JP2714411B2 - ウェハーのファイン研摩用組成物 - Google Patents
ウェハーのファイン研摩用組成物Info
- Publication number
- JP2714411B2 JP2714411B2 JP63313480A JP31348088A JP2714411B2 JP 2714411 B2 JP2714411 B2 JP 2714411B2 JP 63313480 A JP63313480 A JP 63313480A JP 31348088 A JP31348088 A JP 31348088A JP 2714411 B2 JP2714411 B2 JP 2714411B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- water
- fine polishing
- ion
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 79
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 229920002907 Guar gum Polymers 0.000 claims description 18
- 239000000665 guar gum Substances 0.000 claims description 18
- 235000010417 guar gum Nutrition 0.000 claims description 18
- 229960002154 guar gum Drugs 0.000 claims description 18
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 14
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 14
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 10
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000230 xanthan gum Substances 0.000 claims description 8
- 235000010493 xanthan gum Nutrition 0.000 claims description 8
- 229940082509 xanthan gum Drugs 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 7
- WDQLRUYAYXDIFW-RWKIJVEZSA-N (2r,3r,4s,5r,6r)-4-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,5-dihydroxy-4-[(2r,3r,4s,5s,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[[(2r,3r,4s,5s,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxymethyl]oxan-2-yl]oxy-6-(hydroxymethyl)oxane-2,3,5-triol Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](CO)O[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)[C@H](O)[C@@H](CO[C@H]2[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)O1 WDQLRUYAYXDIFW-RWKIJVEZSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002305 Schizophyllan Polymers 0.000 claims description 6
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 5
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 5
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SQDAZGGFXASXDW-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-2-(trifluoromethoxy)pyridine Chemical compound FC(F)(F)OC1=CC=C(Br)C=N1 SQDAZGGFXASXDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001287 Chondroitin sulfate Polymers 0.000 claims description 4
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229940059329 chondroitin sulfate Drugs 0.000 claims description 4
- KIUKXJAPPMFGSW-DNGZLQJQSA-N (2S,3S,4S,5R,6R)-6-[(2S,3R,4R,5S,6R)-3-Acetamido-2-[(2S,3S,4R,5R,6R)-6-[(2R,3R,4R,5S,6R)-3-acetamido-2,5-dihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-4-yl]oxy-2-carboxy-4,5-dihydroxyoxan-3-yl]oxy-5-hydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-4-yl]oxy-3,4,5-trihydroxyoxane-2-carboxylic acid Chemical compound CC(=O)N[C@H]1[C@H](O)O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](O[C@H]3[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O3)C(O)=O)O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)NC(C)=O)[C@@H](C(O)=O)O1 KIUKXJAPPMFGSW-DNGZLQJQSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002148 Gellan gum Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000057 Mannan Polymers 0.000 claims description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000216 gellan gum Substances 0.000 claims description 3
- 235000010492 gellan gum Nutrition 0.000 claims description 3
- 229920002674 hyaluronan Polymers 0.000 claims description 3
- 229960003160 hyaluronic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 claims description 2
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 2
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010559 graft polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 2
- 229920001444 polymaleic acid Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 claims description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 14
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 6
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 6
