JP2661558B2 - 変調器集積化光源の選別方法 - Google Patents
変調器集積化光源の選別方法Info
- Publication number
- JP2661558B2 JP2661558B2 JP6220077A JP22007794A JP2661558B2 JP 2661558 B2 JP2661558 B2 JP 2661558B2 JP 6220077 A JP6220077 A JP 6220077A JP 22007794 A JP22007794 A JP 22007794A JP 2661558 B2 JP2661558 B2 JP 2661558B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- modulator
- light source
- integrated light
- semiconductor laser
- selecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010187 selection method Methods 0.000 title description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 15
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 7
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 6
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 9
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザと半導体光
変調器を集積化した変調器集積化光源の選別方法の関す
る。
変調器を集積化した変調器集積化光源の選別方法の関す
る。
【０００２】
【従来の技術】分布帰還型半導体レーザや分布反射型半
導体レーザに電界吸収型半導体光変調器を集積化した変
調器集積化光源は変調時の波長変動（波長チャーピング
という）が小さいため長距離大容量光ファイバ通信用光
源として用いられるようになってきた（例えば加藤他、
電子情報通信学会、１９９４年春季大会講演論文集、分
冊４、Ｃ−２２５など）。従来、光ファイバ通信には直
接変調された半導体レーザが用いられてきたが、半導体
レーザの波長チャーピングが大きいため、２．５Ｇｂ／
ｓ以上の高ビットレート長距離伝送の場合、光ファイバ
の波長分散の影響を受けて伝送後に波形劣化が生じ、ビ
ットエラーが発生してしまうという問題点があった。変
調器集積化光源では半導体レーザ（ＬＤ）部を直流電流
で駆動し、ＬＤからのレーザ光を変調器（ＭＯＤ）部で
強度変調を行なう。したがってＬＤ部は変調を受けない
ため、基本的に殆ど波長チャーピングのない強度変調が
可能となる。
導体レーザに電界吸収型半導体光変調器を集積化した変
調器集積化光源は変調時の波長変動（波長チャーピング
という）が小さいため長距離大容量光ファイバ通信用光
源として用いられるようになってきた（例えば加藤他、
電子情報通信学会、１９９４年春季大会講演論文集、分
冊４、Ｃ−２２５など）。従来、光ファイバ通信には直
接変調された半導体レーザが用いられてきたが、半導体
レーザの波長チャーピングが大きいため、２．５Ｇｂ／
ｓ以上の高ビットレート長距離伝送の場合、光ファイバ
の波長分散の影響を受けて伝送後に波形劣化が生じ、ビ
ットエラーが発生してしまうという問題点があった。変
調器集積化光源では半導体レーザ（ＬＤ）部を直流電流
で駆動し、ＬＤからのレーザ光を変調器（ＭＯＤ）部で
強度変調を行なう。したがってＬＤ部は変調を受けない
ため、基本的に殆ど波長チャーピングのない強度変調が
可能となる。
【０００３】しかし、変調器集積化光源を用いた伝送シ
ステムにおいてもビットエラーが生じることがしばしば
ある。その理由として次の３つの原因があげられる。
ステムにおいてもビットエラーが生じることがしばしば
ある。その理由として次の３つの原因があげられる。
【０００４】第１にＭＯＤ部端面の反射抑制が不十分で
あったり、素子間の分離抵抗が小さい場合に生じる光学
的または電気的な素子間干渉によってＬＤに波長チャー
ピングが生じる。第２にＭＯＤ部と変調ドライバ回路と
の間でインピーダンスミスマッチングによって生じる電
気的多重反射の影響で光波形のマークのレベル（“１”
のレベル）の光出力が変動する。第３にＭＯＤ部におい
て光吸収によってキャリアが生成され、このキャリアの
蓄積によりＭＯＤ部での位相変調効率が高くなリ、ＭＯ
Ｄ部自体の波長チャーピングが大きくなる。従来は上記
した各種の伝送エラー要因となる現象が生じる変調器集
積化光源を選別除去する簡便な手段がなかったため、Ｉ
−Ｖ特性、光出力特性、変調器の消光特性等の静特性の
みから素子を選別し、それら素子をモジュール化した
後、実際に伝送実験を行ない、ビットエラー特性を測定
して良好な伝送特性が得られた素子だけを良品としてい
た。
あったり、素子間の分離抵抗が小さい場合に生じる光学
的または電気的な素子間干渉によってＬＤに波長チャー
ピングが生じる。第２にＭＯＤ部と変調ドライバ回路と
の間でインピーダンスミスマッチングによって生じる電
気的多重反射の影響で光波形のマークのレベル（“１”
のレベル）の光出力が変動する。第３にＭＯＤ部におい
て光吸収によってキャリアが生成され、このキャリアの
蓄積によりＭＯＤ部での位相変調効率が高くなリ、ＭＯ
Ｄ部自体の波長チャーピングが大きくなる。従来は上記
した各種の伝送エラー要因となる現象が生じる変調器集
積化光源を選別除去する簡便な手段がなかったため、Ｉ
−Ｖ特性、光出力特性、変調器の消光特性等の静特性の
みから素子を選別し、それら素子をモジュール化した
後、実際に伝送実験を行ない、ビットエラー特性を測定
して良好な伝送特性が得られた素子だけを良品としてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの方法による
と、伝送特性不良の素子までもモジュール化してしまっ
ていたこと、また各素子に対して工数のかかる伝送ビッ
トエラーレート特性を毎回測定しなければならなかった
ことなどから、選別のために多大な工数と部材の無駄を
伴っていた。本発明の目的は伝送特性が良好な変調器集
積化光源を選別する簡便で且つ無駄のない方法を提供す
ることにある。
と、伝送特性不良の素子までもモジュール化してしまっ
ていたこと、また各素子に対して工数のかかる伝送ビッ
トエラーレート特性を毎回測定しなければならなかった
ことなどから、選別のために多大な工数と部材の無駄を
伴っていた。本発明の目的は伝送特性が良好な変調器集
積化光源を選別する簡便で且つ無駄のない方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による変調器集積
化光源の選別方法は下記の点を特徴としている。
化光源の選別方法は下記の点を特徴としている。
【０００７】第１の方法は半導体レーザ部に直流電流を
供給し、前記変調器部をパルス変調して前記半導体レー
ザ部端面側からの出射光を波長分散媒質に通した後、光
波形観測手段に入射させ、観測された光強度の変動率の
値が、伝送ビットレートに応じて設定された基準値以下
となる変調器集積化光源を選別する。
供給し、前記変調器部をパルス変調して前記半導体レー
ザ部端面側からの出射光を波長分散媒質に通した後、光
波形観測手段に入射させ、観測された光強度の変動率の
値が、伝送ビットレートに応じて設定された基準値以下
となる変調器集積化光源を選別する。
【０００８】第２の方法は変調器集積化光源の半導体レ
ーザ部に直流電流を供給し、変調器を数百ｋｂ／ｓ〜２
００Ｍｂ／ｓでパルス変調し、前記半導体レーザまたは
前記変調器側の少なくとも一方からの出射光を高分解分
光器で分光し、分光された変調信号のマークとスペース
に対応したスペクトルの周波数差である双峰ピークの間
隔の値が、伝送ビットレートと伝送距離に応じて設定さ
れた基準値以下となる変調器集積化光源を選別する。
ーザ部に直流電流を供給し、変調器を数百ｋｂ／ｓ〜２
００Ｍｂ／ｓでパルス変調し、前記半導体レーザまたは
前記変調器側の少なくとも一方からの出射光を高分解分
光器で分光し、分光された変調信号のマークとスペース
に対応したスペクトルの周波数差である双峰ピークの間
隔の値が、伝送ビットレートと伝送距離に応じて設定さ
れた基準値以下となる変調器集積化光源を選別する。
【０００９】第３の方法は変調器集積化光源の半導体レ
ーザ部に直流電流を供給し、変調器に変調信号と同じ電
圧範囲の直流逆バイアス電圧を加え、前記半導体レーザ
の発振波長を測定し、前記変調器に前記直流逆バイアス
電圧を加えた場合と加えない場合との波長の差から前記
直流逆バイアスを加えたことによる発熱によって生じる
波長変化を差し引いて得られた変調時のマークとスペー
スの波長変化量が、伝送ビットレート及び伝送距離に応
じて設定された基準値以下となる変調器集積化光源を選
別する。
ーザ部に直流電流を供給し、変調器に変調信号と同じ電
圧範囲の直流逆バイアス電圧を加え、前記半導体レーザ
の発振波長を測定し、前記変調器に前記直流逆バイアス
電圧を加えた場合と加えない場合との波長の差から前記
直流逆バイアスを加えたことによる発熱によって生じる
波長変化を差し引いて得られた変調時のマークとスペー
スの波長変化量が、伝送ビットレート及び伝送距離に応
じて設定された基準値以下となる変調器集積化光源を選
別する。
【００１０】第４の方法は変調器集積化光源の半導体レ
ーザ部に直流電流を供給し、変調器に変調信号と同じ電
圧範囲の直流逆バイアス電圧を加え、前記半導体レーザ
の発振しきい電流を測定し、前記変調器に前記直流逆バ
イアス電圧を加えた場合と加えない場合との前記しきい
電流の差から前記半導体レーザ部と前記変調器部の間の
リーク電流による見かけ上のしきい電流の上昇分を差し
引いたしきい電流値の変化量が、伝送ビットレート及び
伝送距離に応じて設定された基準値以下となる変調器集
積化光源を選別する。
ーザ部に直流電流を供給し、変調器に変調信号と同じ電
圧範囲の直流逆バイアス電圧を加え、前記半導体レーザ
の発振しきい電流を測定し、前記変調器に前記直流逆バ
イアス電圧を加えた場合と加えない場合との前記しきい
電流の差から前記半導体レーザ部と前記変調器部の間の
リーク電流による見かけ上のしきい電流の上昇分を差し
引いたしきい電流値の変化量が、伝送ビットレート及び
伝送距離に応じて設定された基準値以下となる変調器集
積化光源を選別する。
【００１１】第５の方法は変調器集積化光源の半導体レ
ーザ部に直流電流を供給し、変調器に変調信号と同じ電
圧範囲で直流逆バイアス電圧を加え、前記半導体レーザ
からの光出力を測定し、変調器に前記直流逆バイアス電
圧を加えた場合と加えない場合との前記光出力の差の割
合が、伝送ビットレート及び伝送距離に応じて設定され
た基準値以下となる変調器集積化光源を選別する。
ーザ部に直流電流を供給し、変調器に変調信号と同じ電
圧範囲で直流逆バイアス電圧を加え、前記半導体レーザ
からの光出力を測定し、変調器に前記直流逆バイアス電
圧を加えた場合と加えない場合との前記光出力の差の割
合が、伝送ビットレート及び伝送距離に応じて設定され
た基準値以下となる変調器集積化光源を選別する。
【００１２】第６の方法は変調器集積化光源の半導体レ
ーザ部に直流電流を供給し、変調器側の端子を電気的に
短絡及び開放の状態で前記変調器側からの光出力を測定
し、前記短絡状態から開放状態にしたときの光出力の変
化の割合が、伝送ビットレートに応じて設定された基準
値以下となる変調器集積化光源を選別する。
ーザ部に直流電流を供給し、変調器側の端子を電気的に
短絡及び開放の状態で前記変調器側からの光出力を測定
し、前記短絡状態から開放状態にしたときの光出力の変
化の割合が、伝送ビットレートに応じて設定された基準
値以下となる変調器集積化光源を選別する。
【００１３】第７の方法は前記変調側の端子を電気的に
短絡及び開放するかわりに、前記変調側の端子に０Ｖと
０．数Ｖを加えることを特徴とする。
短絡及び開放するかわりに、前記変調側の端子に０Ｖと
０．数Ｖを加えることを特徴とする。
【００１４】第８の方法は変調器集積化光源の半導体レ
ーザ部に直流電流を供給し、変調器側の端子を電気的に
短絡させ、前記変調器部での光の吸収によって生じた光
電流を測定して、前記光電流の値が、伝送ビットエラー
レートと伝送距離によって決まる基準値以下となる変調
器集積化光源を選別する。
ーザ部に直流電流を供給し、変調器側の端子を電気的に
短絡させ、前記変調器部での光の吸収によって生じた光
電流を測定して、前記光電流の値が、伝送ビットエラー
レートと伝送距離によって決まる基準値以下となる変調
器集積化光源を選別する。
【００１５】
【実施例】以下に本発明の変調器集積化光源の選別方法
を原理・作用を含めて図面を用いて詳細に説明する。
を原理・作用を含めて図面を用いて詳細に説明する。
【００１６】伝送エラーを生じさせる第１の原因であ
る、ＬＤ部のチャーピングが大きいことによる不良素子
を除外するための選別方法を示す。
る、ＬＤ部のチャーピングが大きいことによる不良素子
を除外するための選別方法を示す。
【００１７】図１は本発明の第１の実施例を説明する図
である。ＬＤ部２とＭＯＤ部３が集積化された変調器集
積化光源１においてＬＤ部２に直流電流を流しレーザ発
振させ、ＭＯＤ部３では実際の動作と同じ振幅の固定電
圧パルス（例えば３ＶP-P ）を用いて変調を行なう。Ｍ
ＯＤ部３の端面からの光は強度変調された波形となって
いるが、ＬＤ部２の端面からの光は殆ど強度変調を受け
ていない。このＬＤ部端面からの光を実際の伝送システ
ムと同じ長さの光ファイバ１１を通して伝送した後に受
光器１２とサンプリングオシロスコープ１３を用いて光
波形を観測すると、波長チャーピングが生じている場合
には光ファイバの波長分散の影響で光強度の変動が観測
される。
である。ＬＤ部２とＭＯＤ部３が集積化された変調器集
積化光源１においてＬＤ部２に直流電流を流しレーザ発
振させ、ＭＯＤ部３では実際の動作と同じ振幅の固定電
圧パルス（例えば３ＶP-P ）を用いて変調を行なう。Ｍ
ＯＤ部３の端面からの光は強度変調された波形となって
いるが、ＬＤ部２の端面からの光は殆ど強度変調を受け
ていない。このＬＤ部端面からの光を実際の伝送システ
ムと同じ長さの光ファイバ１１を通して伝送した後に受
光器１２とサンプリングオシロスコープ１３を用いて光
波形を観測すると、波長チャーピングが生じている場合
には光ファイバの波長分散の影響で光強度の変動が観測
される。
【００１８】この光強度変動率（ΔＩ／Ｉ）は波長チャ
ーピングが大きいほど大きくなる。従ってΔＩ／Ｉと受
信感度劣化（パワーペナルティ）とは正の相関関係を示
す。図２は光強度変動率ΔＩ／Ｉと２．５Ｇｂ／ｓ信号
に対するパワーペナルティとの関係を示す。図２よりパ
ワーペナルティ１ｄＢ以下を得るためにはΔＩ／Ｉ＜
０．２を満たす必要があることが判る。この様に図１に
示した構成で測定したΔＩ／Ｉを選別パラメータとして
用いて、その値がある特定の値以下を示す素子のみを選
べば伝送特性の良好な素子を選別することができる。特
定の値とはここで示した様に２．５Ｇｂ／ｓの場合には
ΔＩ／Ｉ＝０．２であるが、この値は伝送ビットレート
に依存するため、ビットレートに対応した適切な値を実
験または解析的に予め設定しておく必要がある。
ーピングが大きいほど大きくなる。従ってΔＩ／Ｉと受
信感度劣化（パワーペナルティ）とは正の相関関係を示
す。図２は光強度変動率ΔＩ／Ｉと２．５Ｇｂ／ｓ信号
に対するパワーペナルティとの関係を示す。図２よりパ
ワーペナルティ１ｄＢ以下を得るためにはΔＩ／Ｉ＜
０．２を満たす必要があることが判る。この様に図１に
示した構成で測定したΔＩ／Ｉを選別パラメータとして
用いて、その値がある特定の値以下を示す素子のみを選
べば伝送特性の良好な素子を選別することができる。特
定の値とはここで示した様に２．５Ｇｂ／ｓの場合には
ΔＩ／Ｉ＝０．２であるが、この値は伝送ビットレート
に依存するため、ビットレートに対応した適切な値を実
験または解析的に予め設定しておく必要がある。
【００１９】尚、本実施例では光ファイバ１１を用いた
が、代わりに光ファイバと同程度の波長分散特性を有す
る分散媒質（例えばプリズム等）を用いても良い。また
変調に用いる信号のパルス幅は実際の伝送システムで用
いられるパルス幅と同じである必要はない。なぜならば
チャーピングが生じるのはパルスの立ち上がり及び立ち
下がり部分であるため、パルスの立ち上がり（立ち下が
り）時間が実際の伝送システムで使われるものと同じで
あれば、パルス幅は広くてもよい。即ち実際よりも低い
ビットレートで変調しても何等選別のうえで不都合は生
じない。
が、代わりに光ファイバと同程度の波長分散特性を有す
る分散媒質（例えばプリズム等）を用いても良い。また
変調に用いる信号のパルス幅は実際の伝送システムで用
いられるパルス幅と同じである必要はない。なぜならば
チャーピングが生じるのはパルスの立ち上がり及び立ち
下がり部分であるため、パルスの立ち上がり（立ち下が
り）時間が実際の伝送システムで使われるものと同じで
あれば、パルス幅は広くてもよい。即ち実際よりも低い
ビットレートで変調しても何等選別のうえで不都合は生
じない。
【００２０】本実施例で紹介した選別方法では、伝送後
にビットエラーレートをいちいち測定する必要がない
分、従来に比べ識別工数が大幅に削減できる。
にビットエラーレートをいちいち測定する必要がない
分、従来に比べ識別工数が大幅に削減できる。
【００２１】図３は本発明の第２の実施例を説明する図
である。変調器集積化光源１のＬＤ部２に直流電流を流
してレーザ発振させる。ＭＯＤ部３を数百ｋｂ／ｓ〜２
００Ｍｂ／ｓの範囲の適当な固定パルス（振幅は実際の
システムでの動作条件と同じ）で変調する。ＬＤ部２ま
たはＭＯＤ部３のどちらかの端面からの光について分解
能が１００ＭＨｚ程度の分光器１４を用いてスペクトル
測定を行なう。測定したスペクトルには変調信号のマー
ク（“１”）とスペース（“０”）に対応して双峰が現
れる。この双峰の周波数差Δｆを読みとる。
である。変調器集積化光源１のＬＤ部２に直流電流を流
してレーザ発振させる。ＭＯＤ部３を数百ｋｂ／ｓ〜２
００Ｍｂ／ｓの範囲の適当な固定パルス（振幅は実際の
システムでの動作条件と同じ）で変調する。ＬＤ部２ま
たはＭＯＤ部３のどちらかの端面からの光について分解
能が１００ＭＨｚ程度の分光器１４を用いてスペクトル
測定を行なう。測定したスペクトルには変調信号のマー
ク（“１”）とスペース（“０”）に対応して双峰が現
れる。この双峰の周波数差Δｆを読みとる。
【００２２】ＬＤ側に波長チャーピングが生じる原因
は、マークとスペースの時の波長が異なっているためで
ある。即ちこの波長差（周波数差）Δｆが大きいほどチ
ャーピングが大きく、伝送後のパワーペナルティが大き
いことになる。変調器を数百ｋｂ／ｓ〜２００Ｍｂ／ｓ
で変調するとマークとスペースに対応した二つの明瞭な
スペクトルを観測することができる。この変調周波数範
囲よりも低い周波数で変調したのでは発熱による影響
で、また高すぎると変調サイドバンドの影響で双峰ピー
クが不明瞭になってくる。
は、マークとスペースの時の波長が異なっているためで
ある。即ちこの波長差（周波数差）Δｆが大きいほどチ
ャーピングが大きく、伝送後のパワーペナルティが大き
いことになる。変調器を数百ｋｂ／ｓ〜２００Ｍｂ／ｓ
で変調するとマークとスペースに対応した二つの明瞭な
スペクトルを観測することができる。この変調周波数範
囲よりも低い周波数で変調したのでは発熱による影響
で、また高すぎると変調サイドバンドの影響で双峰ピー
クが不明瞭になってくる。
【００２３】図４は２．５Ｇｂ／ｓ伝送におけるΔｆと
パワーペナルティとの関係を示す。この関係は図を見て
も明らかなように伝送距離に依存する。例えば８０km伝
送の場合には、パワーペナルティを１ｄＢ以下とするた
めに、Δｆ＜５ＧＨｚを満足する素子を選べば、２．５
Ｇｂ／ｓ；８０kmの良好な伝送特性を実現できる素子を
選別することができる。Δｆの基準値は伝送ビットレー
ト及び伝送距離に応じて適当に設定する必要がある。
パワーペナルティとの関係を示す。この関係は図を見て
も明らかなように伝送距離に依存する。例えば８０km伝
送の場合には、パワーペナルティを１ｄＢ以下とするた
めに、Δｆ＜５ＧＨｚを満足する素子を選べば、２．５
Ｇｂ／ｓ；８０kmの良好な伝送特性を実現できる素子を
選別することができる。Δｆの基準値は伝送ビットレー
ト及び伝送距離に応じて適当に設定する必要がある。
【００２４】本実施例で紹介した選別方法によれば、非
常に低ビットレートのパルス変調と市販の分光器１４を
用いた簡単な構成で伝送特性の良好な素子を選別でき
る。光ファイバを使った伝送を行わなくてもよいこと、
さらに変調速度が極めて低いため変調のための特別な回
路を要しないことなどにより、この方法は第１の実施例
の方法よりも一層簡便な方法である。
常に低ビットレートのパルス変調と市販の分光器１４を
用いた簡単な構成で伝送特性の良好な素子を選別でき
る。光ファイバを使った伝送を行わなくてもよいこと、
さらに変調速度が極めて低いため変調のための特別な回
路を要しないことなどにより、この方法は第１の実施例
の方法よりも一層簡便な方法である。
【００２５】図５は本発明の第３の実施例を説明する図
である。変調器集積化光源１のＬＤ部２に直流電流を流
しレーザ発振させる。ＭＯＤ部３に加える電圧を実際の
変調信号の電圧範囲（例えば０〜−３Ｖ）で変化させて
その時の波長の変化Δｆ１を分光器１４により測定す
る。この時、最大電圧と最小電圧での波長の差が実施例
２で述べたマークとスペースでの波長の差と一致する。
但し、この場合ＭＯＤ部３に加える電圧をゆっくりと変
化させるため、ＭＯＤ部３での発熱の影響（発熱は発振
波長を長波側にシフトさせる）が現れる。従って発熱の
影響を予め見積っておき、その分補正を加える必要があ
る。発熱の影響は素子の熱抵抗を測定しておけば、レー
ザ発振波長の温度係数０．１nm／℃を用いて消費電力か
ら見積もることができる。
である。変調器集積化光源１のＬＤ部２に直流電流を流
しレーザ発振させる。ＭＯＤ部３に加える電圧を実際の
変調信号の電圧範囲（例えば０〜−３Ｖ）で変化させて
その時の波長の変化Δｆ１を分光器１４により測定す
る。この時、最大電圧と最小電圧での波長の差が実施例
２で述べたマークとスペースでの波長の差と一致する。
但し、この場合ＭＯＤ部３に加える電圧をゆっくりと変
化させるため、ＭＯＤ部３での発熱の影響（発熱は発振
波長を長波側にシフトさせる）が現れる。従って発熱の
影響を予め見積っておき、その分補正を加える必要があ
る。発熱の影響は素子の熱抵抗を測定しておけば、レー
ザ発振波長の温度係数０．１nm／℃を用いて消費電力か
ら見積もることができる。
【００２６】図６に波長変化量のＭＯＤ印加電圧依存性
を示す。点線は発熱による波長変化を見積もった結果で
ある。測定した波長変化の値から発熱の影響を差し引い
た値が実際の変調時のマークとスペースの波長差（周波
数差Δｆ）に対応し、第２の実施例と同様に２．５Ｇｂ
／ｓ；８０km伝送においてパワーペナルティを１ｄＢ以
下を達成するためには、Δｆ＜５ＧＨｚを満足する素子
を選別すればよい。Δｆの基準値はビットレート及び伝
送距離に応じて、例えば図４で示した様に適切に設ける
必要がある。
を示す。点線は発熱による波長変化を見積もった結果で
ある。測定した波長変化の値から発熱の影響を差し引い
た値が実際の変調時のマークとスペースの波長差（周波
数差Δｆ）に対応し、第２の実施例と同様に２．５Ｇｂ
／ｓ；８０km伝送においてパワーペナルティを１ｄＢ以
下を達成するためには、Δｆ＜５ＧＨｚを満足する素子
を選別すればよい。Δｆの基準値はビットレート及び伝
送距離に応じて、例えば図４で示した様に適切に設ける
必要がある。
【００２７】第３の実施例の選別方法はＭＯＤ部３を変
調する必要がないため、実施例１及び２の方法に比べよ
り簡便な方法といえる。但し、発熱の影響の割合が比較
的大きいため、測定誤差が比較的大きい方法でもある。
調する必要がないため、実施例１及び２の方法に比べよ
り簡便な方法といえる。但し、発熱の影響の割合が比較
的大きいため、測定誤差が比較的大きい方法でもある。
【００２８】図７に本発明の第４の実施例の選別方法を
示す。変調器集積化光源１のＭＯＤ部３に加える電圧を
実際の変調信号の電圧範囲で変化させた時のＬＤ部２の
発振しきい電流（Ｉth）の変化を、ＬＤ部２の端面側か
らの光出力特性を受光器１２により測定することで求め
る。ＬＤ部２で生じる波長チャーピングは種々の原因に
よりＬＤ部２の活性層内のキャリア密度が変動するため
に生じる。この時同時に発振しきい電流Ｉthも変化す
る。このＩth変化は波長チャーピングとの間に相関を有
する。
示す。変調器集積化光源１のＭＯＤ部３に加える電圧を
実際の変調信号の電圧範囲で変化させた時のＬＤ部２の
発振しきい電流（Ｉth）の変化を、ＬＤ部２の端面側か
らの光出力特性を受光器１２により測定することで求め
る。ＬＤ部２で生じる波長チャーピングは種々の原因に
よりＬＤ部２の活性層内のキャリア密度が変動するため
に生じる。この時同時に発振しきい電流Ｉthも変化す
る。このＩth変化は波長チャーピングとの間に相関を有
する。
【００２９】図８はＩthのＭＯＤ部３への印加電圧依存
性である。ＬＤ部２とＭＯＤ部３の間にわずかのリーク
電流があると図中点線で示した様に活性層内のキャリア
密度変化とは無関係なＩth変化が現れる。このリーク電
流の印加電圧依存性を素子間の分離抵抗を測定すること
で予め求めておき、実測したＩth変化の結果から差し引
くことにより、キャリア密度変化に関係するＩthの変化
量（ΔＩth）を知ることができる。図１０に２．５Ｇｂ
／ｓ；８０km伝送におけるパワーペナルティのΔＩth／
Ｉth依存性を示す。パワーペナルティを１ｄＢ以下とす
るためにはＩthの変化の割合が１％以下の素子を選別す
ればよいことがわかる。なおΔＩth／Ｉthの基準値はビ
ットレート及び伝送距離に応じて適切に設ける必要があ
る。通常ビットレートが上がるか、伝送距離が伸びると
要求される基準値は小さくなる。
性である。ＬＤ部２とＭＯＤ部３の間にわずかのリーク
電流があると図中点線で示した様に活性層内のキャリア
密度変化とは無関係なＩth変化が現れる。このリーク電
流の印加電圧依存性を素子間の分離抵抗を測定すること
で予め求めておき、実測したＩth変化の結果から差し引
くことにより、キャリア密度変化に関係するＩthの変化
量（ΔＩth）を知ることができる。図１０に２．５Ｇｂ
／ｓ；８０km伝送におけるパワーペナルティのΔＩth／
Ｉth依存性を示す。パワーペナルティを１ｄＢ以下とす
るためにはＩthの変化の割合が１％以下の素子を選別す
ればよいことがわかる。なおΔＩth／Ｉthの基準値はビ
ットレート及び伝送距離に応じて適切に設ける必要があ
る。通常ビットレートが上がるか、伝送距離が伸びると
要求される基準値は小さくなる。
【００３０】図９は本発明の第５の実施例を説明する図
である。選別のための構成は図７に示したものと同じで
ある。変調器集積化光源１のＬＤ部２に直流電流を流し
レーザ発振を得る。ＭＯＤ部３に印加する電圧を変化さ
せた時のＬＤ部２の端面側からの光出力の変化を測定す
る。ＬＤ部２の活性層内のキャリア密度変化が生じてＩ
thが変化するときＬＤ部２からの光出力も変化する。こ
の光出力変化ΔＰも波長チャーピングとの間に相関を有
する。
である。選別のための構成は図７に示したものと同じで
ある。変調器集積化光源１のＬＤ部２に直流電流を流し
レーザ発振を得る。ＭＯＤ部３に印加する電圧を変化さ
せた時のＬＤ部２の端面側からの光出力の変化を測定す
る。ＬＤ部２の活性層内のキャリア密度変化が生じてＩ
thが変化するときＬＤ部２からの光出力も変化する。こ
の光出力変化ΔＰも波長チャーピングとの間に相関を有
する。
【００３１】図１０には２．５Ｇｂ／ｓ；８０km伝送に
おけるパワーペナルティのΔＰ／Ｐ依存性も示した。パ
ワーペナルティを１ｄＢ以下の伝送を実現するためには
ΔＰ／Ｐが１５％以下の素子を選別すればよいことがわ
かる。なおΔＰ／Ｐの基準値はビットレート及び伝送距
離に応じて適切に設ける必要がある。通常ビットレート
が上がるか、伝送距離が伸びるとこの基準値は小さくな
る。
おけるパワーペナルティのΔＰ／Ｐ依存性も示した。パ
ワーペナルティを１ｄＢ以下の伝送を実現するためには
ΔＰ／Ｐが１５％以下の素子を選別すればよいことがわ
かる。なおΔＰ／Ｐの基準値はビットレート及び伝送距
離に応じて適切に設ける必要がある。通常ビットレート
が上がるか、伝送距離が伸びるとこの基準値は小さくな
る。
【００３２】実施例４と５で紹介した方法は、実施例３
の方法と同じく素子を変調させる必要がないため極めて
簡単な方法で選別ができる。また実施例３の方法に比べ
て測定誤差が小さいという利点がある。
の方法と同じく素子を変調させる必要がないため極めて
簡単な方法で選別ができる。また実施例３の方法に比べ
て測定誤差が小さいという利点がある。
【００３３】次に伝送エラーを生じさせる第２番目の原
因である、電気的多重反射に起因する不良素子を除外す
るための選別方法を紹介する。
因である、電気的多重反射に起因する不良素子を除外す
るための選別方法を紹介する。
【００３４】先ず原理について述べる。変調電気信号に
対して何等かの原因でＭＯＤ部３と変調ドライバ回路と
の間で電気的多重反射が生じると、ＭＯＤを変調する変
調波形の電圧が変動する。変調信号のスペースレベル
（“０”レベル）では光はほとんど消光された状態なの
でこの電圧変動の光波形への影響はほとんどない。一方
マーク時においては、電圧変動は直接に光出力変動をも
たらす。本願出願人の実験によれば、マーク時の電圧は
本来ゼロであるべきであるが、前記電気的多重反射が生
じるとマーク時の電圧はＭＯＤ部内部の半導体ｐ−ｎ接
合に対し順方向バイアスとなる方向に電圧が変動するこ
とが判っている（本来ＭＯＤはゼロから逆方向バイアス
の状態で動作させる）。従って電気的多重反射はマーク
時の電圧を０〜＋０．６Ｖ程度の範囲で変動させること
になる。ＭＯＤ部の消光特性がこの電圧の範囲でフラッ
トであれば、この様な電圧変動があっても光出力変動は
生じない。しかし一般には消光特性がこの電圧範囲でフ
ラットな素子は殆どなく、順方向に僅かに電圧が上昇す
ることで光出力は増加する。ＭＯＤ部の電圧を０Ｖから
約＋０．６Ｖに増加させた時の光出力の増加分が、変調
時の電気的多重反射によって生じるマーク時の光出力変
動の割合に対応する。変調器集積化光源ではＭＯＤ部の
端子間を開放状態にすると、ＭＯＤ部で光吸収のために
電子とホールのキャリアが生成され、ｐ−ｎ接合が自動
的に順方向にビイルトイン電圧分（約０．６Ｖ）だけバ
イアスされる。この原理を用いればＬＤ部をレーザ発振
させた状態でＭＯＤ部端子間を短絡及び開放状態にする
ことで、ＭＯＤ部電圧を自動的に０Ｖと＋０．６Ｖに設
定でき、そのときのＭＯＤ部端面からの光出力を比較す
れば電気的多重化反射によるマーク時光出力変動を定量
的に測定できる。
対して何等かの原因でＭＯＤ部３と変調ドライバ回路と
の間で電気的多重反射が生じると、ＭＯＤを変調する変
調波形の電圧が変動する。変調信号のスペースレベル
（“０”レベル）では光はほとんど消光された状態なの
でこの電圧変動の光波形への影響はほとんどない。一方
マーク時においては、電圧変動は直接に光出力変動をも
たらす。本願出願人の実験によれば、マーク時の電圧は
本来ゼロであるべきであるが、前記電気的多重反射が生
じるとマーク時の電圧はＭＯＤ部内部の半導体ｐ−ｎ接
合に対し順方向バイアスとなる方向に電圧が変動するこ
とが判っている（本来ＭＯＤはゼロから逆方向バイアス
の状態で動作させる）。従って電気的多重反射はマーク
時の電圧を０〜＋０．６Ｖ程度の範囲で変動させること
になる。ＭＯＤ部の消光特性がこの電圧の範囲でフラッ
トであれば、この様な電圧変動があっても光出力変動は
生じない。しかし一般には消光特性がこの電圧範囲でフ
ラットな素子は殆どなく、順方向に僅かに電圧が上昇す
ることで光出力は増加する。ＭＯＤ部の電圧を０Ｖから
約＋０．６Ｖに増加させた時の光出力の増加分が、変調
時の電気的多重反射によって生じるマーク時の光出力変
動の割合に対応する。変調器集積化光源ではＭＯＤ部の
端子間を開放状態にすると、ＭＯＤ部で光吸収のために
電子とホールのキャリアが生成され、ｐ−ｎ接合が自動
的に順方向にビイルトイン電圧分（約０．６Ｖ）だけバ
イアスされる。この原理を用いればＬＤ部をレーザ発振
させた状態でＭＯＤ部端子間を短絡及び開放状態にする
ことで、ＭＯＤ部電圧を自動的に０Ｖと＋０．６Ｖに設
定でき、そのときのＭＯＤ部端面からの光出力を比較す
れば電気的多重化反射によるマーク時光出力変動を定量
的に測定できる。
【００３５】図１１は本発明の第６の実施例である変調
器集積化光源の選別方法である。変調器集積化光源１の
ＬＤ部２に直流電流を流しレーザ発振させ、スイッチ１
５を用いてＭＯＤ部３の端子間を短絡させた場合と開放
状態にした場合とで、ＭＯＤ部３からの光出力の違いを
受光器１２により測定する。
器集積化光源の選別方法である。変調器集積化光源１の
ＬＤ部２に直流電流を流しレーザ発振させ、スイッチ１
５を用いてＭＯＤ部３の端子間を短絡させた場合と開放
状態にした場合とで、ＭＯＤ部３からの光出力の違いを
受光器１２により測定する。
【００３６】図１２はＭＯＤ部３の端子間を短絡及び開
放状態にしたときのＭＯＤ部３の端面側からの光出力の
レーザ電流依存性である。光出力は開放状態の時の方
（ＰO）が、短絡状態の時（ＰS ）よりも一般に高くな
る。この光出力の変化の割合ΔＰO-S ／ＰS がある一定
の値以下の素子を選ぶことにより良好な伝送特性を示す
素子を選別できる。
放状態にしたときのＭＯＤ部３の端面側からの光出力の
レーザ電流依存性である。光出力は開放状態の時の方
（ＰO）が、短絡状態の時（ＰS ）よりも一般に高くな
る。この光出力の変化の割合ΔＰO-S ／ＰS がある一定
の値以下の素子を選ぶことにより良好な伝送特性を示す
素子を選別できる。
【００３７】図１３に２．５Ｇｂ／ｓの信号に対するパ
ワーペナルティとΔＰO-S ／ＰS の関係を実験的に求め
た結果を示す。パワーペナルティが１ｄＢ以下の伝送を
実現するためには、ΔＰO-S ／ＰS ＜０．２５の素子を
選別すればよいことがわかる。
ワーペナルティとΔＰO-S ／ＰS の関係を実験的に求め
た結果を示す。パワーペナルティが１ｄＢ以下の伝送を
実現するためには、ΔＰO-S ／ＰS ＜０．２５の素子を
選別すればよいことがわかる。
【００３８】本実施例で紹介した選別方法は、ＬＤ部を
駆動する直流電源と受光器があれば行なうことができる
非常に簡便な方法である。尚、本実施例ではＭＯＤ部の
端子間を短絡及び開放状態で光出力を比較したが、ＭＯ
Ｄ部端子間に外部から０Ｖと＋０．６Ｖを意図的に加え
て同様の測定を行なってもよい。
駆動する直流電源と受光器があれば行なうことができる
非常に簡便な方法である。尚、本実施例ではＭＯＤ部の
端子間を短絡及び開放状態で光出力を比較したが、ＭＯ
Ｄ部端子間に外部から０Ｖと＋０．６Ｖを意図的に加え
て同様の測定を行なってもよい。
【００３９】次に伝送エラーを生じさせる第３番目の原
因である、光変調器でのキャリアの蓄積による位相変調
効率が増大することによる不良素子を除外するための選
別方法を紹介する。
因である、光変調器でのキャリアの蓄積による位相変調
効率が増大することによる不良素子を除外するための選
別方法を紹介する。
【００４０】ＭＯＤ部では光の吸収によってキャリアが
生成される。このキャリアは通常ＭＯＤ部に逆バイアス
電圧が印加されている場合には瞬時にしてｐ−ｎ接合部
分から引き出され、キャリアは蓄積されない。しかし、
ＭＯＤ部に印加される電圧がゼロあるいは若干の順方向
バイアスの条件下では、キャリアは引き出されず蓄積さ
れる。この状態でＭＯＤ部端子間を短絡するとキャリア
は光電流として流れ出す。この時の光電流と蓄積キャリ
ア密度との間には相関関係があることから、この光電流
を測定することで第３の原因による不良素子を除外する
ことができる。
生成される。このキャリアは通常ＭＯＤ部に逆バイアス
電圧が印加されている場合には瞬時にしてｐ−ｎ接合部
分から引き出され、キャリアは蓄積されない。しかし、
ＭＯＤ部に印加される電圧がゼロあるいは若干の順方向
バイアスの条件下では、キャリアは引き出されず蓄積さ
れる。この状態でＭＯＤ部端子間を短絡するとキャリア
は光電流として流れ出す。この時の光電流と蓄積キャリ
ア密度との間には相関関係があることから、この光電流
を測定することで第３の原因による不良素子を除外する
ことができる。
【００４１】図１４は本発明の第７の実施例である変調
器集積化光源の選別方法である。変調器集積化光源１の
ＬＤ部２に直流電流を流しレーザ発振させ、ＭＯＤ部３
の端子間を短絡させたときに流れる光吸収によって生じ
る光電流を電流計１６によって測定する。
器集積化光源の選別方法である。変調器集積化光源１の
ＬＤ部２に直流電流を流しレーザ発振させ、ＭＯＤ部３
の端子間を短絡させたときに流れる光吸収によって生じ
る光電流を電流計１６によって測定する。
【００４２】図１５に２．５Ｇｂ／ｓ；８０km伝送にお
けるパワーペナルティの光電流依存性を求めた結果を示
す。パワーペナルティが１ｄＢ以下の伝送を実現するた
めには、光電流が５ｍＡ以下の素子を選別すればよいこ
とがわかる。
けるパワーペナルティの光電流依存性を求めた結果を示
す。パワーペナルティが１ｄＢ以下の伝送を実現するた
めには、光電流が５ｍＡ以下の素子を選別すればよいこ
とがわかる。
【００４３】この方法は直流電源と電流計を用いた最も
簡単な構成で行なうことができる。なお光電流の基準値
はビットエラーレートと伝送距離によって適当に選ぶ必
要がある。また光電流の基準値はＭＯＤ部を高速変調す
るときに用いる負荷抵抗の値によっても変わる。
簡単な構成で行なうことができる。なお光電流の基準値
はビットエラーレートと伝送距離によって適当に選ぶ必
要がある。また光電流の基準値はＭＯＤ部を高速変調す
るときに用いる負荷抵抗の値によっても変わる。
【００４４】以上第１から第７までの実施例では伝送シ
ステムでのパワーペナルティが１ｄＢ以下としたがこれ
に限られるものではなく、伝送システムで許容されるパ
ワーペナルティを設定すればよい。また変調器として電
気吸収型光変調器を集積化した変調器集積化光源の選別
方法について述べてきたが、これらは半導体マッハツェ
ンダー型光変調器を集積化した光源についても有効であ
る。また本明細書では半導体材料については特に触れな
かったが、変調器集積化光源に使われる半導体材料がい
かなる場合でも、本発明の選別方法は有効であることは
明らかである。
ステムでのパワーペナルティが１ｄＢ以下としたがこれ
に限られるものではなく、伝送システムで許容されるパ
ワーペナルティを設定すればよい。また変調器として電
気吸収型光変調器を集積化した変調器集積化光源の選別
方法について述べてきたが、これらは半導体マッハツェ
ンダー型光変調器を集積化した光源についても有効であ
る。また本明細書では半導体材料については特に触れな
かったが、変調器集積化光源に使われる半導体材料がい
かなる場合でも、本発明の選別方法は有効であることは
明らかである。
【００４５】
【発明の効果】本発明の変調器集積化光源の選別方法を
用いれば、非常に簡便な方法により良好な伝送特性を示
す素子を効率的に選別することができる。またそうした
選別作業も素子をモジュール化する前の段階で行なうこ
とができるためモジュール化に用いる部材を無駄にする
ことがない。従って変調器集積化光源の製造コストを大
幅に低減できる利点を有している。
用いれば、非常に簡便な方法により良好な伝送特性を示
す素子を効率的に選別することができる。またそうした
選別作業も素子をモジュール化する前の段階で行なうこ
とができるためモジュール化に用いる部材を無駄にする
ことがない。従って変調器集積化光源の製造コストを大
幅に低減できる利点を有している。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する図である。
【図２】光強度変動率ΔＩ／Ｉと２．５Ｇｂ／ｓ信号に
対するパワーペナルティとの関係を示す図である。
対するパワーペナルティとの関係を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明する図である。
【図４】２．５Ｇｂ／ｓ伝送における周波数差とパワー
ペナルティとの関係を示す図である。
ペナルティとの関係を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施例を説明する図である。
【図６】波長変化量のＭＯＤ印加電圧依存性を示す図で
ある。
ある。
【図７】本発明の第４の実施例を説明する図である。
【図８】発振しきい値のＭＯＤ部への印加依存性を示す
図である。
図である。
【図９】本発明の第５の実施例を説明する図である。
【図１０】２．５Ｇｂ／ｓ；８０km伝送におけるパワー
ペナルティの光出力変化量依存性を示す図である。
ペナルティの光出力変化量依存性を示す図である。
【図１１】本発明の第６の実施例を説明する図である。
【図１２】本発明の第６の実施例を説明する図である。
【図１３】２．５Ｇｂ／ｓ信号に対するパワーペナルテ
ィと光出力の変化の割合を示す図である。
ィと光出力の変化の割合を示す図である。
【図１４】本発明の第７の実施例を説明する図である。
【図１５】２．５Ｇｂ／ｓ；８０km伝送におけるパワー
ペナルティの光電流依存性を示す図である。
ペナルティの光電流依存性を示す図である。
１ 変調器集積化光源 ２ ＬＤ部 ３ ＭＯＤ部 １１ 光ファイバ １２ 受光器 １３ サンプリングオシロスコープ １４ 分光器 １５ スイッチ １６ 電流計
Claims (8)
- 【請求項１】半導体レーザと光変調器を集積化した変調
器集積化光源の選別方法であって、前記半導体レーザ部
に直流電流を供給し、前記変調器部をパルス変調して前
記半導体レーザ部端面側からの出射光を波長分散媒質に
通した後、光波形観測手段に入射させ、観測された光強
度の変動率の値が、伝送ビットレートに応じて設定され
た基準値以下となる変調器集積化光源を選別することを
特徴とする変調器集積化光源の選別方法。 - 【請求項２】変調器集積化光源の半導体レーザ部に直流
電流を供給し、変調器を数百ｋｂ／ｓ〜２００Ｍｂ／ｓ
でパルス変調し、前記半導体レーザまたは前記変調器側
の少なくとも一方からの出射光を高分解分光器で分光
し、分光された変調信号のマークとスペースに対応した
スペクトルの周波数差である双峰ピークの間隔の値が、
伝送ビットレートと伝送距離に応じて設定された基準値
以下となる変調器集積化光源を選別することを特徴とす
る変調器集積化光源の選別方法。 - 【請求項３】変調器集積化光源の半導体レーザ部に直流
電流を供給し、変調器に変調信号と同じ電圧範囲の直流
逆バイアス電圧を加え、前記半導体レーザの発振波長を
測定し、前記変調器に前記直流逆バイアス電圧を加えた
場合と加えない場合との波長の差から前記直流逆バイア
スを加えたことによる発熱によって生じる波長変化を差
し引いて得られた変調時のマークとスペースの波長変化
量が、伝送ビットレート及び伝送距離に応じて設定され
た基準値以下となる変調器集積化光源を選別することを
特徴とする変調器集積化光源の選別方法。 - 【請求項４】変調器集積化光源の半導体レーザ部に直流
電流を供給し、変調器に変調信号と同じ電圧範囲の直流
逆バイアス電圧を加え、前記半導体レーザの発振しきい
電流を測定し、前記変調器に前記直流逆バイアス電圧を
加えた場合と加えない場合との前記しきい電流の差から
前記半導体レーザ部と前記変調器部の間のリーク電流に
よる見かけ上のしきい電流の上昇分を差し引いたしきい
電流値の変化量が、伝送ビットレート及び伝送距離に応
じて設定された基準値以下となる変調器集積化光源を選
別することを特徴とする変調器集積化光源の選別方法。 - 【請求項５】変調器集積化光源の半導体レーザ部に直流
電流を供給し、変調器に変調信号と同じ電圧範囲で直流
逆バイアス電圧を加え、前記半導体レーザからの光出力
を測定し、変調器に前記直流逆バイアス電圧を加えた場
合と加えない場合との前記光出力の差の割合が、伝送ビ
ットレート及び伝送距離に応じて設定された基準値以下
となる変調器集積化光源を選別することを特徴とする変
調器集積化光源の選別方法。 - 【請求項６】変調器集積化光源の半導体レーザ部に直流
電流を供給し、変調器側の端子を電気的に短絡及び開放
の状態で前記変調器側からの光出力を測定し、前記短絡
状態から開放状態にしたときの光出力の変化の割合が、
伝送ビットレートに応じて設定された基準値以下となる
変調器集積化光源を選別することを特徴とする変調器集
積化光源の選別方法。 - 【請求項７】前記変調側の端子を電気的に短絡及び開放
するかわりに、前記変調側の端子に０Ｖと０．数Ｖを加
えることを特徴とする請求項６記載の変調器集積化光源
の選別方法。 - 【請求項８】変調器集積化光源の半導体レーザ部に直流
電流を供給し、変調器側の端子を電気的に短絡させ、前
記変調器部での光の吸収によって生じた光電流を測定し
て、前記光電流の値が、伝送ビットエラーレートと伝送
距離によって決まる基準値以下となる変調器集積化光源
を選別することを特徴とする変調器集積化光源の選別方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6220077A JP2661558B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 変調器集積化光源の選別方法 |
| DE69511660T DE69511660T2 (de) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | Selektionsverfahren für eine integrierte optische Modulator/Laserlichtquelle |
| EP95114482A EP0712180B1 (en) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | Method for selecting a semiconductor integrated optical modulator/laser light source device |
| US08/528,159 US5604827A (en) | 1994-09-14 | 1995-09-14 | Method for selecting a semiconductor integrated optical modulator/laser light source device |
| US08/813,682 US5936992A (en) | 1994-09-14 | 1997-03-07 | Method for selecting a semiconductor integrated optical modulator/laser light source device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6220077A JP2661558B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 変調器集積化光源の選別方法 |
| US08/813,682 US5936992A (en) | 1994-09-14 | 1997-03-07 | Method for selecting a semiconductor integrated optical modulator/laser light source device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0886718A JPH0886718A (ja) | 1996-04-02 |
| JP2661558B2 true JP2661558B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=26523515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6220077A Expired - Fee Related JP2661558B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 変調器集積化光源の選別方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5604827A (ja) |
| EP (1) | EP0712180B1 (ja) |
| JP (1) | JP2661558B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6263005B1 (en) * | 1997-03-07 | 2001-07-17 | Nec Corporation | Method for selecting a semiconductor integrated optical modulator/laser light source device |
| FR2770691B1 (fr) * | 1997-11-06 | 1999-12-03 | Alsthom Cge Alcatel | Dispositif d'emission optique a composant integre comportant au moins une section laser et une section de modulation |
| US6183918B1 (en) | 1997-11-12 | 2001-02-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Alignment method and system for use in manufacturing an optical filter |
| JP3321555B2 (ja) * | 1997-11-21 | 2002-09-03 | 日本オプネクスト株式会社 | 光伝送用モジュールの製造方法並びにビット・エラーレート特性検査システム |
| JP3186704B2 (ja) | 1998-08-05 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 半導体非線形導波路及び光スイッチ |
| JP2001308788A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Nec Corp | 光通信用光源の選別方法及び選別装置 |
| JP2006155698A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Hitachi Ltd | 光記録再生装置 |
| KR100759944B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2007-09-18 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 생성장치 및 그 생성방법 |
| US20090270956A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Pacesetter, Inc. | Implantable medical lead configured for improved mri safety |
| JP5768551B2 (ja) * | 2011-07-13 | 2015-08-26 | 住友電気工業株式会社 | 外部変調型レーザ素子の駆動回路 |
| CN111220356B (zh) * | 2019-12-24 | 2021-08-17 | 苏州辰睿光电有限公司 | 一种用于集成激光器光传输分析的光功率确定方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4339821A (en) * | 1980-06-03 | 1982-07-13 | Gte Products Corporation | Acousto-optic mode-locked laser |
| US4635263A (en) * | 1983-07-29 | 1987-01-06 | At&T Bell Laboratories | Soliton laser |
| US5032002A (en) * | 1989-02-14 | 1991-07-16 | Grumman Aerospace Corporation | Write with light optical notching filter |
| US5005946A (en) * | 1989-04-06 | 1991-04-09 | Grumman Aerospace Corporation | Multi-channel filter system |
| US5325324A (en) * | 1989-04-25 | 1994-06-28 | Regents Of The University Of California | Three-dimensional optical memory |
| EP0552241B1 (en) * | 1990-10-10 | 2000-06-28 | The University Of Maryland | Method and apparatus for performing phase fluorescence lifetime measurements in flow cytometry |
| US5394260A (en) * | 1992-02-03 | 1995-02-28 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Optical pulse generator |
| US5521738A (en) * | 1994-06-30 | 1996-05-28 | At&T Corp. | Data encoded optical pulse generator |
| US5764670A (en) * | 1995-02-27 | 1998-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus requiring no external modulator, method of driving semiconductor laser device, and optical communication system using the semiconductor laser apparatus |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP6220077A patent/JP2661558B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-09-14 US US08/528,159 patent/US5604827A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-14 EP EP95114482A patent/EP0712180B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-03-07 US US08/813,682 patent/US5936992A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0712180B1 (en) | 1999-08-25 |
| US5604827A (en) | 1997-02-18 |
| JPH0886718A (ja) | 1996-04-02 |
| US5936992A (en) | 1999-08-10 |
| EP0712180A1 (en) | 1996-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2661558B2 (ja) | 変調器集積化光源の選別方法 | |
| US9564734B2 (en) | Method of fabricating and operating an optical modulator | |
| US7869473B2 (en) | Directly modulated laser with isolated modulated gain electrode for improved frequency modulation | |
| US6204959B1 (en) | Signal light monitor and optical amplifier using the same | |
| Otsuji et al. | 10-80-Gb/s highly extinctive electrooptic pulse pattern generation | |
| US7483455B2 (en) | Control method and control circuit for laser diode, and optical transmitter using the same | |
| Paslaski et al. | High-power microwave photodiode for improving performance of RF fiber optic links | |
| WO1999040449A1 (fr) | Circuit d'attaque excite optiquement, detecteur de tension de type a sortie optique et materiel de test de circuits integres utilisant ces dispositifs | |
| Hakki | Evaluation of transmission characteristics of chirped DFB lasers in dispersive optical fiber | |
| US6891651B2 (en) | EML transmitter applying band stop filter | |
| JP3180746B2 (ja) | 光増幅装置並びに光増幅器利得制御方法及び装置 | |
| US6330266B1 (en) | Method for selecting a semiconductor integrated optical modulator/laser light source device | |
| JPH07118562B2 (ja) | 多チャネル・アナログ光ファイバ通信システムでの使用に適した半導体レーザの製造方法 | |
| JP3353243B2 (ja) | 雑音指数測定方法 | |
| FR2668670A1 (fr) | Procede de transmission optique par decalage en longueur d'onde et systeme correspondant. | |
| US7116689B2 (en) | Method for estimating age rate of a laser | |
| EP1042875B1 (en) | An optical transmitter | |
| JP2003115800A (ja) | 光送信器および光伝送システム | |
| US7075324B2 (en) | Method and device for testing semiconductor laser | |
| US5493438A (en) | Amplitude optical modulator using a two-electrode DFB laser structure | |
| EP3195432B1 (en) | Method of operating an optical modulator | |
| KR100438814B1 (ko) | 분산보상광섬유모듈을 이용한 광변조기의 처핑값 측정 장치 | |
| JPH01102977A (ja) | 半導体レーザの評価方法 | |
| KR20000051885A (ko) | 광섬유의 분산값 측정시스템 | |
| JPH0677900A (ja) | 周波数変調光信号用受光器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970513 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080613 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100613 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100613 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 14 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 14 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 14 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110613 Year of fee payment: 14 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120613 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |