JP2536202B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JP2536202B2 JP2536202B2 JP1331064A JP33106489A JP2536202B2 JP 2536202 B2 JP2536202 B2 JP 2536202B2 JP 1331064 A JP1331064 A JP 1331064A JP 33106489 A JP33106489 A JP 33106489A JP 2536202 B2 JP2536202 B2 JP 2536202B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- alloy
- sputtering
- medium
- silicon nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、磁性多層膜と初期補助磁界を用いるオーバ
ライト可能な光磁気記録媒体の製造方法に関する。
ライト可能な光磁気記録媒体の製造方法に関する。
［従来の技術］ 近年、初期補助磁界と磁性多層膜を用いることによ
り、情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目
されている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、 （ｃ）初期補助磁界を印加することによって、記録前に
前記記録補助層の磁化のみを上向きまたは下向きのいず
れか一方に揃えておくこと、 （ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射すること、 （ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき２値化情報
に従って、パルス状に変調すること、 （ｆ）前記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に
記録磁界を印加すること、 （ｇ）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高
レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レー
ザビームの強度が低レベルの時に他方のビットを形成さ
せること、 からなることを特徴とする重ね書き可能な記録方法であ
る（例えば特開昭62−175948号公報参照）。
り、情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目
されている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、 （ｃ）初期補助磁界を印加することによって、記録前に
前記記録補助層の磁化のみを上向きまたは下向きのいず
れか一方に揃えておくこと、 （ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射すること、 （ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき２値化情報
に従って、パルス状に変調すること、 （ｆ）前記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に
記録磁界を印加すること、 （ｇ）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高
レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レー
ザビームの強度が低レベルの時に他方のビットを形成さ
せること、 からなることを特徴とする重ね書き可能な記録方法であ
る（例えば特開昭62−175948号公報参照）。
［発明が解決しようとする課題］ オーバライト可能な磁性多層膜媒体のうち、パラタイ
プ（Ｐタイプ）と呼ばれる媒体は、記録層の磁化情報を
記録補助層に転写することが必要であるので、そのＭ−
Ｈループは低レベルのレーザ照射時の温度では、第２図
に示したような反転磁界を１段階しかもたないループで
なければならない。しかるに、２層間の結合力が弱すぎ
ると第３図に示したような２段階のループになり、オー
バライトができなくなる。
プ（Ｐタイプ）と呼ばれる媒体は、記録層の磁化情報を
記録補助層に転写することが必要であるので、そのＭ−
Ｈループは低レベルのレーザ照射時の温度では、第２図
に示したような反転磁界を１段階しかもたないループで
なければならない。しかるに、２層間の結合力が弱すぎ
ると第３図に示したような２段階のループになり、オー
バライトができなくなる。
また、オーバライト可能な磁性多層膜媒体のうち、ア
ンチパラタイプ（Ａタイプ）と呼ばれる媒体は、Ｍ−Ｈ
ループが低レベルのレーザ照射時の温度では第４図に示
したような３段階の反転磁界を持つループでなければな
らない。しかるに、２層間の結合力が弱すぎると第５図
に示したような２段階のループになり、オーバライトが
できなくなる。
ンチパラタイプ（Ａタイプ）と呼ばれる媒体は、Ｍ−Ｈ
ループが低レベルのレーザ照射時の温度では第４図に示
したような３段階の反転磁界を持つループでなければな
らない。しかるに、２層間の結合力が弱すぎると第５図
に示したような２段階のループになり、オーバライトが
できなくなる。
本発明は以上述べたような従来の課題を解決するため
になされたもので、磁性多層膜間の結合力を適当な値に
強めたオーバライト可能な光磁気記録媒体の製造方法を
提供することを目的とする。
になされたもので、磁性多層膜間の結合力を適当な値に
強めたオーバライト可能な光磁気記録媒体の製造方法を
提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、基板上にスペーサ層を形成した後、該スペ
ーサ層上に磁性多層膜を形成し、次いで該磁性多層膜上
に保護層を形成することよりなるオーバライト可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、スペーサ層を形成し
た後、逆スパッタを行い、次いで磁性多層膜を形成する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法である。
ーサ層上に磁性多層膜を形成し、次いで該磁性多層膜上
に保護層を形成することよりなるオーバライト可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、スペーサ層を形成し
た後、逆スパッタを行い、次いで磁性多層膜を形成する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法である。
［作用］ 磁性多層膜を有するパラタイプの光磁気記録媒体が第
３図に示したような２段階のループになるのは、記録再
生層と記録補助層の間の結合力が弱すぎるためである。
そこで、第１の磁性層を成膜する前に、基板上に形成さ
れたスペーサ層に逆スパッタを行うと、上記の２層間の
結合力が強まり、第２図に示したような１段階の反転磁
界を有するＭ−Ｈループをもつオーバライト可能な磁性
多層膜が得られる。
３図に示したような２段階のループになるのは、記録再
生層と記録補助層の間の結合力が弱すぎるためである。
そこで、第１の磁性層を成膜する前に、基板上に形成さ
れたスペーサ層に逆スパッタを行うと、上記の２層間の
結合力が強まり、第２図に示したような１段階の反転磁
界を有するＭ−Ｈループをもつオーバライト可能な磁性
多層膜が得られる。
また、磁性多層膜を有するアンチパラタイプの光磁気
記録媒体が第５図に示したような２段階のループになる
のは、記録再生層と記録補助層の間の結合力が弱すぎる
ためである。そこで、第１の磁性層を成膜する前に、基
板上に形成されたスペーサ層に逆スパッタを行うと、上
記の２層間の結合力が強まり、第４図に示したような３
段階の反転磁界を有するＭ−Ｈループをもつオーバライ
ト可能な磁性多層膜が得られる。
記録媒体が第５図に示したような２段階のループになる
のは、記録再生層と記録補助層の間の結合力が弱すぎる
ためである。そこで、第１の磁性層を成膜する前に、基
板上に形成されたスペーサ層に逆スパッタを行うと、上
記の２層間の結合力が強まり、第４図に示したような３
段階の反転磁界を有するＭ−Ｈループをもつオーバライ
ト可能な磁性多層膜が得られる。
［実施例］ 第１図は本発明の方法によって製造される光磁気記録
多層膜媒体の部分断面図である。媒体構成は、基板1/ス
ペーサ層2/第１の磁性層3/第２の磁性層4/第３の磁性層
5/保護層６である。ここで、基板１としては、ポリカー
ボネート樹脂，エポキシ樹脂またはガラスを用いた基板
等を使用する。基板はグルーブ付きでもグルーブなしで
も構わない。また、ガラスの上に紫外線硬化樹脂等でグ
ルーブを形成させたものでもよい。スペーサ層２および
保護層６としては、珪素の窒化物，珪素の酸化物，タン
タルの酸化物，アルミニウムの窒化物，アルミニウムの
酸化物等が使用できる。また、第１の磁性層3,第２の磁
性層４および第３の磁性層５は、希土類と遷移金属の組
み合わせからなるアモルファス合金薄膜である。この場
合、希土類としては、例えばTb,Gd,Dy,Nd,Ho等の中から
単独または複数の元素、遷移金属としては、Fe,Co,Ni等
の中から単独または複数の元素を用いる。また、少量の
Ti,Mo等を添加することも可能である。
多層膜媒体の部分断面図である。媒体構成は、基板1/ス
ペーサ層2/第１の磁性層3/第２の磁性層4/第３の磁性層
5/保護層６である。ここで、基板１としては、ポリカー
ボネート樹脂，エポキシ樹脂またはガラスを用いた基板
等を使用する。基板はグルーブ付きでもグルーブなしで
も構わない。また、ガラスの上に紫外線硬化樹脂等でグ
ルーブを形成させたものでもよい。スペーサ層２および
保護層６としては、珪素の窒化物，珪素の酸化物，タン
タルの酸化物，アルミニウムの窒化物，アルミニウムの
酸化物等が使用できる。また、第１の磁性層3,第２の磁
性層４および第３の磁性層５は、希土類と遷移金属の組
み合わせからなるアモルファス合金薄膜である。この場
合、希土類としては、例えばTb,Gd,Dy,Nd,Ho等の中から
単独または複数の元素、遷移金属としては、Fe,Co,Ni等
の中から単独または複数の元素を用いる。また、少量の
Ti,Mo等を添加することも可能である。
実施例１ ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッ
タ/TbFe合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFeCo合金
スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した媒体
（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/N
dFeCo合金（60Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素
（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素
を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はすべてRF
マグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。TbFe
層,NdFeCo層およびTbFeCo層の単層における25℃での諸
特性を第１表に示す。
タ/TbFe合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFeCo合金
スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した媒体
（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/TbFe合金（1000Å）/N
dFeCo合金（60Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒化珪素
（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素
を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はすべてRF
マグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。TbFe
層,NdFeCo層およびTbFeCo層の単層における25℃での諸
特性を第１表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射し
たときの媒体の温度100℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためである。
たときの媒体の温度100℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためである。
次に、同じ膜構成の媒体を、TbFe層をスパッタする前
に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を逆ス
パッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッタ条
件は、パワー200W,時間20分である。逆スパッタによ
り、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの窒化
珪素のうち、30Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を逆ス
パッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッタ条
件は、パワー200W,時間20分である。逆スパッタによ
り、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの窒化
珪素のうち、30Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
この媒体のカーループは、100℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFe合金
層とTbFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層（スペ
ーサ層）の逆スパッタにより強められたためである。こ
の結果、低レベルのレーザを照射したときに、TbFeCo層
（記録補助層）の磁化情報がTbFe層（記録層）に転写さ
れるようになり、オーバライトが可能になった。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFe合金
層とTbFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層（スペ
ーサ層）の逆スパッタにより強められたためである。こ
の結果、低レベルのレーザを照射したときに、TbFeCo層
（記録補助層）の磁化情報がTbFe層（記録層）に転写さ
れるようになり、オーバライトが可能になった。
実施例２ ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッ
タ/TbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFe合金
スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した媒体
（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/TbFeCo合金（600Å）/
NdFeCo合金（60Å）/TbFe合金（1200Å）／窒化珪素（8
00Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆
スパッタすることなしに作製した。成膜はすべてRFマグ
ネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。TbFe層,N
dFeCo層およびTbFeCo層の単層における25℃での諸特性
を第２表に示す。
タ/TbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFe合金
スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した媒体
（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/TbFeCo合金（600Å）/
NdFeCo合金（60Å）/TbFe合金（1200Å）／窒化珪素（8
00Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素を逆
スパッタすることなしに作製した。成膜はすべてRFマグ
ネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。TbFe層,N
dFeCo層およびTbFeCo層の単層における25℃での諸特性
を第２表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射し
たときの媒体の温度100℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためである。
たときの媒体の温度100℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためである。
次に、同じ膜構成の媒体を、TbFeCo層をスパッタする
前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を逆
スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッタ
条件は、パワー200W,時間20分である。逆スパッタによ
り、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの窒化
珪素のうち、30Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を逆
スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッタ
条件は、パワー200W,時間20分である。逆スパッタによ
り、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの窒化
珪素のうち、30Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
この媒体のカーループは、100℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFe合金
層とTbFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層（スペ
ーサ層）の逆スパッタにより強められたためである。こ
の結果、低レベルのレーザを照射したときに、TbFeCo層
（記録補助層）の磁化情報がTbFe層（記録層）に転写さ
れるようになり、オーバライトが可能になった。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFe合金
層とTbFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層（スペ
ーサ層）の逆スパッタにより強められたためである。こ
の結果、低レベルのレーザを照射したときに、TbFeCo層
（記録補助層）の磁化情報がTbFe層（記録層）に転写さ
れるようになり、オーバライトが可能になった。
実施例３ ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッ
タ/GdTbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFeCo
合金スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した
媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/GdTbFeCo合金（500
Å）/NdFeCo合金（100Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒
化珪素（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒
化珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はす
べてRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによ
る。TbFeCo層,NdFeCo層およびGdTbFeCo層の単層におけ
る25℃での諸特性を第３表に示す。
タ/GdTbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFeCo
合金スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した
媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/GdTbFeCo合金（500
Å）/NdFeCo合金（100Å）/TbFeCo合金（1000Å）／窒
化珪素（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒
化珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はす
べてRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによ
る。TbFeCo層,NdFeCo層およびGdTbFeCo層の単層におけ
る25℃での諸特性を第３表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射し
たときの媒体の温度130℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFeCo合金層と
GdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
たときの媒体の温度130℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFeCo合金層と
GdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
次に、同じ膜構成の媒体を、GdTbFeCo層をスパッタす
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を
逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッ
タ条件は、パワー100W,時間40分である。逆スパッタに
より、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの窒
化珪素のうち、30Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を
逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッ
タ条件は、パワー100W,時間40分である。逆スパッタに
より、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの窒
化珪素のうち、30Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
この媒体のカーループは、130℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFeCo合
金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
TbFeCo層（記録補助層）の磁化情報がTbFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFeCo合
金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
TbFeCo層（記録補助層）の磁化情報がTbFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
実施例４ エポキシ基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッタ/GdDyF
eCo合金スパッタ/GdNdFeCo合金スパッタ/DyFeCo合金ス
パッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した媒体
（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、エポキシ樹脂（グルーブ付
き）基板／窒化珪素（800Å）/GdDyFeCo合金（430Å）/
GdNdFeCo合金（80Å）/DyFeCo合金（800Å）／窒化珪素
（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素
を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はすべてRF
マグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。GdDy
FeCo層,GdNdFeCo層およびDyFeCo層の単層における25℃
での諸特性を第４表に示す。
eCo合金スパッタ/GdNdFeCo合金スパッタ/DyFeCo合金ス
パッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した媒体
（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、エポキシ樹脂（グルーブ付
き）基板／窒化珪素（800Å）/GdDyFeCo合金（430Å）/
GdNdFeCo合金（80Å）/DyFeCo合金（800Å）／窒化珪素
（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒化珪素
を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はすべてRF
マグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。GdDy
FeCo層,GdNdFeCo層およびDyFeCo層の単層における25℃
での諸特性を第４表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射し
たときの媒体の温度150℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。DyFeCo合金層と
GdDyFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
たときの媒体の温度150℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。DyFeCo合金層と
GdDyFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
次に、同じ膜構成の媒体を、GdDyFeCo層をスパッタす
る前に、エポキシ基板上に成膜した窒化珪素を逆スパッ
タするという工程を入れて成膜した。逆スパッタ条件
は、パワー100W,時間20分である。逆スパッタにより、
エポキシ樹脂基板上に成膜された815Åの窒化珪素のう
ち、15Åの窒化珪素がスパッタにより飛散した。
る前に、エポキシ基板上に成膜した窒化珪素を逆スパッ
タするという工程を入れて成膜した。逆スパッタ条件
は、パワー100W,時間20分である。逆スパッタにより、
エポキシ樹脂基板上に成膜された815Åの窒化珪素のう
ち、15Åの窒化珪素がスパッタにより飛散した。
この媒体のカーループは、130℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。DyFeCo合
金層とGdDyFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
DyFeCo層（記録補助層）の磁化情報がDyFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。DyFeCo合
金層とGdDyFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
DyFeCo層（記録補助層）の磁化情報がDyFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
実施例５ ポリカーボネート基板／酸化珪素スパッタ／逆スパッ
タ/GdTbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFeCo
合金スパッタ／酸化珪素スパッタという順序で成膜した
媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／酸化珪素（800Å）/GdTbFeCo合金（300
Å）/NdFeCo合金（100Å）/TbFeCo合金（700Å）／酸化
珪素（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の酸化
珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はすべ
てRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。
TbFeCo層,NdFeCo層およびGdTbFeCo層の単層における25
℃での諸特性を第５表に示す。
タ/GdTbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFeCo
合金スパッタ／酸化珪素スパッタという順序で成膜した
媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／酸化珪素（800Å）/GdTbFeCo合金（300
Å）/NdFeCo合金（100Å）/TbFeCo合金（700Å）／酸化
珪素（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の酸化
珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はすべ
てRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。
TbFeCo層,NdFeCo層およびGdTbFeCo層の単層における25
℃での諸特性を第５表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射し
たときの媒体の温度130℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFeCo合金層と
GdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
たときの媒体の温度130℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFeCo合金層と
GdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
次に、同じ膜構成の媒体を、GdTbFeCo層をスパッタす
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した酸化珪素を
逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッ
タ条件は、パワー100W,時間60分である。逆スパッタに
より、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの酸
化珪素のうち、30Åの酸化珪素がスパッタにより飛散し
た。
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した酸化珪素を
逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッ
タ条件は、パワー100W,時間60分である。逆スパッタに
より、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの酸
化珪素のうち、30Åの酸化珪素がスパッタにより飛散し
た。
この媒体のカーループは、130℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFeCo合
金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が酸化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
TbFeCo層（記録補助層）の磁化情報がTbFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFeCo合
金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が酸化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
TbFeCo層（記録補助層）の磁化情報がTbFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
実施例６ ポリカーボネート基板／酸化タンタルスパッタ／逆ス
パッタ/GdTbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbF
eCo合金スパッタ／酸化タンタルスパッタという順序で
成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／酸化タンタル（800Å）/GdTbFeCo合金（30
0Å）/NdFeCo合金（100Å）/TbFeCo合金（700Å）／酸
化タンタル（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層
の酸化タンタルを逆スパッタすることなしに作製した。
成膜はすべてRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッ
タによる。TbFeCo層,NdFeCo層およびGdTbFeCo層の単層
における25℃での諸特性を第６表に示す。
パッタ/GdTbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbF
eCo合金スパッタ／酸化タンタルスパッタという順序で
成膜した媒体（パラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／酸化タンタル（800Å）/GdTbFeCo合金（30
0Å）/NdFeCo合金（100Å）/TbFeCo合金（700Å）／酸
化タンタル（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層
の酸化タンタルを逆スパッタすることなしに作製した。
成膜はすべてRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッ
タによる。TbFeCo層,NdFeCo層およびGdTbFeCo層の単層
における25℃での諸特性を第６表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射し
たときの媒体の温度130℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFeCo合金層と
GdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
たときの媒体の温度130℃では、第３図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFeCo合金層と
GdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
次に、同じ膜構成の媒体を、GdTbFeCo層をスパッタす
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した酸化タンタ
ルを逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆ス
パッタ条件は、パワー100W,時間60分である。逆スパッ
タにより、ポリカーボネート基板上に成膜された830Å
の酸化タンタルのうち、30Åの酸化タンタルがスパッタ
により飛散した。
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した酸化タンタ
ルを逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆ス
パッタ条件は、パワー100W,時間60分である。逆スパッ
タにより、ポリカーボネート基板上に成膜された830Å
の酸化タンタルのうち、30Åの酸化タンタルがスパッタ
により飛散した。
この媒体のカーループは、130℃では第２図に示すよ
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFeCo合
金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が酸化タンタル
層（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためで
ある。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、
GdTbFeCo層（記録補助層）の磁化情報がTbFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
うな１段階の反転磁界を持つループになった。TbFeCo合
金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が酸化タンタル
層（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためで
ある。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、
GdTbFeCo層（記録補助層）の磁化情報がTbFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
実施例７ ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッ
タ/GdTbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFeCo
合金スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した
媒体（アンチパラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/GdTbFeCo合金（400
Å）/NdFeCo合金（100Å）/TbFeCo合金（800Å）／窒化
珪素（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒化
珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はすべ
てRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。
TbFeCo層,NdFeCo層およびGdTbFeCo層の単層における25
℃での諸特性を第７表に示す。
タ/GdTbFeCo合金スパッタ/NdFeCo合金スパッタ/TbFeCo
合金スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜した
媒体（アンチパラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/GdTbFeCo合金（400
Å）/NdFeCo合金（100Å）/TbFeCo合金（800Å）／窒化
珪素（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒化
珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はすべ
てRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。
TbFeCo層,NdFeCo層およびGdTbFeCo層の単層における25
℃での諸特性を第７表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射し
たときの媒体の温度130℃では、第５図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFeCo合金層と
GdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
たときの媒体の温度130℃では、第５図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。TbFeCo合金層と
GdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
次に、同じ膜構成の媒体を、GdTbFeCo層をスパッタす
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を
逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッ
タ条件は、パワー100W,時間40分である。逆スパッタに
より、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの窒
化珪素のうち、30Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を
逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッ
タ条件は、パワー100W,時間40分である。逆スパッタに
より、ポリカーボネート基板上に成膜された830Åの窒
化珪素のうち、30Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
この媒体のカーループは、130℃では第４図に示すよ
うな３段階の反転磁界を持つループになった。TbFeCo合
金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
TbFeCo層（記録補助層）の磁化情報がTbFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
うな３段階の反転磁界を持つループになった。TbFeCo合
金層とGdTbFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
TbFeCo層（記録補助層）の磁化情報がTbFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
実施例８ ポリカーボネート基板／窒化珪素スパッタ／逆スパッ
タ/GdDyFeCo合金スパッタ/GdNdFeCo合金スパッタ/DyFeC
o合金スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜し
た媒体（アンチパラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/GdDyFeCo合金（430
Å）/GdNdFeCo合金（80Å）/DyFeCo合金（800Å）／窒
化珪素（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒
化珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はす
べてRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによ
る。GdDyFeCo層,GdNdFeCo層およびDyFeCo層の単層にお
ける25℃での諸特性を第８表に示す。
タ/GdDyFeCo合金スパッタ/GdNdFeCo合金スパッタ/DyFeC
o合金スパッタ／窒化珪素スパッタという順序で成膜し
た媒体（アンチパラタイプ）の場合 はじめに比較例として、ポリカーボネート（グルーブ
付き）基板／窒化珪素（800Å）/GdDyFeCo合金（430
Å）/GdNdFeCo合金（80Å）/DyFeCo合金（800Å）／窒
化珪素（800Å）という膜構成の媒体をスペーサ層の窒
化珪素を逆スパッタすることなしに作製した。成膜はす
べてRFマグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによ
る。GdDyFeCo層,GdNdFeCo層およびDyFeCo層の単層にお
ける25℃での諸特性を第８表に示す。
この媒体のカーループは、低レベルのレーザを照射し
たときの媒体の温度150℃では、第５図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。DyFeCo合金層と
GdDyFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
たときの媒体の温度150℃では、第５図に示すような２
段階の反転磁界を持つループとなった。DyFeCo合金層と
GdDyFeCo合金層間の磁気的結合力が弱すぎるためであ
る。
次に、同じ膜構成の媒体を、GdDyFeCo層をスパッタす
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を
逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッ
タ条件は、パワー100W,時間30分である。逆スパッタに
より、ポリカーボネート基板上に成膜された825Åの窒
化珪素のうち、25Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
る前に、ポリカーボネート基板上に成膜した窒化珪素を
逆スパッタするという工程を入れて成膜した。逆スパッ
タ条件は、パワー100W,時間30分である。逆スパッタに
より、ポリカーボネート基板上に成膜された825Åの窒
化珪素のうち、25Åの窒化珪素がスパッタにより飛散し
た。
この媒体のカーループは、130℃では第４図に示すよ
うな３段階の反転磁界を持つループになった。DyFeCo合
金層とGdDyFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
DyFeCo層（記録補助層）の磁化情報がDyFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
うな３段階の反転磁界を持つループになった。DyFeCo合
金層とGdDyFeCo合金層間の磁気的結合力が窒化珪素層
（スペーサ層）の逆スパッタにより強められたためであ
る。この結果、低レベルのレーザを照射したときに、Gd
DyFeCo層（記録補助層）の磁化情報がDyFeCo層（記録
層）に転写されるようになり、オーバライトが可能にな
った。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の方法によれば光磁気記
録媒体の記録層と記録補助層の間の磁気的結合力をオー
バライトができるような適当な値に強くすることが可能
になる。
録媒体の記録層と記録補助層の間の磁気的結合力をオー
バライトができるような適当な値に強くすることが可能
になる。
第１図は本発明の方法によって製造される光磁気記録媒
体の一例の部分断面図、第２図は本発明の方法により得
られたパラタイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ
−Ｈループを示す特性図、第３図は従来技術によるパラ
タイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ−Ｈループ
を示す特性図、第４図は本発明の方法により得られたア
ンチパラタイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ−
Ｈループを示す特性図、第５図は従来技術によるアンチ
パラタイプのオーバライト用磁気記録媒体のＭ−Ｈルー
プを示す特性図である。 １…基板、２…スペーサ層 ３…第１の磁性層、４…第２の磁性層 ５…第３の磁性層、６…保護層
体の一例の部分断面図、第２図は本発明の方法により得
られたパラタイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ
−Ｈループを示す特性図、第３図は従来技術によるパラ
タイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ−Ｈループ
を示す特性図、第４図は本発明の方法により得られたア
ンチパラタイプのオーバライト用光磁気記録媒体のＭ−
Ｈループを示す特性図、第５図は従来技術によるアンチ
パラタイプのオーバライト用磁気記録媒体のＭ−Ｈルー
プを示す特性図である。 １…基板、２…スペーサ層 ３…第１の磁性層、４…第２の磁性層 ５…第３の磁性層、６…保護層
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にスペーサ層を形成した後、該スペ
ーサ層上に磁性多層膜を形成し、次いで該磁性多層膜上
に保護層を形成することよりなるオーバライト可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、スペーサ層を形成し
た後、逆スパッタを行い、次いで磁性多層膜を形成する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331064A JP2536202B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1331064A JP2536202B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03192551A JPH03192551A (ja) | 1991-08-22 |
| JP2536202B2 true JP2536202B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=18239456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1331064A Expired - Lifetime JP2536202B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536202B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2662389B2 (ja) * | 1986-04-15 | 1997-10-08 | シャープ株式会社 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
| JPS63205835A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| JPS6370946A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH01149246A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1331064A patent/JP2536202B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03192551A (ja) | 1991-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0535499B2 (ja) | ||
| JP2703587B2 (ja) | 光磁気記録媒体および記録方法 | |
| JP2536202B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0542062B2 (ja) | ||
| JP2621630B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0535494B2 (ja) | ||
| JP3474464B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0385786B1 (en) | Magnetooptical recording medium | |
| JP2724003B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0384746A2 (en) | Over write capable magnetooptical recording medium | |
| JP2815034B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2770836B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2770835B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3218735B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3074104B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2900957B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3592399B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05234160A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2589453B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP2997493B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3000385B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JPS63224054A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05182267A (ja) | 光磁気記録媒体およびその記録方法 | |
| JPH10214441A (ja) | 光磁気ディスク | |
| JPH087884B2 (ja) | 光磁気記録方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070708 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 14 |