JP2024085210A - 研磨液組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】研磨速度の向上と研磨後の基板表面のスクラッチの低減を両立する磁気ディスク基板用研磨液組成物を提供する。【解決手段】研磨液組成物は、シリカ粒子（成分Ａ）と水溶性高分子（成分Ｂ）と酸（成分Ｃ）と水系媒体とを含有し、成分Ｂはアクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位を含む共重合体で、成分Ｂを構成する全構成単位中に占めるアクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位の構成比率が５０ｍｏｌ％以上で、成分Ｂの重量平均分子量は７００以上１００００以下、成分Ｂは、０．４質量％の酸化ニッケル粒子、研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｃ及び研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｂを配合したときの、成分Ｂの酸化ニッケル粒子への吸着率が５質量％以上で、研磨液組成物中の成分Ａの平均粒径ｄと、研磨液組成物から成分Ｂが除かれた組成である組成物中の成分Ａの平均粒径ｄ0との比ｄ／ｄ0が１．１以下であり、ｐＨが０．１以上４以下である。【選択図】なし

Description

本開示は、研磨液組成物、並びにこれを用いた基板の製造方法及び研磨方法に関する。

近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するために、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、表面粗さ、うねり、端面ダレ（ロールオフ）の低減に代表される平滑性・平坦性の向上とスクラッチ、突起、ピット等の低減に代表される欠陥低減に対する要求が厳しくなっている。

このような要求に対して、例えば、特許文献１には、粗研磨工程と仕上げ研磨工程とを含む磁気ディスク基板の製造方法において、前記粗研磨工程を、同一の研磨機において、アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いる第１の粗研磨と、第１の粗研磨後のリンス処理と、前記リンス処理後のシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いる第２の粗研磨とをこの順で含む構成とすることが提案されている。同文献の００７３段落には、研磨液組成物Ａは、ポリアクリル酸又はその塩を含有することが好ましいと記載されている。
特許文献２には、磁気ディスク基板研磨用組成物であって、砥粒としてのシリカ粒子と水とを含み、亜リン酸エステル、および、分子量が１５０以上であるリン酸エステルから選択される少なくとも１種をさらに含む研磨用組成物が提案されている。
特許文献３には、コロイダルシリカとリン含有化合物と水溶性高分子化合物と水とを含み、前記水溶性高分子化合物が不飽和脂肪族カルボン酸に由来する構成単位と不飽和アミドに由来する構成単位とを含有する共重合体である磁気ディスク基板用研磨剤組成物が提案されている。

特開２０１４－２９７５３号公報 特開２０２０－１６６９２４号公報 特開２０１７－２０４３１３号公報

磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、基板表面のスクラッチをいっそう低減できる研磨液組成物の開発が求められている。また、一般的に、研磨速度とスクラッチとはトレードオフの関係にあり、一方が改善すれば一方が悪化するという問題がある。

そこで、本開示は、研磨速度の向上と研磨後の基板表面のスクラッチの低減とを両立できる研磨液組成物、並びにこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法及び基板の研磨方法を提供する。

本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と水溶性高分子（成分Ｂ）と酸（成分Ｃ）と水系媒体とを含有する研磨液組成物であって、成分Ｂは、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位を含む共重合体であり、成分Ｂを構成する全構成単位中に占める、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位の構成比率が５０ｍｏｌ％以上であり、成分Ｂの重量平均分子量は、７００以上１００００以下であり、成分Ｂは、０．４質量％の酸化ニッケル粒子、前記研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｃ、及び、前記研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｂを配合したときの、成分Ｂの酸化ニッケル粒子への吸着率が５質量％以上となるものであり、前記研磨液組成物中の成分Ａの平均粒径ｄと、前記研磨液組成物から成分Ｂが除かれた組成である組成物中の成分Ａの平均粒径ｄ₀との比ｄ／ｄ₀が１．１以下であり、ｐＨが０．１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。

本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と水溶性高分子（成分Ｂ）と酸（成分Ｃ）と水系媒体とを含有し、成分Ｂは、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位を含む共重合体であって、下記式（Ｉ）で表される構成を含む共重合体であり、成分Ｂを構成する全構成単位中に占める、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位の構成比率が５０ｍｏｌ％以上であり、成分Ｂの重量平均分子量は、７００以上１００００以下であり、ｐＨが０．１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。

式（Ｉ）中、ｍ、ｎは成分Ｂにおけるそれぞれの構成単位の構成比率（モル比率）を表し、ｍ＞０、n＞０、ｍ＋ｎ＝１００を満たす。Ｍは、水素原子、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、又はアンモニウム（ＮＨ₄ ⁺）を示す。Ｒは炭素数２～６の炭化水素基であり、ＸとＲを結ぶ破線は、Ｒを構成する炭素原子がＸに結合してもよいことを表す。Ｘは酸素原子又は窒素原子又はＮＨ基を表す。

本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。

本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板は、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法に関する。

本開示の研磨組成物によれば、一又は複数の実施形態において、研磨速度の向上と研磨後の基板表面のスクラッチの低減とを両立できるという効果が奏されうる。

本開示は、シリカ粒子、特定の水溶性高分子、酸、及び水系媒体を含有し、ｐＨ０．１～４の研磨液組成物を磁気ディスク基板の研磨に用いると、研磨速度を向上しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できるという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と水溶性高分子（成分Ｂ）と酸（成分Ｃ）と水系媒体とを含有する研磨液組成物であって、成分Ｂは、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位を含む共重合体であり、成分Ｂを構成する全構成単位中に占める、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位の構成比率が５０ｍｏｌ％以上であり、成分Ｂの重量平均分子量は、７００以上１００００以下であり、成分Ｂは、０．４質量％の酸化ニッケル粒子、前記研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｃ、及び、前記研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｂを配合したときの、成分Ｂの酸化ニッケル粒子への吸着率が５質量％以上となるものであり、前記研磨液組成物中の成分Ａの平均粒径ｄと、前記研磨液組成物から成分Ｂが除かれた組成である組成物中の成分Ａの平均粒径ｄ₀との比ｄ／ｄ₀が１．１以下であり、ｐＨが０．１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。
本開示は、その他の態様において、シリカ粒子（成分Ａ）と水溶性高分子（成分Ｂ）と酸（成分Ｃ）と水系媒体とを含有し、成分Ｂは、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位を含む共重合体であって、上記式（Ｉ）で表される構成を含む共重合体であり、成分Ｂを構成する全構成単位中に占める、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位の構成比率が５０ｍｏｌ％以上であり、成分Ｂの重量平均分子量は、７００以上１００００以下であり、ｐＨが０．１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物に関する。
以下、これらをまとめて「本開示の研磨液組成物」ともいう。

本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
カルボニル基は基板表面のニッケル原子に配位する性質を持つ。本開示では、成分Ｂのカルボニル基は主鎖から遠い位置に存するため、立体的な自由度が高く基板表面への配位が容易に起こると考えられる。また、成分Ｂがカルボニル基によって基板に吸着し、親水基であるカルボン酸基が表層側に配向されることで、基板表面を親水化できると考えられる。それにより、研磨液の濡れ広がり性が向上し、研磨液が効率的に基板表面に行きわたることで、研磨速度が向上し、スクラッチが低減したと考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

本開示において、基板表面のスクラッチは、例えば、光学式欠陥検査装置により検出可能であり、スクラッチ数として定量評価できる。スクラッチ数は、具体的には実施例に記載した方法で評価できる。

［シリカ粒子（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物に含まれるシリカ粒子（以下「成分Ａ」ともいう）としては、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられるが、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ａの平均二次粒子径は、研磨速度向上の観点から、１ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましく、１０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、スクラッチ低減の観点から、５００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下が更に好ましく、７０ｎｍ以下が更に好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ａの平均二次粒子径は、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下がより好ましく、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が更に好ましく、５ｎｍ以上７０ｎｍ以下が更に好ましく、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、「シリカ粒子の平均二次粒子径」とは、動的光散乱法により測定される値であり、例えば、動的光散乱法において検出角を１７３°で測定し、得られた粒子径分布の累積体積割合が５０％になる値（Ｄ５０）を平均粒径（平均二次粒子径）とすることができる。シリカ粒子の平均二次粒子径は、具体的には実施例に記載の方法により求めることができる。

［平均粒径比ｄ／ｄ₀］
本開示の研磨液組成物において、前記研磨液組成物中のシリカ粒子（成分Ａ）の平均粒径ｄと、前記研磨液組成物から成分Ｂが除かれた組成ある組成物中のシリカ粒子（成分Ａ）の平均粒径ｄ₀との比ｄ／ｄ₀（以下、「平均粒径比ｄ／ｄ₀」ともいう）は、スクラッチ低減の観点から、１．５以下であることが好ましく、１．３以下がより好ましく、１．１以下が更に好ましく、同様の観点から、１以上が好ましい。本開示において、平均粒径ｄ及びｄ₀はそれぞれ、動的光散乱法により測定される値であり、具体的には、実施例に記載の方法により測定できる。

本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、研磨速度向上の観点から、ＳｉＯ₂換算で、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、そして、スクラッチ低減の観点から、ＳｉＯ₂換算で、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、ＳｉＯ₂換算で、０．１質量％以上２０質量％以下が好ましく、１質量％以上１５質量％以下がより好ましく、３質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上のシリカ粒子からなる場合、成分Ａの含有量は、それらの合計含有量をいう。

［水溶性高分子（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物に含まれる水溶性高分子（以下、「成分Ｂ」ともいう）は、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位（以下、「構成単位ｂ１」ともいう）を含む共重合体である。塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、アンモニウム塩、アミン塩、アルキルアンモニウム塩等が挙げられる。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ｂを構成する全構成単位中に占める構成単位b１の構成比率は、シリカの凝集抑制の観点から、５０ｍｏｌ％以上が好ましく、６０ｍｏｌ％以上がより好ましく、７０ｍｏｌ％以上が更に好ましく、そして、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、９８ｍｏｌ％以下が好ましく、９５ｍｏｌ％以下がより好ましく、９０ｍｏｌ％以下が更に好ましい。構成単位b１の構成比率は、５０ｍｏｌ％以上９８ｍｏｌ％以下が好ましく、６０ｍｏｌ％以上９５ｍｏｌ％以下がより好ましく、７０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下が更に好ましい。

本開示において、成分Ｂを構成する全構成単位中に占めるある構成単位の含有量（モル％）として、合成条件によっては、成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた全構成単位を導入するための化合物中に占める前記反応槽に仕込まれた該構成単位を導入するための化合物量（モル％）を使用してもよい。また、本開示において、成分Ｂが２種以上の構成単位を含む場合、２種以上の構成単位の構成比（モル比）として、合成条件によっては、前記成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた該２種以上の構成単位を導入するための化合物量比（モル比）を使用してもよい。

成分Ｂは、構成単位ｂ１以外の構成単位（以下、「構成単位ｂ２」ともいう）を有する。構成単位ｂ２を形成するモノマーとしては、主鎖から２原子以上離れた位置にカルボニル酸素原子を有するモノマーが好ましく、例えば、プロピオン酸ビニル、ブタン酸ビニル、ペンタン酸ビニル、ヘキサン酸ビニル、へプタン酸ビニル、安息香酸ビニル、ピバル酸ビニル、ビニルピロリドン、ε―カプロラクタム等が挙げられ、好ましくはピバル酸ビニル、ビニルピロリドン等が挙げられる。成分Ｂを構成する全構成単位中に占める構成単位ｂ２の含有率は、シリカの凝集抑制の観点から、５０ｍｏｌ％以下が好ましく、４０ｍｏｌ％以下がより好ましく、３０ｍｏｌ％以下が更に好ましく、そして、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、２ｍｏｌ％以上が好ましく、５ｍｏｌ％以上がより好ましく、１０ｍｏｌ％以上が更に好ましい。構成単位ｂ２を形成するモノマーは、一又は複数の実施形態において、保存安定性向上の観点から、酢酸ビニルを含まないことが好ましい。

成分Ｂを構成する各構成単位の配列は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよく、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、ランダムが好ましい。

成分Ｂとしては、一又は複数の実施形態において、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、０．４質量％の酸化ニッケル粒子、前記研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｃ、及び、前記研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｂを配合したときの、成分Ｂの酸化ニッケル粒子への吸着率が、５質量％以上となるものである。前記吸着率は、同様の観点から、６質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましく、１０質量％以上が更に好ましい。成分Ｂがこれらの吸着率を満たすと、一又は複数の実施形態において、基板表面が親水化されて研磨液組成物の濡れ広がり性が向上し、研磨液組成物が効率的に基板表面に行きわたり、研磨速度向上及びスクラッチ低減への寄与が大きくなる。本開示において、成分Ｂの酸化ニッケル粒子への吸着率とは、全有機体炭素計を用いて測定でき、具体的には実施例に記載の方法により測定できる。

