
Accordingly, an object of the present invention is to have excellent chemical resistance to an organic solvent, a stripping solution, a developing solution, an etching solution and the like used for manufacturing a magnetoresistive effect head, and excellent corrosion resistance. As a result, an object is to provide a permanent magnet film exhibiting good and stable magnetic properties. Also, by using this permanent magnet film, the longitudinal bias magnetic field to the magnetoresistive effect film is stable, there is no Barkhausen noise, the symmetry of the reproduced waveform is good, and the corrosion resistance is high and the magnetoresistive effect is highly reliable. Is to provide a head.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。
Means for Solving the Problems The present inventor has made various studies in order to achieve the above object, and as a result, completed the present invention.

【0006】第1の発明は、六方最密構造を少なくとも
有しその結晶方位が少なくとも<1,0,3>配向して
いる、クロム組成が9〜12原子%、プラチナ組成が8
〜25原子%のコバルト−クロム−プラチナ合金膜から
なることを特徴とする永久磁石膜に関する。
According to a first aspect of the present invention, a chromium composition is 9 to 12 atomic% and a platinum composition is 8 having at least a hexagonal close-packed structure and a crystal orientation of at least <1,0,3> orientation.
The present invention relates to a permanent magnet film comprising a cobalt-chromium-platinum alloy film of about 25 atomic%.

【0007】第2の発明は、ディフラクトメータ法を用
いて測定されたX線回折による(1,1,2)面の回折
ピーク強度に対する(1,0,3)面の回折ピーク強度
の比が0.3以上であるコバルト−クロム−プラチナ合
金膜からなる第1の発明の永久磁石膜に関する。
A second invention is a ratio of the (1,0,3) plane diffraction peak intensity to the (1,1,2) plane diffraction peak intensity measured by X-ray diffraction using a diffractometer method. Is a cobalt-chromium-platinum alloy film having a value of 0.3 or more.

【0008】[0008]

【0009】第3の発明は、基板上に、軟磁性膜・非磁
性スペーサ膜・磁気抵抗効果膜の順でこれらを積層し、
この磁気抵抗効果膜上にセンサ作動領域を設け、このセ
ンサ作動領域を形成する前記軟磁性膜・非磁性スペーサ
膜・磁気抵抗効果膜の一端部と他端部の各側面を切除し
て切除面を形成すると共に、この切除面を、それぞれ電
気的かつ磁気的に連続性を有するように覆うようにして
永久磁石膜および電極膜を順次積層した磁気抵抗効果ヘ
ッドにおいて、前記永久磁石膜が第1又は第2の発明の
永久磁石膜であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド
に関する。
According to a third aspect of the present invention, a soft magnetic film, a non-magnetic spacer film, and a magnetoresistive film are laminated on a substrate in this order,
A sensor operation region is provided on the magnetoresistive film, and the soft magnetic film, the non-magnetic spacer film, and the magnetoresistive film that form the sensor operation region are cut off at one end and the other end thereof. And a magnetoresistive head in which a permanent magnet film and an electrode film are sequentially laminated so as to cover the cut surface so as to have electrical and magnetic continuity . Alternatively, the present invention relates to a magnetoresistive head comprising the permanent magnet film of the second invention.

【0010】第4の発明は、基板上に、磁気抵抗効果膜
・非磁性スペーサ膜・軟磁性膜の順でこれらを積層し、
この磁気抵抗効果膜上にセンサ作動領域を設け、このセ
ンサ作動領域を形成する前記磁気抵抗効果膜・非磁性ス
ペーサ膜・軟磁性膜の一端部と他端部の各側面を切除し
て切除面を形成すると共に、この切除面を、それぞれ電
気的かつ磁気的に連続性を有するように覆うようにして
永久磁石膜および電極膜を順次積層した磁気抵抗効果ヘ
ッドにおいて、前記永久磁石膜が第1又は第2の発明の
永久磁石膜であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド
に関する。
According to a fourth aspect of the present invention, a magneto-resistance effect film, a non-magnetic spacer film, and a soft magnetic film are laminated on a substrate in this order,
A sensor operation area is provided on the magnetoresistive film, and one side and the other end of the magnetoresistive film, the non-magnetic spacer film, and the soft magnetic film forming the sensor operation area are cut off to obtain a cut surface. And a magnetoresistive head in which a permanent magnet film and an electrode film are sequentially laminated so as to cover the cut surface so as to have electrical and magnetic continuity . Alternatively, the present invention relates to a magnetoresistive head comprising the permanent magnet film of the second invention.

【0011】第5の発明は、永久磁石膜の下地膜とし
て、少なくとも各切除面と永久磁石膜との間にそれぞれ
クロム膜を積層した第3又は第4の発明の磁気抵抗効果
ヘッドに関する。
A fifth invention relates to the magnetoresistive head according to the third or fourth invention, wherein a chromium film is laminated as a base film of the permanent magnet film between at least each cut surface and the permanent magnet film.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態を示し
て詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments.

【0013】図7は、コバルト−クロム−プラチナ合金
膜(CoCrPt膜)からなる永久磁石膜を、ジメチル
スルホキシドとN−メチル−2−ピロリドンとの比率が
重量比で「6:4」で混合された剥離液(東京応化工業
(株)製104剥離液)に浸漬したときの、浸漬時間に
対する膜厚の変化を種々のプラチナ組成について示した
ものである。プラチナ組成が8.7原子%の試料のクロ
ム組成は11.3原子%、プラチナ組成が10.5原子
%のものはクロム組成10.6原子%、プラチナ組成1
1.2原子%のものはクロム組成11.0%、プラチナ
組成13.1原子%のもはクロム組成10.2原子%、
プラチナ組成15.0原子%のものはクロム組成10.
7原子%、プラチナ組成15.9原子%のものはクロム
組成11.0原子%、プラチナ組成17.4原子%のも
のはクロム組成10.5原子%である。これらの組成比
は、後述の図8及び図9に示す膜厚変化においても同様
である。
FIG. 7 shows a permanent magnet film made of a cobalt-chromium-platinum alloy film (CoCrPt film) in which the ratio of dimethyl sulfoxide to N-methyl-2-pyrrolidone is 6: 4 by weight. FIG. 3 shows the change in film thickness with respect to the immersion time for various platinum compositions when immersed in a stripping solution (104 stripping solution manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). A sample having a platinum composition of 8.7 atom% has a chromium composition of 11.3 atom%, and a sample having a platinum composition of 10.5 atom% has a chromium composition of 10.6 atom% and a platinum composition of 1
Those with 1.2 atomic% have a chromium composition of 11.0%, those with 13.1 atomic% of platinum have a chromium composition of 10.2 atomic%,
Those with a platinum composition of 15.0 at.% Have a chromium composition of 10.
Those with 7 atomic% and platinum composition of 15.9 atomic% have a chromium composition of 11.0 atomic% and those with a platinum composition of 17.4 atomic% have a chromium composition of 10.5 atomic%. These composition ratios are the same in the film thickness change shown in FIGS. 8 and 9 described later.

【0014】膜厚は、浸漬時間の増加と共に減少する
が、その減少率はプラチナ組成によって異なる。プラチ
ナ組成が8.7原子%(at%)においては膜厚の減少
率は比較的大きく、プラチナ組成が10.5原子%では
膜厚の減少率が最も小さい。プラチナ組成が10.5原
子%より大きくなると膜厚の減少率は再び大きくなる
が、さらにプラチナ組成が17.4原子%まで大きくな
ると膜厚の減少率は小さくなる。
The film thickness decreases with increasing immersion time, but the rate of decrease depends on the platinum composition. When the platinum composition is 8.7 atomic% (at%), the reduction rate of the film thickness is relatively large, and when the platinum composition is 10.5 atomic%, the reduction rate of the film thickness is the smallest. When the platinum composition is larger than 10.5 atomic%, the reduction rate of the film thickness is increased again, but when the platinum composition is further increased to 17.4 atomic%, the reduction rate of the film thickness is reduced.

【0015】図8は、リン酸塩(NanH3-nPO4)を
成分とするアルカリ性無機系現像液(マイクロポジット
デベロッパー、シプレイ・ファーイースト(株)製)
に浸漬したときの、浸漬時間に対する膜厚の変化を種々
のプラチナ組成について示したものである。
FIG. 8 shows an alkaline inorganic developer containing a phosphate (NanH 3 -nPO 4 ) (Microposit Developer, manufactured by Shipley Far East Co., Ltd.).
3 shows the change of the film thickness with respect to the immersion time when immersed in various platinum compositions.

