JP2744650B2 - Light emitting element drive circuit controller - Google Patents
Light emitting element drive circuit controllerInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔目 次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術（第７図） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（第１図） 作 用（第１図） 実 施 例（第２〜６図） 発明の効果 〔概 要〕 発光素子を駆動するための回路を制御する発光素子駆
動回路用制御装置に関し、 発光素子からのバック光をモニターする受光素子を不
要とし、且つ、光出力のマーク率変動に対するフィード
バック系の調整をも不要にすることを目的とし、 複数の発光素子からなる発光素子アレイと、該発光素
子アレイを構成する各発光素子を駆動するための発光素
子駆動回路と、該発光素アレイを構成する該発光素子に
おける複数点の温度での閾値電流値および外部微分量子
効率値を記憶する記憶部と、該発光素子アレイ近傍の温
度を検出する温度検出部と、該温度検出部で検出された
該発光素子アレイ近傍の温度情報を受けて、該記憶部に
記憶された情報を基に、該発光素子のバイアス電流値お
よびパルス駆動電流値を決定して、該バイアス電流値お
よびパルス駆動電流値を各発光素子駆動回路へ供給する
制御部とを設けるように構成する。Detailed Description of the Invention [Table of Contents] Overview Industrial application field Conventional technology (Fig. 7) Problems to be solved by the invention Means for solving the problem (Fig. 1) Operation (Fig. 1) Embodiments (FIGS. 2 to 6) Effects of the Invention [Summary] The present invention relates to a control device for a light emitting element driving circuit for controlling a circuit for driving a light emitting element, and a light receiving element for monitoring the back light from the light emitting element. A light emitting element array including a plurality of light emitting elements and each of the light emitting elements constituting the light emitting element array are driven for the purpose of eliminating the necessity of adjusting the feedback system with respect to the mark ratio variation of the light output. Element driving circuit for storing a threshold current value and an external differential quantum efficiency value at a plurality of temperatures in the light emitting elements constituting the light emitting element array, and detecting a temperature near the light emitting element array Do A temperature detecting section, receiving temperature information near the light emitting element array detected by the temperature detecting section, and based on the information stored in the storage section, calculates a bias current value and a pulse driving current value of the light emitting element. And a controller for determining the bias current value and the pulse drive current value to each light emitting element drive circuit.
本発明は、発光素子を駆動するための回路を制御する
発光素子駆動回路用制御装置に関する。The present invention relates to a light-emitting element driving circuit control device that controls a circuit for driving a light-emitting element.
第７図は従来の発光素子駆動回路用制御装置を示すブ
ロック図であるが、この第７図において、101はレーザ
ダイオード（LD）のごとき発光素子で、この発光素子10
1は、発光素子駆動回路102によって駆動されるようにな
っている。FIG. 7 is a block diagram showing a conventional light emitting element drive circuit control device. In FIG. 7, reference numeral 101 denotes a light emitting element such as a laser diode (LD).
1 is driven by the light emitting element drive circuit 102.
ここで、発光素子駆動回路102は、符号化されたパル
ス信号（送信信号）に応じた駆動電流Ｉを発光素子101
へ供給して、発光素子101を駆動するものである。Here, the light emitting element driving circuit 102 supplies the driving current I corresponding to the encoded pulse signal (transmission signal) to the light emitting element 101.
To drive the light emitting element 101.
また、発光素子101の光出力をそのバック光からモニ
ターして電気信号に変換する光−電気変換部としての受
光素子103と、この受光素子103からの光出力を増幅する
増幅部104とが設けられており、更にこの受光素子103か
ら増幅部104を経由してきた発光素子モニター結果に基
づき、発光素子101の光出力を一定にするよう、バイア
ス電流とパルス電流とを制御するための信号を発光素子
駆動回路102へ供給する光出力一定化フィードバック回
路105が設けられている。なお、この光出力一定化フィ
ードバック回路105には、マーク率変動補償回路が包含
されている。In addition, a light receiving element 103 as a light-to-electricity conversion unit that monitors the light output of the light emitting element 101 from its back light and converts it into an electric signal, and an amplification unit 104 that amplifies the light output from the light receiving element 103 are provided. Further, based on the monitoring result of the light emitting element from the light receiving element 103 via the amplifying unit 104, a signal for controlling the bias current and the pulse current is emitted so that the light output of the light emitting element 101 is constant. An optical output stabilizing feedback circuit 105 to be supplied to the element driving circuit 102 is provided. Note that the optical output stabilizing feedback circuit 105 includes a mark rate fluctuation compensating circuit.
