JP2024138730A - 配線基板及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信号の鈍りを緩和する。
【解決手段】配線基板２１は、第１配線２６と、第１配線２６と交差する第２配線２７と、を備え、第１配線２６は、第１導電膜からなる下層配線部２６Ａと、第１導電膜に対して第１絶縁膜３４を介して上層側に配される第２導電膜からなる上層配線部２６Ｂと、からなり、第１絶縁膜３４のうち、下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂとの双方と重畳する位置には、下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂとを接続する第１コンタクトホールＣＨ３が設けられ、第２配線２７は、第２導電膜に対して第２絶縁膜３５，３６を介して上層側に配される第３導電膜からなり、第２絶縁膜３５，３６は、第１絶縁膜３４よりも膜厚が大きい。
【選択図】図６

Description

本明細書が開示する技術は、配線基板及び表示装置に関する。

従来、配線基板を備える表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された表示装置は、液晶層と、長手状をなしていて長手方向についての途中に屈曲部を有する画素電極と、画素電極に対して絶縁膜を介して重畳する共通電極と、画素電極の短手方向に沿って延在し且つ画素電極の屈曲部に対して絶縁膜を介して重畳していて共通電極に電気的に接続される配線と、を備える。

米国特許出願公開第２０２０/０２７２０１１号明細書

上記した特許文献１に記載された表示装置には、画素電極に接続されたＴＦＴを駆動するためのゲート配線やＴＦＴに画像信号を供給するためのソース配線が設けられている。ここで、例えばゲート配線の長さが極端に長い場合には、ゲート配線の配線抵抗が高くなり、結果としてゲート配線により伝送される走査信号に鈍りが生じるおそれがある。また、ゲート配線とソース配線との間に生じる寄生容量に起因してゲート配線の負荷が高くなり、結果としてゲート配線により伝送される走査信号に鈍りが生じるおそれがあった。

本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、信号の鈍りを緩和することを目的とする。

（１）本明細書に記載の技術に関わる配線基板は、第１配線と、前記第１配線と交差する第２配線と、を備え、前記第１配線は、第１導電膜からなる下層配線部と、前記第１導電膜に対して第１絶縁膜を介して上層側に配される第２導電膜からなる上層配線部と、からなり、前記第１絶縁膜のうち、前記下層配線部と前記上層配線部との双方と重畳する位置には、前記下層配線部と前記上層配線部とを接続する第１コンタクトホールが設けられ、前記第２配線は、前記第２導電膜に対して第２絶縁膜を介して上層側に配される第３導電膜からなり、前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜よりも膜厚が大きい。

（２）また、上記配線基板は、上記（１）に加え、画素電極と、前記第１配線、前記第２配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、を備え、前記共通電極は、前記第２配線に沿って延在する第１開口部と、前記第１開口部によって分割される第１電極部及び第２電極部と、を有しており、前記第１開口部は、前記画素電極の一部と重畳して配されてもよい。

（３）また、上記配線基板は、上記（２）に加え、前記第３導電膜のうちの前記第２配線とは別の部分からなり、前記第１配線と交差する第３配線を備え、前記画素電極は、前記第１配線に沿う長手状をなしていて長手方向についての途中に屈曲部を有しており、前記共通電極は、前記第３導電膜に対して第３絶縁膜を介して上層側に配される第１透明電極膜と、前記第１透明電極膜に対して第４絶縁膜を介して上層側に配される第２透明電極膜と、のうちの一方の透明電極膜からなり、前記画素電極は、前記第１透明電極膜と前記第２透明電極膜とのうちの他方の透明電極膜からなり、前記第３配線は、前記屈曲部に対して重畳して配され、少なくとも前記第３絶縁膜のうちの前記共通電極及び前記第３配線の双方と重畳する位置には、前記共通電極と前記第３配線とを接続する第２コンタクトホールが設けられてもよい。

（４）また、上記配線基板は、上記（３）に加え、前記第３配線は、前記第１配線と交差する第３配線本体と、前記第３配線本体から分岐し、前記共通電極及び前記第１配線の一部ずつと重畳して配される第１分岐部と、を有しており、前記第２コンタクトホールは、前記第１分岐部と重畳して配されてもよい。

（５）また、上記配線基板は、上記（３）または上記（４）に加え、前記共通電極は、前記第１開口部が前記第３配線と重畳して設けられてもよい。

（６）また、上記配線基板は、上記（５）に加え、前記第３導電膜のうちの前記第２配線及び前記第３配線とは別の部分からなり、前記第１配線と交差する第４配線を備え、前記共通電極は、前記第４配線に沿って延在して前記第１電極部を第３電極部と第４電極部とに分割する第２開口部を有しており、前記第４配線は、前記第１配線と交差して前記第２開口部と重畳して配される第４配線本体と、前記第４配線本体から分岐して前記第３電極部と重畳して配される第２分岐部と、前記第４配線本体から分岐して前記第４電極部と重畳して配される第３分岐部と、を有しており、少なくとも前記第３絶縁膜には、前記第３電極部及び前記第２分岐部の双方と重畳する位置に前記第３電極部と前記第２分岐部とを接続する第３コンタクトホールと、前記第４電極部及び前記第３分岐部の双方と重畳する位置に前記第４電極部と前記第３分岐部とを接続する第４コンタクトホールと、が設けられてもよい。

（７）また、上記配線基板は、上記（３）から上記（６）のいずれかに加え、前記画素電極は、前記第２透明電極膜からなり、前記屈曲部を挟むよう配されて前記屈曲部に連なる第５電極部及び第６電極部を有しており、前記第５電極部には、前記第１配線に沿って延在する第３開口部が設けられ、前記第６電極部には、前記第１配線に沿って延在していて前記第３開口部と交差する関係の第４開口部が設けられ、前記屈曲部は、前記第３配線に沿って延在していて前記第３開口部及び前記第４開口部の双方と交差する関係の第７電極部を有してもよい。

（８）また、上記配線基板は、上記（７）に加え、前記第７電極部には、前記第５電極部に連なる第８電極部と、前記第６電極部に連なる第９電極部と、が含まれ、前記屈曲部は、前記第３配線と交差していて前記第８電極部と前記第９電極部とを繋ぐ繋ぎ部を有してもよい。

（９）また、上記配線基板は、上記（３）から上記（８）のいずれかに加え、前記画素電極は、前記第２透明電極膜からなり、前記屈曲部を挟むよう配されて前記屈曲部に連なる第５電極部及び第６電極部を有しており、前記屈曲部、前記第５電極部及び前記第６電極部には、前記第１配線に沿って延在する第５開口部が連続的に設けられており、前記屈曲部は、前記第３配線と直交する関係とされてもよい。

（１０）また、上記配線基板は、上記（１）に加え、前記第１配線に沿って間隔を空けて並ぶ複数の画素電極と、前記第１配線、前記第２配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、複数の前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、を備え、複数の前記画素電極は、いずれも前記第１配線に沿う長手状をなしており、前記第２配線は、いずれかの前記画素電極の中央部と重畳して配され、前記スイッチング素子は、前記画素電極の前記中央部に接続され、前記共通電極は、前記第２配線に沿って延在する第６開口部と、前記第６開口部によって分割される第１０電極部及び第１１電極部と、を有しており、前記第６開口部は、隣り合う２つの前記画素電極の間に位置して配されてもよい。

（１１）また、上記配線基板は、上記（１０）に加え、前記画素電極は、前記中央部を挟むよう配されて前記中央部に連なる第１２電極部及び第１３電極部を有しており、前記中央部は、前記第１２電極部及び前記第１３電極部よりも幅狭とされてもよい。

（１２）また、上記配線基板は、上記（１）に加え、２つの前記第１配線と、前記第２配線に沿って間隔を空けて並ぶ複数の画素電極と、前記第１配線、前記第２配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、複数の前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、を備え、複数の前記画素電極は、いずれも前記第２配線に沿う長手状をなしており、２つの前記第１配線は、隣り合う２つの前記画素電極の間に位置して間隔を空けて配されてもよい。

（１３）また、上記配線基板は、上記（１）から上記（１２）のいずれかに加え、画素電極と、前記第１配線、前記第２配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記第２配線、前記スイッチング素子及び前記画素電極は、前記第１配線に沿って並んで配されており、前記第１コンタクトホールは、前記第２配線と重畳して配されてもよい。

（１４）また、上記配線基板は、上記（１）から上記（１３）のいずれかに加え、前記第１絶縁膜は、無機絶縁材料からなり、前記第２絶縁膜は、有機絶縁材料からなってもよい。

（１５）本明細書に記載の技術に関わる表示装置は、上記（１）から上記（１４）のいずれかに記載の配線基板と、前記配線基板と対向状に配される対向基板と、を備える。

本明細書に記載の技術によれば、信号の鈍りを緩和することができる。

実施形態１に係る液晶パネルの平面図 実施形態１に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図 実施形態１に係る液晶パネルにおける図２のiii-iii線断面図 実施形態１に係る液晶パネルを構成するアレイ基板における図２のiv-iv線断面図 実施形態１に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第１金属膜及び第２金属膜を異なる網掛け状にして示す平面図 実施形態１に係る液晶パネルにおける図２のvi-vi線断面図 実施形態１に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第３金属膜及び第２透明電極膜を異なる網掛け状にして示す平面図 実施形態１に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第１透明電極膜を網掛け状にして示す平面図 実施形態１に係る液晶パネルにおける図２のix-ix線断面図 実施形態２に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図 実施形態２に係る液晶パネルにおける図１０のxi-xi線断面図 実施形態３に係るドライバとタッチ電極とタッチ配線及び接続配線との関係を概略的に示す平面図 実施形態３に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第３金属膜及び第２透明電極膜を異なる網掛け状にして示す平面図 実施形態３に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第１透明電極膜を網掛け状にして示す平面図 実施形態３に係るアレイ基板における図１３のxv-xv線断面図 実施形態３に係るアレイ基板における図１３のxvi-xvi線断面図 実施形態４に係る液晶パネルの表示領域における画素電極の屈曲部付近を示す平面図であり、第２透明電極膜を網掛け状にして示す平面図 実施形態５に係る液晶パネルの表示領域における画素電極の屈曲部付近を示す平面図であり、第２透明電極膜を網掛け状にして示す平面図 実施形態６に係る液晶パネルの表示領域における画素電極の屈曲部付近を示す平面図であり、第２透明電極膜を網掛け状にして示す平面図 実施形態７に係る液晶パネルの表示領域における画素電極の屈曲部付近を示す平面図であり、第２透明電極膜を網掛け状にして示す平面図 実施形態８に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第３金属膜及び第２透明電極膜を異なる網掛け状にして示す平面図 実施形態８に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第１透明電極膜を網掛け状にして示す平面図 実施形態９に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図 実施形態９に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第３金属膜及び第２透明電極膜を異なる網掛け状にして示す平面図 実施形態９に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第１金属膜及び第２金属膜を異なる網掛け状にして示す平面図 実施形態９に係る液晶パネルに備わるＴＦＴとゲート配線、ソース配線及び画素電極との接続態様と、あるフレーム期間において画素電極に供給される画像信号の極性と、を模式的に示す回路図 実施形態９に係る液晶パネルの表示領域における画素配列を示す平面図であり、第１透明電極膜を網掛け状にして示す平面図 実施形態１０に係る液晶パネルに備わるＴＦＴとゲート配線、ソース配線及び画素電極との接続態様と、あるフレーム期間において画素電極に供給される画像信号の極性と、を模式的に示す回路図 他の実施形態（８）に係る液晶パネルに備わるＴＦＴとゲート配線、ソース配線及び画素電極との接続態様と、あるフレーム期間において画素電極に供給される画像信号の極性と、を模式的に示す回路図 他の実施形態（９）に係る液晶パネルに備わるＴＦＴとゲート配線、ソース配線及び画素電極との接続態様と、あるフレーム期間において画素電極に供給される画像信号の極性と、を模式的に示す回路図 他の実施形態（１０）に係る液晶パネルに備わるＴＦＴとゲート配線、ソース配線及び画素電極との接続態様と、あるフレーム期間において画素電極に供給される画像信号の極性と、を模式的に示す回路図

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図９によって説明する。本実施形態では、画像表示機能及びタッチパネル機能（位置入力機能、位置検出機能）を備える液晶パネル（表示装置）１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図３，図６及び図９の上側を表側とし、同図下側を裏側とする。

図１を用いて液晶パネル１０の概略的な平面構成について説明する。液晶パネル１０は、図１に示すように、全体として平面形状が横長の略方形状とされる。この液晶パネル１０は、その短辺方向がＹ軸方向と、長辺方向がＸ軸方向と、板厚方向（各基板２０，２１の主面の法線方向）がＺ軸方向と、それぞれ一致している。本実施形態では、Ｘ軸方向が「第１方向」であり、Ｙ軸方向が「第１方向と交差する第２方向」である。液晶パネル１０は、例えば車載用の液晶表示装置などに用いることが可能である。車載用の液晶表示装置は、例えばインスツルメンツパネル、マルチファンクションディスプレイ、インフォテインメントシステムなどに用いられ、横長形状であることが一般的である。液晶パネル１０における短辺寸法に対する長辺寸法の比率は、液晶表示装置の用途に応じて変動する。例えば車載用の液晶表示装置の長さが、助手席前から運転席前に至るまで車幅に近い値になる場合には、上記した比率が極めて高い値となる。液晶パネル１０は、自身の裏側に配されたバックライト装置（照明装置）から照射される照明光を利用して画像を表示することが可能とされる。バックライト装置は、液晶パネル１０に対して裏側（背面側）に配置され、例えば光源（例えばＬＥＤなど）や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。

液晶パネル１０は、図１に示すように、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域（図１において一点鎖線により囲った範囲）ＡＡとされる。これに対し、液晶パネル１０の画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状（枠状）の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされる。液晶パネル１０は、一対の基板２０，２１を貼り合わせてなる。一対の基板２０，２１のうち表側（正面側）の基板が対向基板２０とされ、裏側（背面側）の基板がアレイ基板（配線基板）２１とされる。対向基板２０及びアレイ基板２１は、いずれもガラス基板の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。なお、両基板２０，２１の外面側には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。

アレイ基板２１は、図１に示すように、対向基板２０に対してＹ軸方向に沿って側方に突き出す突き出し部２１Ａを有する。この突き出し部２１Ａには、次述する表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するためのドライバ（信号供給部）１１及びフレキシブル基板１２が実装されている。ドライバ１１は、アレイ基板２１の突き出し部２１Ａに対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。ドライバ１１は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなり、フレキシブル基板１２によって伝送される各種信号を処理する。ドライバ１１は、アレイ基板２１において表示領域ＡＡに対してＹ軸方向に間隔を空けて並んで配されている。フレキシブル基板１２は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターンを形成した構成とされる。フレキシブル基板１２は、一端側部分がアレイ基板２１に、他端側部分が外部のコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１２を介して液晶パネル１０に伝送される。また、アレイ基板２１の非表示領域ＮＡＡには、表示領域ＡＡをＸ軸方向に両側から挟み込む形で一対のゲート回路部１３が設けられている。ゲート回路部１３は、後述するゲート配線２６に走査信号を供給する。ゲート回路部１３は、アレイ基板２１にモノリシックに設けられている。

本実施形態に係る液晶パネル１０は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出するタッチパネル機能と、を併有している。液晶パネル１０には、タッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンが一体化（インセル化）されている。タッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされ、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図１に示すように、液晶パネル１０の主面内においてマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極（位置検出電極）３０から構成されている。タッチ電極３０は、液晶パネル１０の表示領域ＡＡに配されている。従って、液晶パネル１０の表示領域ＡＡは、入力位置を検出可能なタッチ領域（位置入力領域）とほぼ一致している。なお、非表示領域ＮＡＡは、入力位置を検出不能な非タッチ領域（非位置入力領域）とほぼ一致している。液晶パネル１０の表示領域ＡＡに表示された画像に基づいて、使用者が、導電体である使用者の指や使用者によって操作されるタッチペンなどの位置入力体を、液晶パネル１０の表面（表示面）に近づけると、その位置入力体とタッチ電極３０との間で静電容量が形成される。これにより、位置入力体の近くにあるタッチ電極３０にて検出される静電容量には、位置入力体が近づくのに伴って変化が生じ、位置入力体から遠くにあるタッチ電極３０の静電容量とは異なるものとなる。この静電容量の相違に基づいて、後述する検出回路は、入力位置を検出することが可能である。

上記したタッチ電極３０は、図１に示すように、アレイ基板２１に備わる共通電極２５により構成されている。共通電極２５は、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって配されている。共通電極２５は、略格子状をなす仕切開口部（仕切スリット）２５Ａを有しており、仕切開口部２５Ａによって複数のタッチ電極３０に分割されている。仕切開口部２５Ａは、概ねＹ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって縦断していてＸ軸方向について隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る第１仕切開口部２５Ａ１と、Ｘ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって横断していてＹ軸方向について隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る第２仕切開口部２５Ａ２と、からなる。第１仕切開口部２５Ａ１は、Ｘ軸方向についてタッチ電極３０分の間隔を空けて複数が並んで配されている。第２仕切開口部２５Ａ２は、Ｙ軸方向についてタッチ電極３０分の間隔を空けて複数が並んで配されている。仕切開口部２５Ａによって仕切られるタッチ電極３０は、表示領域ＡＡにおいてＹ軸方向及びＸ軸方向に沿って複数ずつがそれぞれ間隔を空けて並んで配されている。タッチ電極３０は、平面に視て略方形状をなしており、一辺の寸法が数ｍｍ程度とされる。タッチ電極３０は、平面に視た大きさが後述する画素よりも遙かに大きくなっており、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に複数（数十～数百程度）ずつの画素に跨る範囲に配置されている。

複数のタッチ電極３０には、図１に示すように、液晶パネル１０に設けられた複数のタッチ配線（第３配線、位置検出配線）３１が選択的に接続されている。タッチ配線３１は、Ｙ軸方向に沿って一列に並ぶ全てのタッチ電極３０を横切る形で、Ｙ軸方向に沿って延在する。タッチ配線３１のＹ軸方向の一端側部分が、非表示領域ＮＡＡにてドライバ１１に対して接続されている。タッチ配線３１は、表示領域ＡＡにてＹ軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極３０のうちの特定のタッチ電極３０に対して接続されている。タッチ配線３１は、接続対象のタッチ電極３０よりもドライバ１１側（図１の下側）とは反対側（図１の上側）に延伸されて、ドライバ１１と逆側（図１の上側）の非表示領域ＮＡＡに配置された、図示しない検査回路や静電気対策素子等と接続される。なお、タッチ配線３１の設置数によっては、１つのタッチ電極３０に１本のみのタッチ配線３１を接続してもよいが、１つのタッチ電極３０に複数のタッチ配線３１を接続してもよい。また、１つのタッチ電極３０に接続するタッチ配線３１の本数は、タッチ電極３０の位置に応じて異なっていてもよい。その場合は、例えばドライバ１１から遠いタッチ電極３０に接続されるタッチ配線３１の数を、ドライバ１１に近いタッチ電極３０に接続されるタッチ配線３１の数よりも多くするのが好ましいが、必ずしもその限りではない。なお、図１では、タッチ電極３０に対するタッチ配線３１の接続箇所（第３配線コンタクトホールＣＨ５）を黒丸にて図示している。さらにタッチ配線３１は、検出回路と接続されている。検出回路は、ドライバ１１に備えられてもよいが、フレキシブル基板１２を介して液晶パネル１０の外部に備えられてもよい。タッチ配線３１の詳しい構成については、後に改めて説明する。

タッチ配線３１には、図１に示すように、ドライバ１１から、画像表示機能に係る共通電位信号と、タッチパネル機能に係るタッチ信号（位置検出信号）と、が時分割して供給される。ドライバ１１からタッチ配線３１に共通電位信号が供給されるタイミングが表示期間である。ドライバ１１からタッチ配線３１にタッチ信号が供給されるタイミングがセンシング期間（位置検出期間）である。この共通電位信号は、同じタイミング（表示期間）で全てのタッチ配線３１に伝送されることで、全てのタッチ電極３０が共通電位信号に基づく基準電位となって共通電極２５として機能する。

液晶パネル１０を構成するアレイ基板２１及び対向基板２０における表示領域ＡＡの構成について図２を参照しつつ説明する。図２には、２列分の画素配列が図示されている。アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図２に示すように、ＴＦＴ（スイッチング素子、薄膜トランジスタ）２３及び画素電極２４が設けられている。ＴＦＴ２３及び画素電極２４は、複数ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って間隔を空けて並んでマトリクス状（行列状）に設けられている。これらＴＦＴ２３及び画素電極２４の周りには、互いに直交（交差）するゲート配線（第１配線、走査配線）２６及びソース配線（第２配線、信号配線、データ配線）２７が配設されている。ゲート配線２６は、ジグザグ状に繰り返し屈曲されつつも概ねＸ軸方向に沿って延在し、表示領域ＡＡを横断する。ゲート配線２６は、複数がＹ軸方向に間隔を空けて並んで配される。ソース配線２７は、Ｙ軸方向に沿って概ね真っ直ぐに延在し、表示領域ＡＡを縦断する。ソース配線２７は、複数がＸ軸方向に間隔を空けて並んで配される。ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６とソース配線２７とが交差する部位（交差部位）に隣接して配されている。画素電極２４は、ゲート配線２６とソース配線２７との交差部位との間にＸ軸方向についてＴＦＴ２３を挟む配置とされる。ＴＦＴ２３には、隣接する配置とされるゲート配線２６、ソース配線２７及び画素電極２４がそれぞれ接続されている。ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６により伝送される走査信号に基づいて駆動され、その駆動に伴ってソース配線２７により伝送される画像信号に基づく電位に画素電極２４を充電することができる。

画素電極２４は、図２に示すように、平面に視て横長の長手状とされており、長手方向がＸ軸方向と一致し、短手方向がＹ軸方向と一致している。画素電極２４における短手寸法に対する長手寸法の比率は３である。短手方向（Ｙ軸方向）について隣り合う画素電極２４の間にゲート配線２６が介在するのに対し、長手方向（Ｘ軸方向）について隣り合う画素電極２４の間にソース配線２７及びＴＦＴ２３が介在している。ゲート配線２６の配列間隔は、画素電極２４の短手寸法と同程度であり、ソース配線２７の配列間隔は、画素電極２４の長手寸法と同程度である。従って、仮に画素電極を縦長形状とした場合に比べると、ソース配線２７の配列間隔が、画素電極２４の短手寸法を長手寸法にて除した比率（例えば約１／３）程度となり、それに伴ってＸ軸方向についての単位長さ当たりのソース配線２７の設置数が上記と同様の比率（例えば約１／３）程度となる。なお、仮に画素電極を縦長形状とした場合に比べると、ゲート配線２６の配列間隔が、画素電極２４の長手寸法を短手寸法にて除した比率（例えば約３）程度となり、それに伴ってＸ軸方向についての単位長さ当たりのゲート配線２６の設置数が上記と同様の比率（例えば約３）程度となる。これにより、ソース配線２７の設置数を削減することができるので、ソース配線２７に供給される画像信号の数が削減される。

なお、対向基板２０側には、図２では二点鎖線にて図示される遮光部２９及びスペーサ３２が形成されている。遮光部２９は、隣り合う画素電極２４の間を仕切るよう平面形状が略格子状であり、平面に視て画素電極２４の大部分と重畳する位置に画素開口部２９Ａを有している。この画素開口部２９Ａにより画素電極２４の透過光を液晶パネル１０の外部へ出光させることが可能とされる。遮光部２９は、アレイ基板２１側の少なくともＴＦＴ２３、ゲート配線２６、ソース配線２７及びタッチ配線３１と平面に視て重畳する配置とされる。スペーサ３２は、一対の基板２０，２１の間の間隔を保持するためのものである。スペーサ３２は、平面形状が略円形とされる。スペーサ３２は、アレイ基板２１に備わるゲート配線２６とソース配線２７との交差部位付近に配される。なお、スペーサ３２は、セル厚み（アレイ基板２１と対向基板２０との距離、すなわち、液晶層２２の厚さ）と同等の高さをもち、セル厚みを均等に保持する機能をもつメインスペーサと、セル外部から荷重がかかった際に支える機能をもつメインスペーサよりも一定量高さの小さいサブスペーサがある。図２ではスペーサ３２がサブスペーサである例を示しているが、スペーサ３２がメインスペーサであっても良い。

図３を用いて液晶パネル１０の断面構成を説明する。液晶パネル１０は、図３に示すように、一対の基板２０，２１間に配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）２２を有している。液晶パネル１０を構成する対向基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ２８が設けられている。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、ソース配線２７の延在方向（Ｙ軸方向）に隣り合うよう並んで配される。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、ゲート配線２６の延在方向（概ねＸ軸方向）に沿って延在している。このように、互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、全体として横縞のストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ２８は、アレイ基板２１側の各画素電極２４と平面に視て重畳する配置とされている。互いに重畳するカラーフィルタ２８と画素電極２４とが表示単位である画素を構成する。互いに異なる色を呈する複数のカラーフィルタ２８は、その境界（色境界）がゲート配線２６と重畳する配置とされる。また、カラーフィルタ２８の上層側（液晶層２２側）には、平坦化のために対向基板２０のほぼ全域にわたってベタ状に配されるオーバーコート膜３３が設けられている。なお、両基板２０，２１のうち、液晶層２２に接する最内面（最上層）には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜がそれぞれ形成されている。

ここで、アレイ基板２１の内面側に積層形成された各種の膜について図３及び図４を参照しつつ説明する。図４は、アレイ基板２１におけるＴＦＴ２３付近の断面図である。アレイ基板２１には、図３及び図４に示すように、下層側（ガラス基板側）から順に第１金属膜（第１導電膜）、ゲート絶縁膜（第１絶縁膜）３４、半導体膜、第２金属膜（第２導電膜）、第１層間絶縁膜（第２絶縁膜）３５、平坦化膜（第２絶縁膜）３６、第３金属膜（第３導電膜）、第２層間絶縁膜（第３絶縁膜）３７、第１透明電極膜、第３層間絶縁膜（第４絶縁膜）３８、第２透明電極膜が積層形成されている。第１金属膜、第２金属膜及び第３金属膜は、それぞれ銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜は、ゲート配線２６の一部、ＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａなどを構成する。第２金属膜は、ゲート配線２６の一部、ＴＦＴ２３のソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃなどを構成する。第３金属膜は、ソース配線２７、タッチ配線３１などを構成する。半導体膜は、材料として例えば酸化物半導体、アモルファスシリコン等の半導体材料を用いた薄膜からなり、ＴＦＴ２３において半導体部２３Ｄなどを構成する。第１透明電極膜及び第２透明電極膜は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など）からなる。第１透明電極膜は、共通電極２５（タッチ電極３０）などを構成する。第２透明電極膜は、画素電極２４などを構成する。

ゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８は、それぞれ窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機絶縁材料からなる。無機絶縁材料からなるゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８の膜厚は、例えば２００ｎｍ～７００ｎｍ程度とされる。平坦化膜３６は、例えばＰＭＭＡ（アクリル樹脂）などの有機絶縁材料からなり、その膜厚が無機絶縁材料からなる他の絶縁膜３４，３５，３７，３８よりも大きい。有機絶縁材料からなる平坦化膜３６の膜厚は、例えば１μｍ～３μｍ程度とされ、無機絶縁材料からなるゲート絶縁膜３４、第１層間絶縁膜３５、第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８の膜厚よりも桁違いに大きい。この平坦化膜３６によりアレイ基板２１の表面が平坦化される。ゲート絶縁膜３４は、下層側の第１金属膜と、上層側の半導体膜及び第２金属膜と、を絶縁状態に保つ。第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６は、下層側の半導体膜及び第２金属膜と、上層側の第３金属膜と、を絶縁状態に保つ。第２層間絶縁膜３７は、下層側の第３金属膜と、上層側の第１透明電極膜と、を絶縁状態に保つ。第３層間絶縁膜３８は、下層側の第１透明電極膜と、上層側の第２透明電極膜と、を絶縁状態に保つ。

図４及び図５を用いてＴＦＴ２３の構成について詳しく説明する。図５には、図２と同じ範囲の画素配列が図示されており、図５では、アレイ基板２１に備わる第１金属膜及び第２金属膜をそれぞれ異なる網掛け状にして図示する。ＴＦＴ２３は、図４及び図５に示すように、第１金属膜からなるゲート電極２３Ａを有する。ゲート電極２３Ａは、ゲート配線２６から分岐してなる。詳しくは、ゲート電極２３Ａは、ゲート配線２６の一部を、Ｙ軸方向に沿って接続対象となる画素電極２４側に向けて突出させてなり、平面に視て略方形状をなす。ゲート電極２３Ａには、ゲート配線２６に伝送される走査信号が供給される。ＴＦＴ２３は、第２金属膜からなるソース電極２３Ｂを有する。ソース電極２３Ｂは、Ｘ軸方向に沿って延在し、一方の端部がソース配線２７と重畳して配され、他方の端部が次述する半導体部２３Ｄと重畳して配される。ソース配線２７は、ソース電極２３Ｂと重畳する部分が、他の部分よりも幅広とされており、当該幅広部分がソース電極２３Ｂに接続されている。

ＴＦＴ２３は、図４及び図５に示すように、第２金属膜からなるドレイン電極２３Ｃを有する。ドレイン電極２３Ｃは、Ｙ軸方向に沿って延在する部分の両端部がＸ軸方向に沿って同じ側（図５の左側）に延出しており、全体の平面形状が門形をなしている。ドレイン電極２３Ｃのうち、Ｘ軸方向に沿って延出する一方の端部は、ソース電極２３Ｂとの間にＸ軸方向について間隔を空けた位置にて半導体部２３Ｄと重畳して配される。ドレイン電極２３Ｃのうち、Ｘ軸方向に沿って延出する他方の端部は、画素電極２４の一部及び中間電極３９の双方と重畳して配される。中間電極３９は、Ｚ軸方向について、第２金属膜からなるドレイン電極２３Ｃと、第２透明電極膜からなる画素電極２４と、の中間に位置する第３金属膜からなる。中間電極３９は、ドレイン電極２３Ｃのうちの一方の端部よりも一回り大きい方形状の平面形状とされる。第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６のうち、ドレイン電極２３Ｃ及び中間電極３９の双方と重畳する位置には、第１画素コンタクトホールＣＨ１が開口形成されている。中間電極３９は、第１画素コンタクトホールＣＨ１を通してドレイン電極２３Ｃに接続されている。第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８のうち、中間電極３９及び画素電極２４の双方と重畳する位置には、第２画素コンタクトホールＣＨ２が開口形成されている。画素電極２４は、第２画素コンタクトホールＣＨ２を通して中間電極３９に接続されている。このように、画素電極２４は、中間電極３９を介してドレイン電極２３Ｃに接続されている。

ＴＦＴ２３は、図４及び図５に示すように、半導体膜からなる半導体部２３Ｄを有する。半導体部２３Ｄは、平面に視てＸ軸方向に沿って延在する横長の方形状をなしている。半導体部２３Ｄのうち、一方の端部がソース電極２３Ｂに接続され、他方の端部がドレイン電極２３Ｃに接続されている。半導体部２３Ｄは、ゲート電極２３Ａに対してゲート絶縁膜３４を介して重畳して配されている。そして、ゲート電極２３Ａに供給される走査信号に基づいてＴＦＴ２３がオン状態にされると、ソース配線２７からソース電極２３Ｂに供給される画像信号は半導体部２３Ｄを介してドレイン電極２３Ｃへと供給され、その結果、画素電極２４が画像信号に基づく電位に充電されるようになっている。

本実施形態に係るゲート配線２６は、図５及び図６に示すように、第１金属膜からなる下層配線部２６Ａと、第２金属膜からなる上層配線部２６Ｂと、の積層構造とされる。図６は、アレイ基板２１をゲート配線２６に沿って切断した断面図である。下層配線部２６Ａ及び上層配線部２６Ｂは、互いに重畳するとともに並行していて、ジグザグ状に繰り返し屈曲されつつも概ねＸ軸方向に沿って延在している。下層配線部２６Ａは、部分的にＹ軸方向に沿って突き出すゲート電極２３Ａを有する。ゲート電極２３Ａは、上層配線部２６Ｂとは非重畳の配置とされる。ゲート絶縁膜３４のうち、下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂとの双方と重畳する位置には、第１配線コンタクトホール（第１コンタクトホール）ＣＨ３が設けられている。上層配線部２６Ｂは、第１配線コンタクトホールＣＨ３を通して下層配線部２６Ａに接続されている。第１配線コンタクトホールＣＨ３は、ＴＦＴ２３の半導体部２３Ｄにおける中央部に対してＹ軸方向について間隔を空けた位置に配されている。第１配線コンタクトホールＣＨ３は、Ｘ軸方向について画素１つ分程度の間隔を空けた位置に複数が並んで配されている。１つのゲート配線２６に対して重畳配置される第１配線コンタクトホールＣＨ３の設置数は、Ｘ軸方向に沿って並ぶ画素（ＴＦＴ２３、画素電極２４）の並び数と等しい。以上のように、本実施形態に係るゲート配線２６は、ゲート絶縁膜３４の第１配線コンタクトホールＣＨ３を通して相互に接続される下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂとの積層構造とされているから、仮に第１金属膜のみからなる単層構造とされる場合に比べると、配線抵抗が低減される。これにより、ゲート配線２６により伝送される走査信号に鈍りが生じ難くなる。

その上で、本実施形態に係るソース配線２７は、図６及び図７に示すように、第３金属膜（第３導電膜）からなる。図７には、図２と同じ範囲の画素配列が図示されており、図７では、アレイ基板２１に備わる第３金属膜及び第２透明電極膜をそれぞれ異なる網掛け状にして図示する。互いに交差するソース配線２７とゲート配線２６を構成する上層配線部２６Ｂとの間には、第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６が介在している。この第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６によってゲート配線２６とソース配線２７とが絶縁状態に保たれている。これら第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６の膜厚の合計は、マイクロメートルオーダーであり、ナノメートルオーダーとされるゲート絶縁膜３４の膜厚よりも桁違いに大きい。従って、仮に、ゲート配線２６とソース配線２７との間にゲート絶縁膜３４の膜厚と同じ膜厚の絶縁膜が介在する場合に比べると、ゲート配線２６とソース配線２７との間に生じ得る寄生容量が軽減される。また、平坦化膜３６としては、ゲート絶縁膜３４として用いられる無機絶縁材料の比誘電率（例えば比誘電率４～８）よりも小さい比誘電率（例えば比誘電率３～４）の有機絶縁材料を用いることができる。これにより、ゲート配線２６の負荷が軽減され、ゲート配線２６により伝送される走査信号に鈍りが生じ難くなる。

以上のように、本実施形態によれば、ゲート配線２６により伝送される走査信号に鈍りが生じ難くなっているので、画素電極２４を横長形状とするのに伴って、ゲート配線２６の設置数が、画素電極を縦長形状とした場合との比較で、３倍程度となり、１本のゲート配線２６に走査信号が供給される時間（ＴＦＴ２３の書き込み時間）が１／３程度となる場合であっても、ＴＦＴ２３を適切に駆動させ、画素電極２４を適切に充電することができる。それ以外にも、例えば、液晶パネル１０が極端な横長形状とされるのに伴って、ゲート配線２６の長さが極端に長くなり、ゲート配線２６の配線抵抗が高くなることが懸念される場合に好適である。

本実施形態では、ソース配線２７が第３金属膜からなるので、ＴＦＴ２３のソース電極２３Ｂとの接続構造が次のようになっている。すなわち、第２金属膜からなるソース電極２３Ｂと、第３金属膜からなるソース配線２７と、の重畳部位の間に介在する第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６には、図４に示すように、第２配線コンタクトホールＣＨ４が設けられている。第２配線コンタクトホールＣＨ４は、ソース電極２３Ｂにおける一方の端部と、ソース配線２７の幅広部分と、の双方と重畳する位置に配されている。ソース配線２７は、第２配線コンタクトホールＣＨ４を通してソース電極２３Ｂに接続されている。

図３，図４及び図７を用いて画素電極２４の詳しい構成について説明する。画素電極２４は、図７に示すように、平面形状が横長形状の画素電極本体２４Ａを有する。画素電極本体２４Ａは、その長手方向について途中で屈曲している。詳しくは、画素電極本体２４Ａは、長手側の両側縁がＸ軸方向に対して僅かに傾斜するとともにほぼ中央位置にて一度屈曲されていて浅い逆Ｖ字型をなしている。画素電極本体２４Ａは、Ｘ軸方向に対して傾いた第１斜め方向に沿って延在する第１画素電極部２４Ａ１と、Ｘ軸方向に対して傾き且つ第１斜め方向に対して交差する第２斜め方向に沿って延在する第２画素電極部２４Ａ２と、第１画素電極部２４Ａ１と第２画素電極部２４Ａ２との間に挟まれる屈曲部２４Ａ３と、を含む。上記した第１斜め方向は、図７において左下から右上へ向かう方向である。上記した第２斜め方向は、図７において左上から右下へ向かう方向である。屈曲部２４Ａ３は、平面に視て逆Ｖ字型をなしており、タッチ配線３１に対して傾く関係とされる。屈曲部２４Ａ３は、画素電極本体２４Ａのうちの長手方向についての中央部である。画素電極本体２４Ａには、図３及び図７に示すように、長手側の側縁に沿って延在する複数（図７では４本）のスリット２４Ａ４が形成されている。スリット２４Ａ４は、第１画素電極部２４Ａ１、第２画素電極部２４Ａ２及び屈曲部２４Ａ３にわたって連続的に設けられている。なお、スリット２４Ａ４の具体的な設置本数や形状や形成範囲などは、図示以外にも適宜に変更可能である。例えば、図７に示す屈曲部２４Ａ３は、第１斜め方向及び第２斜め方向と異なる方向に沿って延在する逆Ｖ字型の部分を備えているが、第１斜め方向及び第２斜め方向と異なる方向に沿って延在する部分を備えずに、第１斜め方向及び第２斜め方向と同じ方向に沿って延在する逆Ｖ字型にも変更可能である。

画素電極２４は、図７に示すように、画素電極本体２４ＡからＸ軸方向に沿って片側に突出するコンタクト部２４Ｂを有する。コンタクト部２４Ｂは、第１画素電極部２４Ａ１から図７の左向きに突出し、ドレイン電極２３Ｃの他方の端部及び中間電極３９に対して重畳して配されている。コンタクト部２４Ｂは、平面に視て方形状をなしている。コンタクト部２４Ｂは、図４に示すように、中間電極３９を介してドレイン電極２３Ｃの他方の端部に接続される。複数の画素電極２４は、図３に示すように、共通電極２５に対して第３層間絶縁膜３８を介して上層側に重畳して配されている。このような構成の画素電極２４が充電されると、画素電極２４と重畳する共通電極２５との間に電位差が生じる。すると、画素電極２４におけるスリット２４Ａ４の開口縁と共通電極２５との間には、アレイ基板２１の主面に沿う成分に加えて、アレイ基板２１の主面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じる。このフリンジ電界を利用することで液晶層２２に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１０は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。

図６及び図７を用いてタッチ配線３１について説明する。タッチ配線３１は、図７に示すように、画素電極２４の画素電極本体２４Ａのうちの屈曲部２４Ａ３に対して重畳して配されている。つまり、タッチ配線３１は、画素電極本体２４Ａの中央部をその短手方向に沿って横切る形で配されている。複数ずつのタッチ配線３１及びソース配線２７は、間に画素電極２４の長手寸法の半分程度の間隔を空けてＸ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされる。詳しくは、タッチ配線３１と、タッチ配線３１に対して図７の左側に位置するソース配線２７と、の間には、第１画素電極部２４Ａ１及びＴＦＴ２３が挟まれている。タッチ配線３１と、タッチ配線３１に対して図７の右側に位置するソース配線２７と、の間には、第２画素電極部２４Ａ２が挟まれている。

タッチ配線３１は、図７に示すように、Ｙ軸方向に沿って延在するタッチ配線本体（第３配線本体）３１Ａと、タッチ配線本体３１Ａから分岐する第１分岐部３１Ｂと、を有する。タッチ配線本体３１Ａは、画素電極本体２４Ａ及びゲート配線２６に対して交差する関係とされる。第１分岐部３１Ｂは、タッチ配線本体３１Ａのうち、所定のゲート配線２６と交差する部位から当該ゲート配線２６に沿って延出するよう分岐されている。第１分岐部３１Ｂは、１つのタッチ配線本体３１ＡにおいてＹ軸方向について間隔を空けた位置に複数が設けられている。第１分岐部３１Ｂは、図６に示すように、タッチ電極３０（共通電極２５）及びゲート配線２６の一部ずつと重畳して配されている。詳しくは、第１分岐部３１Ｂは、ゲート配線２６を構成する上層配線部２６Ｂに対して第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して上層側に重畳配置され、タッチ電極３０に対して第２層間絶縁膜３７を介して下層側に重畳配置されている。第１分岐部３１Ｂとタッチ電極３０との間に介在する第２層間絶縁膜３７には、第３配線コンタクトホール（第２コンタクトホール）ＣＨ５が設けられている。第３配線コンタクトホールＣＨ５は、第２層間絶縁膜３７のうち、タッチ電極３０とタッチ配線３１の第１分岐部３１Ｂとの双方と重畳する位置に配されている。タッチ電極３０は、第３配線コンタクトホールＣＨ５を通して第１分岐部３１Ｂに接続されている。

このようにすれば、タッチ電極３０は、第３配線コンタクトホールＣＨ５を通して接続されるタッチ配線３１により供給される信号に基づく電位とされる。ここで、長手状をなす画素電極２４の屈曲部２４Ａ３付近では、共通電極２５との間に生じる電界に乱れが生じ易いため、それに起因して表示に不具合が生じ易い傾向にある。その点、屈曲部２４Ａ３には、タッチ配線３１が第２層間絶縁膜３７及び第３層間絶縁膜３８を介して重畳して配されているので、屈曲部２４Ａ３付近において表示に不具合が生じた場合でも、タッチ配線３１によって光を遮ることが可能とされる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。また、タッチ配線本体３１Ａから分岐する第１分岐部３１Ｂが、ゲート配線２６の一部と重畳して配されているので、仮に第１分岐部及び第３配線コンタクトホールを画素電極２４の一部と重畳させた場合に比べると、第３配線コンタクトホールＣＨ５に起因して表示に不具合が生じた場合でも、ゲート配線２６によって光を遮ることが可能とされる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。

図８及び図９を用いて共通電極２５（タッチ電極３０）について説明する。図８には、図２と同じ範囲の画素配列が図示されており、図８では、アレイ基板２１に備わる第１透明電極膜を網掛け状にして図示する。なお、図８には、４つのタッチ電極３０が図示されている。図９は、アレイ基板２１のうちタッチ配線３１付近の断面図である。共通電極２５に設けられる仕切開口部２５Ａに含まれる第１仕切開口部２５Ａ１は、図８及び図９に示すように、複数のタッチ配線３１のうちの特定のタッチ配線３１（Ｘ軸方向について隣り合うタッチ電極３０の間に介在する配置のタッチ配線３１）と重畳して配されている。また、仕切開口部２５Ａに含まれる第２仕切開口部２５Ａ２は、複数のゲート配線２６のうちの特定のゲート配線２６（Ｙ軸方向について隣り合うタッチ電極３０の間に介在する配置のゲート配線２６）と重畳して配されている。以下では、共通電極２５に複数備わる第１仕切開口部２５Ａ１のうち、図８に示される第１仕切開口部２５Ａ１を「第１開口部４０」とする。また、第１開口部４０に対して図８の左側に位置するタッチ電極３０を「第１電極部４１」とし、第１開口部４０に対して図８の右側に位置するタッチ電極３０を「第２電極部４２」とする。

第１開口部４０は、図８及び図９に示すように、ソース配線２７及びタッチ配線３１の延在方向であるＹ軸方向に沿って延在し、共通電極２５を、第１電極部４１と第２電極部４２とに分割する。第１開口部４０は、画素電極２４の画素電極本体２４Ａのうちの屈曲部２４Ａ３と重畳して配されており、ソース配線２７とは非重畳の関係とされる。このように、第１開口部４０が全てのソース配線２７に対して非重畳となる配置とされているので、仮に第１開口部が複数のソース配線２７のうちの特定のソース配線２７に対して重畳し、残りのソース配線２７とは非重畳となるよう配される場合に比べると、複数のソース配線２７と共通電極２５との間に生じる寄生容量を均等化することができる。これにより、ソース配線２７により伝送される画像信号に基づいて充電される画素電極２４の電位が安定したものとなる。また、第１開口部４０は、タッチ配線３１と重畳して配されている。ここで、共通電極２５の第１開口部４０付近では、重畳する画素電極２４との間に生じる電界に乱れが生じやすいため、それに起因して表示に不具合が生じ易い傾向にある。その点、第１開口部４０が、タッチ配線３１に対して重畳して配されており、表示期間においてはタッチ配線３１に共通電位信号が供給されているので、電界の乱れを抑制できる。また、第１開口部４０付近において表示に不具合が生じた場合でも、タッチ配線３１によって光を遮ることが可能とされる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。

また、共通電極２５には、図８に示すように、ＴＦＴ２３の一部（第１画素コンタクトホールＣＨ１及び第２画素コンタクトホールＣＨ２付近）と重畳するＴＦＴ開口２５Ｂが形成されている。ＴＦＴ開口２５Ｂは、共通電極２５のうち、複数のＴＦＴ２３のそれぞれと重畳する位置に複数が形成されている。複数のＴＦＴ開口２５Ｂは、共通電極２５においてＸ軸方向及びＹ軸方向に間隔を空けてマトリクス状に並んで配される。共通電極２５は、ＴＦＴ開口２５Ｂによって画素電極２４との短絡が避けられている。また、共通電極２５には、複数のタッチ配線３１のうち、第１開口部４０とは非重畳となる配置のタッチ配線３１と重畳する配線開口２５Ｃが形成されている。配線開口２５Ｃは、第１開口部４０と同様に、ソース配線２７及びタッチ配線３１の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って延在する細長い（縦長の）スリット状をなしている。配線開口２５Ｃは、第１開口部４０と同様に、画素電極２４の画素電極本体２４Ａのうちの屈曲部２４Ａ３やゲート配線２６を横切る。配線開口２５Ｃは、１つのタッチ電極３０において複数がＹ軸方向について間隔を空けて配されており、当該タッチ電極３０を左右に分断することがない。タッチ電極３０のうち、Ｙ軸方向について隣り合う配線開口２５Ｃの間に残される部分は、例えば特定のゲート配線２６と重畳する配置とされてもよい。

また、タッチ配線３１には、図７に示すように、タッチ配線本体３１Ａから分岐する遮蔽部３１Ｃを有する。遮蔽部３１Ｃは、タッチ配線本体３１Ａのうち、第２仕切開口部２５Ａ２と重畳するゲート配線２６と交差する部位から当該ゲート配線２６に沿って延出するよう分岐されている。遮蔽部３１Ｃは、タッチ配線本体３１Ａから図７に示す左右両側にそれぞれ一対が延出しており、全体として画素電極２４の長手側の側縁に倣って浅い逆Ｖ字型をなしている。遮蔽部３１Ｃは、第２仕切開口部２５Ａ２と重畳するとともに、ゲート配線２６の一部と重畳して配されている。このようにすれば、ゲート配線２６と、タッチ電極３０のうち第２仕切開口部２５Ａ２に臨む縁部と、の間に生じる電界、及び、第２仕切開口部２５Ａ２を介してゲート配線２６と画素電極２５との間に生じる電界を遮蔽部３１Ｃによって好適に遮蔽することができる。これにより、上記した電界に起因する表示品位の劣化が抑制される。また、遮蔽部３１Ｃがゲート配線２６に対して重畳することで、遮蔽部３１Ｃに起因して開口率（透過光量）が低下するのが避けられている。

また、対向基板２０に備わる遮光部２９は、図２に示すように、ＴＦＴ２３、ゲート配線２６、ソース配線２７及びタッチ配線３１のそれぞれと重畳するよう設けられている。つまり、遮光部２９は、画素電極２４の画素電極本体２４Ａのうちの屈曲部２４Ａ３と重畳するとともに、共通電極２５の仕切開口部２５Ａと重畳する。このようにすれば、共通電極２５の仕切開口部２５Ａ（第１開口部４０を含む）付近や画素電極２４の画素電極本体２４Ａのうちの屈曲部２４Ａ３付近において、画素電極２４と共通電極２５との間に生じる電界に局所的な乱れが生じた場合でも、それに起因して生じる表示不良が遮光部２９によって視認され難くなる。また、遮光部２９の画素開口部２９Ａは、画素電極２４の画素電極本体２４Ａのうちの第１画素電極部２４Ａ１及び第２画素電極部２４Ａ２に対して選択的に重畳する配置とされる。

以上説明したように本実施形態のアレイ基板（配線基板）２１は、ゲート配線（第１配線）２６と、ゲート配線２６と交差するソース配線（第２配線）２７と、を備え、ゲート配線２６は、第１金属膜（第１導電膜）からなる下層配線部２６Ａと、第１金属膜に対してゲート絶縁膜（第１絶縁膜）３４を介して上層側に配される第２金属膜（第２導電膜）からなる上層配線部２６Ｂと、からなり、ゲート絶縁膜３４のうち、下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂとの双方と重畳する位置には、下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂとを接続する第１配線コンタクトホール（第１コンタクトホール）ＣＨ３が設けられ、ソース配線２７は、第２金属膜に対して第２絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６を介して上層側に配される第３金属膜（第３導電膜）からなり、第２絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６は、ゲート絶縁膜３４よりも膜厚が大きい。

ゲート配線２６は、ゲート絶縁膜３４の第１配線コンタクトホールＣＨ３を通して相互に接続される下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂとの積層構造とされているから、仮に単層構造とされる場合に比べると、配線抵抗が低減される。これにより、ゲート配線２６により伝送される信号に鈍りが生じ難くなる。互いに交差するゲート配線２６及びソース配線２７は、間に介在する第２絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６によって絶縁状態に保たれる。この第２絶縁膜である第１層間絶縁膜３５及び平坦化膜３６の膜厚がゲート絶縁膜３４の膜厚よりも大きいので、仮に第２絶縁膜の膜厚をゲート絶縁膜３４の膜厚と同じとした場合に比べると、ゲート配線２６とソース配線２７との間に生じ得る寄生容量が軽減される。これにより、ゲート配線２６の負荷が軽減され、ゲート配線２６により伝送される信号に鈍りが生じ難くなる。

また、画素電極２４と、ゲート配線２６、ソース配線２７及び画素電極２４に接続されるＴＦＴ（スイッチング素子）２３と、画素電極２４に対して重畳して配される共通電極２５と、を備え、共通電極２５は、ソース配線２７に沿って延在する第１開口部４０と、第１開口部４０によって分割される第１電極部４１及び第２電極部４２と、を有しており、第１開口部４０は、画素電極２４の一部と重畳して配される。ゲート配線２６により伝送される信号に基づいてＴＦＴ２３が駆動されると、画素電極２４は、ソース配線２７により伝送される信号に基づく電位に充電される。共通電極２５の第１開口部４０は、画素電極２４の一部と重畳して配されていて、ソース配線２７とは非重畳の関係とされる。このようにすれば、ソース配線２７が複数備わる場合において、複数のソース配線２７と共通電極２５との間に生じる寄生容量を均等化することができる。これにより、ソース配線２７により伝送される信号に基づいて充電される画素電極２４の電位が安定したものとなる。

また、第３金属膜のうちのソース配線２７とは別の部分からなり、ゲート配線２６と交差するタッチ配線（第３配線）３１を備え、画素電極２４は、ゲート配線２６に沿う長手状をなしていて長手方向についての途中に屈曲部２４Ａ３を有しており、共通電極２５は、第３金属膜に対して第２層間絶縁膜（第３絶縁膜）３７を介して上層側に配される第１透明電極膜と、第１透明電極膜に対して第３層間絶縁膜（第４絶縁膜）３８を介して上層側に配される第２透明電極膜と、のうちの一方の透明電極膜である第１透明電極膜からなり、画素電極２４は、第１透明電極膜と第２透明電極膜とのうちの他方の透明電極膜である第２透明電極膜からなり、タッチ配線３１は、屈曲部２４Ａ３に対して重畳して配され、少なくとも第２層間絶縁膜３７のうちの共通電極２５及びタッチ配線３１の双方と重畳する位置には、共通電極２５とタッチ配線３１とを接続する第３配線コンタクトホール（第２コンタクトホール）ＣＨ５が設けられる。共通電極２５は、第３配線コンタクトホールＣＨ５を通して接続されるタッチ配線３１により供給される信号に基づく電位とされる。ここで、長手状をなす画素電極２４の屈曲部２４Ａ３付近では、共通電極２５との間に生じる電界に乱れが生じ易いため、それに起因して表示に不具合が生じ易い傾向にある。その点、屈曲部２４Ａ３には、タッチ配線３１が少なくとも第２層間絶縁膜３７を介して重畳して配されているので、屈曲部２４Ａ３付近において表示に不具合が生じた場合でも、タッチ配線３１によって光を遮ることが可能とされる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。

また、タッチ配線３１は、ゲート配線２６と交差するタッチ配線本体（第３配線本体）３１Ａと、タッチ配線本体３１Ａから分岐し、共通電極２５及びゲート配線２６の一部ずつと重畳して配される第１分岐部３１Ｂと、を有しており、第３配線コンタクトホールＣＨ５は、第１分岐部３１Ｂと重畳して配される。第１分岐部３１Ｂが第３配線コンタクトホールＣＨ５を通して共通電極２５に接続されることで、タッチ配線３１により伝送される信号が共通電極２５に供給される。タッチ配線本体３１Ａから分岐する第１分岐部３１Ｂが、共通電極２５及びゲート配線２６の一部ずつと重畳して配されているので、仮に第１分岐部及び第３配線コンタクトホールを画素電極２４の一部と重畳させた場合に比べると、第３配線コンタクトホールＣＨ５に起因して表示に不具合が生じた場合でも、ゲート配線２６によって光を遮ることが可能とされる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。

また、共通電極２５は、第１開口部４０がタッチ配線３１と重畳して設けられる。共通電極２５の第１開口部４０付近では、重畳する画素電極２４との間に生じる電界に乱れが生じやすいため、それに起因して表示に不具合が生じ易い傾向にある。その点、第１開口部４０が、タッチ配線３１に対して重畳して配されており、表示期間においてはタッチ配線３１に共通電位信号が供給されているので、電界の乱れを抑制できる。また、第１開口部４０付近において表示に不具合が生じた場合でも、タッチ配線３１によって光を遮ることが可能とされる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。

また、ゲート絶縁膜３４は、無機絶縁材料からなり、第２絶縁膜である平坦化膜３６は、有機絶縁材料からなる。有機絶縁材料からなる第２絶縁膜である平坦化膜３６の膜厚は、無機絶縁材料からなるゲート絶縁膜３４の膜厚よりも遙かに大きくなる。また、平坦化膜３６としては、ゲート絶縁膜３４として用いられる無機絶縁材料の比誘電率（例えば比誘電率４～８）よりも小さい比誘電率（例えば比誘電率３～４）の有機絶縁材料を用いることができる。これにより、ゲート配線２６とソース配線２７との間に生じ得る寄生容量がより軽減されるので、ゲート配線２６により伝送される信号により鈍りが生じ難くなる。

また、本実施形態に係る液晶パネル（表示装置）１０は、上記記載のアレイ基板２１と、アレイ基板２１と対向状に配される対向基板２０と、を備える。このような構成の液晶パネル１０によれば、ゲート配線２６により伝送される信号に鈍りが生じ難くなっているので、優れた表示品位が得られる。

＜実施形態２＞
実施形態２を図１０または図１１よって説明する。この実施形態２では、第１配線コンタクトホールＣＨ１０３の配置を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第１配線コンタクトホールＣＨ１０３は、図１０及び図１１に示すように、ソース配線１２７と重畳して配される。図１０には、図２と同じ範囲の画素配列が図示されている。図１１には、図６と同じ位置の断面構成が図示されている。詳しくは、第１配線コンタクトホールＣＨ１０３は、ゲート配線１２６の一部と重畳すればよく、ゲート配線１２６の形成範囲内において一定の配置自由度を有する。本実施形態では、ゲート配線１２６の延在方向であるＸ軸方向に沿って並ぶソース配線１２７、ＴＦＴ１２３及び画素電極１２４のうち、ソース配線１２７と重畳する位置に第１配線コンタクトホールＣＨ１０３が配置されている。このようにすれば、上記した実施形態１のように第１配線コンタクトホールＣＨ３がソース配線１２７とは非重畳でＴＦＴ１２３に対して隣り合う配置とされる場合に比べると、第１配線コンタクトホールＣＨ１０３とＴＦＴ１２３との間の距離が大きくなる。ここで、第１配線コンタクトホールＣＨ３が配置される部分において、下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂとの接続面積を大きくするために、下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂの幅を太くする場合がある。例えば、図２において、下層配線部２６Ａと上層配線部２６Ｂは、第１配線コンタクトホールＣＨ３が配置される部分において、図２の下側に突出するように拡幅している。この拡幅部分とＴＦＴ２３の一部（例えばＴＦＴ２３のドレイン電極２３Ｃ）との距離が小さい場合、短絡が生じやすくなるが、本実施形態では、第１配線コンタクトホールＣＨ１０３と通して接続される下層配線部１２６Ａと上層配線部１２６Ｂとの接続部位がＴＦＴ１２３に短絡する事態が生じ難くなる。なお、本実施形態のＴＦＴ１２３のドレイン電極１２３Ｃの平面形状は、上記した実施形態１のドレイン電極２３Ｃとは異なっている。具体的には、上記した実施形態１のドレイン電極２３Ｃの全体の平面形状は門形であったが、本実施形態のドレイン電極１２３ＣはＬ字型の平面形状である。本実施形態のようなドレイン電極１２３Ｃの平面形状の場合、上記した実施形態１のドレイン電極２３Ｃに比べて、ゲート電極１２３Ａとドレイン電極１２３Ｃとの寄生容量が大きくなる懸念がある反面、開口率を大きくすることができる。また、本実施形態では、表示領域ＡＡ内のスペーサを配置されない部分の例を示しているが、上記した実施形態１と同様にスペーサが配置されていてもよい。

以上説明したように本実施形態によれば、画素電極１２４と、ゲート配線１２６、ソース配線１２７及び画素電極１２４に接続されるＴＦＴ１２３と、を備え、ソース配線１２７、ＴＦＴ１２３及び画素電極１２４は、ゲート配線１２６に沿って並んで配されており、第１配線コンタクトホールＣＨ１０３は、ソース配線１２７と重畳して配される。ゲート配線１２６により伝送される信号に基づいてＴＦＴ１２３が駆動されると、画素電極１２４は、ソース配線１２７により伝送される信号に基づく電位に充電される。ゲート配線１２６に沿って並ぶソース配線１２７、ＴＦＴ１２３及び画素電極１２４のうちのソース配線１２７と重畳する位置に第１配線コンタクトホールＣＨ１０３が配されているから、仮に第１配線コンタクトホールがソース配線１２７とは非重畳でＴＦＴ１２３に対して隣り合う配置とされる場合に比べると、第１配線コンタクトホールＣＨ１０３とＴＦＴ１２３との間の距離が大きくなる。これにより、第１配線コンタクトホールＣＨ１０３と通して接続される下層配線部１２６Ａと上層配線部１２６Ｂとの接続部位がＴＦＴ１２３に短絡する事態が生じ難くなる。

＜実施形態３＞
実施形態３を図１２から図１６によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態２に、接続配線４３を追加した場合を示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るアレイ基板２２１には、図１２に示すように、タッチ電極２３０に接続される接続配線（第４配線）４３が設けられている。図１２には、ドライバ２１１、タッチ電極２３０、タッチ配線２３１及び接続配線４３が模式的に図示されている。接続配線４３は、タッチ配線２３１と同様に、Ｙ軸方向に沿って延在し、Ｙ軸方向についての形成範囲が、接続対象のタッチ電極２３０の同形成範囲に限られている。接続配線４３には、接続対象のタッチ電極２３０と重畳して配される第１接続配線４３αと、第１仕切開口部２２５Ａ１と重畳して配される第２接続配線４３βと、が含まれる。いずれの接続配線４３においても、接続対象のタッチ電極２３０に対して複数箇所で接続されている。なお、図１２では、タッチ電極２３０に対する接続配線４３の接続箇所（後述する第３配線コンタクトホールＣＨ６及び第４配線コンタクトホールＣＨ７）を黒丸にて図示している。このような接続配線４３によってタッチ電極２３０の抵抗分布が低減される。本実施形態のタッチ配線２３１は、接続対象のタッチ電極２３０よりもドライバ２１１側（図１２の下側）とは反対側（図１２の上側）に非配置とされ、タッチ電極２３０と重畳する第１接続配線４３αは、タッチ配線２３１に対してＹ軸方向にドライバ２１１側とは反対側に間隔を空けて配されている。つまり、第１接続配線４３αは、タッチ配線２３１と同列に位置する。第１接続配線４３αは、タッチ配線２３１が非配置とされるスペースを利用して配置されている、と言える。タッチ電極２３０に対して重畳配置される第１接続配線４３αの数は、ドライバ２１１から遠いタッチ電極２３０が、ドライバ２１１に近いタッチ電極２３０よりも多い。

接続配線４３は、図１３に示すように、タッチ配線２３１と同様に、第３金属膜からなり、画素電極２２４及びゲート配線２２６と交差して配されている。図１３には、３列分の画素配列が図示されており、図１３では、アレイ基板２２１に備わる第３金属膜及び第２透明電極膜をそれぞれ異なる網掛け状にして図示する。詳しくは、接続配線４３は、Ｙ軸方向に沿って延在する接続配線本体（第４配線本体）４３Ａと、接続配線本体４３Ａから分岐して図１３の左側に延出する第２分岐部４３Ｂと、接続配線本体４３Ａから分岐して図１３の右側に延出する第３分岐部４３Ｃと、を有する。接続配線本体４３Ａは、画素電極２２４の画素電極本体２２４Ａのうちの屈曲部２２４Ａ３を横切るよう配されている。第２分岐部４３Ｂは、接続配線本体４３Ａのうち、所定のゲート配線２２６と交差する部位から当該ゲート配線２２６に沿って延出するよう分岐されている。第２分岐部４３Ｂは、タッチ電極２３０（共通電極２２５）及びゲート配線２２６の一部ずつと重畳して配されている。第３分岐部４３Ｃは、接続配線本体４３Ａのうち、第２分岐部４３Ｂが重畳するゲート配線２２６とは異なるゲート配線２２６と交差する部位から当該ゲート配線２２６に沿って延出するよう分岐されている。第３分岐部４３Ｃは、タッチ電極２３０（共通電極２２５）及びゲート配線２２６の一部ずつと重畳して配されている。本実施形態に係るタッチ配線２３１は、接続配線４３に備わる第２分岐部４３Ｂ及び第３分岐部４３Ｃと同様に、図１３の左右にそれぞれ延出する２つの第１分岐部２３１Ｂを有している。

共通電極２２５に設けられる配線開口２２５Ｃは、図１４に示すように、タッチ配線２３１と重畳する位置に加えて、ソース配線２２７及び第１接続配線４３αのそれぞれに対して重畳する位置にも配されている。図１４には、図１３と同じ範囲の画素配列が図示されており、図１４では、アレイ基板２２１に備わる第１透明電極膜を網掛け状にして図示する。配線開口２２５Ｃには、タッチ配線２３１と重畳する第１配線開口２２５Ｃ１と、ソース配線２２７と重畳する第２配線開口２２５Ｃ２と、第１接続配線４３αと重畳する第３配線開口２２５Ｃ３と、が含まれる。第２配線開口２２５Ｃ２は、Ｙ軸方向について第１配線コンタクトホールＣＨ２０３からソース電極２２３Ｂに至るまでの範囲に設けられている。このような形成範囲とされる第２配線開口２２５Ｃ２は、複数がＹ軸方向について間隔を空けて配されており、タッチ電極２３０を左右に分断することがない。共通電極２２５に第２配線開口２２５Ｃ２が設けられることで、ソース配線２２７と共通電極２２５との間に生じ得る寄生容量が低減される。特に、ソース配線２２７と共通電極２２５との間に介在する第２層間絶縁膜２３７の膜厚が薄くなる場合に好適である。

これに対し、第１配線開口２２５Ｃ１及び第３配線開口２２５Ｃ３は、図１４に示すように、いずれもタッチ電極２３０においてＹ軸方向について全長にわたって設けられている。従って、タッチ電極２３０は、第１配線開口２２５Ｃ１及び第３配線開口２２５Ｃ３によって複数に分割されている。以下では、共通電極２２５に複数備わる第１仕切開口部２２５Ａ１のうち、図１４に示される第１仕切開口部２２５Ａ１を「第１開口部２４０」とし、第１開口部２４０に対して図１４の左側に位置するタッチ電極２３０を「第１電極部２４１」とし、図１４の右側に位置するタッチ電極２３０を「第２電極部２４２」とする。本実施形態では、第１開口部２４０には、タッチ配線２３１ではなく、第２接続配線４３βが重畳して配されている、また、共通電極２２５に複数備わる配線開口２２５Ｃのうち、図１４におけるＸ軸方向についての中央付近に位置する第３配線開口２２５Ｃ３を、第１接続配線４３αの大部分（後述する接続配線本体４３Ａ）と重畳する「第２開口部４４」とする。また、第１電極部２４１のうち、第２開口部４４に対して図１４の左側に位置する部分を「第３電極部４５」とし、図１４の右側に位置する部分を「第４電極部４６」とする。本実施形態では、共通電極２５には、第１電極部２４１と第２電極部２４２とを分割する第１開口部２４０に加えて、第１電極部２４１を構成する第３電極部４５と第４電極部４６とを分割する第２開口部４４が設けられているから、仮に第２開口部が非形成の場合に比べると、第１開口部２４０が目立って視認される事態が生じ難くなる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。

第１接続配線４３αに備わる接続配線本体４３Ａは、図１３及び図１５に示すように、第２開口部４４と重畳して配されている。図１５には、第１接続配線４３αとタッチ電極２３０との接続箇所に係る断面構成が図示されている。第１接続配線４３αに備わる第２分岐部４３Ｂは、第３電極部４５と重畳して配されている。第１接続配線４３αに備わる第３分岐部４３Ｃは、第４電極部４６と重畳して配されている。第２分岐部４３Ｂと第３電極部４５との間に介在する第２層間絶縁膜２３７には、第４配線コンタクトホール（第３コンタクトホール）ＣＨ６が設けられている。第４配線コンタクトホールＣＨ６は、第２層間絶縁膜２３７のうち、第２分岐部４３Ｂと第３電極部４５との双方と重畳する位置に配されている。第３電極部４５は、第４配線コンタクトホールＣＨ６を通して第２分岐部４３Ｂに接続されている。第３分岐部４３Ｃと第４電極部４６との間に介在する第２層間絶縁膜２３７には、第５配線コンタクトホール（第４コンタクトホール）ＣＨ７が設けられている。第５配線コンタクトホールＣＨ７は、第２層間絶縁膜２３７のうち、第３分岐部４３Ｃと第４電極部４６との双方と重畳する位置に配されている。第４電極部４６は、第５配線コンタクトホールＣＨ７を通して第３分岐部４３Ｃに接続されている。以上のように、第１電極部４１を構成する第３電極部４５及び第４電極部４６は、第４配線コンタクトホールＣＨ６及び第５配線コンタクトホールＣＨ７を通して接続される接続配線４３によって短絡される。これにより、第３電極部４５と第４電極部４６とを同電位に保つことができ、第１電極部２４１における抵抗分布を低減させることができる。なお、タッチ配線２３１に備わる２つの第１分岐部２３１Ｂは、上記した第２分岐部４３Ｂ及び第３分岐部４３Ｃと同様の構成であり、接続対象のタッチ電極２３０に対してそれぞれ接続されている。

第２接続配線４３βに備わる接続配線本体４３Ａは、図１４及び図１６に示すように、第１開口部２４０と重畳して配されている。図１６には、第２接続配線４３βとタッチ電極２３０との接続箇所に係る断面構成が図示されている。第２接続配線４３βに備わる第２分岐部４３Ｂは、第１電極部２４１と重畳して配されている。第２接続配線４３βに備わる第３分岐部４３Ｃは、第２電極部２４２と重畳して配されている。第２分岐部４３Ｂと第１電極部２４１との間に介在する第２層間絶縁膜２３７には、第６配線コンタクトホールＣＨ８が設けられている。第６配線コンタクトホールＣＨ８は、第２層間絶縁膜２３７のうち、第２分岐部４３Ｂと第１電極部２４１との双方と重畳する位置に配されている。第１電極部２４１は、第６配線コンタクトホールＣＨ８を通して第２分岐部４３Ｂに接続されている。この第２接続配線４３βによって第１電極部２４１における抵抗分布を低減させることができる。一方、第２層間絶縁膜２３７のうち、第３分岐部４３Ｃと第２電極部２４２との双方と重畳する位置には、コンタクトホールが非形成とされる。これにより、それぞれ異なるタッチ電極２３０を構成する第１電極部２４１と第２電極部２４２とが短絡するのが防がれる。

以上説明したように本実施形態によれば、第３金属膜のうちのソース配線２２７及びタッチ配線２３１とは別の部分からなり、ゲート配線２２６と交差する接続配線（第４配線）４３を備え、共通電極２２５は、接続配線４３に沿って延在して第１電極部２４１を第３電極部４５と第４電極部４６とに分割する第２開口部４４を有しており、接続配線４３は、ゲート配線２２６と交差して第２開口部４４と重畳して配される接続配線本体（第４配線本体）４３Ａと、接続配線本体４３Ａから分岐して第３電極部４５と重畳して配される第２分岐部４３Ｂと、接続配線本体４３Ａから分岐して第４電極部４６と重畳して配される第３分岐部４３Ｃと、を有しており、少なくとも第２層間絶縁膜２３７には、第３電極部４５及び第２分岐部４３Ｂの双方と重畳する位置に第３電極部４５と第２分岐部４３Ｂとを接続する第４配線コンタクトホール（第３コンタクトホール）ＣＨ６と、第４電極部４６及び第３分岐部４３Ｃの双方と重畳する位置に第４電極部４６と第３分岐部４３Ｃとを接続する第５配線コンタクトホール（第４コンタクトホール）ＣＨ７と、が設けられる。第１電極部４１を構成する第３電極部４５及び第４電極部４６は、第４配線コンタクトホールＣＨ６及び第５配線コンタクトホールＣＨ７を通して接続される接続配線４３によって短絡される。これにより、第３電極部４５と第４電極部４６とを同電位に保つことができ、抵抗分布を低減させることができる。共通電極２５には、第１電極部２４１と第２電極部２４２とを分割する第１開口部２４０に加えて、第１電極部２４１を構成する第３電極部４５と第４電極部４６とを分割する第２開口部４４が設けられているから、仮に第２開口部が非形成の場合に比べると、第１開口部２４０が目立って視認される事態が生じ難くなる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。

＜実施形態４＞
実施形態４を図１７によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態２から画素電極３２４の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る画素電極３２４の画素電極本体３２４Ａは、図１７に示すように、屈曲部３２４Ａ３によってスリット３２４Ａ４が２つに分割されている。図１７には、画素電極３２４の屈曲部３２４Ａ３付近が図示されており、図１７では、アレイ基板３２１に備わる第２透明電極膜を網掛け状にして図示する。詳しくは、画素電極３２４を構成する屈曲部３２４Ａ３は、タッチ配線３３１の延在方向であるＹ軸方向に沿って延在する第３画素電極部（第７電極部）４９を有する。第３画素電極部４９は、縦長の帯状をなしている。第３画素電極部４９は、第１画素電極部（第５電極部）３２４Ａ１と第２画素電極部（第６電極部）３２４Ａ２との双方に連ねられている。第３画素電極部４９は、第１仕切開口部３２５Ａ１または配線開口２５Ｃ（図１０参照）と重畳して配される。第３画素電極部４９によってスリット３２４Ａ４は、第１画素電極部３２４Ａ１に設けられる第３開口部４７と、第２画素電極部３２４Ａ２に設けられる第４開口部４８と、に分割されている。第３開口部４７及び第４開口部４８は、いずれもゲート配線３２６に沿って延在するものの、互いに交差する関係とされる。第３画素電極部４９は、第３開口部４７及び第４開口部４８の双方と交差する関係とされる。

このような構成によれば、画素電極３２４が充電されると、第１画素電極部３２４Ａ１及び第２画素電極部３２４Ａ２のうち、ゲート配線３２６に沿って延在する第３開口部４７及び第４開口部４８の縁部付近には、共通電極３２５との間に電界が生じる。ここで、上記した実施形態２のように、スリット２４Ａ４が単一とされていると、画素電極２４と共通電極２５との間に生じる電界が、屈曲部２４Ａ３を中心として広範囲にわたって乱れることが懸念される（図１０を参照）。その点、屈曲部３２４Ａ３は、タッチ配線３３１に沿って延在していて第３開口部４７及び第４開口部４８の双方と交差する関係の第３画素電極部４９を有しているので、上記のような電界の乱れを狭い範囲に留めることができる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。

以上説明したように本実施形態によれば、画素電極３２４は、第２透明電極膜からなり、屈曲部３２４Ａ３を挟むよう配されて屈曲部３２４Ａ３に連なる第１画素電極部（第５電極部）３２４Ａ１及び第２画素電極部（第６電極部）３２４Ａ２を有しており、第１画素電極部３２４Ａ１には、ゲート配線３２６に沿って延在する第３開口部４７が設けられ、第２画素電極部３２４Ａ２には、ゲート配線３２６に沿って延在していて第３開口部４７と交差する関係の第４開口部４８が設けられ、屈曲部３２４Ａ３は、タッチ配線３３１に沿って延在していて第３開口部４７及び第４開口部４８の双方と交差する関係の第３画素電極部（第７電極部）４９を有する。第１画素電極部３２４Ａ１及び第２画素電極部３２４Ａ２のうち、ゲート配線３２６に沿って延在する第３開口部４７及び第４開口部４８の縁部付近には、共通電極３２５との間に電界が生じる。仮に、屈曲部に第３開口部４７及び第４開口部４８に連通する開口が設けられていると、共通電極との間に生じる電界が、屈曲部を中心として広範囲にわたって乱れることが懸念される。その点、屈曲部３２４Ａ３は、タッチ配線３３１に沿って延在していて第３開口部４７及び第４開口部４８の双方と交差する関係の第３画素電極部４９を有しているので、上記のような電界の乱れを狭い範囲に留めることができる。これにより、表示品位を良好に保つことができる。

＜実施形態５＞
実施形態５を図１８によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態４から画素電極４２４の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態４と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る画素電極４２４は、図１８に示すように、屈曲部４２４Ａ３を構成する第３画素電極部４４９が、第４画素電極部（第８電極部）５０と、第５画素電極部（第９電極部）５１と、によって構成される。図１８には、画素電極４２４の屈曲部４２４Ａ３付近が図示されており、図１８では、アレイ基板４２１に備わる第２透明電極膜を網掛け状にして図示する。第４画素電極部５０及び第５画素電極部５１は、いずれもＹ軸方向に沿って延在していて、縦長の帯状をなしている。第４画素電極部５０と第５画素電極部５１とは、Ｘ軸方向について間隔を空けた位置に配されている。第４画素電極部５０及び第５画素電極部５１は、それぞれの大部分が、第１仕切開口部４２５Ａ１または配線開口２５Ｃ（図１０参照）と重畳して配される。第４画素電極部５０は、第１画素電極部４２４Ａ１に連ねられている。第５画素電極部５１は、第２画素電極部４２４Ａ２に連ねられている。屈曲部４２４Ａ３は、互いに間隔を空けて配される第４画素電極部５０と第５画素電極部５１とを繋ぐ繋ぎ部５２を有する。繋ぎ部５２は、Ｘ軸方向に沿って延在していて、ソース配線１２７（図１０参照）やタッチ配線４３１と交差する関係とされる。繋ぎ部５２は、第１仕切開口部４２５Ａ１または配線開口２５Ｃと重畳して配される。繋ぎ部５２は、Ｙ軸方向について間隔を空けた位置に２つ設けられている。このように、第３画素電極部４４９を構成する第４画素電極部５０と第５画素電極部５１とを繋ぐ繋ぎ部５２は、タッチ配線４３１に対して重畳する関係となる。上記した実施形態４のように、第３画素電極部を単一構造物とした場合に比べると、タッチ配線４３１に対する画素電極４２４の重畳面積を小さくすることができる。これにより、タッチ配線４３１と画素電極４２４との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。

以上説明したように本実施形態によれば、第３画素電極部４４９には、第１画素電極部４２４Ａ１に連なる第４画素電極部（第８電極部）５０と、第２画素電極部４２４Ａ２に連なる第５画素電極部（第９電極部）５１と、が含まれ、屈曲部４２４Ａ３は、タッチ配線４３１と交差していて第４画素電極部５０と第５画素電極部５１とを繋ぐ繋ぎ部５２を有する。第３画素電極部４４９を構成する第４画素電極部５０と第５画素電極部５１とを繋ぐ繋ぎ部５２は、タッチ配線４３１に対して重畳する関係となる。仮に、タッチ配線４３１に沿って延在する第３画素電極部を単一構造物として第１画素電極部と第２画素電極部との双方に連ねた場合に比べると、タッチ配線４３１に対する画素電極４２４の重畳面積を小さくすることができる。これにより、タッチ配線４３１と画素電極４２４との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。

＜実施形態６＞
実施形態６を図１９によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態５から画素電極５２４の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態５と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る画素電極５２４は、図１９に示すように、第４画素電極部５５０及び第５画素電極部５５１が第１仕切開口部５２５Ａ１または配線開口２５Ｃ（図１０参照）とは非重畳となるよう配される。図１９には、画素電極５２４の屈曲部５２４Ａ３付近が図示されており、図１９では、アレイ基板５２１に備わる第２透明電極膜を網掛け状にして図示する。詳しくは、第４画素電極部５５０及び第５画素電極部５５１は、第１仕切開口部５２５Ａ１または配線開口２５Ｃの幅寸法よりも大きい間隔を空けて配されている。繋ぎ部５５２の長さ寸法は、第１仕切開口部５２５Ａ１または配線開口２５Ｃの幅寸法よりも大きい。繋ぎ部５５２は、第１仕切開口部５２５Ａ１または配線開口２５Ｃを全幅にわたって横切っている。このような構成によれば、上記した実施形態５との比較において、タッチ配線５３１と画素電極５２４との重畳面積を小さくすることができる。これにより、タッチ配線５３１と画素電極５２４との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。

＜実施形態７＞
実施形態７を図２０によって説明する。この実施形態７では、上記した実施形態２から画素電極６２４の構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る画素電極６２４は、図２０に示すように、屈曲部６２４Ａ３がタッチ配線６３１と直交する関係とされる。図２０には、画素電極６２４の屈曲部６２４Ａ３付近が図示されており、図２０では、アレイ基板６２１に備わる第２透明電極膜を網掛け状にして図示する。屈曲部６２４Ａ３は、Ｘ軸方向に沿って延在する横ストライプ状をなしている。このように、屈曲部６２４Ａ３は、タッチ配線６３１と直交する関係とされているから、上記した実施形態２のように屈曲部がタッチ配線に対して傾く関係とされる場合に比べると、タッチ配線６３１との重畳面積を小さくすることができる。これにより、タッチ配線６３１と画素電極６２４との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。また、本実施形態では、スリット（第５開口部）６２４Ａ４は、実施形態２と同様に、第１画素電極部６２４Ａ１、第２画素電極部６２４Ａ２及び屈曲部６２４Ａ３にわたって連続的に設けられている。

以上説明したように本実施形態によれば、画素電極６２４は、第２透明電極膜からなり、屈曲部６２４Ａ３を挟むよう配されて屈曲部６２４Ａ３に連なる第１画素電極部６２４Ａ１及び第２画素電極部６２４Ａ２を有しており、屈曲部６２４Ａ３、第１画素電極部６２４Ａ１及び第２画素電極部６２４Ａ２には、ゲート配線６２６に沿って延在するスリット（第５開口部）６２４Ａ４が連続的に設けられており、屈曲部６２４Ａ３は、タッチ配線６３１と直交する関係とされる。屈曲部６２４Ａ３、第１画素電極部６２４Ａ１及び第２画素電極部６２４Ａ２のうち、ゲート配線６２６に沿って延在するスリット６２４Ａ４の縁部付近には、共通電極６２５との間に電界が生じる。屈曲部６２４Ａ３は、タッチ配線６３１と直交する関係とされているから、仮に屈曲部がタッチ配線６３１に対して傾く関係とされる場合に比べると、タッチ配線６３１との重畳面積を小さくすることができる。これにより、タッチ配線６３１と画素電極６２４との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。

＜実施形態８＞
実施形態８を図２１または図２２によって説明する。この実施形態８では、上記した実施形態２から画素電極７２４の配置及び構成を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る画素電極７２４は、図２１に示すように、長手方向についての中央部５３が、ソース配線７２７と重畳して配されている。図２１には、２列分の画素配列が図示されており、図２１では、アレイ基板７２１に備わる第３金属膜及び第２透明電極膜をそれぞれ異なる網掛け状にして図示する。詳しくは、画素電極７２４は、ソース配線７２７に対して図２１の左側に配される第１画素電極部（第１２電極部）７２４Ａ１と、ソース配線７２７に対して図２１の右側に配される第２画素電極部（第１３電極部）７２４Ａ２と、第１画素電極部７２４Ａ１に連なる中央部５３と、中央部５３及び第２画素電極部７２４Ａ２に連なるコンタクト部７２４Ｂと、を有する。ＴＦＴ７２３のソース電極７２３Ｂは、中央部５３に対してＹ軸方向について隣り合う位置に配されている。ＴＦＴ７２３の半導体部７２３Ｄは、中央部５３に対して平面に視て斜向かいの位置に配されている。ＴＦＴ７２３及びソース配線７２７は、Ｘ軸方向について第１画素電極部７２４Ａ１と第２画素電極部７２４Ａ２との間に挟まれている。また、スリット７２４Ａ４は、第１画素電極部７２４Ａ１に設けられる部分と、第２画素電極部７２４Ａ２に設けられる部分と、に分割されている。

中央部５３は、図２１に示すように、Ｘ軸方向に沿って延在する帯状をなしており、ソース配線７２７に対して直交する関係とされる。Ｘ軸方向に沿って延在する中央部５３は、一方の端部がコンタクト部７２４Ｂに、他方の端部が第１画素電極部７２４Ａ１に、それぞれ連ねられている。中央部５３は、Ｙ軸方向について間隔を空けた位置に２つ並んで配されている。２つの中央部５３における各幅寸法（Ｙ軸方向についての寸法）の合計は、第１画素電極部７２４Ａ１の幅寸法や第２画素電極部７２４Ａ２の幅寸法よりも小さい。つまり、中央部５３は、第１画素電極部７２４Ａ１及び第２画素電極部７２４Ａ２のいずれよりも幅狭とされる。このようにすれば、仮に、中央部が第１画素電極部７２４Ａ１及び第２画素電極部７２４Ａ２と同一幅とされる場合に比べると、ソース配線７２７と画素電極７２４の中央部５３との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。

タッチ配線７３１は、図２１に示すように、Ｘ軸方向について隣り合う２つの画素電極７２４の間に位置して配されている。詳しくは、タッチ配線７３１は、一方の画素電極７２４の第２画素電極部７２４Ａ２と、他方の画素電極７２４の第１画素電極部７２４Ａ１と、の間に挟まれる配置とされる。このタッチ配線７３１は、図２２に示すように、共通電極７２５に備わる第１仕切開口部７２５Ａ１と重畳する配置とされる。図２２には、図２１と同じ範囲の画素配列が図示されており、図２２では、アレイ基板７２１に備わる第１透明電極膜を網掛け状にして図示する。以下では、共通電極７２５に複数備わる第１仕切開口部７２５Ａ１のうち、図２２に示される第１仕切開口部７２５Ａ１を「第６開口部５４」とする。また、第６開口部５４に対して図２２の左側に位置するタッチ電極７３０を「第１０電極部５５」とし、第６開口部５４に対して図２２の右側に位置するタッチ電極７３０を「第１１電極部５６」とする。第６開口部５４は、ソース配線７２７及びタッチ配線７３１の延在方向であるＹ軸方向に沿って延在し、共通電極７２５を、第１０電極部５５と第１１電極部５６とに分割する。第６開口部５４は、タッチ配線７３１と重畳して配され、Ｘ軸方向について隣り合う２つの画素電極７２４の間に位置して配されている。従って、第６開口部５４は、ソース配線７２７及びＴＦＴ７２３とは非重畳の関係とされる。このようにすれば、仮に上記した実施形態１のように、ソース配線２７及びＴＦＴ２３が隣り合う２つの画素電極２４の間に位置して配される場合（図８を参照）に比べると、タッチ配線７３１と画素電極７２４との重畳面積を小さくすることができ、タッチ配線７３１と画素電極７２４との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。

以上説明したように本実施形態によれば、ゲート配線７２６に沿って間隔を空けて並ぶ複数の画素電極７２４と、ゲート配線７２６、ソース配線７２７及び画素電極７２４に接続されるＴＦＴ７２３と、複数の画素電極７２４に対して重畳して配される共通電極７２５と、を備え、複数の画素電極７２４は、いずれもゲート配線７２６に沿う長手状をなしており、ソース配線７２７は、いずれかの画素電極７２４の中央部５３と重畳して配され、ＴＦＴ７２３は、画素電極７２４の中央部５３に接続され、共通電極７２５は、ソース配線７２７に沿って延在する第６開口部５４と、第６開口部５４によって分割される第１０電極部５５及び第１１電極部５６と、を有しており、第６開口部５４は、隣り合う２つの画素電極７２４の間に位置して配される。ゲート配線７２６により伝送される信号に基づいてＴＦＴ７２３が駆動されると、画素電極７２４は、ソース配線７２７により伝送される信号に基づく電位に充電される。共通電極７２５の第６開口部５４は、隣り合う２つの画素電極７２４の間に位置して配されていて、ソース配線７２７及びＴＦＴ７２３とは非重畳の関係とされる。このようにすれば、仮にソース配線及びＴＦＴが隣り合う２つの画素電極７２４の間に位置して配される場合に比べると、タッチ配線７３１と画素電極７２４との重畳面積を小さくすることができる。これにより、タッチ配線７３１と画素電極７２４との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。

また、画素電極７２４は、中央部５３を挟むよう配されて中央部５３に連なる第１画素電極部（第１２電極部）７２４Ａ１及び第２画素電極部（第１３電極部）７２４Ａ２を有しており、中央部５３は、第１画素電極部７２４Ａ１及び第２画素電極部７２４Ａ２よりも幅狭とされる。このようにすれば、仮に、中央部が第１画素電極部７２４Ａ１及び第２画素電極部７２４Ａ２と同一幅とされる場合に比べると、ソース配線７２７と画素電極７２４の中央部５３との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。

＜実施形態９＞
実施形態９を図２３から図２７によって説明する。この実施形態９では、上記した実施形態１から画素配列などを変更した場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る画素電極８２４は、図２３及び図２４に示すように、平面に視て縦長の長手状とされており、長手方向がＹ軸方向と一致し、短手方向がＸ軸方向と一致している。図２３及び図２４には、４列分の画素配列が図示されている。図２４では、アレイ基板８２１に備わる第３金属膜及び第２透明電極膜をそれぞれ異なる網掛け状にして図示する。短手方向（Ｘ軸方向）について隣り合う画素電極８２４の間にソース配線８２７またはタッチ配線８３１が介在するのに対し、長手方向（Ｙ軸方向）について隣り合う画素電極８２４の間にゲート配線８２６及びＴＦＴ８２３が介在している。画素電極８２４を構成する画素電極本体８２４Ａは、平面形状が縦長形状とされ、その長手方向について途中で屈曲している。画素電極本体８２４Ａのうち、長手方向についての中央部が屈曲部８２４Ａ３とされる。このように、本実施形態に係る画素電極本体８２４Ａは、上記した実施形態１に記載した画素電極２４（図７を参照）を、平面に視て反時計周り方向に９０度回転させたような平面形状とされる。

ソース配線８２７は、図２３及び図２４に示すように、画素電極８２４の長手側の側縁に沿ってジグザグ状に繰り返し屈曲されつつも概ねＹ軸方向に沿って延在する。ソース配線８２７は、Ｘ軸方向について間に２つの画素電極８２４を挟むよう間隔を空けて複数が並んで配されている。従って、ソース配線８２７の設置数は、画素電極８２４におけるＸ軸方向についての並び数の半分程度となっている。タッチ配線８３１は、Ｘ軸方向について並ぶ２つのソース配線８２７の間に挟まれる２つの画素電極８２４の間に挟まれるよう配されている。従って、Ｘ軸方向に沿って並ぶ画素電極８２４の間のそれぞれ空けられる各領域には、ソース配線８２７とタッチ配線８３１とが交互に繰り返し並んで配されている。タッチ配線８３１におけるＸ軸方向についての並び数は、ソース配線８２７の同じ並び数と一致する。タッチ配線８３１は、ソース配線８２７と同様に、画素電極８２４の長手側の側縁に沿ってジグザグ状に繰り返し屈曲されつつも概ねＹ軸方向に沿って延在する。

ゲート配線８２６は、図２３及び図２５に示すように、途中で線幅を増減させつつＸ軸方向に沿って概ね真っ直ぐに延在する。図２５には、図２４と同じ範囲の画素配列が図示されており、図２５では、アレイ基板８２１に備わる第１金属膜及び第２金属膜をそれぞれ異なる網掛け状にして図示する。ゲート配線８２６のうちの幅広部分がゲート電極８２３Ａなどを構成する。ゲート配線８２６は、Ｙ軸方向について隣り合う画素電極８２４の間に２つずつ続けて並ぶよう配されている。従って、ゲート配線８２６の設置数は、画素電極８２４におけるＹ軸方向についての並び数の２倍となっている。２つ続けて並ぶゲート配線８２６は、その間にＹ軸方向について所定の間隔を空けて配されている。

ＴＦＴ８２３は、図２３及び図２４に示すように、Ｙ軸方向に沿って並ぶ２つの画素電極８２４の間に挟まれた領域において、Ｘ軸方向に沿って複数が並んで配されている。Ｘ軸方向についてのＴＦＴ８２３の並び数は、Ｘ軸方向についての画素電極８２４の並び数と一致する。複数の画素電極８２４には、コンタクト部８２４Ｂがタッチ配線８３１を横切らずに隣接するＴＦＴ８２３に接続される一方の画素電極８２４と、コンタクト部８２４Ｂがタッチ配線８３１を横切って隣の列に位置するＴＦＴ８２３に接続される他方の画素電極８２４と、が含まれる。一方の画素電極８２４は、自身が属する列に配されるＴＦＴ８２３に接続されている。他方の画素電極８２４は、自身が属する列に対してタッチ配線８３１を挟んで隣り合う列に配されるＴＦＴ８２３に接続されている。スペーサ８３２は、隣接するＴＦＴ８２３の間であって、タッチ配線８３１と重畳する位置に配置される。この位置は、第１画素コンタクトホールや第２配線コンタクトホールが配置されていないため、平坦性が高いことから、一対の基板の間隔を保持するのに好適である。また、この位置には、遮光部８２９が形成されており、スペーサ８３２に起因する配向不良が表示に及ぼす影響を抑制できる。なお、図２３等に示すスペーサ８３２には、メインスペーサとサブスペーサとが含まれる。具体的には、平面形状が略円形のスペーサ８３２がサブスペーサであり、円弧部を含む横長の平面形状を有するスペーサ８３２がメインスペーサである。

ここで、ＴＦＴ８２３とゲート配線８２６及びソース配線８２７との接続態様に関して、図２６を参照しつつ説明する。図２６には、ＴＦＴ８２３とゲート配線８２６、ソース配線８２７及び画素電極８２４との接続態様と、あるフレーム期間において画素電極８２４に供給される画像信号の極性と、が模式的に示されている。図２６では、複数のゲート配線８２６をナンバリングし、上端から数えて１番目のゲート配線８２６を「Ｇ１」とし、２番目のゲート配線８２６を「Ｇ２」としており、８番目のゲート配線８２６である「Ｇ８」までを図示している。「Ｇ１」と「Ｇ２」との間に挟まれる画素電極８２４の行を「第１行」と言い、「Ｇ３」と「Ｇ４」との間に挟まれる画素電極８２４の行を「第２行」と言い、「Ｇ５」と「Ｇ６」との間に挟まれる画素電極８２４の行を「第３行」と言い、「Ｇ７」と「Ｇ８」との間に挟まれる画素電極８２４の行を「第４行」と言う。図２６では、複数のソース配線８２７をナンバリングし、左端から数えて１番目のソース配線８２７を「Ｓ１」とし、２番目のソース配線８２７を「Ｓ２」としており、３番目のソース配線８２７である「Ｓ３」までを図示している。「Ｓ１」の右側に位置する画素電極８２４の列を「第１列」と言い、「Ｓ２」の左側に位置する画素電極８２４の列を「第２列」と言い、「Ｓ２」の右側に位置する画素電極８２４の列を「第３列」と言い、「Ｓ３」の左側に位置する画素電極８２４の列を「第４列」と言い、「Ｓ３」の右側に位置する画素電極８２４の列を「第５列」と言う。また、図２６には、タッチ配線８３１についても図示している。図２６には、あるフレーム期間（フレーム期間とは、ここでは、ゲート配線８２６「Ｇ１」に接続されるＴＦＴ８２３がオン状態になったあと、ゲート配線８２６「Ｇ２」、「Ｇ３」に接続されるＴＦＴ８２３が順次オン状態になり、再び、ゲート配線８２６「Ｇ１」に接続されるＴＦＴ８２３がオン状態になるまでの期間とする）において、左端から数えて奇数番目のソース配線８２７（「Ｓ１」，「Ｓ３」）に正極性の画像信号が供給され、左端から数えて偶数番目のソース配線８２７（「Ｓ２」）に負極性の画像信号が供給された場合における画素電極８２４に供給される画像信号の極性が「＋」，「－」の符号によって示されている。なお、あるフレーム期間の次のフレーム期間においては、左端から数えて奇数番目のソース配線８２７（「Ｓ１」，「Ｓ３」）に負極性の画像信号が供給され、左端から数えて偶数番目のソース配線８２７（「Ｓ２」）に正極性の画像信号が供給され、各画素電極８２４に供給される画像信号の極性は、図２６に記載される「＋」，「－」の符号によって示されているものとは逆になる。さらに、あるフレーム期間の次の次のフレーム期間においては、各画素電極８２４に供給される画像信号の極性は、図２６の記載と同じであり、以降、この繰り返しとなる。ここで、各ソース配線８２７に供給される画像信号は、あるフレーム期間において極性が反転することがない。このような構成は、各ソース配線８２７に供給される画像信号があるフレーム期間において反転するようにＴＦＴ８２３等を接続した構成と比べると、各ソース配線８２７に供給される画像信号の振幅を小さくすることができるため、消費電流を小さくでき、また、画像信号の鈍りを低減することができる。

図２６に示されるように、上記した一方の画素電極８２４（コンタクト部８２４Ｂがタッチ配線８３１を横切らない画素電極８２４）と他方の画素電極８２４（コンタクト部８２４Ｂがタッチ配線８３１を横切る画素電極８２４）とは、平面に視て千鳥状に配列されている。つまり、Ｘ軸方向について隣り合う２つの画素電極８２４には、一方の画素電極８２４と他方の画素電極８２４とが含まれ、Ｙ軸方向について隣り合う２つの画素電極８２４には、一方の画素電極８２４と他方の画素電極８２４とが含まれる。ある行において第（２ｎ－１）列及び第（２ｎ）列に属する２つの画素電極８２４に接続される２つのＴＦＴ８２３は、同じソース配線８２７に接続されている。なお、「ｎ」は自然数である。従って、ある行において第（２ｎ－１）列及び第（２ｎ）列に属する２つの画素電極８２４には、あるフレーム期間において同じ極性の画像信号が供給される。これに対し、ある行において第（２ｎ）列及び第（２ｎ＋１）列に属する２つの画素電極８２４に接続される２つのＴＦＴ８２３は、極性が異なる画像信号を伝送する２つのソース配線８２７にそれぞれ接続されている。従って、ある行において第（２ｎ）列及び第（２ｎ＋１）列に属する２つの画素電極８２４には、あるフレーム期間において逆極性の画像信号が供給される。ある列において第（２ｎ－１）行及び第（２ｎ）行に属する２つの画素電極８２４に接続される２つのＴＦＴ８２３は、極性が異なる画像信号を伝送する２つのソース配線８２７にそれぞれ接続されている。従って、ある列において第（２ｎ－１）行及び第（２ｎ）行に属する２つの画素電極８２４には、あるフレーム期間において逆極性の画像信号が供給される。ある列において第（２ｎ）行及び第（２ｎ＋１）行に属する２つの画素電極８２４に接続される２つのＴＦＴ８２３は、極性が異なる画像信号を伝送する２つのソース配線８２７にそれぞれ接続されている。従って、ある列において第（２ｎ）行及び第（２ｎ＋１）行に属する２つの画素電極８２４には、あるフレーム期間において逆極性の画像信号が供給される。

以上のように、図２６によれば、第（２ｎ－１）列及び第（２ｎ）列に属する２つの画素電極８２４を１つの画素組とした場合、Ｘ軸方向について隣り合う２つの画素組では、極性が反転しており、Ｙ軸方向について隣り合う２つの画素組では、極性が反転している。つまり、横並びの２つの画素単位で千鳥状に極性が反転している。このように、画素電極８２４単位または複数の画素電極８２４単位で、各画素電極８２４に供給される画像信号の極性が千鳥状になるような画素配列とした場合、仮に、画像信号や共通電位信号にばらつきが生じたとしても、線状の輝度不良が視認され難い。本実施形態では、仮に、隣り合う２つの画素電極の間に位置して１つのゲート配線が配される場合に比べると、ゲート配線８２６の設置数が２倍とされており、それに伴って１つのゲート配線８２６によってＴＦＴ８２３をオン状態にする信号が伝送される時間が１／２となっている。このように、ＴＦＴ８２３が駆動される時間が短くなると、ゲート配線８２６により伝送される信号に鈍りが生じた場合に、画素電極８２４が十分に充電されなくなることが懸念される。その点、ゲート配線８２６が下層配線部８２６Ａと上層配線部８２６Ｂとの積層構造とされることで、ゲート配線８２６の配線抵抗が低減されるのに加え、ゲート配線８２６とソース配線８２７との間にゲート絶縁膜よりも膜厚が大きい第１層間絶縁膜及び平坦化膜が介在することで、ゲート配線８２６により伝送される信号に鈍りが生じ難くなっている。これにより、ＴＦＴ８２３が駆動される時間が短くなっても、画素電極８２４を十分に充電することができる。

また、共通電極８２５には、図２７に示すように、仕切開口部２５Ａ（図１を参照）に加えて、ＴＦＴ開口８２５Ｂ及び配線開口８２５Ｃが設けられている。図２７には、図２４と同じ範囲の画素配列が図示されており、図２７では、アレイ基板８２１に備わる第１透明電極膜を網掛け状にして図示する。本実施形態では、配線開口８２５Ｃは、タッチ配線８３１の一部と重畳する範囲に設けられている。配線開口８２５Ｃは、Ｙ軸方向について間隔を空けて並んで配されている。

以上説明したように本実施形態によれば、２つのゲート配線８２６と、ソース配線８２７に沿って間隔を空けて並ぶ複数の画素電極８２４と、ゲート配線８２６、ソース配線８２７及び画素電極８２４に接続されるＴＦＴ８２３と、複数の画素電極８２４に対して重畳して配される共通電極８２５と、を備え、複数の画素電極８２４は、いずれもソース配線８２７に沿う長手状をなしており、２つのゲート配線８２６は、隣り合う２つの画素電極８２４の間に位置して間隔を空けて配される。ゲート配線８２６により伝送される信号に基づいてＴＦＴ８２３が駆動されると、画素電極８２４は、ソース配線８２７により伝送される信号に基づく電位に充電される。ゲート配線８２６は、隣り合う２つの画素電極８２４の間に位置して２つが間隔を空けて配されているから、仮に、隣り合う２つの画素電極の間に位置して１つのゲート配線が配される場合に比べると、ゲート配線８２６の設置数が２倍とされ、それによって１つのゲート配線８２６によってＴＦＴ８２３をオン状態にする信号が伝送される時間が１／２となる。このように、ＴＦＴ８２３が駆動される時間が短くなると、ゲート配線８２６により伝送される信号に鈍りが生じた場合に、画素電極８２４が十分に充電されなくなることが懸念される。その点、ゲート配線８２６が下層配線部８２６Ａと上層配線部８２６Ｂとの積層構造とされることで、ゲート配線８２６の配線抵抗が低減されるのに加え、ゲート配線８２６とソース配線８２７との間にゲート絶縁膜よりも膜厚が大きい第２絶縁膜である第１層間絶縁膜及び平坦化膜が介在することで、ゲート配線８２６により伝送される信号に鈍りが生じ難くなっている。これにより、ＴＦＴ８２３が駆動される時間が短くなっても、画素電極８２４を十分に充電することができる。

＜実施形態１０＞
実施形態１０を図２８によって説明する。この実施形態１０では、上記した実施形態９からＴＦＴ９２３とゲート配線９２６及びソース配線９２７との接続態様を変更した場合を示す。なお、上記した実施形態９と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るＴＦＴ９２３とゲート配線９２６及びソース配線９２７との接続態様は、図２８に示される通りである。図２８には、ＴＦＴ９２３とゲート配線９２６、ソース配線９２７及び画素電極９２４との接続態様と、あるフレーム期間において画素電極９２４に供給される画像信号の極性と、が模式的に示されている。図２８での「Ｇ１」，「Ｓ１」，「＋」，「－」の各表記は、実施形態９にて説明した通りであり、図２６での各表記と同様である。本実施形態では、全ての画素電極９２４に備わるコンタクト部９２４Ｂがタッチ配線９３１を横切らずに隣接するＴＦＴ９２３に接続されている。つまり、全ての画素電極９２４は、いずれも自身が属する列に配されるＴＦＴ９２３に接続されている。

詳しくは、全ての行において第（２ｎ－１）列及び第（２ｎ）列に属する２つの画素電極９２４に接続される２つのＴＦＴ９２３は、同じソース配線９２７に接続されている。なお、「ｎ」は自然数である。従って、全ての行において第（２ｎ－１）列及び第（２ｎ）列に属する２つの画素電極９２４は、同じ極性となる。これに対し、全ての行において第（２ｎ）列及び第（２ｎ＋１）列に属する２つの画素電極９２４に接続される２つのＴＦＴ９２３は、極性が異なる画像信号を伝送する２つのソース配線９２７にそれぞれ接続されている。従って、全ての行において第（２ｎ）列及び第（２ｎ＋１）列に属する２つの画素電極９２４は、逆極性となる。以上のように、図２８によれば、横並びの２列の画素単位で極性が反転している。本実施形態によれば、上記した実施形態９と同様の作用及び効果を得ることができる。

＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されず、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。

（１）Ｙ軸方向に沿って延在する配線として、タッチ配線３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１，７３１，８３１，９３１及び接続配線４３以外にも、いずれのタッチ電極３０，２３０，７３０とも非接続とされるダミータッチ配線を追加することも可能である。ダミータッチ配線は、タッチ配線３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１，７３１，８３１，９３１及び接続配線４３がいずれも非配置とされる領域が存在する場合にその領域を利用して配置される。ダミータッチ配線の構成は、タッチ電極３０，２３０，７３０に対して接続されない点を除いては、タッチ配線３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１，７３１，８３１，９３１の構成と同様である。ダミータッチ配線によって、タッチ配線３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１，７３１，８３１，９３１及び接続配線４３が配置とされる領域と、タッチ配線３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１，７３１，８３１，９３１及び接続配線４３がいずれも非配置とされる領域と、の間に生じ得る透過光量の差が緩和される。

（２）実施形態１，２，４～１０に記載した構成において、実施形態３にて説明した接続配線４３を追加することも可能である。

（３）共通電極２５，２２５，３２５，６２５，７２５，８２５の第１仕切開口部２５Ａ１，２２５Ａ１，３２５Ａ１，４２５Ａ１，５２５Ａ１，７２５Ａ１と重畳する配置となるのは、タッチ配線３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１，７３１，８３１，９３１に限らず、実施形態３にて説明した接続配線４３でもよい。また、上記した（１）に記載したダミータッチ配線が第１仕切開口部２５Ａ１，２２５Ａ１，３２５Ａ１，４２５Ａ１，５２５Ａ１，７２５Ａ１と重畳して配されてもよい。

（４）アレイ基板２１，２２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１には、第１層間絶縁膜３５が非形成であってもよい。その場合でも、ゲート配線２６，１２６，２２６，３２６，６２６，７２６，８２６，８２６－１，８２６－３，９２６とソース配線２７，１２７，２２７，４２７，７２７，８２７，８２７－１，８２７－２，８２７－３，９２７との間に介在する平坦化膜３６の膜厚は、ゲート絶縁膜３４の膜厚よりも十分に大きい。

（５）液晶パネル１０は、主面が湾曲した湾曲液晶パネルであってもよい。湾曲液晶パネルの湾曲軸の軸線方向をＹ軸方向（異なる色を呈するカラーフィルタの並び方向）と一致させ、湾曲軸と直交する湾曲方向をＸ軸方向（カラーフィルタの延在方向）と一致させることができる。このようにすれば、湾曲液晶パネルの製造過程において、対向基板２０とアレイ基板２１，２２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１とを貼り合わせて得た液晶パネルを湾曲させたとき、対向基板２０とアレイ基板２１，２２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１との間にＸ軸方向について位置ずれが生じ得るものの、その位置ずれに起因して異なる色を呈する画素間で混色が生じ難くなる。

（６）画素電極２４，１２４，２２４，３２４，４２４，５２４，６２４，７２４，８２４の平面形状は、各図面での図示以外にも適宜に変更可能である。例えば、画素電極２４，１２４，２２４，３２４，４２４，５２４，６２４，７２４の平面形状を、実施形態１～８において各図面に図示した画素電極２４，１２４，２２４，３２４，４２４，５２４，６２４，７２４を上下に反転させた平面形状としてもよい。また、画素電極８２４の平面形状を、実施形態９において各図面に図示した画素電極８２４を左右に反転させた平面形状としてもよい。

（７）画素電極２４，１２４，２２４，３２４，４２４，５２４，６２４，７２４，８２４，８２４－１，８２４－２，８２４－３，９２４が第１透明電極膜により構成され、共通電極２５，２２５，３２５，６２５，７２５，８２５が第２透明電極膜により構成されてもよい。その場合、共通電極２５，２２５，３２５，６２５，７２５，８２５に配向制御のためのスリットを形成するのが好ましい。

（８）実施形態９，１０に記載の構成において、各画素電極８２３，９２４に接続した各ＴＦＴ８２３，９２３をどのゲート配線８２６，９２６やソース配線８２７，９２７に接続するか、は、適宜に変更可能である。例えば、実施形態９の変形例として図２９に示される接続態様を採ることが可能である。具体的には、図２９に示すように、第（２ｎ）行に属する各画素電極８２４－１のうち、第（４ｎ－３）列に属する各画素電極８２４－１には、上端から数えて（４ｎ）番目のゲート配線８２６－１に接続されたＴＦＴ８２３－１が接続され、第（４ｎ－２）列に属する各画素電極８２４－１には、上端から数えて（４ｎ－１）番目のゲート配線８２６－１に接続されたＴＦＴ８２３－１が接続され、第（４ｎ－１）列に属する各画素電極８２４－１には、上端から数えて（４ｎ－１）番目のゲート配線８２６－１に接続されたＴＦＴ８２３－１が接続され、第（４ｎ）列に属する各画素電極８２４－１には、上端から数えて（４ｎ）番目のゲート配線８２６－１に接続されたＴＦＴ８２３－１が接続されている。なお、「ｎ」は自然数である。また、各ソース配線８２７－１に供給される画像信号は、あるフレーム期間において極性が反転することがなく、フレーム毎に極性が反転する。図２９に示される接続態様であっても、実施形態９と同様に、横並びの２つの画素単位で千鳥状に極性を反転させることができる。

（９）上記した（８）以外にも、実施形態９の変形例として図３０に示されるような接続態様を採ることも可能である。具体的には、図３０に示すように、第（４ｎ－２）行に属する各画素電極８２４－２には、左端から数えて奇数番目のソース配線８２７－２に接続されたＴＦＴ８２３－２が接続され、第（４ｎ－１）行に属する各画素電極８２４－２には、左端から数えて偶数番目のソース配線８２７－２に接続されたＴＦＴ８２３－２が接続されている。また、各ソース配線８２７－２に供給される画像信号は、あるフレーム期間において極性が反転することがなく、フレーム毎に極性が反転する。このようにすれば、第（４ｎ－３）行と第（４ｎ－２）行とに属する各画素電極８２４－２には、左端から数えて奇数番目のソース配線８２７－２に伝送される画像信号が供給され、第（４ｎ－１）行と第（４ｎ）行とに属する各画素電極８２４－２には、左端から数えて偶数番目のソース配線８２７－２に伝送される画像信号が供給される。従って、図３０に示される接続態様によれば、第（２ｍ－１）行の第（２ｎ－１）列及び第（２ｎ）列に属する２つの画素電極８２４－２と、第（２ｍ）行の第（２ｎ－１）列及び第（２ｎ）列に属する２つの画素電極８２４－２と、の４つの画素電極８２４－２を１つの画素組とした場合に、２×２の画素単位で千鳥状に極性を反転させることができる。このような構成は、画素サイズが小さい場合（例えば画素の短辺方向についての長さが３５μｍ以下の場合）に好適である。なお、「ｎ」、「ｍ」はいずれも自然数である。

（１０）上記した（９）の変形例として、図３１に示されるような接続態様を採ることも可能である。以下、上記した（９）との相違点を中心に説明する。具体的には、図３１に示すように、第（４ｎ－１）行に属する各画素電極８２４－３のうち、第（４ｎ－３）列に属する各画素電極８２４－３には、上端から数えて（８ｎ－２）番目のゲート配線８２６－３に接続されたＴＦＴ８２３－３が接続され、第（４ｎ－２）列に属する各画素電極８２４－３には、上端から数えて（８ｎ－３）番目のゲート配線８２６－３に接続されたＴＦＴ８２３－３が接続され、第（４ｎ－１）列に属する各画素電極８２４－３には、上端から数えて（８ｎ－３）番目のゲート配線８２６－３に接続されたＴＦＴ８２３－３が接続され、第（４ｎ）列に属する各画素電極８２４－３には、上端から数えて（８ｎ－２）番目のゲート配線８２６－３に接続されたＴＦＴ８２３－３が接続されている。また、第（４ｎ）行に属する各画素電極８２４－３のうち、第（４ｎ－３）列に属する各画素電極８２４－３には、上端から数えて（８ｎ）番目のゲート配線８２６－３に接続されたＴＦＴ８２３－３が接続され、第（４ｎ－２）列に属する各画素電極８２４－３には、上端から数えて（８ｎ－１）番目のゲート配線８２６－３に接続されたＴＦＴ８２３－３が接続され、第（４ｎ－１）列に属する各画素電極８２４－３には、上端から数えて（８ｎ－１）番目のゲート配線８２６－３に接続されたＴＦＴ８２３－３が接続され、第（４ｎ）列に属する各画素電極８２４－３には、上端から数えて（８ｎ）番目のゲート配線８２６－３に接続されたＴＦＴ８２３－３が接続されている。なお、「ｎ」は自然数である。また、各ソース配線８２７－３に供給される画像信号は、あるフレーム期間において極性が反転することがなく、フレーム毎に極性が反転する。このようにすれば、上記した（９）と同様に、縦横に２つずつ並ぶ４つの画素単位で千鳥状に極性を反転させることができる。このような構成は、画素サイズが小さい場合（例えば画素の短辺方向についての長さが３５μｍ以下の場合）に好適である。

（１１）ゲート回路部１３を省略することも可能である。その場合、アレイ基板２１，２２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１にゲート回路部１３と同様の機能を有するゲートドライバを実装するようにしても構わない。また、ゲート回路部１３をアレイ基板２１，２２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１における片側の辺部のみに設けることも可能である。

（１２）半導体部２３Ｄ，７２３Ｄを構成する半導体膜の材料は、ポリシリコン（ＬＴＰＳ）等でもよい。

（１３）タッチパネルパターンは、自己容量方式以外にも相互容量方式であってもよい。

（１４）ＴＦＴ２３，１２３，７２３，８２３，８２３－１，８２３－２，８２３－３，９２３の構成は、図面にて示したボトムゲート型以外にも、トップゲート型、ダブルゲート型等でもよい。

（１５）カラーフィルタ２８及び遮光部２９は、アレイ基板２１，２２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１に設けられてもよい。その場合、画素電極２４，１２４，２２４，３２４，４２４，５２４，６２４，７２４，８２４，８２４－１，８２４－２，８２４－３，９２４及びカラーフィルタ２８が共にアレイ基板２１，２２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１に設けられることになり、対向基板２０には、画素の構成要素が設けられない。

（１６）カラーフィルタの色数は、４色以上でもよい。追加するカラーフィルタは、黄色の波長領域（約５７０ｎｍ～約６００ｎｍ）に含まれる黄色光を出射可能な黄色カラーフィルタや全波長領域の光を出射可能な透明カラーフィルタ等であってもよい。

（１７）液晶パネル１０の平面形状は、縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであってもよい。

（１８）液晶パネル１０は、透過型以外にも反射型や半透過型であってもよい。

（１９）液晶パネル１０以外の種類の表示パネル（有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルなど）やＥＰＤ（マイクロカプセル型電気泳動方式のディスプレイパネル）であってもよい。

（２０）液晶パネル１０は、タッチパネル機能を備えなくてもよい。その場合、複数のタッチ配線３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１，７３１，８３１，９３１は、専ら共通電位信号を伝送する複数の共通配線となる。共通電極２５，２２５，３２５，６２５，７２５，８２５は、複数の共通配線に接続されて共通電位とされ、タッチ電極３０，２３０，７３０としては機能しない。

１０…液晶パネル（表示パネル）、２０…対向基板、２１，２２１，３２１，４２１，５２１，６２１，７２１，８２１…アレイ基板（配線基板）、２３，１２３，７２３，８２３，８２３－１，８２３－２，８２３－３…ＴＦＴ（スイッチング素子）、２４，１２４，２２４，３２４，４２４，５２４，６２４，７２４，８２４，８２４－１，８２４－２，８２４－３，９２４…画素電極、２４Ａ３，２２４Ａ３，３２４Ａ３，４２４Ａ３，５２４Ａ３，６２４Ａ３，８２４Ａ３…屈曲部、２５，２２５，３２５，６２５，７２５，８２５…共通電極、２６，１２６，２２６，３２６，６２６，７２６，８２６，８２６－１，８２６－３，９２６…ゲート配線（第１配線）、２６Ａ，１２６Ａ，８２６Ａ…下層配線部、２６Ｂ，１２６Ｂ，８２６Ｂ…上層配線部、２７，１２７，２２７，４２７，７２７，８２７，８２７－１，８２７－２，８２７－３，９２７…ソース配線（第２配線）、３１，２３１，３３１，４３１，５３１，６３１，７３１，８３１，９３１…タッチ配線（第３配線）、３１Ａ…タッチ配線本体（第３配線本体）、３１Ｂ，２３１Ｂ…第１分岐部、３４…ゲート絶縁膜（第１絶縁膜）、３５…第１層間絶縁膜（第２絶縁膜）、３６…平坦化膜（第２絶縁膜）、３７，２３７…第２層間絶縁膜（第３絶縁膜）、３８…第３層間絶縁膜（第４絶縁膜）、４０，２４０…第１開口部、４１，２４１…第１電極部、４２，２４２…第２電極部、４３…接続配線（第４配線）、４３Ａ…接続配線本体（第４配線本体）、４３Ｂ…第２分岐部、４３Ｃ…第３分岐部、４４…第２開口部、４５…第３電極部、４６…第４電極部、４７…第３開口部、４８…第４開口部、４９，４４９…第３画素電極部（第７電極部）、５０，５５０…第４画素電極部（第８電極部）、５１，５５１…第５画素電極部（第９電極部）、５２，５５２…繋ぎ部、５３…中央部、５４…第６開口部、５５…第１０電極部、５６…第１１電極部、３２４Ａ１…第１画素電極部（第５電極部）、３２４Ａ２…第２画素電極部（第６電極部）、６２４Ａ４…スリット（第５開口部）、７２４Ａ１…第１画素電極部（第１２電極部）、７２４Ａ２…第２画素電極部（第１３電極部）、ＣＨ３，ＣＨ１０３，ＣＨ２０３…第１配線コンタクトホール（第１コンタクトホール）、ＣＨ５…第３配線コンタクトホール（第２コンタクトホール）、ＣＨ６…第４配線コンタクトホール（第３コンタクトホール）、ＣＨ７…第５配線コンタクトホール（第４コンタクトホール）

Claims (15)

1. 第１配線と、
   前記第１配線と交差する第２配線と、を備え、
   前記第１配線は、第１導電膜からなる下層配線部と、前記第１導電膜に対して第１絶縁膜を介して上層側に配される第２導電膜からなる上層配線部と、からなり、
   前記第１絶縁膜のうち、前記下層配線部と前記上層配線部との双方と重畳する位置には、前記下層配線部と前記上層配線部とを接続する第１コンタクトホールが設けられ、
   前記第２配線は、前記第２導電膜に対して第２絶縁膜を介して上層側に配される第３導電膜からなり、
   前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜よりも膜厚が大きい配線基板。
2. 画素電極と、
   前記第１配線、前記第２配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、
   前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、を備え、
   前記共通電極は、前記第２配線に沿って延在する第１開口部と、前記第１開口部によって分割される第１電極部及び第２電極部と、を有しており、
   前記第１開口部は、前記画素電極の一部と重畳して配される請求項１記載の配線基板。
3. 前記第３導電膜のうちの前記第２配線とは別の部分からなり、前記第１配線と交差する第３配線を備え、
   前記画素電極は、前記第１配線に沿う長手状をなしていて長手方向についての途中に屈曲部を有しており、
   前記共通電極は、前記第３導電膜に対して第３絶縁膜を介して上層側に配される第１透明電極膜と、前記第１透明電極膜に対して第４絶縁膜を介して上層側に配される第２透明電極膜と、のうちの一方の透明電極膜からなり、
   前記画素電極は、前記第１透明電極膜と前記第２透明電極膜とのうちの他方の透明電極膜からなり、
   前記第３配線は、前記屈曲部に対して重畳して配され、
   少なくとも前記第３絶縁膜のうちの前記共通電極及び前記第３配線の双方と重畳する位置には、前記共通電極と前記第３配線とを接続する第２コンタクトホールが設けられる請求項２記載の配線基板。
4. 前記第３配線は、前記第１配線と交差する第３配線本体と、前記第３配線本体から分岐し、前記共通電極及び前記第１配線の一部ずつと重畳して配される第１分岐部と、を有しており、
   前記第２コンタクトホールは、前記第１分岐部と重畳して配される請求項３記載の配線基板。
5. 前記共通電極は、前記第１開口部が前記第３配線と重畳して設けられる請求項３または請求項４記載の配線基板。
6. 前記第３導電膜のうちの前記第２配線及び前記第３配線とは別の部分からなり、前記第１配線と交差する第４配線を備え、
   前記共通電極は、前記第４配線に沿って延在して前記第１電極部を第３電極部と第４電極部とに分割する第２開口部を有しており、
   前記第４配線は、前記第１配線と交差して前記第２開口部と重畳して配される第４配線本体と、前記第４配線本体から分岐して前記第３電極部と重畳して配される第２分岐部と、前記第４配線本体から分岐して前記第４電極部と重畳して配される第３分岐部と、を有しており、
   少なくとも前記第３絶縁膜には、前記第３電極部及び前記第２分岐部の双方と重畳する位置に前記第３電極部と前記第２分岐部とを接続する第３コンタクトホールと、前記第４電極部及び前記第３分岐部の双方と重畳する位置に前記第４電極部と前記第３分岐部とを接続する第４コンタクトホールと、が設けられる請求項５記載の配線基板。
7. 前記画素電極は、前記第２透明電極膜からなり、前記屈曲部を挟むよう配されて前記屈曲部に連なる第５電極部及び第６電極部を有しており、
   前記第５電極部には、前記第１配線に沿って延在する第３開口部が設けられ、
   前記第６電極部には、前記第１配線に沿って延在していて前記第３開口部と交差する関係の第４開口部が設けられ、
   前記屈曲部は、前記第３配線に沿って延在していて前記第３開口部及び前記第４開口部の双方と交差する関係の第７電極部を有する請求項３または請求項４記載の配線基板。
8. 前記第７電極部には、前記第５電極部に連なる第８電極部と、前記第６電極部に連なる第９電極部と、が含まれ、
   前記屈曲部は、前記第３配線と交差していて前記第８電極部と前記第９電極部とを繋ぐ繋ぎ部を有する請求項７記載の配線基板。
9. 前記画素電極は、前記第２透明電極膜からなり、前記屈曲部を挟むよう配されて前記屈曲部に連なる第５電極部及び第６電極部を有しており、
   前記屈曲部、前記第５電極部及び前記第６電極部には、前記第１配線に沿って延在する第５開口部が連続的に設けられており、
   前記屈曲部は、前記第３配線と直交する関係とされる請求項３または請求項４記載の配線基板。
10. 前記第１配線に沿って間隔を空けて並ぶ複数の画素電極と、
    前記第１配線、前記第２配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、
    複数の前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、を備え、
    複数の前記画素電極は、いずれも前記第１配線に沿う長手状をなしており、
    前記第２配線は、いずれかの前記画素電極の中央部と重畳して配され、
    前記スイッチング素子は、前記画素電極の前記中央部に接続され、
    前記共通電極は、前記第２配線に沿って延在する第６開口部と、前記第６開口部によって分割される第１０電極部及び第１１電極部と、を有しており、
    前記第６開口部は、隣り合う２つの前記画素電極の間に位置して配される請求項１記載の配線基板。
11. 前記画素電極は、前記中央部を挟むよう配されて前記中央部に連なる第１２電極部及び第１３電極部を有しており、
    前記中央部は、前記第１２電極部及び前記第１３電極部よりも幅狭とされる請求項１０記載の配線基板。
12. ２つの前記第１配線と、
    前記第２配線に沿って間隔を空けて並ぶ複数の画素電極と、
    前記第１配線、前記第２配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、
    複数の前記画素電極に対して重畳して配される共通電極と、を備え、
    複数の前記画素電極は、いずれも前記第２配線に沿う長手状をなしており、
    ２つの前記第１配線は、隣り合う２つの前記画素電極の間に位置して間隔を空けて配される請求項１記載の配線基板。
13. 画素電極と、
    前記第１配線、前記第２配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、を備え、
    前記第２配線、前記スイッチング素子及び前記画素電極は、前記第１配線に沿って並んで配されており、
    前記第１コンタクトホールは、前記第２配線と重畳して配される請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項１０、請求項１１または請求項１２のいずれか１項に記載の配線基板。
14. 前記第１絶縁膜は、無機絶縁材料からなり、前記第２絶縁膜は、有機絶縁材料からなる請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項１０、請求項１１または請求項１２のいずれか１項に記載の配線基板。
15. 請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項１０、請求項１１または請求項１２のいずれか１項に記載の配線基板と、
    前記配線基板と対向状に配される対向基板と、を備える表示装置。

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