JP2025002490A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】残像の発生を充分に抑制でき、しかも反射モードの表示が可能なインセル型タッチパネルとしても有用な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第一の基板と、第一の基板に対向する第二の基板と、第一の基板と第二の基板との間に設けられた液晶層と、を備え、マトリクス状に配列された複数の画素を有し、第一の基板は、光を反射する反射層と、液晶層に横電界を生成し得る第一の電極及び第二の電極と、液晶層に接する第一の水平配向膜と、を有し、第一の電極及び第二の電極のうち少なくとも一方は、複数の帯状部と、複数の帯状部のうち互いに隣接する２つの帯状部間に位置するスリットと、を有し、各画素において、複数の帯状部は、互いに略平行に、かつ同一方向に延びる直線形状からなり、屈曲部を含まず、第二の基板は、液晶層に接する第二の水平配向膜を有し、液晶層は、電圧無印加時にツイスト配向をとる、液晶表示装置。
【選択図】図１

Description

以下の開示は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、表示のために液晶材料を利用する表示装置であり、表示方式により一般に、透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置とに大別される。透過型液晶表示装置は、画面背面のバックライト光による透過光を利用した透過モードの表示を行う装置であり、反射型液晶表示装置は、バックライト光の代わりに外光（周囲光とも称す）を利用した反射モードの表示を行う装置である。これらの特徴を併せ持つ表示装置として、各画素内に透過モードで表示を行う領域と反射モードで表示を行う領域とを有する半透過型液晶表示装置も提案されている（例えば特許文献１参照）。

液晶表示装置はまた、液晶の駆動方式によっても大別でき、例えば、基板面に略垂直な方向の電界により液晶層を駆動して表示を行う縦電界方式の液晶表示装置と、基板面に略平行な方向の電界により液晶層を駆動して表示を行う横電界方式の液晶表示装置とが知られている。縦電界方式としては例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等が例示され、横電界方式としては、ＩＰＳ（In-plane Switching）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード等が例示される。例えば特許文献２には、横電界方式の液晶表示装置として好適な液晶ディスプレイが開示されている。この液晶ディスプレイは、プロセスのばらつきに起因する不具合の抑制と、表示性能の向上とが可能であり、特に透過型液晶表示装置として有用である。

特許第５７６７１９５号公報 特許第５７５６８６０号公報

ところで近年、スマートフォンやタブレット等に使用される液晶表示装置には通常、タッチセンサ機能が付与されている。タッチセンサの方式としては、抵抗膜式、静電容量式、光学式等の種々の方式が知られている。タッチセンサを備える液晶表示装置（タッチパネルとも称す）には、タッチセンサを外付けする方式（外付け型）と、タッチセンサを内蔵する方式（内蔵型）とがあり、内蔵型タッチパネルは、外付け型タッチパネルよりも狭額縁化、薄型化及び軽量化等に有利であり、光の透過率を高められるという利点も有する。

内蔵型タッチパネルには、オンセル型とインセル型とがある。セルとは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板に代表されるアクティブマトリクス基板と、該基板に対向するように配置された対向基板と、これらの基板間に矜持された液晶層とを備える表示パネル（液晶パネルとも称す）を意味するが、通常、インセル型では、表示パネル内にタッチセンサ機能を担う層が配置され、オンセル型では、タッチセンサ機能を担う層が、表示パネルと、表示パネルの観察面側に設けられた偏光板との間に配置される。このうちインセル型は、原理的に最も薄く軽いタッチパネルを実現できる。また、反射モードの表示が可能な液晶表示装置は、屋外での利用に適しているため、反射モードの表示が可能なインセル型タッチパネルが求められているものの、未だ実現していないのが現状である。

実現していない理由は、現行の反射型液晶表示装置では、対向基板側に、液晶層に電圧を印加するための一対の電極のうち一方（対向電極又は共通電極とも称される）が配置されることにあると考えられる。そこで本発明者らは、ＦＦＳモード等の横電界方式であれば一対の電極が両方ともアクティブマトリクス基板側にのみ設けられるため、反射モードの表示が可能なインセル型タッチパネルを実現できると考え、横電界方式の液晶表示装置について鋭意検討を進めた。

即ち具体的には、モバイル機種のＴＦＴ基板を用いて、ＴＦＴ基板側に液晶層に電圧を印加するための画素電極及び共通電極を配置し、かつ共通電極を、スリット状の開口部を有するスリット電極とし、更にネガ型の液晶材料を用いて、反射モードの表示が可能なＦＦＳモードの装置を作製した（後述の検証例１参照）。このような装置では、画素端部の電界の影響によって配向乱れが発生するため、通常は、スリット電極を構成する帯状部を、直線が途中で折れ曲がったような形状とする。この装置を白表示状態とし、その状態の装置に黒色の文字を書き込んだ後、書き込んだ文字を消去する（即ち白表示状態に戻す）という操作を行うと、文字の残像が焼き付きのように視認された（図２０Ｃ参照）。このような残像は、通常の画面操作や動画再生時にも発生し得る。従って、このような装置は残像が発生するという課題を有する。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、残像の発生を充分に抑制でき、しかも反射モードの表示が可能なインセル型タッチパネルとしても有用な液晶表示装置を提供することを目的とする。

（１）本発明の一実施形態は、第一の基板と、上記第一の基板に対向する第二の基板と、上記第一の基板と上記第二の基板との間に設けられた液晶層と、を備え、マトリクス状に配列された複数の画素を有する液晶表示装置であって、上記第一の基板は、光を反射する反射層と、上記液晶層に横電界を生成し得る第一の電極及び第二の電極と、上記液晶層に接する第一の水平配向膜と、を有し、上記第一の電極及び上記第二の電極のうち少なくとも一方は、複数の帯状部と、上記複数の帯状部のうち互いに隣接する２つの帯状部間に位置するスリットと、を有し、各画素において、上記複数の帯状部は、互いに略平行に、かつ同一方向に延びる直線形状からなり、屈曲部を含まず、上記第二の基板は、上記液晶層に接する第二の水平配向膜を有し、上記液晶層は、電圧無印加時にツイスト配向をとる、液晶表示装置。

（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、上記複数の帯状部は、切欠き部を含まない、液晶表示装置。

（３）また、本発明のある実施形態は、上記（１）又は（２）の構成に加え、上記複数の帯状部が延びる方向は、少なくとも隣接する画素において、又は、表示領域において、同一である、液晶表示装置。

（４）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）又は上記（３）の構成に加え、上記液晶層は、ポジ型の液晶材料を含む、液晶表示装置。

（５）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）又は上記（３）の構成に加え、上記液晶層は、ネガ型の液晶材料を含む、液晶表示装置。

（６）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）又は上記（５）の構成に加え、電圧無印加時における上記液晶層のツイスト角は、５８．３°以上８９．９°以下である、液晶表示装置。

（７）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）又は上記（６）の構成に加え、シングルドメイン配向である、液晶表示装置。

（８）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）又は上記（７）の構成に加え、電圧無印加時の上記第一の基板側の上記液晶分子の配向方向は、上記複数の帯状部が延びる方向を基準（０°）として、－３０°以上３０°以下である、液晶表示装置。

（９）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）又は上記（８）の構成に加え、上記複数の帯状部は、平面視での帯状部１個あたりの幅Ｌと、平面視でのスリット１個あたりの幅Ｓとの比Ｌ／Ｓが、０．４～０．７／１である、液晶表示装置。

（１０）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）又は上記（９）の構成に加え、更に、上記第一の基板及び／又は上記第二の基板の外側に配置された偏光板と、上記基板と上記偏光板との間に配置された位相差層と、を備える、液晶表示装置。

（１１）また、本発明のある実施形態は、上記（１０）の構成に加え、上記液晶層は、ポジ型の液晶材料を含み、上記偏光板は、吸収型偏光板であり、上記偏光板の光吸収軸は、上記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、５°以上３５°以下である、液晶表示装置。

（１２）また、本発明のある実施形態は、上記（１０）又は上記（１１）の構成に加え、上記液晶層は、ポジ型の液晶材料を含み、上記位相差層は、λ／２板を含み、上記λ／２板の面内遅相軸は、上記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、２５°以上５０°以下である、液晶表示装置。

（１３）また、本発明のある実施形態は、上記（１０）、上記（１１）又は上記（１２）の構成に加え、上記液晶層は、ポジ型の液晶材料を含み、上記位相差層は、λ／４板を含み、上記λ／４板の面内遅相軸は、上記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、４５°以上７０°以下である、液晶表示装置。

（１４）また、本発明のある実施形態は、上記（１０）の構成に加え、上記液晶層は、ネガ型の液晶材料を含み、上記偏光板は、吸収型偏光板であり、上記偏光板の吸収軸は、上記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、－８５°以上－５５°以下である、液晶表示装置。

（１５）また、本発明のある実施形態は、上記（１０）又は上記（１４）の構成に加え、上記液晶層は、ネガ型の液晶材料を含み、上記位相差層は、λ／２板を含み、上記λ／２板の面内遅相軸は、上記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、－６５°以上－４０°以下である、液晶表示装置。

（１６）また、本発明のある実施形態は、上記（１０）、上記（１４）又は上記（１５）の構成に加え、上記液晶層は、ネガ型の液晶材料を含み、上記位相差層は、λ／４板を含み、上記λ／４板の面内遅相軸は、上記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、－４０°以上－１５°以下である、液晶表示装置。

（１７）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）、上記（１３）、上記（１４）、上記（１５）又は上記（１６）の構成に加え、ノーマリーブラックモードで表示を行う、液晶表示装置。

（１８）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）、上記（１３）、上記（１４）、上記（１５）、上記（１６）又は上記（１７）の構成に加え、上記第一の電極又は上記第二の電極のうち一方は、上記複数の画素の各々に設けられた画素電極であり、他方は、タッチセンサ電極として各々機能し得る複数のセグメントを含む共通電極であり、上記第一の基板は、対応する上記タッチセンサ電極に各々接続された複数のタッチ配線を有する、液晶表示装置。

（１９）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）、上記（１３）、上記（１４）、上記（１５）、上記（１６）、上記（１７）又は上記（１８）の構成に加え、更に、光源を備える、液晶表示装置。

本発明によれば、残像の発生を充分に抑制でき、残像の発生を充分に抑制でき、しかも反射モードの表示が可能なインセル型タッチパネルとしても有用な液晶表示装置を提供することができる。

実施形態１の一例の液晶表示装置１の断面模式図である。 実施形態１の一例の液晶表示装置１をより具体的に示した断面模式図である。 実施形態１の一例の液晶表示装置１の全体を、観察面側から見たときの平面模式図である。 ポジ型の液晶分子のスリット角度を説明するための図である。 ネガ型の液晶分子のスリット角度を説明するための図である。 画素の構造例を示す平面模式図である（角度Ｘは０°）。 画素の配列例を示す平面模式図である（角度Ｘは０°）。 画素の配列例を示す平面模式図である（角度Ｘは－１０°）。 画素の配列例を示す平面模式図である（角度Ｘは＋１０°）。 画素の配列例を示す平面模式図である（角度Ｘは－９０°）。 画素の配列例を示す平面模式図である（角度Ｘは－１００°）。 画素の配列例を示す平面模式図である（角度Ｘは－８０°）。 液晶表示装置１が備えるタッチセンサ電極ＴＸ及びタッチ配線ＴＬの配置関係を例示する平面模式図である。 実施形態１の変形例１の液晶表示装置１をより具体的に示した断面模式図である。 実施形態２の一例の液晶表示装置１の断面模式図である。 実施形態２の一例の液晶表示装置１をより具体的に示した断面模式図である。 背面側から順に、第一の基板１０と、液晶層２０と、第二の基板３０と、λ／４板４１と、λ／２板４２と、偏光板５０と、を備える液晶表示装置１において、電圧無印加時における液晶層２０が有する液晶分子２１の長軸方向と、λ／４板４１の面内遅相軸４１ＳＡと、λ／２板４２の面内遅相軸４２ＳＡと、偏光板５０の偏光軸５０ＡＡと、の関係を、概念的に示す平面図である。 背面側から順に、第一の基板１０と、液晶層２０と、第二の基板３０と、λ／４板４１と、λ／２板４２と、偏光板５０と、を備える液晶表示装置１において、電圧無印加時における液晶層２０が有する液晶分子２１の長軸方向と、λ／４板４１の面内遅相軸４１ＳＡと、λ／２板４２の面内遅相軸４２ＳＡと、偏光板５０の偏光軸５０ＡＡと、の関係を、概念的に示す平面図である。 実施形態２の変形例１の液晶表示装置１をより具体的に示した断面模式図である。 実施形態３の一例の液晶表示装置１の断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置１において、各画素Ｐが、反射領域Ｒｆと透過領域Ｔｒとを有することを概念的に示す平面模式図である。 実施形態４の一例の液晶表示装置１の断面模式図である。 検証例１で作製した装置の断面模式図である。 試験例１、２で想定した装置の断面模式図である。 ＴＦＴ基板側の画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとのみを、平面的に図示したＣＡＤ図である。 検証例１にて、装置内部を顕微鏡で観察した画像（平面画像）である。 検証例１にて、装置の初期状態を観察面側から撮影した平面写真である。 検証例１にて、初期状態の装置に黒色の文字を書き込んだ状態を観察面側から撮影した平面写真である。 検証例１にて、書き込んだ文字を消去した状態を観察面側から撮影した平面写真である。 画素中央部（ａ）と画素端（ｂ）とで、液晶分子２１（ネガ液晶）の回転方向が異なることを概念的に示す平面図である。 図１８に、液晶分子２１の回転方向を示す概念図を重ね合わせた図である。 図１９に、液晶分子２１の回転方向を示す概念図を重ね合わせた図である。 試験例１のシミュレーション結果（（ａ）参照）と、当該結果を基に複数の帯状部ＳＰを概念的に示した図（（ｂ）参照）である。 試験例２のシミュレーション結果（（ａ）参照）と、当該結果を基に複数の帯状部ＳＰを概念的に示した図（（ｂ）参照）である。 試験例３及び４で想定した装置が含む液晶パネル１Ｘの断面模式図である。 画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの電極構造を概念的に示す模式図である。 試験例３で用いた各光学フィルムの軸設定を概念的に示す平面図である。 試験例４で用いた各光学フィルムの軸設定を概念的に示す平面図である。 試験例３の結果を示すグラフである。 試験例４の結果を示すグラフである。 試験例５で用いた各光学フィルムの軸設定を概念的に示す平面図である。 試験例６で用いた各光学フィルムの軸設定を概念的に示す平面図である。 試験例５の結果を示すグラフである。 試験例６の結果を示すグラフである。

（用語の定義）
本明細書中、観察面側とは、液晶表示装置の画面（表示面）に対してより近い側を意味し、背面側とは、液晶表示装置の画面（表示面）に対してより遠い側を意味する。

電圧無印加状態とは、液晶層への印加電圧が閾値電圧未満（電圧無印加を含む）である状態を意味する。電圧印加状態とは、液晶層への印加電圧が閾値電圧以上である状態を意味する。本明細書において、電圧無印加状態を電圧無印加時とも称し、電圧印加状態を電圧印加時とも称す。

極角とは、対象となる方向（例えば測定方向）と、液晶パネルの画面の法線方向とのなす角度を意味する。
方位は、対象となる方向を液晶パネルの画面上に射影したときの方向を意味し、基準となる方位との間のなす角度（方位角）で表現される。ここで、基準となる方位（０°）は、液晶パネルの画面の水平右方向に設定される。
角度及び方位角は、基準となる方位から反時計回りを正の角度、基準となる方位から時計回りを負の角度とする。反時計回り及び時計回りは、いずれも液晶パネルの画面を観察面側（正面）から見たときの回転方向を表す。また、角度は、液晶パネルの画面を平面視した状態で測定された値を表し、回転方向等の断りのない限り、鋭角の角度を意味する。

光学フィルムの軸方位は、偏光板であれば偏光板の偏光軸の方位を意味し、位相差層であれば遅相軸の方位を意味する。偏光板の偏光軸とは、吸収型偏光板であれば吸収軸を意味し、反射型偏光板であれば反射軸を意味する。位相差層の軸方位とは、特に断りのない限り、位相差層の面内遅相軸の方位を意味する。

位相差層とは、少なくとも面内リタデーション（面内位相差とも称す）Ｒｅと厚み方向リタデーション（厚み方向位相差とも称す）Ｒｔｈとのいずれかが、１０ｎｍ以上の値を有する層を意味する。好ましくは、２０ｎｍ以上の値を有するものを意味する。なお、本明細書中、Ｒｅ及びＲｔｈとして記載する数値は、特に断りのない限り、絶対値である。

面内位相差Ｒｅは、Ｒｅ＝（ｎｘ－ｎｙ）×ｄで定義される。
厚み方向位相差Ｒｔｈは、Ｒｔｈ＝｛ｎｚ－（ｎｘ＋ｎｙ）／２｝×ｄで定義される。
ｎｘは、各位相差層の面内における遅相軸方向の主屈折率を表す。
ｎｙは、各位相差層の面内における進相軸方向の主屈折率を表す。
ｎｚは、各位相差層の面に対して垂直方向の主屈折率を表す。
遅相軸方向とは、屈折率が最大となる方位であり、進相軸方向とは、屈折率が最小となる方位である。ｄは、位相差層の厚みを示す。

Ａプレートとは、「ｎｘ＞ｎｙ≒ｎｚ」を満たす位相差板である。

屈折率や位相差等の光学パラメータの測定波長は、特に断りのない限り、５５０ｎｍとする。

略平行とは、両者のなす角度（絶対値）が０°±１０°の範囲内であることを意味し、この角度は、０°±５°の範囲内であることが好ましく、０°であること（即ち狭義の平行を意味する。）がより好ましい。また、略直交（又は略垂直）とは、両者のなす角度（絶対値）が９０°±１０°の範囲内の角度をなすことを意味し、この角度は、９０°±５°の範囲内であることが好ましく、９０°であること（即ち狭義の直交又は垂直を意味する。）がより好ましい。

以下、本発明の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。本発明は、以下の実施形態に記載された内容に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で適宜設計変更を行うことが可能である。

（実施形態１）
図１は、本実施形態の一例の液晶表示装置１の断面模式図であり、図２は、本実施形態の一例の液晶表示装置１をより具体的に示した断面模式図である。図３は、本実施形態の一例の液晶表示装置１の全体を、観察面側から見たときの平面模式図である。図１に示すように、液晶表示装置１は、背面側から順に、第一の基板１０と、液晶層２０と、第二の基板３０と、を備える。本実施形態では、第一の基板１０としてＴＦＴ基板を用いる。なお、第一の基板１０と第二の基板３０との間に液晶層２０を挟持した構造からなる部分又は構造体を、液晶パネル１Ｘとも称す。

液晶表示装置１は、図３に示すように、マトリクス状に配列された複数の画素Ｐを有する。複数の画素Ｐは、典型的には、赤色画素、緑色画素及び青色画素の３種類の画素を含むが、画素の種類は２種類以下であってもよいし、４種類以上であってもよい。各画素Ｐは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１０と、液晶層２０に横電界を生成し得る第一の電極１２１及び第二の電極１２２と、を含む。ＴＦＴ１１０のゲート電極は、対応するゲート配線（走査配線とも称す）ＧＬに電気的に接続され、ＴＦＴ１１０のソース電極は、対応するソース配線（信号配線とも称す）ＳＬに電気的に接続されている。ＴＦＴ１１０のドレイン電極は、第二の電極１２２に電気的に接続されている。

＜第一の基板＞
第一の基板１０は、図２に示すように、背面側から観察面側に向かって順に、光を反射する反射層１３０と、第一の電極１２１と、第二の電極１２２と、液晶層２０に接する第一の水平配向膜１４０と、を有する。第一の基板１０は更に、反射層１３０の背面側に、支持基板１００と、バックプレーン回路ＢＰと、を有することが好ましい。各層等の間には、必要に応じて絶縁層（絶縁膜とも称す）が設けられる。例えばバックプレーン回路ＢＰを覆うように第一の層間絶縁層１５１が設けられ、第一の層間絶縁層１５１上に反射層１３０を挟んで第二の層間絶縁層１５２が設けられ、第一の電極１２１と第二の電極１２２との間には、誘電体層（第三の層間絶縁層とも称す）１５３が設けられる。

支持基板１００は、透明で絶縁性を有することが好ましく、支持基板１００としては例えば、ガラス基板やプラスチック基板が例示される。

バックプレーン回路ＢＰは、支持基板１００上に設けられる。バックプレーン回路ＢＰは、複数の画素Ｐを駆動するための回路であって、ＴＦＴ１１０、ゲート配線ＧＬ及びソース配線ＳＬ等を備える。なお、通常はゲート絶縁膜１５０Ｇも備える。

ＴＦＴ１１０は、複数の画素Ｐのそれぞれに設けられる。ＴＦＴ１１０としては、活性層として酸化物半導体層を含むもの（これを酸化物半導体ＴＦＴとも称す）が好適である。酸化物半導体層に含まれる酸化物半導体は、近年、アモルファスシリコンや多結晶シリコンに代わる活性層材料として注目されており、アモルファスシリコンよりも高い移動度を有する。それゆえ、酸化物半導体ＴＦＴは、アモルファスシリコンＴＦＴよりも高速で動作することが可能である。また、酸化物半導体層は、多結晶シリコン層よりも簡便なプロセスで形成されるため、大面積が必要とされる装置にも適用できる。

酸化物半導体ＴＦＴは、オフリーク特性にも優れているため、画像の書き換え頻度を低下させて表示を行う駆動方式を利用することもできる。例えば、静止画表示時等には、１秒に１回の頻度で画像データを書き換えるように動作させることができる。このような駆動方式は、休止駆動又は低周波駆動等と呼ばれ、液晶表示装置の消費電力を大幅に削減することが可能である。休止駆動を採用し、画像の書き換えが行われない期間にタッチ検出を行うことにより、駆動回路からのノイズによるタッチ操作の感度の低下を抑制でき、Ｓ／Ｎ比（信号対雑音比）を例えば従来の約１０倍にすることができる。

酸化物半導体ＴＦＴはまた、ＴＦＴサイズの小型化にも有利であるため、画素Ｐごとにメモリ回路が設けられる構成（ＭＩＰ（Memory In Pixels）とも称す）も好適に実現することができる。

酸化物半導体は、アモルファス酸化物半導体であってもよく、結晶質部分を有する結晶質酸化物半導体であってもよい。結晶質酸化物半導体としては、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質酸化物半導体等が挙げられる。

酸化物半導体層は、単層であってもよいし、２層以上の積層構造を有していてもよい。積層構造を有する酸化物半導体層は、アモルファス酸化物半導体層と結晶質酸化物半導体層とを含んでもよいし、結晶構造の異なる複数の結晶質酸化物半導体層を含んでもよいし、複数のアモルファス酸化物半導体層を含んでもよい。酸化物半導体層が上層と下層とを含む２層構造を有する場合、下層に含まれる酸化物半導体のエネルギーギャップと、上層に含まれる酸化物半導体のエネルギーギャップとは、異なっていてもよい。

アモルファス酸化物半導体及び各結晶質酸化物半導体の材料や構造、成膜方法、並びに、積層構造を有する酸化物半導体層の構成等は、例えば特開２０１４－００７３９９号公報に記載されている。参考のために、特開２０１４－００７３９９号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。

酸化物半導体層として具体的には、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）及びＺｎ（亜鉛）のうち少なくとも１種の金属元素を含むことが好適である。中でも、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの三元系酸化物を含む酸化物半導体膜であることがより好ましい。Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの三元系酸化物としては例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛が好ましく例示される。Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの三元系酸化物を含む半導体は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体と称されるが、この半導体において、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等が例示される。

Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質でもよい。結晶質のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向したものが好適である。

結晶質のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体の結晶構造は、例えば、特開２０１４－００７３９９号公報、特開２０１２－１３４４７５号公報、特開２０１４－２０９７２７号公報などに開示されている。参考のために、特開２０１２－１３４４７５号公報および特開２０１４－２０９７２７号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（ａ－ＳｉＴＦＴに比べ２０倍超）及び低いリーク電流（ａ－ＳｉＴＦＴに比べ１００分の１未満）を有するため、駆動ＴＦＴ（例えば、複数の画素を含む表示領域の周辺に、表示領域と同じ基板上に設けられる駆動回路に含まれるＴＦＴ）及び画素ＴＦＴ（画素に設けられるＴＦＴ）として好適に用いられる。

酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体以外の酸化物半導体を含んでもよい。例えば、Ｉｎ、Ｓｎ（スズ）及びＺｎの三元系酸化物が挙げられ、例えば、Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２－ＺｎＯ；ＩｎＳｎＺｎＯが好ましく例示される。Ｉｎ、Ｓｎ及びＺｎの三元系酸化物を含む半導体は、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体と称される。あるいは、酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ａｌ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドミウム）、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｏ系半導体、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｈｆ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｏ系半導体等を含んでいてもよい。

第一の層間絶縁層１５１は、バックプレーン回路ＢＰを覆うように設けられる。第一の層間絶縁層１５１の反射層１３０側の表面は、凹凸形状（凹凸表面構造とも称す）を有することが好ましい。これにより、反射層１３０は、この形状が反映された凹凸表面構造を有することができる。凹凸表面構造を有する第一の層間絶縁層１５１は、例えば、特許第３３９４９２６号公報に記載のように感光性樹脂を用いて好適に形成され得る。

反射層（反射膜とも称す）１３０は、第一の層間絶縁層１５１上に設けられる。反射層１３０は、光を反射する材料から形成される。中でも、反射率の高い金属材料から形成されることが好ましい。反射層１３０の材料としては例えば、銀合金、アルミニウム合金、アルミニウム合金等が挙げられる。

反射層１３０は、第一の層間絶縁層１５１が好ましく有する凹凸表面構造が反映された凹凸形状を有することが好ましい。即ち反射層１３０もまた、凹凸表面構造を有することが好適である。この凹凸表面構造は、ＭＲＳ（Micro Reflective Structure）とも称され、周囲光を拡散反射してペーパーホワイトに近い白表示を実現するために設けられる。凹凸表面構造は、例えば、隣接する凸部ｐの中心間隔が５μｍ以上５０μｍ以下となるように、ランダムに配置された複数の凸部ｐから構成されることが好ましい。隣接する凸部ｐの中心間隔は、より好ましくは１０μｍ以上２０μｍ以下である。凸部ｐの形状は、支持基板の法線方向から見て略円形又は略多角形であることが好適である。一つの画素Ｐに占める凸部ｐの面積は、例えば約２０～４０％であることが好ましく、凸部ｐの高さは、例えば１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

反射層１３０を備え、かつ広帯域λ／４条件の位相差層を導入することで、反射型の液晶表示装置特有の偏光変換（例えば円偏光と直線偏光との変換）が可能になるため、光のロスが充分に低減される。広帯域λ／４条件とは、可視波長内の広い範囲で円偏光に近い偏光が得られる条件である。

第二の層間絶縁層１５２は、反射層１３０を覆うように、第一の層間絶縁層１５１上に設けられる。即ち第一の層間絶縁層１５１と第二の層間絶縁層１５２との間に、反射層１３０が配置される。

ここで、第一の層間絶縁層１５１及び第二の層間絶縁層１５２としては、有機絶縁材料や無機絶縁材料から形成することが好ましい。例えば有機絶縁材料を用いて得た有機絶縁膜としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜（比誘電率ε＝２～５）や、これらの積層体が挙げられる。有機絶縁膜の膜厚は特に限定されないが、例えば２μｍ以上、４μｍ以下である。無機絶縁材料を用いて得た無機絶縁膜としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等の無機膜（比誘電率ε＝５～７）や、これらの積層膜が挙げられる。無機絶縁膜の膜厚は特に限定されないが、例えば１５００Å以上、３５００Å以下である。また、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層体であってもよい。中でも、第一の層間絶縁層１５１及び第二の層間絶縁層１５２は、有機絶縁膜であることが好適である。

第一の電極１２１は、第二の層間絶縁層１５２を介して反射層１３０上に配置され、第一の電極１２１と第二の電極１２２との間に誘電体層１５３が配置されている。従って、反射層１３０は、第一の電極１２１及び第二の電極１２２に対して、液晶層２０とは反対側（即ち第一の電極１２１及び第二の電極１２２よりも背面側）に位置する。なお、第一の電極１２１及び第二の電極１２２のうち、本実施形態では第二の電極１２２が相対的に観察面側に位置し、第一の電極１２１が背面側に位置する。相対的に観察面側に位置する電極を上層電極とも称し、相対的に背面側に位置する電極を下層電極とも称する。

第一の電極１２１及び第二の電極１２２のうち一方は、画素電極ＰＥであり、他方は共通電極ＣＥである。画素電極は、複数の画素Ｐのそれぞれに設けられている。画素電極は、バックプレーン回路ＢＰに電気的に接続されている。本実施形態では、第一の電極１２１（下層電極）が共通電極ＣＥであり、第二の電極１２２（上層電極）が画素電極ＰＥである。

第一の電極１２１及び第二の電極１２２のうち少なくとも一方は、複数の帯状部ＳＰと、当該複数の帯状部のうち互いに隣接する２つの帯状部間に位置するスリットＳｌと、を有する。帯状部ＳＰは電極部に相当し、スリットＳｌは開口部に相当するが、このような電極をスリット電極又はフィンガー電極とも称す。横電界を生成しやすくする観点から、少なくとも上層電極（本実施形態では画素電極ＰＥ）が、スリット電極であることが好適である。この場合、下層電極（本実施形態では共通電極ＣＥ）は、面状の電極、即ちいわゆるベタ電極であってもよいし、スリット電極であってもよい。

各画素Ｐにおいて、スリット電極（本実施形態では、画素電極ＰＥである第二の電極１２２）を構成する複数の帯状部ＳＰは、互いに略平行に、かつ同一方向に延びる直線形状からなり、屈曲部を含まない。これにより、液晶分子の配向が均一になり、配向乱れの発生が充分に抑制される。

ここで、帯状部ＳＰが「直線形状からなり、屈曲部を含まない」とは、帯状部ＳＰの外縁ではなく、帯状部ＳＰの中心線が、屈曲していない直線形状であることを意味する。帯状部ＳＰの中心線とは、帯状部ＳＰを幅方向に二等分割する線を意味する。幅方向とは、平面視で、帯状部ＳＰが延びる方向に略垂直な方向を意味する。従って、帯状部ＳＰの先端部の外縁が円状であったとしても、帯状部ＳＰの中心線が屈曲していない直線であれば、「直線形状からなり、屈曲部を含まない」形状に含まれる。比較のため、帯状部ＳＰが屈曲部を含む場合の形状を図２４Ａの（ｂ）に示し、屈曲部を含まない場合の形状を図２４Ｂの（ｂ）に示す。

帯状部ＳＰはまた、切欠き部を含まないことが好適である。これにより、配向乱れの発生がより一層抑制される。「帯状部ＳＰが切欠き部を含まない」とは、帯状部ＳＰの一部が切り抜かれたり抜き落されたりすることがないことを意味する。

各画素Ｐにおいて、複数の帯状部ＳＰが延びる方向（複数の帯状部ＳＰの延伸方向とも称す）は、互いに略平行である。また、複数の帯状部ＳＰの延伸方向は、画素ごとに異なってもよいが、隣接する２以上の画素において同一であることが好ましい。中でも、複数の帯状部ＳＰの延伸方向は、少なくとも隣接する画素において同一であることが、画像品位及び製造上の観点からより好ましい。後述する図６Ａ～図６Ｆはそれぞれ、複数の帯状部ＳＰの延伸方向が、隣接する画素で同一である例を示している。複数の帯状部ＳＰの延伸方向はまた、表示領域において同一であることも、より好適である。

各帯状部ＳＰの幅Ｌは、例えば、０．３～１０μｍとすることが好ましい。より好ましくは１～５μｍである。互いに隣接する２つの帯状部ＳＰの間隔（即ち各帯状部の中心線の間隔）も、例えば、０．３～１０μｍとすることが好ましい。より好ましくは１～５μｍである。

平面視での帯状部１個あたりの幅Ｌと、平面視でのスリット１個あたりの幅Ｓとの比Ｌ／Ｓ（Ｌ／Ｓ条件とも称す）は、０．４～０．７／１であることが好ましい。これにより、白表示の反射率（白反射率とも称す）が向上し、よってコントラスト比がより向上する。

ここで、電圧無印加時の第一の基板１０側の液晶分子２１の配向方向は、複数の帯状部ＳＰの延伸方向を基準（０°）として、－３０°以上３０°以下であることが好適である。この角度、即ち、複数の帯状部ＳＰの延伸方向を基準（０°）として、時計回りに回転した角度を正の角度（＋）、反時計回りに回転した角度を負の角度（－）としたときに、電圧無印加時の第一の基板１０側の液晶分子２１の配向方向がなす角度を、スリット角度と称する。スリット角度の定義について、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明する。図４Ａは、ポジ型の液晶分子のスリット角度を説明するための図であり、図４Ｂは、ネガ型の液晶分子のスリット角度を説明するための図である。液晶分子２１Ａは、第一の水平配向膜１４０近傍の液晶分子２１（即ち電圧無印加時の第一の基板１０側の液晶分子）を意味し、液晶分子の符号の語尾に付した（ｐ）はポジ型を、（ｎ）はネガ型を、それぞれ意味する。

ポジ型の液晶分子の場合、電圧無印加時の第一の基板１０側の液晶分子２１Ａの配向方向は、当該液晶分子２１Ａの長軸方向に該当する。当該液晶分子２１Ａの長軸方向と、複数の帯状部ＳＰの延伸方向とが平行である場合、スリット角度は０°である（図４Ａの「０°」欄を参照）。当該液晶分子２１Ａの長軸方向を基準（０°）として、複数の帯状部ＳＰの延伸方向が時計回りに回転している場合、スリット角度は正の角度（＋）となる（図４Ａの「正（＋）」欄を参照）。当該液晶分子２１Ａの長軸方向を基準（０°）として、複数の帯状部ＳＰの延伸方向が反時計回りに回転している場合、スリット角度は負の角度（－）となる（図４Ａの「負（－）」欄を参照）。

ネガ型の液晶分子の場合、電圧無印加時の第一の基板１０側の液晶分子２１Ａの配向方向は、当該液晶分子２１Ａの短軸方向に該当する。当該液晶分子２１Ａの短軸方向と、複数の帯状部ＳＰの延伸方向とが平行である場合、スリット角度は０°である（図４Ｂの「０°」欄を参照）。当該液晶分子２１Ａの短軸方向を基準（０°）として、複数の帯状部ＳＰの延伸方向が時計回りに回転している場合、スリット角度は正の角度（＋）となる（図４Ｂの「正（＋）」欄を参照）。当該液晶分子２１Ａの短軸方向を基準（０°）として、複数の帯状部ＳＰの延伸方向が反時計回りに回転している場合、スリット角度は負の角度（－）となる（図４Ｂの「負（－）」欄を参照）。

従って、スリット角度とは、複数の帯状部の延伸方向を基準（０°）として、電圧無印加時の第一の基板１０側の液晶分子２１Ａにおいて誘電率の絶対値が大きい方の軸がなす角度と言うこともできる。

スリット角度の好適な範囲は、各帯状部ＳＰの幅Ｌと各スリットＳｌの幅Ｓとの条件（Ｌ／Ｓ条件とも称す）や、ツイスト角、液晶材料がポジ型であるかネガ型であるか等によっても異なる。特にモノドメイン構造では、Ｌ／Ｓ条件によって最適なスリット角度を選択することで、反射率（特に白反射率）を最大化することができる。

例えばポジ型の液晶材料を用いる場合であって、ツイスト角が７４°である場合、Ｌ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．５３７／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－２５°～＋１８°であり、より好ましい範囲は－１８°～＋９°であり、更に好ましい範囲は－１１．５°～＋２°である（後述の試験例３－１を参照）。Ｌ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．５３３／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－１８°～＋１４°であり、より好ましい範囲は－１１°～＋９°であり、更に好ましい範囲は－９．５°～０°である（後述の試験例３－２を参照）。Ｌ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．６／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－２５°～＋１３°であり、より好ましい範囲は－１３°～＋５°である（後述の試験例３－３を参照）。

例えばネガ型の液晶材料を用いる場合であって、ツイスト角が７４°である場合、Ｌ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．５３７／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－３０°～＋５°であり、より好ましい範囲は－２８°～－３°である（後述の試験例４－１を参照）。Ｌ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．５３３／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－２５°～＋３°であり、より好ましい範囲は－１５°～－７°である（後述の試験例４－２を参照）。Ｌ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．６／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－３０°～０°であり、より好ましい範囲は－２２°～－１０°である（後述の試験例４－３を参照）。

例えばポジ型の液晶材料を用いる場合であって、ツイスト角が８３°である場合、Ｌ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．５３７／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－２７°～＋１６°であり、より好ましい範囲は－１８°～＋１０°であり、更に好ましい範囲は－１１．５°～０°である（後述の試験例５－１を参照）。Ｌ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．５３３／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－２０°～＋１３°であり、より好ましい範囲は－１２°～＋７°であり、更に好ましい範囲は－９．５°～０°である（後述の試験例５－２を参照）。Ｌ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．６／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－２７°～＋１３°であり、より好ましい範囲は－１８°～＋８°である（後述の試験例５－３を参照）。

例えばネガ型の液晶材料を用いる場合であって、ツイスト角が８３°である場合、Ｌ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．５３７／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－３０°～＋５°であり、より好ましい範囲は－３０°～－７°であり、更に好ましい範囲は－１９°～－１２°である（後述の試験例６－１を参照）。Ｌ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．５３３／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－３０°～＋３°であり、より好ましい範囲は－１５°～－５°である（後述の試験例６－２を参照）。Ｌ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０（即ち、Ｌ／Ｓ＝０．６／１）の条件下では、スリット角度の好ましい範囲は－３０°～＋２°であり、より好ましい範囲は－３０°～－５°である（後述の試験例６－３を参照）。

図５及び図６Ａに、ソース配線ＳＬの延設方向を基準（０°）として、時計回りに回転した角度を正の角度（＋）、反時計回りに回転した角度を負の角度（－）としたときに、複数の帯状部ＳＰの延伸方向（この角度を角度Ｘと称す。）が０°である例を示す。また、角度Ｘが－１０°、＋１０°、－９０°、－１００°、－８０°である例を、それぞれ図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、図６Ｅ、図６Ｆとして示す。角度Ｘが０°である態様（図５及び図６Ａ参照）は、複数の帯状部ＳＰの延伸方向がソース配線ＳＬの延設方向に平行である態様に該当し、－９０°である態様（図６Ｄ参照）は、複数の帯状部ＳＰの延伸方向がゲート配線ＧＬの延設方向に平行である態様に該当する。

図５及び図６Ａ～図６Ｆは、画素の具体例を模式的に示す平面模式図である。このうち図５は、画素の構造例を示す平面模式図であり、図６Ａ～図６Ｆは、画素の配列例を示す平面模式図である。図６Ａ～図６Ｆには、液晶分子２１のツイスト配向も示した。液晶分子２１Ａは、第一の水平配向膜１４０近傍の液晶分子２１（即ち電圧無印加時の第一の基板１０側の液晶分子）を意味し、液晶分子２１Ｂは、第二の水平配向膜３４０近傍の液晶分子２１（即ち電圧印加時の第二の基板３０側の液晶分子）を意味する。各液晶分子の符号の語尾に付した（ｐ）はポジ型を、（ｎ）はネガ型を、それぞれ意味する。

ところで本実施形態では、画素電極ＰＥが共通電極ＣＥの上方に設けられる構成について説明しているが、比較的大型の液晶表示装置、即ち画素Ｐの面積が比較的大きな液晶表示装置では、画素電極ＰＥが共通電極ＣＥの上方に設けられることが好ましい。この構成（Ｖ２構造とも称す）では、下層電極となる共通電極ＣＥにスリットを形成する必要がないため、共通電極ＣＥが画素電極ＰＥの上方に設けられる構成（Ｖ３構造とも称す）よりも、共通電極ＣＥの抵抗率（面抵抗率）の上昇が抑制され、よって液晶層２０に印加されるフリンジ電界が弱くなることが抑制される。この構成（Ｖ２構造）で、画素電極ＰＥをスリット電極とした場合、画素電極ＰＥの抵抗率は上昇するものの、画素電極ＰＥには外部から入力される電圧が印加されるため、抵抗率の上昇による影響を小さく（つまりフリンジ電界が弱くなることを抑制）しやすい。なお、共通電極ＣＥの抵抗率の上昇を抑制するために、金属材料から形成された低抵抗配線を用いる（例えば低抵抗配線を共通電極に接続する）ことも考えられるが、そのような構成では、低抵抗配線による正反射等に起因する表示への悪影響（例えばぎらつき、虹色の回折、干渉模様）が発生することがあり、ブラックマトリクス等で遮光することが必要となり、反射開口率を充分に向上できないことがある。

画素電極ＰＥが共通電極ＣＥの上方に設けられる構成ではまた、第２のコンタクトホールＣＨ２が形成される領域に共通電極ＣＥが存在しないので、その領域は反射表示に寄与しなくなり、共通電極ＣＥが画素電極ＰＥの上方に設けられる構成よりも、反射率が低下し得る。コンタクトホール等の反射表示に寄与しない領域の面積は、画素Ｐの面積の大小によらず一定程度必要であるので、画素Ｐ内で反射表示に寄与しない領域が占める割合は、画素Ｐの面積が小さいほど（つまり高精細になるほど）高くなり、上述した反射率の低下が大きくなる。逆に言うと、比較的大型の液晶表示装置では、画素Ｐ内で反射表示に寄与しない領域が占める割合をより低くしやすいため、上述した反射率の低下を抑制しやすい。これらの理由から、比較的大型の液晶表示装置では、画素電極ＰＥが共通電極ＣＥの上方に設けられる構成が有利である。

一方、上述した通り第２のコンタクトホールＣＨ２が形成される領域が反射表示に寄与しないことによる反射率の低下は、画素Ｐの面積が小さいほど（つまり高精細になるほど）高くなるため、比較的高精細の液晶表示装置、即ち画素Ｐの面積が比較的小さい液晶表示装置では、共通電極ＣＥが画素電極ＰＥの上方に設けられることが好ましい（後述の実施形態１の変形例１を参照）。

第一の電極１２１及び第二の電極１２２は、それぞれ透明導電材料から形成されることが好ましい。透明導電材料としては例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ（登録商標））、これらの混合物等が挙げられる。

図２に示す態様では、画素電極ＰＥ（本実施形態では第二の電極１２２）は、コンタクト電極１６０を介してバックプレーン回路に（より具体的にはＴＦＴ１１０のドレイン電極に）電気的に接続されている。コンタクト電極１６０は、反射膜１３０と同層に形成され、反射膜１３０と同じ材料（金属膜等）で形成される。第一の層間絶縁層１５１には、バックプレーン回路ＢＰの一部（より具体的にはＴＦＴ１１０のドレイン電極の少なくとも一部）を露出させる第一のコンタクトホールＣＨ１が形成されており、コンタクト電極１６０は、第一のコンタクトホールＣＨ１においてバックプレーン回路ＢＰに接続されている。また、第二の層間絶縁層１５２には、コンタクト電極１６０の一部を露出させる第２のコンタクトホールＣＨ２が形成されており、画素電極ＰＥ（本実施形態では第二の電極１２２）は、第２のコンタクトホールＣＨ２においてコンタクト電極１６０に接続されている。

誘電体層１５３は、第一の電極１２１を覆うように設けられる。誘電体層１５３は、無機絶縁材料から形成することが好ましい。無機絶縁材料を用いて得た無機絶縁膜については上述した通りである。

第一の水平配向膜１４０は、第二の電極１２２上に設けられ、液晶層２０に接している。従って、第一の電極１２１及び第二の電極１２２は、第二の層間絶縁層１５２と第一の水平配向膜１４０との間に配置されていると言える。

第一の水平配向膜１４０及び後述する第二の水平配向膜３４０はそれぞれ、配向処理が施されており、液晶層２０に含まれる液晶分子２１の配向方位（配向方向とも称す）を規定する。例えば光配向処理又はラビング処理により配向処理を行うことが好ましい。光配向処理では、光分解型の光配向膜材料を用いることができ、ラビング処理では、ポリイミド等の配向膜材料を用いることが好ましい。

第一の水平配向膜１４０及び第二の水平配向膜３４０はいずれも、液晶層２０に電圧が印加されていない状態において、液晶分子２１を、第一の基板１０及び第二の基板３０に対して水平な方向に配向する水平配向膜である。即ち液晶分子２１は、液晶層２０に電圧が印加されていない状態において水平配向する。プレチルト角は、実質的に０°である。

第一の水平配向膜１４０によって規定される液晶分子２１の配向方位と、第二の水平配向膜３４０によって規定される液晶分子２１の配向方位とは、互いに異なる。それゆえ、液晶層２０は、電圧無印加時にツイスト配向をとる（図２参照）。液晶層２０に電圧が印加されると、即ち第一の電極１２１と第二の電極１２２とによって液晶層２０に横電界が生成されると、横電界（フリンジ電界）によって液晶層２０の配向状態が変化する。

＜液晶層＞
液晶層２０は、第一の基板１０と第二の基板３０との間に位置し、ポジ型の液晶材料又はネガ型の液晶材料を含む。ポジ型の液晶材料とは、誘電率異方性Δεが正であるネマチック液晶材料を意味し、ネガ型の液晶材料とは、誘電率異方性Δεが負であるネマチック液晶材料を意味する。誘電率異方性Δεは、液晶分子２１の長軸方向の誘電率ε_／／と短軸方向の誘電率ε_⊥との差（即ちε_//－ε_⊥）である。

ポジ型の液晶材料では、該液晶材料の複屈折率Δｎは、例えば０．１２３以下であることが好ましく、より好ましくは０．１２であり、更に好ましくは０．１１９以下である。なお、製造上の観点（歩留まり等）を考慮すると、液晶層２０の厚みｄは２μｍ以上であることが好ましいが、この場合にΔｎが０．１２３以下であることが好適である。更に好ましくは、ｄが２．５μｍ以上であり、かつΔｎが０．０９８以下である。但し、応答の観点ではセル厚が小さい方が好適である。また、液晶材料の誘電率異方性Δεは、例えば１０以上であることが好ましい。

ネガ型の液晶材料では、該液晶材料の複屈折率Δｎは、例えば０．１２３以下であることが好ましく、より好ましくは０．１２である。特に、液晶層２０の厚みｄが２μｍ以上であり、かつΔｎが０．１２３以下であることが好適である。更に好ましくは、ｄが２．５μｍ以上であり、かつΔｎが０．０９８以下である。また、液晶材料の誘電率異方性Δεは、例えば－５以下であることが好ましい。なお、Δεが小さい（又はΔεの絶対値が大きい）方が、ＶＲカーブ（しきい値、反射率Ｍａｘ値等）が低電圧側にシフトする。

ポジ型又はネガ型の選択に際しては、用途や所望性能等を考慮することが好ましい。例えば、フリッカレス（フリッカーフリーとも称す）を実現する観点からは、ネガ型の液晶材料を用いることが好適である。これは次の理由による。ポジ型の液晶材料を用いたＦＦＳモードの横電界方式では、電圧印加時に電極上の微細なスリット電極の影響（即ちフリンジ電界）により、液晶層にフレクソ分極が自発的に生じる。このフレクソ分極に応じて液晶が応答するため、極性反転時に輝度が変化し、よってフリッカーとして視認されやすくなると考えられる。また、信頼性の観点からは、ポジ型の液晶材料を用いることが好適である。

液晶層２０はまた、必要に応じ、カイラル剤を更に含んでもよい。
液晶層２０は、例えば滴下法により形成することができる。

液晶層２０の厚みｄ（セルギャップ又はセル厚とも称す）は、例えば３．６μｍ以下が好ましい。より好ましくは２．０～３．４μｍである。また、応答速度の観点から、３μｍ以下が好ましい。なお、セル厚が小さい方が、材料員数を少なくできるため、コストダウンの観点からは好適である。だが、小さすぎると、セル厚のムラや異物によって表示品位をより良好にならないことがあり、表示品位不良の発生率とのトレードオフになる。歩留まりの観点からは、上述したように２μｍ以上であることが好適である。

液晶層２０は、配向乱れ抑制の観点から、シングルドメイン配向（モノドメイン配向とも称す）であることが好適である。

＜第二の基板＞
第二の基板３０は、液晶層２０を挟んで第一の基板１０に対向して配置され、液晶層２０に接する第二の水平配向膜３４０を有する。第二の基板３０は更に、支持基板３００と、カラーフィルタ層３１０と、を有することが好ましい。例えば図２に示すように、第二の基板３０は、液晶層２０側から順に、第二の水平配向膜３４０と、カラーフィルタ層３１０と、支持基板３００と、を有する。第二の基板３０はまた、複数の柱状スペーサ（図示せず）を有することが好ましい。なお、第一の基板１０が複数の柱状スペーサを有してもよい。

支持基板３００は、透明で絶縁性を有することが好ましく、支持基板３００としては例えば、ガラス基板やプラスチック基板が例示される。

カラーフィルタ層３１０は、典型的には、赤色画素に対応する領域に設けられ、かつ赤色光を透過する赤色カラーフィルタと、緑色画素に対応する領域に設けられ、かつ緑色光を透過する緑色カラーフィルタと、青色画素に対応する領域に設けられ、かつ青色光を透過する青色カラーフィルタと、を含む。だがカラーフィルタの種類は２種類以下であってもよいし、４種類以上であってもよい。また、カラー表示を行わない場合は、カラーフィルタ層３１０は省略される。

必要に応じてカラーフィルタ層３１０を覆うオーバーコート層（平坦化層とも称す）を設けてもよい。なお、電極を形成する材料（例えば透明導電材料）、層間絶縁層や誘電体層を形成する材料、及び、配向膜を形成する材料によっては、白表示が黄色みを帯びることがある。その場合は、オーバーコート層を青色レジストで形成することによって色度調整（即ちブルーシフト）を行うことで、白表示の色度を、例えばＤ６５光源の色度に近づけてもよい。Ｄ６５光源とは、ＣＩＥ標準光源Ｄ６５である。

本実施形態の液晶表示装置１では、液晶層２０が電圧無印加時にツイスト配向をとる横電界方式で表示が行われる。これにより、セルギャップを大きくすることができ、かつセルギャップの変動に対してコントラストの変動幅を小さくすることができる。従って、表示ムラの発生が充分に抑制され、反射表示のコントラストが良好になる。電圧無印加時における液晶層２０のツイスト角θ_１は、５８．３°以上８９．９°以下であることが好適である。より好ましい範囲については後述する。

液晶層２０のツイスト角θ_１とは、第一の水平配向膜１４０によって規定される液晶分子２１の配向方位と、第二の水平配向膜３４０によって規定される液晶分子２１の配向方位と、のなす角である。即ち、第一の水平配向膜１４０近傍の液晶分子２１Ａ（電圧無印加時の第一の基板１０側の液晶分子２１Ａとも称す。）の長軸方向と、第二の水平配向膜３４０近傍の液晶分子２１Ｂの長軸方向（電圧印加時の第二の基板３０側の液晶分子２１Ｂとも称す。）と、が、なす角である。

液晶表示装置１は、コントラスト比をより高める観点から、ノーマリーブラックモードであることが好適である。ノーマリーブラックモードとは、電圧無印加状態において黒表示となり、電圧印加状態において白表示となる表示モードである。

液晶表示装置１はまた、上述した部材等の他、ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＰＣＢ（プリント配線基板）等の外部回路；視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等の光学フィルム；ベゼル（フレーム）；等の複数の部材により構成されるものであり、部材によっては、他の部材に組み込まれていてもよい。これらは特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができるので、説明を省略する。

＜応用例＞
本実施形態の液晶表示装置１は、各種用途に好適に用いられる。中でも、タッチパネルに好ましく適用できる。外付け型タッチパネル及び内蔵型タッチパネルのいずれに適用しても、従来の各タッチパネルよりも低コストで、かつコントラスト比を向上させることができるため、有用である。中でも、内蔵型タッチパネルに好適に適用でき、インセル型タッチパネルに特に好適に適用できる。このように本実施形態の液晶表示装置１を用いれば、これまで実現し得なかった、反射モードの表示が可能なインセル型タッチパネルを好適に実現することができる。

反射モードの表示が可能なインセル型タッチパネルを実現できることで、例えば、外付け型タッチパネルでは必要な額縁配線領域が不要になるため、狭額縁化を達成でき、またカバーガラスなしでタッチパネル機能を搭載できるため、薄型化及び軽量化にも寄与できる。また、タッチ機能及びディスプレイ機能が時分割方式で駆動されるため、タッチパネルにおいて最大のノイズ源となり得るＬＣＤ（液晶ディスプレイ）ノイズを受けない。即ちキラーパターンが発生しないため、タッチ信号のチューニング（調整）が容易である。更に、反射光のロスが充分に少ない上、ペン書きがより自然で、かつ違和感のない表示が得られる。その上、外付け型タッチパネルに比べて、ユーザー視点でトータルコストダウンを実現できる。しかも、指による入力と、電磁誘導方式（ＥＭＲ）によるペン入力とを組み合わせることができ、高精度なペン書きが実現できる。

液晶表示装置１をインセル型タッチパネルに用いた例について更に説明する。
図７は、液晶表示装置１が備えるタッチセンサ電極ＴＸ及びタッチ配線ＴＬの配置関係を例示する平面模式図である。図７に示すように、液晶表示装置１は、表示領域ＤＲと、非表示領域ＦＲとを有する。表示領域ＤＲは、マトリクス状に配列された複数の画素Ｐ（例えば図３参照）によって規定される。非表示領域ＦＲは、表示領域ＤＲの周辺に位置しており、周辺領域又は額縁領域とも称される。

表示領域ＤＲ内では、共通電極ＣＥが複数のセグメントＴＸに分割されている。各セグメント（共通電極部分）ＴＸは、タッチセンサ電極として機能する。図７に示す例では、各タッチセンサ電極ＴＸは、２以上の画素Ｐに対応して設けられている。

液晶表示装置１（より具体的には第一の基板１０）は、複数のタッチ配線ＴＬを有する。各タッチセンサ電極ＴＸは、対応するタッチ配線ＴＬに電気的に接続されている。タッチセンサ電極ＴＸとタッチ配線ＴＬとの接続部ＴＣを、タッチ配線コンタクト部ＴＣとも称す。

タッチ配線ＴＬは、非表示領域ＦＲに設けられたタッチ駆動部ＴＤに接続されている。タッチ駆動部ＴＤは、例えば、複数のタッチセンサ電極ＴＸを共通電極ＣＥとして機能させる表示モードと、タッチセンサ電極ＴＸとして機能させるタッチ検出モードと、を時分割で切り替えるように構成されている。タッチ駆動部ＴＤは、例えば、表示モードにおいて、タッチ配線ＴＬを介してタッチセンサ電極ＴＸ（共通電極ＣＥ）に共通信号を印加する。一方、タッチ検出モードにおいては、タッチ駆動部ＴＤは、タッチ配線ＴＬを介して、タッチセンサ電極ＴＸにタッチ駆動信号を印加する。

図７では、複数のタッチ配線ＴＬは、列方向（ソース配線ＳＬと同じ方向）に延びている。一部のタッチ配線ＴＬは、対応するタッチセンサ電極ＴＸまで、他の１つ又は複数のタッチセンサ電極ＴＸを横切って延びている。

あるタッチセンサ電極ＴＸに着目すると、そのタッチセンサ電極ＴＸに信号を供給する第１のタッチ配線ＴＬ１がタッチ配線コンタクト部ＴＣまで延びており、そのタッチセンサ電極ＴＸを横切るように、他のタッチセンサ電極ＴＸに信号を供給するための第２のタッチ配線ＴＬ２が延びている。第２のタッチ配線ＴＬ２とタッチセンサ電極ＴＸとは、絶縁層を介して重なっている。なお、タッチセンサ電極ＴＸの位置によっては、そのタッチセンサ電極ＴＸを横切って延びるように２以上のタッチ配線ＴＬが配置されている場合もあるし、そのタッチセンサ電極ＴＸを横切るようなタッチ配線ＴＬが配置されていない場合もある。

非表示領域ＦＲには、タッチ駆動部ＴＤの他に、ゲートバスライン（ゲート配線）ＧＬにゲート信号を供給するゲートドライバ、ソースバスライン（ソース配線）ＳＬにソース信号を供給するソースドライバ等の駆動回路を含む周辺回路が設けられる（図示せず）。これらの駆動回路は、例えば第一の基板（ＴＦＴ基板）１０に実装されてもよいし、一体的（モノリシック）に形成されていてもよい。非表示領域ＦＲに、一部又は全部の駆動回路を含む半導体チップが搭載されていてもよい。

インセル型タッチパネルでは、ＴＦＴ１１０として、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体を用いることが特に好ましい。また、フリッカレス（フリッカーフリーとも称す）を実現する観点からは、ネガ型の液晶材料を用いることが特に好適である。これは次の理由による。ポジ型の液晶材料を用いたＦＦＳモードの横電界方式では、電圧印加時に電極上の微細なスリット電極の影響（即ちフリンジ電界）により、液晶層にフレクソ分極が自発的に生じる。このフレクソ分極に応じて液晶が応答するため、極性反転時に輝度が変化し、よってフリッカーとして視認されやすくなると考えられる。

（実施形態１の変形例１）
実施形態１では下層電極である第一の電極１２１が共通電極ＣＥであり、上層電極である第二の電極１２２が画素電極ＰＥである構成について説明したが、これとは逆に、第二の電極１２２が共通電極ＣＥであり、第一の電極１２１が画素電極ＰＥであってもよい。本例では、第二の電極１２２（上層電極）が共通電極ＣＥであり、第一の電極１２１（下層電極）が画素電極ＰＥである（図８参照）。

図８は、本例の液晶表示装置１をより具体的に示した断面模式図である。本例でも、横電界を生成しやすくする観点から、少なくとも上層電極（本例では共通電極ＣＥ）はスリット電極であることが好ましい。下層電極（本例では画素電極ＰＥ）は、面状の電極、即ちいわゆるベタ電極であってもよいし、スリット電極であってもよい。本変形例に係る液晶表示装置１は、上述したように比較的高精細の液晶表示装置、即ち画素Ｐの面積が比較的小さい液晶表示装置として特に好適である。

（実施形態１の変形例２）
実施形態１ではＦＦＳモードの液晶表示装置について説明したが、ＩＰＳモードの液晶表示装置であってもよい（但し、液晶層２０は電圧無印加時にツイスト配向をとる。）。本変形例はＩＰＳモードの液晶表示装置である。本変形例では、第一の電極１２１と第二の電極１２２とは同層に設けられ、第一の電極１２１及び第二の電極１２２の両方がスリット電極であることが好ましい。

（実施形態２）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。本実施形態は、更に位相差層４０と偏光板５０とを有する液晶表示装置であること以外は、実施形態１と実質的に同じである。

図９は、本実施形態の一例の液晶表示装置１の断面模式図であり、図１０は、本実施形態の一例の液晶表示装置１をより具体的に示した断面模式図である。図９に示すように、液晶表示装置１は、背面側から順に、第一の基板１０と、液晶層２０と、第二の基板３０と、位相差層４０と、偏光板５０と、を備える。本実施形態では、第一の基板１０としてＴＦＴ基板を用いる。

＜位相差層＞
位相差層４０は、第二の基板３０と偏光板５０との間に位置し、λ／４板４１と、λ／２板４２とを含むことが好適である（図９及び図１０参照）。これらの配置順は、液晶層２０（及び第二の基板３０）側から順に、λ／４板４１、λ／２板４２が位置することが好適である（図９及び図１０参照）。

λ／４板とは、波長λの入射光に対して１／４波長の面内位相差を付与する位相差板を意味し、λ／４波長板又はＱＷＰ（Quarter-Wave Plate）とも称される。具体的には、λ／４板４１は、直線偏光を円偏光に又は円偏光を直線偏光に変換することができる。例えばλ／４板４１に入射した直線偏光は、λ／４板４１出射時には円偏光となる。

λ／２板とは、波長λの入射光に対して１／２波長の面内位相差を付与する位相差板を意味し、λ／２波長板、半波長板又はＨＷＰ（Half-Wave Plate）とも称される。具体的には、λ／２板４２は、入射光線の振動方向を略９０°回転させることができる。例えばλ／２板４２に入射した円偏光は、出射時にはその旋回方向が逆の円偏光となる。

λ／４板４１及びλ／２板４２として具体的には、１軸性のＡプレートを用いることが好ましい。

＜偏光板＞
偏光板５０は、位相差層４０よりも観察面側に位置する（図９及び図１０参照）。偏光板５０は、円偏光板であってもよいし、直線偏光板であってもよい。ここで、直線偏光板とは、無偏光（自然光）、部分偏光又は偏光から、特定方向にのみ振動する偏光（直線偏光）を取り出す機能を有する偏光板を意味し、円偏光板とは区別される。中でも、直線偏光板であることが好ましい。

偏光板５０はまた、吸収型偏光板であってもよいし、反射型偏光板であってもよい。吸収型偏光板とは、特定方向に振動する光を吸収し、それに垂直な方向に振動する偏光（直線偏光）を透過する機能を有する偏光板である。反射型偏光板とは、特定方向に振動する光を反射し、それに垂直な方向に振動する偏光（直線偏光）を透過する機能を有する偏光板である。中でも、吸収型偏光板であることが好ましい。特に、吸収型の直線偏光板を用いることが好適である。

吸収型偏光板としては例えば、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素錯体（又は染料）等の異方性材料を染色及び吸着させてから延伸配向させた偏光板等が挙げられる。一般的には、機械強度及び耐湿熱性を確保するために、ポリビニルアルコールフィルムの両側に、トリアセチルセルロースフィルム等の保護フィルムが積層された状態で実用に供される。また、反射型偏光板としては例えば、誘電体の薄膜を複数積層したフィルム、屈折率異方性が異なる薄膜を複数積層したフィルム、ナノワイヤーグリッド偏光板、コレステリック液晶の選択反射を用いた偏光板等が挙げられる。

なお、スリット角度を変更する場合は、偏光板５０の偏光軸方向５０ＡＡ、λ／４板４１の遅相軸方向４１ＳＡ、及び、λ／２板の遅相軸方向４２ＳＡを、それぞれ同じ方向に同じ角度だけ変更する。

＜好ましい設定＞
以下では、本実施形態における、液晶層２０のツイスト角及びリタデーションｄΔｎや、光学フィルム（即ち偏光板及び位相差板）の軸設定等の好ましい設定について、液晶層２０を構成する液晶材料がポジ型である場合と、ネガ型である場合とに分けて、更に説明する。なお、偏光板５０としては、吸収型偏光板を用いる。

（ｉ）液晶材料がポジ型である場合
（ｉ－１）好ましい設定
図１１に、コントラスト比向上の観点から特に好ましい光学的設定例を示す。図１１は、背面側から順に、第一の基板１０と、液晶層２０と、第二の基板３０と、λ／４板４１と、λ／２板４２と、偏光板５０と、を備える液晶表示装置１において、電圧無印加時における液晶層２０が有する液晶分子２１の長軸方向と、λ／４板４１の面内遅相軸４１ＳＡと、λ／２板４２の面内遅相軸４２ＳＡと、偏光板５０の偏光軸５０ＡＡと、の関係を、概念的に示す平面図である。図１１中、液晶分子２１として、第一の水平配向膜１４０近傍の液晶分子２１Ａと、第二の水平配向膜３４０近傍の液晶分子２１Ｂと、を示す。

以下の説明中、基準となる方位を０°としたときの角度とは、図１１を時計の文字盤に見立てて、基準となる方位、即ち複数の帯状部ＳＰの延伸方向に直交する方向を、０°方向（３時方向）とし、ツイスト方向は正（反時計回り）としたときの角度である。ツイスト方向とは、液晶表示装置１を観察面側から見たときに、第一の水平配向膜１４０によって規定される液晶分子２１Ａの配向方位から、第二の水平配向膜３４０によって規定される液晶分子２１Ｂの配向方位へと捩れている方向を意味する。

電圧無印加時における液晶層２０のツイスト角θ_１は、５８．３°以上８９．９°以下であることが好適である。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは６４．０°以上８８°以下であり、更に好ましくは６８．４°以上８６°以下であり、特に好ましくは７１．４°以上８４°以下である。

複数の帯状部ＳＰが延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、偏光板５０の偏光軸５０ＡＡがなす角θ_２は、５°以上３５°以下であることが好ましい。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは１５°以上３４°以下であり、更に好ましくは２０°以上３３°以下である。

複数の帯状部ＳＰが延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、λ／２板４２の面内遅相軸４２ＳＡがなす角θ_３は、２５°以上５０°以下であることが好ましい。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは３５°以上４９°以下であり、更に好ましくは４０°以上４８°以下である。

複数の帯状部ＳＰが延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、λ／４板４１の面内遅相軸４１ＳＡがなす角θ_４は、４５°以上７０°以下であることが好ましい。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは５５°以上６８°以下であり、更に好ましくは６０°以上６６°以下である。

液晶層２０のリタデーション、即ち液晶層２０の厚みｄと、液晶材料の複屈折率Δｎと、の積（ｄΔｎ）は、１５２．３ｎｍ以上２８５．８ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは１７６．９ｎｍ以上２６０．８ｎｍ以下であり、更に好ましくは１９５．８ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、特に好ましくは２０７．０ｎｍ以上２４８ｎｍ以下である。

（ｉｉ）液晶材料がネガ型である場合
（ｉｉ－１）好ましい設定
図１２に、コントラスト比向上の観点から特に好ましい光学的設定例を示す。図１２は、背面側から順に、第一の基板１０と、液晶層２０と、第二の基板３０と、λ／４板４１と、λ／２板４２と、偏光板５０と、を備える液晶表示装置１において、電圧無印加時における液晶層２０が有する液晶分子２１の長軸方向と、λ／４板４１の面内遅相軸４１ＳＡと、λ／２板４２の面内遅相軸４２ＳＡと、偏光板５０の偏光軸５０ＡＡと、の関係を、概念的に示す平面図である。図１２中、液晶分子２１として、第一の水平配向膜１４０近傍の液晶分子２１Ａと、第二の水平配向膜３４０近傍の液晶分子２１Ｂと、を示す。

以下の説明中、基準となる方位を０°としたときの角度とは、図１２を時計の文字盤に見立てて、基準となる方位、即ち複数の帯状部ＳＰの延伸方向に直交する方向を、０°方向（３時方向）とし、ツイスト方向は正（反時計回り）としたときの角度である。

電圧無印加時における液晶層２０のツイスト角θ_１は、５８．３°以上８９．９°以下であることが好適である。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは６４．０°以上８８°以下であり、更に好ましくは６８．４°以上８６°以下であり、特に好ましくは７１．４°以上８４°以下である。

複数の帯状部ＳＰが延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、偏光板５０の偏光軸５０ＡＡがなす角θ_２は、－８５°以上－５５°以下であることが好ましい。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは－７５°以上－５６°以下であり、更に好ましくは－７０°以上－５７°以下である。

複数の帯状部ＳＰが延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、λ／２板４２の面内遅相軸４２ＳＡがなす角θ_３は、－６５°以上－４０°以下であることが好ましい。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは－５５°以上－４１°以下であり、更に好ましくは－５０°以上－４２°以下である。

複数の帯状部ＳＰが延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、λ／４板４１の面内遅相軸４１ＳＡがなす角θ_４は、－４０°以上－１５°以下であることが好ましい。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは－３０°以上－２０°以下であり、更に好ましくは－２７°以上－２４°以下である。

液晶層２０のリタデーション、即ち液晶層２０の厚みｄと、液晶材料の複屈折率Δｎと、の積（ｄΔｎ）は、１５１．２ｎｍ以上２８５．１ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、コントラスト比が向上する。更にコントラスト比を向上する観点から、より好ましくは１７５．９ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であり、更に好ましくは１９３．８ｎｍ以上２４６ｎｍ以下であり、特に好ましくは２０４．７ｎｍ以上２４５ｎｍ以下である。

（実施形態２の変形例１）
実施形態２では下層電極である第一の電極１２１が共通電極ＣＥであり、上層電極である第二の電極１２２が画素電極ＰＥである構成について説明したが、これとは逆に、第二の電極１２２が共通電極ＣＥであり、第一の電極１２１が画素電極ＰＥであってもよい。本例では、第二の電極１２２（上層電極）が共通電極ＣＥであり、第一の電極１２１（下層電極）が画素電極ＰＥである（図１３参照）。

図１３は、本例の液晶表示装置１をより具体的に示した断面模式図である。本例でも、横電界を生成しやすくする観点から、少なくとも上層電極（本例では共通電極ＣＥ）はスリット電極であることが好ましい。下層電極（本例では画素電極ＰＥ）は、面状の電極、即ちいわゆるベタ電極であってもよいし、スリット電極であってもよい。本変形例に係る液晶表示装置１は、上述したように比較的高精細の液晶表示装置、即ち画素Ｐの面積が比較的小さい液晶表示装置として特に好適である。

（実施形態３）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１及び２と重複する内容については説明を省略する。実施形態１及び２では反射型液晶表示装置を例示して説明したが、本実施形態では半透過型液晶表示装置について説明する。本実施形態の液晶表示装置は、液晶層２０よりも背面側に光源を備える点で、実施形態２の液晶表示装置と主に相違する。

図１４は、本実施形態の一例の液晶表示装置１の断面模式図である。液晶表示装置１は、液晶層２０よりも背面側に、光源６１（バックライトとも称す）を更に備える。また、偏光板５０’と、位相差層４０’とを更に有することが好ましい。より好ましくは、図１４に示すように、背面側から順に、光源６１と、偏光板５０’と、位相差層４０’と、第一の基板１０と、液晶層２０と、第二の基板３０と、位相差層４０と、偏光板５０と、を備える形態である。本実施形態でも、第一の基板１０としてＴＦＴ基板が好適である。

光源６１（バックライト）は、光を照射するものであれば特に限定されず、直下型やエッジ型やその他のどの方式でもよい。具体的には例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源と、導光板と、反射シートと、を有するものが好ましく、更に拡散シートやプリズムシートを更に有してもよい。

偏光板５０’は、液晶層２０の背面側に配置されている。より具体的には、第一の基板１０よりも背面側に配置されている。偏光板５０’は、円偏光板であってもよいし、直線偏光板であってもよいが、直線偏光板であることが好ましい。また、吸収型偏光板であってもよいし、反射型偏光板であってもよいが、吸収型偏光板であることが好ましい。特に、吸収型の直線偏光板を用いることが好適である。

位相差層４０’は、偏光板５０’と液晶層２０との間に配置されている。より具体的には、偏光板５０’と第一の基板１０との間に配置されている。位相差層４０’は、例えば、λ／４板とλ／２板とを含み得る。これらの配置順は、例えば、背面側から順に、λ／２板、λ／４板が位置することが好適である。

本実施形態の液晶表示装置１において、各画素Ｐは、反射モードで表示を行う反射領域Ｒｆと、透過モードで表示を行う透過領域Ｔｒとを有する（図１５参照）。図１５は、本実施形態の液晶表示装置１において、各画素Ｐが、反射領域Ｒｆと透過領域Ｔｒとを有することを概念的に示す平面模式図である。反射領域Ｒｆには、反射層１３０（例えば図２参照）が配置されているが、透過領域Ｔｒには、反射層１３０は配置されていない。各画素Ｐ内に占める透過領域Ｔｒの面積の割合は、用途等に応じて適宜設定され得るが、例えば２０％以上９０％以下であることが好ましい。また、画素Ｐ内における透過領域Ｔｒの位置や形状も用途等に応じて適宜設定され得る。

本実施形態の液晶表示装置、即ち半透過型液晶表示装置においても、反射型液晶表示装置と同様に、液晶層２０が電圧無印加時にツイスト配向をとる横電界方式で表示が行われことにより、反射表示のコントラスト比を充分に向上することができる。従って、本実施形態の液晶表示装置１もまた、低コストで、かつコントラスト比を向上させることができ、しかも反射モードの表示が可能なインセル型タッチパネルとしても有用である。

（実施形態４）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。本実施形態の液晶表示装置は、液晶層２０よりも観察面側に光源を備える点で、実施形態１の液晶表示装置と主に相違する。なお、本実施形態の液晶表示装置は、反射型液晶表示装置である。

図１６は、本実施形態の一例の液晶表示装置１の断面模式図である。本実施形態の液晶表示装置１は、液晶層２０よりも観察面側に、光源６２（フロントライトとも称す）を更に備える。より好ましくは、図１６に示すように、背面側から順に、第一の基板１０と、液晶層２０と、第二の基板３０と、位相差層４０と、偏光板５０と、光源６２と、を備える形態である。本実施形態でも、第一の基板１０としてＴＦＴ基板が好適である。

光源６２（フロントライト）は、光を照射するものであれば特に限定されない。具体的には例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源と、導光板とを有するものが好ましい。反射型液晶表示装置１が光源６２を更に備えることにより、周囲光が充分に得られない環境下においても、明るい反射表示を行うことができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、説明された個々の事項は、すべて本発明全般に対して適用され得るものである。

以下に実施例等を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。以下では偏光板５０として吸収型偏光板を用いる。

（検証例１）
モバイル機種のＴＦＴ基板（第一の基板）１０を用いて、反射モードの表示が可能なＦＦＳモードの装置を作製した（図２０Ａ参照）。具体的には、図１７Ａに示すように、ＴＦＴ基板１０側に、液晶層２０に電圧を印加するための画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを配置し、かつ上層電極（第二の電極１２２）である共通電極ＣＥを、図１８に示すように、複数の帯状部ＳＰと、互いに隣接する２つの帯状部間に位置するスリットＳｌと、を有するスリット電極とした。各帯状部ＳＰの幅Ｌは１．６μｍ、各スリットＳｌの幅は３．０μｍとした。複数の帯状部ＳＰは、互いに略平行に、かつ同一方向に延びる直線形状からなるが、途中で折れ曲がっている（図１８のｆを参照）。この折れ曲がった先の端部ｆを、キンク部又は屈曲部とも称す。液晶層２０にはネガ型の液晶材料を使用した。下層電極（第一の電極１２１）である画素電極ＰＥは、ベタ電極とした。なお、カラーフィルタは配置せずに白黒モードとした。図１７Ａは、本例で作製した装置の断面模式図であり、図１８は、ＴＦＴ基板側の画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとのみを、平面的に図示したＣＡＤ（Computer Aided Design）図である。

この装置をまず、初期状態として、白表示状態（即ち２５５階調表示）にする（図２０Ａ参照）。次に、この状態の装置に黒色の文字を書き込むと、黒の領域が生じる（図２０Ｂ参照）。その後、書き込んだ文字を消去する（即ち白表示状態に戻す）（図２０Ｃ参照）。このような操作を行ったところ（図２０Ａ～図２０Ｃ参照）、文字の残像が、焼き付きのように視認された（図２０Ｃの破線内を参照）。図２０Ａは、装置の初期状態を観察面側から撮影した平面写真であり、図２０Ｂは、初期状態の装置に黒色の文字を書き込んだ状態を観察面側から撮影した平面写真であり、図２０Ｃは、書き込んだ文字を消去した状態を観察面側から撮影した平面写真である。残像が発生した部分を顕微鏡（ＯＬＹＭＰＵＳ社製の「ＢＸ５１」）で観察したところ、キンク部とも称される各共通電極ＣＥの端部ｆに配向乱れが発生していることを確認した（図１９参照）。このキンク部ｆで発生した配向乱れによって、これ以外の部分（例えば画素中央部）との間で輝度差（即ち反射率差）が生じ、よって残像が視認されると考えられる。図１９は、装置内部を顕微鏡で観察した画像（平面画像）である。図１９で示される部分の電極構造をＣＡＤで図示したのが、図１８である。

この配向乱れの発生原因について、本発明者らは更に検討を進めた。画素中央部（図１８及び図１９中の（ａ）付近）と、画素端部（図１８及び図１９中の（ｂ）付近）とでは、スリット電極（本例では共通電極ＣＥ）のスリット角度が異なる。本例のスリット電極では、スリット角度は、画素中央部（ａ）では－１０度であるのに対し、画素端部（ｂ）では－２０度である。本発明者らは、このスリット角度の違いに起因して、電圧印加時の液晶分子２１の回転方向が異なると推測した（図２１参照）。図２１は、画素中央部（ａ）と画素端（ｂ）とで、液晶分子２１（ネガ液晶）の回転方向が異なることを概念的に示す平面図である。電圧無印加時のＴＦＴ基板１０側の液晶分子２１Ａの配向（即ち初期配向）を、液晶分子２１Ａの向きで表しており、電圧印加時のＴＦＴ基板１０側の液晶分子２１Ａの配向を、液晶分子２１Ａ（Ａ）の向きで表している。３時方向を０度とし、反時計回りを正（＋）とし、ツイスト角を＋７４度とする。電圧を印加すると、液晶分子２１Ａは、画素中央部では時計回り（－）に回転する（図２１（ａ）参照）のに対し、画素端部では、反時計回り（＋）に回転する（図２１（ｂ）参照）。画素中央部と画素端部との境界部は、スリット角度が変化する部分に該当し、ここでは液晶分子２１の配向が不連続となる。従って、配向乱れが発生し、よって、配向乱れが発生しない画素との間で輝度差が生じるため、残像として視認されると考えられる。

参考までに、画素中央部（ａ）と画素端部（ｂ）とで、電圧印加時の液晶分子２１（即ちＴＦＴ基板側の液晶分子２１Ａ）の回転方向が異なることを概念的に示す図として、図２２及び図２３を示す。図２２は、図１８に、液晶分子２１の回転方向を示す概念図（即ち図２１）を重ね合わせた図であり、図２３は、図１９に、液晶分子２１の回転方向を示す概念図（即ち図２１）を重ね合わせた図である。

（試験例１及び２）
ネガ型の液晶材料を用いた反射型の液晶表示装置１を想定して、３次元光学シミュレーションによって、キンク部の有無による配向乱れの発生状況を比較した。具体的には、図１７Ｂに示すように、ＴＦＴ基板（第一の基板）１０側に、液晶層２０に電圧を印加するための画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを配置し、かつ上層電極（第二の電極１２２）である共通電極ＣＥを、複数の帯状部ＳＰと、互いに隣接する２つの帯状部間に位置するスリットＳｌと、を有するスリット電極とした。各帯状部ＳＰの幅Ｌは２．４μｍ、各スリットＳｌの幅は２．２μｍとした。液晶層２０にはネガ型の液晶材料を使用した。下層電極（第一の電極１２１）である画素電極ＰＥは、ベタ電極とした。図１７Ｂは、本例で想定した装置の断面模式図である。

ここで、スリット電極（共通電極ＣＥ）を構成する複数の帯状部ＳＰを、試験例１では、互いに略平行に、かつ同一方向に延びる直線形状からなるが、端部に屈曲部ｆを有するものとした（図２４Ａの（ｂ）参照）。これに対し、試験例２では、互いに略平行に、かつ同一方向に延びる直線形状からなり、屈曲部ｆを含まないものとした（図２４Ｂの（ｂ）参照）。図２４Ａは、試験例１のシミュレーション結果（（ａ）参照）と、当該結果を基に複数の帯状部ＳＰを概念的に示した図（（ｂ）参照）である。図２４Ｂは、試験例２のシミュレーション結果（（ａ）参照）と、当該結果を基に複数の帯状部ＳＰを概念的に示した図（（ｂ）参照）である。

３次元光学シミュレーションにより反射率分布を評価した結果として、試験例１の結果を図２４Ａの（ａ）に示し、試験例２の結果を図２４Ｂの（ａ）に示す。試験例１では、キンク部と称される屈曲部ｆに配向乱れが発生し、キンク部ｆの輝度が低い（図２４Ａの（ａ）を参照）。これに対し、試験例２では、配向乱れが発生せず、試験例１に比べて、共通電極ＣＥの端部（試験例１のキンク部ｆに該当する部分）の輝度が上昇した（図２４Ｂの（ａ）参照）。従って、スリット電極を構成する複数の帯状部ＳＰを、互いに略平行に、かつ同一方向に延びる直線形状からなり、屈曲部を含まない形態とすることで、配向乱れが発生しないことが確認された。液晶分子２１の配向とスリット角度との関係が各画素内で均一になるために、配向乱れが発生しなくなったと考えられる。

（試験例３及び４）
以上より、配向乱れの発生原因は、キンク部とそれ以外の部分とのスリット電極のスリット角度の違いによるものと考えられる。そこで、スリット角度による反射モード効率の変化を、３次元光学シミュレーションによって評価及び解析した。具体的には、反射型の液晶パネル１Ｘと、位相差層４０と、偏光板５０とをこの順に備える構成の液晶表示装置１において、位相差層４０として、液晶パネル１Ｘ側から順に、λ／４板４１と、λ／２板４２とを配置した構造を想定した（図９参照）。λ／４板４１としては、リタデーションが１１０ｎｍである１軸位相差板を用い、λ／２板４２として、リタデーションが２６０ｎｍである１軸位相差板を用いる。

液晶パネル１Ｘとしては、ＴＦＴ基板（第一の基板）１０側に、液晶層２０に電圧を印加するための画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを配置し、かつ上層電極（第二の電極１２２）である共通電極ＣＥを、複数の帯状部ＳＰと、互いに隣接する２つの帯状部間に位置するスリットＳｌと、を有するスリット電極とした（図２５及び図２６参照）。複数の帯状部ＳＰは、互いに略平行に、かつ同一方向に延びる直線形状からなり、しかも屈曲部を含まないものとし、スリット角度を０°とした（図２６参照）。下層電極（第一の電極１２１）である画素電極ＰＥは、ベタ電極とした。また、モノドメイン構造の液晶層（ノーマリーブラック表示を行う液晶層）を想定した。図２５では、一部の層の膜厚を、層を表す符号の後ろに括弧書きで記載した。

液晶層２０にポジ型の液晶材料を用いた例を試験例３とし、ネガ型の液晶材料を用いた例を試験例４とした。各帯状部ＳＰの幅Ｌと各スリットＳｌの幅Ｓとの比（Ｌ／Ｓ条件と称す）を、試験例３－１及び試験例４－１ではＬ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１とし、試験例３－２及び試験例４－２ではＬ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０とし、試験例３－３及び試験例４－３ではＬ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０とした。

図２５は、本例で想定した装置が含む液晶パネル１Ｘの断面模式図である。図２６は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの電極構造を概念的に示す模式図であり、中でも特に、Ｌ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０である例（試験例３－２及び試験例４－２）を示している。図２６では、電圧無印加時のＴＦＴ基板１０側の液晶分子２１Ａの配向（即ち初期配向）を、ポジ型の液晶分子２１Ａ（ｐ）及びネガ型の液晶分子２１Ａ（ｎ）の向きで表している。

実際のシミュレーションでは、条件設定を簡単にするために、スリット角度を変更する代わりに、液晶分子２１のプレツイスト角及び光学フィルムの軸角度を変更した。但し、ツイスト角θ_１は固定した（試験例３及び４では７４°）。具体的には、次に述べる光学フィルムの軸設定を基準として、スリット角度と同じ角度だけ、液晶分子２１のプレツイスト角及び各光学フィルムの軸角度を回転させる。光学フィルムとは、偏光板５０及び位相差層４０（本例ではλ／４板４１及びλ／２板４２）を意味する。なお、液晶分子２１のプレツイスト角とは、基準（本明細書では液晶パネルを観察面側から平面視したときの３時方向を、基準０°とする。）に対する、ＴＦＴ基板（第一の基板）１０側の液晶分子２１Ａの初期配向角である。

各光学フィルムの軸設定及び液晶層２０のリタデーションｄΔｎは、試験例３（ポジ液晶）では図２７及び表１に示す通りとし、試験例４（ネガ液晶）では、図２８及び表１に示す通りとした。図２７は、試験例３で用いた各光学フィルムの軸設定を概念的に示す平面図であり、図２８は、試験例４で用いた各光学フィルムの軸設定を概念的に示す平面図である。図２７及び図２８では、各光学フィルムを時計の文字盤に見立てて、３時方向を０°とし反時計回りを正とした。各光学フィルムの軸角度は、観察面側から平面視で観察したときの角度である。

電圧設定は、０Ｖから６Ｖまでの０．５Ｖ刻みに設定した。輝度分布の平均反射モード効率を求め、５Ｖ印加時の反射モード効率を、Ｌ／Ｓ条件ごとにプロットした。
ここで、反射モード効率は、下記式：
反射モード効率（％）＝（偏光板ありの輝度）／（偏光板なしの輝度）×１００
により求めた。結果を図２９及び図３０に示す。図２９は、試験例３（ポジ型、ツイスト角７４°）の結果を示すグラフであり、図３０は、試験例４（ネガ型、ツイスト角７４°）の結果を示すグラフである。

図２９（ポジ型、ツイスト角７４°）では、特定のスリット角度を境にして、反射率が大きく変化することが確認される。これは、電圧印加時の液晶分子の回転方向が異なることに起因すると考えられる。また、反射率が不連続となるスリット角度は、Ｌ／Ｓ条件によって変化することも確認される。反射率が不連続となるスリット角度は、試験例３－１（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１）では－１１．５°付近であり、試験例３－２（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０）では－９．５°付近であり、試験例３－３（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０）では－１３°付近である。従って、各Ｌ／Ｓ条件において、反射モード効率が３０％以上となる場合のスリット角度、反射モード効率が３３％以上となる場合のスリット角度、及び、反射モード効率が３６％以上となる場合のスリット角度を、それぞれ、上述した好ましい範囲、より好ましい範囲、及び、更に好ましい範囲とした。

図３０（ネガ型、ツイスト角７４°）でも同様に、特定のスリット角度を境にして、反射率が大きく変化することが確認され、反射率が不連続となるスリット角度は、Ｌ／Ｓ条件によって変化することも確認される。反射率が不連続となるスリット角度は、試験例４－１（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１）では－１９°付近であり、試験例４－２（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０）では－１５°付近であり、試験例４－３（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０）では－２２°付近である。従って、各Ｌ／Ｓ条件において、反射モード効率が３０％以上となる場合のスリット角度、及び、反射モード効率が３３％以上となる場合のスリット角度を、それぞれ、上述した好ましい範囲、及び、より好ましい範囲とした。

（試験例５及び６）
試験例５は、ツイスト角θ_１を８３°にし、各光学フィルムの軸設定及び液晶層２０のリタデーションｄΔｎを図３１及び表２に示す通りとしたこと以外は、試験例３と実質的に同条件に設定した例である。試験例６は、ツイスト角θ_１を８３°にし、各光学フィルムの軸設定及び液晶層２０のリタデーションｄΔｎを図３２及び表２に示す通りとしたこと以外は、試験例４と実質的に同条件に設定した例である。Ｌ／Ｓ条件を、試験例５－１及び試験例６－１ではＬ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１とし、試験例５－２及び試験例６－２ではＬ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０とし、試験例５－３及び試験例６－３ではＬ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０とした。図３１は、試験例５で用いた各光学フィルムの軸設定を概念的に示す平面図であり、図３２は、試験例６で用いた各光学フィルムの軸設定を概念的に示す平面図である。

電圧設定は、０Ｖから６Ｖまでの０．５Ｖ刻みに設定した。輝度分布の平均反射モード効率を求め、５Ｖ印加時の反射モード効率を、Ｌ／Ｓ条件ごとにプロットした。結果を図３３及び図３４に示す。図３３は、試験例５（ポジ型、ツイスト角８３°）の結果を示すグラフであり、図３４は、試験例６（ネガ型、ツイスト角８３°）の結果を示すグラフである。

図３３（ポジ型、ツイスト角８３°）でも、特定のスリット角度を境にして、反射率が大きく変化することが確認され、反射率が不連続となるスリット角度は、Ｌ／Ｓ条件によって変化することも確認される。反射率が不連続となるスリット角度は、試験例５－１（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１）では－１１．５°付近であり、試験例５－２（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０）では－９．５°付近であり、試験例５－３（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０）では－１３°付近である。従って、各Ｌ／Ｓ条件において、反射モード効率が３０％以上となる場合のスリット角度、反射モード効率が３３％以上となる場合のスリット角度、及び、反射モード効率が３６％以上となる場合のスリット角度を、それぞれ、上述した好ましい範囲、より好ましい範囲、及び、更に好ましい範囲とした。

図３４（ネガ型、ツイスト角８３°）でも同様に、特定のスリット角度を境にして、反射率が大きく変化することが確認され、反射率が不連続となるスリット角度は、Ｌ／Ｓ条件によって変化することも確認される。反射率が不連続となるスリット角度は、試験例６－１（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝２．２／４．１）では－１９°付近であり、試験例６－２（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝１．６／３．０）では－１５°付近であり、試験例６－３（Ｌ／Ｓ（μｍ）＝３．０／５．０）では－２２°付近である。従って、各Ｌ／Ｓ条件において、反射モード効率が３０％以上となる場合のスリット角度、反射モード効率が３３％以上となる場合のスリット角度、及び、反射モード効率が３６％以上となる場合のスリット角度を、それぞれ、上述した好ましい範囲、より好ましい範囲、及び、更に好ましい範囲とした。

以上に示した本発明の各態様は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。

１ ：液晶表示装置
１Ｘ ：液晶パネル
１０、３０ ：基板
２０ ：液晶層
２１、２１Ａ、２１Ｂ：液晶分子
４０、４０’ ：位相差層
４１ ：λ／４板
４２ ：λ／２板
４１ＳＡ、４２ＳＡ：面内遅相軸
５０、５０’ ：偏光板
５０ＡＡ ：偏光軸
６１、６２ ：光源
１００、３００：支持基板
１１０ ：ＴＦＴ
１２１、１２２：電極
１３０ ：反射層
１４０、３４０：水平配向膜
１５０Ｇ ：ゲート絶縁膜
１５１、１５２：層間絶縁層
１５３ ：誘電体層
１６０ ：コンタクト電極
３１０ ：カラーフィルタ層
ＢＰ ：バックプレーン回路
ＣＥ ：共通電極
ＰＥ ：画素電極
ＣＨ１、ＣＨ２：コンタクトホール
ＤＲ ：表示領域
ＦＲ ：非表示領域
ＧＬ ：ゲート配線
ＳＬ ：ソース配線
ｆ ：キンク部（屈曲部）
ｐ ：凸部
Ｐ ：画素
Ｒｆ ：反射領域
Ｔｒ ：透過領域
Ｓｌ ：スリット
ＳＰ ：帯状部
ＴＣ ：タッチ配線コンタクト部
ＴＤ ：タッチ駆動部
ＴＬ、ＴＬ１、ＴＬ２：タッチ配線
ＴＸ ：タッチセンサ電極

Claims (19)

1. 第一の基板と、
   前記第一の基板に対向する第二の基板と、
   前記第一の基板と前記第二の基板との間に設けられた液晶層と、
   を備え、マトリクス状に配列された複数の画素を有する液晶表示装置であって、
   前記第一の基板は、光を反射する反射層と、前記液晶層に横電界を生成し得る第一の電極及び第二の電極と、前記液晶層に接する第一の水平配向膜と、を有し、
   前記第一の電極及び前記第二の電極のうち少なくとも一方は、複数の帯状部と、前記複数の帯状部のうち互いに隣接する２つの帯状部間に位置するスリットと、を有し、
   各画素において、前記複数の帯状部は、互いに略平行に、かつ同一方向に延びる直線形状からなり、屈曲部を含まず、
   前記第二の基板は、前記液晶層に接する第二の水平配向膜を有し、
   前記液晶層は、電圧無印加時にツイスト配向をとる
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記複数の帯状部は、切欠き部を含まない
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記複数の帯状部が延びる方向は、少なくとも隣接する画素において、又は、表示領域において、同一である
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記液晶層は、ポジ型の液晶材料を含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記液晶層は、ネガ型の液晶材料を含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 電圧無印加時における前記液晶層のツイスト角は、５８．３°以上８９．９°以下である
   ことを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
7. シングルドメイン配向である
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
8. 電圧無印加時の前記第一の基板側の液晶分子の配向方向は、前記複数の帯状部が延びる方向を基準（０°）として、－３０°以上３０°以下である
   ことを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
9. 前記複数の帯状部は、平面視での帯状部１個あたりの幅Ｌと、平面視でのスリット１個あたりの幅Ｓとの比Ｌ／Ｓが、０．４～０．７／１である
   ことを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶表示装置。
10. 更に、
    前記第一の基板及び／又は前記第二の基板の外側に配置された偏光板と、
    前記基板と前記偏光板との間に配置された位相差層と、
    を備える
    ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
11. 前記液晶層は、ポジ型の液晶材料を含み、
    前記偏光板は、吸収型偏光板であり、
    前記偏光板の光吸収軸は、前記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、５°以上３５°以下である
    ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記液晶層は、ポジ型の液晶材料を含み、
    前記位相差層は、λ／２板を含み、
    前記λ／２板の面内遅相軸は、前記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、２５°以上５０°以下である
    ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
13. 前記液晶層は、ポジ型の液晶材料を含み、
    前記位相差層は、λ／４板を含み、
    前記λ／４板の面内遅相軸は、前記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、４５°以上７０°以下である
    ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
14. 前記液晶層は、ネガ型の液晶材料を含み、
    前記偏光板は、吸収型偏光板であり、
    前記偏光板の吸収軸は、前記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、－８５°以上－５５°以下である
    ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
15. 前記液晶層は、ネガ型の液晶材料を含み、
    前記位相差層は、λ／２板を含み、
    前記λ／２板の面内遅相軸は、前記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、－６５°以上－４０°以下である
    ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
16. 前記液晶層は、ネガ型の液晶材料を含み、
    前記位相差層は、λ／４板を含み、
    前記λ／４板の面内遅相軸は、前記複数の帯状部が延びる方向に直交する方向を基準（０°）として、－４０°以上－１５°以下である
    ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
17. ノーマリーブラックモードで表示を行う
    ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
18. 前記第一の電極又は前記第二の電極のうち一方は、前記複数の画素の各々に設けられた画素電極であり、他方は、タッチセンサ電極として各々機能し得る複数のセグメントを含む共通電極であり、
    前記第一の基板は、対応する前記タッチセンサ電極に各々接続された複数のタッチ配線を有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
19. 更に、光源を備える
    ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。

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