JP2547039B2 - Light receiving device for optical communication - Google Patents
Light receiving device for optical communicationInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 コヒーレント光通信へテロダイン検波方式に用いられ
る光通信用受光装置に関し、 雑音特性を劣化させることなく、広帯域化を図ることを
目的とし、 光信号を入射する受光素子と、該受光素子の出力信号
を入力する増幅器と、インダクタンスとを備えたLC同調
型の光通信用受光装置に於いて、前記増幅器の出力信号
をインピーダンス素子を介して帰還するブートストラッ
プ型構成とした。The present invention relates to a light receiving device for optical communication used in a coherent optical communication heterodyne detection system, which is intended for widening a band without deteriorating noise characteristics, and which receives an optical signal. In an LC tuning type optical communication light receiving device including an element, an amplifier for inputting an output signal of the light receiving element, and an inductance, a bootstrap type configuration for returning an output signal of the amplifier through an impedance element And
本発明は、コヒーレント光通信へテロダイン検波方式
に用いられる光通信用受光装置に関するものである。The present invention relates to a light receiving device for optical communication used in a coherent optical communication heterodyne detection system.
コヒーレント光通信方式により、半導体レーザの特性
の改善により、数Gb/S程度以上の高速データを容易に送
信することが可能であるから、それに対応して受光装置
の広帯域化が要望されている。By improving the characteristics of the semiconductor laser by the coherent optical communication system, it is possible to easily transmit high-speed data of several Gb / S or more, and accordingly, there is a demand for widening the band of the light receiving device.
コヒーレント光通信ヘテロダイン検波方式に用いられ
る受光装置は、データビットレートの3〜5倍の帯域が
要求されるものである。第5図は周波数特性説明図であ
り、縦軸はスペクトル強度、横軸は周波数を示し、同図
の(a)は、変調方式がASK,PSK,DSK或いはFSKシングル
フィルタ方式に於ける特性を示し、fiは中間周波数であ
る。このような変調方式を適用した場合の受光装置は、
点線で示すように、ベースバンド信号帯域の3倍が必要
とされていた。又同図の(b)は、FSKデュアルフィル
タ方式に於ける特性を示し、周波数f1,f2に変調される
ものであるから、このような方式を適用した場合の受光
装置は、点線で示すように、ベースバンド信号帯域の5
倍が必要とされていた。The light receiving device used for the coherent optical communication heterodyne detection system is required to have a band of 3 to 5 times the data bit rate. FIG. 5 is an explanatory diagram of frequency characteristics, in which the vertical axis represents the spectrum intensity and the horizontal axis represents the frequency. In FIG. Shown, fi is the intermediate frequency. The light receiving device when such a modulation method is applied is
As shown by the dotted line, three times the baseband signal band was required. Further, (b) of the figure shows the characteristics in the FSK dual filter system, which is modulated to frequencies f1 and f2. Therefore, the light receiving device when such a system is applied is In addition, 5 of the baseband signal band
Twice was needed.
しかし、実際には、中間周波数fiを中心としたスペク
トル、又は周波数f1,f2をそれぞれ中心としたスペクト
ルを通過させる帯域があれば充分であるから、受光装置
としては、ASK,PSK,DPSK等の変調方式を適用した場合、
同図の(c)における点線で示す帯域、FSKデュアルフ
ィルタ方式を適用した場合、同図の(d)に於ける点線
で示す帯域があれば良いことになる。However, in practice, it is sufficient if there are bands that pass the spectrum centered at the intermediate frequency fi or the spectrum centered at the frequencies f1 and f2, respectively, so that as the light receiving device, ASK, PSK, DPSK, etc. When applying the modulation method,
If the FSK dual filter method is applied to the band shown by the dotted line in (c) of the figure, the band shown by the dotted line in (d) of the diagram is sufficient.
このような点から、第6図に示すようなLC同調型の受
光装置が提案されている。同図に於いて、41はPINダイ
オードやアバランシェフォトダイオード(APD)等の受
光素子、42は電界効果トランジスタ等からなる増幅器、
43はインダクタンス、44は抵抗、CDは受光素子41の接合
容量である。From such a point, an LC tuning type light receiving device as shown in FIG. 6 has been proposed. In the figure, 41 is a light receiving element such as a PIN diode or avalanche photodiode (APD), 42 is an amplifier including a field effect transistor,
43 is an inductance, 44 is a resistance, and C D is a junction capacitance of the light receiving element 41.