【0016】図8では、図7と同様に、プラチナ組成が
8.7原子%(at%)においては膜厚の減少率は比較
的大きく、プラチナ組成が10.5原子%では膜厚の減
少率が最も小さい。プラチナ組成が10.5原子%より
大きくなると膜厚の減少率は再び大きくなるが、さらに
プラチナ組成が17.4原子%まで大きくなると膜厚の
減少率は小さくなる。
In FIG. 8, as in FIG. 7, the reduction rate of the film thickness is relatively large when the platinum composition is 8.7 atomic% (at%), and the film thickness reduction rate is 10.5 atomic% when the platinum composition is 10.5 atomic%. The smallest rate. When the platinum composition is larger than 10.5 atomic%, the reduction rate of the film thickness is increased again, but when the platinum composition is further increased to 17.4 atomic%, the reduction rate of the film thickness is reduced.

【0017】図9は、ヨウ素とヨウ化カリウムと水との
重量比が「1:2:200」の比率で混合されたエッチ
ング溶液に浸漬したときの、浸漬時間に対する膜厚の変
化を種々のプラチナ組成について示したものである。
FIG. 9 shows various changes in film thickness with respect to immersion time when immersed in an etching solution in which the weight ratio of iodine, potassium iodide, and water was 1: 2: 200. It shows the platinum composition.

【0018】図9の結果においても図7及び図8と同様
に、プラチナ組成が8.7原子%(at%)においては
膜厚の減少率は比較的大きく、プラチナ組成が10.5
原子%では膜厚の減少率が最も小さい。プラチナ組成が
10.5原子%より大きくなると膜厚の減少率は再び大
きくなるが、さらにプラチナ組成が17.4原子%まで
大きくなると膜厚の減少率は小さくなる。
In the results of FIG. 9, as in FIGS. 7 and 8, when the platinum composition is 8.7 atomic% (at%), the reduction rate of the film thickness is relatively large, and when the platinum composition is 10.5%.
At atomic%, the decrease rate of the film thickness is the smallest. When the platinum composition is larger than 10.5 atomic%, the reduction rate of the film thickness is increased again, but when the platinum composition is further increased to 17.4 atomic%, the reduction rate of the film thickness is reduced.

【0019】図10及び図11に、コバルト−クロムー
プラチナ合金膜の種々の組成について、ディフラクトメ
ータ法により測定したX線回折パターンを示す。
FIGS. 10 and 11 show X-ray diffraction patterns of various compositions of the cobalt-chromium-platinum alloy film measured by the diffractometer method.

【0020】図10(a)はクロム組成が11.3原子
%・プラチナ組成が8.7原子%、図10(b)はクロ
ム組成が10.6原子%・プラチナ組成が10.5at
%、図10(c)はクロム組成が11.0原子%・プラ
チナ組成が11.2原子%、図11(a)はクロム組成
が10.7原子%・プラチナ組成が15.0原子%、及
び図11(b)はクロム組成が10.5原子%・プラチ
ナ組成が17.4原子%における回折パターンである。
FIG. 10A shows a chromium composition of 11.3 at% and a platinum composition of 8.7 at%, and FIG. 10B shows a chromium composition of 10.6 at% and a platinum composition of 10.5 at.
FIG. 10 (c) shows a chromium composition of 11.0 atom% / a platinum composition of 11.2 atom%, and FIG. 11 (a) shows a chromium composition of 10.7 atom% / a platinum composition of 15.0 atom%. FIG. 11B is a diffraction pattern when the chromium composition is 10.5 at% and the platinum composition is 17.4 at%.

【0021】回折角度2θの41度および44度付近に
現われている回折ピークは、それぞれ六方最密構造の
(1,0,3)面および(1,1,2)面に対するピー
クである。この(1,0,3)面に対応するピークは、
プラチナ組成が8.7原子%から10.5原子%になる
と増大し、さらに10.5原子%から17.4原子%に
プラチナ組成が増大すると減少している。
The diffraction peaks appearing at around 41 degrees and 44 degrees of the diffraction angle 2θ are the peaks for the (1,0,3) plane and the (1,1,2) plane of the hexagonal close-packed structure, respectively. The peak corresponding to this (1,0,3) plane is
It increases when the platinum composition increases from 8.7 atomic% to 10.5 atomic%, and further decreases when the platinum composition increases from 10.5 atomic% to 17.4 atomic%.

【0022】以上の結果から、耐薬品性および耐腐食性
には、プラチナ組成だけでなく結晶配向性も大きく関わ
っていると考えられる。すなわち、プラチナ組成が大き
い範囲では耐薬品性および耐腐食性が向上するが、プラ
チナ組成の比較的少ない範囲においても六方最密構造を
有しその結晶方位が<1,0,3>配向することによっ
て耐薬品性および耐腐食性が向上することがわかる。特
に、六方最密構造の(1,1,2)面に対する(1,
0,3)面の回折ピーク強度比が0.3以上である場合
が有効な配向の度合いであり好ましい。また、永久磁石
膜の耐薬品性および耐腐食性は、六方最密構造の(1,
0,3)面の配向性を満たした上でプラチナ組成が多い
方が好ましいが、プラチナ組成の増大と共に磁化が減少
するためその上限値が設けられる。
From the above results, it is considered that not only the platinum composition but also the crystal orientation greatly affect the chemical resistance and corrosion resistance. That is, chemical resistance and corrosion resistance are improved in the range where the platinum composition is large, but even in the range where the platinum composition is relatively small, it has a hexagonal close-packed structure and its crystal orientation is <1,0,3> oriented. It can be seen that the chemical resistance and corrosion resistance are improved. In particular, (1,1) for the (1,1,2) plane of the hexagonal close-packed structure
The case where the diffraction peak intensity ratio of the 0,3) plane is 0.3 or more is an effective degree of orientation and is preferable. The chemical resistance and corrosion resistance of the permanent magnet film are the same as those of the hexagonal close-packed structure (1,1).
It is preferable that the platinum composition is large while satisfying the orientation of the (0, 3) plane. However, since the magnetization decreases as the platinum composition increases, the upper limit is set.

【0023】なお、上記の図7〜9に示す試験に用いた
永久磁石膜において、六方最密構造の(1,0,3)面
の回折ピークが小さい場合あるいは存在しない場合があ
るが(図10、図11)、本発明の範囲内であれば、製
造条件の変更により(1,0,3)面の回折ピークを増
大させる或いは発生させることができる。
In the permanent magnet films used in the tests shown in FIGS. 7 to 9, there are cases where the diffraction peak of the (1, 0, 3) plane of the hexagonal close-packed structure is small or absent. 10, FIG. 11), the diffraction peak of the (1, 0, 3) plane can be increased or generated by changing the manufacturing conditions within the range of the present invention.

【0024】永久磁石膜の組成について、一般的に、プ
ラチナ組成の増大とともに耐薬品性・耐腐食性は向上す
る。しかし、プラチナ組成が大きすぎると磁化が減少し
て所望の磁気特性が得られなくなる。クロム組成につい
ても同様にその増大により耐薬品性・耐腐食性が向上す
る。しかし、クロム組成はプラチナ組成より磁性に影響
を与えやすく、クロム組成が多くなりすぎると磁化の減
少が著しくなり、垂直磁気異方性が大きくなり垂直磁化
膜になるなどの悪影響が生じる。
Regarding the composition of the permanent magnet film, generally, the chemical resistance and corrosion resistance improve as the platinum composition increases. However, if the platinum composition is too large, the magnetization decreases, and desired magnetic characteristics cannot be obtained. Similarly, with respect to the chromium composition, chemical resistance and corrosion resistance are improved by the increase. However, the chromium composition more easily affects the magnetism than the platinum composition, and when the chromium composition is too large, the magnetization is remarkably reduced, the perpendicular magnetic anisotropy is increased, and adverse effects such as the formation of a perpendicular magnetic film are caused.

