JP2654544B2 - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にシリコン酸化膜をドライエッチングする方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for dry etching a silicon oxide film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、シリコン窒化膜に対してシリコン
酸化膜を選択的に除去する方法としては、ウェットエッ
チングによる除去が一般的である。例えば、フッ酸（Ｈ
Ｆ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）を１：３０の割
合で混合した溶液をウェットエッチングに使用した場
合、シリコン酸化膜のエッチングレートは約３００オン
グストローム／ｍｉｎであるのに対し、シリコン窒化膜
のエッチングレートは約２オングストローム／ｍｉｎ程
度であり、そのエッチングレート比（選択比）は１５０
程度となり、シリコン窒化膜に対して、シリコン酸化膜
を選択的にエッチングすることが可能である。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of selectively removing a silicon oxide film from a silicon nitride film, removal by wet etching is generally performed. For example, hydrofluoric acid (H
When a solution in which F) and ammonium fluoride (NH 4 F) are mixed at a ratio of 1:30 is used for wet etching, the etching rate of the silicon oxide film is about 300 Å / min, whereas the etching rate of the silicon oxide film is about 300 Å / min. Has an etching rate of about 2 angstroms / min and an etching rate ratio (selection ratio) of 150
Thus, the silicon oxide film can be selectively etched with respect to the silicon nitride film.
【０００３】さらにフッ酸とフッ化アンモニウムの混合
比を変化させ、６：３０程度の混合液を用いれば、シリ
コン酸化膜のエッチングレートは７００〜８００オング
ストローム／ｍｉｎ程度に向上する。シリコン窒化膜の
エッチングレートは６〜７オングストロームとなるた
め、その選択比は１００程度となるものの、シリコン酸
化膜の選択的エッチングは可能である。しかし、これら
の方法ではエッチングが等方性であるため、コンタクト
ホール等の異方的なエッチングを要求される場合には不
適当である。Further, if the mixing ratio of hydrofluoric acid and ammonium fluoride is changed and a mixed solution of about 6:30 is used, the etching rate of the silicon oxide film is improved to about 700 to 800 Å / min. Since the etching rate of the silicon nitride film is 6 to 7 angstroms, its selectivity is about 100, but the silicon oxide film can be selectively etched. However, since the etching is isotropic in these methods, it is not suitable when anisotropic etching of a contact hole or the like is required.
【０００４】又、シリコン酸化膜を異方的にエッチング
する方法としては、従来よりＲＩＥ（反応性イオンエッ
チング）装置等のドライエッチング装置が用いられてい
る。例えば、ＲＩＥ装置を用い、ガスにＣＦ4 ，ＣＨＦ
3 ，Ａｒの混合ガスを用いる事により、シリコン酸化膜
の異方的なエッチングが可能となる。これにより、微細
なコンタクトホールの開口を精度よく開口できる。As a method of anisotropically etching a silicon oxide film, a dry etching apparatus such as an RIE (reactive ion etching) apparatus has been conventionally used. For example, using an RIE apparatus, the gas is CF 4 , CHF
By using a mixed gas of 3 and Ar, the silicon oxide film can be anisotropically etched. Thereby, the opening of the fine contact hole can be accurately opened.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】半導体装置の縮小化に
ともない、コンタクトホールサイズ，電極配線幅及びそ
の間隔も微細化が要求されている。このため、パターン
の重ね合わせが困難となる。例えば図７に示す様に電極
配線１１間に基板と上層配線との導通をとるためのコン
タクトホール１４を形成する場合、ホール側面と電極配
線との間隔が小さくなるために、電極パターンに対する
コンタクトホールパターンの重ね合わせマージンが小さ
くなり、少量の目ずれで電極配線１１とコンタクトホー
ル１４がショートしてしまうという危険性がある。これ
を解決するためには図５に示す様に、自己整合的にコン
タクトホールを開口する必要がある。ここでは、電極１
１の上部及び側面を絶縁膜である窒化シリコン膜１５で
おおい、これに対し、層間膜であるシリコン酸化膜１２
を選択的にエッチングする事により、電極配線１１とシ
ョートさせることなくコンタクトホール１４を形成する
事が可能となる。この様なコンタクトホールの形成にお
いては、シリコン窒化膜に対し、選択的にシリコン酸化
膜をエッチングさせること、すなわち選択比が大きいこ
とが必要となる。As the size of the semiconductor device is reduced, the size of the contact hole, the width of the electrode wiring, and the distance between them are also required to be reduced. For this reason, it is difficult to overlap the patterns. For example, as shown in FIG. 7, when forming a contact hole 14 between the electrode wiring 11 for establishing conduction between the substrate and the upper layer wiring, the distance between the side surface of the hole and the electrode wiring is reduced, so that the contact hole for the electrode pattern is formed. There is a danger that the margin for overlapping the patterns becomes small and the electrode wiring 11 and the contact hole 14 are short-circuited by a small misalignment. In order to solve this, it is necessary to open contact holes in a self-aligned manner as shown in FIG. Here, electrode 1
1 is covered with a silicon nitride film 15 which is an insulating film, whereas a silicon oxide film 12 which is an interlayer film is
Is selectively etched, the contact hole 14 can be formed without causing a short circuit with the electrode wiring 11. In forming such a contact hole, it is necessary to selectively etch the silicon oxide film with respect to the silicon nitride film, that is, to have a high selectivity.
【０００６】このようなエッチングをおこなう場合、従
来技術であるフッ酸等によるウェットエッチングはシリ
コン窒化膜に対するシリコン酸化膜の選択比は大きいも
のの、等方性エッチングであるため、その微細加工性は
小さく、直径０．４μｍレベルのコンタクトホールの形
成は不可能である。In the case of performing such etching, the conventional wet etching using hydrofluoric acid or the like has a high selectivity ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film, but is isotropic etching, so that its fine workability is low. It is impossible to form a contact hole having a diameter of 0.4 μm.
【０００７】又、反応性イオンエッチング装置を用い、
ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ａｒ等の従来からあるガス系でエッ
チングをおこなった場合、異方性エッチングによるコン
タクトホールの形成は可能であるが、シリコン窒化膜に
対するシリコン酸化膜の選択比は低く、その値は１〜２
程度である。このため、シリコン酸化膜の選択的なエッ
チングは不可能であった。この様に従来からあるドライ
エッチング装置でシリコン窒化膜に対するシリコン酸化
膜の選択比が低い理由は、シリコン窒化膜上に、保護膜
を選択的に形成する能力が低い為である。シリコン酸化
膜をフロロカーボン系のガスを用いて選択エッチングす
る際には、炭素およびフッ素を成分とする保護膜が形成
されることを利用している。即ちシリコン酸化膜上では
炭素およびフッ素酸素原子と結びつき揮発性のＣＯＦ等
となり排出されるため、保護膜は形成されず、エッチン
グは進行する。これに対し、シリコン窒化膜上では酸素
原子が存在しないため、炭素−フッ素成分が保護膜とし
て形成される。この保護膜中の炭素成分の割合が大きい
程、イオン衝撃に対する耐性は強くなり、シリコン窒化
膜の保護効果は増強される。これに対し炭素含有量が低
い即ちフッ素含有量が多い場合は、イオン衝撃で保護膜
自体がスパッタ除去されてしまうため、保護効果は減少
する。従来のＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ａｒガスを用いたドラ
イエッチング装置では、保護膜形成能力が低く、保護膜
中の炭素含有量が低いという問題点がある。このため、
シリコン窒化膜に対する選択比は１〜２程度となり、シ
リコン酸化膜の選択的なエッチングは困難であった。Further, using a reactive ion etching apparatus,
When etching is performed using a conventional gas system such as CF 4 / CHF 3 / Ar, a contact hole can be formed by anisotropic etching, but the selectivity of a silicon oxide film to a silicon nitride film is low. Values are 1-2
It is about. Therefore, selective etching of the silicon oxide film was impossible. The reason why the selectivity of the silicon oxide film to the silicon nitride film is low in the conventional dry etching apparatus is that the ability to selectively form the protective film on the silicon nitride film is low. When the silicon oxide film is selectively etched using a fluorocarbon-based gas, the fact that a protective film containing carbon and fluorine as components is formed is used. In other words, on the silicon oxide film, carbon dioxide and fluorine and oxygen atoms are combined to form volatile COF and discharged, so that no protective film is formed and etching proceeds. On the other hand, since no oxygen atoms exist on the silicon nitride film, a carbon-fluorine component is formed as a protective film. The greater the proportion of the carbon component in the protective film, the stronger the resistance to ion bombardment and the greater the protective effect of the silicon nitride film. On the other hand, when the carbon content is low, that is, when the fluorine content is high, the protective film itself is sputtered off by ion bombardment, and the protective effect is reduced. The conventional dry etching apparatus using CF 4 / CHF 3 / Ar gas has a problem that the ability to form a protective film is low and the carbon content in the protective film is low. For this reason,
The selectivity to the silicon nitride film was about 1-2, and it was difficult to selectively etch the silicon oxide film.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、ＣＨＦ3及び
ＣＯの混合ガスを反応ガスとして用いてドライエッチン
グをおこなう事により、シリコン窒化膜に対するシリコ
ン酸化膜の選択的かつ異方的なエッチングを可能とす
る。即ち、本発明は、半導体基板上に設けられた電極配
線の上に、シリコン窒化膜を介して形成されたシリコン
酸化膜に対してコンタクトホールを形成する半導体装置
の製造方法において、反応ガスとして総ガス量に対する
ＣＯの混合比を５０〜８０％としたＣＨＦ3とＣＯの混
合ガスを用いてシリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜
を選択的に異方性エッチングすることを特徴とする。更
に本発明は、シリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜を
選択的に異方性エッチングする半導体装置の製造方法に
おいて、反応ガスとしてＣＨＦ3とＣＯの混合ガスを用
い、ＣＨＦ3とＣＯの混合ガスの圧力を０．０４〜０．
１Ｔｏｒｒ、総ガス量に対するＣＯの混合比を５０〜８
０％、被加工物温度を８０〜１２０℃として前記異方性
エッチングをすることを特徴とする。According to the present invention, a selective and anisotropic etching of a silicon oxide film with respect to a silicon nitride film is performed by performing dry etching using a mixed gas of CHF 3 and CO as a reaction gas. Make it possible. That is, the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which a contact hole is formed in a silicon oxide film formed through a silicon nitride film on an electrode wiring provided on a semiconductor substrate, characterized by selective anisotropic etching of the silicon oxide film relative to the silicon nitride film by using a mixed gas of CHF 3 and CO with a mixing ratio of CO to the gas amount is 50 to 80%. The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device for selectively anisotropically etched silicon oxide film on the silicon nitride film, a mixed gas of CHF 3 and CO as reaction gas, CHF 3 and CO gas mixture of Of 0.04 to 0.
1 Torr, the mixing ratio of CO to the total gas amount is 50 to 8
The anisotropic etching is performed by setting the workpiece temperature at 0% and the workpiece temperature at 80 to 120 ° C.
【０００９】[0009]
【実施例】次に本発明の第１の実施例について図面を参
照して説明する。Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１０】図１は本発明を用いてエッチングをおこな
う装置の概略図である。ウェハー１は高周波電源２を、
ブロッキングキャパシタ３を介し接続した陰極４上に設
置される。接地された陽極５上には、磁石６による磁場
が印加され、磁場は回転する事により均一性を向上させ
る。チャンバー内はターボ分子ポンプ７より１０-2〜１
０-4Ｔｏｒｒに排気される。ＣＨＦ3 ，ＣＯ混ガスを、
ガス導入口８よりチャンバ内に導入し、高周波電源より
電力を投入する事によりプラズマを発生させエッチング
をおこなう。エッチング中は、冷却器９によりウェハー
の温度は一定となる様に制御される。FIG. 1 is a schematic view of an apparatus for performing etching using the present invention. The wafer 1 has a high frequency power supply 2
It is installed on a cathode 4 connected via a blocking capacitor 3. A magnetic field from a magnet 6 is applied to the grounded anode 5, and the magnetic field rotates to improve the uniformity. The inside of the chamber is 10 -2 to 1 from the turbo molecular pump 7
It is exhausted to 0 -4 Torr. CHF 3 , CO mixed gas,
Plasma is generated by introducing the gas into the chamber through the gas inlet 8 and supplying power from a high-frequency power source to perform etching. During the etching, the temperature of the wafer is controlled by the cooler 9 so as to be constant.
【００１１】次に上記装置を用い、得られた結果を図２
に示した。図２は総ガス流量に対するＣＯ混合比を変え
た場合に得られたシリコン窒化膜と、シリコン酸化膜の
エッチング速度である。ＣＯガスを添加する事により、
生成される保護膜中の炭素含有量は増加し、イオンに対
する耐性は増強される。ＣＯ混合比５０〜８０％におい
て、シリコン酸化膜をシリコン窒化膜に対して選択的に
かつ良好な異方形状にエッチングする事ができた。ＣＯ
混合比を８０％より大きくすると、保護膜の形成量が減
少するためシリコン窒化膜が保護されず、そのエッチン
グ速度は増加し、選択的なエッチングが困難となる。
又、ＣＯ混合比を５０％より減少させると、多量なポリ
マー形成によりコンタクトホールのエッチングが進行し
なくなる。これらより、上述した様にＣＯ混合比を５０
〜８０％の範囲でエッチングをおこなう事が望ましい。Next, the results obtained using the above-mentioned apparatus are shown in FIG.
It was shown to. FIG. 2 shows the etching rates of the silicon nitride film and the silicon oxide film obtained when the CO mixing ratio with respect to the total gas flow rate was changed. By adding CO gas,
The carbon content in the resulting protective film increases and the resistance to ions is enhanced. At a CO mixing ratio of 50 to 80%, the silicon oxide film could be selectively and favorably anisotropically etched with respect to the silicon nitride film. CO
If the mixing ratio is greater than 80%, the amount of the protective film formed is reduced, so that the silicon nitride film is not protected, the etching rate increases, and it becomes difficult to perform selective etching.
On the other hand, if the CO mixing ratio is reduced below 50%, the contact hole etching does not proceed due to the formation of a large amount of polymer. From these, as described above, the CO mixing ratio was set to 50.
It is desirable to perform etching in the range of 80%.
【００１２】さらに同様の装置を用い、圧力を変化させ
る事により得られたシリコン酸化膜及びシコン窒化膜の
エッチング速度を図３に示した。圧力０．０４Ｔｏｒｒ
〜０．１Ｔｏｒｒにおいて良好な異方性エッチング形状
と、２０以上の高いエッチング速度比を得る事ができ
た。圧力が０．０４Ｔｏｒｒより小さい条件でエッチン
グをおこなうと、保護膜の形成量が小さいため、シリコ
ン窒化膜のエッチング量が多くなり、選択的なエッチン
グが困難となる。又、圧力が０．１Ｔｏｒｒより大きい
場合は、逆にその堆積は大きくなり、コンタクトホール
のエッチングは停止してしまう。これらより、圧力０．
０４〜０．１Ｔｏｒｒの範囲でエッチングをおこなう事
が望ましい。FIG. 3 shows the etching rates of the silicon oxide film and the silicon nitride film obtained by changing the pressure using the same apparatus. Pressure 0.04Torr
At ~ 0.1 Torr, a good anisotropic etching shape and a high etching rate ratio of 20 or more could be obtained. When etching is performed under a condition where the pressure is less than 0.04 Torr, the formation amount of the protective film is small, so that the etching amount of the silicon nitride film increases, and selective etching becomes difficult. On the other hand, when the pressure is higher than 0.1 Torr, the deposition becomes large, and the etching of the contact hole stops. From these, pressure 0.
It is desirable to perform the etching in the range of 04 to 0.1 Torr.
【００１３】又、図４に示した様に、ウェハー温度を８
０℃以上に設定すると、シリコン窒化膜のエッチング速
度は急激に減少し、エッチング速度比を向上させる事が
できた。ウェハー温度を上昇させると、プラズマ中より
供給される保護膜形成成分の付着確率が小さくなる。す
なわち、アスペクト比の高いコンタクトホール底部まで
到達する保護膜形成成分が多くなり、コンタクトホール
底部のシリコン窒化膜はこれにより保護され、選択比を
得る事ができる。８０℃より低い温度でエッチングをお
こなうと、保護膜の付着確率が大きくなりコンタクトホ
ールの開口部のみで保護膜が付着形成されてしまうた
め、ホール底部に保護膜は形成されず、シリコン窒化膜
のエッチングは進行する。逆に温度を上げ過ぎると保護
膜のホール底への堆積が強力になり過ぎ、シリコン酸化
膜のエッチングが停止する。さらにレジスト焼け等の問
題も発生する。これらより、８０℃〜１２０℃の範囲に
ウェハー温度を設定し、エッチングをおこなうのが望ま
しい。Further, as shown in FIG.
When the temperature was set to 0 ° C. or higher, the etching rate of the silicon nitride film was sharply reduced, and the etching rate ratio could be improved. When the wafer temperature is increased, the probability of adhesion of the protective film forming component supplied from the plasma decreases. That is, the protective film forming component reaching the bottom of the contact hole having a high aspect ratio increases, and the silicon nitride film at the bottom of the contact hole is protected by this, so that a selectivity can be obtained. If the etching is performed at a temperature lower than 80 ° C., the probability of adhesion of the protective film increases, and the protective film is deposited only at the opening of the contact hole. Etching proceeds. Conversely, if the temperature is too high, the deposition of the protective film on the bottom of the hole becomes too strong, and the etching of the silicon oxide film stops. Further, problems such as resist burning occur. From these, it is desirable to perform the etching by setting the wafer temperature within the range of 80 ° C. to 120 ° C.
【００１４】本発明を用い半導体製造工程のうち、コン
タクト形成に適用した第２の実施例を図５に示す。FIG. 5 shows a second embodiment in which the present invention is applied to contact formation in a semiconductor manufacturing process.
【００１５】ここでは電極配線１１上面及び側面にシリ
コン窒化膜１５を形成しておく。層間絶縁膜となるシリ
コン酸化膜１２を堆積し、しかる後にレジスト１３を塗
布し、本発明を用いてコンタクトホールを開口する。例
えば、マグネトロンＲＩＥ装置を用い、圧力０．０６Ｔ
ｏｒｒ，ＣＨＦ3 ６０ｓｃｃｍ，ＣＯ ２４０ｓｃｃ
ｍ，ウェハー温度８０℃，高周波電力８００Ｗを用い、
エッチングをおこなったところ、シリコン窒化膜に対し
て２０程度の高い選択比でシリコン酸化膜をエッチング
する事が可能であった。このため図５に示す様にコンタ
クトホールが、電極配線パターン目ずれした時でも、シ
リコン窒化膜により電極配線とのショートは防止される
ため、安定したコンタクトホールの形成ができる。Here, a silicon nitride film 15 is formed on the upper surface and side surfaces of the electrode wiring 11. A silicon oxide film 12 serving as an interlayer insulating film is deposited, and thereafter, a resist 13 is applied, and a contact hole is opened using the present invention. For example, using a magnetron RIE device and a pressure of 0.06T
orr, CHF 3 60sccm, CO 240scc
m, wafer temperature 80 ° C, high frequency power 800W,
When the etching was performed, it was possible to etch the silicon oxide film with a high selectivity of about 20 with respect to the silicon nitride film. For this reason, even when the contact hole is misaligned in the electrode wiring pattern as shown in FIG. 5, short-circuit with the electrode wiring is prevented by the silicon nitride film, so that a stable contact hole can be formed.
【００１６】さらに、本発明の第３の実施例を図６に示
した。ここでは、電極配線１１の間隔よりも広い径を持
つコンタクトホールパターンを形成し、本発明を用いて
コンタクトホールを開口する。例えばマグネトロンＲＩ
Ｅ装置を用い、圧力０．０５Ｔｏｒｒ，ＣＨＦ3 １０
０ｓｃｃｍ，ＣＯ ２００ｓｃｃｍ，ウェハー温度８０
℃，高周波電力８００Ｗを用いエッチングをおこなった
ところ、シリコン窒化膜に対して３０程度の選択比でシ
リコン酸化膜をエッチングする事が可能となった。この
ため図６に示す様に、電極配線間隔よりもコンタクトホ
ール径が大きい場合でも、電極配線とショートさせるこ
となくコンタクトホールを開口させる事が可能でありリ
ソグラフィによるコンタクトパターンの形成に余裕をも
たせる事もできる。FIG. 6 shows a third embodiment of the present invention. Here, a contact hole pattern having a diameter larger than the interval between the electrode wirings 11 is formed, and the contact hole is opened using the present invention. For example, magnetron RI
E device, pressure 0.05 Torr, CHF 3 10
0 sccm, CO 200 sccm, wafer temperature 80
When etching was performed at 800 ° C. and high frequency power of 800 W, the silicon oxide film could be etched at a selectivity of about 30 with respect to the silicon nitride film. Therefore, as shown in FIG. 6, even when the diameter of the contact hole is larger than the distance between the electrode wirings, it is possible to open the contact hole without causing a short circuit with the electrode wiring, and to allow a margin for forming a contact pattern by lithography. Can also.
【００１７】又、本発明ではＣＨＦ3 とＣＯの混合ガス
を用いる事を特徴とするが、これにＣＦ4 ，Ａｒ，Ｈｅ
等を添加してエッチング速度の向上や、加工形状の制御
をおこなう事も可能である。In the present invention, a mixed gas of CHF 3 and CO is used, and CF 4 , Ar, He
It is also possible to improve the etching rate and control the processing shape by adding the like.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上説明した様に、本発明は、マグネト
ロンＲＩＥ装置の反応ガスとしてＣＨＦ3 とＣＯの混合
ガスを用いることにより、シリコン窒化膜に対し、シリ
コン酸化膜を異方的に、かつ高い選択性をもってエッチ
ングする事ができた。これにより、シリコン窒化膜をス
トッパとした自己整合コンタクトを用いた安定的なコン
タクトホール開口手段を提供する事が可能となり、半導
体装置の歩留りを向上できるという効果を有する。As described above, according to the present invention, by using a mixed gas of CHF 3 and CO as a reaction gas of a magnetron RIE apparatus, a silicon oxide film can be anisotropically formed with respect to a silicon nitride film. Etching was performed with high selectivity. This makes it possible to provide a stable contact hole opening means using a self-aligned contact using the silicon nitride film as a stopper, and has an effect of improving the yield of the semiconductor device.
【図１】本発明において使用されるエッチング装置の一
例を示す概略図。FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an etching apparatus used in the present invention.
【図２】本発明の効果を示す曲線図。FIG. 2 is a curve diagram showing the effect of the present invention.
【図３】本発明の効果を示す曲線図。FIG. 3 is a curve diagram showing the effect of the present invention.
【図４】本発明の効果を示す曲線図。FIG. 4 is a curve diagram showing the effect of the present invention.
【図５】本発明を用い、コンタクトホールを形成した一
実施例を示す図。FIG. 5 is a diagram showing an embodiment in which a contact hole is formed using the present invention.
【図６】本発明を用い、コンタクトホールを形成した他
の実施例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing another embodiment in which a contact hole is formed using the present invention.
【図７】従来技術によりコンタクトホールを形成した例
を示す図。FIG. 7 is a diagram showing an example in which a contact hole is formed by a conventional technique.
１ ウェハー ２ 高周波電源 ３ ブロッキングキャパシタ ４ 陰極 ５ 陽極 ６ 磁石 ７ ターボ分子ポンプ ８ ガス導入口 ９ 冷却器 １０ シリコン基板 １１ 電極配線 １２ シリコン酸化膜 １３ レジスト １４ コンタクトホール １５ シリコン窒化膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 High frequency power supply 3 Blocking capacitor 4 Cathode 5 Anode 6 Magnet 7 Turbo molecular pump 8 Gas inlet 9 Cooler 10 Silicon substrate 11 Electrode wiring 12 Silicon oxide film 13 Resist 14 Contact hole 15 Silicon nitride film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井川 英治 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 第40回応用物理学会予稿集（春季）, （1993），31ａ−ＺＥ−10 第54回応用物理学会予稿集（秋季）, （1993），27ｐ−Ｗ−８ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Eiji Igawa 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation (56) References 40th Annual Meeting of the Japan Society of Applied Physics (Spring), (1993) , 31a-ZE-10 Proceedings of the 54th JSAP (Autumn), (1993), 27p-W-8
Claims (2)
に、シリコン窒化膜を介して形成されたシリコン酸化膜
に対してコンタクトホールを形成する半導体装置の製造
方法において、反応ガスとして総ガス量に対するＣＯの
混合比を５０〜８０％としたＣＨＦ3とＣＯの混合ガス
を用いてシリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜を選択
的に異方性エッチングすることを特徴とする半導体装置
の製造方法。In a method of manufacturing a semiconductor device in which a contact hole is formed in a silicon oxide film formed through a silicon nitride film on an electrode wiring provided on a semiconductor substrate, a total gas is used as a reactive gas. manufacturing a semiconductor device characterized by selective anisotropic etching of the silicon oxide film relative to the silicon nitride film using a CHF 3 and a mixed gas of CO the mixing ratio was 50 to 80% of the CO relative to the amount Method.
を選択的に異方性エッチングする半導体装置の製造方法
において、反応ガスとしてＣＨＦ3とＣＯの混合ガスを
用い、ＣＨＦ3とＣＯの混合ガスの圧力を０．０４〜
０．１Ｔｏｒｒ、総ガス量に対するＣＯの混合比を５０
〜８０％、被加工物温度を８０〜１２０℃として前記異
方性エッチングをすることを特徴とする半導体装置の製
造方法。2. A method of manufacturing a semiconductor device in which selective anisotropic etching of the silicon oxide film relative to the silicon nitride film, a mixed gas of CHF 3 and CO as reaction gas, CHF 3 and CO gas mixture of 0.04 ~
0.1 Torr, the mixing ratio of CO to the total gas amount is 50
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the anisotropic etching is performed at a temperature of about 80% and a workpiece temperature of 80 to 120 ° C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23263294A JP2654544B2 (en) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23263294A JP2654544B2 (en) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897186A JPH0897186A (en) | 1996-04-12 |
| JP2654544B2 true JP2654544B2 (en) | 1997-09-17 |
Family
ID=16942357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23263294A Expired - Lifetime JP2654544B2 (en) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654544B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186236A (en) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | Etching method |
| JPH11354499A (en) | 1998-04-07 | 1999-12-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of contact hole |
-
1994
- 1994-09-28 JP JP23263294A patent/JP2654544B2/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 第４０回応用物理学会予稿集（春季），（１９９３），３１ａ−ＺＥ−１０ |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0897186A (en) | 1996-04-12 |
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