インダクタンス43と、受光素子41の接合容量CD及び増
幅器42の入力容量等とにより同調周波数が定まり、イン
ダクタンス43をL、増幅器42の入力容量や受光素子41の
接合容量CDの合成容量をCTとし、又抵抗44をRBとする
と、このLC同調型の受光装置の利得周波数特性は、第7
図に示すものとなる。即ち、中心周波数f0は、 3dB帯域B3は、B3=1/2πRBCTの特性となる。従って、第
5図の(c)の場合は、f0=fiとなるようにインダクタ
ンス43等を設定し、所望の帯域となるように抵抗44
(RB)を設定することになる。又第5図の(d)の場合
は、f1,f2の中間の周波数を中心周波数f0となるように
インダクタンス43等を設定し、所望の帯域となるように
抵抗44(RB)を設定することになる。An inductance 43, Sadamari junction capacitance C D and the tuning frequency by the input capacitance of the amplifier 42 of the light receiving element 41, the inductance 43 L, the combined capacitance of the junction capacitance C D of the input capacitance and the light receiving element 41 of the amplifier 42 C Assuming that T is T and resistor 44 is R B , the gain frequency characteristic of this LC tuning type photo detector is 7th.
It will be as shown in the figure. That is, the center frequency f 0 is The 3 dB band B 3 has a characteristic of B 3 = 1 / 2πR B C T. Therefore, in the case of FIG. 5 (c), the inductance 43 and the like are set so that f 0 = fi, and the resistor 44 is set so as to obtain a desired band.
(R B ) will be set. Further, in the case of FIG. 5 (d), the inductance 43 and the like are set so that the intermediate frequency between f1 and f2 becomes the center frequency f 0, and the resistor 44 (R B ) is set so as to obtain the desired band. Will be done.
このようなLC同調型の受光装置は、帯域として10MHz
程度以下の場合に、ショット雑音限界に近い特性が得ら
れる。帯域を更に拡大する為に、第8図に示すようなト
ランスインピーダンス型受光回路が知られている。同図
に於いて、51は受光素子、52は増幅器、53はインダクタ
ンス、54は帰還抵抗、55はバイアス抵抗、56は前段増幅
器を構成する広帯域低雑音の電界効果トランジスタ、57
は後段増幅器、58は出力端子である。Such an LC tuning type photo detector has a bandwidth of 10 MHz.
In the case of not more than about this, the characteristics close to the shot noise limit can be obtained. In order to further expand the band, a transimpedance type light receiving circuit as shown in FIG. 8 is known. In the figure, 51 is a light receiving element, 52 is an amplifier, 53 is an inductance, 54 is a feedback resistor, 55 is a bias resistor, 56 is a wide band low noise field effect transistor which constitutes a pre-amplifier, 57
Is a post-stage amplifier, and 58 is an output terminal.
増幅器52は、複数段構成の場合を示すものであるが、
単一段とすることも勿論可能であり、この増幅器52の利
得をAとし、バイアス抵抗55をRB、インダクタンス53を
L、帰還抵抗54をRf、受光素子51の接合容量や増幅器52
の入力容量等の合成容量をCTとすると、第9図に示す等
価回路となる。isは受光素子11に入射した光信号に対応
して電流が流れる電流源であり、合成容量CTとインダク
タンスLとにより同調回路が構成されている。Although the amplifier 52 shows a case of a multi-stage configuration,
It is of course possible to use a single stage, in which the gain of the amplifier 52 is A, the bias resistor 55 is R B , the inductance 53 is L, the feedback resistor 54 is R f , the junction capacitance of the light receiving element 51 and the amplifier 52.
If the combined capacitance such as the input capacitance of is C T , the equivalent circuit shown in FIG. 9 is obtained. i s is a current source in which a current flows in response to an optical signal incident on the light receiving element 11, and a tuning circuit is constituted by the combined capacitance C T and the inductance L.
この第9図の等価回路から、トランスインピーダンス
|ZT|は、 但し、 合成容量CTは、電界効果トランジスタをソース接地形
式で使用した場合に、 CT=CD+CS+CGS+CGD(1+gmRL) ……(2) となる。なお、CDは受光素子11の接合容量、CSは浮遊容
量、CGSは電界効果トランジスタのゲート・ソース間容
量、CGDは電界効果トランジスタのゲート・ドレイン間
容量、gmは電界効果トランジスタの相互コンダクタン
ス、RLは負荷抵抗である。From the equivalent circuit of FIG. 9, the transimpedance is
| Z T | is However, The combined capacitance C T is C T = C D + C S + C GS + C GD (1 + g m RL ) (2) when the field-effect transistor is used in the source-grounded form. Note that C D is the junction capacitance of the light receiving element 11, C S is the stray capacitance, C GS is the gate-source capacitance of the field effect transistor, C GD is the gate-drain capacitance of the field effect transistor, and g m is the field effect transistor. , R L is the load resistance.
帯域幅Bifは、 となり、利得A倍だけ帯域は拡がることになる。Bandwidth B if is Therefore, the band is expanded by the gain A times.
コヒーレント光通信へテロダイン検波方式に於いて
は、数Gb/S程度以上の高速データ伝送が可能となるもの
であるから、それに対応した受光装置の帯域が必要とな
る。このような広帯域特性を得る為に、第6図に示す従
来例の構成に於いては、抵抗44(RB)を小さくすること
が考えられる。しかし、この抵抗44(RB)を小さくする
と、受信感度が低下すると共に、熱雑音が増加するか
ら、数Gb/S程度以上の高速データ伝送に適合するような
構成を実現することは困難であった。In the coherent optical communication heterodyne detection system, high-speed data transmission of several Gb / S or more is possible, so a band of the light receiving device corresponding to it is required. In order to obtain such a wide band characteristic, it is conceivable to reduce the resistance 44 (R B ) in the configuration of the conventional example shown in FIG. However, if the resistor 44 (R B ) is made small, the reception sensitivity will decrease and the thermal noise will increase. Therefore, it is difficult to realize a configuration suitable for high-speed data transmission of several Gb / S or more. there were.
又第8図に示す従来例は、広帯域化する為に、開ルー
プ利得を大きくしなければならないものであり、増幅器
52を構成する電界効果トランジスタの1個当りの利得か
らみて、現在は数段の増幅構成を採用する必要がある。
その為に、帰還路が長くなって、浮遊容量や浮遊インダ
クタンスが大きくなり、高周波特性が劣化する欠点があ
る。Further, in the conventional example shown in FIG. 8, the open loop gain must be increased in order to widen the band.
Considering the gain per field-effect transistor that constitutes 52, it is necessary to adopt an amplification configuration of several stages at present.
As a result, the return path becomes long, the stray capacitance and stray inductance increase, and the high-frequency characteristics deteriorate.
本発明は、雑音特性を劣化させることなく、広帯域化
を図ることを目的とするものである。An object of the present invention is to broaden the band without deteriorating the noise characteristic.
本発明の光通信用受光装置は、LC同調型を広帯域化し
たものであり、第1図を参照して説明する。光信号を入
射する受光素子1と、この受光素子1の出力信号を入力
する電界効果トランジスタ等からなる増幅器2と、イン
ダクタンス3とを備えたLC同調型の光通信用受光装置に
於いて、増幅器2の出力信号をコンデンサ等のインピー
ダンス素子4を介して帰還するブートストラップ型の構
成としたものである。The light receiving device for optical communication of the present invention is an LC tuning type device having a wide band, which will be described with reference to FIG. An LC tuning type light receiving device for optical communication, comprising a light receiving element 1 for inputting an optical signal, an amplifier 2 including a field effect transistor for inputting an output signal of the light receiving element 1, and an inductance 3, The output signal 2 is fed back through the impedance element 4 such as a capacitor and has a bootstrap type configuration.
LC同調型の光通信用受光装置の増幅器2の出力信号を
インピーダンス素子4を介して帰還して、ブートストラ
ップ型とすることにより、合成容量CTを小さくできるこ
とから、帯域を拡大することができる。又利得は1で良
いから、1個のトランジスタで済み、帰還路を短くする
ことができる。Since the output signal of the amplifier 2 of the LC tuning type optical communication light receiving device is fed back through the impedance element 4 to form the bootstrap type, the combined capacitance C T can be made small, so that the band can be expanded. . Further, since the gain may be 1, only one transistor is needed and the feedback path can be shortened.
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説
明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第2図は本発明の一実施例の要部回路図であり、21は
受光素子、22は増幅器を構成する電界効果トランジス
タ、23はインダクタンス、24は帰還用のコンデンサ、2
5,26は抵抗、27は出力端子である。FIG. 2 is a circuit diagram of a main part of one embodiment of the present invention, in which 21 is a light receiving element, 22 is a field effect transistor constituting an amplifier, 23 is an inductance, 24 is a feedback capacitor, and 2 is a feedback capacitor.
5, 26 are resistors and 27 is an output terminal.
受光素子21の出力信号を電界効果トランジスタ22のゲ
ートに加えるように接続し、その電界効果トランジスタ
22のドレインを接地し、ソースに出力端子27を接続する
と共に、抵抗26を介して−Vの電源に接続し、出力端子
27からコンデンサ24を介して受光素子21側へ帰還するよ
うに接続している。The output signal of the light receiving element 21 is connected so as to be applied to the gate of the field effect transistor 22.
The drain of 22 is grounded, the output terminal 27 is connected to the source, and it is connected to the -V power source through the resistor 26.
Connection is made from 27 through the capacitor 24 so as to return to the light receiving element 21 side.
第3図は第2図の等価回路を示し、isは受光素子21に
入射される光信号に対応して電流が流れる電流源、CDは
受光素子21の接合容量、Lはインダクタンス23、RBはバ
イアス抵抗25、C1はCGD+(1−A)CGS+CS、gmVGSは
相互コンダクタンスgmに対応した電流が流れる電流源、
C2は(1−1/A)CGS+CDS、RSはソースに接続した抵抗2
6、rDSはドレイン・ソース間抵抗、CGSはゲート・ソー
ス間容量、CGDはゲート・ドレイン間容量、CSは浮遊容
量である。Figure 3 shows an equivalent circuit of FIG. 2, i s the current source current flows in response to the optical signal incident on the light receiving element 21, C D is the junction capacitance of the light receiving element 21, L is the inductance 23, R B is a bias resistor 25, C 1 is C GD + (1-A) C GS + C S , g m V GS is a current source through which a current corresponding to the mutual conductance g m flows,
C 2 is (1-1 / A) C GS + C DS , R S is the resistor 2 connected to the source
6, r DS is the drain-source resistance, C GS is the gate-source capacitance, C GD is the gate-drain capacitance, and C S is the stray capacitance.
この等価回路におけるトランスインピーダンス|ZT|
は、 但し、Q=2πfifRBCT CT=CGS+(1−A)CGS+CS+(1−A)CD となる。トランスインピーダンス|ZT|は、通常のLC同調
型の場合と同様であるが、合成容量CTがブートストラッ
プ型としたことにより減少するから、それによって帯域
を拡大することができる。Transimpedance in this equivalent circuit | Z T |
Is However, Q = 2πf if R B C T C T = C GS + (1-A) C GS + C S + (1-A) C D Becomes The transimpedance | Z T | is the same as in the case of the normal LC tuning type, but since the combined capacitance C T is reduced by the bootstrap type, the band can be expanded by it.
この実施例の電界効果トランジスタ22の利得は1であ
るから、1個の電界効果トランジスタで済むことにな
り、従って、帰還路を短くすることができる。その為、
浮遊容量や浮遊インダクタンスを小さくすることができ
る。従って、高周波特性を向上することが可能となる。
又出力端子27に広帯域低雑音増幅器を接続して、受光出
力信号を増幅することができる。Since the gain of the field effect transistor 22 of this embodiment is 1, only one field effect transistor is required, and therefore the feedback path can be shortened. For that reason,
Stray capacitance and stray inductance can be reduced. Therefore, it becomes possible to improve the high frequency characteristics.
A wide band low noise amplifier can be connected to the output terminal 27 to amplify the light reception output signal.
第4図は本発明の他の実施例の要部回路図であり、デ
ュアルバランス型受光装置に適用した場合を示す。同図
に於いて、31a,31bは受光素子、32は増幅器を構成する
電界効果トランジスタ、33はインダクタンス、34a,34b
は帰還用のコンデンサ、35a,35b,36は抵抗、38はバイア
ス抵抗、37は出力端子、39は光カプラである。FIG. 4 is a circuit diagram of a main part of another embodiment of the present invention, showing a case where the present invention is applied to a dual balance type light receiving device. In the figure, 31a and 31b are light receiving elements, 32 is a field effect transistor forming an amplifier, 33 is an inductance, and 34a and 34b.
Is a condenser for feedback, 35a, 35b and 36 are resistors, 38 is a bias resistor, 37 is an output terminal, and 39 is an optical coupler.
受信した光信号と局部発振光とが光カプラ39により混
合されて2個の出力光となり、それぞれ受光素子31a,31
bに入射される。受光素子31a,31bは直列に接続され、そ
の接続点が電界効果トランジスタ32のゲートに接続され
ている。光カプラ39の出力光はそれぞれの位相差がπで
あり、2個の受光素子31a,31bの出力信号を電界効果ト
ランジスタ32に於いて差動合成をとることになるから、
2個の受光素子31a,31bの応答速度を等しくすることに
より、出力端子37には、1個の受光素子による出力信号
の2倍のレベルの出力信号が得られる。又局部発振光強
度雑音は相関があるから、2個の受光素子31a,31bの出
力信号の差動合成をとることにより原理的には零とな
り、ヘテロダイン検波出力信号が得られる。The received optical signal and the locally oscillated light are mixed by the optical coupler 39 into two output lights, and the light receiving elements 31a and 31 are respectively provided.
It is incident on b. The light receiving elements 31a and 31b are connected in series, and the connection point is connected to the gate of the field effect transistor 32. The output lights of the optical coupler 39 have a phase difference of π, and the output signals of the two light receiving elements 31a and 31b are differentially combined in the field effect transistor 32.
By equalizing the response speeds of the two light receiving elements 31a and 31b, an output signal having a level twice that of the output signal from one light receiving element can be obtained at the output terminal 37. Since the local oscillation light intensity noise has a correlation, it becomes zero in principle by taking the differential combination of the output signals of the two light receiving elements 31a and 31b, and the heterodyne detection output signal is obtained.
又受光素子31a,31bの接合容量や電界効果トランジス
タ32のゲート・ドレイン間容量等と、インダクタンス33
とによりLC同調型が構成され、又電界効果トランジスタ
32の出力信号をコンデンサ34a,34bを介して帰還するこ
とによりブートストラップ型が構成され、第2図に示す
実施例のように、合成容量CTを小さくできることによ
り、帯域を拡大することができる。In addition, the junction capacitance of the light receiving elements 31a and 31b, the gate-drain capacitance of the field effect transistor 32, and the inductance 33
LC tuning type is composed of
A bootstrap type is formed by feeding back the output signal of 32 through the capacitors 34a and 34b, and the band can be expanded by reducing the combined capacitance C T as in the embodiment shown in FIG. .
ビットレートを4Gb/Sとした場合の入力換算雑音電流
について説明する。第6図に示す従来例におけるバイア
ス抵抗44(RB)を1KΩとし、又第8図に示す従来例に於
ける増幅器52の利得Aを20dB、バイアス抵抗55(RB)を
(A+1)/2πCT(2Br)〔但し、Brはビットレート〕
とし、又第2図に示す本発明の実施例に於けるバイアス
抵抗25(RB)を1KΩとし、CD=0.3pF、CGS=0.5pF、CDS
=0.05pF、CS=0.1pF、gm=25mS(シーメンス)、RL=1
50Ωとした時、入力換算雑音電流は、第6図に示す従来
例に於いては、 第8図に示す従来例に於いては、 第2図に示す本発明の実施例に於いては、 となった。The input conversion noise current when the bit rate is 4 Gb / S will be described. The bias resistor 44 (R B ) in the conventional example shown in FIG. 6 is set to 1 KΩ, the gain A of the amplifier 52 in the conventional example shown in FIG. 8 is 20 dB, and the bias resistor 55 (R B ) is (A + 1) / 2πC T (2B r ) (B r is the bit rate)
In addition, the bias resistance 25 (R B ) in the embodiment of the present invention shown in FIG. 2 is 1 KΩ, C D = 0.3 pF, C GS = 0.5 pF, C DS
= 0.05pF, C S = 0.1pF, g m = 25mS (Siemens), R L = 1
When it is set to 50Ω, the input converted noise current is as follows in the conventional example shown in FIG. In the conventional example shown in FIG. In the embodiment of the present invention shown in FIG. 2, Became.
従って、本発明の実施例の構成によれば、第6図に示
す従来例に比較して入力換算雑音電流は少なく、且つ帯
域を拡大することができ、又第8図に示す従来例に比較
して入力換算雑音電流はほぼ同等であるが、合成容量CT
を小さくして帯域を拡大し、又帰還路を短くすることが
できることにより、高周波特性を向上させることができ
る。Therefore, according to the configuration of the embodiment of the present invention, the input conversion noise current is smaller than that of the conventional example shown in FIG. 6 and the band can be expanded, and compared with the conventional example shown in FIG. The input equivalent noise current is almost the same, but the combined capacitance C T
Can be reduced to widen the band and shorten the return path, thereby improving the high frequency characteristics.
以上説明したように、本発明は、LC同調型の受光装置
に於いて、増幅器2の出力信号をインピーダンス素子4
を介して帰還して、ブートストラップ型構成としたもの
であり、雑音特性を劣化させることなく、合成容量CTを
小さくして帯域を拡大し、増幅器2を1個の電界効果ト
ランジスタにより構成することが可能であるから、帰還
路も短くなり、高周波特性を向上させて、数Gb/S程度以
上の帯域の光信号を安定に受信できる利点がある。As described above, according to the present invention, in the LC tuning type light receiving device, the output signal of the amplifier 2 is changed to the impedance element 4.
The amplifier 2 is configured by one field-effect transistor by reducing the combined capacitance C T to expand the band without deteriorating the noise characteristics by returning the signal via the circuit. Therefore, the return path is shortened, the high frequency characteristics are improved, and the optical signal in the band of several Gb / S or more can be stably received.
第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の一実施
例の要部回路図、第3図は第2図の等価回路、第4図は
本発明の他の実施例の要部回路図、第5図(a)〜
(d)は周波数特性説明図、第6図は従来例の要部回路
図、第7図は利得周波数特性説明図、第8図は従来例の
トランスインピーダンス型受光回路、第9図は第8図の
等価回路を示す。 1,21,31a,31bは受光素子、2は増幅器、22,32は電界効
果トランジスタ、3,23,33はインダクタンス、4は帰還
用のインピーダンス素子、24,34a,34bは帰還用のコンデ
ンサ、25,38はバイアス抵抗、39は光カプラである。FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of an essential part of an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an equivalent circuit of FIG. 2, and FIG. 4 is another embodiment of the present invention. Main circuit diagram, FIG. 5 (a)-
(D) is an explanatory view of frequency characteristics, FIG. 6 is a circuit diagram of a main part of a conventional example, FIG. 7 is an explanatory view of gain frequency characteristics, FIG. 8 is a transimpedance type light receiving circuit of a conventional example, and FIG. The equivalent circuit of the figure is shown. 1, 21, 31a, 31b are light receiving elements, 2 are amplifiers, 22 and 32 are field effect transistors, 3, 23 and 33 are inductances, 4 is an impedance element for feedback, 24, 34a and 34b are capacitors for feedback, Reference numerals 25 and 38 are bias resistors, and 39 is an optical coupler.
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Claims (1)
光素子(1)の出力信号を入力する増幅器(2)と、イ
ンダクタンス(3)とを備えたLC同調型の光通信用受光
装置に於いて、 前記増幅器(2)の出力信号をインピーダンス素子
(4)を介して帰還するブートストラップ型構成とした ことを特徴とする光通信用受光装置。1. An LC-tuning type optical communication comprising a light receiving element (1) for receiving an optical signal, an amplifier (2) for inputting an output signal of the light receiving element (1), and an inductance (3). The light receiving device for optical communication is characterized in that it has a bootstrap type configuration in which an output signal of the amplifier (2) is fed back through an impedance element (4).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62228366A JP2547039B2 (en) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | Light receiving device for optical communication |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62228366A JP2547039B2 (en) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | Light receiving device for optical communication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6472634A JPS6472634A (en) | 1989-03-17 |
JP2547039B2 true JP2547039B2 (en) | 1996-10-23 |
Family
ID=16875334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62228366A Expired - Lifetime JP2547039B2 (en) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | Light receiving device for optical communication |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2547039B2 (en) |
-
1987
- 1987-09-14 JP JP62228366A patent/JP2547039B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6472634A (en) | 1989-03-17 |
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