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JP2729308B2 - Magneto-optical recording element and manufacturing method thereof - Google Patents

Magneto-optical recording element and manufacturing method thereof

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Publication number
JP2729308B2
JP2729308B2 JP27697588A JP27697588A JP2729308B2 JP 2729308 B2 JP2729308 B2 JP 2729308B2 JP 27697588 A JP27697588 A JP 27697588A JP 27697588 A JP27697588 A JP 27697588A JP 2729308 B2 JP2729308 B2 JP 2729308B2
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JP
Japan
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gas
protective layer
magneto
layer
optical recording
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JP27697588A
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久雄 有宗
美津雄 宮崎
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は書換え可能なディスク等に用いられる光磁気
記録素子に関し、耐候性、硬度及び耐環境性に優れた光
磁気記録素子並びにその製法に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording element used for a rewritable disk and the like, and relates to a magneto-optical recording element excellent in weather resistance, hardness and environmental resistance, and a method for producing the same. Things.

〔従来の技術及びその問題点〕[Conventional technology and its problems]

近時、書換え可能な光磁気記録媒体が盛んに研究され
ており、この記録方式はその媒体に集束レーザー光を投
光して局部加熱し、これによってビットを書込み、そし
て、磁気光学効果を利用して読出すという点が特徴であ
り、この媒体として希土類元素−遷移金属元素から成る
非晶質金属磁化膜が注目されている。
In recent years, rewritable magneto-optical recording media has been actively studied, and this recording method uses a focused laser beam to locally heat the medium, thereby writing bits, and utilizing the magneto-optical effect. The characteristic feature is that an amorphous metal magnetized film composed of a rare earth element and a transition metal element is attracting attention as this medium.

この希土類元素にはGb,Tb,Dyなどが、一方の遷移金属
元素にはFe,Coなどが提案され、それぞれの元素を少な
くとも一種選択して組合せ、これによって媒体用材料と
しており、例えばGdDyFe,GdTbFe,DyFeCo等がある。
Gb, Tb, Dy, etc. are proposed as the rare earth elements, and Fe, Co, etc. are proposed as one transition metal element.At least one of these elements is selected and combined, thereby forming a medium material, for example, GdDyFe, GdTbFe, DyFeCo and the like.

ところが、このような磁性媒体は酸化され易いという
欠点があり、この酸化が進行すると媒体が透明化し、光
磁気特性が低下する。
However, such a magnetic medium has a drawback that it is easily oxidized, and as this oxidation proceeds, the medium becomes transparent and the magneto-optical characteristics are degraded.

上記問題点に対して、この磁性層上に保護層を形成し
て耐酸化性及び耐食性を高めることが提案されている。
In order to solve the above problems, it has been proposed to form a protective layer on the magnetic layer to improve oxidation resistance and corrosion resistance.

この保護層としてTi,Cr,Al,Cuなどの金属、TiO2,SiO,
SiO2,MgF2,Si3N4などの誘電体、あるいはエポキシ系、
アクリル系などの樹脂が知られている。
Metal such as Ti, Cr, Al, Cu, TiO 2 , SiO,
Dielectric such as SiO 2 , MgF 2 , Si 3 N 4 or epoxy type,
Acrylic resins and the like are known.

しかしながら、樹脂保護層は酸素や水分の侵入を完全
に防止するという知見からは未だ十分満足すべきもので
なく、また樹脂は勿論のこと、前記金属は硬度が低く、
そのためにこの表面に傷が付き易くなり、所謂、耐傷性
に劣る。特に磁界変調用バイアス磁界印加ヘッドを磁性
層に近づけた場合、ディスク基板の面振れ、装置自体の
振動などによりディスク表面と磁界印加ヘッドが接触
し、記録ビットもしくはガイドトラックに損傷を与える
恐れがある(これはヘッドクラッシュと呼ばれる)。
However, the resin protective layer is still unsatisfactory from the knowledge that it completely prevents intrusion of oxygen and moisture, and the metal, as well as the resin, has low hardness,
Therefore, the surface is easily scratched, and the so-called scratch resistance is poor. In particular, when the magnetic field modulation bias magnetic field applying head is brought close to the magnetic layer, the disk surface and the magnetic field applying head come into contact with each other due to the surface runout of the disk substrate or the vibration of the device itself, which may damage the recording bit or the guide track. (This is called a head crash).

