JP2760320B2 - Die bonding method and apparatus - Google Patents
Die bonding method and apparatusInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、枠部に囲まれるア
イランド部の複数を一方向に並べ構成される帯状のリー
ドフレームの該アイランドに半導体チップを搭載するダ
イボンディング方法およびその装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a die bonding method and an apparatus for mounting a semiconductor chip on an island of a strip-shaped lead frame in which a plurality of islands surrounded by a frame are arranged in one direction.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、ダイボンディング工程は、ウェハ
に素子形成のための不純物の拡散や素子への配線など行
なうチップ形成工程から組立工程に入る最初の工程であ
る。また、このダイボンディング工程に入る前に、ウェ
ハの状態で半導体チップとなる各集積回路形成領域の電
気特性を測定し各領域における特性グレードを分類し、
その後、粘着シートに貼り付けられたウエハを切断刃で
個々の領域に切断して半導体チップに分離していた。2. Description of the Related Art Conventionally, a die bonding process is the first process to enter an assembling process from a chip forming process in which an impurity is diffused into a wafer to form an element and wiring to the element is performed. Before entering this die bonding step, the electrical characteristics of each integrated circuit forming region which becomes a semiconductor chip in a wafer state are measured, and the characteristic grade in each region is classified.
Thereafter, the wafer attached to the pressure-sensitive adhesive sheet was cut into individual regions by a cutting blade to separate into semiconductor chips.
【0003】ダイボンディング方法は、まず、一枚のウ
ェハから分離された半導体チップを貼り付けた粘着シー
トを枠とともにペレットピックアップステージに固定す
る。次に、電気特性結果情報に基ずき同一グレードの半
導体チップのみをコレットで順次拾い、予じめダイステ
ージに載置され接着剤が塗布されたリードフレームのア
イランドのそれぞれに半導体チップを押し付け搭載す
る。In the die bonding method, first, an adhesive sheet to which a semiconductor chip separated from one wafer is attached is fixed together with a frame to a pellet pickup stage. Next, based on the electrical characteristic result information, only semiconductor chips of the same grade are sequentially picked up by a collet, and the semiconductor chips are placed on a die stage in advance and pressed against each of the adhesive-coated lead frame islands and mounted. I do.
【0004】そして、粘着シート上に同一グレードの半
導体チップが無くなったら、別のウェハから分離された
半導体チップを貼付けられた粘着シートを枠とともにペ
レットピックアップステージに固定する。そして、前述
と同様に同一グレードの半導体チップをリードフレーム
のアイランドに搭載する。予定数のリードフレームに半
導体チップを搭載したら、この同一グレードの半導体チ
ップを搭載したリードフレームを例えばAロット呼び、
次工程へ送る。[0004] When semiconductor chips of the same grade are no longer present on the adhesive sheet, the adhesive sheet to which the semiconductor chips separated from another wafer are attached is fixed together with a frame to a pellet pickup stage. Then, as described above, semiconductor chips of the same grade are mounted on the islands of the lead frame. After the semiconductor chips are mounted on the expected number of lead frames, the lead frame mounting the same grade semiconductor chips is called, for example, A lot,
Send to the next process.
【0005】次に、Aロットで半導体チップが除かれた
粘着シートを枠とともに再びペレットピックアップステ
ージに固定する。そして、電気特性結果情報に基ずき前
述とは別の同一グレードの半導体チップのみをコレット
で順次拾い、予じめダイステージに載置され接着剤が塗
布されたリードフレームのアイランドのそれぞれに半導
体チップを押し付け搭載する。そして、粘着シート上に
同一グレードの半導体チップが無くなったら、別のウェ
ハから分離され既に前述のグレードの半導体チップが除
かれた粘着シートを枠とともにペレットピックアップス
テージに固定する。そして、前述と同様に同一グレード
の半導体チップをリードフレームのアイランドに搭載す
る。予定数のリードフレームに半導体チップを搭載した
ら、この同一グレードの半導体チップを搭載したリード
フレームを例えばBロット呼び、次工程へ送る。[0005] Next, the adhesive sheet from which the semiconductor chips have been removed in the lot A is fixed together with the frame to the pellet pickup stage again. Then, based on the electrical characteristic result information, only semiconductor chips of the same grade different from those described above are sequentially picked up by a collet, and semiconductor chips are placed on each of the lead frame islands previously mounted on the die stage and coated with an adhesive. The chip is pressed and mounted. When there is no semiconductor chip of the same grade on the adhesive sheet, the adhesive sheet separated from another wafer and from which the semiconductor chip of the above-mentioned grade has been removed is fixed together with a frame to a pellet pickup stage. Then, as described above, semiconductor chips of the same grade are mounted on the islands of the lead frame. After the semiconductor chips are mounted on a predetermined number of lead frames, the lead frame mounting the same grade semiconductor chips is called, for example, a lot B and sent to the next process.
【0006】このように、ダイボンデイング工程以降の
組立工程では、異なるグレードの半導体チップが混在し
ないようにロット管理を行なっていた。As described above, in the assembly process after the die bonding process, lot management is performed so that semiconductor chips of different grades are not mixed.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のダイボンディング方法では、同一グレード毎に
ウェハから分離された半導体チップを貼付けられた粘着
シートをペレットピックアップステージに載置し直さな
ければならない。その結果、交換作業中はダイボンディ
ング動作を停止しなければならずスループットの低下を
招くばかりか、実際の稼働率が低いという問題がある。However, in the above-described conventional die bonding method, the adhesive sheet to which the semiconductor chips separated from the wafer for each same grade have been attached must be remounted on the pellet pickup stage. As a result, there is a problem that the die bonding operation must be stopped during the replacement work, which not only lowers the throughput but also lowers the actual operation rate.
【0008】また、異種グレードが混入しないように後
工程に対し分割済みのロット構成で流す必要があるの
で、ダイボンデイング工程と同様に後工程に生産性の低
下を招き、さらに、ロット構成の多様化による生産管理
工数の増大およびTATの遅延などの問題も生ずる。Further, since it is necessary to flow in a divided lot configuration for the subsequent process so that different grades are not mixed, productivity is reduced in the subsequent process as in the die bonding process, and furthermore, the variety of the lot configuration is increased. In addition, problems such as an increase in the number of man-hours for production management and delay in TAT arise.
【0009】従って、本発明の目的は、処理速度が早く
実質の稼働率の高めるとともに後工程の管理工数の低減
が図れるダイボンディング方法およびその装置を提供す
ることである。SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a die bonding method and a die bonding method capable of increasing the actual operation rate at a high processing speed and reducing the number of man-hours required for post-processing.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、枠部に
囲まれるアイランド部の複数を一方向に並べ構成される
帯状のリードフレームの該アイランドに半導体チップを
搭載するダイボンディング方法において、前記半導体チ
ップを接着剤を介して前記アイランド部に押し付けると
同時に前記枠部に変形を与えることなく該枠部にグレー
ド識別マークを捺印するダイボンディング方法である。A feature of the present invention is a die bonding method for mounting a semiconductor chip on an island of a strip-shaped lead frame in which a plurality of islands surrounded by a frame are arranged in one direction. A die bonding method in which the semiconductor chip is pressed against the island portion via an adhesive, and at the same time, a grade identification mark is stamped on the frame portion without deforming the frame portion.
【0011】また、本発明の他の特徴は、前記リードフ
レームを載置する台と、前記アイランド部に前記接着剤
を塗布する接着剤塗布部と、ウェハから分割された前記
半導体チップを保持し前記アイランド部に該半導体チッ
プを押し付けるコレット部と、このコレット部の押し付
け動作と同時に前記枠部に捺印する前記グレード識別マ
ークの複数の印部を具備する押印部と、前記半導体チッ
プの電気特性値に対応する前記押印部の前記グレード識
別マークの印部に切替える印部切替え部とを備えるダイ
ボンディング装置である。Further, another feature of the present invention is that a table on which the lead frame is mounted, an adhesive application section for applying the adhesive to the island section, and the semiconductor chip divided from a wafer are held. A collet portion for pressing the semiconductor chip against the island portion, a stamping portion including a plurality of marking portions of the grade identification mark to be stamped on the frame portion simultaneously with the pressing operation of the collet portion, and an electrical characteristic value of the semiconductor chip. And a marking switching unit that switches to a marking of the grade identification mark of the stamp corresponding to the stamping unit.
【0012】さらに、前記押印部が前記コレット部に取
付けられていることが望ましい。Further, it is preferable that the stamp is attached to the collet.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【0014】図1は本発明のダイボンディング方法の一
実施の形態を説明するための製品の流れを示す図であ
る。このダイボンディング方法は、図1に示すように、
まず、電気特性選別工程で電気特性が行なわれ各チップ
領域がグレード分類されたウェハ21がダイシングされ
半導体チップ22に分割分離され粘着シート16に貼付
けられた状態でダイボンディング工程に送られてくる。
次に、ペレットピックアップステージに半導体チップ2
2を貼付けた粘着シート16を外枠17とともに載置す
る。FIG. 1 is a diagram showing the flow of products for explaining one embodiment of the die bonding method of the present invention. In this die bonding method, as shown in FIG.
First, the wafer 21 whose electric characteristics are performed in the electric characteristics selection step and each chip region is classified into grades is diced, divided into semiconductor chips 22 and sent to the die bonding step in a state of being attached to the adhesive sheet 16.
Next, the semiconductor chip 2 is placed on the pellet pickup stage.
The pressure-sensitive adhesive sheet 16 to which 2 is attached is placed together with the outer frame 17.
【0015】次に、コレットが粘着シート16の最も端
に付着している半導体チップ22を拾うとともにフロッ
ピイディスクであるFD15に記憶されているウェハの
半導体チップの位置情報とそれらの電気特性データ情報
をもとに拾われた半導体チップ22に対応するグレード
識別マークの印部を選び、予じめ接着剤が塗布されたリ
ードフレーム20のアイランド19に半導体チップ22
をコレットで押し付けると同時に印部をリードフレーム
20の枠部18に押しドット2つのグレード認識マーク
8を捺印する。Next, the collet picks up the semiconductor chip 22 adhering to the end of the adhesive sheet 16 and positions the semiconductor chip of the wafer stored in the floppy disk FD 15 and the electrical characteristic data information thereof. The mark portion of the grade identification mark corresponding to the semiconductor chip 22 picked up is selected based on the semiconductor chip 22 and the semiconductor chip 22 is placed on the island 19 of the lead frame 20 to which the adhesive has been applied in advance.
Is pressed with a collet, and at the same time, the marked part is pressed on the frame part 18 of the lead frame 20 to seal the grade recognition mark 8 with two dots.
【0016】次に、コレットをペレットピックアップス
テージ上に戻し、前述の半導体チップの隣の半導体チッ
プ22を拾い、FD15に記憶されているウェハの半導
体チップの位置情報とそれらの電気特性データ情報をも
とに拾われた半導体チップ22に対応するグレード識別
マークの印部を選び、アイランド19に半導体チップ2
2をコレットで押し付けると同時に印部をリードフレー
ム20の枠部18に押しドット1つのグレード認識マー
ク8を捺印する。Next, the collet is returned to the pellet pick-up stage, the semiconductor chip 22 adjacent to the above-mentioned semiconductor chip is picked up, and the position information of the semiconductor chip on the wafer stored in the FD 15 and their electric characteristic data information are also obtained. Select the mark of the grade identification mark corresponding to the semiconductor chip 22 picked up by
2 is pressed with a collet, and at the same time, the marked part is pressed on the frame part 18 of the lead frame 20 to imprint the grade recognition mark 8 with one dot.
【0017】このように、順次、粘着シート16に付着
している半導体チップ22を端から順に拾い、FD15
に記憶されているウェハの半導体チップの位置情報とそ
れらの電気特性データ情報をもとに拾われた半導体チッ
プ22に対応するグレード識別マークの印部を選び、ア
イランド19に半導体チップ22をコレットで押し付け
ると同時に印部をリードフレーム20の枠部18に押し
グレード認識マーク8を捺印し粘着シート16に貼付け
られた半導体チップを不良のものを除いて無くなるまで
繰返して行なう。As described above, the semiconductor chips 22 attached to the adhesive sheet 16 are sequentially picked up from the end, and the FD 15
Select the mark portion of the grade identification mark corresponding to the semiconductor chip 22 picked up based on the position information of the semiconductor chip of the wafer stored in the storage device and their electrical characteristic data information, and collect the semiconductor chip 22 on the island 19 by collet. At the same time as the pressing, the marking portion is pressed on the frame portion 18 of the lead frame 20, the grade recognition mark 8 is stamped, and the semiconductor chip affixed to the adhesive sheet 16 is repeatedly removed except for the defective one.
【0018】そして、新に特性選別されダイシングされ
た半導体チップ22を貼付けられた粘着シート16を外
枠17とともにペレットピックアップステージに載置
し、前述と同じ動作をロット数に達するまで繰返して行
ないダイボンデイング工程を終了する。そして、後工程
であるワイヤボンディング工程および樹脂封止工程にリ
ードフレーム状態で送り、ワイヤの接続を行ないしかる
後樹脂でワイヤと半導体チップとの周囲を包む。そし
て、リードフレーム20を個別の分離済リードフレーム
20aに分離切断し、仕上げを行なうとともにグレード
認識マーク8によって種分けされるとともにそれぞれの
包装トレー23に成形済み半導体装置20bとして収納
される。Then, the adhesive sheet 16 on which the semiconductor chip 22 newly selected and diced is attached is placed on a pellet pickup stage together with the outer frame 17, and the same operation as described above is repeated until the number of lots is reached. The bonding process ends. Then, it is sent in a lead frame state to a wire bonding step and a resin sealing step, which are subsequent steps, and after the wires are connected, the periphery of the wires and the semiconductor chip is wrapped with resin. Then, the lead frame 20 is separated and cut into individual separated lead frames 20a, finished, sorted by the grade recognition mark 8, and stored in each packaging tray 23 as the molded semiconductor device 20b.
【0019】このリードフレーム自体に識別マークを施
すことは公知の技術である。倒えば、特開昭64ー20
634号公報に開示されているように、リードフレーム
の外側に切欠きあるいはノッチを形成し識別子としてい
る。Applying an identification mark to the lead frame itself is a known technique. If you fall down,
As disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 634, a notch or notch is formed outside the lead frame to serve as an identifier.
【0020】しかしながら、このような切欠きやノッチ
を本発明のリードフレームのグレード識別マークに適用
しようとすると以下の問題がある。まず、金属板である
リードフレームに切欠きあるいはノッチを形成しようと
すると、ポンチを叩く機械的な機構を設けなくてはなら
ない上に、コレットによる半導体チップを搭載する際
に、ポンチの衝撃力が伝わらないように、コレットと引
離して配置し半導体チップが搭載されてから、切欠きあ
るいはノッチを形成するといった半導体チップの位置ず
れに十分配慮しなければならないこととシーケンスによ
る遅れがあることを覚悟しなければならい。However, if such a notch or notch is applied to the grade identification mark of the lead frame of the present invention, the following problem occurs. First, if a notch or notch is to be formed in the lead frame, which is a metal plate, a mechanical mechanism must be provided to strike the punch, and the impact force of the punch must be Be aware that the semiconductor chip must be placed away from the collet so that it will not be transmitted, and after the semiconductor chip is mounted, sufficient consideration must be given to the misalignment of the semiconductor chip, such as the formation of a notch or notch, and the delay due to the sequence. Must do.
【0021】もう一つ問題は、このような切欠きやノッ
チをリードフレームの外側に形成すると、リードフレー
ムに変形やかえりを生じさせ、この変形やかえりのため
に、ダイボンディング装置やワイヤボンディング装置の
リードフレームのガイド機構におけるリードフレームの
摺動が円滑に行なわれず、位置決め不具合によるマウン
ト不良やワイヤ接続不良を起すことがある。Another problem is that if such a notch or notch is formed outside the lead frame, the lead frame will be deformed or burred. The lead frame does not slide smoothly in the lead frame guide mechanism described above, which may cause a mounting failure or a wire connection failure due to a positioning failure.
【0022】図2(a)および(b)はリードフレーム
に捺印されたグレード識別マークの例を示す図である。
そこで、本発明は、グレード識別マークを形成するのに
リードフレームに変形を与えないようにインクで捺印し
たことである。そして、樹脂封着時の加熱によってイン
クが変色しないように、顔料に無機材料を使用すること
が望ましい。FIGS. 2A and 2B show examples of grade identification marks imprinted on a lead frame.
Therefore, the present invention is to seal the lead frame with ink so as not to deform the lead frame when forming the grade identification mark. Then, it is desirable to use an inorganic material for the pigment so that the ink does not discolor by heating at the time of sealing the resin.
【0023】また、捺印されるグレード識別マークの形
状は、例えば、図2(a)に示すように、ドットで示す
か、あるいは、図2(b)に示すように、アルファベッ
トで示すかである。ドットで示す場合は、グレード分類
が少ないとき適しており、アルファベットのときはグレ
ード分類が多いときに適している。ただし、D,Oなど
のマークは、捺印によりCと紛らわしくなるので、避け
ることが望ましい。The shape of the grade identification mark to be stamped is, for example, shown by dots as shown in FIG. 2A, or by alphabets as shown in FIG. 2B. . In the case of showing with dots, it is suitable when the grade classification is small, and when the alphabet is used, it is suitable when the grade classification is large. However, marks such as D and O can be confused with C by stamping.
【0024】図3は本発明のダイボンディング装置の一
実施の形態を示す斜視図である。このダイボンディング
装置は、図3に示すように、リードフレーム20を一駒
ずつ送り位置決め載置する台5と、アイランド部19に
Agペーストを塗布する塗布部6と、ウェハから分割さ
れ粘着シート16に貼付けられた半導体チップ22を吸
着保持しアイランド部19に半導体チップ22を押し付
けるコレット部3と、このコレット部3の押し付け動作
と同時に枠部18に捺印するグレード識別マーク8の複
数の印部1a〜1dを具備するターレットヘッド2と、
半導体チップの電気特性値に対応するターレットヘッド
2のグレード識別マークの印部1a〜1dにインデック
ス機構部(図示せず)とを備えている。FIG. 3 is a perspective view showing one embodiment of the die bonding apparatus of the present invention. As shown in FIG. 3, the die bonding apparatus includes a table 5 for feeding and positioning the lead frame 20 one frame at a time, a coating section 6 for coating the island section 19 with an Ag paste, and an adhesive sheet 16 separated from the wafer. A plurality of marking portions 1a of a collet portion 3 for adsorbing and holding the semiconductor chip 22 stuck to the island portion 19 and pressing the semiconductor chip 22 against the island portion 19, and a grade identification mark 8 stamped on the frame portion 18 simultaneously with the pressing operation of the collet portion 3. A turret head 2 comprising ~ 1d;
An index mechanism (not shown) is provided at the marking portions 1a to 1d of the grade identification marks of the turret head 2 corresponding to the electrical characteristic values of the semiconductor chip.
【0025】押印部であるターレットヘッド2は、例え
ば、90°にそれぞれ異なるグレード識別マークをもつ
印部1a〜1dが等配分され、ターレットヘッド2の背
面にあるインデックス機構により印部1a〜1dは切換
えられる。また、インキはターレットヘッド2のジャケ
ットに貯えられ、印部1a〜1dを押すことによる内蔵
するスプリングが圧縮されジャケットと通ずる弁が開き
ジャケット内のインキが印部1a〜1dの空間部に流れ
ポ一ラスな捺印面に滲み出る。In the turret head 2 as a stamping portion, for example, marking portions 1a to 1d each having a different grade identification mark at 90 ° are equally distributed, and the marking portions 1a to 1d are formed by an index mechanism on the back surface of the turret head 2. Is switched. The ink is stored in the jacket of the turret head 2, and the built-in spring is compressed by pressing the markings 1a to 1d, the valve communicating with the jacket opens, and the ink in the jacket flows into the spaces of the markings 1a to 1d. Bleeds on a flat stamped surface.
【0026】次に、このダイボンディング装置の動作を
説明する。まず、ペレットピックアップステージ4に半
導体チップ22を貼付けた粘着シート16を外枠17と
ともに載置する。次に、ペレットピックアップステージ
4が移動しコレット部3が拾う位置に半導体チップ22
を位置決めする。そして、位置決めされた半導体チップ
22の位置情報からFDから対応するグレード識別マー
ク信号を得る。そして、コレット部3が矢印に示すよう
に移動し半導体チップ22を拾うとともにグレード識別
マーク信号によりターレットヘッド2を動作させ半導体
チップ22に対応するグレード識別マークの印部1a〜
1dに切換える。Next, the operation of the die bonding apparatus will be described. First, the adhesive sheet 16 to which the semiconductor chip 22 is attached is placed on the pellet pickup stage 4 together with the outer frame 17. Next, the pellet pickup stage 4 moves and the semiconductor chip 22 is moved to a position where the collet 3 picks up.
Position. Then, a corresponding grade identification mark signal is obtained from the FD from the position information of the positioned semiconductor chip 22. Then, the collet unit 3 moves as indicated by the arrow, picks up the semiconductor chip 22, and operates the turret head 2 according to the grade identification mark signal to operate the mark 1a to the grade identification mark corresponding to the semiconductor chip 22.
Switch to 1d.
【0027】次に、予じめ塗布部6によりAgペースト
剤が塗布されたリードフレーム20のアイランド19に
半導体チップ22をコレット部3で押し付けると同時に
印部1a〜1dをリードフレーム20の枠部18に押し
ドットで示すグレード認識マーク8を捺印する。Next, the semiconductor chip 22 is pressed by the collet portion 3 onto the island 19 of the lead frame 20 to which the Ag paste has been applied by the application portion 6 at the same time, and the marked portions 1a to 1d are simultaneously formed on the frame portion of the lead frame 20. A grade recognition mark 8 indicated by a push dot is stamped on 18.
【0028】次に、台5上のリードフレーム20を一コ
マ送り、Agペースト剤が塗布されたリードフレーム2
0のアイランド部19をコレット部3の下部に位置決め
する。それと同時にペレットピックアップステージ4を
1ピッチ移動させ、コレット部3が拾うべき位置に半導
体チップ22を位置決めする。そして、前述と同様に半
導体チップの隣の半導体チップ22を拾い、FD15に
記憶されているウェハの半導体チップの位置情報とそれ
らの電気特性データ情報をもとに半導体チップ22に対
応するグレード識別マークの印部1a〜1dを選び切換
え、コレット部3を移動し半導体チップ22を拾いアイ
ランド部19に半導体チップ22をコレット部3で押し
付けると同時に印部1a〜1dをリードフレーム20の
枠部18に押しドットで示すグレード認識マーク8を捺
印する。Next, the lead frame 20 on the table 5 is advanced by one frame, and the lead frame 2 on which the Ag paste is applied is moved.
The zero island portion 19 is positioned below the collet portion 3. At the same time, the pellet pickup stage 4 is moved by one pitch, and the semiconductor chip 22 is positioned at a position where the collet unit 3 should pick up. Then, the semiconductor chip 22 adjacent to the semiconductor chip is picked up in the same manner as described above, and the grade identification mark corresponding to the semiconductor chip 22 based on the position information of the semiconductor chip of the wafer stored in the FD 15 and their electrical characteristic data information. And switch the collet portion 3 to pick up the semiconductor chip 22 and press the semiconductor chip 22 against the island portion 19 with the collet portion 3 while simultaneously attaching the mark portions 1a to 1d to the frame portion 18 of the lead frame 20. A grade recognition mark 8 indicated by a push dot is stamped.
【0029】このように、順次、粘着シート16に付着
している半導体チップ22を端から順に拾い、FD15
に記憶されているウェハの半導体チップの位置情報とそ
れらの電気特性データ情報をもとに拾われた半導体チッ
プ22に対応するグレード識別マークの印部1a〜1d
を選び、アイランド19に半導体チップ22をコレット
で押し付けると同時に印部1a〜1dをリードフレーム
20の枠部18に押しグレード認識マーク8を捺印し粘
着シート16に貼付けられた半導体チップを不良のもの
を除いて無くなるまで繰返して行なう。As described above, the semiconductor chips 22 attached to the adhesive sheet 16 are sequentially picked up from the end, and the FD 15
Mark portions 1a to 1d of the grade identification marks corresponding to the semiconductor chips 22 picked up based on the position information of the semiconductor chips of the wafer stored in the semiconductor chip and their electrical characteristic data information
And simultaneously pressing the semiconductor chip 22 against the island 19 with a collet, pressing the marking portions 1a to 1d against the frame portion 18 of the lead frame 20, stamping the grade recognition mark 8, and replacing the semiconductor chip stuck on the adhesive sheet 16 with the defective one. Repeat until it disappears except for.
【0030】なお、このダイボンディング装置では、グ
レード分類のためのウェハの差し換えが無くなる他に、
同一グレードの半導体チップを拾うためのペレットピッ
クアップステージの移動する必要も無くなり、さらに、
押印部の動作がコレット部の下降動作と同時にできるの
で、半導体チップをリードフレームにマウントするトー
タル時間をより短縮できる利点がある。In this die bonding apparatus, in addition to eliminating replacement of wafers for grade classification,
There is no need to move the pellet pickup stage to pick up semiconductor chips of the same grade.
Since the operation of the stamping portion can be performed simultaneously with the lowering operation of the collet portion, there is an advantage that the total time for mounting the semiconductor chip on the lead frame can be further reduced.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードフ
レームに搭載すべく半導体チップの電気特性グレードを
リードフレームにマークで示すように捺印することによ
って、ダイボンディングする際にグレード毎に分割しダ
イボンディングするためのロットを含む枚数のウェハの
差し換え作業が不要となり、その結果、装置の稼働率も
上昇し、装置のスループットも高くすることができた。As described above, according to the present invention, the electric characteristic grade of the semiconductor chip is marked on the lead frame as indicated by the mark so as to be mounted on the lead frame. The work of replacing the number of wafers including the lot for die bonding becomes unnecessary, and as a result, the operation rate of the apparatus is increased, and the throughput of the apparatus can be increased.
【0032】また、グレードを示すマークがリードフレ
ームの一コマの枠部に残るので、リードフレーム毎の管
理が不要となり管理工数の大幅の低減が図ることができ
るとともに管理不要のために後工程の装置の稼働率も上
げることができた。Further, since the mark indicating the grade remains in the frame portion of one frame of the lead frame, it is not necessary to manage each lead frame, so that the number of management steps can be greatly reduced. The operation rate of the equipment was also increased.
【図1】本発明のダイボンディング方法の一実施の形態
を説明するための製品の流れを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a flow of products for explaining an embodiment of a die bonding method of the present invention.
【図2】リードフレームに捺印されたグレード識別マー
クの例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a grade identification mark stamped on a lead frame.
【図3】本発明のダイボンディング装置の一実施の形態
を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing one embodiment of a die bonding apparatus of the present invention.
1a,1b,1c,1d 印部 2 ターレットヘッド 3 コレット部 4 ペレットピックアップステージ 5 台 6 塗布部 8 グレード識別マーク 15 FD 16 粘着シート 17 外枠 18 枠部 19 アイランド部 20 リードフレーム 21 ウェハ 22 半導体チップ 1a, 1b, 1c, 1d Marking part 2 Turret head 3 Collet part 4 Pellet pickup stage 5 units 6 Coating part 8 Grade identification mark 15 FD 16 Adhesive sheet 17 Outer frame 18 Frame part 19 Island part 20 Lead frame 21 Wafer 22 Semiconductor chip
Claims (3)
方向に並べ構成される帯状のリードフレームの該アイラ
ンドに半導体チップを搭載するダイボンディング方法に
おいて、前記半導体チップを接着剤を介して前記アイラ
ンド部に押し付けると同時に前記枠部に変形を与えるこ
となく該枠部にグレード識別マークを捺印することを特
徴とするダイボンディング方法。1. A die bonding method for mounting a semiconductor chip on an island of a strip-shaped lead frame formed by arranging a plurality of island portions surrounded by a frame portion in one direction, wherein the semiconductor chip is attached via an adhesive. A die bonding method, wherein a grade identification mark is stamped on the frame portion while pressing the island portion without deforming the frame portion.
記アイランド部に前記接着剤を塗布する接着剤塗布部
と、ウェハから分割された前記半導体チップを保持し前
記アイランド部に該半導体チップを押し付けるコレット
部と、このコレット部の押し付け動作と同時に前記枠部
に捺印する前記グレード識別マークの複数の印部を具備
する押印部と、前記半導体チップの電気特性値に対応す
る前記押印部の前記グレード識別マークの印部に切替え
る印部切替え部とを備えることを特徴とするダイボンデ
ィング装置。2. A table on which the lead frame is placed, an adhesive application section for applying the adhesive to the island section, and the semiconductor chip divided from a wafer and held on the island section. A collet portion to be pressed, a stamping portion including a plurality of marking portions of the grade identification mark to be stamped on the frame portion at the same time as the pressing operation of the collet portion, and the stamping portion corresponding to an electrical characteristic value of the semiconductor chip. A die switching unit for switching to a mark of a grade identification mark.
れていることを特徴とする請求項2記載のダイボディン
グ装置。3. The die-boarding device according to claim 2, wherein the stamp is attached to the collet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19355795A JP2760320B2 (en) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | Die bonding method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19355795A JP2760320B2 (en) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | Die bonding method and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0945710A JPH0945710A (en) | 1997-02-14 |
JP2760320B2 true JP2760320B2 (en) | 1998-05-28 |
Family
ID=16310032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19355795A Expired - Lifetime JP2760320B2 (en) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | Die bonding method and apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2760320B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100478205B1 (en) * | 2001-12-28 | 2005-03-23 | 동부아남반도체 주식회사 | method of reject die fonder marking |
JP2007158283A (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Kataken Seiko Co Ltd | Address attachment for assembly and management |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19355795A patent/JP2760320B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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