JP2551901B2 - 接触アルキル化方法 - Google Patents
接触アルキル化方法Info
- Publication number
- JP2551901B2 JP2551901B2 JP4232544A JP23254492A JP2551901B2 JP 2551901 B2 JP2551901 B2 JP 2551901B2 JP 4232544 A JP4232544 A JP 4232544A JP 23254492 A JP23254492 A JP 23254492A JP 2551901 B2 JP2551901 B2 JP 2551901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ether
- formula
- group
- reaction
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 230000029936 alkylation Effects 0.000 title description 3
- 238000005804 alkylation reaction Methods 0.000 title description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 61
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- -1 hydrocarbyl ether Chemical compound 0.000 claims description 19
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 1,1'-Oxybisoctane Chemical compound CCCCCCCCOCCCCCCCC NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000002152 alkylating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical group CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 2
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000006376 (C3-C10) cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypentane Chemical compound CCCCCOCCCCC AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical class [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WTXRAMMDQPRDSK-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-propan-2-yloxysilane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(Cl)Cl WTXRAMMDQPRDSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MTHFROHDIWGWFD-UHFFFAOYSA-N n-butyl-n-methylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN(C)CCCC MTHFROHDIWGWFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BQJJSYAFFLGSEY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-dimethyl-propan-2-yloxysilane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(C)C(C)(C)C BQJJSYAFFLGSEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims 1
- 229940086542 triethylamine Drugs 0.000 claims 1
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 18
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 13
- BCNZYOJHNLTNEZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyldimethylsilyl chloride Chemical compound CC(C)(C)[Si](C)(C)Cl BCNZYOJHNLTNEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001030 gas--liquid chromatography Methods 0.000 description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000012018 catalyst precursor Substances 0.000 description 5
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- MOOUPSHQAMJMSL-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(trichloro)silane Chemical compound CC(C)(C)[Si](Cl)(Cl)Cl MOOUPSHQAMJMSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 3
- LAIUFBWHERIJIH-UHFFFAOYSA-N 3-Methylheptane Chemical compound CCCCC(C)CC LAIUFBWHERIJIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methylaniline Chemical compound CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical group C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- CCZVEWRRAVASGL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methanidylpropane Chemical compound [Li+].CC(C)[CH2-] CCZVEWRRAVASGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N lithium;butane Chemical compound [Li+].CC[CH-]C WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUYHWZFSGMZEOG-UHFFFAOYSA-M magnesium;propane;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].C[CH-]C IUYHWZFSGMZEOG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003541 multi-stage reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 210000002966 serum Anatomy 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDIWAJVQNKHNGJ-UHFFFAOYSA-N trimethyl(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)[Si](C)(C)C WDIWAJVQNKHNGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDYVUKGVKRZQNM-UHFFFAOYSA-N 6-phosphonohexylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CCCCCCP(O)(O)=O WDYVUKGVKRZQNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000203482 Polyscias Species 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZSKZXUDGLALTQ-UHFFFAOYSA-N [Li][C] Chemical compound [Li][C] YZSKZXUDGLALTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 229940088710 antibiotic agent Drugs 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- KLJPJQLKSTTYTK-UHFFFAOYSA-N butyl(chloro)silane Chemical compound CCCC[SiH2]Cl KLJPJQLKSTTYTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229940041011 carbapenems Drugs 0.000 description 1
- 238000003442 catalytic alkylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- DHIJQKDTUKKCDS-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-propan-2-yloxysilane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(C)Cl DHIJQKDTUKKCDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGHUUVGIRWMJGE-UHFFFAOYSA-N chlorodimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)Cl YGHUUVGIRWMJGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- BIXSMRDZJBFWFD-UHFFFAOYSA-N dichloromethyl(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[SiH2]C(Cl)Cl BIXSMRDZJBFWFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWGIJJRGSGDBFJ-UHFFFAOYSA-N dichloromethylsilane Chemical compound [SiH3]C(Cl)Cl UWGIJJRGSGDBFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKDDWNXOKDWJAK-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethane Chemical compound COCOC NKDDWNXOKDWJAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDYPRPVKBUOHDH-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(dichloro)silane Chemical compound CC(C)(C)[Si](Cl)(Cl)C(C)(C)C PDYPRPVKBUOHDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- CHDFNIZLAAFFPX-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;oxolane Chemical compound CCOCC.C1CCOC1 CHDFNIZLAAFFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLKFAASOGCDTDT-UHFFFAOYSA-N ethoxymethoxyethane Chemical compound CCOCOCC KLKFAASOGCDTDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- WDDLHZXDSVMNRK-UHFFFAOYSA-N lithium;3-methanidylheptane Chemical compound [Li+].CCCCC([CH2-])CC WDDLHZXDSVMNRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETVQRFGPOGIQJ-UHFFFAOYSA-N lithium;hexane Chemical compound [Li+].CCCCC[CH2-] CETVQRFGPOGIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQIWJEAPUNWDLC-UHFFFAOYSA-N lithium;octane Chemical compound [Li+].CCCCCCC[CH2-] IQIWJEAPUNWDLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZAVVKVUMPLRRS-UHFFFAOYSA-N lithium;propane Chemical compound [Li+].C[CH-]C SZAVVKVUMPLRRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQRPUKWAZPZXTO-UHFFFAOYSA-M magnesium;2-methylpropane;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].C[C-](C)C CQRPUKWAZPZXTO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QUXHCILOWRXCEO-UHFFFAOYSA-M magnesium;butane;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].CCC[CH2-] QUXHCILOWRXCEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CCERQOYLJJULMD-UHFFFAOYSA-M magnesium;carbanide;chloride Chemical compound [CH3-].[Mg+2].[Cl-] CCERQOYLJJULMD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002737 metalloid compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWLFCNHEPBTLHT-UHFFFAOYSA-N neopentyllithium Chemical compound [Li]CC(C)(C)C UWLFCNHEPBTLHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 229940094443 oxytocics prostaglandins Drugs 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical group 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000011027 product recovery Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 150000003180 prostaglandins Chemical class 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTYRQCFTOYUATF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(chloro)silane Chemical compound CC(C)(C)[SiH2]Cl UTYRQCFTOYUATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILMRJRBKQSSXGY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)C(C)(C)C ILMRJRBKQSSXGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 150000005671 trienes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F1/00—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
- C07F1/02—Lithium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F1/00—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0896—Compounds with a Si-H linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/122—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半金属基質の接触アルキ
ル化によってアルキル化した有機半金属化合物、特に有
機シランを高収率で生産する方法に関する。アルキル化
したクロロシラン類は有機合成反応において種々の用途
