JP2550085B2 - 絶対位置検出装置 - Google Patents
絶対位置検出装置Info
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- JP2550085B2 JP2550085B2 JP62187563A JP18756387A JP2550085B2 JP 2550085 B2 JP2550085 B2 JP 2550085B2 JP 62187563 A JP62187563 A JP 62187563A JP 18756387 A JP18756387 A JP 18756387A JP 2550085 B2 JP2550085 B2 JP 2550085B2
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は位置検出装置に関し、特に磁気センサのアナ
ログ出力によって磁気的に絶対位置を検出する装置に関
するものである。
ログ出力によって磁気的に絶対位置を検出する装置に関
するものである。
従来知られている磁気的に位置を検出する装置として
は、我々が先に開発した特開昭61−22205号公報に記載
したものがある。
は、我々が先に開発した特開昭61−22205号公報に記載
したものがある。
この公報記載のものは、磁化トラックに着磁した磁気
信号を磁気抵抗効果素子で検出するものである。
信号を磁気抵抗効果素子で検出するものである。
又、実開昭58−41448号公報にもこれと同等の技術が
記載されている。
記載されている。
前記従来の技術では、磁化トラックに着磁した磁気信
号の着磁ピッチで分解能が決まり、この着磁ピッチより
も小さな微細位置を検出することはその原理上不可能で
ある。
号の着磁ピッチで分解能が決まり、この着磁ピッチより
も小さな微細位置を検出することはその原理上不可能で
ある。
又、前記公開特許公報においては、分解能に応じて2n
ビットのトラックが必要で装置が大形になるという問題
を有している。
ビットのトラックが必要で装置が大形になるという問題
を有している。
更に、各トラック毎に磁気抵抗効果素子を必要とする
ので、出力信号線が多数必要であり、構成が複雑にな
り、配線処理も難しくなるものである。
ので、出力信号線が多数必要であり、構成が複雑にな
り、配線処理も難しくなるものである。
本発明は小形で分解能の高い磁気的な絶対位置検出装
置を提供することを目的とするものである。
置を提供することを目的とするものである。
本発明は、相対移動する第１および第２の部材と、前
記第１の部材に設けられ、かつ相対移動方向に沿って並
ぶように記録された多数の小さな小発磁体を有する磁気
記録媒体と、前記発磁体の磁界に感応するように前記磁
気記録媒体に近接させて前記第２の部材に設けられる磁
気抵抗効果素子とを備え、前記第１および前記第１の部
材の相対移動によって変化する前記磁気抵抗効果素子の
抵抗変化に基づいて前記両部材間の絶対位置を検出する
絶対位置検出装置において、前記小発磁体に形成される
一対のＳ磁極およびＮ磁極を各小発磁体の並び方向に沿
うようにするとともに、隣接する小発磁体の磁極が互い
に同じ極性になるように各小発磁体を配置し、 小発磁体の並び方向に対する直角方向の幅長が前記相
対移動方向の位置により変わるように小発磁体を形成す
るとともに、前記磁気抵抗効果素子の長手方向が前記小
発磁体の並び方向と直交するように配置したことを特徴
とする絶対位置検出装置にある。
記第１の部材に設けられ、かつ相対移動方向に沿って並
ぶように記録された多数の小さな小発磁体を有する磁気
記録媒体と、前記発磁体の磁界に感応するように前記磁
気記録媒体に近接させて前記第２の部材に設けられる磁
気抵抗効果素子とを備え、前記第１および前記第１の部
材の相対移動によって変化する前記磁気抵抗効果素子の
抵抗変化に基づいて前記両部材間の絶対位置を検出する
絶対位置検出装置において、前記小発磁体に形成される
一対のＳ磁極およびＮ磁極を各小発磁体の並び方向に沿
うようにするとともに、隣接する小発磁体の磁極が互い
に同じ極性になるように各小発磁体を配置し、 小発磁体の並び方向に対する直角方向の幅長が前記相
対移動方向の位置により変わるように小発磁体を形成す
るとともに、前記磁気抵抗効果素子の長手方向が前記小
発磁体の並び方向と直交するように配置したことを特徴
とする絶対位置検出装置にある。
このように隣接する小発磁体の磁極が互いに同じ極性
になるように各小発磁体を配置しているので、異なる極
性の磁極が隣接するものに比べ、磁気抵抗効果素子が感
応する磁束が多くなり、磁気抵抗効果素子の検知出力が
増加する。
になるように各小発磁体を配置しているので、異なる極
性の磁極が隣接するものに比べ、磁気抵抗効果素子が感
応する磁束が多くなり、磁気抵抗効果素子の検知出力が
増加する。
また小発磁体の並び方向に対する直角方向の幅長が相
対移動方向の位置により変わるように小発磁体を形成す
るとともに、磁気抵抗効果素子の長手方向が小発磁体の
並び方向と直交するように配置したので、小発磁体の幅
長の違いにより、磁気抵抗効果素子の検知出力は変化す
る。この検知出力の変化により第１の部材と第２の部材
との位置を検出できるものである。
対移動方向の位置により変わるように小発磁体を形成す
るとともに、磁気抵抗効果素子の長手方向が小発磁体の
並び方向と直交するように配置したので、小発磁体の幅
長の違いにより、磁気抵抗効果素子の検知出力は変化す
る。この検知出力の変化により第１の部材と第２の部材
との位置を検出できるものである。
以下本発明の一実施例の構成を第１図ないし第５図に
基づいて説明する。第１図は本発明の実施形態を示す斜
視図である。図において１は回転軸でこの回転軸１には
アルミ等の担持体（第１の部材）２が設けられている。
基づいて説明する。第１図は本発明の実施形態を示す斜
視図である。図において１は回転軸でこの回転軸１には
アルミ等の担持体（第１の部材）２が設けられている。
この担持体２の外周表面には、磁性粉末を混入した樹
脂からなる厚さ80（μｍ）程度の磁気媒体2Aを塗布して
いる。
脂からなる厚さ80（μｍ）程度の磁気媒体2Aを塗布して
いる。
磁気媒体2Aには磁気信号N,Sで示したように回転方向
にピッチλで発磁体を磁気記録方式で設けている。
にピッチλで発磁体を磁気記録方式で設けている。
又、Ｎ磁極とＳ磁極の有する小さな小発磁体は回転方
向にその幅がこの例では直線的に減少するように記録さ
れている。
向にその幅がこの例では直線的に減少するように記録さ
れている。
尚、発磁体は磁石と読みかえられる。３は磁気センサ
で担持体２に対向して固定してある。磁気センサ（第２
の部材）３は磁気抵抗効果素子（以下MR素子と略す）Ra
及びRbを具備している。担持体２と磁気センサ３を展開
して詳しく示したのが第２図（Ａ），（Ｂ）である。担
持体２は磁気信号記録部21と磁気信号非記録部20に分け
た１つのトラックＡとなっており、トラックの幅をl2と
すると磁気信号の幅長は最大l1で担持体２の位置によっ
てその幅l1が変わるように記録してある。また磁気セン
サ３は２個のMR素子Ra,Rbで構成されており、その間隔
はλ/2で配置されている。MR素子Ra,Rbの長さl0はトラ
ックの幅l2とほぼ同じであるが、少なくとも前記幅l1よ
りも長くしてあるMR素子Ra,Rbは長さ方向に対して直角
方向の磁界に対して第３図に示すような特性をもってい
る。磁界に対して電気抵抗が変化し、正負両磁界に対し
て同じように抵抗が変わる。なお強磁性体磁気抵抗効果
素子で磁界零の時の抵抗が最大で磁界が加わると抵抗が
下る。第４図は磁気センサの接続図を示す。MR素子Ra,R
bは図示のように直列に接続し、さらに固定抵抗又は磁
界の影響を受けないように配置したMR素子Ｒと直列接続
し、その両端に直流電源Ｖを印加して中点より出力ｅを
取り出す回路構成にしてある。
で担持体２に対向して固定してある。磁気センサ（第２
の部材）３は磁気抵抗効果素子（以下MR素子と略す）Ra
及びRbを具備している。担持体２と磁気センサ３を展開
して詳しく示したのが第２図（Ａ），（Ｂ）である。担