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002683 Glycosaminoglycan Polymers 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- -1 carboxymethylene Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001246 colloidal dispersion Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N ethenoxyethane Chemical compound CCOC=C FJKIXWOMBXYWOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M rubidium hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+] CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OMDQUFIYNPYJFM-XKDAHURESA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-2-(hydroxymethyl)-6-[[(2r,3s,4r,5s,6r)-4,5,6-trihydroxy-3-[(2s,3s,4s,5s,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxyoxan-2-yl]methoxy]oxane-3,4,5-triol Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O[C@@H]1OC[C@@H]1[C@@H](O[C@H]2[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)O1 OMDQUFIYNPYJFM-XKDAHURESA-N 0.000 description 1
- OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-methylpropane Chemical compound CC(C)COC=C OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFYCFODZOFWWAA-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethylpyridine-3-carbaldehyde Chemical compound CC1=CC(C)=C(C=O)C(C)=N1 BFYCFODZOFWWAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQAFMLCWWGDNLI-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 RQAFMLCWWGDNLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-fluorophenyl)ethanol Chemical compound NCC(O)C1=CC=CC=C1F MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 241001474374 Blennius Species 0.000 description 1
- 241000561734 Celosia cristata Species 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000196224 Codium Species 0.000 description 1
- 244000007835 Cyamopsis tetragonoloba Species 0.000 description 1
- 229920000045 Dermatan sulfate Polymers 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000926 Galactomannan Polymers 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-L Oxalate Chemical compound [O-]C(=O)C([O-])=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 241000589516 Pseudomonas Species 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000589636 Xanthomonas campestris Species 0.000 description 1
- 101100020289 Xenopus laevis koza gene Proteins 0.000 description 1
- 229920006322 acrylamide copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 1
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 1
- 210000002808 connective tissue Anatomy 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- AVJBPWGFOQAPRH-FWMKGIEWSA-L dermatan sulfate Chemical compound CC(=O)N[C@H]1[C@H](O)O[C@H](CO)[C@H](OS([O-])(=O)=O)[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](C([O-])=O)O1 AVJBPWGFOQAPRH-FWMKGIEWSA-L 0.000 description 1
- 229940051593 dermatan sulfate Drugs 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J dipotassium;tetrabromoplatinum(2-) Chemical compound [K+].[K+].[Br-].[Br-].[Br-].[Br-].[Pt+2] AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 1
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 150000004761 hexafluorosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 235000021374 legumes Nutrition 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical compound COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910001487 potassium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は電気集積回路の支持結晶として広範囲に使用
されているウェハーの表面を、平滑に研磨するための組
成物に関する。更に詳しくは、ウェハー表面の10mμよ
り大きい凹凸を平滑に研磨するファイン研磨組成物に関
する。
されているウェハーの表面を、平滑に研磨するための組
成物に関する。更に詳しくは、ウェハー表面の10mμよ
り大きい凹凸を平滑に研磨するファイン研磨組成物に関
する。
「従来の技術」 電気集積回路の支持結晶として広範囲に使用されてい
るウェハーは、通常、ケイ素又はゲルマニウム結晶のイ
ンゴットからスライスし、これらの表面を研磨して、で
きる限り凹凸のない平面を形成させた後に、回路形成に
供されている。
るウェハーは、通常、ケイ素又はゲルマニウム結晶のイ
ンゴットからスライスし、これらの表面を研磨して、で
きる限り凹凸のない平面を形成させた後に、回路形成に
供されている。
何故なら、ウェハー表面上に回路パターンを線描する
時、表面に凹凸があると、精密かつ精緻に線描すること
が困難になるとともに、ウェハーの電気特性の不均一化
を招く原因となるからである。
時、表面に凹凸があると、精密かつ精緻に線描すること
が困難になるとともに、ウェハーの電気特性の不均一化
を招く原因となるからである。
このようなウェハーの表面を研磨するために、従来か
ら種々の研磨剤が提案されている。
ら種々の研磨剤が提案されている。
例えば、米国特許第3,170,273号明細書には、シリカ
濃度2〜50重量%を有するシリカゾル、およびシリカ濃
度2〜100%のシリカゲルが研磨剤として開示されてい
る。また、米国特許第3,328,141号明細書には、これら
研磨剤にアルカリ性化合物を加えて、pHを10.5〜12.5に
調整し、これを用いると、研磨速度が増大することが開
示されている。しかしながら、これらの研磨剤で研磨し
たウェハーの表面を、微分干渉顕微鏡などで観察する
と、5〜500mμの凹凸があり、充分満足できるものでは
ない。
濃度2〜50重量%を有するシリカゾル、およびシリカ濃
度2〜100%のシリカゲルが研磨剤として開示されてい
る。また、米国特許第3,328,141号明細書には、これら
研磨剤にアルカリ性化合物を加えて、pHを10.5〜12.5に
調整し、これを用いると、研磨速度が増大することが開
示されている。しかしながら、これらの研磨剤で研磨し
たウェハーの表面を、微分干渉顕微鏡などで観察する
と、5〜500mμの凹凸があり、充分満足できるものでは
ない。
また、特公昭53−9910号公報には、石英、ケイ酸塩、
ヘキサフルオロ珪酸塩を含有し、更に、炭素原子を3〜
5個有する1価アルコール、およびポリビニルアルコー
ルを含有する研磨剤が開示されている。しかし、このよ
うな研磨剤を用いても、まだ充分満足できる研磨面が得
られない上に、これらアルコール類を含有する研磨剤
は、長期間安定貯蔵することが困難であるという欠点が
あった。
ヘキサフルオロ珪酸塩を含有し、更に、炭素原子を3〜
5個有する1価アルコール、およびポリビニルアルコー
ルを含有する研磨剤が開示されている。しかし、このよ
うな研磨剤を用いても、まだ充分満足できる研磨面が得
られない上に、これらアルコール類を含有する研磨剤
は、長期間安定貯蔵することが困難であるという欠点が
あった。