【0025】したがって、本発明の永久磁石膜は、少な
くとも六方最密構造を有し、その結晶方位が少なくとも
<1,0,3>配向している、クロム組成が9〜12原
子%、プラチナ組成が8〜25原子%のコバルト−クロ
ム−プラチナ合金膜からなることが必要であり、さらに
は、ディフラクトメータ法を用いて測定されたX線回折
による(1,1,2)面の回折ピーク強度に対する
(1,0,3)面の回折ピーク強度の比が0.3以上で
あるコバルト−クロム−プラチナ合金膜からなることが
好ましい。プラチナ組成については10〜25原子%で
あることがより好ましい。
Therefore, the permanent magnet film of the present invention has at least a hexagonal close-packed structure, the crystal orientation of which is at least <1,0,3> oriented, a chromium composition of 9 to 12 atomic%, and a platinum composition. Of a cobalt-chromium-platinum alloy film of 8 to 25 atomic%, and furthermore, a diffraction peak of the (1,1,2) plane by X-ray diffraction measured using a diffractometer method. It is preferable to use a cobalt-chromium-platinum alloy film in which the ratio of the (1,0,3) plane diffraction peak intensity to the intensity is 0.3 or more. More preferably, the platinum composition is 10 to 25 atomic%.

【0026】本発明の永久磁石膜(コバルト−クロム−
プラチナ合金膜)における六方最密構造の(1,0,
3)面の配向性を向上させる方法としては、スパッタ法
で作製する場合、成膜パワー密度を大きくしたり、成膜
時に低ガス圧で実施したりすることが有効であることが
本発明者の実験で確認されている。
The permanent magnet film of the present invention (cobalt-chromium-
Hexagonal close-packed structure (platinum alloy film)
3) As a method for improving the orientation of the surface, it is effective to increase the film forming power density or to perform the film formation at a low gas pressure when forming the film by sputtering. Has been confirmed in experiments.

【0027】また、本発明の永久磁石膜は、上記のよう
に六方最密構造を有していなくても、コバルト−クロム
−プラチナ合金膜からなりそのクロム組成が9〜12原
子%、プラチナ組成が17〜25原子%の範囲であれ
ば、耐薬品性および耐腐食性が良好な永久磁石膜とな
る。より好ましくは、プラチナ組成が19〜25原子%
の範囲である。
Further, even if the permanent magnet film of the present invention does not have a hexagonal close-packed structure as described above, it is composed of a cobalt-chromium-platinum alloy film having a chromium composition of 9 to 12 atomic% and a platinum composition. Is in the range of 17 to 25 atomic%, a permanent magnet film having good chemical resistance and corrosion resistance is obtained. More preferably, the platinum composition is 19 to 25 atomic%.
Range.

【0028】次に、本発明の永久磁石膜を用いた磁気抵
抗効果ヘッドについて説明する。
Next, a magnetoresistive head using the permanent magnet film of the present invention will be described.

【0029】図1に、本発明の永久磁石膜を用いた磁気
抵抗効果ヘッドの模式的部分断面図を示す。基板(1)
上に、絶縁膜(2)、軟磁性膜(3)、非磁性スペーサ
膜(4)及び磁気抵抗効果膜(5)が順次積層され、こ
の軟磁性膜・非磁性スペーサ膜・磁気抵抗効果膜の一端
部と他端部の各側面を切除して切除面が形成され、テー
パ状に加工されている。この削除面を、それぞれ電気的
かつ磁気的に連続性を有するように覆うようにして永久
磁石膜(6a、6b)及び電極膜(7a、7b)が順次
積層されており、中央部のセンサ作動領域(Tw)だけ
隔てて形成されている。
FIG. 1 is a schematic partial sectional view of a magnetoresistive head using a permanent magnet film according to the present invention. Substrate (1)
An insulating film (2), a soft magnetic film (3), a non-magnetic spacer film (4), and a magnetoresistive film (5) are sequentially laminated thereon, and the soft magnetic film, non-magnetic spacer film, and magnetoresistive film are laminated. One side and the other side are cut off to form a cut surface, which is tapered. The permanent magnet films (6a, 6b) and the electrode films (7a, 7b) are sequentially laminated so as to cover the deleted surface so as to have electrical and magnetic continuity, respectively. They are formed separated by only the region (Tw).

【0030】ここで、図2に示すように、少なくとも各
切除面と永久磁石膜との間に、それぞれ下地膜としてク
ロム膜(9a、9b)を積層してもよい。
Here, as shown in FIG. 2, a chromium film (9a, 9b) may be laminated as a base film at least between each cut surface and the permanent magnet film.

【0031】基板(1)としてはセラミック等を用いる
ことができる。Al23−TiC系のセラミックが好ま
しく、絶縁膜(2)として厚さ0.15μm程度のAl
23等を設けることが望ましい。
As the substrate (1), ceramic or the like can be used. Ceramic are preferable Al 2 O 3 -TiC based, thickness 0.15μm about Al as an insulating film (2)
It is desirable to provide 2 O 3 or the like.

【0032】軟磁性膜(3)は、厚さが300オングス
トローム程度であり、コバルト−ジルコニウム−モリブ
デン非晶質合金等からなる。
The soft magnetic film (3) has a thickness of about 300 angstroms and is made of a cobalt-zirconium-molybdenum amorphous alloy or the like.

【0033】非磁性スペーサ膜(4)は、厚さが200
オングストローム程度であり、タンタル等からなる。
The nonmagnetic spacer film (4) has a thickness of 200
It is about angstrom and is made of tantalum or the like.

【0034】磁気抵抗効果膜(5)は、厚さが250オ
ングストローム程度であり、ニッケル−鉄合金等からな
る。
The magnetoresistive film (5) has a thickness of about 250 Å and is made of a nickel-iron alloy or the like.

【0035】電極膜(7a、7b)は、厚さが0.15
ミクロン程度であり、金等からなる。
The electrode films (7a, 7b) have a thickness of 0.15
It is on the order of microns and is made of gold or the like.

【0036】上記の膜はスパッタ法等により形成され
る。
The above film is formed by a sputtering method or the like.

【0037】次に、本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造
方法を、上記図1の磁気抵抗効果ヘッドを例に取り、図
3を用いて簡単に説明する。
Next, a method of manufacturing the magnetoresistive head according to the present invention will be briefly described with reference to FIG. 3 taking the above-described magnetoresistive effect head as an example.

【0038】まず、図3(a)に示すように、基板
(1)上に、絶縁膜(2)、軟磁性膜(3)、非磁性ス
ペーサ膜(4)及び磁気抵抗効果膜(5)を順次スパッ
タ法を用いて積層成膜し、さらにその上に周知の技術に
より厚さ1.5μm程度のフォトレジスト(8)を塗布
した後、適当な条件で露光・現像することによってステ
ンシルパターンを形成する。
First, as shown in FIG. 3A, an insulating film (2), a soft magnetic film (3), a nonmagnetic spacer film (4) and a magnetoresistive film (5) are formed on a substrate (1). Are sequentially laminated by a sputtering method, and a photoresist (8) having a thickness of about 1.5 μm is applied thereon by a known technique, and then exposed and developed under appropriate conditions to form a stencil pattern. Form.

【0039】次いで、図3(b)に示すように、イオン
ミリング法により軟磁性膜・非磁性スペーサ膜・磁気抵
抗効果膜の図2(a)における左右領域をそれぞれ一様
にテーパ状に切除加工した後、永久磁石膜(6a、6
b、6c)を膜厚250オングストローム程度に成膜
し、さらにその上に金等からなる電極膜(7a、7b、
7c)を積層成膜する。
Next, as shown in FIG. 3B, the left and right regions of the soft magnetic film, the non-magnetic spacer film and the magnetoresistive film in FIG. 2A are uniformly tapered by ion milling. After processing, the permanent magnet film (6a, 6a
b, 6c) to a thickness of about 250 angstroms, and further thereon, electrode films (7a, 7b,
7c) is formed into a stacked film.

【0040】その後、残存しているフォトレジスト
(8)並びにその上に積層されている永久磁石膜(6
c)及び電極膜(7c)を、剥離液を用いて取り除き、
図3(c)に示すように上面中央部にセンサ作動領域
(Tw)を有する磁気抵抗効果ヘッド素子を形成する。
このとき、フォトレジスト並びにその上に積層されてい
る永久磁石膜及び電極膜を完全かつ速やかに取り除くた
めに、超音波をかけたり液温を常温以上の温度に加熱し
たりして剥離を行ってもよい。
Thereafter, the remaining photoresist (8) and the permanent magnet film (6)
c) and the electrode film (7c) are removed using a stripper,
As shown in FIG. 3C, a magnetoresistive head element having a sensor operation region (Tw) at the center of the upper surface is formed.
At this time, in order to completely and promptly remove the photoresist and the permanent magnet film and the electrode film laminated thereon, ultrasonic waves are applied or the liquid temperature is heated to a temperature equal to or higher than room temperature to perform peeling. Is also good.

