JP2565250B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JP2565250B2 JP2565250B2 JP61182313A JP18231386A JP2565250B2 JP 2565250 B2 JP2565250 B2 JP 2565250B2 JP 61182313 A JP61182313 A JP 61182313A JP 18231386 A JP18231386 A JP 18231386A JP 2565250 B2 JP2565250 B2 JP 2565250B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高抗磁力，高密度記録を有する磁気テープ
等の記録再生に使用する磁気ヘッドに関するもので、特
に磁気ギャップが強磁性金属薄膜同士をギャップスペー
サを介して突き合わせることにより構成されるととも
に、磁気コア半体の大部分が強磁性酸化物により形成さ
れてなる，いわゆる複合型の磁気ヘッドの構造の改良に
関するものである。
等の記録再生に使用する磁気ヘッドに関するもので、特
に磁気ギャップが強磁性金属薄膜同士をギャップスペー
サを介して突き合わせることにより構成されるととも
に、磁気コア半体の大部分が強磁性酸化物により形成さ
れてなる，いわゆる複合型の磁気ヘッドの構造の改良に
関するものである。
本発明は、強磁性酸化物よりなる磁気コア部とこの磁
気コア部に被着形成される強磁性金属薄膜により磁気コ
ア半体が構成され、上記強磁性金属薄膜同士を突き合わ
せて磁気ギャップを構成してなる磁気ヘッドにおいて、 上記磁気コア部と強磁性金属薄膜との境界面に高透磁
率材料よりなる下地膜を介在させたことにより、 磁気コア部とこの磁気コア部に被着形成される強磁性
金属薄膜との間に生じる擬似ギャップの影響を抑え、信
頼性及び生産性に優れた磁気ヘッドを提供しようとする
ものである。
気コア部に被着形成される強磁性金属薄膜により磁気コ
ア半体が構成され、上記強磁性金属薄膜同士を突き合わ
せて磁気ギャップを構成してなる磁気ヘッドにおいて、 上記磁気コア部と強磁性金属薄膜との境界面に高透磁
率材料よりなる下地膜を介在させたことにより、 磁気コア部とこの磁気コア部に被着形成される強磁性
金属薄膜との間に生じる擬似ギャップの影響を抑え、信
頼性及び生産性に優れた磁気ヘッドを提供しようとする
ものである。
磁気記録の分野においては、情報信号の高密度記録化
や高周波数化等が進められており、これに対応して磁気
記録媒体として磁性粉にFe,Co,Ni等の強磁性金属粉末を
用いた，いわゆるメタルテープや磁性金属材料を蒸着等
の真空薄膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着
した，いわゆる蒸着テープ等が実用化され普及してきて
いる。
や高周波数化等が進められており、これに対応して磁気
記録媒体として磁性粉にFe,Co,Ni等の強磁性金属粉末を
用いた，いわゆるメタルテープや磁性金属材料を蒸着等
の真空薄膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着
した，いわゆる蒸着テープ等が実用化され普及してきて
いる。
また、所定面積の磁気記録媒体にできるだけ多くの情
報信号を書き込むために、磁気記録媒体に記録される記
録トラックの狭小化も進められている。
報信号を書き込むために、磁気記録媒体に記録される記
録トラックの狭小化も進められている。
このような状況から、磁気ヘッドに対しては、例えば
高い抗磁力や残留磁束密度を有する磁気記録媒体に対し
て良好な記録再生を行うために、磁気ヘッドのヘッド材
料が高飽和磁束密度，高透磁率を有すること、記録トラ
ックのトラック幅に対応して微小なトラック幅出しが容
易に行えること、等様々な特性が要求されている。
高い抗磁力や残留磁束密度を有する磁気記録媒体に対し
て良好な記録再生を行うために、磁気ヘッドのヘッド材
料が高飽和磁束密度，高透磁率を有すること、記録トラ
ックのトラック幅に対応して微小なトラック幅出しが容
易に行えること、等様々な特性が要求されている。
かかる諸要求を満たす磁気ヘッドを、例えばフェライ
ト材等の強磁性酸化物材料単体で作製することは難し
く、そこで高飽和磁束密度を有する強磁性金属薄膜と組
み合わせて磁気ヘッドを構成した，いわゆる複合型の磁
気ヘッドが提案されている。
ト材等の強磁性酸化物材料単体で作製することは難し
く、そこで高飽和磁束密度を有する強磁性金属薄膜と組
み合わせて磁気ヘッドを構成した，いわゆる複合型の磁
気ヘッドが提案されている。
しかしながら、従来の磁気ヘッドでは信頼性や性能等
の点で様々な問題がある。
の点で様々な問題がある。
例えば、第９図に示すように、磁気コア部（101），
（102）がフェライト等の酸化物磁性材料よりなり、記
録再生に関与する磁気ギャップｇ′及びその近傍が強磁
性金属薄膜（103），（104）で構成され、さらに磁気ギ
ャップｇ′の両側にはトラック幅を規制するための溝
（105），（106）が切り欠かれ、補強用の非磁性材（10
7），（108）が充填された構造の磁気ヘッドが提案され
ている。
（102）がフェライト等の酸化物磁性材料よりなり、記
録再生に関与する磁気ギャップｇ′及びその近傍が強磁
性金属薄膜（103），（104）で構成され、さらに磁気ギ
ャップｇ′の両側にはトラック幅を規制するための溝
（105），（106）が切り欠かれ、補強用の非磁性材（10
7），（108）が充填された構造の磁気ヘッドが提案され
ている。
この磁気ヘッドは、その構造が極めて単純で生産性に
優れ、また強磁性金属薄膜（103），（104）の膜厚とは
無関係にトラック幅を設定できるという利点を有してい
る。
優れ、また強磁性金属薄膜（103），（104）の膜厚とは
無関係にトラック幅を設定できるという利点を有してい
る。
ところが、この磁気ヘッドは磁気コア部（101），（1
02）と強磁性金属薄膜（103），（104）との境界面（10
3a），（104a）が磁気ギャップｇ′と平行に位置してい
るため、上記境界面（103a），（104a）が擬似ギャップ
として作用してしまい記録再生特性の劣化を招く原因と
なってしまっている。すなわち、この擬似ギャップは再
生信号の周波数特性にうねりを招来し、その振幅は10dB
以上と大きく再生出力の低下を招いてしまう。
02）と強磁性金属薄膜（103），（104）との境界面（10
3a），（104a）が磁気ギャップｇ′と平行に位置してい
るため、上記境界面（103a），（104a）が擬似ギャップ
として作用してしまい記録再生特性の劣化を招く原因と
なってしまっている。すなわち、この擬似ギャップは再
生信号の周波数特性にうねりを招来し、その振幅は10dB
以上と大きく再生出力の低下を招いてしまう。
そこで、上述の擬似ギャップを解消するため、強磁性
金属薄膜を磁気ギャップｇ′に対して10〜80゜程度傾け
て被着し、磁気コア部と強磁性金属薄膜との境界面にお
ける擬似ギャップをいわゆるアジマス損失によって低減
したものも提案されているが、この場合にはトラック幅
の広い（40μｍ以上）ヘッドを作製しようとすると強磁
性金属薄膜の膜厚を大きくしなければならず、このため
成膜に長時間を要し、生産性や製造コストの点で問題が
あった。
金属薄膜を磁気ギャップｇ′に対して10〜80゜程度傾け
て被着し、磁気コア部と強磁性金属薄膜との境界面にお
ける擬似ギャップをいわゆるアジマス損失によって低減
したものも提案されているが、この場合にはトラック幅
の広い（40μｍ以上）ヘッドを作製しようとすると強磁
性金属薄膜の膜厚を大きくしなければならず、このため
成膜に長時間を要し、生産性や製造コストの点で問題が
あった。
このように、強磁性金属薄膜を磁気ギャップに対して
平行に形成した磁気ヘッドでは、生産性や精度に優れて
いるものの擬似ギャップの影響がおおきく信頼性に問題
があり、強磁性金属薄膜を磁気ギャップに対して斜めに
形成した磁気ヘッドでは、信頼性に優れるものの生産性
や製造コストの点で問題があった。
平行に形成した磁気ヘッドでは、生産性や精度に優れて
いるものの擬似ギャップの影響がおおきく信頼性に問題
があり、強磁性金属薄膜を磁気ギャップに対して斜めに
形成した磁気ヘッドでは、信頼性に優れるものの生産性
や製造コストの点で問題があった。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案され
たものであり、強磁性金属薄膜を磁気ギャップに対して
平行に形成した磁気ヘッドの特徴を生かした上で、磁気
コア部と強磁性金属薄膜との間に生じる擬似ギャップの
