JP2599497B2 - 平板型プラスチック光導波路 - Google Patents
平板型プラスチック光導波路Info
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- JP2599497B2 JP2599497B2 JP2257865A JP25786590A JP2599497B2 JP 2599497 B2 JP2599497 B2 JP 2599497B2 JP 2257865 A JP2257865 A JP 2257865A JP 25786590 A JP25786590 A JP 25786590A JP 2599497 B2 JP2599497 B2 JP 2599497B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プラスチック光導波路に関し、特に光通信
あるいは画像伝送用の光コネクタあるいは分波器等の光
学部品に使用可能な平板型プラスチック光導波路に関す
るものである。
あるいは画像伝送用の光コネクタあるいは分波器等の光
学部品に使用可能な平板型プラスチック光導波路に関す
るものである。
［従来の技術］ 光学部品あるいは光ファイバの基材としては、光伝送
損失が小さくかつ伝送帯域が広いことから、一般に石英
ガラスおよび多成分ガラス等の無機系の物質が使用され
ている。
損失が小さくかつ伝送帯域が広いことから、一般に石英
ガラスおよび多成分ガラス等の無機系の物質が使用され
ている。
一方、プラスチックを基材とする光学部品も開発され
ている。これらに用いられるプラスチック光学材料は、
無機系の光学材料に比べて加工性が良く、取扱い易いの
で、これを用いると比較的特性のよい光導波路を容易に
作製できるのではないかという期待から注目されてい
る。平板型プラスチック光導波路の製作方法として従来
から知られている代表的な方法は、選択光重合法および
感光性樹脂を利用する方法の２つである。
ている。これらに用いられるプラスチック光学材料は、
無機系の光学材料に比べて加工性が良く、取扱い易いの
で、これを用いると比較的特性のよい光導波路を容易に
作製できるのではないかという期待から注目されてい
る。平板型プラスチック光導波路の製作方法として従来
から知られている代表的な方法は、選択光重合法および
感光性樹脂を利用する方法の２つである。
選択光重合法はポリマに含ませたモノマを選択的に重
合させ、重合部の屈折率を変化させることによりパター
ン状の光導波路を作製するものである。まず、第４図
（Ａ）に示すように、ポリカーボネートなどの透明性ポ
リマにアクリル酸メチル等の低屈折率モノマを含有させ
た低屈折率モノマ含有ポリマシートまたは基体11の表面
に所定のパターンを有するマスク12を載せ、紫外線13を
照射することにより、マスク12のパターンにしたがって
低屈折率モノマを選択的に重合させる。ポリマシートの
うち、重合した部分の屈折率は高屈折率ポリマ母材の屈
折率より低くなる。次に第４図（Ｂ）に示すように、ポ
リマシートを真空中で加熱し、紫外線で露光されなかっ
た部分の未反応のモノマ14を除去する。その結果未露光
部分は高屈折率のポリマのみとなる。このようにしてコ
ア15となる高屈折率部が所定のパターンで形成されたパ
ターン化シート16を得る。そして、最後に第４図（Ｃ）
に示すように、パターン化シート16を低屈折率のポリマ
からなるクラッド17ではさんで部品化する。
合させ、重合部の屈折率を変化させることによりパター
ン状の光導波路を作製するものである。まず、第４図
（Ａ）に示すように、ポリカーボネートなどの透明性ポ
リマにアクリル酸メチル等の低屈折率モノマを含有させ
た低屈折率モノマ含有ポリマシートまたは基体11の表面
に所定のパターンを有するマスク12を載せ、紫外線13を
照射することにより、マスク12のパターンにしたがって
低屈折率モノマを選択的に重合させる。ポリマシートの
うち、重合した部分の屈折率は高屈折率ポリマ母材の屈
折率より低くなる。次に第４図（Ｂ）に示すように、ポ
リマシートを真空中で加熱し、紫外線で露光されなかっ
た部分の未反応のモノマ14を除去する。その結果未露光
部分は高屈折率のポリマのみとなる。このようにしてコ
ア15となる高屈折率部が所定のパターンで形成されたパ
ターン化シート16を得る。そして、最後に第４図（Ｃ）
に示すように、パターン化シート16を低屈折率のポリマ
からなるクラッド17ではさんで部品化する。
一方、感光性樹脂を利用する作製方法は感光性樹脂を
パターン状に露光し、選択的に架橋をおこさせ、現像に
より未露光部分を除去し、コアパターンを得るものであ
る。まず、第５図（Ａ）に示すように、下部クラッドと
なるポリマ22をディップあるいはスピンコーティングに
より基板21上に塗布する。ついで、第５図（Ｂ）に示す
ようにクラッド22の上に感光性の架橋剤を含むウレタン
樹脂のようなポリマ23を同様に塗布する。次に、マスク
24を用い、塗布されたポリマ23にパターン状に紫外線25
を照射することにより選択的に架橋させる。次に基板を
溶媒に浸せきすることにより未露光部を除去し、第５図
（Ｃ）に示すように、コア26のパターンを得る。最後に
第５図（Ｄ）に示すように、クラッド材をディップある
いはスピンコートまたはラミネートすることにより上部
クラッド27を形成し部品化する。
パターン状に露光し、選択的に架橋をおこさせ、現像に
より未露光部分を除去し、コアパターンを得るものであ
る。まず、第５図（Ａ）に示すように、下部クラッドと
なるポリマ22をディップあるいはスピンコーティングに
より基板21上に塗布する。ついで、第５図（Ｂ）に示す
ようにクラッド22の上に感光性の架橋剤を含むウレタン
樹脂のようなポリマ23を同様に塗布する。次に、マスク
24を用い、塗布されたポリマ23にパターン状に紫外線25
を照射することにより選択的に架橋させる。次に基板を
溶媒に浸せきすることにより未露光部を除去し、第５図
（Ｃ）に示すように、コア26のパターンを得る。最後に
第５図（Ｄ）に示すように、クラッド材をディップある
いはスピンコートまたはラミネートすることにより上部
クラッド27を形成し部品化する。
光損失が少ない実用的光部品を得るためには、光導波
路の作製において、光導波膜が良質であり、微細加工に
よって形成されるパターンの信頼性が高いことが必要で
ある。すなわち、材料としては、材料自身の光損失が少
ないものであり、膜厚および屈折率の制御が高精度にで
きるものが好ましい。一方、微細加工においてはコア側
壁の平滑性，寸法安定性，再現性が高いことなどが重要
である。
路の作製において、光導波膜が良質であり、微細加工に
よって形成されるパターンの信頼性が高いことが必要で
ある。すなわち、材料としては、材料自身の光損失が少
ないものであり、膜厚および屈折率の制御が高精度にで
きるものが好ましい。一方、微細加工においてはコア側
壁の平滑性，寸法安定性，再現性が高いことなどが重要
である。
［発明が解決しようとする課題］ プラスチック材料を用いた場合、選択光重合法および
感光性樹脂を利用する方法の両者とも低波長（0.48〜1.
1μｍ）では比較的低損失であるが、プラスチックを構
成する炭素−水素結合の赤外振動吸収の高調波があるた
めに、現在光通信で使われている近赤外域（1.3〜1.55
μｍ）では光損失が0.5〜10dB/cmと高く、実用的でな
い。また架橋剤などの添加も光損失を高くする要因とな
っている。
感光性樹脂を利用する方法の両者とも低波長（0.48〜1.
1μｍ）では比較的低損失であるが、プラスチックを構
成する炭素−水素結合の赤外振動吸収の高調波があるた
めに、現在光通信で使われている近赤外域（1.3〜1.55
μｍ）では光損失が0.5〜10dB/cmと高く、実用的でな
い。また架橋剤などの添加も光損失を高くする要因とな
っている。
また、微細加工に関しては、両方法ともガラス導波路
の製造に比べると簡便で手軽に製造することができる。
しかし、選択光重合法では溶媒の揮発条件によってモノ
マ含有量が変化し屈折率変化が微妙に変動する等の問題
がある。一方、感光性樹脂を利用する方法では、現像時
の膨潤により解像性が悪く、また表面に凹凸ができやす
いという問題がある。これらのことも従来のプラスチッ
ク光導波路の光損失が高い原因となっている。
の製造に比べると簡便で手軽に製造することができる。
しかし、選択光重合法では溶媒の揮発条件によってモノ
マ含有量が変化し屈折率変化が微妙に変動する等の問題
がある。一方、感光性樹脂を利用する方法では、現像時
の膨潤により解像性が悪く、また表面に凹凸ができやす
いという問題がある。これらのことも従来のプラスチッ
ク光導波路の光損失が高い原因となっている。
本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであ
り、その目的は可視光〜近赤外光域にわたり低損失であ
る平板型プラスチック光導波路を提供することにある。
り、その目的は可視光〜近赤外光域にわたり低損失であ
る平板型プラスチック光導波路を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ かかる目的を達成するために、本発明による平板型プ
ラスチック光導波路は、重水素またはハロゲン原子を含
むポリマからなるコア部と、該コア部を囲み、コア部よ
り低い屈折率を有するポリマからなるクラッド部とを有
する平板型プラスチック光導波路において、前記コア部
が下記一般式（Ｉ）で表される化学構造を繰り返し単位
として有する重水素化またはハロゲン化ポリアクリレー
トであることを特徴とする。
ラスチック光導波路は、重水素またはハロゲン原子を含
むポリマからなるコア部と、該コア部を囲み、コア部よ
り低い屈折率を有するポリマからなるクラッド部とを有
する平板型プラスチック光導波路において、前記コア部
が下記一般式（Ｉ）で表される化学構造を繰り返し単位
として有する重水素化またはハロゲン化ポリアクリレー
トであることを特徴とする。
さらに、本発明は基板と、該基板上に順次形成され、
それぞれポリマからなる下層クラッド部，コア部，およ
び下層クラッド部と共にコア部を囲む上層クラッド部と
を有し、前記コアは重水素化またはハロゲン化ポリアク
リレートの重合体または共重合体，重水素化またはハロ
ゲン化シロキサンの重合体または共重合体および重水素
化またはハロゲン化スチレンの重合体または共重合体の
一種からなることを特徴とする。
それぞれポリマからなる下層クラッド部，コア部，およ
び下層クラッド部と共にコア部を囲む上層クラッド部と
を有し、前記コアは重水素化またはハロゲン化ポリアク
リレートの重合体または共重合体，重水素化またはハロ
ゲン化シロキサンの重合体または共重合体および重水素
化またはハロゲン化スチレンの重合体または共重合体の
一種からなることを特徴とする。
［作 用］ 本発明による平板型プラスチック光導波路は、コア部
のポリマに重水素またはハロゲン原子を含んでいる。そ
のために、本発明による平板型プラスチック光導波路
は、従来の光導波路に比べ、可視〜近赤外光域において
極めて優れた光伝送特性を有する。コアとクラッドの屈
折率差をハロゲン原子含有率によって制御することも可
能である。
のポリマに重水素またはハロゲン原子を含んでいる。そ
のために、本発明による平板型プラスチック光導波路
は、従来の光導波路に比べ、可視〜近赤外光域において
極めて優れた光伝送特性を有する。コアとクラッドの屈
折率差をハロゲン原子含有率によって制御することも可
能である。
［実施例］ プラスチックの光伝送損失の最も大きな要因はプラス
チックを光する炭素−水素結合の赤外振動吸収の高調波
である。本発明によるプラスチック光導波路はこの炭素
−水素結合に起因する高調波を小さくし、また長波長側
へシフトさせるために、プラスチック構造中の水素を弗
素等のハロゲン原子や重水素に置換したものである。こ
れにより材料自体を低損失化でき、光導波路の高性能化
を図ることができる。
チックを光する炭素−水素結合の赤外振動吸収の高調波
である。本発明によるプラスチック光導波路はこの炭素
−水素結合に起因する高調波を小さくし、また長波長側
へシフトさせるために、プラスチック構造中の水素を弗
素等のハロゲン原子や重水素に置換したものである。こ
れにより材料自体を低損失化でき、光導波路の高性能化
を図ることができる。
このような光導波路は、基板上に形成されたプラスチ
ック膜上にリソグラフィによりレジストのパターンを形
成し、これをマスクとして酸素あるいは弗素系ガスを用
いたドライエッチングすることにより得ることができ
る。すなわち、加工するポリマの上にレジストを塗布
し、紫外線，電子線,X線等をパターン状に照射する。次
に、溶媒に浸せきすることにより現像し、パターンを得
る。このパターンをマスクにして下層のポリマに弗素系
あるいは酸素ガスの反応性ドライエッチングでパターン
を転写する。
ック膜上にリソグラフィによりレジストのパターンを形
成し、これをマスクとして酸素あるいは弗素系ガスを用
いたドライエッチングすることにより得ることができ
る。すなわち、加工するポリマの上にレジストを塗布
し、紫外線，電子線,X線等をパターン状に照射する。次
に、溶媒に浸せきすることにより現像し、パターンを得
る。このパターンをマスクにして下層のポリマに弗素系
あるいは酸素ガスの反応性ドライエッチングでパターン
を転写する。
これらの工程を組み合わせることにより光導波路を作
製することができるが、代表的なプロセス工程を第１図
（Ａ）〜（Ｇ）に示す。まず、基板１にクラッド材を塗
布し、層状のクラッド２を形成する（第１図（Ａ））。
クラッド２の上に有機ポリマからなるコア材を塗布し、
コア層３を形成する（第１図（Ｂ））。次に第１図
（Ｃ）に示すように、コア層３上にシリコーン樹脂系の
レジスト４を塗布し、マスク５を介して紫外線６を照射
する。その後、現像してマスクパターンを得（第１図
（Ｄ））、さらに酸素ガスを用いた反応性イオンエッチ
ングを行い、パターン部以外のコア層を除去する（第１
図（Ｅ））。レジストを剥離し（第１図（Ｆ））、最後
にクラッド２と同じクラッド材７を塗布あるいはラミネ
ートする（第１図（Ｇ））。
製することができるが、代表的なプロセス工程を第１図
（Ａ）〜（Ｇ）に示す。まず、基板１にクラッド材を塗
布し、層状のクラッド２を形成する（第１図（Ａ））。
クラッド２の上に有機ポリマからなるコア材を塗布し、
コア層３を形成する（第１図（Ｂ））。次に第１図
（Ｃ）に示すように、コア層３上にシリコーン樹脂系の
レジスト４を塗布し、マスク５を介して紫外線６を照射
する。その後、現像してマスクパターンを得（第１図
（Ｄ））、さらに酸素ガスを用いた反応性イオンエッチ
ングを行い、パターン部以外のコア層を除去する（第１
図（Ｅ））。レジストを剥離し（第１図（Ｆ））、最後
にクラッド２と同じクラッド材７を塗布あるいはラミネ
ートする（第１図（Ｇ））。
この製造法は、解像性や寸法安定性の高いパターン
が、また反応性イオンエッチングにより急峻で平坦な側
壁が得られ、しかも工程が少なく、再現性にも優れてい
る。
が、また反応性イオンエッチングにより急峻で平坦な側
壁が得られ、しかも工程が少なく、再現性にも優れてい
る。
大面積の基板上に複数の光導波路を同時に作り、スタ
ンパー（金型）を用いて成形加工する方法も量産性の点
からメリットがあり使用することができる。
ンパー（金型）を用いて成形加工する方法も量産性の点
からメリットがあり使用することができる。
光導波路はコアとクラッドとの屈折率の差を利用して
光をコア内で伝搬させるものである。プラスチック光導
波路の場合、異なる系統のプラスチックをコアとクラッ
ドのそれぞれに使用するによって屈折率差を生じさせる
ことができる。さらに樹脂中のフッ素含有量によって屈
折率の値を制御することもできる。第２図は重水素化ヘ
プタフルオロイソプロピルメタクリレートと重水素化メ
チルメタクリレートの共重合物中のフッ素含有量による
屈折率の変化を示す。直線Ａは波長0.6328μｍ、直線Ｂ
は波長1.5230μｍの光に対する屈折率であって、いずれ
の場合も屈折率はフッ素含有量の増化と共に直線的に減
少する。
光をコア内で伝搬させるものである。プラスチック光導
波路の場合、異なる系統のプラスチックをコアとクラッ
ドのそれぞれに使用するによって屈折率差を生じさせる
ことができる。さらに樹脂中のフッ素含有量によって屈
折率の値を制御することもできる。第２図は重水素化ヘ
プタフルオロイソプロピルメタクリレートと重水素化メ
チルメタクリレートの共重合物中のフッ素含有量による
屈折率の変化を示す。直線Ａは波長0.6328μｍ、直線Ｂ
は波長1.5230μｍの光に対する屈折率であって、いずれ
の場合も屈折率はフッ素含有量の増化と共に直線的に減
少する。
実施例１ ５個の水素が重水素に置換されたモノマであるヘプタ
フルオロイソプロピルメタクリレートｄ−520モル％
と、メチルメタクリレートの水素をすべて重水素に置換
したパーデューテロメチルメタクリレート80モル％との
モノマ混合物を、2,2′−アゾビスイソブチロニトリル
（AIBN）を重合開始剤として重合させ、共重合体（屈折
率ｎ＝1.46）を得た。さらに、ヘプタフルオロイソプロ
ピルメタクリレート−d5をAIBNを重合開始剤として重合
させ、重合体（ｎ＝1.37）を得た。
フルオロイソプロピルメタクリレートｄ−520モル％
と、メチルメタクリレートの水素をすべて重水素に置換
したパーデューテロメチルメタクリレート80モル％との
モノマ混合物を、2,2′−アゾビスイソブチロニトリル
（AIBN）を重合開始剤として重合させ、共重合体（屈折
率ｎ＝1.46）を得た。さらに、ヘプタフルオロイソプロ
ピルメタクリレート−d5をAIBNを重合開始剤として重合
させ、重合体（ｎ＝1.37）を得た。
そして前者のポリマをコア成分、後者のポリマをクラ
ッド成分とする導波路を作製した。まず、前述した２種
のポリマをそれぞれ1,3−ビス（トリフルオロメチル）
ベンゼンに溶解し溶液とした。次にクラッド成分ポリマ
溶液をシリコン基板上に乾燥後の厚さが約10μｍになる
様に塗布した。基板を90℃に加熱して塗布層を乾燥処理
後、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマ溶液を約８
μｍの厚さに塗布した。
ッド成分とする導波路を作製した。まず、前述した２種
のポリマをそれぞれ1,3−ビス（トリフルオロメチル）
ベンゼンに溶解し溶液とした。次にクラッド成分ポリマ
溶液をシリコン基板上に乾燥後の厚さが約10μｍになる
様に塗布した。基板を90℃に加熱して塗布層を乾燥処理
後、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマ溶液を約８
μｍの厚さに塗布した。
次にシリコーン系ホトレジストを塗布し、露光現像し
てレジストパターンを形成した。さらに酸素ガスによる
反応性イオンエッチングを行い、パターン部以外のコア
成分ポリマを除去し、コア成分ポリマを長さ50mm,幅80
μm,高さ８μｍの直線矩形パターンに加工した。基板を
アルカリ溶液に浸漬してレジストを剥離し、最後に下層
と同じクラッド層を塗布した。上層クラッドの厚さはコ
ア上で10μｍとした。
てレジストパターンを形成した。さらに酸素ガスによる
反応性イオンエッチングを行い、パターン部以外のコア
成分ポリマを除去し、コア成分ポリマを長さ50mm,幅80
μm,高さ８μｍの直線矩形パターンに加工した。基板を
アルカリ溶液に浸漬してレジストを剥離し、最後に下層
と同じクラッド層を塗布した。上層クラッドの厚さはコ
ア上で10μｍとした。
この様にして作製された導波路の一端から光を照射
し、他端から出てくる光量を測定することにより導波路
の光損失を計算した。第３図に光損失の波長依存性を示
す。波長1.3μｍにおけるこの導波路の光損失は0.1dB/c
m以下であった。
し、他端から出てくる光量を測定することにより導波路
の光損失を計算した。第３図に光損失の波長依存性を示
す。波長1.3μｍにおけるこの導波路の光損失は0.1dB/c
m以下であった。
実施例２ 実施例１と同じ２種のポリマを用いて別法で導波路を
作製した。まず２種のポリマを1,3−ビス（トリフルオ
ロメチル）ベンゼンに溶解し溶液とした。次にクラッド
成分ポリマをシリコン基板上に約15μｍの厚さに塗布
し、クラッドを形成した。乾燥処理後、クラッドの上に
シリコーン系レジストを塗布し、露光現像を行なった。
さらに酸素ガスの反応性イオンエッチングを行い、幅８
μm,深さ６μｍの溝を設けた。
作製した。まず２種のポリマを1,3−ビス（トリフルオ
ロメチル）ベンゼンに溶解し溶液とした。次にクラッド
成分ポリマをシリコン基板上に約15μｍの厚さに塗布
し、クラッドを形成した。乾燥処理後、クラッドの上に
シリコーン系レジストを塗布し、露光現像を行なった。
さらに酸素ガスの反応性イオンエッチングを行い、幅８
μm,深さ６μｍの溝を設けた。
次にレジストを剥離し、コア材を厚さ10μｍに塗布し
た。次の酸素ガスの反応性イオンエッチングによってバ
ックエッチングを行い、溝の外部にあるコア材を除去し
た。最後に下層のクラッドと同じクラッド材を厚さ10μ
ｍに塗布した。
た。次の酸素ガスの反応性イオンエッチングによってバ
ックエッチングを行い、溝の外部にあるコア材を除去し
た。最後に下層のクラッドと同じクラッド材を厚さ10μ
ｍに塗布した。
この工程により長さ50mm,幅８μm,高さ６μｍの直線
矩形パターンのコアを持つ導波路が得られた。波長1.3
μｍの光の導波路の一端から照射し、他端から出てくる
光量を測定することにより導波路の光損失を計算した。
この導波路の光損失は0.1dB/cm以下であった。
矩形パターンのコアを持つ導波路が得られた。波長1.3
μｍの光の導波路の一端から照射し、他端から出てくる
光量を測定することにより導波路の光損失を計算した。
この導波路の光損失は0.1dB/cm以下であった。
実施例３ フェニル基の５個の水素が重水素に置換されたフェニ
ルトリクロルシランｄ−５を加水分解し、得られたOH化
合物をトルエンに溶かし、KODを添加して還流すること
によりポリマを得た。得られたポリフェニルシルセスオ
キサン（ｎ＝1.56）をコア成分とした。フェニルトリク
ロルシランｄ−５の代わりにメチル基の３個の水素が重
水素に置換されたメチルトリクロロシランｄ−３を用
い、同様の工程によって得られたポリメチルシルセスキ
オキサン（ｎ＝1.48）をクラッド成分とする光導波路を
作製した。その作製工程を以下に述べる。
ルトリクロルシランｄ−５を加水分解し、得られたOH化
合物をトルエンに溶かし、KODを添加して還流すること
によりポリマを得た。得られたポリフェニルシルセスオ
キサン（ｎ＝1.56）をコア成分とした。フェニルトリク
ロルシランｄ−５の代わりにメチル基の３個の水素が重
水素に置換されたメチルトリクロロシランｄ−３を用
い、同様の工程によって得られたポリメチルシルセスキ
オキサン（ｎ＝1.48）をクラッド成分とする光導波路を
作製した。その作製工程を以下に述べる。
前述の２種のポリマをそれぞれメチルイソブチルケト
ンに溶かし溶液とした。まず、クラッド成分ポリマをシ
リコン基板上に約10μｍの厚さに塗布した。乾燥処理
後、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマを約８μｍ
の厚さに塗布した。次に膜厚のホトレジストを塗布し、
パターン化した。このレジストをマスクとしてCF4＋H2
ガスによる反応性イオンエッチングを行い、コア部を長
さ50mm,幅８μｍ、高さ８μｍの直線矩形パタンに加工
した。レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じ
クラッド材を塗布した。
ンに溶かし溶液とした。まず、クラッド成分ポリマをシ
リコン基板上に約10μｍの厚さに塗布した。乾燥処理
後、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマを約８μｍ
の厚さに塗布した。次に膜厚のホトレジストを塗布し、
パターン化した。このレジストをマスクとしてCF4＋H2
ガスによる反応性イオンエッチングを行い、コア部を長
さ50mm,幅８μｍ、高さ８μｍの直線矩形パタンに加工
した。レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じ
クラッド材を塗布した。
波長1.3μｍおよび1.5μｍの光を導波路の一端から照
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であり充分に種々
の光回路に供することが可能である。
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であり充分に種々
の光回路に供することが可能である。
実施例４ フェニルトリクロロシランｄ−５を加水分解し、得ら
れたOH化合物をトルエンに溶かしKODを添加して還流す
ることによりポリマを得た。得られたポリフェニルシル
セスキオキサンをコア成分（ｎ＝1.56）、メチルトリク
ロロシランｄ−３から同様にして得たポリメチルシルセ
スキオキサンをクラッド成分（ｎ＝1.48）とする導波路
を作製した。前述の２種のポリマをそれぞれメチルイソ
ブチルケトンに溶かし溶液とした。先ずクラッド成分ポ
リマをシリコン基板上に約10μｍの厚さに塗布した。ベ
ーク乾燥処理後、クラッド成分ポリマ上に弗素系ポリマ
を約９μｍの厚さに塗布した。次にシリコーン系レジス
トを塗布し、パターン化した。これをマスクとして酸素
ガスにより、反応性イオンエッチングを行い、長さ50m
m,幅８μｍ、高さ９μｍの直線矩形溝型パターンに加工
した。レジストを剥離し、コア成分を溝に流し込んだ。
乾燥処理後弗素ポリマを溶媒で溶解し、コアパターンを
えた。レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じ
クラッド材を塗布した。
れたOH化合物をトルエンに溶かしKODを添加して還流す
ることによりポリマを得た。得られたポリフェニルシル
セスキオキサンをコア成分（ｎ＝1.56）、メチルトリク
ロロシランｄ−３から同様にして得たポリメチルシルセ
スキオキサンをクラッド成分（ｎ＝1.48）とする導波路
を作製した。前述の２種のポリマをそれぞれメチルイソ
ブチルケトンに溶かし溶液とした。先ずクラッド成分ポ
リマをシリコン基板上に約10μｍの厚さに塗布した。ベ
ーク乾燥処理後、クラッド成分ポリマ上に弗素系ポリマ
を約９μｍの厚さに塗布した。次にシリコーン系レジス
トを塗布し、パターン化した。これをマスクとして酸素
ガスにより、反応性イオンエッチングを行い、長さ50m
m,幅８μｍ、高さ９μｍの直線矩形溝型パターンに加工
した。レジストを剥離し、コア成分を溝に流し込んだ。
乾燥処理後弗素ポリマを溶媒で溶解し、コアパターンを
えた。レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じ
クラッド材を塗布した。
波長1.3μｍおよび1.5μｍの光を導波路の一端から照
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であった。
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であった。
実施例５ フェニルトリクロロシランｄ−5 20部、ジフェニルジ
クロロシランｄ−10 5部を加水分解し、えられたOH化合
物をトルエンに溶かしKODを添加して還流することによ
りポリマを得た。得られたポリフェニルシルセスキオキ
サンをコア成分（ｎ＝1.58）、メチルトリクロロシラン
ｄ−３から同様にして得たポリメチルシルセスキオキサ
ンをクラッド成分（ｎ＝1.48）とする光導波路を作製し
た。前述の２種のポリマをそれぞれメチルイソブチルケ
トンに溶かし溶液とした。まず、クラッド成分ポリマを
シリコン基板上に約10μｍの厚さに塗布した。乾燥処理
後、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマを約８μｍ
の厚さに塗布した。次に厚膜のホトレジストを塗布し、
パターン化した。このレジストをマスクとしてCF4＋H2
ガスによる反応性イオンエッチングを行い、コア部を長
さ50mm,幅８μｍ、高さ８μｍの直線矩形パタンに加工
した。レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じ
クラッド材を塗布した。
クロロシランｄ−10 5部を加水分解し、えられたOH化合
物をトルエンに溶かしKODを添加して還流することによ
りポリマを得た。得られたポリフェニルシルセスキオキ
サンをコア成分（ｎ＝1.58）、メチルトリクロロシラン
ｄ−３から同様にして得たポリメチルシルセスキオキサ
ンをクラッド成分（ｎ＝1.48）とする光導波路を作製し
た。前述の２種のポリマをそれぞれメチルイソブチルケ
トンに溶かし溶液とした。まず、クラッド成分ポリマを
シリコン基板上に約10μｍの厚さに塗布した。乾燥処理
後、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマを約８μｍ
の厚さに塗布した。次に厚膜のホトレジストを塗布し、
パターン化した。このレジストをマスクとしてCF4＋H2
ガスによる反応性イオンエッチングを行い、コア部を長
さ50mm,幅８μｍ、高さ８μｍの直線矩形パタンに加工
した。レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じ
クラッド材を塗布した。
波長1.3μｍおよび1.5μｍの光を導波路の一端から照
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であった。
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であった。
実施例６ 下記一般式（Ｉ）で表わされる化学構造を繰り返し単
位として有し、かつ組成の異なるポリアクリレートをコ
アおよびクラッドとしてプラスチック光導波路を作製し
た。
位として有し、かつ組成の異なるポリアクリレートをコ
アおよびクラッドとしてプラスチック光導波路を作製し
た。
ここで、X1およびX2はそれぞれ重水素またはハロゲン
原子、R1は重水素,CD3基，およびハロゲン原子のうちの
一種、R2はCnY2n+1で表わされるハロゲン化または重水
素化アルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは
５以下の正の整数）である。
原子、R1は重水素,CD3基，およびハロゲン原子のうちの
一種、R2はCnY2n+1で表わされるハロゲン化または重水
素化アルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは
５以下の正の整数）である。
プラスチック光導波路の作製方法は実施例１または２
と同様である。
と同様である。
各光導波路のコアおよびクラッドに用いたポリマの化
学構造および各導波路の波長1.5μｍの光に対する損失
を表１に示す。損失は0.04〜0.11dB/cmと極めて低かっ
た。
学構造および各導波路の波長1.5μｍの光に対する損失
を表１に示す。損失は0.04〜0.11dB/cmと極めて低かっ
た。
実施例７ 下記一般式（II）で表される化学構造を繰り返し単位
として有する直鎖状ポリシロキサンの一種および／また
は下記一般式（III）で表される化学構造を繰り返し単
位として有するラダー型ポリシロキサンの一種をコアお
よびクラッドとしてプラスチック光導波路を作製した。
として有する直鎖状ポリシロキサンの一種および／また
は下記一般式（III）で表される化学構造を繰り返し単
位として有するラダー型ポリシロキサンの一種をコアお
よびクラッドとしてプラスチック光導波路を作製した。
ここでR3およびR4はそれぞれCnY2n+1（Ｙは重水素あ
るいはハロゲン原子、ｎは５以下の正の整数）またはC6
Y5である。
るいはハロゲン原子、ｎは５以下の正の整数）またはC6
Y5である。
プラスチック光導波路の作製方法は実施例３〜５と同
様である。
様である。
各光導波路のコアおよびクラッドに用いたポリマの化
学構造および各光導波路の波長1.5μｍの光に対する損
失を表２に示す。表２中の主鎖構造欄のIIおよびIIIは
それぞれ前述した一般式（II）および（III）に対応す
る。各光導波路の波長1.5μｍの光に対する損失は0.05
〜0.11dB/cmと極めて低かった。
学構造および各光導波路の波長1.5μｍの光に対する損
失を表２に示す。表２中の主鎖構造欄のIIおよびIIIは
それぞれ前述した一般式（II）および（III）に対応す
る。各光導波路の波長1.5μｍの光に対する損失は0.05
〜0.11dB/cmと極めて低かった。
実施例８ フェニルトリクロロシランｄ−５を加水分解し、えら
れたOH化合物をトルエンに溶かしKOHを添加して還流す
ることによりポリマを得た。得られたポリフェニルシル
セスキオキサンをコア成分（ｎ＝1.56）、実施例１で得
たヘプタフルオロイソプロピルメタクリレートｄ−５と
メチルメタクリレートｄ−８の共重合体（混合比20/8
0）をクラッド成分（ｎ＝1.45）とする導波路を作製し
た。前述の２種のポリマをそれぞれメチルイソブチルケ
トンに溶かし溶液とした。まず、クラッド成分ポリマを
シリコン基板上に約10μｍの厚さに塗布した。乾燥処理
後、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマを約８μｍ
の厚さに塗布した。次に厚膜のホトレジストを塗布し、
パターン化した。このレジストをマスクとしてCF4＋H2
ガスによる反応性イオンエッチングを行い、コア部を長
さ50mm,幅８μｍ、高さ８μｍの直線矩形パタンに加工
した。レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じ
クラッド材を塗布した。
れたOH化合物をトルエンに溶かしKOHを添加して還流す
ることによりポリマを得た。得られたポリフェニルシル
セスキオキサンをコア成分（ｎ＝1.56）、実施例１で得
たヘプタフルオロイソプロピルメタクリレートｄ−５と
メチルメタクリレートｄ−８の共重合体（混合比20/8
0）をクラッド成分（ｎ＝1.45）とする導波路を作製し
た。前述の２種のポリマをそれぞれメチルイソブチルケ
トンに溶かし溶液とした。まず、クラッド成分ポリマを
シリコン基板上に約10μｍの厚さに塗布した。乾燥処理
後、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマを約８μｍ
の厚さに塗布した。次に厚膜のホトレジストを塗布し、
パターン化した。このレジストをマスクとしてCF4＋H2
ガスによる反応性イオンエッチングを行い、コア部を長
さ50mm,幅８μｍ、高さ８μｍの直線矩形パタンに加工
した。レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じ
クラッド材を塗布した。
波長1.3μｍおよび1.5μｍの光を導波路の一端から照
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であった。
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であった。
実施例９ フェニルトリクロロシランｄ−５を加水分解し、えら
れたOH化合物をトルエンに溶かしKOHに添加して還流す
ることによりポリマを得た。得られたポリフェニルシル
セスキオキサンをコア成分（ｎ＝1.56）、重水素化され
ていないメチルトリクロロシランから同様にして得たポ
リメチルシルセスキオキサンをクラッド成分（ｎ＝1.4
8）とする導波路を作製した。前述の２種のポリマをそ
れぞれメチルイソブチルケトンに溶かし溶液とした。ま
ず、クラッド成分ポリマをシリコン基板上に約10μｍの
厚さに塗布した。乾燥処理後、クラッド成分ポリマ上に
コア分ポリマを約８μｍの厚さに塗布した。次に厚膜の
ホトレジストを塗布し、パターン化した。このレジスト
をマスクとしてCF4＋H2ガスによる反応性イオンエッチ
ングを行い、コア部を長さ50mm,幅８μｍ、高さ８μｍ
の直線矩形パタンに加工した。レジストを剥離し、最後
に下層のクラッドと同じクラッド材を塗布した。
れたOH化合物をトルエンに溶かしKOHに添加して還流す
ることによりポリマを得た。得られたポリフェニルシル
セスキオキサンをコア成分（ｎ＝1.56）、重水素化され
ていないメチルトリクロロシランから同様にして得たポ
リメチルシルセスキオキサンをクラッド成分（ｎ＝1.4
8）とする導波路を作製した。前述の２種のポリマをそ
れぞれメチルイソブチルケトンに溶かし溶液とした。ま
ず、クラッド成分ポリマをシリコン基板上に約10μｍの
厚さに塗布した。乾燥処理後、クラッド成分ポリマ上に
コア分ポリマを約８μｍの厚さに塗布した。次に厚膜の
ホトレジストを塗布し、パターン化した。このレジスト
をマスクとしてCF4＋H2ガスによる反応性イオンエッチ
ングを行い、コア部を長さ50mm,幅８μｍ、高さ８μｍ
の直線矩形パタンに加工した。レジストを剥離し、最後
に下層のクラッドと同じクラッド材を塗布した。
波長1.3μｍおよび1.5μｍの光を導波路の一端から照
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であった。
射し、他端から出てくる光量を測定することにより導波
路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述した
各波長に対し、それぞれ0.1dB/cm以下であった。
実施例10 下記一般式（IV）で表される化学構造を繰返し単位と
して有するハロゲン化または重水素化ポリスチロールを
コアおよびクラッド材とし、実施例１〜３と同様な方法
で平板型プラスチック光導波路を作製した。
して有するハロゲン化または重水素化ポリスチロールを
コアおよびクラッド材とし、実施例１〜３と同様な方法
で平板型プラスチック光導波路を作製した。
ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。各光
導波路のコアおよびクラッドに用いたポリマの化学構造
および各光導波路の波長1.3μｍの光に対する損失を表
３に示す。各光導波路の損失は0.06〜0.09dB/cmと極め
て低かった。
導波路のコアおよびクラッドに用いたポリマの化学構造
および各光導波路の波長1.3μｍの光に対する損失を表
３に示す。各光導波路の損失は0.06〜0.09dB/cmと極め
て低かった。
実施例11 前述した一般式（Ｉ）で表される繰返し単位を有する
ポリアクリレートをクラッドとし、前述した一般式（I
V）で表される繰返し単位を有するポリスチレンまたは
前述した一般式（II）で表される繰返し単位を有するポ
リアクリレートをクラッドとして平板型プラスチック光
導波路を作製した。
ポリアクリレートをクラッドとし、前述した一般式（I
V）で表される繰返し単位を有するポリスチレンまたは
前述した一般式（II）で表される繰返し単位を有するポ
リアクリレートをクラッドとして平板型プラスチック光
導波路を作製した。
光導波路の構造および波長1.3μｍの光に対する損失
を表４に示す。光損失は0.08〜0.09dB/cmと極めて低か
った。
を表４に示す。光損失は0.08〜0.09dB/cmと極めて低か
った。
重水素化あるいはハロゲン化アクリレートの共重合
体，重水素化あるいはハロゲン化シロキサンの共重合体
および重水素化またはハロゲン化スチレンの共重合体を
それぞれコア部またはクラッド部に用いてプラスチック
光導波路を構成することもできる。
体，重水素化あるいはハロゲン化シロキサンの共重合体
および重水素化またはハロゲン化スチレンの共重合体を
それぞれコア部またはクラッド部に用いてプラスチック
光導波路を構成することもできる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明による平板型プラスチッ
ク光導波路は、従来の光導波路に比べ、可視〜近赤外光
域において極めて優れた光伝送特性を有する。
ク光導波路は、従来の光導波路に比べ、可視〜近赤外光
域において極めて優れた光伝送特性を有する。
特に、光ファイバ通信に用いられている650〜1600nm
の波長域において低損失であるので、この光導波路は多
成分系ガラスおよび石英系光ファイバと、光／電気変換
あるいは電気／光変換なしに接続して使用することがで
きる。このため、これらの光導波路を使って作製した光
部品により、経済性に優れたローカルエリアネットワー
クなどの光信号伝送システムを構成することができると
いう利点がある。
の波長域において低損失であるので、この光導波路は多
成分系ガラスおよび石英系光ファイバと、光／電気変換
あるいは電気／光変換なしに接続して使用することがで
きる。このため、これらの光導波路を使って作製した光
部品により、経済性に優れたローカルエリアネットワー
クなどの光信号伝送システムを構成することができると
いう利点がある。
第１図は本発明によるプラスチック光導波の製造方法の
一例における各工程を示す模式的断面図、 第２図はポリアクリレートの屈折率のフッ素含有率への
依存性を示す特性図、 第３図は本発明によるプラスチック光導波路の実施例の
光損失の波長依存性を示す特性図、 第４図および第５図はそれぞれ従来の平板型プラスチッ
ク光導波路の製造工程を説明する模式的断面図である。 １……基板、 ２……クラッド、 ３……コア層、 ４……レジスト、 ５……マクク、 ７……クラッド。
一例における各工程を示す模式的断面図、 第２図はポリアクリレートの屈折率のフッ素含有率への
依存性を示す特性図、 第３図は本発明によるプラスチック光導波路の実施例の
光損失の波長依存性を示す特性図、 第４図および第５図はそれぞれ従来の平板型プラスチッ
ク光導波路の製造工程を説明する模式的断面図である。 １……基板、 ２……クラッド、 ３……コア層、 ４……レジスト、 ５……マクク、 ７……クラッド。
Claims (17)
- 【請求項１】重水素またはハロゲン原子を含むポリマか
らなるコア部と、該コア部を囲み、コア部より低い屈折
率を有するポリマからなるクラッド部とを有する平板型
プラスチック光導波路において、 前記コア部が下記一般式（Ｉ）で表される化学構造を繰
り返し単位として有する重水素化またはハロゲン化ポリ
アクリレートであることを特徴とする平板型プラスチッ
ク光導波路： ただし、X1およびX2はそれぞれ重水素またはハロゲン原
子、R1は重水素,CD3基，およびハロゲン原子のうちの一
種、R2はCnY2n+1で表わされるハロゲン化または重水素
化アルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは５
以下の正の整数）である。 - 【請求項２】重水素またはハロゲン原子を含むポリマか
らなるコア部と、該コア部を囲み、コア部より低い屈折
率を有するポリマからなるクラッド部とを有する平板型
プラスチック光導波路において、 前記コア部が下記一般式（Ｉ）で表させる化学構造のう
ち、２種以上の異なった繰り返し単位からなる共重合体
の重水素化またはハロゲン化ポリアクリレートであるこ
とを特徴とする平板型プラスチック光導波路： ただし、X1およびX2はそれぞれ重水素またはハロゲン原
子、R1は重水素,CD3基，およびハロゲン原子のうちの一
種、R2はCnY2n+1で表わされるハロゲン化または重水素
化アルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは５
以下の正の整数）である。 - 【請求項３】重水素またはハロゲン原子を含むポリマか
らなるコア部と、該コア部を囲み、コア部より低い屈折
率を有するポリマからなるクラッド部とを有する平板型
プラスチック光導波路において、 前記コア部が下記一般式（II）または（III）で表され
る化学構造を繰り返し単位として有する重水素化または
ハロゲン化ポリシロキサンであることを特徴とする平板
型プラスチック光導波路： ただし、R3およびR4はそれぞれCnY2n+1（Ｙは重水素あ
るいはハロゲン原子、ｎは５以下の正の整数）またはC6
Y5である。 - 【請求項４】重水素またはハロゲン原子を含むポリマか
らなるコア部と、該コア部を囲み、コア部より低い屈折
率を有するポリマからなるクラッド部とを有する平板型
プラスチック光導波路において、 前記コア部が下記一般式（II）または（III）で表され
る化学構造のうち２種以上の異なった繰り返し単位から
なる共重合体の重水素またはハロゲン化ポリシロキサン
であることを特徴とする平板型プラスチック光導波路： ここで、R3およびR4はそれぞれCnY2n+1（Ｙは重水素あ
るいはハロゲン原子、ｎは５以下の正の整数）またはC6
Y5である。 - 【請求項５】重水素またはハロゲン原子を含むポリマか
らなるコア部と、該コア部を囲み、コア部より低い屈折
率を有するポリマからなるクラッド部とを有する平板型
プラスチック光導波路において、 前記コア部がそれぞれ下記一般式（II）または（III）
で表される化学構造を繰返し単位として有する重水素化
またはハロゲン化シロキサンの共重合体であることを特
徴とする平板型プラスチック光導波路： ここで、R3およびR4はそれぞれCnY2n+1（Ｙは重水素あ
るいはハロゲン原子、ｎは５以下の正の整数）またはC6
Y5である。 - 【請求項６】重水素またはハロゲン原子を含むポリマか
らなるコア部と、該コア部を囲み、コア部より低い屈折
率を有するポリマからなるクラッド部とを有する平板型
プラスチック光導波路において、 前記コア部が、下記一般式（IV）で表される化学構造を
繰返し単位として有するハロゲン化または重水素化ポリ
スチレンであることを特徴とする平板型プラスチック光
導波路： ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。 - 【請求項７】重水素またはハロゲン原子を含むポリマか
らなるコア部と、該コア部を囲み、コア部より低い屈折
率を有するポリマからなるクラッド部とを有する平板型
プラスチック光導波路において、 前記コア部が下記一般式（IV）で表される化学構造のう
ち２種類以上の異なった繰り返し単位からなる共重合体
の重水素またはハロゲン化ポリスチレンであることを特
徴とする平板型プラスチック光導波路： ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。 - 【請求項８】前記クラッド部が重水素またはハロゲン原
子を有するポリマからなることを特徴とする請求項１な
いし７のいずれかに記載の平板型プラスチック光導波
路。 - 【請求項９】前記クラッド部が下記一般式（Ｉ）で表さ
れる化学構造を繰り返し単位として有する重水素化また
はハロゲン化ポリアクリレートであることを特徴とする
請求項８に記載の平板型プラスチック光導波路： ここで、X1およびX2はそれぞれ重水素またはハロゲン原
子、R1は重水素,CD3基，およびハロゲン原子のうちの一
種、R2はCnY2n+1で表わされるハロゲン化または重水素
化アルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは５
以下の正の整数）である。 - 【請求項１０】前記クラッド部が下記一般式（Ｉ）で表
される化学構造のうち、２種類以上の異なった繰り返し
単位からなる共重合体の重水素化またはハロゲン化ポリ
アクリレートであることを特徴とする請求項８に記載の
平板型プラスチック光導波路： ただし、X1およびX2はそれぞれ重水素またはハロゲン原
子、R1は重水素,CD3基，およびハロゲン原子のうちの一
種、R2はCnY2n+1で表わされるハロゲン化または重水素
化アルキル基（Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは５
以下の正の整数）である。 - 【請求項１１】前記クラッド部が下記一般式（II）また
は（III）で表される化学構造を繰り返し単位として有
する重水素化またはハロゲン化ポリシロキサンであるこ
とを特徴とする請求項８に記載の平板型プラスチック光
導波路： ここで、R3およびR4はそれぞれCnY2n+1（Ｙは重水素あ
るいはハロゲン原子、ｎは５以下の正の整数）またはC6
Y5である。 - 【請求項１２】前記クラッド部が下記一般式（II）また
は（III）で表される化学構造のうち２種以上の異なっ
た繰り返し単位からなる共重合体の重水素またはハロゲ
ン化ポリシロキサンであることを特徴とする請求項８に
記載の平板型プラスチック光導波路： ここで、R3およびR4はそれぞれCnY2n+1（Ｙは重水素あ
るいはハロゲン原子、ｎは５以下の正の整数）またはC6
Y5である。 - 【請求項１３】前記クラッド部がそれぞれ下記一般式
（II）および（III）で表される化学構造を繰返し単位
として有する重水素化またはハロゲン化ポリシロキサン
の共重合体であることを特徴とする請求項８に記載の平
板型プラスチック光導波路： - 【請求項１４】前記クラッド部が、下記一般式（IV）で
表される化学構造を繰返し単位として有するハロゲン化
または重水素化ポリスチレンであることを特徴とする請
求項８に記載の平板型プラスチック光導波路： ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。 - 【請求項１５】前記クラッド部が下記一般式（IV）で表
される化学構造のうち２種類以上の異なった繰り返し単
位からなる共重合体の重水素化またはハロゲン化ポリス
チレンであることを特徴とする請求項８に記載の平板型
プラスチック光導波路： ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。 - 【請求項１６】基板と、 該基板上に順次形成され、それぞれポリマからなる下層
クラッド部，コア部，および下層クラッド部と共にコア
部を囲む上層クラッド部とを有し、 前記コア部は重水素化またはハロゲン化アクリレートの
重合体または共重合体，重水素化またはハロゲン化シロ
キサンの重合体または共重合体および重水素化またはハ
ロゲン化スチレンの重合体または共重合体の一種からな
る ことを特徴とする平板型プラスチック光導波路。 - 【請求項１７】前記下層および上層クラッド部は重水素
またはハロゲン化アクリレートの重合体または共重合
体，重水素化またはハロゲン化シロキサンの重合体また
は共重合体および重水素化またはハロゲン化スチレンの
重合体または共重合体の一種からなることを特徴とする
請求項16に記載の平板型プラスチック光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257865A JP2599497B2 (ja) | 1989-09-27 | 1990-09-26 | 平板型プラスチック光導波路 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-249180 | 1989-09-27 | ||
| JP24918089 | 1989-09-27 | ||
| JP2257865A JP2599497B2 (ja) | 1989-09-27 | 1990-09-26 | 平板型プラスチック光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188402A JPH03188402A (ja) | 1991-08-16 |
| JP2599497B2 true JP2599497B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=26539134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2257865A Expired - Fee Related JP2599497B2 (ja) | 1989-09-27 | 1990-09-26 | 平板型プラスチック光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599497B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7024084B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-04-04 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrodeposition solution, optical part produced therefrom, and production method for same optical part |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0792337A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Hitachi Cable Ltd | ポリマコア光導波路およびその製造方法 |
| US5972516A (en) * | 1996-02-29 | 1999-10-26 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing optical waveguide using siloxane polymer, and optoelectronic hybrid substrate using the optical waveguide |
| JPH10170738A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
| JPH10170739A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高分子光導波路及びその作製方法 |
| KR100248055B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2000-03-15 | 윤종용 | 하이브리드 광도파로 및 그 제작 공정 |
| KR100269173B1 (ko) * | 1997-09-12 | 2000-10-16 | 윤종용 | 손실흡수를위한광도파로소자및그제작방법 |
| JPH11271548A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Sharp Corp | 双方向光通信器および双方向光通信装置 |
| US6500603B1 (en) | 1999-11-11 | 2002-12-31 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method for manufacturing polymer optical waveguide |
| US7302141B2 (en) * | 2003-07-02 | 2007-11-27 | E.I. Du Pont De Nemors And Company | Y-branch-based thermo-optic digital optical switches and variable optical attenuators with non-uniform heating |
| US7324723B2 (en) | 2003-10-06 | 2008-01-29 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical waveguide having specular surface formed by laser beam machining |
| WO2006059510A1 (ja) | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Mitsui Chemicals, Inc. | 光配線基板および光電気混載基板 |
Family Cites Families (1)
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-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7024084B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-04-04 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrodeposition solution, optical part produced therefrom, and production method for same optical part |
Also Published As
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