持体２は磁気信号記録部21と磁気信号非記録部20に分け
た１つのトラックＡとなっており、トラックの幅をl2と
すると磁気信号の幅長は最大l1で担持体２の位置によっ
てその幅l1が変わるように記録してある。また磁気セン
サ３は２個のMR素子Ra,Rbで構成されており、その間隔
はλ/2で配置されている。MR素子Ra,Rbの長さl0はトラ
ックの幅l2とほぼ同じであるが、少なくとも前記幅l1よ
りも長くしてあるMR素子Ra,Rbは長さ方向に対して直角
方向の磁界に対して第３図に示すような特性をもってい
る。磁界に対して電気抵抗が変化し、正負両磁界に対し
て同じように抵抗が変わる。なお強磁性体磁気抵抗効果
素子で磁界零の時の抵抗が最大で磁界が加わると抵抗が
下る。第４図は磁気センサの接続図を示す。MR素子Ra,R
bは図示のように直列に接続し、さらに固定抵抗又は磁
界の影響を受けないように配置したMR素子Ｒと直列接続
し、その両端に直流電源Ｖを印加して中点より出力ｅを
取り出す回路構成にしてある。
今担持体２が矢印の方向に回転したとすると各MR素子
Ra,Rbは磁気信号の磁界を受け抵抗が第５図のように変
化する。始め磁気信号の幅l1が小さくMR素子RaとRbとの
長さl0の一部分は磁界が加わらず抵抗も磁界０の値R0に
対して小さい変化であるが、磁気ドラムが回転し、角度
θが増加すると磁気信号の幅l1が大きくなるので、MR素
子RaとRbと長さl0の大部分が磁界の影響を受けるように
なって抵抗変化も大きくなる。MR素子RaとRbの抵抗変化
の位相が180゜ずれているので正弦波状に変化する抵抗
が両者を加えると脈動分が打消され図示のようにRa＋Rb
の直線となる。このため第４図の出力端分には第５図の
電圧ｅが得られる。この電圧は担持体２の回転角θに比
例して変化するのでこの出力からの大きさを測定するこ
とにより角度θが検出できる。以上のように本発明では
MR素子RaとRbの長さl0に対する磁気信号の幅長l1比でそ
の出力が決定されるので、単純にλで決まる分解能を越
える高い分解能が得られ、又λを短くすれば精度及び分
解能を更に高くすることが可能である。また、出力端子
は２本のみであり、信号伝送が容易である。さらに担持
体もトラック１個のみであり、磁気センサも簡単であ
り、小形にできる。
Ra,Rbは磁気信号の磁界を受け抵抗が第５図のように変
化する。始め磁気信号の幅l1が小さくMR素子RaとRbとの
長さl0の一部分は磁界が加わらず抵抗も磁界０の値R0に
対して小さい変化であるが、磁気ドラムが回転し、角度
θが増加すると磁気信号の幅l1が大きくなるので、MR素
子RaとRbと長さl0の大部分が磁界の影響を受けるように
なって抵抗変化も大きくなる。MR素子RaとRbの抵抗変化
の位相が180゜ずれているので正弦波状に変化する抵抗
が両者を加えると脈動分が打消され図示のようにRa＋Rb
の直線となる。このため第４図の出力端分には第５図の
電圧ｅが得られる。この電圧は担持体２の回転角θに比
例して変化するのでこの出力からの大きさを測定するこ
とにより角度θが検出できる。以上のように本発明では
MR素子RaとRbの長さl0に対する磁気信号の幅長l1比でそ
の出力が決定されるので、単純にλで決まる分解能を越
える高い分解能が得られ、又λを短くすれば精度及び分
解能を更に高くすることが可能である。また、出力端子
は２本のみであり、信号伝送が容易である。さらに担持
体もトラック１個のみであり、磁気センサも簡単であ
り、小形にできる。
第６図（Ａ），（Ｂ）と第７図に他の実施例を示す。
第６図（Ａ）は担持体２の磁気信号の幅をlmとして図示
のように記録した例である。担持体２が回転するとMR素
子RaとRbは先の実施例と同じ原理で中心部近で最大に磁
界の影響を受け両端では磁界がほとんどMR素子に加えら
れないので、第４図のように接続すれば出力電圧ｅは第
７図のように角度180゜で最大で０゜,360゜で最小にな
る。
第６図（Ａ）は担持体２の磁気信号の幅をlmとして図示
のように記録した例である。担持体２が回転するとMR素
子RaとRbは先の実施例と同じ原理で中心部近で最大に磁
界の影響を受け両端では磁界がほとんどMR素子に加えら
れないので、第４図のように接続すれば出力電圧ｅは第
７図のように角度180゜で最大で０゜,360゜で最小にな
る。
第８図（Ａ），（Ｂ）、第９図は他の実施例で、回転
角に対して正弦波状の出力を得る構成である。第８図
（Ａ）のように磁気ドラム２に磁気信号の幅が正弦波状
になるような磁気信号を記録すれば、第４図の接続で得
られる出力ｅは第９図のように角度θに対して正弦波状
の出力ｅとなる。
角に対して正弦波状の出力を得る構成である。第８図
（Ａ）のように磁気ドラム２に磁気信号の幅が正弦波状
になるような磁気信号を記録すれば、第４図の接続で得
られる出力ｅは第９図のように角度θに対して正弦波状
の出力ｅとなる。
第10図（Ａ），（Ｂ）は更に他の実施例を示す。これ
は磁気媒体2Aを２トラックA,Bに分けて両トラックA,B2
には図示にように同じような幅の磁気信号を記録する。
また両トラックの磁気信号はλ/2ピッチをずらして記録
し、これに対向する磁気センサ３のMR素子RaとRbは縦方
向に一直線上に並ぶように配置する。磁気トラック２と
MR素子RaとRbの関係は第２図と相対的には同じとなるの
で、第４図のように接続することにより、その出力ｅは
同様に第11図のようになる。
は磁気媒体2Aを２トラックA,Bに分けて両トラックA,B2
には図示にように同じような幅の磁気信号を記録する。
また両トラックの磁気信号はλ/2ピッチをずらして記録
し、これに対向する磁気センサ３のMR素子RaとRbは縦方
向に一直線上に並ぶように配置する。磁気トラック２と
MR素子RaとRbの関係は第２図と相対的には同じとなるの
で、第４図のように接続することにより、その出力ｅは
同様に第11図のようになる。
次に出力電圧を増加させる例を第12図（Ａ）ないし第
16図に示す。第12図（Ａ），（Ｂ）は担持体２と磁気セ
ンサ３の関係を示すもので、担持体２を第１のトラック
Ａと第２のトラックＢに分け各トラックA,Bには図示の
ように磁気信号の幅が大きい所では他のトラックは小さ
くなるように相補的に記録する。これに対向する磁気セ
ンサ３は図示のように第１のトラックＡに対向する位置
にMR素子RaとRb、第２のトラックＢに対向する位置にMR
素子RcとRdを配置する。MR素子RaとRb及びRcとRdの間隔
はλ/2とする。このMR素子を第13図又は第14図のように
接続する。第13図では第１のトラックにＡに対するMR素
子RaとRbを直列に接続し、同様に第２のトラックＢに対
向するMR素子RcとRdを直列接続し、これらをさらに直列
接続して３端接続にして両端に直流電圧Ｖを加え中点よ
り出力ｅを得る。第14図は図示のように４個のMR素子Ra
〜Rdをブリッジ接続し、給電端に電圧を加え検出端より
出力e0を得る。担持体が回転するとこれに対応して各MR
素子Ra,Rb及びRcとRdは第15図のように抵抗が変化す
る。すなわち、第１トラックＡで磁気信号の幅の長い右
の部分では第２トラックＢでは磁気信号の幅が短いの
で、Ra,Rbは右側で振幅が大きく変化し、左側では小さ
な振幅となり、MR素子RcとRdは逆になる。このため、第
13図の場合はMR素子Ra,Rb及びRc,Rdの合成抵抗はそれぞ
れ第16図のように直線的に変化する。したがって出力電
圧ｅも第16図のように角度θの小さい所では出力ｅも小
さく、角度θが大きい所では出力も大きい。
16図に示す。第12図（Ａ），（Ｂ）は担持体２と磁気セ
ンサ３の関係を示すもので、担持体２を第１のトラック
Ａと第２のトラックＢに分け各トラックA,Bには図示の
ように磁気信号の幅が大きい所では他のトラックは小さ
くなるように相補的に記録する。これに対向する磁気セ
ンサ３は図示のように第１のトラックＡに対向する位置
にMR素子RaとRb、第２のトラックＢに対向する位置にMR
素子RcとRdを配置する。MR素子RaとRb及びRcとRdの間隔
はλ/2とする。このMR素子を第13図又は第14図のように
接続する。第13図では第１のトラックにＡに対するMR素
子RaとRbを直列に接続し、同様に第２のトラックＢに対
向するMR素子RcとRdを直列接続し、これらをさらに直列
接続して３端接続にして両端に直流電圧Ｖを加え中点よ
り出力ｅを得る。第14図は図示のように４個のMR素子Ra
〜Rdをブリッジ接続し、給電端に電圧を加え検出端より
出力e0を得る。担持体が回転するとこれに対応して各MR
素子Ra,Rb及びRcとRdは第15図のように抵抗が変化す
る。すなわち、第１トラックＡで磁気信号の幅の長い右
の部分では第２トラックＢでは磁気信号の幅が短いの
で、Ra,Rbは右側で振幅が大きく変化し、左側では小さ
な振幅となり、MR素子RcとRdは逆になる。このため、第
13図の場合はMR素子Ra,Rb及びRc,Rdの合成抵抗はそれぞ
れ第16図のように直線的に変化する。したがって出力電
圧ｅも第16図のように角度θの小さい所では出力ｅも小
さく、角度θが大きい所では出力も大きい。
第14図の接続の場合はMR素子RaとRc及びRdとRbの直列
回路になり、その抵抗変化は第15図のようになるのでそ
の中点の出力e1,e2は第17図のように脈動を含んだ電圧
となる。しかし、ブリッジ出力e0はe1−e2となるので、
同相の脈動分はなくなり、担持体２の角度が180゜で両
出力が一致して零となり、第16図のように右側ではe2が
大きいので負電圧，右側では正電圧となる。
回路になり、その抵抗変化は第15図のようになるのでそ
の中点の出力e1,e2は第17図のように脈動を含んだ電圧
となる。しかし、ブリッジ出力e0はe1−e2となるので、
同相の脈動分はなくなり、担持体２の角度が180゜で両
出力が一致して零となり、第16図のように右側ではe2が
大きいので負電圧，右側では正電圧となる。
第18図（Ａ），（Ｂ）は第12図の変化で磁気信号は図
示のようになるが、動作は全く第12図と同じである。
示のようになるが、動作は全く第12図と同じである。
また第19図（Ａ），（Ｂ）は正弦波状の出力を得る方
法で動作は第12図と同じであり、第20図に示すように磁
気信号の幅に応じた正弦波状の出力e0が得られる。さら
に磁気ドラム２の磁気信号に応じて２サイクル幅の変化
を与えると２サイクルの出力電圧が、４サイクルの幅の
変化を与えると４サイクルの出力が得られる。
法で動作は第12図と同じであり、第20図に示すように磁
気信号の幅に応じた正弦波状の出力e0が得られる。さら
に磁気ドラム２の磁気信号に応じて２サイクル幅の変化
を与えると２サイクルの出力電圧が、４サイクルの幅の
変化を与えると４サイクルの出力が得られる。
第21図は磁気センサ３をMR素子R1,R2,R3の３個で構成
した例である。磁気信号のピッチλに対して各MR素子
R1,R2,R3をλ/3離して配置している。これを第22図のよ
うに直列に接続したものと、固定抵抗Ｒを直列に接続
し、図示のように中点から出力を取り出す。第23図はMR
素子の抵抗変化を示したもので、R1,R2,R3は120゜位相
のずれた３相となるので、その波形が正弦波とするとそ
の合成抵抗R1＋R2＋R3は脈動成分がなくなり、直線的に
変化する。したがってこれによる出力電圧ｅも第23図の
ように角度に対して直線となる。
した例である。磁気信号のピッチλに対して各MR素子
R1,R2,R3をλ/3離して配置している。これを第22図のよ
うに直列に接続したものと、固定抵抗Ｒを直列に接続
し、図示のように中点から出力を取り出す。第23図はMR
素子の抵抗変化を示したもので、R1,R2,R3は120゜位相
のずれた３相となるので、その波形が正弦波とするとそ
の合成抵抗R1＋R2＋R3は脈動成分がなくなり、直線的に
変化する。したがってこれによる出力電圧ｅも第23図の
ように角度に対して直線となる。
第24図は直線運動を行う場合の例で、磁気信号N,Sを
記録した磁気媒体2Aと磁気センサ３が図示のように対向
しており、先の回転の場合と全く同様に動作する。
記録した磁気媒体2Aと磁気センサ３が図示のように対向
しており、先の回転の場合と全く同様に動作する。
なお、上記説明では各抵抗Ra,Rbは直列接続した例を
示しているが各々電気信号に変換後回路的に加え合わせ
ても同様な効果が得られる。
示しているが各々電気信号に変換後回路的に加え合わせ
ても同様な効果が得られる。
尚、前記実施例では担持体２が移動し、磁気センサ３
が固定のものであるが、これらは相対的に動くものであ
ればよいものである。すなわち移動体に磁気センサ３
を、固定体に磁気媒体を設けるものでもよい。
が固定のものであるが、これらは相対的に動くものであ
ればよいものである。すなわち移動体に磁気センサ３
を、固定体に磁気媒体を設けるものでもよい。
以上述べたように、本発明は、相対移動する第１およ
び第２の部材と、前記第１の部材に設けられ、かつ相対
移動方向に沿って並ぶように記録された多数の小さな小
発磁体を有する磁気記録媒体と、前記発磁体の磁界に感
応するように前記磁気記録媒体に近接させて前記第２の
部材に設けられる磁気抵抗効果素子とを備え、前記第１
および前記第１の部材の相対移動によって変化する前記
磁気抵抗効果素子の抵抗変化に基づいて前記両部材間の
絶対位置を検出する絶対位置検出装置において、 前記小発磁体に形成される一対のＳ磁極およびＮ磁極を
各小発磁体の並び方向に沿うようにするとともに、隣接
する小発磁体の磁極が互いに同じ極性になるように各小
発磁体を配置し、 小発磁体の並び方向に対する直角方向の幅長が前記相
対移動方向の位置により変わるように小発磁体を形成す
るとともに、前記磁気抵抗効果素子の長手方向が前記小
発磁体の並び方向と直交するように配置したことを特徴
とする絶対位置検出装置にある。
び第２の部材と、前記第１の部材に設けられ、かつ相対
移動方向に沿って並ぶように記録された多数の小さな小
発磁体を有する磁気記録媒体と、前記発磁体の磁界に感
応するように前記磁気記録媒体に近接させて前記第２の
部材に設けられる磁気抵抗効果素子とを備え、前記第１
および前記第１の部材の相対移動によって変化する前記
磁気抵抗効果素子の抵抗変化に基づいて前記両部材間の
絶対位置を検出する絶対位置検出装置において、 前記小発磁体に形成される一対のＳ磁極およびＮ磁極を
各小発磁体の並び方向に沿うようにするとともに、隣接
する小発磁体の磁極が互いに同じ極性になるように各小
発磁体を配置し、 小発磁体の並び方向に対する直角方向の幅長が前記相
対移動方向の位置により変わるように小発磁体を形成す
るとともに、前記磁気抵抗効果素子の長手方向が前記小
発磁体の並び方向と直交するように配置したことを特徴
とする絶対位置検出装置にある。
この構成によれば、次のような良さがある。
（１）．隣接する小発磁体の磁極が互いに同じ極性にな
るように各小発磁体を配置しているので、異なる極性の
磁極が隣接するものに比べ、磁気抵抗効果素子が感応す
る磁束が多くなり、磁気抵抗効果素子の検知出力が増加
する。
るように各小発磁体を配置しているので、異なる極性の
磁極が隣接するものに比べ、磁気抵抗効果素子が感応す
る磁束が多くなり、磁気抵抗効果素子の検知出力が増加
する。
（２）．小発磁体の並び方向に対する直角方向の幅長が
相対移動方向の位置により変わるように小発磁体を形成
するとともに、磁気抵抗効果素子の長手方向が小発磁体
の並び方向と直交するように配置したので、小発磁体の
幅長の違いにより、磁気抵抗効果素子の検知出力は変化
する。この検知出力の変化により第１の部材と第２の部
材との位置を検出できるのである。
相対移動方向の位置により変わるように小発磁体を形成
するとともに、磁気抵抗効果素子の長手方向が小発磁体
の並び方向と直交するように配置したので、小発磁体の
幅長の違いにより、磁気抵抗効果素子の検知出力は変化
する。この検知出力の変化により第１の部材と第２の部
材との位置を検出できるのである。
第１図は本発明を実施した装置の斜視図、第２図
（Ａ），（Ｂ）は本発明の磁気センサと磁気媒体の関係
を示す図、第３図は本発明に用いるMR素子の特性図、第
４図は接続図、第５図は本発明の動作説明波形図、第６
図（Ａ），（Ｂ）は他の実施例の磁気媒体と磁気センサ
との関係を示す図、第７図は第６図の出力波形図、第８
図（Ａ），（Ｂ）は同じく他の実施例を示す磁気媒体と
磁気センサの関係を示す図、第９図はその出力波形図、
第10図（Ａ），（Ｂ）は同じく他の実施例を示す磁気媒
体と磁気センサの関係を示す図、第11図はその出力波形
図、第12図（Ａ），（Ｂ）は同じく他の実施例を示す磁
気媒体と磁気センサの関係を示す図、第13図，第14図は
その接続図、第15図は第12図の説明用波形図、第16図は
第13図の出力波形図、第17図は第14図の出力波形図、第
18図（Ａ），（Ｂ）、第19図（Ａ），（Ｂ）は更に第12
図の変形例を示すもので磁気媒体と磁気センサの関係を
示す図、第20図は第19図の出力波形図、第21図は本発明
の更に他の実施例を示すもので磁気媒体と磁気センサの
関係図、第22図は第21図の接続図、第23図は第21図の説
明用波形図、第24図は本発明を直線運動する実施例に適
用した場合の斜視図である。 １……回転軸、２……担持体、2A……磁気媒体、N,S…
…小発磁体の磁極、３……磁気センサ、λ……磁気信号
ピッチ、Ra,Rb,Rc,Rd,R1,R2,R3……MR素子、Ｒ……固定
抵抗又は磁界を受けないMR素子、Ｖ電源、20……磁気信
号非記録部、21……磁気信号記録部。
（Ａ），（Ｂ）は本発明の磁気センサと磁気媒体の関係
を示す図、第３図は本発明に用いるMR素子の特性図、第
４図は接続図、第５図は本発明の動作説明波形図、第６
図（Ａ），（Ｂ）は他の実施例の磁気媒体と磁気センサ
との関係を示す図、第７図は第６図の出力波形図、第８
図（Ａ），（Ｂ）は同じく他の実施例を示す磁気媒体と
磁気センサの関係を示す図、第９図はその出力波形図、
第10図（Ａ），（Ｂ）は同じく他の実施例を示す磁気媒
体と磁気センサの関係を示す図、第11図はその出力波形
図、第12図（Ａ），（Ｂ）は同じく他の実施例を示す磁
気媒体と磁気センサの関係を示す図、第13図，第14図は
その接続図、第15図は第12図の説明用波形図、第16図は
第13図の出力波形図、第17図は第14図の出力波形図、第
18図（Ａ），（Ｂ）、第19図（Ａ），（Ｂ）は更に第12
図の変形例を示すもので磁気媒体と磁気センサの関係を
示す図、第20図は第19図の出力波形図、第21図は本発明
の更に他の実施例を示すもので磁気媒体と磁気センサの
関係図、第22図は第21図の接続図、第23図は第21図の説
明用波形図、第24図は本発明を直線運動する実施例に適
用した場合の斜視図である。 １……回転軸、２……担持体、2A……磁気媒体、N,S…
…小発磁体の磁極、３……磁気センサ、λ……磁気信号
ピッチ、Ra,Rb,Rc,Rd,R1,R2,R3……MR素子、Ｒ……固定
抵抗又は磁界を受けないMR素子、Ｖ電源、20……磁気信
号非記録部、21……磁気信号記録部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−47501（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−24110（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−2446（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−206613（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】相対移動する第１および第２の部材と、前
記第１の部材に設けられ、かつ相対移動方向に沿って並
ぶように記録された多数の小さな小発磁体を有する磁気
記録媒体と、前記発磁体の磁界に感応するように前記磁
気記録媒体に近接させて前記第２の部材に設けられる磁
気抵抗効果素子とを備え、前記第１および前記第１の部
材の相対移動によって変化する前記磁気抵抗効果素子の
抵抗変化に基づいて前記両部材間の絶対位置を検出する
絶対位置検出装置において、 前記小発磁体に形成される一対のＳ磁極およびＮ磁極を
各小発磁体の並び方向に沿うようにするとともに、隣接
する小発磁体の磁極が互いに同じ極性になるように各小
発磁体を配置し、 小発磁体の並び方向に対する直角方向の幅長が前記相対
移動方向の位置により変わるように小発磁体を形成する
とともに、前記磁気抵抗効果素子の長手方向が前記小発
磁体の並び方向と直交するように配置したことを特徴と
する絶対位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62187563A JP2550085B2 (ja) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | 絶対位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62187563A JP2550085B2 (ja) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | 絶対位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6432117A JPS6432117A (en) | 1989-02-02 |
| JP2550085B2 true JP2550085B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=16208273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62187563A Expired - Lifetime JP2550085B2 (ja) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | 絶対位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2550085B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04174302A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Toyota Motor Corp | 移動部材の変位検出方法 |
| JPH0835854A (ja) * | 1991-01-22 | 1996-02-06 | Toyota Motor Corp | 移動部材の変位検出方法 |
| JP2006113039A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-04-27 | Tokai Rika Co Ltd | 磁気検出装置 |
| JP4912595B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2012-04-11 | 三菱電機株式会社 | 位置検出装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2423500C3 (de) * | 1974-05-15 | 1980-05-29 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Anordnung zur Erzeugung von elektrischen Signalen mit Feldplatten |
| JPS6224110A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 非接触全周形ポテンシヨメ−タ |
| JPH0665967B2 (ja) * | 1985-08-27 | 1994-08-24 | 株式会社エスジー | アブソリュート回転位置検出装置 |
-
1987
- 1987-07-29 JP JP62187563A patent/JP2550085B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6432117A (en) | 1989-02-02 |
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