JP2801739B2 - 多層記録膜の記録再生方法 - Google Patents
多層記録膜の記録再生方法Info
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は多層記録膜の記録再生方法、特に多層記録膜
を構成する記録膜の光吸収帯が一部重なり合う多層記録
膜の記録再生方法に関する。
を構成する記録膜の光吸収帯が一部重なり合う多層記録
膜の記録再生方法に関する。
近年、光記録媒体の記録膜として色素膜等の種々の記
録膜が開発されている。色素膜を例にとると、スピンコ
ート等により基板上に成膜された色素膜上に所定波長の
半導体レーザビームを集光させ、それを熱エネルギーに
変換して色素膜の性状を変えることにより記録が行われ
る。そして、未記録部分との反射光量あるいは透過光量
の違いにより再生が行われる。しかしながら、従来の光
記録媒体はアクセスする光の回折限界により記録密度は
108ビット/cm2が限界であり、高度情報化社会における
高密度記録化に対応し得る光記録媒体の開発が要望され
ている。そして、光記録媒体の高密度化を達成するため
の一手段として、光記録媒体の垂直方向への記録を可能
にして、単位体積あたりの記録密度を上げる方法があ
る。これは、互いに波長の異なった吸収ピークをもつ複
数の記録膜を積層して多層記録膜を形成し、この多層記
録膜に各記録膜の吸収ピーク波長と略同一の波長の光を
照射して記録および再生を行うことにより光記録媒体の
垂直方向への記録を可能とするものである。
録膜が開発されている。色素膜を例にとると、スピンコ
ート等により基板上に成膜された色素膜上に所定波長の
半導体レーザビームを集光させ、それを熱エネルギーに
変換して色素膜の性状を変えることにより記録が行われ
る。そして、未記録部分との反射光量あるいは透過光量
の違いにより再生が行われる。しかしながら、従来の光
記録媒体はアクセスする光の回折限界により記録密度は
108ビット/cm2が限界であり、高度情報化社会における
高密度記録化に対応し得る光記録媒体の開発が要望され
ている。そして、光記録媒体の高密度化を達成するため
の一手段として、光記録媒体の垂直方向への記録を可能
にして、単位体積あたりの記録密度を上げる方法があ
る。これは、互いに波長の異なった吸収ピークをもつ複
数の記録膜を積層して多層記録膜を形成し、この多層記
録膜に各記録膜の吸収ピーク波長と略同一の波長の光を
照射して記録および再生を行うことにより光記録媒体の
垂直方向への記録を可能とするものである。
しかし、互いに波長の異なった吸収ピークをもつ複数
の記録膜を積層して多層記録膜を形成しても、多層記録
膜を構成する記録膜の光吸収帯が一部重なり合う場合、
各記録膜毎に独立して記録が行えないという問題があっ
た。この問題を第６図乃至第８図を基に説明する。第６
図は光吸収帯が一部重なり合う記録膜A,Bの分光特性を
示す図であり、実線は多層記録膜状態での吸光曲線を示
し、鎖線は記録膜A,Bの単層状態での吸光曲線を示す。
第６図において、記録膜A,Bは波長がそれぞれλa,λｂ
である吸収ピークをもち、記録膜A,Bの光吸収帯Wa,Wbは
互いに重なり合っている。そして、記録膜Ｂの光吸収帯
Wbは、記録膜Ａの吸収ピーク波長λａよりもさらに短波
長域まで伸びている。このような多層記録膜に、記録膜
Ａの吸収ピーク波長λａと同一波長の光を照射して記録
すると、第７図に実線で示されるように記録膜Ａの吸光
度が減少するが、波長λａには記録膜Ｂの光吸収帯Wbも
存在するので、記録膜Ｂの吸光度も減少してしまう。一
方、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λｂと同一波長の光を照
射して記録すると、第８図に実線で示されるように記録
膜Ｂの吸光度が減少するが、記録膜Ｂの光吸収帯Wbが記
録膜Ａの吸収ピーク波長λａにも存在するので、記録膜
Ｂの吸光度の減少にともなって記録膜Ａの吸光度も減少
してしまう。すなわち、記録膜Ａの記録と同時に記録膜
Ｂも記録され、逆に記録膜Ｂの記録と同時に波長λａに
おける吸光度が変化してしまい、記録膜Ａまたは記録膜
Ｂを単独に記録できないとこになる。
の記録膜を積層して多層記録膜を形成しても、多層記録
膜を構成する記録膜の光吸収帯が一部重なり合う場合、
各記録膜毎に独立して記録が行えないという問題があっ
た。この問題を第６図乃至第８図を基に説明する。第６
図は光吸収帯が一部重なり合う記録膜A,Bの分光特性を
示す図であり、実線は多層記録膜状態での吸光曲線を示
し、鎖線は記録膜A,Bの単層状態での吸光曲線を示す。
第６図において、記録膜A,Bは波長がそれぞれλa,λｂ
である吸収ピークをもち、記録膜A,Bの光吸収帯Wa,Wbは
互いに重なり合っている。そして、記録膜Ｂの光吸収帯
