JP2732855B2

JP2732855B2 - 音声情報入力機能を備えた静電カメラ

Info

Publication number: JP2732855B2
Application number: JP63123602A
Authority: JP
Inventors: 誠松尾; 実内海
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1988-05-20
Filing date: 1988-05-20
Publication date: 1998-03-30
Anticipated expiration: 2013-03-30
Also published as: JPH01293360A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は電荷保持媒体を使用した静電カメラに係り、
特に静止画像情報と共に音声情報も同時記録することが
できるようにした音声情報入力機能を備えた静電カメラ
に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、静止画の撮影・保存用として銀塩写真法が用い
られ、音声情報の記録用としてはレコード、カセットテ
ープ等が使用されている。また画像情報と音声情報の記
録用としてはビデオテープ、コンパクトディスク、光デ
ィスク等が使用されるようになっている。

〔発明が解決すべき課題〕

ところで、銀塩写真法は静止画を保存する手段として
優れているが、銀塩像を形成させるために現像工程を必
要とし、像再現においてはハードコピー、ソフトコピー
（CRT出力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化
学的処理が必要である。また、レコード、カセットテー
プ等は音声の記録用としては非常に簡便な手段である
が、メモリ容量が少ないために画像情報の記録を行うこ
とはできず、またビデオテープの記録は撮像管で撮影
し、光半導体を利用して得た画像情報を電気信号として
取り出して記録するもので、線順次走査が必要となると
共に、解像性は走査線数に依存するため銀塩写真のよう
に面状アナログ記録に比して著しく劣化し、コンパクト
ディスク、光ディスク等においても本質的に同様であ
る。これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品
質、高解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便
であれば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等
があった。

本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品
質、高解像であると共に、処理工程が簡便で、長時間の
記憶が可能で、質の良い画像と共に音声情報の記録が可
能な音声情報入力機能を備えた静電カメラを提供するこ
とを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の静電画像記録再生方法における記録
方法を説明するための図で、図中、１は感光体、３は電
荷保持媒体、５は光導電層支持体、７は感光体電極、９
は光導電層、11は絶縁層、13は電荷保持媒体電極、15は
絶縁層支持体、17は電源である。

第１図においては、感光体１側から露光を行う態様で
あり、まず1mm厚のガラスからなる光導電層支持体５上
に1000Å厚のITOからなる透明な感光体電極７を形成
し、この上に10μｍ程度の光導電層９を形成して感光体
１を構成している。この感光体１に対して、10μｍ程度
の空隙を介して電荷保持媒体３が配置される。電荷保持
媒体３は1mm厚のガラスからなる絶縁層支持体15上に100
0Å厚のAl電極13を蒸着により形成し、この電極13上に1
0μｍ厚の絶縁層11を形成したものである。

先ず、第１図（イ）に示すように感光体１に対して、
10μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし、
第１図（ロ）に示すように電源17により電極７、13間に
電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗体で
あるため、電極間には何の変化も生じない。感光体１側
より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層９は
導電性を示し、絶縁層11との間に放電が生じ、絶縁層11
に電荷が蓄積される。

露光が終了したら、第１図（ハ）に示すように電圧を
OFFにし、次いで、第１図（ニ）に示すように電荷保持
媒体３を取り出すことにより静電潜像の形成が終了す
る。

なお、感光体１と電荷保持媒体３とは上記のように非
接触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体
電極７側から光導電層９の露光部に正または負の電荷が
注入され、この電荷は電荷保持媒体３側の電極13に引か
れて光導電層９を通過し、絶縁層11面に達した所で電荷
移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そし
て、感光体１と電荷保持媒体３とを分離すると、絶縁層
11は電荷を蓄積したままの状態で分離される。

この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写
真法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層
11上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。

この絶縁層11上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁層11の表面を絶縁性フィルム等で覆って保存するよう
にしてもよい。

以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持
媒体の構成材料について説明する。

光導電層支持体５としては、感光体を支持することが
できるある程度の強度を有していれば、その材質、厚み
は特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフ
ィルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシー
ト、金属板（電極を兼ねることもできる）等の剛体が使
用される。但し、感光体側から光を入射して情報を記録
する装置に用いられる場合には、当然その光を透過させ
る特性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光
体側から入射するカメラに用いられる場合には、厚み1m
m程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィル
ム、シートが使用される。

感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使
用される場合を除いて光導電層支持体５に形成され、そ
の材質は比抵抗値が10⁶Ω・cm以下であれば限定されな
く、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等である。
このような感光体電極７は、光導電層支持体５上に、蒸
着、スパッタリング、CVD、コーティング、メッキ、デ
ィッピング、電解重合等により形成される。またその厚
みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性、および
情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要がある
が、例えばアルミニウムであれば、100〜3000Å程度で
ある。この感光体電極７も光導電層支持体５と同様に、
情報光を入射させる必要がある場合には、上述した光学
特性が要求され、例えば情報光が可視光（400〜700nm）
であれば、ITO（In₂O₃−SnO₂）、SnO₂等をスパッタリン
グ、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にイ
ンキ化してコーティングしたような透明電極や、Au、A
l、Ag、Ni、Cr等を蒸着、またはスパッタリングで作製
する半透明電極、テトラシアノキノジメタン（TCNQ）、
ポリアセチレン等のコーティングによる有機透明電極等
が使用される。

また情報光が赤外（700nm以上）光の場合も上記電極
材料が使用できるが、場合によっては可視光をカットす
るために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（400nm以下）光の場合も、上記
電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が紫
外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。

光導電層９は、光が照射されると照射部分で光キャリ
ア（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を
移動することができる導電性層であり、特に電界が存在
する場合にその効果が顕著である層である。材料は無機
光導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材
料等で構成される。

以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法
について説明する。

（Ａ）無機感光体（光導電体）無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモ
ルファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。

（イ）アモルファスシリコン感光体アモルファスシリコン感光体としては水素化アモルファスシリコン（ａ−Si:H）フッ素化アモルファスシリコン（ａ−Si:F）・これらに対して不純物をドーピングしないもの、・Ｂ、Al、Ga、In、Tl等をドーピングによりＰ型（ホー
ル輸送型）にしたもの、・Ｐ、Ag、Sb、Bi等をドーピングによりＮ型（電子輸送
型）にしたもの、がある。

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガ
スを水素ガスなどと共に低真空中に導入し（10^-2〜1Tor
r）、グロー放電により加熱、或いは加熱しない電極基
板上に准積して成膜するか、単に加熱した電極基板上に
熱化学的に反応形成するか、或いは固体原料を蒸着、ス
パッター法により成膜し、単層、或いは積層で使用す
る。膜厚は１〜50μｍである。

また、透明電極７から電荷が注入され、露光してない
のにもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するた
めに、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパッター法等によりａ−SiN層、ａ−SiC
層、SiO₂層、Al₂O₃層等の絶縁層を設けるとよい。この
絶縁層を余り厚くしすぎると露光したとき電流が流れな
いので、少なくとも1000Å以下とする必要があり、作製
し易さ等を考慮すると400〜500Å程度が望ましい。

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電
極基板上に電極基板における剛性と逆極性の電荷輸送能
を有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの
場合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層
を設ける。例えば、Siにボロンをドープしたａ−Si:H
（n⁺）は、ホールの輸送特性が上がって整流効果が得ら
れ、電荷注入防止層として機能する。

（ロ）アモルファスセレン感光体アモルファスセレン感光体としては、アモルファスセレン（ａ−Se）アモルファスセレンテルル（ａ−Se−Te）アモルファスひ素セレン化合物（ａ−As₂Se₃）アモルファスひ素セレン化合物＋Te がある。

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また
電荷注入阻止層としてSiO₂、Al₂O₃、SiC、SiN層を蒸
着、スパッター、グロー放電法等により電極基板上に設
けられる。また上記〜を組み合わせ、積層型感光体
としてもよい。感光体層の膜厚はアモルファスシリコン
感光体と同様である。

（ハ）硫化カドミウム（CdS）この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング
法により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、EB
（エレクトロンビーム）蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプラズ
マ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモルフ
ァス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング条件を
選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に配向）
を得ることもできる。コーティングの場合は、CdS粒子
（粒径１〜100μｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒
を添加して基板上にコーティングするとよい。。

（ニ）酸化亜鉛（ZnO）この感光体はコーティング法、或いはCVD法で作製さ
れる。コーティング法としては、ZnS粒子（粒径１〜100
μｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添加して基板
上にコーティングを行って得られる。またCVD法として
は、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属と酸素ガ
スを低真空中（10^-2〜1Torr）で混合し、加熱した電極
基板（150〜400℃）上で化学反応させ、酸化亜鉛膜とし
て堆積させる。この場合も膜厚方向に配向した膜が得ら
れる。

（Ｂ）有機感光体有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光
体とがある。

（イ）単層系感光体単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物
からなっている。

〈電荷発生物質系〉光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、ア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロ
シアニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、
シアニン染料系、メチン染料系が使用される。

〈電荷輸送物質系〉電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒ
ドラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール
系、カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、
ナフタレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、ア
ミン系、芳香族アミン系等がある。

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を
形成させ、電荷移動錯体としてもよい。

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感
光特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質との混
ぜて錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリ
ビニルカルバゾール（PVK）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン（TNF）は400nm波長近傍しか感じ
ないが、PVK−TNF錯体は650nm波長域まで感じるように
なる。

このような単層系感光体の膜厚は、10〜50μｍが好ま
しい。

（ロ）機能分離型感光体電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする
性質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、
光吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞ
れの特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷
発生層と電荷輸送層を積層したタイプである。

〈電荷発生層〉電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、
ジスアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザ
ンセン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウ
ム色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−Se、ａ−Si、ア
ズレニウム塩系、スクアリウム塩系等がある。

〈電荷輸送層〉電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾ
ン系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン
系、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等があ
る。

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生
物質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送
層を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を
0.1〜10μｍ、電荷輸送層を10〜50μｍの膜厚とすると
よい。

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合
にも、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブ
タジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、
飽和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリ
メチルメタアクリレート（PMMA）樹脂、メラミン樹脂、
ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送材料各１部
に対し、0.1〜10部添加して付着し易いようにする。コ
ーティング法としては、ディッピング法、蒸着法、スパ
ッター法等を使用することができる。

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。

電荷注入防止層は、光導電層９の両表面の少なくとも
一方か、両方の面に、光導電層９の電圧印加時の暗電流
（電極からの電荷注入）、すなわち露光していないにも
かからず恰も露光したように感光層中を電荷を移動する
現象を防止するために設けることができるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を
利用した層と整流効果を利用した層との二種類のものが
ある。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したもの
は、電圧印加のみではこの電圧注入防止層により、光導
電層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を
注射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層
には光導電層で発生した電荷の一方（電子、またはホー
ル）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起
こして、電荷注入防止層を通過して電流が流れるもので
ある。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機
絶縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこ
れらを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例え
ばAs₂O₃、B₂O₃、Bi₂O₃、CdS、CaO、CeO₂、Cr₂O₃、CoO、
GeO₂、HfO₂、Fe₂O₃、La₂O₃、MgO、MnO₂、Nd₂O、Nb₂O₅、
PbO、Sb₂O₃、SiO₂、SeO₂、Ta₂O₅、TiO₂、WO₃、V₂O₅、Y₂
O₅、Y₂O₃、ZrO₂、BaTiO₃、Al₂O₃、Bi₂TiO₅、CaO−SrO、
CaO−Y₂O₃、Cr−SiO、LiTaO₃、PbTiO₃、PbZrO₃、ZrO₂−
Co、ZrO₂−SiO₂、AlN、BN、NbN、Si₃N₄、TaN、TiN、V
N、ZrN、SiC、TiC、WC、Al₄C₃等をグロー放電、蒸着、
スパッタリング等により形成される。尚、この層の膜厚
は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果の点を
考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎに整流
効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利用して
電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電荷輸送
層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は無機光
導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電層で形成
され、その膜厚は0.1〜10μｍ程度である。具体的に
は、電極がマイナスの場合はＢ、Al、Ga、In等をドープ
したアモルファスシリコン光導電層、アモルファスセレ
ン、またはオキサジアゾール、ピラゾリン、ポリビニル
カルバゾール、スチルベン、アントラセン、ナフタレ
ン、トリジフェニルメタン、トリフェニルメタン、アジ
ン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中に分散して形成し
た有機光導電層、電極がプラスの場合は、Ｐ、Ｎ、As、
Sb、Bi等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、
ZnO光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッタリング、C
VD、コーティング等の方法により形成される。

次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作
製方法について説明する。

電荷保持媒体３は感光体１と共に用いられて、電荷保
持媒体３を構成する絶縁層11の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。例えば静電カメラ（同一出願人による同日出願）に
用いられる場合には、一般のフィルム（単コマ、連続コ
マ用）形状、あるいはディスク状となり、レーザー等に
よりデジタル情報、またはアナログ情報を記録する場合
には、テープ形状、ディスク形状、或いはカード形状と
なる。

絶縁層支持体15は、上記のような電荷保持媒体３を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体５と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体３がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。

電荷保持媒体電極13は、基本的には感光体電極７と同
じでよく、上述した感光体電極７と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体15上に形成される。

絶縁層11は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で10¹⁴Ω・
cm以上の絶縁性を有することが要求される。このような
絶縁層11は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、コーティ
ング、ディッピングするか、または蒸着、スパッタリン
グ法により層形成させることができる。

ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレ
ン，ポリプロピレン，ビニル樹脂，スチロール樹脂，ア
クリル樹脂，ナイロン66,ナイロン6,ポリカーボネー
ト，アセタールホモポリマー，弗素樹脂，セルロース樹
脂，フェノール樹脂，ユリア樹脂，ポリエスエル樹脂，
エポキシ樹脂，可撓性エポキシ樹脂，メラミン樹脂，シ
リコン樹脂，フェノオキシ樹脂，芳香族ポリイミド,PP
O,ポリスルホン等、またはポリイソプレン，ポリブタジ
ェン，ポリクロロプレン，イソブチレン，極高ニトリ
ル，ポリアクリルゴム，クロロスルホン化ポリエチレ
ン，エチレン・プロピレンラバー，弗素ゴム，シリコン
ラバー，多硫化系合成ゴム，ウレタンゴム等のゴムの単
体、あるいは混合物が使用される。

またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ
イミドフィルム、合弗素フィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィル
ム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等
を電荷保持媒体電極13上に接着剤等を介して貼着するこ
とにより層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム
等に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、デ
ィッピングすることにより層形成してもよい。

また絶縁層11として、ラングミュアー・ブロジェト法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。

またこれら絶縁層11には、電極面との間、または絶縁
層11上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷保
持強化層とは、強電界（10⁴V/cm以上）が印加された時
には電荷が注入するが、低電界（10⁴V/cm以下）では電
荷が注入しない層のことをいう。電荷保持強化層として
は、例えばSiO₂、Al₂O₃、SiC、SiN等が使用でき、有機
系物質としては例えばポリエチレン蒸着膜、ポリパラキ
シレン蒸着膜が使用できる。

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層11
に、電子供与性を有する物質（ドナー材料）、あるいは
電子受容性を有する物質（アクセプター材料）を添加す
るとよい。ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（TT
F）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ポリアジン、ポリビニルピレ
ン、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して
用いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化
合物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的に
はテトラシアノキノジメタン（TCNQ）トリニトロフルオ
レノン（TNF）等が使用され、一種、または混合して使
用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂等に
対して0.001〜10％程度添加して使用される。

さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体
中に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体
としては周期律表第I A族（アルカリ金属）、同I B族
（銅族）、同II A族（アルカリ土類金属）、同II B族
（亜鉛族）、同III A族（アルミニウム族）、同III B族
（希土類）、同IV B族（チタン族）、同V B族（バナジ
ウム族）、同VI B族（クロム族）、同VII B族（マンガ
ン族）、同VIII族（鉄族、白金族）、または同IV A族
（炭素族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同V
A族（窒素族）としてはアンチモン、ビスマス、同VI A
族（酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが微細粉状
で使用される。また上記元素単体のうち金属類は金属イ
オン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態としても
使用することができる。更に上記元素単体は酸化物、燐
酸化物、硫酸化物、ハロゲン化物の形態で使用すること
ができる。これらの添加物は、上述した樹脂、ゴム等の
電荷保持媒体にごく僅か添加すればよく、添加量は電荷
保持媒体に対して0.01〜10重量％程度でよい。また絶縁
層11は、絶縁性の点からは少なくても1000Å（0.1μ
ｍ）以上の厚みが必要であり、フレキシビル性の点から
は100μｍ以下が好ましい。

このようにして形成される絶縁層11は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保護膜を設けることができる。保護膜としては粘着性
を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン樹脂等
の樹脂類をフィルム状にし、絶縁層11の表面に貼着する
か、またプラスチックフィルムをシリコンオイル等の密
着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗10¹⁴Ω・cm以上
のものであればよく、膜厚は0.5〜30μｍ程度であり、
絶縁層11の情報を高解像度とする必要がある場合には保
護膜は薄い程よい。この保護層は、情報再生時には保護
膜上から情報を再生してもよく、また保護膜を剥離して
絶縁層の情報を再生することもできる。

静電荷保持の方法としては、前述したような表面電荷
を蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内
部に電荷の分布、分極を生じさせるエレクトレットがあ
る。

第２図は光エレクトレットを用いた静電荷保持方法を
示す図、第１図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、19は透明電極である。

第２図（イ）に示すようにフィルム等の支持体15上に
電極13を形成し、電極板上にZnS、CdS、ZnOを、蒸着ス
パッター、CVD、コーティング法等で１層１〜５μｍ形
成する。そしてこの感光層表面に透明電極19を接触ある
いは非接触で重ね、電圧印加状態で露光すると（第２図
（ロ））、露光部で光によって電荷が発生し、電場によ
って分極し、電荷は電場を取り去ってもその位置にトラ
ップされる（第２図（ハ））。こうして、露光量に応じ
たエレクトレットが得られる。なお、第２図の電荷保持
媒体の場合は別体の感光体を必要としない利点がある。

第３図は熱エレクトレットを用いた静電荷保持方法を
示す図で、第１図と同一番号は同一内容である。

熱エレクトレット材料としては、例えばポリ弗化ビニ
リデン（PVDF），ポリ（VDF/三フッ化エチレン）、ポリ
（VDF/四フッ化エチレン），ポリフッ化ビニル，ポリ塩
化ビニリデン，ポリアクリロニトリル，ポリ−α−クロ
ロアクリロニトリル，ポリ（アクリロニトリル／塩化ビ
ニル），ポリアミド11,ポリアミド3,ポリ−ｍ−フェニ
レンイソフタルアミド，ポリカーボネート，ポリ（ビニ
リデンシアナイド酢酸ビニル）,PVDF/PZT複合体等から
なり、これを電極基板13上に１〜50μｍ単層で設けるか
あるいは２種類以上のものを積層する。

そして露光前に抵抗加熱等で上記媒体材料のガラス転
移以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光
を行う（第３図（ロ））。高温ではイオンの移動度が大
きくなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、
熱的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正
電荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じ
る。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を
取り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエ
レクトレットを生じる（第３図（ハ））。

次ぎに、絶縁層11に情報を入力する方法としては高解
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。まず本願発明で使用される高解像度静電カメ
ラは、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代
わりに、前面に感光体電極７を設けた光導電層９からな
る感光体１と、感光体１に対向し、後面に電荷保持媒体
電極13を設けた絶縁層11からなる電荷保持媒体とにより
記録部材を構成し、両電極へ電圧を印加し、入射光に応
じて光導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁層上
に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静電潜像を
電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッタも
使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうるもの
であり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく長期間保
持することが可能である。またプリズムにより光情報
も、Ｒ、Ｇ、Ｂ光成分に分離し、平行光として取り出す
カラーフィルターを使用し、Ｒ、Ｇ、Ｂ分解した電荷保
持媒体３セットで１コマを形成するか、または１平面上
にＲ、Ｇ、Ｂ像を並べて１セットで１コマとすることに
より、カラー撮影することもできる。

またレーザーによる記録方法としては、光源としては
アルゴンレーザー（514.488nm）、ヘリウム−ネオンレ
ーザー（633nm）、半導体レーザー（780nm、810nm等）
が使用でき、感光体と電荷保持媒体を面状で表面同志
を、密着させるか、一定の間隔をおいて対向させ、電圧
印加する。この場合感光体のキャリアの極性と同じ極性
に感光体電極をセットするとよい。この状態で画像信
号、文字信号、コード信号、線画信号に対応したレーザ
ー露光をスキャニングにより行うものである。画像のよ
うなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変調して
行い、文字、コード、線画のようなデジタル的な記録
は、レーザー光のON−OFF制御により行う。また画像に
おいて網点形成されるものには、レーザー光にドットジ
ェネレータON−OFF制御をかけて形成するものである。
尚、感光体における光導電層の分光特性は、パンクロマ
ティックである必要はなく、レーザー光源の波長に感度
を有していればよい。

第４図は本発明の音声情報入力機能を備えた静電カメ
ラの構成を示す図で、図中、101はマイクロホン、102は
増幅器、103はレーザー、104は音響光学変調器、105は
ポリゴンミラー、106は電源である。

感光体１は電荷保持媒体３との間にはスイッチ107のO
N/OFFにより電源106より所定の電圧が印加されるように
なっている。そして、所定の電圧が印加された状態で画
像情報光100で面露光することにより、電荷保持媒体３
には画像に応じた潜像電位が形成される。一方マイクロ
ホン101を介して音声に応じた電気信号が増幅器102で増
幅され、音響光学変調器104で音声信号に応じてレーザ
ー103からのレーザー光を変調し、ポリゴンミラー105で
走査して感光体１を照射し、音声信号に応じた潜像電位
を電荷保持媒体３に形成する。こうして電荷保持媒体３
には画像情報と共に音声情報が記録されることになる。
その結果、例えば電荷保持媒体上に景色等の画像を記録
する時に、撮影時の状況等を音声として記録することが
できるので、再生した時にその時の説明入りの再生像を
得ることが可能となる。

なお、上記説明では光学変調器とポリゴンミラーとの
組み合わせにより光を変調して走査露光するようにした
が、この他にも、例えばフライングスポットスキャナー
（FSS）等のようにCRTと変更手段の組み合わせにより電
子ビームを走査し、ブラウン管面の輝点からの光により
感光体を通して走査露光するようにしてもよく、また管
面部に針電極群を有する一種のCRTの管面に近接して電
荷保持媒体を対向配置し、走査電子ビームが当たった針
電極を通して電荷保持媒体に直接放電記録するようにし
てもよい。

第５図はPCM変調を利用した本発明の他の実施例を示
す図で、第４図と同一番号は同一内容を示している。第
５図の場合は音声信号をPCM120でディジタル信号に変換
しているので、ノイズに強い良質の音声情報を記録する
ことが可能となる。

第６図は本発明の他の実施例を示す図で、図中、121
はA/D変換器、122は循環メモリ、123はD/A変換器であ
る。

本実施例においては、音声信号をA/D変換して循環メ
モリ122に記憶し、循環メモリ122の出力をD/A変換して
これを記録するようにしたものである。循環メモリ122
は一定時間の音声情報を記憶する記憶容量を有し、順次
記憶内容を更新するようにしているので、常に一定時間
前から現在までの音声情報が記憶されるようになってい
る。例えば循環メモリの記憶容量を１分間の音声情報を
記録することができるようにしたとすれば、撮影時点の
30秒前から30秒後まで音声情報を記録させるようにする
ことができるので、撮影時の情景をリアル感を持って再
現することが可能となる。例えばSLの撮影等において、
シュッシュッポッポ、シュッシュッポッポという音とシ
ャッター音と共に、SLの像を撮影することができれば、
その再生画像は撮影時の状況を彷彿と思い出す等が期待
できる。

以下、像電位読取り方法について説明する。

第７図は本発明における電位読み取り方法の例を示す
図で、第１図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、21は電位読み取り部、23は検出電極、25はガ
ード電極、27はコンデンサ、29は電圧計である。

電位読み取り部21を電荷保持媒体３の電荷蓄積面に対
向させると、検出電極23に電荷保持媒体３の絶縁層11上
に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し、検出電
極面上に電荷保持媒体上の電荷と等量の誘導電荷が生ず
る。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコンデンサ27
が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄積電荷に応
じた電位差が生じ、この値を電圧計29で読むことによっ
て電荷保持体の電位を求めることができる。そして、電
位読み取り部21で電荷保持媒体面上を走査することによ
り静電潜像を電気信号として出力することができる。な
お、検出電極23だけでは電荷保持媒体の検出電極対向部
位よりも広い範囲の電荷による電界（電気力線）が作用
して分解能が落ちるので、検出電極の周囲に接地したガ
ード電極25を配置するようにしてもよい。これによっ
て、電気力線は面に対して垂直方向を向くようになるの
で、検出電極23に対向した部位のみの電気力線が作用す
るようになり、検出電極面積に略等しい部位の電位を読
み取ることができる。電位読み取りの精度、分解能は検
出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び電荷保持媒体
との間隔によって大きく変わるため、要求される性能に
合わせて最適条件を求めて設計する必要がある。

第８図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、検出
電極、ガード電極を絶縁性保護膜31上に設け、絶縁性保
持膜を介して電位を検出する点以外は第７図の場合と同
様である。

この方法によれば、電荷保持媒体に接触させて検出で
きるため検出電極との間隔を一定にすることができる。

第９図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、針状
電極33を直接電荷保持媒体に接触させ、その部位の電位
を検出するもので、検出面積を小さくすることができる
ので、高分解能を得ることができる。なお、針状電極を
複数設けて検出するようにすれば読み取り速度を向上さ
せることが可能となる。

以上は接触または非接触で直流信号を検出する直流増
幅型のものであるが、次に交流増幅型の例を説明する。

第10図は振動電極型の電位読取り方法を示す図で、22
は検出電極、24は増幅器、26はメータである。

検出電極22は振動し、電荷保持媒体３の帯電面に対し
て時間的に距離が変化するように駆動されており、その
結果、検出電極22における電位は、帯電面の静電電位に
応じた振幅で時間的に変化する。この時間的な電位変化
をインピーダンスＺの両端の電圧変化として取り出し、
コンデンサＣを通して交流分を増幅器24で増幅し、メー
タ26により読み取ることにより帯電面の静電電位を測定
することができる。

第11図は回転型検出器の例を示し、図中28は回転羽根
である。

電極22と電荷保持媒体３の帯電面の間には導電性の回
転羽根28が設けられて図示しない駆動手段により回転駆
動されている。その結果、検出電極22と電荷保持媒体３
との間は周期的に電気的に遮蔽される。そのため、検出
電極22には帯電面の静電電位に応じた振幅の周期的に変
化する電位信号が検出され、この交流成分を増幅器24で
増幅して読み取ることになる。

第12図は振動容量型検出器の例を示し、28は駆動回
路、30は振動片である。

駆動回路28によってコンデンサーを形成する一方の電
極の振動片30を振動させて、コンデンサ容量を変化させ
る。その結果、検出電極22により検出される直流電位信
号は変調を受け、この交流成分を増幅して検出する。こ
の検出器は直流を交流に変換して高感度で安定性良く電
位測定することができる。

第13図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、細長
い検出電極を用い、CT手法（コンピュータ断層映像法）
を用いて電位検出を行うものである。

検出電極35を電荷蓄積面を横断するように対向配置す
ると、得られるデータは検出電極に沿って線積分した
値、即ちCTにおける投影データに相当するデータが得ら
れる。そこで、この検出電極を第13図（ロ）の矢印のよ
うに全面に行き渡るように走査し、さらに角度θを変え
て同様に走査していくことにより必要なデータを収集
し、収集したデータにCTアルゴリズムを用いて演算処理
を施すことにより、電荷保持体上の電位分布状態を求め
ることができる。

なお、第14図に示すように検出電極を複数個並べるよ
うにすればデータ収集速度を早くすることができ、全体
としての処理速度を向上させることができる。

第15図は集電型検出器の例を示し、図中、32は接地型
金属円筒、34は絶縁体、36は集電器である。

集電器36には放射性物質が内蔵され、そこからα線が
放出されている。そのため、金属円筒内は空気が電離し
て正負のイオン対が形成されている。これらのイオンは
自然の状態では再結合および拡散によって消滅し、平衡
状態を保っているが、電界があると、熱運動による空気
分子との衝突を繰り返しながら統計的には電界の方向に
進み、電荷を運ぶ役割を果たす。

即ち、イオンのため空気が導電化されて、集電器36も
含めたその周りの物体の間には等価的な電気抵抗路が存
在するとみなすことでできる。

従って、電荷保持媒体３の帯電面と接地金属円筒32、
帯電体と集電器36、および集電器36と接地金属円筒32の
間の抵抗をそれぞれR₀、R₁、R₂とすると、帯電体の電位
をV₁とすると、集電器36の電位V₂は、定常状態では、 V₂＝R₂V₁（R₁＋R₂）となる。その結果、集電器36の電位を読み取ることによ
って電荷保持媒体３の電位を求めることができる。

第16図は電子ビーム型の電位読取装置の例を示す図
で、37は電子銃、38は電子ビーム、39は第１ダイノー
ド、40は２次電子増倍部である。

電子銃37から出た電子を図示しない静電偏向あるいは
は電磁偏向装置により偏向して帯電面を走査する。走査
電子ビームのうちの一部は、帯電面の電荷と結合して充
電電流が流れ、その分帯電面の電位は平衡電位に下が
る。残りの変調された電子ビームは電子銃37の方向に戻
り、第１ダイオード39に衝突し、その２次電子が２次電
子増倍部40で増幅されその陽極から信号出力として取り
出される。この戻りの電子ビームとして反射電子あるい
は２次電子を使用する。

電子ビーム型の場合には、走査後は媒体上には均一な
電荷が形成されるが、走査時に潜像に対応する電流が検
出される。潜像がマイナス電荷の場合は、電荷が多い部
分（露光部）ではエレクトロンによる蓄積電荷が少な
く、充電電流が小さいが、例えば電荷が存在しない部分
では最大の充電電流が流れる。プラス電荷の場合はこの
逆でネガ型となる。

第17図は電位読み取り方法の他の例を示す図であり、
静電潜像が形成された電荷保持媒体３をトナー現像し、
着色した面を光ビームにより照射してスキャニングし、
その反射光を光電変換器61で電気信号に変換するもので
あり、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を達
成することができ、また光学的に簡便に静電電位の検出
を行うことができる。

第18図は電位読み取り方法の他の例を示す図であり、
後述するような微細カラーフィルターにより形成したR,
G,B分解像をトナー現像し、着色した面を光ビームによ
り照射し、その反射光によりY,M,C信号を得る場合の例
を示している。図中、63は走査信号発生器、65はレーザ
ー、67は反射鏡、69はハーフミラー、71は光電変換器、
73、75、77はゲート回路である。

走査信号発生器63からの走査信号でレーザー65からの
レーザー光を、反射鏡67、ハーフミラー69を介して着色
面に当てて走査する。着色面からの反射光をハーフミラ
ー69を介して光電変換器71に入射させて電気信号に変換
する。走査信号発生器63からの信号に同期してゲート回
路73、75、77を開閉制御すれば、微細フィルタのパター
ンに同期してゲート回路73、75、77が開閉制御されるの
で、Ｙ、Ｍ、Ｃに着色しておかなくてもＹ、Ｍ、Ｃの信
号を得ることができる。

なお、カラー像が後述するように３面分割したものの
場合も、全く同様にＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることがで
き、この場合もＹ、Ｍ、Ｃに着色しておかなくてもよい
ことは同様である。

第17図、第18図に示した静電電位検出法においては、
トナー像が静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有して
いることが必要で、そのため帯電量のアナログ的変化に
対してしきい値を持たないようにする必要がある。対応
さえとれていればγ特性が一致していなくても電気的な
処理によってγの補正を行うようにすればよい。

次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィ
ルターについて説明する。

第19図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、31、33、35はプリズムブロック、37、39、41はフィ
ルタ、43、45は反射鏡である。

色分解光学系は３つのプリズムブロックからなり、プ
リズムブロック31のａ面から入射した光情報は、ｂ面に
おいて一部が分離反射され、さらにａ面で反射されてフ
ィルタ37からＢ色光成分が取り出される。残りの光情報
はプリズムブロック33に入射し、ｃ面まで進んで一部が
分離反射され、フィルタ39からＧ色光成分、他は直進し
てフィルタ41からＲ色光成分が取り出される。そして、
G,B色光成分を、反射鏡43、45で反射させることによ
り、R,G,B光を平行光として取り出すことができる。

このようなフィルタ51を、第20図に示すように感光体
１の前面に配置して撮影することにより、第20図（ロ）
のようにＲ、Ｇ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セットで１
コマを形成するか、また第20図（ハ）に示すように１平
面上にR,G,B像として並べて１セットで１コマとするこ
ともできる。

第21図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例え
ば、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパタ
ーンで露光してR,G,Bストライプパターンを形成し、そ
れぞれR,G,B染色することにより形成する方法、または
第19図のような方法で色分解した光を、それぞれ細いス
リットに通すことにより生じるR,G,Bの干渉縞をホログ
ラム記録媒体に記録させることにより形成する方法、ま
たは光導電体にマスクを密着させて露光し、静電潜像に
よるR,G,Bストライプパターンを形成し、これをトナー
現像して３回転写することによりカラー合成してトナー
のストライプを形成する方法等により形成する。このよ
うな方法で形成されたフィルタのR,G,B1組で１画素を形
成し、１画素を10μｍ程度の微細なものにする。このフ
ィルタを第20図のフィルタ51として使用することにより
カラー静電潜像を形成することができる。この場合、フ
ィルタは感光体と離して配置しても、あるいは感光体と
一体に形成するようにしてもよい。

第22図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってR,G,B
パターンを縮小して記録することができ、また通常のレ
ンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能とな
る。

第23図はND（Neutral Densitvy）フィルタとＲ、Ｇ、
Ｂフィルターを併用した３面分割の例を示す図で、入射
光をNDフィルター81、83及び反射ミラー85で３分割し、
それぞれＲフィルター87、Ｇフィルター89、Ｂフィルタ
ー91を通すことにより、Ｒ、Ｇ、Ｂ光を平行光として取
り出すことができる。

〔作用〕

本発明は、感光体と電荷保持媒体間に電圧を印加した
状態で露光することにより画像情報を静電潜像として記
録すると共に、音声情報で光を光学変調し、変調した情
報光を感光体に照射することにより画像情報と共に音声
情報も記録することができ、またPCM変調した音声情報
を記録することにより音質を向上させ、さらに音声情報
を所定容量の循環メモリに記憶させて静止画記録の前後
の音声を記録でき、記録時の雰囲気が分かるようにする
ことができる。

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕…電荷保持媒体の作製方法メチルフェニルシリコン樹脂10g、キシレン−ブタノ
ール1:1溶媒10gの組成を有する混合液に、硬化剤（金属
触媒）：商品名 CR−15を１重量％（0.2g）加えてよく
撹拌し、Alを1000Å蒸着したガラス基板上にドクターブ
レード４ミルを用いてコーティングを行った。その後15
0℃、1hrの乾燥を行ない、膜厚10μｍの電荷保持媒体
（ａ）を得た。

また上記混合液を、Alを1000Å蒸着した100μｍポリ
エステルフィルム上に同様の方法でコーディングし、次
いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体（ｂ）を得た。

また上記混合液を、Alを1000Å蒸着した４インチディ
スク形状アクリル（1mm厚）基板上にスピンナー2000rpm
でコーディングし、50℃、3hr乾燥させ、膜厚７μｍの
ディスク状電荷保持媒体（ｃ）を得た。

また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を0.1g添加
し、同様のコーティング、乾燥を行い、10μｍの膜厚を
有する電荷保持媒体（ｄ）を得た。

〔実施例２〕ポリイミド樹脂10g、Ｎ−メチルピロリドン10gの組成
を有する混合液を、Alを1000Å蒸着したガラス基板上に
スピンナーコーティング（1000rpm、20秒）した。溶媒
を乾燥させるため150℃で30分間、前乾燥を行った後、
硬化させるため350℃、２時間加熱した。膜厚８μｍを
有する均一な被膜が形成された。

〔実施例３〕…単層系有機感光体（PVK−TNF）作製方法ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール10g（亜南香料（株）
製）、2,4,7−トリニトロフルオレノン10g、ポリエステ
ル樹脂2g（バインダー：バイロン200東洋紡（株）
製）、テトラハイドロフラン（THF）90gの組成を有する
混合液を暗所で作製し、In₂O₃−SnO₂を約1000Åの膜厚
でスパッターしたガラス基板（1mm厚）に、ドクターブ
レードを用いて塗布し、60℃で約１時間通風乾燥し、膜
厚約10μｍの光導電層を有する感光層を得た。又完全に
乾燥を行うために、更に１日自然乾燥を行って用いた。

〔実施例４〕…アモルファスシリコンaSi:H無機感光体
の作製方法基板洗浄 SnO₂の薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニン
グ社7059ガラス（23×16×0.9t、光学研磨済）をトリク
ロロエタン、アセトン、エタノール各液中、この順番に
各々10分ずつ超音波洗浄する。

装置の準備洗浄の済んだ基板を第24図の反応室204内のアノード2
06上に熱伝導が十分であるようにセットした後、反応室
内を10^-5Torr台までD.Pにより真空引きし、反応容器お
よびガス管の焼出しを150℃〜350℃で約１時間行い、焼
出し後装置を冷却する。

ａ・Si:H（n⁺）の堆積ガラス基板が350℃になるようにヒーターを208調整、
加熱し、予めタンク201内で混合しておいたPH₃/SiH₄＝1
000ppmのガスをニードルバルブとPMBの回転数を制御す
ることによって反応室204の内圧が200m Torrになるよう
に流し内圧が一定になった後、Matching Box203を通じ
て、40WのR f Power 202（13.56KHz）を投入し、カソー
ド・アノード間にプラズマを形成する。堆積は４分間行
い、Rfの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。

その結果、ブロッキング層を構成する約0.2μｍのａ
・Si:H（n⁺）膜が基板上に堆積された。

ａ・Si・Ｈの堆積 SiH₄ 100％ガスをと同じ方法で内圧が200m Torrに
なるように流し、内圧が一定になったところで、Matchi
ng Box203を通じて40WのR f Power 202（13.56KHz）を
投入し、プラズマを形成して70分間維持する。堆積終了
はRfの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。Heater20
8 Off後、基板が冷えているから取り出す。

この結果、約18.8μｍの膜がａ・Si:H（n⁺）膜上に堆
積された。

こうしてSnO₂/a・Si・Ｈ（n⁺）ブロッキング層/a・S
i:H（non・dope）20μｍの感光体を作製することができ
た。

〔実施例５〕…アモルファスセレン−テルル無機感光体
の作製方法セレン（Se）に対しテルル（Te）が13重量％の割合で
混合された金属粒を用い、蒸着法によりａ−Se−Te薄膜
を真空度10^-5Torr、抵抗加熱法でITOガラス基板上に蒸
着した。膜厚は１μｍとした。さらに真空度を維持した
状態で、同じく抵抗加熱法でSeのみの蒸着を行いａ−Se
−Te層上に10μm a−Se層を積層した。

〔実施例６〕…機能分離型感光体の作製方法（電荷発生層）の形成方法クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの組成
を有する混合液を250ml容積のステンレス容器に入れ、
更にガラスビーズNo3、180mlを加え、振動ミル（安川電
機製作所KED9−４）により、約４時間の粉砕を行い粒径
〜５μｍのクロロシアンブルーを得る。ガラスビーズを
濾過後、ポリカーボネート、ユーピロンＥ−2000（三菱
ガス化学）を0.4g加え約４時間撹拌する。この溶液をIn
₂O₃−SnO₂を約1000Åスパッターしたガラス基板（1mm
厚）にドクターブレードを用いて塗布し、膜厚約１μｍ
の電荷発生層を得た。乾燥は室温で１日行った。

〔電荷輸送層の形成方法〕

４−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド
−1,1′−ジフェニルヒドラゾン0.1g、ポリカーボネー
ト（ユーピロンＥ−2000）0.1g、ジクロルエタン2.0gの
組成を有する混合液をドクターブレードにて、上記電荷
発生層上に塗布し、約10μｍの電荷輸送層を得た。乾燥
は60℃で２時間行った。

〔実施例７〕（電荷発生層の形成方法）酢酸ブチル10gにブチラール樹脂（積水化学、SLEC）
0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムClO₄塩、 0.5g、ガラスビーズNo、133gとを混合し、タッチミキ
サーで１日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレ
ード、またはアプリケーターでガラス板上に積層したIT
O上に塗布し、60℃、２時間以上乾燥させた。乾燥後の
膜厚は１μｍ以下。

（電荷輸送層の形成方法）テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ユーピロンＥ−2000）0.5gと下記の構造式で示
されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、CTC191） 0.5gとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生層
上に塗布し、60℃、２時間以上乾燥させた。膜厚10μｍ
以下であった。

〔実施例８〕（電荷発生層の形成方法）テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂（積水化
学、SLEC）0.5g、チタニルフタロシアニン0.25g、4.10
−ジブロモアンスアンスロン0.25g、ガラスビーズNo.1
を33g、タッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させ
ものをドクターブレード、またはアプリケーターでガラ
ス板上で積層したITO上に塗布し、60℃、２時間以上乾
燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の作製方法）ジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート（三菱ガス
化学、ユーピロンE2000）0.5g、上記ヒドラゾン誘導体
（阿南香料、CTC191）0.5gを溶解し、ドクターブレード
で、上記電荷発生層上に塗布、60℃、２時間以上乾燥さ
せた。膜厚は10μｍ以上であった。

〔実施例９〕…電荷注入防止層を設けた機能分離型感光
体の作製方法（電荷注入防止層の形成方法）ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、FS−175SV10）をスピンコーターにより0.5
〜１μｍ塗布、60℃、２時間以上乾燥させた。

（電荷発生層の形成方法）酢酸ブチル10gにブチラール樹脂（積水化学、SLEC）
0.25g、前記したアズレニウムClO₄塩0.5g、ガラスビー
ズNo、133gとを混合し、タッチミキサーで１日間撹拌
し、よく分散させものをドクターブレード、またはアプ
リケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、60℃、２
時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚１μｍ以下
であった。

（電荷輸送層の形成方法）テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ユーピロンE2000）0.5gと前記したヒドラゾン
誘導体（阿南香料、CTC191）0.5gとを溶解させ、ドクタ
ーブレードで上記電荷発生層上に塗布し、60℃、２時間
以上乾燥させた。膜厚10μｍ以下であった。

〔実施例10〕（電荷注入防止層の形成方法）ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、FS−175SV10）をスピンコーターにより0.5
〜１μｍ塗布、60℃、２時間以上乾燥させた。

（電荷発生層の形成方法）テトラヒドロフラン20gをブチラール樹脂（積水化
学、SLEC）0.5g、チタニルフタロシアニン0.25g、4.10
−ジブロモアンスアンスロン0.25g、ガラスビーズNo.1
を33g、タッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させ
たものをドクターブレード、またはアプリケーターで上
記電荷注入防止層上に塗布し、60℃、２時間以上乾燥さ
せた。乾燥後の被膜は、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法）溶媒であるジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート
（三菱ガス化学、ユーピロンE2000）0.5g、前記ヒドラ
ゾン誘導体（阿南香料、CTC191）0.5gを溶解し、ドクタ
ーブレードで、上記電荷発生層上に塗布、60℃、２時間
以上乾燥させた。膜厚は10μｍ以上であった。

〔実施例11〕（感光体電極層の形成方法）青板ガラス上に、酸化インジウム錫（ITO、比抵抗100
Ω・cm²）をスパッタリング法により蒸着させた。

また、EB法により同様に蒸着させることができる。

（電荷注入防止層の形成方法）上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング
法により蒸着させた。

膜厚は100〜3000Åとすことができ、また二酸化珪素
の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、またス
パッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着させる
ことができる。

（電荷発生層の形成方法）上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル（テルル含
有量13重量％）を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は２
μｍ以下である。

（電荷輸送層の形成方法）上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法
により蒸着させた。膜厚は10μｍ以下である。

〔実施例12〕…熱エレクトレットの作製方法ポリ弗化ビニリデンフィルム20μｍ上に真空蒸着（10
^-6Torr、抵抗加熱法）によりAlを1000Å蒸着したものを
電荷保持媒体とし、機能分離型感光体の光導電性感光体
と共に静電潜像を形成する。

まず電荷保持媒体のAl基板側からホットプレート（３
×3cm）を接触させ、180℃に媒体を加熱する。加熱直後
に感光体を電荷保持媒体に10μｍの空気ギャップで表面
同志を対向させ、量電極間に−550Vの電圧を印加（感光
体電極を負とする）し、露光させた。露光はハロゲンラ
ンプを光源として、10ルックスで、文字パターン原稿を
介して感光体裏面から１秒間行った。

この後フィルムを自然冷却した結果、露光部（文字
部）には、−150Vの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では−150Vの電位が測定
された。一方同様の電荷保持媒体に強制的にコロナ放電
で表面に−150Vの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回
収したところ、最初−150Vを示した露光部が0Vと全く電
荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化ビ
ニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレット化してい
ることがわかった。

〔実施例13〕…光エレクトレットの作製方法 1.1mm厚のガラス支持体上にAlを、約1000Åスパッタ
リング法により積層して基板とし、そのAl層に硫化亜鉛
を約1.5μｍの膜厚に蒸着（10^-5Torr、抵抗加熱）させ
た。この硫化亜鉛層面に、ガラス上に積層したITO面を
空気ギャップ10μｍ設けて対向させ、両電極間に＋700V
の電圧を印加（Al電極側を負にする）した状態で、ITO
基板側から露光を行った。露光は実施例11と同様にして
行った。その結果露光部には＋80Vの電位が測定され、
未露光部には電位が測定されなかった。この場合も実施
例11と同様な水滴実験を行ったが、回収後の電位の変化
はなく、内部に電荷の蓄積されたエレクトレットが形成
された。

〔実施例14〕実施例３の単層系有機感光体（PVK−TNF）、実施例１
（ａ）の電荷保持媒体、及びガラス基板を使用し、これ
を電極側を外側にして重ねてカメラにセットする。その
際に感光体１と電荷保持媒体３間に空隙を設けるため、
第25図に示すように10μｍのポリエステルフィルムをス
ペーサー２として露光面以外の周囲に配置する。

感光体電極側を負、電荷保持媒体側に正にして電圧を
700V印加し、その状態で露出ｆ＝1.4、シャッタースピ
ード1/60秒で光学シャッターを切るか、あるいは露出ｆ
＝1.4、シャッター開放状態で1/60秒電圧印加を行い、
屋外昼間の被写体撮影を行った。

露光OFF、電圧印加OFF後、電荷保持媒体を明るい所、
あるいは暗いで所で取り出し、微小面積電位読取り法によるCRT画像形成、トナ
ー現象による画像形成を行った。

では、100×100μｍの微小面積表面電位測定プロー
ブをＸ−Ｙ軸スキャニングを行い、100μｍ単位の電位
データを処理し、CRT上に電位−輝度変換により画像形
成を行った。電荷保持媒体上には最高露光部電位200Vか
ら未露光部0Vまでのアナログ電位潜像が形成されてお
り、その潜像をCRT上で100μｍの解像度で顕像化するこ
とができた。

では、取り出した電荷保持媒体を負に帯電した湿式
トナー（黒）に10秒浸漬することにより、ポジ像が得ら
れた。得られたトナー像の解像度は１μｍの高解像度で
あった。

カラー画像の撮影は以下の方法で行った。

プリズム型３面分割法第20図に示すようにプリズムの３面上にR,G,Bフィル
ターを配置し、それぞれの面に上記媒体をセットし、ｆ
＝1.4、シャッタースピード1/30秒で被写体撮影を行っ
た。

カラーCRT表示法 R,G,B潜像各々を同様の方法でスキャニングして読み
取り、R,G,B潜像に対応した螢光発色をCRT上で形成し、
３色分解画像をCRT上で合成することによりカラー画像
を得た。

トナー現像法分解露光した電荷保持媒体をR,G,B潜像に対して負に
帯電したＣ（シアン）、Ｍ（マゼンダ）、Ｙ（イエロ
ー）トナーで各々現像し、トナー像を形成する。トナー
が乾燥する前にシアントナー像を形成した媒体上に普通
紙を重ね、紙上に正のコロナ帯電を行い。その後、剥離
を行うと、普通紙にトナー像が転写された。さらに、同
様の方法で画像の位置を一致させて、同一箇所にマゼン
ダトナー、イエロートナーを順次転写合成すると、普通
紙上にカラー画像が形成された。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、静止画像の記録と共に
音声情報も同時記録することができ、特に静止画記録の
前後の音声を記録することにより記録時の雰囲気が分か
るようにして静止画の迫力感を出すこと可能となり、カ
メラの多機能化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に使用する電荷保持媒体を説明するため
の図、第２図は光エレクトレットを用いた静電潜像記録
方法の原理を説明するための図、第３図は熱エレクトレ
ットを用いた静電潜像記録方法の原理を説明するための
図、第４図は本発明の音声情報入力機能を備えた静電カ
メラの構成を示す図、第５図はPCM変調を利用した本発
明の他の実施例を示す図、第６図は一定時間音声を記録
するようにした本発明の他の実施例を示す図、第７図、
第８図、第９図は直流増幅型の電位読み取り方法の例を
示す図、第10図、第11図、第12図は交流増幅型の電位読
み取り方法の例を示す図、第13図、第14図はCTスキャン
法による電位読み取り方法の例を示す図、第15図は集電
型の電位読み取り方法の例を示す図、第16図は電子ビー
ム型の電位読み取り方法の例を示す図、第17図、第18図
はトナー着色を利用した電位読み取り方法を説明するた
めの図、第19図は色分解光学系の構成を示す図、第20図
はカラー静電潜像を形成する場合の説明図、第21図は微
細カラーフィルタの例を示す図、第22図は微細カラーフ
ィルタとフレネルレンズを組み合わせた例を示す図、第
23図はNDフィルタとＲ、Ｇ、Ｂフィルタの併用による３
面分割を示す図、第24図はａ−Si:H感光体の作製方法を
説明するための図、第25図は本発明を適用した静電カメ
ラによる撮影の実施例を説明するための図である。 101……マイクロホン、102……増幅器、103……レーザ
ー、104……音響光学変調器、105……ポリゴンミラー、
106……電源。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に電極、光導電層を積層した感光体
と、基板上に電極、10¹⁴Ω・cm以上の比抵抗を持つ絶縁
層を積層した電荷保持媒体との間に電圧を印加した状態
で感光体に光を照射することにより画像情報を静電潜像
として記録する静電カメラであって、音声情報でレーザ
ー光を光学変調し、変調したレーザー光を感光体に照射
することにより画像情報と共に音声情報も記録するよう
にした音声情報入力機能を備えた静電カメラ。
【請求項２】音声情報によるレーザー光の変調は、PCM
変調した音声情報により行う請求項１記載の音声情報入
力機能を備えた静電カメラ。
【請求項３】音声信号をA/D変換して所定容量の循環メ
モリに記憶させ、循環メモリから読み出してD/A変換し
た音声情報出力によりレーザー光を光学変調し、画像情
報記録の露光前後一定時間にわたって音声情報を記録す
るようにした請求項１記載の音声情報入力機能を備えた
静電カメラ。