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JP2025024098A - Flexible Liquid Crystal Display - Google Patents

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JP2025024098A
JP2025024098A JP2024199187A JP2024199187A JP2025024098A JP 2025024098 A JP2025024098 A JP 2025024098A JP 2024199187 A JP2024199187 A JP 2024199187A JP 2024199187 A JP2024199187 A JP 2024199187A JP 2025024098 A JP2025024098 A JP 2025024098A
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JP
Japan
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glass substrate
liquid crystal
layer
crystal display
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP2024199187A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
敏章 奥田
Toshiaki Okuda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Corp
Original Assignee
Asahi Kasei Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Corp filed Critical Asahi Kasei Corp
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

To provide a flexible liquid crystal display device including a substrate formed of polyimide and capable of reducing process cost without using laser exfoliation, improving the mechanical strength of the liquid crystal display device and achieving a display having bending resistance.SOLUTION: A flexible liquid crystal display device (1) comprising a thin film transistor (TFT) wiring layer (300), a liquid crystal layer (500), a color filter layer (800), transparent polyimide layers (200 and 900) and glass substrates (100 and 1000) has a laminated structure obtained by laminating the TFT wiring layer (300), the color filter layer (800), the transparent polyimide layers (200 and 900) and the glass substrates (100 and 1000) in this order. The thicknesses of the glass substrates (100 and 1000) are 10-70 μm.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、表示装置に関し、より詳細にはフレキシブル液晶表示装置に関する。 The present invention relates to a display device, and more specifically to a flexible liquid crystal display device.

従来の表示装置は、フレキシブル性がなく、リジッドタイプのものであった。近年、フレキシブル性を有する表示装置が開発され、フレキシブル表示装置としては、有機発光素子を用いたもの(OLED)と、液晶素子を用いたもの(LCD)がある。 Conventional display devices were not flexible and were rigid. In recent years, flexible display devices have been developed, including those that use organic light-emitting elements (OLED) and those that use liquid crystal elements (LCD).

フレキシブル性を発現するためには、表示装置の基板として、ガラスに代替して樹脂を用いたものが提案されている。ここで、基板を樹脂のみで形成するために、ガラス基板上にポリイミド層を形成し、その後ディスプレイ形成プロセスを経た後、ガラス基板側からレーザーを照射することで、ガラス基板からポリイミド層を剥離することが検討されている(特許文献1)。しかしながら、この場合、ポリイミド層の機械強度が不十分なため、剥離する際に表示装置が破壊される問題、及び表示装置の巻き上げと巻き戻しを繰り返すうちに、表示装置が破壊される問題があった。 In order to achieve flexibility, it has been proposed to use resin instead of glass as the substrate for the display device. Here, in order to form the substrate only from resin, it has been considered to form a polyimide layer on a glass substrate, and then after going through a display formation process, peel the polyimide layer from the glass substrate by irradiating it with a laser from the glass substrate side (Patent Document 1). However, in this case, there is a problem that the display device is destroyed when peeled off because the mechanical strength of the polyimide layer is insufficient, and that the display device is destroyed when repeatedly wound up and unwound.

他方、リジッドタイプの表示装置では、ガラス基板をエッチング処理することで薄膜化を行なってきたが、この表示装置は、上述のとおり、フレキシブル性がないものであった(特許文献2)。 On the other hand, in rigid-type display devices, the glass substrate has been etched to make it thinner, but as mentioned above, this display device has no flexibility (Patent Document 2).

特表2007-512568号公報Special Publication No. 2007-512568 特開2018-16518号公報JP 2018-16518 A

特許文献1に記載されるようなレーザー剥離を用いた場合、非常に高価なプロセスコストが必要となる。また、一般に、有機発光表示装置の製造プロセスは、液晶表示装置の製造プロセスに比べて、コストが高額である。したがって、液晶表示装置の従来の製造プロセスを活用し、かつコストを抑えることが求められている。 When laser peeling as described in Patent Document 1 is used, very expensive process costs are required. Furthermore, the manufacturing process for organic light-emitting display devices is generally more expensive than the manufacturing process for liquid crystal display devices. Therefore, there is a demand for utilizing the conventional manufacturing process for liquid crystal display devices while keeping costs down.

上記の要求に鑑みて、本発明は、ポリイミドが形成された基板を有するフレキシブル液晶表示装置において、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、液晶表示装置の機械強度を向上させ、かつ曲げ耐性を有する液晶表示装置を実現することを目的とする。 In view of the above requirements, the present invention aims to realize a flexible liquid crystal display device having a substrate on which polyimide is formed, which reduces process costs without using laser peeling, improves the mechanical strength of the liquid crystal display device, and has bending resistance.

本発明者らは、フレキシブル液晶表示装置において、TFT配線層又はカラーフィルター層のためのガラス基板を維持し、かつ薄くすることによって、上記課題を解決することができることを見出して、本発明を完成させた。本発明の一態様を以下に例示する。
[1]
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
[2]
前記ガラス基板の厚さが、10~50μmである、項目1に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[3]
前記ガラス基板の厚さが、10~24μmである、項目1又は2に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[4]
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
[5]
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記TFT配線層の支持体である、項目1~4のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[6]
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
[7]
前記ガラス基板の厚さが、10~50μmである、項目6に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[8]
前記ガラス基板の厚さが、10~24μmである、項目6又は7に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[9]
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
[10]
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Iを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造IIを有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
[11]
前記ガラス基板の厚さが、10~50μmである、項目10に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[12]
前記ガラス基板の厚さが、10~24μmである、項目10又は11に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[13]
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Iを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造IIを有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
[14]
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記カラーフィルター層の支持体である、項目6~13のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[15]
前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、ジアミンに由来する構成単位を有し、かつ前記ジアミンが、ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノビフェニル、3,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、4,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、9,10-ビス(4-アミノフェニル)アントラセン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、1,4-ビス(3-アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、及び9,9-ビス(4-アミノフェニル)フルオレン(BAFL)から成る群から選択される少なくとも一つである、項目1~14のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[16]
前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、酸無水物に由来する構成単位を有し、かつ前記酸無水物が、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、4,4’-オキシジフタル酸二無水物(ODPA)、ノルボルナン-2-スピロ-2’-シクロペンタノン-5’-スピロ-2’’-ノルボルナン-5,5’’,6,6’’-テトラカルボン酸二無水物(CpODA)、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、4,4’-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物(6FDA)、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル)-3-メチル-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,1-エチリデン-4,4’-ジフタル酸二無水物、2,2-プロピリデン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,2-エチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,3-トリメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,4-テトラメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,5-ペンタメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸二無水物、p-フェニレンビス(トリメリテート無水物)、チオ-4,4’-ジフタル酸二無水物、スルホニル-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ベンゼン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,4-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,3-ビス[2-(3,4-ジカルボキシフェニル)-2-プロピル]ベンゼン二無水物、1,4-ビス[2-(3,4-ジカルボキシフェニル)-2-プロピル]ベンゼン二無水物、ビス[3-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、2,2-ビス[3-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ジメチルシラン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8-フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びビシクロヘキシル-3,3’,9,9-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)フルオレン二酸無水物(BPAF)から成る群から選択される少なくとも一つである、項目1~15のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[17]
前記TFT配線層と前記カラーフィルター層の間に、前記液晶層がある、項目1~16のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。
[18]
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程:
前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが10~70μmの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
[19]
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを10~50μmの範囲内に調整する、項目18に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
[20]
前記エッチング工程では、前記TFT配線層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、項目18又は19に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
[21]
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程:
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが10~70μmの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
[22]
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを10~50μmの範囲内に調整する、項目21に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
[23]
前記エッチング工程では、前記カラーフィルター層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、項目21又は22に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
[24]
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程:
前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Iを形成する積層工程と、
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造IIを形成する積層工程と、
前記TFT配線層と前記カラーフィルター層を、シール材を介して接合する工程と、
前記積層構造I及びIIにおいて前記ガラス基板の厚さが10~70μmの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
[25]
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを10~50μmの範囲内に調整する、項目24に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。
The present inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by maintaining and thinning the glass substrate for the TFT wiring layer or the color filter layer in a flexible liquid crystal display device, and have completed the present invention. One embodiment of the present invention is exemplified below.
[1]
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
The flexible liquid crystal display device has a laminated structure in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer and the glass substrate are laminated in this order, and the glass substrate has a thickness of 10 to 70 μm.
[2]
2. The flexible liquid crystal display device according to item 1, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 50 μm.
[3]
3. The flexible liquid crystal display device according to item 1 or 2, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 24 μm.
[4]
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
the flexible liquid crystal display device has a laminated structure in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer and the glass substrate are laminated in this order, and the thickness of the glass substrate after chemical etching is 10 to 70 μm.
[5]
5. The flexible liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4, wherein the transparent polyimide layer and the glass substrate are supports for the TFT wiring layer.
[6]
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
The flexible liquid crystal display device has a laminated structure in which the color filter layer, the transparent polyimide layer and the glass substrate are laminated in this order, and the glass substrate has a thickness of 10 to 70 μm.
[7]
7. The flexible liquid crystal display device according to item 6, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 50 μm.
[8]
8. The flexible liquid crystal display device according to item 6 or 7, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 24 μm.
[9]
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
The flexible liquid crystal display device has a laminated structure in which the color filter layer, the transparent polyimide layer and the glass substrate are laminated in this order, and the thickness of the glass substrate after chemical etching is 10 to 70 μm.
[10]
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
the flexible liquid crystal display device has a layered structure I in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are layered in this order, and the flexible liquid crystal display device has a layered structure II in which the color filter layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are layered in this order, and the glass substrate has a thickness of 10 to 70 μm.
[11]
Item 11. The flexible liquid crystal display device according to item 10, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 50 μm.
[12]
Item 12. The flexible liquid crystal display device according to item 10 or 11, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 24 μm.
[13]
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
the flexible liquid crystal display device has a layered structure I in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are layered in this order, and the flexible liquid crystal display device has a layered structure II in which the color filter layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are layered in this order, and the glass substrate has a thickness of 10 to 70 μm after chemical etching.
[14]
Item 14. The flexible liquid crystal display device according to any one of items 6 to 13, wherein the transparent polyimide layer and the glass substrate are supports for the color filter layer.
[15]
The polyimide contained in the transparent polyimide layer has a constitutional unit derived from a diamine, and the diamine is selected from the group consisting of diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)phenyl 15. The flexible liquid crystal display device according to any one of items 1 to 14, wherein the bis(4-aminophenyl)phenyl is at least one selected from the group consisting of 1,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, and 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene (BAFL).
[16]
The polyimide contained in the transparent polyimide layer has a structural unit derived from an acid anhydride, and the acid anhydride is selected from the group consisting of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), norbornane-2-spiro-2'-cyclopentanone-5'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic dianhydride (CpODA), 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride (6FDA), 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-cyclohexene-1,2-di Carboxylic acid anhydrides, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, p-phenylenebis(trimellitate anhydride), thio-4,4'-diphthalic dianhydride dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)benzene dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,3-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, 1,4-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, 2,2-bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, 16. The flexible liquid crystal display device according to any one of items 1 to 15, wherein the dianhydride is at least one selected from the group consisting of bis(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenoxy)dimethylsilane dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, and bicyclohexyl-3,3',9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride (BPAF).
[17]
Item 17. The flexible liquid crystal display device according to any one of items 1 to 16, wherein the liquid crystal layer is between the TFT wiring layer and the color filter layer.
[18]
A method for manufacturing a flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer and a glass substrate, comprising the steps of:
a lamination step of forming a laminated structure in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are laminated in this order;
and etching the glass substrate so that the thickness of the glass substrate in the laminated structure falls within a range of 10 to 70 μm.
[19]
Item 19. The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to item 18, wherein in the etching step, the thickness of the glass substrate is adjusted to within a range of 10 to 50 μm.
[20]
20. The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to item 18 or 19, wherein in the etching step, the TFT wiring layer and the transparent polyimide layer are masked.
[21]
A method for manufacturing a flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer and a glass substrate, comprising the steps of:
forming a laminated structure in which the color filter layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are laminated in this order;
and etching the glass substrate so that the thickness of the glass substrate in the laminated structure falls within a range of 10 to 70 μm.
[22]
22. The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to item 21, wherein in the etching step, the thickness of the glass substrate is adjusted to within a range of 10 to 50 μm.
[23]
23. The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to item 21 or 22, wherein in the etching step, the color filter layer and the transparent polyimide layer are masked.
[24]
A method for manufacturing a flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer and a glass substrate, comprising the steps of:
a lamination step of forming a laminate structure I in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are laminated in this order;
a lamination step of forming a laminate structure II in which the color filter layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are laminated in this order;
a step of bonding the TFT wiring layer and the color filter layer via a sealant;
and an etching step of etching the glass substrate in the laminated structures I and II so that the thickness of the glass substrate falls within a range of 10 to 70 μm.
[25]
25. The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to item 24, wherein in the etching step, the thickness of the glass substrate is adjusted to within a range of 10 to 50 μm.

本発明によれば、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、液晶表示装置の機械強度を向上し、曲げ耐性を有するフレキシブル液晶表示装置を提供することができる。 The present invention makes it possible to reduce process costs without using laser peeling, while at the same time improving the mechanical strength of the liquid crystal display device and providing a flexible liquid crystal display device with bending resistance.

本発明の一実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a flexible liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention; TFT配線層、透明ポリイミド層、及びガラス基板(厚さ:300μm超)の順となる積層構造のエッチング工程前の模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure including a TFT wiring layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate (thickness: more than 300 μm) in this order before an etching process. TFT配線層、透明ポリイミド層、及びガラス基板(厚さ:10~70μm)の順となる積層構造のエッチング工程後の模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure including a TFT wiring layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate (thickness: 10 to 70 μm) in that order after an etching process. カラーフィルター層、透明ポリイミド層、及びガラス基板(厚さ:300μm超)の順となる積層構造のエッチング工程前の模式断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure including a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate (thickness: more than 300 μm) in this order before an etching process. カラーフィルター層、透明ポリイミド層、及びガラス基板(厚さ:10~70μm)の順となる積層構造のエッチング工程後の模式断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a laminated structure including a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate (thickness: 10 to 70 μm) in that order after an etching process. 第三実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の製造方法のフロー概略図である。11 is a schematic flow diagram of a manufacturing method for a flexible liquid crystal display device according to a third embodiment. FIG.

以下に本発明に係る実施形態の詳細を説明する。
本発明に係るフレキシブル液晶表示装置は、薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層、及び厚さが10~70μmのガラス基板を含み、かつ下記積層構造I及び/又は積層構造II;
I.TFT配線層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造;
II.カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造;
を有する。本発明に係るフレキシブル液晶表示装置は、プロセスコストの低減と曲げ耐性を両立することができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the preferred embodiments.
The flexible liquid crystal display device according to the present invention includes a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate having a thickness of 10 to 70 μm, and has the following laminate structure I and/or laminate structure II:
I. A laminated structure in which a TFT wiring layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate are laminated in this order;
II. A laminated structure in which a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate are laminated in this order;
The flexible liquid crystal display device according to the present invention can achieve both reduced process costs and bending resistance.

驚くべきことに、本発明によって、フレキシブル液晶表示装置は、有機発光表示装置(OLED)と比べて、有意にプロセスコストが低く、かつ敢えて薄いガラス基板を維持することがプロセスコストの低減と曲げ耐性の両立に寄与し得ることが見出された。このような観点から、ガラス基板の厚さは、10~70μmであり、好ましくは10~50μm、より好ましくは10~24μmであり、更に好ましくは10~20μmである。同様の観点から、透明ポリイミド層及びガラス基板は、TFT配線層の支持体としてTFT配線層基板を構成することが好ましく、かつ/又はカラーフィルター層の支持体としてカラーフィルター層基板を構成することが好ましい。
ここで、フレキシブル液晶表示装置の“フレキシブル”の意味は、液晶表示装置を破壊なく曲率半径150mm以下に折り曲げることが可能であり、好ましくは曲率半径3mmまで折り曲げられることであり、併せて柔軟性を有しているため、落下しても破壊され難いことを意味する。これは、従来のガラスのみを基板とするリジッドな液晶表示装置にはない特徴である。
また、本発明では、ディスプレイの製造工程の途中で、透明ポリイミド層及びガラス基板の積層体におけるガラス基板をエッチングして薄膜化することもできる。そのため、エッチングする前の工程では、厚いガラス基板を用いてディスプレイの製造を行うため、安定製造が可能であり、歩留まりが向上する利点もある。
Surprisingly, the present invention has found that flexible liquid crystal displays have significantly lower process costs than organic light-emitting displays (OLEDs), and that maintaining a thin glass substrate can contribute to both reduced process costs and bending resistance. From this perspective, the thickness of the glass substrate is 10 to 70 μm, preferably 10 to 50 μm, more preferably 10 to 24 μm, and even more preferably 10 to 20 μm. From the same perspective, the transparent polyimide layer and the glass substrate preferably constitute a TFT wiring layer substrate as a support for the TFT wiring layer, and/or preferably constitute a color filter layer substrate as a support for the color filter layer.
Here, the term "flexible" in flexible liquid crystal display device means that the liquid crystal display device can be bent to a radius of curvature of 150 mm or less without breaking, preferably to a radius of curvature of 3 mm, and also means that the device has flexibility and is therefore unlikely to break even if dropped. This is a feature not found in conventional rigid liquid crystal display devices that use only glass as a substrate.
In addition, in the present invention, the glass substrate in the laminate of the transparent polyimide layer and the glass substrate can be etched to thin it during the manufacturing process of the display. Therefore, since the display is manufactured using a thick glass substrate in the process before etching, stable manufacturing is possible, and there is also an advantage in that the yield is improved.

一実施形態では、積層構造I及び/又は積層構造IIに含まれるガラス基板は、プロセスコストの低減と曲げ耐性の両立という観点から、化学的エッチング後の厚さが、10~70μmであり、好ましくは10~50μm、より好ましくは10~24μmであり、より更に好ましくは10~20μmである。化学的エッチングされたガラス基板は、表面粗さ(Z)が0.1~1.0nm(AFMで測定)であることが好ましく、アルカリ溶出量が0超1.0mg以下(JIS R3502に準拠)であることが好ましく、マイクロスクラッチ(μm単位の寸法を有する異物)を含まないことが好ましく、かつ/又は平均粒径80nm以下のシリカ粒子を含まないことが好ましい。 In one embodiment, the glass substrate included in the laminate structure I and/or the laminate structure II has a thickness after chemical etching of 10 to 70 μm, preferably 10 to 50 μm, more preferably 10 to 24 μm, and even more preferably 10 to 20 μm, from the viewpoint of achieving both reduced process costs and bending resistance. The chemically etched glass substrate preferably has a surface roughness (Z) of 0.1 to 1.0 nm (measured by AFM), an amount of alkaline elution of more than 0 and 1.0 mg or less (based on JIS R3502), and preferably does not contain microscratches (foreign matter having dimensions in μm), and/or does not contain silica particles with an average particle size of 80 nm or less.

所望により、フレキシブル液晶表示装置は、例えば配向膜、シール材、偏光膜、平面電極などの追加の構成要素を含んでよく、また積層構造I及びII以外の積層構造を画定したり、追加で有したりすることができる。 If desired, the flexible liquid crystal display device may include additional components, such as alignment films, sealants, polarizing films, planar electrodes, etc., and may define or have additional stacking structures other than stacking structures I and II.

図1は、本発明の一実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の模式断面図である。フレキシブル液晶表示装置(1)において、液晶層(500)の側部は、シール材(600)によりシールされることによって、液晶表示ユニットが構成される。液晶表示ユニット一面には、TFT配線層(300)、透明ポリイミド層(200)及びガラス基板(100)の順序で積層された積層構造Iが、TFT配線層(300)とシール材(600)を接触させるように設けられている。液晶表示ユニット他面には、カラーフィルター層(800)、透明ポリイミド層(900)及びガラス基板(1000)の順序で積層された積層構造IIが、カラーフィルター層(800)とシール材(600)を接触させるように設けられている。液晶層(500)の上部及び下部には、配向膜(400,700)が接触するように設けられてもよい。 Figure 1 is a schematic cross-sectional view of a flexible liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention. In the flexible liquid crystal display device (1), the side of the liquid crystal layer (500) is sealed with a sealant (600) to form a liquid crystal display unit. On one side of the liquid crystal display unit, a laminate structure I in which a TFT wiring layer (300), a transparent polyimide layer (200), and a glass substrate (100) are laminated in this order is provided so as to bring the TFT wiring layer (300) into contact with the sealant (600). On the other side of the liquid crystal display unit, a laminate structure II in which a color filter layer (800), a transparent polyimide layer (900), and a glass substrate (1000) are laminated in this order is provided so as to bring the color filter layer (800) into contact with the sealant (600). Alignment films (400, 700) may be provided to contact the upper and lower parts of the liquid crystal layer (500).

TFT配線層(300)とカラーフィルター層(800)の間に液晶層(500)がある。ガラス基板(100)と透明ポリイミド層(200)は、TFT配線層基板として使用され、ガラス基板(100)とTFT配線層(300)の間に透明ポリイミド層(200)がある。ガラス基板(1000)と透明ポリイミド層(900)は、カラーフィルター層基板として使用され、ガラス基板(1000)とカラーフィルター層(800)の間には透明ポリイミド層(900)がある。フレキシブル液晶表示装置の各構成要素を以下に説明する。 A liquid crystal layer (500) is between the TFT wiring layer (300) and the color filter layer (800). A glass substrate (100) and a transparent polyimide layer (200) are used as a TFT wiring layer substrate, and a transparent polyimide layer (200) is between the glass substrate (100) and the TFT wiring layer (300). A glass substrate (1000) and a transparent polyimide layer (900) are used as a color filter layer substrate, and a transparent polyimide layer (900) is between the glass substrate (1000) and the color filter layer (800). Each component of the flexible liquid crystal display device is described below.

<液晶表示ユニット>
液晶表示ユニットには液晶が封入されている。液晶層は、液晶で構成されており、その周縁部はシール材でシールされる。所望により、液晶層の上部及び下部は、配向膜で覆われていてもよい。液晶表示ユニットは、気体又は液体などの異物が内部に侵入しないようにシールされることが好ましい。シール材及び配向膜は、例えば、既知の紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂などから形成されることができ、その材料は、シール性、TFT配線層又はカラーフィルター層との接合などに応じて決定されることができる。
<Liquid crystal display unit>
The liquid crystal display unit is filled with liquid crystal. The liquid crystal layer is made of liquid crystal, and its periphery is sealed with a sealant. If desired, the upper and lower parts of the liquid crystal layer may be covered with an alignment film. The liquid crystal display unit is preferably sealed so that foreign matter such as gas or liquid does not enter the inside. The sealant and alignment film can be formed, for example, from a known ultraviolet-curing resin or a thermosetting resin, and the material can be determined depending on the sealability, bonding with the TFT wiring layer or the color filter layer, and the like.

<ガラス基板>
一実施形態では、少なくとも一対のガラス基板が、液晶表示ユニットを挟んで配置されている。一対のガラス基板は、フレキシブル液晶表示装置の製造プロセス及びコストの観点から、同一寸法を有することができる。ガラス基板材料は、例えば、無アルカリガラス基板などであることができる。所望により、ガラス基板は、例えば、疎水化、親水化、平滑化、粗面化、化学的エッチングなどの各種の処理に供されることができる。
<Glass substrate>
In one embodiment, at least a pair of glass substrates are arranged to sandwich the liquid crystal display unit. The pair of glass substrates may have the same dimensions in terms of the manufacturing process and cost of the flexible liquid crystal display device. The glass substrate material may be, for example, an alkali-free glass substrate. If desired, the glass substrate may be subjected to various treatments, such as hydrophobization, hydrophilization, smoothing, roughening, and chemical etching.

ガラス基板の厚さを10~70μmの範囲内に制御する手段としては、例えば、(i)予め厚さ10~70μmのガラス基板を用意しておいて使用すること、(ii)70μmを超える厚さ(例えば、厚さ300μm超)のガラス基板を用意しておいて製造プロセス中に化学的エッチングにより10~70μmの範囲内に調整することなどが挙げられる。中でも、上記(ii)は、ガラス基板の強度、フレキシブル液晶表示装置の曲げ耐性などの観点から好ましい。 Methods for controlling the thickness of the glass substrate to within the range of 10 to 70 μm include, for example, (i) preparing a glass substrate having a thickness of 10 to 70 μm in advance and using it, and (ii) preparing a glass substrate having a thickness of more than 70 μm (for example, a thickness of more than 300 μm) and adjusting the thickness to within the range of 10 to 70 μm by chemical etching during the manufacturing process. Among these, the above (ii) is preferred from the viewpoints of the strength of the glass substrate and the bending resistance of the flexible liquid crystal display device.

<TFT配線層>
TFT(thin-film-transistor)は薄膜トランジスタをスイッチング素子として使用する表示素子であり、液晶ディスプレイ又は薄型テレビに幅広く使用される。TFTは、基板上に形成され、従来のリジッドディスプレイの場合、基板として、ガラス基板を用いられてきた。近年、折り曲げ可能なディスプレイの検討に伴って、耐熱性ポリイミドの使用も検討されている。
<TFT Wiring Layer>
TFT (thin-film-transistor) is a display element that uses a thin-film transistor as a switching element, and is widely used in liquid crystal displays and flat-screen televisions. TFT is formed on a substrate, and in the case of conventional rigid displays, a glass substrate has been used as the substrate. In recent years, the use of heat-resistant polyimide has also been considered in conjunction with the study of foldable displays.

従来、TFT基板として透明ポリイミドを用いる場合、ガラス基板上に透明ポリイミド層を形成し、さらにTFT配線層を形成した後、レーザー剥離を行ない、ポリイミドをガラス基板から剥離することが検討されてきた。しかしながら、レーザー剥離のプロセスが非常に高価であること、剥離後のTFT配線層及びポリイミドの機械強度が不十分であるため、破れが発生し、製造工程の歩留まりが悪いこと等の問題が報告された。 Conventionally, when using transparent polyimide as a TFT substrate, it has been considered to form a transparent polyimide layer on a glass substrate, then form a TFT wiring layer, and then perform laser peeling to peel the polyimide from the glass substrate. However, problems have been reported, such as the laser peeling process being very expensive, and the mechanical strength of the TFT wiring layer and polyimide after peeling being insufficient, resulting in breakage and low yields in the manufacturing process.

これらの問題への対策として、本発明は、TFT配線層の基板として、透明ポリイミド層及び厚さ10~70μmのガラス基板を用いて、プロセスの低コスト化/歩留まり向上、及び良好な機械特性を両立するものである。ここで、TFT配線層の基板としては、ガラス基板の厚さは、10~70μmであり、10~50μmが好ましく、20~50μmがより好ましい。 As a solution to these problems, the present invention uses a transparent polyimide layer and a glass substrate with a thickness of 10 to 70 μm as the substrate for the TFT wiring layer, achieving both low process costs, improved yield, and good mechanical properties. Here, the thickness of the glass substrate as the substrate for the TFT wiring layer is 10 to 70 μm, preferably 10 to 50 μm, and more preferably 20 to 50 μm.

<カラーフィルター層>
カラーフィルターは、画像又は映像の色を生み出すフィルターであり、その基板上に赤(R)、緑(G)及び青(B)の3色のカラーレジストで構成されるパターンが形成され、隣接し合うカラーレジスト同士の混色を防ぐため、ブラックマトリクス(BM)によって境界が格子状に区切られている。このカラーフィルターの基板としては、従来のリジッドディスプレイの場合、基板として、ガラス基板を用いられてきた。近年、折り曲げ可能なディスプレイが検討され、耐熱性があるポリイミドの使用も検討されている。
<Color filter layer>
A color filter is a filter that produces the colors of an image or video. A pattern consisting of three color resists, red (R), green (G) and blue (B), is formed on the substrate, and the borders are divided into a grid shape by a black matrix (BM) to prevent the color resists from mixing with each other. In the case of conventional rigid displays, a glass substrate has been used as the substrate for this color filter. In recent years, bendable displays have been considered, and the use of heat-resistant polyimide has also been considered.

カラーフィルターの基板としてポリイミドを用いる場合、ガラス基板上にポリイミドを形成し、さらにカラーフィルターを形成した後、レーザー剥離を行ない、ポリイミドをガラス基板から剥離することが検討されてきた。しかしながら、レーザー剥離のプロセスが非常に高価であること、剥離後のカラーフィルター層の機械強度が不十分であるため、破れが発生し、製造工程の歩留まりが悪いこと等の問題が報告された。 When using polyimide as a color filter substrate, it has been considered to form the polyimide on a glass substrate, then form a color filter, and then perform laser peeling to peel the polyimide from the glass substrate. However, problems have been reported, such as the laser peeling process being very expensive, and the mechanical strength of the color filter layer after peeling being insufficient, resulting in tears and low yields in the manufacturing process.

これらの問題への対策として、本発明は、カラーフィルター層の基板として、透明ポリイミド層及び厚さ10~70μmのガラス基板を用いて、プロセスの低コスト化/歩留まり向上、及び良好な機械特性を両立するものである。ここで、カラーフィルター層の基板としては、ガラス基板の厚さは、10~70μmであり、10~50μmが好ましく、20~50μmがより好ましい。 To address these problems, the present invention uses a transparent polyimide layer and a glass substrate with a thickness of 10 to 70 μm as the substrate for the color filter layer, achieving both low process costs, improved yield, and good mechanical properties. Here, the thickness of the glass substrate as the substrate for the color filter layer is 10 to 70 μm, preferably 10 to 50 μm, and more preferably 20 to 50 μm.

<透明ポリイミド層>
透明ポリイミド層は、ポリイミドを含有し、かつ可視光線に対して透明な層である。透明ポリイミド層は、フレキシブル液晶表示装置に使用される観点から、無色透明であることができる。具体的には、従来の褐色のポリイミド(例:カプトン等)にはない、可視光領域400nm~750nmにおける、70%以上(10μm厚換算)の光線透過率を本実施形態に係る透明ポリイミド層が有することができる。透明ポリイミド層に含まれるポリイミドは、ジアミン化合物と酸二無水物化合物を反応して得られるポリイミド前駆体を加熱することにより得られる樹脂であり、液晶表示装置のプロセスに求められる高耐熱性の特性を有している。
<Transparent polyimide layer>
The transparent polyimide layer is a layer that contains polyimide and is transparent to visible light. The transparent polyimide layer can be colorless and transparent from the viewpoint of being used in a flexible liquid crystal display device. Specifically, the transparent polyimide layer according to this embodiment can have a light transmittance of 70% or more (calculated as a 10 μm thickness) in the visible light region of 400 nm to 750 nm, which is not available in conventional brown polyimides (e.g., Kapton, etc.). The polyimide contained in the transparent polyimide layer is a resin obtained by heating a polyimide precursor obtained by reacting a diamine compound with an acid dianhydride compound, and has a high heat resistance characteristic required for the process of a liquid crystal display device.

ジアミン化合物としては、例えば、ジアミノジフェニルスルホン(例えば4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホンなど)、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノビフェニル、3,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、4,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、9,10-ビス(4-アミノフェニル)アントラセン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、及び1,4-ビス(3-アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、9,9-ビス(4-アミノフェニル)フルオレン(BAFL)等が挙げられる。 Examples of diamine compounds include diaminodiphenyl sulfone (e.g., 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, etc.), p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, bis[4 -(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, and 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene (BAFL), etc.

上記ジアミン化合物の中でも、ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノビフェニル、3,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、4,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、9,10-ビス(4-アミノフェニル)アントラセン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、1,4-ビス(3-アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、及びBAFLの少なくとも一つが好ましい。 Among the above diamine compounds, diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4 -Bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, and at least one of BAFL are preferred.

ポリイミド前駆体及びそれから得られるポリイミドは、下記一般式(1):

Figure 2025024098000002
{式中、Rは、複数ある場合にはそれぞれ独立に、炭素数1~5の1価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~10の1価の芳香族基を示し、Rは、複数ある場合にはそれぞれ独立に、炭素数1~5の1価の脂肪族炭化水素基又は炭素数6~10の1価の芳香族基を示し、そしてmは、1~200の整数を示す}
で表される構造単位を含んでよい。 The polyimide precursor and the polyimide obtained therefrom have the following general formula (1):
Figure 2025024098000002
{In the formula, when there are multiple R1 's , each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, when there are multiple R2 's , each independently represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms or a monovalent aromatic group having 6 to 10 carbon atoms, and m represents an integer of 1 to 200.}
The compound may include a structural unit represented by the following formula:

ポリイミド前駆体及びそれから得られるポリイミドは、一般式(1)の構造単位を分子中のいずれの部位に有してもよいが、シロキサンモノマーの種類、コストの観点、及び得られるポリイミド前駆体の分子量の観点から、一般式(1)の構造は、ケイ素含有化合物、例えばケイ素含有ジアミンに由来することが好ましい。ケイ素含有ジアミンとしては、例えば、下記式(2):

Figure 2025024098000003
{式中、Pは、それぞれ独立に、二価の炭化水素基を示し、同一でも異なっていてもよく、P及びPは、それぞれ一般式(1)で定義されたR及びRと同じであり、かつlは、1~200の整数を表す。}
で表されるジアミノ(ポリ)シロキサンが好ましい。 The polyimide precursor and the polyimide obtained therefrom may have the structural unit of general formula (1) at any position in the molecule, but from the viewpoints of the type of siloxane monomer, cost, and the molecular weight of the resulting polyimide precursor, it is preferable that the structure of general formula (1) is derived from a silicon-containing compound, for example, a silicon-containing diamine. Examples of the silicon-containing diamine include those represented by the following formula (2):
Figure 2025024098000003
In the formula, P5 each independently represents a divalent hydrocarbon group and may be the same or different, P3 and P4 are the same as R1 and R2 defined in general formula (1), respectively, and l represents an integer of 1 to 200.
Preferred is a diamino(poly)siloxane represented by the following formula:

一般式(2)で表される化合物としては、具体的には、両末端アミン変性メチルフェニルシリコーンオイル(信越化学社製:X22-1660B-3(数平均分子量4400)、X22-9409(数平均分子量1340))、両末端酸無水物変性メチルフェニルシリコーンオイル(信越化学社製:X22-168-P5-B(数平均分子量4200))、両末端エポキシ変性メチルフェニルシリコーンオイル(信越化学社製:X22-2000(数平均分子量1240))、両末端アミノ変性ジメチルシリコーン(信越化学社製:X22-161A(数平均分子量1600)、X22-161B(数平均分子量3000)、KF8021(数平均分子量4400)、東レダウコーニング製:BY16-835U(数平均分子量900)チッソ社製:サイラプレーンFM3311(数平均分子量1000))等が挙げられる。 Specific examples of the compound represented by general formula (2) include methylphenyl silicone oil modified at both ends with amines (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.: X22-1660B-3 (number average molecular weight 4400), X22-9409 (number average molecular weight 1340)), methylphenyl silicone oil modified at both ends with acid anhydrides (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.: X22-168-P5-B (number average molecular weight 4200)), and methylphenyl silicone oil modified at both ends with epoxy groups ( Examples include Shin-Etsu Chemical's X22-2000 (number average molecular weight 1240), dimethyl silicone modified with amino at both ends (Shin-Etsu Chemical's X22-161A (number average molecular weight 1600), X22-161B (number average molecular weight 3000), KF8021 (number average molecular weight 4400), Toray Dow Corning's BY16-835U (number average molecular weight 900), Chisso's Silaplane FM3311 (number average molecular weight 1000)).

酸二無水物化合物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、4,4’-オキシジフタル酸二無水物(ODPA)、ノルボルナン-2-スピロ-2’-シクロペンタノン-5’-スピロ-2’’-ノルボルナン-5,5’’,6,6’’-テトラカルボン酸二無水物(CpODA)、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、4,4’-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物(6FDA)、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル)-3-メチル-シクロヘキセン-1,2ジカルボン酸無水物、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,1-エチリデン-4,4’-ジフタル酸二無水物、2,2-プロピリデン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,2-エチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,3-トリメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,4-テトラメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,5-ペンタメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸二無水物、p-フェニレンビス(トリメリテート無水物)、チオ-4,4’-ジフタル酸二無水物、スルホニル-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ベンゼン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,4-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,3-ビス[2-(3,4-ジカルボキシフェニル)-2-プロピル]ベンゼン二無水物、1,4-ビス[2-(3,4-ジカルボキシフェニル)-2-プロピル]ベンゼン二無水物、ビス[3-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、2,2-ビス[3-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ジメチルシラン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、及び1,2,7,8-フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロヘキシル-3,3’,9,9-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)フルオレン二酸無水物(BPAF)等が挙げられる。 Examples of acid dianhydride compounds include pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), norbornane-2-spiro-2'-cyclopentanone-5'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic dianhydride (CpODA), 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride (6FDA), 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-cyclohexene-1,2 dicarboxylic anhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'- Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, p-phenylene bis(trimellitate anhydride), thio-4,4'-diphthalic dianhydride, sulfonyl-4 ,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)benzene dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,3-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, 1,4-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, 2,2-bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, 2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenyl)phenyl]propane dianhydride Examples of the dianhydride include bis(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenoxy)dimethylsilane dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, and 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, bicyclohexyl-3,3',9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride (BPAF), etc.

上記酸二無水物化合物の中でも、BPDA、ODPA、CpODA、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、6FDA、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル)-3-メチル-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,1-エチリデン-4,4’-ジフタル酸二無水物、2,2-プロピリデン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,2-エチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,3-トリメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,4-テトラメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,5-ペンタメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸二無水物、p-フェニレンビス(トリメリテート無水物)、チオ-4,4’-ジフタル酸二無水物、スルホニル-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ベンゼン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,4-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,3-ビス[2-(3,4-ジカルボキシフェニル)-2-プロピル]ベンゼン二無水物、1,4-ビス[2-(3,4-ジカルボキシフェニル)-2-プロピル]ベンゼン二無水物、ビス[3-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、2,2-ビス[3-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ジメチルシラン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8-フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びBPAFの少なくとも一つが好ましい。 Among the above-mentioned acid dianhydride compounds, BPDA, ODPA, CpODA, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 6FDA, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2- Propylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, p-phenylenebis(trimellitate anhydride), thio-4,4'-diphthalic dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl) 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,3-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, 1,4-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane At least one of the following dianhydrides is preferred: 2,2-bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenoxy)dimethylsilane dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, and BPAF.

<フレキシブル液晶表示装置の製造方法>
本発明の別の態様は、TFT配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法である。フレキシブル液晶表示装置の製造方法には、特に言及しないのであれば、フレキシブル液晶表示装置について上記で説明された構成要素、原料及びプロセス条件を、単独で又は組み合わせて使用してよい。
<Method of Manufacturing a Flexible Liquid Crystal Display Device>
Another aspect of the present invention is a method for manufacturing a flexible liquid crystal display device, which includes a TFT wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate. Unless otherwise specified, the method for manufacturing a flexible liquid crystal display device may use the components, raw materials, and process conditions described above for the flexible liquid crystal display device, either alone or in combination.

フレキシブル液晶表示装置の製造方法に係る第一実施形態は、以下の工程:
(A-I)TFT配線層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造Iを形成する積層工程と、
(B-I)積層構造Iにおいて、ガラス基板の厚さが10~70μmの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程と、
を含む。
The first embodiment of the method for producing a flexible liquid crystal display device includes the following steps:
(A-I) a lamination step of forming a laminate structure I in which a TFT wiring layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate are laminated in this order;
(B-I) an etching step of etching the glass substrate in the laminate structure I so that the thickness of the glass substrate is within a range of 10 to 70 μm;
Includes.

第一実施形態では、工程(A-I)及び(B-I)によって、レーザー剥離を用いることなく、プロセスのコスト低減と歩留まり向上を図ると共に、フレキシブル液晶表示装置の曲げ耐性を確保し得る。また、工程(A-I)前又は工程(A-I)中、70μmを超える厚さ(例えば、厚さ300μm超)のガラス基板をTFT配線層のために用意しておいて、工程(B-I)では、化学的エッチングによりガラス基板の厚さを10~70μmの範囲内に調整するため、ガラス基板の強度とフレキシブル液晶表示装置の機械強度を向上させることができる。このような観点から、工程(B-I)ではガラス基板の厚さを10~50μmの範囲内に調整することが好ましく、10~24μmの範囲内に調整することがより好ましく、10~20μmの範囲内に調整することが更に好ましい。 In the first embodiment, the steps (A-I) and (B-I) can reduce process costs and improve yield without using laser peeling, while ensuring bending resistance of the flexible liquid crystal display device. In addition, before or during step (A-I), a glass substrate having a thickness of more than 70 μm (for example, a thickness of more than 300 μm) is prepared for the TFT wiring layer, and in step (B-I), the thickness of the glass substrate is adjusted to within a range of 10 to 70 μm by chemical etching, thereby improving the strength of the glass substrate and the mechanical strength of the flexible liquid crystal display device. From this perspective, in step (B-I), the thickness of the glass substrate is preferably adjusted to within a range of 10 to 50 μm, more preferably within a range of 10 to 24 μm, and even more preferably within a range of 10 to 20 μm.

図2及び図3を参照して、工程(A-I)及び(B-I)を説明する。図2は、工程(B-I)より前に、例えば工程(A-I)中に、TFT配線層(300)、透明ポリイミド層(200)及び厚さ300μm超のガラス基板(100)を用いて形成された積層構造Iの模式断面図である。厚さ300μm超のガラス基板(100)上の透明ポリイミド層(200)の形成は、例えば、窒素雰囲気下、ポリイミド前駆体樹脂組成物の塗布又は噴霧(その後、加熱してポリイミド化)、及びガラス基板(100)と透明ポリイミド層(200)の接着などにより行われることができる。また、透明ポリイミド層(200)上のTFT配線層(300)の形成は、金属(例えばAlなど)スパッタリング、リソグラフィ・パターニング、化学蒸着などにより行われることができる。 Steps (A-I) and (B-I) will be described with reference to FIG. 2 and FIG. 3. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a laminate structure I formed using a TFT wiring layer (300), a transparent polyimide layer (200), and a glass substrate (100) having a thickness of more than 300 μm, for example, during step (A-I) before step (B-I). The transparent polyimide layer (200) on the glass substrate (100) having a thickness of more than 300 μm can be formed, for example, by applying or spraying a polyimide precursor resin composition under a nitrogen atmosphere (then heating to form a polyimide), and bonding the glass substrate (100) and the transparent polyimide layer (200). The TFT wiring layer (300) on the transparent polyimide layer (200) can be formed by metal (e.g., Al) sputtering, lithography patterning, chemical vapor deposition, etc.

図3は、例えば工程(B-I)中又は工程(B-I)後、ガラス基板(100)の厚さが10~70μmの範囲内になるまでエッチングされた積層構造Iの模式断面図である。エッチングは、厚さ10μm以上のガラス基板(100)を残すという観点から、化学的エッチングが好ましく、フッ化水素酸溶液によるエッチングがより好ましい。また、プロセスコストの低減と曲げ耐性の両立という観点から、エッチング液は、平均粒径80nm以下のシリカ粒子を含まないことが好ましい。工程(B-I)では、積層構造IのTFT配線層(300)と透明ポリイミド層(200)とを例えばシール材などでマスキングして、露出したガラス基板(100)をエッチングすることが好ましい。 Figure 3 is a schematic cross-sectional view of the laminate structure I in which the glass substrate (100) is etched to a thickness within the range of 10 to 70 μm, for example, during or after step (B-I). From the viewpoint of leaving the glass substrate (100) with a thickness of 10 μm or more, chemical etching is preferable, and etching with a hydrofluoric acid solution is more preferable. From the viewpoint of achieving both reduced process costs and bending resistance, it is preferable that the etching solution does not contain silica particles with an average particle size of 80 nm or less. In step (B-I), it is preferable to mask the TFT wiring layer (300) and transparent polyimide layer (200) of the laminate structure I with, for example, a sealant, and etch the exposed glass substrate (100).

フレキシブル液晶表示装置の製造方法に係る第二実施形態は、以下の工程:
(A-II)カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板の順序で積層された積層構造IIを形成する積層工程と、
(B-II)積層構造IIにおいて、ガラス基板の厚さが10~70μmの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む。
The second embodiment of the method for producing a flexible liquid crystal display device includes the following steps:
(A-II) a lamination step of forming a laminate structure II in which a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate are laminated in this order;
(B-II) In the laminate structure II, an etching step of etching the glass substrate is included so that the thickness of the glass substrate falls within the range of 10 to 70 μm.

第二実施形態では、工程(A-II)及び(B-II)によって、レーザー剥離を用いることなく、プロセスコストの低減を図ると共に、フレキシブル液晶表示装置の曲げ耐性を確保し得る。また、工程(A-II)前又は工程(A-II)中、70μmを超える厚さ(例えば、厚さ300μm超)のガラス基板をカラーフィルター層のために用意しておいて、工程(B-II)では、化学的エッチングによりガラス基板の厚さを10~70μmの範囲内に調整するため、ガラス基板の強度とフレキシブル液晶表示装置の機械強度を向上させることができる。このような観点から、工程(B-II)ではガラス基板の厚さを10~50μmの範囲内に調整することが好ましく、10~24μmの範囲内に調整することがより好ましく、10~20μmの範囲内に調整することが更に好ましい。 In the second embodiment, by steps (A-II) and (B-II), it is possible to reduce process costs without using laser peeling, and to ensure the bending resistance of the flexible liquid crystal display device. In addition, before or during step (A-II), a glass substrate having a thickness of more than 70 μm (for example, a thickness of more than 300 μm) is prepared for the color filter layer, and in step (B-II), the thickness of the glass substrate is adjusted to within a range of 10 to 70 μm by chemical etching, thereby improving the strength of the glass substrate and the mechanical strength of the flexible liquid crystal display device. From this perspective, in step (B-II), it is preferable to adjust the thickness of the glass substrate to within a range of 10 to 50 μm, more preferably within a range of 10 to 24 μm, and even more preferably within a range of 10 to 20 μm.

図4及び図5を参照して、工程(A-II)及び(B-II)を説明する。図4は、工程(B-II)より前に、例えば工程(A-II)中に、カラーフィルター層(800)、透明ポリイミド層(900)及び厚さ300μm超のガラス基板(1000)を用いて形成された積層構造IIの模式断面図である。厚さ300μm超のガラス基板(1000)上の透明ポリイミド層(900)の形成は、例えば、窒素雰囲気下、ポリイミド前駆体樹脂組成物の塗布又は噴霧(その後、加熱してポリイミド化)、及びガラス基板(1000)と透明ポリイミド層(900)の接着などにより行われることができる。また、透明ポリイミド層(900)上のカラーフィルター層(800)の形成は、既知のカラーフィルター及びブラックマトリクス製法に従って行われることができる。 Steps (A-II) and (B-II) will be described with reference to FIG. 4 and FIG. 5. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a laminate structure II formed using a color filter layer (800), a transparent polyimide layer (900), and a glass substrate (1000) having a thickness of more than 300 μm, for example, during step (A-II) prior to step (B-II). The transparent polyimide layer (900) on the glass substrate (1000) having a thickness of more than 300 μm can be formed, for example, by applying or spraying a polyimide precursor resin composition under a nitrogen atmosphere (then heating to form a polyimide), and bonding the glass substrate (1000) and the transparent polyimide layer (900). The color filter layer (800) on the transparent polyimide layer (900) can be formed according to known color filter and black matrix manufacturing methods.

図5は、例えば工程(B-II)中又は工程(B-II)後、ガラス基板(1000)の厚さが10~70μmの範囲内になるまでエッチングされた積層構造IIの模式断面図である。エッチングは、厚さ10μm以上のガラス基板(1000)を残すという観点から、化学的エッチングが好ましく、フッ化水素酸溶液によるエッチングがより好ましい。また、プロセスコストの低減と曲げ耐性の両立という観点から、エッチング液は、平均粒径80nm以下のシリカ粒子を含まないことが好ましい。工程(B-II)では、積層構造IIのカラーフィルター層(800)と透明ポリイミド層(900)とを例えばシール材などでマスキングして、露出したガラス基板(1000)をエッチングすることが好ましい。 Figure 5 is a schematic cross-sectional view of the laminate structure II in which the glass substrate (1000) is etched to a thickness within the range of 10 to 70 μm, for example, during or after step (B-II). From the viewpoint of leaving the glass substrate (1000) with a thickness of 10 μm or more, chemical etching is preferable, and etching with a hydrofluoric acid solution is more preferable. From the viewpoint of achieving both reduced process costs and bending resistance, it is preferable that the etching solution does not contain silica particles with an average particle size of 80 nm or less. In step (B-II), it is preferable to mask the color filter layer (800) and transparent polyimide layer (900) of the laminate structure II with, for example, a sealant, and etch the exposed glass substrate (1000).

フレキシブル液晶表示装置の製造方法に係る第三実施形態は、液晶表示ユニットを提供し、上記で説明された工程(A-I)、(A-II)、(B-I)及び(B-II)の全てを行ない、かつ液晶表示ユニットと積層構造Iと積層構造IIとをシール材を介して接合して、積層構造IのTFT配線層と積層構造IIのカラーフィルター層の間に液晶を注入し、液晶層を形成するものである。図6は、第三実施形態に係るフレキシブル液晶表示装置の製造方法のフロー概略図である。
また、上記で説明された工程(A-I)、(B-I)を行い、かつ液晶表示ユニットと積層構造Iと積層構造IIとをシール材を介して接合して、積層構造IのTFT配線層(300)と積層構造IIのカラーフィルター層(800)の間に液晶を注入し、液晶層(500)を形成することもできる(図6a)。その後、下記工程;
(B-III)積層構造I及び積層構造IIにおいて、ガラス基板の厚さが10~70μmの範囲内になるように、ガラス基板をエッチングするエッチング工程を経て、積層構造I及び積層構造IIのガラス基板(100,1000)をエッチングすることで(図6b)、上記同様のフレキブル液晶表示装置(1)を得ることができる。
The third embodiment of the manufacturing method for a flexible liquid crystal display device provides a liquid crystal display unit, performs all of the above-described steps (A-I), (A-II), (B-I) and (B-II), and bonds the liquid crystal display unit with stacked structures I and II via a sealant, and injects liquid crystal between the TFT wiring layer of stacked structure I and the color filter layer of stacked structure II to form a liquid crystal layer. Fig. 6 is a schematic flow diagram of the manufacturing method for a flexible liquid crystal display device according to the third embodiment.
Alternatively, the above-described steps (A-I) and (B-I) may be carried out, and the liquid crystal display unit may be joined to the laminated structures I and II via a sealant, and liquid crystal may be injected between the TFT wiring layer (300) of the laminated structure I and the color filter layer (800) of the laminated structure II to form a liquid crystal layer (500) (FIG. 6a).
(B-III) In the laminate structure I and the laminate structure II, a glass substrate (100, 1000) of the laminate structure I and the laminate structure II is etched through an etching process so that the thickness of the glass substrate falls within the range of 10 to 70 μm (FIG. 6b), thereby obtaining a flexible liquid crystal display device (1) similar to that described above.

工程(B-I)、(B-II)、及び(B-III)におけるガラス基板を薄膜化する方法としては、化学的エッチングと物理的研磨があるが、研磨の場合にはマイクロスクラッチが発生する可能性があり、光学補償の観点から、化学的エッチングの方が好ましい。 Methods for thinning the glass substrate in steps (B-I), (B-II), and (B-III) include chemical etching and physical polishing. However, polishing can cause micro-scratches, and from the viewpoint of optical compensation, chemical etching is preferred.

第一、第二及び第三実施形態に係る製造方法によって、図1に示されるフレキシブル液晶表示装置(1)を得ることができる。 The manufacturing methods according to the first, second and third embodiments can produce the flexible liquid crystal display device (1) shown in FIG. 1.

(透明ポリイミド前駆体の合成)
<合成例1>
撹拌棒付き3Lセパラブルフラスコに、窒素ガスを導入しながらN-メチルピロリドン(NMP)233gを加え、ジアミンとしてTFMB(2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン)31.1g、ケイ素含有化合物としてX-22-1660B-3(両末端アミン変性メチルフェニルシリコーンオイル、数平均分子量4400、信越化学社製)13.20gを撹拌しながら加え、続いて酸二無水物としてBPAF(9,9-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)フルオレン二酸無水物)22.9g、PMDA(ピロメリット酸二無水物)10.9gを加えた。ここでは、酸二無水物:ジアミンのモル比は、100:99であった。次に、オイルバスを用いてフラスコを80℃に昇温し、3時間撹拌した後、オイルバスを外して室温に戻し、透明なポリアミド酸のNMP溶液(以下、ワニスAとも記す)を得た。得られたワニスは冷凍庫で保管し、評価をする際は解凍して使用した。
(Synthesis of transparent polyimide precursor)
<Synthesis Example 1>
In a 3L separable flask with a stirring rod, 233 g of N-methylpyrrolidone (NMP) was added while introducing nitrogen gas, 31.1 g of TFMB (2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine) as a diamine, 13.20 g of X-22-1660B-3 (methylphenyl silicone oil modified with amines at both ends, number average molecular weight 4400, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a silicon-containing compound were added while stirring, and then 22.9 g of BPAF (9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride) and 10.9 g of PMDA (pyromellitic dianhydride) were added as acid dianhydrides. Here, the molar ratio of acid dianhydride:diamine was 100:99. Next, the flask was heated to 80°C using an oil bath, and after stirring for 3 hours, the oil bath was removed and the temperature was returned to room temperature, and a transparent NMP solution of polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish A) was obtained. The obtained varnish was stored in a freezer and was thawed before use for evaluation.

<合成例2>
撹拌棒付き3Lセパラブルフラスコに、窒素ガスを導入しながらNMP(405g)を加え、ジアミンとしてTFMB(12.6g)、BAFL(1,4-ビス(3-アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、9,9-ビス(4-アミノフェニル)フルオレン)20.5gを撹拌しながら加え、続いて酸二無水物としてCpODA(ルボルナン-2-スピロ-2’-シクロペンタノン-5’-スピロ-2’’-ノルボルナン-5,5’’,6,6’’-テトラカルボン酸二無水物)38.4gを加えた。ここでは、酸二無水物:ジアミンのモル比は、100:98であった。次に、オイルバスを用いてフラスコを80℃に昇温し、3時間撹拌した後、オイルバスを外して室温に戻し、透明なポリアミド酸のNMP溶液(以下、ワニスBとも記す)を得た。得られたワニスは冷凍庫で保管し、評価をする際は解凍して使用した。
<Synthesis Example 2>
In a 3L separable flask with a stirring rod, NMP (405 g) was added while introducing nitrogen gas, and TFMB (12.6 g) and BAFL (1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene) 20.5 g were added as diamines while stirring, followed by the addition of 38.4 g of CpODA (norbornane-2-spiro-2'-cyclopentanone-5'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic dianhydride) as an acid dianhydride. Here, the molar ratio of acid dianhydride:diamine was 100:98. Next, the flask was heated to 80°C using an oil bath, and after stirring for 3 hours, the oil bath was removed and the temperature was returned to room temperature, and a transparent NMP solution of polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish B) was obtained. The obtained varnish was stored in a freezer, and was thawed and used when evaluating.

(試験サンプルの作製)
<実施例1>
縦300mm×横350mm×厚さ0.7mmの無アルカリガラス基板(以下、「ガラス基板」又は単に「基板」ともいう)に、ガラス基板の端から5mm内側のエリアに、合成例1のポリイミド前駆体組成物(ワニスA)を、イミド化後の膜厚が10μmになるように塗布した。塗布にはスリットコーター(LC-R300G、SCREENファインテックソリューションズ製)を用いた。得られた塗膜付きガラス基板から、減圧乾燥機(東京応化工業製)で80℃、100Pa及び30分間の条件下で溶媒を除去した。得られたポリイミド前駆体組成物の塗膜を有するガラス基板を、オーブン(INH-9N1 光洋サーモシステム株式会社製)を用いて、窒素雰囲気下(酸素濃度300ppm以下)、400℃で1時間加熱して、ガラス基板上にポリイミド層を形成し、ポリイミド層が透明なことを目視で確認した。
(Preparation of test samples)
Example 1
The polyimide precursor composition (varnish A) of Synthesis Example 1 was applied to an area 5 mm inside from the edge of an alkali-free glass substrate (hereinafter also referred to as "glass substrate" or simply "substrate") having a length of 300 mm, width of 350 mm, and thickness of 0.7 mm, so that the film thickness after imidization was 10 μm. A slit coater (LC-R300G, manufactured by SCREEN Finetech Solutions) was used for application. The solvent was removed from the obtained glass substrate with the coating film by a reduced pressure dryer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) under conditions of 80° C., 100 Pa, and 30 minutes. The glass substrate having the coating film of the obtained polyimide precursor composition was heated at 400° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere (oxygen concentration 300 ppm or less) using an oven (INH-9N1, manufactured by Koyo Thermo Systems Co., Ltd.) to form a polyimide layer on the glass substrate, and it was visually confirmed that the polyimide layer was transparent.

次に、ポリイミド層が形成されたガラス基板全体に、アルミニウムを100nmの厚さでスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、アルミニウムパターンを形成した。続いて、基板全体に、CVD法によりSiN層を厚さ200nmで成膜した。 Next, an aluminum film was formed to a thickness of 100 nm by sputtering over the entire glass substrate on which the polyimide layer was formed, and then patterned by photolithography to form an aluminum pattern. Next, a SiN layer was formed to a thickness of 200 nm over the entire substrate by CVD.

その後、基板のSiN層が形成された方の表面及び基板側面に、アクリル系のシール材を塗布した。 After that, an acrylic sealant was applied to the surface of the substrate on which the SiN layer was formed and to the sides of the substrate.

ガラス基板をエッチングするため、シール材が塗布された基板を濃度50wt%の高純度フッ化水素酸(ステラケミファ株式会社製)のエッチング漕に浸漬し、ガラス基板の膜厚が70μmになるまでエッチングを行い、超純水で洗浄を行った。ガラス基板の厚さは、基板を割断し、エポキシで包埋後、断面を光学顕微鏡で観察することにより評価した。 To etch the glass substrate, the substrate coated with the sealant was immersed in an etching bath of 50 wt% high-purity hydrofluoric acid (manufactured by Stella Chemifa Corporation) and etched until the glass substrate had a thickness of 70 μm, after which it was washed with ultrapure water. The thickness of the glass substrate was evaluated by cutting the substrate, embedding it in epoxy, and observing the cross section with an optical microscope.

その後、エッチングされたサンプルをアルカリ剥離液(TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム))に浸漬することでシール材を除去し、評価サンプルを得た。 The etched sample was then immersed in an alkaline stripper (TMAH (tetramethylammonium hydroxide)) to remove the sealant and obtain an evaluation sample.

<実施例2~4、比較例1,2>
エッチング条件を調整することで、表1に記載のガラス基板の厚さにすること以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。
<Examples 2 to 4, Comparative Examples 1 and 2>
Samples were prepared in the same manner as in Example 1, except that the etching conditions were adjusted to give the glass substrate a thickness as shown in Table 1.

<実施例5~7、比較例4,5>
用いるワニスをワニスBに変更し、かつ表1に記載のガラス基板の厚さにすること以外は、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。
<Examples 5 to 7, Comparative Examples 4 and 5>
A sample was prepared in the same manner as in Example 1, except that the varnish used was changed to Varnish B and the glass substrate had a thickness as shown in Table 1.

<比較例3>
実施例1において、ガラス基板のエッチング行う前のサンプルを用いて、ポリイミドが形成されたガラス基板のガラス基板の方から、エキシマレーザー(波長308nm)を照射し、ガラス基板からポリイミドを剥離した(ガラス基板なし)。
<Comparative Example 3>
In Example 1, using a sample before etching of the glass substrate, an excimer laser (wavelength 308 nm) was irradiated from the glass substrate side of the glass substrate on which the polyimide was formed, to peel off the polyimide from the glass substrate (without the glass substrate).

<比較例6>
縦300mm×横350mm×厚さ0.7mmの無アルカリガラス基板(以下、「ガラス基板」又は単に「基板」ともいう)に、アルミニウムを100nmの厚さでスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィ法によりパターニングを行い、アルミニウムパターンを形成した。続いて、基板全体に、CVD法によりSiN層を厚さ200nmで成膜し、PIフィルム無しの基板を作製した。
<Comparative Example 6>
On a non-alkali glass substrate (hereinafter referred to as "glass substrate" or simply "substrate") having dimensions of 300 mm length x 350 mm width x 0.7 mm thickness, an aluminum film was formed by sputtering to a thickness of 100 nm, and then patterned by photolithography to form an aluminum pattern. Subsequently, a SiN layer was formed by CVD to a thickness of 200 nm on the entire substrate, to produce a substrate without a PI film.

その後、基板のSiN層が形成された方の表面及び基板側面に、アクリル系のシール材を塗布して積層体を得た。 After that, an acrylic sealant was applied to the surface of the substrate on which the SiN layer was formed and to the side of the substrate to obtain a laminate.

ガラス基板の薄膜化をエッチングに替えて研磨することにより行った。具体的には、前記積層体のシール材を塗布した側を研磨装置の研磨用ヘッドに固定し、研磨用ヘッドを回転するとともに、研磨パッドも回転することにより、研磨を行なった。研磨スラリーとして平均粒径80nm以下のコロイダルシリカを用いて、100g/cmの圧力で研磨を行った。その後、上記の研磨パッドとスラリーを仕上げ用の研磨パッドとスラリーに変更して仕上げ研磨を行い、ガラス基板の厚さが24μmになるまでエッチングを行い、超純水で洗浄を行った。ガラス基板の厚さは、基板を割断し、エポキシで包埋した後、基板の断面を光学顕微鏡で観察することにより評価した。 The glass substrate was thinned by polishing instead of etching. Specifically, the side of the laminate coated with the sealant was fixed to the polishing head of a polishing device, and the polishing was performed by rotating the polishing head and the polishing pad. Polishing was performed at a pressure of 100 g/ cm2 using colloidal silica with an average particle size of 80 nm or less as the polishing slurry. Thereafter, the polishing pad and slurry were replaced with a polishing pad and slurry for finishing, and finishing polishing was performed, etching was performed until the thickness of the glass substrate was 24 μm, and cleaning was performed with ultrapure water. The thickness of the glass substrate was evaluated by cutting the substrate, embedding it in epoxy, and observing the cross section of the substrate with an optical microscope.

その後、積層体をアルカリ剥離液(TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム))に浸漬することでシール材を除去し、評価サンプルを得た。 The laminate was then immersed in an alkaline stripper (tetramethylammonium hydroxide (TMAH)) to remove the sealant and obtain an evaluation sample.

(アルミ表面光学顕微鏡観察)
実施例及び比較例で得られた基板のアルミ表面を、光学顕微鏡で観察した(以下「OM観察」ともいう)。観察結果を下記基準で評価した。
A(可): アルミ表面に侵食が観察されない。
B(不可): アルミ表面に侵食が観察される。
(Optical microscope observation of aluminum surface)
The aluminum surfaces of the substrates obtained in the examples and comparative examples were observed with an optical microscope (hereinafter also referred to as "OM observation"). The observation results were evaluated according to the following criteria.
A (Fair): No corrosion is observed on the aluminum surface.
B (Unacceptable): Corrosion is observed on the aluminum surface.

侵食が観察されたのは、ガラス基板の厚さが5μm以下のサンプルであった。これは、ガラス基板に薄い箇所があり、そこでは、ポリイミドがフッ酸(HF)で侵食され、その後アルミニウムが侵食されたためと考えられる。 Corrosion was observed in samples with glass substrates that were 5 μm or less thick. This is thought to be because there were thin spots on the glass substrate, where the polyimide was first corroded by hydrofluoric acid (HF), and then the aluminum was corroded.

(折り曲げ耐性評価)
実施例及び比較例で得られた基板の折り曲げ評価を行った。具体的には、基板にクラックが発生しない、最小の曲率半径の評価を行った。曲率半径を測定することで、折り曲げ耐性評価を下記基準で行った。
A(優): 曲率半径が30mm以下
B(良): 曲率半径が30mm超40mm以下
C(可): 曲率半径が40mm超50mm以下
D(不可): 曲率半径が50mm超
(Bending resistance evaluation)
The bending resistance of the substrates obtained in the examples and comparative examples was evaluated. Specifically, the minimum radius of curvature at which no cracks were generated in the substrate was evaluated. By measuring the radius of curvature, the bending resistance was evaluated according to the following criteria.
A (Excellent): Curvature radius is 30mm or less B (Good): Curvature radius is more than 30mm and less than 40mm C (Acceptable): Curvature radius is more than 40mm and less than 50mm D (Unacceptable): Curvature radius is more than 50mm

曲率半径が大きいのは、ガラス基板の厚さが10μm以下のサンプルであった。これは、ガラス基板が厚いため、ガラスが割れたためと考えられる。
また、実施例7と比較例6の対比から、ガラス基板の厚さが同じ場合でも、ガラス基板のみでは折り曲げ耐性が無いが、ガラス基板とPIフィルムの複合材は、十分な折り曲げ耐性が確認された。
The radius of curvature was large in the samples with a glass substrate having a thickness of 10 μm or less. This is considered to be because the glass substrate was too thick and the glass broke.
Furthermore, a comparison between Example 7 and Comparative Example 6 confirmed that even when the glass substrate had the same thickness, the glass substrate alone had no bending resistance, whereas the composite material of the glass substrate and the PI film had sufficient bending resistance.

(カール評価)
実施例及び比較例で得られた基板のカール評価を行った。具体的には、得られたサンプルを一昼夜23℃、50Rh%の恒温室に静置保存した。その後、平滑なガラス板の上にガラス基板側が下になるよう更に30分間で静置した。サンプルがガラス板から浮いている箇所の最大量をカール量として測定し、以下の基準で評価を行った。
A(可): カール量が15mm以下
B(不可): カール量が15mmを超える、または筒状である
(Curl Evaluation)
The curl of the substrates obtained in the examples and comparative examples was evaluated. Specifically, the obtained samples were left to stand overnight in a thermostatic chamber at 23°C and 50% Rh. Then, the samples were left to stand for another 30 minutes on a smooth glass plate with the glass substrate side facing down. The maximum amount of the sample lifted from the glass plate was measured as the curl amount, and evaluation was performed according to the following criteria.
A (Acceptable): Curl amount is 15mm or less B (Not acceptable): Curl amount is more than 15mm or cylindrical

カール量が大きいのは、ガラス基板の厚さが5μm以下のサンプル、又はガラス基板無しのサンプルであった。ポリイミドと無機膜の吸水による伸びの違い等により、カールが発生したと思われる。 The samples with the largest amount of curl were those with a glass substrate thickness of 5 μm or less, or those without a glass substrate. The curling is thought to be due to differences in the elongation caused by water absorption between the polyimide and inorganic film.

ポリイミド前駆体のワニス種類、ガラス基板の厚さ、各種の評価結果について、下記表1に示す。 The type of polyimide precursor varnish, the thickness of the glass substrate, and various evaluation results are shown in Table 1 below.

Figure 2025024098000004
Figure 2025024098000004

(フレキシブル液晶表示装置の製造)
上記実施例7(ガラス基板の厚さ:24μm)のサンプルを用いて、SiN膜上に100nmのPoly-Si層をCVDで形成した後、380℃でアニール処理を行った。さらに、TFT配線層の上に配向膜を形成した。続いて、液晶セルの境界にアクリル系のシール材を形成し、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下することで、TFT基板を作製した。
(Manufacturing of flexible liquid crystal display devices)
Using the sample of Example 7 (glass substrate thickness: 24 μm), a 100 nm Poly-Si layer was formed on the SiN film by CVD, and then annealed at 380° C. Furthermore, an alignment film was formed on the TFT wiring layer. Next, an acrylic sealant was formed on the boundary of the liquid crystal cell, and liquid crystal was dropped into the area surrounded by the sealant to produce a TFT substrate.

他方、別のガラス基板(厚さ:700μm)上に上記実施例と同様にポリイミド層を形成した後、ポリイミド層表面にブラックマトリクス及びカラーフィルターを形成した。その後、カラーフィルター上に配向膜を形成した。続いて、配向膜上に実施例7と同様にして、ガラス基板が厚さ24μmになるようにエッチングを行うことで、カラーフィルター基板を作製した。 On the other hand, a polyimide layer was formed on another glass substrate (thickness: 700 μm) in the same manner as in the above example, and then a black matrix and a color filter were formed on the surface of the polyimide layer. An alignment film was then formed on the color filter. Next, the alignment film was etched in the same manner as in Example 7 so that the glass substrate had a thickness of 24 μm, thereby producing a color filter substrate.

シール材を介して、上記TFT基板とカラーフィルター基板を接着し、フレキシブル液晶表示装置を製造した。なお、このフレキシブル液晶表示装置は、厚さ24μmのガラス基板とポリイミド層を基板とするTFT基板と、厚さ24μmのガラス基板とポリイミド層を基板とするカラーフィルター基板を備え、機械強度と曲げ耐性とカール性に優れる。 The TFT substrate and color filter substrate were bonded together via a sealant to produce a flexible liquid crystal display device. This flexible liquid crystal display device includes a TFT substrate made of a 24 μm thick glass substrate and a polyimide layer, and a color filter substrate made of a 24 μm thick glass substrate and a polyimide layer, and has excellent mechanical strength, bending resistance, and curl resistance.

1 フレキシブル液晶表示装置
100 ガラス基板(TFT配線層基板)
200 透明ポリイミド層(TFT配線層基板)
300 TFT配線層
400 配向膜
500 液晶層
600 シール材
700 配向膜
800 カラーフィルター層
900 透明ポリイミド層(カラーフィルター層基板)
1000 ガラス基板(カラーフィルター層基板)
1 Flexible liquid crystal display device 100 Glass substrate (TFT wiring layer substrate)
200 Transparent polyimide layer (TFT wiring layer substrate)
300 TFT wiring layer 400 Orientation film 500 Liquid crystal layer 600 Sealing material 700 Orientation film 800 Color filter layer 900 Transparent polyimide layer (color filter layer substrate)
1000 Glass substrate (color filter layer substrate)

Claims (25)

薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
The flexible liquid crystal display device has a laminated structure in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer and the glass substrate are laminated in this order, and the glass substrate has a thickness of 10 to 70 μm.
前記ガラス基板の厚さが、10~50μmである、請求項1に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The flexible liquid crystal display device according to claim 1, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 50 μm. 前記ガラス基板の厚さが、10~24μmである、請求項1又は2に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The flexible liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 24 μm. 薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
the flexible liquid crystal display device has a laminated structure in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer and the glass substrate are laminated in this order, and the thickness of the glass substrate after chemical etching is 10 to 70 μm.
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記TFT配線層の支持体である、請求項1~4のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The flexible liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4, wherein the transparent polyimide layer and the glass substrate are supports for the TFT wiring layer. 薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
The flexible liquid crystal display device has a laminated structure in which the color filter layer, the transparent polyimide layer and the glass substrate are laminated in this order, and the glass substrate has a thickness of 10 to 70 μm.
前記ガラス基板の厚さが、10~50μmである、請求項6に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The flexible liquid crystal display device according to claim 6, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 50 μm. 前記ガラス基板の厚さが、10~24μmである、請求項6又は7に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The flexible liquid crystal display device according to claim 6 or 7, wherein the thickness of the glass substrate is 10 to 24 μm. 薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
The flexible liquid crystal display device has a laminated structure in which the color filter layer, the transparent polyimide layer and the glass substrate are laminated in this order, and the thickness of the glass substrate after chemical etching is 10 to 70 μm.
薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Iを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造IIを有し、かつ
前記ガラス基板の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
the flexible liquid crystal display device has a layered structure I in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are layered in this order, and the flexible liquid crystal display device has a layered structure II in which the color filter layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are layered in this order, and the glass substrate has a thickness of 10 to 70 μm.
前記ガラス基板の厚さが、10~50μmである、請求項10に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The flexible liquid crystal display device according to claim 10, wherein the glass substrate has a thickness of 10 to 50 μm. 前記ガラス基板の厚さが、10~24μmである、請求項10又は11に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The flexible liquid crystal display device according to claim 10 or 11, wherein the thickness of the glass substrate is 10 to 24 μm. 薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置であって、
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Iを有し、かつ
前記フレキシブル液晶表示装置が、前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造IIを有し、かつ
前記ガラス基板の化学的エッチング後の厚さが、10~70μmであるフレキシブル液晶表示装置。
A flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer, and a glass substrate,
the flexible liquid crystal display device has a layered structure I in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are layered in this order, and the flexible liquid crystal display device has a layered structure II in which the color filter layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are layered in this order, and the glass substrate has a thickness of 10 to 70 μm after chemical etching.
前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板は、前記カラーフィルター層の支持体である、請求項6~13のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The flexible liquid crystal display device according to any one of claims 6 to 13, wherein the transparent polyimide layer and the glass substrate are supports for the color filter layer. 前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、ジアミンに由来する構成単位を有し、かつ前記ジアミンが、ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノビフェニル、3,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,4’-ジアミノベンゾフェノン、3,3’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、4,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4-(3-アミノフェノキシ)フェニル〕エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェニル)ベンゼン、9,10-ビス(4-アミノフェニル)アントラセン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2-ビス〔4-(4-アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、1,4-ビス(3-アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン、及び9,9-ビス(4-アミノフェニル)フルオレン(BAFL)から成る群から選択される少なくとも一つである、請求項1~14のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The polyimide contained in the transparent polyimide layer has a structural unit derived from a diamine, and the diamine is selected from the group consisting of diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)phenyl )biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, and 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene (BAFL), which is at least one selected from the group consisting of. 前記透明ポリイミド層に含まれるポリイミドが、酸無水物に由来する構成単位を有し、かつ前記酸無水物が、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、4,4’-オキシジフタル酸二無水物(ODPA)、ノルボルナン-2-スピロ-2’-シクロペンタノン-5’-スピロ-2’’-ノルボルナン-5,5’’,6,6’’-テトラカルボン酸二無水物(CpODA)、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、4,4’-(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物(6FDA)、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロ-3-フラニル)-3-メチル-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、メチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,1-エチリデン-4,4’-ジフタル酸二無水物、2,2-プロピリデン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,2-エチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,3-トリメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,4-テトラメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,5-ペンタメチレン-4,4’-ジフタル酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸二無水物、p-フェニレンビス(トリメリテート無水物)、チオ-4,4’-ジフタル酸二無水物、スルホニル-4,4’-ジフタル酸二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ベンゼン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,4-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ベンゼン二無水物、1,3-ビス[2-(3,4-ジカルボキシフェニル)-2-プロピル]ベンゼン二無水物、1,4-ビス[2-(3,4-ジカルボキシフェニル)-2-プロピル]ベンゼン二無水物、ビス[3-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]メタン二無水物、2,2-ビス[3-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ジメチルシラン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8-フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、及びビシクロヘキシル-3,3’,9,9-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)フルオレン二酸無水物(BPAF)から成る群から選択される少なくとも一つである、請求項1~15のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The polyimide contained in the transparent polyimide layer has a structural unit derived from an acid anhydride, and the acid anhydride is 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), norbornane-2-spiro-2'-cyclopentanone-5'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracarboxylic dianhydride (CpODA), 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride (6FDA), 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-cyclohexene-1,2-di Carboxylic acid anhydrides, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetramethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, p-phenylenebis(trimellitate anhydride), thio-4,4'-diphthalic dianhydride dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)benzene dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,3-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, 1,4-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, 2,2-bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, The flexible liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 15, wherein the dianhydride is at least one selected from the group consisting of bis(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenoxy)dimethylsilane dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, and bicyclohexyl-3,3',9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride (BPAF). 前記TFT配線層と前記カラーフィルター層の間に、前記液晶層がある、請求項1~16のいずれか一項に記載のフレキシブル液晶表示装置。 The flexible liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 16, wherein the liquid crystal layer is between the TFT wiring layer and the color filter layer. 薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程:
前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが10~70μmの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
A method for manufacturing a flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer and a glass substrate, comprising the steps of:
a lamination step of forming a laminated structure in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are laminated in this order;
and etching the glass substrate so that the thickness of the glass substrate in the laminated structure falls within a range of 10 to 70 μm.
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを10~50μmの範囲内に調整する、請求項18に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to claim 18, wherein the thickness of the glass substrate is adjusted to within a range of 10 to 50 μm in the etching process. 前記エッチング工程では、前記TFT配線層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、請求項18又は19に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to claim 18 or 19, wherein the etching step involves masking the TFT wiring layer and the transparent polyimide layer. 薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程:
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造を形成する積層工程と、
前記積層構造において前記ガラス基板の厚さが10~70μmの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
A method for manufacturing a flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer and a glass substrate, comprising the steps of:
forming a laminated structure in which the color filter layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are laminated in this order;
and etching the glass substrate so that the thickness of the glass substrate in the laminated structure falls within a range of 10 to 70 μm.
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを10~50μmの範囲内に調整する、請求項21に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to claim 21, wherein the thickness of the glass substrate is adjusted to within a range of 10 to 50 μm in the etching process. 前記エッチング工程では、前記カラーフィルター層と前記透明ポリイミド層とをマスキングする、請求項21又は22に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to claim 21 or 22, wherein the color filter layer and the transparent polyimide layer are masked in the etching process. 薄膜トランジスタ(TFT)配線層、液晶層、カラーフィルター層、透明ポリイミド層及びガラス基板を含むフレキシブル液晶表示装置の製造方法であって、以下の工程:
前記TFT配線層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造Iを形成する積層工程と、
前記カラーフィルター層、前記透明ポリイミド層及び前記ガラス基板の順序で積層された積層構造IIを形成する積層工程と、
前記TFT配線層と前記カラーフィルター層を、シール材を介して接合する工程と、
前記積層構造I及びIIにおいて前記ガラス基板の厚さが10~70μmの範囲内になるように前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と
を含む、フレキシブル液晶表示装置の製造方法。
A method for manufacturing a flexible liquid crystal display device including a thin film transistor (TFT) wiring layer, a liquid crystal layer, a color filter layer, a transparent polyimide layer and a glass substrate, comprising the steps of:
a lamination step of forming a laminate structure I in which the TFT wiring layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are laminated in this order;
a lamination step of forming a laminate structure II in which the color filter layer, the transparent polyimide layer, and the glass substrate are laminated in this order;
a step of bonding the TFT wiring layer and the color filter layer via a sealant;
and an etching step of etching the glass substrate in the laminated structures I and II so that the thickness of the glass substrate falls within a range of 10 to 70 μm.
前記エッチング工程では、前記ガラス基板の厚さを10~50μmの範囲内に調整する、請求項24に記載のフレキシブル液晶表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a flexible liquid crystal display device according to claim 24, wherein the thickness of the glass substrate is adjusted to within a range of 10 to 50 μm in the etching process.
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