成分Ｂとしては、一又は複数の実施形態において、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、下記式（Ｉ）で表される構成を含む共重合体が挙げられる。

式（Ｉ）中、ｍ、ｎは成分Ｂにおけるそれぞれの構成単位の構成比率（モル比率）を表し、ｍ＞０、ｎ＞０、ｍ＋ｎ＝１００を満たす。Ｍは、水素原子、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、又はアンモニウム（ＮＨ₄ ⁺）を示す。Ｒは炭素数２～６の炭化水素基であり、ＸとＲを結ぶ破線は、Ｒを構成する炭素原子がＸに結合してもよいことを表す。Ｘは酸素原子又は窒素原子又はＮＨ基を表す。
式（Ｉ）において、Ｒは、成分Ｂの製品中における保存安定性向上の観点から、炭素数２以上の炭化水素基が好ましく、そして、成分Ｂの製品中における溶解性向上の観点から炭素数６以下の炭化水素基が好ましい。
式（Ｉ）において、ｍは、シリカの凝集抑制の観点から、５０以上が好ましく、６０以上がより好ましく、７０以上が更に好ましく、そして、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、９８以下が好ましく、９５以下がより好ましく、９０以下が更に好ましい。
式（Ｉ）において、ｎは、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、２以上が好ましく、５以上がより好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、シリカの凝集抑制の観点から、５０以下が好ましく、４０以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。

成分Ｂとしては、一又は複数の実施形態において、アクリル酸及び／又はその塩とピバル酸ビニルとの共重合体、並びに、アクリル酸及び／又はその塩とビニルピロリドンとの共重合体から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。

成分Ｂの製造方法は特に制限されないが、水溶液重合法が好ましい。重合溶媒中で構成単位ｂ１、構成単位ｂ２、重合開始剤、連鎖移動剤を混合し反応させることによって製造できる。
上記水溶液重合の重合溶媒としては、例えば、水、エタノール等のアルコール類、アセトン等のケトン類が挙げられる。これらは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
重合反応では公知の重合開始剤を使用でき、特にラジカル重合開始剤が好ましく用いられる。ラジカル重合開始剤として、例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩、ｔ－ブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類、過酸化水素等の水溶性過酸化物、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド類、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、ｔ－ブチルクミルパーオキサイド等のジアルキルパーオキサイド類等の油溶性の過酸化物、アゾビスイソブチロニトリル、２，２－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）ジハイドロクロライド等のアゾ化合物等が挙げられる。生成物の安定性の観点から、過硫酸塩及びアゾ化合物から選ばれる少なくとも１種が好ましく、アゾビスイソブチロニトリル、２，２'－アゾビス（２,４-ジメチロバレロニトリル）等のアゾ化合物がより好ましい。これらは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
成分Ｂの製造において、分子量を調整するために、連鎖移動剤を重合系に適宜添加してもよい。連鎖移動剤としては、例えば、亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、メルカプト酢酸、メルカプトプロピオン酸、チオグリコール酸、２－プロパンチオール、２－メルカプトエタノール及びチオフェノール等が挙げられる。
重合温度は、特に制限されないが、反応性向上の観点から６０℃以上が好ましく、着色抑制の観点から１００℃以下が好ましい。
重合時間は、特に制限されないが、反応性向上の観点から２時間以上が好ましく、着色抑制の観点から２０時間以下が好ましい。
重合反応後、必要に応じて塩基性化合物で中和を行うことができる。中和に使用する塩基性化合物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属の水酸化物、アンモニア水、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン類等が挙げられる。生成した水溶性高分子化合物の分散性と研磨対象基板の汚染を避ける観点から、アンモニア水が好ましい。中和後のｐＨ値（２５℃）は、生成物の安定性向上の観点から３以上１０以下が好ましく、４以上９以下がより好ましい。

成分Ｂの重量平均分子量は、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、７００以上であって、１，０００以上が好ましく、１，５００以上がより好ましく、そして、シリカの凝集抑制の観点から、１０，０００以下であって、８，５００以下が好ましく、７，０００以下がより好ましい。より具体的には、成分Ｂの重量平均分子量は、７００以上１０，０００以下であって、１，０００以上８，５００以下が好ましく、１，５００以上７，０００以下がより好ましい。本開示において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて実施例に記載の条件で測定される値とする。

本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、１０質量ｐｐｍ以上が好ましく、２０質量ｐｐｍ以上がより好ましく、５０質量ｐｐｍ以上が更に好ましく、そして、シリカの凝集抑制の観点から、１００００質量ｐｐｍ以下が好ましく、５０００質量ｐｐｍ以下がより好ましく、３０００質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、１０００質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、５００質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、１０質量ｐｐｍ以上１００００質量ｐｐｍ以下が好ましく、２０質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下がより好ましく、５０質量ｐｐｍ以上３０００質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、５０質量ｐｐｍ以上１０００質量ｐｐｍ以下が更に好ましく、５０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。成分Ｂが２種以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量である。なお、本開示において、１質量％は１０，０００質量ｐｐｍである（以下同じ）。

本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量と成分Ｂの含有量との質量比Ａ／Ｂは、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、１０以上が好ましく、３０以上がより好ましく、５０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、３０００以下が好ましく、２５００以下がより好ましく、２０００以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の質量比Ａ／Ｂは、１０以上３０００以下が好ましく、３０以上２５００以下がより好ましく、５０以上２０００以下が更に好ましい。

［酸（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物は、酸（成分Ｃ）を含有する。本開示において、酸の使用は、酸又はその塩の使用を含む。成分Ｃは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ｃとしては、例えば、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸；有機リン酸、有機ホスホン酸、カルボン酸等の有機酸；等が挙げられる。中でも、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、無機酸及び有機ホスホン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましい。無機酸としては、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸及びリン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましく、硫酸及びリン酸から選ばれる少なくとも１種がより好ましく、リン酸が更に好ましい。有機ホスホン酸としては、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ＨＥＤＰがより好ましい。これらの酸の塩としては、例えば、上記の酸と、金属、アンモニア及びアルキルアミンから選ばれる少なくとも１種との塩が挙げられる。上記金属としては、周期表の１～１１族に属する金属が挙げられる。

本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、１質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、４質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、０．０１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．１質量％以上４質量％以下がより好ましく、１質量％以上３質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せである場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量と成分Ｃの含有量との質量比Ａ／Ｃは、研磨速度向上及びスクラッチ低減の観点から、０．２以上が好ましく、０．５以上がより好ましく、１以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１０以下が好ましく、７以下がより好ましく、４以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の質量比Ａ／Ｃは、０．２以上１０以下が好ましく、０．５以上７以下がより好ましく、１以上４以下が更に好ましい。

［水系媒体］
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、イオン交換水及び超純水が好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。

［酸化剤（成分Ｄ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨速度の更なる向上及びスクラッチの更なる低減の観点から、酸化剤（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含有してもよい。成分Ｄは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ｄとしては、研磨速度の更なる向上及びスクラッチの更なる低減の観点から、例えば、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、研磨速度の更なる向上の観点、被研磨基板の表面に金属イオンが付着しない観点及び入手容易性の観点から、過酸化水素がより好ましい。

本開示の研磨液組成物が成分Ｄを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、研磨速度の更なる向上及びスクラッチの更なる低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、４質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１．５質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、０．０１質量％以上４質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１．５質量％以下が更に好ましい。成分Ｄが２種以上の組合せである場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。

本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、複素環芳香族化合物（成分Ｅ）、及び、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）から選ばれる少なくとも１種をさらに含有してもよい。成分Ｅ及び成分Ｆについて以下に説明する。

［複素環芳香族化合物（成分Ｅ）］
本開示の研磨液組成物は、スクラッチの更なる低減の観点から、複素環芳香族化合物（その塩も含む）（以下、「成分Ｅ」ともいう）をさらに含有してもよい。成分Ｅは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

成分Ｅとしては、スクラッチの更なる低減の観点から、複素環内に窒素原子を２個以上含む複素環芳香族化合物であることが好ましく、複素環内に窒素原子を３個以上有することがより好ましく、３個以上９個以下が更に好ましく、３個以上５個以下が更に好ましく、３又は４個が更に好ましい。

成分Ｅとしては、一又は複数の実施形態において、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、５－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３－メルカプト－１，２，４－トリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－アミノテトラゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１Ｈ－トリルトリアゾール、２－アミノベンゾトリアゾール、３－アミノベンゾトリアゾール、及びこれらのアルキル置換体若しくはアミン置換体から選ばれる少なくとも１種が好ましい。前記アルキル置換体のアルキル基としては、例えば、炭素数１～４の低級アルキル基が挙げられ、一又は複数の実施形態において、メチル基、エチル基が挙げられる。前記アミン置換体としては、一又は複数の実施形態において、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］トリルトリアゾールが挙げられる。

本開示の研磨液組成物が成分Ｅを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、スクラッチの更なる低減の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、そして、研磨速度低下抑制の観点から、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．２質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、スクラッチの更なる低減及び研磨速度低下抑制の観点から、０．００５質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上１質量％以下が更に好ましく、０．０２質量％以上０．２質量％以下が更に好ましい。成分Ｅが２種以上の組合せである場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）］
本開示の研磨液組成物は、スクラッチの更なる低減の観点から、脂肪族アミン化合物及び脂環式アミン化合物から選ばれる少なくとも１種（以下、「成分Ｆ」ともいう）をさらに含有してもよい。スクラッチの更なる低減の観点から、成分Ｆの分子内の窒素原子数又はアミノ基若しくはイミノ基の併せた数は、２個以上４個以下が好ましい。成分Ｆは１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

前記脂肪族アミン化合物としては、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、１，２－ジアミノプロパン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３－（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３－（メチルアミノ）プロピルアミン、３－（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン、Ｎ－アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ－アミノエチル－Ｎ－メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、Ｎ－アミノエチルエタノールアミン（ＡＥＡ）が更に好ましい。

前記脂環式アミン化合物としては、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、ピペラジン、２－メチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、１－アミノ－４－メチルピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、及びヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）がより好ましい。

本開示の研磨液組成物が成分Ｆを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、スクラッチの更なる低減の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、そして、研磨速度低下抑制の観点から、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、スクラッチの更なる低減及び研磨速度低下抑制の観点から、０．００５質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上１質量％以下が更に好ましくは、０．０２質量％以上０．１質量％以下が更に好ましい。成分Ｆが２種以上の組合せである場合、成分Ｆの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［陰イオン性界面活性剤（成分Ｇ）］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、スクラッチの更なる低減の観点から、陰イオン性界面活性剤（以下、「成分Ｇ」ともいう）をさらに含有してもよい。成分Ｇは、分子内に繰り返し単位とスルホン酸基又はその塩を有するものであり、スクラッチの更なる低減の観点から、繰り返し単位の主鎖に芳香環を有する構造であることが好ましい。芳香環としては、例えば、フェノール骨格、ナフタレン骨格が挙げられる。塩としては、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩等が挙げられる。成分Ｇは、１種であってもよいし、２種以上の組合せでもよい。成分Ｇは、水溶性であることが好ましく、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することが好ましい。

成分Ｇとしては、一又は複数の実施形態において、不飽和カルボン酸由来の構成単位と分子内にスルホン酸基を有するモノマー由来の構成単位を含む共重合体が挙げられる。不飽和カルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸及びそれらの塩から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。分子内にスルホン酸基を有するモノマーとしては、例えば、２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸が挙げられる。不飽和カルボン酸由来の構成単位と分子内にスルホン酸基を有するモノマー由来の構成単位を含む共重合体としては、例えば、アクリル酸／２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体（ＡＡ／ＡＭＰＳ）が挙げられる。
成分Ｇとしては、一又は複数の実施形態において、スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマーの縮合物又はその塩、スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマー由来の構成単位と該構成単位以外の構成単位を含む縮合物又はその塩等が挙げられる。塩としては、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩等が挙げられる。
スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマーの縮合物又はその塩としては、スクラッチの更なる低減の観点から、主鎖を構成する芳香環の少なくとも１つの水素原子がスルホン酸基に置換された構造を有する縮合物又はその塩が好ましく、フェノールスルホン酸、ナフタレンスルホン酸及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。例えば、フェノールスルホン酸（ＰｈＳ）のホルマリン縮合物、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物（ＮａＳ）が挙げられる。
スルホン酸基又はその塩を有する芳香族モノマー由来の構成単位と該構成単位以外の構成単位を含む縮合物又はその塩としては、例えば、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルホン（ＢｉｓＳ）とフェノールスルホン酸（ＰｈＳ）のホルマリン縮合物（ＢｉｓＳ／ＰｈＳ）等が挙げられる。

成分Ｇの重量平均分子量は、スクラッチの更なる低減の観点から、１５００以上が好ましく、２０００以上がより好ましく、３０００以上が更に好ましく、そして、研磨速度低下抑制の観点から、１０００００以下が好ましく、７００００以下がより好ましく、５００００以下が更に好ましい。より具体的には、スクラッチの更なる低減及び研磨速度低下抑制の観点から、成分Ｇの分子量は、１５００以上１０００００以下が好ましく、２０００以上７００００以下がより好ましく、３０００以上５００００以下が更に好ましい。

本開示の研磨液組成物が成分Ｇを含有する場合、本開示の研磨液組成物中の成分Ｇの含有量は、スクラッチの更なる低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物中の成分Ｇの含有量は、０．００１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ｇが２種以上の組合せである場合、成分Ｇの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、必要に応じてさらにその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、成分Ｂ以外の高分子化合物、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、成分Ｇ以外の界面活性剤、可溶化剤等が挙げられる。

本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、亜リン酸エステル及び分子量が１５０以上であるリン酸エステルの少なくとも一方を実質的に含まないものとすることができる。例えば、本開示の研磨液組成物中の亜リン酸エステル及び分子量が１５０以上であるリン酸エステルの含有量（合計量）は、好ましくは０．００１ｍＭ未満が好ましく、より好ましくは０ｍＭ（すなわち、含まないこと）である。

［研磨液組成物のｐＨ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度の向上及びスクラッチ低減の観点から、４以下であって、３．５以下が好ましく、３．２以下がより好ましく、３以下が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．１以上であって、０．５以上がより好ましく、１以上が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、０．１以上４以下であって、１以上３以下がより好ましい。ｐＨは、上述した酸（成分Ｃ）や公知のｐＨ調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、例えば、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値とすることができる。

［研磨液組成物の製造方法］
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体と、さらに所望により任意成分（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ、成分Ｇ及びその他の成分）とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体、並びに必要に応じて任意成分（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ、成分Ｇ及びその他の成分）を同時に又は任意の順に混合することを含む。成分Ａは、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。成分Ａが複数種類のシリカ粒子からなる場合、複数種類のシリカ粒子は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｂが複数種類の水溶性高分子からなる場合、複数種類の水溶性高分子は同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｃが複数種類の酸からなる場合、複数種類の酸は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。

本開示において「研磨液組成物中の各成分の含有量」とは、使用時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点における前記各成分の含有量をいう。
本開示の研磨液組成物は、その保存安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存及び供給されてもよい。この場合、製造及び輸送コストを更に低くできる点で好ましい。本開示の研磨液組成物の濃縮物は、使用時に、必要に応じて前述の水系媒体で適宜希釈して使用すればよい。希釈倍率は、希釈した後に上述した各成分の含有量（使用時）を確保できれば特に限定されるものではなく、例えば、１０～１００倍とすることができる。

［研磨液キット］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。本開示の研磨液キットとしては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含むシリカ分散液と、成分Ｂ及び成分Ｃを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含み、これらが使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記シリカ分散液に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記シリカ分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｄ～Ｇ及びその他の成分）が含まれていてもよい。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度の向上と研磨後の基板表面のスクラッチの低減を両立可能な研磨液組成物を得ることができる。

［被研磨基板］
被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である。一又は複数の実施形態において、被研磨基板の表面を本開示の研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造できる。

本開示において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板に好適である。被研磨基板としては、例えば、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス等のガラス基板がより適しており、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が更に適している。本開示において「Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板」とは、アルミニウム合金基材の表面を研削後、無電解Ｎｉ－Ｐメッキ処理したものをいう。

被研磨基板の形状としては、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が挙げられる。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２～９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．４～２ｍｍ程度である。

［磁気ディスク基板の製造方法］
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示における研磨液組成物は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む、磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示の基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の基板製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。

本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程である。また、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、その他の一又は複数の実施形態において、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する工程である。

被研磨基板の研磨工程が多段階で行われる場合は、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行われるのが好ましく、最終研磨工程又は仕上げ研磨工程で行われるのがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、研磨工程毎に被研磨基板を洗浄することが好ましい。さらに、使用した研磨液を再利用する循環研磨においても、本開示の研磨液組成物は使用できる。研磨機としては、特に限定されず、基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。

本開示で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、例えば、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができ、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。

本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、研磨速度の確保の観点から、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、更に好ましくは７．５ｋＰａ以上であり、そして、スクラッチ低減の観点から、２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、更に好ましくは１６ｋＰａ以下である。本開示の製造方法において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。

本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における本開示の研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ²当たり、好ましくは０．０５ｍＬ／分以上１５ｍＬ／分以下であり、より好ましくは０．０６ｍＬ／分以上１０ｍＬ／分以下、更に好ましくは０．０７ｍＬ／分以上１ｍＬ／分以下、更に好ましくは０．０７ｍＬ／分以上０．５ｍＬ／分以下である。

本開示の研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本開示の研磨液組成物となる。

本開示の基板製造方法によれば、研磨速度の向上と研磨後の基板表面のスクラッチの低減とを両立できる本開示における研磨液組成物を用いることで、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。

［研磨方法］
本開示は、その他の態様として、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。本開示の研磨方法によれば、研磨速度の向上と研磨後の基板表面のスクラッチの低減とを両立可能な本開示の研磨液組成物を用いることで、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できる。本開示の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。本開示の研磨方法における、研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。

本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することは、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することであり、或いは、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨することである。

以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。

１．水溶性高分子Ｂ１～Ｂ１０
水溶性高分子Ｂ１～Ｂ１０には、以下のものを用いた。
（原料）
アクリル酸：東京化成工業社製
ピバル酸ビニル：東京化成工業社製
ビニルピロリドン：：東京化成工業社製
エタノール：富士フィルム和光純薬社製 ９９．５％エタノール
メルカプトプロピオン酸：東京化成工業社製
２，２'－アゾビス（２,４-ジメチロバレロニトリル）：富士フィルム和光純薬社製
Ｎ－tertブチルアクリルアミド：東京化成工業社製
２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸：東京化成工業社製
アンモニア水：関東化学社製２９％アンモニア水（電子工業用）
（成分Ｂ又は非成分Ｂ）
Ｂ１の合成例：
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、２本の滴下漏斗（滴下漏斗１，２）を接続した３００ｍＬ３つ口ガラスフラスコを用意した。滴下漏斗１にはメルカプトプロピオン酸（１．７４ｇ）、アクリル酸（２０．００ｇ）、ピバル酸ビニル（６．２８ｇ）、エタノール（１７．５２ｇ）を、滴下漏斗２には２，２'－アゾビス（２，４－ジメチロバレロニトリル）（０．４９ｇ）、エタノール（２３．８４ｇ）を加えた。前記３つ口ガラスフラスコにエタノール（１９．９５ｇ）を入れ、窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、８０℃に昇温し、前記滴下漏斗１，２の混合物を６０分かけて均一な速度で滴下した。滴下後、８０℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却した。エタノール５００ｇを加え、激しく攪拌しながらｐＨが７．０になるまでアンモニア水を滴下した。析出した白色固体を減圧濾過し、真空乾燥すること目的の化合物Ｂ１を得た。
Ｂ２の合成例：
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、２本の滴下漏斗（滴下漏斗１，２）を接続した３００ｍＬ３つ口ガラスフラスコを用意した。滴下漏斗１にはメルカプトプロピオン酸（１．８９ｇ）、アクリル酸（２０．００ｇ）、ピバル酸ビニル（１０．０３ｇ）、エタノール（２０．０２ｇ）を、滴下漏斗２には２，２'－アゾビス（２，４－ジメチロバレロニトリル）（０．５３ｇ）、エタノール（２５．９８ｇ）を加えた。前記３つ口ガラスフラスコにエタノール（２４．０７ｇ）を入れ、窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、８０℃に昇温し、前記滴下漏斗１，２の混合物を６０分かけて均一な速度で滴下した。滴下後、８０℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却した。エタノール５００ｇを加え、激しく攪拌しながらｐＨが７．０になるまでアンモニア水を滴下した。析出した白色固体を減圧濾過し、真空乾燥すること目的の化合物Ｂ２を得た。
Ｂ３の合成例：
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、２本の滴下漏斗（滴下漏斗１，２）を接続した３００ｍＬ３つ口ガラスフラスコを用意した。滴下漏斗１にはメルカプトプロピオン酸（１．７３ｇ）、アクリル酸（２０．００ｇ）、ビニルピロリドン（５．４４ｇ）、エタノール（１６．９６ｇ）を、滴下漏斗２には２，２'－アゾビス（２，４－ジメチロバレロニトリル）（０．４９ｇ）、エタノール（２３．８４ｇ）を加えた。前記３つ口ガラスフラスコにエタノール（１８．５６ｇ）を入れ、窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、８０℃に昇温し、前記滴下漏斗１，２の混合物を６０分かけて均一な速度で滴下した。滴下後、８０℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却した。エタノール５００ｇを加え、激しく攪拌しながらｐＨが７．０になるまでアンモニア水を滴下した。析出した白色固体を減圧濾過し、真空乾燥すること目的の化合物Ｂ３を得た。
Ｂ４の合成例：
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、２本の滴下漏斗（滴下漏斗１，２）を接続した３００ｍＬ３つ口ガラスフラスコを用意した。滴下漏斗１にはメルカプトプロピオン酸（０．３５ｇ）、アクリル酸（２０．００ｇ）、ビニルピロリドン（５．４４ｇ）、エタノール（１６．９６ｇ）を、滴下漏斗２には２，２'－アゾビス（２，４－ジメチロバレロニトリル）（０．０８ｇ）、エタノール（２６．９５ｇ）を加えた。前記３つ口ガラスフラスコにエタノール（１５．４５ｇ）を入れ、窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、８０℃に昇温し、前記滴下漏斗１，２の混合物を６０分かけて均一な速度で滴下した。滴下後、８０℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却した。エタノール５００ｇを加え、激しく攪拌しながらｐＨが７．０になるまでアンモニア水を滴下した。析出した白色固体を減圧濾過し、真空乾燥すること目的の化合物Ｂ４を得た。
Ｂ５の合成例：
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、２本の滴下漏斗（滴下漏斗１，２）を接続した３００ｍＬ３つ口ガラスフラスコを用意した。滴下漏斗１にはメルカプトプロピオン酸（１．８９ｇ）、アクリル酸（２０．００ｇ）、ビニルピロリドン（８．７０ｇ）、エタノール（１９．１３ｇ）を、滴下漏斗２には２，２'－アゾビス（２，４－ジメチロバレロニトリル）（０．５３ｇ）、エタノール（２５．９８ｇ）を加えた。前記３つ口ガラスフラスコにエタノール（２１．８５ｇ）を入れ、窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、８０℃に昇温し、前記滴下漏斗１，２の混合物を６０分かけて均一な速度で滴下した。滴下後、８０℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却した。エタノール５００ｇを加え、激しく攪拌しながらｐＨが７．０になるまでアンモニア水を滴下した。析出した白色固体を減圧濾過し、真空乾燥すること目的の化合物Ｂ５を得た。
Ｂ６の合成例：
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、２本の滴下漏斗（滴下漏斗１，２）を接続した３００ｍＬ３つ口ガラスフラスコを用意した。滴下漏斗１にはメルカプトプロピオン酸（０．３０ｇ）、アクリル酸（１５．００ｇ）、ビニルピロリドン（７．７１ｇ）、エタノール（１５．１４ｇ）を、滴下漏斗２には２，２'－アゾビス（２，４－ジメチロバレロニトリル）（０．０７ｇ）、エタノール（２２．９１ｇ）を加えた。前記３つ口ガラスフラスコにエタノール（１４．９４ｇ）を入れ、窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、８０℃に昇温し、前記滴下漏斗１，２の混合物を６０分かけて均一な速度で滴下した。滴下後、８０℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却した。エタノール５００ｇを加え、激しく攪拌しながらｐＨが７．０になるまでアンモニア水を滴下した。析出した白色固体を減圧濾過し、真空乾燥すること目的の化合物Ｂ６を得た。
Ｂ７の合成例：
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、２本の滴下漏斗（滴下漏斗１，２）を接続した３００ｍＬ３つ口ガラスフラスコを用意した。滴下漏斗１にはメルカプトプロピオン酸（０．３４ｇ）、アクリル酸（２０．００ｇ）、Ｎ－tertブチルアクリルアミド（５．７５ｇ）、エタノール（１７．１６ｇ）を、滴下漏斗２には２，２'－アゾビス（２，４－ジメチロバレロニトリル）（０．０８ｇ）、エタノール（１５．９５ｇ）を加えた。前記３つ口ガラスフラスコにエタノール（２６．９６ｇ）を入れ、窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、８０℃に昇温し、前記滴下漏斗１，２の混合物を６０分かけて均一な速度で滴下した。滴下後、８０℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却した。エタノール５００ｇを加え、激しく攪拌しながらｐＨが７．０になるまでアンモニア水を滴下した。析出した白色固体を減圧濾過し、真空乾燥すること目的の化合物Ｂ７を得た。
Ｂ８の合成例：
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、２本の滴下漏斗（滴下漏斗１，２）を接続した３００ｍＬ３つ口ガラスフラスコを用意した。滴下漏斗１にはメルカプトプロピオン酸（０．３３ｇ）、アクリル酸（２０．００ｇ）、２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸（６．３９ｇ）、エタノール（１７．５９ｇ）を、滴下漏斗２には２，２'－アゾビス（２，４－ジメチロバレロニトリル）（０．０８ｇ）、エタノール（１５．２４ｇ）を加えた。前記３つ口ガラスフラスコにエタノール（２８．７４ｇ）を入れ、窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、８０℃に昇温し、前記滴下漏斗１，２の混合物を６０分かけて均一な速度で滴下した。滴下後、８０℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却した。エタノール５００ｇを加え、激しく攪拌しながらｐＨが７．０になるまでアンモニア水を滴下した。析出した白色固体を減圧濾過し、真空乾燥すること目的の化合物Ｂ８を得た。
Ｂ９：ポリアクリル酸［東亜合成社製（Ａ―２１０］、重量平均分子量：２，０００］
Ｂ１０の合成例：
攪拌羽根、温度計、ジムロート冷却器、窒素ガスの吹込み管、バブラー管、２本の滴下漏斗（滴下漏斗１，２）を接続した３００ｍＬ３つ口ガラスフラスコを用意した。滴下漏斗１にはメルカプトプロピオン酸（０．５７ｇ）、ビニルピロリドン（２０．００ｇ）、エタノール（１３．３３ｇ）を、滴下漏斗２には２，２'－アゾビス（２，４－ジメチロバレロニトリル）（０．２２ｇ）、エタノール（１０．９５ｇ）を加えた。前記３つ口ガラスフラスコにエタノール（２２．３８ｇ）を入れ、窒素ガスを流し、ジムロート冷却器に水道水を流し、攪拌羽根で回転させながら、８０℃に昇温し、前記滴下漏斗１，２の混合物を６０分かけて均一な速度で滴下した。滴下後、８０℃で３時間攪拌したのち、２５℃に冷却した。溶媒を減圧留去し、真空乾燥することで目的の化合物Ｂ１０を得た。

２．研磨液組成物の調製（実施例１～１９、比較例１～５）
（実施例１～１４、比較例１～５の研磨液組成物）
成分Ａ（コロイダルシリカ）、成分Ｂ又は非成分Ｂ（表１に示すＢ１～Ｂ１０）、成分Ｃ（リン酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、及び水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例１～１４及び比較例１～５の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（質量％又は質量ｐｐｍ、有効量）は、表２に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａと成分Ｂ又は非成分Ｂと成分Ｃと成分Ｄとを除いた残余である。
（実施例１５～１９の研磨液組成物）
成分Ａ（コロイダルシリカ）、成分Ｂ（表１に示すＢ３）、成分Ｃ（リン酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、添加剤（表２に示す成分Ｅ、成分Ｆ、成分Ｇ）、及び水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例１５～１９の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（質量％又は質量ｐｐｍ、有効量）は、表２に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃと成分Ｄと添加剤（成分Ｅ、成分Ｆ、成分Ｇ）とを除いた残余である。

各研磨液組成物の調製において、成分Ｃ及び添加剤（成分Ｄ、成分Ｅ、成分Ｆ、成分Ｇ）には以下のものを使用した。
（成分Ｃ）
リン酸［和光純薬工業社製、特級］
（成分Ｄ）
過酸化水素［濃度３５質量％、ADEKA社製］
（成分Ｅ）
ＢＴＡ［１，２，３－ベンゾトリアゾール、東京化成工業社製］
（成分Ｆ）
ＨＥＰ［Ｎ－ヒドロキシエチルピペラジン、和光純薬工業社製］
（成分Ｇ）
ＢｉｓＳ／ＰｈＳ［ビスフェノールＳ／フェノールスルホン酸ホルマリン縮合物、小西化学社製、モル比（BisS/PhS）：２０／８０、重量平均分子量：５０００］
ＮａＳ［ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、花王社製、商品名：デモールＮ、重量平均分子量：２８００］
ＡＡ／ＡＭＰＳ［アクリル酸／２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸共重合体、モル比（AA/AMPS）:８０／２０、東亜合成社製、商品名：Ａ６０１２、重量平均分子量：１００００］

３．各パラメータの測定
［コロイダルシリカ（成分Ａ）の平均二次粒子径］
研磨液組成物の調製に用いた成分Ａ（コロイダルシリカ）を０．２５質量％濃度となるようにイオン交換水に添加した後、得られた水分散液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製セル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、Ｍａｌｖｅｒｎ Ｐａｎａｌｙｔｉｃａｌ社製）を用いて測定した。積算回数は２０回、検出角は１７３°において得られる粒子径分布の累積体積割合が５０％となる粒径（Ｄ５０）を求め、コロイダルシリカの平均二次粒子径とした。結果を表２に示す。

［平均粒径ｄ／ｄ₀］
平均粒径ｄ
成分Ａの平均粒径ｄは、表２に示す研磨液組成物をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製セル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れた後に、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、Ｍａｌｖｅｒｎ Ｐａｎａｌｙｔｉｃａｌ社製）を用いて測定した。積算回数は２０回、検出角は１７３°において得られる粒子径分布のＺ－平均値(Z-Averageサイズ)を求め、シリカ粒子の平均粒径ｄとした。
平均粒径ｄ₀
成分Ａの平均粒径ｄ₀は、表２の研磨液組成物から成分Ｂが除かれた組成である組成物をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製セル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れた後に、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、Ｍａｌｖｅｒｎ Ｐａｎａｌｙｔｉｃａｌ社製）を用いて測定した。積算回数は２０回、検出角は１７３°において得られる粒子径分布のＺ－平均値(Z-Averageサイズ)を求め、シリカ粒子の平均粒径ｄ₀とした。
平均粒径比ｄ／ｄ₀
得られた平均粒径ｄ及び平均粒径ｄ₀を用いて、平均粒径比ｄ／ｄ₀を算出した。結果を表２に示した。

［水溶性高分子（成分Ｂ又は非成分Ｂ）の重量平均分子量］
水溶性高分子（成分Ｂ又は非成分Ｂ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。結果を表１に示す。
＜測定条件＞
カラム：TSKgel GMPWXL+TSKgel GMPWXL（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ₃ＣＮ＝７／３（体積比）
温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料サイズ：２ｍｇ／ｍＬ
検出器：ＲＩ
標準物質：ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（重量平均分子量：1,100、3,610、14,900、152,000、POLMER STANDARDS SERVICE社製）

［水溶性高分子（成分Ｂ又は非成分Ｂ）の酸化ニッケル粒子への吸着率］
０．４％の酸化ニッケル粒子（ALDRICH社製、平均粒径：５０ｎｍ）、実施例に記載の研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｃ、実施例に記載の記研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）、残部にイオン交換水、を含有する酸化ニッケル分散液を調製した。
得られた酸化ニッケル分散液を沈降管に３０ｍＬ入れ、２５℃で３０分間超音波振動(ヤマト科学株式会社製、卓上型超音波洗浄機W-113、28kHz)をかけたのち、２５℃で３時間静置した。沈降管を遠心分離機(Beckman Coulter社製、卓上型遠心機Allegra 64R)にセットし、２５０００ｒｐｍで３０分遠心分離を行った。遠沈管から上澄み液を分取し、下記装置を用いて下記条件で上澄み液の炭素濃度Ｃ１を測定した。
次に、実施例に記載の研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｃ、実施例に記載の研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｂ（又は非成分Ｂ）、残部にイオン交換水、を含有する水溶液を調製し、水溶液中の炭素濃度Ｃ２を測定した。（Ｃ２－Ｃ１）／Ｃ２×１００を計算することによって、酸化ニッケル粒子に吸着した成分Ｂ（又は非成分Ｂ）の割合（吸着率）を算出した。結果を表２に示す。
＜測定条件＞
装置：株式会社島津製作所製、全有機体炭素計 TOC-L
サンプル量：１０ｍＬ
測定モード：NPOC
測定温度：２５℃

［ｐＨの測定］
研磨液組成物のｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー社製）を用いて２５℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した。結果を表２に示す。

４．研磨方法
前記のように調製した実施例１～１９及び比較例１～５の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度及びスクラッチ数を測定した。その結果を表２に示す。
なお、比較例５ではシリカが凝集していたため、比較例５の研磨液組成物を用いた研磨は行っていない。

［被研磨基板］
被研磨基板として、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが０．８ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。

［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ²あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１３．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚

５．評価
［研磨速度の評価］
研磨前後の各基板１枚当たりの重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ－２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全１０枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。研磨速度の測定結果を、比較例１を１００とした相対値として表２に示す。
質量減少量（ｍｇ）＝｛研磨前の質量（ｍｇ）－ 研磨後の質量（ｍｇ）｝
研磨速度（ｍｇ／分）＝質量減少量（ｍｇ）／ 研磨時間（分）

［スクラッチの評価］
測定機器：KLA ・テンコール社製、「Ｃａｎｄｅｌａ ＯＳＡ７１００」
評価：研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１０,０００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチ数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。スクラッチ数の評価結果を、比較例１を１００とした相対値として表２に示す。

上記表２に示すとおり、実施例１～１９の研磨液組成物は、比較例１～５の研磨液組成物に比べて、研磨速度が向上し、スクラッチが低減していた。

本開示によれば、例えば、高記録密度化に適した磁気ディスク基板を提供できる。

Claims (9)

1. シリカ粒子（成分Ａ）と、水溶性高分子（成分Ｂ）と、酸（成分Ｃ）と、水系媒体と、を含有する、研磨液組成物であって、
   成分Ｂは、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位を含む共重合体であり、
   成分Ｂを構成する全構成単位中に占める、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位の構成比率が５０ｍｏｌ％以上であり、
   成分Ｂの重量平均分子量は、７００以上１００００以下であり、
   成分Ｂは、０．４質量％の酸化ニッケル粒子、前記研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｃ、及び、前記研磨液組成物と同じ濃度の成分Ｂを配合したときの、成分Ｂの酸化ニッケル粒子への吸着率が５質量％以上となるものであり、
   前記研磨液組成物中の成分Ａの平均粒径ｄと、前記研磨液組成物から成分Ｂが除かれた組成である組成物中の成分Ａの平均粒径ｄ₀との比ｄ／ｄ₀が１．１以下であり、
   ｐＨが０．１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物。
2. シリカ粒子（成分Ａ）と、水溶性高分子（成分Ｂ）と、酸（成分Ｃ）と、水系媒体と、を含有し、
   成分Ｂは、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位を含む共重合体であって、下記式（Ｉ）で表される構成を含む共重合体であり、
   成分Ｂを構成する全構成単位中に占める、アクリル酸及び／又はその塩に由来する構成単位の構成比率が５０ｍｏｌ％以上であり、
   成分Ｂの重量平均分子量は、７００以上１００００以下であり、
   ｐＨが０．１以上４以下である、磁気ディスク基板用研磨液組成物。
   

   

   式（Ｉ）中、ｍ、ｎは成分Ｂにおけるそれぞれの構成単位の構成比率（モル比率）を表し、ｍ＞０、ｎ＞０、ｍ＋ｎ＝１００を満たす。Ｍは、水素原子、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、有機カチオン、又はアンモニウム（ＮＨ₄ ⁺）を示す。Ｒは炭素数２～６の炭化水素基であり、ＸとＲを結ぶ破線は、Ｒを構成する炭素原子がＸに結合してもよいことを表す。Ｘは酸素原子又は窒素原子又はＮＨ基を表す。
3. 成分Ｂは、アクリル酸及び／又はその塩とピバル酸ビニルとの共重合体、並びに、アクリル酸及び／又はその塩とビニルピロリドンとの共重合体から選ばれる少なくとも１種である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
4. 酸化剤（成分Ｄ）をさらに含有する、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
5. 複素環芳香族化合物（成分Ｅ）、及び、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）から選ばれる少なくとも１種をさらに含有する、請求項１から４のいずれかに記載の研磨液組成物。
6. 分子内に繰り返し単位とスルホン酸基又はその塩を有する陰イオン界面活性剤（成分Ｇ）をさらに含有する、請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物。
7. 成分Ｇは、繰り返し単位の主鎖に芳香環を有する構造である、請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する研磨工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
9. 請求項１から７のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板は、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法。