更に、特公昭61−14655号公報(米国特許第4,260,396
号明細書に対応する。)には、水に可溶性のカルボキシ
メチレンゴム、またはキサンタンガムを含有する研磨剤
が開示されている。しかし、この研磨剤によって平滑研
磨面を形成するに要する研磨時間、および研磨後、洗浄
のための水を流しながらのいわゆる空研磨を、長時間行
なわなくてはならないという欠点があった。また、平滑
面を形成するに必要な最低シリカ量が多い、という欠点
があった。
号明細書に対応する。)には、水に可溶性のカルボキシ
メチレンゴム、またはキサンタンガムを含有する研磨剤
が開示されている。しかし、この研磨剤によって平滑研
磨面を形成するに要する研磨時間、および研磨後、洗浄
のための水を流しながらのいわゆる空研磨を、長時間行
なわなくてはならないという欠点があった。また、平滑
面を形成するに必要な最低シリカ量が多い、という欠点
があった。
「発明が解決しようとした課題」 本発明は、従来の研磨剤組成物に存在していた欠点を
排除し、次のような諸課題を解決することを目的とす
る。
排除し、次のような諸課題を解決することを目的とす
る。
1.ウェハーを研磨した時に、微分干渉型顕微鏡で観察し
ても、凹凸の見えない研磨面を与える研磨剤を提供す
る。
ても、凹凸の見えない研磨面を与える研磨剤を提供す
る。
2.平滑面を与えるに要する研磨時間が短い研磨剤を提供
する。
する。
3.平滑面を与えるに必要な最低シリカ量が少ない研磨剤
を提供する。
を提供する。
4.長期間安定貯蔵可能な研磨剤を提供する。
「課題を解決するための手段」 本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討の結
果、コロイダルシリカ粒子を含むスラリーに、特定の水
溶解性の高分子化合物を含有させ、さらに特定の水溶解
性の塩類を含有させた組成物とすると、上記目的が達成
されることの知見を得て、本発明を完成するに至った。
果、コロイダルシリカ粒子を含むスラリーに、特定の水
溶解性の高分子化合物を含有させ、さらに特定の水溶解
性の塩類を含有させた組成物とすると、上記目的が達成
されることの知見を得て、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の要旨とするところは、水、コロイ
ダルシリカ粒子、水溶解性の高分子化合物、水溶解性の
塩類を含有してなることを特徴とするウェハーのファイ
ン研磨用組成物に存する。
ダルシリカ粒子、水溶解性の高分子化合物、水溶解性の
塩類を含有してなることを特徴とするウェハーのファイ
ン研磨用組成物に存する。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の実施において有用なコリダルシリカは、液中
にある無定形シリカの安定なコロイド状分散体をいう。
この液中において、シリカ粒子の平均粒径は5〜500ミ
リミクロンの範囲内特に好ましくは、100ミリミクロン
以下にあるのがよい。平均粒径5ミリミクロン未満で
は、コロイド状分散体に含まれるケイ酸のモノマーやオ
リゴマーの割合が多くなり、これらを多く含むものでシ
リコンなどのウェハー表面を研磨すると、ウェハー表面
にシリカとなって付着するので好ましくない。平均粒径
が500ミリミクロンを超える場合は、ウェハー表面に引
っ掻き傷が生じやすくなるので、好ましくない。
にある無定形シリカの安定なコロイド状分散体をいう。
この液中において、シリカ粒子の平均粒径は5〜500ミ
リミクロンの範囲内特に好ましくは、100ミリミクロン
以下にあるのがよい。平均粒径5ミリミクロン未満で
は、コロイド状分散体に含まれるケイ酸のモノマーやオ
リゴマーの割合が多くなり、これらを多く含むものでシ
リコンなどのウェハー表面を研磨すると、ウェハー表面
にシリカとなって付着するので好ましくない。平均粒径
が500ミリミクロンを超える場合は、ウェハー表面に引
っ掻き傷が生じやすくなるので、好ましくない。
なお、本発明で平均粒径とは、粒子が凝集せずに単離
した状態で存在する場合には、その状態にある粒子の平
均直径を意味し、粒子が凝集した状態で存在する場合に
は、その凝集物の平均直径を意味する。
した状態で存在する場合には、その状態にある粒子の平
均直径を意味し、粒子が凝集した状態で存在する場合に
は、その凝集物の平均直径を意味する。
本発明において、有用なコロイダルシリカは、粒子表
面にシラノールを1〜10コ/nm2の面密度で有するのがよ
い。粒子表面のシラノールの面密度が上の範囲にある
と、シリカ粒子の水和性が向上し、シラノールの面密度
が1コ/nm2未満のシリカパウダーを含有した研磨剤に較
べて、水分散性が優れたものとなる。
面にシラノールを1〜10コ/nm2の面密度で有するのがよ
い。粒子表面のシラノールの面密度が上の範囲にある
と、シリカ粒子の水和性が向上し、シラノールの面密度
が1コ/nm2未満のシリカパウダーを含有した研磨剤に較
べて、水分散性が優れたものとなる。
シリカ粒子表面のシラノールの面密度は、例えば次の
方法によって測定することができる。
方法によって測定することができる。
(1) まず、シリカゾルをイオン交換し、このイオン
交換法によって金属イオンを除去したシリカゾル(Wg)
に水酸化ナトリウムを滴下して、pHが8に達するまでに
要する水酸化ナトリウムのモル数(M)を測定する方
法。この際の反応は、次のように進行すると推定され
る。
交換法によって金属イオンを除去したシリカゾル(Wg)
に水酸化ナトリウムを滴下して、pHが8に達するまでに
要する水酸化ナトリウムのモル数(M)を測定する方
法。この際の反応は、次のように進行すると推定され
る。
Si−OH+NaOH → Si−ONa+H2O (2) イオン交換したシリカゾル中のシリカ分(S重
量%)を、乾固法によって測定する。
量%)を、乾固法によって測定する。
(3) シラノールの面密度は、次のように計算するこ
とができる。
とができる。
ただし、rはシリカ粒子の平均半径(nm)を意味す
る。
る。
シラノールを1〜10コ/nm2の面密度で有するコロイダ
ルシリカは、水ガラス中のナトリウムイオンを減じた状
態で、ケイ酸を縮重合反応させ、シリカ粒子を形成させ
ることによって得られる。このようなコロイダル粒子の
製法の詳細は“The chemistry of silica:Solubility,p
olymerization,colloid and surface properties,and b
iochemistry"Ralph K.I ler JOHN WILEY & SONS(197
9)の第3章に記述されている。
ルシリカは、水ガラス中のナトリウムイオンを減じた状
態で、ケイ酸を縮重合反応させ、シリカ粒子を形成させ
ることによって得られる。このようなコロイダル粒子の
製法の詳細は“The chemistry of silica:Solubility,p
olymerization,colloid and surface properties,and b
iochemistry"Ralph K.I ler JOHN WILEY & SONS(197
9)の第3章に記述されている。
本発明に係る研磨剤組成物は、水溶解性の高分子化合
物を含有している。しかして、水溶解性の高分子化合物
は、ウェハーの研磨の際、研磨布とウェハー表面との間
で、研磨布の滑り方向にきれいな層流が形成され、ウェ
ハー表面を一層平滑にする機能を果す。
物を含有している。しかして、水溶解性の高分子化合物
は、ウェハーの研磨の際、研磨布とウェハー表面との間
で、研磨布の滑り方向にきれいな層流が形成され、ウェ
ハー表面を一層平滑にする機能を果す。
水溶解性高分子化合物としては、アクリルアミド、ア
クリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、エ
チレンオキサイド、ビニルピロリドンなどの重合体もし
くは、これらモノマーの共重合体、ヒドロキシプロピル
セルローズ、マレイン酸とビニルモノマーとの共重合
体、グアガム、グアガムにビニルモノマーをグラフト重
合させた重合物、コンドロイチン硫酸、ヒアルロン酸、
シゾフィラン、マンナン、ゲランガムなどが挙げられ
る。特に好ましい水溶解性高分子化合物としては、ポリ
アクリルアミド、アクリル酸とアクリルアミド共重合
体、アクリルアミドをグラフト化させたグアガム及びシ
ゾフィランなどである。
クリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、エ
チレンオキサイド、ビニルピロリドンなどの重合体もし
くは、これらモノマーの共重合体、ヒドロキシプロピル
セルローズ、マレイン酸とビニルモノマーとの共重合
体、グアガム、グアガムにビニルモノマーをグラフト重
合させた重合物、コンドロイチン硫酸、ヒアルロン酸、
シゾフィラン、マンナン、ゲランガムなどが挙げられ
る。特に好ましい水溶解性高分子化合物としては、ポリ
アクリルアミド、アクリル酸とアクリルアミド共重合
体、アクリルアミドをグラフト化させたグアガム及びシ
ゾフィランなどである。
これらは分子量が10万以上のものとする。分子量が10
万未満であると、研磨の際、研磨布とウェハー表面との
間に層流が形成されないので好ましくない。なお、本発
明において高分子化合物の分子量は、光散乱法(例え
ば、昭和53年に(株)丸善から発行された新実験化学講
座第19巻、第571頁〜第585頁参照)によって測定したも
のをいう。
万未満であると、研磨の際、研磨布とウェハー表面との
間に層流が形成されないので好ましくない。なお、本発
明において高分子化合物の分子量は、光散乱法(例え
ば、昭和53年に(株)丸善から発行された新実験化学講
座第19巻、第571頁〜第585頁参照)によって測定したも
のをいう。
上記の水溶解性の高分子化合物は、次のようにして調
製することができる。
製することができる。
ポリアクリルアミド、アクリルアミドとアクリル酸と
の共重合体、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ
イタコン酸、ポリマレイン酸、ポリエチレンオキサド、
ポリビニルピロリドンなどは対応するモノマー(単量
体)を公知の方法によって重合させることによって製造
することができる。
の共重合体、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ
イタコン酸、ポリマレイン酸、ポリエチレンオキサド、
ポリビニルピロリドンなどは対応するモノマー(単量
体)を公知の方法によって重合させることによって製造
することができる。
マレイン酸と共重合させ得るビニルモノマーとして
は、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イ
ソブチルビニルエーテルなどがあげられる。マレイン酸
とこれらビニルモノマーとの共重合体もまた、公知の方
法によって製造することができる。
は、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イ
ソブチルビニルエーテルなどがあげられる。マレイン酸
とこれらビニルモノマーとの共重合体もまた、公知の方
法によって製造することができる。
グアガムは、マメ科の植物グアの種子の胚乳部分に含
まれている粘液質のガラクトマンナンを意味する。キサ
ンタンガムは、キサントモナスカンスペストリスの純粋
な培養発酵によって得られる高分子多糖類を意味する。
まれている粘液質のガラクトマンナンを意味する。キサ
ンタンガムは、キサントモナスカンスペストリスの純粋
な培養発酵によって得られる高分子多糖類を意味する。
グアガムまたはキサンタンガムにグラフトさせ得るビ
ニルモノマーとしては、アクリル酸、メタアクリル酸、
スチレンスルフォン酸、アクリルアミド等があげられ
る。グラフトさせるビニルモノマーは、1種でも2種以
上であってもよい。
ニルモノマーとしては、アクリル酸、メタアクリル酸、
スチレンスルフォン酸、アクリルアミド等があげられ
る。グラフトさせるビニルモノマーは、1種でも2種以
上であってもよい。
高分子多糖類に上記ビニルモノマーをグラフト重合さ
せる方法は、ジャーナル・オブ・アプライド・ポリマー
・サイエンスvol 30、4013〜4018(1985)および同、vo
l 32、6163〜6176(1986)に詳述されている方法などに
よればよい。
せる方法は、ジャーナル・オブ・アプライド・ポリマー
・サイエンスvol 30、4013〜4018(1985)および同、vo
l 32、6163〜6176(1986)に詳述されている方法などに
よればよい。
例えば、グアガムまたはキサンタンガムにアクリルア
ミドをグラフト重合させる場合には、グアガムまたはキ
サンタンガムを0.01〜2.0重量%含む水溶液に、グアガ
ムまたはキサンタンガム1gあたり、アクリルアミド1ミ
リモル〜1モル、および重合開始剤1マイクロモル〜10
ミリモルの割合で加え、温度0〜100℃の条件下、空気
中もしくは不活性ガスの存在下、反応させればよい。重
合開始剤としては、セリウムイオン系のラジカルを用い
るのが好ましく、また、グアガムまたはキサンタンガム
はできるだけ、純度の高いものが好ましい。
ミドをグラフト重合させる場合には、グアガムまたはキ
サンタンガムを0.01〜2.0重量%含む水溶液に、グアガ
ムまたはキサンタンガム1gあたり、アクリルアミド1ミ
リモル〜1モル、および重合開始剤1マイクロモル〜10
ミリモルの割合で加え、温度0〜100℃の条件下、空気
中もしくは不活性ガスの存在下、反応させればよい。重
合開始剤としては、セリウムイオン系のラジカルを用い
るのが好ましく、また、グアガムまたはキサンタンガム
はできるだけ、純度の高いものが好ましい。
コンドロイチン硫酸は、哺乳動物の結合組織から抽出
されるムコ多糖類の1種のコンドロイチン硫酸と、デル
マタン硫酸の意味であり、ヒアルロン酸は鶏冠から抽出
されるムコ多糖類の1種である。シゾフィランは、スエ
ヒロタケから抽出される高分子多糖類であり、マンナン
は、ヤシ科植物の胚乳細胞壁、またはコディウムなどの
海藻から採取される高分子多糖類であり、ゲランガム
は、シュードモナスエロディーが産生する高分子多糖類
である。
されるムコ多糖類の1種のコンドロイチン硫酸と、デル
マタン硫酸の意味であり、ヒアルロン酸は鶏冠から抽出
されるムコ多糖類の1種である。シゾフィランは、スエ
ヒロタケから抽出される高分子多糖類であり、マンナン
は、ヤシ科植物の胚乳細胞壁、またはコディウムなどの
海藻から採取される高分子多糖類であり、ゲランガム
は、シュードモナスエロディーが産生する高分子多糖類
である。
本発明に係る研磨用組成物中の、水溶解性の高分子化
合物の含有量は、通常1ppm以上であり、特に10〜1000pp
mの範囲が好ましい。含有量がこれらの範囲内にある研
磨剤組成物を用いてウェハーを研磨するときは、研磨布
とウェハー表面との間で、滑り方向に層流が形成され、
ウェハー表面を一層平滑にすることができるが、含有量
が1ppm未満では、上記層流が形成されにくく、また、10
00ppmを超えると、かえって乱流が形成されやすいくな
るので好ましくない。
合物の含有量は、通常1ppm以上であり、特に10〜1000pp
mの範囲が好ましい。含有量がこれらの範囲内にある研
磨剤組成物を用いてウェハーを研磨するときは、研磨布
とウェハー表面との間で、滑り方向に層流が形成され、
ウェハー表面を一層平滑にすることができるが、含有量
が1ppm未満では、上記層流が形成されにくく、また、10
00ppmを超えると、かえって乱流が形成されやすいくな
るので好ましくない。
本発明に係る研磨用組成物は、水溶解性の塩類を含有
している。水溶解性の塩類は、スラリー状を呈するファ
イン研磨用組成物中のシリカ粒子表面の水和層を薄くす
る機能を奏する。これにより、研磨用組成物によるウェ
ハーの研磨中に、シリカ粒子がウェハーにおよぼす力学
的作用量が増大し、メカニカル研磨能が増大し、研磨能
率が向上する。
している。水溶解性の塩類は、スラリー状を呈するファ
イン研磨用組成物中のシリカ粒子表面の水和層を薄くす
る機能を奏する。これにより、研磨用組成物によるウェ
ハーの研磨中に、シリカ粒子がウェハーにおよぼす力学
的作用量が増大し、メカニカル研磨能が増大し、研磨能
率が向上する。
水溶解性の塩類の具体例としては、陽イオンがリチウ
ムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、セシウ
ムイオン、アンモニウムイオンからなる群から選ばれた
1種と、陰イオンがフッ素イオン、塩素イオン、臭素イ
オン、ヨウ素イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素
酸イオン、炭酸イオン、ギ酸イオン、酢酸イオン、アク
リル酸イオン、シュウ酸イオンからなる群から選ばれた
1種と、を組み合せたものから選ばれた化合物をいう。
水溶解性の塩類は、1種でも2種以上の組み合せであっ
てもよい。中でもスラリー状を呈する研磨剤組成物中
で、イオン解離度が高く、陽イオンの原子半径の大きい
塩化カリウム、過塩素酸カリウムが好適である。
ムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、セシウ
ムイオン、アンモニウムイオンからなる群から選ばれた
1種と、陰イオンがフッ素イオン、塩素イオン、臭素イ
オン、ヨウ素イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素
酸イオン、炭酸イオン、ギ酸イオン、酢酸イオン、アク
リル酸イオン、シュウ酸イオンからなる群から選ばれた
1種と、を組み合せたものから選ばれた化合物をいう。
水溶解性の塩類は、1種でも2種以上の組み合せであっ
てもよい。中でもスラリー状を呈する研磨剤組成物中
で、イオン解離度が高く、陽イオンの原子半径の大きい
塩化カリウム、過塩素酸カリウムが好適である。
本発明に係るウェハーのファイン研磨用組成物中の水
溶解性の塩類の含有量は、通常20ppm以上とされる。水
溶解性の塩類を含有させることにより、シリカ粒子表面
に形成される水和層の厚さを減ずることができるが、20
ppm未満ではこの効果が充分に発揮されないので好まし
くない。
溶解性の塩類の含有量は、通常20ppm以上とされる。水
溶解性の塩類を含有させることにより、シリカ粒子表面
に形成される水和層の厚さを減ずることができるが、20
ppm未満ではこの効果が充分に発揮されないので好まし
くない。
本発明に係るウェハーのファイン研磨用組成物には、
さらに必要があれば組成物のpHを8〜12に調節するため
に、アルカリ性化合物を添加することができる。
さらに必要があれば組成物のpHを8〜12に調節するため
に、アルカリ性化合物を添加することができる。
アルカリ性化合物としては、アルカリ金属の水酸化
物、アミン類またはアンモニアを使用することができ
る。アルカリ金属の水酸化物としては、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシ
ウムなどが挙げられる。中でも水酸化カリウム、水酸化
ナトリウムが好ましい。アミン類としては、トリエチル
アミン、トリエタノールアミン、モノエタノールアミ
ン、ジイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テ
トラエチルペンタミン、トリエチルペンタミン、ジエチ
レントリアミン、ヘキサメチレンジアミン等が挙げられ
る。これらの中では、エチレンジアミンが好ましい。
物、アミン類またはアンモニアを使用することができ
る。アルカリ金属の水酸化物としては、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシ
ウムなどが挙げられる。中でも水酸化カリウム、水酸化
ナトリウムが好ましい。アミン類としては、トリエチル
アミン、トリエタノールアミン、モノエタノールアミ
ン、ジイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テ
トラエチルペンタミン、トリエチルペンタミン、ジエチ
レントリアミン、ヘキサメチレンジアミン等が挙げられ
る。これらの中では、エチレンジアミンが好ましい。
「発明の効果」 本発明は、次のように特別に顕著な効果を示すので、
その産業上の利用価値は極めて大である。
その産業上の利用価値は極めて大である。
(1) 本発明に係るファイン研磨用組成物を用いてウ
ェハーを研磨する時には、水溶解性の高分子化合物が研
磨布とウェハーの間で層流を形成させ、乱流の発生を抑
制する。従って、研磨されたウェハーの表面は、微分干
渉型顕微鏡で観察しても凹凸が認められない平滑な研磨
面が得られる。
ェハーを研磨する時には、水溶解性の高分子化合物が研
磨布とウェハーの間で層流を形成させ、乱流の発生を抑
制する。従って、研磨されたウェハーの表面は、微分干
渉型顕微鏡で観察しても凹凸が認められない平滑な研磨
面が得られる。
(2) 本発明に係るファイン研磨用組成物は、シリカ
粒子として粒子表面にシラノールを1〜10コ/nm2の面密
度で有するコロイダルシリカを含有しているので、粒子
表面にシラノール基を1コ/nm2以下しか有しないシリカ
粒子を含むシリカパウダーを含有した研磨剤に比べて、
シリカ粒子の水親和性が高く、水分散性に優れている。
粒子として粒子表面にシラノールを1〜10コ/nm2の面密
度で有するコロイダルシリカを含有しているので、粒子
表面にシラノール基を1コ/nm2以下しか有しないシリカ
粒子を含むシリカパウダーを含有した研磨剤に比べて、
シリカ粒子の水親和性が高く、水分散性に優れている。
(3) 本発明に係るファイン研磨用組成物を用いてウ
ェハーを研磨する時には、組成物中に配合される水溶解
性の塩類によって、スラリー中のコロイダルシリカ粒子
表面の水和層の厚さが薄いため、シリカ粒子が研磨中、
ウェハーに衝突する時にシリカ粒子のウェハーにおよぼ
す力学的作用量が増大し、従ってメカニカル研磨能が増
大するために、ファイン研磨の能率が塩類を配合されな
い組成物による研磨のそれより高くなっている。
ェハーを研磨する時には、組成物中に配合される水溶解
性の塩類によって、スラリー中のコロイダルシリカ粒子
表面の水和層の厚さが薄いため、シリカ粒子が研磨中、
ウェハーに衝突する時にシリカ粒子のウェハーにおよぼ
す力学的作用量が増大し、従ってメカニカル研磨能が増
大するために、ファイン研磨の能率が塩類を配合されな
い組成物による研磨のそれより高くなっている。
「実施例」 次の、本発明を実施例および比較例によって、更に具
体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、
以下の例に制約されるものではない。
体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、
以下の例に制約されるものではない。
実施例1〜15、比較例1〜2 (1) アクリルアミドをグラフト重合させたグアガム
の製造 高分子量グアガム(三晶(株)社製、商品名メイブロ
ガット120)を水に溶解させて0.5%水溶液とした。これ
を過法及びアルコール溶出法によって精製した。この
精製法は次の手順通りとした。
の製造 高分子量グアガム(三晶(株)社製、商品名メイブロ
ガット120)を水に溶解させて0.5%水溶液とした。これ
を過法及びアルコール溶出法によって精製した。この
精製法は次の手順通りとした。
まず、ポアサイズ1−10ミクロンのメッシュフィルタ
ーを用い、過法によってグアガム水溶液中の粗大不純
物を除去した。グアガムはアルコールに溶けないで、グ
アガム水溶液をアルコールに注ぎ、アルコール溶出物を
溶出させ、沈澱物を回収した。この沈澱物を乾燥させた
後、再び水に溶解させて所定濃度、本例において、1重
量%のグアガム水溶液を得た。
ーを用い、過法によってグアガム水溶液中の粗大不純
物を除去した。グアガムはアルコールに溶けないで、グ
アガム水溶液をアルコールに注ぎ、アルコール溶出物を
溶出させ、沈澱物を回収した。この沈澱物を乾燥させた
後、再び水に溶解させて所定濃度、本例において、1重
量%のグアガム水溶液を得た。
得られた1重量%水溶液1にアクリルアミド0.5モ
ルを加え、窒素を泡出させながら、撹拌し、これに重合
開始剤として硝酸セリウムアンモニウムを0.3ミリモル
加え、更に撹拌しながら、室温で24時間反応させ、アク
リルアミドをグラフト化させたグアガム(以下「GGG」
という。)を得た。
ルを加え、窒素を泡出させながら、撹拌し、これに重合
開始剤として硝酸セリウムアンモニウムを0.3ミリモル
加え、更に撹拌しながら、室温で24時間反応させ、アク
リルアミドをグラフト化させたグアガム(以下「GGG」
という。)を得た。
(2) 研磨用組成物の調整 平均粒子径が60ミリミクロンで、シリカ粒子を50重量
%含有し、粒子表面のシラノールの面密度が8コ/nm2の
コロイダルシリカ;水溶解性の高分子化合物としてのGG
G、ポリアクリルアミド(三菱化成(株)製、商品名ダ
イヤクリアMN3000)(以下「PAAM」という。)の水溶液
(0.5重量%濃度)、シゾフィラン(以下「SPH」とい
う。);水溶解性の塩類としてのKCl;のそれぞれを、第
1表に記載した割合で秤量し、純水と混合して、コロイ
ダルシリカ0.1重量%を含む研磨用組成物を得た。ただ
し、比較例2では、シリカパウダー(日本シリカ工業
(株)製、商品名ニップシールE220A、粒子表面のシラ
ノールの面密度が1コ/nm2以下のもの)を、純水に1重
量%の含量に、分散させたものである。
%含有し、粒子表面のシラノールの面密度が8コ/nm2の
コロイダルシリカ;水溶解性の高分子化合物としてのGG
G、ポリアクリルアミド(三菱化成(株)製、商品名ダ
イヤクリアMN3000)(以下「PAAM」という。)の水溶液
(0.5重量%濃度)、シゾフィラン(以下「SPH」とい
う。);水溶解性の塩類としてのKCl;のそれぞれを、第
1表に記載した割合で秤量し、純水と混合して、コロイ
ダルシリカ0.1重量%を含む研磨用組成物を得た。ただ
し、比較例2では、シリカパウダー(日本シリカ工業
(株)製、商品名ニップシールE220A、粒子表面のシラ
ノールの面密度が1コ/nm2以下のもの)を、純水に1重
量%の含量に、分散させたものである。
(3) ウェハーのファイン研磨試験 スピードファム製研磨機、SPAW36を使用し、柔らかめ
のスウェッドタイプの研磨布を用いて、上記研磨用組成
物を1分間当り1の割合で供給しながら、シリコンウ
ェハーを研磨した。この際の研磨圧力は100g/cm2、ウェ
ハーと研磨布の相対速度を1m/secとし、研磨中の研磨布
の温度は40℃とした。
のスウェッドタイプの研磨布を用いて、上記研磨用組成
物を1分間当り1の割合で供給しながら、シリコンウ
ェハーを研磨した。この際の研磨圧力は100g/cm2、ウェ
ハーと研磨布の相対速度を1m/secとし、研磨中の研磨布
の温度は40℃とした。
研磨機による研磨でウェハー表面が平滑になるまで
(平滑になったかどうかは、研磨途中に微分干渉型顕微
鏡で観察)の時間を測定した。その結果を、第1表に示
す。
(平滑になったかどうかは、研磨途中に微分干渉型顕微
鏡で観察)の時間を測定した。その結果を、第1表に示
す。
研磨機による研磨後、上記研磨用組成物の代りに水を
流しながらリンス研磨し、ウェハー面上のシリカ、多糖
類高分子を除去した。リンス研磨に要した時間(リンス
研磨終了時点は、ウェハー面を微分干渉型顕微鏡で観察
して決定)を測定した。
流しながらリンス研磨し、ウェハー面上のシリカ、多糖
類高分子を除去した。リンス研磨に要した時間(リンス
研磨終了時点は、ウェハー面を微分干渉型顕微鏡で観察
して決定)を測定した。
(4) 研磨組成物中のシリカ粒子の分散試験 高さ5cmで、容量が100ccの蓋付き試験管に、スラリー
状のファイン研磨用組成物を採取し、一昼夜静置したあ
と、当該試験管を倒置し、ついで正置する操作を繰り返
し、シリカ粒子がスラリー中に均一に分散する状態を肉
眼で観察し、均一に分散するまでに要した操作回数を表
示した。
状のファイン研磨用組成物を採取し、一昼夜静置したあ
と、当該試験管を倒置し、ついで正置する操作を繰り返
し、シリカ粒子がスラリー中に均一に分散する状態を肉
眼で観察し、均一に分散するまでに要した操作回数を表
示した。
第1表より、次のことが明らかとなる。
1. 本発明に係る研磨用組成物によって研磨する時に
は、とりわけ水溶解性の塩類を多く加えた研磨用組成物
で研磨する時には、ファイン研磨時間が短くなり、研磨
剤として好適である。また、スラリーのシリカ粒子の分
散性も非常によいので、扱い易い。
は、とりわけ水溶解性の塩類を多く加えた研磨用組成物
で研磨する時には、ファイン研磨時間が短くなり、研磨
剤として好適である。また、スラリーのシリカ粒子の分
散性も非常によいので、扱い易い。
2. これに対し、比較例1のごとく水溶解性の高分子化
合物を加えていない研磨用組成物は、ファイン研磨が達
成されない。また、比較例2のごとく、シリカ粒子をシ
リカパウダーとして与えた場合には、ファイン研磨性に
おいては好適であるが、分散性において本発明に係る研
磨用組成物に比べて劣り、研磨中常に撹拌していなくて
はならない。
合物を加えていない研磨用組成物は、ファイン研磨が達
成されない。また、比較例2のごとく、シリカ粒子をシ
リカパウダーとして与えた場合には、ファイン研磨性に
おいては好適であるが、分散性において本発明に係る研
磨用組成物に比べて劣り、研磨中常に撹拌していなくて
はならない。
Claims (8)
- 【請求項1】水、コロイダルシリカ粒子、水溶解性の高
分子化合物、水溶解性の塩類を含有してなることを特徴
とするウェハーのファイン研磨用組成物。 - 【請求項2】コロイダルシリカ粒子は、その平均粒径が
