JP2574120Y2 - 分子線セル - Google Patents
分子線セルInfo
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- JP2574120Y2 JP2574120Y2 JP1991105922U JP10592291U JP2574120Y2 JP 2574120 Y2 JP2574120 Y2 JP 2574120Y2 JP 1991105922 U JP1991105922 U JP 1991105922U JP 10592291 U JP10592291 U JP 10592291U JP 2574120 Y2 JP2574120 Y2 JP 2574120Y2
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- molecular beam
- crucible
- beam cell
- wall surface
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- Expired - Lifetime
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- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、分子線エピタキシー
装置に使用される分子線セルに関する。
装置に使用される分子線セルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の化
合物半導体を分子線エピタキシー法で作成する場合に
は、ガリウム（Ｇａ）を分子線セルを用いて蒸発させ、
基板上でヒ素（Ａｓ）と化合させるようにしている。
合物半導体を分子線エピタキシー法で作成する場合に
は、ガリウム（Ｇａ）を分子線セルを用いて蒸発させ、
基板上でヒ素（Ａｓ）と化合させるようにしている。
【０００３】Ｇａを蒸発させる分子線セルは、一般に、
熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製のるつぼが使用されてい
る。従って、蒸発試料のＧａはＰＢＮ製のるつぼの内壁
面に直接、接していた。
熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製のるつぼが使用されてい
る。従って、蒸発試料のＧａはＰＢＮ製のるつぼの内壁
面に直接、接していた。
【０００４】
【考案により解決すべき課題】ＧａとＰＢＮが直接接触
する状態におかれる従来の分子線セルにおいては、Ｇａ
とＰＢＮの濡れ性が悪いので、るつぼの開口部から数ｃ
ｍの内壁面に、「ドロップレット」と呼ばれるＧａの球
状の粒が、Ｇａの蒸発中に付着していた。この球状のＧ
ａ粒が発生すると、ＧａＡｓ化合物半導体膜中に多数の
表面欠陥が観測されていた。
する状態におかれる従来の分子線セルにおいては、Ｇａ
とＰＢＮの濡れ性が悪いので、るつぼの開口部から数ｃ
ｍの内壁面に、「ドロップレット」と呼ばれるＧａの球
状の粒が、Ｇａの蒸発中に付着していた。この球状のＧ
ａ粒が発生すると、ＧａＡｓ化合物半導体膜中に多数の
表面欠陥が観測されていた。
【０００５】この表面欠陥は、ＧａＡｓ化合物半導体膜
の最終製品である半導体デバイスの性能の劣化や製造歩
留りの低下を招来していた。
の最終製品である半導体デバイスの性能の劣化や製造歩
留りの低下を招来していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この考案は前記の如くの
問題点に鑑みてなされたもので、「ドロップレット」と
呼ばれるＧａの球状の粒が、蒸発中にるつぼの内壁面に
付着することのない分子線セルを提供することを目的と
している。
問題点に鑑みてなされたもので、「ドロップレット」と
呼ばれるＧａの球状の粒が、蒸発中にるつぼの内壁面に
付着することのない分子線セルを提供することを目的と
している。
【０００７】この目的を達成するこの考案の分子線セル
は、有底筒状のるつぼと加熱ヒータを備えた、分子線エ
ピタキシー装置に使用される分子線セルにおいて、前記
るつぼの内壁面および開口部表面が熱分解炭素膜で被覆
してあることを特徴としてる。
は、有底筒状のるつぼと加熱ヒータを備えた、分子線エ
ピタキシー装置に使用される分子線セルにおいて、前記
るつぼの内壁面および開口部表面が熱分解炭素膜で被覆
してあることを特徴としてる。
【０００８】前記るつぼは、従来からＧａのるつぼとし
て用いられて来た、ＰＢＮ製とするのが望ましいが、試
料のＧａを汚染しない材料であれば、他の材質とするこ
ともできる。
て用いられて来た、ＰＢＮ製とするのが望ましいが、試
料のＧａを汚染しない材料であれば、他の材質とするこ
ともできる。
【０００９】
【作用】この考案の分子線セルでは、試料のＧａは、熱
分解炭素（ＰＧ）と接する。ＧａとＰＧの濡れ性は良い
ので、「ドロップレット」と呼ばれるＧａの球状の粒
が、Ｇａの蒸発中に、るつぼの内壁面に付着しないよう
にすることができる。
分解炭素（ＰＧ）と接する。ＧａとＰＧの濡れ性は良い
ので、「ドロップレット」と呼ばれるＧａの球状の粒
が、Ｇａの蒸発中に、るつぼの内壁面に付着しないよう
にすることができる。
【００１０】
【実施例】以下この考案の実施例を図を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図は実施例の分子線セルであって、有底筒
状で、開口部２の外周にフランジ３を備えた、ＰＢＮ
（熱分解窒化ホウ素）製のるつぼ１の底壁１ａおよび側
壁１ｂの内壁面およびフランジ３の表面が、ＰＧ（熱分
解炭素）膜４で被覆してある。ＰＧ膜４は熱分解ＣＶＤ
法によって形成したもので、厚さは約１ミクロンであ
る。るつぼ１の外側には、コイル状のヒータ５が嵌挿し
てあり、ヒータ５の外側には筒状の反射板６が嵌挿して
ある。又るつぼ１の底壁１ｂの外壁面には温度測定用の
熱電対７が当接させてある。
状で、開口部２の外周にフランジ３を備えた、ＰＢＮ
（熱分解窒化ホウ素）製のるつぼ１の底壁１ａおよび側
壁１ｂの内壁面およびフランジ３の表面が、ＰＧ（熱分
解炭素）膜４で被覆してある。ＰＧ膜４は熱分解ＣＶＤ
法によって形成したもので、厚さは約１ミクロンであ
る。るつぼ１の外側には、コイル状のヒータ５が嵌挿し
てあり、ヒータ５の外側には筒状の反射板６が嵌挿して
ある。又るつぼ１の底壁１ｂの外壁面には温度測定用の
熱電対７が当接させてある。
【００１２】上記実施例の分子線セルによれば、るつぼ
１に収容される、蒸発試料のＧａは、るつぼ１の内壁面
を被覆したＰＧと接することになる。ＧａとＰＧの濡れ
性は良好であることから、るつぼ１の開口部２より下側
の内壁面に「ドロップレット」が付着するのを防止する
ことができる。
１に収容される、蒸発試料のＧａは、るつぼ１の内壁面
を被覆したＰＧと接することになる。ＧａとＰＧの濡れ
性は良好であることから、るつぼ１の開口部２より下側
の内壁面に「ドロップレット」が付着するのを防止する
ことができる。
【００１３】従って、「ドロップレット」の付着と関連
性の高かった、ＧａＡｓ膜の表面欠陥の発生も無くする
ことができる。
性の高かった、ＧａＡｓ膜の表面欠陥の発生も無くする
ことができる。
【００１４】尚、実施例のるつぼ１では、開口部にフラ
ンジ３を形成したものとしたが、フランジ３の無いもの
でも良い。開口部端面をＰＧ膜で皮膜すれば良い。
ンジ３を形成したものとしたが、フランジ３の無いもの
でも良い。開口部端面をＰＧ膜で皮膜すれば良い。
【００１５】
【考案の効果】以上に説明したように、この考案によれ
ば、るつぼの内壁面に「ドロップレット」が付着しない
ようにできるので、表面欠陥を生じない成膜が可能な分
子線セルを提供できる効果がある。化合物半導体膜の最
終製品である半導体デバイスの性能を向上し、かつ製造
上の歩留りを向上することができる。
ば、るつぼの内壁面に「ドロップレット」が付着しない
ようにできるので、表面欠陥を生じない成膜が可能な分
子線セルを提供できる効果がある。化合物半導体膜の最
終製品である半導体デバイスの性能を向上し、かつ製造
上の歩留りを向上することができる。
【図１】この考案の実施例の一部断面図である。
１ るつぼ ２ 開口部 ３ フランジ ４ 熱分解炭素膜 ５ ヒータ ６ 反射板 ７ 熱電対
Claims (2)
- 【請求項１】 有底筒状のるつぼと加熱ヒータを備え
た、分子線エピタキシー装置に使用される分子線セルに
おいて、前記るつぼの内壁面および開口部表面が熱分解
炭素膜で被覆してあることを特徴とした分子線セル。 - 【請求項２】 るつぼは、熱分解窒化ホウ素製である請
求項１記載の分子線セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991105922U JP2574120Y2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 分子線セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991105922U JP2574120Y2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 分子線セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546969U JPH0546969U (ja) | 1993-06-22 |
| JP2574120Y2 true JP2574120Y2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=14420360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991105922U Expired - Lifetime JP2574120Y2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 分子線セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574120Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12138383B2 (en) | 2007-03-09 | 2024-11-12 | Alexza Pharmaceuticals, Inc. | Heating unit for use in a drug delivery device |
| US12214119B2 (en) | 2018-02-02 | 2025-02-04 | Alexza Pharmaceuticals, Inc. | Electrical condensation aerosol device |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP1991105922U patent/JP2574120Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12138383B2 (en) | 2007-03-09 | 2024-11-12 | Alexza Pharmaceuticals, Inc. | Heating unit for use in a drug delivery device |
| US12214119B2 (en) | 2018-02-02 | 2025-02-04 | Alexza Pharmaceuticals, Inc. | Electrical condensation aerosol device |
| US12214118B2 (en) | 2018-02-02 | 2025-02-04 | Alexza Pharmaceuticals, Inc. | Electrical condensation aerosol device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546969U (ja) | 1993-06-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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