JP2767858B2 - 液晶ディスプレイ装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば液晶表示素子をX−Yマトリクス状
に配置して画像の表示を行う液晶ディスプレイ装置に関
する。
に配置して画像の表示を行う液晶ディスプレイ装置に関
する。
本発明は液晶ディスプレイ装置に関し、各第1の信号
線ごとに、水平画素に対応するパルス信号にて映像信号
をサンプリングし、このサンプリングされた信号を水平
ブランキング期間にゲートして供給する手段を設けるこ
とによって、各信号線に供給される信号の劣化を防止
し、良好な画像の表示が行われるようにしたものであ
る。
線ごとに、水平画素に対応するパルス信号にて映像信号
をサンプリングし、このサンプリングされた信号を水平
ブランキング期間にゲートして供給する手段を設けるこ
とによって、各信号線に供給される信号の劣化を防止
し、良好な画像の表示が行われるようにしたものであ
る。
例えば液晶を用いてテレビ画像を表示することが提案
(特開昭59−220793号公報等参照)されている。
(特開昭59−220793号公報等参照)されている。
すなわち第4図において、(1)はテレビの映像信号
が供給される入力端子で、この入力端子(1)からの信
号がそれぞれ例えばNチャンネルFETからなるスイッチ
ング素子M1,M2・・・Mmを通じて垂直(Y軸)方向のラ
インL1,L2・・・Lmに供給される。なおmは水平(X
軸)方向の画素数に相当する数である。さらにm段のシ
フトレジスタ(2)が設けられ、このシフトレジスタ
(2)に水平周波数のm倍のクロック信号Φ1H,Φ2Hが
供給され、このシフトレジスタ(2)の各出力端子から
のクロック信号Φ1H,Φ2Hによって順次走査される駆動
パルス信号φH1,φH2・・・φHmがスイッチング素子M1
〜Mmの各制御端子に供給される。なおシフトレジスタ
(2)には低電位(VSS)と高電位(VDD)が供給され、
この2つの電位の駆動パルスが形成される。
が供給される入力端子で、この入力端子(1)からの信
号がそれぞれ例えばNチャンネルFETからなるスイッチ
ング素子M1,M2・・・Mmを通じて垂直(Y軸)方向のラ
インL1,L2・・・Lmに供給される。なおmは水平(X
軸)方向の画素数に相当する数である。さらにm段のシ
フトレジスタ(2)が設けられ、このシフトレジスタ
(2)に水平周波数のm倍のクロック信号Φ1H,Φ2Hが
供給され、このシフトレジスタ(2)の各出力端子から
のクロック信号Φ1H,Φ2Hによって順次走査される駆動
パルス信号φH1,φH2・・・φHmがスイッチング素子M1
〜Mmの各制御端子に供給される。なおシフトレジスタ
(2)には低電位(VSS)と高電位(VDD)が供給され、
この2つの電位の駆動パルスが形成される。
また各ラインL1〜Lmにそれぞれ例えばNチャンネルFE
Tからなるスイッチング素子M11,M21・・・Mn1,M12,M22
・・・Mn2,・・・M1m,M2m・・・Mnmの一端が接続され
る。なおnは水平走査線数に相当する数である。このス
イッチング素子M11〜Mnmの他端がそれぞれ液晶セルC11,
C21・・・Cnmを通じてターゲット端子(3)に接続され
る。
Tからなるスイッチング素子M11,M21・・・Mn1,M12,M22
・・・Mn2,・・・M1m,M2m・・・Mnmの一端が接続され
る。なおnは水平走査線数に相当する数である。このス
イッチング素子M11〜Mnmの他端がそれぞれ液晶セルC11,
C21・・・Cnmを通じてターゲット端子(3)に接続され
る。
さらにn段のシフトレジスタ(4)が設けられ、この
シフトレジスタ(4)に水平周波数のクロック信号
Φ1V,Φ2Vが供給され、このシフトレジスタ(4)の各
出力端子からのクロック信号Φ1V,Φ2Vによって順次走
査される駆動パルス信号φV1,φV2・・・φVnが、水平
(X軸)方向のゲート線G1,G2・・・Gnを通じてスイッ
チング素子M11〜MnmのX軸方向の各列(M11〜M1m),
(M21〜M2m)・・・(Mn1〜Mnm)ごとの制御端子にそれ