更に光磁気記録素子には温度や湿度などの変化又はそ
の過酷な条件下においても記録感度を低下せしめないよ
うな優れた耐環境性が要求される。
Further, the magneto-optical recording element is required to have excellent environmental resistance so as not to lower the recording sensitivity even when the temperature or humidity changes or under severe conditions.

〔発明の目的〕[Object of the invention]

従って本発明の目的は磁性媒体の腐蝕を防ぎ、高い記
録感度をもつ高性能な光磁気記録素子を提供することに
ある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a high-performance magneto-optical recording element having high recording sensitivity while preventing corrosion of a magnetic medium.

本発明の他の目的は磁性媒体用保護層の耐傷性を高
め、耐環境性にも優れた高信頼性の光磁気記録素子を提
供することにある。
It is another object of the present invention to provide a highly reliable magneto-optical recording element having improved scratch resistance of a protective layer for a magnetic medium and excellent environmental resistance.

本発明の更に他の目的はヘッドクラッシュをなくし、
磁界変調用に適した光磁気記録素子を提供することにあ
る。
Still another object of the present invention is to eliminate head crash,
An object of the present invention is to provide a magneto-optical recording element suitable for modulating a magnetic field.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明によれば、基体上に膜面に垂直な方向に磁化容
易軸を有する非晶質磁性層と該磁性層上に下記式 TiMx 式中、Mは窒素原子又は炭素原子を表わし、xは0.05
乃至0.90の数である のチタン化合物から成る非磁性保護層を有して成る光磁
気記録素子が提供される。
According to the present invention, an amorphous magnetic layer having an easy axis of magnetization in a direction perpendicular to the film surface on a substrate, and on the magnetic layer, the following formula TiM x : wherein M represents a nitrogen atom or a carbon atom; Is 0.05
And a magneto-optical recording element having a nonmagnetic protective layer made of a titanium compound having a number of from 0.90 to 0.90.

また本発明によれば、基体上に膜面に垂直な方向に磁
化容易軸を有する非晶質磁性層と非磁性保護層とを気相
成長によって形成させる光磁気記録素子の製法におい
て、チタニウム金属から成るターゲット並びに不活性ガ
スと窒素化合物ガス及び炭素化合物ガスから成る群より
選ばれた反応性ガスとの組合せから成るスパッタリング
用ガスを用いた反応性スパッタリングにより前記磁性層
上に下記式 TiMx 式中、Mは窒素原子又は炭素原子であり、xは0.05乃
至0.90の数である の組成の非磁性保護層を形成させることを特徴とする光
磁気記録素子の製法が提供される。
According to the present invention, there is provided a method for manufacturing a magneto-optical recording element comprising forming an amorphous magnetic layer having an easy axis of magnetization in a direction perpendicular to a film surface on a substrate and a non-magnetic protective layer by vapor phase growth. formula TiM x expression by reactive sputtering using a target and sputtering gas consisting of a combination of a reactive gas selected from the group consisting of inert gas and nitrogen compound gas and a carbon compound gas onto the magnetic layer made of Wherein M is a nitrogen atom or a carbon atom, and x is a number in the range of 0.05 to 0.90.

以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明は、チタニウム原子に窒素原子又は炭素原子が
化学量論的量よりも小さい原子比で含有された化合物で
非磁性保護層を形成させると光磁気記録素子のC/N比を
高いレベルに維持しながら、該素子の硬度、耐熱衝撃性
及び耐食性を向上させ得るという知見に基づくものであ
る。
The present invention provides a non-magnetic protective layer formed of a compound in which a nitrogen atom or a carbon atom is contained in a titanium atom in an atomic ratio smaller than the stoichiometric amount, thereby increasing the C / N ratio of the magneto-optical recording element to a high level. It is based on the finding that the hardness, thermal shock resistance, and corrosion resistance of the element can be improved while maintaining.

本発明の光磁気記録素子は磁性層が形成される基体と
してディスクの他にカード等の種々の形状を取り得る
が、以下、ディスク用基板を例にとって詳細に説明す
る。
The magneto-optical recording element of the present invention can take various shapes such as a card in addition to a disk as a substrate on which a magnetic layer is formed. Hereinafter, a disk substrate will be described in detail.