Wbは、記録膜Ａの吸収ピーク波長λａよりもさらに短波
長域まで伸びている。このような多層記録膜に、記録膜
Ａの吸収ピーク波長λａと同一波長の光を照射して記録
すると、第７図に実線で示されるように記録膜Ａの吸光
度が減少するが、波長λａには記録膜Ｂの光吸収帯Wbも
存在するので、記録膜Ｂの吸光度も減少してしまう。一
方、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λｂと同一波長の光を照
射して記録すると、第８図に実線で示されるように記録
膜Ｂの吸光度が減少するが、記録膜Ｂの光吸収帯Wbが記
録膜Ａの吸収ピーク波長λａにも存在するので、記録膜
Ｂの吸光度の減少にともなって記録膜Ａの吸光度も減少
してしまう。すなわち、記録膜Ａの記録と同時に記録膜
Ｂも記録され、逆に記録膜Ｂの記録と同時に波長λａに
おける吸光度が変化してしまい、記録膜Ａまたは記録膜
Ｂを単独に記録できないとこになる。
本発明は上述したような事情に鑑み創案されたもので
あり、多層記録膜を構成する記録膜の光吸収帯が一部重
なり合っていても、各記録膜毎に独立して記録・再生が
行える多層記録膜の記録再生方法を提供することを目的
とする。
あり、多層記録膜を構成する記録膜の光吸収帯が一部重
なり合っていても、各記録膜毎に独立して記録・再生が
行える多層記録膜の記録再生方法を提供することを目的
とする。
上記の目的を達成するために、本発明は特定波長域に
光吸収帯を有し固有の吸収ピークをもつ記録膜を複数積
層した多層記録膜に各記録膜の吸収ピーク波長と略同一
の波長の光を照射して記録および再生を行う多層記録膜
の記録再生方法において、相隣接する吸収ピークのうち
長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯が短波長
側の吸収ピークよりもさらに短波長域まで存在するとき
に、前記短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸収ピー
ク波長における吸光度を長波長側の吸収ピークをもつ記
録膜の短波長側の吸収ピーク波長における吸光度よりも
高くするとともに、前記長波長側の吸収ピークをもつ前
記記録膜の光吸収帯よりも短い波長の光を前記短波長側
の吸収ピークをもつ前記記録膜に照射する構成とした。
光吸収帯を有し固有の吸収ピークをもつ記録膜を複数積
層した多層記録膜に各記録膜の吸収ピーク波長と略同一
の波長の光を照射して記録および再生を行う多層記録膜
の記録再生方法において、相隣接する吸収ピークのうち
長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯が短波長
側の吸収ピークよりもさらに短波長域まで存在するとき
に、前記短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸収ピー
ク波長における吸光度を長波長側の吸収ピークをもつ記
録膜の短波長側の吸収ピーク波長における吸光度よりも
高くするとともに、前記長波長側の吸収ピークをもつ前
記記録膜の光吸収帯よりも短い波長の光を前記短波長側
の吸収ピークをもつ前記記録膜に照射する構成とした。
相隣接する吸収ピークのうち、長波長側の吸収ピーク
をもつ記録膜に該記録膜の吸収ピーク波長と略同一の波
長の光を照射して記録を行うと記録膜の吸光度が減少
し、この際、長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸
収帯が短波長側の吸収ピークよりもさらに低波長域まで
存在するので、短波長側の吸収ピーク波長における吸光
度も減少するが、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の
吸光度が長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度よ
りも高く設定されているので、短波長側の吸収ピーク波
長における吸光度の減少はきわめて少ないものとなる。
また、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜に上記の長波
長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯よりも短い波
長の光を照射して記録を行うと、長波長側の吸収ピーク
をもつ記録膜の吸光度の減少をともなわずに短波長側の
吸収ピークをもつ記録膜の吸光度が減少して記録が行わ
れる。これにより、相隣接する吸収ピークのうち長波長
側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯が短波長側の吸
収ピークよりもさらに短い波長域までの存在するような