5ミリミクロンないし500ミリミクロンのものであり、
シリカ粒子表面のシラノール基の面密度が1〜10個/nm2
の範囲にあることを特徴とする請求項(1)記載のウェ
ハーのファイン研磨用組成物。 - 【請求項3】水溶解性の高分子化合物が、分子量10万以
上の、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリルアミド、
ポリビニルピロリドン、ヒドロキシプロピルセルロー
ス、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン
酸、ポリマレイン酸、マレイン酸とビニルモノマーとの
共重合体、グアガム、グアガムにビニルモノマーをグラ
フト重合させた重合物、キサンタンガムにビニルモノマ
ーをグラフト重合させた重合物、コンドロイチン硫酸、
ヒアルロン酸、シゾフィラン、マンナン、ゲランガムよ
りなる群から選ばれた1種類以上であることを特徴とす
る請求項(1)記載のウェハーのファイン研磨用組成
物。 - 【請求項4】水溶解性の高分子化合物がポリアクリルア
ミド、アクリルアミドとアクリル酸との共重合体、アク
リルアミドをグラフト化させたグアガム及びシゾフィラ
ンからなる群から選ばれたものであることを特徴とする
請求項(1)記載のウェハーのファイン研磨用組成物。 - 【請求項5】水溶解性の塩類が、その陽イオンがリチウ
ムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、セシウ
ムイオン、アンモニウムイオンからなる群から選ばれた
1種と、陰イオンがフッ素イオン、塩素イオン、臭素イ
オン、ヨウ素イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素
酸イオン、炭酸イオン、ギ酸イオン、酢酸イオン、アク
リル酸イオン、シュウ酸イオンからなる群から選ばれた
1種とを組み合せたものから選ばれた化合物群の1種以
上であることを特徴とする、請求項(1)記載のウェハ
ーのファイン研磨用組成物。 - 【請求項6】水溶解性の塩類が塩化カリ及び過塩素酸か
らなる群から選ばれたものであることを特徴とする請求
項(1)記載のウェハーのファイン研磨用組成物。 - 【請求項7】コロイダルシリカの含有率が、0.1重量%
以上であり、水溶解性の高分子が1ppm以上、水溶解性の
塩類が20ppm以上であることを特徴とする、請求項
(1)記載のウェハーのファイン研磨用組成物。 - 【請求項8】ウェハーのファイン研磨用組成物のpHが8
〜12に調整されていることを特徴とする請求項(1)記
載のウェハーのファイン研磨用組成物。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63313480A JP2714411B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | ウェハーのファイン研摩用組成物 |
MYPI89001722A MY105865A (en) | 1988-12-12 | 1989-12-07 | Fine polishing compound for wafer |
EP89122550A EP0373501B1 (en) | 1988-12-12 | 1989-12-07 | Fine polishing composition for wafers |
DE68921570T DE68921570T2 (de) | 1988-12-12 | 1989-12-07 | Feine Polierzusammensetzung für Plaketten. |
KR1019890018234A KR0151844B1 (ko) | 1988-12-12 | 1989-12-09 | 웨이퍼 파인 연마용 조성물 |
US08/105,462 US5352277A (en) | 1988-12-12 | 1993-07-26 | Final polishing composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63313480A JP2714411B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | ウェハーのファイン研摩用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02158684A JPH02158684A (ja) | 1990-06-19 |
JP2714411B2 true JP2714411B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=18041813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63313480A Expired - Lifetime JP2714411B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | ウェハーのファイン研摩用組成物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0373501B1 (ja) |
JP (1) | JP2714411B2 (ja) |
KR (1) | KR0151844B1 (ja) |
DE (1) | DE68921570T2 (ja) |
MY (1) | MY105865A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009104465A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
JP2009224767A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-10-01 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2009224771A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-10-01 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010016344A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-01-21 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010016346A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-01-21 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028078A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028082A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028079A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028080A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028081A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028077A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010034497A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-12 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010034498A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-12 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010041027A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010041029A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨方法および化学機械研磨用水系分散体の製造方法 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04355920A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-12-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板およびその製造方法 |
ATE120433T1 (de) * | 1991-05-28 | 1995-04-15 | Nalco Chemical Co | Polierbreie aus silika mit geringem gehalt an natrium und an metallen. |
JP2894208B2 (ja) * | 1994-06-02 | 1999-05-24 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
US5527423A (en) * | 1994-10-06 | 1996-06-18 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers |
US6110396A (en) * | 1996-11-27 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Dual-valent rare earth additives to polishing slurries |