影響を抑えることが可能で、大トラック幅化，トラック
幅の精度の向上，コストダウン等が図れ、信頼性及び生
産性に優れた磁気ヘッドを提供することを目的とする。
たものであり、強磁性金属薄膜を磁気ギャップに対して
平行に形成した磁気ヘッドの特徴を生かした上で、磁気
コア部と強磁性金属薄膜との間に生じる擬似ギャップの
影響を抑えることが可能で、大トラック幅化，トラック
幅の精度の向上，コストダウン等が図れ、信頼性及び生
産性に優れた磁気ヘッドを提供することを目的とする。
上述のような目的を達成するために、本発明は強磁性
酸化物よりなる磁気コア部とこの磁気コア部に被着形成
される強磁性金属薄膜により磁気コア半体が構成され、
磁気ギャップと略平行に被着形成される強磁性金属薄膜
同士を突き合わせて磁気ギャップを構成してなる磁気ヘ
ッドにおいて、上記磁気コア部と強磁性金属薄膜との境
界面にNi−Zn系フェライトまたはパーマロイの薄膜が下
地膜として介在され、これら下地膜と強磁性金属薄膜が
真空蒸着形成技術により磁気コア部に順次被着形成され
ていることを特徴とするものである。
酸化物よりなる磁気コア部とこの磁気コア部に被着形成
される強磁性金属薄膜により磁気コア半体が構成され、
磁気ギャップと略平行に被着形成される強磁性金属薄膜
同士を突き合わせて磁気ギャップを構成してなる磁気ヘ
ッドにおいて、上記磁気コア部と強磁性金属薄膜との境
界面にNi−Zn系フェライトまたはパーマロイの薄膜が下
地膜として介在され、これら下地膜と強磁性金属薄膜が
真空蒸着形成技術により磁気コア部に順次被着形成され
ていることを特徴とするものである。
磁気コア部と強磁性金属薄膜との境界面に高透磁率材
料よりなる下地膜を介在させているため、磁気コア部と
強磁性金属薄膜との境界面での磁束の流れが非常に効率
良くなり、境界面が擬似ギャップとして作用することが
抑制される。
料よりなる下地膜を介在させているため、磁気コア部と
強磁性金属薄膜との境界面での磁束の流れが非常に効率
良くなり、境界面が擬似ギャップとして作用することが
抑制される。
また、磁気コア部と強磁性金属薄膜の間に下地膜を介
しているため、両者間の化学的な反応が抑えられる。
しているため、両者間の化学的な反応が抑えられる。
さらに、下地膜を介したことにより磁気コア部と強磁
性金属薄膜の間の密着性が向上する。
性金属薄膜の間の密着性が向上する。
以下、本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例を図面
を参考にしながら説明する。
を参考にしながら説明する。
第１図は本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す外
観斜視図であり、第２図はその磁気記録媒体対接面を示
す要部拡大平面図である。
観斜視図であり、第２図はその磁気記録媒体対接面を示
す要部拡大平面図である。
この磁気ヘッドにおいては、磁気コア部（１），
（２）が酸化物磁性材料、例えばMn−Zn系フェライトで
形成され、これら磁気コア部（１），（２）の接合面に
沿っている一側面（1a），（2a）及びこの一側面（1
a），（2a）の両側に略円弧状に切り欠かれた切り欠き
面（1b），（1c），（2b），（2c）には、フロントギャ
ップ形成面からバックギャップ形成面に至るまで連続し
て、例えばFe−Al−Si系合金膜等からなる強磁性金属薄
膜（３），（４）が真空薄膜形成技術により被着形成さ
れている。
（２）が酸化物磁性材料、例えばMn−Zn系フェライトで
形成され、これら磁気コア部（１），（２）の接合面に
沿っている一側面（1a），（2a）及びこの一側面（1
a），（2a）の両側に略円弧状に切り欠かれた切り欠き
面（1b），（1c），（2b），（2c）には、フロントギャ
ップ形成面からバックギャップ形成面に至るまで連続し
て、例えばFe−Al−Si系合金膜等からなる強磁性金属薄
膜（３），（４）が真空薄膜形成技術により被着形成さ
れている。
上記強磁性金属薄膜（３），（４）の材質としては上
述したものの他、強磁性非結晶金属合金，いわゆるアモ
ルファス合金（例えばFe,Ni,Coの１つ以上の元素とP,C,
B,Siの１つの元素とからなる合金、またはこれらを主成
分としAl,Ge,Be,Sn,In,Mo,W,Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含
んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス合金、
あるいはCo,Hf,Zr等の遷移元素や希土類元素を主成分と
するメタル−メタル系アモルファス合金）等が使用可能
である。また、上記強磁性金属薄膜（３），（４）とし
て、例えばSiO2,Ta2O5,Al2O3,ZrO2,Si3N4等の高耐摩耗
性絶縁膜を介して金属磁性材料を複数層積層した磁性膜
を用いれば磁気特性の向上が図れる。この場合、強磁性
金属薄膜の積層数は任意に設定することができる。
述したものの他、強磁性非結晶金属合金，いわゆるアモ
ルファス合金（例えばFe,Ni,Coの１つ以上の元素とP,C,
B,Siの１つの元素とからなる合金、またはこれらを主成
分としAl,Ge,Be,Sn,In,Mo,W,Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含
んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス合金、
あるいはCo,Hf,Zr等の遷移元素や希土類元素を主成分と
するメタル−メタル系アモルファス合金）等が使用可能
である。また、上記強磁性金属薄膜（３），（４）とし
て、例えばSiO2,Ta2O5,Al2O3,ZrO2,Si3N4等の高耐摩耗
性絶縁膜を介して金属磁性材料を複数層積層した磁性膜
を用いれば磁気特性の向上が図れる。この場合、強磁性
金属薄膜の積層数は任意に設定することができる。
また、上記磁気コア部（１），（２）と強磁性金属薄
膜（３），（４）との境界面には、連続して高透磁率材
料よりなる下地膜（５），（６）が介在形成され、それ
ぞれ磁気コア半体（11），（12）が構成されている。
膜（３），（４）との境界面には、連続して高透磁率材
料よりなる下地膜（５），（６）が介在形成され、それ
ぞれ磁気コア半体（11），（12）が構成されている。
そして、これら一対の磁気コア半体（11），（12）を
ギャップスペーサを介して突き合わせ、上記強磁性金属
薄膜（３），（４）の当接面がトラック幅Twの磁気ギャ
ップｇとなるように構成されている。
ギャップスペーサを介して突き合わせ、上記強磁性金属
薄膜（３），（４）の当接面がトラック幅Twの磁気ギャ
ップｇとなるように構成されている。
ここで、上記一側面（1a），（2a）の両側に略円弧状
に切り欠かれた切り欠き面（1b），（1c），（2b），
（2c）は、トラック幅を調整するトラック幅規制溝でこ
の形状はとくに限定されるものではない。
に切り欠かれた切り欠き面（1b），（1c），（2b），
（2c）は、トラック幅を調整するトラック幅規制溝でこ
の形状はとくに限定されるものではない。
また、上記磁気ギャップｇの両側であって、磁気ギャ
ップ形成面となる一側面（1a），（2a）の両側に略円弧
状に切り欠かれた切り欠き面（1b），（1c），（2b），
（2c）には、上記強磁性金属薄膜（３），（４）の摩耗
を防止するために非磁性材（７），（８）が溶融充填さ
れている。
ップ形成面となる一側面（1a），（2a）の両側に略円弧
状に切り欠かれた切り欠き面（1b），（1c），（2b），
（2c）には、上記強磁性金属薄膜（３），（４）の摩耗
を防止するために非磁性材（７），（８）が溶融充填さ
れている。
なお、以上のように磁気ヘッドを形成する磁気コア半
体（21），（22）のうち、一方の磁気コア半体（21）に
は、巻線溝（23）が穿設され、この巻線溝（23）にコイ
ルを巻回することによって、磁気ヘッドに信号を供給
し、あるいは信号を取り出すようになっている。
体（21），（22）のうち、一方の磁気コア半体（21）に
は、巻線溝（23）が穿設され、この巻線溝（23）にコイ
ルを巻回することによって、磁気ヘッドに信号を供給
し、あるいは信号を取り出すようになっている。
以上の構成の磁気ヘッドにおいて、上記磁気コア部
（１），（２）と強磁性金属薄膜（３），（４）との境
界面に形成された高透磁率材料よりなる下地膜（５），
（６）は、上記境界面がギャップと平行に形成されてい
るために生じる擬似ギャップの影響を抑制し、境界面で
の磁束の流れの効率を良くするように作用するものであ
る。
（１），（２）と強磁性金属薄膜（３），（４）との境
界面に形成された高透磁率材料よりなる下地膜（５），
（６）は、上記境界面がギャップと平行に形成されてい
るために生じる擬似ギャップの影響を抑制し、境界面で
の磁束の流れの効率を良くするように作用するものであ
る。
一般に擬似ギャップによる影響には、ヘッド効率，ギ
ャップ損失，アジマス損失等が考えられる。しかし本発
明を適用した磁気ヘッドにおいては、ギャップと擬似ギ
ャップは平行に形成されているため、アジマス損失は期
待できない。
ャップ損失，アジマス損失等が考えられる。しかし本発
明を適用した磁気ヘッドにおいては、ギャップと擬似ギ
ャップは平行に形成されているため、アジマス損失は期
待できない。
そして、前述の如き構成を有する磁気ヘッドのヘッド
効率について考察してみる。本発明を適用した磁気ヘッ
ドは、第３図に示す磁路概要図で表されるような磁路を
形成している。すなわち本発明を適用した磁気ヘッドに
は、一定間隔を有して平行に３つのギャップ（主ギャッ
プG0,擬似ギャップG1,G2）が磁気コアに形成されている
とみなすことができる。そして、磁路を形成している磁
気コアは、上記ギャップによりC1,C2,C3の３つに分けら
れる。
効率について考察してみる。本発明を適用した磁気ヘッ
ドは、第３図に示す磁路概要図で表されるような磁路を
形成している。すなわち本発明を適用した磁気ヘッドに
は、一定間隔を有して平行に３つのギャップ（主ギャッ
プG0,擬似ギャップG1,G2）が磁気コアに形成されている
とみなすことができる。そして、磁路を形成している磁
気コアは、上記ギャップによりC1,C2,C3の３つに分けら
れる。
上記磁路概要図より各部分の磁路抵抗をRXとして、各
ギャップG0,G1,G2の効率を表すと以下のようになる。
ギャップG0,G1,G2の効率を表すと以下のようになる。
主ギャップG0の効率η０ η０＝RGO/（RC1＋RC2＋RC3＋RG0＋RG1＋RG2） 擬似ギャップG1の効率η１ η１＝RG1/（RC1＋RC2＋RC3＋RG0＋RG1＋RG2） 擬似ギャップG2の効率η２ η２＝RG2/（RC1＋RC2＋RC3＋RG0＋RG1＋RG2） このように表されるギャップの効率の関係が η０＞＞η1,η２ となれば擬似ギャップの影響を小さく抑制することがで
きる。
きる。
ここで、擬似ギャップG1及び擬似ギャップG2における
磁路抵抗RG1,RG2は、 RG1,RG2＝Gl/（μ・Dp・Ｗ） （但し、Glは擬似ギャップのギャップ長,Dpはデプス,W
はトラック幅）で表される。したがって、分子が小さい
かもしくは分母が大きくなれば磁路抵抗RG1,RG2は小さ
くなる。
磁路抵抗RG1,RG2は、 RG1,RG2＝Gl/（μ・Dp・Ｗ） （但し、Glは擬似ギャップのギャップ長,Dpはデプス,W
はトラック幅）で表される。したがって、分子が小さい
かもしくは分母が大きくなれば磁路抵抗RG1,RG2は小さ
くなる。
この場合は、デプスDpとトラック幅Ｗは、ヘッドの構
造によって決定される定数であるため、ギャップ長Gl
（具体的には、下地膜の膜厚）を小さく、下地膜の透磁
率μを大きくすればよい。例えば、下地膜としてSiO2,C
r等を用いた場合には、これらの透磁率は真空での透磁
率μ０に略等しい。これを高透磁率材料に変えれば磁路
抵抗RG1,RG2はその比透磁率（真空の透磁率μ０に対す
る比率）をμＳとして1/μＳとなる。
造によって決定される定数であるため、ギャップ長Gl
（具体的には、下地膜の膜厚）を小さく、下地膜の透磁
率μを大きくすればよい。例えば、下地膜としてSiO2,C
r等を用いた場合には、これらの透磁率は真空での透磁
率μ０に略等しい。これを高透磁率材料に変えれば磁路
抵抗RG1,RG2はその比透磁率（真空の透磁率μ０に対す
る比率）をμＳとして1/μＳとなる。
また、下地膜は透磁率が高ければよく、高磁束密度を
有することや耐摩耗性が良好である等の特性は特に必要
とはならない。
有することや耐摩耗性が良好である等の特性は特に必要
とはならない。
このように形成される磁気ヘッドにおいては、磁気コ
ア部と強磁性金属薄膜との境界面に高透磁率材料よりな
る下地膜を介在させているため、磁気コア部と強磁性金
属薄膜との境界面での磁束の流れが非常に効率良くな
り、境界面が擬似ギャップとして作用することが抑制さ
れる。
ア部と強磁性金属薄膜との境界面に高透磁率材料よりな
