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JP2588508B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment

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JP2588508B2
JP2588508B2 JP61117389A JP11738986A JP2588508B2 JP 2588508 B2 JP2588508 B2 JP 2588508B2 JP 61117389 A JP61117389 A JP 61117389A JP 11738986 A JP11738986 A JP 11738986A JP 2588508 B2 JP2588508 B2 JP 2588508B2
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JP
Japan
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processing
guide plate
light source
workpiece
nozzle
Prior art date
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JP61117389A
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昭宏 大福
隆義 大坂谷
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、処理技術、特に、半導体ウエハに付着した
フォトレジストを除去する技術に適用して有効な技術に
関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing technique, and more particularly, to a technique effective when applied to a technique for removing a photoresist attached to a semiconductor wafer.

[従来の技術] 半導体ウエハに付着したフォトレジストを除去する技
術については、株式会社工業調査会昭和56年11月10日発
行「電子材料」1981年別冊、P137〜P148、に記載されて
いる。
[Prior Art] A technique for removing a photoresist adhering to a semiconductor wafer is described in “Electronic Materials”, published on November 10, 1981, “Electronic Materials”, 1981, Supplement, pp. 137-148.

ところで、半導体装置の製造においては、半導体ウエ
ハのエッチング処理後、半導体ウエハを所定のパターン
にマスクしていたフォトレジストを除去する場合、半導
体ウエハに対する損傷が懸念される酸素プラズマ法の代
わりに、次のような構造のフォトレジスト除去装置を使
用することが考えられる。
By the way, in the manufacture of semiconductor devices, when the photoresist that masks the semiconductor wafer in a predetermined pattern is removed after the etching processing of the semiconductor wafer, instead of the oxygen plasma method in which damage to the semiconductor wafer is concerned, It is conceivable to use a photoresist removing apparatus having a structure as described above.

すなわち、処理室内に設けられた載置台上に半導体ウ
エハを位置させ、載置台に設けられたヒータによて比較
的低い温度に加熱するとともに、処理室内に酸素とオゾ
ンとの混合気体を流通させ、さらに紫外線などを半導体
ウエハ表面に照射することによって、酸素やオゾンを励
起させ、オゾンが解離される際に発生される発生期の酸
素などにより、有機物などからなるフォトレジストを酸
化し、ガス化させて除去するものである。
That is, a semiconductor wafer is positioned on a mounting table provided in a processing chamber, heated to a relatively low temperature by a heater provided on the mounting table, and a mixed gas of oxygen and ozone is allowed to flow through the processing chamber. Further, by irradiating the surface of the semiconductor wafer with ultraviolet rays or the like, oxygen or ozone is excited, and the nascent oxygen or the like generated when ozone is dissociated oxidizes a photoresist made of an organic substance and gasifies the photoresist. And remove it.

なお、特開昭60−7936号公報には反応気体に光源が直
接接触することを防止するために処理容器を光学窓で区
切るようにした処理装置が開示されているが、この処理
装置では光源が処理容器の上壁に設けられている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 60-7936 discloses a processing apparatus in which a processing vessel is separated by an optical window in order to prevent a light source from directly contacting a reaction gas. Is provided on the upper wall of the processing container.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上記のような構造のフォトレジスト除
去装置では、一般に半導体ウエハに付着したフォトレジ
ストの除去速度が小さく、処理に比較的時間を要すると
いう欠点があり、さらに、酸素とオゾンとの混合気体を
比較的多量に要するという問題があり、半導体ウエハに
付着したフォトレジストの除去作業における生産性が低
いという欠点があることを本発明者は見いだした。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the photoresist removing apparatus having the above-described structure generally has a disadvantage that the removal rate of the photoresist attached to the semiconductor wafer is low, and the processing takes relatively long time. Further, the present inventor has found that there is a problem that a relatively large amount of a mixed gas of oxygen and ozone is required, and that there is a disadvantage that the productivity in the operation of removing the photoresist attached to the semiconductor wafer is low.

本発明の目的は、生産性を向上させることが可能な処
理技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a processing technique capable of improving productivity.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
The above and other objects and novel features of the present invention are as follows.
It will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

[問題点を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、つぎの通りである、 すなわち、処理容器と、この処理容器内に設けられ、
被処理物を支持する台と、被処理物の表面との間に所定
の隙間の流路を構成する透明な案内板と、オゾン発生源
から発生したオゾンを含む処理流体を流路に供給するノ
ズルと、案内板の表面近傍に案内板の表面に沿って配設
され、処理流体を励起させる紫外線を案内板を介して被
処理物の表面に照射する光源とを有し、ノズルがランプ
を貫通して設けられ、被処理物の表面に向けて開口して
いるものである。
[Means for Solving the Problems] The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows: a processing container and a processing container provided in the processing container;
A table supporting the object, a transparent guide plate forming a flow path with a predetermined gap between the surface of the processing object, and a processing fluid containing ozone generated from an ozone generation source is supplied to the flow path. A nozzle, and a light source disposed along the surface of the guide plate near the surface of the guide plate and irradiating ultraviolet light for exciting the processing fluid to the surface of the workpiece through the guide plate; It is provided so as to penetrate and opens toward the surface of the object to be processed.

上記した手段によれば、処理流体が被処理物に対して
効率良く供給され、処理流体による被処理物に対する処
理の速度が向上されるとともに、処理流体の使用量を低
減することが可能となり、処理の生産性を向上させるこ
とができる。また、光源が案内板の表面近傍に案内板に
沿って配設されているので、オゾンを含む処理流体を効
率良く励起させることができる。
According to the above-described means, the processing fluid is efficiently supplied to the processing target, and the processing speed of the processing target with the processing fluid is improved, and the amount of the processing fluid used can be reduced. Processing productivity can be improved. Further, since the light source is disposed along the guide plate near the surface of the guide plate, the processing fluid containing ozone can be efficiently excited.

[実施例] 第1図は、本発明の一実施例である処理装置の要部を
示す説明図である。
[Embodiment] FIG. 1 is an explanatory diagram showing a main part of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

本実施例においては、処理装置がフォトレジスト除去
装置として構成されている。
In the present embodiment, the processing device is configured as a photoresist removing device.

本体1の底部には、載置台2がほぼ水平に設けられ、
この載置台2の上には、たとえば表面にフォトレジスト
などが被着された半導体ウエハなどの被処理物3が着脱
自在に位置されている。
At the bottom of the main body 1, a mounting table 2 is provided substantially horizontally,
An object 3 such as a semiconductor wafer having a surface coated with a photoresist or the like is detachably positioned on the mounting table 2.

この載置台2は、水平面内において回転自在にされて
おり、載置される被処理物3が所定の速度で回転される
ように構成されている。
The mounting table 2 is rotatable in a horizontal plane, and is configured so that the object 3 to be mounted is rotated at a predetermined speed.

また、載置台2の内部には図示しないヒータが設けら
れ、被処理物3が所定の温度に加熱される構造とされて
いる。
Further, a heater (not shown) is provided inside the mounting table 2 so that the processing target 3 is heated to a predetermined temperature.

この場合、載置台2の上方近傍には、たとえば、合成
石英ガラスなどからなる透明な案内板4が、被処理物3
を介して載置台2に対向して配設され、載置台2の上に
位置される被処理物3との間に、比較的小さな間隙の流
路5が形成される構造とされている。この案内板4によ
って処理容器である本体1内には、図示するように、光
源室としての空間Aと、載置台2が設けられた処理室と
しての空間とに区分されている。
In this case, a transparent guide plate 4 made of, for example, synthetic quartz glass or the like is provided near the upper portion of the mounting table 2.
The flow path 5 having a relatively small gap is formed between the processing object 3 and the processing object 3 located on the mounting table 2. The guide plate 4 divides the inside of the main body 1 as a processing container into a space A as a light source room and a space as a processing room in which the mounting table 2 is provided, as shown in the drawing.

載置台2は、図示しない変位機構により、前記案内板
4に対して相対的に変位自在に構成されており、前記流
路5の間隙が所望の値に調整可能にされている。
The mounting table 2 is configured to be relatively displaceable with respect to the guide plate 4 by a displacement mechanism (not shown), and the gap of the flow path 5 can be adjusted to a desired value.

案内板4において、被処理物3の回転中心から偏心し
た位置には、ノズル6が貫通して開口されており、たと
えば、酸素とオゾンとの混合気体などからなる処理流体
7が流路5に層流をなして供給されるように構成されて
いる。
In the guide plate 4, a nozzle 6 penetrates and opens at a position eccentric from the rotation center of the workpiece 3, and a processing fluid 7 made of a mixed gas of oxygen and ozone, for example, flows through the flow path 5. It is configured to be supplied in a laminar flow.

案内板4の上面近傍には、たとえば、案内板4の表面
に沿って屈曲して配設される低圧水銀ランプなどからな
る複数の光源8が設けられており、処理流体7を構成す
る酸素およびオゾンなどを励起させる所定の波長域の紫
外線などが、案内板4を透過して被処理物3の表面に照
射される構造とされている。
In the vicinity of the upper surface of the guide plate 4, for example, a plurality of light sources 8 such as a low-pressure mercury lamp which is disposed to bend along the surface of the guide plate 4 are provided. The structure is such that ultraviolet rays or the like in a predetermined wavelength range for exciting ozone or the like are transmitted through the guide plate 4 and irradiated on the surface of the workpiece 3.

本体1の底部側面には、複数の排気口9が設けられ、
本体1の内部において、案内板4と本体1の底面との間
の空間が排気されるように構成されている。
A plurality of exhaust ports 9 are provided on the bottom side surface of the main body 1,
Inside the main body 1, the space between the guide plate 4 and the bottom surface of the main body 1 is configured to be exhausted.

また、光源8が位置される案内板4の上部の空間Aに
は、たとえば窒素ガス雰囲気つまり酸素を含まない雰囲
気にされており、光源8から放射され、案内板4を透過
して被処理物3の表面に照射される所定の波長域の紫外
線などが光源8と案内板4との間に存在する大気を通過
する間に、大気中の酸素に吸収されて減衰することが防
止されている。
The space A above the guide plate 4 where the light source 8 is located is, for example, a nitrogen gas atmosphere, that is, an atmosphere containing no oxygen, and is radiated from the light source 8 and transmitted through the guide plate 4 to be processed. While the ultraviolet light in a predetermined wavelength range applied to the surface of the light source 3 passes through the air existing between the light source 8 and the guide plate 4, it is prevented from being absorbed and attenuated by oxygen in the air. .

以下、本実施例の作用について説明する。 Hereinafter, the operation of the present embodiment will be described.

始めに、載置台2は上方の案内板4との間隙が比較的
大きくなるように降下され、本体1の図示しない出入口
を通じて、半導体ウエハなどの被処理物3が載置された
後に上昇され、載置台2の上に位置される被処理物3と
案内板4との間には、被処理物3の全面にわたって比較
的幅の狭い流路5が構成される。
First, the mounting table 2 is lowered so that the gap between the mounting table 2 and the upper guide plate 4 is relatively large. The mounting table 2 is lifted after the workpiece 3 such as a semiconductor wafer is mounted through an entrance (not shown) of the main body 1. A relatively narrow flow path 5 is formed over the entire surface of the workpiece 3 between the workpiece 3 located on the mounting table 2 and the guide plate 4.

その後、載置台2の上に位置された被処理物3は、該
載置台2に設けられた図示しないヒータによって所定の
温度に加熱されるとともに、被処理物3は載置台2とと
もに回転される。
Thereafter, the processing target 3 located on the mounting table 2 is heated to a predetermined temperature by a heater (not shown) provided on the mounting table 2, and the processing target 3 is rotated together with the mounting table 2. .

さらに、被処理物3と案内板4とで構成される流路5
には、ノズル6を通じて、酸素とオゾンとの混合気体な
どからなる処理流体7が供給され、流路5には、被処理
物3の全面にわたって処理流体7が層流をなして流通さ
れるとともに、光源8からは所定の波長域の紫外線が案
内板4を透過して被処理物3の表面に照射される。
Further, a flow path 5 composed of the workpiece 3 and the guide plate 4
, A processing fluid 7 composed of a mixed gas of oxygen and ozone or the like is supplied through a nozzle 6, and the processing fluid 7 flows through the flow path 5 in a laminar flow over the entire surface of the workpiece 3. Ultraviolet rays in a predetermined wavelength range from the light source 8 pass through the guide plate 4 and irradiate the surface of the workpiece 3.

そして、半導体ウエハなどの被処理物3の表面に被着
されている有機物などからなるフォトレジストなどが、
紫外線によって励起される処理流体7を構成する酸素や
オゾンの解離によって生成される発生期の酸素などによ
って酸化され、炭酸ガスや水蒸気などとなって気化され
て除去され、排気口9から外部に排除される。
Then, a photoresist or the like made of an organic substance or the like adhered to the surface of the workpiece 3 such as a semiconductor wafer,
It is oxidized by oxygen constituting the processing fluid 7 excited by ultraviolet rays or nascent oxygen generated by dissociation of ozone, and is vaporized and removed as carbon dioxide gas or water vapor, and is removed from the exhaust port 9 to the outside. Is done.

ここで、上記のフォトレジストの酸化除去処理では、
処理流体7を構成する酸素やオゾンが解離して生成され
る比較的寿命の短い発生期の酸素が被処理物3の表面近
傍に効率良く供給されることがフォトレジストなどの除
去速度などを向上させる観点から重要となるが、本実施
例においては、案内板4によって被処理物3と該案内板
4との間に、処理流体7が流通される比較的狭い流路5
が構成されているため、流路5を流通される酸素やオゾ
ンなどからなる処理流体7や、光源8からの紫外線によ
って励起されて生成される発生期の酸素などが、被処理
物3の表面に効率良く供給され、半導体ウエハなどの被
処理物3の表面に付着したフォトレジストなどが比較的
短時間の内に酸化除去される。
Here, in the above-mentioned oxidation removal treatment of the photoresist,
Efficient supply of relatively short-lived nascent oxygen generated by dissociation of oxygen and ozone constituting the processing fluid 7 to the vicinity of the surface of the workpiece 3 improves the removal rate of the photoresist and the like. In this embodiment, it is important from the viewpoint that the processing fluid 7 flows through the guide plate 4 between the workpiece 3 and the guide plate 4.
Is formed, the processing fluid 7 composed of oxygen, ozone, and the like flowing through the flow path 5 and the nascent oxygen generated by being excited by ultraviolet rays from the light source 8 are generated on the surface of the workpiece 3. Is efficiently supplied, and the photoresist and the like attached to the surface of the workpiece 3 such as a semiconductor wafer are oxidized and removed within a relatively short time.

また、案内板4が設けられていることにより、処理流
体7が、目的の被処理物3の表面近傍に集中的に供給さ
れ、外部に散逸することがなく、処理流体7の使用量を
低減することができる。
In addition, since the guide plate 4 is provided, the processing fluid 7 is intensively supplied to the vicinity of the surface of the target workpiece 3, and is not scattered to the outside, so that the usage amount of the processing fluid 7 is reduced. can do.

このように本実施例においては、以下の効果を得るこ
とができる。
As described above, in the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1).半導体ウエハなどの被処理物3が位置される載
置台2の近傍に、該被処理物3の表面に沿って透明な案
内板4が配設され、被処理物3の表面と案内板4との間
に処理流体7が層流をなして流通される比較的狭い流路
5が構成されるとともに、処理流体7を供給するノズル
6が、被処理物3の回転中心から偏心した位置において
案内板4を貫通して開口される構造であるため、処理流
体7を構成する酸素やオゾンなどが、透明な案内板4を
透過して照射される所定の波長域の紫外線などによって
解離されて生成される発生期の酸素が、半導体ウエハな
どの被処理物3の表面に効率良く供給され、被処理物3
の表面に付着したフォトレジストの酸化除去が迅速に行
われるとともに、処理流体7が被処理物3の表面に集中
的に供給され、外部に散逸することがなく、処理流体7
の使用量が低減される結果、半導体ウエハなどの被処理
物3の表面に付着したフォトレジストなどの除去作業に
おける生産性が向上される。
(1). A transparent guide plate 4 is provided along the surface of the workpiece 3 near the mounting table 2 on which the workpiece 3 such as a semiconductor wafer is located. A relatively narrow channel 5 through which the processing fluid 7 flows in a laminar flow is formed, and a nozzle 6 for supplying the processing fluid 7 is guided at a position eccentric from the rotation center of the workpiece 3. Since the structure is opened through the plate 4, oxygen, ozone, and the like constituting the processing fluid 7 are generated by being dissociated by ultraviolet rays in a predetermined wavelength range transmitted through the transparent guide plate 4 and irradiated. The generated nascent oxygen is efficiently supplied to the surface of the workpiece 3 such as a semiconductor wafer,
Of the photoresist adhering to the surface of the workpiece 3 is rapidly oxidized, and the processing fluid 7 is intensively supplied to the surface of the processing object 3 without dissipating to the outside.
As a result, the productivity in the work of removing photoresist and the like attached to the surface of the workpiece 3 such as a semiconductor wafer is improved.

(2).前記(1)の結果、単位時間当たりに処理され
る半導体ウエハなどの被処理物3の数量を増加させるこ
とが可能となり、実際の半導体装置の製造ラインに組み
込むことができる。
(2). As a result of the above (1), it is possible to increase the number of objects 3 to be processed such as semiconductor wafers processed per unit time, and it is possible to incorporate them into an actual semiconductor device manufacturing line.

(3).前記(1)の結果、必要以上に大きなオゾン製
造設備を設ける必要がなく、装置の低価格化および小形
化が可能となる。
(3). As a result of the above (1), there is no need to provide an unnecessarily large ozone production facility, and it is possible to reduce the cost and size of the apparatus.

(4).前記(1)の結果、ノズル6が被処理物3の回
転中心から偏心した位置に開口されていることにより、
たとえば、ノズル6の開口部の中心部に対応する被処理
物3の表面に処理流体7の乱流などか形成されることに
起因して、被処理物3の表面に付着したフォトレジスト
の除去むらが生じることが回避され、被処理物3の表面
におけるフォトレジスト除去処理を均一に行うことがで
きる。
(4). As a result of the above (1), since the nozzle 6 is opened at a position eccentric from the rotation center of the workpiece 3,
For example, removal of the photoresist adhering to the surface of the processing object 3 due to the formation of turbulent flow of the processing fluid 7 on the surface of the processing object 3 corresponding to the center of the opening of the nozzle 6 The occurrence of unevenness is avoided, and the photoresist removal processing on the surface of the workpiece 3 can be performed uniformly.

(5).本体1の内部において光源8が位置される空間
Aが窒素ガス雰囲気にされていることにより、たとえば
空間Aが通常の大気である場合に比較して、低圧水銀ラ
ンプなどの光源8から放射される所定の波長域の紫外線
が案内板4に到達する間に大気中の酸素に吸収されて減
衰することが回避され、被処理物3の表面により大きな
照度の所定の波長域の紫外線を照射することが可能とな
る。
(5). Since the space A in which the light source 8 is located inside the main body 1 is in a nitrogen gas atmosphere, the light is radiated from the light source 8 such as a low-pressure mercury lamp, for example, as compared with the case where the space A is the normal atmosphere. Irradiation of ultraviolet light in a predetermined wavelength range with a higher illuminance to the surface of the workpiece 3 is prevented from being absorbed and attenuated by oxygen in the atmosphere while the ultraviolet light in a predetermined wavelength range reaches the guide plate 4. Becomes possible.

(6).載置台2を案内板4に対して相対的に変位させ
ることにより、案内板4と被処理物3との間隙を変化さ
せることができ、被処理物3に付着されたフォトレジス
トの種類や処理流体7の組成などに応じて最適な幅の流
路5を構成することができるとともに、載置台2に対す
る被処理物3の着脱作業を容易に行うことができる。
(6). By displacing the mounting table 2 relative to the guide plate 4, the gap between the guide plate 4 and the workpiece 3 can be changed, and the type and processing of the photoresist attached to the workpiece 3 can be changed. The flow path 5 having an optimum width can be configured according to the composition of the fluid 7 and the like, and the work of attaching and detaching the workpiece 3 to and from the mounting table 2 can be easily performed.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、ノズルを被
処理物の表面に対して傾斜させてもよく、さらに、案内
板の内部に光源が埋設される構造であってもよい。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Nor. For example, the nozzle may be inclined with respect to the surface of the workpiece, and the light source may be embedded inside the guide plate.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である半導体ウエハのフ
ォトレジスト除去処理に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、被処理物に対して
処理流体を効率よく供給することが必要とされる技術な
どに広く適用できる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the photoresist removal processing of a semiconductor wafer, which is the application field as the background, has been described. However, the present invention is not limited to this. On the other hand, the present invention can be widely applied to technologies that require efficient supply of a processing fluid.

[発明の効果] 本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
[Effects of the Invention] The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、光源は案内板の表面近傍に案内板の表面に
沿って配設されているので、オゾンを含む処理流体を効
率良く励起させることができる。また、ノズルを光源を
貫通して設け被処理物の表面に向けて開口させることに
より、処理流体を確実に隙間の中に供給することがで
き、この場合に排気口をノズルの開口部の側方に設ける
と、処理流体を被処理物の表面に均一に案内することが
できる。このようにして、処理流体が被処理物に対して
効率良く供給され、処理流体による被処理物に対する処
理の速度が向上されるとともに、処理流体の使用量を低
減することが可能となり、処理の生産性を向上させるこ
とができる。
That is, since the light source is disposed near the surface of the guide plate along the surface of the guide plate, the processing fluid containing ozone can be efficiently excited. Further, by providing the nozzle through the light source and opening the nozzle toward the surface of the object to be processed, the processing fluid can be reliably supplied into the gap. In this case, the exhaust port is located on the side of the opening of the nozzle. In this case, the processing fluid can be uniformly guided to the surface of the workpiece. In this way, the processing fluid is efficiently supplied to the object to be processed, the speed of processing the object by the processing fluid is improved, and the amount of the processing fluid used can be reduced. Productivity can be improved.

また、光源室を窒素ガス雰囲気のように酸素を含まな
い雰囲気とすることにより、光源からの光は酸素に吸収
されることに起因する減衰を起こすことなく、高品質の
処理を行うことができる。
In addition, by setting the light source chamber to an atmosphere containing no oxygen such as a nitrogen gas atmosphere, high-quality treatment can be performed without causing attenuation due to absorption of light from the light source by oxygen. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は、本発明の一実施例である処理装置の要部を示
す説明図である。 1……本体、2……載置台、3……被処理物、4……案
内板、5……流路、6……ノズル、7……処理流体、8
……光源、9……排気口。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a main part of a processing apparatus according to one embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Body, 2 ... Mounting table, 3 ... Workpiece, 4 ... Guide plate, 5 ... Flow path, 6 ... Nozzle, 7 ... Processing fluid, 8
… Light source, 9… exhaust port.

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】処理容器と、 前記処理容器内に設けられ、被処理物を支持する台と、 前記被処理物の表面との間に所定の隙間の流路を構成す
る案内板と、 オゾン発生源と、 前記オゾン発生源から発生したオゾンを含む処理流体を
前記流路に供給するノズルと、 前記案内板の表面近傍に前記案内板の表面に沿って配設
され、前記処理流体を励起させる光を前記案内板を介し
て前記被処理物の表面に照射する光源とを有し、 前記ノズルが前記光源を貫通して設けられ、前記被処理
物の表面に向けて開口していることを特徴とする処理装
置。
1. A processing container, a table provided in the processing container and supporting an object to be processed, a guide plate forming a flow path with a predetermined gap between the surface of the object to be processed, and ozone. A generation source; a nozzle for supplying a processing fluid containing ozone generated from the ozone generation source to the flow path; and a nozzle disposed near the surface of the guide plate along the surface of the guide plate to excite the processing fluid. A light source for irradiating the surface of the object to be processed with light to be caused to pass through the guide plate, wherein the nozzle is provided to penetrate the light source and opens toward the surface of the object to be processed. A processing device characterized by the above-mentioned.
【請求項2】特許請求の範囲第1項記載の処理装置であ
って、前記光源は前記案内板により区画形成された光源
室の下部に設けられ、前記光源室が酸素を含まない雰囲
気であることを特徴とする処理装置。
2. The processing apparatus according to claim 1, wherein the light source is provided below a light source chamber defined by the guide plate, and the light source chamber has an oxygen-free atmosphere. A processing device characterized by the above-mentioned.
【請求項3】特許請求の範囲第1項記載の処理装置にあ
って、前記光源は複数個設けられたランプであることを
特徴とする処理装置。
3. The processing apparatus according to claim 1, wherein said light source is a plurality of lamps.
【請求項4】特許請求の範囲第1項記載の処理装置であ
って、前記流路に供給された処理流体を排気する排気口
を前記ノズルの開口部の両側方に設けたことを特徴とす
る処理装置。
4. The processing apparatus according to claim 1, wherein exhaust ports for exhausting the processing fluid supplied to the flow path are provided on both sides of the opening of the nozzle. Processing equipment.
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