JP2610456B2 - Pattern film correction method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、試料表面に形成されたパターン状の薄膜の
所定部分を集束イオンビーム走査させながら照射し且つ
ハロゲンガスまたはハロゲン化キセノンガス（以下、単
にハロゲンガスと言う）をその部分に局所的に吹きつけ
ることにより、能率よく、きれいにパターン状の薄膜の
所定部分を除去する方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention is directed to irradiating a predetermined portion of a patterned thin film formed on a sample surface while scanning a focused ion beam and scanning a halogen gas or a halogenated xenon gas (hereinafter, referred to as a xenon gas). (Hereinafter simply referred to as a halogen gas) is locally sprayed onto the portion to efficiently and cleanly remove a predetermined portion of the patterned thin film.
本発明は、試料表面に形成された金属又は金属酸化物
のパターン状の薄膜の所定部分に集束イオンビームを繰
り返し走査照射し且つハロゲンガスをその部分に局所的
に吹きつけ、パターン状の薄膜の所定部分を除去する方
法において、そのパターン膜除去中にパターン膜から発
生する金属元素の２次イオン強度を測定し、その強度変
化によりパターン除去を終了する方法である。The present invention is to repeatedly scan and irradiate a focused ion beam onto a predetermined portion of a metal or metal oxide patterned thin film formed on a sample surface and locally blow a halogen gas on the portion to form a patterned thin film. In the method of removing a predetermined portion, the secondary ion intensity of a metal element generated from the pattern film during the removal of the pattern film is measured, and the pattern removal is terminated by a change in the intensity.
従来、試料である基板表面に形成されたパターン膜を
部分的に除去しパターンを修正する方法及び装置は、特
開昭58−196020号公報に記載されているように、除去し
ようとする部分に細く絞った集束イオンビームを繰り返
し走査させ、スパッタリングにより、その部分を除去す
ることが知られていた。Conventionally, a method and an apparatus for partially removing a pattern film formed on the surface of a substrate as a sample and correcting a pattern are disclosed in JP-A-58-196020. It has been known to repeatedly scan a narrowly focused ion beam and remove that portion by sputtering.
一般にここで使うイオンビームは、ガリウム液体イオ
ン、インジウム液体イオン又は金−シリコン共晶合金イ
オン、又は金−シリコン−ベリリウム共晶合金イオン源
等からの金属イオンを使い、また試料は、基板上にパタ
ーン状の薄膜が形成されている半導体製造用のフォトマ
スクやレチクル（以下単にマスクと言う）等である。パ
ターン膜の修正は、所定部分のパターン材が除去され基
板であるガラスが表面にでてきたところで終了となる
が、このときパターン膜の金属の２次イオン強度変化
と、基板であるガラスの成分であるシリコンの２次イオ
ン強度の変化を見て終了（以下、エンドポイントと言
う）を判断していた。Generally, the ion beam used here uses gallium liquid ions, indium liquid ions, or metal ions from a gold-silicon-beryllium eutectic alloy ion source or the like, and the sample is placed on a substrate. A photomask or reticle (hereinafter, simply referred to as a mask) for manufacturing a semiconductor on which a patterned thin film is formed. The modification of the pattern film is terminated when a predetermined portion of the pattern material is removed and the glass substrate is exposed on the surface. At this time, the change in the secondary ionic strength of the metal of the pattern film and the component of the glass substrate are The end (hereinafter, referred to as an end point) was determined by observing the change in the secondary ion intensity of silicon.
しかし、従来方法による、第２図の様にガラス基板51
上にクロムのパターン膜52が形成されている試料の場
合、集束イオンビーム照射により発生するクロム及びシ
リコンの２次イオンの強度の時間的変化がパターン膜52
のエッジ部52aとパターン膜52の内部52bと第３図及び第
４図の様に異なる。つまり、内部52bではクロムイオン
強度は、クロムのパターン膜52表面部と、クロム膜とガ
ラス基板51の界面部の２ヵ所にピークが出、またシリコ
ンイオン強度はクロムイオンの第２のピークの上昇カー
ブと同時に立ち上がり、クロムイオンの第２のピーク時
点でサチレートした強度になる。クロムイオンのこの様
な変化は、表面および界面ではクロムが酸化しているた
め酸素効果によりイオン化率が高くなるのである。However, according to the conventional method, as shown in FIG.
In the case of the sample on which the chromium pattern film 52 is formed, the temporal change in the intensity of the secondary ions of chromium and silicon generated by the irradiation of the focused ion beam occurs.
The edge portion 52a of the pattern film 52 and the inner portion 52b of the pattern film 52 are different from each other as shown in FIGS. That is, in the interior 52b, the chromium ion intensity has two peaks at the surface of the chromium pattern film 52 and at the interface between the chromium film and the glass substrate 51, and the silicon ion intensity rises at the second peak of the chromium ion. It rises at the same time as the curve, and has a saturated intensity at the second peak of chromium ions. Such a change of chromium ions causes the ionization rate to increase due to the oxygen effect because chromium is oxidized on the surface and at the interface.
しかし、エッジ部52aでは、クロムイオン強度はピー
クはひとつでピークの幅が広く、またシリコンイオン強
度は始めからある程度の強度があり、クロムイオン強度
の低下と同時に検出強度が上昇する。初期のシリコンイ
オン強度は、エッジであるため、その縁にあるガラス基
板51より発生するものである。以上の様であるためシリ
コンイオンとクロムイオンの２種のイオンを検出し、ク
ロムイオン強度が下がり、且つシリコンイオン強度が上
昇する時をエンドポイントとしなければならなかった。
つまり２種類のイオンを検出しなければならなかった。However, in the edge portion 52a, the chromium ion intensity has one peak and the width of the peak is wide, and the silicon ion intensity has some intensity from the beginning, and the detection intensity increases at the same time as the chromium ion intensity decreases. Since the initial silicon ion intensity is an edge, it is generated from the glass substrate 51 at the edge. As described above, two types of ions, silicon ions and chromium ions, must be detected, and the time when the chromium ion intensity decreases and the silicon ion intensity increases must be set as the end point.
That is, two types of ions had to be detected.
本発明は上記欠点を解決するため、試料表面に形成さ
れているパターン膜の所定部分に集束イオンビームを走
査しながら繰り返し照射し、かつ同時にその照射位置に
ハロゲンガスを局所的に吹きつけ、パターン膜を形成し
ている金属元素の２次イオン強度または、総２次イオン
強度の変化に基づきパターン膜修正終了とするもので、
１種類のイオンマスアナライザまたは簡単な総イオン検
出器でエンドポイントを判断できるようになる。In order to solve the above-mentioned drawbacks, the present invention repeatedly irradiates a predetermined portion of a pattern film formed on a sample surface with a focused ion beam while scanning the same, and simultaneously blows a halogen gas locally to the irradiation position, thereby forming a pattern. The correction of the pattern film is terminated based on the change of the secondary ion intensity of the metal element forming the film or the total secondary ion intensity.
The end point can be determined by one type of ion mass analyzer or a simple total ion detector.
試料表面に形成されているパターン膜の所定部分に金
属イオンよりなる集束イオンビームを走査しながら繰り
返し照射しすることにより、パターン膜のイオンビーム
照射部分はスパッタエッチングにより除去される。更
に、イオンビーム照射により試料より発生する２次粒子
は電気陰性度の高いハロゲンガスを同時にその照射位置
に局所的に吹きつけることにより、イオン化しイオン強
度は増大する。つまり、イオン強度はクロム等金属元素
の存在の状態（酸化等の状態）により殆ど変化せず、そ
の元素の存在量によりほぼリニアーに変化する。つま
り、パターン膜を構成する元素の２次イオンのみの強度
を測定することにより、パターン膜が除去されたか判断
できるようになる。また、元素そのものでイオン化率、
スパッタレートが異なるため総イオン強度（量）を測定
することでもエンドポイントを得ることができる。By repeatedly irradiating a predetermined portion of the pattern film formed on the sample surface with a focused ion beam made of metal ions while scanning, the ion beam irradiated portion of the pattern film is removed by sputter etching. Further, secondary particles generated from the sample by ion beam irradiation are ionized by simultaneously spraying a halogen gas having a high electronegativity locally onto the irradiation position, thereby increasing ion intensity. In other words, the ionic strength hardly changes due to the state of the metal element such as chromium (state of oxidation or the like), and changes almost linearly according to the amount of the metal element. That is, it is possible to determine whether the pattern film has been removed by measuring the intensity of only the secondary ions of the elements constituting the pattern film. Also, the ionization rate of the element itself,
Since the sputtering rates are different, the endpoint can also be obtained by measuring the total ion intensity (amount).
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は本発明に係わるパターン膜修正装置の全体を示す
断面図である。チャンバー21上部にあるイオン源１から
引き出し電極（図示せず）より引き出されたイオンビー
ムは集束レンズ２及び対物レンズ３のイオンレンズ系に
よりサブミクロン径の集束イオンビーム４となって試料
５の表面上を照射する。また、イオンビーム照射経路
に、集束イオンビーム４を試料表面上に走査しながら照
射させるために、走査電極６が設置されている。走査電
極６は集束イオンビームの走査を制御するための走査制
御回路７により制御されている。試料５は試料５を保持
し、且つXY平面上を移動させるためのXYステージ８に載
置されている。なお、XYステージ８はＺ方向にも移動可
能な構成とすることも可能である。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing the entire pattern film repair apparatus according to the present invention. An ion beam extracted from an extraction electrode (not shown) from the ion source 1 located above the chamber 21 becomes a focused ion beam 4 having a submicron diameter by the ion lens system of the focusing lens 2 and the objective lens 3, and the surface of the sample 5. Illuminate the top. In addition, a scanning electrode 6 is provided on the ion beam irradiation path to irradiate the focused ion beam 4 while scanning the surface of the sample while scanning. The scanning electrode 6 is controlled by a scanning control circuit 7 for controlling the scanning of the focused ion beam. The sample 5 is mounted on an XY stage 8 for holding the sample 5 and moving it on the XY plane. Note that the XY stage 8 can also be configured to be movable in the Z direction.
試料上の集束イオンビーム４の照射位置にハロゲンガ
スを吹きつけるためのハロゲンガス吹きつけ装置11はチ
ャンバー21に備えられている。ハロゲンガス吹き付け装
置11には、ガス供給源12からのハロゲンガスを試料表面
の局所に吹きつけるノズル13と、ハロゲンガス吹きつけ
をON−OFFするバルブ14が備えられており、また、ハロ
ゲンガス吹きつけ装置11には、ノズル13を試料５上の吹
きつけ位置に近づけたけ、遠ざけたりするためのエアシ
リンダ15が備えられている。バルブ14とエアシリンダ15
はハロゲンガス制御回路16により制御される。A halogen gas blowing device 11 for blowing a halogen gas to the irradiation position of the focused ion beam 4 on the sample is provided in the chamber 21. The halogen gas spraying device 11 is provided with a nozzle 13 for spraying a halogen gas from a gas supply source 12 locally on the sample surface, and a valve 14 for turning on and off the halogen gas spray. The attachment device 11 is provided with an air cylinder 15 for moving the nozzle 13 closer to or away from the spray position on the sample 5. Valve 14 and air cylinder 15
Is controlled by the halogen gas control circuit 16.
走査しながら試料５の表面を照射している集束イオン
ビーム４により試料５表面から生じた２次イオン22は試
料５表面に向けられた２次イオン検出器23により検出さ
れる。Secondary ions 22 generated from the surface of the sample 5 by the focused ion beam 4 irradiating the surface of the sample 5 while scanning are detected by a secondary ion detector 23 directed to the surface of the sample 5.
更に、２次イオン検出器23からの信号は、演算回路24
に取り入れられ且つ走査回路７の信号をも取り入れ、２
次イオン検出器23からの信号強度を走査回路７の信号と
同期させることにより画像表示装置25にパターン形状が
画像表示される。Further, the signal from the secondary ion detector 23 is output to the arithmetic circuit 24
And the signal of the scanning circuit 7 is also taken in.
By synchronizing the signal intensity from the secondary ion detector 23 with the signal of the scanning circuit 7, the image shape of the pattern shape is displayed on the image display device 25.
集束イオンビームの照射経路に、集束イオンビーム４
が試料５表面に照射しないように、ビームを大きく曲げ
るためのブランキング電極25が配置され、それはブラン
キング回路26により電気的駆動がされる。走査範囲設定
部27は試料５表面の所定部分のみを集束イオンビーム４
で照射するために集束イオンビーム走査範囲を設定する
もので、走査範囲設定部27で設定された走査範囲は、ブ
ランキング回路26、走査制御回路７を制御して達成され
る。In the irradiation path of the focused ion beam, a focused ion beam 4
A blanking electrode 25 for largely bending the beam is arranged so that the beam does not irradiate the surface of the sample 5, and is electrically driven by a blanking circuit 26. The scanning range setting unit 27 focuses only a predetermined portion of the surface of the sample 5 on the focused ion beam 4.
The scanning range set by the scanning range setting unit 27 is achieved by controlling the blanking circuit 26 and the scanning control circuit 7.
次に、パターン膜修正の行程を説明する。内部が真空
ポンプ20により真空に維持されているチャンバー21内に
パターン膜の修正をするガラス基板にクロム膜のパター
ンが形成されている試料５を挿入する。予め修正箇所の
位置が判っている試料５の修正する箇所が集束イオンビ
ーム４の走査範囲の略中心にくるようにXYスデージ８を
駆動させる。なお、修正箇所の位置に番地を設定し、こ
の番地をXYスデージ８を駆動させるXYスデージ駆動装置
（図示せず）に入力することにより自動的に試料５の修
正する箇所が集束イオンビーム４の走査範囲の略中心に
くるようにXYスデージ８は駆動される。Next, the process of correcting the pattern film will be described. A sample 5 having a chromium film pattern formed on a glass substrate whose pattern film is to be corrected is inserted into a chamber 21 whose inside is maintained in a vacuum by a vacuum pump 20. The XY stage 8 is driven such that the position of the sample 5 whose correction position is known in advance is approximately at the center of the scanning range of the focused ion beam 4. An address is set at the position of the correction portion, and this address is input to an XY storage driving device (not shown) for driving the XY storage 8, whereby the correction portion of the sample 5 is automatically adjusted to the position of the focused ion beam 4. The XY stage 8 is driven to be substantially at the center of the scanning range.
ここで、集束イオンビーム４を試料５表面に走査さ
せ、それにより発生した２次イオン22を２次イオン検出
器でマス分離して検出し、試料５表面に形成されている
パターン膜のパターン形状を画像表示装置25に表示す
る。修正箇所の位置が画像表示装置25の表示に対して端
であったり、外れている場合は再びXYスデージ８は駆動
させ、修正箇所の位置が集束イオンビーム４の走査範囲
の略中心にくるようする。なお、試料５表面に形成され
ているパターン膜のパターン形状を画像表示装置25に表
示するための、集束イオンビーム４の試料５表面での走
査は１回から数回で止め、パターンの表示は表示装置の
記憶装置（図示せず）に記憶させて常時または随時でき
るようになっている。Here, the focused ion beam 4 is scanned over the surface of the sample 5, and the secondary ions 22 generated thereby are detected by mass separation with a secondary ion detector, and the pattern shape of the pattern film formed on the surface of the sample 5 is detected. Is displayed on the image display device 25. When the position of the correction portion is at the end or off the display of the image display device 25, the XY storage 8 is driven again so that the position of the correction portion is substantially at the center of the scanning range of the focused ion beam 4. I do. The scanning of the focused ion beam 4 on the surface of the sample 5 is stopped once to several times in order to display the pattern shape of the pattern film formed on the surface of the sample 5 on the image display device 25. The information is stored in a storage device (not shown) of the display device, and can be always or whenever necessary.
画像表示装置25の表示の略中央に修正箇所のパターン
形状が表示されたら、走査範囲設定部27にパターンの修
正範囲を入力し、走査範囲設定部27はブランキング回路
26につづくブランキング電極25と走査回路７につづく走
査電極６に信号を出力し、集束イオンビーム４を試料５
表面のパターンの修正範囲のみを繰り返し走査させる。When the pattern shape of the correction portion is displayed substantially at the center of the display of the image display device 25, the correction range of the pattern is input to the scanning range setting unit 27, and the scanning range setting unit 27
A signal is output to a blanking electrode 25 following the scanning electrode 26 and a scanning electrode 6 following the scanning circuit 7, and the focused ion beam 4 is supplied to the sample 5.
Only the correction range of the surface pattern is repeatedly scanned.
また、同時にハロゲンガス制御回路16からの信号によ
りバルブ14が開けられエアシリンダ15によりノズル13は
試料面に近づけられ、ハロゲンガス吹きつけ装置11から
ハロゲンガス50が試料５のパターンの修正部分に局所的
に吹きつけられる。ハロゲンガス50はパターン膜の材質
と試料の基板材質によりことなるが、塩素ガス、沃素ガ
ス、または弗化キセノン等のガスである。At the same time, the valve 14 is opened by a signal from the halogen gas control circuit 16, the nozzle 13 is brought close to the sample surface by the air cylinder 15, and the halogen gas blowing device 11 supplies the halogen gas 50 locally to the corrected portion of the pattern of the sample 5. Is blown away. The halogen gas 50 is a gas such as chlorine gas, iodine gas, or xenon fluoride depending on the material of the pattern film and the material of the substrate of the sample.
集束イオンビーム４の照射により発生する２次イオン
はその照射部分の元素含有量により一意的にその濃度に
より決まるため、パターン膜を構成する元素であるクロ
ムの２次イオン強度を測定することにより、その膜が除
去されたかどうか判定できる。クロムの２次イオン強度
変化を示した第５図の様に、パターン膜52のエッジ部52
aからのクロムの２次イオン強度変化と内部52bからのも
のと略同じ傾向であり、パターン膜52のあいだ、殆ど変
化しない。これは、ハロゲンガスの存在により２次イオ
ン収率が増大したことによる。例えば塩素ガスの存在に
よりクロムイオン強度（量）は、試料表面がクロム・酸
化クロムにかかわらず、塩素ガスの塩素ガスの存在しな
いときの酸化クロム表面からのクロムイオン強度（量）
の約２倍になる。パターン膜52と基板51の界面にてクロ
ムの２次イオン強度は急激に減少する。つまり、クロム
の２次イオンが検出されなくなったらパターン膜の修正
を終了することにより、クロム膜がきれいになくなり、
且つ基板ガラスの表面が殆ど荒らされずにパターン膜52
の除去ができる。Since the secondary ions generated by the irradiation of the focused ion beam 4 are uniquely determined by the element content of the irradiated part, the secondary ion intensity of chromium, which is an element constituting the pattern film, is measured. It can be determined whether the film has been removed. As shown in FIG. 5 showing the change of the secondary ion intensity of chromium, the edge 52 of the pattern film 52
The change in the secondary ion intensity of chromium from a has the same tendency as that from the inside 52b, and there is almost no change between the pattern films 52. This is because the secondary ion yield increased due to the presence of the halogen gas. For example, the chromium ion intensity (amount) due to the presence of chlorine gas, regardless of whether the sample surface is chromium or chromium oxide, is the chromium ion intensity (amount) from the chromium oxide surface when no chlorine gas is present.
About twice as large as At the interface between the pattern film 52 and the substrate 51, the secondary ion intensity of chromium rapidly decreases. In other words, when the secondary ions of chromium are no longer detected, the correction of the pattern film is terminated, so that the chromium film is not clean.
In addition, the pattern film 52 is hardly roughened on the surface of the substrate glass.
Can be removed.
他の実施例として、パターン膜上での総２次イオン強
度とガラス基板上での総２次イオン強度を予め求めてお
き、パターン膜の修正中に検出される二次イオン強度が
ガラス基板上での総２次イオン強度になったときにエン
ドポイントとする。In another embodiment, the total secondary ion intensity on the pattern film and the total secondary ion intensity on the glass substrate are obtained in advance, and the secondary ion intensity detected during correction of the pattern film is determined on the glass substrate. The endpoint is determined when the total secondary ionic strength reaches.
以上、ガラス基板上に形成されたクロムパターン膜で
あるマスクについて述べたが、クロムと酸化クロムの複
層のマスク、更には、シリコン基板上に形成された金属
パターンである集積回路でも同様におこなえる。In the above, the mask which is a chromium pattern film formed on a glass substrate has been described. However, the same can be applied to an integrated circuit which is a metal pattern formed on a silicon substrate, as well as a multi-layer mask of chromium and chromium oxide. .
パターン膜の所定箇所を集束イオンビームを繰り返し
照射し、且つエッチングガスをその部分に局所的に吹き
つける、パターン膜がエッチング除去され、化学的に除
去されたパターン膜材は気化されるため、周辺に除去物
が再付着しなく綺麗に除去される。また、２次イオン強
度が効率良く検出できるようになった為、パターン膜を
構成する元素のみの２次イオンの測定または、総２次イ
オン強度の測定のみで正確にエンドポイントをしること
ができた。つまり、パターン膜修正装置の構成が簡単に
なり、安価になった。A focused ion beam is repeatedly irradiated to a predetermined portion of the pattern film, and an etching gas is locally blown to the portion. The pattern film is etched away, and the chemically removed pattern film material is vaporized. Removed material is removed without reattaching. In addition, since the secondary ion intensity can be efficiently detected, the endpoint can be accurately determined only by measuring the secondary ions of only the elements constituting the pattern film or by measuring the total secondary ion intensity. did it. That is, the configuration of the pattern film repair apparatus has been simplified and the cost has been reduced.
第１図はパターン膜修正装置全体を示す断面図、第２図
は試料の表面パターンを示す平面図、第３図はパターン
内部でのパターン材質検出強度変化を示す図、第４図は
パターンエッジ部でのパターン材質検出強度変化を示す
図、第５図はハロゲンガスを吹きつけた時のパターン材
質検出強度変化を示す図である。 １……イオン源、２……集束レンズ ３……対物レンズ、４……集束イオンビーム ５……試料、11……ハロゲンガス吹きつけ装置 13……ノズルFIG. 1 is a cross-sectional view showing the entire pattern film correcting apparatus, FIG. 2 is a plan view showing a surface pattern of a sample, FIG. 3 is a view showing a change in pattern material detection intensity inside the pattern, and FIG. FIG. 5 is a diagram showing a change in pattern material detection intensity at a portion, and FIG. 5 is a diagram showing a change in pattern material detection intensity when a halogen gas is blown. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ion source, 2 ... Focusing lens 3 ... Objective lens 4, ... Focused ion beam 5 ... Sample, 11 ... Halogen gas spray device 13 ... Nozzle
Claims (7)
いるパターン膜の所望範囲に集束イオンビームを繰り返
し走査させながら照射し、 ハロゲンガス又はハロゲン化キセノンガスを前記所望範
囲に局所的に吹きつけ前記所望範囲のパターン膜を除去
することによりパターン膜を修正するパターン膜修正方
法に於いて、 前記所望範囲から発生する前記パターン膜を構成する成
分の２次イオン強度の変化に基づきパターン膜除去を終
了することを特徴とするパターン膜修正方法。1. A method for irradiating a focused ion beam on a desired area of a pattern film formed on the surface of a substrate in a vacuum vessel while repeatedly scanning the same, and locally applying a halogen gas or a xenon halide gas to the desired area. In a pattern film correcting method for correcting a pattern film by spraying to remove the pattern film in the desired range, the pattern film is formed based on a change in secondary ion intensity of a component constituting the pattern film generated from the desired range. A method for correcting a pattern film, which comprises ending the removal.
２次イオン強度変化に基づきパターン膜除去を終了する
請求項１記載のパターン膜修正方法。2. The method according to claim 1, wherein the pattern film is a chromium film, and the pattern film removal is terminated based on a change in the secondary ion intensity of chromium.
ムの２次イオン強度変化に基づきパターン膜除去を終了
する請求項１記載のパターン膜修正方法。3. The method according to claim 1, wherein the pattern film is chromium oxide, and the pattern film removal is terminated based on a change in secondary ion intensity of chromium.
の２層よりなり、クロムの２次イオン強度変化に基づき
パターン膜除去を終了する請求項１記載のパターン膜修
正方法。4. The method according to claim 1, wherein the pattern comprises two layers of a chromium film and a chromium oxide film, and the pattern film removal is terminated based on a change in the secondary ion intensity of chromium.
記載のパターン膜修正方法。5. The substrate according to claim 1, wherein said substrate is an integrated circuit substrate.
The pattern film correction method according to the above.
１記載のパターン膜修正方法。6. The method according to claim 1, wherein said halogen gas is chlorine gas.
スである請求項１記載のパターン膜修正方法。7. The method according to claim 1, wherein the xenon halide gas is a xenon fluoride gas.
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-
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