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JP2566826Y2 - fuse - Google Patents

fuse

Info

Publication number
JP2566826Y2
JP2566826Y2 JP1992028087U JP2808792U JP2566826Y2 JP 2566826 Y2 JP2566826 Y2 JP 2566826Y2 JP 1992028087 U JP1992028087 U JP 1992028087U JP 2808792 U JP2808792 U JP 2808792U JP 2566826 Y2 JP2566826 Y2 JP 2566826Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tin
base material
connection terminal
fuse
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1992028087U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0581935U (en
Inventor
功 奥川
収一 金川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Wiring Systems Ltd
Original Assignee
Sumitomo Wiring Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Wiring Systems Ltd filed Critical Sumitomo Wiring Systems Ltd
Priority to JP1992028087U priority Critical patent/JP2566826Y2/en
Publication of JPH0581935U publication Critical patent/JPH0581935U/en
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Publication of JP2566826Y2 publication Critical patent/JP2566826Y2/en
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この考案は、過電流から配線等の
回路部位を保護するためのヒューズに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fuse for protecting circuit parts such as wiring from overcurrent.

【0002】[0002]

【従来の技術】ブレード型ヒューズは、平行に配置され
た2本の板状接続端子と、両接続端子間に掛け渡された
溶断部とを有し、使用状態では一方側の接続端子が外部
電源側の端子に接続されるとともに、他方側の接続端子
が負荷機器側の端子に接続される。そして、一方側の接
続端子から溶断部を介して他方側の接続端子に流れる電
流が定格容量を越えると、加熱により溶断部が溶断され
て回路が遮断され、回路部位を過電流から保護するよう
にしている。
2. Description of the Related Art A blade-type fuse has two plate-like connection terminals arranged in parallel and a fusing portion bridged between the two connection terminals. The terminal is connected to the terminal on the power supply side, and the connection terminal on the other side is connected to the terminal on the load device side. When the current flowing from the connection terminal on one side to the connection terminal on the other side via the fusing portion exceeds the rated capacity, the fusing portion is blown off by heating, the circuit is cut off, and the circuit portion is protected from overcurrent. I have to.

【0003】このようなヒューズの接続端子は、銅、銅
系合金、亜鉛または亜鉛合金、例えば黄銅等で構成され
た母材の表面に、耐蝕性および接点特性の向上を目的と
して、金属の被膜が形成されている。金属の被覆材料と
しては、経済性の観点からスズ(Sn)が多く用いら
れ、一般的に電解メッキ法、無電解メッキ法、ホットデ
ィップ法等、いわゆるウエットプロセス(湿式法)によ
り、形成するようにしていた。
A connection terminal of such a fuse is formed on a surface of a base material made of copper, a copper-based alloy, zinc or a zinc alloy, for example, brass or the like, with a metal coating for the purpose of improving corrosion resistance and contact characteristics. Are formed. As a metal coating material, tin (Sn) is often used from the viewpoint of economy, and is generally formed by a so-called wet process (wet process) such as an electrolytic plating method, an electroless plating method, and a hot dipping method. I was

【0004】[0004]

【考案が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ヒューズの接続端子では、母材構成元素(Cu,Zn)
のスズ膜側への拡散が問題となる。特に環境温度が高く
なると、上記拡散現象が顕著に現れて、例えば母材の銅
元素がスズ膜側に拡散して、銅とスズとで合金を形成す
る。この銅とスズとの合金は硬度が高く、外部端子への
接触時に密着性を劣化させて接触抵抗が高くなる。ま
た、母材の亜鉛元素が拡散すると、スズ膜表面に析出し
てスズ膜表面に導電率の低い酸化亜鉛を形成して、上記
と同様、接触抵抗が高くなる。
However, in the connection terminal of the conventional fuse, the base material constituent elements (Cu, Zn)
Is problematic to the tin film side. In particular, when the environmental temperature is increased, the above-described diffusion phenomenon appears remarkably. For example, the copper element of the base material diffuses to the tin film side, and an alloy is formed by copper and tin. This alloy of copper and tin has a high hardness, and deteriorates adhesion when contacting an external terminal, thereby increasing contact resistance. Further, when the zinc element of the base material is diffused, it deposits on the surface of the tin film to form zinc oxide having low conductivity on the surface of the tin film, and the contact resistance increases as described above.

【0005】このため、このような接続端子を有するヒ
ューズでは、使用環境温度の上昇や、溶断部から発生す
る熱により、上記したように母材構成元素が拡散し、接
続端子の外部端子との接触領域における接触抵抗が増大
する。これにより、ヒューズ内を流れる電流の電流値お
よび電圧値を変動させ、信頼性に劣るという問題があっ
た。さらに接触抵抗が増大すると、多量の熱が発生しそ
の熱が溶断部に伝達されて、電流が定格容量を越えなく
とも溶断部を溶断させるという問題も有していた。
For this reason, in a fuse having such a connection terminal, the base material constituent element is diffused as described above due to an increase in the use environment temperature and heat generated from the fusing portion, and the connection terminal and the external terminal are not connected to each other. The contact resistance in the contact area increases. As a result, there is a problem that the current value and the voltage value of the current flowing in the fuse are changed, and the reliability is deteriorated. Further, when the contact resistance increases, a large amount of heat is generated, and the heat is transmitted to the fusing portion, so that the fusing portion is blown even if the current does not exceed the rated capacity.

【0006】一方、ヒューズの接続端子として、母材と
スズ膜との間に、純銅からなる亜鉛拡散バリア層を形成
し、このバリア層により、母材構成元素の拡散を抑制す
る技術も開発されている。しかしこの場合も、バリア層
の銅とスズ膜のスズとの相互拡散により上記と同様の硬
度の高い合金が形成され、接触抵抗を増大させることに
かわりない。特に、純銅とスズとの合金化が進みその合
金層が母材との界面にまで到達すると、むしろその合金
層が母材の亜鉛元素の拡散を助長させ、亜鉛元素がスズ
膜表面に多量に析出し、上記と同様の問題が発生する。
On the other hand, a technique has been developed in which a zinc diffusion barrier layer made of pure copper is formed between a base material and a tin film as a connection terminal of a fuse, and the barrier layer suppresses the diffusion of constituent elements of the base material. ing. However, also in this case, an alloy having high hardness similar to the above is formed due to the interdiffusion between copper of the barrier layer and tin of the tin film, and the contact resistance is still increased. In particular, when the alloying of pure copper and tin progresses and the alloy layer reaches the interface with the base material, the alloy layer promotes the diffusion of zinc element in the base material, and a large amount of zinc element is deposited on the tin film surface. Precipitation causes the same problem as described above.

【0007】この考案は、上記従来技術の問題を解消
し、接続端子の母材構成元素の拡散を抑制でき、信頼性
に優れるとともに、定格電気容量以下での溶断部の溶断
を防止できるヒューズを提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, suppresses the diffusion of the constituent elements of the base material of the connection terminal, is excellent in reliability, and has a fuse capable of preventing the fusing portion from being blown below the rated electric capacity. The purpose is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この考案は、銅、銅系合
金、亜鉛または亜鉛系合金からなる母材の表面にスズ膜
が形成された2本の接続端子と、それら両端子間に掛け
渡された導電性の溶断部とを有し、各接続端子がそれぞ
れ外部端子に接続されるヒューズであって、上記目的を
達成するため、前記接続端子の母材と前記スズ膜との間
に酸化スズ膜が形成されている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to two connecting terminals having a tin film formed on a surface of a base material made of copper, a copper-based alloy, zinc or a zinc-based alloy, and a connection between the two terminals. Having a passed conductive fusing portion, each connection terminal is a fuse connected to an external terminal respectively, in order to achieve the above object, between the base material of the connection terminal and the tin film A tin oxide film is formed.

【0009】[0009]

【作用】この考案の電気接点用材料においては、接続端
子における母材とスズ膜との間に緻密な構造の酸化スズ
膜を形成しているため、使用環境温度の上昇や溶断部か
ら発生する熱によっても、母材構成元素のスズ膜側への
拡散を抑制でき、接続端子の接触抵抗が低下する。この
ため、ヒューズ内を流れる電流の電流値および電圧値の
変動を防止できるとともに、熱の発生も抑制できる。
In the electrical contact material according to the present invention, since the tin oxide film having a dense structure is formed between the base material and the tin film in the connection terminal, the temperature rises in the use environment and occurs from the fusing portion. Diffusion of the constituent elements of the base material to the tin film side can also be suppressed by heat, and the contact resistance of the connection terminal decreases. For this reason, the current value and the voltage value of the current flowing in the fuse can be prevented from changing, and the generation of heat can be suppressed.

【0010】[0010]

【実施例】<第1の実施例> 図1はこの考案の第1の実施例が適用されたヒューズ1
00を示す概略平面図である。同図に示すようにこのヒ
ューズ100は、2本の板状の接続端子110,110
と、両接続端子110,110間に掛け渡された溶断部
120と、溶断部120とともに各接続端子110,1
10の一端側を覆うように取り付けられたハウジング1
30とを有している。
FIG. 1 shows a fuse 1 to which a first embodiment of the present invention is applied.
It is a schematic plan view which shows 00. As shown in FIG. 1, the fuse 100 has two plate-like connection terminals 110, 110.
And a fusing portion 120 bridged between the two connection terminals 110, 110, and the connection terminals 110, 1 together with the fusing portion 120.
A housing 1 attached so as to cover one end of the housing 10
30.

【0011】このヒューズ100を製造する場合、まず
図2に示すスパッタリング装置を用いて、接続端子11
0を形成する。スパッタリング装置のチャンバ1内に
は、上部にターゲット用の電極(カソード)2が配置さ
れるとともに、下部に母材用の電極3が配置される。さ
らに、電極3は接地されて、電源4により電極2,3間
に高周波電圧が印加されるように構成している。この場
合、電極2,3間に直流電圧を印加するようにしてもよ
い。さらに、チャンバ1には、アルゴン(Ar)ガスを
導入するためのアルゴンガス導入手段5が接続されると
ともに、酸素(O2 )ガスを導入するための酸素ガス導
入手段6が接続され、さらにチャンバ1内を真空排気す
るための真空排気手段7が接続される。
When the fuse 100 is manufactured, first, the connection terminals 11 are formed using a sputtering apparatus shown in FIG.
0 is formed. In the chamber 1 of the sputtering apparatus, an electrode (cathode) 2 for a target is disposed at an upper portion, and an electrode 3 for a base material is disposed at a lower portion. Further, the electrode 3 is grounded, and a high-frequency voltage is applied between the electrodes 2 and 3 by the power supply 4. In this case, a DC voltage may be applied between the electrodes 2 and 3. Further, an argon gas introducing means 5 for introducing an argon (Ar) gas and an oxygen gas introducing means 6 for introducing an oxygen (O 2 ) gas are connected to the chamber 1. A vacuum exhaust means 7 for evacuating the inside of the device 1 is connected.

【0012】そして、電極2にターゲットとしてスズ
(Sn)10をセットするとともに、電極3に銅、銅系
合金、亜鉛または亜鉛系合金からなる例えば黄銅製の母
材11をセットする。この状態で、真空排気手段7によ
りチャンバ1内を高真空に排気しておいて、アルゴンガ
ス導入手段5および酸素ガス導入手段6によりチャンバ
1内にアルゴンガスおよび酸素ガスを導入し、電極2,
3間に高周波電圧を印加する。これにより、ターゲット
(10)と母材11との間にアルゴンガスと酸素ガスの
プラズマを発生させ、プラズマ中のアルゴンイオンをタ
ーゲット10に衝突させて、ターゲット粒子(スズ粒
子)をたたき出す。さらにそのターゲット粒子と酸素ガ
スのプラズマとを、気相中または母材表面で反応させて
酸化スズ(SnO2 )を形成し、その酸化スズを母材1
1の上面に堆積させる。
Then, tin (Sn) 10 is set as a target on the electrode 2 and a base material 11 made of, for example, brass made of copper, a copper-based alloy, zinc or a zinc-based alloy is set on the electrode 3. In this state, the inside of the chamber 1 is evacuated to a high vacuum by the vacuum evacuation means 7, and argon gas and oxygen gas are introduced into the chamber 1 by the argon gas introduction means 5 and the oxygen gas introduction means 6.
A high frequency voltage is applied between the three. As a result, plasma of argon gas and oxygen gas is generated between the target (10) and the base material 11, and argon ions in the plasma collide with the target 10 to strike out target particles (tin particles). Further, the target particles are reacted with the plasma of oxygen gas in the gas phase or on the surface of the base material to form tin oxide (SnO 2 ).
1 on top.

【0013】こうして、母材11の上面に酸化スズを所
定量(0.2ミクロン以上)堆積させ、拡散バリア層と
しての酸化スズ膜12を形成する。
Thus, a predetermined amount (0.2 μm or more) of tin oxide is deposited on the upper surface of the base material 11 to form a tin oxide film 12 as a diffusion barrier layer.

【0014】酸化スズの堆積が完了すると、アルゴンガ
スの供給は続けながら、酸素ガス導入手段6による酸素
ガスの導入を停止させる。
When the deposition of tin oxide is completed, the supply of oxygen gas by the oxygen gas introducing means 6 is stopped while the supply of argon gas is continued.

【0015】これにより、アルゴンガスのプラズマによ
りたたき出されたスズ粒子を酸化スズ膜12の上面に堆
積させ、スズ膜13を形成する。
Thus, the tin particles beaten out by the argon gas plasma are deposited on the upper surface of the tin oxide film 12 to form the tin film 13.

【0016】こうして、図3に示すように、母材11の
上面に、酸化スズ膜12を介してスズ膜13が形成され
た接続端子用材料が形成される。
In this manner, as shown in FIG. 3, a connection terminal material having the tin film 13 formed on the upper surface of the base material 11 with the tin oxide film 12 interposed therebetween is formed.

【0017】次に、この接続端子用材料を所定の形状に
切断して、接続端子110を形成する。その後図1に示
すように、2本の接続端子110,110のスズ膜上に
線状の金属材からなる溶断部120の両端を、例えばハ
ンダ等により接続してから、ハウジング130を取り付
ける。こうしてヒューズ100を形成する。
Next, the connection terminal material is cut into a predetermined shape to form connection terminals 110. Thereafter, as shown in FIG. 1, the housing 130 is attached after connecting both ends of the fusing portion 120 made of a linear metal material on the tin films of the two connection terminals 110, 110 by, for example, soldering. Thus, the fuse 100 is formed.

【0018】このヒューズ100の使用状態では、各接
続端子110,110の他端側で構成される接触領域1
11,111(図1の斜線領域で示す)のスズ膜上に、
外部電源側の端子および負荷機器側の端子がそれぞれ接
続される。これにより、一方側の接続端子110から溶
断部120を介して他方側の接続端子110に流れる電
流が定格容量を越えると、加熱により溶断部120が溶
断されて回路が遮断され、回路部位が過電流から保護さ
れる。
In the use state of the fuse 100, the contact region 1 formed by the other end of each of the connection terminals 110, 110
11, 111 (shown by hatched areas in FIG. 1) on the tin film,
The terminal on the external power supply side and the terminal on the load device side are connected respectively. Thereby, when the current flowing from one connection terminal 110 to the other connection terminal 110 via the fusing portion 120 exceeds the rated capacity, the fusing portion 120 is blown by heating, the circuit is cut off, and the circuit part is overheated. Protected from current.

【0019】このヒューズ100によれば、接続端子1
10において母材11とスズ膜13との間に、緻密な構
造の酸化スズ膜12が形成されるため、使用環境温度の
上昇や、溶断部120から発生する熱によっても、母材
構成元素(Cu,Zn等)のスズ膜10a側への拡散を
抑制でき、接続端子110の接触抵抗が低下する。この
ため、ヒューズ内を流れる電流の電流値および電圧値の
変動を防止できて信頼性に優れる。さらに、接触抵抗が
低いので、ヒューズ使用時に接続端子110の外部端子
との接触領域111において熱の発生を抑制でき、その
熱による溶断部120の溶断を防止でき、電流が定格容
量を越える前に溶断部120が溶断することもない。
According to the fuse 100, the connection terminal 1
In FIG. 10, the tin oxide film 12 having a dense structure is formed between the base material 11 and the tin film 13. Therefore, even when the use environment temperature rises and the heat generated from the fusing portion 120, the base material constituent elements ( The diffusion of Cu, Zn, etc.) to the tin film 10a side can be suppressed, and the contact resistance of the connection terminal 110 decreases. For this reason, it is possible to prevent the current value and the voltage value of the current flowing in the fuse from fluctuating, so that the reliability is excellent. Furthermore, since the contact resistance is low, the generation of heat can be suppressed in the contact area 111 of the connection terminal 110 with the external terminal when the fuse is used, the fusing of the fusing portion 120 due to the heat can be prevented, and before the current exceeds the rated capacity. There is no fusing of the fusing section 120.

【0020】また、母材11の被覆材料として安価なス
ズを用いているため、コストを低減できる。
Further, since inexpensive tin is used as a coating material for the base material 11, the cost can be reduced.

【0021】また、母材11から亜鉛元素の拡散を抑制
することにより、母材11の機械的強度の低下も防止で
きる。
Further, by suppressing the diffusion of the zinc element from the base material 11, a decrease in the mechanical strength of the base material 11 can be prevented.

【0022】なお、酸化スズは導電率が高い(10-4Ω
cm)酸化物であるため、ヒューズ動作に支障を来すこ
とはない。
Note that tin oxide has a high conductivity (10 -4 Ω).
cm) Since it is an oxide, it does not hinder the fuse operation.

【0023】<第2の実施例> この考案の第2の実施例においては、図4に示すイオン
ビームミキシング装置を用いて、接続端子用材料(図5
参照)を形成する。
<Second Embodiment> In a second embodiment of the present invention, a material for connection terminals (FIG. 5) is used by using an ion beam mixing apparatus shown in FIG.
Reference).

【0024】イオンビームミキシング装置のチャンバ2
1内には、その上部に母材31をホールドするための試
料ホルダー22が配置されるとともに、下部に蒸発源用
のるつぼ23が配置される。さらに、チャンバ21に
は、酸素供給手段24が装備される。酸素供給手段24
は、酸素ガス供給手段25と、酸素ガスイオン源26と
を備えており、酸素ガス供給手段25から供給される酸
素ガスが、酸素ガスイオン源26により、イオン化され
て、試料ホルダー22上の母材31にビーム状に照射で
きるように構成している。また、チャンバ21には、そ
の内部を真空排気するための真空排気手段27が接続さ
れるとともに、るつぼ23内の蒸発源および試料ホルダ
ー22上の母材31を加熱するための加熱手段(図示省
略)がそれぞれ設けられる。
Chamber 2 of ion beam mixing device
In 1, a sample holder 22 for holding the base material 31 is disposed at an upper portion thereof, and a crucible 23 for an evaporation source is disposed at a lower portion. Further, the chamber 21 is provided with oxygen supply means 24. Oxygen supply means 24
Has an oxygen gas supply means 25 and an oxygen gas ion source 26. The oxygen gas supplied from the oxygen gas supply means 25 is ionized by the oxygen gas ion source 26 to The material 31 can be irradiated in a beam shape. Further, the chamber 21 is connected to an evacuation unit 27 for evacuating the inside thereof, and a heating unit (not shown) for heating the evaporation source in the crucible 23 and the base material 31 on the sample holder 22. ) Are provided.

【0025】そして、試料ホルダー22に銅、銅系合
金、亜鉛または亜鉛系合金からなる例えば黄銅製の母材
31をセットするとともに、るつぼ23内に蒸発源とし
てスズ(Sn)を収容する。この状態で、真空排気手段
27によりチャンバ21内を高真空に排気しておいて、
母材31および蒸発源(スズ)を上記各加熱手段により
加熱する。これにより、蒸発源のスズを蒸発させて、そ
のスズ粒子を母材31の一面側に蒸着させながら、母材
31の一面側に酸素供給手段24より酸素ガスイオンを
照射し、母材31上でスズと酸素とを反応させて、酸化
スズを形成し、その酸化スズを母材31の一面側に堆積
させていく。
Then, a base material 31 made of, for example, brass made of copper, a copper-based alloy, zinc, or a zinc-based alloy is set in the sample holder 22, and tin (Sn) is accommodated in the crucible 23 as an evaporation source. In this state, the inside of the chamber 21 is evacuated to a high vacuum by the evacuating means 27.
The base material 31 and the evaporation source (tin) are heated by the respective heating means. Thereby, while the tin of the evaporation source is evaporated and the tin particles are vapor-deposited on one surface side of the base material 31, the one surface side of the base material 31 is irradiated with oxygen gas ions from the oxygen supply means 24, and Reacts tin with oxygen to form tin oxide, and deposits the tin oxide on one surface of the base material 31.

【0026】こうして、母材31上に酸化スズを所定量
(0.2ミクロン以上)堆積させて、第1の酸化スズ膜
32aを形成する。
In this way, a predetermined amount (0.2 μm or more) of tin oxide is deposited on the base material 31 to form the first tin oxide film 32a.

【0027】酸化スズの堆積が完了すると、スズの蒸発
は続けながら、酸素供給手段24による酸素ガスイオン
の照射を停止させる。
When the deposition of tin oxide is completed, the irradiation of oxygen gas ions by the oxygen supply means 24 is stopped while the evaporation of tin continues.

【0028】これにより、蒸発源より蒸発したスズ粒子
を母材31の一面側に堆積させて、スズ膜33aを形成
する。
Thus, the tin particles evaporated from the evaporation source are deposited on one surface of the base material 31 to form a tin film 33a.

【0029】次に、上記と同様にして、スズを母材31
に蒸着させながら、酸素供給手段24による酸素ガスイ
オンの照射を再開して、スズ膜33a上に膜厚0.2ミ
クロン以上の第2の酸化スズ膜32bを形成する。
Next, in the same manner as above, tin was added to the base material 31.
Irradiation of oxygen gas ions by the oxygen supply unit 24 is resumed while the second tin oxide film 32b having a thickness of 0.2 μm or more is formed on the tin film 33a.

【0030】つづいて、酸素ガスイオンの照射を停止さ
せ、上記と同様に第2の酸化スズ膜32b上にスズ膜3
3bを形成する。これにより、図5に示すように、拡散
バリア層として酸化スズ膜32a,32bが2層形成さ
れた接続端子用材料が形成される。
Subsequently, the irradiation of oxygen gas ions is stopped, and the tin film 3 is formed on the second tin oxide film 32b in the same manner as described above.
3b is formed. Thereby, as shown in FIG. 5, a connection terminal material in which two layers of tin oxide films 32a and 32b are formed as a diffusion barrier layer is formed.

【0031】こうして、形成された接続端子用材料は、
上記第1の実施例と同様に加工されて、ヒューズの接続
端子として使用される。
The connection terminal material thus formed is:
It is processed in the same manner as in the first embodiment, and is used as a connection terminal of a fuse.

【0032】このヒューズによれば、接続端子において
2層の酸化スズ膜32a,32bにより母材構成元素の
拡散が抑制されるため、上記第1の実施例のヒューズ1
00と比較しても、母材構成元素の拡散をより確実に抑
制でき、一層信頼性に優れるとともに、定格電気容量以
下での溶断部の溶断も確実に防止できる。
According to this fuse, the two layers of tin oxide films 32a and 32b suppress the diffusion of the constituent elements of the base material at the connection terminals.
Compared with 00, the diffusion of the base material constituent elements can be suppressed more reliably, the reliability is further improved, and the fusing of the fusing portion below the rated electric capacity can be reliably prevented.

【0033】<第3の実施例> 図6はこの考案の第3の実施例であるヒューズの接続端
子210を示す要部拡大断面図である。同図に示すよう
に、このヒューズの接続端子210は、黄銅からなる母
材51上に、例えばウエットプロセスにより純銅からな
る銅層(亜鉛拡散バリア層)54が形成されるととも
に、その銅層54上に、上記実施例と同様な方法によ
り、酸化スズ膜52およびスズ膜53が形成される。
<Third Embodiment> FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part showing a connection terminal 210 of a fuse according to a third embodiment of the present invention. As shown in the figure, the connection terminal 210 of this fuse is formed by forming a copper layer (zinc diffusion barrier layer) 54 made of pure copper on a base material 51 made of brass by, for example, a wet process, and forming the copper layer 54. Above, a tin oxide film 52 and a tin film 53 are formed by the same method as in the above embodiment.

【0034】この接続端子210では、母材51の亜鉛
元素の拡散は、銅層54および酸化スズ膜52により抑
制されるとともに、銅層54の銅とスズ膜53のスズと
の相互拡散は酸化スズ膜52により抑制される。しかも
純銅からなる銅層54には下地基板を整える機能も有し
ており、銅層54の表面が平坦化され、スズ膜53の密
着性が向上する。
In connection terminal 210, the diffusion of zinc element in base material 51 is suppressed by copper layer 54 and tin oxide film 52, and the mutual diffusion of copper in copper layer 54 and tin in tin film 53 is oxidized. Suppressed by the tin film 52. Moreover, the copper layer 54 made of pure copper also has a function of adjusting the underlying substrate, and the surface of the copper layer 54 is flattened, and the adhesion of the tin film 53 is improved.

【0035】<変形例> 上記実施例では、酸化スズ膜を1層または2層形成する
場合について説明したが、3層以上形成してもよい。
<Modification> In the above embodiment, the case where one or two tin oxide films are formed has been described. However, three or more tin oxide films may be formed.

【0036】また、酸化スズ膜およびスズ膜をスパッタ
リング法およびイオンビームミキシング法を利用して形
成しているが、その他の方法を利用して形成してもよ
い。
Although the tin oxide film and the tin film are formed by using the sputtering method and the ion beam mixing method, they may be formed by using other methods.

【0037】また、上記実施例では、この考案をブレー
ド型ヒューズに適用した場合について説明したが、この
考案は、ガラス管型ヒューズ等、他のタイプのヒューズ
にも適用できる。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a blade type fuse has been described. However, the present invention can be applied to other types of fuses such as a glass tube type fuse.

【0038】<実験例> 上記第1の実施例と同様にして、黄銅(Cu,Zn)か
らなる母材の一面に酸化スズ膜(SnO2 )を0.2ミ
クロン形成し、さらにその上にスズ膜を形成して、ヒュ
ーズの接続端子用材料を形成した。そして、その端子用
材料の荷重に対する接触抵抗値を測定した。さらにその
電気接点用材料を200℃で24時間加熱処理した後、
荷重に対する接触抵抗値の測定と、X線光電子分光法
(XPS)による端子用材料中の元素分布の測定とを行
った。XPSによる材料中の元素分布を図7、熱処理前
の接触抵抗変化を図8、熱処理後の接触抵抗変化を図9
のグラフにそれぞれ示す。この場合、図7のグラフで
は、横軸に表面からの深さ位置に対応するエッチング時
間(分)を示し、縦軸にXPSにより測定した各元素の
存在量(%)を示し、さらに図7中、白抜四角で銅、黒
塗丸で亜鉛、x印でスズ、および白抜丸で酸素を示す。
また、図8および図9のグラフでは、それぞれ横軸に荷
重(gram)を示し、縦軸に接触抵抗(ohm)を示
す。
<Experimental Example> In the same manner as in the first embodiment, a tin oxide film (SnO 2 ) was formed on one surface of a base material made of brass (Cu, Zn) to a thickness of 0.2 μm. A tin film was formed to form a material for a connection terminal of the fuse. And the contact resistance value with respect to the load of the terminal material was measured. After further heating the electric contact material at 200 ° C. for 24 hours,
The measurement of the contact resistance value with respect to the load and the measurement of the element distribution in the terminal material by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were performed. FIG. 7 shows the element distribution in the material by XPS, FIG. 8 shows the change in contact resistance before heat treatment, and FIG. 9 shows the change in contact resistance after heat treatment.
Are shown in the graphs. In this case, in the graph of FIG. 7, the horizontal axis shows the etching time (minute) corresponding to the depth position from the surface, and the vertical axis shows the abundance (%) of each element measured by XPS. Medium and white squares indicate copper, black solid circles indicate zinc, x indicates tin, and white circles indicate oxygen.
In the graphs of FIGS. 8 and 9, the horizontal axis indicates the load (gram), and the vertical axis indicates the contact resistance (ohm).

【0039】また、参考例として、従来の方法により、
つまり黄銅からなる母材の表面にウエットプロセスによ
りスズ膜を被覆し、ヒューズの接続端子用材料を形成し
た。そして、その接点用材料の荷重に対する接触抵抗変
化を測定した。さらにその電気接点用材料を200℃で
24時間加熱処理した後、荷重に対する接触抵抗変化の
測定と、XPSによる材料中の元素分布の測定とを行っ
た。XPSによる元素分布を図10、熱処理前の接触抵
抗変化を図11、熱処理後の接触抵抗変化を図12のグ
ラフにそれぞれ示す。
As a reference example, a conventional method
That is, the surface of the base material made of brass was coated with a tin film by a wet process to form a material for a connection terminal of the fuse. Then, the change in contact resistance with respect to the load of the contact material was measured. Further, after the electrical contact material was subjected to a heat treatment at 200 ° C. for 24 hours, a change in contact resistance with respect to a load was measured, and an element distribution in the material was measured by XPS. FIG. 10 shows the element distribution by XPS, FIG. 11 shows the contact resistance change before heat treatment, and FIG. 12 shows the contact resistance change after heat treatment.

【0040】図7に示すように、実施例の接続端子用材
料では、エッチング時間が0分のスズ膜表面から12分
付近のスズ膜と酸化スズ膜との境界部まで、つまりスズ
膜中には、スズ元素(x印)が多量に存在し、母材構成
元素の銅元素(白抜四角)や亜鉛元素(黒塗丸)がほと
んど存在していない。さらに、エッチング時間が12分
付近から23分付近までの酸化スズ膜中には、その膜の
構成元素であるスズおよび酸素が多量に存在し、他の元
素(銅および亜鉛)はほとんど存在していない。これら
の点から、母材構成元素の拡散が、酸化スズ膜により抑
制されて、亜鉛元素のスズ膜表面への析出および銅とス
ズとの合金の形成がともに防止されていると考えられ
る。このように実施例の端子用材料では、環境温度が高
い場合でも、母材構成元素の拡散が抑制されるので、熱
処理後の各接触抵抗値(図9)は熱処理前のそれ(図
8)と比べ、さほど増大していない。この結果、実施例
の端子用材料をヒューズの接続端子として使用した場
合、ヒューズ内を流れる電流の電流値および電圧値の変
動を防止できるほか、接続端子の外部端子との接触領域
において熱の発生も抑制できると考えられる。
As shown in FIG. 7, in the connection terminal material of the embodiment, the etching time is from the surface of the tin film of 0 minute to the boundary between the tin film and the tin oxide film at around 12 minutes, that is, in the tin film. Has a large amount of tin element (marked by x), and hardly any copper element (open square) or zinc element (closed circle) as a base material constituent element. Furthermore, in the tin oxide film whose etching time is from about 12 minutes to about 23 minutes, a large amount of tin and oxygen as constituent elements of the film are present, and other elements (copper and zinc) are almost present. Absent. From these points, it is considered that the diffusion of the base material constituent elements is suppressed by the tin oxide film, and the precipitation of the zinc element on the tin film surface and the formation of an alloy of copper and tin are both prevented. As described above, in the terminal material according to the example, even when the environmental temperature is high, the diffusion of the base material constituent elements is suppressed. Therefore, each contact resistance value after the heat treatment (FIG. 9) is equal to that before the heat treatment (FIG. 8). Compared to that, it has not increased much. As a result, when the terminal material of the embodiment is used as the connection terminal of the fuse, it is possible to prevent the current value and the voltage value of the current flowing in the fuse from fluctuating, and to generate heat in the contact area of the connection terminal with the external terminal. It is considered that the above can also be suppressed.

【0041】これに対し、図10に示すように従来の端
子用材料では、まずエッチング時間が0分付近のスズ膜
表面部に、すでに母材構成元素である亜鉛元素(黒塗
丸)が酸素(白抜丸)とともに存在しているのが確認で
きる。これは、母材から拡散した亜鉛元素がスズ膜側に
拡散してスズ膜表面に析出し、導電率の低い酸化亜鉛を
形成していると考えられる。さらに従来では、エッチン
グ時間が0分から18分付近のスズ膜と母材との境界部
まで、つまりスズ膜中には、スズ元素(x印)とともに
銅元素(白抜四角)が多量に存在しているのが確認され
る。これは、母材からスズ膜内に銅が多量に拡散して銅
とスズとで硬度の高い合金を形成していると考えられ
る。このように従来例の接続端子用材料は、母材構成元
素の拡散が著しく発生しているため、熱処理後(図1
2)の各接触抵抗値を熱処理前(図11)と比べると、
ばらつきが大きくなり、しかも抵抗値が増大している。
この結果、従来例の端子用材料をヒューズの接続端子と
して使用した場合、ヒューズ内を流れる電流の電流値お
よび電圧値が変動するとともに、接続端子の外部端子と
の接触領域において多量の熱が発生すると考えられる。
On the other hand, as shown in FIG. 10, in the conventional terminal material, zinc element (solid black circle), which is a base material constituent element, is first added to the surface of the tin film where the etching time is about 0 minutes. (Open circle) can be confirmed that it exists. This is considered to be because zinc element diffused from the base material diffuses toward the tin film side and precipitates on the tin film surface to form zinc oxide having low conductivity. Furthermore, conventionally, a large amount of a copper element (open square) together with a tin element (x mark) is present in the tin film between the etching time of 0 minute and about 18 minutes to the boundary between the tin film and the base material, that is, in the tin film. It is confirmed that it is. This is considered to be due to the fact that a large amount of copper diffuses from the base material into the tin film, forming an alloy having high hardness with copper and tin. As described above, in the connection terminal material of the conventional example, since the diffusion of the base material constituent elements is remarkably generated, the material is subjected to the heat treatment (FIG. 1).
Comparing each contact resistance value of 2) with that before heat treatment (FIG. 11),
The variation is large, and the resistance value is increasing.
As a result, when the conventional terminal material is used as the connection terminal of the fuse, the current value and the voltage value of the current flowing in the fuse fluctuate, and a large amount of heat is generated in the contact area of the connection terminal with the external terminal. It is thought that.

【0042】また、実施例に基づく接続端子用材料の接
触抵抗変化(図8および図9)は、従来例のもの(図1
1および図12)に対し、全般的に接触抵抗値が低く、
この点からも実施例に基づく端子用材料は、信頼性に優
れているのが判る。さらに、実施例の端子用材料では、
ばらつきがほとんど認められないのに対し、従来の端子
用材料ではばらつきが多く認められ、実施例の端子用材
料は品質が安定しているのが判る。
The change in the contact resistance of the connection terminal material according to the embodiment (FIGS. 8 and 9) is the same as that of the conventional example (FIG. 1).
1 and FIG. 12), the contact resistance is generally lower,
From this point as well, it can be seen that the terminal materials according to the examples have excellent reliability. Further, in the terminal material of the embodiment,
While almost no variation was observed, the conventional terminal material showed many variations, indicating that the quality of the terminal materials of Examples was stable.

【0043】[0043]

【考案の効果】以上のように、この考案のヒューズによ
れば、接続端子における母材とスズ膜との間に緻密な構
造の酸化スズ膜を形成しているため、使用環境温度の上
昇や溶断部から発生する熱によっても、母材構成元素の
スズ膜側への拡散を抑制でき、接続端子の接触抵抗が低
下し、ヒューズ内を流れる電流の電流値および電圧値の
変動を防止できて信頼性に優れるとともに、熱の発生も
抑制でき、定格電気容量以下での溶断部の溶断を防止で
きるという効果が得られる。
As described above, according to the fuse of the present invention, since the tin oxide film having a dense structure is formed between the base material and the tin film in the connection terminal, the use environment temperature can be increased. By the heat generated from the fusing part, the diffusion of the base metal constituent elements to the tin film side can be suppressed, the contact resistance of the connection terminal decreases, and the fluctuation of the current value and voltage value of the current flowing in the fuse can be prevented. In addition to being excellent in reliability, it is possible to obtain the effect that the generation of heat can be suppressed, and the fusing of the fusing portion at a rated electric capacity or less can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この考案の第1の実施例であるヒューズを示す
概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing a fuse according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施例のヒューズの接続端子用材料を製
造するためのスパッタリング装置を示す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a sputtering apparatus for manufacturing a material for connection terminals of a fuse according to the first embodiment.

【図3】上記第1の実施例の接続端子用材料を示す要部
拡大断面図である。
FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part showing the connection terminal material of the first embodiment.

【図4】この考案の第2の実施例であるヒューズの接続
端子用材料を製造するためのイオンビームミキシング装
置を示す構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram showing an ion beam mixing apparatus for producing a material for a connection terminal of a fuse according to a second embodiment of the present invention.

【図5】上記第2の実施例のヒューズの接続端子用材料
を示す要部拡大断面図である。
FIG. 5 is an enlarged sectional view of a main part showing a material for connection terminals of the fuse of the second embodiment.

【図6】この考案の第3の実施例であるヒューズの接続
端子を示す要部拡大断面図である。
FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part showing connection terminals of a fuse according to a third embodiment of the present invention.

【図7】実施例に基づく接続端子用材料の熱処理後のX
PSによる元素分布を示すグラフである。
FIG. 7 shows X after heat treatment of the connection terminal material according to the embodiment.
It is a graph which shows the element distribution by PS.

【図8】実施例に基づく接続端子用材料の熱処理前の接
触抵抗変化を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing a change in contact resistance before heat treatment of a connection terminal material based on an example.

【図9】実施例に基づく接続端子用材料の熱処理後の接
触抵抗変化を示すグラフである。
FIG. 9 is a graph showing a change in contact resistance after heat treatment of a connection terminal material based on an example.

【図10】従来例に基づく接続端子用材料の熱処理後の
XPSによる元素分布を示すグラフである。
FIG. 10 is a graph showing element distribution by XPS after heat treatment of a connection terminal material based on a conventional example.

【図11】従来例に基づく接続用材料の熱処理前の接触
抵抗変化を示すグラフである。
FIG. 11 is a graph showing a change in contact resistance before heat treatment of a connection material based on a conventional example.

【図12】従来例に基づく接続端子用材料の熱処理後の
接触抵抗変化を示すグラフである。
FIG. 12 is a graph showing a change in contact resistance after heat treatment of a connection terminal material based on a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,31,51 母材 12,32a,32b,52 酸化スズ膜 13,33a,33b,53 スズ膜 100 ヒューズ 110,210 接続端子 120 溶断部 11, 31, 51 Base material 12, 32a, 32b, 52 Tin oxide film 13, 33a, 33b, 53 Tin film 100 Fuse 110, 210 Connection terminal 120 Fusing portion

Claims (1)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】 銅、銅系合金、亜鉛または亜鉛系合金か
らなる母材の表面にスズ膜が形成された2本の接続端子
と、それら両端子間に掛け渡された導電性の溶断部とを
有し、各接続端子がそれぞれ外部端子に接続されるヒュ
ーズであって、 前記接続端子の母材と前記スズ膜との間に酸化スズ膜が
形成されたことを特徴とするヒューズ。
1. A connection member having a tin film formed on a surface of a base material made of copper, a copper-based alloy, zinc, or a zinc-based alloy, and a conductive fusing portion bridged between the two terminals. Wherein each connection terminal is connected to an external terminal, wherein a tin oxide film is formed between a base material of the connection terminal and the tin film.
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