JP2580651B2

JP2580651B2 - 投影露光装置及び露光方法

Info

Publication number: JP2580651B2
Application number: JP62321019A
Authority: JP
Inventors: 三郎神谷; 昭一谷元
Original assignee: Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1987-12-18
Filing date: 1987-12-18
Publication date: 1997-02-12
Anticipated expiration: 2012-02-12
Also published as: JPH01161832A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は半導体IC、液晶ディスプレイ、又はフォトマ
スク等の作製用のステップアンドリピート方式の投影露
光装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来よりこの種の装置では、ウェハの焼付け位置（露
光位置）でフォーカスを検出し、投影光学系の光軸方向
のＺ方向（垂直位置）を制御するオートフォーカス機構
が必須のものである。最近では、投影レンズの高解像化
のために焦点深度が浅くなり、ウェハ面の凹凸、傾斜に
よる露光領域内での解像、線幅の均一性の低下が問題に
なってきた。このため、露光位置ごとに、ウェハの水平
位置を検出制御する機構（オートレベリングと一般に称
される）が提案されている。例えば、水平位置検出装置
としては特開昭58−113706号公報に開示されているよう
に、斜入射方式のコリメータ型のレベリング検出系と斜
入射方式の焦点検出系とを一体に組み合わせたものが知
られている。

ところで、近年、より高集積度のICを製造するために
露光光源の波長を短波長化し、高解像を達成しようとす
る傾向がある。例えば、光源としてKrFエキシマレーザ
ー（波長λ＝248.5nm）を用いることが考えられてい
る。このKrFエキシマレーザーを用いた投影露光装置の
場合、非露光光によるTTL（Through The Lens）のアラ
イメント（位置合わせ）はこの波長に近い適当な光源の
ないことから色収差を補正したアライメント光学系を実
現するのは実際上困難である。またエキシマレーザー光
自体を用いてアライメントをするにしても、レジストが
露光されること、またエキシマレーザー自体がパルス光
源で、パルスごとの出力のばらつきが大きく精度上問題
のあることなどから解決しなければならない点が多い。
このようなことから、DUV（遠紫外）光源を用いた投影
露光装置においては、投影レンズから一定間隔だけ離し
て配置され、専らウェハ上のアライメントマークを検出
する顕微鏡を用いたoff−Axis型のアライメントが有効
である。

off−Axis型のウェハマーク検出光学系であれば、露
光波長や検出方法に関する制約はほとんど無くなり高い
再現性のアライメントが期待できるからである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来のoff−Axis型のアライメント装
置を有した投影露光装置に於いては、露光位置（投影レ
ンズの視野領域）のみでオートフォーカス及びオートレ
ベリングを行う機構になっているため、ウェハ表面の凹
凸によってoff−Axis型のウェハマーク検出光学系では
焦点外れを起こしたり、またウェハ上の位置合わせマー
クの位置を検出したのち、露光位置までウェハの各露光
領域（局所的なショット領域）を移動し、オートレベリ
ングを行って露光するため、レベリング動作に伴う水平
方向の位置ずれによって、位置合わせ精度の劣化をきた
すという問題点があった。

本発明はこの様な従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、マーク検出光学系に対する焦点外れや、ウェハ位置
検出後レベリングを行うことによる位置合わせ精度の低
下を最小にすることを目的とする。

〔問題点を解決する為の手段〕

上記問題点の解決の為に本発明ではオートフォーカー
ス又はオートレベリング機構をoff−Axis型のマーク検
出装置にも付随して設け、マーク検出位置でも、オート
フォーカス及びオートレベリングが可能となるようにし
た。

〔作用〕

まず、オートフォーカス機構をoff−Axis型のウェハ
マーク検出装置に設けることによる作用は、言うまでも
なく、ウェハの表面の凹凸による検出装置に対するウェ
ハの焦点外れを防ぐことにある。これによって検出装置
固有の焦点外れに伴う精度低下を無くし、またマーク検
出装置の光軸と投影レンズの光軸の平行ずれ（いわゆる
テレセンずれ）がある場合、焦点外れに伴って生ずるウ
ェハの位置合せマークの位置計測誤差を無くすという作
用がある。

