JP2655333B2

JP2655333B2 - 新規なｐ‐ターフエニル誘導体並びに液晶組成物

Info

Publication number: JP2655333B2
Application number: JP63216294A
Authority: JP
Inventors: 誠栗原; 裕美井上; 淳杉浦; 賢治鈴木; 恒宣藤井
Original assignee: Kanto Chemical Co Inc
Current assignee: Kanto Chemical Co Inc
Priority date: 1988-09-01
Filing date: 1988-09-01
Publication date: 1997-09-17
Anticipated expiration: 2012-09-17
Also published as: EP0360042A1; US5382380A; EP0360043B1; DE68919312T2; DE68910453T2; EP0360042B1; EP0360043A1; DE68910453D1; DE68919312D1; JPH0267232A; US5494605A

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は新規な液晶性化合物並びにこの液晶性化合物
を少なくとも１種含有することを特徴とする液晶組成物
に関する。更に詳しく言えば本発明は強誘電性液晶に関
し、実用的な強誘電性液晶組成物作製の際、その組成成
分として有用で、かつ、化学的安定性に優れた新規なｐ
−ターフエニル誘導体並びにこのｐ−ターフエニル誘導
体の少なくとも１種を含有する液晶組成物に関する。

〔背景技術〕

時計、電卓、パーソナルワープロ、ポケツトテレビ用
等の表示素子として、液晶表示素子は広く用いられてい
る。これらは、受光型で目が疲れない、消費電力が少な
い、薄型である等の優れた特徴を有しているが、一方に
おいては、応答速度が遅い、メモリー性がない等の点か
ら応用面において制限があった。応用面の拡大を図るた
め、従来用いられていたツイステツドネマチツク（TN）
型表示方式を改良したスーパーツイステツドネマチツク
（STN）型表示方式等も提供されている。しかし、これ
らは大画面表示用或いはグラフイツク表示用としては充
分ではなく、従来これらに代わる液晶表示素子について
の研究も種々行われている。

その１つに強誘電性液晶〔R.B.Meyerら;Physique,36
Ｌ−69（1975）〕を利用した表示方式〔N.A.Clarkら;
Applied Phys.lett.,36,899（1980）〕がある。

この方式は従来方式に比べて100倍もの高速応答であ
ること、及びメモリー性があること等の点で優れた特徴
を有しているため、液晶表示素子の用途拡大が期待され
ている。強誘電性液晶とは、液晶分子長軸が層法線方向
とある角度を有する一連のスメクチツク液晶のことであ
るが、実用的にはカイラルスメクチツクＣ（SmC^＊）相
が用いられている。

実用的には、多数の強誘電性液晶化合物から成る液晶
組成物として、又はスメクチツクＣ（SmC）相を有する
化合物或いはそれらの混合物に強誘電性液晶化合物を添
加して成る液晶組成物として用いられる。この場合に、
実用的なネマチツク液晶表示素子作製の場合と同様に、
実用面において要求される種々の特性すなわち、動作温
度範囲、応答速度、自発分極、ラセンピツチ、科学的安
定性等を満足させるためには、多成分の混合が必要とさ
れる。

従来技術によっては、強誘電性液晶組成物として未だ
実用に供せられるほどのものは見出されておらず、その
組成物の有用な成分となりうる種々の新規化合物の開発
が望まれている。

〔発明の開示〕

本発明者らは、特に強誘電性を示す温度範囲に視点を
置き、種々の新規構造を有する化合物をデザインし、合
成し、評価し、鋭意研究した結果、科学的に安定で、応
答速度に優れ、SmC^＊相あるいは、SmC相温度範囲の広い
新規化合物を提供することに成功した。

すなわち、本発明は一般式（R¹およびR²は、それぞれ炭素原子数４〜17の直鎖状又
は分岐鎖状のアルキル基を示し、かつR¹とR²の炭素原子
数の和が９以上であり、Ｙ及びＺは、それぞれ、単結合
又はＯを示し、X₁、X₂、X₃及びX₄は、いずれか１つがフ
ッ素原子で他が水素原子であるか、或いはX₁およびX₄が
フッ素原子で他が水素原子を示す）で表されるｐ−ター
フエニル誘導体並びに、それからの化合物の少なくとも
１種を含有することを特徴とする液晶組成を提供するも
のである。本発明に係わる新規化合物はそれ自身単独で
も広い温度範囲でSmC^＊相を有するものであるが、それ
らの混合物あるいはそれらと他の液晶化合物あるいは液
晶組成物との混合物を調製することにより、さらにSmC
^＊相温度範囲の拡張された強誘電性液晶組成物を得るこ
とができる。

従って、本発明に係わる新規なｐ−ターフエニル誘導
体はそれ自体公知の合成手段を組合せて使用することに
より製造することができる。その製造方法については、
以下に、合成経路を式示し、実施例等を示すことにより
更に詳しく説明する。なお、合成した化合物の相転移温
度は測定機器、測定方法の違い、或いは純度により影響
されるため、その数値に多少の異同が認められることは
理解されよう。本発明に係る新規なｐ−ターフエニル誘
導体並びに関連化合物は種々の経路で合成することがで
きるが、その例を式示する。

