JP2754508B2 - 半導体回路用の保護回路 - Google Patents
半導体回路用の保護回路Info
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- JP2754508B2 JP2754508B2 JP62229650A JP22965087A JP2754508B2 JP 2754508 B2 JP2754508 B2 JP 2754508B2 JP 62229650 A JP62229650 A JP 62229650A JP 22965087 A JP22965087 A JP 22965087A JP 2754508 B2 JP2754508 B2 JP 2754508B2
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- H—ELECTRICITY
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- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/06—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using spark-gap arresters
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は，雷サージ及び過電圧過電流より半導体回路
を保護する回路に関し，特に雷サージより半導体回路を
保護すると同時に交流電源等からの漏れ電流のように継
続する過電圧過電流からも半導体回路を保護することの
できる半導体回路用の保護回路に関する。 ［従来の技術］ 従来，雷サージ及び過電圧過電流に対して，ヒュー
ズ，低融点金属線等と避雷管，バリスタ等のサージ吸収
素子を組合わせることによる回路で保護を行なってい
る。侵入してくる雷サージ等のサージに対しては，サー
ジ吸収素子の応答電圧，即ち，避雷管の場合は，放電開
始電圧，また，バリスタの場合，バリスタ電圧より低い
電圧に押さえることにより機器回路を保護するものであ
る。また，過電圧過電流に対しては，ヒューズを取り付
けることにより，ヒューズ自体の過電流による溶融断，
又は，サージ吸収素子の発熱によるヒューズの溶融断に
より，回路を断じて，機器回路の保護を行なった。然し
乍ら，過電圧過電流において，電圧がサージ吸収素子の
応答電圧以下で且つヒューズの遮断電流以下のときは，
サージ吸収素子及びヒューズのどちらも働かず，回路を
断じることができず，回路を保護しない結果になる。 また，最近の半導体回路の場合，ツェナーダイオード
を並列に接続することにより回路を保護している。この
場合，すべての過電圧過電流は，ツェナーダイオードに
流れてしまうので，サージ吸収素子の機能は働かずに，
ヒューズの溶断電流以下の電流によってツェナーダイオ
ードが発熱してしまう危険性があった。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は，雷サージ及び過電圧過電流から半導体回路
を保護する保護回路を提供することを目的にする。即
ち，本発明の目的は，サージ吸収素子の動作しないよう
な低い電圧に対しても半導体回路を保護でき，同時に，
雷サージのような急激な過電圧に対しても半導体回路を
保護する保護回路を提供するものである。更に，本発明
は，半導体回路の保護のため接続されているツェナーダ
イオードをも，過電流から保護できる半導体回路保護回
路を提供することを目的にする。 ［発明の構成］ ［問題点を解決するための手段］ ここに、本発明に要旨とするものは、半導体回路に対
して、ツェナダイオードを並列に接続し、該回路及びツ
ェナダイオードに並列にサージ吸収素子を接続し、その
サージ吸収素子の後で、該ツェナダイオードの前に、抵
抗及び電流ヒューズを該半導体回路に対し、直列に接続
し、更に、該サージ吸収素子の前に接続したヒューズを
該サージ吸収素子に隣接して設けたものであり、雷サー
ジ及び過電圧過電流の両者から半導体回路を保護するこ
とを特徴とする半導体回路用の保護回路である。そし
て、ツェナダイオードに直列に接続される電流ヒューズ
は、前記サージ吸収素子に隣接するヒューズよりも、低
い遮断電流値を有するものが好適である。 ［作用］ 本発明によると，サージ吸収素子の応答電圧以下の過
電流でも十分回路を断じ，回路保護の機能をはたすこと
が可能であり，また，同時に雷サージに対しても従来と
同様に半導体回路を保護することが可能な回路を提供す
るものである。 本発明によると，半導体回路用の保護回路が，ツェナ
ーダイオードを半導体回路に対して並列に接続し，且つ
半導体回路及び該ツェナーダイオードに並列にサージ吸
収素子を接続し，そのサージ吸収素子の後，ツェナーダ
イオードの前に，抵抗及び電流ヒューズを半導体回路に
対し直列に接続した回路により提供される。この半導体
回路用の保護回路は，雷サージ及び過電圧過電流から半
導体回路を保護するものである。本発明の半導体回路用
の保護回路は，集積回路IC,LSIなどの半導体回路を雷サ
ージ及び漏れ電流などの電流から保護するものである。
従って，本発明においては，半導体回路は，集積回路,I
C,LSI,ダイオード，トランジスタ，電界効果トランジス
タなどを有する回路で，サージ及び漏れ電流により容易
に損傷を受ける半導体を有する回路を意味する。 本発明に用いるサージ吸収素子は，継続的な過電圧過
電流が流れた場合，その回路全体が遮断されるように，
そのサージ吸収素子に隣接してヒューズを設置し，ヒュ
ーズ遮断できる構造のサージ吸収素子が好適である。こ
のヒューズは、例えば、温度ヒューズ、低融点金属線な
どを用いる。また，用いられるサージ吸収素子は，マイ
クロギャップ式サージ吸収素子，避雷管，バリスタ等を
用いることができる。 このようなサージ吸収素子の後段に抵抗と電流ヒュー
ズを直列に接続し，更に，半導体回路に並列にダイオー
ドを接続することにより，従来の技術的問題点を解決し
た保護回路ができた。 従来，問題になっていたサージ吸収素子の応答電圧よ
りも低い電圧で，且つ，サージ吸収素子に近接して設け
たヒューズの遮断電流よりも低い電流が継続的に印加さ
れた場合，ツェナーダイオードが動作し，且つ，それに
直列する電流ヒューズが同時に遮断し，半導体回路に過
電圧過電流が印加されないものとなる。また，ツェナー
ダイオードに直列するヒューズが遮断されても，サージ
吸収素子は動作しないので半導体回路にはどこにも電流
が流れず発火の危険性が生じない。 また，雷サージに対しても，やはり，サージ吸収素子
よりも先にツェナーダイオードに電流が流れるが一般的
に雷サージは瞬間的に大電流が流れるために，ツェナー
ダイオード，半導体回路に直列に接続された抵抗に，流
れた電流により電圧，即ち，（抵抗値×サージ電流値）
の電圧が発生する。この抵抗によって発生した電圧によ
り瞬時にサージ吸収素子が応答する。従って，上記の直
列ヒューズは，雷サージのエネルギーのうち初期の僅か
な部分を流れるだけの容量があれば，十分であることに
なる。ツェナーダイオードに直列のヒューズは，サージ
吸収素子に隣接してあるヒューズに比べてはるかに小さ
い遮断電流値のものを使用することが可能である。 通常，ツェナーダイオードに直列のヒューズは，サー
ジ吸収素子に隣接してあるヒューズに比べて，比較的に
小さな遮断電流値のものを使用する。好適には，サージ
吸収素子のヒューズに対して約1/2以下の遮断電流値の
ものである。 ツェナーダイオードは半導体回路を保護するに最も適
した電圧のものが良く，一般的には，半導体回路にかか
る最大電圧よりも高いものを選定しておく。 ツェナーダイオードに直列のヒューズについては，半
導体回路に流れる最大電流値よりもやや大きなものを選
定する。電話の半導体回路の場合,100〜200mA程度が適
切である。 また，サージ吸収素子の後段に，サージ吸収素子及び
ツェナーダイオード，半導体回路に直列に接続される抵
抗については，大きければ大きい程，小さい電流値で大
きな電圧を発生するために，サージ吸収素子を動作させ
るまでに，前記ヒューズ及びツェナーダイオードを流れ
る電流値を小さくすることができるので，好適である。
然し乍ら，半導体回路への影響を考慮した場合,5〜20Ω
が好適である。 次に，本発明の半導体回路保護回路を，具体的な実施
例により，説明するが，本発明は，その説明により限定
されるものではない。 ［実施例１］ 本実施例を第１図に示す。 図示のように半導体回路１を保護するために，それと
並列にツェナーダイオード２を接続し，また，更にそれ
に並列にサージ吸収素子３を接続しサージ吸収素子に隣
接したヒューズ４を設け，それは，サージ吸収素子３及
び半導体回路１に直列に接続する。図示のように半導体
回路1,ツェナーダイオード２とサージ吸収素子３の間に
抵抗５とヒューズ６を直列に接続する。ツェナーダイオ
ード２としてはツェナー降伏電位（閾値）22vのもの，
サージ吸収素子３としてはマイクロギャップ式避雷管を
用い，その放電開始電圧は400vである。サージ吸収素子
３に隣接して設けたヒューズ４は定格電流が0.5Aのもの
で，ヒューズ６は定格電流が0.1Aのものである。抵抗５
は抵抗値20Ωで，限界電力1Wのものである。次に，この
よな構成の本発明の保護回路に対して負荷を掛けて，本
発明の保護回路の効果を観察した。 即ち，第２図に示すような負荷試験の回路を組み立て
て試験をした。交流電源７を，抵抗８を直列にいれて本
発明の保護回路に接続して，交流電源７に各種の交流を
掛けて，抵抗８の抵抗値Ｒを変えながら負荷試験を行な
った。 その結果を第１表に示す。 第１表 交流電源電圧 抵抗値Ｒ 試験結果 200v 200Ω ヒューズ６溶断 200v 85Ω ヒューズ６溶断 100v 200Ω ヒューズ６溶断 100v 85Ω ヒューズ６溶断 ［比較例］ ヒューズ６を除いては第１図の同じ構成の保護回路に
対して上記と同じ負荷試験を行なった。その結果を第２
表に示す。 第２表 交流電源電圧 抵抗値Ｒ 試験結果 200v 200Ω ダイオード発熱 200v 85Ω ダイオード発熱 100v 200Ω ダイオード発熱 100v 85Ω ダイオード発熱 本発明による保護回路では，ツェナーダイオードに直
列に接続されたヒューズ６が溶断し，そのツェナーダイ
オードの発熱損傷を防止することが分かった。 ［発明の効果］ 本発明による，雷サージ及び過電圧過電流保護から半
導体回路を保護する保護回路は， 第１図に，半導体回路を雷サージ等から保護できると
同時に，雷サージ程に過電圧がかからなく，半導体回路
に損傷を与える交流電源などからの過電圧過電流が流れ
た場合も，半導体回路を保護し，同時に，保護のための
ダイオードの発熱を防止することのできる半導体用の保
護回路を提供した。また，第２に，ツェナーダイオード
とヒューズとサージ吸収素子という簡単な回路で保護回
路が提供できた。第３に，また，本発明により集積回路
ICなどの半導体回路が安心して安全に使用する技術の確
立ができた。以上のごとき顕著な技術的な効果が得られ
た。
を保護する回路に関し，特に雷サージより半導体回路を
保護すると同時に交流電源等からの漏れ電流のように継
続する過電圧過電流からも半導体回路を保護することの
できる半導体回路用の保護回路に関する。 ［従来の技術］ 従来，雷サージ及び過電圧過電流に対して，ヒュー
ズ，低融点金属線等と避雷管，バリスタ等のサージ吸収
素子を組合わせることによる回路で保護を行なってい
る。侵入してくる雷サージ等のサージに対しては，サー
ジ吸収素子の応答電圧，即ち，避雷管の場合は，放電開
始電圧，また，バリスタの場合，バリスタ電圧より低い
電圧に押さえることにより機器回路を保護するものであ
る。また，過電圧過電流に対しては，ヒューズを取り付
けることにより，ヒューズ自体の過電流による溶融断，
又は，サージ吸収素子の発熱によるヒューズの溶融断に
より，回路を断じて，機器回路の保護を行なった。然し
乍ら，過電圧過電流において，電圧がサージ吸収素子の
応答電圧以下で且つヒューズの遮断電流以下のときは，
サージ吸収素子及びヒューズのどちらも働かず，回路を
断じることができず，回路を保護しない結果になる。 また，最近の半導体回路の場合，ツェナーダイオード
を並列に接続することにより回路を保護している。この
場合，すべての過電圧過電流は，ツェナーダイオードに
流れてしまうので，サージ吸収素子の機能は働かずに，
ヒューズの溶断電流以下の電流によってツェナーダイオ
ードが発熱してしまう危険性があった。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は，雷サージ及び過電圧過電流から半導体回路
を保護する保護回路を提供することを目的にする。即
ち，本発明の目的は，サージ吸収素子の動作しないよう
な低い電圧に対しても半導体回路を保護でき，同時に，
雷サージのような急激な過電圧に対しても半導体回路を
保護する保護回路を提供するものである。更に，本発明
は，半導体回路の保護のため接続されているツェナーダ
イオードをも，過電流から保護できる半導体回路保護回
路を提供することを目的にする。 ［発明の構成］ ［問題点を解決するための手段］ ここに、本発明に要旨とするものは、半導体回路に対
して、ツェナダイオードを並列に接続し、該回路及びツ
ェナダイオードに並列にサージ吸収素子を接続し、その
サージ吸収素子の後で、該ツェナダイオードの前に、抵
抗及び電流ヒューズを該半導体回路に対し、直列に接続
し、更に、該サージ吸収素子の前に接続したヒューズを
該サージ吸収素子に隣接して設けたものであり、雷サー
ジ及び過電圧過電流の両者から半導体回路を保護するこ
とを特徴とする半導体回路用の保護回路である。そし
て、ツェナダイオードに直列に接続される電流ヒューズ
は、前記サージ吸収素子に隣接するヒューズよりも、低
い遮断電流値を有するものが好適である。 ［作用］ 本発明によると，サージ吸収素子の応答電圧以下の過
電流でも十分回路を断じ，回路保護の機能をはたすこと
が可能であり，また，同時に雷サージに対しても従来と
同様に半導体回路を保護することが可能な回路を提供す
るものである。 本発明によると，半導体回路用の保護回路が，ツェナ
ーダイオードを半導体回路に対して並列に接続し，且つ
半導体回路及び該ツェナーダイオードに並列にサージ吸
収素子を接続し，そのサージ吸収素子の後，ツェナーダ
イオードの前に，抵抗及び電流ヒューズを半導体回路に
対し直列に接続した回路により提供される。この半導体
回路用の保護回路は，雷サージ及び過電圧過電流から半
導体回路を保護するものである。本発明の半導体回路用
の保護回路は，集積回路IC,LSIなどの半導体回路を雷サ
ージ及び漏れ電流などの電流から保護するものである。
従って，本発明においては，半導体回路は，集積回路,I
C,LSI,ダイオード，トランジスタ，電界効果トランジス
タなどを有する回路で，サージ及び漏れ電流により容易
に損傷を受ける半導体を有する回路を意味する。 本発明に用いるサージ吸収素子は，継続的な過電圧過
電流が流れた場合，その回路全体が遮断されるように，
そのサージ吸収素子に隣接してヒューズを設置し，ヒュ
ーズ遮断できる構造のサージ吸収素子が好適である。こ
のヒューズは、例えば、温度ヒューズ、低融点金属線な
どを用いる。また，用いられるサージ吸収素子は，マイ
クロギャップ式サージ吸収素子，避雷管，バリスタ等を
用いることができる。 このようなサージ吸収素子の後段に抵抗と電流ヒュー
ズを直列に接続し，更に，半導体回路に並列にダイオー
ドを接続することにより，従来の技術的問題点を解決し
た保護回路ができた。 従来，問題になっていたサージ吸収素子の応答電圧よ
りも低い電圧で，且つ，サージ吸収素子に近接して設け
たヒューズの遮断電流よりも低い電流が継続的に印加さ
れた場合，ツェナーダイオードが動作し，且つ，それに
直列する電流ヒューズが同時に遮断し，半導体回路に過
電圧過電流が印加されないものとなる。また，ツェナー
ダイオードに直列するヒューズが遮断されても，サージ
吸収素子は動作しないので半導体回路にはどこにも電流
が流れず発火の危険性が生じない。 また，雷サージに対しても，やはり，サージ吸収素子
よりも先にツェナーダイオードに電流が流れるが一般的
に雷サージは瞬間的に大電流が流れるために，ツェナー
ダイオード，半導体回路に直列に接続された抵抗に，流
れた電流により電圧，即ち，（抵抗値×サージ電流値）
の電圧が発生する。この抵抗によって発生した電圧によ
り瞬時にサージ吸収素子が応答する。従って，上記の直
列ヒューズは，雷サージのエネルギーのうち初期の僅か
な部分を流れるだけの容量があれば，十分であることに
なる。ツェナーダイオードに直列のヒューズは，サージ
吸収素子に隣接してあるヒューズに比べてはるかに小さ
い遮断電流値のものを使用することが可能である。 通常，ツェナーダイオードに直列のヒューズは，サー
ジ吸収素子に隣接してあるヒューズに比べて，比較的に
小さな遮断電流値のものを使用する。好適には，サージ
吸収素子のヒューズに対して約1/2以下の遮断電流値の
ものである。 ツェナーダイオードは半導体回路を保護するに最も適
した電圧のものが良く，一般的には，半導体回路にかか
る最大電圧よりも高いものを選定しておく。 ツェナーダイオードに直列のヒューズについては，半
導体回路に流れる最大電流値よりもやや大きなものを選
定する。電話の半導体回路の場合,100〜200mA程度が適
切である。 また，サージ吸収素子の後段に，サージ吸収素子及び
ツェナーダイオード，半導体回路に直列に接続される抵
抗については，大きければ大きい程，小さい電流値で大
きな電圧を発生するために，サージ吸収素子を動作させ
るまでに，前記ヒューズ及びツェナーダイオードを流れ
る電流値を小さくすることができるので，好適である。
然し乍ら，半導体回路への影響を考慮した場合,5〜20Ω
が好適である。 次に，本発明の半導体回路保護回路を，具体的な実施
例により，説明するが，本発明は，その説明により限定
されるものではない。 ［実施例１］ 本実施例を第１図に示す。 図示のように半導体回路１を保護するために，それと
並列にツェナーダイオード２を接続し，また，更にそれ
に並列にサージ吸収素子３を接続しサージ吸収素子に隣
接したヒューズ４を設け，それは，サージ吸収素子３及
び半導体回路１に直列に接続する。図示のように半導体
回路1,ツェナーダイオード２とサージ吸収素子３の間に
抵抗５とヒューズ６を直列に接続する。ツェナーダイオ
ード２としてはツェナー降伏電位（閾値）22vのもの，
サージ吸収素子３としてはマイクロギャップ式避雷管を
用い，その放電開始電圧は400vである。サージ吸収素子
３に隣接して設けたヒューズ４は定格電流が0.5Aのもの
で，ヒューズ６は定格電流が0.1Aのものである。抵抗５
は抵抗値20Ωで，限界電力1Wのものである。次に，この
よな構成の本発明の保護回路に対して負荷を掛けて，本
発明の保護回路の効果を観察した。 即ち，第２図に示すような負荷試験の回路を組み立て
て試験をした。交流電源７を，抵抗８を直列にいれて本
発明の保護回路に接続して，交流電源７に各種の交流を
掛けて，抵抗８の抵抗値Ｒを変えながら負荷試験を行な
った。 その結果を第１表に示す。 第１表 交流電源電圧 抵抗値Ｒ 試験結果 200v 200Ω ヒューズ６溶断 200v 85Ω ヒューズ６溶断 100v 200Ω ヒューズ６溶断 100v 85Ω ヒューズ６溶断 ［比較例］ ヒューズ６を除いては第１図の同じ構成の保護回路に
対して上記と同じ負荷試験を行なった。その結果を第２
表に示す。 第２表 交流電源電圧 抵抗値Ｒ 試験結果 200v 200Ω ダイオード発熱 200v 85Ω ダイオード発熱 100v 200Ω ダイオード発熱 100v 85Ω ダイオード発熱 本発明による保護回路では，ツェナーダイオードに直
列に接続されたヒューズ６が溶断し，そのツェナーダイ
オードの発熱損傷を防止することが分かった。 ［発明の効果］ 本発明による，雷サージ及び過電圧過電流保護から半
導体回路を保護する保護回路は， 第１図に，半導体回路を雷サージ等から保護できると
同時に，雷サージ程に過電圧がかからなく，半導体回路
に損傷を与える交流電源などからの過電圧過電流が流れ
た場合も，半導体回路を保護し，同時に，保護のための
ダイオードの発熱を防止することのできる半導体用の保
護回路を提供した。また，第２に，ツェナーダイオード
とヒューズとサージ吸収素子という簡単な回路で保護回
路が提供できた。第３に，また，本発明により集積回路
ICなどの半導体回路が安心して安全に使用する技術の確
立ができた。以上のごとき顕著な技術的な効果が得られ
た。
【図面の簡単な説明】
第１図は，本発明のサージ及び過電圧過電流保護回路を
示す回路説明図である。 第２図は，本発明のサージ及び過電圧過電流保護回路で
負荷試験に用いた測定回路の構造を示す説明図である。 ［主要部分の符号の説明］ １……半導体回路 ２……ツェナーダイオード ３……サージ吸収素子 ４……ヒューズ ５……抵抗 ６……ヒューズ
示す回路説明図である。 第２図は，本発明のサージ及び過電圧過電流保護回路で
負荷試験に用いた測定回路の構造を示す説明図である。 ［主要部分の符号の説明］ １……半導体回路 ２……ツェナーダイオード ３……サージ吸収素子 ４……ヒューズ ５……抵抗 ６……ヒューズ
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フロントページの続き
(72)発明者 池田 宏幸
埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地
三菱鉱業セメント株式会社セラミックス
研究所内
(56)参考文献 特開 昭53−123851（ＪＰ，Ａ)
実開 昭59−122733（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭52−59235（ＪＰ，Ｕ)
実公 昭55−45719（ＪＰ，Ｙ２)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．半導体回路に対して、ツェナダイオードを並列に接
続し、該半導体回路及び該ツェナダイオードに並列にサ
ージ吸収素子を接続し、そのサージ吸収素子の後で、該
ツェナダイオードの前に、抵抗及び電流ヒューズを該半
導体回路に対し、直列に接続し、更に、該サージ吸収素
子の前に接続したヒューズを、該サージ吸収素子の熱で
溶融可能なように隣接して設けたものであり、雷サージ
及び過電圧過電流の両者から半導体回路を保護すること
を特徴とする半導体回路用の保護回路。 ２．ツェナダイオードに直列に接続される電流ヒューズ
は、前記サージ吸収素子に隣接するヒューズよりも、低
い遮断電流値を有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の半導体回路用の保護回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62229650A JP2754508B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 半導体回路用の保護回路 |
| US07/243,705 US4979071A (en) | 1987-09-16 | 1988-09-13 | Protection circuit for a semiconductor circuit |
| CA000577434A CA1319170C (en) | 1987-09-16 | 1988-09-15 | Circuit for protecting semiconductor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62229650A JP2754508B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 半導体回路用の保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6477426A JPS6477426A (en) | 1989-03-23 |
| JP2754508B2 true JP2754508B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=16895523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62229650A Expired - Fee Related JP2754508B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 半導体回路用の保護回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4979071A (ja) |
| JP (1) | JP2754508B2 (ja) |
| CA (1) | CA1319170C (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032946A (en) * | 1989-05-01 | 1991-07-16 | Westinghouse Electric Corp. | Electrical surge suppressor and dual indicator apparatus |
| JP2791979B2 (ja) * | 1989-08-21 | 1998-08-27 | 三菱マテリアル 株式会社 | 過電圧過電流から保護する保護回路 |
| JPH03169222A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-22 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 保安回路 |
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