【0041】以上のようにして作製された磁気抵抗効果
ヘッド素子は、周知の技術によりスライダ加工を施すと
共に、加圧バネ・支持アーム等の取り付け、及び電極へ
の配線などを行って本発明の磁気抵抗効果ヘッドを完成
する。
The magnetoresistive head element manufactured as described above is subjected to slider processing by a known technique, and is also provided with a pressure spring, a support arm, etc., wiring to electrodes, and the like. Complete the magnetoresistive head.

【0042】本発明の磁気抵抗効果ヘッドは、上記の製
造方法に限られるものではなく、図4及び図5に示す次
の方法によっても作製できる。
The magnetoresistive head of the present invention is not limited to the above manufacturing method, but can be manufactured by the following method shown in FIGS.

【0043】まず、図4(a)に示すように、基板
(1)上に、膜厚0.12μm程度のAl23等からな
る絶縁膜(2)、膜厚230オングストローム程度のコ
バルト−ジルコニウム−モリブデン非晶質合金等からな
る軟磁性膜(3)、膜厚100オングストローム程度の
タンタル等からなる非磁性スペーサ膜(4)及び膜厚2
00オングストローム程度のニッケル−鉄合金等からな
る磁気抵抗効果膜(5)を順次スパッタ法を用いて積層
成膜し、その上に厚さ2500オングストローム程度の
金膜(10)を成膜し、さらに厚さ1μm程度のフォト
レジスト(11)を塗布する。
First, as shown in FIG. 4A, an insulating film (2) made of Al 2 O 3 or the like having a thickness of about 0.12 μm and a cobalt film having a thickness of about 230 Å were formed on a substrate (1). Soft magnetic film (3) made of zirconium-molybdenum amorphous alloy or the like, nonmagnetic spacer film (4) made of tantalum or the like having a thickness of about 100 Å, and film thickness of 2
A magnetoresistive film (5) made of a nickel-iron alloy or the like having a thickness of about 00 angstroms is sequentially laminated by sputtering, and a gold film (10) having a thickness of about 2500 angstroms is formed thereon. A photoresist (11) having a thickness of about 1 μm is applied.

【0044】その後、図4(b)に示すようにフォトレ
ジスト(11)を適当な条件を用いて露光・現像してパ
ターン化する。
Thereafter, as shown in FIG. 4B, the photoresist (11) is exposed and developed under appropriate conditions to form a pattern.

【0045】さらにイオンミリング法及びエッチング溶
液を用いて、図4(c)に示すように金膜(10)をそ
の幅が先にパターン化されたフォトレジストの幅より小
さくなるようにパターン化する。
Further, using an ion milling method and an etching solution, as shown in FIG. 4C, the gold film (10) is patterned so that its width is smaller than the width of the photoresist previously patterned. .

【0046】次いで、イオンミリング法により、図5
(d)に示すように軟磁性膜(3)、非磁性スペーサ膜
(4)及び磁気抵抗効果膜(5)をテーパ加工する。
Next, the ion milling method shown in FIG.
As shown in (d), the soft magnetic film (3), the nonmagnetic spacer film (4) and the magnetoresistive film (5) are tapered.

【0047】その後、図5(e)に示すように、永久磁
石膜(6a、6b、6c)を、スパッタ法を用いて膜厚
250オングストローム程度に成膜し、さらにその上に
膜厚1.5ミクロン程度の金からなる電極膜(7a、7
b、7c)を積層成膜する。最後に、磁気抵抗効果セン
サとして作動する領域(Tw)に残存している金膜(1
0)及びフォトレジスト(11)並びにその上に積層さ
れている永久磁石膜(6c)及び電極膜(7c)を、エ
ッチング溶液を用いて、図5(f)に示すように取り除
いて磁気抵抗効果ヘッド素子を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 5E, a permanent magnet film (6a, 6b, 6c) is formed to a thickness of about 250 angstroms by a sputtering method. An electrode film (7a, 7) made of gold of about 5 microns
b, 7c) are deposited. Finally, the gold film (1) remaining in the region (Tw) that operates as the magnetoresistive effect sensor
0), the photoresist (11), and the permanent magnet film (6c) and the electrode film (7c) laminated thereon are removed using an etching solution as shown in FIG. A head element is formed.

【0048】このようにして作製された磁気抵抗効果ヘ
ッド素子は、周知の技術によりスライダ加工を施すと共
に、加圧バネ・支持アーム等の取り付け、及び電極への
配線などを行って本発明の磁気抵抗効果ヘッドを完成す
る。
The magnetoresistive head element manufactured in this manner is subjected to slider processing by a known technique, and is also provided with a pressure spring, a support arm, etc., wiring to electrodes, and the like. Complete the resistance effect head.

【0049】本発明の磁気抵抗効果ヘッドは、図1及び
図2以外の実施形態として、例えば図6(c)の構成を
とってもよい。図6(c)においては、磁気抵抗効果膜
・非磁性スペーサ膜・軟磁性膜の積層順が前記のヘッド
の構成と異なっている。なお、図6(c)ではクロム膜
(9a、9b)が設けられているが、設けていない構成
であってもよい。
The embodiment of the magnetoresistive head of the present invention other than those shown in FIGS. 1 and 2 may have the structure shown in FIG. 6C, for example. In FIG. 6C, the order of lamination of the magnetoresistive film, the non-magnetic spacer film, and the soft magnetic film is different from that of the above-described head. Although the chromium films (9a, 9b) are provided in FIG. 6C, the configuration may not be provided.

【0050】このような磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
を図6を用いて簡単に説明する。
A method of manufacturing such a magnetoresistive head will be briefly described with reference to FIG.

【0051】まず、図6(a)に示すように、基板
(1)上に、厚さ0.12μm程度のAl23等からな
る絶縁膜(2)、厚さ200オングストローム程度のニ
ッケル−鉄合金等からなる磁気抵抗効果膜(5)、厚さ
200オングストローム程度ののタンタル等からなる非
磁性スペーサ膜(4)及び厚さ250オングストローム
程度のコバルト−ジルコニウム−モリブデン非晶質合金
からなる軟磁性膜(3)を順次スパッタ法を用いて積層
成膜し、さらにその上に周知の技術により厚さ1.5μ
m程度のフォトレジスト(8)を塗布した後、適当な条
件で露光・現像することによってステンシルパターンを
形成する。
First, as shown in FIG. 6 (a), an insulating film (2) made of Al 2 O 3 or the like having a thickness of about 0.12 μm and a nickel film having a thickness of about 200 Å were formed on a substrate (1). A magnetoresistive film (5) made of an iron alloy or the like, a nonmagnetic spacer film (4) made of tantalum or the like having a thickness of about 200 Å, and a soft material made of a cobalt-zirconium-molybdenum amorphous alloy having a thickness of about 250 Å. The magnetic film (3) is sequentially formed into a laminated film by a sputtering method, and a thickness of 1.5 μm is further formed thereon by a known technique.
After applying about m of the photoresist (8), a stencil pattern is formed by exposing and developing under appropriate conditions.

【0052】次いで、図6(b)に示すように、イオン
ミリング法により磁気抵抗効果膜・非磁性スペーサ膜・
軟磁性膜の図6(a)における左右領域をそれぞれ一様
にテーパ状に切除加工した後、クロム膜(9a、9b、
9c)を膜厚100オングストローム程度に成膜し、そ
の上に永久磁石膜(6a、6b、6c)をスパッタ法を
用いて膜厚250オングストローム程度に積層成膜し、
さらにその上に厚さ1.2ミクロン程度の金等からなる
電極膜(7a、7b、7c)を積層成膜する。その後、
残存しているフォトレジスト(8)並びにその上に積層
されているクロム膜(9c)、永久磁石膜(6c)及び
電極膜(7c)を剥離液を用いて取り除き、図6(c)
に示すように上面中央部にセンサ作動領域(Tw)を有
する磁気抵抗効果ヘッド素子を形成する。このとき、フ
ォトレジスト(8)並びにその上に積層されているクロ
ム膜・永久磁石膜・電極膜を完全かつ速やかに取り除く
ために、超音波をかけたり液温を常温以上の温度に加熱
したりして剥離を行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 6B, a magnetoresistive film, a non-magnetic spacer film,
After the left and right regions of the soft magnetic film in FIG. 6A are uniformly cut into a taper shape, the chromium films (9a, 9b,
9c) is deposited to a thickness of about 100 Å, and a permanent magnet film (6a, 6b, 6c) is deposited thereon by sputtering to a thickness of about 250 Å,
Further, an electrode film (7a, 7b, 7c) made of gold or the like having a thickness of about 1.2 microns is formed thereon. afterwards,
The remaining photoresist (8) and the chromium film (9c), the permanent magnet film (6c), and the electrode film (7c) laminated thereon are removed using a stripper, and FIG.
As shown in (1), a magnetoresistive head element having a sensor operation region (Tw) at the center of the upper surface is formed. At this time, in order to completely and quickly remove the photoresist (8) and the chromium film, the permanent magnet film, and the electrode film laminated thereon, ultrasonic waves are applied or the liquid temperature is increased to a temperature higher than room temperature. And peeling may be performed.

