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JP2641594B2 - Plating equipment - Google Patents

Plating equipment

Info

Publication number
JP2641594B2
JP2641594B2 JP10085590A JP10085590A JP2641594B2 JP 2641594 B2 JP2641594 B2 JP 2641594B2 JP 10085590 A JP10085590 A JP 10085590A JP 10085590 A JP10085590 A JP 10085590A JP 2641594 B2 JP2641594 B2 JP 2641594B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
tank
plating solution
child
partition plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP10085590A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH04395A (en
Inventor
一浩 岡庭
克也 小崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP10085590A priority Critical patent/JP2641594B2/en
Publication of JPH04395A publication Critical patent/JPH04395A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2641594B2 publication Critical patent/JP2641594B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体ウエハプロセスのメタライズに用
いるメッキを形成する装置に関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for forming a plating used for metallizing a semiconductor wafer process.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は、従来のメッキ装置およびそのタンクを示す
模式図で、図において、1はメッキ液を貯蔵するタン
ク、2はメッキ液の温度を一定に保つためのヒーター、
3はメッキ液を循環するためのポンプ、4はメッキ液中
のパーティクルを除去するためのフィルタ、5はその内
部にメッキ液を噴流させるためのメッキカップで、6は
被メッキ物に電流を供給するためのカソード、7は同じ
くアノード、8は被メッキ物である半導体ウエハで、9
はメッキ液、10はオーバーフロー槽である。
FIG. 3 is a schematic view showing a conventional plating apparatus and its tank, in which 1 is a tank for storing the plating solution, 2 is a heater for keeping the temperature of the plating solution constant,
3 is a pump for circulating the plating solution, 4 is a filter for removing particles in the plating solution, 5 is a plating cup for jetting the plating solution into the inside, and 6 is a current supply to the object to be plated. 7 is an anode, 8 is a semiconductor wafer to be plated, and 9 is an anode.
Denotes a plating solution, and 10 denotes an overflow tank.

第3図ではメッキカップが1個の場合を示している
が、実際には複数個ある場合が多い。
FIG. 3 shows a case where there is one plating cup, but there are many cases where there are actually a plurality of plating cups.

次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.

この装置を用いてメッキを行なう際には、ヒーター2
によりメッキ液の温度を50〜100℃に保ちながらポンプ
3により各カップ内に循環させてカソード6,アノード7
間に電流を供給することによって半導体ウエハ上にメッ
キを施す。
When plating using this apparatus, the heater 2
While maintaining the temperature of the plating solution at 50 to 100 ° C. by the pump 3, the plating solution is circulated through each cup by the pump 6 and the anode 7
Plating is performed on the semiconductor wafer by supplying a current therebetween.

このときの電流波形には例えば第4図のような波形を
用いる。第4図(a)はDC法、同図(b)はパルス法、
同図(c)はPR(periodical reverse)法である。
At this time, for example, a waveform as shown in FIG. 4 is used. FIG. 4 (a) is a DC method, FIG. 4 (b) is a pulse method,
FIG. 3C shows a PR (periodical reverse) method.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

ところで、メッキ液は電解質であるため、電気を通し
やすい性質をもつ。第3図においては、複数のメッキカ
ップを用いて同時にメッキを行うときに、メッキ液は各
カップ間を循環して同じタンクに戻ってくるために、こ
のメッキ液を介して電流パスが生じる。そのため意図し
ないメッキが形成されて、これがメッキ厚みのばらつき
や異常メッキの大きな原因となっている。
By the way, since the plating solution is an electrolyte, it has a property of easily conducting electricity. In FIG. 3, when plating is performed simultaneously using a plurality of plating cups, the plating solution circulates between the cups and returns to the same tank, so that a current path is generated through the plating solution. Therefore, unintended plating is formed, and this is a major cause of uneven plating and abnormal plating.

この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、メッキ厚みのばらつきや異常メッキが発生
しにくく、微細配線形成用の精密メッキが可能なメッキ
装置を得ることを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a plating apparatus which is unlikely to cause variations in plating thickness and abnormal plating, and is capable of precision plating for forming fine wiring. .

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

この発明に係るメッキ装置は、メッキ液を導入する導
入管、この導入管により導入されたメッキ液に浸された
被メッキ物に電流を供給するカソードとアノード、及び
メッキ液を排出する排出管を有する複数のメッキ槽と、
順次高さが低くなる仕切板によってタンク内部に形成さ
れた複数の子タンク、及びメッキ中断時にこの子タンク
の下流側から最上流の子タンクに向けてメッキ液を還流
する還流手段を有し、メッキ液が上記仕切板をオーバー
フローした時に階段状のメッキ液の流れが可能となるメ
ッキ液タンクと、このメッキ液タンクの子タンクとこの
子タンクに対応するメッキ槽の前記導入管,排出管とを
それぞれ接続する配管を有し、メッキ形成時にこの配管
を介してメッキ液を循環させる循環手段とを備えるよう
にしたものである。
The plating apparatus according to the present invention includes an introduction pipe for introducing a plating solution, a cathode and an anode for supplying a current to an object to be plated immersed in the plating solution introduced by the introduction pipe, and a discharge pipe for discharging the plating solution. A plurality of plating tanks having
A plurality of child tanks formed inside the tank by a partition plate having a sequentially lower height, and a reflux means for refluxing the plating solution from the downstream side of the child tank toward the most upstream child tank when plating is interrupted, A plating solution tank that allows a stepwise flow of the plating solution when the plating solution overflows the partition plate, a sub-tank of the plating solution tank, and the introduction pipe and the discharge pipe of the plating tank corresponding to the sub-tank. And a circulating means for circulating a plating solution through the piping during plating.

〔作用〕[Action]

この発明においては、上述のように構成したことによ
り、メッキ液タンク内の各子タンクは仕切板により仕切
られているので、メッキ液を介して流れる電流成分は発
生しない。また、メッキ中断時には子タンクの下流側か
ら最上流の子タンクに向けてメッキ液が還流し、メッキ
液が子タンクを階段状に流れるので、メッキ液の組成は
各子タンク間において均一に保たれる。さらに、メッキ
液タンクの子タンクとこの子タンクに対応するメッキ槽
とをそれぞれ配管によって接続し、メッキ形成時にこの
配管を介してメッキ液を循環させるので、各子タンク内
でのメッキ液の組成は均一に保たれる。
In the present invention, with the configuration described above, since each of the daughter tanks in the plating solution tank is partitioned by the partition plate, no current component flows through the plating solution. When plating is interrupted, the plating solution refluxes from the downstream side of the child tank toward the most upstream child tank, and the plating solution flows in the child tank in a stepwise manner, so that the composition of the plating solution is uniformly maintained between the child tanks. Dripping. Further, the plating solution tank and the corresponding plating tank are connected by piping, respectively, and the plating solution is circulated through the piping during plating, so that the composition of the plating solution in each child tank is Is kept uniform.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
1図は本発明の一実施例によるメッキ装置のタンクを示
し、同図(a)において、1はタンク、13はタンク内に
設けられた第1の仕切板で、端から順番に低くなるよう
に形成されている。2は第1の仕切板で区切られた各子
タンクの内部に設けられたヒーターで、メッキ液の温度
を一定に保つ役目を持つ。14は第1の仕切板で区切られ
た各子タンク内部に設けられた第2の仕切板で、隣から
オーバーフローしたメッキ液を一旦下部へ導く役目をも
つ。15は第1の仕切板により区切られた各子タンクの内
部に設けられた第3の仕切板で、隣からオーバーフロー
してきたメッキ液を下部から上部へ均一に流れるように
する役目を持つ。また、11aと12aはバルブ、3aはポンプ
で、メッキ中断時にメッキ液を子タンクの下流側から最
上流の子タンクに還流し、メッキ液を子タンク間で循環
させる役目をもつ。4aはフィルターである。3はポンプ
で、メッキ液をカップ間で循環する役目をもつ。11と12
はバルブで、4はフィルターである。16と17はそれぞれ
メッキカップの入口配管と出口配管である。そしてこの
メッキ装置全体としては第2図(a)のような構成にな
っている。第1図(a)中の配管16と17にはそれぞれ第
2図(b)に示されたメッキカップ(メッキ槽)5の配
管16と17に接続されている。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a tank of a plating apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1 (a), reference numeral 1 denotes a tank, and 13 denotes a first partition plate provided in the tank. It is formed as follows. Reference numeral 2 denotes a heater provided inside each of the child tanks separated by the first partition plate, and has a function of keeping the temperature of the plating solution constant. Reference numeral 14 denotes a second partition plate provided inside each of the child tanks separated by the first partition plate, and has a function of temporarily guiding the plating solution overflowing from the next to the lower portion. Reference numeral 15 denotes a third partition plate provided inside each child tank divided by the first partition plate, and has a function of uniformly flowing a plating solution overflowing from the next to the upper portion from the lower portion. Numerals 11a and 12a are valves, and 3a is a pump. When plating is interrupted, the plating liquid is returned from the downstream side of the child tank to the most upstream child tank and circulates the plating liquid between the child tanks. 4a is a filter. A pump 3 has a function of circulating the plating solution between the cups. 11 and 12
Is a valve and 4 is a filter. 16 and 17 are an inlet pipe and an outlet pipe of the plating cup, respectively. The plating apparatus as a whole has a configuration as shown in FIG. The pipes 16 and 17 in FIG. 1A are connected to the pipes 16 and 17 of the plating cup (plating tank) 5 shown in FIG. 2B, respectively.

次にこの実施例の動作について説明する。 Next, the operation of this embodiment will be described.

ヒーター2によりメッキ液の温度を50〜100℃に保ち
ながら各カップ内に循環させてカソード,アノード間に
電流を供給することによって半導体ウエハ上にメッキを
施す。このときの電流波形には例えば第4図のような波
形を用いる。第4図(a)はDC法、同図(b)はパルス
法、同図(c)はPR(periodical reverse)法である。
The heater 2 circulates the plating solution in each cup while maintaining the temperature of the plating solution at 50 to 100 ° C., and supplies a current between the cathode and the anode to perform plating on the semiconductor wafer. At this time, for example, a waveform as shown in FIG. 4 is used. 4 (a) shows the DC method, FIG. 4 (b) shows the pulse method, and FIG. 4 (c) shows the PR (periodical reverse) method.

ここで、メッキ液はバルブ11aと12aで遮断され、さら
にカップ側に循環しているため対応するタンク内の液面
は第1図(b)に示すようにそれぞれの配管とカップの
体積分だけ低下する。従って、第1の仕切板で区切られ
た各子タンク間のメッキ液を介して流れる電流成分は発
生しない。
Here, the plating solution is shut off by valves 11a and 12a and further circulated to the cup side, so that the corresponding liquid level in the tank is only the volume of each pipe and cup as shown in FIG. 1 (b). descend. Therefore, no current component flows through the plating solution between the sub-tanks separated by the first partition plate.

メッキ形成をしないときは、各子タンク内のメッキ液
組成を均一化するためにバルブ11aと12aが開いてポンプ
3aにより各子タンク間で循環させる。このときメッキ液
はポンプ3aによりバルブ11a側から吸引されバルブ12a側
へ送り出された後、第1の仕切板13からオーバーフロー
して隣のタンクに流出する。そして第2の仕切板14によ
り下部へ流れ、第3の仕切板15によって上部に流れ出
す。このようにして順番に隣の子タンク内に階段状に流
れ込むことにより、メッキ液の組成が均一になる。
When plating is not to be performed, the valves 11a and 12a are opened and the pump is opened in order to equalize the plating solution composition in each child tank.
Circulate between each child tank according to 3a. At this time, the plating solution is sucked from the valve 11a side by the pump 3a and sent out to the valve 12a side, and then overflows from the first partition plate 13 and flows out to an adjacent tank. Then, it flows to the lower part by the second partition plate 14 and flows out to the upper part by the third partition plate 15. In this way, the composition of the plating solution is made uniform by flowing stepwise into the adjacent child tank in order.

なお、上記実施例ではメッキの場合において説明した
が、エッチングの場合にも応用可能であり、上記実施例
と同様の効果を奏する。
Although the above embodiment has been described in connection with plating, the present invention is also applicable to the case of etching, and has the same effect as the above embodiment.

〔発明の効果〕 以上のように、この発明に係るメッキ装置によれば、
メッキ液を導入する導入管、この導入管により導入され
たメッキ液に浸された被メッキ物に電流を供給するカソ
ードとアノード、及びメッキ液を排出する排出管を有す
る複数のメッキ槽と、順次高さが低くなる仕切板によっ
てタンク内部に形成された複数の子タンク、及びメッキ
中断時にこの子タンクの下流側から最上流の子タンクに
向けてメッキ液を還流する還流手段を有し、メッキ液が
上記仕切板をオーバーフローした時に階段状のメッキ液
の流れが可能となるメッキ液タンクと、このメッキ液タ
ンクの子タンクとこの子タンクに対応するメッキ槽の前
記導入管,排出管とをそれぞれ接続する配管を有し、メ
ッキ形成時にこの配管を介してメッキ液を循環させる循
環手段とを備えるようにしたので、メッキ液を介して流
れる電流成分は発生しない。従ってメッキ厚みのバラツ
キや異常メッキの発生が大幅に減少する。さらにメッキ
液の組成も均一に保たれるので、メンテナンス性も良い
ものが得られる効果がある。
[Effects of the Invention] As described above, according to the plating apparatus of the present invention,
A plurality of plating tanks having an introduction pipe for introducing a plating solution, a cathode and an anode for supplying a current to an object to be plated immersed in the plating solution introduced by the introduction pipe, and a discharge pipe for discharging the plating solution, A plurality of child tanks formed inside the tank by a partition plate having a reduced height, and a reflux means for refluxing the plating solution from the downstream side of this child tank toward the most upstream child tank when plating is interrupted, A plating solution tank that allows a stepwise flow of the plating solution when the solution overflows the partition plate, a sub tank of the plating solution tank, and the introduction pipe and the discharge pipe of the plating tank corresponding to the sub tank. Each of the pipes has a connecting pipe, and a circulating means for circulating the plating liquid through the pipe at the time of plating is provided, so that a current component flowing through the plating liquid is generated. Not. Accordingly, variations in plating thickness and occurrence of abnormal plating are significantly reduced. Further, since the composition of the plating solution is kept uniform, there is an effect that a product having good maintainability can be obtained.

【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明の一実施例によるメッキ装置のタンク
の模式断面図で、第1図(a)はタンク内でメッキ液を
循環している状態を示す図、第1図(b)はメッキカッ
プ側で循環してメッキを形成している状態を示す図、第
2図は第1図の実施例のタンクを含むメッキ装置を示す
図で、第2図(a)はその全体図、第2図(b)はメッ
キカップ部の断面図である。第3図は従来のメッキ装置
の全体図である。第4図はメッキカップに供給する電流
波形を示した図で、第4図(a)はDC法を示す図、第4
図(b)はパルス法を示す図、第4図(c)はPR(peri
odical reverse)法を示す図である。 図において、1はタンク、2はヒーター、3と3aはポン
プ、4と4aはフィルター、5はメッキカップ、6はカソ
ード、7はアノード、8は半導体ウエハ、9はメッキ
液、10はオーバーフロー槽、11と11aは出口バルブ、12
と12aはバルブ、13は第1の仕切板、14は第2の仕切
板、15は第3の仕切板、16はカップ入口配管、17はカッ
プ出口配管である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic sectional view of a tank of a plating apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 1 (a) is a view showing a state where a plating solution is circulating in the tank. FIG. 1 (b) is a view showing a state in which plating is formed by circulating on the plating cup side, and FIG. 2 is a view showing a plating apparatus including the tank of the embodiment of FIG. 2A is an overall view thereof, and FIG. 2B is a sectional view of a plating cup portion. FIG. 3 is an overall view of a conventional plating apparatus. FIG. 4 is a diagram showing a waveform of a current supplied to the plating cup, and FIG.
FIG. 4 (b) shows the pulse method, and FIG. 4 (c) shows the PR (peri
It is a figure which shows an odical reverse) method. In the figure, 1 is a tank, 2 is a heater, 3 and 3a are pumps, 4 and 4a are filters, 5 is a plating cup, 6 is a cathode, 7 is an anode, 8 is a semiconductor wafer, 9 is a plating solution, and 10 is an overflow tank. , 11 and 11a are outlet valves, 12
And 12a are valves, 13 is a first partition plate, 14 is a second partition plate, 15 is a third partition plate, 16 is a cup inlet pipe, and 17 is a cup outlet pipe. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C25D 21/10 301 C25D 21/10 301 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location C25D 21/10 301 C25D 21/10 301

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】メッキ液を導入する導入管、この導入管に
より導入されたメッキ液に浸された被メッキ物に電流を
供給するカソードとアノード、及びメッキ液を排出する
排出管を有する複数のメッキ槽と、 順次高さが低くなる仕切板によってタンク内部に形成さ
れた複数の子タンク、及びメッキ中断時にこの子タンク
の下流側から最上流の子タンクに向けてメッキ液を還流
する還流手段を有し、メッキ液が上記仕切板をオーバー
フローした時に階段状のメッキ液の流れが可能となるメ
ッキ液タンクと、 このメッキ液タンクの子タンクとこの子タンクに対応す
るメッキ槽の前記導入管,排出管とをそれぞれ接続する
配管を有し、メッキ形成時にこの配管を介してメッキ液
を循環させる循環手段とを備えたことを特徴とするメッ
キ装置。
1. A plurality of pipes having an inlet pipe for introducing a plating solution, a cathode and an anode for supplying a current to an object to be plated immersed in the plating solution introduced by the inlet pipe, and a discharge pipe for discharging the plating solution. A plating tank, a plurality of child tanks formed inside the tank by a partition plate having a sequentially decreasing height, and a reflux means for refluxing the plating solution from the downstream side of the child tank toward the most upstream child tank when plating is interrupted. A plating solution tank that allows a stepwise flow of the plating solution when the plating solution overflows the partition plate, a sub tank of the plating solution tank, and the introduction pipe of a plating tank corresponding to the sub tank. And a discharge pipe, and a circulating means for circulating a plating solution through the pipe when forming the plating.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101493857B1 (en) 2013-06-17 2015-02-16 주식회사 포스코 Apparatus for supplying molten metal
KR102034466B1 (en) * 2019-06-20 2019-10-21 지원석 Operating Method of Satin Nickel Plating Tank With Improved Productivity

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3308333B2 (en) * 1993-03-30 2002-07-29 三菱電機株式会社 Electroplating apparatus and electrolytic plating method
JP5650899B2 (en) * 2009-09-08 2015-01-07 上村工業株式会社 Electroplating equipment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101493857B1 (en) 2013-06-17 2015-02-16 주식회사 포스코 Apparatus for supplying molten metal
KR102034466B1 (en) * 2019-06-20 2019-10-21 지원석 Operating Method of Satin Nickel Plating Tank With Improved Productivity

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