このような構成により、温度変動に伴う発光素子101
のバイアス電流および外部微分量子効率の変化を補償す
るために、発光素子101での光出力は、受光素子103でモ
ニターされ、このモニター結果に基づき、光出力一定フ
ィードバック回路105から、バイアス電流とパルス電流
とを制御するための信号が発光素子駆動回路102へ供給
されることにより、光出力が一定化されるようになって
いる。With such a configuration, the light emitting element 101 due to temperature fluctuation
In order to compensate for the change in the bias current and the external differential quantum efficiency, the light output from the light emitting element 101 is monitored by the light receiving element 103, and based on the monitoring result, the bias current and the pulse By supplying a signal for controlling the current to the light emitting element drive circuit 102, the light output is made constant.
また、上記の発光素子が複数組存在するときは、上記
の第７図に示す構成のものを発光素子の数だけ用意し
て、それぞれ独立に制御することは行なわれる。When there are a plurality of light emitting elements, the same number of light emitting elements as shown in FIG. 7 are prepared and independently controlled.
さらに、発光素子を複数そなえたものとして、発光素
子アレイがあるが、かかる発光素子アレイにおける発光
素子のバイアス電流および外部微分量子効率についての
温度変動に伴う変化を補償するために、各発光素子の光
出力を一定にするためには、上記のごとく、各発光素子
について、上記の第７図に示す構成のものを発光素子の
数だけ用意し、それぞれ独立に制御することが行なわれ
る。Further, there is a light-emitting element array having a plurality of light-emitting elements. In order to compensate for a change in the bias current and the external differential quantum efficiency of the light-emitting element in the light-emitting element due to temperature fluctuation, each light-emitting element is In order to make the light output constant, as described above, for each light-emitting element, the light-emitting element having the configuration shown in FIG. 7 is prepared by the number of light-emitting elements and independently controlled.
しかしながら、上記のようなフィードバック方式で
は、パルス電流とバイアス電流を温度変化に応じてどの
ように配分し変化させるかが課題であり、また光信号出
力のマーク率による平均パワーの変動（マーク率変動：
光のオン状態とオフ状態との平均値比をマーク率とい
う）に対するフィードバック系の調整が必要になるとい
う課題がある。However, in the above-described feedback method, it is a problem how to distribute and change the pulse current and the bias current according to the temperature change. In addition, the fluctuation of the average power due to the mark rate of the optical signal output (mark rate fluctuation) :
There is a problem in that it is necessary to adjust a feedback system with respect to the average ratio between the ON state and the OFF state of light, which is referred to as a mark ratio.
また、発光素子アレイのように発光素子を複数有する
ものにおいては、フィードバック系を素子の数だけ必要
とするため、回路構成が複雑化するほか、各フィードバ
ック系について、パルス電流とバイアス電流を温度変化
に応じてどのように配分し変化させるかを考慮しなけれ
ばならず、更には光信号出力のマーク率による平均パワ
ーの変動に対するフィードバック系の調整を各フィード
バック系について行なわれなければならないという課題
もある。In the case of a device having a plurality of light-emitting elements, such as a light-emitting element array, the number of feedback systems required is the same as the number of elements, which complicates the circuit configuration. In addition, there is a problem that the feedback system must be adjusted for each feedback system with respect to the fluctuation of the average power due to the mark ratio of the optical signal output. is there.
本発明は、このような状況下において創案されたもの
で、発光素子からのバック光をモニターする受光素子を
不要とし、且つ、光出力のマーク率変動に対するフィー
ドバック系の調整をも不要にした、受光素子駆動回路用
制御装置を提供することを目的としている。The present invention has been devised in such a situation, eliminates the need for a light receiving element for monitoring the back light from the light emitting element, and eliminates the need for adjusting the feedback system for the mark ratio variation of the optical output. An object of the present invention is to provide a control device for a light receiving element drive circuit.
第１図は請求項１に対する本発明の原理ブロック図で
ある。FIG. 1 is a block diagram showing the principle of the present invention with respect to claim 1.