を有する。抗生物質、カルバペネム類、プロスタグラジ
ン類等の薬物の製造におけるt−ブチルジメチルクロロ
シランの保護剤、特にOH−プロテクターとしての使用
は周知である。
ル化によってアルキル化した有機半金属化合物、特に有
機シランを高収率で生産する方法に関する。アルキル化
したクロロシラン類は有機合成反応において種々の用途
を有する。抗生物質、カルバペネム類、プロスタグラジ
ン類等の薬物の製造におけるt−ブチルジメチルクロロ
シランの保護剤、特にOH−プロテクターとしての使用
は周知である。
【0002】t−ブチルマグネシウムクロライドとジク
ロロメチルシランとの反応はM.タカミザワらによって
米国特許第4593112号明細書に開示され、70%
の収率でt−ブチルクロロシランを得ている。後者の生
成物をメチルマグネシウムクロライドで処理してt−ブ
チルジメチルシラン(98%)とし、これを塩素化して
85%の収率でt−ブチルジメチルクロロシランを得
る。この多段工程反応の総括収率は低い(58%)。
ロロメチルシランとの反応はM.タカミザワらによって
米国特許第4593112号明細書に開示され、70%
の収率でt−ブチルクロロシランを得ている。後者の生
成物をメチルマグネシウムクロライドで処理してt−ブ
チルジメチルシラン(98%)とし、これを塩素化して
85%の収率でt−ブチルジメチルクロロシランを得
る。この多段工程反応の総括収率は低い(58%)。
【0003】THF中シアン化銅(I)の存在下にt−
ブチルマグネシウムクロライドとジメチルジクロロシラ
ンとを反応させて74%の収率でt−ブチルジメチルク
ロロシランを得ることがA.シラハタ、Tetrahe
dron Letters,30(46),6393−
6394(1989)に開示されている。この収率は低
く、高価な溶媒が用いられている。
ブチルマグネシウムクロライドとジメチルジクロロシラ
ンとを反応させて74%の収率でt−ブチルジメチルク
ロロシランを得ることがA.シラハタ、Tetrahe
dron Letters,30(46),6393−
6394(1989)に開示されている。この収率は低
く、高価な溶媒が用いられている。
【0004】イソプロピルマグネシウムクロライドとト
リメチルクロロシランとの反応によってイソプロピルト
リメチルシランを与える反応(収率は記載されていな
い)がA.シラハタによって米国特許第4818474
号明細書に開示されている。このイソプロピルトリメチ
ルシランの塩素化はα−クロロ−α,α−ジメチルトリ
メチルシランへの転位を引き起こす(収率は与えられて
いない)。後者の化合物を塩化アルミニウムで処理する
ことによって目的とするt−ブチルジメチルクロロシラ
ンが得られた。この場合も低い総括収率での多段工程反
応であることが明らかである(高価な溶媒)。
リメチルクロロシランとの反応によってイソプロピルト
リメチルシランを与える反応(収率は記載されていな
い)がA.シラハタによって米国特許第4818474
号明細書に開示されている。このイソプロピルトリメチ
ルシランの塩素化はα−クロロ−α,α−ジメチルトリ
メチルシランへの転位を引き起こす(収率は与えられて
いない)。後者の化合物を塩化アルミニウムで処理する
ことによって目的とするt−ブチルジメチルクロロシラ
ンが得られた。この場合も低い総括収率での多段工程反
応であることが明らかである(高価な溶媒)。
【0005】本発明は炭化水素溶媒中での一定の触媒も
しくはプロト触媒(protocatalysts)の
存在下に、炭化水素溶媒中で半金属基質をアルキル化す
ることによってアルキル化した半金属化合物を高収率で
生産する方法を提供する。これらの方法はイソプロピ
ル、t−ブチル、2−エチルヘキシル基等の嵩高いか高
度に封鎖された(hindered)アルキル基が関与
するアルキル化に特に有用である。
しくはプロト触媒(protocatalysts)の
存在下に、炭化水素溶媒中で半金属基質をアルキル化す
ることによってアルキル化した半金属化合物を高収率で
生産する方法を提供する。これらの方法はイソプロピ
ル、t−ブチル、2−エチルヘキシル基等の嵩高いか高
度に封鎖された(hindered)アルキル基が関与
するアルキル化に特に有用である。
【0006】アルキルリチウム化合物を用いるアルキル
−ハロゲン交換によってアルキル化される半金属基質は
クロロシラン類である。これらの反応は次の反応経路に
よって例示することができる。 ここでRはアルキル基であり、R1、R2及びR3は水
素、ハロゲン及び種々の炭素含有化合物から独立に選ば
れる。
−ハロゲン交換によってアルキル化される半金属基質は
クロロシラン類である。これらの反応は次の反応経路に
よって例示することができる。 ここでRはアルキル基であり、R1、R2及びR3は水
素、ハロゲン及び種々の炭素含有化合物から独立に選ば
れる。
【0007】本発明の1つの面はアルキルリチウム化合
物とクロロシランもしくはアルキル置換したクロロシラ
ンとを、反応体または反応混合物それ自体に加えた少量
の一定の有機物質の存在下で反応させて、アルキル化し
たクロロシランを生産するための改良された方法を提供
する。これらの有機物質は反応を大巾に促進し、2分〜
7時間の時間内に約95%の程度でより完結した反応を
もたらす。この反応は炭化水素溶媒中で行われる。これ
らの有機物質は触媒、またはプロト触媒、すなわち本発
明の反応体のいずれかと反応して触媒に変わる物質と呼
ぶことができる。これらがどう呼ばれようと、これらの
有機物質はより短い時間内でのより完全な反応をもたら
し、また驚くべきほどに減少した副反応による不純物し
かもたらさない。
物とクロロシランもしくはアルキル置換したクロロシラ
ンとを、反応体または反応混合物それ自体に加えた少量
の一定の有機物質の存在下で反応させて、アルキル化し
たクロロシランを生産するための改良された方法を提供
する。これらの有機物質は反応を大巾に促進し、2分〜
7時間の時間内に約95%の程度でより完結した反応を
もたらす。この反応は炭化水素溶媒中で行われる。これ
らの有機物質は触媒、またはプロト触媒、すなわち本発
明の反応体のいずれかと反応して触媒に変わる物質と呼
ぶことができる。これらがどう呼ばれようと、これらの
有機物質はより短い時間内でのより完全な反応をもたら
し、また驚くべきほどに減少した副反応による不純物し
かもたらさない。
【0008】本発明の実施に際しもっとも有用な触媒及
び/または触媒前駆体は下式の化合物である: (RR 1 R 2 M a ) y A(R 3 ) x (式中、R、R 1 及びR 2 は水素、ハロゲン、炭素数1
−13のアルキルまたはアルケニル基から独立に選ば
れ、M a はケイ素、炭素、ゲルマニウム及びスズから選
ばれるIV族元素であり、Aは酸素、イオウ、窒素及び
リンから選ばれ、x+yはAの原子価に等しく、x及び
yは0−3の値を独立に有することができる)。以後、
触媒またはプロト触媒と称するこれらの物質はビスヒド
ロカルビルエーテル類、ビスシリルエーテル類、トリス
ヒドロカルビルアミン類、ヒドロカルビルシリルアミン
類、トリス有機シリルアミン類、トリス有機ゲルミルホ
スフィン類等を包含する。式IIIの化合物のいくつか
の例は次の如くである:
び/または触媒前駆体は下式の化合物である: (RR 1 R 2 M a ) y A(R 3 ) x (式中、R、R 1 及びR 2 は水素、ハロゲン、炭素数1
−13のアルキルまたはアルケニル基から独立に選ば
れ、M a はケイ素、炭素、ゲルマニウム及びスズから選
ばれるIV族元素であり、Aは酸素、イオウ、窒素及び
リンから選ばれ、x+yはAの原子価に等しく、x及び
yは0−3の値を独立に有することができる)。以後、
触媒またはプロト触媒と称するこれらの物質はビスヒド
ロカルビルエーテル類、ビスシリルエーテル類、トリス
ヒドロカルビルアミン類、ヒドロカルビルシリルアミン
類、トリス有機シリルアミン類、トリス有機ゲルミルホ
スフィン類等を包含する。式IIIの化合物のいくつか
の例は次の如くである:
【0009】a. クロロシラン類とアルコールもしく
は金属アルコキシドとの反応によって生成するヒドロカ
ルビルシリル及びビスシリルエーテル類、例えばクロロ
ジメチルイソプロポキシシラン、t−ブチルジメチルイ
ソプロポキシシラン、トリメチルイソプロポキシシラ
ン、ジクロロメチルイソプロポキシシラン、ヘキサメチ
ルジシロキサン等。
は金属アルコキシドとの反応によって生成するヒドロカ
ルビルシリル及びビスシリルエーテル類、例えばクロロ
ジメチルイソプロポキシシラン、t−ブチルジメチルイ
ソプロポキシシラン、トリメチルイソプロポキシシラ
ン、ジクロロメチルイソプロポキシシラン、ヘキサメチ
ルジシロキサン等。
【0010】b. 例えば環状及び非環状エーテル、対
称的及び非対称的ジアルキル、ジアリール及びアルキル
アリールエーテル等のヒドロカルビルエーテル、これら
は、限定されないが、ジメチルエーテル、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン
及びテトラヒドロピラン、アニソール、メチル−t− ブ
チルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、ジアミルエー
テル、ジ−n−ヘキシルエーテル、ジ−n−オクチルエ
ーテル、ジフェニルエーテル等を包含する。他の有用な
エーテルはグリコールエーテルタイプであり、例えばエ
チレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレ
ングリコール等のモノ及びジメチル、エチル及びブチル
エーテルが挙げられる。アセタール(1,1−エーテ
ル)、例えばジメトキシメタン、ジエトキシメタンも有
用である。これらの中で好ましいのはジエチルエーテ
ル、ジ−n−オクチルエーテル、メチルt−ブチルエー
テル等のジアルキルエーテルであり、もっとも好ましい
のはメチルt−ブチルエーテルである。
称的及び非対称的ジアルキル、ジアリール及びアルキル
アリールエーテル等のヒドロカルビルエーテル、これら
は、限定されないが、ジメチルエーテル、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン
及びテトラヒドロピラン、アニソール、メチル−t− ブ
チルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、ジアミルエー
テル、ジ−n−ヘキシルエーテル、ジ−n−オクチルエ
ーテル、ジフェニルエーテル等を包含する。他の有用な
エーテルはグリコールエーテルタイプであり、例えばエ
チレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレ
ングリコール等のモノ及びジメチル、エチル及びブチル
エーテルが挙げられる。アセタール(1,1−エーテ
ル)、例えばジメトキシメタン、ジエトキシメタンも有
用である。これらの中で好ましいのはジエチルエーテ
ル、ジ−n−オクチルエーテル、メチルt−ブチルエー
テル等のジアルキルエーテルであり、もっとも好ましい
のはメチルt−ブチルエーテルである。
【0011】アルキルリチウムに対しエーテルの化学量
論量もしくはそれより大なる量の使用がクロロシラン類
をはじめとするいくつかの異なる基質に対するアルキル
リチウムの反応性を実質上高めることが知られている
が、触媒量の、すなわちアルキルリチウムの1モルあた
り0.05モルより少ない程度の使用は知られていな
い。これらのエーテルの存在が反応に与える速度の向上
は全く予期せざることである。アルキルリチウムに対し
THF、n−オクチルエーテル等のエーテルの1モル%
という少量の使用で200倍という高い向上率が得られ
た(表1参照)。他方、かかる反応におけるこれらのエ
ーテルの化学量論量もしくはそれより大なる量の使用が
目的とする生成物の収率を劇的に減少させることが見い
出された(表2参照)。従ってエーテルのかかる量はさ
けるべきである。
論量もしくはそれより大なる量の使用がクロロシラン類
をはじめとするいくつかの異なる基質に対するアルキル
リチウムの反応性を実質上高めることが知られている
が、触媒量の、すなわちアルキルリチウムの1モルあた
り0.05モルより少ない程度の使用は知られていな
い。これらのエーテルの存在が反応に与える速度の向上
は全く予期せざることである。アルキルリチウムに対し
THF、n−オクチルエーテル等のエーテルの1モル%
という少量の使用で200倍という高い向上率が得られ
た(表1参照)。他方、かかる反応におけるこれらのエ
ーテルの化学量論量もしくはそれより大なる量の使用が
目的とする生成物の収率を劇的に減少させることが見い
出された(表2参照)。従ってエーテルのかかる量はさ
けるべきである。
【0012】c. 例えば環状及び非環状3級アミン等
のトリスヒドロキシカルビルアミン類、具体的にはトリ
エチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、N,N,
N′,N′−テトラメチルエチレンジアミン、ペンタメ
チルジエチレントリアミン、トリエチレンジアミン、N
−メチルアニリン等。同様な3級ホスフィンも有用であ
る。
のトリスヒドロキシカルビルアミン類、具体的にはトリ
エチルアミン、トリ−n−ブチルアミン、N,N,
N′,N′−テトラメチルエチレンジアミン、ペンタメ
チルジエチレントリアミン、トリエチレンジアミン、N
−メチルアニリン等。同様な3級ホスフィンも有用であ
る。
【0013】有機半金属化合物を生産するのに用いられ
る触媒及び/または触媒前駆体は種々の方法で用いるこ
とができる。例えば、触媒または触媒前駆体は以下のよ
うに 加えることができる: (a)反応混合物に直接、 (b)アルキルリチウム試薬に、または (c)クロロシラン試薬に。
る触媒及び/または触媒前駆体は種々の方法で用いるこ
とができる。例えば、触媒または触媒前駆体は以下のよ
うに 加えることができる: (a)反応混合物に直接、 (b)アルキルリチウム試薬に、または (c)クロロシラン試薬に。
【0014】本発明の方法に有用な溶媒としては炭素数
4−8の飽和脂肪族炭化水素、炭素数6−9の飽和脂環
式炭化水素、炭素数6−9の芳香族炭化水素等の液状炭
化水素が好ましく、具体的には、限定されないが、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、クメン、
トリエン等が挙げられる。
4−8の飽和脂肪族炭化水素、炭素数6−9の飽和脂環
式炭化水素、炭素数6−9の芳香族炭化水素等の液状炭
化水素が好ましく、具体的には、限定されないが、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、クメン、
トリエン等が挙げられる。
【0015】すべての反応は不活性雰囲気下で行わなけ
ればならない。望まれる場合にはより高いかより低い圧
力を用いることも可能であるが、反応は大気圧下で行う
のが好都合であり、好ましい。もっともより高い圧力下
では溶媒としてプロパンやブタンを使用できる。反応温
度は0−50℃に亘ることができ、好ましくは20−4
0℃の範囲である。この好ましい温度範囲は反応中に生
じる不純物の量を制御するのに役立つ。本発明の触媒及
びプロト触媒を用いる場合には、反応は十分に発熱的な
ので、触媒不使用の反応では通常必要とされる熱の供給
は不要である。
ればならない。望まれる場合にはより高いかより低い圧
力を用いることも可能であるが、反応は大気圧下で行う
のが好都合であり、好ましい。もっともより高い圧力下
では溶媒としてプロパンやブタンを使用できる。反応温
度は0−50℃に亘ることができ、好ましくは20−4
0℃の範囲である。この好ましい温度範囲は反応中に生
じる不純物の量を制御するのに役立つ。本発明の触媒及
びプロト触媒を用いる場合には、反応は十分に発熱的な
ので、触媒不使用の反応では通常必要とされる熱の供給
は不要である。
【0016】炭化水素溶媒反応媒体中で用いる触媒のモ
ルパーセントは、用いるもしくは生成するアルキルリチ
ウムに基づいて、一般に0.01−10モル%、好まし
くは0.02−3.0モル%の範囲であり、約1モル%
がもっとも好ましい。この低いパーセンテージの使用に
おいては、触媒の金属誘導体とクロロシランとの反応に
よって生じる副生物が目的とする最終生産物中に殆ども
しくは全く見られないので、最終生産物の回収及び精製
上有利である。
ルパーセントは、用いるもしくは生成するアルキルリチ
ウムに基づいて、一般に0.01−10モル%、好まし
くは0.02−3.0モル%の範囲であり、約1モル%
がもっとも好ましい。この低いパーセンテージの使用に
おいては、触媒の金属誘導体とクロロシランとの反応に
よって生じる副生物が目的とする最終生産物中に殆ども
しくは全く見られないので、最終生産物の回収及び精製
上有利である。
【0017】表1に示される如く、半金属基質のアルキ
ル化に触媒作用を及ぼすのにより好ましい触媒または触
媒前駆体は脂肪族エーテルである。
ル化に触媒作用を及ぼすのにより好ましい触媒または触
媒前駆体は脂肪族エーテルである。
【0018】反応体の相互比率は化学量論量にかなり近
くすることができ、一般的には必要 とされるアルキルリ
チウムに対しクロロシランの約3モル%以下の過剰とす
ればよい。これは触媒を使用しない反応において必要と
される5モル%と比較し得る。反応生産物の総括濃度は
望まれるほど高くできるか、一般的には約1−2モル濃
度の程度である。
くすることができ、一般的には必要 とされるアルキルリ
チウムに対しクロロシランの約3モル%以下の過剰とす
ればよい。これは触媒を使用しない反応において必要と
される5モル%と比較し得る。反応生産物の総括濃度は
望まれるほど高くできるか、一般的には約1−2モル濃
度の程度である。
【0019】本発明の触媒または触媒前駆体のいくつか
は、半金属基質との反応速度を、該プロセスがバッチ反
応器のみならず連続反応器によっても行える程度にま
で、促進する(表1参照)。本発明の好ましい触媒を用
いて得られる生産物の収率は一般に少なくとも90%以
上であり、嵩高いアルキルリチウム化合物とクロロシラ
ンとを反応させる場合には90−100%である。さら
に、後者の場合の反応の生産物の蒸留による回収率もよ
り高い(90−100%)。これは生成する不純物(副
生物)がより少なく、必要とされるクロロシラン反応体
がより少ないからである。蒸留された生産物の純度は9
9%以上(99+%)である。
は、半金属基質との反応速度を、該プロセスがバッチ反
応器のみならず連続反応器によっても行える程度にま
で、促進する(表1参照)。本発明の好ましい触媒を用
いて得られる生産物の収率は一般に少なくとも90%以
上であり、嵩高いアルキルリチウム化合物とクロロシラ
ンとを反応させる場合には90−100%である。さら
に、後者の場合の反応の生産物の蒸留による回収率もよ
り高い(90−100%)。これは生成する不純物(副
生物)がより少なく、必要とされるクロロシラン反応体
がより少ないからである。蒸留された生産物の純度は9
9%以上(99+%)である。