第1図及び第2図は本発明光磁気記録素子の典型的な
層構成を示しており、基板1上に干渉層2を介して磁性
層3を形成し、この磁性層3の上に前記したようなチタ
ニウム化合物(以下、TiMxと略す)から成る保護層4を
形成する。或いは第2図に示すように第1図の積層構成
より干渉層2を除いてもよい。この非磁性保護層4の上
には所望により別種の保護層5を設けることもできる。
FIGS. 1 and 2 show a typical layer structure of the magneto-optical recording element of the present invention, in which a magnetic layer 3 is formed on a substrate 1 via an interference layer 2 and the magnetic layer 3 is formed on the magnetic layer 3. titanium compounds such as (hereinafter abbreviated as TiM x) to form a protective layer 4 made of. Alternatively, as shown in FIG. 2, the interference layer 2 may be omitted from the laminated structure of FIG. If desired, another type of protective layer 5 can be provided on the nonmagnetic protective layer 4.

本発明においては、このTiMx保護層4のチタニウム
(Ti)原子に対する窒素(N)又は炭素(C)の原子の
組成比率が0.05乃至0.90、好適には0.10乃至0.75の範囲
内になるように設定することが重要である。
In the present invention, the composition ratio of nitrogen (N) or carbon (C) atoms to titanium (Ti) atoms in the TiM x protective layer 4 is set to fall within a range of 0.05 to 0.90, preferably 0.10 to 0.75. It is important to set.

この原子組成比率が0.05未満の場合には硬度が低下
し、その成膜速度が小さくなる。一方、0.90を越える場
合には耐熱衝撃性に劣ったり、或いは急激に成膜速度が
小さくなる。
When the atomic composition ratio is less than 0.05, the hardness decreases, and the film forming rate decreases. On the other hand, when it exceeds 0.90, the thermal shock resistance is inferior, or the film forming rate rapidly decreases.

このようにTiMx保護層はTi原子とN又はC原子の組成
比率が重要であるが、原子間の結合状態については未だ
十分に解明しきれていない。しかしながら、X線回折法
による分析によると、チタンの低級窒化物又は炭化物は
非晶質状態で存在するか、或いはTiとTiN又はTiCとの混
晶の形で存在することが確かめられる。
As described above, the composition ratio of Ti atoms to N or C atoms is important in the TiM x protective layer, but the bonding state between the atoms has not yet been sufficiently elucidated. However, X-ray diffraction analysis confirms that the lower nitride or carbide of titanium exists in an amorphous state or in the form of a mixed crystal of Ti and TiN or TiC.

このTiMx保護層4の厚みは200乃至2000Å、好適には6
00乃至1000Åの範囲内に設定すればよく、この範囲内で
あれば記録感度を低下させずに高い保護膜効果が実現で
きる。
The thickness of the TiM x protective layer 4 is 200 to 2000 mm, preferably 6
The angle may be set in the range of 00 to 1000 °, and within this range, a high protective film effect can be realized without lowering the recording sensitivity.

また、TiMx保護層4はTi原子とN又はC原子を主要構
成原子とするものであるが、上記原子以外の原子の含有
を排除するものではない。例えば反応性スパッタリング
法により形成する場合、そのターゲットにTi金属を用い
るが、そのターゲットに含まれる他の金属が成膜に伴っ
て含有されてもよく、これらの他種金属には、例えばA
l,Cr,Si,Mn,Mo,V,Zrなどがある。これらの原子はTiMx
護層全体あたり5原子%まで混入されることが許容され
る。
Further, TiM x protective layer 4 is one in which the main constituent atoms of Ti atoms and N or C atom, does not exclude the inclusion of atoms other than the above atoms. For example, when formed by a reactive sputtering method, a Ti metal is used for the target, but other metals included in the target may be included with the film formation, and these other metals include, for example, A
There are l, Cr, Si, Mn, Mo, V, Zr and the like. These atoms is allowed to be mixed up to 5 atomic% per total TiM x protective layer.

本発明の非磁性保護層は一般に800乃至4000Kg/mm2
特に1000乃至2000Kg/mm2のマイクロビッカース硬度Hv
(荷重50Kg/mm2)を有しているのがよく、また、その比
抵抗値は一般に1×102乃至3×103μΩ-cm、特に5×1
02乃至2×103μΩ-cmの範囲内にあるのがよい。
The non-magnetic protective layer of the present invention is generally 800 to 4000 kg / mm 2 ,
In particular, micro Vickers hardness Hv of 1000 to 2000 kg / mm 2
(A load of 50 kg / mm 2 ), and the specific resistance value is generally 1 × 10 2 to 3 × 10 3 μΩ- cm , particularly 5 × 1
It is preferably in the range of 0 2 to 2 × 10 3 μΩ- cm .

本発明の非磁性保護層は、TiMx,TiCxの他に,TiOxCy,T
iOxNy,TiNxCy,TiOxNyCz、(0.05≦x+y+z≦0.09)
から成っていることができる。
Nonmagnetic protective layer of the present invention, TiM x, in addition to TiC x, TiO x C y, T
iO x N y , TiN x C y , TiO x N y C z , (0.05 ≦ x + y + z ≦ 0.09)
Can consist of:

前記磁性層は非晶質垂直磁化膜から成り、例えばGdDy
Fe,GdTbFe,TbFeCo,DyFeCo,NdGdDyFe,GdTbDyFe,GdTbFeC
o,TbDyFeCo,GdDyFeCo,NdDyFeCo等々がある。
The magnetic layer is composed of an amorphous perpendicular magnetization film, for example, GdDy
Fe, GdTbFe, TbFeCo, DyFeCo, NdGdDyFe, GdTbDyFe, GdTbFeC
o, TbDyFeCo, GdDyFeCo, NdDyFeCo, etc.

また、前記干渉層2は誘電体材料から成り、基板1と
磁性層3の間に介在させてエンハンスメント構成と成
し、これにより、みかけのカー回転角を増大させて性能
指数を高め、更にレーザー光による記録密度を向上させ
ることができる。この干渉層2はSi,Al,Tiの窒化物、Si
の炭化物、Cd,Znの硫化物、Mgのフッ化物、Al,Ce,Zr,S
i,Cd,Biの酸化物などの材料により形成される。
Further, the interference layer 2 is made of a dielectric material and is interposed between the substrate 1 and the magnetic layer 3 to form an enhancement structure, thereby increasing the apparent Kerr rotation angle to increase the figure of merit, and further increasing the laser index. The recording density by light can be improved. The interference layer 2 is made of nitride of Si, Al, Ti, Si
Carbide, Cd, Zn sulfide, Mg fluoride, Al, Ce, Zr, S
It is formed of a material such as an oxide of i, Cd, and Bi.

更に前記基板1にはガラス板やプラスチック板が用い
られ、このプラスチック基板用材料としてポリカーボネ
ート樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル
樹脂などがある。
Further, a glass plate or a plastic plate is used for the substrate 1, and the plastic substrate material includes polycarbonate resin, epoxy resin, polyester resin, acrylic resin and the like.

また本発明においては、例えばこれらの図に示された
保護層4の上に他の保護層5を積層しても何等差支えな
い。この保護層5として金属層又は樹脂層などがある。
或いは第3図に示すように第2図の構成を2個用意し、
これを接着層5aを介して貼り合わせてもよい。
In the present invention, for example, another protective layer 5 may be laminated on the protective layer 4 shown in these figures without any problem. The protective layer 5 includes a metal layer or a resin layer.
Alternatively, as shown in FIG. 3, two configurations of FIG. 2 are prepared,
This may be bonded via the adhesive layer 5a.

本発明の光磁気記録素子は薄膜形成手段により形成す
ることができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、イオン注入法、メッキ法等々
がある。
The magneto-optical recording element of the present invention can be formed by thin film forming means, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method,
There are an ion plating method, an ion implantation method, a plating method, and the like.

TiMx保護層を形成する場合、上記何れの薄膜形成手段
を用いることができるが、反応性スパッタリング法が所
望通りの組成制御ができ易いので有利である。
When forming the TiM x protective layer, any of the thin film forming means described above can be used, but the reactive sputtering method is advantageous because the composition can be easily controlled as desired.

この反応性スパッタリング法によりTiMx保護層を形成
する場合には、ターゲットとしてTi金属を配置し,そし
て、スパッタリング用ガスにアルゴン(Ar)ガス、ネオ
ン(Ne)ガス、クリプトン(Kr)ガス又はキセノン(X
e)ガスなどの不活性ガスと窒素化合物ガス又は炭素化
合物ガスなどの反応性ガスとの組合せを使用する。
When forming a TiM x protective layer by this reactive sputtering method, Ti metal is arranged as a target, and argon (Ar) gas, neon (Ne) gas, krypton (Kr) gas or xenon is used as a sputtering gas. (X
e) Use a combination of an inert gas such as a gas and a reactive gas such as a nitrogen compound gas or a carbon compound gas.

窒素化合物としては、N2,NH3,NO,N2O,NO2などが使用
され、炭素化合物ガスとしては、メタン、エタン、プロ
パンなどの炭化水素ガスや、メタノール、エタノールな
どのアルコールガスが使用される。当然のことながら、
低級窒化物を目的とする場合には窒素ガスを、また炭化
物を用いる場合には炭素化合物ガスをそれぞれ使用すれ
ばよい。また、これらのガスの2種以上を用いてO,N及
びCのうちの2種以上の原子を含有する化合物の膜を構
成することもできる。
As the nitrogen compound, N 2 , NH 3 , NO, N 2 O, NO 2 and the like are used, and as the carbon compound gas, a hydrocarbon gas such as methane, ethane, and propane, and an alcohol gas such as methanol and ethanol are used. used. As a matter of course,
Nitrogen gas may be used for lower nitrides, and carbon compound gas may be used for carbides. In addition, a film of a compound containing two or more atoms of O, N, and C can be formed using two or more of these gases.

反応性スパッタリングにおける他の条件は、それ自体
公知のものであってよい。例えばスパッタリング圧は一
般に1乃至50mTorr、特に2乃至10mTorrの範囲内にある
のがよい。
Other conditions in the reactive sputtering may be known per se. For example, the sputtering pressure is generally in the range of 1 to 50 mTorr, especially 2 to 10 mTorr.

本発明の製法は、一般に干渉層形成用ターゲット、磁
性層形成用ターゲット及びチタニウム金属ターゲットを
備えたスパッタリング装置を使用し、基体上に干渉層、
磁性層及びTiMx非磁性保護層をスパッタリングにより順
次形成させることにより実施される。このようにして各
層が形成された基体を取出し、非磁性保護層上に樹脂保
護層などを形成させる。
The production method of the present invention generally uses a sputtering apparatus provided with a target for forming an interference layer, a target for forming a magnetic layer, and a titanium metal target.
This is performed by sequentially forming a magnetic layer and a TiM x non-magnetic protective layer by sputtering. The substrate on which each layer is formed is taken out, and a resin protective layer and the like are formed on the nonmagnetic protective layer.

この樹脂保護層にはイオン透過性が小さい材料であれ
ば種々の材料を用いることができ、例えば水分透過率が
低い紫外線硬化型樹脂であれば、C1イオンやOHイオンな
どの侵入を阻止することができる点で望ましいと言え
る。この紫外線硬化型樹脂にはエポキシ系、ポリエステ
ル系、アクリル系、アクリルウレタン系がある。
For the resin protective layer, various materials can be used as long as the material has a low ion permeability.For example, in the case of an ultraviolet curable resin having a low moisture permeability, it is necessary to prevent the penetration of C1 ions and OH ions. Can be said to be desirable. This UV-curable resin includes epoxy, polyester, acrylic, and acrylic urethane resins.

上記樹脂保護層の厚みは0.1乃至50μm、好適には2
乃至20μmの範囲内に設定するのが望ましく、0.1μm
未満であると耐食性・耐腐蝕性の向上が期待できず、50
μmを超えるとそれ自体の密着性が低下して剥離する傾
向が顕著になる。
The resin protective layer has a thickness of 0.1 to 50 μm, preferably 2 to 50 μm.
It is desirable to set within the range of 20 μm to 0.1 μm
If it is less than 50%, no improvement in corrosion resistance / corrosion resistance can be expected.
If it exceeds μm, the adhesiveness of the film itself will be reduced and the tendency to peel off will be remarkable.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明の実施例を述べる。 Next, examples of the present invention will be described.

(例1) 交周波三源マグネトロンスパッタリング装置を用いて
カーボネート製ディスク基板に干渉層(シリコンナイト
ライドを主要成分とし、これにY原子、Al原子及びO原
子を含む層であり、これは、所謂、YSiAlON層・・・イ
ットリウムサイアロン層と呼ばれる層である)を750Å
の厚みで形成し、更にGdDyFe垂直磁化膜(この膜の原子
組成比は(Gy0.6Dy0.40.24Fe0.76である)を325Åの
厚みで順次形成した。そして、同装置内で続けてTiNx
護層を650Åの厚みで形成し、第1図に示す構成の光磁
気記録素子を製作した。
(Example 1) An interference layer (a layer containing silicon nitride as a main component and containing Y atoms, Al atoms, and O atoms in a disk substrate made of carbonate using an inter-frequency three-source magnetron sputtering apparatus, which is a so-called , YSiAlON layer ... layer called yttrium sialon layer)
Further, a GdDyFe perpendicular magnetization film (the atomic composition ratio of this film is (Gy 0.6 Dy 0.4 ) 0.24 Fe 0.76 ) was sequentially formed with a thickness of 325 °. Then, a TiN x protective layer was continuously formed in the same device at a thickness of 650 ° to manufacture a magneto-optical recording element having the structure shown in FIG.

このTiNx保護層の成膜条件は到着真空度を10-4mTorr
とし、そして、Ti金属をターゲットとし、投入電力パワ
ーを500W、Arガス流量を33sccM、スパッタガス圧を3mTo
rrに設定し、N2ガス流量を10sccM以内で種々変化させ
た。尚、N2ガス導入時も3mTorrのスパッタガス圧となる
ようにガス排気調節バルブにて調整した。
The deposition condition of this TiN x protective layer is that the arrival vacuum degree is 10 -4 mTorr
And, with a target of Ti metal, input power power of 500W, Ar gas flow rate of 33sccM, sputtering gas pressure of 3mTo
rr, and the N 2 gas flow rate was variously changed within 10 sccm. The gas exhaust control valve was used to adjust the sputtering gas pressure to 3 mTorr even when introducing N 2 gas.

このようにした場合、TiNx保護層のN2ガス流量に対す
る原子組成比は第1表に示す通りである。尚、この原子
組成比はX−ray photoelectron spectroscopyにより求
めており、そして、各々の試料に対して実験を5回繰り
返して得られる平均値である。
In such a case, the atomic composition ratio of the TiN x protective layer to the N 2 gas flow rate is as shown in Table 1. This atomic composition ratio is determined by X-ray photoelectron spectroscopy, and is an average value obtained by repeating the experiment five times for each sample.

(例2) 本例においては、(例1)に示した各試料の硬度をマ
イクロビッカース硬度計(荷重50Kg/mm2)により測定し
たところ、第4図に示す通りの結果が得られた。
(Example 2) In this example, when the hardness of each sample shown in (Example 1) was measured with a micro-Vickers hardness tester (load: 50 kg / mm 2 ), the result shown in FIG. 4 was obtained.

第4図中横軸はN2ガス流量であり、縦軸はマイクロビ
ッカース硬度Hvを表わし、また、本例の測定プロットは
○である。
In FIG. 4, the horizontal axis represents the N 2 gas flow rate, the vertical axis represents the micro-Vickers hardness Hv, and the measurement plot of this example is ○.

この結果より明らかな通り、N2ガスを僅かに流すだけ
でTi金属に比べて飛躍的な高硬度特性が得られた。
As is evident from the results, a remarkably high hardness characteristic was obtained as compared with Ti metal by only slightly flowing N 2 gas.

(例3) 次に本例においては、(例1)に示す各試料について
温湿度サイクルテストを行い、また、C/N比を測定した
ところ、第2表に示す通りの結果が得られた。
(Example 3) Next, in this example, when the temperature / humidity cycle test was performed on each sample shown in (Example 1) and the C / N ratio was measured, the results shown in Table 2 were obtained. .

C/N比は線束4m/sec、記録周波数1MHz、バイアス磁界2
00Gaussの条件により求めた。そして、GdDyFe垂直磁化
膜の厚みが325Åに設定されているので、TiNx保護層が
反射膜としても作用し、そのために光沢によりC/N比が
異なる。尚、上記反射機能は磁性層の厚みが300Å前後
に設定されているために生じるものであり、その厚みが
600Å以上の場合には反射機能が無視できる。
C / N ratio is 4m / sec for flux, recording frequency 1MHz, bias magnetic field 2
It was determined under the conditions of 00 Gauss. Since the thickness of the GdDyFe perpendicular magnetization film is set to 325 °, the TiN x protective layer also functions as a reflection film, and therefore, the C / N ratio varies depending on gloss. The reflection function is generated because the thickness of the magnetic layer is set to about 300 mm.
In the case of 600 mm or more, the reflection function can be ignored.

また、温湿度サイクルテストはJIS−C5024に基づく条
件で10サイクル繰り返しており、その評価を三段階に区
分した。○印は外観、性状ともにほとんど変化がなかっ
た場合であり、△印は点状の腐蝕が僅かに発生したが、
実用上支障がない場合であり、×印は腐蝕や膜のフクレ
又は膜中のクラック発生が顕著となった場合を示す。
The temperature and humidity cycle test was repeated 10 times under the conditions based on JIS-C5024, and the evaluation was classified into three stages. The mark ○ indicates that there was almost no change in both appearance and properties, and the mark △ indicates that dot-like corrosion was slightly generated.
This is a case where there is no problem in practical use, and a mark “x” indicates a case where corrosion, blistering of the film, or cracking in the film is remarkable.

第2表より明らかな通り、試料No.3、No.4及びNo.5は
温湿度サイクルテストにより優れた耐環境性があること
が判る。また、試料No.2及びNo.6は若干点状の腐食があ
ったが、実用上支障はなかった。
As is clear from Table 2, it can be seen that the samples No. 3, No. 4 and No. 5 have excellent environmental resistance by the temperature and humidity cycle test. Samples No. 2 and No. 6 had some point-like corrosion, but did not hinder practical use.

然るに、試料No.1は点状の腐蝕と膜のフクレが多発し
ており、そして、試料No.7及びNo.8は放射状のクラック
が多発していた。
However, sample No. 1 had many spot-like corrosion and film blistering, and samples No. 7 and No. 8 had many radial cracks.

また、試料No.6,7,8はC/N比が顕著に小さくなってい
ることが判る。
In addition, it can be seen that the sample Nos. 6, 7, and 8 have remarkably small C / N ratios.

(例4) 本例においては、(例1)において用いられたN2ガス
の代わりにCH4ガスを用いる以外は(例1)と同様な条
件によりTiCx保護層を形成させた。そして、CH4ガス流
量と原子組成比との関係を第3表に示す。
(Example 4) In this example, a TiC x protective layer was formed under the same conditions as in (Example 1) except that CH 4 gas was used instead of the N 2 gas used in (Example 1). Table 3 shows the relationship between the CH 4 gas flow rate and the atomic composition ratio.

(例5) 次に本例においては、(例4)に示す試料No.1,2,3に
ついて(例2)と同様に硬度を測定したところ、第4図
に示す通りの結果が得られた。
(Example 5) Next, in this example, when the hardness was measured for Sample Nos. 1, 2, and 3 shown in (Example 4) in the same manner as in (Example 2), the results shown in FIG. 4 were obtained. Was.

同図中の△印は本例の測定プロットである。 The mark in the figure indicates a measurement plot of this example.

この結果より明らかな通り、CH4ガスを僅かに流すで
けでTi金属に比べて飛躍的な高硬度特性が得られた。
As is evident from the results, a remarkable high hardness characteristic was obtained as compared with Ti metal by slightly flowing CH 4 gas.

(例6) 次に(例4)に示す試料について温湿度サイクルテス
トを行い、また、C/N比を測定したところ、第4表に示
す通りの結果が得られた。尚、テスト条件及び測定条件
は(例3)に示す通りである。
(Example 6) Next, the sample shown in (Example 4) was subjected to a temperature-humidity cycle test, and the C / N ratio was measured. As a result, the results shown in Table 4 were obtained. The test conditions and measurement conditions are as shown in (Example 3).