ぞれ供給される。なお、シフトレジスタ(4)にもシフ
トレジスタ(2)と同様にVSSとVDDが供給される。
シフトレジスタ(4)に水平周波数のクロック信号
Φ1V,Φ2Vが供給され、このシフトレジスタ(4)の各
出力端子からのクロック信号Φ1V,Φ2Vによって順次走
査される駆動パルス信号φV1,φV2・・・φVnが、水平
(X軸)方向のゲート線G1,G2・・・Gnを通じてスイッ
チング素子M11〜MnmのX軸方向の各列(M11〜M1m),
(M21〜M2m)・・・(Mn1〜Mnm)ごとの制御端子にそれ
ぞれ供給される。なお、シフトレジスタ(4)にもシフ
トレジスタ(2)と同様にVSSとVDDが供給される。
すなわちこの回路において、シフトレジスタ(2),
(4)には第5図A,Bに示すようなクロック信号Φ1H,Φ
2H,Φ1V,Φ2Vが供給される。そしてシフトレジスタ
(2)からは同図Cに示すように各画素期間ごとにφH1
〜φHmが出力され、シフトレジスタ(4)からは同図D
に示すように1水平期間ごとにφV1〜φVnが出力され
る。さらに入力端子(1)には同図Eに示すような信号
が供給される。
(4)には第5図A,Bに示すようなクロック信号Φ1H,Φ
2H,Φ1V,Φ2Vが供給される。そしてシフトレジスタ
(2)からは同図Cに示すように各画素期間ごとにφH1
〜φHmが出力され、シフトレジスタ(4)からは同図D
に示すように1水平期間ごとにφV1〜φVnが出力され
る。さらに入力端子(1)には同図Eに示すような信号
が供給される。
そしてφV1,φH1が出力されているときは、スイッチ
ング素子M1とM11〜M1mがオンされ、入力端子(1)→M1
→L1→M11→C11→ターゲット端子(3)の電流路が形成
されて液晶セルC11に入力端子(1)に供給された信号
とターゲット端子(3)との電位差が供給される。この
ためこのセルC11の容量分に、1番目の画素の信号によ
る電位差に相当する電荷がサンプルホールドされる。こ
の電荷量に対応して液晶の光透過率が変化される。これ
と同様のことがセルC12〜Cnmについて順次行われ、さら
に次のフィールドの信号が供給された時点で各セルC11
〜Cnmの電荷量が書き換えられる。
ング素子M1とM11〜M1mがオンされ、入力端子(1)→M1
→L1→M11→C11→ターゲット端子(3)の電流路が形成
されて液晶セルC11に入力端子(1)に供給された信号
とターゲット端子(3)との電位差が供給される。この
ためこのセルC11の容量分に、1番目の画素の信号によ
る電位差に相当する電荷がサンプルホールドされる。こ
の電荷量に対応して液晶の光透過率が変化される。これ
と同様のことがセルC12〜Cnmについて順次行われ、さら
に次のフィールドの信号が供給された時点で各セルC11
〜Cnmの電荷量が書き換えられる。
このようにして、映像信号の各画素に対応して液晶セ
ルC11〜Cnmの光透過率が変化され、これが順次繰り返さ
れてテレビ画像の表示が行われる。
ルC11〜Cnmの光透過率が変化され、これが順次繰り返さ
れてテレビ画像の表示が行われる。
さらに液晶で表示を行う場合には、一般にその信頼
性、寿命を長くするため交流駆動が用いられる。例えば
テレビ画像の表示においては、1フィールドまたは1フ
レームごとに映像信号を反転させた信号を入力端子
(1)に供給する。また液晶ディスプレイ装置において
は表示の垂直方向のシューティング等を防止する目的で
信号を1水平期間ごとに反転することが行われている。
すなわち入力端子(1)には第5図Eに示すように1水
平期間ごとに反転されると共に1フィールドまたは1フ
レームごとに反転された信号が供給される。
性、寿命を長くするため交流駆動が用いられる。例えば
テレビ画像の表示においては、1フィールドまたは1フ
レームごとに映像信号を反転させた信号を入力端子
(1)に供給する。また液晶ディスプレイ装置において
は表示の垂直方向のシューティング等を防止する目的で
信号を1水平期間ごとに反転することが行われている。
すなわち入力端子(1)には第5図Eに示すように1水
平期間ごとに反転されると共に1フィールドまたは1フ
レームごとに反転された信号が供給される。
ところが上述の装置において、シフトレジスタ(2)
から出力される駆動パルス信号φH1〜φHmの時間幅は で決められ、例えばNTSC方式の場合には100nsec程度あ
る。これに対して例えばハイビジョンに適用した場合に
は、水平有効画面期間の時間が約1/2となり、水平画素
数が約3倍となるために、上述のパルスの時間幅は約1/
6に短縮されてしまう。
から出力される駆動パルス信号φH1〜φHmの時間幅は で決められ、例えばNTSC方式の場合には100nsec程度あ
る。これに対して例えばハイビジョンに適用した場合に
は、水平有効画面期間の時間が約1/2となり、水平画素
数が約3倍となるために、上述のパルスの時間幅は約1/
6に短縮されてしまう。
一方この駆動パルス信号φH1〜φHmの期間にスイッチ
ング素子M1〜Mmを通過された信号はラインL1〜Lmを通じ
てスイッチング素子M11〜Mnmに供給されるが、この場合
にラインL1〜Lmには10〜数10pFの配線容量が存在し、従
って信号はこの容量を充電してスイッチング素子M11〜M
nmに供給されることになる。
ング素子M1〜Mmを通過された信号はラインL1〜Lmを通じ
てスイッチング素子M11〜Mnmに供給されるが、この場合
にラインL1〜Lmには10〜数10pFの配線容量が存在し、従
って信号はこの容量を充電してスイッチング素子M11〜M
nmに供給されることになる。
そしてこの場合に、上述の充電は信号の供給時間が10
0nsec程度あれば信号電位まで立ち上げられるものの、
この時間が1/6に短縮されると信号が高電位(白または
黒)のときに充電が充分に行われず、コントラスト等の
不足した不鮮明な表示画像しか得られないおそれが生じ
た。なおハイビジョンの場合には配線容量もさらに増大
することになる。
0nsec程度あれば信号電位まで立ち上げられるものの、
この時間が1/6に短縮されると信号が高電位(白または
黒)のときに充電が充分に行われず、コントラスト等の
不足した不鮮明な表示画像しか得られないおそれが生じ
た。なおハイビジョンの場合には配線容量もさらに増大
することになる。
これに対して、入力映像信号を例えば1〜3画素期間
に相当する遅延手段を用いて4画素ずつ並列化し、この
並列化された信号を同じ4個ずつのスイッチング素子M1
〜Mmを通じてラインL1〜Lmに供給すると共に、この4個
ずつのスイッチング素子を共通の駆動パルス信号で駆動
することによって、パルス信号の時間幅を例えば4倍に
拡大できるようにする方法が検討されている。
に相当する遅延手段を用いて4画素ずつ並列化し、この
並列化された信号を同じ4個ずつのスイッチング素子M1
〜Mmを通じてラインL1〜Lmに供給すると共に、この4個
ずつのスイッチング素子を共通の駆動パルス信号で駆動
することによって、パルス信号の時間幅を例えば4倍に
拡大できるようにする方法が検討されている。
しかしながらこの方法では、信号の並列化を行う遅延
手段の特性等を極めて高精度に揃える必要があり、仮に
わずかでもずれがあると低い周波数での固定パターンと
なって表示に表われ、画質が極めて劣化されてしまうな
どの問題点があった。
手段の特性等を極めて高精度に揃える必要があり、仮に
わずかでもずれがあると低い周波数での固定パターンと
なって表示に表われ、画質が極めて劣化されてしまうな
どの問題点があった。
なお上述の装置でシフトレジスタ(2)の駆動はハイ
ビジョンに適用しても充分な高速が得られている。
ビジョンに適用しても充分な高速が得られている。
この出願はこのような点に鑑みてなされたものであ
る。
る。
本発明は、垂直方向に平行に配設された複数の第1の
信号線L1,L2・・・Lmと、水平方向に平行に配設された
複数の第2の信号線G1,G2・・・Gnとが設けられ、これ
らの第1,第2の信号線の各交点にそれぞれ選択素子M11,
M12・・・Mnmを介して液晶セルC11,C12・・・Cnmが設け
られてなる液晶ディスプレイ装置において、上記第1の
信号線に相当する出力部を有する水平走査手段(2)
と、この水平走査手段の出力部に順次発生されるパルス
信号によって入力映像信号をそれぞれサンプリングする
複数のサンプリング手段(CMOS素子Ma1,Ma2・・・Mam)
と、このサンプリング手段からの信号をそれぞれホール
ドする複数の第1のバッファアンプBa1,Ba2・・・B
amと、この第1のバッファアンプからの信号を水平ブラ
ンキング期間にそれぞれ通過させる複数のゲート回路
(CMOS素子Mb1,Mb2・・・Mbm)と、このゲート回路を通
過した信号を受け上記第1の信号線にそれぞれ供給する
ための複数の第2のバッファアンプBb1,Bb2・・・Bbmと
を、少くとも上記第1,第2の信号線,選択素子及び液晶
セルと共に全てオンチップ化するようにしたことを特徴
とする液晶ディスプレイ装置である。
信号線L1,L2・・・Lmと、水平方向に平行に配設された
複数の第2の信号線G1,G2・・・Gnとが設けられ、これ
らの第1,第2の信号線の各交点にそれぞれ選択素子M11,
M12・・・Mnmを介して液晶セルC11,C12・・・Cnmが設け
られてなる液晶ディスプレイ装置において、上記第1の
信号線に相当する出力部を有する水平走査手段(2)
と、この水平走査手段の出力部に順次発生されるパルス
信号によって入力映像信号をそれぞれサンプリングする
複数のサンプリング手段(CMOS素子Ma1,Ma2・・・Mam)
と、このサンプリング手段からの信号をそれぞれホール
ドする複数の第1のバッファアンプBa1,Ba2・・・B
amと、この第1のバッファアンプからの信号を水平ブラ
ンキング期間にそれぞれ通過させる複数のゲート回路
(CMOS素子Mb1,Mb2・・・Mbm)と、このゲート回路を通
過した信号を受け上記第1の信号線にそれぞれ供給する
ための複数の第2のバッファアンプBb1,Bb2・・・Bbmと
を、少くとも上記第1,第2の信号線,選択素子及び液晶
セルと共に全てオンチップ化するようにしたことを特徴
とする液晶ディスプレイ装置である。
これによれば、信号線ごとにサンプリング手段とゲー
ト回路を設けることによって、サンプリング時の負荷を
小さくしてサンプリングを容易に行えるようにすると共
に、信号線への供給時間を長くして信号による充電を充
分に行わせ表示画像の画質の劣化を防止することができ
る。
ト回路を設けることによって、サンプリング時の負荷を
小さくしてサンプリングを容易に行えるようにすると共
に、信号線への供給時間を長くして信号による充電を充
分に行わせ表示画像の画質の劣化を防止することができ
る。
第1図は全てがオンチップによって構成される液晶デ
ィスプレイ装置の一例の構成を示す。この図において、
入力端子(1)に供給される映像信号はサンプリング手
段を構成するCMOS素子Ma1,Ma2・・・Mamに共通に供給さ
れ、これらの素子Ma1〜Mamの制御端子にそれぞれシフト
レジスタ(2)からの駆動パルス信号φH1〜φHm及び▲
▼〜▲▼が供給される。
ィスプレイ装置の一例の構成を示す。この図において、
入力端子(1)に供給される映像信号はサンプリング手
段を構成するCMOS素子Ma1,Ma2・・・Mamに共通に供給さ
れ、これらの素子Ma1〜Mamの制御端子にそれぞれシフト
レジスタ(2)からの駆動パルス信号φH1〜φHm及び▲
▼〜▲▼が供給される。
これらの素子Ma1〜Mamからの信号がそれぞれバッファ
アンプBa1,Ba2・・・Bamの非反転入力に供給され、これ
らのバッファアンプBa1〜Bamの出力が反転入力に帰還さ
れる。これらのバッファアンプBa1〜Bamからの信号がそ
れぞれゲート回路を構成するCOMS素子Mb1,Mb2・・・Mbm
に供給され、これらの素子Mb1〜Mbmの制御端子にそれぞ
れ端子(5)からの水平ブランキングパルス(HBLK及び
▲▼)が供給される。
アンプBa1,Ba2・・・Bamの非反転入力に供給され、これ
らのバッファアンプBa1〜Bamの出力が反転入力に帰還さ
れる。これらのバッファアンプBa1〜Bamからの信号がそ
れぞれゲート回路を構成するCOMS素子Mb1,Mb2・・・Mbm
に供給され、これらの素子Mb1〜Mbmの制御端子にそれぞ
れ端子(5)からの水平ブランキングパルス(HBLK及び
▲▼)が供給される。
これらの素子Mb1〜Mbmからの信号がそれぞれバッファ
アンプBb1,Bb2・・・Bbmの非反転入力に供給され、これ
らのバッファアンプBb1〜Bbmの出力が反転入力に帰還さ
れる。これらのバッファアンプBb1〜Bbmからの信号がそ
れぞれ垂直(Y軸)方向のラインL1〜Lmに供給される。
さらに以下の構成は従来の技術で述べた装置と同様にさ
れる。
アンプBb1,Bb2・・・Bbmの非反転入力に供給され、これ
らのバッファアンプBb1〜Bbmの出力が反転入力に帰還さ
れる。これらのバッファアンプBb1〜Bbmからの信号がそ
れぞれ垂直(Y軸)方向のラインL1〜Lmに供給される。
さらに以下の構成は従来の技術で述べた装置と同様にさ
れる。
従ってこの装置において、例えば第2図Aに示すよう
な映像信号が端子(1)に供給された場合に、素子Ma1
〜Mamは同図Bに示すように導通され、この導通期間の
映像信号がサンプリングされてバッファアンプBa1〜Bam
でホールドされる。これに対して素子Mb1〜Mbmが同図C
に示すような水平ブランキングのタイミングで導通さ
れ、ホールドされた信号がそれぞれバッファアンプBb1
〜Bbmを通じてラインL1〜Lmに供給される。以下従来と
同様にして画像の表示が行われる。
な映像信号が端子(1)に供給された場合に、素子Ma1
〜Mamは同図Bに示すように導通され、この導通期間の
映像信号がサンプリングされてバッファアンプBa1〜Bam
でホールドされる。これに対して素子Mb1〜Mbmが同図C
に示すような水平ブランキングのタイミングで導通さ
れ、ホールドされた信号がそれぞれバッファアンプBb1
〜Bbmを通じてラインL1〜Lmに供給される。以下従来と
同様にして画像の表示が行われる。
そしてこの場合に、上述の装置において素子Ma1〜Mam
での映像信号のサンプリングはバッファアンプBa1〜Bam
までのわずかな配線容量及びバッファアンプを駆動する
のみでよく、負荷が軽いために充分に高速で行うことが
できる。またバッファアンプBa1〜Bam及び素子Mb1〜Mbm
は比較的長い水平ブランキングの期間に動作すればよい
ので通常のTFT等を用いた回路で動作可能であり、さら
にバッファアンプBb1〜Bbmは水平有効画面期間の時間で
ラインL1〜Lmの充電を行えばよいので、通常の回路で充
分に実現することができる。
での映像信号のサンプリングはバッファアンプBa1〜Bam
までのわずかな配線容量及びバッファアンプを駆動する
のみでよく、負荷が軽いために充分に高速で行うことが
できる。またバッファアンプBa1〜Bam及び素子Mb1〜Mbm
は比較的長い水平ブランキングの期間に動作すればよい
ので通常のTFT等を用いた回路で動作可能であり、さら
にバッファアンプBb1〜Bbmは水平有効画面期間の時間で
ラインL1〜Lmの充電を行えばよいので、通常の回路で充
分に実現することができる。
これによって全ての液晶セルの電荷量の書き換えを充
分に行うことができ、コントラスト等の優れた良好な表
示画像を得ることができる。
分に行うことができ、コントラスト等の優れた良好な表
示画像を得ることができる。
こうしてこの装置によれば、信号線ごとにサンプリン
グ手段とゲート回路を設けることによって、サンプリン
グ時の負荷を小さくしてサンプリングを容易に行えるよ
うにすると共に、信号線への供給時間を長くして信号に
よる充電を充分に行わせ、表示画像の画質の劣化を防止
することができるものである。
グ手段とゲート回路を設けることによって、サンプリン
グ時の負荷を小さくしてサンプリングを容易に行えるよ
うにすると共に、信号線への供給時間を長くして信号に
よる充電を充分に行わせ、表示画像の画質の劣化を防止
することができるものである。
なお上述の装置において素子Ma1〜Mam,Mb1〜Mbmは全
てCMOS素子で描いたが、これらはPあるいはNMOS素子を
用いてもよい。
てCMOS素子で描いたが、これらはPあるいはNMOS素子を
用いてもよい。
また上述の装置においてバッファアンプBa1〜Bam,Bb1
〜Bbmは例えばTFTを用いて第3図に示すように構成でき
る。すなわち図においてNMOS素子N1,N2からなる差動ア
ンプが設けられ、この一方の素子N2のゲートに入力端子
が接続されると共に、素子N1,N2のドレインがPMOS素子P
1,P2のカレントミラー回路を介して互いに接続される。
この素子N2のドレインがPMOS素子P3のゲートに接続さ
れ、この素子P3のソースが素子N1のゲートに接続される
と共に出力端子に接続される。さらに素子P3のソースが
NMOS素子N6のゲートに接続され、この素子N6のソースが
コンデンサCを介して素子N2のドレインに接続される。
なお素子N3〜N5はバイアス電流源である。
〜Bbmは例えばTFTを用いて第3図に示すように構成でき
る。すなわち図においてNMOS素子N1,N2からなる差動ア
ンプが設けられ、この一方の素子N2のゲートに入力端子
が接続されると共に、素子N1,N2のドレインがPMOS素子P
1,P2のカレントミラー回路を介して互いに接続される。
この素子N2のドレインがPMOS素子P3のゲートに接続さ
れ、この素子P3のソースが素子N1のゲートに接続される
と共に出力端子に接続される。さらに素子P3のソースが
NMOS素子N6のゲートに接続され、この素子N6のソースが
コンデンサCを介して素子N2のドレインに接続される。
なお素子N3〜N5はバイアス電流源である。
従ってこの回路において素子N1,N2にて初段、素子P3,
N5にて2段目のアンプが形成され、出力が初段に帰還さ
れたバッファアンプが形成される。また素子N6及びコン
デンサCは帰還による発振の防止回路である。このよう
にしてTFTによるバッファアンプが形成される。
N5にて2段目のアンプが形成され、出力が初段に帰還さ
れたバッファアンプが形成される。また素子N6及びコン
デンサCは帰還による発振の防止回路である。このよう
にしてTFTによるバッファアンプが形成される。
なおバッファアンプの具体回路は他の構成であっても
よい。
よい。
さらにこの装置は、サンプリング手段,ゲート回路,
シフトレジスタ等をオンチップ化した単一の液晶ディス
プレイ装置に適用されるものである。
シフトレジスタ等をオンチップ化した単一の液晶ディス
プレイ装置に適用されるものである。
〔発明の効果〕 この発明によれば、信号線ごとにサンプリング手段と
ゲート回路を設けることによって、サンプリング時の負
荷を小さくしてサンプリングを容易に行えるようにする
と共に、信号線への供給時間を長くして信号による充電
を充分に行わせ、表示画像の画質の劣化を防止すること
ができるようになった。
ゲート回路を設けることによって、サンプリング時の負
荷を小さくしてサンプリングを容易に行えるようにする
と共に、信号線への供給時間を長くして信号による充電
を充分に行わせ、表示画像の画質の劣化を防止すること
ができるようになった。
第1図は本発明の一例の構成図、第2図,第3図はその
説明のため図、第4図,第5図は従来の装置の説明のた
めの図である。 L1〜Lmは垂直信号線、G1〜Gnはゲート線、Ma1〜Mam,Mb1
〜Mbm,M11〜Mnmはスイッチング素子、Ba1〜Bam,Bb1〜B
bmはバッファアンプ、C11〜Cnmは液晶セル、(1)
(3)(5)は端子、(2)(4)はシフトレジスタで
ある。
説明のため図、第4図,第5図は従来の装置の説明のた
めの図である。 L1〜Lmは垂直信号線、G1〜Gnはゲート線、Ma1〜Mam,Mb1
〜Mbm,M11〜Mnmはスイッチング素子、Ba1〜Bam,Bb1〜B
bmはバッファアンプ、C11〜Cnmは液晶セル、(1)
(3)(5)は端子、(2)(4)はシフトレジスタで
ある。
Claims (1)
- 【請求項1】垂直方向に平行に配設された複数の第1の
信号線と、水平方向に平行に配設された複数の第2の信
号線とが設けられ、これらの第1,第2の信号線の各交点
にそれぞれ選択素子を介して液晶セルが設けられてなる
液晶ディスプレイ装置において、 上記第1の信号線に相当する出力部を有する水平走査手
段と、 この水平走査手段の出力部に順次発生されるパルス信号
によって入力映像信号をそれぞれサンプリングする複数
のサンプリング手段と、 このサンプリング手段からの信号をそれぞれホールドす
る複数の第1のバッファアンプと、 この第1のバッファアンプからの信号を水平ブランキン
グ期間にそれぞれ通過させる複数のゲート回路と、 このゲート回路を通過した信号を受け上記第1の信号線
にそれぞれ供給するための複数の第2のバッファアンプ
とを、 少くとも上記第1,第2の信号線,選択素子及び液晶セル
と共に全てオンチップ化するようにしたことを特徴とす
る液晶ディスプレイ装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1030188A JP2767858B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 液晶ディスプレイ装置 |
US07/473,833 US5166671A (en) | 1989-02-09 | 1990-02-02 | LIquid crystal display device |
KR1019900001570A KR0142414B1 (ko) | 1989-02-09 | 1990-02-09 | 액정 표시장치 |
US08/774,681 US5850204A (en) | 1989-02-09 | 1996-12-26 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1030188A JP2767858B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 液晶ディスプレイ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02209091A JPH02209091A (ja) | 1990-08-20 |
JP2767858B2 true JP2767858B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=12296780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1030188A Expired - Lifetime JP2767858B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 液晶ディスプレイ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5166671A (ja) |
JP (1) | JP2767858B2 (ja) |
KR (1) | KR0142414B1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-02-09 JP JP1030188A patent/JP2767858B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-02 US US07/473,833 patent/US5166671A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-09 KR KR1019900001570A patent/KR0142414B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-12-26 US US08/774,681 patent/US5850204A/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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KR900013440A (ko) | 1990-09-05 |
KR0142414B1 (ko) | 1998-07-15 |
US5850204A (en) | 1998-12-15 |
US5166671A (en) | 1992-11-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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