US5876490A (en) * | 1996-12-09 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporatin | Polish process and slurry for planarization |
WO1999064527A1 (en) * | 1998-06-10 | 1999-12-16 | Rodel Holdings, Inc. | Composition and method for polishing in metal cmp |
JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP2000080350A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法 |
KR100472882B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2005-03-07 | 가부시끼가이샤 도시바 | 수계 분산체, 이를 이용한 화학 기계 연마용 수계 분산체조성물, 웨이퍼 표면의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조방법 |
EP1068928A3 (en) * | 1999-02-11 | 2003-08-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing processes and components |
EP1691401B1 (en) | 1999-06-18 | 2012-06-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Method for polishing a substrate using CMP abrasive |
JP4491857B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2010-06-30 | 日立化成工業株式会社 | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP4759779B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2011-08-31 | 日立化成工業株式会社 | 基板の研磨方法 |
US6350393B2 (en) * | 1999-11-04 | 2002-02-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Use of CsOH in a dielectric CMP slurry |
EP1263906A1 (en) * | 2000-02-02 | 2002-12-11 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing composition |
KR20020086949A (ko) | 2000-04-11 | 2002-11-20 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 실리콘 옥사이드의 선택적 제거를 위한 시스템 |
US6602436B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-08-05 | Rodel Holdings, Inc | Chemical mechanical planarization of metal substrates |
US6676718B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-01-13 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing of semiconductor substrates |
BRPI0312075B8 (pt) * | 2002-06-25 | 2016-09-13 | Rhodia | método para enxerto de um monômero insaturado em um polissacarídeo. |
JP4593064B2 (ja) | 2002-09-30 | 2010-12-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP4212861B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2009-01-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
US7553345B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-06-30 | Kao Corporation | Polishing composition |
JP5204960B2 (ja) | 2006-08-24 | 2013-06-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
US20080085412A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Ortiz C Yolanda | Silica-coated metal oxide sols having variable metal oxide to silica ratio |
DE102006061891A1 (de) | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Basf Se | Zusammensetzung zum Polieren von Oberflächen aus Siliziumdioxid |
US7696095B2 (en) | 2007-02-23 | 2010-04-13 | Ferro Corporation | Auto-stopping slurries for chemical-mechanical polishing of topographic dielectric silicon dioxide |
JP5071678B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2012-11-14 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
WO2009150938A1 (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板用研磨剤 |
KR101330956B1 (ko) * | 2009-08-19 | 2013-11-18 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Cmp 연마액 및 연마 방법 |
CN102477260B (zh) * | 2010-11-26 | 2014-12-03 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
JP6357296B2 (ja) | 2012-02-10 | 2018-07-11 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法 |
CN103773244B (zh) * | 2012-10-17 | 2017-08-11 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种碱性化学机械抛光液 |
JP5460827B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2014-04-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウエハの製造方法 |
JP5656960B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2015-01-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Lpd低減剤及びそれを用いたシリコンウエハの欠陥低減方法 |
JP6086725B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-03-01 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
JP6423279B2 (ja) * | 2015-02-10 | 2018-11-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP6722026B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2020-07-15 | デンカ株式会社 | 研磨用シリカ及びそれを用いた方法 |
CN105819559B (zh) * | 2016-04-22 | 2018-07-31 | 日照澳可生生物科技有限公司 | 一种用于废水处理的絮凝剂及其制备方法 |
US20210277281A1 (en) | 2018-07-04 | 2021-09-09 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | Polishing composition |
