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JP2667206B2 - Ion source test equipment - Google Patents

Ion source test equipment

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Publication number
JP2667206B2
JP2667206B2 JP63155864A JP15586488A JP2667206B2 JP 2667206 B2 JP2667206 B2 JP 2667206B2 JP 63155864 A JP63155864 A JP 63155864A JP 15586488 A JP15586488 A JP 15586488A JP 2667206 B2 JP2667206 B2 JP 2667206B2
Authority
JP
Japan
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current
ion source
filament
chamber
test
Prior art date
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JP63155864A
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Japanese (ja)
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JPH025335A (en
Inventor
正義 川崎
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Publication of JPH025335A publication Critical patent/JPH025335A/en
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、イオン源テスト装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to an ion source test apparatus.

(従来の技術) イオン注入装置では、チャンバー内にセットされたイ
オン源のフィラメントに通電し、フィラメントの加熱に
よって放出される熱電子が、チャンバー内のキャリアガ
スをイオン化し、このイオン化されたガスに基づきウエ
ハに対するイオン注入を実行している。
(Prior Art) In an ion implantation apparatus, a filament of an ion source set in a chamber is energized, and thermions emitted by heating the filament ionize a carrier gas in the chamber, and the ionized gas is converted into a gas. The ion implantation for the wafer is performed based on the above.

ここで、上記イオン注入装置にセットされるイオン源
は、熱陰極として用いられるフィラメントの消耗,フィ
ラメント絶縁用のインシュレータ,アークチャンバーの
汚れ等による、フィラメントの交換、あるいはイオン源
の分解後に定期的なクリーニング等を頻繁に行う必要が
ある。
Here, the ion source set in the above-mentioned ion implantation apparatus is periodically replaced after the filament is replaced or the ion source is disassembled due to the wear of the filament used as the hot cathode, the insulator for filament insulation, the contamination of the arc chamber, and the like. It is necessary to frequently perform cleaning and the like.

通常、この種のイオン源を複数持ち、寿命がきたら保
守の終わっているイオン源と交換し、その間に汚染され
ているイオン源のクリーニング,フィラメント交換等を
実施している。
Usually, a plurality of ion sources of this kind are provided, and after the end of their life, they are replaced with ion sources whose maintenance has been completed, and during that time, cleaning of the contaminated ion sources, replacement of filaments, and the like are performed.

(発明が解決しようとする問題点) イオン注入装置に使用されるイオン源は、上記のよう
に定期的な保守のためにイオン注入装置より離脱される
ことになるが、これを再度イオン注入装置にセットした
場合、分解,組み立てにより不備が生ずることが在り、
従来はイオン注入装置でイオン源を装着して稼動した場
合に、上記の不備が発見されていた。したがって、この
ような場合にはイオン注入装置の稼動が停止され、異な
るイオン源を再セットするか、あるいはそのイオン源の
不備を修理して使用する方法が採用されていた。
(Problems to be Solved by the Invention) The ion source used in the ion implantation apparatus is detached from the ion implantation apparatus for regular maintenance as described above, and this is again replaced by the ion implantation apparatus. When set to, defects may occur due to disassembly and assembly,
Conventionally, the above-mentioned deficiencies were found when the ion implantation apparatus was operated with an ion source attached. Accordingly, in such a case, the operation of the ion implantation apparatus is stopped, and a method of resetting a different ion source or repairing the defect of the ion source and using the same is adopted.

このように、従来ではイオン源をイオン注入装置にセ
ットした後に、イオン源の動作不備が発見されていたの
で、その装着,離脱に手間取り、イオン注入装置の稼動
率も悪かった。
As described above, conventionally, after the ion source was set in the ion implanter, it was discovered that the ion source was defective in its operation. Therefore, it was time-consuming to attach and detach the ion source, and the operating rate of the ion implanter was poor.

そこで、本発明の目的とするところは、上記点に対処
して成されたもので、交換によりイオン注入装置にセッ
トされるイオン源の正常な動作を保障するために、イオ
ン源の機能テストを実行することができるイオン源テス
ト装置を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention has been made in view of the above points, and in order to guarantee the normal operation of the ion source set in the ion implanter by replacement, a function test of the ion source is performed. An object of the present invention is to provide an ion source test apparatus that can be executed.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 請求項1の発明に係るイオン源テスト装置は、熱電子
放出部を絶縁して支持するアークチャンバー内でキャリ
アガスをイオン可能なイオン源の機能テストを実行する
ものであって、 被テスト体である前記イオン源の熱電子放出部が真空
雰囲気に設定されるように、内部を真空引き可能なチャ
ンバーと、 このチャンバーにセットされる前記イオン源の熱電子
放出部へ通電し、かつ、前記熱電子放出部に通電する電
流値が可変である通電手段と、 前記熱電子放出部より前記アークチャンバーに流れ込
む電流を検出する電流検出手段と、 前記電流検出手段にて検出された電流と予め定められ
た基準値とを比較する比較手段と、 前記比較手段での比較結果に基づき、異常状態を表示
する表示手段と、 を有し、 前記通電手段、前記電流検出手段及び前記比較手段
が、電流リークテストと熱電子放出量判定テストとに兼
用され、前記通電手段より前記熱電子放出部に通電され
る電流値が高いときの前記電流検出手段での検出電流
が、基準値よりも低いと前記比較手段にて判定された時
には、前記表示手段に熱電子放出量異常が表示され、前
記通電手段より前記熱電子放出部に通電される電流値が
低いときの前記電流検出手段での検出電流が、基準値よ
りも高い前記比較手段にて判定された時には、前記表示
手段に電流リーク異常が表示されることを特徴とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) An ion source test apparatus according to the invention of claim 1 is an ion source capable of ionizing a carrier gas in an arc chamber that insulates and supports a thermoelectron emission unit. And a chamber whose interior can be evacuated so that the thermoelectron emission portion of the ion source, which is the test object, is set in a vacuum atmosphere. Energizing means for energizing the thermoelectron emitting portion of the ion source, and a current value for energizing the thermoelectron emitting portion being variable; current detecting means for detecting a current flowing from the thermoelectron emitting portion into the arc chamber; A comparing unit that compares a current detected by the current detecting unit with a predetermined reference value; and a display unit that displays an abnormal state based on a comparison result of the comparing unit. Wherein the energizing means, the current detecting means, and the comparing means are also used for a current leak test and a thermoelectron emission amount determination test, and a current value applied to the thermoelectron emitting section by the energizing means is When the comparing means determines that the current detected by the current detecting means when the current is high is lower than a reference value, the display means displays an abnormality in the amount of thermionic emission, and the thermoelectric emission from the energizing means is performed. The current leak abnormality is displayed on the display means when the current detected by the current detection means when the current value supplied to the unit is low is determined by the comparison means higher than a reference value. And

請求項2の発明は、被テスト体である前記イオン源
は、前記熱電子放出部としてフィラメントを有し、前記
通電手段は、前記フィラメントに通電することを特徴と
する。
The invention according to a second aspect is characterized in that the ion source, which is the test object, has a filament as the thermoelectron emitting section, and the energizing means energizes the filament.

(作用) イオン源の熱電子放出部の寿命例えばフィラメント寿
命は短く、イオン源の寿命はこのフィラメントの寿命と
一致している。そして、このような場合にはフィラメン
ト交換が不可欠な保守作業となっている。このため、保
守作業が終了したイオン源をイオン注入装置に装着した
場合の不備としては、新たにセットされたフィラメント
に通電しても、熱電子が基準値ほど放出されず、キャリ
アガスを適正にイオン化できないという事態が多く発生
している。
(Operation) The lifetime of the thermionic emission portion of the ion source, for example, the filament lifetime is short, and the lifetime of the ion source coincides with the lifetime of this filament. In such a case, filament replacement is an indispensable maintenance operation. For this reason, as a defect when the ion source after maintenance work is attached to the ion implanter, even if the newly set filament is energized, thermoelectrons are not emitted to the reference value and the carrier gas is properly discharged. There are many situations where ionization is not possible.

本発明では、保守作業が終了したイオン源を、イオン
注入装置にセットする前に、熱電子放出部例えばフィラ
メントからの熱電子放出動作をテスト可能としている。
According to the present invention, it is possible to test the operation of emitting thermionic electrons from a thermionic emission unit, for example, a filament, before setting the ion source whose maintenance work has been completed in the ion implantation apparatus.

すなわち、イオン源単体の状態で熱電子放出動作が確
実に実施されるか否かのテストは、テスト装置のチャン
バー内にセットしたイオン源の熱電子放出部例えばフィ
ラメントに通電し、放出された熱電子がアークチャンバ
ーに流れ込むことになるので、この際のエミッション電
流値をチェックすることで可能となる。なお、この際に
プロセスガスを導入してイオン化まで実施することは必
ずしも要せず、熱電子が規定量放出されているかをエミ
ッション電流のチェックによって確認するだけで足り
る。
That is, the test whether or not the thermoelectron emission operation is reliably performed in the state of the ion source alone is conducted by energizing the thermoelectron emission part of the ion source set in the chamber of the test apparatus, for example, the filament, Since electrons flow into the arc chamber, it becomes possible by checking the emission current value at this time. At this time, it is not always necessary to introduce a process gas to perform ionization, but it is sufficient to check whether a specified amount of thermoelectrons are emitted by checking an emission current.

なお、上記構成により、フィラメントより熱電子が放
出されない程度の低電流を流すとすれば、フィラメント
絶縁体を介してを保持するアークチャンバー間とのリー
ク電流の有無もテスト可能であるので、絶縁不良か否か
のテストとして使用できる。
With the above configuration, if a low current that does not release thermoelectrons from the filament is passed, it is possible to test for the presence or absence of a leak current between the arc chamber that holds the filament insulator, so insulation failure is possible. Can be used as a test of whether or not.

また真空リークのテストをも実施する構成を採用する
こともできる。すなわち、イオン源をチャンバー開口部
より挿入し、この開口部をイオン源によって(通常はイ
オン源のフランジ部分)密封するように配置し、その後
チャンバー内を高真空引きした場合に、チャンバー内の
真空度を測定することで可能となる。
Further, a configuration in which a vacuum leak test is also performed may be employed. That is, the ion source is inserted through the opening of the chamber, and the opening is arranged so as to be sealed by the ion source (usually a flange portion of the ion source). It becomes possible by measuring the degree.

(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して具体的に説
明する。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

このテスト装置は、架台1の上部左側に第1の操作表
示部2と、架台1の内部であって扉3の開放により露出
される第2の操作表示部4と、前記架台1内の右側に配
置され、イオン源がセットされるテストポート5とを有
して構成されている。
This test apparatus includes a first operation display unit 2 on the upper left side of the gantry 1, a second operation display unit 4 inside the gantry 1 and exposed by opening the door 3, and a right side in the gantry 1. And a test port 5 on which an ion source is set.

前記テストポート5について第2図〜第4図を参照し
て説明すると、まず、架台1内のチャンバー10の真空配
管系は第2図のように構成されている。
The test port 5 will be described with reference to FIGS. 2 to 4. First, the vacuum piping system of the chamber 10 in the gantry 1 is configured as shown in FIG.

上記チャンバー10は上側よりイオン源が挿入配置され
るもので、このチャンバー10内を真空引き可能となって
いる。なお、少なくともチャンバー10のイオン源挿脱用
の開口部分であるフランジ10a及びこれに装着されるシ
ーリング10b(第7図参照)は、イオン注入装置のチャ
ンバーに使用されるものと同一形状としておくことが好
ましい。チャンバー10内を真空引き可能とするための手
段として、チャンバー10に連通するバキューム配管12に
はターボポンプ14,フォアーバルブ16,ロータリーポンプ
18が接続されている。また、前記バキューム配管12は、
バルブ20を介してリークテストポート22と接続されてお
り、このリークテストポート22には例えばヘリウムリー
クディテクター(図示せず)が接続可能となっている。
こののヘリウムリークディテクターは、イオン源をセッ
トした際に微少真空リークが発生した場合に、そのリー
ク箇所を検知するものである。なお、チャンバー10内に
は四重極分析機を接続することもできる。
The chamber 10 has an ion source inserted from above, and the inside of the chamber 10 can be evacuated. At least the flange 10a, which is the opening for inserting and removing the ion source of the chamber 10, and the ceiling 10b (see FIG. 7) attached to the flange 10a should have the same shape as that used in the chamber of the ion implantation apparatus. Is preferred. As means for making the interior of the chamber 10 evacuable, a vacuum pump 12, a fore valve 16, a rotary pump
18 is connected. Further, the vacuum pipe 12 is
A leak test port 22 is connected via a valve 20, and a helium leak detector (not shown) can be connected to the leak test port 22, for example.
The helium leak detector detects a leak location when a minute vacuum leak occurs when the ion source is set. Note that a quadrupole analyzer can be connected inside the chamber 10.

また、前記ロータリーポンプ18の吸入口付近には、微
少リークバルブ24が接続され、この微少リークバルブ24
の調整によってロータリーポンプ18の吸入口での真空度
を約50mTorrに設定可能となっている。なお、この微少
リークバルブ24を閉め過ぎるとオイルアップの原因にな
り、逆に開け過ぎると、到達真空度が悪くなり、異常動
作の原因となる。
In addition, near the suction port of the rotary pump 18, a minute leak valve 24 is connected.
By the adjustment, the degree of vacuum at the suction port of the rotary pump 18 can be set to about 50 mTorr. If the micro leak valve 24 is closed too much, it causes oil up. Conversely, if the micro leak valve 24 is opened too much, the ultimate vacuum degree deteriorates, which causes abnormal operation.

さらに、前記チャンバー10には、1×10-3Torr以上の
高真空度測定に使用されるHCIG30,大気圧から1×10-3T
orrまでの真空度測定に使用されるコンベクトロンゲー
ジ32,チャンバー10内の圧力が大気圧になったことを検
出する大気圧センサー34及びリークバルブ36がそれぞれ
接続されている。
Further, the chamber 10 has an HCIG 30 used for measuring a high vacuum of 1 × 10 −3 Torr or more, and a pressure of 1 × 10 −3 T from atmospheric pressure.
A convexron gauge 32 used for measuring the degree of vacuum up to orr, an atmospheric pressure sensor 34 for detecting that the pressure in the chamber 10 has become atmospheric pressure, and a leak valve 36 are connected to each other.

前記チャンバー10は、高真空度でのイオン源のテスト
終了後に、イオン源を搬出する前にN2パージするように
構成され、このための構成として、第3図に示すよう
に、上記リークバルブ36からの他に、N2ガスを4〜7kg/
cm2圧で前記フォアーバルブ16に導くN2配管38と、0.3kg
/cm2に減圧してN2ガスを上記リークバルブ36,微少リー
クバルブ24に導く減圧弁40とを設けている。このN2パー
ジは、上記大気圧センサー34で大気圧になったことが検
知されるまで続行され、大気圧になった所でチャンバー
10内よりイオン源の離脱を行うようにしている。
The chamber 10 is configured to purge with N2 after the test of the ion source at a high vacuum degree is completed and before the ion source is carried out. As a configuration for this, as shown in FIG. From 4 to 7 kg /
N2 pipe 38 leading to the fore valve 16 at a pressure of 2 cm, 0.3 kg
There is provided a pressure reducing valve 40 that reduces the pressure to / cm 2 and guides the N 2 gas to the leak valve 36 and the minute leak valve 24. This N2 purge is continued until the atmospheric pressure sensor 34 detects that the atmospheric pressure has been reached.
The ion source is departed from within 10.

次に、上記テスト装置の冷却水配管系について、第4
図を参照して説明すると、この配管系にはIN側バルブ5
0,OUT側バルブ52及びフロースイッチ56が設けられ、チ
ャンバー10の周囲,整流器54及びイオン源の後述する電
極80に冷却水を循環させることで、水冷を実行してい
る。なお、上記フロースイッチ56はシーケンサー(図示
せず)によって冷却水流量を確認するようになってい
て、例えば25℃以下の冷却水を1.5〜2/min以上で循
環させるようになっている。
Next, regarding the cooling water piping system of the test apparatus,
Explaining with reference to the figure, this piping system has an IN side valve 5
The 0, OUT side valve 52 and the flow switch 56 are provided, and water cooling is performed by circulating cooling water around the chamber 10, the rectifier 54, and an electrode 80 described later of the ion source. The flow switch 56 checks the flow rate of the cooling water by a sequencer (not shown), and circulates cooling water at a temperature of 25 ° C. or less at a rate of 1.5 to 2 / min or more.

次に、イオン源について、第5図を参照して説明す
る。
Next, the ion source will be described with reference to FIG.

このイオン源60は、取手部62a,62bを形成した大径の
上部フランジ62と小径の下部フランジ64とを4本の支柱
66によって平行に離間配置し、下部フランジ64にアーク
チャンバー68を固定して構成している。このアークチャ
ンバー68は、イオンの通過孔を形成する開口部68aが設
けられ、かつ、その中には、インシュレータ70によって
両端を絶縁してアークチャンバー68に支持されたフィラ
メント72が設けられている。
This ion source 60 is composed of a large-diameter upper flange 62 formed with handle portions 62a and 62b and a small-diameter lower flange 64 formed of four columns.
66, the arc chamber 68 is fixed to the lower flange 64. The arc chamber 68 is provided with an opening 68a forming an ion passage hole, and a filament 72 supported by the arc chamber 68 with both ends insulated by an insulator 70 is provided therein.

このフィラメント72に通電するために、上記フィラメ
ント72の両端は、電極ロッド74,74にそれぞれねじ止め
固定され、この電極ロッド74,74はその上端が前記上部
フランジ62に絶縁されて支持されている。また、上記電
極ロッド74,74の上記上部フランジ62より上側に突出し
た部分は、ボルト76,76によって、第6図に示すような
電極80を固定可能となっている。
In order to energize the filament 72, both ends of the filament 72 are screwed and fixed to electrode rods 74, 74, respectively, and the upper ends of the electrode rods 74, 74 are insulated and supported by the upper flange 62. . Further, the portions of the electrode rods 74, 74 projecting above the upper flange 62 can fix the electrode 80 as shown in FIG. 6 by bolts 76, 76.

上記電極80は、その中央に上記ボルト76の挿入用の穴
82を有し、かつ、六角側面のうちの2つの斜面にケーブ
ル固定用の穴84,84を有している。なお、この2つの穴8
4,84は、2つの電極部80,80の形状を共通とするために
形成され、いずれか一方の穴84にパワーリードケーブル
86を接続して使用される。さらに、この電極80自体を冷
却するため、IN側,OUT側の冷却水配管88,89が接続され
ている。
The electrode 80 has a hole for inserting the bolt 76 at the center thereof.
82 and two holes 84, 84 for fixing the cable on two slopes of the hexagonal side surface. Note that these two holes 8
4, 84 are formed so that the shape of the two electrode portions 80, 80 is common, and the power lead cable is inserted into one of the holes 84.
Used by connecting 86. Further, in order to cool the electrode 80 itself, cooling water pipes 88 and 89 on the IN side and the OUT side are connected.

上記イオン源60は、イオン注入装置にセットされた場
合にキャリアガスを前記アークチャンバー68内に導入す
る必要があるため、ガス導入管78が配置されている。
Since the ion source 60 needs to introduce a carrier gas into the arc chamber 68 when it is set in the ion implantation apparatus, a gas introduction tube 78 is provided.

そして、上記イオン源60は、第7図のようにチャンバ
ー10のフランジ10aと前記上部フランジ62とが密着する
ようにチャンバー10内に挿入されることで、イオン源テ
スト装置にセット可能となっている。なお、上記チャン
バー10のフランジ10aには、前記上部フランジ62と密着
することで、チャンバー10の上部開口部を気密封止する
シーリング部材10bが配置され、かつ、上記フランジ10a
には上部フランジ62が設定されたことを検知するセンサ
ー(図示せず)が配置されている。
The ion source 60 can be set in the ion source test apparatus by being inserted into the chamber 10 so that the flange 10a of the chamber 10 and the upper flange 62 are in close contact as shown in FIG. There is. A sealing member 10b for hermetically sealing the upper opening of the chamber 10 by being in close contact with the upper flange 62 is provided on the flange 10a of the chamber 10, and the flange 10a
A sensor (not shown) for detecting that the upper flange 62 has been set is disposed in the sensor.

また、本実施例ではイオン源60はその自重により前記
フランジ10aに取り付けられるだけで、ボルト固定は不
要となっている。そして、このようにしてイオン源60が
セットされた後に、上記電極80,80がボルト76,76によっ
てイオン源60に固定されることになる。
Further, in the present embodiment, the ion source 60 is simply attached to the flange 10a by its own weight, and bolt fixing is not required. After the ion source 60 is set in this way, the electrodes 80, 80 are fixed to the ion source 60 by bolts 76, 76.

次に、イオン源60のフィラメント72に通電するための
電気系について、第8図を参照して説明する。
Next, an electric system for energizing the filament 72 of the ion source 60 will be described with reference to FIG.

前記フィラメント72は、熱陰極として使用され、マイ
ナス電圧例えば−80Vが印加されるようになっており、
一方前記アークチャンバー68は、設置されていて、この
間に電界を形成可能となっている。
The filament 72 is used as a hot cathode, so that a negative voltage, for example, -80 V is applied,
On the other hand, the arc chamber 68 is installed, and an electric field can be formed during the installation.

このフィラメント72に通電するための電気系として、
シーケンサ90,コントロール回路92,フィラメントパワー
サプライ94及びエミッションパワーサプライ96が設けら
れている。
As an electric system for energizing this filament 72,
A sequencer 90, a control circuit 92, a filament power supply 94, and an emission power supply 96 are provided.

そして、上記各ブロックにはAC100Vが供給可能となっ
ていて、シーケンサ90のリレー制御によってコントロー
ル回路92及びエミッションパワーサプライ96への電源供
給が制御され、コントロール回路92のリレー制御によっ
てフィラメントパワーサプライ94への電源供給の制御が
可能となっている。
Then, AC100V can be supplied to each block, the power supply to the control circuit 92 and the emission power supply 96 is controlled by the relay control of the sequencer 90, and the filament power supply 94 is controlled by the relay control of the control circuit 92. It is possible to control the power supply of.

前記フィラメントパワーサプライ94は、前記フィラメ
ント72にフィラメント電流を通電するためのものであ
り、0〜200Aの範囲で電流値を可変できる。
The filament power supply 94 is for supplying a filament current to the filament 72, and can vary a current value within a range of 0 to 200A.

一方、前記エミッションパワーサプライ96は、後述す
るようにフィラメント72の絶縁と、エミッション電流の
確認の際にフィラメント72に通電するものである。な
お、エミッションパワーサプライ96内には、上記絶縁チ
ェック及びエミッション電流値のチェックとして、電流
検出回路を設けている。
On the other hand, the emission power supply 96 energizes the filament 72 when insulating the filament 72 and checking the emission current, as described later. A current detection circuit is provided in the emission power supply 96 as the insulation check and the emission current value check.

次に、前記第1,第2の操作表示部2,4について説明す
る。
Next, the first and second operation display sections 2 and 4 will be described.

第1の操作表示部2には、HCIGコントローラ100とオ
ペレータパネル102とが上下に配置されている。前記HCI
Gコントローラ100は、チャンバー10内の1×10-3Torr以
上の高真空度の測定に使用されるものである。
On the first operation display section 2, an HCIG controller 100 and an operator panel 102 are vertically arranged. The HCI
The G controller 100 is used for measuring a high vacuum of 1 × 10 −3 Torr or more in the chamber 10.

前記オペレータパネル102は、本装置を全自動で操作
するときの操作と、真空度及びフィラメント電流の表示
を行うものであり、第9図に示す構成を有している。
The operator panel 102 performs an operation when the apparatus is operated fully automatically, and displays the degree of vacuum and the filament current, and has the configuration shown in FIG.

コンベクトロンゲージ…前述したように、大気圧から1
×10-3Torrまでの真空度を表示する。
Convectron gauge: As mentioned above, 1 from atmospheric pressure
Displays the degree of vacuum up to × 10 -3 Torr.

フィラメント電流…イオン源60に流れるフィラメント電
流を0〜200Aの間で表示する。
Filament current: The filament current flowing through the ion source 60 is displayed between 0 and 200 A.

異常表示/真空リーク…イオン源60で真空リークがある
場合に点灯する。
Abnormal display / vacuum leak: Lights when there is a vacuum leak in the ion source 60.

異常表示/絶縁不良…イオン源60でリーク電流が流れた
場合に点灯する。
Abnormal display / insulation failure ... Lights up when a leak current flows in the ion source 60.

異常表示/装置異常…下記の各状態で点灯する。Abnormality display / device abnormality ... Lights in the following states.

1.フォアーバルブ16が完全に開いていない場合。1. When the fore valve 16 is not completely open.

2.ターボポンプ14の不良で回転に異常があるとき。2. When the rotation is abnormal due to the failure of the turbo pump 14.

3.真空度が悪く、ターボポンプ14の回転が定速に達しな
い場合。
3. When the degree of vacuum is poor and the rotation of the turbo pump 14 does not reach a constant speed.

4.冷却水が流れていない場合。4. When the cooling water is not flowing.

5.フィラメント電流が流れていない場合。5. When filament current is not flowing.

モード/脱ガススイッチ…下記のチェックを行う。Mode / degas switch: Checks the following.

1.イオン源60の真空リーク。1. Vacuum leak of ion source 60.

2.イオン源60の絶縁。2. Insulation of ion source 60.

3.…イオン源60のエミッション放出能力。3. Emission source of ion source 60.

モード/リークチェック…イオン源60の真空リーク試験
を行う。
Mode / leak check: A vacuum leak test of the ion source 60 is performed.

RESET…異常が起きた場合及びENDになった場合に点灯す
る。同時にブザーがなるので、この釦によって解除す
る。
RESET: Lights up when an error occurs or when END occurs. Since the buzzer sounds at the same time, it is released by this button.

START…自動シーケンスをスタートする場合及びHOLD後
に再スタートする場合に使用する。
START: Used when starting an automatic sequence and when restarting after HOLD.

HOLD…シーケンスを途中で一時停止する場合に使用す
る。
HOLD: Used to pause the sequence midway.

STOP/END…シーケンスを途中で完全に停止する場合に使
用する。また、シーケンスがストップモードの時は点滅
を行い、完全に停止すると点灯状態になる。
STOP / END: Used to completely stop the sequence midway. When the sequence is in the stop mode, the sequence blinks. When the sequence is completely stopped, the sequence is turned on.

次に、前記第2の操作表示部4について説明すると、
この第2の操作表示部4は、ターボポンプコントローラ
104,マニュアル操作盤106,ロータリーポンプブレーカ10
8及びメインブレーカ110から構成されている。
Next, the second operation display unit 4 will be described.
The second operation display unit 4 is provided with a turbo pump controller
104, manual operation panel 106, rotary pump breaker 10
8 and a main breaker 110.

ターボポンプコントローラ104は、ターボポンプ14の
回転数制御を行うもので、ターボポンプ14で異常が発生
したり、チャンバー10の真空度が悪くてターボポンプ14
に負荷がかかり過ぎると、FAILUREランプが点灯して停
止する。
The turbo pump controller 104 controls the number of revolutions of the turbo pump 14. If an abnormality occurs in the turbo pump 14 or the degree of vacuum in the chamber 10 is poor, the turbo pump 14
If the load is too high, the FAILURE lamp will light up and stop.

マニュアル操作盤106は、本装置のマニュアル操作を
行う場合、及び保守のために各ユニットを単独で操作す
る場合に使用される。各スイッチ,LEDは下記の動作を行
う。
The manual operation panel 106 is used when performing manual operation of the present apparatus and when operating each unit alone for maintenance. Each switch and LED perform the following operations.

AUTO/MAN…AUTO(自動)とMAN(手動)操作の選択を行
うものである。
AUTO / MAN: Selects AUTO (automatic) and MAN (manual) operation.

BUZZER ON/OFF…自動で操作中に異常が発生した場合、
及びシーケンスの進行を完了した時にブザーを鳴らすも
ので、ブザー鳴動の機能を停止する場合にはOFFとす
る。
BUZZER ON / OFF… If an error occurs automatically during operation,
Also, the buzzer sounds when the progress of the sequence is completed, and it is turned off when the buzzer sounding function is stopped.

FV OPEN/CLOSE…真空排気系のロータリーポンプ18とタ
ーボポンプ14との間のフォアーパルプ16の開閉を行う。
FV OPEN / CLOSE: Open / close the fore pulp 16 between the vacuum pump rotary pump 18 and the turbo pump 14.

N2V OPEN/CLOSE…真空チャンバー10を大気圧にするとき
の、N2リークバルブ36の開閉を行う。
N2V OPEN / CLOSE: Opens and closes the N2 leak valve 36 when the vacuum chamber 10 is set to the atmospheric pressure.

エミッションパワーON/OFF…イオン源60の絶縁と、エミ
ッション放出確認用の直流電源およびコントロール回路
92をON/OFFする。
Emission power ON / OFF: DC power supply and control circuit for insulation of ion source 60 and emission confirmation
Turn ON / OFF 92.

フィラメントパワーON/OFF…イオン源60のフィラメント
電源をON/OFFする。
Filament power ON / OFF Turns on / off the filament power supply of the ion source 60.

フィラメント電流UP/DOWN…イオン源60のフィラメント
電流をUP/DOWNする。
Filament current UP / DOWN: UP / DOWN the filament current of the ion source 60.

シーケンサー/CPU…シーケンサー90がエラーにより動作
状態にない場合に点灯する。
Sequencer / CPU: Lights when the sequencer 90 is not operating due to an error.

シーケンサー/BATT…シーケンサー90のメモリー用のバ
ッテリーが低下した時に点灯する。
Sequencer / BATT: Lights when the battery for the sequencer 90 memory is low.

また、前記ロータリーポンプブレーカー108は、ロー
タリーポンプ18へ電力を供給するものであり、メインブ
レーカ110は装置へ供給される電力のON/OFFを行う。
The rotary pump breaker 108 supplies electric power to the rotary pump 18, and the main breaker 110 turns on / off the electric power supplied to the device.

次に、上記実施例装置の作用について、第10図のフロ
ーチャートにしたがって説明する。
Next, the operation of the above embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG.

チャンバー10内にN2ガスパージを行った後、イオン源
60をテスト装置のチャンバー10内にセットし、かつ、電
極80をイオン源60のフィラメント72に接続した後、ま
ず、イオン源の装着スイッチを確認とし(ステップ
1)、続いてフォアーバルブ16をオープンする(ステッ
プ2)。2秒経過後に(ステップ3)、フォアーバルブ
16がオープン状態か否かを判別し(ステップ4)、NOで
あれば装置異常を表示してストップモードとする(ステ
ップ5)。
After purging N2 gas into the chamber 10, the ion source
After setting 60 in the chamber 10 of the test apparatus and connecting the electrode 80 to the filament 72 of the ion source 60, first check the mounting switch of the ion source (step 1), and then open the fore valve 16 Yes (step 2). After 2 seconds (step 3), the fore valve
It is determined whether or not 16 is in the open state (step 4), and if NO, a device abnormality is displayed and the stop mode is set (step 5).

ステップ4での判断がYESであれば、所定時間経過後
にチャンバー10の真空度が0.15Torr以下であるか否かを
判別し(ステップ6)、5分経過後もNOであれば、真空
リークを表示してストップモードとする(ステップ7,
8)。
If the determination in step 4 is YES, it is determined whether or not the degree of vacuum of the chamber 10 is 0.15 Torr or less after a predetermined time has elapsed (step 6). Display and enter stop mode (step 7,
8).

ステップ6での判断がYESであれば、ターボポンプ14
をONとし(ステップ9)、ターボポンプ14がRUN状態で
あるか否かを判別する(ステップ10)。15分経過後もNO
であれば装置異常を表示し、ストップモードとする(ス
テップ11,12)。
If the determination in step 6 is YES, the turbo pump 14
Is turned on (step 9), and it is determined whether or not the turbo pump 14 is in the RUN state (step 10). NO after 15 minutes
If so, a device abnormality is displayed and the stop mode is set (steps 11 and 12).

ステップ10での判断がYESであれば、HCIGをONとし
(ステップ13)、HCIGのエミッションONであるか否かを
判別する(ステップ14)。NOであれば5分毎にHCIGのON
動作を繰り返し(ステップ15,16)、3回以上繰り返し
てもNOであれば真空リークを表示してストップモードと
する(ステップ17)。
If the determination in step 10 is YES, HCIG is turned ON (step 13), and it is determined whether HCIG emission is ON (step 14). If NO, turn on HCIG every 5 minutes
The operation is repeated (steps 15 and 16), and if NO even after repeating three or more times, a vacuum leak is displayed and the stop mode is set (step 17).

ステップ14での判断がYESであれば、2分経過後に
(ステップ18)、チャンバー10内の真空度が2E−4Torr
以下であるか否かを判別し(ステップ19)、10分経過後
もNOであれば真空リークを表示してストップモードとす
る(ステップ20,21)。
If the determination in step 14 is YES, after 2 minutes have passed (step 18), the degree of vacuum in the chamber 10 is reduced to 2E-4 Torr.
It is determined whether or not it is below (step 19). If NO after 10 minutes, a vacuum leak is displayed and the stop mode is set (steps 20 and 21).

このように、イオン源60によってチャンバー10の開口
部を密封し、その後チャンバー10内を真空引きした場合
であって、この密封部分で真空リークがあった場合に
は、ステップ8,17,21でその旨の表示が成されるので、
イオン源60の真空リークの発生の有無を確実に検査する
ことができる。そして、特にチャンバー10のフランジ10
aの形状及びシーリング10bの機能等を、イオン注入装置
のチャンバー構成と同様に構成しておけば、このテスト
装置で真空リークが発生しなければイオン注入装置に同
一のイオン源60をセットしても真空リークが発生しない
ことを保障することができる。
In this manner, the case where the opening of the chamber 10 is sealed by the ion source 60 and then the inside of the chamber 10 is evacuated, and if there is a vacuum leak in this sealed portion, in steps 8, 17, and 21, Since a display to that effect is made,
The presence or absence of the vacuum leak of the ion source 60 can be reliably inspected. And especially the flange 10 of the chamber 10.
If the shape of a and the function of the sealing 10b are configured in the same manner as the chamber configuration of the ion implantation apparatus, the same ion source 60 is set in the ion implantation apparatus if no vacuum leak occurs in this test apparatus. Also, it can be ensured that no vacuum leak occurs.

上記ステップ19での判断がYESであれば、次にリーク
チェックの選択の有無を判断し(ステップ22)、YESで
あればストップモードとし(ステップ23)、NOであれば
次に冷却水FLOWスイッチがONであるか否かを判別し(ス
テップ24)、NOであれば装置異常を表示してストップモ
ードとする(ステップ25)。
If the determination in step 19 above is YES, it is next determined whether or not a leak check has been selected (step 22). If YES, the stop mode is set (step 23). Is determined to be ON (step 24), and if NO is determined, a device abnormality is displayed and the stop mode is set (step 25).

ステップ24での判断がYESであれば、フィラメントパ
ワーサプライ94,エミッションパワーサプライ96をONと
する(ステップ26)。そして、ここでフィラメント72と
アークチャンバー68との絶縁が適正か否かを判断するた
めに、エミッションパワーサプライ96内にある電流検出
回路でリーク電流が0.1A以下であるかを判別する(ステ
ップ27)。この結果、NOであれば絶縁不良を表示してス
トップモードとする(ステップ28)。
If the determination in step 24 is YES, the filament power supply 94 and the emission power supply 96 are turned on (step 26). Then, in order to determine whether the insulation between the filament 72 and the arc chamber 68 is proper, the current detection circuit in the emission power supply 96 determines whether the leak current is 0.1 A or less (step 27). ). As a result, if NO, an insulation failure is displayed and the stop mode is set (step 28).

絶縁不良でない場合には、フィラメントコントロール
回路92のカウンターをリセットし(ステップ29)、フィ
ラメント電流を予め定められた電流値例えば80Aに上げ
る(ステップ30)。そして、この後1分経過後に(ステ
ップ31)、フィラメント72の加熱により飛び出す熱電子
がアークチャンバー68に流れ込むことによるエミッショ
ン電流を上記電流検出回路で測定し、これが予め定めら
れた基準値例えば0.1A以下であるか否かを判別する(ス
テップ32)。
If the insulation is not defective, the counter of the filament control circuit 92 is reset (step 29), and the filament current is increased to a predetermined current value, for example, 80 A (step 30). Then, after 1 minute has elapsed (step 31), the emission current due to the thermoelectrons ejected by the heating of the filament 72 flowing into the arc chamber 68 is measured by the current detection circuit, and this is measured by a predetermined reference value, for example, 0.1 A. It is determined whether or not it is below (step 32).

ステップ32の判断がNOであれば適正な量の熱電子が放
出される正常動作であるので、後述するステップ42に移
行し、YESであれば熱電子の放出異常であるのでステッ
プ33に移行する。
If the determination in step 32 is NO, the operation is a normal operation in which an appropriate amount of thermionic electrons are emitted, so the process proceeds to step 42 described later. .

ステップ33では、チャンバー10内の真空度が3E−3Tor
r以下であるか否かを判別し、NOであればフィラメント
電流を20A下げて3分待ちこれを繰り返す(ステップ3
4)。YESであればフィラメント電流を20Aに上げ1分待
機する(ステップ35,36)。
In step 33, the degree of vacuum in the chamber 10 is 3E-3Tor
It is determined whether or not it is equal to or less than r. If NO, the filament current is lowered by 20 A, and the process is repeated for 3 minutes (step 3).
Four). If YES, the filament current is increased to 20 A and the apparatus stands by for one minute (steps 35 and 36).

次に、スライダックがHIGH LIMITであるか否かを判別
し(ステップ37)、YESであれば装置異常を表示してス
トップモードとする(ステップ38)。
Next, it is determined whether or not the SLIDAC is HIGH LIMIT (step 37). If YES, the apparatus abnormality is displayed and the stop mode is set (step 38).

ステップ37の判断がNOであれば、次にエミッション電
流が0.1A以下であるか否かを再度判別し(ステップ3
9)、NOであれば熱電子の放出が正常であるので、後述
するステップ42に移行する。
If the determination in step 37 is NO, it is determined again whether the emission current is 0.1 A or less (step 3).
9) If NO, the emission of thermoelectrons is normal, so the flow proceeds to step 42 described later.

ステップ39の判断がYESであれば、チャンバー10内の
真空度が3E−3TORR以下であるか否かを再度判別し(ス
テップ40)、NOであればフィラメント電流を20A下げて
3分待ちこれを繰り返す(ステップ41)。YESであれば
ステップ35に戻って上記フローを繰り返すことになる。
If the determination in step 39 is YES, it is determined again whether or not the degree of vacuum in the chamber 10 is equal to or less than 3E-3TORR (step 40). If NO, the filament current is lowered by 20 A and waits for 3 minutes. Repeat (step 41). If YES, the process returns to step 35 to repeat the above flow.

ステップ32またはステップ39でエミッション電流が0.
1A以上の場合(イオン源60の熱電子放出動作が正常な)
には、フィラメント電流をゼロまで下げ(ステップ4
2)、この場合でもエミッション電流が0.1A以下である
か否かを判別する(ステップ43)。そして、NOであれば
絶縁不良を表示してストップモードとする(ステップ4
4)。
The emission current is 0 in step 32 or step 39.
1A or more (Thermionic emission operation of ion source 60 is normal)
To reduce the filament current to zero (step 4
2) Even in this case, it is determined whether the emission current is 0.1 A or less (step 43). If NO, an insulation failure is displayed and the stop mode is set (step 4).
Four).

ステップ43での判断がYESであれば、30分待機し(ス
テップ45)、HCIGをONとする(ステップ46)。この後、
2分待機し(ステップ47)チャンバー10内の真空度が2E
−4TORR以下であるか否かを判別する(ステップ48)。
そして、NOであれば真空リークを表示する(ステップ4
9)。
If the determination in step 43 is YES, the process waits for 30 minutes (step 45) and turns on HCIG (step 46). After this,
Wait for 2 minutes (step 47). The degree of vacuum in the chamber 10 is 2E
It is determined whether it is equal to or lower than -4TORR (step 48).
If NO, a vacuum leak is displayed (step 4
9).

ステップ48での判断がYESであるかあるいはステップ5
0でSTOPコマンドが入力された場合には、STOP表示を点
滅して以下のフローを実行する。すなわち、HCIGパワ
ー,フィラメントパワー,エミッションパワーをOFFと
し(ステップ51)、ターボポンプ14をOFFとして7分待
機する(ステップ52,53)。
If the judgment in step 48 is YES or step 5
When the STOP command is input at 0, the STOP display flashes and the following flow is executed. That is, the HCIG power, the filament power, and the emission power are turned off (step 51), and the turbo pump 14 is turned off to wait for 7 minutes (steps 52, 53).

さらに、フォアーバルブ16をクローズとし(ステップ
54)、ベントバルブをオープンとし(ステップ55)、大
気圧センサー34がONしてチャンバー10内が大気圧になっ
たところでEND表示を行って、一連の動作が終了する
(ステップ56,57)。
Further, close the fore valve 16 (step
54), the vent valve is opened (step 55), and when the atmospheric pressure sensor 34 is turned on and the inside of the chamber 10 reaches atmospheric pressure, an END display is performed, and a series of operations is completed (steps 56 and 57).

このように本実施例装置によれば、保守の終了したイ
オン源60をイオン注入装置にセットする前に、イオン源
60単体の状態でフィラメント72を加熱することで、熱電
子の放出が正常に実行できるか否かをテスト装置によっ
て検査可能である。特に、イオン源60の交換は、フィラ
メント寿命により行う場合が多いので、フィラメント72
の取り付け不良あるいはフィラメント72自体の故障など
が発生する恐れが多く、この種の検査をイオン注入装置
にセットする前に行う意義は大きくなっている。
As described above, according to the apparatus of the present embodiment, before the ion source 60 whose maintenance is completed is set in the ion implantation apparatus,
By heating the filament 72 in the state of 60 alone, it is possible to inspect by the test device whether or not the thermionic emission can be normally executed. In particular, since the replacement of the ion source 60 is often performed based on the life of the filament,
There is a high possibility that the mounting failure of the filament 72 or the failure of the filament 72 itself may occur, and the significance of performing this type of inspection before setting it in the ion implantation apparatus is increasing.

また、イオン源60がチャンバー10にセットされた場合
に、チャンバー10内を真空引きしてその真空度を測定す
ることで、真空リークの発生の有無をもテストすること
ができる。
When the ion source 60 is set in the chamber 10, the presence or absence of a vacuum leak can be tested by evacuating the chamber 10 and measuring the degree of vacuum.

そして、もしも熱電子の放出動作が正常でない場合、
または真空リークが発生するような場合には、イオン注
入装置にセットする前のテスト段階でこれを認識可能で
あるので、イオン注入装置には正常動作が保障されたイ
オン源60のみをセットすることができ、イオン注入装置
の稼動率が向上し、故障のあるイオン源60を着脱するよ
うな2度手間を省くことができる。
And if the operation of emitting thermoelectrons is not normal,
Or, if a vacuum leak occurs, it is possible to recognize this in the test stage before setting it in the ion implanter, so set only the ion source 60 that is guaranteed to operate normally in the ion implanter. Therefore, the operating rate of the ion implantation apparatus is improved, and it is possible to save the trouble of attaching and detaching the defective ion source 60 twice.

また、本テスト装置においてチャンバー10内を高真空
状態とし、かつフィラメント72に通電する事で、フィラ
メント72,インシュレータ70及びアークチャンバー68等
の脱ガスをも実行することができ、イオン注入装置での
脱ガス工程を省略または短時間化することができるとい
うメリットもある。
Further, in the present test apparatus, by degassing the filament 72, the insulator 70, the arc chamber 68, and the like by setting the inside of the chamber 10 to a high vacuum state and energizing the filament 72, the ion implantation apparatus can perform the degassing. There is also an advantage that the degassing step can be omitted or shortened.

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であ
る。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によればイオン注入装置
に交換すべきイオン源をセットする前に、イオン源単体
の状態での熱電子放出動作を確認することができ、不良
のイオン源がイオン注入装置にセットされた場合の着脱
の手間を省き、かつ常時正常なイオン源がイオン注入装
置にセットされることを保障することでイオン注入装置
の稼動率を向上することができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, before setting the ion source to be exchanged in the ion implantation apparatus, it is possible to confirm the thermionic emission operation in the state of the ion source alone, and It is possible to improve the operation rate of the ion implanter by saving the labor of attachment and detachment when the ion source is set in the ion implanter and ensuring that a normal ion source is always set in the ion implanter. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明の一実施例であるイオン源テスト装置
の概略説明図、 第2図は、同上装置の真空配管系を示す概略説明図、 第3図は、同上装置のN2配管系を示す概略説明図、 第4図は、同上装置の冷却水配管系を示す概略説明図、 第5図(A),(B),(C)は、イオン源を説明する
ための正面図,一部を切欠した平面図及び側面図、 第6図は、イオン源に装着される電極の概略斜視図、 第7図は、チャンバーに対するイオン源の取り付け状態
を説明するための概略断面図、 第8図は、イオン源のフィラメントに通電するための電
気系の構成を示すブロック回路図、 第9図は、第1,第2の操作表示部の正面図、 第10図は、実施例装置の動作を説明するためのフローチ
ャートである。 10……チャンバー、 30……真空リーク検出手段(HCIG)、 60……イオン源、 68……アークチャンバー、 70……インシュレータ、 72……フィラメント。
FIG. 1 is a schematic explanatory view of an ion source test apparatus according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a vacuum piping system of the same apparatus, and FIG. 3 is an N2 piping system of the same apparatus. FIG. 4 is a schematic explanatory view showing a cooling water piping system of the above apparatus, and FIGS. 5 (A), (B) and (C) are front views for explaining an ion source, FIG. 6 is a schematic perspective view of an electrode attached to the ion source, FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining an attached state of the ion source to the chamber, FIG. FIG. 8 is a block circuit diagram showing a configuration of an electric system for energizing a filament of the ion source. FIG. 9 is a front view of the first and second operation display units. FIG. It is a flow chart for explaining operation. 10 ... chamber, 30 ... vacuum leak detection means (HCIG), 60 ... ion source, 68 ... arc chamber, 70 ... insulator, 72 ... filament.

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】熱電子放出部を絶縁して支持するアークチ
ャンバー内でキャリアガスをイオン化可能なイオン源の
機能テストを実行するものであって、 被テスト体である前記イオン源の熱電子放出部が真空雰
囲気に設定されるように、内部を真空引き可能なチャン
バーと、 このチャンバーにセットされる前記イオン源の熱電子放
出部へ通電し、かつ、前記熱電子放出部に通電する電流
値が可変である通電手段と、 前記熱電子放出部より前記アークチャンバーに流れ込む
電流を検出する電流検出手段と、 前記電流検出手段にて検出された電流と予め定められた
基準値とを比較する比較手段と、 前記比較手段での比較結果に基づき、異常状態を表示す
る表示手段と、 を有し、 前記通電手段、前記電流検出手段及び前記比較手段が、
電流リークテストと熱電子放出量判定テストとに兼用さ
れ、前記通電手段より前記熱電子放出部に通電される電
流値が高いときの前記電流検出手段での検出電流が、基
準値よりも低いと前記比較手段にて判定された時には、
前記表示手段に熱電子放出量異常が表示され、前記通電
手段より前記熱電子放出部に通電される電流値が低いと
きの前記電流検出手段での検出電流が、基準値よりも高
いと前記比較手段にて判定された時には、前記表示手段
に電流リーク異常が表示されることを特徴とするイオン
源テスト装置。
1. A function test for an ion source capable of ionizing a carrier gas in an arc chamber that supports and insulates a thermoelectron emitting portion, the thermoelectron emission of the ion source being a test object. A chamber whose interior can be evacuated so that the section is set to a vacuum atmosphere; and a current value for energizing the thermoelectron emitting section of the ion source set in the chamber and energizing the thermoelectron emitting section. Is variable, current detecting means for detecting a current flowing from the thermoelectron emitting section into the arc chamber, and a comparison for comparing the current detected by the current detecting means with a predetermined reference value. Means, and a display means for displaying an abnormal state based on the comparison result by the comparison means, wherein the energization means, the current detection means and the comparison means,
Used as a current leak test and a thermoelectron emission amount determination test, when the current detected by the current detection unit when the current value supplied to the thermoelectron emission unit by the conduction unit is high is lower than a reference value. When judged by the comparison means,
The display means displays an abnormality in the amount of emitted thermoelectrons, and when the value of the current detected by the current detecting means when the value of the current supplied to the thermoelectron emitting section is lower than that of the conducting means, the comparison is made when the detected current is higher than a reference value. An ion source test apparatus, wherein the current leakage abnormality is displayed on the display means when judged by the means.
【請求項2】請求項1において、 被テスト体である前記イオン源は、前記熱電子放出部と
してフィラメントを有し、 前記通電手段は、前記フィラメントに通電することを特
徴とするイオン源テスト装置。
2. The ion source test apparatus according to claim 1, wherein the ion source as a test object has a filament as the thermoelectron emitting section, and the energizing means energizes the filament. .
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