【0053】このようにして作製された磁気抵抗効果ヘ
ッド素子は、周知の技術によりスライダ加工を施すと共
に加圧バネ・支持アーム等の取り付け、及び電極への配
線などを行って本発明の磁気抵抗効果ヘッドを完成す
る。
The magnetoresistive head element thus manufactured is subjected to slider processing and mounting of a pressure spring, a support arm and the like, wiring to electrodes, etc., by a well-known technique. Complete the effect head.

【0054】[0054]

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明する
が、本発明はこれらに限定するものではない。
EXAMPLES The present invention will be further described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0055】実施例1 図1に示すように、セラミック基板(1)上に、絶縁層
(2)、軟磁性膜(3)、非磁性スペーサ膜(4)及び
磁気対抗効果膜(5)を順次積層し、これら軟磁性膜・
非磁性スペーサ膜・磁気抵抗効果膜をテーパ状に切除加
工し、さらにこのテーパ部の一端部と他端部の各切除面
をそれぞれ覆うようにして永久磁石膜(6a、6b)及
び電極膜(7a、7b)を中央部のセンサ作動領域(T
w)だけ隔てて積層して、磁気抵抗効果ヘッドを作製し
た。
Example 1 As shown in FIG. 1, an insulating layer (2), a soft magnetic film (3), a nonmagnetic spacer film (4) and a magnetic opposing effect film (5) were formed on a ceramic substrate (1). These soft magnetic films
The nonmagnetic spacer film and the magnetoresistive effect film are cut off in a tapered shape, and the permanent magnet films (6a, 6b) and the electrode film ( 7a, 7b) to the sensor operating area (T
w) to form a magnetoresistive head.

【0056】セラミック基板(1)としては、Al23
−TiC系のセラミックを使用した。絶縁膜(2)は厚
さ0.15μmのAl23からなり、軟磁性膜(3)は
厚さ300オングストロームのコバルト−ジルコニウム
−モリブデン非晶質合金からなり、非磁性スペーサ膜
(4)は厚さ200オングストロームのタンタルからな
り、磁気抵抗効果膜(5)は厚さ250オングストロー
ムのニッケル−鉄合金からなり、電極膜(7a、7b)
は厚さ0.15μmの金からなり、これらはスパッタ法
により形成した。
As the ceramic substrate (1), Al 2 O 3
-A TiC-based ceramic was used. The insulating film (2) is made of Al 2 O 3 having a thickness of 0.15 μm, the soft magnetic film (3) is made of a 300-Å thick cobalt-zirconium-molybdenum amorphous alloy, and a non-magnetic spacer film (4). Is made of tantalum having a thickness of 200 angstroms, the magnetoresistive film (5) is made of a nickel-iron alloy having a thickness of 250 angstroms, and electrode films (7a, 7b) are formed.
Is made of gold having a thickness of 0.15 μm, and these are formed by a sputtering method.

【0057】次に、本実施例の磁気抵抗効果ヘッドの製
造方法について、図3を用いて説明する。
Next, a method of manufacturing the magnetoresistive head of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0058】まず、図3(a)に示すように、セラミッ
ク基板(1)上に絶縁膜(2)、軟磁性膜(3)、非磁
性スペーサ膜(4)及び磁気抵抗効果膜(5)を順次ス
パッタ法を用いて積層成膜し、さらにその上に周知の技
術により厚さ1.5μmのフォトレジスト(8)を塗布
した後、適当な条件で露光・現像することによってステ
ンシルパターンを形成した。
First, as shown in FIG. 3A, an insulating film (2), a soft magnetic film (3), a nonmagnetic spacer film (4) and a magnetoresistive film (5) are formed on a ceramic substrate (1). Are sequentially laminated by sputtering, and a photoresist (8) having a thickness of 1.5 μm is coated thereon by a known technique, and then exposed and developed under appropriate conditions to form a stencil pattern. did.

【0059】次いで、イオンミリング法により軟磁性膜
(3)・非磁性スペーサ膜(4)・磁気抵抗効果膜
(5)の図2(a)における左右領域を、図3(b)に
示すようにそれぞれ一様にテーパ状に切除加工した後、
永久磁石膜(6a、6b、6c)を次のようにして形成
した。
Next, the left and right regions of the soft magnetic film (3), the non-magnetic spacer film (4) and the magnetoresistive film (5) in FIG. 2A are shown in FIG. 3B by the ion milling method. After each of them is cut into a uniform taper shape,
The permanent magnet films (6a, 6b, 6c) were formed as follows.

【0060】スパッタ法を用いて、パワー密度1.1ワ
ット/平方センチメートル、圧力0.2パスカルのアル
ゴン雰囲気において、クロム組成が10.6原子%(a
t%)でプラチナ組成が10.5原子%であり、且つ六
方最密構造を有しディフラクトメータ法を用いて測定さ
れたX線回折による(1,1,2)面の回折ピーク強度
に対する(1、0,3)面の回折ピーク強度の比が約
0.7のコバルト−クロム−プラチナ合金膜を膜厚25
0オングストロームで成膜した。
Using a sputtering method, a chromium composition of 10.6 atomic% (a) was obtained in an argon atmosphere at a power density of 1.1 watts / cm 2 and a pressure of 0.2 pascal.
t%), the platinum composition is 10.5 at%, and the hexagonal close-packed structure has a diffraction peak intensity on the (1,1,2) plane by X-ray diffraction measured using a diffractometer method. A cobalt-chromium-platinum alloy film having a diffraction peak intensity ratio of the (1, 0, 3) plane of about 0.7 is formed to a film thickness of 25.
The film was formed at 0 angstrom.

【0061】この永久磁石膜上に金からなる電極膜(7
a、7b、7c)を積層成膜した。その後、図3(c)
に示すように、残存しているフォトレジスト(8)並び
にその上に積層されている永久磁石膜(6c)及び電極
膜(7c)をジメチルスルホキシドと2−ピロリドンを
主成分とする剥離液を用いて取り除き、中央部にセンサ
作動領域(Tw)を有する磁気抵抗効果ヘッド素子を形
成した。
On this permanent magnet film, an electrode film (7
a, 7b, 7c) were deposited. Then, FIG.
As shown in (1), the remaining photoresist (8) and the permanent magnet film (6c) and the electrode film (7c) laminated thereon were formed using a stripping solution containing dimethyl sulfoxide and 2-pyrrolidone as main components. Then, a magnetoresistive head element having a sensor operation area (Tw) in the center was formed.

【0062】このようにして作製した磁気抵抗効果ヘッ
ド素子の抵抗の磁界依存性を測定したところ、磁界ゼロ
において磁気抵抗変化量の2分の1変化量を示し設計値
通りであり、バルクハウゼンジャンプと呼ばれる乱れも
観測されなかった。
When the magnetic field dependence of the resistance of the magnetoresistive head element thus manufactured was measured, it showed a change of one half of the change in magnetoresistance at zero magnetic field, which was the designed value. The disturbance called was not observed.

【0063】そして、この磁気抵抗効果ヘッド素子に周
知の技術によりスライダ加工を施すと共に、加圧バネ・
支持アーム等の取り付け、及び電極への配線などを行っ
て本発明の磁気抵抗効果ヘッドを完成した。
Then, the magneto-resistance effect head element is subjected to slider processing by a known technique,
Attachment of a support arm and the like, wiring to electrodes, and the like were performed to complete the magnetoresistive head of the present invention.

【0064】この磁気抵抗効果ヘッドを用いて再生特性
を調べたところ、バルクハウゼンノイズがなく、縦バイ
アス磁界が磁気抵抗効果膜に設計値通りに印加されてお
り対称性のよい再生波形が得られた。
When the reproduction characteristics were examined using this magnetoresistive head, there was no Barkhausen noise, a longitudinal bias magnetic field was applied to the magnetoresistive film as designed, and a reproduced waveform with good symmetry was obtained. Was.

【0065】実施例2 図2に、本実施例の磁気抵抗効果ヘッドの模式的部分断
面図を示す。永久磁石膜の下地膜として、実施例1のテ
ーパ状に形成された軟磁性膜・非磁性スペーサ膜・磁気
抵抗効果膜の一端部と他端部の各切除面と永久磁石膜
(6a、6b)との間にクロム膜(9a、9b)を積層
した以外は実施例1と同様にして磁気抵抗効果ヘッドを
作製した。
Embodiment 2 FIG. 2 is a schematic partial sectional view of a magnetoresistive head according to this embodiment. As the base film of the permanent magnet film, the cut surface of one end and the other end of the soft magnetic film, the non-magnetic spacer film, and the magnetoresistive film formed in the tapered shape of the first embodiment and the permanent magnet film (6a, 6b) ), Except that a chromium film (9a, 9b) was laminated between them.

【0066】このようにして作製した磁気抵抗効果ヘッ
ド素子の抵抗の磁界依存性を測定したところ、磁界ゼロ
において磁気抵抗変化量の2分の1の変化量を示し設計
値通りであり、バルクハウゼンジャンプと呼ばれている
乱れも観測されなかった。
When the dependence of the resistance of the magnetoresistive head element thus manufactured on the magnetic field was measured, it showed a change of one half of the change of the magnetoresistance at zero magnetic field, which was the designed value. No disturbance called a jump was observed.

【0067】また、この磁気抵抗効果ヘッドを用いて再
生特性を調べたところ、バルクハウゼンノイズがなく、
縦バイアス磁界が磁気抵抗効果膜に設計値通りに印加さ
れており対称性のよい再生波形が得られた。
When the reproduction characteristics were examined using this magnetoresistive head, there was no Barkhausen noise.
A longitudinal bias magnetic field was applied to the magnetoresistive film as designed, and a reproduced waveform with good symmetry was obtained.

【0068】実施例3 図1に示す磁気抵抗効果ヘッドを次のようにして作製し
た。
Example 3 A magnetoresistive head shown in FIG. 1 was manufactured as follows.

【0069】まず、図4(a)に示すように、Al23
−TiC系セラミック基板(1)上に、膜厚0.12μ
mのAl23からなる絶縁膜(2)、膜厚230オング
ストロームのコバルト−ジルコニウム−モリブデン非晶
質合金からなる軟磁性膜(3)、膜厚100オングスト
ロームのタンタルからなる非磁性スペーサ膜(4)及び
膜厚200オングストロームのニッケル−鉄合金からな
る磁気抵抗効果膜(5)を順次スパッタ法を用いて積層
成膜し、その上に厚さ2500オングストロームの金膜
(10)を成膜し、さらに厚さ1μmのフォトレジスト
(11)を塗布した。
[0069] First, as shown in FIG. 4 (a), Al 2 O 3
A film thickness of 0.12 μm on a TiC-based ceramic substrate (1);
insulating film made of Al 2 O 3 of m (2), cobalt thickness 230 Å - zirconium - soft magnetic film (3) made of molybdenum amorphous alloy, nonmagnetic spacer layer made of a thickness of 100 Å tantalum ( 4) and a magnetoresistive film (5) made of a nickel-iron alloy having a thickness of 200 angstroms is sequentially laminated by sputtering, and a gold film (10) having a thickness of 2500 angstroms is formed thereon. Then, a photoresist (11) having a thickness of 1 μm was applied.

【0070】その後、図4(b)に示すようにフォトレ
ジスト(11)を適当な条件を用いて露光・現像してパ
ターン化した。
Thereafter, as shown in FIG. 4B, the photoresist (11) was exposed and developed under appropriate conditions to form a pattern.

【0071】さらに、イオンミリング法、及びヨウ素と
ヨウ化カリウムと水との重量比が「1:2:200」で
混合されたエッチング溶液を用いて、図4(c)に示す
ように金膜(10)をその幅が先にパターン化されたフ
ォトレジスト(11)の幅より小さくなるようにパター
ン化した。
Further, using an ion milling method and an etching solution in which the weight ratio of iodine, potassium iodide, and water was "1: 2: 200", as shown in FIG. (10) was patterned such that its width was smaller than the width of the photoresist (11) previously patterned.

【0072】次いで、イオンミリング法により図5
(d)に示すように、軟磁性膜(3)・非磁性スペーサ
膜(4)・磁気抵抗効果膜(5)をテーパ状に切除加工
した。
Next, the ion milling method shown in FIG.
As shown in (d), the soft magnetic film (3), the non-magnetic spacer film (4), and the magnetoresistive film (5) were cut off in a tapered shape.

【0073】その後、図5(e)に示すように、永久磁
石膜(6a、6b、6c)を次のようにして形成した。
スパッタ法を用いて、パワー密度1.3ワット/平方セ
ンチメートル、圧力0.2パスカルのアルゴン雰囲気に
おいて、クロム組成が10.2原子%(at%)、プラ
チナ組成が18.5原子%であり、且つ六方最密構造を
有しディフラクトメータ法を用いて測定されたX線回折
による(1,1,2)面の回折ピーク強度に対する
(1,0,3)面の回折ピーク強度の比が約0.6のコ
バルト−クロム−プラチナ合金膜を膜厚250オングス
トロームで成膜した。
Thereafter, as shown in FIG. 5E, permanent magnet films (6a, 6b, 6c) were formed as follows.
Using a sputtering method, in an argon atmosphere with a power density of 1.3 watts / cm 2 and a pressure of 0.2 Pascal, the chromium composition is 10.2 atomic% (at%), the platinum composition is 18.5 atomic%, and The ratio of the (1,0,3) plane diffraction peak intensity to the (1,1,2) plane diffraction peak intensity by X-ray diffraction measured using a diffractometer method and having a hexagonal close-packed structure is about A cobalt-chromium-platinum alloy film of 0.6 was formed at a thickness of 250 Å.

【0074】この永久磁石膜の上に、膜厚1.5μmの
金からなる電極膜(7a、7b、7c)を積層成膜し
た。
An electrode film (7a, 7b, 7c) made of gold having a thickness of 1.5 μm was formed on the permanent magnet film.

【0075】その後、センサ作動領域(Tw)に残存し
ている金膜(10)及びフォトレジスト(11)並びに
その上に積層されている永久磁石膜(6c)及び電極膜
(7c)を、ヨウ素とヨウ化カリウムと水との重量比が
「1:2:200」で混合されたエッチング溶液を用い
て図5(f)に示すように取り除いて、磁気抵抗効果ヘ
ッド素子を形成した。
Thereafter, the gold film (10) and the photoresist (11) remaining in the sensor operation area (Tw) and the permanent magnet film (6c) and the electrode film (7c) laminated thereon are replaced with iodine. As shown in FIG. 5F, an etching solution in which the weight ratio of potassium, potassium iodide, and water was mixed at “1: 2: 200” was removed to form a magnetoresistive head element.

【0076】このようにして作製した磁気抵抗効果ヘッ
ド素子の抵抗の磁界依存性を測定したところ、磁界ゼロ
において磁気抵抗変化量の2分の1の変化量を示し設計
値通りであり、バルクハウゼンジャンプと呼ばれている
乱れも観測されなかった。
When the magnetic field dependence of the resistance of the magnetoresistive head element manufactured as described above was measured, it showed a change amount of one half of the change amount of the magnetoresistance at zero magnetic field, which was the designed value. No disturbance called a jump was observed.

【0077】そして、この磁気抵抗効果ヘッド素子に周
知の技術によりスライダ加工を施すと共に、加圧バネ・
支持アーム等の取り付け、及び電極への配線などを行っ
て本発明の磁気抵抗効果ヘッドを完成した。
Then, the magnetoresistive head element is subjected to slider processing by a well-known technique,
Attachment of a support arm and the like, wiring to electrodes, and the like were performed to complete the magnetoresistive head of the present invention.

【0078】この磁気抵抗効果ヘッドを用いて再生特性
を調べたところ、バルクハウゼンノイズがなく、縦バイ
アス磁界が磁気抵抗効果膜に設計値通りに印加されてお
り対称性のよい再生波形が得られた。
When the reproduction characteristics were examined using this magnetoresistive head, there was no Barkhausen noise, a longitudinal bias magnetic field was applied to the magnetoresistive film as designed, and a reproduced waveform with good symmetry was obtained. Was.

【0079】実施例4 軟磁性膜(3)・非磁性スペーサ膜(4)・磁気抵抗効
果膜(5)の積層順が、図2に示す実施例2と逆である
磁気抵抗効果ヘッドを作製した。
Embodiment 4 A magnetoresistive head in which the order of lamination of the soft magnetic film (3), the nonmagnetic spacer film (4) and the magnetoresistive film (5) is opposite to that of the embodiment 2 shown in FIG. did.

【0080】まず、図6(a)に示すように、Al23
−TiC系のセラミック基板(1)上に、厚さ0.12
μmのAl23からなる絶縁膜(2)、厚さ200オン
グストロームのニッケル−鉄合金からなる磁気抵抗効果
膜(5)、厚さ200オングストロームのタンタルから
なる非磁性スペーサ膜(4)、及び厚さ250オングス
トロームのコバルト−ジルコニウム−モリブデン非晶質
合金からなる軟磁性膜(3)を順次スパッタ法を用いて
積層成膜し、さらにその上に周知の技術により厚さ1.
5μmのフォトレジスト(8)を塗布した後、適当な条
件で露光・現像することによってステンシルパターンを
形成した。
First, as shown in FIG. 6A, Al 2 O 3
A thickness of 0.12 on a TiC-based ceramic substrate (1);
an insulating film (2) made of Al 2 O 3 having a thickness of 200 μm; a magnetoresistive film (5) made of a nickel-iron alloy having a thickness of 200 Å; a nonmagnetic spacer film (4) made of tantalum having a thickness of 200 Å; A soft magnetic film (3) having a thickness of 250 Å made of a cobalt-zirconium-molybdenum amorphous alloy is successively formed by sputtering using a sputtering method.
After applying a photoresist (8) of 5 μm, exposure and development were performed under appropriate conditions to form a stencil pattern.

【0081】次いでイオンミリング法により磁気抵抗効
果膜(5)・非磁性スペーサ膜(4)・軟磁性膜(3)
の図6(a)における左右領域を、図6(b)に示すよ
うにそれぞれ一様にテーパ状に切除加工した後、クロム
膜(9a、9b、9c)を、膜厚100オングストロー
ムで成膜し、その上に永久磁石膜(6a、6b、6c)
を次のようにして形成した。スパッタ法を用いて、パワ
ー密度1.1ワット/平方センチメートル、圧力0.3
パスカルのアルゴン雰囲気において、クロム組成が1
0.2原子%、プラチナ組成が15.4原子%であり、
且つ六方最密構造を有しディフラクトメータ法を用いて
測定されたX線回折による(1,1,2)面の回折ピー
ク強度に対する(1,0,3)面の回折ピーク強度の比
が0.4のコバルト−クロム−プラチナ合金膜を膜厚2
50オングストロームで積層成膜した。
Next, a magnetoresistive film (5), a nonmagnetic spacer film (4), and a soft magnetic film (3) are formed by ion milling.
6A, the left and right regions in FIG. 6A are uniformly cut into a tapered shape as shown in FIG. 6B, and then a chromium film (9a, 9b, 9c) is formed with a thickness of 100 Å. And a permanent magnet film (6a, 6b, 6c)
Was formed as follows. Using a sputtering method, a power density of 1.1 watts / square centimeter and a pressure of 0.3
In the argon atmosphere of Pascal, the chromium composition is 1
0.2 atomic%, the platinum composition is 15.4 atomic%,
And the ratio of the diffraction peak intensity of the (1,0,3) plane to the diffraction peak intensity of the (1,1,2) plane by X-ray diffraction measured by the diffractometer method with a hexagonal close-packed structure. 0.4 cobalt-chromium-platinum alloy film
A laminated film was formed at 50 Å.

【0082】この永久磁石膜の上に、厚さ1.2μmの
金からなる電極膜(7a、7b、7c)を積層成膜し
た。
On this permanent magnet film, an electrode film (7a, 7b, 7c) made of gold having a thickness of 1.2 μm was laminated.

【0083】その後、図6(c)に示すように、残存し
ているフォトレジスト(8)並びにその上に積層されて
いる永久磁石膜(6c)及び電極膜(7c)をジメチル
スルホキシドと2−ピロリドンを主成分とする剥離液を
用いて取り除き、中央部にセンサ作動領域(Tw)を有
する磁気抵抗効果ヘッド素子を形成した。
Thereafter, as shown in FIG. 6 (c), the remaining photoresist (8) and the permanent magnet film (6c) and electrode film (7c) laminated thereon are replaced with dimethyl sulfoxide and 2- The removal was performed using a stripping solution containing pyrrolidone as a main component, thereby forming a magnetoresistive head element having a sensor operation region (Tw) in the center.

【0084】このようにして作製した磁気抵抗効果ヘッ
ド素子の抵抗の磁界依存性を測定したところ、磁界ゼロ
において磁気抵抗変化量の2分の1の変化量を示し設計
値通りであり、バルクハウゼンジャンプと呼ばれている
乱れも観測されなかった。
When the magnetic field dependence of the resistance of the magnetoresistive head element thus manufactured was measured, it showed a change amount of one half of the change amount of the magnetoresistance at zero magnetic field, which was the designed value. No disturbance called a jump was observed.

【0085】そして、この磁気抵抗効果ヘッド素子に周
知の技術によりスライダ加工を施すと共に、加圧バネ・
支持アーム等の取り付け、及び電極への配線などを行っ
て本発明の磁気抵抗効果ヘッドを完成した。
The magnetoresistive head element is subjected to slider processing by a well-known technique,
Attachment of a support arm and the like, wiring to electrodes, and the like were performed to complete the magnetoresistive head of the present invention.

【0086】この磁気抵抗効果ヘッドを用いて再生特性
を調べたところ、バルクハウゼンノイズがなく、縦バイ
アス磁界が磁気抵抗効果膜に設計値通りに印加されてお
り対称性のよい再生波形が得られた。
When the reproduction characteristics were examined using this magnetoresistive head, there was no Barkhausen noise, a longitudinal bias magnetic field was applied to the magnetoresistive film as designed, and a reproduced waveform with good symmetry was obtained. Was.

【0087】比較例1 実施例1の磁気抵抗効果ヘッドの特性と比較するため
に、永久磁石膜のみを次のよう変えた以外は実施例1と
同様にして磁気抵抗効果ヘッドを作製した。
Comparative Example 1 For comparison with the characteristics of the magnetoresistive head of Example 1, a magnetoresistive head was manufactured in the same manner as in Example 1 except that only the permanent magnet film was changed as follows.

【0088】本比較例の永久磁石膜は、スパッタ法を用
いて、パワー密度1.1ワット/平方センチメートル、
圧力1.0パスカルのアルゴン雰囲気において、クロム
組成が10.5原子%でプラチナ組成が15.0原子%
であり、且つ六方最密構造を有しディフラクトメータ法
を用いて測定されたX線回折による(1,1,2)面の
回折ピーク強度に対する(1,0,3)面の回折ピーク
強度の比が0.1以下のコバルト−クロム−プラチナ合
金膜を膜厚250オングストロームで成膜した。
The permanent magnet film of this comparative example was formed by sputtering with a power density of 1.1 watts / cm 2,
In an argon atmosphere at a pressure of 1.0 Pa, the chromium composition is 10.5 at% and the platinum composition is 15.0 at%.
And the (1,0,3) plane diffraction peak intensity relative to the (1,1,2) plane diffraction peak intensity by X-ray diffraction measured using a diffractometer method and having a hexagonal close-packed structure Was formed at a thickness of 250 Å with a cobalt-chromium-platinum alloy film having a ratio of 0.1 or less.

【0089】このようにして作製した磁気抵抗効果ヘッ
ド素子の抵抗の磁界依存性を測定したところ、磁界ゼロ
において磁気抵抗変化量の3分の2程度の変化量を示し
設計値より17%程度大きくなり、さらにバルクハウゼ
ンジャンプが観測された。
When the magnetic field dependence of the resistance of the magnetoresistive head element thus manufactured was measured, it showed a change of about two-thirds of the change in magnetoresistance at zero magnetic field, which was about 17% larger than the designed value. In addition, Barkhausen jump was observed.

【0090】さらに、磁気抵抗効果ヘッドの再生特性を
調べたところ、バルクハウゼンノイズが存在し、縦バイ
アス磁界が磁気抵抗効果膜に設計値より小さく印加され
ることによって生じる非対称な再生波形が得られた。
Further, when the reproduction characteristics of the magnetoresistive effect head were examined, it was found that Barkhausen noise was present, and an asymmetric reproduced waveform generated when the longitudinal bias magnetic field was applied to the magnetoresistive effect film at a value smaller than the designed value was obtained. Was.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、有機溶剤・剥離液・現像液・エッチング溶液に
対する耐薬品性を有し、また耐腐食性に優れるため、そ
の結果、良好かつ安定な磁気特性を示す永久磁石膜を提
供できる。
As apparent from the above description, according to the present invention, it has chemical resistance to organic solvents, stripping solutions, developing solutions and etching solutions, and is excellent in corrosion resistance. A permanent magnet film exhibiting stable magnetic characteristics can be provided.

【0092】また、この永久磁石膜を用いることによっ
て、磁気抵抗効果膜に印加される縦バイアス磁界が安定
でバルクハウゼンノイズがなく再生波形の対称性がよ
い、且つ耐腐食性に富んだ信頼性の高い磁気抵抗効果ヘ
ッドを提供することができる。
Further, by using this permanent magnet film, the longitudinal bias magnetic field applied to the magnetoresistive film is stable, there is no Barkhausen noise, the symmetry of the reproduced waveform is good, and the reliability is excellent in corrosion resistance. A high magnetoresistance effect head can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの模式的部分断面
図である。
FIG. 1 is a schematic partial sectional view of a magnetoresistive head according to the present invention.

【図2】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの模式的部分断面
図である。
FIG. 2 is a schematic partial sectional view of a magnetoresistive head according to the present invention.

【図3】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造工程図であ
る。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the magnetoresistive effect head of the present invention.

【図4】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造工程図であ
る。
FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the magnetoresistive head of the present invention.

【図5】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造工程図であ
る。
FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the magnetoresistive effect head of the present invention.

【図6】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの製造工程図であ
る。
FIG. 6 is a manufacturing process diagram of the magnetoresistive head of the present invention.

【図7】コバルト−クロム−プラチナ合金膜を剥離液へ
浸漬した場合の浸漬時間に対する膜厚の変化を示す図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing a change in film thickness with respect to immersion time when a cobalt-chromium-platinum alloy film is immersed in a stripping solution.

【図8】コバルト−クロム−プラチナ合金膜を現像液へ
浸漬した場合の浸漬時間に対する膜厚の変化を示す図で
ある。
FIG. 8 is a diagram showing a change in film thickness with respect to immersion time when a cobalt-chromium-platinum alloy film is immersed in a developer.

【図9】コバルト−クロム−プラチナ合金膜をエッチン
グ溶液へ浸漬した場合の浸漬時間に対する膜厚の変化を
示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a change in film thickness with respect to immersion time when a cobalt-chromium-platinum alloy film is immersed in an etching solution.

【図10】コバルト−クロム−プラチナ合金膜のX線回
折パターンを示す図である。
FIG. 10 is a view showing an X-ray diffraction pattern of a cobalt-chromium-platinum alloy film.

【図11】コバルト−クロム−プラチナ合金膜のX線回
折パターンを示す図である。
FIG. 11 is a view showing an X-ray diffraction pattern of a cobalt-chromium-platinum alloy film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 絶縁膜 3 軟磁性膜 4 非磁性スペーサ膜 5 磁気抵抗効果膜 6a、6b、6c 永久磁石膜 7a、7b、7c 電極膜 8、11 フォトレジスト 9a、9b、9c クロム膜 10 金膜 Tw センサ作動領域 Reference Signs List 1 substrate 2 insulating film 3 soft magnetic film 4 nonmagnetic spacer film 5 magnetoresistive effect film 6a, 6b, 6c permanent magnet film 7a, 7b, 7c electrode film 8, 11 photoresist 9a, 9b, 9c chrome film 10 gold film Tw Sensor operating area

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 六方最密構造を少なくとも有しその結晶
方位が少なくとも<1,0,3>配向している、クロム
組成が9〜12原子%、プラチナ組成が8〜25原子%
のコバルト−クロム−プラチナ合金膜からなることを特
徴とする永久磁石膜。
1. A chromium composition of 9 to 12 atomic% and a platinum composition of 8 to 25 atomic% having at least a hexagonal close-packed structure and a crystal orientation of at least <1,0,3> orientation.
A permanent magnet film comprising a cobalt-chromium-platinum alloy film as described above.
【請求項2】 ディフラクトメータ法を用いて測定され
たX線回折による(1,1,2)面の回折ピーク強度に
対する(1,0,3)面の回折ピーク強度の比が0.3
以上であるコバルト−クロム−プラチナ合金膜からなる
請求項1記載の永久磁石膜。
2. The ratio of the (1,0,3) plane diffraction peak intensity to the (1,1,2) plane diffraction peak intensity by X-ray diffraction measured using a diffractometer method is 0.3.
2. The permanent magnet film according to claim 1, comprising a cobalt-chromium-platinum alloy film as described above.
【請求項3】 基板上に、軟磁性膜・非磁性スペーサ膜
・磁気抵抗効果膜の順でこれらを積層し、この磁気抵抗
効果膜上にセンサ作動領域を設け、このセンサ作動領域
を形成する前記軟磁性膜・非磁性スペーサ膜・磁気抵抗
効果膜の一端部と他端部の各側面を切除して切除面を形
成すると共に、この切除面を、それぞれ電気的かつ磁気
的に連続性を有するように覆うようにして永久磁石膜お
よび電極膜を順次積層した磁気抵抗効果ヘッドにおい
て、前記永久磁石膜が請求項1又は2記載の永久磁石膜
であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
3. A soft magnetic film, a non-magnetic spacer film, and a magnetoresistive film are laminated in this order on a substrate, a sensor operation region is provided on the magnetoresistive film, and the sensor operation region is formed. One side and the other side of the soft magnetic film, the non-magnetic spacer film and the magnetoresistive film are cut off to form a cut surface, and the cut surface is electrically and magnetically connected. 3. A magnetoresistive head in which a permanent magnet film and an electrode film are sequentially laminated so as to cover the permanent magnet film, wherein the permanent magnet film is the permanent magnet film according to claim 1 or 2 .
【請求項4】 基板上に、磁気抵抗効果膜・非磁性スペ
ーサ膜・軟磁性膜の順でこれらを積層し、この磁気抵抗
効果膜上にセンサ作動領域を設け、このセンサ作動領域
を形成する前記磁気抵抗効果膜・非磁性スペーサ膜・軟
磁性膜の一端部と他端部の各側面を切除して切除面を形
成すると共に、この切除面を、それぞれ電気的かつ磁気
的に連続性を有するように覆うようにして永久磁石膜お
よび電極膜を順次積層した磁気抵抗効果ヘッドにおい
て、前記永久磁石膜が請求項1又は2記載の永久磁石膜
であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
4. A magnetoresistive film, a non-magnetic spacer film, and a soft magnetic film are laminated on a substrate in this order, a sensor operation region is provided on the magnetoresistive film, and the sensor operation region is formed. One side and the other side of the magnetoresistive film, the non-magnetic spacer film, and the soft magnetic film are cut to form a cut surface, and the cut surface is electrically and magnetically connected. 3. A magnetoresistive head in which a permanent magnet film and an electrode film are sequentially laminated so as to cover the permanent magnet film, wherein the permanent magnet film is the permanent magnet film according to claim 1 or 2 .
【請求項5】 永久磁石膜の下地膜として、少なくとも
各切除面と永久磁石膜との間にそれぞれクロム膜を積層
した請求項3又は4記載の磁気抵抗効果ヘッド。
5. The magnetoresistive head according to claim 3, wherein a chromium film is laminated at least between each cut surface and the permanent magnet film as a base film of the permanent magnet film.
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