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JP2698380B2 - Semiconductor laser driver - Google Patents

Semiconductor laser driver

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Publication number
JP2698380B2
JP2698380B2 JP63157265A JP15726588A JP2698380B2 JP 2698380 B2 JP2698380 B2 JP 2698380B2 JP 63157265 A JP63157265 A JP 63157265A JP 15726588 A JP15726588 A JP 15726588A JP 2698380 B2 JP2698380 B2 JP 2698380B2
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JP
Japan
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semiconductor laser
amount
light amount
converter
predetermined range
Prior art date
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JP63157265A
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富行 沼田
邦男 小嶋
敏久 出口
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPH01321673A publication Critical patent/JPH01321673A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザ駆動装置に関し、特に、半導
体レーザの出射光量が所定範囲外である時に急速に半導
体レーザの出射光量が所定の範囲内となるように制御で
きるようにした半導体レーザ駆動装置に関するものであ
る。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser driving device, and more particularly to a semiconductor laser driving device in which the emitted light amount of a semiconductor laser rapidly falls within a predetermined range when the emitted light amount is out of a predetermined range. The present invention relates to a semiconductor laser driving device which can be controlled to be as follows.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、半導体レーザ駆動装置においては、レーザの温
度特性が非常に悪いことから、周囲温度が変化する環境
下で使用する場合には、周期的に半導体レーザに供給す
る駆動電流を補正して出射光量を安定化させるフィード
バック制御手段と、このフィードバック制御手段の作動
周期を制御するサンプリング周期設定手段とが設けられ
ている。
Conventionally, a semiconductor laser driving device has a very poor laser temperature characteristic. Therefore, when used in an environment where the ambient temperature changes, the driving current supplied to the semiconductor laser is periodically corrected to correct the emitted light amount. And a sampling cycle setting means for controlling the operation cycle of the feedback control means.

すなわち、第3図に示すように、半導体レーザ2は、
V/I変換器1から出力される駆動電流Eにより励起され
て、その駆動電流Eの大きさに対応した出射光量Pで発
光するようになっており、前記フィードバック制御手段
は、その出射光量Pをフォトセンサ3によって検出し、
I/V変換器4を経てその光量に対応した電圧信号Saに変
換し、更にA/D変換器5でその電圧信号Saをディジタル
信号Sbに変換してCPU6へ入力し、このディジタル信号Sb
に基づいて、予め、テーブルとして格納された半導体レ
ーザ2の出射光量Pに対応したディジタル信号Sbに相当
するデータを参照することにより、電流制御用の出力信
号Scを増加あるいは減少するかをCPU6内で決定してラッ
チ回路7へ出力し、更に、D/A変換器8を経て電圧信号S
dに変換されてからV/I変換器1に入力させ、この電圧信
号Sdに対応する駆動電流Eを前記V/I変換器1から半導
体レーザ2に供給させるようになっている。前記サンプ
リング周期設定手段はCPU6に内蔵されており、一定の周
期毎に前記フィードバック制御手段を作動させるように
なっている。
That is, as shown in FIG.
It is excited by a drive current E output from the V / I converter 1 and emits light with an emission light amount P corresponding to the magnitude of the drive current E. Is detected by the photo sensor 3,
The voltage signal Sa is converted into a voltage signal Sa corresponding to the light amount via the I / V converter 4, and the voltage signal Sa is converted into a digital signal Sb by the A / D converter 5 and input to the CPU 6.
The CPU 6 determines whether to increase or decrease the current control output signal Sc by referring to data corresponding to the digital signal Sb corresponding to the emission light amount P of the semiconductor laser 2 stored in advance as a table based on And outputs it to the latch circuit 7, and further passes through the D / A converter 8 to the voltage signal S.
After being converted to d, it is input to the V / I converter 1, and a drive current E corresponding to this voltage signal Sd is supplied from the V / I converter 1 to the semiconductor laser 2. The sampling cycle setting means is built in the CPU 6, and operates the feedback control means at regular intervals.

ここで、第4図に示すように、半導体レーザ2がオン
された時の半導体レーザ2の出射光量Pの初期値がP0
あり、目標値である半導体レーザ2の目標出射光量がP1
であるとして、前記フィードバック制御手段の動作につ
いて更に詳しく説明する。
Here, as shown in FIG. 4, the initial value of the emission light amount P of the semiconductor laser 2 when the semiconductor laser 2 is turned on is P 0, the target amount of light emitted semiconductor laser 2 which is a target value P 1
Therefore, the operation of the feedback control means will be described in more detail.

初期出射光量値P0に対応して入力されるディジタル信
号Sbを、A/D変換器5からCPU6に取り込み、CPU6内で予
め入力されているテーブルの中から目標出射光量P1に相
当するデータと比較し、駆動電流EをΔI増加した出力
信号Scを出力する。このA/D変換器5からCPU6へのデー
タ入力、データ比較、D/A変換器8のデータ更新という
一連の動作を、一定のサンプリング周期Δtごとに繰り
返すことにより、やがて、半導体レーザ2の出射光量P
が目標出射光量P1に達し、ΔIに相当する出射光量の変
動範囲で安定することになる。なお、上記ΔIは、例え
ば光ディスク装置やレーザプリンタ等のシステム上、許
容される出射光量Pの変動範囲ΔP以下に相当する電流
量とされる。
The digital signal Sb input corresponding to the initial emission light value P 0 is taken into the CPU 6 from the A / D converter 5, and data corresponding to the target emission light intensity P 1 from a table previously input in the CPU 6. And outputs an output signal Sc obtained by increasing the drive current E by ΔI. The series of operations of data input from the A / D converter 5 to the CPU 6, data comparison, and data update of the D / A converter 8 are repeated at a fixed sampling period Δt, and the emission of the semiconductor laser 2 is eventually completed. Light intensity P
There reaches a target light emission amount P 1, becomes stable in a variation range of the emitted light amount corresponding to [Delta] I. The above-mentioned ΔI is a current amount corresponding to a variation range ΔP or less of the emission light amount P which is allowed in a system such as an optical disk device or a laser printer.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

ところが、従来の半導体レーザ駆動装置においては、
前記サンプリング周期設定手段により設定されるサンプ
リング周期Δtが一定であるために、例えば半導体レー
ザをオンにした時など出射光量Pが目標出射光量P1から
大きく逸脱している場合には、出射光量Pを目標出射光
量P1に補正するまでの時間が相当長くなるという問題を
生じる。このような問題点を解決するためには、サンプ
リング周期Δtを短く設定すればよいのであるが、CPU6
の作動時間の中でフィードバック制御に費やされる時間
を一定以上に増大させることができないので、サンプリ
ング周期Δtを短く設定するには自ずと限度がある。
However, in the conventional semiconductor laser driving device,
For the the sampling period Δt to be set by the sampling period setting means is constant, for example when the emission light intensity P such when the semiconductor laser is turned on deviates significantly from the target light emission amount P 1 is the emission light intensity P It arises a problem that the time to correct the target amount of light emitted P 1 becomes considerably long. In order to solve such a problem, the sampling period Δt may be set to be short.
Since the time spent for feedback control cannot be increased beyond a certain value in the operation time, there is naturally a limit in setting the sampling period Δt to be short.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明は、上記の課題を解決するためになされたもの
であって、半導体レーザの出射光量が所定範囲外である
時に急速に半導体レーザの出射光量が所定の範囲内とな
るように制御できるようにしたものである。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problem, and is capable of rapidly controlling the emission light amount of a semiconductor laser to fall within a predetermined range when the emission light amount of the semiconductor laser is out of a predetermined range. It was made.

すなわち、本発明に係る半導体レーザ駆動装置は、半
導体レーザに駆動電流を供給する電流発生手段と、半導
体レーザの出射光量を検出し、その出射光量が所定範囲
内となるように前記電流発生手段の駆動電流値を設定す
るフィードバック制御手段と、該フィードバック制御手
段の作動周期を制御するサンプリング周期設定手段とを
備える半導体レーザ駆動装置において、上記フィードバ
ック制御手段によって検出された半導体レーザの出射光
量が前記所定範囲内であるか否かを判定する比較手段を
有し、上記サンプリング周期設定手段は、前記比較手段
の出力に応答し、半導体レーザの出射光量が、所定範囲
内にあるときには前記フィードバック制御手段の作動周
期を長く設定し、前記所定範囲外であるときには前記作
動周期を短く設定することを特徴とする。
That is, the semiconductor laser driving device according to the present invention includes a current generating unit that supplies a driving current to the semiconductor laser, and an output light amount of the semiconductor laser, and the current generation unit detects the emitted light amount so as to be within a predetermined range. In a semiconductor laser driving apparatus comprising: a feedback control means for setting a drive current value; and a sampling cycle setting means for controlling an operation cycle of the feedback control means, an output light amount of the semiconductor laser detected by the feedback control means is the predetermined amount. Comparing means for determining whether or not the output is within the range, wherein the sampling cycle setting means responds to the output of the comparing means, and when the emitted light amount of the semiconductor laser is within a predetermined range, the feedback control means The operation cycle is set to be long, and when the operation cycle is out of the predetermined range, the operation cycle is set to be short. It is characterized in.

〔作 用〕(Operation)

上記の構成により、半導体レーザの始動時等におい
て、出射光量が目標出射光量の所定の範囲からの大きく
逸脱する時にはサンプリング周期が短縮されるので、短
時間で出射光量を目標出射光量の所定の範囲内に到達さ
せることができる一方、出射光量が目標出射光量の所定
の範囲内にある時、あるいは目標出射光量の所定の範囲
から僅かに逸脱する時にはサンプリング周期を延長させ
て、CPU作動時間中での出射光量の制御に費やす時間を
少なくして、CPUの負担を軽減することが可能となる。
With the above configuration, when starting the semiconductor laser or the like, the sampling cycle is shortened when the emitted light amount largely deviates from the predetermined range of the target emitted light amount. On the other hand, when the emitted light amount is within a predetermined range of the target emitted light amount or slightly deviates from the predetermined range of the target emitted light amount, the sampling cycle is extended, and during the CPU operation time. It is possible to reduce the time spent for controlling the amount of light emitted from the CPU and reduce the load on the CPU.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の一実施例を第1図ないし第3図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.

半導体レーザ駆動装置は、第3図に示すように、半導
体レーザ2に駆動電流Eを供給する電流発生手段として
のV/I変換器1と、半導体レーザ2の出射光量Pを検出
し、その出射光量Pが所定範囲内となるように前記V/I
変換器1の駆動電流値を設定するフィードバック制御手
段と、該フィードバック制御手段の作動周期を制御する
サンプリング周期設定手段とを備えている。
As shown in FIG. 3, the semiconductor laser driving apparatus detects a V / I converter 1 serving as a current generating means for supplying a driving current E to the semiconductor laser 2 and a light emission amount P of the semiconductor laser 2 and outputs the light. V / I so that the light amount P is within a predetermined range.
The apparatus includes feedback control means for setting a drive current value of the converter 1 and sampling cycle setting means for controlling an operation cycle of the feedback control means.

上記フィードバック制御手段は、半導体レーザ2の出
射光量Pに対応する電流を出力するフォトダイオードか
らなるフォトセンサ3と、フォトセンサ3の出力を電圧
信号Saに変換するI/V変換器4と、I/V変換器4の出力を
ディジタル信号Sbに変換するA/D変換器5と、CPU6と、C
PU6の出力信号Scをラッチするラッチ回路7と、ラッチ
回路7にラッチされたラッチ信号Sc′を電圧信号Sdに変
換して前記V/I変換器1に出力するD/A変換器8とで構成
されている。前記CPU6には、半導体レーザ2の出射光量
Pに対応したディジタル信号Sbに相当するデータがテー
ブルとして入力されている。
The feedback control means includes a photosensor 3 composed of a photodiode that outputs a current corresponding to the amount of light P emitted from the semiconductor laser 2, an I / V converter 4 that converts the output of the photosensor 3 into a voltage signal Sa, An A / D converter 5 for converting the output of the / V converter 4 into a digital signal Sb, a CPU 6,
A latch circuit 7 that latches the output signal Sc of the PU 6 and a D / A converter 8 that converts the latch signal Sc ′ latched by the latch circuit 7 into a voltage signal Sd and outputs the voltage signal Sd to the V / I converter 1 It is configured. Data corresponding to the digital signal Sb corresponding to the amount of emitted light P of the semiconductor laser 2 is input to the CPU 6 as a table.

また、前記サンプリング周期設定手段は、CPU6に内蔵
された図示しないタイマで構成され、このタイマは、CP
U6の動作が出射光量の制御に独占されるような短周期の
サンプリング周期Bと、安定状態の出射光量の制御とし
て必要とされる範囲内で前記サンプリング周期Bよりも
長く設定されるサンプリング周期Aとの2種類の周期を
設定できるようにしてある。
The sampling period setting means is constituted by a timer (not shown) built in the CPU 6, and this timer is
A short-period sampling period B in which the operation of U6 is monopolized by controlling the output light amount, and a sampling period A set longer than the sampling period B within a range required for controlling the output light amount in a stable state. And two types of periods can be set.

更に、このCPU6には、第1図に示すような制御プログ
ラムが組み込まれている。即ち、半導体レーザ駆動装置
が始動されて制御プログラムが開始されると、まず、初
期設定として第1の変数lにデータ“UP"が入力され(S
1)、この後、A/D変換器5からディジタル信号Sbが取り
込まれる(S2)。
Further, the CPU 6 incorporates a control program as shown in FIG. That is, when the semiconductor laser driving device is started and the control program is started, first, data “UP” is input to the first variable 1 as an initial setting (S
1) After that, the digital signal Sb is taken in from the A / D converter 5 (S2).

そして、ディジタル信号Sbとテーブルの目標出射光量
P1に対応するデータとを比較して、これらの大小関係が
判別され(S3)、ディジタル信号Sbがテーブルの目標出
射光量P1に対応するデータよりも小さい場合(A/D<テ
ーブルの場合)には、駆動電流EをΔI増加させるデー
タを出力信号Scとして出力してから(S4)、第2の変数
Lを“Up"と置く(S5)。
Then, the digital signal Sb and the target emission light amount of the table
By comparing the data corresponding to P 1, these magnitude relationship is determined (S3), if the digital signal Sb is smaller than the data corresponding to the target light emission amount P 1 of the table (for A / D <Table ), Data for increasing the drive current E by ΔI is output as the output signal Sc (S4), and the second variable L is set to “Up” (S5).

一方、ディジタル信号Sbとテーブルの目標出射光量P1
に対応するデータとを比較して(S3)、ディジタル信号
Sbがテーブルの目標出射光量P1に対応するデータよりも
大きい場合(A/D>テーブルの場合)には、駆動電流E
を△I減少させるデータを出力信号Scとして出力してか
ら(S6)、前記第2の変数Lを“Down"と置く(S7)。
On the other hand, the digital signal Sb and the target emission light amount P 1 of the table
(S3) to compare the digital signal
In the case Sb is greater than the data corresponding to the target light emission amount P 1 of the table (for A / D> tables), the drive current E
Is output as the output signal Sc (S6), and the second variable L is set to "Down" (S7).

上記したように、第2の変数Lを入力した後、第2の
変数Lが第1の変数lと等しいか否かを判定することに
よって、前回のサンプリング時の状態と今回サンプリン
グ時の状態とが同じか否かが判定される(S8)。そし
て、L=lの場合には、前記タイマが設定するサンプリ
ング周期Bを経過した後(S9)、またL≠lの場合に
は、前記タイマが設定するサンプリング周期Aを経過し
た後(S10)、更に、第1の変数lに第2の変数Lを代
入してから(S11)、A/D変換器5からディジタル信号Sb
を入力するステップ(S2)に戻る。
As described above, after inputting the second variable L, it is determined whether or not the second variable L is equal to the first variable l, so that the state at the previous sampling and the state at the current sampling are determined. Are determined to be the same (S8). When L = 1, the sampling period B set by the timer elapses (S9), and when L ≠ 1, after the sampling period A set by the timer elapses (S10). Further, after substituting the second variable L for the first variable l (S11), the digital signal Sb is output from the A / D converter 5.
It returns to the step (S2) of inputting.

一方、ディジタル信号Sbとテーブルの目標出射光量P1
に対応するデータとを比較した結果(S3)、両者が通し
い場合(A/D=テーブルの場合)には、駆動電流Eを変
更させることなく前記タイマが設定するサンプリング周
期Aを経過した後(S10)、更に、第1の変数lに第2
の変数Lを代入してから(S11)、A/D変換器5からディ
ジタル信号Sbを入力するステップ(S2)に戻るようにな
っている。
On the other hand, the digital signal Sb and the target emission light amount P 1 of the table
As a result of comparison with the data corresponding to (S3), if both are passed (A / D = table), after the sampling period A set by the timer elapses without changing the drive current E, (S10) Further, the second variable is set to the first variable l.
After the variable L is substituted (S11), the process returns to the step (S2) of inputting the digital signal Sb from the A / D converter 5.

上記のように構成された半導体レーザ駆動装置によれ
ば、例えば第2図に示すように、半導体レーザ駆動装置
がオンされて、半導体レーザ2の出射光量Pの初期値が
示すP0であり、半導体レーザ2の目標出射光量がP1であ
るとすれば、第1図に示すように、A/D変換器5から初
期値P0に対応するディジタル信号SbがCPU6に入力され
(S2)、ディジタル信号Sbとテーブルの目標出射光量P1
に対応するデータとを比較した結果、ディジタル信号Sb
がテーブルの目標出射光量P1に対応するデータよりも小
さいと判定される(S3)、そして、駆動電流EをΔI増
加させるデータが出力信号Scとして出力され(S4)、こ
れによりV/I変換器1の出力がΔI増加され、半導体レ
ーザ2の出射光量Pが増大されることになる。
According to the semiconductor laser driving device configured as described above, for example, as shown in FIG. 2, the semiconductor laser driving device is turned on, and the initial value of the emitted light amount P of the semiconductor laser 2 is P 0 , if the target amount of light emitted semiconductor laser 2 to be P 1, as shown in FIG. 1, the digital signal Sb corresponding to the initial value P 0 from the a / D converter 5 is inputted to the CPU 6 (S2), Digital signal Sb and target emission light amount P 1 of table
As a result of comparison with the data corresponding to
There is judged to be smaller than the data corresponding to the target light emission amount P 1 of the table (S3), and the data to the drive current E increases ΔI is output as an output signal Sc (S4), thereby V / I conversion The output of the device 1 is increased by ΔI, and the emitted light amount P of the semiconductor laser 2 is increased.

この後、駆動電流EをΔI増加させたことを、第2の
変数Lを“Up"と置くことによってCPU6に記憶させる(S
5)。更に、この後、初期状態あるいは前回のサンプリ
ング時にこの変数Lに何が入力されていたかを第1の変
数lと比較することにより、駆動電流Eが連続して増加
されているか否かを調べる(S8)。連続して増加される
間は、CPU6の動作を独占的に出射光量の制御に使用する
スピードのサンプリング周期Bが経過してから次のサン
プリングが行われる(S2)。そして、このようにA/D変
換器5からCPU6へのデータ入力、データ比較、D/A変換
器8のデータ更新という一連の動作を所定のサンプリン
グ周期Bごとに繰り返すことにより、半導体レーザ2の
出射光量Pが短時間ΔT内に目標出射光量P1に達するこ
とになる。
Thereafter, the fact that the drive current E has been increased by ΔI is stored in the CPU 6 by setting the second variable L to “Up” (S
Five). Further, after that, it is checked whether or not the drive current E has been continuously increased by comparing what was input to this variable L in the initial state or at the time of the previous sampling with the first variable l ( S8). During the continuous increase, the next sampling is performed after the elapse of the sampling period B of the speed used exclusively for controlling the output light amount of the operation of the CPU 6 (S2). Then, a series of operations such as data input from the A / D converter 5 to the CPU 6, data comparison, and data update of the D / A converter 8 are repeated at a predetermined sampling period B, whereby the semiconductor laser 2 emission light intensity P is to reach a target light emission amount P 1 in a short time in the [Delta] T.

半導体レーザ2の出射光量Pが目標出射光量P1に達
し、ディジタル信号Sbとテーブルの目標出射光量P1に対
応するデータとが等しくなると、駆動電流Eを変更させ
ることなく前記タイマが設定するサンプリング周期Aを
経過した後(S10)、更に、第1の変数lに第2の変数
Lを代入してから(S11)、T1の時点でA/D変換器5から
ディジタル信号Sbを入力するステップ(S2)に戻る。
Light emission amount P of the semiconductor laser 2 has reached the target light emission amount P 1, when the data corresponding to the target light emission amount P 1 of the digital signal Sb and the table equal, sampling the timer without changing the drive current E is set after a lapse of period a (S10), further, since by substituting the second variable L to the first variable l (S11), and inputs the digital signal Sb from the a / D converter 5 at time T 1 Return to step (S2).

この時点T1では、ディジタル信号Sbがテーブルの目標
出射光量P1に対応するデータより大きくなっており、D/
A変換器8に出力されるデータは駆動電流EをΔI減少
させるデータとなる(S6)。従って、第2の変数Lは
“Down"と置かれ、前回のサンプリング時の状態と異な
ると判定され(S8)、サンプリング周期Aを経過した後
に(S10)、第1の定数lに第2の変数Lである“Down"
を代入してから(S11)、T2の時点で次のサンプリング
が行われることになる。この時点では、出射光量Pが目
標出射光量P1より小さくなっているので、D/A変換器8
に出力されるデータは駆動電流EをΔI増加させるデー
タとなる(S4)。また、この時には、第2の変数が“U
p"と置かれ(S5)、前回のサンプリング時の状態と異な
ると判定されるので(S8)、更に、サンプリング周期A
を経過した後(S10)、前記第1の変数lに第2の変数
Lである“Dewn"を代入してから(S11)、次のサンプリ
ングが行われることになる。
In this point T 1, the digital signal Sb is larger than the data corresponding to the target light emission amount P 1 of the table, D /
The data output to the A converter 8 is data for reducing the drive current E by ΔI (S6). Therefore, the second variable L is set to "Down", it is determined that the state is different from the state at the time of the previous sampling (S8), and after the lapse of the sampling period A (S10), the second constant L is set to the first constant l. "Down" which is a variable L
After substituting (S11), at time T 2 so that the next sampling is performed. At this point, since the emission light intensity P is smaller than the target light emission amount P 1, D / A converter 8
Is the data for increasing the drive current E by ΔI (S4). At this time, the second variable is “U
p "(S5), and is determined to be different from the state at the time of the previous sampling (S8).
(S10), the second variable L "Dewn" is substituted for the first variable l (S11), and then the next sampling is performed.

以後、サンプリング周期Aごとに駆動電流EをΔI増
加させる制御とΔI減少させる制御とが交互に繰り返さ
れることにより、半導体レーザ2の出射光量Pが目標出
射光量P1の所定範囲内で増減する安定状態に維持される
ことになる。
Thereafter, by the control for reducing control and ΔI to ΔI increases the drive current E for each sampling cycle A are repeated alternately, stable to light emission amount P of the semiconductor laser 2 is increased or decreased within a predetermined range of the target amount of light emitted P 1 State will be maintained.

また、駆動電流EをΔIよりも大きく変動させる必要
があるような目標出射光量P1から目標出射光量P2への変
更の場合にも、同様にして、変更したときからサンプリ
ング周期を短周期のサンプリング周期Bとすることによ
り短時間内に出射光量Pを新しい目標出射光量P2に到達
させることができる。
In the case of change of the drive current E from the target light emission amount P 1 as it is necessary to vary greater than ΔI to the target light emission amount P 2 also, similarly, from the time of changing the sampling period of the short period it can reach the light emission amount P in a short time by a sampling period B to the new target light emission amount P 2.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明の半導体レーザ駆動装置は、以上のように、半
導体レーザに駆動電流を供給する電流発生手段と、半導
体レーザの出射光量を検出し、その出射光量が所定範囲
内となるように前記電流発生手段の駆動電流値を設定す
るフィードバック制御手段と、該フィードバック制御手
段の作動周期を制御するサンプリング周期設定手段とを
備える半導体レーザ駆動装置において、上記フィーバッ
ク制御手段によって検出された半導体レーザの出射光量
が前記所定範囲内であるか否かを判定する比較手段を有
し、上記サンプリング周期設定手段は、前記比較手段の
出力の応答し、半導体レーザの出射光量が、所定範囲内
にあるときには前記フィードバック制御手段の作動周期
を長く設定し、前記所定範囲外であるときには前記作動
周期を短く設定するものである。
As described above, the semiconductor laser driving device according to the present invention includes a current generating unit that supplies a driving current to the semiconductor laser, and an output light amount of the semiconductor laser. In a semiconductor laser drive device comprising a feedback control means for setting a drive current value of the means and a sampling cycle setting means for controlling an operation cycle of the feedback control means, the emitted light amount of the semiconductor laser detected by the feedback control means Has a comparing means for determining whether or not is within the predetermined range, wherein the sampling cycle setting means responds to the output of the comparing means, and when the output light amount of the semiconductor laser is within the predetermined range, the feedback The operation cycle of the control means is set to be long, and when it is out of the predetermined range, the operation cycle is set to be short. Than it is.

これにより、半導体レーザの出射光量が目標出射光量
の範囲が大きく逸脱する場合には、フィードバック制御
手段の作動周期であるサンプリング周期を可能な限り短
縮して、出射光量が目標出射光量に到達するまでの時間
を短縮することができる一方、出射光量の目標出射光量
の範囲からの逸脱が小さいときにはサンプリング周期を
長くしてCPUの負担を軽減させることができるといった
効果を奏する。
Accordingly, when the emission light amount of the semiconductor laser greatly deviates from the range of the target emission light amount, the sampling cycle, which is the operation cycle of the feedback control means, is shortened as much as possible until the emission light amount reaches the target emission light amount. In addition, when the deviation of the emitted light amount from the range of the target emitted light amount is small, there is an effect that the sampling cycle is lengthened and the load on the CPU can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図ないし第3図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第1図は半導体レーザ駆動装置におけるCPU内に
組み込んだ制御プログラムの流れを示すフローチャー
ト、第2図はその駆動電流と出射光量との関係を示すI
−P特性および出射光量制御特性を示す特性図、第3図
は半導体レーザ駆動装置の概略を示すブロック構成図で
ある。第4図は従来の半導体レーザ駆動装置におけるI
−P特性および出射光量制御特性を示す特性図である。 1は電流発生手段としてのV/I変換器、2は半導体レー
ザ、3はフォトセンサ、4はI/V変換器、5はA/D変換
器、6はCPU、7はラッチ回路、8はD/A変換器である。
1 to 3 show one embodiment of the present invention. FIG. 1 is a flowchart showing the flow of a control program incorporated in a CPU in a semiconductor laser driving device, and FIG. Showing the relationship between the intensity and the amount of emitted light
FIG. 3 is a block diagram schematically showing a semiconductor laser driving device, showing a −P characteristic and an emission light amount control characteristic. FIG. 4 is a view showing a conventional semiconductor laser driving device.
FIG. 4 is a characteristic diagram illustrating a −P characteristic and an emission light amount control characteristic. 1 is a V / I converter as current generating means, 2 is a semiconductor laser, 3 is a photo sensor, 4 is an I / V converter, 5 is an A / D converter, 6 is a CPU, 7 is a latch circuit, 8 is It is a D / A converter.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−314569(JP,A) 特開 昭62−286292(JP,A) 特開 昭61−217080(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-63-314569 (JP, A) JP-A-62-286292 (JP, A) JP-A-61-217080 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体レーザに駆動電流を供給する電流発
生手段と、半導体レーザの出射光量を検出し、その出射
光量が所定範囲内となるように前記電流発生手段の駆動
電流値を設定するフィードバック制御手段と、該フィー
ドバック制御手段の作動周期を制御するサンプリング周
期設定手段とを備える半導体レーザ駆動装置において、 上記フィードバック制御手段によって検出された半導体
レーザの出射光量が前記所定範囲内であるか否かを判定
する比較手段を有し、 上記サンプリング周期設定手段は、前記比較手段の出力
に応答し、半導体レーザの出射光量が、所定範囲内にあ
るときには前記フィードバック制御手段の作動周期を長
く設定し、前記所定範囲外であるときには前記作動周期
を短く設定することを特徴とする半導体レーザ駆動装
置。
1. A current generating means for supplying a driving current to a semiconductor laser, and a feedback detecting a light emitting amount of the semiconductor laser and setting a driving current value of the current generating means so that the light emitting amount is within a predetermined range. A semiconductor laser driving device comprising a control unit and a sampling cycle setting unit for controlling an operation cycle of the feedback control unit, wherein the emitted light amount of the semiconductor laser detected by the feedback control unit is within the predetermined range. Wherein the sampling cycle setting means responds to the output of the comparing means, and sets the operation cycle of the feedback control means to be long when the emitted light amount of the semiconductor laser is within a predetermined range; The semiconductor laser drive is characterized in that the operating cycle is set to be short when it is out of the predetermined range. Apparatus.
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