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JP2735231B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JP2735231B2
JP2735231B2 JP20126588A JP20126588A JP2735231B2 JP 2735231 B2 JP2735231 B2 JP 2735231B2 JP 20126588 A JP20126588 A JP 20126588A JP 20126588 A JP20126588 A JP 20126588A JP 2735231 B2 JP2735231 B2 JP 2735231B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exhaust
processing chamber
semiconductor manufacturing
dust
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP20126588A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0250422A (ja
Inventor
登志男 松山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP20126588A priority Critical patent/JP2735231B2/ja
Publication of JPH0250422A publication Critical patent/JPH0250422A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2735231B2 publication Critical patent/JP2735231B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Cleaning In General (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に関し、特にイオン注入・ス
パッタ・プラズマエッチング等の各工程で使用される予
備排気室を有する半導体製造装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体製造装置の処理室は、通常クラ
イオポンプやターボポンプ等で高真空に保持されるだけ
であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体製造装置は、処理室内の各種の
製造工程の処理動作において、ほとんどの処理装置がゴ
ミを発生させる動作であるにもかかわらず、処理動作完
了後や処理待ちの間でも真空に引き続けるため、処理室
内の雰囲気の流れは、ゴミの流れの少ない分子流領域か
それに近い状態となり発生したゴミが各種工程の処理を
重ねるに連れ増加するという欠点があった。
本発明の目的は、ゴミの少ない処理室を有する半導体
製造設備を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体製造装置は、室内の半導体ウェーハを
取扱うために排気系により制御され真空に近い状態に保
たれる処理室を有する半導体製造装置において、前記処
理室のゴミ数を測定するゴミ検査装置と、該ゴミ検査装
置の測定結果が否の判定の場合前記処理室に不活性ガス
を導入した後前記排気系を制御する排気制御システムと
を付加して構成されている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例のブロック図である。
半導体製造装置は、排気バルブ8a,8bを介して高真空
ポンプ9,低真空ポンプ10及びN2ガス供給のガスバルブ6
とに接続しかつ内部の処理テーブル11に被処理の半導体
ウェーハ12を載置する処理室1と、処理室1にゲートG
を通して半導体ウェーハ12を供給する予備排気室5と、
処理室1のゴミを検査するゴミセンサ2及びゴミ検査装
置3と、ゴミ検査装置3の信号を受けてガスバルブ6,排
気バルブ8a〜8cを制御する排気制御システム4とを含ん
で構成されている。
半導体ウェーハ12は、予備排気室5からゲートGを通
って処理室1に入り、処理テーブル11上で各種の処理を
受ける。
処理室5は処理中や処理待ちの間は、排気バルブ8aを
介し高真空ポンプ9,そして排気バルブ8cを介し低真空ポ
ンプ10へ排気されるため、高真空に保持されている。
所定時間になると、ゴミセンサ2が作動しゴミ数を測
定し良否判定を行ない、否の判定の場合は、排気制御シ
ステム4に制御信号を出力する。
排気制御システム4は信号を受けると各部の状態を確
認後、排気バルブ8aを閉じる。
なお、排気バルブ8bは通常は閉じておく。
その後制御システム4は、ガスバルブ6を開いてN2
スを導入し処理室1の内部を分子流領域から粘性流領域
に変化させ、所定時間後ガスバルス6を閉じて排気バル
ブ8cを閉じ、そして8bを開くことで内部のゴミをN2ガス
と同時に排気する。
圧力計7a,7cの値が高真空ポンプ9の作動領域となっ
たら、制御システム4は排気バルブ8bを閉じて排気バル
ブ8c,8aは開き処理のできる真空度に戻し制御サイクル
を終了する。
第2図は本発明の第2の実施例のブロック図面であ
る。
処理室1は、排気バルブ8を介して低真空ポンプ10で
常時排気されている。
この実施例においてもゴミセンサ2で測定されたゴミ
数の結果から排気制御システム4を動作させガスバルブ
6と排気バルブ8を制御して粘性流領域へ戻してのゴミ
排気を達成出来る利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、処理室内部のゴミ数を
測定するゴミ検査装置で異常を発見した場合、排気制御
システムが連動して不活性ガス導入から排気系を制御し
てゴミを排気する工程を行うため、半導体ウェーハの各
種処理工程での処理室内雰囲気のゴミ数増加を防止でき
る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例のブロック図、第2図は
本発明の第2の実施例のブロック図である。 1……処理室、2……ゴミセンサ、3……ゴミ検査装
置、4……排気制御システム、5……予備排気室、6…
…ガスバルブ、8a,8b及び8c……排気バルブ、9……真
空ポンプ、10……低真空ポンプ、11……処理テーブル、
12……半導体ウェーハ、G……ゲート。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】室内の半導体ウェーハを取扱うために排気
    系により制御され真空に近い状態に保たれる処理室を有
    する半導体製造装置において、前記処理室のゴミ数を測
    定するゴミ検査装置と、該ゴミ検査装置の測定結果が否
    の判定の場合前記処理室に不活性ガスを導入した後前記
    排気系を制御する排気制御システムとを付加したことを
    特徴とする半導体製造装置。
JP20126588A 1988-08-12 1988-08-12 半導体製造装置 Expired - Lifetime JP2735231B2 (ja)

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JPH0250422A JPH0250422A (ja) 1990-02-20
JP2735231B2 true JP2735231B2 (ja) 1998-04-02

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JPH05102550A (ja) * 1991-10-08 1993-04-23 Nec Corp カラー液晶成膜生成装置
JP3020389B2 (ja) * 1993-08-19 2000-03-15 シャープ株式会社 チューナ回路
KR100764736B1 (ko) * 2004-12-09 2007-10-08 삼성전자주식회사 크기가 감소된 데이터 드라이브 집적 회로 및 그것을구비한 디스플레이 장치

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