JP2024162734A - 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属不純物を効率よく捕獲できる層間絶縁膜を有する炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第１主面を有する炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の前記第１主面の上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜と、を有し、前記層間絶縁膜は、リンのデルタドープ層を含む。【選択図】図１

Description

本開示は、炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法に関する。

ＰＳＧ（Phosphorus Silicate Glass）膜を含む層間絶縁膜を有する炭化珪素半導体装置が知られている。ＰＳＧ膜は、例えば常圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成される。

特開２０１６－８６０６４号公報 特開２０１８－８２０５４号公報

常圧ＣＶＤ法によりＰＳＧ膜を形成する場合、リン原子を高濃度に含ませると、表面に凹凸が形成されやすい。そのため、ＰＳＧ膜にリン原子を高濃度で含ませることが難しい。ＰＳＧ膜に含まれるリン原子が低濃度である場合、ナトリウムなどの金属不純物を効率よく捕獲することが困難である。

本開示は、金属不純物を効率よく捕獲できる層間絶縁膜を有する炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本開示の炭化珪素半導体装置は、第１主面を有する炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の前記第１主面の上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜と、を有し、前記層間絶縁膜は、リンのデルタドープ層を含む。

本開示によれば、金属不純物を効率よく捕獲できる層間絶縁膜を有する炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することができる。

図１は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置を示す断面図である。 図２は、層間絶縁膜を示す断面図である。 図３は、層間絶縁膜の深さ方向におけるリン濃度分布を示す図である。 図４は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。 図５は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。 図６は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。 図７は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。 図８は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その５）である。 図９は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その６）である。 図１０は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その７）である。 図１１は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その８）である。 図１２は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その９）である。 図１３は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法を示す断面図（その１０）である。

実施するための形態について、以下に説明する。

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。

〔１〕 本開示の一態様に係る炭化珪素半導体装置は、第１主面を有する炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の前記第１主面の上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜と、を有し、前記層間絶縁膜は、リン（Ｐ）のデルタドープ層を含む。この場合、ナトリウムなどの金属不純物を効率よく捕獲し、ゲート絶縁膜への侵入を抑制できる。そのため、閾値電圧の変動を低減できる。

〔２〕 〔１〕において、前記デルタドープ層におけるリン原子のピーク濃度は、５×１０^１６ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってもよい。５×１０^１６ｃｍ^－３以上である場合、ナトリウムなどの金属不純物が層間絶縁膜に捕獲されやすい。１×１０^１９ｃｍ^－３以下である場合、層間絶縁膜の表面に凹凸が形成されにくい。そのため、層間絶縁膜とバリアメタル膜との密着性が向上し、後の工程において層間絶縁膜にクラックが生じにくい。

〔３〕 〔１〕または〔２〕において、前記デルタドープ層の厚さは、０．０５μｍ以上０．３μｍ以下であってもよい。０．０５μｍ以上である場合、ナトリウムなどの金属不純物が層間絶縁膜に捕獲されやすい。０．３μｍ以下である場合、層間絶縁膜の表面に凹凸が形成されにくい。そのため、層間絶縁膜とバリアメタル膜との密着性が向上し、後の工程において層間絶縁膜にクラックが生じにくい。

〔４〕 〔１〕から〔３〕において、前記層間絶縁膜は、深さ方向において互いに離隔した複数の前記デルタドープ層を有してもよい。この場合、ナトリウムなどの金属不純物が層間絶縁膜に捕獲されやすい。

〔５〕 本開示の他の一態様に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、第１主面を有する炭化珪素基板の前記第１主面の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、を有し、前記層間絶縁膜を形成する工程は、前記ゲート電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、イオン注入によって前記絶縁膜にリン原子がドープされたデルタドープ層を形成する工程と、を含み、前記絶縁膜を形成する工程において、前記炭化珪素基板を８００℃以上の温度に加熱する。この場合、層間絶縁膜の表面の凹凸が小さくなり、層間絶縁膜とバリアメタル膜との密着性が向上する。また、ナトリウムなどの金属不純物を効率よく捕獲し、ゲート絶縁膜への侵入を抑制できる。そのため、閾値電圧の変動を低減できる。

〔６〕 〔５〕において、前記絶縁膜を形成する工程において、減圧ＣＶＤ法によって前記絶縁膜を形成してもよい。減圧ＣＶＤ法では、成膜温度が高温のため、緻密な膜質の絶縁膜を形成しやすい。

［本開示の実施形態の詳細］
以下、本開示の実施形態について詳細に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。

（炭化珪素半導体装置）
実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００について説明する。図１は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００を示す断面図である。

図１に示されるように、実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００は、炭化珪素基板１０と、ゲート絶縁膜８１と、ゲート電極８２と、層間絶縁膜８３と、バリアメタル膜８４と、ソース電極６０と、ドレイン電極７０とを主に有する。

炭化珪素基板１０は、炭化珪素単結晶基板５０と、炭化珪素単結晶基板５０上にある炭化珪素エピタキシャル層４０とを含む。炭化珪素基板１０は、第１主面１と、第１主面１と反対の第２主面２とを有する。炭化珪素エピタキシャル層４０は第１主面１を構成し、炭化珪素単結晶基板５０は第２主面２を構成する。炭化珪素単結晶基板５０および炭化珪素エピタキシャル層４０は、例えばポリタイプ４Ｈの六方晶炭化珪素から構成される。炭化珪素単結晶基板５０は、例えば窒素（Ｎ）等のｎ型不純物を含み、ｎ型を有する。炭化珪素基板１０には、半導体素子の一例として電界効果トランジスタが形成されている。

炭化珪素エピタキシャル層４０は、ドリフト領域１１と、ボディ領域１２と、ソース領域１３と、コンタクト領域１８とを主に有する。

ドリフト領域１１は、例えば窒素またはリン等のｎ型不純物を含み、ｎ型を有する。

ボディ領域１２は、ドリフト領域１１上に設けられている。ボディ領域１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）等のｐ型不純物を含み、ｐ型を有する。

ソース領域１３は、ボディ領域１２によってドリフト領域１１から隔てられるようにボディ領域１２上に設けられている。ソース領域１３は、例えば窒素またはリン等のｎ型不純物を含み、ｎ型を有する。ソース領域１３は、第１主面１を構成する。

コンタクト領域１８は、例えばアルミニウム等のｐ型不純物を含み、ｐ型を有する。コンタクト領域１８は、第１主面１を構成する。コンタクト領域１８は、ソース領域１３を貫通し、ボディ領域１２に接する。

第１主面１には、複数のゲートトレンチ５が設けられている。各ゲートトレンチ５は、例えば第１主面１に平行な第１方向に延びる。複数のゲートトレンチ５は、例えば第１主面１に平行かつ第１方向と直交する第２方向に並んでいる。各ゲートトレンチ５は、ドリフト領域１１からなる底面４を有する。各ゲートトレンチ５は、ソース領域１３およびボディ領域１２を貫通して底面４に連なる側面３を有する。底面４は、例えば第２主面２と平行な平面である。底面４を含む平面に対する側面３の角度は、例えば５０°以上６５°以下である。この角度は、例えば５５°以上であってもよい。この角度は、例えば６０°以下であってもよい。底面４を含む平面に対する側面３の角度が９０°であってもよい。

ゲート絶縁膜８１は、側面３および底面４に接する。ゲート絶縁膜８１は、底面４においてドリフト領域１１と接する。ゲート絶縁膜８１は、側面３においてソース領域１３、ボディ領域１２およびドリフト領域１１の各々と接する。ゲート絶縁膜８１は、第１主面１においてソース領域１３と接していてもよい。ゲート絶縁膜８１は、例えば酸化膜である。ゲート絶縁膜８１は、例えば二酸化珪素を含む材料により構成される。

ゲート電極８２は、ゲート絶縁膜８１上に設けられている。ゲート電極８２は、例えば導電性不純物を含むポリシリコン（ポリＳｉ）から構成される。ゲート電極８２は、ゲートトレンチ５の内部に配置されている。ゲート電極８２の一部は、第１主面１上に配置されていてもよい。

層間絶縁膜８３は、ゲート絶縁膜８１およびゲート電極８２に接して設けられている。層間絶縁膜８３は、例えば二酸化珪素を含む材料から構成される。層間絶縁膜８３は、ソース電極６０とゲート電極８２とを電気的に絶縁する。層間絶縁膜８３の一部は、ゲートトレンチ５の内部に設けられていてもよい。層間絶縁膜８３の詳細については後述する。

ゲート絶縁膜８１および層間絶縁膜８３には、第２方向に一定の間隔でコンタクトホール９０が形成されている。コンタクトホール９０は、第１主面１に垂直な方向から平面視したときに、第２方向で隣り合うコンタクトホール９０の間にゲートトレンチ５が位置するように設けられている。コンタクトホール９０は、第１方向に延びる。コンタクトホール９０を通じて、ソース領域１３およびコンタクト領域１８がゲート絶縁膜８１および層間絶縁膜８３から露出する。

バリアメタル膜８４は、ゲート絶縁膜８１の側面と、層間絶縁膜８３の上面および側面とを覆う。バリアメタル膜８４は、ゲート絶縁膜８１および層間絶縁膜８３の各々と接する。バリアメタル膜８４は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）を含む材料から構成される。バリアメタル膜８４は、例えばチタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン膜との積層膜である。

ソース電極６０は、第１主面１に接する。ソース電極６０は、コンタクト電極６１と、ソース配線６２とを有する。

コンタクト電極６１は、第１主面１において、ソース領域１３およびコンタクト領域１８に接していてもよい。コンタクト電極６１は、例えば第１電極領域６１ａと、第２電極領域６１ｂとを有する。第１電極領域６１ａは、ソース領域１３およびコンタクト領域１８と接する。第１電極領域６１ａは、ソース領域１３およびコンタクト領域１８とオーミック接合する。第１電極領域６１ａは、例えばニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）を含む材料から構成される。第１電極領域６１ａは、チタンと、アルミニウムと、シリコンとを含む材料から構成されていてもよい。第２電極領域６１ｂは、バリアメタル膜８４の上面および側面を覆う。第２電極領域６１ｂは、設けられなくてもよい。第２電極領域６１ｂは、例えばニッケルを含む材料から構成される。

ソース配線６２は、コンタクト電極６１の上面および側面を覆う。ソース配線６２は、例えばアルミニウムまたは銅（Ｃｕ）を含む材料から構成される。ソース配線６２は、アルミニウムおよび銅を含む材料から構成されていてもよい。ソース電極６０は、層間絶縁膜８３によりゲート電極８２から電気的に絶縁されている。

ドレイン電極７０は、第２主面２に接する。ドレイン電極７０は、第２主面２において炭化珪素単結晶基板５０と接する。ドレイン電極７０は、ドリフト領域１１と電気的に接続されている。ドレイン電極７０は、例えばニッケルシリサイドを含む材料から構成される。ドレイン電極７０は、チタンと、アルミニウムと、シリコンとを含む材料から構成されていてもよい。ドレイン電極７０は、炭化珪素単結晶基板５０とオーミック接合する。

次に、層間絶縁膜８３について説明する。図２は、層間絶縁膜８３を示す断面図である。図３は、層間絶縁膜８３の深さ方向におけるリン濃度分布を示す図である。図３中、横軸は層間絶縁膜８３の深さ位置を示し、縦軸は層間絶縁膜８３のリン濃度を示す。

層間絶縁膜８３は、高温シリコン酸化膜（ＨＴＯ：High Temperature Oxide）である。層間絶縁膜８３の厚さは、例えば０．６μｍである。層間絶縁膜８３は、デルタドープ層８３ａを含む。デルタドープ層８３ａは、深さ方向にリン原子がデルタドープされた層である。デルタドープ層８３ａに含まれるリン原子の深さ方向の分布は、ガウス分布によって近似される。

デルタドープ層８３ａにおけるリン原子のピーク濃度は、５×１０^１６ｃｍ^－３以上であってよい。この場合、ナトリウムなどの金属不純物が層間絶縁膜８３に捕獲されやすい。デルタドープ層８３ａにおけるリン原子のピーク濃度は、１×１０^１９ｃｍ^－３以下であってよい。この場合、層間絶縁膜８３の表面に凹凸が形成されにくい。そのため、層間絶縁膜８３とバリアメタル膜８４との密着性が向上し、後の工程において層間絶縁膜８３にクラックが生じにくい。層間絶縁膜８３のリン濃度は、例えば二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）により測定できる。

デルタドープ層８３ａの厚さは、０．０５μｍ以上であってよい。この場合、ナトリウムなどの金属不純物が層間絶縁膜８３に捕獲されやすい。デルタドープ層８３ａの厚さは、０．３μｍ以下であってよい。この場合、層間絶縁膜８３の表面に凹凸が形成されにくい。そのため、層間絶縁膜８３とバリアメタル膜８４との密着性が向上し、後の工程において層間絶縁膜８３にクラックが生じにくい。デルタドープ層８３ａの厚さは、例えば図３に示されるように、デルタドープ層８３ａにおける深さ方向のリン原子の濃度プロファイルにおいて、ピークの高さＹの２分の１の高さＹ／２におけるピークの広がり幅、すなわちピークの半値幅である。

層間絶縁膜８３は、深さ方向において互いに離隔した複数のデルタドープ層８３ａを有してもよい。この場合、ナトリウムなどの金属不純物が層間絶縁膜８３に捕獲されやすい。複数のデルタドープ層８３ａは、層間絶縁膜８３の深さ方向において等間隔で設けられてもよい。

以上に説明したように、実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００によれば、リンのデルタドープ層８３ａを含む層間絶縁膜８３を有する。この場合、ナトリウムなどの金属不純物を捕獲し、ゲート絶縁膜８１への侵入を抑制できる。そのため、閾値電圧の変動を低減できる。

（炭化珪素半導体装置の製造方法）
実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００の製造方法について説明する。図４から図１３は、実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００の製造方法を示す断面図である。

まず、図４に示されるように、炭化珪素単結晶基板５０を準備する。次に、炭化珪素単結晶基板５０の上に炭化珪素エピタキシャル層４０を形成する。例えば、炭化珪素単結晶基板５０は、窒素等のｎ型不純物を含み、ｎ型を有する。例えば、炭化珪素エピタキシャル層４０は、窒素等のｎ型不純物を添加したエピタキシャル成長により形成できる。このようにして、第１主面１と、第２主面２とを有する炭化珪素基板１０が得られる。

次に、図５に示されるように、炭化珪素エピタキシャル層４０へのイオン注入を行う。例えば、イオン注入により、ボディ領域１２、ソース領域１３およびコンタクト領域１８が形成される。炭化珪素エピタキシャル層４０の残部がドリフト領域１１として機能する。ボディ領域１２またはコンタクト領域１８を形成するためのイオン注入においては、例えばアルミニウム等のｐ型不純物をイオン注入する。ソース領域１３を形成するためのイオン注入においては、例えばリン等のｎ型不純物をイオン注入する。

次に、図６に示されるように、ソース領域１３、ボディ領域１２およびドリフト領域１１に複数のゲートトレンチ５を形成する。ゲートトレンチ５は、次のようにして形成できる。

まず、ゲートトレンチ５を形成しようとする領域上に開口を有するマスク（図示せず）を形成する。次に、マスクを用いて、ソース領域１３の一部と、ボディ領域１２の一部と、ドリフト領域１１の一部とをエッチングにより除去する。エッチングは、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）である。エッチングにより、ゲートトレンチ５を形成しようとする領域に、第１主面１に対してほぼ垂直な側部と、側部と連続的に設けられ、かつ第１主面１とほぼ平行な底部とを有する凹部が形成される。

次に、凹部において熱エッチングを行う。熱エッチングは、第１主面１上にマスクが形成された状態で、例えば、少なくとも１種類以上のハロゲン原子を有する反応ガスを含む雰囲気での加熱によって行い得る。少なくとも１種類以上のハロゲン原子は、塩素（Ｃｌ）原子およびフッ素（Ｆ）原子の少なくともいずれかを含む。当該雰囲気は、例えば、塩素（Ｃｌ_２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）または四フッ化炭素（ＣＦ_４）を含む。例えば、塩素ガスと酸素（Ｏ_２）ガスとの混合ガスを反応ガスとして用い、熱処理温度を８００℃以上９００℃以下として、熱エッチングが行われる。なお、反応ガスは、上述した塩素ガスと酸素ガスとに加えて、キャリアガスを含んでいてもよい。キャリアガスとしては、例えば窒素（Ｎ_２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガスを利用できる。熱エッチングにより、第１主面１にゲートトレンチ５が形成される。ゲートトレンチ５は、ドリフト領域１１からなる底面４と、ソース領域１３およびボディ領域１２を貫通して底面４に連なる側面３とを有する。熱エッチングの後、マスクが第１主面１から除去される。

次に、図７に示されるように、ゲート絶縁膜８１を形成する。例えば炭化珪素基板１０を熱酸化することにより、ソース領域１３と、ボディ領域１２と、ドリフト領域１１と、コンタクト領域１８とに接するゲート絶縁膜８１が形成される。具体的には、炭化珪素基板１０を、酸素を含む雰囲気において、例えば１３００℃以上１４００℃以下の温度で加熱する。これにより、第１主面１と、側面３と、底面４とに接するゲート絶縁膜８１が形成される。なお、ゲート絶縁膜８１が熱酸化により形成された場合、厳密には、炭化珪素基板１０の一部がゲート絶縁膜８１に取り込まれる。このため、以降の処理では、熱酸化の後のゲート絶縁膜８１と炭化珪素基板１０との間の界面に第１主面１、側面３および底面４が若干移動したものとする。

次に、図８に示されるように、ゲート電極８２を形成する。ゲート電極８２は、ゲート絶縁膜８１上に形成される。ゲート電極８２は、例えば減圧ＣＶＤ法により形成される。ゲート電極８２は、ソース領域１３と、ボディ領域１２と、ドリフト領域１１との各々に対面するように形成される。

次に、図９に示されるように、層間絶縁膜８３を形成する。層間絶縁膜８３は、次のようにして形成できる。

まず、ゲート電極８２を覆い、かつゲート絶縁膜８１と接するように、層間絶縁膜８３用の絶縁膜（図示せず）を形成する。絶縁膜は、例えば高温シリコン酸化膜である。絶縁膜は、例えばＣＶＤ法により形成される。絶縁膜の成膜温度は、例えば８００℃以上であってよい。この場合、緻密な膜質の絶縁膜を形成できる。そのため、層間絶縁膜８３の表面の凹凸が小さくなり、層間絶縁膜８３とバリアメタル膜８４との密着性が向上する。絶縁膜は、例えば減圧ＣＶＤ法により形成される。減圧ＣＶＤ法では、成膜温度が高温のため、緻密な膜質の絶縁膜を形成しやすい。絶縁膜は、一部がゲートトレンチ５の内部に形成されてもよい。

次に、絶縁膜へのイオン注入によって絶縁膜の内部にリン原子がドープされたデルタドープ層８３ａを形成する。これにより、デルタドープ層８３ａを含む層間絶縁膜８３が形成される。絶縁膜へのイオン注入においては、絶縁膜に加速電圧を変更しながら複数回のイオン注入を行い、絶縁膜の深さ方向において互いに離隔した複数のデルタドープ層８３ａを形成してもよい。これにより、深さ方向において互いに離隔した複数のデルタドープ層８３ａを有する層間絶縁膜８３を形成できる。この場合、ナトリウムなどの金属不純物が層間絶縁膜８３に捕獲されやすい。

次に、図１０に示されるように、ゲート絶縁膜８１および層間絶縁膜８３のエッチングを行うことにより、ゲート絶縁膜８１および層間絶縁膜８３にコンタクトホール９０を形成する。この結果、ソース領域１３およびコンタクト領域１８がゲート絶縁膜８１および層間絶縁膜８３から露出する。

次に、図１１に示されるように、ゲート絶縁膜８１の側面と、層間絶縁膜８３の上面および側面とを覆うバリアメタル膜８４を形成する。バリアメタル膜８４は、例えば窒化チタンを含む材料から構成される。バリアメタル膜８４は、例えばチタン膜と窒化チタン膜との積層膜である。バリアメタル膜８４は、例えばスパッタリング法により形成される。

次に、図１２に示されるように、第１主面１においてソース領域１３およびコンタクト領域１８に接するコンタクト電極６１用の金属膜（図示せず）を形成する。コンタクト電極６１用の金属膜は、例えばスパッタリング法により形成される。コンタクト電極６１用の金属膜は、例えばニッケルを含む材料から構成される。次に、第２主面２において炭化珪素単結晶基板５０に接するドレイン電極７０用の金属膜を形成する。ドレイン電極７０用の金属膜は、例えばニッケルを含む材料から構成される。

次に、合金化アニールを行う。コンタクト電極６１用の金属膜およびドレイン電極７０用の金属膜が、例えば９００℃以上１１００℃以下の温度で５分間程度保持される。これにより、コンタクト電極６１用の金属膜の少なくとも一部およびドレイン電極７０用の金属膜の少なくとも一部が、炭化珪素基板１０が含む珪素と反応してシリサイド化する。これにより、ソース領域１３およびコンタクト領域１８とオーミック接合する第１電極領域６１ａと、炭化珪素単結晶基板５０とオーミック接合するドレイン電極７０が形成される。また、バリアメタル膜８４の上面および側面に、シリサイド化していない第２電極領域６１ｂが形成される。第１電極領域６１ａは、チタンと、アルミニウムと、シリコンとを含む材料から構成されてもよい。ドレイン電極７０は、チタンと、アルミニウムと、シリコンとを含む材料から構成されてもよい。

次に、図１３に示されるように、ソース配線６２を形成する。具体的には、コンタクト電極６１を覆うソース配線６２が形成される。ソース配線６２は、例えばスパッタリング法により形成される。ソース配線６２は、例えばアルミニウムまたは銅を含む材料から構成される。ソース配線６２は、アルミニウムおよび銅を含む材料から構成されてもよい。このようにして、コンタクト電極６１とソース配線６２とを有するソース電極６０が形成される。

このようにして、電界効果トランジスタを含む炭化珪素半導体装置１００を製造できる。

以上に説明したように、実施形態に係る炭化珪素半導体装置１００の製造方法によれば、まず８００℃以上の成膜温度で絶縁膜を形成し、次に絶縁膜へのイオン注入によって絶縁膜の内部にリン原子がドープされたデルタドープ層８３ａを形成する。これにより、デルタドープ層８３ａを含む層間絶縁膜８３が形成される。この場合、層間絶縁膜８３の表面の凹凸が小さくなり、層間絶縁膜８３とバリアメタル膜８４との密着性が向上する。また、ナトリウムなどの金属不純物を効率よく捕獲し、ゲート絶縁膜８１への侵入を抑制できる。そのため、閾値電圧の変動を低減できる。

以上、実施形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形および変更が可能である。

１ 第１主面
２ 第２主面
３ 側面
４ 底面
４ ポリタイプ
５ ゲートトレンチ
１０ 炭化珪素基板
１１ ドリフト領域
１２ ボディ領域
１３ ソース領域
１８ コンタクト領域
４０ 炭化珪素エピタキシャル層
５０ 炭化珪素単結晶基板
６０ ソース電極
６１ コンタクト電極
６１ａ 第１電極領域
６１ｂ 第２電極領域
６２ ソース配線
７０ ドレイン電極
８１ ゲート絶縁膜
８２ ゲート電極
８３ 層間絶縁膜
８３ａ デルタドープ層
８４ バリアメタル膜
９０ コンタクトホール
１００ 炭化珪素半導体装置

Claims (6)

1. 第１主面を有する炭化珪素基板と、
   前記炭化珪素基板の前記第１主面の上に設けられたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、
   前記ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜と、
   を有し、
   前記層間絶縁膜は、リンのデルタドープ層を含む、
   炭化珪素半導体装置。
2. 前記デルタドープ層におけるリン原子のピーク濃度は、５×１０^１６ｃｍ^－３以上１×１０^１９ｃｍ^－３以下である、
   請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
3. 前記デルタドープ層の厚さは、０．０５μｍ以上０．３μｍ以下である、
   請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
4. 前記層間絶縁膜は、深さ方向において互いに離隔した複数の前記デルタドープ層を有する、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置。
5. 第１主面を有する炭化珪素基板の前記第１主面の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、
   前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
   を有し、
   前記層間絶縁膜を形成する工程は、
   前記ゲート電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
   イオン注入によって前記絶縁膜にリン原子がドープされたデルタドープ層を形成する工程と、
   を含み、
   前記絶縁膜を形成する工程において、前記炭化珪素基板を８００℃以上の温度に加熱する、
   炭化珪素半導体装置の製造方法。
6. 前記絶縁膜を形成する工程において、減圧ＣＶＤ法によって前記絶縁膜を形成する、
   請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。

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