JP2633048B2 - 電界効果トランジスタ装置 - Google Patents
電界効果トランジスタ装置Info
- Publication number
- JP2633048B2 JP2633048B2 JP2003755A JP375590A JP2633048B2 JP 2633048 B2 JP2633048 B2 JP 2633048B2 JP 2003755 A JP2003755 A JP 2003755A JP 375590 A JP375590 A JP 375590A JP 2633048 B2 JP2633048 B2 JP 2633048B2
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- Japan
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- transistor device
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電界効果トランジスタ装置に関するもので
ある。
ある。
従来の技術 電界トランジスタ装置は、JFET,MOSFETおよびMESFET
などとしてチューナの映像、音声の増幅用および発振用
石として、現在多用されに至っている。
などとしてチューナの映像、音声の増幅用および発振用
石として、現在多用されに至っている。
このような従来用いられている電界効果トランジスタ
の構造について第４図を用いて説明する。第４図におい
て、電界効果トランジスタ装置は、化合物半導体基板１
の中に、イオン注入により活性層２を形成し、次に、オ
ーミックメタル３を形成し、ゲートメタル４を形成した
ものである。第４図から明らかなように、ゲートメタル
４のゲート部に相当する箇所は、ゲート幅方向Ａに均一
なゲート長Ｂの均一な抵抗で形成されていた。
の構造について第４図を用いて説明する。第４図におい
て、電界効果トランジスタ装置は、化合物半導体基板１
の中に、イオン注入により活性層２を形成し、次に、オ
ーミックメタル３を形成し、ゲートメタル４を形成した
ものである。第４図から明らかなように、ゲートメタル
４のゲート部に相当する箇所は、ゲート幅方向Ａに均一
なゲート長Ｂの均一な抵抗で形成されていた。
発明が解決しようとする課題 上記従来の構成では、次のような問題を有していた。
（１）すなわち、発振用石として用いられるようなと
き、ゲート部に正の電位が加わり、ゲート部が発熱す
る。これにより第５図の温度曲線Ｃに示すように、ゲー
ト入力部4aで電流が多く流れるため、ゲート幅方向Ａ
で、ゲート部における発熱量がゲート入力部4aほど大き
くゲート入力部4aでのサージ破壊や温度上昇による移動
度低下による発振効率低下という不都合があった。
き、ゲート部に正の電位が加わり、ゲート部が発熱す
る。これにより第５図の温度曲線Ｃに示すように、ゲー
ト入力部4aで電流が多く流れるため、ゲート幅方向Ａ
で、ゲート部における発熱量がゲート入力部4aほど大き
くゲート入力部4aでのサージ破壊や温度上昇による移動
度低下による発振効率低下という不都合があった。
（２）また、チャーナの映像、音声の増幅用として用い
られる場合、ゲート部は、第６図に示すような、等価回
路Ｄで書き表わすことができ、ゲート入力インピーダン
スは50〜100Ωで、ゲート内部の等価回路の抵抗が50〜1
00Ω以上だとゲート幅方向Ａで、入力信号の減衰が生
じ、NF（雑音指数）,PG（利得）が悪化するという不具
合があった。
られる場合、ゲート部は、第６図に示すような、等価回
路Ｄで書き表わすことができ、ゲート入力インピーダン
スは50〜100Ωで、ゲート内部の等価回路の抵抗が50〜1
00Ω以上だとゲート幅方向Ａで、入力信号の減衰が生
じ、NF（雑音指数）,PG（利得）が悪化するという不具
合があった。
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、ゲート
電位が正の方向に加えられるようなパワー用トランジス
タとして用いられる際、ゲート部での発熱を均一化する
ことにより効率を良くすることができ、また、ゲート部
に高周波成分が入力として入ってくる増幅用トランジス
タとして用いられる際、ゲート部での入力波の減衰を抑
えることにより、NF,PGを良くすることができる電界効
果トランジスタ装置を提供することを目的とするもので
ある。
電位が正の方向に加えられるようなパワー用トランジス
タとして用いられる際、ゲート部での発熱を均一化する
ことにより効率を良くすることができ、また、ゲート部
に高周波成分が入力として入ってくる増幅用トランジス
タとして用いられる際、ゲート部での入力波の減衰を抑
えることにより、NF,PGを良くすることができる電界効
果トランジスタ装置を提供することを目的とするもので
ある。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の電界効果トランジ
スタ装置は、化合物半導体基板へのイオン注入により生
成した活性層上にゲートメタルをマスク形成し、前記ゲ
ートメタルをゲート電極とする電界効果トランジスタ装
置において、少なくとも前記ゲート電極を、その厚さが
ゲート先端部で薄くなるように形成したものである。
スタ装置は、化合物半導体基板へのイオン注入により生
成した活性層上にゲートメタルをマスク形成し、前記ゲ
ートメタルをゲート電極とする電界効果トランジスタ装
置において、少なくとも前記ゲート電極を、その厚さが
ゲート先端部で薄くなるように形成したものである。
作用 上記構成により、ゲート幅方向に、電流が流れ込むゲ
ート入力部ほど抵抗を小さくすれば、ゲート入力部にお
ける温度上昇が低下してゲート部での発熱が均一にな
り、発振用石との効率が向上し、これにより、機器の性
能改善が図られる。
ート入力部ほど抵抗を小さくすれば、ゲート入力部にお
ける温度上昇が低下してゲート部での発熱が均一にな
り、発振用石との効率が向上し、これにより、機器の性
能改善が図られる。
また、逆に、ゲート幅方向に、ゲート入力部からゲー
ト先端部に向けて抵抗を小さくすれば、ゲート部の信号
減衰が防止される。これにより、素子のNF,PGの性能が
向上して使用機器の性能改善が図られる。
ト先端部に向けて抵抗を小さくすれば、ゲート部の信号
減衰が防止される。これにより、素子のNF,PGの性能が
向上して使用機器の性能改善が図られる。
実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す電界効果トランジス
タ装置の上面図である。
タ装置の上面図である。
第１図において、電界効果トランジスタ装置は、化合
物半導体基板11の中に、イオン注入により活性層12を形
成し、次に、オーミックメタル13を形成し、ゲートメタ
ル14を形成したものである。ここで、ゲートメタル14を
形成するマスクはゲート入力部14aからゲート先端部14b
に向かって細く形成されている。これにより、電界効果
トランジスタのゲート部がゲート入力部14aほどゲート
長を大きくして抵抗を小さくし、ゲート先端部14bに向
かって単位長当りの抵抗が大きくなる三角形状にゲート
部を形成している。すなわち、電界効果トランジスタの
ゲート部をゲート幅方向に均一な抵抗で形成していな
い。このように、ゲート部の、ゲート幅方向の抵抗値を
ゲート入力部14aほど小さくすることで、ゲート部に正
の電位が加わった際のゲート入力部14aの発熱を低下さ
せることができる。
物半導体基板11の中に、イオン注入により活性層12を形
成し、次に、オーミックメタル13を形成し、ゲートメタ
ル14を形成したものである。ここで、ゲートメタル14を
形成するマスクはゲート入力部14aからゲート先端部14b
に向かって細く形成されている。これにより、電界効果
トランジスタのゲート部がゲート入力部14aほどゲート
長を大きくして抵抗を小さくし、ゲート先端部14bに向
かって単位長当りの抵抗が大きくなる三角形状にゲート
部を形成している。すなわち、電界効果トランジスタの
ゲート部をゲート幅方向に均一な抵抗で形成していな
い。このように、ゲート部の、ゲート幅方向の抵抗値を
ゲート入力部14aほど小さくすることで、ゲート部に正
の電位が加わった際のゲート入力部14aの発熱を低下さ
せることができる。
電界効果トランジスタに、正の大入力信号が加わった
ときのゲート部の発熱状態を第２図に示す。第２図の温
度曲線Ｅからわかるように、ゲート入力部14aほど抵抗
値を小さくしたので、ゲート部のゲート入力部14aにお
ける発熱が第５図の従来のものに比べて低く抑えられて
おり、ゲート部における発熱が均一になっていることが
わかる。
ときのゲート部の発熱状態を第２図に示す。第２図の温
度曲線Ｅからわかるように、ゲート入力部14aほど抵抗
値を小さくしたので、ゲート部のゲート入力部14aにお
ける発熱が第５図の従来のものに比べて低く抑えられて
おり、ゲート部における発熱が均一になっていることが
わかる。
さらに、第３図に発振効率について、本発明の電界効
果トランジスタと従来の電界効果トランジスタとの比較
を示す。第３図からわかるように、ゲート部の温度を均
一にすることにより、本発明の電界効果トランジタの発
振効率Ｆは、従来の電界効果トランジスタの発振効率Ｇ
に比べて、効率の特性改善の点で効果があることを示し
ている。
果トランジスタと従来の電界効果トランジスタとの比較
を示す。第３図からわかるように、ゲート部の温度を均
一にすることにより、本発明の電界効果トランジタの発
振効率Ｆは、従来の電界効果トランジスタの発振効率Ｇ
に比べて、効率の特性改善の点で効果があることを示し
ている。
なお、本実施例ではゲート入力部ほどゲート長を太く
形成し、ゲート先端部に向かってゲート長を細く形成し
ているものを示したが、ゲート部に入力されている微小
信号減衰を重視する用途としては、上記のものとは逆
に、ゲート入力部からゲート先端部に向かってゲート長
を太く形成すればよい。また、ゲートメタルの厚さを不
均一にすることによっても、同様、上記目的を達成する
ことができる。
形成し、ゲート先端部に向かってゲート長を細く形成し
ているものを示したが、ゲート部に入力されている微小
信号減衰を重視する用途としては、上記のものとは逆
に、ゲート入力部からゲート先端部に向かってゲート長
を太く形成すればよい。また、ゲートメタルの厚さを不
均一にすることによっても、同様、上記目的を達成する
ことができる。
発明の効果 以上のように本発明の電界効果トランジスタ装置によ
れば、発振用石として用いるときには、ゲート入力部ほ
ど抵抗を小さくすれば、ゲート部の発熱を均一化させる
ことができて、送信の発振用として効率、アップを図る
ことができる。また、上記場合とは逆に、ゲート先端部
ほど抵抗を小さくすれば、ゲート部で入力波の減衰を抑
えることができて、チューナの受信用としても、NF,PG
の向上を図ることができ、セットの高性能化を得ること
ができるものである。
れば、発振用石として用いるときには、ゲート入力部ほ
ど抵抗を小さくすれば、ゲート部の発熱を均一化させる
ことができて、送信の発振用として効率、アップを図る
ことができる。また、上記場合とは逆に、ゲート先端部
ほど抵抗を小さくすれば、ゲート部で入力波の減衰を抑
えることができて、チューナの受信用としても、NF,PG
の向上を図ることができ、セットの高性能化を得ること
ができるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す電界効果トランジスタ
装置の上面図、第２図は同電界効果トランジスタ装置の
ゲート部の幅方向の各場所による温度分布図、第３図は
従来のものと本実施例のものによる発振効率について比
較した図、第４図は従来の電界効果トランジスタ装置の
上面図、第５図は同電界効果トランジスタ装置のゲート
部の幅方向の各場所における温度分布図、第６図はゲー
ト部の等価回路を示す図である。 14……ゲートメタル、14a……ゲート入力部、14b……ゲ
ート先端部。
装置の上面図、第２図は同電界効果トランジスタ装置の
ゲート部の幅方向の各場所による温度分布図、第３図は
従来のものと本実施例のものによる発振効率について比
較した図、第４図は従来の電界効果トランジスタ装置の
上面図、第５図は同電界効果トランジスタ装置のゲート
部の幅方向の各場所における温度分布図、第６図はゲー
ト部の等価回路を示す図である。 14……ゲートメタル、14a……ゲート入力部、14b……ゲ
ート先端部。
Claims (1)
- 【請求項１】化合物半導体基板へのイオン注入により生
成した活性層上にゲートメタルをマスク形成し、前記ゲ
ートメタルをゲート電極とする電界効果トランジスタ装
置において、少なくとも前記ゲート電極を、その厚さが
ゲート先端部で薄くなるように形成した電界効果トラン
ジスタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003755A JP2633048B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 電界効果トランジスタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003755A JP2633048B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 電界効果トランジスタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208371A JPH03208371A (ja) | 1991-09-11 |
| JP2633048B2 true JP2633048B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=11566003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003755A Expired - Lifetime JP2633048B2 (ja) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | 電界効果トランジスタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2633048B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183555A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP2003755A patent/JP2633048B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03208371A (ja) | 1991-09-11 |
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