次にオートレベリング機構をoff−Axis型のウェハマ
ーク検出装置に付けることによる作用を説明する。ここ
で重ね合わせ露光を行おうとするウェハに形成された前
段階の層の各露光領域の位置（ショット座標）を
（x_i ^L、y_i ^L）（ｉ＝１、２…Ｎ）とする。肩のＬの添字
は前段階の層の露光においても各露光領域ごとにレベリ
ングを動作させて焼き付けされたことを表わす。同様に
前層でレベリングを動作させずに焼き付けされた場合の
各露光領域の位置を（x_i、y_i）（ｉ＝１、２…、Ｎ）と
すると、座標（x_i ^L、y_i ^L）と座標（x_i、y_i）とはレベリ
ング作動による位置ずれ誤差のため異なる。off−Axis
型のアライメントは、通常、ウェハの数ケ所の露光領域
に付随したマークの位置を計測し、その数値を元にして
他の露光領域の配列位置を補間計算してもとめ、その数
値だけステージを順次移動させ露光位置で露光を行う。
ステージはもちろんレーザ干渉計によって精密にその位
置がモニターされる。いま、この計測された露光領域の
位置をレベリングをかけた状態では（X_j ^L、Y_j ^L）、レベ
リングをかけない状態では（X_j、Y_j）とする。一般に各
層ごとの露光工程は別の露光装置で行なわれるのが普通
であるが、ウェハのホルダー上面の凹凸はほとんど無視
できるほど小さいので、ｉ＝ｊではX_i ^L＝x_i ^L、Y_i ^L＝y_i ^L
であり、X_i≠x_i ^L、Y_i≠y_i ^Lである。いま、（x_i ^L、y_i ^L）
を補間計算するのであるから、（X_j ^L、Y_j ^L）から
（x_i ^L、y_i ^L）をもとめる方が（X_j、Y_j）から（x_i ^L、
y_i ^L）をもとめることより精度が良い。したがって、レ
ベリングを動作させてから位置計測を行った方が、高い
位置合わせ精度を期待できる。

このことはもちろん、ウェハ上の各計測位置でウェハ
マークの位置計測を行うたびにその計測マークを露光位
置に移動させてレベリングを動作させ、その後off−Axi
s型のマーク検出装置でその計測マークの位置計測を行
えばよいが、これでは非常に時間がかかり、スループッ
トが低下するという欠点がある。この点、off−Axis型
のウェハマーク検出装置にレベリング機構を付けておけ
ばこのような不都合はない。

〔実施例〕

第１図は本発明の実施例による投影露光装置の全体構
成を示す図である。均一な照度分布の露光用証明光ILは
回路パターン等を有するレチクルＲを照射し、このレチ
クルＲはレチクルホルダーRHによって水平に保持され
る。投影レンズPLはレチクルＲのパターンをウェハＷ上
の局所領域、すなわち１回で露光されるべきショット領
域に投影する。投影レンズPLは本実施例の場合、レチク
ル側とウェハ側の結像の主光線がともに光軸AX₁と平行
になるように設計されている。ウェハＷの表面にはレジ
スト層がコーティングされ、露光時にはウェハＷの表面
と投影レンズPLによるパターン像の最良結像面とはほぼ
一致するように配置される。

さてウェハＷは真空吸着によりウェハホルダーWH上に
固定され、所望の平面性が保たれるように平坦化矯正さ
れる。ウエハホルダーWHは水平方向のずれを最小にする
条件で任意の方向に傾斜可能なレベリングステージLSに
保持される。レベリングステージLSは光軸AX₁の方向に
上下動するＺステージZS上に設けられ、ＺステージZSに
固定された最低２ケ所のレベリング駆動部10a、10bと１
ケ所の固定点とによって任意方向に傾斜する。Ｚステー
ジZSは、ステップアンドリピート、又はアライメントの
ためにXY方向に２次元移動するステージXYSの上に、Ｚ
方向駆動機構12を介して設けられる。ＺステージZSのス
テージXYSに対する上下運動はモータ14によって行なわ
れ、ステージXYSの２次元移動はベースに固定されたXY
モータ16により行なわれる。

ＺステージZSの２辺（第１図では１辺のみ）には互い
にXY平面内で直交する反射面を有する移動鏡18が固定さ
れ、この移動鏡18にはレーザ干渉計20からのレーザビー
ムが垂直に照射される。この干渉計20のレーザビームの
中心線は、ウェハＷの表面とほぼ同一面内（厳密には投
影レンズPLの最良結像面）に位置するように定められ
る。従って干渉計20は移動鏡18の反射面までの距離を0.
01〜0.02μｍ程度の分解能で計測することによって、ス
テージXYSの現在位置（座標値）を逐次検出する。また
ＺステージZS上の一ケ所には、投影レンズPLの有効視野
領域（例えば20mmφ）程度の大きさを持つ基準反射板FP
が固定されている。この基準反射板FPの表面にはクロム
等が均一に蒸着され、一定の面精度に保たれている。
尚、反射板FPの表面には各種アライメントのための基準
ともなるフィデューシャルマーク（例えばウェハ上のマ
ークと相似形）が形成されている。

さて、投影レンズPLのウェハＷ上の視野領域内には、
オートフォーカス及びオートレベリング用の送光系22か
らの照明光（非露光波長）が斜めに照射され、その反射
光は受光系24に入射する。これら送光系22と受光系24の
構成は特開昭58−113706号公報に詳しく開示されている
ので、ここでは具体的な説明を省略するが、オートフォ
ーカス用の照明光はウェハＷにスリット像を投影するよ
うな結像光束であって、ウェハＷの表面が投影レンズPL
の最良結像面と一致したとき、受光系24は合焦を表わす
フォーカス信号F_sg1を出力する。フォーカス信号F
_sg1は、上記合焦状態から所定量だけ前後にデフォーカ
スした状態では、そのデフォーカス方向及び量に応じた
出力電圧（所謂Ｓカーブ電圧）となる。さらに、送光系
22からのオートレベリング用の照明光はウェハＷ上の１
ショット分の露光領域を含む大きさで、ウェハＷに平行
光束を斜めに照射し、受光系24は、その露光領域表面の
平均的な面と、投影レンズPLの最良結像面との相対的な
傾き方向と量とに関するレベリング信号L_sg1を出力す
る。

また投影レンズPLの光軸AX₁から所定間隔だけ離れた
位置には、ウエハＷ上のアライメント用マーク、又はフ
ィデューシャルマークを検出するためのウェハアライメ
ント系（マーク検出光学系）WGAが配置される。アライ
メント系WGAには、非露光波長の照明光（白色光等）26
をウェハＷ（又は反射板FP）に向けて照射するととも
に、ウェハＷ（又は反射板FP）からの反射光を入射する
テレセントリックな対物レンズ28と、ウェハＷのマーク
（又はフィディシャルマーク）からの反射光を光電検出
する光電受光器30とが設けられている。さらに光電受光
器30には、アライメントの際の基準となる指標マーク30
aが内蔵されている。本実施例では指標マーク30aとウェ
ハＷ上のマークとの整合状態を検出するようにするが、
照明光26が対物レンズ28の光軸AX₂に沿ってウェハＷ上
に静止したスポット光（又はスリット状のシートビー
ム）を投射するレーザ光束の場合は、そのスポット光自
体が指標となるため、指標マーク30aは不要である。そ
して光電受光器30は指標マーク30aとウェハマークとの
ずれ量に応じたアライメント信号A_sg1を出力する。また
指標マーク30aのない方式の場合、光電受光器30はスポ
ット光（又はシートビーム）に対してウェハＷをＸ、又
はＹ方向に走査して得られるマークのプロフィールを情
報に対応した波形のアライメント信号A_sg1を出力し、そ
の波形と干渉計20によるステージ位置計測値とに基づい
てマークのスポット光に対する位置すなわち、投影レン
ズPLの光軸AX₁に対する位置が計測される。

さて、このウェハアライメント系WGAによるウェハ表
面の観測時にも、ウェハＷのオートフォーカス及びオー
トレベリングを働かせるために、送光系32、受光系34が
設けられる。送光系32、受光系34は上述の送光系22、受
光系24と全く同じ構成のものでよい。そして受光系34は
受光系24と同様に、投影レンズPLの最良結像面とウェハ
Ｗ（又は反射板FP）の表面との光軸AX₂方向の相対的な
ずれに応じたフォーカス信号F_sg2と、最良結像面とウェ
ハＷ（反射板FP）の表面との相対的な傾き方向と量とに
関するレベリング信号L_sg2とを出力する。尚、対物レン
ズ28の最良結像面と投影レンズPLの最良結像面（レチク
ルＲとの共役面）とは極力一致するように作られてい
る。

上記、フォーカス信号F_sg1、F_sg2、レベリング信号L
_sg1、L_sg2の各々は、セレクター回路40を介して主制御
系42に入力する。セレクター回路40はどちらの検出系に
よってオートフォーカス及びレベリングを行なうかを選
択するもので、選択された一方のフォーカス信号F_sg0、
レベリング信号L_sg0を出力する。主制御系42はセレクタ
ー回路40に切替え信号SSを出力する。この切替えは装置
のシーケンスによって大別され、ウェハアライメント系
WGAによって各種マークが検出されるときは信号F_sg2、L
_sg2が信号F_sg0、L_sg0として選択され、ウェハＷへの露
光動作のときは信号F_sg1、L_sg2が選択される。主制御系
42は選択されたフォーカス信号F_sg0に基づいて、モータ
14を駆動する信号DS_zを出力し、ウェハＷ（又は反射板F
P）の表面の高さ位置を調整し、さらに選択されたレベ
リング信号L_sg0に基づいて駆動源10a、10bを駆動する信
号DS_a、DS_bを出力し、ウェハＷの表面の傾きを調整す
る。また主制御系42は干渉計20からの計測値の入力、XY
モータ16への駆動信号の出力、及びアライメント信号A
_sg1の入力も行ない、装置を統括的に制御する。

次に本実施例の動作を第２図を参照して説明する。第
２図は投影レンズPLとウェハアライメント系WGAの対物
レンズ28との平面的な配置関係を示し、さらにアライメ
ント時と露光時とにおけるウェハＷとの位置関係を示
す。また第２図中のウェハＷには代表して４つのショッ
ト領域SAが示してある。また各ショット領域SAの夫々に
付随したスクライブ線領域（幅50〜100μｍ程度）には
アライメントマークWM₁、WM₂が設けられている。さて、
ウェハアライメント系WGAの光軸AX₂、すなわち指標マー
ク30aとレチクルＲのパターン投影像の中心との距離は
予め正確に求められているものとすると、主制御系42は
第１図のように、まず反射板FPをアライメント系WGAの
下に移動させる。ここで主制御系42は受光系34により検
出された反射板FPの表面の傾き方向と量とを、信号L_sg2
に基づいて記憶する。次に反射板FPを投影レンズPLの下
に移動させ、ここで同様に主制御系42は受光系24により
検出された反射板FPの傾き方向と量とを信号L_sg1に基づ
いて記憶する。この動作により、２つのレベリングセン
サーの相対的な検出オフセットが求められ、キャリブレ
ーションが行なわれる。

具体的には、２つのレベリングセンサー（受光系34と
受光系34）で検出する共通の反射板FPが同一の基準面と
して検出されることが望まれる。そこで２つのレベリン
グセンサーのうちの少なくとも一方、例えば受光系34、
送光系32の組みの一部の光路中に平行平板ガラス等を設
け、この平行平板ガラスの光路に対する角度を変えるこ
とによって、受光系34が傾き零として検出する仮想平面
を等価的に傾けるようにする。そして先に検出した相対
的な検出オフセットが零になるように平行平板ガラスの
角度を調整する。この操作により２つのレベリングセン
サー間の較正が行なわれる。このようにレベリングセン
サーの光路中に平行平板ガラスを入れて仮想的な基準面
の傾きを調整する方式は、例えば特開昭62−58624号に
開示されているものをそのまま利用することができる。

また、平行平板ガラスによるレベリングオフセット調
整機構は受光系24、送光系22の組み合わせの方に設けて
おいてもよい。また第１図に示した反射板FPがレベリン
グステージLSの一部に設けられている場合は、まず初め
に受光系24からの信号L_sg1を用いて、その反射板FPが仮
想的な基準面と平行になるようにレベリングステージLS
の傾きを調整し、その傾きで固定しておく。次にその反
射板FPを受光系34で検出し、信号L_sg2に基づいて平行平
板ガラスの角度をモータ駆動によりサーボ制御する。す
なわち傾きを固定された反射板FPを受光系34が傾き零と
して検出するように平行平板ガラスの角度を補正する。
これによって２つのレベリングセンサー間での相対的な
検出オフセットは零に較正される。

次に重ね合わせ露光すべきウェハＷをウェハアライメ
ント系WGAの下に移動させ、第２図中の左側に示すよう
にマーク検出動作を行なう。第２図では１つのショット
領域SAの上辺に付随したマークWM₁をアライメント系WGA
の指標マーク30aで検出しているところを示してある。
主制御系42はアライメント信号A_sg1と干渉計20からの計
測値とに基づいて、指標マーク30aとマークWM₁とが一致
するようなマーク位置（座標値）を検出して記憶する。
ウェハＷ上の他のマークWM₂の位置についても同様に検
出して記憶する。以上のマーク検出動作をウェハＷ上の
複数のショット領域の夫々についてステージXYSを移動
させて同様に実行し、複数のマーク位置情報を得る。さ
て、このようにウェハＷ上のマークMW₁、MW₂を検出する
際、主制御系42はセレクタ回路40が信号F_sg2、L_sg2を選
択するように切り替える。従って主制御系42は選択され
た信号F_sg2に応答してモータ14をサーボ制御し、ウェハ
Ｗのマークを含む局所領域の表面が対物レンズ28の最良
結像面（もしくは指標マーク30a）と光学的に一致する
ようにＺステージZSの高さを逐次調整する。同時に主制
御系42は選択された信号L_sg2に応答して駆動源10a、10b
をサーボ制御し、等価的な投影レンズPLの最良結像面と
ウェハ上のマークを含む局所領域の表面とが光学的に平
行になるようにレベリングステージLSの傾きを逐次調整
する。

尚、主制御系42は、上記フォーカス信号F_sg2、レベリ
ング信号L_sg2に応答してオートフォーカスとレベリング
が正しくサーボロックされたことを確認してから、上記
アライメント信号A_sg1に基づくマーク位置検出を行な
う。

次に主制御系42は計測された複数のマーク位置情報に
基づいてウェハＷ上の各ショット域SAの中心点の配列の
規則性を統計的な演算手法により求め、露光時に位置結
めすべきステージXYSの座標値（ショットアドレス）を
求める。

そして主制御系42は、ウェハＷを第２図中の右側に示
すように投影レンズPLの下に移動させ、各ショット領域
SA毎にレチクルＲのパターンの重ね合わせ露光を行な
う。この際、主制御系42はセレクタ回路40を切り替えて
フォーカス信号F_sg1、レベリング信号L_sg1を選択する。
これによってＺステージZSの高さ位置は主制御系42を介
して信号F_sg1に応答したモータ14によりサーボ制御さ
れ、レベリングステージLSの傾きは信号L_sg1に応答した
駆動源10a、10bによりサーボ制御される。これにより、
各ショット領域毎に投影レンズPLの最良結像面とウェハ
表面との平行出し及び一致が行なわれ、最適な像質と位
置合わせ精度とが得られる。このように、オフ・アクシ
ス方式でマーク検出を行なう際に、ウェハ表面を投影レ
ンズPLの最良結像面と平行にしておくことで、極めて高
精度のアライメントが達成できる。

以上本実施例においては、各フォーカスセンサーやレ
ベリングセンサーは投影レンズPL、又は対物レンズ28を
介して直接、各レンズPL、28の最良結像面とウェハ表面
との位置関係を検出する方式、所謂TTL（スルー・ザ・
レンズ）方式にしても同様の効果が得られる。またフォ
ーカスセンサーやレベリングセンサーはウェハ面に微小
ノズルから一定圧の気体を噴射し、その背圧を検出する
ことによりノズルとウェハ面との間隔を検出する方式、
所謂エア・マイクロメータ方式にしても同様の効果が得
られる。ただしレベリングのためには最低３ケ所に微小
ノズルを設け、各ノズル位置での間隔を平均してウェハ
面とすることが必要である。

また、本実施例のオートフォーカス、及びレベリング
センサーは、ウェハ表面に一方向から斜めに照明光を照
射したが、２つの直交する軸方向の夫々から照射光を入
射し、ウェハ表面の傾き角、又はフォーカス面を両軸方
向で別々に、別個の受光系（２分割センサー、PSD等）
によって検出するようにしてもよい。

さらに本実施例では、off−Axis方式のウェハアライ
メント光学系WGAに設けられた受光系34からのレベリン
グ信号L_sg2とフォーカス信号F_sg2との両方を用いてウェ
ハ表面の姿勢を制御して、マーク検出を行なったが、少
なくともどちらか一方の信号を用いて姿勢制御（Ｚ方向
又はレベリングの一方）を行なえば十分な場合もある。

〔発明の効果〕

以上の様に本発明によれば、off−Axis方式のアライ
メントを行ない、かつ感光体（ウェハ等）のレベリング
を行なう投影露光装置において、スループットの低下を
招くことなく、しかもoff−Axis方式の検出光学系が感
光体表面の凹凸に起因した焦点外れを起すことを防ぐこ
とができる。さらにレベリング動作に伴う位置合わせ精
度の低下を最小限に押えるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例による投影露光装置の構成を
示す図、第２図は投影レンズウェハアライメント光学系
との平面的な配置とウェハの位置関係とを示す平面図で
ある。〔主要部分の符号の説明〕Ｒ……レチクル、 PL……投影レンズ、Ｗ……ウェハ、 LS……レベリングステージ、 ZS……Ｚステージ、 WGA……ウェハアライメント系、 22、32……送光系、 24、34……受光系、 40……セレクタ回路、 42……主制御系。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクのパターンを投影光学系を介して感
光体の局所領域の各々に露光するとともに、前記投影光
学系から所定間隔だけ離して配設されたマーク検出光学
系によって前記感光体に形成された位置合わせ用のマー
クを検出し、前記マスクと前記感光体とを相対的に位置
合わせする投影露光装置において、前記感光体を保持して、該感光体の表面を任意の方向に
傾ける姿勢調整手段と；前記投影光学系の視野領域内に位置した前記感光体表面
と所定の第１基準面との相対的な傾きに関する第１情報
を検出する第１レベリングセンサーと；前記マーク検出光学系の視野領域内に位置した前記感光
体表面と所定の第２基準面との相対的な傾きに関する第
２情報を検出する第２レベリングセンサーと；前記第１情報と前記第２情報のいずれか一方を選択し、
該選択された情報に基づいて前記姿勢調整手段を制御す
る制御手段と；を備えたことを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】前記制御手段は、前記マーク検出光学系が
前記感光体上のマークを検出する際は前記第２情報を選
択し、前記投影光学系を介して前記マスクのパターンを
前記感光体上に露光する際は前記第１情報を選択する情
報切り替え部を有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の装置。
【請求項３】前記第１レベリングセンサーは、前記投影
光学系を介することなく、前記感光体の表面と前記第１
基準面との相対的な傾きを検出する斜入射方式、又は前
記投影光学系を介して、前記感光体の表面と前記第１基
準面との相対的な傾きを検出するスルーザレンズ方式の
いずれか一方で構成されることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の装置。
【請求項４】前記第２レベリングセンサーは、前記マー
ク検出光学系を介することなく、前記感光体の表面と前
記第２基準面との相対的な傾きを検出する斜入射方式、
又は前記マーク検出光学系を介して、前記感光体の表面
と前記第２基準面との相対的な位置関係を検出するスル
ーザレンズ方式のいずれか一方で構成されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の装置。
【請求項５】移動ステージ上に載置された感光基板に投
影光学系を介してマスクのパターンを投影露光するのに
先立って、前記投影光学系から所定間隔だけ離して配置
されたアライメント系を用いて前記感光基板上に形成さ
れたマークを検出し、該検出結果に基づいて前記移動ス
テージを露光位置に移動させる露光方法において、前記移動ステージ上の一部に設けられた基準反射部材の
表面が前記投影光学系の視野領域内に位置するように前
記移動ステージを移動させ、前記基準反射部材の表面と
所定の第１基準面との相対的な位置関係に関する第１情
報を第１のセンサーによって検出する段階と；前記基準反射部材の表面が前記アライメント系の視野領
域内に位置するように前記移動ステージを移動させ、前
記基準反射部材の表面と所定の第２基準面との相対的な
位置関係に関する第２情報を第２のセンサーによって検
出する段階と；前記第１情報と前記第２情報との差に基づいて、前記第
１センサーと第２センサーとの間の相対的な検出オフセ
ットが補正されるように、前記第１センサーと前記第２
センサーの少なくとも一方をキャリブレーションする段
階と；該キャリブレーションの後に、前記アライメント系によ
って前記感光基板上のマークを検出するときは前記第２
のセンサーによって検出される情報に基づいて前記感光
基板の姿勢を調整し、前記投影光学系によって前記感光
基板上にマスクのパターンを露光するときは前記第１の
センサーによって検出される情報に基づいて前記感光基
板の姿勢を調整する段階と；を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項６】前記第１のセンサーは、前記投影光学系を
介することなく、前記基準反射部材の表面もしくは前記
感光基板の表面と所定基準面との相対的な位置関係を検
出する斜入射方式、又は前記投影光学系を介して、前記
基準反射部材の表面もしくは前記感光基板の表面と所定
基準面との相対的な位置関係を検出するスルーザレンズ
方式のいずれか一方で構成されることを特徴とする特許
請求の範囲第５項記載の方法。
【請求項７】前記第２のセンサーは、前記アライメント
系を介することなく、前記基準反射部材の表面もしくは
前記感光基板の表面と所定基準面との相対的な位置関係
を検出する斜入射方式、又は前記アライメント系を介し
て、前記基準反射部材の表面もしくは前記感光基板の表
面と所定基準面との相対的な位置関係を検出するスルー
ザレンズ方式のいずれか一方で構成されることを特徴と
する特許請求の範囲第５項記載の方法。