この第１図において、11は複数（ｎ）の発光素子１−
１〜１−ｎからなる発光素子アレイ、２−１〜２−ｎは
発光素子アレイ11を構成する各発光素子１−ｉ（ｉ＝１
〜ｎ）を駆動するための発光素子駆動回路である。In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a plurality (n) of light emitting elements 1-
Light-emitting element arrays 1 to 1-n, and 2-1 to 2-n are light-emitting elements 1-i (i = 1
To n) are light-emitting element drive circuits.
３′は発光素子アレイ11を構成する発光素子１−ｉに
おける複数点の温度での閾値電流値および外部微分量子
効率値を記憶する記憶部、４′は発光素子アレイ11近傍
の温度を検出する温度検出部である。Reference numeral 3 'denotes a storage unit for storing a threshold current value and an external differential quantum efficiency value at a plurality of temperatures in the light emitting element 1-i constituting the light emitting element array 11, and 4' detects a temperature near the light emitting element array 11. It is a temperature detector.
また、５′は、温度検出部４′で検出された発光素子
アレイ11近傍の温度情報を受けて、記憶部３′に記憶さ
れた情報を基に、発光素子１−ｉのバイアス電流値およ
びパルス駆動電流値を決定して、バイアス電流値および
パルス駆動電流値を各発光素子駆動回路２−ｉへ供給す
る制御部である。5 ′ receives the temperature information near the light emitting element array 11 detected by the temperature detecting section 4 ′ and receives the bias current value of the light emitting element 1-i and the bias current value based on the information stored in the storage section 3 ′. The control unit determines the pulse drive current value and supplies the bias current value and the pulse drive current value to each light emitting element drive circuit 2-i.
上述の構成により、本発明の請求項１記載の発光素子
駆動回路用制御装置では、第１図に示すごとく、その制
御部５′が、温度検出部４′で検出された発光素子アレ
イ11近傍の温度情報を受けて、記憶部３′に記憶された
情報を基に、発光素子１−ｉのバイアス電流値およびパ
ルス駆動電流値を決定して、バイアス電流値およびパル
ス駆動電流値を各発光素子駆動回路２−ｉへ供給する。With the above-described configuration, in the control device for a light emitting element driving circuit according to claim 1 of the present invention, as shown in FIG. 1, the control unit 5 'is located near the light emitting element array 11 detected by the temperature detecting unit 4'. , The bias current value and the pulse drive current value of the light emitting element 1-i are determined based on the information stored in the storage unit 3 ', and the bias current value and the pulse drive current value are determined for each light emission. It is supplied to the element drive circuit 2-i.
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第２図は本発明の一実施例を示すブロック図で、この
第２図において、11は発光素子アレイで、この発光素子
アレイ11は、製造過程で一体に作られる一群の発光素子
１−１〜１−ｎをｎ（複数）個有している。なお、発光
素子１−１〜１−ｎとしては、レーザダイオードが用い
られる。FIG. 2 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. In FIG. 2, reference numeral 11 denotes a light-emitting element array, and the light-emitting element array 11 is a group of light-emitting elements 1-1 integrally formed in a manufacturing process. N (plurality) 1-n. Note that laser diodes are used as the light emitting elements 1-1 to 1-n.
ここで、発光素子１−１〜１−ｎはｎ本の送信信号ラ
インからの送信信号情報を光信号に変換して送信するも
のである。即ち、本実施例は、光送信器に関するもので
ある。Here, the light emitting elements 1-1 to 1-n convert transmission signal information from n transmission signal lines into optical signals and transmit them. That is, the present embodiment relates to an optical transmitter.
また、製造技術の進歩により、発光素子アレイ11を構
成する発光素子１−ｉ（ｉ＝１〜ｎ）は相互に同等の特
性を有することがわかっているので、各発光素子１−ｉ
の光出力対駆動電流特性（Ｉ−Ｌ特性）および温度をパ
ラメータにした各光出力対駆動電流特性は、それぞれ同
じになる。Further, it is known that the light-emitting elements 1-i (i = 1 to n) constituting the light-emitting element array 11 have mutually equivalent characteristics due to the progress of the manufacturing technology.
Have the same light output versus drive current characteristics (IL characteristics) and the same light output versus drive current characteristics using temperature as a parameter.