式示した合成経路について以下に説明する。４−アル
キルオキシ−４″−アルキルオキシ−ｐ−ターフエニル
及びその誘導体（Ｉ−４）は、４−ブロムビフエニル及
びその誘導体を出発物質とし、アセチル化、バイヤービ
リガー酸化、加水分解、エーテル化反応を行った後、４
−アルキルオキシブロムベンゼン及びその誘導体から調
製したグリニヤール試薬とのクロスカツプリング反応を
行うことによって合成することができる。また、４−ア
ルキルオキシカルボニル−４″−アルキル−ｐ−ターフ
エニル及びその誘導体（Ｉ−14）は、４−ブロムビフエ
ニル及びその誘導体を出発物質とし、アシル化、還元、
ブロムベンゼン及びその誘導体から調製したグリニヤー
ル試薬とのクロスカツプリング反応、アセチル化、ハロ
ホルム酸化、エステル化反応を行うことによって合成で
きる。また、４−アシルオキシ−４″−アルキルオキシ
カルボニル−ｐ−ターフエニル及びその誘導体（II−
４）は、アニソール及びその誘導体を出発物質とし、臭
素化、エーテルの開裂、ベンジルエーテル化を行った
後、グリニヤール試薬とし、４−ブロム−４′−アルキ
ルオキシカルボニルビフエニル及びその誘導体とクロス
カツプリング反応を行った後、エーテルの開裂、エステ
ル化反応を行うことによって合成することができる。そ
の他の合成経路式示例中に示した目的化合物並びに関連
化合物（Ｉ−１、Ｉ−２、Ｉ−３、Ｉ−５、Ｉ−６、Ｉ
−７、Ｉ−８、Ｉ−９、Ｉ−10、Ｉ−11、Ｉ−12、Ｉ−
13、II−１、II−２、II−３）は、各工程において、前
記の諸反応を種々組み合わせて行うことによって合成す
ることができる。

以下の実施例中に記載されている略記号は以下のとお
りの意味を有する。

GLC:ガスクロマトグラフイー HPLC:高速液体クロマトグラフイー IR:赤外線吸収スペクトル Mass:質量分析 m.p.:融点 C:結晶 S_X:同定出来なかったスメクチツク相 S_B:スメクチツクＢ相 SmC,S_C:スメクチツクＣ相 SmC^＊,S_C ^＊：カイラルスメクチツクＣ相 S_A:スメクチツクＡ相 Ch:コレステリツク相 I:等方性液体 ?:温度不明参考例１反応器に４−ペンチルアニリン100g及び水600mlを仕
込み、氷水冷攪拌下に濃硫酸80gを滴下し、次いで−５
℃以下で亜硝酸ソーダ43gの水80ml溶液を滴下後、同温
度で２時間攪拌反応してジアゾニウム塩溶液を作成し
た。別の反応器に硫酸銅５水和物（CuSO₄・5H₂O）38.5
g、銅粉12.2g臭化ナトリウム70g及び水600mlを仕込み、
室温攪拌下に濃硫酸18.5g次いで亜硫酸ソーダ７水和物
4.5gを添加し、これを昇温して還流攪拌下に、先に作成
したジアゾニウム塩溶液を１時間を要して滴下後、更に
１時間反応させた。反応液を冷却後、ヘキサン１を加
えて抽出し、得られたヘキサン溶液を水、希苛性ソーダ
水、水で順次洗浄し、芒硝で脱水した後、ヘキサンを留
去した残留物を減圧蒸留（b.p135〜142℃/15〜17mmHg）
して４−ペンチルブロムベンゼン61.5g（44％）を得
た。

GLC 96％反応器にマグネシウム末3.3gとヨウ素の小片を仕込
み、これに上記（ａ）で得た４−ペンチルブロムベンゼ
ン22.7gのテトラヒドロフラン（THF）50ml溶液の少量を
添加し、加熱攪拌した。発泡して反応を開始してから残
りの前記THF溶液を還流を保つように滴下し、滴下後さ
らに２時間還流攪拌してグリニヤール試薬を作成した。

別の反応器にジクロルビストリフエニルホスフインパ
ラジウム〔Cl₂Pd（PPh₃）_２〕0.5g及びTHF30mlを仕込
み、これにジイソブチルアルミニウムハイドライド
〔（iso−C₄H₉）₂AlH〕の1Mヘキサン溶液1.5mlを添加
し、次いで室温攪拌下に４−ブロム−２−フルオロビフ
エニル19.5gのTHF90ml溶液を加え、60℃に昇温後、先に
得たグリニヤール試薬を滴下し、滴下後２時間熟成し
た。反応液を塩酸と氷水の400ml液に注加し、ベンゼン
で抽出後、飽和食塩水で洗液が中性になるまで洗浄し、
芒硝で脱水した。得られたベンゼン溶液を蒸留して溶液
を留去し、残留分を減圧蒸留して得られた留分（b.p198
〜208℃/0.6mmHg）をヘキサンで再結晶して４−ペンチ
ル−３′−フルオロ−ｐ−ターフエニル12.0g（48.5
％）を得た。

GLC 98.0％反応器に塩化メチレン30ml及び無水塩化アルミニウム
7gを仕込み、攪拌下に０℃以下でアセチルクロライド5.
6gを注加し、次いで上記（ｂ）で得た４−ペルチル−
３′−フルオロ−ｐ−ターフエニル8.33gの塩化メチレ
ン50ml溶液を滴下後、２時間同温度で攪拌反応させた。
反応液を冷希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出後、飽和食
塩水、炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗
浄し、芒硝で脱水した後、溶媒を留去し、残留分をアセ
トンで再結晶して４−アセチル−２′−フルオロ−４″
−ペンチル−ｐ−ターフエニル6.45g（68.4％）を得
た。

HPLC 97％反応器に上記（ｃ）で得た４−アセチル−２′−フル
オロ−４″−ペンチル−ｐ−ターフエニル6g及び塩化メ
チレン50mlを仕込み、室温攪拌下に88％ギ酸50ml、無水
酢酸25ml及び濃硫酸0.1mlを順次加え、更に35％過酸化
水素水7mlを14℃で滴下した。滴下後40℃で24時間攪拌
し反応させ、反応液を氷水に注加し、ベンゼンで抽出
後、希塩酸次いで食塩水で洗浄し、芒硝で脱水した。得
られたベンゼン溶液を蒸留し、ベンゼンを留去した残留
分と、エチルアルコール300ml及び30％苛性カリ水溶液5
5mlを反応器に仕込み、８時間還流攪拌した。反応後を
冷希塩酸中に注加し、ベンゼンで抽出し、食塩水で洗浄
し、芒硝で脱水した後、ベンゼンを留去して得られた残
留分をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（溶離液ク
ロロホルム）で精製し、次いでメタノールで再結晶して
４−ヒドロキシ−２′−フルオロ−４″−ペンチル−ｐ
−ターフエニル1.8g（32.4％）を得た。

HPLC 99.5％反応器に上記（ｄ）で得た４−ヒドロキシ−２′−フ
ルオロ−４″−ペンチル−ｐ−ターフエニル0.6g,
（Ｓ）−２−メチルブチルブロマイド1g,炭酸カリウム
0.8g及び２−ブタノン（MEK）10mlを仕込み、還流攪拌
下に16時間反応させた。反応後を、希塩酸に注加し、ベ
ンゼンで抽出し、水洗し、芒硝で脱水した後溶媒を留去
し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（溶
離液ヘキサン：ベンゼン＝4:1）にて精製し（Ｓ）−４
−（２−メチルブチル）オキシ−２′−フルオロ−４″
−ペンチル−ｐ−ターフエニル0.3g（41.7％）を得た。

この物の純度はHPLCで98％以上であった。またIR及び
Mass分析で404に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

この物をメトラーホツトステージFP−82にはさみ、偏
光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表１に示
す。

実施例１参考例１の（ｅ）における（Ｓ）−２−メチルブチル
ブロマイド1gに替えて（Ｓ）−４−メチルヘキシルブロ
マイド0.36gを用い、他は参考例１と同様に操作して得
られた物質をアセトンで再結晶し、（Ｓ）−４−（４−
メチルヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−４″−ペン
チル−ｐ−ターフエニル0.48g（61.9％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で432に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例２参考例１の（ｅ）における（Ｓ）−２−メチルブチル
ブロマイド1gに替えて（Ｓ）−１−メチルヘプチルトシ
レート2.0gを用い、他は参考例１と同様に操作して
（Ｒ）−４−（１−メチルヘプチル）オキシ−２′−フ
ルオロ−４″−ペンチル−ｐ−ターフエニル0.5g（62.5
％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で446に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

実施例２反応器に無水塩化アルミニウム113g及び塩化メチレン
600mlを仕込み０℃以下で攪拌下にアセチルクロライド1
13gを滴下し、次いで４−ブロム−２−フルオロビフエ
ニル100gの塩化メチレン400ml溶液を滴下した後、徐々
に室温に戻しながら７時間攪拌反応させた。反応液を氷
と希塩酸中に注加し、塩化メチレン層を水洗いし、炭酸
水素ナトリウム水溶液で洗浄し、水洗いし、芒硝で脱水
した後溶媒を留去し、残留分をアセトンで再結晶して４
−アセチル−２′−フルオロ−４′−ブロムビフエニル
96g（82.2％）を得た。

GLC 100％反応器に上記（ａ）で得た４−アセチル−２′−フル
オロ−４′−ブロムビフエニル65g及び塩化メチレン300
mlを仕込み、10℃で攪拌下に88％ギ酸500ml,無水酢酸48
0mlを滴下し、さらに濃硫酸1.5mlを加えた後、35％過酸
化水素水150mlを３時間を要して滴下し、滴下後、徐々
に昇温して45〜50℃で30時間攪拌反応させた。反応液
を、氷水に注加し、ベンゼンで抽出し、炭酸水素ナトリ
ウム水溶液を洗浄し、水洗し、芒硝脱水を行い、溶媒を
留去し、残留分を得た。この残留分とエチルアルコール
２を別の反応器に仕込み、これに25％苛性カリ水溶液
を加え、８時間還流攪拌した。反応後を氷と希塩酸中に
注加しベンゼンで抽出し、食塩水で洗浄し、芒硝で脱水
した後、溶媒を留去し、残留分をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイー（溶離液ベンゼン）にて精製し、４−ヒ
ドロキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフエニル2
8.1g（47.5％）を得た。

反応器に上記（ｂ）で得た４−ヒドロキシ−２′−フ
ルオロ−４′−ブロムビフエニル5g,（Ｓ）−２−メチ
ルブチルブロマイド6.8g,炭酸カリウム4g及び２−ブタ
ノン（MEK）50mlを仕込み、攪拌還流下に８時間反応さ
せた。反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出し、水
洗し、芒硝で脱水した後、溶媒を留去し残留分をガラス
チユウブオーブン（GTO）にて蒸留して得られる留分（G
TO設定温度140℃/0.2mmHg）をシリカゲルカラムクロマ
トグラフイー（溶離液ヘキサン：ベンゼン＝4:1）で精
製し、（Ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ−２′
−フルオロ−４′−ブロムビフエニル4.54g（72.0％）
を得た。

TLC モノスポツト反応器にオクチルブロマイド22.3g,p−ブロムフエノ
ール20g,炭酸カリウム33.3g及び２−ブタノン（MEK）20
0mlを仕込み、還流攪拌下に10時間反応した。反応液を
希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出し、食塩水で洗浄し、
芒硝で脱水した後、溶媒を留去し、残留分を減圧蒸留し
４−オクチルオキシブロムベンゼン22.0g（66.8％）を
得た。

GLC 99.8％ b.p124〜127℃/0.2mmHg 反応器にマグネシウム末0.4g及びヨウ素の小片を仕込
み、上記（ｄ）で得た４−オクチルオキシブロムベンゼ
ン3.4gのTHF20ml溶液の少量を加え反応させる。次いで
残りのTHF溶液を、還流を保ちながら攪拌下に滴下した
後、更に２時間還流攪拌し、グリニヤール試薬を作成し
た。

別の反応容器に窒素気流下、ジクロロビストリフエニ
ルホスフインパラジウム〔Cl₂Pd（PPh₃）_２〕0.1g,THF2
0ml,ジイソブチルアルミニウムハイドライド〔（iso−C
₄H₉）₂AlH〕の１モルヘキサン溶液0.5ml及び上記（ｃ）
で得た（Ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ−２′
−フルオロ−４′−ブロムビフエニル2gのTHF20ml溶液
を順次仕込み、攪拌下に50℃で先に作成したグリニヤー
ル試薬を滴下し、滴下後、同温度で６時間攪拌反応させ
た。反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出し、食塩
水で洗浄し、芒硝で脱水した後、溶媒を留去し、残留分
をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（溶離液ヘキサ
ン：ベンゼン＝6:1）にて精製し、さらにアセトンで再
結晶し、（Ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ−
２′−フルオロ−４″−オクチルオキシ−ｐ−ターフエ
ニル1.62g（59.1％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で462に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

実施例３実施例２の（ｃ）における（Ｓ）−２−メチルブチル
ブロマイド6.8gに替えて（Ｓ）−４−メチルヘキシルブ
ロマイド4.0gを用い、他は実施例２と同様に操作して
（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−２′−フ
ルオロ−４′−ブロムビフエニル4.47g（65.4％）を得
た（GTO設定温度165℃/0.25mmHg）。

TLC モノスポツト実施例２の（ｅ）における（Ｓ）−４−（２−メチル
ブチル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフエ
ニルに替えて上記（ａ）で得た（Ｓ）−４−（４−メチ
ルヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビ
フエニルを用い、他は実施例２と同様に操作して（Ｓ）
−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−２′−フルオロ
−４″−オクチルオキシ−ｐ−ターフエニル1.06g（39.
5％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で490に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

実施例４反応器に塩化メチレン20ml及び無水塩化アルミニウム
3.2gを仕込み、攪拌下に−５℃以下でオクタノイルクロ
ライド4gを加え、次いで４−ブロム−２−フルオロビフ
エニル3gの塩化メチレン10ml溶液を滴下した。

滴下後、０℃以下で３時間攪拌反応し、一夜室温で放
置後、反応液を氷／希塩酸中に注加し、ベンゼンで抽出
し、ベンゼン溶液を水洗し、希アンモニア水処理、水洗
及び芒硝脱水を順次行い、ベンゼンを留去した残留分を
アセトンで再結晶して４−オクタノイル−２′−フルオ
ロ−４′−ブロムビフエニル3.8g（84.2％）を得た。

TLC モノスポツト反応器に上記（ａ）で得た４−オクタノイル−２′−
フルオロ−４′−ブロムビフエニル3.75g及びトリフル
オロ酢酸20mlを仕込み、室温攪拌下にトリエチルシラン
2.4gを滴下し、６時間攪拌後、反応液を水に注加し、ベ
ンゼン抽出、水洗、炭酸水素ナトリウム水溶液洗浄、水
洗、芒硝脱水を順次行い、溶媒を留去した後、ガラスチ
ユーブオーブン（GTO）にて蒸留し、４−オクチル−
２′−フルオロ−４′−ブロムビフエニル2.56g（71.1
％）を得た。GTO設定温度150℃/0.2mmHg TLC モノスポツト実施例２の（ｄ）におけるオクチルブロマイド22.3g
に替えて、（Ｓ）−４−メチルヘキシルブロマイド20.7
gを用い、他は実施例２と同様に操作して（Ｓ）−４−
（４−メチルヘキシル）オキシブロムベンゼン24.1g（7
7％）を得た。

b.p120〜123℃/0.5mmHg 反応器にマグネシウム末0.2g及びヨウ素の小片を仕込
み、上記（ｃ）で得た（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシ
ル）オキシブロムベンゼン1.3gのTHF10ml溶液の少量を
加え反応させた。次いで、残りのTHF溶液を還流を保つ
ように攪拌下に滴下した後、更に、２時間還流攪拌しグ
リニヤール試薬を作成した。別の反応容器に窒素気流
下、、ジクロルビストリフエニルホスフインパラジウム
〔Cl₂Pd（PPh₃）_２〕0.1g,THF10ml,ジイソブチルアルミ
ニウムハイドライド〔（iso−C₄H₉）₂AlH〕の１モルヘ
キサン溶液0.5ml及び上記（ｂ）で得た４−オクチル−
２′−フルオロ−４′−ブロムビフエニル1.7gのTHF10m
l溶液を順次仕込み、攪拌下に50℃で先に作成したグリ
ニヤール試薬を滴下し、滴下後同温度で６時間攪拌反応
した。反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出し、食
塩水で洗浄し、芒硝で脱水した後、溶媒を留去し、残留
分をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（溶離液ヘキ
サン：ベンゼン＝6:1）にて精製し、さらにアセトンで
再結晶し、（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシル）オキシ
−３′−フルオロ−４″−オクチル−ｐ−ターフエニル
0.32g（14.5％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で474に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例３反応器にｐ−ブロムフエノール10g,（Ｓ）−１−メチ
ルヘキシルトシレート19g,炭酸カリウム10g並びにシク
ロヘキサノン150mlを仕込み、15時間（GLCにて原料の消
失を確認）攪拌還流した。反応液を濾過して得られた固
形物をベンゼンで洗浄し、この洗液と濾液を合わせ、水
洗した後、芒硝で脱水し、溶媒を留去した残留分をシリ
カゲルカラムクロマトグラフイー（溶離液ヘキサン）で
精製し（Ｒ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシブロ
ムベンゼン14g（89.4％）を得た。

GLC 98.4％実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて上記（ａ）で得た（Ｒ）−４−（１
−メチルヘキシル）オキシブロムベンゼン3.2gを用い、
また（Ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ−２′−
フルオロ−４′−ブロムビフエニル2gに替えて実施例４
（ｂ）で得られる４−オクチル−２′−フルオロ−４′
−ブロムビフエニル2.2gを用い、他は実施例２と同様に
操作して（Ｒ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシ−
３′−フルオロ−４″−オクチル−ｐ−ターフエニル0.
31g（11％）を得た。

この物の純度はHPLCで98％以上であった。またIR及び
Mass分析で474に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例４実施例２（ｃ）における（Ｓ）−２−メチルブチルブ
ロマイド6.8gに替えてヘキシルブロマイド6gを用い、他
は実施例２と同様に操作し、後処理を行って得られた粗
生成物をガラスチユーブオーブン（GTO）にて蒸留し４
−ヘキシルオキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフ
エニル5.8g（88.3％）を得た。GTO設定温度150℃/0.15m
mHg 実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて参考例３（ａ）で得られる（Ｒ）−
４−（１−メチルヘキシル）オキシブロムベンゼン3gを
用い、又、（Ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ−
２′−フルオロ−４′−ブロムビフエニル2gに替えて、
上記（ａ）で得た４−ヘキシルオキシ−２′−フルオロ
−４′−ブロムビフエニル2gを用い、他は実施例２と同
様に操作して（Ｒ）−４−（１−メチルヘキシル）オキ
シ−３′−フルオロ−４″−ヘキシルオキシ−ｐ−ター
フエニル0.4g（15％）を得た。

参考例５反応器に実施例２（ｂ）で得られる４−ヒドロキシ−
２′−フルオロ−４′−ブロムビフエニル12g,デシルブ
ロマイド14.2g,炭酸カリウム15.7g並びに２−ブタノン
（MEK）100mlを仕込み、12時間（TLCで原料の消失を確
認）攪拌還流した。反応液を希塩酸に注加し、ベンゼン
で抽出し、水洗し、芒硝で脱水した後、溶媒を留去し、
残留分シリカゲルカラムクロマトグラフイー（溶離液ヘ
キサン）で精製し、更にヘキサンで再結晶して４−デシ
ルオキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフエニル1
4.9g（81.5％）を得た。

参考例３（ｂ）における４−オクチル−２′−フルオ
ロ−４′−ブロムビフエニル2.2gに替えて（ａ）で得た
４−デシルオキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフ
エニル2.4gを用い、他は参考例３と同様に操作して
（Ｒ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシ−３′−フ
ルオロ−４″−デシルオキシ−ｐ−ターフエニル0.55g
（18％）を得た。

この物の純度はHPLCで98％以上であった。またIR及び
Mass分析で518に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例６実施例２（ｄ）におけるオクチルブロマイド22.3gに
替えてヘキシルブロマイド19gを用い、他は実施例２と
同様に操作して４−ヘキシルオキシブロムベンゼン26.7
g（89.9％）を得た。

b.p106〜115℃/0.5mmHg 実施例２（ｃ）における（Ｓ）−２−メチルブチルブ
ロマイド6.8gに替えて、（Ｒ）−１−メチルヘキシルト
シレート7.5gを用い、他は実施例２と同様に操作し、後
処理を行って得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフイー（溶出液ヘキサン）で精製し、（Ｓ）−
４−（１−メチルヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−
４′−ブロムビフエニル6.1g（89.3％）を得た。

実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて上記（ａ）で得た４−ヘキシルオキ
シブロムベンゼン3gを用い、又、（Ｓ）−４−（２−メ
チルブチル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビ
フエニル2.0gに替えて上記（ｂ）で得た（Ｓ）−４−
（１−メチルヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−４′
−ブロムビフエニル2.0gを用い、他は実施例２と同様に
操作して（Ｓ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシ−
２′−フルオロ−４″−ヘキシルオキシ−ｐ−ターフエ
ニル0.25g（10％）を得た。

参考例７実施例２（ｄ）におけるオクチルブロマイド22.3gに
替えてデシルブロマイド25.7gを用い、他は実施例２と
同様に操作して４−デシルオキシブロムベンゼン31.0g
（85.8％）を得た。

b.p136〜146℃/0.25mmHg 実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて上記（ａ）で得た４−デシルオキシ
ブロムベンゼン3.5gを用い、又、（Ｓ）−４−（２−メ
チルブチル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビ
フエニル2gに替えて参考例６（ｂ）で得られる（Ｓ）−
４−（１−メチルヘキシル）オキシ−２′−フルオロ−
４′−ブロムビフエニル2.0gを用い、他は実施例２と同
様に操作して、（Ｓ）−４−（１−メチルヘキシル）オ
キシ−２′−フルオロ−４″−デシルオキシ−ｐ−ター
フエニル0.42g（14.8％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で518に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例８反応器に２−フルオロフエノール10g,（Ｓ）−１−メ
チルヘキシルトシレート25g,炭酸カリウム20g並びにMEK
160mlを仕込み、14時間（TLCで原料の消失を確認）還流
攪拌した。反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出
し、水洗し、芒硝で脱水した後、溶媒を留去し、残留分
を減圧蒸留して（Ｒ）−２−（１−メチルヘキシル）オ
キシフルオロベンゼン14g（74.5％）を得た。

b.p113〜117℃/9mmHg 反応器に上記（ａ）で得た（Ｒ）−２−（１−メチル
ヘキシル）オキシフルオロベンゼン13.9g並びにクロロ
ホルム50mlを仕込み、室温攪拌下に臭素12.7gを滴下
し、さらに室温攪拌（GLCで原料の消失を確認）した
後、10％苛性ソーダ水溶液を加えて攪拌した。有機層を
水洗し、芒硝で脱水し、溶媒を留去した残留分を減圧蒸
留して（Ｒ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシ−３
−フルオロブロムベンゼン14.2g（74.1％）を得た。

b.p98〜110℃/0.3mmHg 反応器に４−ヒドロキシ−４′−ブロムビフエニル15
g,オクチルブロマイド14g,炭酸カリウム16g並びにMEK10
0mlを仕込み、８時間（GCLで原料の消失を確認）攪拌還
流した。反応液を濾過して固形物を除いた濾液を濃縮し
て得られた残留分をアセトンで再結晶して４−オクチル
オキシ−４′−ブロムビフエニル18g（90％）を得た。

実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて上記（ｃ）で得た４−オクチルオキ
シ−４′−ブロムビフエニル4.3gを用い、又、（Ｓ）−
４−（２−メチルブチル）オキシ−２′−フルオロ−
４′−ブロムビフエニル2.0gに替えて上記（ｂ）で得た
（Ｒ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシ−３−フル
オロブロムベンゼン1.7gを用い、他は実施例２と同様に
操作して（Ｒ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシ−
３−フルオロ−４″−オクチルオキシ−ｐ−ターフエニ
ル0.47g（16％）を得た。

参考例９参考例８（ｄ）における４−オクチルオキシ−４′−
ブロムビフエニル4.3gに替えて４−ヘプチル−４′−ブ
ロムビフエニル3.9gを用い、他は参考例８と同様に操作
して（Ｒ）−４−（１−メチルヘキシル）オキシ−３−
フルオロ−４″−ヘプチル−ｐ−ターフエニル1.7g（6
2.1％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で460に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例 10 実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて参考例８（ｂ）で得られる（Ｒ）−
４−（１−メチルヘキシル）オキシ−３−フルオロブロ
ムベンゼン3.4gを用い、又、（Ｓ）−４−（２−メチル
ブチル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフエ
ニル2.0gに替えて実施例４（ｂ）で得られる４−オクチ
ル−２′−フルオロ−４′−ブロムビフエニル2.2gを用
い、他は実施例２と同様に操作して（Ｒ）−４−（メチ
ルヘキシル）オキシ−3,3′−ジフルオロ−４″−オク
チル−ｐ−ターフエニル1.3g（43.6％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で492に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例 11 実施例２（ｃ）における（Ｓ）−２−メチルブチルブ
ロマイド6.8gに替えてオクチルブロマイド5.2gを用い、
他は実施例２と同様に操作し、後処理を行って得られた
粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフイー（溶離
液ヘキサン）で精製し４−オクチルオキシ−２′−フル
オロ−４′−ブロムビフエニル6.3g（88.7％）を得た。

実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて参考例８（ｂ）で得られる（Ｒ）−
４−（１−メチルヘキシル）オキシ−３−フルオロブロ
ムベンゼン3.4gを用い、又、（Ｓ）−４−（２−メチル
ブチル）オキシ−２′−フルオロ−４′−ブロムビフエ
ニル2gに替えて上記（ａ）で得た４−オクチルオキシ−
２′−フルオロ−４′−ブロムビフエニル2.2gを用い、
他は実施例２と同様に操作して（Ｒ）−４−（１−メチ
ルヘキシル）オキシ−3,3′−ジフルオロ−４″−オク
チルオキシ−ｐ−ターフエニル0.5g（17％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で508に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例 12 反応器に４−ヒドロキシ−４′−ブロムビフエニル1.
1g,2−ブタノン20ml,炭化カリウム1.2g及び（Ｓ）−４
−メチルヘキシルブロマイド0.95gを仕込み、TLCで原料
が消失するまで攪拌還流した。10時間を要した。反応液
を濾過して固形物を除き、濾液を濃縮して得られる残留
物を減圧乾燥し（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシル）オ
キシ−４′−ブロムビフエニル1.4g（93％）を得た。

GLC 96％参考例１（ａ）において、４−ペンチルアニリンに替
えて４−デシルアニリンを用い、他は参考例１と同様に
操作して４−デシルブロムベンゼン48.4g（38％）を得
た。

b.p136〜141℃/0.4mmHg 反応器にマグネシウム末0.35gとヨウ素の小片を仕込
み、これに上記（ｂ）で得た４−デシルブロムベンゼン
4gのTHF10ml溶液の少量を加え、発泡して反応を開始さ
せた。次いで残りの前記THF溶液を還流を保つように攪
拌下に滴下し、滴下後２時間還流攪拌し、グリニヤール
試薬を作成した。別の容器にジクロルビストリフエニル
ホスフインパラジウム〔Cl₂Pd（PPh₃）_２〕50mg及びTHF
3mlを仕込み、これにジイソブチルアルミニウムハイド
ライド〔（iso−C₄H₉）₂AlH〕の1Mヘキサン溶液0.1mlを
加え、次いで上記（ａ）で得た（Ｓ）−４−（４−メチ
ルヘキシル）オキシ−４′−ブロムビフエニル1.4gのTH
F5ml溶液を加え、60℃に昇温後、先に得たグリニヤール
試薬を滴下し滴下後２時間熟成した。反応液を氷冷希塩
酸に注加し、ベンゼンで抽出した後、飽和食塩水で洗液
が中性になるまで洗浄し、芒硝で脱水した後、溶媒を留
去し、残留分をヘキサンで処理し、ヘキサン不溶物をア
セトンで再結晶して（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシ
ル）オキシ−４″−デシル−ｐ−ターフエニル0.2g（11
％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で484に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例 13 参考例12（ｃ）において、４−デシルブロムベンゼン
4gに替えて参考例１（ａ）で得られる４−ペンチルブロ
ムベンゼン3.06gを用い、他は参考例12と同様に操作し
て（Ｓ）−４−（４−メチルヘキシル）オキシ−４″−
ペンチル−ｐ−ターフエニル0.41g（25％）を得た。

この物の純度はHPLCで98％以上であった。またIR及び
Mass分析で414に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例 14 反応器にｐ−ターフエニル5.7g及び塩化メチレン40ml
を仕込み、攪拌下に０℃で無水塩化アルミニウム4gを加
え、次いでデカノイルクロライド5.2gの塩化メチレン10
ml溶液を滴下し、滴下後５時間攪拌した。反応液を希塩
酸に注加し、充分に攪拌した後、不要物を濾取し、水洗
し、乾燥して４−デカノイル−ｐ−ターフエニル6.8g
（71％）を得た。

HPLC 93.3％反応器に上記（ａ）で得た４−デカノイル−ｐ−ター
フエニル6.8g,ジエチレングリコール50ml,80％抱水ヒド
ラジン3.4g及び、88％苛性カリ1.8gの水4ml溶液を仕込
み、攪拌下に130℃で５時間、次いで水を留去させなが
ら昇温し、210℃で３時間反応（原料の消失をTLCで確
認）した。反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出
し、水洗し、芒硝で脱水した後、溶媒を留去し残留物を
THFで再結晶して４−デシル−ｐ−ターフエニル5.1g（7
7.6％）を得た。

HPLC 97.3％反応器に上記（ｂ）で得た４−デシル−ｐ−ターフエ
ニル5g及び塩化メチレン30mlを仕込み、攪拌下に０℃で
無水塩化アルミニウム2.2gを加え、次いでアセチルクロ
ライド1.3gの塩化メチレン10ml溶液を滴下した。滴下
後、原料の消失するまで（TLCで確認）同温度で攪拌反
応した。６時間を要した。反応液を氷／希塩酸に注加
し、析出物を濾取し、水洗した。この物と、濾液の塩化
メチレン層を水洗した後、芒硝で脱水し、溶媒を留去し
て得られる残留物とを合わせ、THFで再結晶して４−ア
セチル−４″−デシル−ｐ−ターフエニル4.4g（78％）
を得た。

HPLC 99.4％反応器に上記（ｃ）で得た４−アセチル−４″−デシ
ル−ｐ−ターフエニル2g及び塩化メチレン20mlを仕込
み、室温攪拌下に、88ギ酸8g,無水酢酸3g及び濃硫酸1ml
を順次加え、更に35％過酸化水素水3gを14℃で滴下し
た。滴下後、TLCで原料が消失するまで適宜35％過酸化
水素水を加えながら、40℃で攪拌反応させた。反応液を
氷水に注加し、塩化メチレン層を分取し、芒硝で脱水
し、溶媒を留去して残留分（４−アセチルオキシ−４″
−デシル−ｐ−ターフエニル）を4g得た。この残留分4
g,エタノール150ml及び85％苛性カリ1gの水2ml溶液を反
応器に仕込み、13時間攪拌還流した。反応液を水に注加
し、液性を塩酸酸性とした後、エーテルで抽出し、水洗
し、芒硝で脱水し、溶媒を留去後、残留物をヘキサンで
再結晶して４−ヒドロキシ−４″−デシル−ｐ−ターフ
エニル1.2g（63％）を得た。

反応器に上記（ｄ）で得た４−ヒドロキシ−４″−デ
シル−ｐ−ターフエニル0.4g,2−ブタノン20ml,炭酸カ
リウム0.2g及び（Ｓ）−１−メチルヘキシルトシレート
0.35gを仕込み、17時間攪拌還流した。反応液を吸引濾
過して固形物を除き、濾液を濃縮し、残留分をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイー（ヘキサン／ベンゼン＝5/
1）で精製して（Ｒ）−４−（１−メチルヘキシル）オ
キシ−４″−デシル−ｐ−ターフエニル0.13g（27％）
を得た。

参考例 15 反応器に過マンガン酸カリ16g,水300ml及び85％苛性
カリ2gを仕込み、室温攪拌下に（Ｓ）−４−メチルヘキ
サノール10gを滴下し、滴下後４時間攪拌反応させた。
反応液を吸引濾過して固形物を除き、濾液をエーテルで
抽出し、水層を分取して塩酸酸性とした後、クロロホル
ムで抽出し、芒硝で脱水し、溶媒を留去して残留分
〔（Ｓ）−４−メチルヘキサン酸〕6.5g（59％）を得
た。

GCL 98.6％反応器に参考例14（ｄ）で得られる４−ヒドロキシ−
４″−デシル−ｐ−ターフエニル0.5g,脱水クロロホル
ム20ml,4−ジメチルアミノピリジン0.17g,ジシクロヘキ
シルカルボジイミド（DCC）0.3g及び（ａ）で得た
（Ｓ）−４−メチルヘキサン酸0.2gを加え、室温で16時
間攪拌反応させた。反応液を濾過して固形物を除き、濾
液を水洗し、希塩酸で洗い、水洗した後、芒硝で脱水
し、溶媒を留去した残留分をシリカゲルカラムクロマト
グラフイー（ヘキサン／ベンゼン＝2/1→1/1）で精製し
て（Ｓ）−４−デシル−４″−（４−メチルヘキサノイ
ル）オキシ−ｐ−ターフエニル0.44g（69％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で498に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

参考例 16 反応器に参考例14（ｃ）で得られる４−アセチル−
４″−デシル−ｐ−ターフエニル1.0g並びに1,4−ジオ
キサン40mlを仕込み、16〜18℃で攪拌下に、臭素12gと2
0％苛性ソーダ水溶液62gから調製した次亜臭素酸ソーダ
水溶液12mlを滴下後、TLCで原料スポツトが消失するま
で適宜次亜臭素酸ソーダ水溶液を添加し、40℃で攪拌反
応した。反応液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出し、
水洗し、芒硝で脱水した後、溶媒を留去し、残留分（４
−デシル−ｐ−ターフエニル−４″−カルボン酸）0.9g
（90％）を得た。

反応器に上記（ａ）で得た４−デシル−ｐ−ターフエ
ニル−４″−カルボン酸0.3g並びに塩化チオニル4mlを
仕込み、５時間攪拌還流後、ベンゼンを加えて減圧下に
蒸留して過剰の塩化チオニル並びにベンゼンを除去し
た。得られた残留分（４−デシル−ｐ−ターフエニル−
４″−カルボン酸クロライド），（Ｓ）−４−メチルヘ
キサノール0.16g,ビリジン0.5ml並びにベンゼン10mlを
別の反応器に仕込み、８時間還流攪拌後、反応液を水に
注加し、希アンモニア水を加えて攪拌し、不溶物を除
き、ベンゼン層を水洗し、芒硝で脱水し、溶媒を留去し
て得られた残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフイ
ー（溶出液ベンゼン／ヘキサン＝2/3）で精製し（Ｓ）
−４−〔（４−メチルヘキシル）オキシ〕カルボニル−
４″−デシル−ｐ−ターフエニル0.1g（27％）を得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で512に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

実施例５反応器に２−フルオロフエノール15g、オクチルブロ
マイド25.9g、炭酸カリウム46.2g並びにシクロヘキサノ
ン150mlを仕込み、120〜130℃で12時間攪拌した。反応
液を希塩酸に注加し、ベンゼンで抽出し、水洗し、芒硝
で乾燥した後溶媒を留去した。残留分並びにクロロホル
ム100mlを別の反応器に仕込み、室温攪拌下、臭素44gを
滴下し、さらに同温度で６時間攪拌した後希苛性ソーダ
水溶液に注加し攪拌した。クロロホルム層を水洗し、芒
硝で脱水し、溶媒を留去した残留分を減圧蒸留して、４
−オクチルオキシ−３−フルオロブロムベンゼン32g（7
8.8％）を得た。

b.p122〜130℃/0.3mmHg 実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて上記（ａ）で得た４−オクチルオキ
シ−３−フルオロブロムベンゼン3.6gを用い、又、
（Ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ−２′−フル
オロ−４′−ブロムビフエニル2.0gに替えて参考例８
（ｃ）で得られる４−オクチルオキシ−４′−ブロムビ
フエニル2.1gを用い、他は実施例２と同様に操作して4,
4″−ジオクチルオキシ−３−フルオロ−ｐ−ターフエ
ニル2.2g（72％）を得た。

この物の純度はHPLCで98％以上であった。またIR及び
Mass分析で504に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

この物をメトラーホツトステージFP−82にはさみ、偏
光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表２に示
す。

実施例６実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて実施例５（ａ）で得られる４−オク
チルオキシ−３−フルオロブロムベンゼン3.6gを用い、
又、（Ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ−２′−
フルオロ−４′−ブロムビフエニル2.0gに替えて、４−
ヘプチル−４′−ブロムビフエニル2.0gを用い、他は実
施例２と同様に操作して４−オクチルオキシ−３−フル
オロ−４″−ヘプチル−ｐ−ターフエニル0.48g（17
％）を得た。

実施例７実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて実施例５（ａ）で得られる４−オク
チルオキシ−３−フルオロブロムベンゼン3.6gを用い、
又（Ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ−２′−フ
ルオロ−４′−ブロムビフエニル2.0gに替えて、参考例
11（ａ）で得られる４−オクチルオキシ−２′−フルオ
ロ−４′−ブロムビフエニル2.2gを用い、他は実施例２
と同様に操作して4,4″−ジオクチルオキシ−3,3′−ジ
フルオロ−ｐ−ターフエニル0.42g（13.9％）を得た。

この物の純度はHPLCで98％以上であった。またIR及び
Mass分析で522に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

実施例８実施例２（ｅ）における４−オクチルオキシブロムベ
ンゼン3.4gに替えて実施例５（ａ）で得られる４−オク
チルオキシ−３−フルオロブロムベンゼン3.6gを用い、
又、（Ｓ）−４−（２−メチルブチル）オキシ−２′−
フルオロ−４′−ブロムビフエニル2.0gに替えて、実施
例４（ｂ）で得られる４−オクチル−２′−フルオロ−
４′−ブロムビフエニル2.2gを用い、他は実施例２と同
様に操作して４−オクチルオキシ−3,3′−ジフルオロ
−４″−オクチル−ｐ−ターフエニル1.0g（32.6％）を
得た。

この物の純度はHPLCで99％以上であった。またIR及び
Mass分析で506に分子イオンピークが認められたこと、
並びに用いた原料からみて、得られた物質が目的物であ
ることを確認した。

実施例９表面にポリビニルアルコール（PVA）を塗布し、その
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電極を備
えたセル厚３μｍの液晶セルを作製し、この液晶セルに
実施例１、参考例５および参考例11で得られた各化合物
を、それぞれ、封入し、等方性液体からSmC^＊相まで徐
冷して液晶素子を作製した。この液晶素子を２枚の偏光
板にはさみ、電圧を印加し、透過光強度の変化から応答
時間をそれぞれ求めた。その結果を下に示す。

実施例 10 実施例３、参考例11および参考例３で得られた各化合
物を、それぞれ、重量比2:2:1の割合で混合して液晶組
成物を調製した。この組成物は50〜103℃でSmC^＊相を示
し、又、この組成物を用いて実施例９と同様にして、液
晶素子を作製し、応答時間を測定したところ180μsec
（測定温度100℃，印加電圧±25V,200Hz）であった。

実施例 11 非カイラル物質でSmC相を有する、実施例８で得られ
た化合物とカイラル物質である、参考例11で得られた化
合物を、重量比90:10の割合で混合して液晶組成物を作
製した。この組成物は56〜104℃でSmC^＊相を示し、又、
この組成物を用いて実施例９と同様にして、液晶素子を
作製し、応答時間を測定したところ300μsec（測定温度
100℃，印加電圧±25V,200Hz）であった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者杉浦淳埼玉県草加市稲荷１―７―１関東化学株式会社中央研究所内 (72)発明者鈴木賢治埼玉県草加市稲荷１―７―１関東化学株式会社中央研究所内 (72)発明者藤井恒宣埼玉県草加市稲荷１―７―１関東化学株式会社中央研究所内 (56)参考文献特開昭60−51135（ＪＰ，Ａ) 特表平２−501071（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（R¹およびR²は、それぞれ炭素原子数４〜17の直鎖状又
は分岐鎖状のアルキル基を示し、かつR¹とR²の炭素原子
数の和が９以上であり、Ｙ及びＺは、それぞれ、単結合
又はＯを示し、X₁、X₂、X₃及びX₄は、いずれか１つがフ
ッ素原子で他が水素原子であるか、或いはX₁およびX₄が
フッ素原子で他が水素原子を示す）で表されるｐ−ター
フエニル誘導体。
【請求項２】一般式（Ｉ）におけるX₁およびX₄がフッ素
原子であり、他が水素原子である請求項１記載のｐ−タ
ーフエニル誘導体。
【請求項３】一般式（Ｉ）におけるX₁、X₂、X₃及びX₄の
中のいずれか１つがフッ素原子であり、他が水素原子で
ある請求項１記載のｐ−ターフエニル誘導体。
【請求項４】一般式（R¹およびR²は、それぞれ炭素原子数４〜17の直鎖状又
は分岐鎖状のアルキル基を示し、かつR¹とR²の炭素原子
数の和が９以上であり、Ｙ及びＺは、それぞれ、単結合
又はＯを示し、X₁、X₂、X₃及びX₄は、いずれか１つがフ
ッ素原子で他が水素原子であるか、或いはX₁およびX₄が
フッ素原子で他が水素原子を示す）で表されるｐ−ター
フエニル誘導体を少なくとも１種含有することを特徴と
する液晶組成物。
【請求項５】一般式（Ｉ）におけるX₁およびX₄がフッ素
原子であり、他が水素原子である請求項４記載の液晶組
成物。
【請求項６】一般式（Ｉ）におけるX₁、X₂、X₃及びX₄の
中のいずれか１つがフッ素原子であり、他が水素原子で
ある請求項４記載の液晶組成物。