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JP2025006754A - 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを用いたモジュール - Google Patents

弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを用いたモジュール Download PDF

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Abstract

Figure 2025006754000001
【課題】温度特性が良好で、かつ、よりスプリアスが抑制された弾性波デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と、前記支持基板上に形成された媒質層と、前記媒質層上に形成された圧電基板と、前記圧電基板上に形成されたIDT電極を含む共振器とを備え、前記媒質層は、長手方向と短手方向を有するストライプ状の第1音響インピーダンス領域と、前記第1音響インピーダンス領域と交互に配置された長手方向と短手方向を有するストライプ状の前記第1音響インピーダンス領域とは異なる音響インピーダンスを有する第2音響インピーダンス領域を有する弾性波デバイス。
【選択図】図3

Description

本開示は、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを用いたモジュールに関する。詳しくはSH波を用いる弾性表面波デバイス、例えば、フィルタ、デュプレクサまたはマルチプレクサに関する。
スマートフォンを代表とする移動通信端末の高周波通信用システムにおいて、通信に使用する周波数帯以外の不要な信号を除去するために、高周波フィルタ等が用いられている。
高周波フィルタ等には、弾性表面波(SAW:Surface acoustic wave)素子等を有する弾性波デバイスが用いられている。SAW素子は、圧電基板上に一対の櫛型電極を有するIDT(Interdigital Transducer)を形成した素子である。
例えば、弾性表面波デバイスは、以下のように製造される。まず、弾性波を伝搬させる圧電基板とこの圧電基板よりも小さな熱膨張係数を持つ支持基板とを接合した多層膜基板を作成する。次に、その多層膜基板にフォトリソグラフィ技術を用いて多数のIDT電極を形成し、その後、ダイシングにより所定のサイズに切り出して弾性表面波デバイスとする。この製造方法では、多層膜基板を利用することにより、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化が支持基板により抑制されるため、弾性波デバイスとしての周波数特性が安定化する。
例えば、特許文献1などにより、弾性波デバイスの温度特性を改善するため、圧電基板にヤング率が高く線膨張係数が小さいサファイア基板などの支持基板を貼り合わせて、温度変化による伸縮を抑制することが知られている。
特開2009-278610号公報
特許文献1に開示のように、弾性波デバイスの温度特性を改善するため、圧電基板にヤング率が高く線膨張係数が小さいサファイア基板などの支持基板を貼り合わせて、温度変化による伸縮を抑制することが知られている。しかしながら、このような支持基板を用いた共振器には、特に高周波側にスプリアスが生じ、フィルタ特性に劣る。
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、温度特性が良好で、かつ、よりスプリアスが抑制された弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを用いたモジュールを提供することである。
本開示にかかる弾性波デバイスは、
支持基板と、
前記支持基板上に形成された媒質層と、
前記媒質層上に形成された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成されたIDT電極を含む共振器と
を備え、
前記媒質層は、
長手方向と短手方向を有するストライプ状の第1音響インピーダンス領域と、
前記第1音響インピーダンス領域と交互に配置された長手方向と短手方向を有するストライプ状の前記第1音響インピーダンス領域とは異なる音響インピーダンスを有する第2音響インピーダンス領域を有する弾性波デバイスとした。
前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域の長手方向は、前記IDT電極の電極指の長手方向と同じ方向に配置されていることが、本開示の一形態とされる。
前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域は、前記IDT電極の電極ピッチとは異なるピッチで配置されることが、本開示の一形態とされる。
前記圧電基板の厚みは、前記IDT電極の電極ピッチで定まる弾性波の波長をλとした場合、0.4λ以上1.0λ以下であることが、本開示の一形態とされる。
前記媒質層の厚みは、前記IDT電極の電極ピッチで定まる弾性波の波長をλとした場合、0.1λ以上0.5λ以下であることが、本開示の一形態とされる。
前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域の短手方向の断面視において、前記IDT電極の電極指が4本配置された範囲において、前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域が3周期配置されていることが、本発明の一形態とされる。
前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域の短手方向の断面視において、前記IDT電極の電極指が8本配置された範囲において、前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域が5周期乃至6周期配置されていることが、本発明の一形態とされる。
前記第1音響インピーダンス領域は、二酸化ケイ素からなることが、本発明の一形態とされる。
前記第2音響インピーダンス領域は、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ケイ素または炭化ケイ素からなることが、本発明の一形態とされる。
前記支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなることが、本発明の一形態とされる。
前記弾性波デバイスを備えるモジュールが、本発明の一形態とされる。
本開示によれば、温度特性が良好で、かつ、よりスプリアスが抑制された弾性波デバイスおよびその製造方法を提供することができる。
図1は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1を示す断面図である。 図2は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1のデバイスチップ5を示す断面図である。 図3は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の機能素子50の上面図である。 図4は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1および比較例の共振器の共振特性を示す図である。 図5は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1および比較例の共振器の共振特性を示す図(その2)である。 図6は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の共振器(電極指8本の範囲に5周期、他)の共振特性を示す図である。 図7は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の共振器(電極指8本の範囲に6周期、他)の共振特性を示す図である。 図8は、8本の電極指51bの範囲内に、第2音響インピーダンス領域12Bが5本配置されている構成を示す断面図である。 図9は、実施の形態2にかかる弾性波デバイス1の機能素子50の上面図である。 図10は、弾性波デバイス1の製造方法を説明するための図である。 図11は、実施の形態2にかかる弾性波デバイス1の製造方法を説明するための図である。 図12は、実施の形態1から3にかかる弾性波デバイス1が適用されるモジュールの縦断面図である。
実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1を示す断面図である。
図1に示すように、弾性波デバイス1は、配線基板3、外部接続端子31、デバイスチップ5、電極パッド9、バンプ15および封止部17を備える。
例えば、配線基板3は、樹脂からなる多層基板である。例えば、配線基板3は、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス(Low Temperature Co-fired Ceramics:LTCC)多層基板である。
外部接続端子31は、配線基板3の下面に複数形成される。
電極パッド9は、配線基板3の主面に複数形成される。例えば、電極パッド9は、銅または銅を含む合金で形成される。例えば、電極パッド9の厚みは、10μmから20μmである。
バンプ15は、電極パッド9のそれぞれの上面に形成される。例えば、バンプ15は、金バンプである。例えば、バンプ15の高さは、10μmから50μmである。
配線基板3とデバイスチップ5の間は、空隙16が形成されている。
デバイスチップ5は、バンプ15を介して、配線基板3にフリップチップボンディングにより実装される。デバイスチップ5は、複数のバンプ15を介して複数の電極パッド9と電気的に接続される。
デバイスチップ5は、弾性波素子50が形成される基板である。例えば、デバイスチップ5の主面において、主に共振器である複数の弾性波素子50を含む、送信用フィルタと受信用フィルタとが形成される。
送信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、送信用フィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器からなるラダー型フィルタである。
受信用フィルタは、所望の周波数帯域の電気信号が通過し得るように形成される。例えば、受信用フィルタは、ラダー型フィルタである。
封止部17は、デバイスチップ5を覆うように形成される。例えば、封止部17は、合成樹脂等の絶縁体により形成される。例えば、封止部17は、金属で形成される。
封止部17が合成樹脂で形成される場合、当該合成樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミドなどである。好ましくは、封止部17は、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いてエポキシ樹脂で形成される。
図2は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1のデバイスチップ5を示す断面図である。
図2に示すように、デバイスチップ5は、圧電基板11、媒質層12、支持基板13を備える。圧電基板11上には弾性波素子50が形成されている。
圧電基板11は、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成された基板である。別の例では、圧電基板11は、圧電セラミックスで形成された基板である。
圧電基板11の厚みは、例えば、0.3μmから5μmとすることができる。
媒質層12は、第1音響インピーダンス領域12Aと第2音響インピーダンス領域12Bを含む。第1音響インピーダンス領域12Aは、例えば、窒化シリコン、シリコン酸窒化物、シリコン、アルミナ、二酸化ケイ素または炭化ケイ素からなる。第2音響インピーダンス領域12Bは、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ケイ素または炭化ケイ素からなり、また、第1音響インピーダンス領域12Aで採用した材料とは異なる材料とする。
媒質層12の厚みは、例えば、0.5μmから2μmとすることができる。
図2に示す例では、第1音響インピーダンス領域12Aおよび第2音響インピーダンス領域12Bは、圧電基板11上の4本の電極指51bに対して、3周期配置されている。言い換えれば、4本の電極指51bの範囲内に、第2音響インピーダンス領域12Bが3本配置されている。さらに言い換えれば、第1音響インピーダンス領域12Aおよび第2音響インピーダンス領域12Bは、電極指51bのピッチとは異なるピッチで配置されている。
図2に示すように、第2音響インピーダンス領域12Bは、第1音響インピーダンス領域12Aを貫通するように形成されてもよい。すなわち、媒質層12は、圧電基板11側においても、支持基板13側においても、第2音響インピーダンス領域12Bが露出するように形成されてもよい。第2音響インピーダンス領域12Bは、媒質層12の厚みの2分の1以上の厚みで形成されてもよい。
別の例によれば、媒質層12は、第2音響インピーダンス領域12Bが圧電基板11側に露出しないように形成されてもよい。
また、別の例によれば、媒質層12は、第2音響インピーダンス領域12Bが支持基板13側に露出しないように形成されてもよい。
支持基板13は、例えば、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、窒化ケイ素、アルミナイトライド、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンド、水晶、ガラスなどで形成することができる。支持基板13は、熱膨張係数が小さくヤング率が高いほどよい。弾性波デバイス1の温度特性が向上するからである。このような条件を満たす代表的な基板であるサファイア基板は、硬度が高く、かつ化学的に安定であるため、凹凸形状やギザギザ形状を有するような表面加工には困難が伴い、歩留まりが低下する。従って、支持基板13は、フラットな平板状の直方体形状であることが望ましい。
支持基板13の厚みは、例えば、50μmから200μmとすることができる。
次に、図3を用いて、圧電基板11上に形成された弾性波素子50の例を説明する。図3は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の機能素子50の上面図である。
図3は説明の便宜上圧電基板11を透過して示していないが、IDT(Interdigital Transducer)電極51と一対の反射器52を含む弾性波素子50が圧電基板11の主面に形成される(図2参照。)。IDT電極51と一対の反射器52は、弾性波(主にSH波)を励振し得るように設けられる。
例えば、IDT電極51と一対の反射器52とは、アルミニウムと銅の合金で形成される。例えば、IDT電極51と一対の反射器52とは、アルミニウム、モリブデン、イリジウム、タングステン、コバルト、ニッケル、ルテニウム、クロム、ストロンチウム、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金で形成される。
例えば、IDT電極51と一対の反射器52とは、複数の金属層が積層した積層金属膜により形成される。例えば、IDT電極51と一対の反射器52との厚みは、150nmから450nmである。
IDT電極51は、一対の櫛形電極51aを備える。一対の櫛形電極51aは、互いに対向する。櫛形電極51aは、複数の電極指51bとバスバー51cとを備える。
複数の電極指51bは、長手方向を合わせて配置される。バスバー51cは、複数の電極指51bを接続する。
一対の反射器52の一方は、IDT電極51の一側に隣接する。一対の反射器52の他方は、IDT電極51の他側に隣接する。
圧電基板11と支持基板13(図3において図示なし。)の間に形成された媒質層12が形成されている。図3に示すように、第1音響インピーダンス領域12Aと第2音響インピーダンス領域12Bは、それぞれ、長手方向と短手方向を有するストライプ状の領域を形成する。図3に示すように、第1音響インピーダンス領域12Aと第2音響インピーダンス領域12Bは、短手方向において交互に配置されている。
図3に示すように、第1音響インピーダンス領域12Aと第2音響インピーダンス領域12Bの長手方向は、電極指51bの長手方向と同じ方向に配置されている。
図4は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1および比較例の共振器の共振特性を示す図である。圧電基板11はタンタル酸リチウムを用いた。圧電基板11の厚みは、電極指のピッチで定まる弾性波の波長をλとしたときの0.4λ、0.5λ、0.6λ、0.7λ、および、0.8の厚みを設定して計算した。
媒質層12の厚みは、0.25λとした。また第1音響インピーダンス領域12Aと第2音響インピーダンス領域12Bの短手方向の幅は同じ幅、すなわちデューティー比は50%とした。第1音響インピーダンス領域12Aは二酸化ケイ素を用いた。第2音響インピーダンス領域12Bはアルミナを用いた。支持基板13はサファイア基板を用いた。
比較例は、サファイア基板上に0.4λの厚みのタンタル酸リチウムを形成しており、媒質層12は含んでいない。比較例は、その他は実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の共振器と同様である。
図4において、950MHzから1050MHz近辺に見られるピークと谷は、本来の共振モードに伴うものである。それよりも高周波の周波数、ここでは1100MHzから1700MHz近辺に現れるピークと谷は、本来でない共振モードに基づくもので、スプリアスと呼ぶ。強いスプリアスがあると、共振器を組み合わせてフィルタ等を構成するに際して大幅な特性劣化を招くので、スプリアスのピークの高さおよび谷の深さは小さければ小さいほど良好な特性と言える。図4に示すように、実施の形態1にかかる弾性波デバイスの共振器は、圧電基板11の厚み0.4λから0.8λまでのいずれの共振特性0.4λ~0.8λにおいても、比較例における共振特性LT0.4/SAに比べてスプリアスが大幅に改善されたことがわかる。
図5は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1および比較例の共振器の共振特性を示す図(その2)である。圧電基板11の厚みは0.6λとした。媒質層12の厚みは、0.05λ、0.1λ、0.25λおよび0.5λの厚みを設定して計算した。その他は図4で説明したとおりである。比較例は、サファイア基板上に0.6λの厚みのタンタル酸リチウムを形成しており、媒質層12は含んでいない。比較例は、その他は実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の共振器と同様である。
図5に示すように、実施の形態1にかかる弾性波デバイスの共振器は、いずれの媒質層12の厚みにおいても、比較例に比べてスプリアスが改善されたことがわかる。特に、媒質層12の厚みが0.1λ以上のとき、比較例にくらべてスプリアスが大幅に改善されたことがわかる。さらには、媒質層12の厚みが、0.25λおよび0.5λのとき、よりスプリアスの改善が大きいことがわかる。
図6は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の共振器(電極指8本の範囲に5周期、他)の共振特性を示す図である。
共振特性4λ/4は、4λの電極指、すなわち8本の電極指51bが配置された範囲において、第1音響インピーダンス領域12Aおよび第2音響インピーダンス領域12Bが、4周期配置されたときの共振特性である。言い換えれば、8本の電極指51bの範囲内に、第2音響インピーダンス領域12Bが4本配置されている。
共振特性4λ/5は、4λの電極指、すなわち8本の電極指51bが配置された範囲において、第1音響インピーダンス領域12Aおよび第2音響インピーダンス領域12Bが、5周期配置されたときの共振特性である。言い換えれば、8本の電極指51bの範囲内に、第2音響インピーダンス領域12Bが5本配置されている。図8は、8本の電極指51bの範囲内に、第2音響インピーダンス領域12Bが5本配置されている構成を示す断面図である。
共振特性4λ/7は、4λの電極指、すなわち8本の電極指51bに対して、第1音響インピーダンス領域12Aおよび第2音響インピーダンス領域12Bが、7周期配置されたときの共振特性である。言い換えれば、8本の電極指51bの範囲内に、第2音響インピーダンス領域12Bが7本配置されている。
図7は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の共振器(電極指8本の範囲に6周期、他)の共振特性を示す図である。
共振特性4λ/6は、4λの電極指、すなわち8本の電極指51bが配置された範囲において、第1音響インピーダンス領域12Aおよび第2音響インピーダンス領域12Bが、6周期配置されたときの共振特性である。言い換えれば、8本の電極指51bの範囲内に、第2音響インピーダンス領域12Bが6本配置されている。さらに言い換えれば、4本の電極指51bの範囲内に、第2音響インピーダンス領域12Bが3本配置されている。共振特性4λ/4および共振特性4λ/7は、図6で説明した内容と同じである。
図6および図7に示すように、実施の形態1にかかる弾性波デバイスの共振器は、8本の電極指51bに対して、第1音響インピーダンス領域12Aおよび第2音響インピーダンス領域12Bが、5周期または6周期配置されたときに、スプリアスが大幅に改善されていることがわかる。
ここでは、8本の電極指に対して第1音響インピーダンス領域12Aおよび第2音響インピーダンス領域12Bが4周期、5周期、6周期、7周期、と離散的な条件での結果を示し、その中で5周期と6周期の結果が良好であることを示したが、電極指51bの本数と第2音響インピーダンス12Bの本数の比が2倍や1倍に近い場合に改善効果が少ないことを考えると、5周期と6周期との間の周期、たとえば5.5周期(電極指16本に対して第2音響インピーダンス12Bの本数が11)の場合も良好な特性が得られることが合理的に期待される。すなわち、良好な領域は幅を持つ。
以上で説明された実施の形態1によれば、より温度特性が良好で、かつ、よりスプリアスが抑制された弾性波デバイスを提供することができる。
実施の形態2.
図9は、実施の形態2にかかる弾性波デバイス1の機能素子50の上面図である。図9に示すように、第1音響インピーダンス領域12Aと第2音響インピーダンス領域12Bの長手方向は、電極指51bの長手方向と異なる方向に配置されている。このような配置により、横モードの波に音響インピーダンス差が生じ、横モードスプリアスを低減することが可能となる。
他の構成は、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
以上で説明された実施の形態2によれば、高周波スプリアスが抑制され、かつ、横モードスプリアスが低減された弾性波デバイスを提供することができる。
次に、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の製造方法について説明する。図10は、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1の製造方法を説明するための図である。
図10(a)に示すように、支持基板13上に、第1音響インピーダンス膜を形成する。次いで、第1音響インピーダンス膜をパターニングする。パターニング工程は、リフトオフ法やエッチング法など、第1音響インピーダンス膜の材料により適宜工法を選択する。
図10(b)に示すように、パターニング工程により第1音響インピーダンス膜が取り除かれた領域に、第2音響インピーダンス材料を充填する。第2音響インピーダンス材料の充填方法は、スキージ法、蒸着法、スパッタリング法など、材料により適宜工法を選択する。
図10(c)に示すように、第2音響インピーダンス材料を、第1音響インピーダンス膜が露出するまで研磨する。研磨工程は、化学研磨工法、機械研磨工法を材料により適宜選択する。
図10(d)に示すように、研磨工程後、圧電基板11と接合する。圧電基板11上に所望のデバイス特性を得るよう弾性波素子50を構成し、パッケージ工程を得て、実施の形態1にかかる弾性波デバイス1を得た。
次に、弾性波デバイス1の第2の製造方法について説明する。図11は、弾性波デバイス1の第2の製造方法を説明するための図である。
図11(a)に示すように、支持基板13上に、第2音響インピーダンス膜を形成する。次いで、第2音響インピーダンス膜をパターニングする。パターニング工程は、リフトオフ法やエッチング法など、第2音響インピーダンス膜の材料により適宜工法を選択する。
図11(b)に示すように、パターニング工程により第2音響インピーダンス膜が取り除かれた領域に、第1音響インピーダンス材料を充填する。第1音響インピーダンス材料の充填方法は、スキージ法、蒸着法、スパッタリング法、押込みなど、材料により適宜工法を選択する。
図11(c)に示すように、第1音響インピーダンス材料を研磨する。第1音響インピーダンス膜が露出するまで研磨してもよいし、露出させないようにしてもよい。研磨工程は、化学研磨工法、機械研磨工法を材料により適宜選択する。
図11(d)に示すように、研磨工程後、圧電基板11と接合する。所望のデバイス特性を得るよう弾性波素子50を構成し、パッケージ工程を得て、弾性波デバイス1を得た。
図12は、実施の形態1から3にかかる弾性波デバイス1が適用されるモジュールの縦断面図である。なお、実施の形態1から3の部分と同一又は相当部分には同一符号が付される。当該部分の説明は省略される。
図12において、モジュール100は、配線基板130と複数の外部接続端子131と集積回路部品ICと弾性波デバイス1とインダクタ111と封止部117とを備える。
複数の外部接続端子31は、配線基板130の下面に形成される。複数の外部接続端子131は、予め設定された移動通信端末のマザーボードに実装される。
例えば、集積回路部品ICは、配線基板130の内部に実装される。集積回路部品ICは、スイッチング回路とローノイズアンプとを含む。
弾性波デバイス1は、配線基板130の主面に実装される。
インダクタ111は、配線基板130の主面に実装される。インダクタ111は、インピーダンスマッチングのために実装される。例えば、インダクタ111は、Integrated Passive Device(IPD)である。
封止部117は、弾性波デバイス1を含む複数の電子部品を封止する。
以上で説明されたモジュール100は、弾性波デバイス1を備える。このため、より温度特性が良好で、かつ、よりスプリアスが抑制された弾性波デバイスを備えるモジュールを提供できる。
少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。
理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。
特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。
本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。
「又は(若しくは)」の言及は、「又は(若しくは)」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。
前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。
1 弾性波デバイス、 3 配線基板、 5 デバイスチップ、 17 封止部
11 圧電基板、 12 媒質層、 13 支持基板、 50 弾性波素子
12A 第1音響インピーダンス領域
12B 第2音響インピーダンス領域
100 モジュール、 111 インダクタ、 117 封止部、 130 配線基板

Claims (11)

  1. 支持基板と、
    前記支持基板上に形成された媒質層と、
    前記媒質層上に形成された圧電基板と、
    前記圧電基板上に形成されたIDT電極を含む共振器と
    を備え、
    前記媒質層は、
    長手方向と短手方向を有するストライプ状の第1音響インピーダンス領域と、
    前記第1音響インピーダンス領域と交互に配置された長手方向と短手方向を有するストライプ状の前記第1音響インピーダンス領域とは異なる音響インピーダンスを有する第2音響インピーダンス領域を有する弾性波デバイス。
  2. 前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域の長手方向は、前記IDT電極の電極指の長手方向と同じ方向に配置されている請求項1に記載の弾性波デバイス。
  3. 前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域は、前記IDT電極の電極ピッチとは異なるピッチで配置される請求項1に記載の弾性波デバイス。
  4. 前記圧電基板の厚みは、前記IDT電極の電極ピッチで定まる弾性波の波長をλとした場合、0.4λ以上1.0λ以下である請求項1に記載の弾性波デバイス。
  5. 前記媒質層の厚みは、前記IDT電極の電極ピッチで定まる弾性波の波長をλとした場合、0.1λ以上0.5λ以下である請求項1に記載の弾性波デバイス。
  6. 前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域の短手方向の断面視において、前記IDT電極の電極指が4本配置された範囲において、前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域が3周期配置されている請求項1に記載の弾性波デバイス。
  7. 前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域の短手方向の断面視において、前記IDT電極の電極指が8本配置された範囲において、前記第1音響インピーダンス領域および前記第2音響インピーダンス領域が5周期乃至6周期配置されている請求項1に記載の弾性波デバイス。
  8. 前記第1音響インピーダンス領域は、二酸化ケイ素からなる請求項1に記載の弾性波デバイス。
  9. 前記第2音響インピーダンス領域は、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ケイ素または炭化ケイ素からなる請求項1に記載の弾性波デバイス。
  10. 前記支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる請求項1に記載の弾性波デバイス。
  11. 請求項1から10のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを備えるモジュール。


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