ここで、上述の発光素子１−ｉの光出力対駆動電流特
性（Ｉ−Ｌ特性）は、第４図のようになっている。この
第４図から、発光素子１−ｉは、バイアス電流IBを越え
ると、発行を開始し、その光出力Ｐは外部微分量子効率
η（ΔP/ΔＩ）に依存することがわかる。即ち、発光素
子１−ｉに、バイアス電流IBを与えておき、パルス電流
IPの信号を入力すると、発光素子１−ｉは、この入力信
号に応じて発光するのである。従って、発光素子１−ｉ
の光出力を一定にするためには、IB＋IPが一定となるよ
うに制御すればよい。Here, the light output-drive current characteristics (IL characteristics) of the above-described light emitting element 1-i are as shown in FIG. From this Figure 4, the light emitting element 1-i, when it exceeds the bias current I B, and starts issuing, the light output P is found to be dependent on the external differential quantum efficiency η (ΔP / ΔI). That is, the light emitting element 1-i, let you provide a bias current I B, the pulse current
If you enter a signal I P, the light emitting element 1-i is to emit light in response to the input signal. Therefore, the light emitting element 1-i
To the optical output constant, it may be controlled as I B + I P becomes constant.
また、この発光素子１−ｉの温度をパラメータにした
光出力対駆動電流特性（Ｉ−Ｌ特性）は、第５図のよう
になる。この第５図から、温度Ｔが変わると、Ｉ−Ｌ特
性、即ち閾値電流Ithおよび外部微分量子効率ηが変わ
ることがわかる。従って、温度が変動すると、発光開始
時期や発光度合も変化するのである。FIG. 5 shows an optical output-drive current characteristic (IL characteristic) using the temperature of the light-emitting element 1-i as a parameter. It can be seen from FIG. 5 that when the temperature T changes, the IL characteristic, that is, the threshold current Ith and the external differential quantum efficiency η change. Therefore, when the temperature changes, the light emission start timing and the light emission degree also change.
第２図において、２−１〜２−ｎは発光素子１−ｉを
駆動するため発光素子駆動回路であるが、この発光素子
駆動回路２−ｉ（ｉ＝１〜ｎ）の回路構成は従来のもの
とはぼ同様で、例えば第３図に示すような回路構成とな
っている。In FIG. 2, reference numerals 2-1 to 2-n denote light emitting element driving circuits for driving the light emitting element 1-i. The circuit configuration of the light emitting element driving circuit 2-i (i = 1 to n) is a conventional one. The circuit configuration is similar to that shown in FIG. 3, for example, as shown in FIG.
即ち、発光素子駆動回路２−ｉは、差動接続されたト
ランジスタTr1,Tr2,パルス電流設定用トランジスタTr3,
バイアス電流設定用トランジスタTr4をそなえており、
トランジスタTr1には、送信信号が入力されるようにな
っていて、トランジスタTr2には、参照電圧Vrefが入力
されるとともに、出力端に発光素子Ｉ−ｉが接続されて
いる。That is, the light emitting element driving circuit 2-i includes the differentially connected transistors Tr1 and Tr2, the pulse current setting transistor Tr3,
It has a transistor Tr4 for setting the bias current.
A transmission signal is input to the transistor Tr1, a reference voltage Vref is input to the transistor Tr2, and a light emitting element Ii is connected to an output terminal.
また、トランジスタTr3には、パルス電流設定用制御
電圧VPが後述の制御部５′におけるパルス電流制御回路
53′から供給されるとともに、トランジスタTr4には、
バイアス電流設定用制御電圧VBが同じく後述の制御部
５′のバイアス電流制御回路52′から供給されるように
なっており、これによりトランジスタTr3,Tr4付きの抵
抗R1,R2の値をR1,R2とすると、（VP−VD−VEE）/R1で近
似されるパルス電流IPが設定されるとともに、（VB−VD
−VEE）/R2で近似されるバアイス電流IBが設定される。
なお、VDはトランジスタのベース・エミッタ間のドロッ
プ電圧である。Further, the transistor Tr3, the pulse current setting control voltage V P is the pulse current control circuit in the control unit 5 'which will be described later
53 ′, and the transistor Tr4 has
Bias current is adapted to be supplied for setting the control voltage V B from same 'bias current control circuit 52' described later of the control unit 5, thereby the value of the transistor Tr3, with Tr4 of resistors R1, R2 R1, When R2, together with the pulse current I P is set to be approximated by (V P -V D -V EE) / R1, (V B -V D
Baaisu current I B which is approximated by -V EE) / R2 is set.
VD is a drop voltage between the base and the emitter of the transistor.
また、３′は発光素子１−ｉにおける複数点の温度Ti
での閾値電流値Ithiおよび外部微分量子効率値ηｉを記
憶するメモリ回路（記憶部）であるが、このメモリ回路
３′では、温度対閾値電流値・外部微分量子効率値のデ
ータを１つの発光素子分だけ有している。これは、発光
素子アレイ11では、その各発光素子１−ｉが全て同じ特
性を有しているから、代表した１つの発光素子分だけで
十分であるからである。3 ′ is the temperature Ti at a plurality of points in the light emitting element 1-i.
Is a memory circuit (storage unit) for storing the threshold current value Ithi and the external differential quantum efficiency value ηi in the memory circuit 3 ′. It has only the elements. This is because, in the light emitting element array 11, all the light emitting elements 1-i have the same characteristics, so that only one representative light emitting element is sufficient.
さらに、４′は発光素子アレイ11近傍の温度を検出す
る温度センサ（温度検出部）であり、この温度センサ
４′としては、例えばサーミスタ等が使用される。Further, reference numeral 4 'denotes a temperature sensor (temperature detecting section) for detecting the temperature in the vicinity of the light emitting element array 11, and a thermistor or the like is used as the temperature sensor 4'.
５′は制御部であるが、この制御部５′は、温度セン
サ４′で検出された発光素子アレイ11近傍の温度情報を
受けて、メモリ回路３′に記憶された情報を基に、各発
光素子１−ｉに共通のバイアス電流値設定用制御電圧VB
およびパルス駆動電流値設定用制御電圧VPを決定して、
これらの制御電圧VB,VPを各発光素子駆動回路２−ｉへ
供給するものである。Reference numeral 5 'denotes a control unit. The control unit 5' receives temperature information near the light emitting element array 11 detected by the temperature sensor 4 ', and based on the information stored in the memory circuit 3', controls each of them. The bias voltage setting control voltage V B common to the light emitting elements 1-i
And the pulse drive current value setting control voltage VP is determined,
These control voltages V B, in which the V P is supplied to each light emitting device drive circuit 2-i.
このために、制御部５′は、制御回路51′，バイアス
電流制御回路52′，パルス電流制御回路53′を有してい
る。For this purpose, the control unit 5 'has a control circuit 51', a bias current control circuit 52 ', and a pulse current control circuit 53'.
ここで、制御回路51′は、温度センサ４′で検出され
た発光素子アレイ11近傍の温度情報を受けて、メモリ回
路３′に記憶された情報を基に、発光素子１−ｉの閾値
電流値Ithiおよび外部微分量子効率値ηｉを推定し、更
にはこれらの推定結果から発光素子１−ｉのバイアス電
流値およびパルス駆動電流値を決定するものである。す
なわち、制御回路51′では、発光素子１−ｉの複数点の
温度（T1,T2,T3,・・）による特性を第６図に点線で示
すように補間して、温度センサ４′で検出された温度Ｔ
に対する閾値電流Ithおよび外部微分量子効率値ηを推
定して、これらの推定結果から発光素子１−ｉのバイア
ス電流値およびパルス駆動電流値を決定しているのであ
る。なお、上記の補間については、簡単な補間法を用い
ても、実用上十分な特性を得ることが確認されており、
更には、発光素子１−ｉの特性の温度モニター点数を増
やせば、更に精度の向上をはかることができる。Here, the control circuit 51 'receives the temperature information near the light emitting element array 11 detected by the temperature sensor 4', and based on the information stored in the memory circuit 3 ', sets the threshold current of the light emitting element 1-i. The value Ithi and the external differential quantum efficiency value ηi are estimated, and the bias current value and the pulse drive current value of the light emitting element 1-i are determined from the estimation results. That is, the control in the circuit 51 ', the temperature of the plurality of points of the light emitting element 1-i (T 1, T 2, T 3, ··) characteristics by interpolation as indicated by a dotted line in FIG. 6 by the temperature sensor 4 'Detected temperature T
, The threshold current Ith and the external differential quantum efficiency value η are estimated, and the bias current value and the pulse drive current value of the light emitting element 1-i are determined from the estimation results. Regarding the above interpolation, it has been confirmed that even if a simple interpolation method is used, practically sufficient characteristics can be obtained.
Further, the accuracy can be further improved by increasing the number of temperature monitors for the characteristics of the light emitting element 1-i.
また、バイアス電流制御回路52′は、制御回路51′で
得られたバイアス電流値から発光素子１−ｉのバイアス
電流値設定用制御電圧VBを作って、これを各発光素子駆
動回路２−ｉへ供給するもので、パルス電流制御回路5
3′は、制御回路51′で得られたパルス電流値から発光
素子１−ｉのパルス電流値設定用制御電圧VPを作って、
これを各発光素子駆動回路２−ｉへ供給するものであ
る。The bias current control circuit 52 ', the control circuit 51' to make the bias current value setting control voltage V B of the light-emitting element 1-i from the bias current value obtained in which the light emitting device drive circuit 2 pulse current control circuit 5
3 ', the control circuit 51' to create a pulse current value setting control voltage V P of the light-emitting element 1-i from a pulse current value obtained in,
This is supplied to each light emitting element drive circuit 2-i.
上述の構成により、温度センサ４′で発光素子アレイ
11近傍の温度Ｔが検出され、この検出結果が制御部５′
へ入力される。そして、この制御部５′では、温度セン
サ４′で検出された発光素子アレイ11近傍の温度情報を
受けて、メモリ回路３′に記憶された情報を基に、発光
素子１−ｉのバイアス電流値設定用制御電圧VBおよびパ
ルス駆動電流値設定用制御電圧VPを決定して、これらの
制御電圧VB,VPを各発光素子駆動回路２−ｉへ供給す
る。これにより、発光素子アレイ11近傍の温度に応じて
各発光素子１−ｉに最適なバイアス電流値およびパルス
駆動電流値が設定される。With the above configuration, the light emitting element array is formed by the temperature sensor 4 '.
The temperature T in the vicinity of 11 is detected, and the detection result is transmitted to the control unit 5 '.
Is input to The control unit 5 'receives the temperature information near the light emitting element array 11 detected by the temperature sensor 4' and, based on the information stored in the memory circuit 3 ', controls the bias current of the light emitting element 1-i. and determining a value for setting the control voltage V B and pulse driving current value setting control voltage V P, and supplies these control voltages V B, a V P to the light emitting device drive circuit 2-i. Thereby, the optimum bias current value and pulse drive current value for each light emitting element 1-i are set according to the temperature in the vicinity of the light emitting element array 11.
このようにして、発光素子１−ｉからのバック光をモ
ニターする受光素子が不要になり、且つ、光出力のマー
ク率変動に対するフィードバック系の調整をも不要にす
ることができるほか、各発光素子１〜ｉに共通のバイア
ス電流値設定用制御電圧VBおよびパルス駆動電流値設定
用制御電圧VPを用いて、全ての発光素子１−ｉの光出力
を制御できるので、回路全体の簡易化をもはかれるもの
である。In this manner, a light-receiving element for monitoring the back light from the light-emitting element 1-i is not required, and it is not necessary to adjust the feedback system with respect to a change in the mark ratio of the light output. 1~i to using a common bias current value setting control voltages V B and pulse driving current value setting control voltage V P, since it controls the light output of all light-emitting elements 1-i, simplification of the entire circuit It is something that can be removed.
なお、メモリ回路３′に、各発光素子１−ｉに共通の
Ｉ−Ｌ特性情報を記憶したが、各発光素子１−ｉごとに
Ｉ−Ｌ特性情報を記憶してもよい。この場合は、各発光
素子駆動回路２−ｉへは、各発光素子１−ｉに対応する
バイアス電流値設定用制御電圧VBおよびパルス駆動電流
値設定用制御電圧VPを供給する。Although the memory circuit 3 'stores the IL characteristic information common to the light emitting elements 1-i, the IL characteristic information may be stored for each light emitting element 1-i. In this case, the each light emitting device drive circuit 2-i, and supplies the light emitting elements for the corresponding bias current value set to 1-i control voltage V B and pulse driving current value setting control voltage V P.
以上詳述したように、本発明の発光素子駆動回路用制
御装置によれば、温度検出で検出された発光素子近傍の
温度情報と、記憶部に記憶された情報とを基に、発光素
子のバイアス電流値およびパルス駆動電流値を決定し
て、バイアス電流値およびパルス駆動電流値を発光素子
駆動回路へ供給することが行なわれるので、発光素子か
らのバック光をモニターする受光素子を不要にすること
ができ、且つ、光出力のマーク率変動に対するフィード
バック系の調整をも不要にできる利点があるほか、上述
の技術を発光素子アレイに適用することもできるので、
回路構成の大幅な簡素化をもたらすことができる利点も
ある。As described above in detail, according to the light emitting element drive circuit control device of the present invention, the temperature of the light emitting element near the light emitting element detected by the temperature detection and the information stored in the storage unit, based on the light emitting element Since the bias current value and the pulse drive current value are determined and the bias current value and the pulse drive current value are supplied to the light emitting element driving circuit, the light receiving element for monitoring the back light from the light emitting element becomes unnecessary. In addition to the advantage that it is not necessary to adjust the feedback system with respect to the change in the mark ratio of the light output, the above technique can be applied to the light emitting element array.
There is also an advantage that the circuit configuration can be greatly simplified.
第１図は本発明の原理ブロック図、 第２図は本発明の一実施例を示すブロック図、 第３図は発光素子駆動回路のブロック図、 第４図は発光素子のＩ−Ｌ特性図、 第５図は温度をパラメータにした発光素子のＩ−Ｌ特性
図、 第６図は発光素子の閾値電流値および外部微分量子効率
値の推定方法を説明するための図、 第７図は従来例を示すブロック図である。 図において、 １−ｉは発光素子、 ２−ｉは発光素子駆動回路、 ３′はメモリ回路（記憶部）、 ４′は温度センサ（温度検出部）、 ５′は制御部、 11は発光素子アレイ、 51′は制御回路、 52′はバイアス電流制御回路、 53′はパルス電流制御回路である。1 is a block diagram showing the principle of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 3 is a block diagram of a light emitting element driving circuit, and FIG. 4 is an IL characteristic diagram of the light emitting element. FIG. 5 is a diagram showing an IL characteristic of a light-emitting element using temperature as a parameter, FIG. 6 is a diagram for explaining a method of estimating a threshold current value and an external differential quantum efficiency value of the light-emitting device, and FIG. It is a block diagram showing an example. In the figure, 1-i is a light emitting element, 2-i is a light emitting element driving circuit, 3 'is a memory circuit (storage section), 4' is a temperature sensor (temperature detecting section), 5 'is a control section, and 11 is a light emitting element. An array, 51 'is a control circuit, 52' is a bias current control circuit, and 53 'is a pulse current control circuit.
フロントページの続き (72)発明者 脇坂 孝明 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−140985（ＪＰ，Ａ)Continuation of the front page (72) Inventor Takaaki Wakisaka 1015 Ueodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (56) References JP-A-2-140985 (JP, A)
Claims (1)
と、 該発光素子アレイを構成する各発光素子を駆動するため
の発光素子駆動回路とをそなえ、 該発光素子アレイを構成する該発光素子における複数点
の温度での閾値電流値および外部微分量子効率値を記憶
する記憶部と、 該発光素子アレイ近傍の温度を検出する温度検出部と、 該温度検出部で検出された該発光素子アレイ近傍の温度
情報を受けて、該記憶部に記憶された情報を基に、該発
光素子のバイアス電流値およびパルス駆動電流値を決定
して、該バイアス電流値およびパルス駆動電流値を各発
光素子駆動回路へ供給する制御部とが設けられたことを 特徴とする、発光素子駆動回路用制御装置。A light-emitting element array comprising a plurality of light-emitting elements; and a light-emitting element driving circuit for driving each light-emitting element constituting the light-emitting element array. A storage unit for storing a threshold current value and an external differential quantum efficiency value at a plurality of temperatures; a temperature detection unit for detecting a temperature in the vicinity of the light emitting element array; and a vicinity of the light emitting element array detected by the temperature detection unit , The bias current value and the pulse drive current value of the light emitting element are determined based on the information stored in the storage unit, and the bias current value and the pulse drive current value are determined for each light emitting element drive. A control device for a light-emitting element drive circuit, comprising: a control unit that supplies a signal to a circuit.
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