る下地膜を介在させているため、磁気コア部と強磁性金
属薄膜との境界面での磁束の流れが非常に効率良くな
り、境界面が擬似ギャップとして作用することが抑制さ
れる。
次に、上述した論理に基づき高透磁率を有する材料を
選択して行った具体的な実験例について説明する。
選択して行った具体的な実験例について説明する。
実験例１ 先ず、第１図及び第２図に示すような磁気ヘッドの下
地膜として高透磁率を有するNi−Zn系フェライト（Fe:5
0％,Ni:15％,Zn:35％）を用い、これを下地膜厚300Åと
なるようにスパッタ形成した。
地膜として高透磁率を有するNi−Zn系フェライト（Fe:5
0％,Ni:15％,Zn:35％）を用い、これを下地膜厚300Åと
なるようにスパッタ形成した。
上記磁気ヘッドの再生うねり特性について測定したと
ころ第４図に示すようなうねりの極めて少ない，つまり
擬似ギャップの影響の極めて少ない結果が得られた。
ころ第４図に示すようなうねりの極めて少ない，つまり
擬似ギャップの影響の極めて少ない結果が得られた。
これに対して、磁気ヘッドの下地膜として真空透磁率
に略等しい透磁率を有するSiO2を使用して、磁気ヘッド
の再生うねり特性について測定した。その結果、第５図
に示すように、非常に大きなうねりを有することがわか
った。つまり下地層としてSiO2を用いた磁気ヘッドで
は、この下地層が再生特性に対して非常に大きな悪影響
を及ぼし、擬似ギャップが発生する磁気ヘッドとなって
しまった。
に略等しい透磁率を有するSiO2を使用して、磁気ヘッド
の再生うねり特性について測定した。その結果、第５図
に示すように、非常に大きなうねりを有することがわか
った。つまり下地層としてSiO2を用いた磁気ヘッドで
は、この下地層が再生特性に対して非常に大きな悪影響
を及ぼし、擬似ギャップが発生する磁気ヘッドとなって
しまった。
このように、高透磁率材を下地膜として用いることに
より、擬似ギャップの発生による影響を抑制することが
できることがわかる。
より、擬似ギャップの発生による影響を抑制することが
できることがわかる。
実験例２ 次に、磁気ヘッドの下地膜として高透磁率を有するパ
ーマロイ（Ni:79％,Fe:16％,Mo:5％）を用いて透磁率と
膜厚との関係についてのシミュレーションを行った。
ーマロイ（Ni:79％,Fe:16％,Mo:5％）を用いて透磁率と
膜厚との関係についてのシミュレーションを行った。
擬似ギャップ防止の効果は下地膜の膜厚とその材質の
有する透磁率によって決定されるものであり、どの程度
でその効果が発揮されるかを検討した。
有する透磁率によって決定されるものであり、どの程度
でその効果が発揮されるかを検討した。
磁気ヘッドの下地膜として使用したパーマロイの膜厚
を300Åとして一定にしておき、比透磁率μＳを1,10,50
と変化させ、そのときの再生特性のうねりを測定した。
を300Åとして一定にしておき、比透磁率μＳを1,10,50
と変化させ、そのときの再生特性のうねりを測定した。
その結果を第６図ないし第８図に示す。なお、第６図
は比透磁率μＳ＝１の場合、第７図は比透磁率μＳ＝10
の場合、第８図は比透磁率μＳ＝50の場合をそれぞれ表
す。
は比透磁率μＳ＝１の場合、第７図は比透磁率μＳ＝10
の場合、第８図は比透磁率μＳ＝50の場合をそれぞれ表
す。
これらの結果からわかるように、膜厚が300Åのとき
は、比透磁率が10程度あれば再生うねりを充分に抑制す
ることができる。勿論、比透磁率μＳが50になればその
効果はより一層顕著なものとなり再生うねりはほとんど
発生しなくなる。実験的にも同様の傾向が確認された。
は、比透磁率が10程度あれば再生うねりを充分に抑制す
ることができる。勿論、比透磁率μＳが50になればその
効果はより一層顕著なものとなり再生うねりはほとんど
発生しなくなる。実験的にも同様の傾向が確認された。
以上の結果より、高透磁率材よりなる下地膜を磁気コ
ア部と強磁性金属薄膜との境界面に形成することによ
り、うねり，すなわち擬似ギャップの影響を充分抑える
ことができる。
ア部と強磁性金属薄膜との境界面に形成することによ
り、うねり，すなわち擬似ギャップの影響を充分抑える
ことができる。
また第６図ないし第８図に示すように膜厚が等しけれ
ば比透磁率が高い程その効果は大きくなるが、比透磁率
が10程度であっても擬似ギャップのうねりはかなり抑制