第4表より明らかな通り、試料No.2、No.3及びNo.4は
温湿度サイクルテストにより優れた耐環境性があること
が判る。
As is clear from Table 4, it can be seen that the samples No. 2, No. 3 and No. 4 have excellent environmental resistance by the temperature and humidity cycle test.

また、本発明者等は上記実施例以外にN2ガスとCH4
スの組合せ、N2ガスとO2ガスの組合せ、O2ガスとCH4
スの組合せにより、それぞれTiNC,TiON,TiOCの化合物の
非磁性保護層を形成しても同様な効果が得られることを
確認した。
Further, the present inventors have combinations of N 2 gas and CH 4 gas in addition to the above embodiment, a combination of N 2 gas and O 2 gas, by the combination of O 2 gas and CH 4 gas, respectively TiNC, TiON, the TiOC It was confirmed that a similar effect could be obtained even if a nonmagnetic protective layer of a compound was formed.

〔発明の効果〕 以上の通り、本発明の光磁気記録素子によれば、高硬
度な保護層をもち、しかも、耐環境性にも優れており、
これにより、高性能且つ高信頼性の素子を提供すること
ができた。
[Effects of the Invention] As described above, according to the magneto-optical recording element of the present invention, the protective layer has a high hardness, and is excellent in environmental resistance.
As a result, a high-performance and highly-reliable element could be provided.

また、本発明の光磁気記録素子は上記のような高硬度
保護層を備えているためにヘッドクラッシュがなく、そ
のために磁界変調用に有用となる。
Further, since the magneto-optical recording element of the present invention has the high hardness protective layer as described above, there is no head crash, which is useful for magnetic field modulation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図、第2図及び第3図は本発明光磁気記録素子の積
層構造を示す断面図、第4図は窒素ガス又はメタンガス
流量に対するチタニウム化合物層の硬度を示す線図であ
る。 1……基板 2……干渉層 3……磁性層 4……チタニウム化合物保護層 5……保護層
1, 2 and 3 are sectional views showing the laminated structure of the magneto-optical recording element of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing the hardness of the titanium compound layer with respect to the flow rate of nitrogen gas or methane gas. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Interference layer 3 ... Magnetic layer 4 ... Titanium compound protective layer 5 ... Protective layer

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基体上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有する非晶質磁性層と磁性層上に下記式 TiMx 式中、Mは窒素原子又は炭素原子を表わし、xは0.05乃
至0.90の数である のチタン化合物から成る非磁性保護層とを形成したこと
を特徴とする光磁気記録素子。
1. A following formula TiM x expression amorphous magnetic layer and a magnetic layer having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to the film surface on the substrate, M represents a nitrogen atom or a carbon atom, x is 0.05 A non-magnetic protective layer made of a titanium compound having a number of from 0.90 to 0.90.
【請求項2】基体上に膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有する非晶質磁性層と非磁性保護層とを気相成長によっ
て形成させる光磁気記録素子の製法において、チタニウ
ム金属から成るターゲット並びに不活性ガスと窒素化合
物ガス及び炭素化合物ガスから成る群より選ばれた反応
性ガスとの組合せから成るスパッタリング用ガスを用い
た反応性スパッタリングにより前記磁性層上に下記式 TiMx 式中、Mは窒素原子又は炭素原子を表わし、xは0.05乃
至0.90の数である の組成の非磁性保護層を形成させることを特徴とする光
磁気記録素子の製法。
2. A method of manufacturing a magneto-optical recording element comprising forming an amorphous magnetic layer having an easy axis of magnetization in a direction perpendicular to the film surface and a nonmagnetic protective layer on a substrate by vapor phase growth, comprising a titanium metal. The following formula TiM x on the magnetic layer by reactive sputtering using a target and an inert gas and a sputtering gas consisting of a combination of a reactive gas selected from the group consisting of nitrogen compound gas and carbon compound gas: M represents a nitrogen atom or a carbon atom, and x represents a number of 0.05 to 0.90. A method for manufacturing a magneto-optical recording element, comprising forming a nonmagnetic protective layer having a composition of
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