【0020】本発明の方法において有用なシランは単純
なクロロシランSiCl x H 4−x (式中、xは1−4
の整数である)、例えばSiCl 4 、SiClH 3 、S
iCl 2 H 2 等、アルキルクロロシランR x SiCl y
及び混合タイプR x SiCl y H z (式中、Rは炭素数
1−4の低級アルキル基であるが好ましくはメチル及び
エチルであり、xは1−3の値を有し、y及びzは各々
1もしくは2の値を有し、y+zは2もしくは3に等し
く、x+y+zはケイ素の原子価に等しい)、例えばR
SiCl 3 、R 2 SiCl 2 、R 3 SiCl、R 2 Si
ClHであることができる。
なクロロシランSiCl x H 4−x (式中、xは1−4
の整数である)、例えばSiCl 4 、SiClH 3 、S
iCl 2 H 2 等、アルキルクロロシランR x SiCl y
及び混合タイプR x SiCl y H z (式中、Rは炭素数
1−4の低級アルキル基であるが好ましくはメチル及び
エチルであり、xは1−3の値を有し、y及びzは各々
1もしくは2の値を有し、y+zは2もしくは3に等し
く、x+y+zはケイ素の原子価に等しい)、例えばR
SiCl 3 、R 2 SiCl 2 、R 3 SiCl、R 2 Si
ClHであることができる。
【0021】有機半金属基質との反応において有用な有
機リチウム化合物は式RLi(式中、Rは炭素数3−1
2のアルキル基である)を有し、具体的には、限定され
ないが、イソブチルリチウム、sec−ブチルリチウ
ム、tert−ブチルリチウム、ネオペンチルリチウ
ム、2−エチルヘキシルリチウム、n−ヘキシルリチウ
ム、n−オクチルリチウム、イソプロピルリチウム等を
包含する。好ましくは、アルキルリチウム化合物は炭素
数3−6を有し、もっとも好ましくはイソプロピル リチ
ウム、tert−ブチルリチウム、イソブチルリチウム
及びsec−ブチルリチウムから選ばれる。
機リチウム化合物は式RLi(式中、Rは炭素数3−1
2のアルキル基である)を有し、具体的には、限定され
ないが、イソブチルリチウム、sec−ブチルリチウ
ム、tert−ブチルリチウム、ネオペンチルリチウ
ム、2−エチルヘキシルリチウム、n−ヘキシルリチウ
ム、n−オクチルリチウム、イソプロピルリチウム等を
包含する。好ましくは、アルキルリチウム化合物は炭素
数3−6を有し、もっとも好ましくはイソプロピル リチ
ウム、tert−ブチルリチウム、イソブチルリチウム
及びsec−ブチルリチウムから選ばれる。
【0022】本発明方法によって生産される最終生成物
は、限定されないが、式R 1 SiCl 3 、(R 1 ) 2 S
i(Cl) 2 、RR 1 SiCl 2 、R 2 R 1 SiCl、
R 3 R 1 Si、R 1 SiH 3 、RR 1 SiClH、(R
1 ) 2 SiClH等(式中、Rは炭素数1−4を有し、
R 1 は炭素数3−12を有する)によって表わされる化
合物を包含する。本発明によって製造し得る化合物は、
限定されないが、t−ブチルジメチルクロロシラン、メ
チルトリ−n−オクチルシラン、ジ−t−ブチルシラ
ン、ジ−t−ブチルジクロロシラン、メチル−tert
−ブチルクロロシラン等の化合物を包含する。圧力や攪
拌の特別の条件は本発明方法を実施するのに必要とされ
ない。すべての反応は不活性雰囲気下で行うべきであ
る。
は、限定されないが、式R 1 SiCl 3 、(R 1 ) 2 S
i(Cl) 2 、RR 1 SiCl 2 、R 2 R 1 SiCl、
R 3 R 1 Si、R 1 SiH 3 、RR 1 SiClH、(R
1 ) 2 SiClH等(式中、Rは炭素数1−4を有し、
R 1 は炭素数3−12を有する)によって表わされる化
合物を包含する。本発明によって製造し得る化合物は、
限定されないが、t−ブチルジメチルクロロシラン、メ
チルトリ−n−オクチルシラン、ジ−t−ブチルシラ
ン、ジ−t−ブチルジクロロシラン、メチル−tert
−ブチルクロロシラン等の化合物を包含する。圧力や攪
拌の特別の条件は本発明方法を実施するのに必要とされ
ない。すべての反応は不活性雰囲気下で行うべきであ
る。
【0023】以下の実施例は本発明をさらに説明する。
他に注記がない場合には、温度はセ氏度であり、反応
は、清潔で注意深く乾燥した器具を用いて、大気圧下及
びアルゴン雰囲気下で行った。転換の反応速度は単純ガ
スクロマトグラフ分析(sinply gas chr
omatographic analysis)と称せ
られるガス−液体クロマトグラフィー(GLC)分析に
よって少量の反応混合物試料を分析することによって監
視した。
他に注記がない場合には、温度はセ氏度であり、反応
は、清潔で注意深く乾燥した器具を用いて、大気圧下及
びアルゴン雰囲気下で行った。転換の反応速度は単純ガ
スクロマトグラフ分析(sinply gas chr
omatographic analysis)と称せ
られるガス−液体クロマトグラフィー(GLC)分析に
よって少量の反応混合物試料を分析することによって監
視した。
【0024】実施例1 1モルパーセントのTHFを用いるt−ブチルジメチル
クロロシラン(TBDMCS)の合成 還流冷却器、攪拌手段を備えた反応器に(アルゴン下
に)ジメチルジクロロシラン(DMDCS)131.9
g(1.02モル)、ペンタン100ml及びテトラヒ
ドロフラン(THF)0.813g(11.2ミリモ
ル)を入れた。次に、ペンタン中の15.96wt%t
−ブチルリチウム401g(1.00モル)を添加漏斗
に入れた。反応器へのt−ブチルリチウムの滴下により
反応を17.9℃の温度で開始した。反応は発熱的で直
ちに白色沈殿が生成した。徐々の供給 の12分後に反応
温度は27.6℃に達し、全t−ブチルリチウム供給の
約15%を加えた40分後には反応は一定の還流(4
0.2℃)に達した。t−ブチルリチウムの残りを供給
する間(2時間55分)、外部からの加熱なしに反応混
合物は還流下に保たれた。t−ブチルリチウム供給の終
了5分後に採取した試料のGC分析はジメチルジクロロ
シランのt−ブチルジメチルクロロシランへの変換率が
97.4%であることを示した。還流が終了した事実も
反応の終了を示しており、t−ブチルリチウム供給の終
了後、反応温度は直ちに低下し始めた。反応混合物をさ
らに数時間攪拌した。
クロロシラン(TBDMCS)の合成 還流冷却器、攪拌手段を備えた反応器に(アルゴン下
に)ジメチルジクロロシラン(DMDCS)131.9
g(1.02モル)、ペンタン100ml及びテトラヒ
ドロフラン(THF)0.813g(11.2ミリモ
ル)を入れた。次に、ペンタン中の15.96wt%t
−ブチルリチウム401g(1.00モル)を添加漏斗
に入れた。反応器へのt−ブチルリチウムの滴下により
反応を17.9℃の温度で開始した。反応は発熱的で直
ちに白色沈殿が生成した。徐々の供給 の12分後に反応
温度は27.6℃に達し、全t−ブチルリチウム供給の
約15%を加えた40分後には反応は一定の還流(4
0.2℃)に達した。t−ブチルリチウムの残りを供給
する間(2時間55分)、外部からの加熱なしに反応混
合物は還流下に保たれた。t−ブチルリチウム供給の終
了5分後に採取した試料のGC分析はジメチルジクロロ
シランのt−ブチルジメチルクロロシランへの変換率が
97.4%であることを示した。還流が終了した事実も
反応の終了を示しており、t−ブチルリチウム供給の終
了後、反応温度は直ちに低下し始めた。反応混合物をさ
らに数時間攪拌した。
【0025】反応混合物をガラスフィルター漏斗に移
し、濾過した。固体濾過残渣をペンタン50mlずつで
4回洗浄し、主濾液と合した。20分で合計465.6
gの澄明な濾液を得た。濾液の分別蒸留によって合計で
128.7gのt−ブチルジメチルクロロシランを得
た。回収収率は用いたt−ブチルリチウムに基づいて8
5.4%であり、蒸留した生産物の純度は98.9%で
あった。ガスクロマトグラフ分析によるとジメチルジク
ロロシランのt−ブチルジメチルクロロシランへの変換
率は3時間後で100%であったが、これはt−ブチル
リチウム供給速度とほぼ等しかった。
し、濾過した。固体濾過残渣をペンタン50mlずつで
4回洗浄し、主濾液と合した。20分で合計465.6
gの澄明な濾液を得た。濾液の分別蒸留によって合計で
128.7gのt−ブチルジメチルクロロシランを得
た。回収収率は用いたt−ブチルリチウムに基づいて8
5.4%であり、蒸留した生産物の純度は98.9%で
あった。ガスクロマトグラフ分析によるとジメチルジク
ロロシランのt−ブチルジメチルクロロシランへの変換
率は3時間後で100%であったが、これはt−ブチル
リチウム供給速度とほぼ等しかった。
【0026】実施例2 1モルパーセントのジ−n−ヘキシルエーテルを用いる
TBDMCSの合成 ジ−n−ヘキシルエーテル2.23g(11.3ミリモ
ル)、ジメチルジクロロシラン124.0g(0.96
0モル)及びペンタン150mlを反応器に入れ、1
5.19wt% t−ブチルリチウム397.9g
(0.944モル)を添加漏斗に入れたことを除いて実
施例1を繰り返した。濾過した最終生産物の分別蒸留に
よって129.3gのt−ブチルジメチルクロロシラン
を得たが、このことは用いたt−ブチルリチウムに基づ
く回収収率が90.9%であることを示す。ガスクロマ
トグラフ分析によるとジメチルジクロロシランのt−ブ
チルジメチルクロロシランへの変換率は4時間前で10
0%であった。この場合も、変換は急速でt−ブチルリ
チウム供給速度(3時間21分)にほとんど等しかっ
た。 蒸留生産物の純度は99.6%であった。
TBDMCSの合成 ジ−n−ヘキシルエーテル2.23g(11.3ミリモ
ル)、ジメチルジクロロシラン124.0g(0.96
0モル)及びペンタン150mlを反応器に入れ、1
5.19wt% t−ブチルリチウム397.9g
(0.944モル)を添加漏斗に入れたことを除いて実
施例1を繰り返した。濾過した最終生産物の分別蒸留に
よって129.3gのt−ブチルジメチルクロロシラン
を得たが、このことは用いたt−ブチルリチウムに基づ
く回収収率が90.9%であることを示す。ガスクロマ
トグラフ分析によるとジメチルジクロロシランのt−ブ
チルジメチルクロロシランへの変換率は4時間前で10
0%であった。この場合も、変換は急速でt−ブチルリ
チウム供給速度(3時間21分)にほとんど等しかっ
た。 蒸留生産物の純度は99.6%であった。
【0027】実施例3 触媒スクリーニング手順 この触媒スクリーニングまたは評価手順は触媒を用いな
いt−ブチルジメチルクロロシラン合成を行うことを含
んでいた。ジクロロジメチルシランからt−ブチルジメ
チルクロロシランへの変換速度をGLC分析により求め
るために反応混合物から試料を同期的に採取した。分析
後、各試料に少量の(通常t−ブチルリチウムに基づき
1−3モル%の)可能性のある触媒または触媒前駆体を
加えた。触媒不使用反応に対する相対変換速度を求める
ため、これらの試料もGLCによって周期的に分析し
た。このようにして、通常4つまたは5つの候補触媒化
合物を1日に評価できた。
いt−ブチルジメチルクロロシラン合成を行うことを含
んでいた。ジクロロジメチルシランからt−ブチルジメ
チルクロロシランへの変換速度をGLC分析により求め
るために反応混合物から試料を同期的に採取した。分析
後、各試料に少量の(通常t−ブチルリチウムに基づき
1−3モル%の)可能性のある触媒または触媒前駆体を
加えた。触媒不使用反応に対する相対変換速度を求める
ため、これらの試料もGLCによって周期的に分析し
た。このようにして、通常4つまたは5つの候補触媒化
合物を1日に評価できた。
【0028】実施例1の反応器に比べわずかに小さいが
同様に装備した反応器にペンタン中の12.7wt%
t−ブチルリチウム50ml(0.066モル)及びジ
クロロジメチルシラン9.6g(0.074モル)を入
れた。反応中反応体を連続攪拌したが加熱はしなかっ
た。25分後、反応混合物2mlを、予め乾燥し、アル
ゴンパージした、ゴム隔膜でふたをした5ml血清びん
に、注射器によって、移した。GLC分析のためびんか
ら1μlの溶液を取り出し、ついでびんの内容物にマイ
クロリッター注射器によって潜在的触媒(0.07ミリ
モル水)を加えた。血清びんの内容物をGLCによって
時々分析して変換速度に対する添加物の影響を求めた。
種々の炭化水素溶媒反応媒体及び候補触媒もしくはプロ
ト触媒を用いてこの操作を何度も繰り返した。各反応を
GLCによって監視し、触媒を使用しない反応と比較し
た。
同様に装備した反応器にペンタン中の12.7wt%
t−ブチルリチウム50ml(0.066モル)及びジ
クロロジメチルシラン9.6g(0.074モル)を入
れた。反応中反応体を連続攪拌したが加熱はしなかっ
た。25分後、反応混合物2mlを、予め乾燥し、アル
ゴンパージした、ゴム隔膜でふたをした5ml血清びん
に、注射器によって、移した。GLC分析のためびんか
ら1μlの溶液を取り出し、ついでびんの内容物にマイ
クロリッター注射器によって潜在的触媒(0.07ミリ
モル水)を加えた。血清びんの内容物をGLCによって
時々分析して変換速度に対する添加物の影響を求めた。
種々の炭化水素溶媒反応媒体及び候補触媒もしくはプロ
ト触媒を用いてこの操作を何度も繰り返した。各反応を
GLCによって監視し、触媒を使用しない反応と比較し
た。
【0029】触媒スクリーニングの結果は非触媒反応に
対する相対変換速度として計算した。これらのデータ及
び評価した化合物を表1に示す。
対する相対変換速度として計算した。これらのデータ及
び評価した化合物を表1に示す。
【0030】実施例4 触媒としてジ−n−ヘキシルエーテル(0.05モル
%)を用いるt−ブチルトリクロロシランの合成 実施例1の反応器と同様に装備した反応器に四塩化ケイ
素603.3g(3.55モル)及びヘキサン150m
lを入れた。ついで、ペンタン中のt−ブチルリチウム
1258g(3.47モル)を添加漏斗に入れた。反応
器へt−ブチルリチウムを徐々に添加することによって
反応を室温(23.8℃)で開始させた。四塩化ケイ素
の水分含量により温度が急激に29.6℃まで上昇した
が、その後降下し始めた。t−ブチルリチウムのさらな
る添加によって温度は上昇しなかったが、このことは反
応が遅いことを示している。t−ブチルリチウムを継続
的に加えながら、反応混合物を53.7℃(還流)に加
熱した。次の時間の間加熱を続けたが、その時点で全t
−ブチルリチウム仕込みの約11%が供給されていた。
還流を維持するために加熱を必要とすることによって示
される如く、高められた温度でも反応速度は依然として
遅かった。t−ブチルリチウム供給及び加熱を止め、還
流(50.8℃)よりちょっと低くなるまで反応混合物
を放冷した。
%)を用いるt−ブチルトリクロロシランの合成 実施例1の反応器と同様に装備した反応器に四塩化ケイ
素603.3g(3.55モル)及びヘキサン150m
lを入れた。ついで、ペンタン中のt−ブチルリチウム
1258g(3.47モル)を添加漏斗に入れた。反応
器へt−ブチルリチウムを徐々に添加することによって
反応を室温(23.8℃)で開始させた。四塩化ケイ素
の水分含量により温度が急激に29.6℃まで上昇した
が、その後降下し始めた。t−ブチルリチウムのさらな
る添加によって温度は上昇しなかったが、このことは反
応が遅いことを示している。t−ブチルリチウムを継続
的に加えながら、反応混合物を53.7℃(還流)に加
熱した。次の時間の間加熱を続けたが、その時点で全t
−ブチルリチウム仕込みの約11%が供給されていた。
還流を維持するために加熱を必要とすることによって示
される如く、高められた温度でも反応速度は依然として
遅かった。t−ブチルリチウム供給及び加熱を止め、還
流(50.8℃)よりちょっと低くなるまで反応混合物
を放冷した。
【0031】ついで、反応器内容物にジ−n−ヘキシル
エーテル(DHE)0.4ml(1.5ミリモル)を加
えた。反応混合物温度は速やかに上昇して還流温度(5
1.5℃)になり、還流はさらに27分続いた。さらに
9時間49分かけて残りのt−ブチルリチウムを供給し
た(滴下)。この間、反応速度はt−ブチルリチウム供
給速度に殆ど等しく、また還流を支えるのに加熱を必要
としなかった。しかしながら、t−ブチルリチウム供給
を止めると温度は急激に低下し、還流は低下した。より
速い反応速度は少量(用いたt−ブチルリチウムに基づ
いて0.043モル%)のDHE触媒に帰することがで
きる。反応混合物を放冷し、攪拌なしに一夜放置した。
反応混合物をガラス濾過漏斗に移し、濾過して固体の塩
化リチウムを除いた。ペンタン100mlずつで固体濾
過残渣を洗浄し、洗液を主濾液と合した。8分間で合計
1811.9gの澄明な濾液が得られた。分別蒸留によ
って合計631.6gのt−ブチルトリクロロシランが
得られた。回収(単離)収率は用いたt−ブチルリチウ
ム量に基づいて95%であり、蒸留生産物の純度は9
9.7%であった。
エーテル(DHE)0.4ml(1.5ミリモル)を加
えた。反応混合物温度は速やかに上昇して還流温度(5
1.5℃)になり、還流はさらに27分続いた。さらに
9時間49分かけて残りのt−ブチルリチウムを供給し
た(滴下)。この間、反応速度はt−ブチルリチウム供
給速度に殆ど等しく、また還流を支えるのに加熱を必要
としなかった。しかしながら、t−ブチルリチウム供給
を止めると温度は急激に低下し、還流は低下した。より
速い反応速度は少量(用いたt−ブチルリチウムに基づ
いて0.043モル%)のDHE触媒に帰することがで
きる。反応混合物を放冷し、攪拌なしに一夜放置した。
反応混合物をガラス濾過漏斗に移し、濾過して固体の塩
化リチウムを除いた。ペンタン100mlずつで固体濾
過残渣を洗浄し、洗液を主濾液と合した。8分間で合計
1811.9gの澄明な濾液が得られた。分別蒸留によ
って合計631.6gのt−ブチルトリクロロシランが
得られた。回収(単離)収率は用いたt−ブチルリチウ
ム量に基づいて95%であり、蒸留生産物の純度は9
9.7%であった。
【0032】比較例 A. 触媒を用いないt−ブチルジメチルクロロシラン
合成 触媒を用いない比較実験も行った。実施例1の反応器と
同様に装備した反応器に(アルゴン下)DMDCS 5
4.9g(0.425モル)及びペンタン75mlを入
れた。ついで、ペンタン中t−ブチルリチウムの20.
7wt%溶液124.8g(0.403モル)を添加漏
斗に入れた。反応器の内容物を36℃に予め加熱し、t
−ブチルリチウムの徐々の添加を開始した。反応温度を
38と41℃の間に維持するため加熱をさらに7時間続
けた。反応中は反応混合物を連続的に攪拌した。t−ブ
チルリチウムの添加は2時間23分で終了した。さらに
141時間攪拌下加熱することなく反応を続けた。時々
試料を取ってGC分析に付すことにより反応を監視し
た。
合成 触媒を用いない比較実験も行った。実施例1の反応器と
同様に装備した反応器に(アルゴン下)DMDCS 5
4.9g(0.425モル)及びペンタン75mlを入
れた。ついで、ペンタン中t−ブチルリチウムの20.
7wt%溶液124.8g(0.403モル)を添加漏
斗に入れた。反応器の内容物を36℃に予め加熱し、t
−ブチルリチウムの徐々の添加を開始した。反応温度を
38と41℃の間に維持するため加熱をさらに7時間続
けた。反応中は反応混合物を連続的に攪拌した。t−ブ
チルリチウムの添加は2時間23分で終了した。さらに
141時間攪拌下加熱することなく反応を続けた。時々
試料を取ってGC分析に付すことにより反応を監視し
た。
【0033】反応混合物をガラス濾過漏斗に移し、濾過
した。固体濾過残渣をペンタン100mlずつで2回洗
浄した。GLC分析はt−ブチルジメチルクロロシラン
の95.6%収率を示した。ガスクロマトグラフ分析に
よるとジメチルジクロロシランのt−ブチルジメチルク
ロロシランへの変換率は70時間で90%であり、14
8時間で100%であった。
した。固体濾過残渣をペンタン100mlずつで2回洗
浄した。GLC分析はt−ブチルジメチルクロロシラン
の95.6%収率を示した。ガスクロマトグラフ分析に
よるとジメチルジクロロシランのt−ブチルジメチルク
ロロシランへの変換率は70時間で90%であり、14
8時間で100%であった。
【0034】B−D. 大量のエーテルを用いるt−ブ
チルジメチルクロロシラン合成 大量(エーテル/t−ブチルリチウム モル比範囲=1
−3.6)のエーテルを用いることを除き、実施例3を
数回繰り返した。用いた試薬及び結果を表2に示す。 各
実験における濾過残渣は収率低下の原因となるケイ素ポ
リマーを含有していた。かくの如く、化学量論量以上の
エーテルの使用はTBSCLの収率を大巾に低下させ、
他方、触媒量のエーテルの使用は予期せざることにより
高い収率をもたらし、また反応を大巾に促進した。
チルジメチルクロロシラン合成 大量(エーテル/t−ブチルリチウム モル比範囲=1
−3.6)のエーテルを用いることを除き、実施例3を
数回繰り返した。用いた試薬及び結果を表2に示す。 各
実験における濾過残渣は収率低下の原因となるケイ素ポ
リマーを含有していた。かくの如く、化学量論量以上の
エーテルの使用はTBSCLの収率を大巾に低下させ、
他方、触媒量のエーテルの使用は予期せざることにより
高い収率をもたらし、また反応を大巾に促進した。
【0035】E. 触媒を用いないt−ブチルトリクロ
ロシラン合成 触媒を用いないt−ブチルトリクロロシランの比較合成
を行った。実施例1の反応器と同様に装備した反応器に
(アルゴン下)四塩化ケイ素181.98g(1.07
モル)及びヘキサン200mlを入れた。ついで、添加
漏斗にペンタン中t−ブチルリチウムの20.3wt%
溶液328g(1.04モル)を入れた。反応器の攪拌
した内容物にt−ブチルリチウム75mlを加えること
により反応を開始した。2時間での温度のほんのわずか
な上昇(24.0℃から25.7℃)及び塩化リチウム
が殆どもしくは全く出現しないことによって示される如
く、反応は非常に遅かった。ついで反応器内容物を還流
(57.3℃)に加熱したところ、反応混合物は塩化リ
チウムにより徐々に濁り始めた。このことは少なくとも
ある程度反応が起こったことを示す。残余のt−ブチル
リチウム溶液を3時間2分かけて添加し、その間定常的
な還流下に反応温度を保つべく加熱した。反応混合物を
さらに数時間加熱(還流)し、ついで週末に亘って攪拌
放置した。反応混合物の活性炭素リチウム分析はこの時
点でt−ブチルリチウムが残存していないことを示し
た。
ロシラン合成 触媒を用いないt−ブチルトリクロロシランの比較合成
を行った。実施例1の反応器と同様に装備した反応器に
(アルゴン下)四塩化ケイ素181.98g(1.07
モル)及びヘキサン200mlを入れた。ついで、添加
漏斗にペンタン中t−ブチルリチウムの20.3wt%
溶液328g(1.04モル)を入れた。反応器の攪拌
した内容物にt−ブチルリチウム75mlを加えること
により反応を開始した。2時間での温度のほんのわずか
な上昇(24.0℃から25.7℃)及び塩化リチウム
が殆どもしくは全く出現しないことによって示される如
く、反応は非常に遅かった。ついで反応器内容物を還流
(57.3℃)に加熱したところ、反応混合物は塩化リ
チウムにより徐々に濁り始めた。このことは少なくとも
ある程度反応が起こったことを示す。残余のt−ブチル
リチウム溶液を3時間2分かけて添加し、その間定常的
な還流下に反応温度を保つべく加熱した。反応混合物を
さらに数時間加熱(還流)し、ついで週末に亘って攪拌
放置した。反応混合物の活性炭素リチウム分析はこの時
点でt−ブチルリチウムが残存していないことを示し
た。
【0036】反応混合物をガラスフィルター漏斗に移
し、濾過して固体塩化リチウムを除去した。濾過によっ
て合計638.3gの澄明な淡黄色溶液を得た。濾液を
分別蒸留してt−ブチルトリクロロシラン124.3g
(0.649モル)を得た。回収収率は用いたt−ブチ
ルリチウムの量に基づいて62.4%であった。主カッ
トの純度は98.9%であった。
し、濾過して固体塩化リチウムを除去した。濾過によっ
て合計638.3gの澄明な淡黄色溶液を得た。濾液を
分別蒸留してt−ブチルトリクロロシラン124.3g
(0.649モル)を得た。回収収率は用いたt−ブチ
ルリチウムの量に基づいて62.4%であった。主カッ
トの純度は98.9%であった。
【0037】本発明を実施するのに有用な炭化水素は液
状の脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素である。これら
は、限定されないが、イソペンタン、ペンタン、ヘキサ
ン、シクロヘキサン、ヘプタン、2−エチルヘキサン、
オクタン及びこれらの混合物を包含する。
状の脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素である。これら
は、限定されないが、イソペンタン、ペンタン、ヘキサ
ン、シクロヘキサン、ヘプタン、2−エチルヘキサン、
オクタン及びこれらの混合物を包含する。
【0038】
【発明の効果】
アルキルリチウム化合物とクロロシラン
類との反応によってクロロシラン類をアルキル化する方
法において、本文中に示すエーテル類をはじめとする種
々の触 媒またはプロト触媒の触媒量での存在下に、該反
応を行うことにより、収率を向上させ、かつ反応時間を
大巾に短縮することができる。
類との反応によってクロロシラン類をアルキル化する方
法において、本文中に示すエーテル類をはじめとする種
々の触 媒またはプロト触媒の触媒量での存在下に、該反
応を行うことにより、収率を向上させ、かつ反応時間を
大巾に短縮することができる。
【0039】
【表1】
【0040】
【表2】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ボブ トロイ ドーバー アメリカ合衆国ノース カロライナ州 28086 キングス マウンティン ロン グ ブランチ ロード 214 (72)発明者 コンラド ウィリアム カミンスキー アメリカ合衆国ノース カロライナ州 28054 ガストニア イーストウッド ドライブ 516 (72)発明者 ジョン フランシス エンジェル アメリカ合衆国ノース カロライナ州 28012 ベルモント ピンクニィー ド ライブ 5024
Claims (18)
- 【請求項1】 式RLi(式中、Rは炭素数1−20の
アルキル基である)のアルキルリチウム化合物とクロロ
シランとを反応させることによってクロロシランをアル
キル化する接触反応方法であって、該反応を炭化水素溶
媒中下式によって表わされる化合物 (RR 1 R 2 M a ) y A(R 3 ) x (式中、R、R1及びR2は水素、炭素数1−13のア
ルキル及びアルケニル基、炭素数3−10のシクロアル
キル基、及び炭素数6−18のアリール基から独立に選
ばれ、R3は炭素数6−18のアリール基、酸素、窒素
及びイオウから選ばれた1もしくは2個の複素原子を含
有する4−6員複素環炭素含有基、炭素数2−13のヒ
ドロキシアルキル基及びアルコキシアルキル基、及び炭
素数2−13のモノ及びジアルキルアミノアルキル基か
ら独立に選ばれ、M a はケイ素、炭素、ゲルマニウム及
びスズから選ばれ、Aは酸素、イオウ、窒素及びリンか
ら選ばれ、及びx及びyは0−3の値を独立に有する)
からなる触媒の存在下に行うことを特徴とする接触アル
キル化方法。 - 【請求項2】 クロロシランが式R x SiCl y H
z (式中、Rは炭素数1−20のアルキル基であり、x
及びzは0−3の値を独立に有し、yは0−4の値を有
する)の化合物から選ばれる請求項1の方法。 - 【請求項3】 式R x SiCl y H z の化合物が式Si
Cl 4 、SiHCl 3 、SiH 2 Cl 2 、RSiC
l 3 、RSiHCl 2 、R 2 SiCl 2 及びR 3 SiC
lの化合物から選ばれる請求項2の方法。 - 【請求項4】 式 (RR 1 R 2 M a ) y A(R 3 ) x
の化合物がM a が炭素で、Aが酸素で、x+yが2であ
るヒドロカルビルエーテルである請求項1の方法。 - 【請求項5】 ヒドロカルビルエーテルがジエチルエー
テル、ジメチルエーテル、メチルt−ブチルエーテル、
ジブチルエーテル、ジアミルエーテル、ジn−ヘキシル
エーテル、ジ−n−オクチルエーテル及びエチレングリ
コールのジメ チルエーテルよりなる群から選ばれる請求
項4の方法。 - 【請求項6】 ヒドロカルビルエーテルがジエチルエー
テル、ジ−n−オクチルエーテル及びメチルt−ブチル
エーテルから選ばれる請求項5の方法。 - 【請求項7】 ヒドロカルビルエーテルがメチルt−ブ
チルエーテルである請求項5の方法。 - 【請求項8】 式 (RR 1 R 2 M a ) y A(R 3 ) x
の化合物が、Aが酸素でR 3 がテトラメチレン基である
環状エーテルである請求項1の方法。 - 【請求項9】 環状エーテルがテトラヒドロフラン及び
チルテトラヒドロフラン、及びテトラヒドロフランより
なる群から選ばれる請求項6の方法。 - 【請求項10】 式 (RR 1 R 2 M a ) y A(R 3 )
x の化合物が、M a が炭素で、Aが窒素で、x+yが3
であるトリス−ヒドロカルビルアミンである請求項1の
方法。 - 【請求項11】 トリス−ヒドロカルビルアミンがトリ
エチルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミ
ン、トリメチルアミン、メチルジブチルアミン、テトラ
メチレンジアミン及びペンタメチルエチレントリアミン
の群から選ばれる請求項8の方法。 - 【請求項12】 式 (RR 1 R 2 M a ) y A(R 3 )
x の化合物が、M a がケイ素で、Aが酸素で、x及びy
が1である混合ヒドロカルビルシリルエーテルである請
求項1の方法。 - 【請求項13】 ヒドロカルビルシリルエーテルがクロ
ロジメチルイソプロポキシシラン、トリメチルイソプロ
ポキシシラン、メチルジクロロイソプロポキシシラン及
びt−ブチルジメチルイソプロポキシシランよりなる群
から選ばれる請求項10の方法。 - 【請求項14】 式 (RR 1 R 2 M a ) y A(R 3 )
x の化合物が、M a がケイ素で、Aが酸素で、xが0
で、yが2であるビス有機シリルエーテルである請求項
1の方法。 - 【請求項15】 触媒化合物がアルキルリチウムの量に
基づいて0.01−10モル%に亘る量で存在する請求
項1の方法。 - 【請求項16】 触媒化合物がアルキルリチウムの量に
基づいて0.1−3 モル%に亘る量で存在する請求項1
の方法。 - 【請求項17】 反応を−76及び50℃の間の温度に
維持して行う請求項1の方法。 - 【請求項18】 反応を20及び40℃の間の温度に維
持して行う請求項1の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US73666091A | 1991-07-26 | 1991-07-26 | |
US84290292A | 1992-02-27 | 1992-02-27 | |
US842902 | 1992-02-27 | ||
US736660 | 1992-02-27 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7222448A Division JP2775239B2 (ja) | 1991-07-26 | 1995-07-28 | 接触アルキル化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05202074A JPH05202074A (ja) | 1993-08-10 |
JP2551901B2 true JP2551901B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=27113071
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4232544A Expired - Fee Related JP2551901B2 (ja) | 1991-07-26 | 1992-07-17 | 接触アルキル化方法 |
JP7222448A Expired - Lifetime JP2775239B2 (ja) | 1991-07-26 | 1995-07-28 | 接触アルキル化方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7222448A Expired - Lifetime JP2775239B2 (ja) | 1991-07-26 | 1995-07-28 | 接触アルキル化方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5332853A (ja) |
EP (1) | EP0525880B1 (ja) |
JP (2) | JP2551901B2 (ja) |
CA (1) | CA2074613C (ja) |
DE (1) | DE69225361T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523463A (en) * | 1994-09-23 | 1996-06-04 | Hoffmann-La Roche Inc. | Method of producing halogenated and alpha-aminoalchohols |
US5591885A (en) * | 1994-09-23 | 1997-01-07 | Hoffman-La Roche Inc. | Process for the preparation of halogenated α-aminoketone compounds |
DE19837906C1 (de) * | 1998-08-20 | 1999-12-16 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silanen mit einer tertiären Kohlenwasserstoff-Gruppe in alpha-Position zum Silicium-Atom |
US6429327B1 (en) | 1999-01-21 | 2002-08-06 | Fmc Corporation | Organometallic catalysts |
JP6500014B2 (ja) | 2013-09-27 | 2019-04-10 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 蒸着用前駆体およびその作製方法 |
US11124876B2 (en) | 2015-03-30 | 2021-09-21 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
US9777025B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-10-03 | L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2386452A (en) * | 1942-09-25 | 1945-10-09 | Corning Glass Works | Organo silicon compounds and method of making them |
JPS6355515A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Brother Ind Ltd | 画像表示素子 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2413582A (en) | 1943-12-29 | 1946-12-31 | Montclair Res Corp | Silico-organic derivatives and process of making the same |
US3420903A (en) * | 1967-02-07 | 1969-01-07 | Foote Mineral Co | Method of making t-butyllithium |
JPS57139085A (en) * | 1981-02-19 | 1982-08-27 | Chisso Corp | Novel synthetic method of di-tert-butyldichlorosilane |
JPS60222492A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 第3級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
FR2576902B1 (fr) * | 1985-02-04 | 1987-02-13 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de fabrication d'hydrogeno-silanes |
JPH0637503B2 (ja) * | 1987-07-09 | 1994-05-18 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | t−アルキルジメチルハロゲノシランの製造方法 |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP4232544A patent/JP2551901B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-20 DE DE69225361T patent/DE69225361T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-20 EP EP92202235A patent/EP0525880B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-24 CA CA002074613A patent/CA2074613C/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-07-14 US US08/092,319 patent/US5332853A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-07-28 JP JP7222448A patent/JP2775239B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2386452A (en) * | 1942-09-25 | 1945-10-09 | Corning Glass Works | Organo silicon compounds and method of making them |
JPS6355515A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Brother Ind Ltd | 画像表示素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2074613C (en) | 1996-02-27 |
JP2775239B2 (ja) | 1998-07-16 |
JPH0881473A (ja) | 1996-03-26 |
DE69225361T2 (de) | 1998-10-29 |
EP0525880B1 (en) | 1998-05-06 |
US5332853A (en) | 1994-07-26 |
DE69225361D1 (de) | 1998-06-10 |
CA2074613A1 (en) | 1993-01-27 |
EP0525880A1 (en) | 1993-02-03 |
JPH05202074A (ja) | 1993-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH08337588A (ja) | アルキルヒドロゲンクロルシランの製造方法 | |
US4567286A (en) | Preparation of hydrogenated silanes by redistribution of hydrosilanes | |
JPH0881477A (ja) | 水素含有メチルクロルシランの製法 | |
KR940010291B1 (ko) | 비스실릴알칸 및 그들의 제조방법 | |
JP2551901B2 (ja) | 接触アルキル化方法 | |
US6541651B1 (en) | Process for chlorosilane intermediates manufacture | |
JPH0786115B2 (ja) | 第3級炭化水素基含有ハロゲン化シランの製造方法 | |
JP5529272B2 (ja) | クロロシランからハイドロジェンシランへの水素化脱塩素のための触媒および該触媒を用いたハイドロジェンシランの製造方法 | |
JPH06166691A (ja) | ゲルマニウム二ハロゲン化物−エーテル付加物の製造方法 | |
US7084206B2 (en) | Process for preparing phenylorganosilicon intermediates | |
EP0652221B1 (en) | Preparations of dimethylchlorosilane and triorganochlorosilanes | |
CA1336607C (en) | Preparation of organosilanes | |
JP4747104B2 (ja) | 生成物としてのジフェニルクロロシランの収率の改善を伴うグリニャール法 | |
JP3122358B2 (ja) | 3−クロロプロピルシラン類の製造方法 | |
US12195486B2 (en) | Process for converting organosilanes | |
JP2801422B2 (ja) | アルキル化シラン調製方法 | |
JPH0662645B2 (ja) | メチルクロロシランの製法 | |
JPH0673072A (ja) | オルガノオキシシラン水素化物の製造方法 | |
US5120520A (en) | Silane products from reaction of solid silicon monoxide with aromatic halides | |
KR950004175B1 (ko) | 트리스실릴알칸들과 그 제조방법 | |
KR100469945B1 (ko) | 비닐클로로실란의제조방법 | |
JP2907046B2 (ja) | クロロシラン類の炭化水素化方法 | |
JP3052841B2 (ja) | テキシルジメチルクロロシランとトリオルガノクロロシランの併産方法 | |
JP3192565B2 (ja) | ジメチルシランとトリオルガノクロロシランの併産方法 | |
KR950002861B1 (ko) | 트리스실릴메탄들과 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |