JP2670916B2 - 位相差膜製造方法 - Google Patents
位相差膜製造方法Info
- Publication number
- JP2670916B2 JP2670916B2 JP3115584A JP11558491A JP2670916B2 JP 2670916 B2 JP2670916 B2 JP 2670916B2 JP 3115584 A JP3115584 A JP 3115584A JP 11558491 A JP11558491 A JP 11558491A JP 2670916 B2 JP2670916 B2 JP 2670916B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- support
- casting
- drying
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相差膜の製造方法に関
する、特に合成高分子溶液を走行するエンドレスの金属
板の支持体上に流延し、膜状物とした後、乾燥を行い、
支持体上より剥ぎ取り、更に後乾燥を行うプラスチック
フィルムによる液晶表示（ＬＣＤ）用位相差膜の製造方
法に関するものである。
する、特に合成高分子溶液を走行するエンドレスの金属
板の支持体上に流延し、膜状物とした後、乾燥を行い、
支持体上より剥ぎ取り、更に後乾燥を行うプラスチック
フィルムによる液晶表示（ＬＣＤ）用位相差膜の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来位相差膜の製造方法としては、溶液
流延法により複屈折を有するフイルムを製膜して、延伸
することにより位相差を生じさせている。（特開昭５６
−１３０７０３号公報参照）
流延法により複屈折を有するフイルムを製膜して、延伸
することにより位相差を生じさせている。（特開昭５６
−１３０７０３号公報参照）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら有機溶媒
に溶解された高分子溶液を走行する支持体上に流延して
プラスチックフィルムを製膜する一般の方法に於ては、
使用される有機溶媒に特に低沸点溶媒が多量に含まれる
場合は、ダイから高分子溶液を押し出す時ダイ先端です
ぐに溶媒蒸発が始まり、ダイ先端に高分子溶液が固着
し、スジ故障を発生させることがある。また小量の乾燥
風が当たってもその乾燥風の流れが均一でない場合は、
溶媒の蒸発が乾燥風の当たり方によって変わるために膜
状物の表面上に乾燥風による乾燥ムラが発生し、それが
フィルム内部に光学的ムラとして存在してしまう。平面
性としては全く問題がないために、単なる感光材料用支
持体としては全く問題ないが、光学的利用、例えば液晶
表示器（ＬＣＤ）用位相差膜など複屈折を利用するよう
な場合は品質上問題となる。又、特にＬＣＤ用位相差膜
の製造の場合、支持体から流延膜を剥がす場合に支持体
との付着力が強く、剥離できない場合があり問題であっ
た。更に溶液流延の場合、支持体から流延膜を剥がす場
合に、支持体との付着力が強いと剥離時に段状のムラに
なったり、剥ぎ取ることができない場合がある。又、溶
液系のため、流延後剥離までの時間を短くすると、溶媒
の蒸発が少なく、膜の強度が弱くなり剥離時に伸びが生
じて幅方向のムラとなったり、支持体に膜の一部が残る
剥げ残り現象が生じる場合があった。本発明の目的は上
記従来の問題点を解消し、剥離時のムラや剥げ残り現象
を防止し、品質の安定した、かつ製膜速度を上げること
の出来る位相差膜製造方法を提供することにある。
に溶解された高分子溶液を走行する支持体上に流延して
プラスチックフィルムを製膜する一般の方法に於ては、
使用される有機溶媒に特に低沸点溶媒が多量に含まれる
場合は、ダイから高分子溶液を押し出す時ダイ先端です
ぐに溶媒蒸発が始まり、ダイ先端に高分子溶液が固着
し、スジ故障を発生させることがある。また小量の乾燥
風が当たってもその乾燥風の流れが均一でない場合は、
溶媒の蒸発が乾燥風の当たり方によって変わるために膜
状物の表面上に乾燥風による乾燥ムラが発生し、それが
フィルム内部に光学的ムラとして存在してしまう。平面
性としては全く問題がないために、単なる感光材料用支
持体としては全く問題ないが、光学的利用、例えば液晶
表示器（ＬＣＤ）用位相差膜など複屈折を利用するよう
な場合は品質上問題となる。又、特にＬＣＤ用位相差膜
の製造の場合、支持体から流延膜を剥がす場合に支持体
との付着力が強く、剥離できない場合があり問題であっ
た。更に溶液流延の場合、支持体から流延膜を剥がす場
合に、支持体との付着力が強いと剥離時に段状のムラに
なったり、剥ぎ取ることができない場合がある。又、溶
液系のため、流延後剥離までの時間を短くすると、溶媒
の蒸発が少なく、膜の強度が弱くなり剥離時に伸びが生
じて幅方向のムラとなったり、支持体に膜の一部が残る
剥げ残り現象が生じる場合があった。本発明の目的は上
記従来の問題点を解消し、剥離時のムラや剥げ残り現象
を防止し、品質の安定した、かつ製膜速度を上げること
の出来る位相差膜製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の上記目
的は、高分子溶液を支持体に流延して製膜し、その後延
伸して位相差膜を製造する方法において、前記高分子溶
液に一般式（１）に示すリン酸エステル系界面活性剤を
添加して流延することを特徴とする位相差膜製造方法、
的は、高分子溶液を支持体に流延して製膜し、その後延
伸して位相差膜を製造する方法において、前記高分子溶
液に一般式（１）に示すリン酸エステル系界面活性剤を
添加して流延することを特徴とする位相差膜製造方法、
【０００５】一般式
【化２】
【０００６】 但し：Ｒ1 ：炭素数６以上のアルキル基、またはアルケ
ニル基 炭素数６以上のアルキル基またはアルケニル基を有する
アリール基 Ｒ2 ：炭化水素基 Ｌ1 ：二価の連結基 ｎ１：０または１ Ｍ1 ：水素原子またはカチオン Ｒ3 ：Ｍ2 またはＲ4 −（Ｌ2 ）n2−Ｒ5 （Ｒ4 とＲ1 と同義，Ｌ2 はＬ1と同義，n2はn1と同
義，Ｒ5 はＲ2 と同義，Ｍ2 はＭ1 と同義） 及び、前記溶液流延製膜方法が有機溶媒に溶解された前
記高分子溶液を走行するエンドレスの金属板の支持体上
に流延し、膜状物とした後、乾燥を行い、該支持体上よ
り剥ぎ取り、更に後乾燥を行うプラスチックフィルムの
流延製膜方法であって、前記支持体の裏面側より支持体
を輻射熱源によって加熱し、かつ膜状物の残留溶剤が３
５重量％以下に至る迄の範囲は該支持体上の表面側膜状
物は乾燥風を用いず輻射熱源によってのみ加熱し乾燥さ
せることを特徴とする請求項１記載の位相差膜製造方法
によって達成される。
ニル基 炭素数６以上のアルキル基またはアルケニル基を有する
アリール基 Ｒ2 ：炭化水素基 Ｌ1 ：二価の連結基 ｎ１：０または１ Ｍ1 ：水素原子またはカチオン Ｒ3 ：Ｍ2 またはＲ4 −（Ｌ2 ）n2−Ｒ5 （Ｒ4 とＲ1 と同義，Ｌ2 はＬ1と同義，n2はn1と同
義，Ｒ5 はＲ2 と同義，Ｍ2 はＭ1 と同義） 及び、前記溶液流延製膜方法が有機溶媒に溶解された前
記高分子溶液を走行するエンドレスの金属板の支持体上
に流延し、膜状物とした後、乾燥を行い、該支持体上よ
り剥ぎ取り、更に後乾燥を行うプラスチックフィルムの
流延製膜方法であって、前記支持体の裏面側より支持体
を輻射熱源によって加熱し、かつ膜状物の残留溶剤が３
５重量％以下に至る迄の範囲は該支持体上の表面側膜状
物は乾燥風を用いず輻射熱源によってのみ加熱し乾燥さ
せることを特徴とする請求項１記載の位相差膜製造方法
によって達成される。
【０００７】本発明における位相差膜としては複屈折性
を有するものでポリスチレンおよびスチレン・アクリロ
ニトリル共重合体の他、ポリカーボネート、ポリメタク
リル酸メチル、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
エチレン、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホン、
ポリフェニレンオキサイド等である。又、本発明に用い
る溶媒としては、メチレンクロライドなどの塩素化炭化
水素、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、
トルエンなどの芳香族などから選択される。本発明に用
いるリン酸エステル系化合物の使用量は固形分に対して
０．０００１〜０．２ｗｔ％、好ましくは０．００１〜
０．１ｗｔ％である。本発明に用いるリン酸エステル系
化合物は一般式（１）として
を有するものでポリスチレンおよびスチレン・アクリロ
ニトリル共重合体の他、ポリカーボネート、ポリメタク
リル酸メチル、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
エチレン、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホン、
ポリフェニレンオキサイド等である。又、本発明に用い
る溶媒としては、メチレンクロライドなどの塩素化炭化
水素、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、
トルエンなどの芳香族などから選択される。本発明に用
いるリン酸エステル系化合物の使用量は固形分に対して
０．０００１〜０．２ｗｔ％、好ましくは０．００１〜
０．１ｗｔ％である。本発明に用いるリン酸エステル系
化合物は一般式（１）として
【０００８】一般式（１）
【化３】
【０００９】但し：Ｒ1 ：炭素数６以上のアルキル基、
またはアルケニル基 炭素数６以上のアルキル基またはアルケニル基を有する
アリール基 Ｒ2 ：炭化水素基 Ｌ1 ：二価の連結基 ｎ１：０または１ Ｍ1 ：水素原子またはカチオン Ｒ3 ：Ｍ2 またはＲ4 −（Ｌ2 ）n2−Ｒ5 （Ｒ4 とＲ1 と同義，Ｌ2 はＬ1と同義，n2はn1と同
義，Ｒ5 はＲ2 と同義，Ｍ2 はＭ1 と同義） 具体的には、 Ｒ2 の炭化水素基はアルキレン基又はフェニレン基であ
り、Ｌ1 の二価の連結基は−Ｏ（Ｃ2Ｈ4Ｏ）m1− 、−
Ｏ（Ｃ3Ｈ6Ｏ）m2−（ｍ１，ｍ２：０〜５０）、−ＳＯ
2ＮＨ−，または−ＣＯＮＨ−であり、Ｍ1のカチオンは
アルカリ金属，アルカリ土類金属，またはアルキルアン
モニウム塩である。 好ましくは Ｒ1 ：炭素数８〜３６のアルキル基もしくはアルケニル
基、または 炭素数８〜３６のアルキル基もしくはアルケニル基を有
するフェニル基である。 具体的には、以下の基が挙げられる。
またはアルケニル基 炭素数６以上のアルキル基またはアルケニル基を有する
アリール基 Ｒ2 ：炭化水素基 Ｌ1 ：二価の連結基 ｎ１：０または１ Ｍ1 ：水素原子またはカチオン Ｒ3 ：Ｍ2 またはＲ4 −（Ｌ2 ）n2−Ｒ5 （Ｒ4 とＲ1 と同義，Ｌ2 はＬ1と同義，n2はn1と同
義，Ｒ5 はＲ2 と同義，Ｍ2 はＭ1 と同義） 具体的には、 Ｒ2 の炭化水素基はアルキレン基又はフェニレン基であ
り、Ｌ1 の二価の連結基は−Ｏ（Ｃ2Ｈ4Ｏ）m1− 、−
Ｏ（Ｃ3Ｈ6Ｏ）m2−（ｍ１，ｍ２：０〜５０）、−ＳＯ
2ＮＨ−，または−ＣＯＮＨ−であり、Ｍ1のカチオンは
アルカリ金属，アルカリ土類金属，またはアルキルアン
モニウム塩である。 好ましくは Ｒ1 ：炭素数８〜３６のアルキル基もしくはアルケニル
基、または 炭素数８〜３６のアルキル基もしくはアルケニル基を有
するフェニル基である。 具体的には、以下の基が挙げられる。
【００１０】
【化４】
【００１１】Ｒ2 ：炭素数１〜１０のアルキレン基また
はフェニレン基である。化合物例としては化５，化６，
化７に示すとおりである。 Ｌ1 ：−Ｏ（Ｃ2Ｈ4Ｏ）m1−、−Ｏ（Ｃ3Ｈ6Ｏ）m2−
（ｍ１，ｍ２：１〜１０）、−ＣＯＮＨ−である。 Ｍ1 は水素原子，Ｎａ，Ｋａ，Ｌｉ，Ｃａ，Ｍｇ，又は
ＨＮＨt（Ｒ6 ）3-t 〔ここでＲ6 は置換または非置換
のアルキル基、t は０，１または２，具体的にはＨＮＨ
2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ，ＨＮＨ（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）2 ，ＨＮ
（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）3 ，ＨＮ（Ｃ2Ｈ5）3 〕
はフェニレン基である。化合物例としては化５，化６，
化７に示すとおりである。 Ｌ1 ：−Ｏ（Ｃ2Ｈ4Ｏ）m1−、−Ｏ（Ｃ3Ｈ6Ｏ）m2−
（ｍ１，ｍ２：１〜１０）、−ＣＯＮＨ−である。 Ｍ1 は水素原子，Ｎａ，Ｋａ，Ｌｉ，Ｃａ，Ｍｇ，又は
ＨＮＨt（Ｒ6 ）3-t 〔ここでＲ6 は置換または非置換
のアルキル基、t は０，１または２，具体的にはＨＮＨ
2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ，ＨＮＨ（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）2 ，ＨＮ
（ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ）3 ，ＨＮ（Ｃ2Ｈ5）3 〕
【００１２】
【化５】
【００１３】
【化６】
【００１４】
【化７】
【００１５】本発明における流延製膜法においては、高
分子溶液中の高分子の濃度は４０重量％以下が好ましい
が、高分子の分子量によって変化する。ドープの温度は
４０℃以下が好ましい。流延時の膜厚は完成膜厚によっ
て変化し、完成膜厚は５０μｍ〜２００μｍが好まし
い。本発明において、支持体の裏面側より支持体を輻射
熱源によって加熱するということは、支持体の裏面全面
に対して遠赤外線加熱又は高周波加熱等を行うことで、
具体的には上記ヒータ，又は誘電加熱ヒータ等がこれに
用いられる。これは従来の表面側の熱風によるだけの乾
燥が、膜状物の裏面側が溶剤の蒸発によって冷えたまま
であるのに比して、本発明はむしろ膜表面からの溶剤の
蒸発熱を裏面から供給する面において、膜状物の温度が
裏面側が表面側より上昇する点において大きく異なり、
全体として蒸発に対する溶剤の表面側への移動が有利に
なる。
分子溶液中の高分子の濃度は４０重量％以下が好ましい
が、高分子の分子量によって変化する。ドープの温度は
４０℃以下が好ましい。流延時の膜厚は完成膜厚によっ
て変化し、完成膜厚は５０μｍ〜２００μｍが好まし
い。本発明において、支持体の裏面側より支持体を輻射
熱源によって加熱するということは、支持体の裏面全面
に対して遠赤外線加熱又は高周波加熱等を行うことで、
具体的には上記ヒータ，又は誘電加熱ヒータ等がこれに
用いられる。これは従来の表面側の熱風によるだけの乾
燥が、膜状物の裏面側が溶剤の蒸発によって冷えたまま
であるのに比して、本発明はむしろ膜表面からの溶剤の
蒸発熱を裏面から供給する面において、膜状物の温度が
裏面側が表面側より上昇する点において大きく異なり、
全体として蒸発に対する溶剤の表面側への移動が有利に
なる。
【００１６】本発明において、膜状物の残留溶剤が３５
重量％以下に至る迄は、該支持体の表面側膜状物は乾燥
風を用いず、上記同様輻射熱源によってのみ加熱し乾燥
させるということは、残留溶剤が３５重量％以上の場合
においては、従来の乾燥ムラの原因は膜面上の乾燥風の
対流の部分的差によって膜面のムラを起こすので、即
ち、熱風による対流乾燥は、膜面表面において乾燥風の
流れによる境膜の部分的乾燥速度の違いにより部分的ム
ラを発生させるのに対し、本発明においては膜自身の温
度上昇によるのみの蒸発による乾燥で、全面において緩
徐で均一な乾燥が出来る大いなる差を生じる。従って、
本発明の方法は専ら輻射熱による膜状物の加熱による全
表面における自然蒸発のみをおこさせることに特徴があ
る。従って輻射熱源は前記膜状物の面に均一に照射され
るように設備することが大切であり、且、膜状物が発泡
しないように上限の温度を押えることが必要である。
重量％以下に至る迄は、該支持体の表面側膜状物は乾燥
風を用いず、上記同様輻射熱源によってのみ加熱し乾燥
させるということは、残留溶剤が３５重量％以上の場合
においては、従来の乾燥ムラの原因は膜面上の乾燥風の
対流の部分的差によって膜面のムラを起こすので、即
ち、熱風による対流乾燥は、膜面表面において乾燥風の
流れによる境膜の部分的乾燥速度の違いにより部分的ム
ラを発生させるのに対し、本発明においては膜自身の温
度上昇によるのみの蒸発による乾燥で、全面において緩
徐で均一な乾燥が出来る大いなる差を生じる。従って、
本発明の方法は専ら輻射熱による膜状物の加熱による全
表面における自然蒸発のみをおこさせることに特徴があ
る。従って輻射熱源は前記膜状物の面に均一に照射され
るように設備することが大切であり、且、膜状物が発泡
しないように上限の温度を押えることが必要である。
【００１７】本発明において、膜状物の残留溶剤が３５
重量％以下になったら乾燥ムラの心配もなくなるので、
従来の様に熱風を用いて強制的に乾燥させてもよいが、
残留溶剤が３５重量％以上の時は表面側膜状物を熱風乾
燥を行なわず溶剤濃度の濃い、（乾燥空気を使用してい
ないので）雰囲気の中で表裏両面より輻射加熱し、した
がってバンド上においては全面均一に緩徐な乾燥を行
い、３５重量％以下の残留溶剤にして、バンドから剥取
った後、本格的な乾燥は後乾燥の装置で乾燥させる方法
を行うことも出来る。そうすることによって生産スピー
ドを更に上昇させることも期待出来る。更に本発明のエ
ンドレスの金属板の支持体としては、支持体がバンドの
場合とドラムの場合があるが、本発明はむしろ経路を長
く有するバンドを支持体として流延装置に用いるのが効
果的である。
重量％以下になったら乾燥ムラの心配もなくなるので、
従来の様に熱風を用いて強制的に乾燥させてもよいが、
残留溶剤が３５重量％以上の時は表面側膜状物を熱風乾
燥を行なわず溶剤濃度の濃い、（乾燥空気を使用してい
ないので）雰囲気の中で表裏両面より輻射加熱し、した
がってバンド上においては全面均一に緩徐な乾燥を行
い、３５重量％以下の残留溶剤にして、バンドから剥取
った後、本格的な乾燥は後乾燥の装置で乾燥させる方法
を行うことも出来る。そうすることによって生産スピー
ドを更に上昇させることも期待出来る。更に本発明のエ
ンドレスの金属板の支持体としては、支持体がバンドの
場合とドラムの場合があるが、本発明はむしろ経路を長
く有するバンドを支持体として流延装置に用いるのが効
果的である。
【００１８】本発明の効果を更に明確に説明するため
に、図を用いて説明する。図１は本発明の流延製膜方法
の１実施例のバンド式流延装置の側面断面図である。図
１において、有機溶媒に溶解された高分子溶液がダイ１
に補給せられダイ１よりエンドレスの金属板のバンド状
支持体２の上に流延され、膜状物となった後、該支持体
の進行と共に流延装置の上部バンド部分を進行する。流
延部のダイ１の真下に存在する前部ドラム４は通常冷水
７を通し、前部ドラム部表面を冷却し、併せて前部ドラ
ム表面上を走行するエンドレスのバンドを冷却し、ダイ
１より流延される高分子溶液の膜状物のセットを良化す
るようになっている。流延された膜状物は流延装置の上
バンド部でバンド裏面よりの蒸気ヒータや誘電加熱ヒー
タ３よりの輻射熱を受け、バンドの温度を上昇させ、そ
れによって膜状物も加熱されて温度を上昇させる。又こ
の部分は表面も蒸気ヒータまたは誘電加熱ヒータ３によ
り輻射熱を膜状物に与えられ乾燥風がないのでその熱に
よって膜面全体が自然蒸発的に均一に乾燥が進む、この
部分の雰囲気は溶媒の蒸発によってその蒸気圧が高まる
ので、適当な雰囲気の交換が必要であるが、この雰囲気
の交換は、膜状物の乾燥速度に強いかつ局部的な影響を
与えることがない様に交換されなければならない。
に、図を用いて説明する。図１は本発明の流延製膜方法
の１実施例のバンド式流延装置の側面断面図である。図
１において、有機溶媒に溶解された高分子溶液がダイ１
に補給せられダイ１よりエンドレスの金属板のバンド状
支持体２の上に流延され、膜状物となった後、該支持体
の進行と共に流延装置の上部バンド部分を進行する。流
延部のダイ１の真下に存在する前部ドラム４は通常冷水
７を通し、前部ドラム部表面を冷却し、併せて前部ドラ
ム表面上を走行するエンドレスのバンドを冷却し、ダイ
１より流延される高分子溶液の膜状物のセットを良化す
るようになっている。流延された膜状物は流延装置の上
バンド部でバンド裏面よりの蒸気ヒータや誘電加熱ヒー
タ３よりの輻射熱を受け、バンドの温度を上昇させ、そ
れによって膜状物も加熱されて温度を上昇させる。又こ
の部分は表面も蒸気ヒータまたは誘電加熱ヒータ３によ
り輻射熱を膜状物に与えられ乾燥風がないのでその熱に
よって膜面全体が自然蒸発的に均一に乾燥が進む、この
部分の雰囲気は溶媒の蒸発によってその蒸気圧が高まる
ので、適当な雰囲気の交換が必要であるが、この雰囲気
の交換は、膜状物の乾燥速度に強いかつ局部的な影響を
与えることがない様に交換されなければならない。
【００１９】図１は、バンド式流延製膜装置において、
全工程を輻射加熱による均一にして緩徐な乾燥を行い、
流延製膜装置の終りで剥取ってフィルム６にした後、後
乾燥装置（図示せず）で充分な乾燥が行われる時の流延
製膜装置の状態を示している。極めて平面性が要求され
るフィルムに関しては、上記のように流延後暫くの間無
風状態を保つことで、レベリングの効果が促進され平面
性を向上させることができる。支持体上で乾燥が進み、
膜状物の流動が完全に止る時、即ち残留溶剤が３５重量
％以下になった時に乾燥風を当ててもよいが、その乾燥
風は流延口には影響を与えないような工夫をする必要が
ある。本発明は又図２において、流延部より支持体の約
２／３迄の範囲で膜状物の残留溶剤が３５重量％以下に
なる様に乾燥させて２／３以後の領域では、乾燥を促進
する意味において、図２のように下バンド部の乾燥風１
０として熱風によって乾燥させる方法も採用できる。
全工程を輻射加熱による均一にして緩徐な乾燥を行い、
流延製膜装置の終りで剥取ってフィルム６にした後、後
乾燥装置（図示せず）で充分な乾燥が行われる時の流延
製膜装置の状態を示している。極めて平面性が要求され
るフィルムに関しては、上記のように流延後暫くの間無
風状態を保つことで、レベリングの効果が促進され平面
性を向上させることができる。支持体上で乾燥が進み、
膜状物の流動が完全に止る時、即ち残留溶剤が３５重量
％以下になった時に乾燥風を当ててもよいが、その乾燥
風は流延口には影響を与えないような工夫をする必要が
ある。本発明は又図２において、流延部より支持体の約
２／３迄の範囲で膜状物の残留溶剤が３５重量％以下に
なる様に乾燥させて２／３以後の領域では、乾燥を促進
する意味において、図２のように下バンド部の乾燥風１
０として熱風によって乾燥させる方法も採用できる。
【００２０】
【００２１】本発明を実施例をあげてその効果を示す。
但し、本発明は本実施例のみに拘束されるものではな
い。（実施例−１） スチレン／アクリロニトリル共重
合体（比率６６／３４，平均分子量２０万、スタイラッ
クＡＳ−７０３，旭化成）をメチレンクロライドに溶解
した２５重量％の高分子溶液（ドープ）に、リン酸エス
テル系界面活性剤として化５の１に示すものを固形分に
対して０．０１重量％添加し、完全均一な溶液にした。
溶液を濾過し、キャスティングダイより液膜厚４００μ
ｍで支持体上に流延し、発泡しない温度で１２分乾燥さ
せ、支持体より剥ぎ取った。剥ぎ取り時の残留揮発分を
２１重量％以下にした時、支持体より剥ぎ取る時の抵抗
がなく、段ムラのない良好な膜となった。この膜を後乾
燥で十分乾燥させ、１０５℃の雰囲気で２．５倍延伸し
たところ、得られたフィルムのレターデーション値（Ｒ
ｅ値）は３００ｎｍを示し、位相差膜としての機能を現
わした。（実施例−２） 実施例−１において界面活性
剤として化５の化合物７および１６を同条件で添加した
ところ剥離は非常に軽くなり、良好な膜となった。
但し、本発明は本実施例のみに拘束されるものではな
い。（実施例−１） スチレン／アクリロニトリル共重
合体（比率６６／３４，平均分子量２０万、スタイラッ
クＡＳ−７０３，旭化成）をメチレンクロライドに溶解
した２５重量％の高分子溶液（ドープ）に、リン酸エス
テル系界面活性剤として化５の１に示すものを固形分に
対して０．０１重量％添加し、完全均一な溶液にした。
溶液を濾過し、キャスティングダイより液膜厚４００μ
ｍで支持体上に流延し、発泡しない温度で１２分乾燥さ
せ、支持体より剥ぎ取った。剥ぎ取り時の残留揮発分を
２１重量％以下にした時、支持体より剥ぎ取る時の抵抗
がなく、段ムラのない良好な膜となった。この膜を後乾
燥で十分乾燥させ、１０５℃の雰囲気で２．５倍延伸し
たところ、得られたフィルムのレターデーション値（Ｒ
ｅ値）は３００ｎｍを示し、位相差膜としての機能を現
わした。（実施例−２） 実施例−１において界面活性
剤として化５の化合物７および１６を同条件で添加した
ところ剥離は非常に軽くなり、良好な膜となった。
【００２２】（比較例−１） 実施例−１において界面
活性剤を全く用いなかった場合は、残留揮発分が２１重
量％で剥ぎ取り時に段ムラを生じた。揮発分を高くする
と、膜が伸びたり、剥ぎ残り現象を生じ、低くすると、
剥離荷重が大きくなり、剥ぎ取れなかった。
活性剤を全く用いなかった場合は、残留揮発分が２１重
量％で剥ぎ取り時に段ムラを生じた。揮発分を高くする
と、膜が伸びたり、剥ぎ残り現象を生じ、低くすると、
剥離荷重が大きくなり、剥ぎ取れなかった。
【００２３】（実施例−３） 実施例−１において、図
１に示すように、支持体の表面に輻射熱源として蒸気を
用いたフィン状の間接加熱ヒーターを入れ、乾燥風を止
めて流延し、残留溶剤３５重量％で剥取った後、後乾燥
装置によって乾燥したものは、風ムラもスジ又段ムラも
ない、且つ極めて光学的に面状の良い製品が得られた。
又、スピードアップも可能となった。
１に示すように、支持体の表面に輻射熱源として蒸気を
用いたフィン状の間接加熱ヒーターを入れ、乾燥風を止
めて流延し、残留溶剤３５重量％で剥取った後、後乾燥
装置によって乾燥したものは、風ムラもスジ又段ムラも
ない、且つ極めて光学的に面状の良い製品が得られた。
又、スピードアップも可能となった。
【００２４】
【発明の効果】本発明の位相差膜製造方法により、膜の
剥離荷重を小さくし、剥離時の段ムラやスジの発生のな
い光学的品質の優れた均一なフィルムが得られた。しか
も流延後剥離までの時間を短かくすることができるの
で、高速度で生産することが可能となった。
剥離荷重を小さくし、剥離時の段ムラやスジの発生のな
い光学的品質の優れた均一なフィルムが得られた。しか
も流延後剥離までの時間を短かくすることができるの
で、高速度で生産することが可能となった。
【図１】本発明に用いると有効な流延製膜方法の１実施
例のバンド式流延製膜装置の側面断面図。
例のバンド式流延製膜装置の側面断面図。
【図２】本発明に用いると有効な流延製膜方法の他の実
施例の装置の側面断面図。
施例の装置の側面断面図。
【図３】従来の流延製造方法の一例の装置の側面断面
図。
図。
１ ダイ ２ 支持体 ３ 加熱ヒータ ４ 前部ドラム ５ 後部ドラム ６ フィルム ７ 冷水管 ８ 温水管 ９ 上バンド部の乾燥風 １０ 下バンド部の乾燥風
Claims (2)
- 【請求項１】 高分子溶液を支持体に流延して製膜し、
その後延伸して位相差膜を製造する方法において、高分
子溶液に一般式（１）に示すリン酸エステル系界面活性
剤を添加して流延することを特徴とする位相差膜製造方
法。一般式（１） 【化１】 但し：Ｒ1 ：炭素数６以上のアルキル基、またはアルケ
ニル基 炭素数６以上のアルキル基またはアルケニル基を有する
アリール基 Ｒ2 ：炭化水素基 Ｌ1 ：二価の連結基 ｎ１：０または１ Ｍ1 ：水素原子またはカチオン Ｒ3 ：Ｍ2 またはＲ4 −（Ｌ2 ）n2−Ｒ5 （Ｒ4 とＲ1 と同義，Ｌ2 はＬ1と同義，n2はn1と同
義，Ｒ5 はＲ2 と同義，Ｍ2 はＭ1 と同義） - 【請求項２】 前記溶液流延製膜方法が有機溶媒に溶解
された前記高分子溶液を走行するエンドレスの金属板の
支持体上に流延し、膜状物とした後、乾燥を行い、該支
持体上より剥ぎ取り、更に後乾燥を行うプラスチックフ
ィルムの流延製膜方法であって、前記支持体の裏面側よ
り支持体を輻射熱源によって加熱し、かつ膜状物の残留
溶剤が３５重量％以下に至る迄の範囲は該支持体上の表
面側膜状物は乾燥風を用いず輻射熱源によってのみ加熱
し乾燥させることを特徴とする請求項１記載の位相差膜
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115584A JP2670916B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 位相差膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115584A JP2670916B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 位相差膜製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320203A JPH04320203A (ja) | 1992-11-11 |
| JP2670916B2 true JP2670916B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=14666211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3115584A Expired - Lifetime JP2670916B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 位相差膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2670916B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2952449B2 (ja) * | 1992-06-03 | 1999-09-27 | 日石三菱株式会社 | 液晶表示素子用補償板の製造法 |
| JP7196535B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2022-12-27 | 三菱ケミカル株式会社 | 偏光膜製造用ポリビニルアルコール系フィルム、およびそれを用いてなる偏光膜、偏光板 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP3115584A patent/JP2670916B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04320203A (ja) | 1992-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4087569A (en) | Prebaking treatment for resist mask composition and mask making process using same | |
| JP2005517974A5 (ja) | ||
| JP2670916B2 (ja) | 位相差膜製造方法 | |
| EP2270560A2 (en) | Optical device | |
| TW201113930A (en) | Methods of forming patterns on substrates | |
| TW200843587A (en) | Methods of forming printed circuit boards having optical functionality | |
| JP5108851B2 (ja) | スルホン化ポリエーテルエーテルケトンケトン、これを用いたフィルム、およびその作製方法 | |
| Karthaus et al. | Solvent Resistant Honeycomb Films from Photo‐Crosslinkable Polycinnamate | |
| JPS60244537A (ja) | プラスチツクスの被覆フイルム | |
| JPS6346112B2 (ja) | ||
| CN111819637B (zh) | 导电膜及其制造方法、导电体、抗蚀剂图形的形成方法及层叠体 | |
| JP2003286336A (ja) | 透明の導電性層の製造方法、こうして得られる層並びにその使用 | |
| JP2005527847A5 (ja) | ||
| US4816383A (en) | Method for forming fine patterns of conjugated polymers | |
| US5080931A (en) | Doped polymer films for waveguides | |
| JPH0798410A (ja) | 位相差膜の製造方法 | |
| Charlier et al. | Crosslinked polyimide foams derived from pyromellitic dianhydride and 1, 1-bis (4-aminophenyl)-1-phenyl-2, 2, 3-trifluoroethane with poly (α-methylstyrene) | |
| KR101719056B1 (ko) | 광학 필름의 제조 방법, 이를 이용하여 제조되는 광학 필름, 이를 포함하는 편광판 및 액정표시장치 | |
| JPS63191822A (ja) | 導電性フイルムの製造方法 | |
| TWI625214B (zh) | Conductive polymer self-standing film, method of forming the same, and conductive laminate | |
| JP2988636B2 (ja) | 光学等方性を有するポリアリレートフィルムおよびその製造方法 | |
| KR100261653B1 (ko) | 광반응 촉진제를 포함하는 고분자 배향막 | |
| JP2002067520A (ja) | 乾燥装置 | |
| US6706454B2 (en) | Method for the production of a printing plate using particle growing acceleration by an additive polymer | |
| JPS6167224A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 14 |