記録膜が積層された多層記録膜であっても各記録膜毎に
独立して記録・再生が行える。
をもつ記録膜に該記録膜の吸収ピーク波長と略同一の波
長の光を照射して記録を行うと記録膜の吸光度が減少
し、この際、長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸
収帯が短波長側の吸収ピークよりもさらに低波長域まで
存在するので、短波長側の吸収ピーク波長における吸光
度も減少するが、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の
吸光度が長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度よ
りも高く設定されているので、短波長側の吸収ピーク波
長における吸光度の減少はきわめて少ないものとなる。
また、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜に上記の長波
長側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯よりも短い波
長の光を照射して記録を行うと、長波長側の吸収ピーク
をもつ記録膜の吸光度の減少をともなわずに短波長側の
吸収ピークをもつ記録膜の吸光度が減少して記録が行わ
れる。これにより、相隣接する吸収ピークのうち長波長
側の吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯が短波長側の吸
収ピークよりもさらに短い波長域までの存在するような
記録膜が積層された多層記録膜であっても各記録膜毎に
独立して記録・再生が行える。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図乃至第３図は本発明の多層記録膜の記録再生方
法を説明するための図である。第１図は光吸収帯が一部
重なり合う記録膜A,Bの分光特性を示す図であり、実線
は多層記録膜状態での吸光曲線を示し、鎖線はそれぞれ
記録膜Ａおよび記録膜Ｂの単層状態での吸光曲線を示
す。第１図において記録膜A,Bはそれぞれ最大吸光度に
おける波長がλa,λｂである吸収ピークをもっている。
また、記録膜A,Bの光吸収帯Wa,Wbは一部重なり合ってお
り、かつ記録膜Ｂの光吸収帯Wbは、記録膜Ａの吸収ピー
ク波長λａよりもさらに短波長域まで伸びている。そし
て、本発明では隣接する２つの吸収ピークのうち短波長
側の吸収ピークをもつ記録膜Ａの波長λａにおける吸光
度を、記録膜Ｂの波長λａにおける吸光度よりも高く設
定している。記録膜Ａの吸光度を高くするには、通常、
記録膜Ａの膜厚を厚くすればよく、本発明では波長λａ
における記録膜Ａの吸光度は波長λａにおける記録膜Ｂ
の吸光度より大きく設定される。このように、波長λａ
における記録膜Ａの吸光度を同波長における記録膜Ｂの
吸光度よりも高く設定することにより、波長λｂの光に
より記録膜Ｂを記録する際に、記録膜Ｂの吸光度の減少
にともなう波長λａでの吸光度の減少率を微小なものと
することができる。すなわち、第１図に示される吸光曲
線を有する多層記録膜を構成する記録膜A,Bのうち、長
波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ｂに記録を行う場合、
記録膜Ｂの吸収ピーク波長λｂと略同一波長の光を照射
して記録膜Ｂの記録が行われ、これにより第２図に実線
で示されるように記録膜Ｂの吸光度が減少する。そし
て、記録膜Ｂの光吸収帯Wbが記録膜Ａの吸収ピークの波
長λａにおいても存在するので、記録膜Ｂの吸光度の減
少にともなって波長λａでの吸光度も減少する。しか
し、上述のように波長λａにおける記録膜Ａの吸光度が
同波長における記録膜Ｂの吸光度に比べて高いため、記
録膜Ｂの記録による波長λａにおける吸光度の減少率は
きわめて小さいものとなる。このため、記録膜Ａの再生
時にバイアスをかけることにより、記録膜Ｂの記録によ
って生じた波長λａでの吸光度減少はノイズとして処理
することができる。
法を説明するための図である。第１図は光吸収帯が一部
重なり合う記録膜A,Bの分光特性を示す図であり、実線
は多層記録膜状態での吸光曲線を示し、鎖線はそれぞれ
記録膜Ａおよび記録膜Ｂの単層状態での吸光曲線を示
す。第１図において記録膜A,Bはそれぞれ最大吸光度に
おける波長がλa,λｂである吸収ピークをもっている。
また、記録膜A,Bの光吸収帯Wa,Wbは一部重なり合ってお
り、かつ記録膜Ｂの光吸収帯Wbは、記録膜Ａの吸収ピー
ク波長λａよりもさらに短波長域まで伸びている。そし
て、本発明では隣接する２つの吸収ピークのうち短波長
側の吸収ピークをもつ記録膜Ａの波長λａにおける吸光
度を、記録膜Ｂの波長λａにおける吸光度よりも高く設
定している。記録膜Ａの吸光度を高くするには、通常、
記録膜Ａの膜厚を厚くすればよく、本発明では波長λａ
における記録膜Ａの吸光度は波長λａにおける記録膜Ｂ
の吸光度より大きく設定される。このように、波長λａ
における記録膜Ａの吸光度を同波長における記録膜Ｂの
吸光度よりも高く設定することにより、波長λｂの光に
より記録膜Ｂを記録する際に、記録膜Ｂの吸光度の減少
にともなう波長λａでの吸光度の減少率を微小なものと
することができる。すなわち、第１図に示される吸光曲
線を有する多層記録膜を構成する記録膜A,Bのうち、長
波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ｂに記録を行う場合、
記録膜Ｂの吸収ピーク波長λｂと略同一波長の光を照射
して記録膜Ｂの記録が行われ、これにより第２図に実線
で示されるように記録膜Ｂの吸光度が減少する。そし
て、記録膜Ｂの光吸収帯Wbが記録膜Ａの吸収ピークの波
長λａにおいても存在するので、記録膜Ｂの吸光度の減
少にともなって波長λａでの吸光度も減少する。しか
し、上述のように波長λａにおける記録膜Ａの吸光度が
同波長における記録膜Ｂの吸光度に比べて高いため、記
録膜Ｂの記録による波長λａにおける吸光度の減少率は
きわめて小さいものとなる。このため、記録膜Ａの再生
時にバイアスをかけることにより、記録膜Ｂの記録によ
って生じた波長λａでの吸光度減少はノイズとして処理
することができる。
また、本発明では、第１図に示される吸光曲線を有す
る多層記録膜を構成する記録膜A,Bのうち、短波長側に
吸収ピークをもつ記録膜Ａに記録を行う場合、記録膜Ｂ
の光吸収帯Wbよりもさらに短い波長λ′ａを有する光を
照射して記録が行われる。これにより、第３図に実線で
示されるように記録膜Ａの吸光度が減少する。しかし、
長波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ｂは、その光吸収帯
Wb内の波長の光が照射されないため吸光度の減少は生じ
ない。
る多層記録膜を構成する記録膜A,Bのうち、短波長側に
吸収ピークをもつ記録膜Ａに記録を行う場合、記録膜Ｂ
の光吸収帯Wbよりもさらに短い波長λ′ａを有する光を
照射して記録が行われる。これにより、第３図に実線で
示されるように記録膜Ａの吸光度が減少する。しかし、
長波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ｂは、その光吸収帯
Wb内の波長の光が照射されないため吸光度の減少は生じ
ない。
上述のように、本発明では光吸収帯が一部重なり合う
記録膜A,Bを積層した多層記録膜の記録・再生におい
て、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ａの波長λａに
おる吸光度を記録膜Ｂの波長λａにおける吸光度よりも
高く設定し、長波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ｂの記
録は、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λｂと略同一波長の光
を照射して行い、短波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ａ
の記録は、記録膜Ｂの光吸収帯Wbよりもさらに短い波長
λ′ａを有する光を照射して行うので、各記録膜毎に独
立して記録・再生が行える。
記録膜A,Bを積層した多層記録膜の記録・再生におい
て、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜Ａの波長λａに
おる吸光度を記録膜Ｂの波長λａにおける吸光度よりも
高く設定し、長波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ｂの記
録は、記録膜Ｂの吸収ピーク波長λｂと略同一波長の光
を照射して行い、短波長側に吸収ピークをもつ記録膜Ａ
の記録は、記録膜Ｂの光吸収帯Wbよりもさらに短い波長
λ′ａを有する光を照射して行うので、各記録膜毎に独
立して記録・再生が行える。
なお、多層記録膜を構成する記録膜のなかに、他の記
録膜と光吸収帯の重なり合いがない記録膜が含まれてい
る場合、そのような記録膜の記録・再生は、従来の記録
再生方法と同様にその記録膜の吸収ピーク波長と略同一
波長の光を照射して行うことができる。
録膜と光吸収帯の重なり合いがない記録膜が含まれてい
る場合、そのような記録膜の記録・再生は、従来の記録
再生方法と同様にその記録膜の吸収ピーク波長と略同一
波長の光を照射して行うことができる。
本発明の対象となる記録膜としては、色素膜等が挙げ
られる。そして、光吸収帯が一部重なり合う記録膜の例
としては、色素膜の中から下記の式（Ｄ−１）および式
（Ｄ−２）に示されるシアニン色素が挙げられる。
られる。そして、光吸収帯が一部重なり合う記録膜の例
としては、色素膜の中から下記の式（Ｄ−１）および式
（Ｄ−２）に示されるシアニン色素が挙げられる。
シアニン色素Ｄ−１の後述するLB膜中の会合体におけ
る吸収ピーク波長は約400nmであり、シアニン色素Ｄ−
２の同じくLB膜中の会合体における吸収ピーク波長は約
450nmである。したがって、シアニン色素Ｄ−１が上記
の記録膜Ａの相当し、シアニン色素Ｄ−２が記録膜Ｂに
相当する。
る吸収ピーク波長は約400nmであり、シアニン色素Ｄ−
２の同じくLB膜中の会合体における吸収ピーク波長は約
450nmである。したがって、シアニン色素Ｄ−１が上記
の記録膜Ａの相当し、シアニン色素Ｄ−２が記録膜Ｂに
相当する。
また、記録膜の成膜はスピンコート法、浸漬法等の公
知の方法により行うことができる。また、積層膜全体が
照射光の焦点深度内に入ることが照射光制御の点からも
好ましい場合は、記録膜をLangmuir−Blodgett膜（LB
膜）として成膜してもよい。このLB膜は分子オーダーの
厚さを有し、分子配列が制御された均一な薄膜である。
このため、基板上に成膜された記録膜の厚さは、スピン
コート等により成膜された記録膜の10分の１程度の厚さ
である。また、スピンコート等により成膜された記録膜
の吸収スペクトルがブロードな吸収を示すのに対し、LB
膜として成膜することにより、いわゆるＪ−会合体が形
成され、吸収ピークが長波長側へシフトするとともに急
峻になり、記録膜としてより好ましいものとなる。
知の方法により行うことができる。また、積層膜全体が
照射光の焦点深度内に入ることが照射光制御の点からも
好ましい場合は、記録膜をLangmuir−Blodgett膜（LB
膜）として成膜してもよい。このLB膜は分子オーダーの
厚さを有し、分子配列が制御された均一な薄膜である。
このため、基板上に成膜された記録膜の厚さは、スピン
コート等により成膜された記録膜の10分の１程度の厚さ
である。また、スピンコート等により成膜された記録膜
の吸収スペクトルがブロードな吸収を示すのに対し、LB
膜として成膜することにより、いわゆるＪ−会合体が形
成され、吸収ピークが長波長側へシフトするとともに急
峻になり、記録膜としてより好ましいものとなる。
つぎに、LB膜の成膜方法を第４図を例に説明する。第
４図はLB膜作成装置の一例を示す斜視図である。第４図
において、LB膜作成装置１は下層液を保持する水槽２を
備え、下層液上に色素を溶かした溶媒が滴下される。滴
下された溶媒は下層液上に展開するとともに揮発して色
素分子は速やかに気水界面に拡がり、親水基を下層液中
に疎水基を大気中に出すような形で並び単分子膜を形成
する。つぎに、バリア３を図中右方向に移動させて単分
子膜に所定の膜圧力をかけ、凝集膜に保つ。この状態で
液面上を横切って基板４を垂直に上下させることによ
り、基板４上に１分子層あるいは多分子層の色素LB膜が
形成される。下層液はpH調整された蒸留水が用いられ
る。また、溶媒としては、水と相溶性をもたずに揮発性
を有するベンゼンおよびクロロホルムのような溶媒を用
いる。この溶剤には、色素とともに成膜補助剤として長
鎖脂肪酸およびその誘導体等を添加してもよい。上記の
単分子膜の膜圧力制御は、バリア３による圧縮に伴う気
水界面上での膜圧力（π）とバリア３の位置から求めた
面積（Ａ）の変化から得られるπ−Ａ曲線に基いて行う
ことができる。また、これと同時に色素の分光特性を測
定することにより、吸収ピークのシフトからＪ−会合体
が形成されたことを確認することもできる。
４図はLB膜作成装置の一例を示す斜視図である。第４図
において、LB膜作成装置１は下層液を保持する水槽２を
備え、下層液上に色素を溶かした溶媒が滴下される。滴
下された溶媒は下層液上に展開するとともに揮発して色
素分子は速やかに気水界面に拡がり、親水基を下層液中
に疎水基を大気中に出すような形で並び単分子膜を形成
する。つぎに、バリア３を図中右方向に移動させて単分
子膜に所定の膜圧力をかけ、凝集膜に保つ。この状態で
液面上を横切って基板４を垂直に上下させることによ
り、基板４上に１分子層あるいは多分子層の色素LB膜が
形成される。下層液はpH調整された蒸留水が用いられ
る。また、溶媒としては、水と相溶性をもたずに揮発性
を有するベンゼンおよびクロロホルムのような溶媒を用
いる。この溶剤には、色素とともに成膜補助剤として長
鎖脂肪酸およびその誘導体等を添加してもよい。上記の
単分子膜の膜圧力制御は、バリア３による圧縮に伴う気
水界面上での膜圧力（π）とバリア３の位置から求めた
面積（Ａ）の変化から得られるπ−Ａ曲線に基いて行う
ことができる。また、これと同時に色素の分光特性を測
定することにより、吸収ピークのシフトからＪ−会合体
が形成されたことを確認することもできる。
なお、基板４としては、表面が平滑であり、かつ界面
化学的に充分清浄な基板を用いることができ、例えば金
属、ガラス、有機高分子材料、シリコン等からなる基板
を用いることができる。
化学的に充分清浄な基板を用いることができ、例えば金
属、ガラス、有機高分子材料、シリコン等からなる基板
を用いることができる。
つぎに、実験例を示して本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
（実 験 例） 上記の式（Ｄ−１）および式（Ｄ−２）に示されるシ
アニン色素Ｄ−１およびシアニン色素Ｄ−２を用いて、
この順序で下記の条件によりLB膜を基板上に積層して多
層記録膜を作成した。LB膜の成膜は第４図に示されるLB
膜作成装置を使用した。
アニン色素Ｄ−１およびシアニン色素Ｄ−２を用いて、
この順序で下記の条件によりLB膜を基板上に積層して多
層記録膜を作成した。LB膜の成膜は第４図に示されるLB
膜作成装置を使用した。
・基 板：ガラス基板（表面を疎水処理したもの） ・溶 媒：クロロホルム ・色素濃度…2mmol/（溶媒） ・下層液：蒸留水（pH＝6.8,水温＝15℃） ・バリア移動速度:10〜20mm/分 ・基板昇降速度:5mm/分 ・シアニン色素Ｄ−１の成膜条件： ・成膜補助剤…ステアリン酸（Ｄ−1:ステアリン酸
＝1:1） ・膜圧力…35dyne/cm ・シアニン色素Ｄ−２の成膜条件： ・成膜補助剤…ステアリン酸（Ｄ−2:ステアリン酸
＝1:1） ・膜圧力…35dyne/cm 上述のようにして作成された多層記録膜について分光
特性を測定した。その結果を第５図に示す。第５図に示
されるように、多層記録膜は約400nmと約450nmに隣接し
た２つの吸収ピークを有し、シアニン色素Ｄ−２による
記録膜の光吸収帯は360〜480nmに存在していた。
＝1:1） ・膜圧力…35dyne/cm ・シアニン色素Ｄ−２の成膜条件： ・成膜補助剤…ステアリン酸（Ｄ−2:ステアリン酸
＝1:1） ・膜圧力…35dyne/cm 上述のようにして作成された多層記録膜について分光
特性を測定した。その結果を第５図に示す。第５図に示
されるように、多層記録膜は約400nmと約450nmに隣接し
た２つの吸収ピークを有し、シアニン色素Ｄ−２による
記録膜の光吸収帯は360〜480nmに存在していた。
このような多層記録膜に450nmの光を照射したとこ
ろ、450nmにおける吸光度が大きく減少し、400nmにおけ
る吸光度は若干の減少が生じたのみであった。また、35
5nmの光を照射したところ、400nmにおける記録膜の吸光
度が大きく減少し、シアニン色素Ｄ−２による記録膜の
吸光度の減少はみられなかった。
ろ、450nmにおける吸光度が大きく減少し、400nmにおけ
る吸光度は若干の減少が生じたのみであった。また、35
5nmの光を照射したところ、400nmにおける記録膜の吸光
度が大きく減少し、シアニン色素Ｄ−２による記録膜の
吸光度の減少はみられなかった。
比較として、400nmの光を照射したところ、400nmにお
ける吸光度が大きく減少したのは上述の実験例と同じで
あったが、450nmにおける記録膜の吸光度の減少も生じ
てしまった。
ける吸光度が大きく減少したのは上述の実験例と同じで
あったが、450nmにおける記録膜の吸光度の減少も生じ
てしまった。
以上詳述したように、本発明によれば光吸収帯が一部
重なり合う記録膜を積層した多層記録膜の記録・再生
を、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度を長波
長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度よりも高く設定
し、長波長側に吸収ピークをもつ記録膜の記録・再生は
その記録膜の吸収ピーク波長と略同一波長の光を照射し
て行い、短波長側に吸収ピークをもつ記録膜の記録・再
生は長波長側に吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯より
もさらに短い波長を有する光を照射して行うので、相隣
接する吸収ピークのうち長波長側の吸収ピークをもつ記
録膜の光吸収帯が短波長側の吸収ピークよりもさらに短
い波長域まで存在するような記録膜が積層された多層記
録膜であっても各記録膜毎に独立して記録・再生が行え
る。
重なり合う記録膜を積層した多層記録膜の記録・再生
を、短波長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度を長波
長側の吸収ピークをもつ記録膜の吸光度よりも高く設定
し、長波長側に吸収ピークをもつ記録膜の記録・再生は
その記録膜の吸収ピーク波長と略同一波長の光を照射し
て行い、短波長側に吸収ピークをもつ記録膜の記録・再
生は長波長側に吸収ピークをもつ記録膜の光吸収帯より
もさらに短い波長を有する光を照射して行うので、相隣
接する吸収ピークのうち長波長側の吸収ピークをもつ記
録膜の光吸収帯が短波長側の吸収ピークよりもさらに短
い波長域まで存在するような記録膜が積層された多層記
録膜であっても各記録膜毎に独立して記録・再生が行え
る。
第１図乃至第３図は本発明の多層記録膜の記録再生方法
を説明するための図であり、第１図は光吸収帯が一部重
なり合う記録膜の分光特性を示す図、第２図は長波長側
の吸収ピークをもつ記録膜の記録を行った状態の分光特
性を示す図、第３図は短波長側の吸収ピークをもつ記録
膜の記録を行った状態の分光特性を示す図、第４図はLB
膜作成装置の一例を示す斜視図、第５図はLB膜が積層さ
れて形成された多層記録膜の分光特性を示す図、第６図
乃至第８図は従来の多層記録膜の記録再生方法を説明す
るための図であり、第６図は光吸収帯が一部重なり合う
記録膜の分光特性を示す図、第７図は短波長側の吸収ピ
ークをもつ記録膜の記録を行った状態の分光特性を示す
図、第８図は長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の記録
を行った状態の分光特性を示す図である。 １……LB膜作成装置、 ２……水槽、 ３……バリア、 ４……基板。
を説明するための図であり、第１図は光吸収帯が一部重
なり合う記録膜の分光特性を示す図、第２図は長波長側
の吸収ピークをもつ記録膜の記録を行った状態の分光特
性を示す図、第３図は短波長側の吸収ピークをもつ記録
膜の記録を行った状態の分光特性を示す図、第４図はLB
膜作成装置の一例を示す斜視図、第５図はLB膜が積層さ
れて形成された多層記録膜の分光特性を示す図、第６図
乃至第８図は従来の多層記録膜の記録再生方法を説明す
るための図であり、第６図は光吸収帯が一部重なり合う
記録膜の分光特性を示す図、第７図は短波長側の吸収ピ
ークをもつ記録膜の記録を行った状態の分光特性を示す
図、第８図は長波長側の吸収ピークをもつ記録膜の記録
を行った状態の分光特性を示す図である。 １……LB膜作成装置、 ２……水槽、 ３……バリア、 ４……基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/00 G11B 7/24
Claims (1)
- 【請求項１】特定波長域に光吸収帯を有し固有の吸収ピ
ークをもつ記録膜を複数積層した多層記録膜に各記録膜
の吸収ピーク波長と略同一の波長の光を照射して記録お
よび再生を行う多層記録膜の記録再生方法において、 相隣接する吸収ピークのうち長波長側の吸収ピークをも
つ記録膜の光吸収帯が短波長側の吸収ピークよりもさら
に短波長域まで存在するときに、前記短波長側の吸収ピ
ークをもつ記録膜の吸収ピーク波長における吸光度を長
波長側の吸収ピークをもつ記録膜の短波長側の吸収ピー
ク波長における吸光度よりも高くするとともに、前記長
波長側の吸収ピークをもつ前記記録膜の光吸収帯よりも
短い波長の光を前記短波長側の吸収ピークをもつ前記記
録膜に照射することを特徴とする多層記録膜の記録再生
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126104A JP2801739B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 多層記録膜の記録再生方法 |
| US07/601,636 US5117416A (en) | 1990-05-15 | 1990-10-23 | Recording method for multi-layer recording film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126104A JP2801739B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 多層記録膜の記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421925A JPH0421925A (ja) | 1992-01-24 |
| JP2801739B2 true JP2801739B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=14926716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2126104A Expired - Lifetime JP2801739B2 (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 多層記録膜の記録再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5117416A (ja) |
| JP (1) | JP2801739B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2676302B1 (fr) * | 1991-05-07 | 1993-07-16 | Thomson Csf | Procede de lecture des informations contenues dans un disque optique. |
| US5467327A (en) * | 1993-12-22 | 1995-11-14 | Jamail; Randall | Method of masking data on a storage medium |
| US5471443A (en) * | 1993-12-22 | 1995-11-28 | Randall Jamail | Method of selectively concealing magneto-optical compact disk data for playback upon demand |
| US5808974A (en) * | 1993-12-22 | 1998-09-15 | Jamail; Randall H. | Method of masking data on a storage medium using a directory |
| US7247503B2 (en) * | 2003-05-07 | 2007-07-24 | Macronix International Co., Ltd. | Method of laser annealing to form an epitaxial growth layer |
| DE602005013057D1 (de) * | 2005-01-31 | 2009-04-16 | Ricoh Kk | Optisches Aufzeichnungsmedium mit unterschiedlicher optischer Absorption der beiden Aufzeichnungsschichten |
| US20060174256A1 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-03 | Tohru Yashiro | Optical recording medium, production method thereof, and, method and apparatus for recording and reproducing optical recording medium |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4183094A (en) * | 1978-03-20 | 1980-01-08 | Xerox Corporation | Optical storage medium using the frequency domain |
| US4737427A (en) * | 1985-03-06 | 1988-04-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical high density recording mediums, method for making same and method for recording optical information in the medium |
| DE3685470D1 (de) * | 1985-10-11 | 1992-07-02 | Sony Corp | Laserinformationsaufzeichnungsmedium mit aufzeichnungsschicht. |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2126104A patent/JP2801739B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-23 US US07/601,636 patent/US5117416A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5117416A (en) | 1992-05-26 |
| JPH0421925A (ja) | 1992-01-24 |
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