EP3819353A4 (en) | 2018-07-04 | 2022-03-30 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | POLISHING COMPOSITION |
EP3929155A4 (en) * | 2019-02-21 | 2022-04-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | SILICA PARTICLES AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, SILICA SOL, POLISHING COMPOSITION, POLISHING METHOD, SEMICONDUCTOR WAFER PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD |
CN115466573B (zh) * | 2022-09-05 | 2024-02-20 | 广州飞雪芯材有限公司 | 一种用于单晶硅晶圆片的抛光液及其应用 |
CN117567941A (zh) * | 2023-11-07 | 2024-02-20 | 江苏山水半导体科技有限公司 | 一种改善硅片表面抛光痕的精抛液及其应用 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4260396A (en) * | 1978-01-16 | 1981-04-07 | W. R. Grace & Co. | Compositions for polishing silicon and germanium |
US4581042A (en) * | 1984-06-22 | 1986-04-08 | Pro-Strength, Inc. | Composition for removing hard-water build-up |
EP0322721B1 (en) * | 1987-12-29 | 1993-10-06 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fine polishing composition for wafers |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP63313480A patent/JP2714411B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-07 EP EP89122550A patent/EP0373501B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-07 DE DE68921570T patent/DE68921570T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-07 MY MYPI89001722A patent/MY105865A/en unknown
- 1989-12-09 KR KR1019890018234A patent/KR0151844B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009104465A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
JP2009224767A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-10-01 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2009224771A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-10-01 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010016344A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-01-21 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010016346A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-01-21 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028078A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028082A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028079A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028080A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028081A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010028077A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010034497A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-12 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010034498A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-12 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010041027A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2010041029A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨方法および化学機械研磨用水系分散体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0373501A3 (en) | 1992-01-22 |
DE68921570D1 (de) | 1995-04-13 |
KR0151844B1 (ko) | 1998-10-01 |
MY105865A (en) | 1995-02-28 |
EP0373501B1 (en) | 1995-03-08 |
EP0373501A2 (en) | 1990-06-20 |
DE68921570T2 (de) | 1995-10-12 |
JPH02158684A (ja) | 1990-06-19 |
KR900009918A (ko) | 1990-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2714411B2 (ja) | ウェハーのファイン研摩用組成物 | |
US4983650A (en) | Fine polishing composition for wafers | |
JP3121274B2 (ja) | 研磨組成物 | |
US4260396A (en) | Compositions for polishing silicon and germanium | |
GB2412918A (en) | Polishing composition and polishing method | |
WO2018043504A1 (ja) | 研磨用組成物および研磨用組成物セット | |
JP6373273B2 (ja) | 研磨剤組成物、シリコンウェハー用研磨剤組成物、およびシリコンウェハー製品の製造方法 | |
KR20140039260A (ko) | 연마용 조성물 | |
CN113621346A (zh) | 一种应用于大尺寸硅片研磨的悬浮助剂、其制备方法及用途 | |
CN106867413A (zh) | 一种高浓度氧化铈抛光液及其制备方法 | |
JP2782692B2 (ja) | シリコーンウェハー用研磨組成物 | |
TWI832999B (zh) | 研磨用組成物 | |
JP6207345B2 (ja) | シリカ粒子の製造方法 | |
CN102127373A (zh) | 一种高去除低划伤的硅片化学机械抛光组合物及制备方法 | |
JPH11162910A (ja) | 半導体装置製造用研磨剤及び研磨方法 | |
JP2987171B2 (ja) | ウエハーのファイン研磨用濃縮組成物 | |
CN116323799A (zh) | 含有聚乙烯醇组合物的半导体用润湿剂的制造方法、含有利用该制造方法得到的半导体用润湿剂的研磨用组合物及研磨用组合物的制造方法 | |
TWI808978B (zh) | 研磨液組合物用氧化矽漿料 | |
JP5995659B2 (ja) | シリコンウェーハ用研磨液組成物 | |
JPS63272458A (ja) | ウエハ−のフアイン研磨用組成物 | |
JPWO2018025655A1 (ja) | シリコンウェーハ粗研磨用組成物の濃縮液 | |
JPH01297487A (ja) | 研磨用組成物 | |
JPH10275789A (ja) | 研磨剤及び研磨方法 | |
KR20060135028A (ko) | 연마용 조성물 및 연마 방법 | |
JPS63272459A (ja) | ウエハ−のフアイン研磨用の組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091031 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091031 Year of fee payment: 12 |