JP2625883B2 - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物Info
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- JP2625883B2 JP2625883B2 JP63121371A JP12137188A JP2625883B2 JP 2625883 B2 JP2625883 B2 JP 2625883B2 JP 63121371 A JP63121371 A JP 63121371A JP 12137188 A JP12137188 A JP 12137188A JP 2625883 B2 JP2625883 B2 JP 2625883B2
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- novolak resin
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- positive resist
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- resist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、感度、耐熱性及び残膜率に優れた感放射線
性ポジ型レジスト組成物に関するものである。
性ポジ型レジスト組成物に関するものである。
＜従来の技術＞ ナフトキノンジアジド基やベンゾキノンジアジド基等
のキノンジアジド基を有する化合物を含む感放射線性レ
ジスト組成物は、300〜500nmの光照射によりキノンジア
ジド基が分解してカルボキシル基を生ずることにより、
アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶性になることを利
用してポジ型レジストとして用いられる。この場合、通
常ノボラック樹脂が組合わせて用いられる。ノボラック
樹脂は均一で丈夫なレジスト塗膜を得るのに重要であ
る。このポジ型レジストはネガ型レジストに比べ解像力
が著しく優れているという特長を有する。この高解像力
を生かしてプリント配線用銅引積層板、ICやLSIなどの
集積回路製作を行うときの写真食刻法のエッチング保護
膜として利用されている。
のキノンジアジド基を有する化合物を含む感放射線性レ
ジスト組成物は、300〜500nmの光照射によりキノンジア
ジド基が分解してカルボキシル基を生ずることにより、
アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶性になることを利
用してポジ型レジストとして用いられる。この場合、通
常ノボラック樹脂が組合わせて用いられる。ノボラック
樹脂は均一で丈夫なレジスト塗膜を得るのに重要であ
る。このポジ型レジストはネガ型レジストに比べ解像力
が著しく優れているという特長を有する。この高解像力
を生かしてプリント配線用銅引積層板、ICやLSIなどの
集積回路製作を行うときの写真食刻法のエッチング保護
膜として利用されている。
このうち集積回路については高集積化に伴う微細化が
進み、今やサブミクロンのパターン形成が要求されるに
到っている。従来、集積回路の形成には、マスク密着方
式が用いられてきたが、この方式では２μｍが限界とい
われており、これに代わり縮小投影露光方式が注目され
ている。この方式はマスターマスク（レクチル）のパタ
ーンをレンズ系により縮小投影して露光する方式であ
り、解像力はサブミクロンまで可能である。しかしなが
らこの縮小投影露光方式の場合の問題点の一つとしてス
ループットが低いという点がある。即ち、従来のマスク
密着方式のような一括露光方式と異なり、縮小投影露光
方式では分割くり返し露光であるため、ウェハー１枚当
りの露光トータル時間が長くなるという問題である。
進み、今やサブミクロンのパターン形成が要求されるに
到っている。従来、集積回路の形成には、マスク密着方
式が用いられてきたが、この方式では２μｍが限界とい
われており、これに代わり縮小投影露光方式が注目され
ている。この方式はマスターマスク（レクチル）のパタ
ーンをレンズ系により縮小投影して露光する方式であ
り、解像力はサブミクロンまで可能である。しかしなが
らこの縮小投影露光方式の場合の問題点の一つとしてス
ループットが低いという点がある。即ち、従来のマスク
密着方式のような一括露光方式と異なり、縮小投影露光
方式では分割くり返し露光であるため、ウェハー１枚当
りの露光トータル時間が長くなるという問題である。
これを解決する方法としては、装置の改良もさること
ながら、用いるレジストの高感度化が最も重要である。
高感度化により露光時間が短縮できればスループットの
向上が達成されうる。
ながら、用いるレジストの高感度化が最も重要である。
高感度化により露光時間が短縮できればスループットの
向上が達成されうる。
ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂からな
るポジ型レジスト材料において高感度化を達成する最も
簡単な方法として、ノボラック樹脂の分子量を下げると
いう方法がある。ノボラック樹脂の分子量が低いと、ア
ルカリ現象液に対する溶解速度が増し、見かけ上、レジ
ストの感度は上がる。しかしこの方法では、非露光部の
膜べりが大きくなったり（いわゆる残膜率の低下）パタ
ーン形状が悪化したり、露光部と非露光部の現像液に対
する溶解速度の差が小さくなることからくる、いわゆる
γ（ガンマ）値の低下即ち、解像度の低下という極めて
深刻な問題点が生じる。さらに、一般的にノボラック樹
脂の分子量が低いと耐熱性が悪くなる。
るポジ型レジスト材料において高感度化を達成する最も
簡単な方法として、ノボラック樹脂の分子量を下げると
いう方法がある。ノボラック樹脂の分子量が低いと、ア
ルカリ現象液に対する溶解速度が増し、見かけ上、レジ
ストの感度は上がる。しかしこの方法では、非露光部の
膜べりが大きくなったり（いわゆる残膜率の低下）パタ
ーン形状が悪化したり、露光部と非露光部の現像液に対
する溶解速度の差が小さくなることからくる、いわゆる
γ（ガンマ）値の低下即ち、解像度の低下という極めて
深刻な問題点が生じる。さらに、一般的にノボラック樹
脂の分子量が低いと耐熱性が悪くなる。
レジストの感度を向上させる他の方法として、現像時
間を長くしたり、あるいは解像液のアルカリ濃度を高く
するという方法がある。しかしながらこれらの方法にお
いても、レジストの現像液に対する溶解度が上がるため
見かけの感度は確かに向上するが、残膜率が低下し、ひ
いては解像度の低下につながり、好ましくない。即ち、
このように、一般に感度と耐熱性及び残膜率は相反する
傾向があり、一方を改良しようとすると他方が悪化する
といった不都合が生じるのである。
間を長くしたり、あるいは解像液のアルカリ濃度を高く
するという方法がある。しかしながらこれらの方法にお
いても、レジストの現像液に対する溶解度が上がるため
見かけの感度は確かに向上するが、残膜率が低下し、ひ
いては解像度の低下につながり、好ましくない。即ち、
このように、一般に感度と耐熱性及び残膜率は相反する
傾向があり、一方を改良しようとすると他方が悪化する
といった不都合が生じるのである。
＜発明が解決しようとする問題点＞ 本発明の目的は耐熱性及び残膜率を損なうことなく、
感度の優れたポジ型レジスト組成物を提供することであ
る。
感度の優れたポジ型レジスト組成物を提供することであ
る。
＜問題点を解決するための具体的手段＞ 本発明者らは鋭意検討の結果、下式の化合物（Ｉ）を
ポジ型レジスト組成物に共存させたところ、耐熱性及び
残膜率を損なうことなく著しく感度を向上させることが
できることを見い出し、本発明を完成するに到ったもの
である。
ポジ型レジスト組成物に共存させたところ、耐熱性及び
残膜率を損なうことなく著しく感度を向上させることが
できることを見い出し、本発明を完成するに到ったもの
である。
式中、R1、R2及びR3は水素、メチル又はエチルを表わ
し、ｍ及びｎは１〜３の整数を表わす。
し、ｍ及びｎは１〜３の整数を表わす。
即ち、本発明は、ノボラック樹脂、感放射線性成分と
してのキノンジアジド化合物及び化合物（Ｉ）を含有す
ることを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
してのキノンジアジド化合物及び化合物（Ｉ）を含有す
ることを特徴とするポジ型レジスト組成物である。
以下に本発明のポジ型レジスト組成物について更に詳
しく述べると、感放射線性成分としては、キノンジアジ
ド化合物が用いられる。このキノンジアジド化合物は、
公知の方法、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸ク
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとヒ
ドロキシル基を有する化合物を弱アルカリの存在下で縮
合することにより得られる。ここでヒドロキシル基を有
する化合物の例としては、ハイドロキノン、レゾルシ
ン、フロログリシン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′,4
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−テト
ラヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,4,4′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンなどのテトラヒドロキシベンゾ
フェノン類、2,3,3′,4,4′−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,3′,4,5′−ペンタヒドロキシベンゾフ
ェノンなどのペンタヒドロキシベンゾフェノン類、没食
子酸アルキルエステル等があげられる。
しく述べると、感放射線性成分としては、キノンジアジ
ド化合物が用いられる。このキノンジアジド化合物は、
公知の方法、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸ク
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとヒ
ドロキシル基を有する化合物を弱アルカリの存在下で縮
合することにより得られる。ここでヒドロキシル基を有
する化合物の例としては、ハイドロキノン、レゾルシ
ン、フロログリシン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3′,4
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−テト
ラヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,4,4′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノンなどのテトラヒドロキシベンゾ
フェノン類、2,3,3′,4,4′−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,3′,4,5′−ペンタヒドロキシベンゾフ
ェノンなどのペンタヒドロキシベンゾフェノン類、没食
子酸アルキルエステル等があげられる。
本発明に用いるノボラック樹脂はフェノール類とホル
マリン等のアルデヒド類を反応させて得られるものであ
る。
マリン等のアルデヒド類を反応させて得られるものであ
る。
本発明に用いるノボラック樹脂の原料として使用する
フェノール類の具体例としては、フェノール、クレゾー
ル、キシレノール、エチルフェノール、トリメチルフェ
ノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、ジヒ
ドロキシベンゼン、ナフトール類等を挙げることができ
る。これらフェノール類は、単独で、又は混合して使用
することができる。
フェノール類の具体例としては、フェノール、クレゾー
ル、キシレノール、エチルフェノール、トリメチルフェ
ノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、ジヒ
ドロキシベンゼン、ナフトール類等を挙げることができ
る。これらフェノール類は、単独で、又は混合して使用
することができる。
フェノール類として、クレゾール類を用いることは、
特に好ましい。この場合メタクレゾールのみでも良い
し、メタ・パラ混合クレゾールを使用しても良い。すな
わちクレゾールはメタクレゾール／パラクレゾール＝10
0/0〜30/70が望ましい。
特に好ましい。この場合メタクレゾールのみでも良い
し、メタ・パラ混合クレゾールを使用しても良い。すな
わちクレゾールはメタクレゾール／パラクレゾール＝10
0/0〜30/70が望ましい。
本発明においてフェノール類と付加縮合反応させるホ
ルムアルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液（ホル
マリン）やホルムアルデヒドのオリゴマーであるパラホ
ルムアルデヒドが用いられる。特に37％のホルマリンは
工業的に量産されており好都合である。
ルムアルデヒドとしてはホルムアルデヒド水溶液（ホル
マリン）やホルムアルデヒドのオリゴマーであるパラホ
ルムアルデヒドが用いられる。特に37％のホルマリンは
工業的に量産されており好都合である。
本発明においてフェノール類とホルムアルデヒドとの
付加縮合反応は常法に従って行われる。反応は通常60〜
120℃、２〜30時間で行われる。触媒としては有機酸或
いは無機酸や二価金属塩等が用いられる。具体例として
は蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マ
グネシウム等があげられる。
付加縮合反応は常法に従って行われる。反応は通常60〜
120℃、２〜30時間で行われる。触媒としては有機酸或
いは無機酸や二価金属塩等が用いられる。具体例として
は蓚酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、ｐ−トルエンスルホン
酸、トリクロル酢酸、リン酸、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マ
グネシウム等があげられる。
また反応はバルクで行っても適当な溶剤を用いてもよ
い。
い。
次にノボラック樹脂の分子量についてであるが、使用
するフェノール類の混合割合、触媒の種類、反応条件の
違いにより最適範囲が異なるが、おおむねゲルパーミエ
ーションクロマトグラフ法（以下GPCという）により求
めた重量平均分子量（Mw）が2000〜50000、より好まし
くは3000〜30000が適当である。
するフェノール類の混合割合、触媒の種類、反応条件の
違いにより最適範囲が異なるが、おおむねゲルパーミエ
ーションクロマトグラフ法（以下GPCという）により求
めた重量平均分子量（Mw）が2000〜50000、より好まし
くは3000〜30000が適当である。
なかでも、ノボラック樹脂として、そのGPCのパター
ン（UV（254nm）検出器使用）の面積比がポリスチレン
換算分子量で150乃至500未満（フェノール類未反応モノ
マーは含まない）の範囲（以下Ａ領域と称する）が８〜
35％であり、ポリスチレン換算分子量で500乃至5000の
範囲（以下Ｂ領域と称する）が０〜30％であり、ポリス
チレン換算分子量で5000を越える範囲（以下Ｃ領域と称
する）が35〜92％であり、かつＢ領域/A領域＝2.50以下
であることを特徴とする、ノボラック樹脂が好ましい効
果を発現する。
ン（UV（254nm）検出器使用）の面積比がポリスチレン
換算分子量で150乃至500未満（フェノール類未反応モノ
マーは含まない）の範囲（以下Ａ領域と称する）が８〜
35％であり、ポリスチレン換算分子量で500乃至5000の
範囲（以下Ｂ領域と称する）が０〜30％であり、ポリス
チレン換算分子量で5000を越える範囲（以下Ｃ領域と称
する）が35〜92％であり、かつＢ領域/A領域＝2.50以下
であることを特徴とする、ノボラック樹脂が好ましい効
果を発現する。
なお、本発明でいうノボラック樹脂の分子量とは、単
分散ポリスチレンを標準とするGPCで求めた値である。G
PCの測定は、東洋曹達（株）製のHLC−802A型クロマト
グラフ装置に東洋曹達（株）のＧ−4000H3、Ｇ−2000H3
カラムを各１本づつ直列に連結してキャリア溶媒とし
て、テトラヒドロフランを1ml/分の流速で流して行っ
た。クロマトグラフは254nmのUV検出器を使用した。分
子量は、単分散ポリスチレンを用いて得られる検量線か
ら求めた。すなわち、重量平均分子量がそれぞれ300,00
0、100,000、35,000、4,000、及び800の単分散ポリスチ
レン５本とスチレンモノマー（分子量104）を用いて、
３次回帰法により検量線を作製した。
分散ポリスチレンを標準とするGPCで求めた値である。G
PCの測定は、東洋曹達（株）製のHLC−802A型クロマト
グラフ装置に東洋曹達（株）のＧ−4000H3、Ｇ−2000H3
カラムを各１本づつ直列に連結してキャリア溶媒とし
て、テトラヒドロフランを1ml/分の流速で流して行っ
た。クロマトグラフは254nmのUV検出器を使用した。分
子量は、単分散ポリスチレンを用いて得られる検量線か
ら求めた。すなわち、重量平均分子量がそれぞれ300,00
0、100,000、35,000、4,000、及び800の単分散ポリスチ
レン５本とスチレンモノマー（分子量104）を用いて、
３次回帰法により検量線を作製した。
化合物（Ｉ）は、上述した一般式で表わされる構造を
有する化合物である。２つのベンゼン環はOH基以外の
基、例えばアルキル基で置換されていてもよい。化合物
（Ｉ）としては （化合物（II）とする。）が例示される。
有する化合物である。２つのベンゼン環はOH基以外の
基、例えばアルキル基で置換されていてもよい。化合物
（Ｉ）としては （化合物（II）とする。）が例示される。
化合物（Ｉ）の添加量については、ポジ型レジスト組
成物中の全固型分中に占める割合が５〜20重量％の範囲
にあるのが好ましい。
成物中の全固型分中に占める割合が５〜20重量％の範囲
にあるのが好ましい。
ポジ型レジスト液の調製は、前記キノンジアジド化合
物とノボラック樹脂及び化合物（Ｉ）等を溶剤に混合溶
解することによって行う。樹脂とキノンジアジド化合物
の割合は1:1〜6:1の範囲が好ましい。又用いる溶剤は、
適当な乾燥速度で溶剤が蒸発し、均一で平滑な塗膜を与
えるものがよい。このような溶剤としては、エチルセロ
ソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチ
ルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチル
イソブチルケトン、キシレン等があげられる。以上の方
法で得られたポジ型レジスト組成物は、さらに必要に応
じて付加物として少量の樹脂や染料等が添加されていて
もよい。
物とノボラック樹脂及び化合物（Ｉ）等を溶剤に混合溶
解することによって行う。樹脂とキノンジアジド化合物
の割合は1:1〜6:1の範囲が好ましい。又用いる溶剤は、
適当な乾燥速度で溶剤が蒸発し、均一で平滑な塗膜を与
えるものがよい。このような溶剤としては、エチルセロ
ソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチ
ルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、メチル
イソブチルケトン、キシレン等があげられる。以上の方
法で得られたポジ型レジスト組成物は、さらに必要に応
じて付加物として少量の樹脂や染料等が添加されていて
もよい。
＜発明の効果＞ 本発明のポジ型レジスト組成物は、感度、耐熱性及び
残膜率に優れたレジスト組成物である。
残膜率に優れたレジスト組成物である。
＜実施例＞ 次に実施例をあげて、本発明をさらに具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定される
ものではない。
るが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定される
ものではない。
実施例及び比較例 化合物（II）を用い、ノボラック樹脂とキノンジアジ
ド化合物とともに表１に示す組成で、エチルセルソルブ
アセテート48部に溶かし、レジスト液を調合した。これ
ら各組成物を0.2μｍのテフロン製フィルターで濾過
し、レジスト液を調製した。これを常法によって洗浄し
たシリコンウェハーに回転塗布機を用いて、1.3μ厚に
塗布した。ついでこのシリコンウェハーを100℃のホッ
トプレートで60秒間ベークした。ついでこのウェハーに
436nm（ｇ線）の露光波長を有する縮小投影露光機を用
いて、露光量を段階的に変化させて露光した。
ド化合物とともに表１に示す組成で、エチルセルソルブ
アセテート48部に溶かし、レジスト液を調合した。これ
ら各組成物を0.2μｍのテフロン製フィルターで濾過
し、レジスト液を調製した。これを常法によって洗浄し
たシリコンウェハーに回転塗布機を用いて、1.3μ厚に
塗布した。ついでこのシリコンウェハーを100℃のホッ
トプレートで60秒間ベークした。ついでこのウェハーに
436nm（ｇ線）の露光波長を有する縮小投影露光機を用
いて、露光量を段階的に変化させて露光した。
これを住友化学製現像液SOPDで１分間現像することに
より、ポジ型パターンを得た。露光量に対するレジスト
の残膜厚をプロットすることにより、レジスト感度を求
めた。また、未露光部の残膜厚から残膜率を求めた。レ
ジストの耐熱性は、レジストパターン形成後のウエハー
をダイレクトホットプレートで３分間所定温度で加熱
後、３μｍのラインアンドスペースパターンの熱変形の
有無をSEMで観察して求めた。
より、ポジ型パターンを得た。露光量に対するレジスト
の残膜厚をプロットすることにより、レジスト感度を求
めた。また、未露光部の残膜厚から残膜率を求めた。レ
ジストの耐熱性は、レジストパターン形成後のウエハー
をダイレクトホットプレートで３分間所定温度で加熱
後、３μｍのラインアンドスペースパターンの熱変形の
有無をSEMで観察して求めた。
１）部は重量部を表わす。
２）ノボラック樹脂A;メタクレゾール／パラクレゾール
＝7/3、ホルマリン／クレゾール＝0.8/1の仕込みモル比
でシユウ酸触媒で反応させることにより得られた重量平
均分子量9800（ポリスチレン換算）のノボラック樹脂 ノボラック樹脂B;ホルマリン／クレゾール＝0.8/1で
シユウ酸触媒で反応して得られたメタクレゾールノボラ
ック樹脂であり、そのGPCパターンの面積比が、分子量1
50乃至500未満（メタクレゾールモノマーは含まない）
の範囲が15.9％、分子量500乃至5000の範囲が24.0％、
分子量5000を越える範囲が60.1％である重量平均分子量
10020のノボラック樹脂（分子量はいずれもポリスチレ
ン換算） キノンジアジド化合物C;ナフトキノン−（1,2）−ジ
アジド−（２）−５−スルホン酸クロリドと2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフェノンの縮合反応物 キノンジアジド化合物D;ナフトキノン−（1,2）−ジ
アジド−（２）−５−スルホン酸クロリドと2,3,4,4′
−テトラヒドロキシベンゾフェノンの縮合反応物 ３）レジスト膜厚が０となる最小露光量（msec） ４）３μｍのラインアンドスペースパターンが熱変形を
始める温度（℃）
＝7/3、ホルマリン／クレゾール＝0.8/1の仕込みモル比
でシユウ酸触媒で反応させることにより得られた重量平
均分子量9800（ポリスチレン換算）のノボラック樹脂 ノボラック樹脂B;ホルマリン／クレゾール＝0.8/1で
シユウ酸触媒で反応して得られたメタクレゾールノボラ
ック樹脂であり、そのGPCパターンの面積比が、分子量1
50乃至500未満（メタクレゾールモノマーは含まない）
の範囲が15.9％、分子量500乃至5000の範囲が24.0％、
分子量5000を越える範囲が60.1％である重量平均分子量
10020のノボラック樹脂（分子量はいずれもポリスチレ
ン換算） キノンジアジド化合物C;ナフトキノン−（1,2）−ジ
アジド−（２）−５−スルホン酸クロリドと2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフェノンの縮合反応物 キノンジアジド化合物D;ナフトキノン−（1,2）−ジ
アジド−（２）−５−スルホン酸クロリドと2,3,4,4′
−テトラヒドロキシベンゾフェノンの縮合反応物 ３）レジスト膜厚が０となる最小露光量（msec） ４）３μｍのラインアンドスペースパターンが熱変形を
始める温度（℃）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 花元 幸夫 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−24241（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−228440（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−139375（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ノボラック樹脂、キノンジアジド化合物及
び下式 〔式中、R1、R2及びR3は水素、メチル又はエチルを表わ
し、ｍ及びｎは１〜３の整数を表わす〕 で表わされる化合物を含有することを特徴とするポジ型
レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121371A JP2625883B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | ポジ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63121371A JP2625883B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | ポジ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01289947A JPH01289947A (ja) | 1989-11-21 |
| JP2625883B2 true JP2625883B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=14809578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63121371A Expired - Fee Related JP2625883B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | ポジ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
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