することができる。
ば比透磁率が高い程その効果は大きくなるが、比透磁率
が10程度であっても擬似ギャップのうねりはかなり抑制
することができる。
さらに下地膜に使用する高透磁率材としてNi−Zn系フ
ェライト及びパーマロイは非常に有効であった。したが
って、これらに類する透磁率の高い材料であれば、有効
に擬似ギャップの影響を抑制することが可能である。
ェライト及びパーマロイは非常に有効であった。したが
って、これらに類する透磁率の高い材料であれば、有効
に擬似ギャップの影響を抑制することが可能である。
以上の説明からも明らかなように、本発明において
は、磁気コア部と強磁性金属薄膜との境界面に高透磁率
材料よりなる下地膜を介在させているため、磁気コア部
と強磁性金属薄膜との境界面での磁束の流れが非常に効
率良くなり、境界面が擬似ギャップとして作用すること
が抑制される。
は、磁気コア部と強磁性金属薄膜との境界面に高透磁率
材料よりなる下地膜を介在させているため、磁気コア部
と強磁性金属薄膜との境界面での磁束の流れが非常に効
率良くなり、境界面が擬似ギャップとして作用すること
が抑制される。
この場合、下地膜の比透磁率は高い程その効果は大き
くなるが、比透磁率が10程度であっても擬似ギャップの
うねりはかなり抑制することができる。
くなるが、比透磁率が10程度であっても擬似ギャップの
うねりはかなり抑制することができる。
さらにまた、下地膜としてNi−Zn系フェライト及びパ
ーマロイは非常に有効であり、これらに類する透磁率の
高い材料であれば、有効に擬似ギャップの影響を抑制す
ることが可能である。したがって、信頼性に優れた磁気
ヘッドとすることができる。
ーマロイは非常に有効であり、これらに類する透磁率の
高い材料であれば、有効に擬似ギャップの影響を抑制す
ることが可能である。したがって、信頼性に優れた磁気
ヘッドとすることができる。
そして、磁気コア部と強磁性金属薄膜の間に下地膜を
介しているため、両者間の化学的な反応が抑えられ、密
着性が向上することによっても磁気ヘッドの信頼性は向
上する。
介しているため、両者間の化学的な反応が抑えられ、密
着性が向上することによっても磁気ヘッドの信頼性は向
上する。
本発明の磁気ヘッドは、従来の磁気ヘッドの有する利
点を損なうことなく、大トラック幅化が可能で，トラッ
ク幅精度が高いこと、製造コストの低減が図れること等
の利点を有する。
点を損なうことなく、大トラック幅化が可能で，トラッ
ク幅精度が高いこと、製造コストの低減が図れること等
の利点を有する。
第１図は本発明を適用した磁気ヘッドの外観斜視図、第
２図は磁気ヘッドの磁気記録媒体対接面を示す要部拡大
平面図、第３図は磁路の構成を示す磁路概要図、第４図
は下地膜にNi−Zn系フェライトを用いたときの再生うね
りの測定結果を示す特性図、第５図は下地膜にSiO2を用
いたときの再生うねりの測定結果を示す特性図である。 第６図乃至第８図は下地膜にパーマロイを用いたときの
再生うねりのシミュレーション結果を示す特性図であ
り、第６図は比透磁率が１である場合のシミュレーショ
ン結果、第７図は比透磁率が10である場合のシミュレー
ション結果、第８図は比透磁率が50である場合のシミュ
レーション結果をそれぞれ示す。 第９図は従来の磁気ヘッドの磁気記録媒体対接面の一例
を示す要部拡大平面図である。 1,2……磁気コア部 3,4……強磁性金属薄膜 5,6……下地膜 11,12……磁気コア半体
２図は磁気ヘッドの磁気記録媒体対接面を示す要部拡大
平面図、第３図は磁路の構成を示す磁路概要図、第４図
は下地膜にNi−Zn系フェライトを用いたときの再生うね
りの測定結果を示す特性図、第５図は下地膜にSiO2を用
いたときの再生うねりの測定結果を示す特性図である。 第６図乃至第８図は下地膜にパーマロイを用いたときの
再生うねりのシミュレーション結果を示す特性図であ
り、第６図は比透磁率が１である場合のシミュレーショ
ン結果、第７図は比透磁率が10である場合のシミュレー
ション結果、第８図は比透磁率が50である場合のシミュ
レーション結果をそれぞれ示す。 第９図は従来の磁気ヘッドの磁気記録媒体対接面の一例
を示す要部拡大平面図である。 1,2……磁気コア部 3,4……強磁性金属薄膜 5,6……下地膜 11,12……磁気コア半体
Claims (1)
- 【請求項１】強磁性酸化物よりなる磁気コア部とこの磁
気コア部に被着形成される強磁性金属薄膜により磁気コ
ア半体が構成され、磁気ギャップと略平行に被着形成さ
れる強磁性金属薄膜同士を突き合わせて磁気ギャップを
構成してなる磁気ヘッドにおいて、 上記磁気コア部と強磁性金属薄膜との境界面にNi−Zn系
フェライトまたはパーマロイの薄膜が下地膜として介在
され、これら下地膜と強磁性金属薄膜が真空薄膜形成技
術により磁気コア部に順次被着形成されていることを特
徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182313A JP2565250B2 (ja) | 1986-08-02 | 1986-08-02 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182313A JP2565250B2 (ja) | 1986-08-02 | 1986-08-02 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6339106A JPS6339106A (ja) | 1988-02-19 |
| JP2565250B2 true JP2565250B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=16116118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61182313A Expired - Fee Related JP2565250B2 (ja) | 1986-08-02 | 1986-08-02 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565250B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038242A (en) * | 1988-05-13 | 1991-08-06 | Citizen Watch Co., Ltd. | Magnetic head containing a barrier layer |
| JP2625888B2 (ja) * | 1988-05-25 | 1997-07-02 | ソニー株式会社 | 複合磁気ヘッド |
| JPH01303614A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH02192006A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-07-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | 磁気ヘッドとその製造方法 |
| JP2798315B2 (ja) * | 1990-07-13 | 1998-09-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 複合磁気ヘッド |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5912758Y2 (ja) * | 1979-03-14 | 1984-04-17 | 三洋電機株式会社 | 磁気ヘツド |
| JPH0664703B2 (ja) * | 1984-05-11 | 1994-08-22 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド |
| JPS6174110A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ヘツド |
| JPH0770020B2 (ja) * | 1985-06-14 | 1995-07-31 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-08-02 JP JP61182313A patent/JP2565250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6339106A (ja) | 1988-02-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |