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JP2023537967A - パルスプラズマ化学気相成長プロセス及びシステム - Google Patents

パルスプラズマ化学気相成長プロセス及びシステム Download PDF

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JP2023537967A JP2023509624A JP2023509624A JP2023537967A JP 2023537967 A JP2023537967 A JP 2023537967A JP 2023509624 A JP2023509624 A JP 2023509624A JP 2023509624 A JP2023509624 A JP 2023509624A JP 2023537967 A JP2023537967 A JP 2023537967A
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Abstract

複数の容器を処理して、例えばガスバリアを提供する方法及びシステムが開示される。ガスバリアは、複数の容器でパルスプラズマ化学気相成長法を使用して同時に堆積し得、各容器はＲＦ電極の開口部内にある。

Description

本願は、２０２０年８月１２日付けで出願された米国仮特許出願第６３／０６４，８３１号明細書の優先権を主張するものである。
本発明は、製薬溶液、生物学的活性化合物、又は血液を貯蔵するための被覆容器及び被覆容器を作製する技術分野に関する。例えば、本発明は、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）により容器を被覆するシステム、容器の内側面を被覆するパルスプラズマ化学気相成長システム、パルスＰＥＣＶＤにより容器、例えば容器の内側面を被覆する方法、並びに本明細書に記載されるパルスプラズマ化学気相成長法及びシステムにより被覆された容器に関する。
本開示は、静脈穿刺及び他の医療試料収集、医薬品の貯蔵及び送達、並びに他の目的で使用される容器、例えば複数の同一容器を処理する改良された方法にも関する。そのような容器はこれらの目的で多数で使用され、製造が比較的経済的であり、容器毎の性質が一貫しており、貯蔵及び使用での信頼性が高くなければならない。
流体を貯蔵し、又は流体と接触する製薬包装又は他の容器、例えばバイアル及びプレフィルドシリンジを製造するに当たり重要な一考慮事項は、製薬包装又は他の容器の内容物が望ましくは、相当な保管寿命を有することである。
従来のガラス製薬包装又は他の容器は、製造、充填動作、輸送、及び使用中、破損又は劣化を付けやすく、ガラス粒子が薬剤に入る恐れがあることを意味する。ガラス粒子の存在は、多くのＦＤＡ警告状及び製品リコールに繋がってきた。
その結果、幾つかの企業は、ガラスよりも高い寸法許容差及び低い破損を提供するプラスチックの製薬包装又は他の容器に転換したが、一次製薬包装へのその使用は、ガス（酸素）透過性に起因して限られたままである：プラスチックは、酸素等の小分子ガスを物品内（又は外）に透過させる。酸素に加えて、多くのプラスチック材料は、水分、即ち水蒸気も物品内（又は外）に透過させる。酸素及び水蒸気等のガスへのプラスチックの透過性は、ガラスの透過性よりもはるかに高く、多くの場合（エピネフリン等の酸素の影響を受けやすい薬剤のように）、プラスチックはその理由によって許容不可能であった。
透過性の問題は、環式オレフィンポリマー（「ＣＯＰ」）樹脂又は環式オレフィンコポリマー（「ＣＯＣ」）樹脂を使用し、酸素バリア皮膜又は層をプラスチック製薬包装の包装の流体内容物に接触する場所に追加することによって対処されてきた。１つのそのようなバリア層は、プラズマ化学気相成長法によって塗布された、後述で定義されるＳｉＯxの非常に薄い皮膜である。しかし、この種のプラスチック包装、例えばシリンジバレル、バイアル等の皮膜は従来、容器毎に実行されており、単一の容器又は少数（４個以下）の容器が所与のシステムにより一度に被覆される。そのようなシステムの使用により、容器に塗布される皮膜間で一貫性を得ることは困難である。所与の時間に被覆される容器の数が少ないことに加えて、そのようなシステムで使用される低電力により、プロセスに比較的長い時間が掛かる（例えば層当たり約１．５分掛かり、その結果、プロセスで本明細書に記載される三層皮膜を有する４個の容器を被覆するのに約４分掛かる）。
さらに、ＣＯＰ及びＣＯＣ等の樹脂は、比較的高価であり、大量での製造又は取得が困難でもある。したがって、それらの材料のコストは、製薬包装を製造する全体コストで大きな役割を果たす。そして容器被覆の規模及び速度が本開示の実施形態により増大するにつれて、ＣＯＰ及びＣＯＣを大量に製造又は取得することの困難さは、被覆容器及びそれらの被覆容器を利用する製薬包装の全体規模及び／又は製造の速度に大きな制限を課し得る。
発明の概要
本発明の一態様は、壁により少なくとも部分的に画定される内腔を有する容器であり、壁は、内腔に面する内側面と、外面と、内側面上の皮膜セットとを有し、皮膜セットは、任意選択的にタイ皮膜又は層、バリア皮膜又は層、及び任意選択的にｐＨ保護皮膜又は層を含む。
タイ皮膜又は層は、存在する場合、ＳｉＯｘＣｙ又はＳｉ（ＮＨ）ｘＣｙを含むことができる。何れの式でも、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３である。タイ皮膜又は層は、内腔に面する内側面と、壁内側面に面する外面とを有する。
バリア皮膜又は層はＳｉＯｘを含むことができ、ｘは１．５～２．９である。代替的には、バリア皮膜又は層は、１つ若しくは複数の金属若しくはＡｌ2Ｏ3等の金属酸化物、又はそれらの組合せを含むことができる。バリア層は２～１０００ｎｍ厚であることができる。バリア皮膜又は層は、内腔に面する内側面及びタイ皮膜又は層の内側面に面する外面を有することができる。バリア皮膜又は層は、バリア皮膜又は層のない容器と比較して、内腔への大気ガスの侵入を低減するのに有効である。幾つかの実施形態では、バリア皮膜又は層は、ｘは１．５～２．９であるＳｉＯxの１つ又は複数の層と、Ａｌ2Ｏ3等の金属又は金属酸化物の１つ又は複数の層とを含むことができる。ＳｉＯx皮膜又は層は、バリア皮膜又は層のない容器と比較して、内腔への酸素の侵入を低減するのに有効であり得、Ａｌ2Ｏ3層は、バリア皮膜又は層のない容器と比較して、内腔への水蒸気（即ち水分）の侵入を低減するのに有効であり得る。
ｐＨ保護皮膜又は層は、存在する場合、ＳｉＯｘＣｙ又はＳｉ（ＮＨ）ｘＣｙを含むことができ、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３である。ｐＨ保護皮膜又は層は、内腔に面する内側面と、バリア皮膜又は層の内側面に面する外面とを有することができる。
一実施形態では、内腔を有する容器は壁により少なくとも部分的に画定され、壁は、熱可塑性材料を含み、内腔に面する内側面と、外面と、少なくとも１つのバリア皮膜又は層及び任意選択的に少なくとも１つのｐＨ保護皮膜又は層及び／又は少なくとも１つのタイ皮膜又は層を含む、内側面上の皮膜とを有する。ＳｉＯｘを含む少なくとも１つのバリア皮膜又は層、ｘは１．５～２．９であり、バリア皮膜又は層は、バリア皮膜又は層のない容器と比較して、内腔への大気ガスの侵入を低減するのに有効であり、存在する場合、ＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含む少なくとも１つのｐＨ保護皮膜又は層、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、存在する場合、ＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含む少なくとも１つのタイ皮膜又は層、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり；存在する場合、任意選択的にバリア層とｐＨ保護層及び／又はタイ層との間にインタフェース層がない状態で、パルスＲＦプラズマ化学気相成長法により塗布される少なくとも１つのバリア皮膜又は層及び少なくとも１つのｐＨ保護皮膜又は層及び／又はタイ皮膜又は層、空気に露出されることから；少なくともバリア皮膜又は層がＳｉＯｘの従来のバリア皮膜と比べて薄い厚さを有する（例えば約８０ｎｍの厚さを有する従来のバリア皮膜と比較して２０ｎｍ未満の厚さを有する）と共に、ＳｉＯｘの従来のバリア皮膜と比べて改善された（即ちより低い）酸素透過を有する（例えば、従来の皮膜が約８０ｎｍの厚さに達するまでＳｉＯｘの従来のバリア皮膜では取得されないであろう酸素透過率を１５ｎｍの厚さで有する）条件下で。
幾つかの実施形態では例えば、ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層は、２００ｎｍ未満、任意選択的に１５０ｎｍ未満、任意選択的に１２５ｎｍ未満、任意選択的に１００ｎｍ未満、任意選択的に８０ｎｍ未満、任意選択的に６０ｎｍ未満、任意選択的に５０ｎｍ未満、任意選択的に４０ｎｍ未満、任意選択的に３０ｎｍ未満、任意選択的に２５ｎｍ未満、任意選択的に２０ｎｍ未満、任意選択的に１５ｎｍ未満、任意選択的に１０ｎｍ未満の平均厚を有し得、容器壁の酸素透過率（ｄ－１）は、０．０２０未満、任意選択的に０．０１５未満、任意選択的に０．０１０未満、任意選択的に０．００５未満、任意選択的に０．００２５未満、任意選択的に０．００１５未満、任意選択的に０．００１０未満、任意選択的に０．０００８未満、任意選択的に０．０００６未満、任意選択的に０．０００５未満、任意選択的に０．０００４未満、任意選択的に０．０００３未満、任意選択的に０．０００２未満、任意選択的に０．０００１未満であり得る。
皮膜厚当たり改良された酸素透過率を有する容器に加えて、本明細書に記載される方法及びシステムにより準備された容器には、長期間、例えば数時間、数日、数週間、数ヶ月等にわたり、製造された複数の容器全体を通してより一貫した皮膜の厚さ及び性質（例えば酸素透過率、所与のｐＨの流体によるケイ素溶解等）が提供される。所与の時間にシステムにより被覆することができる容器数を増やすことにより、各容器を製造するコストを低減することもできる。
さらに、幾つかの実施形態では、容器、容器壁、又は容器壁の少なくとも一部分は、従来使用されてきたＣＯＰ樹脂及びＣＯＣ樹脂よりも低コストの熱可塑性物質で作ることができる。幾つかの実施形態では例えば、容器、容器壁、又は容器壁の少なくとも一部分は環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）を含み得、又はＣＢＣで作られ得る。環式ブロックコポリマーは、スチレンに基づく完全水素化されたポリマー及びアニオン重合化を介して共役されたジエン類である。環式ブロックコポリマーの例には例えば、ＵＳＩ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（台湾）製のＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦ、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）１３２５等のＶＩＶＩＯＮ（商標）ファミリがある。環式ブロックコポリマーは、少なくとも部分的に低コストの原材料（スチレン、ブタジエン、水素、及びシクロヘキサン溶媒）並びに重合化及び仕上げ工程で使用される低コスト触媒に起因して、ＣＯＰ樹脂及びＣＯＣ樹脂よりも低コストの材料である。環式ブロックコポリマーの使用は、ＣＯＰ樹脂及びＣＯＣ樹脂よりも酸素をはるかに透過することによって制限される。しかしながら、本発明の実施形態により提供される酸素透過率（ｄ－１）の改善により、環式ブロックコポリマーを、大きなバリア性を必要とするバイアル、シリンジ等の製薬容器及び包装の準備に初めて使用できるようになった。
本明細書に記載される方法及びシステムが、被覆プロセスに必要な時間量及び所与のシステムを用いて被覆することができる容器の数の両方において、容器被覆プロセスの拡張を提供するのと全く同じように、ＣＯＰ樹脂及びＣＯＣ樹脂からＣＢＣ樹脂に移行可能なことにより、被覆容器及び充填された製薬包装の製造を拡張する能力の更なる改善が提供される。
ＣＯＰ樹脂及びＣＯＣ樹脂の製造に使用される原材料、例えばモノマー、触媒等は大量に入手可能ではないため、画定された時間内で作ることができるＣＯＰ容器又はＣＯＣ容器の数は制限され得る。したがって、容器が被覆される速度及び規模が本明細書に開示される方法及びシステムによって増大するにつれて、ＣＯＰ又はＣＯＣ樹脂及び容器を製造する能力は、最終製品、即ち被覆された（任意選択的に充填もされた）容器の製造の規模及び／又は速度への制限となり得る。これとは対照的に、ＣＢＣ樹脂の製造及び仕上げに使用される原材料、例えばモノマー、触媒等は、大量に、複数の製造業者から容易に入手可能な汎用品グレード材料である。したがって、ＣＢＣ樹脂から作られた容器の使用を可能にすることにより、本明細書に記載される方法及びシステムは、容器自体の製造と関連するもの等の製造の規模及び／又は速度への追加の制限を除去することもできる。
本発明の多くの追加の及び代替の態様及び実施形態も企図され、本明細書及び続く特許請求の範囲に記載される。任意の実施形態に企図される幾つかの任意選択的な特徴は以下を含む。
容器の壁の少なくとも一部分は、環式オレフィンポリマー（「ＣＯＰ」）又は環式オレフィンコポリマー（「ＣＯＣ」）等の環式オレフィンポリマー、上述した低コスト環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂、又はＰＥＴ、ポリエチレン、ナイロン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリスチレン、ポリカーボネート、ＴＲＩＴＡＮ（商標）（Ｅａｓｔｍａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙの製品）、熱可塑性オレフィンポオリマー等の多種多様な他の既知の熱可塑性物質の何れかを含み、基本的にそれらからなり、又はそれ（ら）からなる、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
シリンジバレル、バイアル、又はブリスター包装、又は採血管を含む、上述の容器が任意の実施形態において企図される任意の実施形態任意の実施形態において企図される。
バリア皮膜又は層は、パルスプラズマインパルス化学気相成長（パルスＰＩＣＶＤ）としても知られていることがあるパルス無線周波数（ＲＦ）プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）により塗布され、１～５０ｎｍ厚、代替的には１～２０ｎｍ厚、代替的には２～１５ｎｍ厚である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
タイ層及び／又はｐＨ保護皮膜又は層はＳｉＯｘＣｙを含む、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
タイ層及び／又はｐＨ保護皮膜又は層は、非環式シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン（ｐｏｌｙｓｉｌｓｅｓｑｕｉａｚａｎｅ）、シラトラン、シルクアシラトラン（ｓｉｌｑｕａｓｉｌａｔｒａｎｅ）、シルプロアトラン（ｓｉｌｐｒｏａｔｒａｎｅ）、アザシラトラン（ａｚａｓｉｌａｔｒａｎｅ）、アザシルクアシアトラン（ａｚａｓｉｌｑｕａｓｉａｔｒａｎｅ）、アザシルプロアトラン（ａｚａｓｉｌｐｒｏａｔｒａｎｅ）、又はこれらの前駆体の任意の２つ以上の組合せを含む前駆体供給物のパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布される、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
タイ層及び／又はｐＨ保護皮膜又は層は、直鎖シロキサン又は直鎖シラザン、例えばヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）若しくはテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）又は環式シロキサン、例えばオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）を含む前駆体供給物のパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布される、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
塗布されるｐＨ保護皮膜又は層は１０～１０００ｎｍ厚である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
ｐＨ保護皮膜又は層の浸食率は、ｐＨ８を有する流体組成物に直接接触する場合、同じ条件下で同じ流体組成物に直接接触する場合、バリア皮膜又は層の浸食率の２０％未満である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
ｐＨ保護皮膜又は層は、バリア皮膜又は層と少なくとも同じ広がりを有する、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
流体組成物は、流体組成物と接触する４４時間当たり、ｐＨ保護皮膜又は層１ｎｍ以下の速度でｐＨ保護皮膜又は層を除去する、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
ｐＨ皮膜又は層と内腔との間に塗布される潤滑皮膜又は層を更に備える上述の容器が任意の実施形態において企図される。
ｐＨ保護皮膜又は層のＦＴＩＲ吸光スペクトルは、
約１０００～１０４０ｃｍ－１のＳｉ－Ｏ－Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と
約１０６０～約１１００ｃｍ-1のＳｉ－Ｏ－Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と
間で０．７５超の比率を有する、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
注射用水で希釈され、濃縮硝酸でｐＨ８に調整され、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤を含有する５０ｍＭリン酸カリウム緩衝液によるケイ素溶解速度は１７０ｐｐｂ／日未満である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
容器からの４０℃の０．１Ｎ水酸化カリウム溶液中への溶解時のｐＨ保護皮膜又は層及びバリア皮膜の総ケイ素含有量は、６６ｐｐｍ未満である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
計算保管寿命（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）は２年超である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
ｐＨ保護皮膜又は層は、
Ｏパラメータ＝（１２５３ｃｍ-1における強度／１０００～１１００ｃｍ-1の範囲の最大強度）
として測定される０．４未満の減衰全反射（ＡＴＲ）で測定されたＯパラメータを示す、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
ｐＨ保護皮膜又は層は、
Ｎパラメータ＝（８４０ｃｍ-1における強度／７９９ｃｍ-1における強度）
として測定される、０．７未満の減衰全反射（ＡＴＲ）で測定されるＮパラメータを示す、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
ｐＨ保護皮膜又は層及び／又はタイ皮膜又は層は、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、又はヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）を含む前駆体供給物のパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布される、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
タイ皮膜又は層は、存在する場合、平均で５～２００ｎｍ厚である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
タイ皮膜又は層は、バリア皮膜又は層と少なくとも同じ広がりを有する、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
タイ皮膜又は層はパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布される、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
バリア皮膜又は層は１～５０ｎｍ厚、代替的には１～２０ｎｍ厚、代替的には２～１５ｎｍ厚である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
バリア皮膜又は層はパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布される、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
容器はプラスチック壁により少なくとも部分的に画定される内腔を有し、プラスチック壁は、内腔に面する内側面と、外面と、内側面上の皮膜セットとを有し、皮膜セットは、ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層であって、ｘはＸＰＳによって測定される１．５～２．９である、バリア皮膜又は層と、任意選択的に、ＳｉＯｘＣｙ又はＳｉＮｘＣｙのタイ皮膜又は層であって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、タイ皮膜又は層及びＳｉＯｘＣｙ又はＳｉＮｘＣｙのｐＨ保護皮膜又は層であって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、ｐＨ保護皮膜又は層の少なくとも一方又は両方とを含み、容器は環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂で作られ、容器壁の酸素透過率（ｄ-1）は０．０２０未満、任意選択的に０．０１５未満、任意選択的に０．０１０未満、任意選択的に０．００５未満、任意選択的に０．００２５未満、任意選択的に０．００１５未満、任意選択的に０．００１０未満、任意選択的に０．０００８未満、任意選択的に０．０００６未満、任意選択的に０．０００５未満である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。バリア皮膜又は層は、５００ｎｍ未満、任意選択的に３００ｎｍ未満、任意選択的に２００ｎｍ未満、任意選択的に１５０ｎｍ未満、任意選択的に１２５ｎｍ未満、任意選択的に１００ｎｍ未満、任意選択的に８０ｎｍ未満、任意選択的に６０ｎｍ未満、任意選択的に５０ｎｍ未満、任意選択的に４０ｎｍ未満、任意選択的に３０ｎｍ未満、任意選択的に２５ｎｍ未満、任意選択的に２０ｎｍ未満、任意選択的に１５ｎｍ未満、任意選択的に１０ｎｍ未満の平均厚を有し得る。
器はプラスチック壁により少なくとも部分的に画定される内腔を有し、プラスチック壁は、内腔に面する内側面と、外面と、内側面上の皮膜セットとを有し、皮膜セットは、ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層であって、ｘはＸＰＳによって測定される１．５～２．９である、バリア皮膜又は層と、任意選択的に、ＳｉＯｘＣｙ又はＳｉＮｘＣｙのタイ皮膜又は層であって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、タイ皮膜又は層及びＳｉＯｘＣｙ又はＳｉＮｘＣｙのｐＨ保護皮膜又は層であって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、ｐＨ保護皮膜又は層の少なくとも一方又は両方とを含み、ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層は、２００ｎｍ未満、任意選択的に１５０ｎｍ未満、任意選択的に１２５ｎｍ未満、任意選択的に１００ｎｍ未満、任意選択的に８０ｎｍ未満、任意選択的に６０ｎｍ未満、任意選択的に５０ｎｍ未満、任意選択的に４０ｎｍ未満、任意選択的に３０ｎｍ未満、任意選択的に２５ｎｍ未満、任意選択的に２０ｎｍ未満、任意選択的に１５ｎｍ未満、任意選択的に１０ｎｍ未満の平均厚を有し、容器壁の酸素透過率（ｄ-1）は、０．０２０未満、任意選択的に０．０１５未満、任意選択的に０．０１０未満、任意選択的に０．００５未満、任意選択的に０．００２５未満、任意選択的に０．００１５未満、任意選択的に０．００１０未満、任意選択的に０．０００８未満、任意選択的に０．０００６未満、任意選択的に０．０００５未満、任意選択的に０．０００４未満、任意選択的に０．０００３未満、任意選択的に０．０００２未満、任意選択的に０．０００１未満である、上述の容器が任意の実施形態において企図される。
流体が以下からなる群から選択されるメンバを含む、上述の容器が任意の実施形態において企図される：
生物製剤
アバタセプト；アブシキシマブ；アボボツリナムトキシンＡ；アダリムマブ；アダリムマブ－ａｄａｚ；アダリムマブ－ａｄｂｍ；アダリムマブ－ａｆｚｂ；アダリムマブ－ａｔｔｏ；アダリムマブ－ｂｗｗｄ；ａｄｏ－トラスツズマブエムタンシン；アフリベルセプト；アガルシダーゼベータ；アルビグルチド；クロム酸化ＣＲ５１血清アルブミン；アルデスロイキン；アレファセプト；アレムツズマブ；アルグルコシダーゼアルファ；アリロクマブ；アルテプラーゼ；アナキンラ；アプロチニン；アスホターゼアルファ；アスパラギナーゼ；アスパラギナーゼエルウィニアクリサンチミー；アテゾリズマブ；アベルマブ；バシリキシマブ；ベカプレルミン；ベラタセプト；ベリムマブ；ベンラリズマブ；ベラクタント；ベバシズマブ；ベバシズマブ－ａｗｗｂ；ベバシズマブ－ｂｖｚｒ；ベズロトクスマブ；ブリナツモマブ；ブレンツキシマブベドチン；ブロダルマブ；ブロルシズマブ－ｄｂｌｌ；ブロスマブ－ｔｗｚａ；カラスパルガーゼペゴル－ｍｋｎｌ；カルファクタント；カナキヌマブ；カプラシズマブ－ｙｈｄｐ；カプロマブペンデチド；セミプリマブ－ｒｗｌｃ；セネゲルミン－ｂｋｂｊ；セルリポナーゼアルファ；セルトリズマブペゴル；セツキシマブ；コリオゴナドトロピンアルファ；絨毛性性腺刺激ホルモン；キモパパイン；コラゲナーゼ；コラゲナーゼクロストリジウムヒストリチクム；コルチコレリンオウバイントリフルタート；クリザンリズマブ－ｔｍｃａ；ダクリズマブ；ダラツムマブ；ダラツムマブ及びヒアルロニダーゼ－ｆｉｈｊ；ダルベポエチンアルファ；デニロイキンジフチトクス；デノスマブ；デシルジン；ジヌツキシマブ；ドルナーゼアルファ；ドロトレコギンアルファ；デュラグルチド；デュピルマブ；デュルバルマブ；エカランチド；エクリズマブ；エファリズマブ；エラペグアデマーゼ－ｌｖｌｒ；エロスルファーゼアルファ；エロツズマブ；エマパルマブ－ｌｚｓｇ；エミシズマブ－ｋｘｗｈ；エンホルツマブベドチン－ｅｊｆｖ；エポエチンアルファ；エポエチンアルファ－ｅｐｂｘ；エレヌマブ－ａｏｏｅ；エタネルセプト；エタネルセプト－ｓｚｚｓ；エタネルセプト－ｙｋｒｏ；エボロクマブ；ファム－トラスツズマブデルクステカン－ｎｘｋｉ；クロラムフェニコールとのフィブリノリジン及びデオキシリボヌクレアーゼ混合［ウシ］；フィルグラスチム；フィルグラスチム－ａａｆｉ；フィルグラスチム－ｓｎｄｚ；ホリトロピンアルファ；フォリトロピンベータ；フレマネズマブ－ｖｆｒｍ；ガルカネズマブ－ｇｎｌｍ；ガルスルファーゼ；ゲムツズマブオゾガマイシン；グルカルピダーゼ；ゴリムマブ；グセルクマブ；ヒアルロニダーゼ；ヒトヒアルロニダーゼ；イバリズマブ－ｕｉｙｋ；イブリツモマブチウキセタン；イダルシズマブ；イデュルスルファーゼ；イミグルセラーゼ；インコボツリナムトキシンＡ；イネビリズマブ－ｃｄｏｎ；インフリキシマブ；インフリキシマブ－ａｂｄａ；インフリキシマブ－ａｘｘｑ；インフリキシマブ－ｄｙｙｂ；インフリキシマブ－ｑｂｔｘ；イノツズマブオゾガマイシン；インスリンアスパルト；インスリンアスパルトプロタミン・インスリンアスパルト；インスリンデグルデク；インスリンデグルデク・インスリンアスパルト；インスリンデグルデク・リラグルチド；インスリンデテミル；インスリングラルギン；インスリングラルギン・リキシセナチド；インスリングルリジン；ヒトインスリン；ヒトイソフェンインスリン；ヒトイソフェンインスリン・ヒトインスリン；インスリンリスプロ；インスリンリスプロプロタミン・インスリンリスプロ；インスリンリスプロ－ａａｂｃ；インターフェロンアルファ－２ａ；インターフェロンアルファ－２ｂ；インターフェロンアルファコン－１；インターフェロンアルファ－ｎ３（ヒト白血球由来）；インターフェロンベータ－１ａ；インターフェロンベータ－１ｂ；インターフェロンガンマ－１ｂ；イピリムマブ；イサツキシマブ－ｉｒｆｃ；イキセキズマブ；ラナデルマブ－ｆｌｙｏ；ラロニダーゼ；リキシセナチド；ルスパテルセプト－ａａｍｔ；メカセルミン；メカセルミンリンファバート；メノトロピンス；メポリズマブ；メトキシポリエチレングリコール・エポエチンベータ；メトレレプチン；モガムリズマブ－ｋｐｋｃ；モキセツモマブパスードトクス－ｔｄｆｋ；ムロマナブ（ｍｕｒｏｍａｎａｂ）－ＣＤ３；ナタリズマブ；ネシツムマブ；ニボルマブ；テクネチウム；オビルトキサキシマブ；オビヌツズマブ；オクレリズマブ；オクリプラスミン；オファツムマブ；オララツマブ；オマリズマブ；オナボツリナムトキシンＡ；オプレルベキン；パリフェルミン；パリビズマブ；パンクレリパーゼ；パニツムマブ；副甲状腺ホルモン；ウシペグアデマーゼ；ペグアスパルガーゼ；ペグフィルグラスチム；ペグフィルグラスチム－ａｐｇｆ；ペグフィルグラスチム－ｂｍｅｚ；ペグフィルグラスチム－ｃｂｑｖ；ペグフィルグラスチム－ｊｍｄｂ；ペグインターフェロンアルファ－２ａ；ペグインターフェロンアルファ－２ａ及びリバビリン；ペグインターフェロンアルファ－２ｂ；ペグインターフェロンアルファ－２ｂ及びリバビリン；ペグインターフェロンベータ－１ａ；ペグロチカーゼ；ペグバリアーゼ－ｐｑｐｚ；ペグビソマント；ペムブロリズマブ；ペルツズマブ；ポラツズマブベドチン－ｐｉｉｑ；ポラクタントアルファ；プラボツリナムトキシンＡ－ｘｖｆｓ；放射標識アルブミンテクネチウムＴｃ－９９ｍアルブミンコロイドキット；ラムシルマブ；ラニビズマブ；ラスブリカーゼ；ラブリズマブ－ｃｗｖｚ；ラキシバクマブ；レスリズマブ；レテプラーゼ；リロナセプト；Ｂ型ボツリヌス毒素；リサンキズマブ－ｒｚａａ；リツキシマブ；リツキシマブ及びヒトヒアルロニダーゼ；リツキシマブ－ａｂｂｓ；リツキシマブ－ｐｖｖｒ；ロミプロスチム；ロモソズマブ－ａｑｑｇ；サシツズマブゴビテカン－ｈｚｉｙ；サクロシダーゼ；サルグラモスチム；サリルマブ；セベリパーゼアルファ；セクキヌマブ；シルツキシマブ；ソマトロピン；タグラクソフスプ－ｅｒｚｓ；タリグルセラーゼアルファ；ｔｂｏ－フィルグラスチム；テクネチウム９９ｍ ｔｃファノレソマブ；テネクテプラーゼ；テプロツムマブ－ｔｒｂｗ；酢酸テサモレリン；ヒトチロトロピンアルファ；チルドラキズマブ－ａｓｍｎ；トシリズマブ；トシツモマブ及びヨウ素Ｉ－１３１トシツモマブ；トラスツズマブ；トラスツズマブ及びヒアルロニダーゼ－ｏｙｓｋ；ラスツズマブ－ａｎｎｓ；ラスツズマブ－ｄｋｓｔ；ラスツズマブ－ｄｔｔｂ；ラスツズマブ－ｐｋｒｂ；ラスツズマブ－ｑｙｙｐ；ウロフォリトロピン；ウロキナーゼ；ウステキヌマブ；ベドリズマブ；ベラグルセラーゼアルファ；ベストロニダーゼアルファ－ｖｊｂｋ；Ｚｉｖ－アフリベルセプト；Ａｍｊｅｖｉｔａ（アダリムマブ－ａｔｔｏ）；Ｄｕｐｉｘｅｎｔ（デュピルマブ）；Ｆｕｌｐｈｉｌａ（ペグフィルグラスチム－ｊｍｄｂ）；Ｉｌａｒｉｓ（カナキヌマブ）；Ｉｘｉｆｉ（インフリキシマブ－ｑｂｔｘ）；Ｌｙｕｍｊｅｖ（インスリンリスプロ－ａａｂｃ）；Ｎｙｖｅｐｒｉａ（ペグフィルグラスチム－ａｐｇｆ）；Ｏｇｉｖｒｉ（トラスツズマブ－ｄｋｓｔ）；Ｓｅｍｇｌｅｅ（インスリングラルギン）；Ｕｐｌｉｚｎａ（イネビリズマブ－ｃｄｏｎ）；Ａ．Ｐ．Ｌ．（絨毛性性腺刺激ホルモン）；Ａｂｒｉｌａｄａ（アダリムマブ－ａｆｚｂ）；Ａｃｃｒｅｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン）；Ａｃｔｅｍｒａ（トシリズマブ）；Ａｃｔｈｒｅｌ（コルチコレリンオウバイントリフルタート）；Ａｃｔｉｍｍｕｎｅ（インターフェロンガンマ－１ｂ）；Ａｃｔｉｖａｓｅ（アルテプラーゼ）；Ａｄａｇｅｎ（ウシペグアデマーゼ）；Ａｄａｋｖｅｏ（クリザンリズマブ－ｔｍｃａ）；Ａｄｃｅｔｒｉｓ（ブレンツキシマブベドチン）；Ａｄｌｙｘｉｎ（リキシセナチド）；Ａｄｍｅｌｏｇ（インスリンリスプロ）；Ａｆｒｅｚｚａ（ヒトインスリン）；Ａｉｍｏｖｉｇ（エレヌマブ－ａｏｏｅ）；Ａｊｏｖｙ（フレマネズマブ－ｖｆｒｍ）；Ａｌｄｕｒａｚｙｍｅ（ラロニダーゼ）；ＡｌｆｅｒｏｎＮ注射薬（インターフェロンアルファ－ｎ３（ヒト白血球由来））；Ａｍｅｖｉｖｅ（アレファセプト）；Ａｍｐｈａｄａｓｅ（ヒアルロニダーゼ）；Ａｎｔｈｉｍ（オビルトキサキシマブ）；Ａｐｉｄｒａ（インスリングルリジン）；Ａｒａｎｅｓｐ（ダルベポエチンアルファ）；Ａｒｃａｌｙｓｔ（リロナセプト）；Ａｒｚｅｒｒａ（オファツムマブ）；Ａｓｐａｒｌａｓ（カラスパルガーゼペゴル－ｍｋｎｌ）；Ａｖａｓｔｉｎ（ベバシズマブ）；Ａｖｏｎｅｘ（インターフェロンベータ－１ａ）；Ａｖｓｏｌａ（インフリキシマブ－ａｘｘｑ）；Ｂａｓａｇｌａｒインスリングラルギン）；Ｂａｖｅｎｃｉｏ（アベルマブ）；Ｂｅｎｌｙｓｔａ（ベリムマブ）；Ｂｅｏｖｕ（ブロルシズマブ－ｄｂｌｌ）；Ｂｅｓｐｏｎｓａ（イノツズマブオゾガマイシン）；Ｂｅｔａｓｅｒｏｎ（インターフェロンベータ－１ｂ）；Ｂｅｘｘａｒ（トシツモマブ及びトシツモマブヨウ素Ｉ－１３１）；Ｂｌｉｎｃｙｔｏ（ブリナツモマブ）；Ｂｏｔｏｘ（オナボツリナムトキシンＡ）；ＢｏｔｏｘＣｏｓｍｅｔｉｃ（オナボツリナムトキシンＡ）；Ｂｒａｖｅｌｌｅ（ウロフォリトロピン）；Ｂｒｉｎｅｕｒａ（セルリポナーゼアルファ）；Ｃａｂｌｉｖｉ（カプラシズマブ－ｙｈｄｐ）；Ｃａｍｐａｔｈ（アレムツズマブ）；ＣａｔｈｆｌｏＡｃｔｉｖａｓｅ（アルテプラーゼ）；Ｃｅｒｅｚｙｍｅ（イミグルセラーゼ）；ＣｈｏｒｉｏｎｉｃＧｏｎａｄｏｔｒｏｐｉｎ（ヒト絨毛性性腺刺激ホルモ）；Ｃｈｒｏｍａｌｂｉｎ（クロム酸化ＣＲ５１血清アルブミン）；Ｃｈｙｍｏｄｉａｃｔｉｎ（キモパパイン）；Ｃｉｍｚｉａ（セルトリズマブペゴル）；Ｃｉｎｑａｉｒ（レスリズマブ）；Ｃｏｓｅｎｔｙｘ（セクキヌマブ）；Ｃｏｔａｚｙｍ（パンクレリパーゼ）；Ｃｒｅｏｎ（パンクレリパーゼ）；Ｃｒｙｓｖｉｔａ（ブロスマブ－ｔｗｚａ）；Ｃｕｒｏｓｕｒｆ（ポラクタントアルファ）；Ｃｙｌｔｅｚｏ（アダリムマブ－ａｄｂｍ）；Ｃｙｒａｍｚａ（ラムシルマブ）；Ｄａｒｚａｌｅｘ（ダラツムマブ）；ＤａｒｚａｌｅｘＦａｓｐｒｏ（ダラツムマブ及びヒアルロニダー－ｆｉｈｊ）；ＤｒａｘｉｍａｇｅＭＡＡ（テクネチウムＴｃ－９９ｍアルブミン凝集を準備するためのキット）；Ｄｙｓｐｏｒｔ（アボボツリナムトキシンＡ）；Ｅｇｒｉｆｔａ（酢酸テサモレリン）；ＥｇｒｉｆｔａＳＶ（酢酸テサモレリン）；Ｅｌａｐｒａｓｅ（イデュルスルファーゼ）；Ｅｌａｓｅ－ｃｈｌｏｒｏｍｙｃｅｔｉｎ（フィブリノリジン・デスオキシリボヌクレアーゼ配合薬［ウシ］、クロラムフェニコール含有）；Ｅｌｅｌｙｓｏ（タリグルセラーゼアルファ）；Ｅｌｉｔｅｋ（ラスブリカーゼ）；Ｅｌｓｐａｒ（アスパラギナーゼ）；Ｅｌｚｏｎｒｉｓ（タグラクソフスプ－ｅｒｚｓ）；Ｅｍｇａｌｉｔｙ（ガルカネズマブ－ｇｎｌｍ）；Ｅｍｐｌｉｃｉｔｉ（エロツズマブ）；Ｅｎｂｒｅｌ（エタネルセプト）；ＥｎｂｒｅｌＭｉｎｉ（エタネルセプト）；Ｅｎｈｅｒｔｕ（ｆａｍ－トラスツズマブデルクステカン－ｎｘｋｉ）；Ｅｎｔｙｖｉｏ（ベドリズマブ）；Ｅｐｏｇｅｎ／Ｐｒｏｃｒｉｔ（エポエチンアルファ）；Ｅｒｂｉｔｕｘ（セツキシマブ）；Ｅｒｅｌｚｉ（エタネルセプト－ｓｚｚｓ）；ＥｒｅｌｚｉＳｅｎｓｏｒｅａｄｙ（エタネルセプト－ｓｚｚｓ）；Ｅｒｗｉｎａｚｅ（アスパラギナーゼエルウィニアクリサンチミー）；Ｅｔｉｃｏｖｏ（エタネルセプト－ｙｋｒｏ）；Ｅｖｅｎｉｔｙ（ロモソズマブ－ａｑｑｇ）；Ｅｘｔａｖｉａ（インターフェロンベータ－１ｂ）；Ｅｙｌｅａ（アフリベルセプト）；Ｆａｂｒａｚｙｍｅ（アガルシダーゼベータ）；Ｆａｓｅｎｒａ（ベンラリズマブ）；Ｆｉａｓｐ（インスリンアスパルト）；Ｆｏｌｌｉｓｔｉｍ（フォリトロピンベータ）；ＦｏｌｌｉｓｔｉｍＡＱ（フォリトロピンベータ）；ＦｏｌｌｉｓｔｉｍＡＱＣａｒｔｒｉｄｇｅ（フォリトロピンベータ）；Ｇａｍｉｆａｎｔ（エマパルマブ－ｌｚｓｇ）；Ｇａｚｙｖａ（オビヌツズマブ）；Ｇｅｎｏｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン）；Ｇｏｎａｌ－ｆ（ホリトロピンアルファ）；Ｇ
ｏｎａｌ－ｆＲＦＦ（ホリトロピンアルファ）；Ｇｏｎａｌ－ｆＲＦＦＲｅｄｉＪｅｃｔ（ホリトロピンアルファ）；Ｇｒａｎｉｘ（ｔｂｏ－フィルグラスチム）；Ｈａｄｌｉｍａ（アダリムマブ－ｂｗｗｄ）；Ｈｅｍｌｉｂｒａ（エミシズマブ－ｋｘｗｈ）；Ｈｅｒｃｅｐｔｉｎ（トラスツズマブ）；ＨｅｒｃｅｐｔｉｎＨｙｌｅｃｔａ（トラスツズマブ及びヒアルロニダーゼ－ｏｙｓｋ）；Ｈｅｒｚｕｍａ（トラスツズマブ－ｐｋｒｂ）；Ｈｕｍａｌｏｇインスリンリスプロ）；ＨｕｍａｌｏｇＭｉｘ５０／５０（インスリンリスプロプロタミン及びインスリンリスプロ）；ＨｕｍａｌｏｇＭｉｘ７５／２５（インスリンリスプロプロタミン及びインスリンリスプロ）；Ｈｕｍａｔｒｏｐｅ（ソマトロピン）；Ｈｕｍｅｇｏｎ（メノトロピンス）；Ｈｕｍｉｒａ（アダリムマブ）；Ｈｕｍｕｌｉｎ７０／３０（ヒトイソフェンインスリン及びヒトインスリン）；ＨｕｍｕｌｉｎＮ（ヒトイソフェンインスリン）；ＨｕｍｕｌｉｎＲＵ－１００（ヒトインスリン）；ＨｕｍｕｌｉｎＲＵ－５００（ヒトインスリン）；Ｈｙｄａｓｅ（ヒアルロニダーゼ）；Ｈｙｌｅｎｅｘｒｅｃｏｍｂｉｎａｎｔ（ボルヒアルロニダーゼアルファ）；Ｈｙｒｉｍｏｚ（アダリムマブ－ａｄａｚ）；Ｉｌｕｍｙａ（チルドラキズマブ－ａｓｍｎ）；Ｉｍｆｉｎｚｉ（デュルバルマブ）；Ｉｎｃｒｅｌｅｘ（メカセルミン）；Ｉｎｆａｓｕｒｆ（カルファクタント）；Ｉｎｆｅｒｇｅｎ（インターフェロンアルファコン－１）；Ｉｎｆｌｅｃｔｒａ（インフリキシマブ－ｄｙｙｂ）；ＩｎｔｒｏｎＡ（インターフェロンアルファ－２ｂ）；Ｉｐｌｅｘ（メカセルミンリンファバート）；Ｉｐｒｉｖａｓｋ（デシルジン）；Ｊｅａｎａｔｏｐｅ（ヨウ化アルブミンＩ－１２５のキット）；Ｊｅｔｒｅａ（オクリプラスミン）；Ｊｅｕｖｅａｕ（プラボツリナムトキシンＡ－ｘｖｆｓ）；Ｋａｄｃｙｌａ（ａｄｏ－トラスツズマブエムタンシン）；Ｋａｌｂｉｔｏｒ（エカランチド）；Ｋａｎｊｉｎｔｉ（トラスツズマブ－ａｎｎｓ）；Ｋａｎｕｍａ（セベリパーゼアルファ）；Ｋｅｐｉｖａｎｃｅ（パリフェルミン）；Ｋｅｖｚａｒａ（サリルマブ）；Ｋｅｙｔｒｕｄａ（ペムブロリズマブ）；Ｋｉｎｅｒｅｔ（アナキンラ）；Ｋｉｎｌｙｔｉｃ（ナサルプラーゼ）；Ｋｒｙｓｔｅｘｘａ（ペグロチカーゼ）；Ｌａｎｔｕｓ（インスリングラルギン）；Ｌａｒｔｒｕｖｏ（オララツマブ）；Ｌｅｍｔｒａｄａ（アレムツズマブ）；Ｌｅｕｋｉｎｅ（サルグラモスチム）；Ｌｅｖｅｍｉｒ（インスリンデテミル）；Ｌｉｂｔａｙｏ（セミプリマブ－ｒｗｌｃ）；Ｌｕｃｅｎｔｉｓ（ラニビズマブ）；Ｌｕｍｉｚｙｍｅ（アルグルコシダーゼアルファ）；Ｌｕｍｏｘｉｔｉ（モキセツモマブパスードトクス－ｔｄｆｋ）；Ｍａｃｒｏｔｅｃ（テクネチウムＴｃ－９９ｍアルブミン凝集を準備するためのキット）；Ｍｅｇａｔｏｐｅ（ヨウ化アルブミンＩ－１３１のキット）；Ｍｅｎｏｐｕｒ（メノトロピンス）；Ｍｅｐｓｅｖｉｉ（ベストロニダーゼアルファ－ｖｊｂｋ）；Ｍｉｃｒｏｌｉｔｅ（放射標識アルブミンテクネチウムＴｃ－９９ｍアルブミンコロイドキット）；Ｍｉｒｃｅｒａ（ポリエチレングリコールモノメチルエステル－エポエチンベータ）；Ｍｖａｓｉ（ベバシズマブ－ａｗｗｂ）；Ｍｙａｌｅｐｔ（メトレレプチン）；Ｍｙｌｏｔａｒｇ（ゲムツズマブオゾガマイシン）；Ｍｙｏｂｌｏｃ（Ｂ型ボツリヌス毒素）；Ｍｙｏｚｙｍｅ（アルグルコシダーゼアルファ）；Ｍｙｘｒｅｄｌｉｎ（ヒトインスリン）；Ｎ／Ａ（ラキシバクマブ）；Ｎａｇｌａｚｙｍｅ（ガルスルファーゼ）；Ｎａｔｐａｒａ（副甲状腺ホルモン）；Ｎｅｕｌａｓｔａ（ペグフィルグラスチム）；ＮｅｕｌａｓｔａＯｎｐｒｏ（ペグフィルグラスチム）；Ｎｅｕｍｅｇａ（オプレルベキン）；Ｎｅｕｐｏｇｅｎ（フィルグラスチム）；ＮｅｕｔｒｏＳｐｅｃ（テクネチウム９９ｍ Ｔｃファノレソマブ）；Ｎｉｖｅｓｔｙｍ（フィルグラスチム－ａａｆｉ）；Ｎｏｒｄｉｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン）；Ｎｏｖａｒｅｌ（ヒト絨毛性性腺刺激ホルモン）；Ｎｏｖｏｌｉｎ７０／３０（ヒトイソフェンインスリン及びヒトインスリン）；ＮｏｖｏｌｉｎＮ（ヒトイソフェンインスリン）；ＮｏｖｏｌｉｎＲ（ヒトインスリン）；Ｎｏｖｏｌｏｇ（インスリンアスパルト）；ＮｏｖｏｌｏｇＭｉｘ５０／５０（インスリンアスパルトプロタミン及びインスリンアスパルト；ＮｏｖｏｌｏｇＭｉｘ７０／３０（インスリンアスパルトプロタミン及びインスリンアスパルト）；Ｎｐｌａｔｅ（ロミプロスチム）；Ｎｕｃａｌａ（メポリズマブ）；Ｎｕｌｏｊｉｘ（ベラタセプト）；Ｎｕｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン）；ＮｕｔｒｏｐｉｎＡＱ（ソマトロピン）；Ｏｃｒｅｖｕｓ（オクレリズマブ）；Ｏｍｎｉｔｒｏｐｅ（ソマトロピン）；Ｏｎｃａｓｐａｒ（ペグアスパルガーゼ）；Ｏｎｔａｋ（デニロイキンジフチトクス）；Ｏｎｔｒｕｚａｎｔ（トラスツズマブ－ｄｔｔｂ）；Ｏｐｄｉｖｏ（ニボルマブ）；Ｏｒｅｎｃｉａ（アバタセプト）；ＯｒｔｈｏｃｌｏｎｅＯＫＴ３（ムロマナブ（ｍｕｒｏｍａｎａｂ）－ＣＤ３）；Ｏｖｉｄｒｅｌ（コリオゴナドトロピンアルファ）；Ｏｘｅｒｖａｔｅ（セネゲルミン－ｂｋｂｊ）；Ｐａｄｃｅｖ（エンホルツマブベドチン－ｅｊｆｖ）；Ｐａｌｙｎｚｉｑ（ペグバリアーゼ－ｐｑｐｚ）；Ｐａｎｃｒｅａｚｅ（パンクレリパーゼ）；Ｐｅｇａｓｙｓ（ペグインターフェロンアルファ－２ａ）；ＰｅｇａｓｙｓＣｏｐｅｇｕｓＣｏｍｂｉｎａｔｉｏｎＰａｃｋ（ペグインターフェロンアルファ－２ａ及びリバビリン）；Ｐｅｇｉｎｔｒｏｎ（ペグインターフェロンアルファ－２ｂ）；ＰｅｇＩｎｔｒｏｎ／ＲｅｂｅｔｏｌＣｏｍｂｏＰａｃｋ（ペグインターフェロンアルファ－２ｂ及びリバビリン）；Ｐｅｒｇｏｎａｌ（メノトロピンス）；Ｐｅｒｊｅｔａ（ペルツズマブ）；Ｐｅｒｔｚｙｅ（パンクレリパーゼ）；Ｐｌｅｇｒｉｄｙ（ペグインターフェロンベータ－１ａ）；Ｐｏｌｉｖｙ（ポラツズマブベドチン－ｐｉｉｑ）；Ｐｏｒｔｒａｚｚａ（ネシツムマブ）；Ｐｏｔｅｌｉｇｅｏ（モガムリズマブ－ｋｐｋｃ）；Ｐｒａｌｕｅｎｔ（アリロクマブ）；Ｐｒａｘｂｉｎｄ（イダルシズマブ）；Ｐｒｅｇｎｙｌ（ヒト絨毛性性腺刺激ホルモン）；Ｐｒｏｃｒｉｔ（エポエチンアルファ）；Ｐｒｏｌｅｕｋｉｎ（アルデスロイキン）；Ｐｒｏｌｉａ（デノスマブ）；ＰｒｏｓｔａＳｃｉｎｔ（カプロマブペンデチド）；Ｐｕｌｍｏｌｉｔｅ（テクネチウムＴｃ－９９ｍアルブミン凝集を準備するためのキット）；ＰｕｌｍｏｔｅｃｈＭＡＡ（テクネチウムＴｃ－９９ｍアルブミン凝集を準備するためのキット）；Ｐｕｌｍｏｚｙｍｅ（ドルナーゼアルファ）；Ｒａｐｔｉｖａ（エファリズマブ）；Ｒｅｂｉｆ（インターフェロンベータ－１ａ）；Ｒｅｂｌｏｚｙｌ（ルスパテルセプト－ａａｍｔ）；Ｒｅｇｒａｎｅｘ（ベカプレルミン）；Ｒｅｍｉｃａｄｅ（インフリキシマブ）；Ｒｅｎｆｌｅｘｉｓ（インフリキシマブ－ａｂｄａ）；Ｒｅｏｐｒｏ（アブシキシマブ）；Ｒｅｐａｔｈａ（エボロクマブ）；Ｒｅｐｒｏｎｅｘ（メノトロピンス）；Ｒｅｔａｃｒｉｔ（エポエチンアルファ－ｅｐｂｘ）；Ｒｅｔａｖａｓｅ（レテプラーゼ）；Ｒｅｖｃｏｖｉ（エラペグアデマーゼ－ｌｖｌｒ）；Ｒｉｔｕｘａｎ（リツキシマブ）；ＲｉｔｕｘａｎＨｙｃｅｌａ（リツキシマブ及びヒトヒアルロニダーゼ）；Ｒｏｆｅｒｏｎ－Ａ（インターフェロンアルファ－２ａ）；Ｒｕｘｉｅｎｃｅ（リツキシマブ－ｐｖｖｒ）；Ｒｙｚｏｄｅｇ７０／３０（インスリンデグルデク及びインスリンアスパルト）；Ｓａｉｚｅｎ（ソマトロピン）；Ｓａｎｔｙｌ（コラゲナーゼ）；Ｓａｒｃｌｉｓａ（イサツキシマブ－ｉｒｆｃ）；Ｓｅｒｏｓｔｉｍ（ソマトロピン）；Ｓｉｌｉｑ（ブロダルマブ）；Ｓｉｍｐｏｎｉ（ゴリムマブ）；ＳｉｍｐｏｎｉＡｒｉａ（ゴリムマブ）；Ｓｉｍｕｌｅｃｔ（バシリキシマブ）；Ｓｋｙｒｉｚｉ（リサンキズマブ－ｒｚａａ）；Ｓｏｌｉｑｕａ１００／３３（インスリングラルギン及びリキシセナチド）；Ｓｏｌｉｒｉｓ（エクリズマブ）；Ｓｏｍａｖｅｒｔ（ペグビソマント）；Ｓｔｅｌａｒａ（ウステキヌマブ）；Ｓｔｒｅｎｓｉｑ（アスホターゼアルファ）；Ｓｕｃｒａｉｄ（サクロシダーゼ）；Ｓｕｒｖａｎｔａ（ベラクタント）；Ｓｙｌｖａｎｔ（シルツキシマブ）；Ｓｙｎａｇｉｓ（パリビズマブ）；Ｔａｋｈｚｙｒｏ（ラナデルマブ－ｆｌｙｏ）；Ｔａｌｔｚ（イキセキズマブ）；Ｔａｎｚｅｕｍ（アルビグルチド）；Ｔｅｃｅｎｔｒｉｑ（アテゾリズマブ）；Ｔｅｐｅｚｚａ（テプロツムマブ－ｔｒｂｗ）；Ｔｈｙｒｏｇｅｎ（ヒトチロトロピンアルファ）；ＴＮＫａｓｅ（テネクテプラーゼ）；Ｔｏｕｊｅｏ（インスリングラルギン）；Ｔｒａｓｙｌｏｌ（アプロチニン）；Ｔｒａｚｉｍｅｒａ（トラスツズマブ－ｑｙｙｐ）；Ｔｒｅｍｆｙａ（グセルクマブ）；Ｔｒｅｓｉｂａ（インスリンデグルデク）；Ｔｒｏｄｅｌｖｙ（サシツズマブゴビテカン－ｈｚｉｙ）；Ｔｒｏｇａｒｚｏ（イバリズマブ－ｕｉｙｋ）；Ｔｒｕｌｉｃｉｔｙ（デュラグルチド）；Ｔｒｕｘｉｍａ（リツキシマブ－ａｂｂｓ）；Ｔｙｓａｂｒｉ（ナタリズマブ）；Ｕｄｅｎｙｃａ（ペグフィルグラスチム－ｃｂｑｖ）；Ｕｌｔｏｍｉｒｉｓ（ラブリズマブ－ｃｗｖｚ）；Ｕｎｉｔｕｘｉｎ（ジヌツキシマブ）；Ｖｅｃｔｉｂｉｘ（パニツムマブ）；Ｖｅｒｌｕｍａ（ノフェツモマブ）；Ｖｉｍｉｚｉｍ（エロスルファーゼアルファ）；Ｖｉｏｋａｃｅ（パンクレリパーゼ）；Ｖｉｔｒａｓｅ（ヒアルロニダーゼ）；Ｖｏｒａｘａｚｅ（グルカルピダーゼ）；ＶＰＲＩＶ（ベラグルセラーゼアルファ）；Ｘｅｏｍｉｎ（インコボツリナムトキシンＡ）；Ｘｇｅｖａ（デノスマブ）；Ｘｉａｆｌｅｘ（コラゲナーゼクロストリジウムヒストリチクム）；Ｘｉｇｒｉｓ（ドロトレコギンアルファ）；Ｘｏｌａｉｒ（オマリズマブ）；Ｘｕｌｔｏｐｈｙ１００／３．６（インスリンデグルデク及びリラグルチド）；Ｙｅｒｖｏｙ（イピリムマブ）；Ｚａｌｔｒａｐ（Ｚｉｖ－アフリベルセプト）；Ｚａｒｘｉｏ（フィルグラスチム－ｓｎｄｚ）；Ｚｅｎａｐａｘ（ダクリズマブ）；Ｚｅｎｐｅｐ（パンクレリパーゼ）；Ｚｅｖａｌｉｎ（イブリツモマブチウキセタン）；Ｚｉｅｘｔｅｎｚｏ（ペグフィルグラスチム－ｂｍｅｚ）；Ｚｉｎｂｒｙｔａ（ダクリズマブ）；Ｚｉｎｐｌａｖａ（ベズロトクスマブ）；Ｚｉｒａｂｅｖ（ベバシズマブ－ｂｖｚｒ）；Ｚｏｍａｃｔｏｎ（ソマトロピン）；Ｚｏｒｂｔｉｖｅ／Ｓｅｒｏｓｔｉｍ（ソマトロピン）；以下の任意の１つ又は複数を含むｍＲＮＡ：ｍＲＮＡ－１６４７、ｍＲＮＡ－１６５３、ｍＲＮＡ－１８９３、ｍＲＮＡ－１３４５、ｍＲＮＡ－１８５１、ｍＲＮＡ－１９４４、ｍＲＮＡ－４１５７、ｍＲＮＡ－５６７１、ｍＲＮＡ－２４１６、ｍＲＮＡ－２７５２、ＭＥＤＩ１１９１、ＡＺＤ８６０１、ｍＲＮＡ－３９２７、ｍＲＮＡ－１０１０、ｍＲＮＡ－１０２０、ｍＲＮＡ－１０３０、ｍＲＮＡ－１２７３、ｍＲＮＡ－１２７３．３５１／－２１１、ｍＲＮＡ－１２８３、ｍＲＮＡ－１１８９、ｍＲＮＡ－１６４４、ｍＲＮＡ－１５７４、ｍＲＮＡ－０１８４、ｍＲＮＡ－６９８１、ｍＲＮＡ－６２３１、ｍＲＮＡ－１２１５、ｍＲＮＡ－３７０５、ｍＲＮＡ－３２８３、ｍＲＮＡ－３７４５、ＢＮＴ１１１、ＢＮＴ１１２、ＢＮＴ１１３、ＢＮＴ１１４、ＢＮＴ１１５、ＢＮＴ１１６、ＲＯ７１９８４５７（ＢＮＴ１２２３）、ＳＡＲ４４１０００（ＢＮＴ１３１）、ＢＮＴ１４１、ＢＮＴ１４２、ＢＮＴ１５１、ＢＮＴ１５２、ＢＮＴ１５３、ＢＮＴ２１１、ＢＮＴ２１２、ＢＮＴ２２１（ＮＥＯ－ＰＴＣ－０１）、Ｇｅｎ１０４６（ＢＮＴ３１１）、Ｇｅｎ１０４２（ＢＮＴ３１２）、ＢＮＴ３２１（ＭＶＴ－５８７３）、ＢＮＴ４１１、ＢＮＴ１６１、ＢＮＴ１６２、又はＢＮＴ１７１；短干渉ＲＮＡ（ｓｉＲＮＡ）；マイクロＲＮＡ（ｍｉＲＮＡ）；ＣＲＩＳＰＲに基づく療法、例えば、Ｃａｓ９ヌクレアーゼ（酵素）及び１つ又は複数のシングルガイドＲＮＡ（ｓｇＲＮＡ）を含む療法；プラスミド、即ち、特定のタンパク質コードトランスジーンを含むＤＮＡベースの分子；非プラスミ
ドＤＮＡ．１つ又は複数のタンパク質又はペプチド；例えばギャップマーベースのＡＳＯ又はミックスマーベースのＡＳＯを含むアンチセンスオリゴヌクレオチド（ＡＳＯ）；小核ＲＮＡ（Ｕ－ＲＮＡ）；小核小体ＲＮＡ（ｓｎｏＲＮＡ）；Ｐｉｗｉ結合ＲＮＡ（ｐｉＲＮＡ）；リピート関連性ｓｉＲＮＡ（ｒａｓｉＲＮＡ）；リボソームＤＮＡ由来低分子ＲＮＡ（ｓｒＲＮＡ）；転移ＲＮＡ由来低分子ＲＮＡ（ｔｓＲＮＡ）；リボソームＲＮＡ由来低分子ＲＮＡ（ｒｓＲＮＡ）；長鎖ノンコーディングＲＮＡ由来低分子ＲＮＡ（ｌｎｃｓＲＮＡ）；メッセンジャーＲＮＡ由来低分子ＲＮＡ（ｍｓＲＮＡ）；小ヘアピンＲＮＡ（ｓｈＲＮＡ）；ダイサー依存ｓｉＲＮＡ（ｄｉ－ｓｉＲＮＡ）；二本鎖ＲＮＡｓ（ｄｓＲＮＡ）；一本鎖ＲＮＡｉ（ｓｓＲＮＡｉ）；ＤＮＡ指向性ＲＮＡ干渉（ｄｄＲＮＡｉ（ＤＮＡ－ｄｉｒｅｃｔｅｄ ＲＮＡ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ））；ＲＮＡ活性化オリゴヌクレオチド（ＲＮＡａ）；エクソンスキッピングオリゴヌクレオチド；
吸入麻酔薬
アリフルラン；クロロホルム；シクロプロパン；デスフルラン（Ｓｕｐｒａｎｅ）；ジエチルエーテル；エンフルラン（Ｅｔｈｒａｎｅ）；塩化エチル；エチレン；ハロタン（Ｆｌｕｏｔｈａｎｅ）；イソフルラン（Ｆｏｒａｎｅ、Ｉｓｏｆｌｏ）；イソプロペニルビニルエーテル；メトキシフルラン；メトキシフルラン；メトキシプロパン；亜酸化窒素；ロフルラン；セボフルラン（Ｓｅｖｏｒａｎｅ、Ｕｌｔａｎｅ、Ｓｅｖｏｆｌｏ）；テフルラン；トリクロロエチレン；ビニルエーテル；キセノン；
注射剤
Ａｂｌａｖａｒ（ガドホスベセット三ナトリウム注射薬）；アバレリックスデポ；アボボツリナムトキシンＡ注射薬（Ｄｙｓｐｏｒｔ）；ＡＢＴ－２６３；ＡＢＴ－８６９；ＡＢＸ－ＥＦＧ；Ａｃｃｒｅｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）；Ａｃｅｔａｄｏｔｅ（アセチルシステイン注射薬）；アセタゾラミド注射薬（アセタゾラミド注射薬）；アセチルシステイン注射薬（Ａｃｅｔａｄｏｔｅ）；アクテムラ（トシリズマブ注射薬）；Ａｃｔｈｒｅｌ（注射用コルチコレリンオウバイントリフルタート）；Ａｃｔｕｍｍｕｎｅ；アクチバーゼ；注射用アシクロビル（ゾビラックス注射薬）；Ａｄａｃｅｌ；アダリムマブ；アデノスキャン（アデノシン注射薬）；アデノシン注射薬（アデノスキャン）；Ａｄｒｅｎａｃｌｉｃｋ；ＡｄｒｅＶｉｅｗ（ヨーベングアンＩ１２３静脈内用注射薬）；Ａｆｌｕｒｉａ；Ａｋ－Ｆｌｕｏｒ（フルオレセイン注射薬）；アウドラザイム（ラロニダーゼ）；アルグルセラーゼ注射薬（セレデース）；アルケラン注射薬（メルファランＨｃｌ注射薬）；注射用アロプリノールナトリウム（Ａｌｏｐｒｉｍ）；Ａｌｏｐｒｉｍ（注射用アロプリノールナトリウム）；アルプロスタジル；Ａｌｓｕｍａ（スマトリプタン注射薬）；ＡＬＴＵ－２３８；アミノ酸注射薬；Ａｍｉｎｏｓｙｎ；アピドラ；アプレミラスト；注射用アルプロスタジルデュアルチャンバシステム（Ｄｕａｌ Ｃｈａｍｂｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ）（Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ Ｉｍｐｕｌｓｅ）；ＡＭＧ００９；ＡＭＧ０７６；ＡＭＧ１０２；ＡＭＧ１０８；ＡＭＧ１１４；ＡＭＧ１６２；ＡＭＧ２２０；ＡＭＧ２２１；ＡＭＧ２２２；ＡＭＧ２２３；ＡＭＧ３１７；ＡＭＧ３７９；ＡＭＧ３８６；ＡＭＧ４０３；ＡＭＧ４７７；ＡＭＧ４７９；ＡＭＧ５１７；ＡＭＧ５３１；ＡＭＧ５５７；ＡＭＧ６２３；ＡＭＧ６５５；ＡＭＧ７０６；ＡＭＧ７１４；ＡＭＧ７４５；ＡＭＧ７８５；ＡＭＧ８１１；ＡＭＧ８２７；ＡＭＧ８３７；ＡＭＧ８５３；ＡＭＧ９５１；アミオダロンＨＣｌ注射薬（アミオダロンＨＣｌ注射薬）；アモバルビタールナトリウム注射薬（アミタールナトリウム）；アミタールナトリウム（アモバルビタールナトリウム注射薬）；アナキンラ；Ａｎｔｉ－Ａｂｅｔａ；Ａｎｔｉ－Ｂｅｔａ７；Ａｎｔｉ－Ｂｅｔａ２０；Ａｎｔｉ－ＣＤ４；Ａｎｔｉ－ＣＤ２０；Ａｎｔｉ－ＣＤ４０；Ａｎｔｉ－ＩＦＮａｌｐｈａ；Ａｎｔｉ－ＩＬ１３；Ａｎｔｉ－ＯＸ４０Ｌ；Ａｎｔｉ－ｏｘＬＤＳ；Ａｎｔｉ－ＮＧＦ；Ａｎｔｉ－ＮＲＰ１；アリクストラ；Ａｍｐｈａｄａｓｅ（ヒアルロニダーゼ注射薬）；Ａｍｍｏｎｕｌ（フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬）；Ａｎａｐｒｏｘ；アンゼメット注射薬（メシル酸ドラセトロン注射薬）；アピドラ（インスリングルリジン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；Ａｐｏｍａｂ；Ａｒａｎｅｓｐ（ダルベポエチンアルファ）；アルガトロバン（アルガトロバン注射薬）；塩酸アルギニン注射薬（Ｒ－Ｇｅｎｅ１０；アリスト皮膜；アリストスパン；三酸化ヒ素注射薬（トリセノックス）；アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬（Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ）；アーゼラ（オファツムマブ注射薬）；Ａｓｃｌｅｒａ（ポリドカノール注射薬）；アタルレン；アタルレン－ＤＭＤ；アテノロール注射薬（テノーミンＩ．Ｖ．注射薬）；ベシル酸アトラクリウム注射薬（ベシル酸アトラクリウム注射薬）；アバスチン；アザクタム注射薬（アズトレオナム注射薬）；アジスロマイシン（ジスロマック注射薬）；アズトレオナム注射薬（アザクタム注射薬）；バクロフェン注射薬（リオレサール髄注（Ｉｎｔｒａｔｈｅｃａｌ））；静菌水（注射用静菌水）；バクロフェン注射薬（リオレサール髄注）；Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ（ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬）；ＢａｙＨｅｐＢ；ＢａｙＴｅｔ；ベナドリル；塩酸ベンダムスチン注射薬（トレアンダ）；メシル酸ベンズトロピン注射薬（コゲンチン）；ベタメタゾン懸濁注射液（Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ）；ベキサール；バイシリンＣ－Ｒ９００／３００（ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン注射薬）；ブレノキサン（ブレオマイシン硫酸塩注射薬）；ブレオマイシン硫酸塩注射薬（ブレノキサン）；ボニバ注射薬（イバンドロネートナトリウム注射薬）；ボトックスコスメティック（注射用ボツリヌストキシンＡ）；ＢＲ３－ＦＣ；Ｂｒａｖｅｌｌｅ（ウロホリトロピン注射薬）；ブレチリウム（ブレチリウムトシラート注射薬）；ブレビタールナトリウム（メトヘキシタールナトリウム注射用）；Ｂｒｅｔｈｉｎｅ；Ｂｒｉｏｂａｃｅｐｔ；ＢＴＴ－１０２３；ブピバカインＨＣＩ；バイエッタ；Ｃａ－ジエチレントリアミン五酢酸（ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬）；カバジタキセル注射薬（ジェブタナ）；カフェインアルカロイド（カフェイン及び安息香酸ナトリウム注射薬）；カルシジェックス注射薬（カルシトリオール）；カルシトリオール（カルシジェックス注射薬）；塩化カルシウム（塩化カルシウム注射薬１０％）；カルシウムジナトリウムベルセネート（エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬）；キャンパス（アルテムツズマブ（Ａｌｔｅｍｔｕｚｕｍａｂ））；Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬（イリノテカン塩酸）；カナキヌマブ注射薬（イラリス）；カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ）（注射用カプレオマイシン）；注射用カプレオマイシン（カパスタット硫酸塩（Ｃａｐａｓｔａｔ Ｓｕｌｆａｔｅ））；カーディオライト（注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ））；カーティセル；Ｃａｔｈｆｌｏ；注射用セファゾリン及びブドウ糖（セファゾリン注射薬）；セフェピム塩酸塩；セフォタキシム；セフトリアキソン；セレザイム；Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬；Ｃａｖｅｒｊｅｃｔ；Ｃｅｌｅｓｔｏｎｅ Ｓｏｌｕｓｐａｎ；Ｃｅｌｓｉｏｒ；Ｃｅｒｅｂｙｘ（ホスフェニトインナトリウム注射薬）；セレデース（アルグルセラーゼ注射薬）；Ｃｅｒｅｔｅｃ（テクネチウムＴｃ９９ｍエキサメタジム注射薬）；セルトリズマブ；ＣＦ－１０１；クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬）；クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム注射薬（クロラムフェニコールコハク酸ナトリウム）；コレスタゲル（コレセベラムＨＣＬ）；絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬（Ｏｖｉｄｒｅｌ）；シムジア；シスプラチン（シスプラチン注射薬）；クロラール（クロファラビン注射薬）；クエン酸クロミフィン（Ｃｌｏｍｉｐｈｉｎｅ Ｃｉｔｒａｔｅ）；クロニジン注射薬（Ｄｕｒａｃｌｏｎ）；コゲンチン（メシル酸ベンズトロピン注射薬）；コリスチメタート注射薬（Ｃｏｌｙ－Ｍｙｃｉｎ Ｍ）；Ｃｏｌｙ－Ｍｙｃｉｎ Ｍ（コリスチメタート注射薬）；Ｃｏｍｐａｔｈ；コニバプタンＨｃｌ注射薬（バプリゾール）；注射用結合型エストロゲン（プレマリン注射薬）；コパキソン；注射用コルチコレリンオウバイントリフルタート（Ａｃｔｈｒｅｌ）；コルベルト（フマル酸イブチリド注射薬）；キュビシン（ダプトマイシン注射薬）；ＣＦ－１０１；Ｃｙａｎｏｋｉｔ（注射用ヒドロキソコバラミン）；シタラビンリポソーム注射薬（デポサイト）；シアノコバラミン；サイトベン（ガンシクロビル）；Ｄ．Ｈ．Ｅ．４５；ダセツズマブ；ダコゲン（デシタビン注射薬）；ダルテパリン；ダントリウムＩＶ（注射用ダントロレンナトリウム）；注射用ダントロレンナトリウム（ダントリウムＩＶ）；ダプトマイシン注射薬（キュビシン）；ダルベポエチンアルファ；ＤＤＡＶＰ注射薬（デスモプレシン酢酸塩注射薬）；Ｄｅｃａｖａｘ；デシタビン注射薬（ダコゲン）；無水アルコール（無水アルコール注射薬）；デノスマブ注射薬（プロリア）；デラテストリル；デルエストロゲン；デルテパリンナトリウム；Ｄｅｐａｃｏｎ（バルプロ酸ナトリウム注射薬）；デポメロドール（酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液）；デポサイト（シタラビンリポソーム注射薬）；デポデュール（モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬）；デスモプレシン酢酸塩注射薬（ＤＤＡＶＰ注射薬）；デポエストラジオール；デポプロベラ１０４ｍｇ／ｍｌ；デポプロベラ１５０ｍｇ／ｍｌ；デポテストステロン；注射用デキスラゾキサン、静注のみ（Ｔｏｔｅｃｔ）；ブドウ糖／電解質；ブドウ糖及び塩化ナトリウム注射薬（０．９％塩化ナトリウム中ブドウ糖５％）；ブドウ糖；ジアゼパム注射薬（ジアゼパム注射薬）；ジゴキシン注射薬（ラノキシン注射薬）；ジラウジッド－ＨＰ（ヒドロモルホン塩酸注射薬）；ジメルカープロール（Ｄｉｍｅｒｃａｒｐｒｏｌ）注射薬（Ｂａｌ ｉｎ Ｏｉｌ Ａｍｐｕｌｅｓ）；ジフェンヒドラミン注射薬（ベナドリル注射薬）；ジピリダモール注射薬（ジピリダモール注射薬）；ＤＭＯＡＤ；ドセタクセル注射用（タキソテール）；メシル酸ドラセトロン注射薬（アンゼメット注射薬）；ドリバックス（ドリペネム注射用）；ドリペネム注射用（ドリバックス）；ドキセルカルシフェロール注射薬（Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬）；ドキシル（ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬）；ドキソルビシンＨｃｌリポソーム注射薬（ドキシル）；Ｄｕｒａｃｌｏｎ（クロニジン注射薬）；Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ（モルヒネ注射薬）；Ｄｙｓｐｏｒｔ（アボボツリナムトキシンＡ注射薬）；エカランチド注射薬（Ｋａｌｂｉｔｏｒ）；ＥＣ－ナプロシン（ナプロキセン）；エデト酸カルシウム二ナトリウム注射薬（カルシウムジナトリウムベルセネート）；Ｅｄｅｘ（注射用アルプロスタジル）；Ｅｎｇｅｒｉｘ；エドロホニウム注射薬（Ｅｎｌｏｎ）；エリグルスタットターテート（Ｅｌｉｇｌｕｓｔａｔ Ｔａｒｔａｔｅ）；エロキサチン（オキサリプラチン注射薬）；イメンド注射薬（フォサプレピタントジメグルミン注射薬）；エナラプリラート注射薬（エナラプリラート注射薬）；Ｅｎｌｏｎ（エドロホニウム注射薬）；エノキサパリンナトリウム注射薬（ラブノックス）；エオビスト（ガドキセト酸二ナトリウム注射薬）；エンブレル（エタネルセプト）；エノキサパリン；Ｅｐｉｃｅｌ；エピネフェリン（Ｅｐｉｎｅｐｈｅｒｉｎｅ）；エピペン；エピペンＪｒ．；エピラツズマブ；アービタックス；エルタペネム注射薬（Ｉｎｖａｎｚ）；エリスロポエテン（Ｅｒｙｔｈｒｏｐｏｉｅｔｅｎ）；必須アミノ酸注射薬（Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ）；エストラジオールシピオネート；吉草酸エストラジオール；エタネルセプト；エキセナチド注射薬（バイエッタ）；エブロトラ（Ｅｖｌｏｔｒａ）；ファブラザイム（アダルシダーゼベータ（Ａｄａｌｓｉｄａｓｅ ｂｅｔａ））；ファモチジン注射薬；ＦＤＧ（フルデオキシグルコースＦ１８注射薬）；フェラヘム（フェルモキシトール注射薬）；フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）；Ｆｅｒｔｉｎｅｘ；フェルモキシデス注射可能溶液（フェリデックスＩ．Ｖ．）；フェルモキシトール注射薬（フェラヘム）；フラジール注射薬（メトロニダゾール注射薬）；Ｆｌｕａｒｉｘ；フルダラ（リン酸フルダラビン）；フルデオキシグルコースＦ１８注射薬（ＦＤＧ）；フルオレセイン注射薬（Ａｋ－Ｆｌｕｏｒ）；フォリスチムＡＱカートリッジ（フォリトロピンベータ注射薬）；フォリトロピンアルファ注射薬（ゴナールエフＲＦＦ）；フォリトロピンベータ注射薬（フォリスチムＡＱカートリッジ）；フォロチン（プララトレキサート溶液静注用）；フォンダパリヌクス；フォルテオ（テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬）；Ｆｏｓｔａｍａｔｉｎｉｂ；フォサプレピタントジメグルミン注射薬（イメンド注射薬）；ホスフェニトインナトリウム注射薬（ホスカビル）；ホスカビル（ホスフェニトインナトリウム注射薬）；ホスフェニトインナトリウム注射薬（Ｃｅｒｅｂｙｘ）；ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬（Ｌｕｓｅｄｒａ）；フラグミン；フゼオン（エンフビルチド）；ＧＡ１０１；ガドベン酸メグルミン注射薬（Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ）；ガドホスベセット三ナトリウム注射薬（Ａｂｌａｖａｒ）；ガドテリドール注射薬溶液（プロハンス）；カドベルセタミド注射薬（Ｏｐｔｉ
ＭＡＲＫ）；ガドキセト酸二ナトリウム注射薬（エオビスト）；ガニレリクス（ガニレリクス酢酸塩注射薬）；ガーダシル；ＧＣ１００８；ＧＤＦＤ；注射用ゲムツズマブオゾガマイシン（マイロターグ）；ジェノトロピン；ゲンタマイシン注射薬；ＧＥＮＺ－１１２６３８；ゴリムマブ注射薬（シンポニー注射薬）；ゴナールエフＲＦＦ（フォリトロピンアルファ注射薬）；グラニセトロン塩酸塩（カイトリル注射薬）；ゲンタマイシン硫酸塩；グラチラマー酢酸塩；Ｇｌｕｃａｇｅｎ；グルカゴン；ＨＡＥ１；Ｈａｌｄｏｌ（ハロペリドール注射薬）；Ｈａｖｒｉｘ；Ｈｅｃｔｏｒｏｌ注射薬（ドキセルカルシフェロール注射薬）；ヘッジホッグ経路阻害薬；へパリン；ハーセプチン；ｈＧ－ＣＳＦ；ヒューマログ；ヒト成長ホルモン；ヒューマトロープ；ＨｕＭａｘ；ヒュメゴン；ヒュミラ；ヒューマリン；イバンドロネートナトリウム注射薬（ボニバ注射薬）；イブプロフェンリシン注射薬（ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ）；フマル酸イブチリド注射薬（コルベルト）；イダマイシンＰＦＳ（イダルビシン塩酸注射薬）；イダルビシン塩酸注射薬（イダマイシンＰＦＳ）；イラリス（カナキヌマブ注射薬）；注射用イミペネム及びシラスタチン（プリマキシンＩ．Ｖ．）；イミトレックス；インコボツリナムトキシンＡ注射用（Ｘｅｏｍｉｎ）；Ｉｎｃｒｅｌｅｘ（メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；インダシンＩＶ（インドメタシン注射薬）；インドメタシン注射薬（インダシンＩＶ）；Ｉｎｆａｎｒｉｘ；イノヘップ；インスリン；インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ＮｏｖｏＬｏｇ）；インスリングラルギン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（ランタス）；インスリングルリジン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（アピドラ）；インターフェロンアルファ－２ｂ、遺伝子組換え注射用（イントロンＡ）；イントロンＡ（インターフェロンアルファ－２ｂ、遺伝子組換え注射用）；Ｉｎｖａｎｚ（エルタペネム注射薬）；Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ（パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液）；インビラーゼ（サキナビルメシル酸塩）；ヨーベングアンＩ１２３静脈内用注射薬（ＡｄｒｅＶｉｅｗ）；イオプロミド注射薬（Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ）；イオベルソール注射薬（オプチレイ注射薬）；Ｉｐｌｅｘ（メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；Ｉｐｒｉｖａｓｋ；イリノテカン塩酸（Ｃａｍｐｔｏｓａｒ注射薬）；含糖酸化鉄注射薬（ヴェノファー）；Ｉｓｔｏｄａｘ（ロミデプシン注射用）；イトラコナゾール注射薬（スポラノックス注射薬）；ジェブタナ（カバジタキセル注射薬）；Ｊｏｎｅｘａ；Ｋａｌｂｉｔｏｒ（エカランチド注射薬）；ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５ＮＳ（５％ブドウ糖及び塩化ナトリウム中塩化カリウム（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｉｎ ５％ Ｄｅｘｔｒｏｓｅ ａｎｄ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）；ＫＣＬ ｉｎ Ｄ５Ｗ；ＫＣＬ ｉｎ ＮＳ；ケナログ１０注射薬（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）；ケピバンス（パリフェルミン）；ケプラ注射薬（レベチラセタム）；ケラチノサイト；ＫＦＧ；キナーゼ阻害薬；Ｋｉｎｅｒｅｔ（アナキンラ）；Ｋｉｎｌｙｔｉｃ（ウロキナーゼ注射薬）；Ｋｉｎｒｉｘ；クロノピン（クロナゼパム）；カイトリル注射薬（グラニセトロン塩酸塩）；ラコサミド錠及び注射薬（ビンパット）；乳酸リンゲル液；ラノキシン注射薬（ジゴキシン注射薬）；ランソプラゾール注射用（プレバシドＩ．Ｖ．）；ランタス；ロイコボリンカルシウム（ロイコボリンカルシウム注射薬）；レンテ（Ｌ）；レプチン；レベミル；リューカインサルグラモスチム；ロイプロリド酢酸塩；レボチロキシン；レベチラセタム（ケプラ注射薬）；ラブノックス；レボカルニチン注射薬（Ｃａｒｎｉｔｏｒ注射薬）；レキスキャン（レガデノソン注射薬）；リオレサール髄注（バクロフェン注射薬）；リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬（ビクトーザ）；ラブノックス（エノキサパリンナトリウム注射薬）；ルセンティス（ラニビズマブ注射薬）；Ｌｕｍｉｚｙｍｅ；ルプロン（ロイプロリド酢酸塩注射薬）；Ｌｕｓｅｄｒａ（ホスプロポフォール二ナトリウム注射薬）；Ｍａｃｉ；マグネシウム硫酸塩（マグネシウム硫酸塩注射薬）；マンニトール注射薬（マンニトールＩＶ）；マーカイン（ブピバカイン塩酸及びエピネフリン注射薬）；マキシピーム（セフェピム塩酸塩注射用）；テクネチウム注射薬のＭＤＰ多用量（Ｍｕｌｔｉｄｏｓｅ）キット（テクネチウムＴｃ９９ｍメドロナート注射薬）；メカセルミン［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｎｃｒｅｌｅｘ）；メカセルミンリンファバート［ｒＤＮＡ由来］注射薬（Ｉｐｌｅｘ）；メルファランＨｃｌ注射薬（アルケラン注射薬）；メトトレキサート；メナクトラ；Ｍｅｎｏｐｕｒ（メノトロピンス注射薬）；メノトロピンス注射用（Ｒｅｐｒｏｎｅｘ）；メトヘキシタールナトリウム注射用（ブレビタールナトリウム）；メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液（メチルドーパートＨｃｌ）；メチレンブルー（メチレンブルー注射薬）；酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）；ＭｅｔＭａｂ；メトクロプラミド注射薬（Ｒｅｇｌａｎ注射薬）；Ｍｅｔｒｏｄｉｎ（ウロホリトロピン注射用）；メトロニダゾール注射薬（フラジール注射薬）；Ｍｉａｃａｌｃｉｎ；ミダゾラム（ミダゾラム注射薬）；ミンパラ（シナカレト（Ｃｉｎａｃａｌｅｔ））；ミノシン注射薬（ミノサイクリン注射薬）；ミノサイクリン注射薬（ミノシン注射薬）；ミポメルセン；ミトキサントロン注射用濃縮液（ノバントロン）；モルヒネ注射薬（Ｄｕｒａｍｏｒｐｈ）；モルヒネ硫酸塩ＸＲリポソーム注射薬（デポデュール）；モルイン酸ナトリウム（モルイン酸ナトリウム注射薬）；モテサニブ；モゾビル（プレリキサフォル注射薬）；Ｍｕｌｔｉｈａｎｃｅ（ガドベン酸メグルミン注射薬）；多電解質及びブドウ糖注射薬；多電解質注射薬；マイロターグ（注射用ゲムツズマブオゾガマイシン）；マイオザイム（アルグルコシダーゼアルファ）；ナフシリン注射薬（ナフシリンナトリウム）；ナフシリンナトリウム（ナフシリン注射薬）；ナルトレキソンＸＲ注射薬（ビビトロル；ナプロシン（ナプロキセン）；ＮｅｏＰｒｏｆｅｎ（イブプロフェンリシン注射薬）；ナンドロルデカン酸エステル（Ｎａｎｄｒｏｌ Ｄｅｃａｎｏａｔｅ）；ネオスチグミンメチル硫酸塩（ネオスチグミンメチル硫酸塩注射薬）；ＮＥＯ－ＧＡＡ；ＮｅｏＴｅｃｔ（テクネチウムＴｃ９９ｍデプレオチド注射薬）；Ｎｅｐｈｒａｍｉｎｅ（必須アミノ酸注射薬）；Ｎｅｕｌａｓｔａ（ペグフィルグラスチム）；Ｎｅｕｐｏｇｅｎ（フィルグラスチム）；ノボリン；Ｎｏｖｏｌｏｇ；ＮｅｏＲｅｃｏｒｍｏｎ；Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ（グルコン酸トリメトレキサート注射薬）；ＮＰＨ（Ｎ）；Ｎｅｘｔｅｒｏｎｅ（アミオダロンＨＣｌ注射薬）；ノルディトロピン（ソマトロピン注射薬）；生理食塩水（塩化ナトリウム注射薬）；ノバントロン（ミトキサントロン注射用濃縮液）；ノボリン７０／３０イノレット（７０％ＮＰＨ、ヒトインスリンイソフェン懸濁液及び３０％レギュラー、ヒトインスリン注射薬）；ＮｏｖｏＬｏｇ（インスリンアスパルト［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；Ｎｐｌａｔｅ（ロミプロスチム）；ニュートロピン（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）；ニュートロピンＡＱ；ニュートロピンデポ（Ｄｅｐｏｔ）（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用）；オクトレオチド酢酸塩注射薬（サンドスタチンＬＡＲ）；オクレリズマブ；オファツムマブ注射薬（アーゼラ）；徐放性オランザピン懸濁注射液（Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ）；Ｏｍｎｉｔａｒｇ；Ｏｍｎｉｔｒｏｐｅ（ソマトロピン［ｒＤＮＡ由来］注射薬）；オンダンセトロン塩酸注射薬（ゾフラン注射薬）；ＯｐｔｉＭＡＲＫ（カドベルセタミド注射薬）；オプチレイ注射薬（イオベルソール注射薬）；オレンシア；Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ａｖｉｖａ（マンニトール注射薬、Ａｖｉｖａプラスチック薬剤）；Ｏｓｍｉｔｒｏｌ注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘ（マンニトール注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック薬剤）；オステオプロテグリン（Ｏｓｔｅｏｐｒｏｔｅｇｒｉｎ）；Ｏｖｉｄｒｅｌ（絨毛性ゴナドトロピンアルファ注射薬）；オキサシリン（オキサシリン注射用）；オキサリプラチン注射薬（エロキサチン）；オキシトシン注射薬（ピトシン）；パリペリドンパルミチン酸エステル持効性懸濁注射液（Ｉｎｖｅｇａ Ｓｕｓｔｅｎｎａ）；パミドロン酸二ナトリウム注射薬（パミドロン酸二ナトリウム注射薬）；パニツムマブ静注用（ベクティビックス）；パパベリン塩酸塩注射薬（パパベリン注射薬）；パパベリン注射薬（パパベリン塩酸塩注射薬）；副甲状腺ホルモン；パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル（Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬）；ＰＡＲＰ阻害薬；Ｐｅｄｉａｒｉｘ；ペグイントロン；ペグインターフェロン；ペグフィルグラスチム；ペニシリンＧベンザチン及びペニシリンＧプロカイン；ペンテト酸カルシウム三ナトリウム注射薬（Ｃａ－ジエチレントリアミン五酢酸）；ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬（Ｚｎ－ジエチレントリアミン五酢酸）；ペプシド注射薬（ファモチジン注射薬）；Ｐｅｒｇｏｎａｌ；ペルツズマブ；フェントラミンメシル酸塩（フェントラミンメシル酸塩注射用）；サリチル酸フィゾスチグミン（サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬））；サリチル酸フィゾスチグミン（注射薬）（サリチル酸フィゾスチグミン）；ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬（ゾシン）；ピトシン（オキシトシン注射薬）；Ｐｌａｓｍａ－Ｌｙｔｅ１４８（多電解質注射薬）；Ｐｌａｓｍａ－Ｌｙｔｅ５６及びブドウ糖（多電解質及びブドウ糖注射薬、Ｖｉａｆｌｅｘプラスチック薬剤包装）；ＰｌａｓｍａＬｙｔｅ；プレリキサフォル注射薬（モゾビル）；ポリドカノール注射薬（Ａｓｃｌｅｒａ）；塩化カリウム；プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）；酢酸プラムリンタイド注射薬（Ｓｙｍｌｉｎ）；プレマリン注射薬（注射用結合型エストロゲン）；注射用テクネチウムＴｃ９９セスタミビ用調製キット（Ｐｒｅｐ ｋｉｔ）（カーディオライト）；プレバシドＩ．Ｖ．（ランソプラゾール注射用）；プリマキシンＩ．Ｖ．（注射用イミペネム及びシラスタチン）；Ｐｒｏｃｈｙｍａｌ；プロクリット；黄体ホルモン；プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）；プロリア（デノスマブ注射薬）；プロメタジンＨＣｌ注射薬（プロメタジン塩酸注射薬）；プロプラノロール塩酸塩注射薬（プロプラノロール塩酸塩注射薬）；グルコン酸キニジン注射薬（キニジン注射薬）；キニジン注射薬（グルコン酸キニジン注射薬）；Ｒ－Ｇｅｎｅ１０（塩酸アルギニン注射薬）；ラニビズマブ注射薬（ルセンティス）；ラニチジン塩酸塩注射薬（ザンタック注射薬）；ラプティバ；リクラスト（ゾレドロン酸注射薬）；Ｒｅｃｏｍｂｉｖａｒｉｘ ＨＢ；レガデノソン注射薬（レキスキャン）；Ｒｅｇｌａｎ注射薬（メトクロプラミド注射薬）；レミケード；レナジェル；Ｒｅｎｖｅｌａ（炭酸セベラマー）；Ｒｅｐｒｏｎｅｘ（メノトロピンス注射用）；レトロビルＩＶ（ジドブジン注射薬）；ｒｈＡｐｏ２Ｌ／ＴＲＡＩＬ；リンゲル及び５％ブドウ糖注射薬（ブドウ糖加リンガー液（Ｒｉｎｇｅｒｓ））；リンゲル液（リンガー（Ｒｉｎｇｅｒｓ）液）；リツキサン；リツキシマブ；ロセフィン（セフトリアキソン）；ロクロニウム臭化物注射薬（Ｚｅｍｕｒｏｎ）；Ｒｏｆｅｒｏｎ－Ａ（インターフェロンアルファ－２ａ）；Ｒｏｍａｚｉｃｏｎ（フルマゼニル）；ロミデプシン注射用（Ｉｓｔｏｄａｘ）；サイゼン（ソマトロピン注射薬）；サンドスタチンＬＡＲ（オクトレオチド酢酸塩注射薬）；スクレロスチンＡｂ；Ｓｅｎｓｉｐａｒ（シナカルセト）；Ｓｅｎｓｏｒｃａｉｎｅ（ブピバカインＨＣＩ注射薬）；Ｓｅｐｔｏｃａｉｎｅ（アルチケーンＨＣｌ（Ａｒｔｉｃａｎｅ ＨＣｌ）及びエピネフリン注射薬）；Ｓｅｒｏｓｔｉｍ ＬＱ（ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射薬）；シンポニー注射薬（ゴリムマブ注射薬）；ナトリウム酢酸塩（ナトリウム酢酸塩注射薬；炭酸水素ナトリウム（炭酸水素ナトリウム５％注射薬）；乳酸ナトリウム（乳酸ナ
トリウム注射薬、ＡＶＩＶＡ）；フェニル酢酸ナトリウム及び安息香酸ナトリウム注射薬（Ａｍｍｏｎｕｌ）；ソマトロピン（ｒＤＮＡ由来）注射用（ニュートロピン）；スポラノックス注射薬（イトラコナゾール注射薬）；ステラーラ注射薬（ウステキヌマブ）；Ｓｔｅｍｇｅｎ；Ｓｕｆｅｎｔａ（クエン酸スフェンタニル注射薬）；クエン酸スフェンタニル注射薬（Ｓｕｆｅｎｔａ）；Ｓｕｍａｖｅｌ；スマトリプタン注射薬（Ａｌｓｕｍａ）；Ｓｙｍｌｉｎ；Ｓｙｍｌｉｎ Ｐｅｎ；全身用ヘッジホッグ（Ｓｙｓｔｅｍｉｃ Ｈｅｄｇｅｈｏｇ）拮抗薬；Ｓｙｎｖｉｓｃ－Ｏｎｅ（ヒラン（Ｈｙｌａｎ）Ｇ－Ｆ２０単回関節内注射薬）；タルセバ；タキソテール（ドセタクセル注射用）；テクネチウムＴｃ９９ｍ；テラバンシン注射用（ヴィバティブ）；テムシロリムス注射薬（トーリセル）；テノーミンＩ．Ｖ．注射薬（アテノロール注射薬）；テリパラチド（ｒＤＮＡ由来）注射薬（フォルテオ）；テストステロンシピオネート；テストステロンエナント酸エステル；テストステロンプロピオン酸エステル；Ｔｅｖ－Ｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン、ｒＤＮＡ由来、注射用）；ｔｇＡＡＣ９４；塩化タリウム；テオフィリン；チオテパ（チオテパ注射薬）；サイモグロブリン（抗胸腺細胞免疫グロブリン（ウサギ）；タイロゲン（チロトロピンアルファ注射用）；チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ）（チメンチン注射薬）；Ｔｉｇａｎ注射薬（塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ）；チメンチン注射薬（チカルシリンナトリウム及びクラブラン酸カリウムギャラクシー（Ｇａｌａｘｙ）；ＴＮＫａｓｅ；トブラマイシン注射薬（トブラマイシン注射薬）；トシリズマブ注射薬（アクテムラ）；トーリセル（テムシロリムス注射薬）；Ｔｏｔｅｃｔ（注射用デキスラゾキサン、静注のみ）；トラスツズマブ－ＤＭ１；Ｔｒａｖａｓｏｌ（アミノ酸（注射薬））；トレアンダ（塩酸ベンダムスチン注射薬）；トレルスター（トリプトレリンパモエート懸濁注射液用）；トリアムシノロンアセトニ；酢酸トリアムシノロン；トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液（アリストスパン注射薬２０ｍｇ）；Ｔｒｉｅｓｅｎｃｅ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）；塩酸トリメトベンズアミド注射可能物質（ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ）（Ｔｉｇａｎ注射薬）；グルコン酸トリメトレキサート注射薬（Ｎｅｕｔｒｅｘｉｎ）；トリプトレリンパモエート懸濁注射液用（トレルスター）；Ｔｗｉｎｊｅｃｔ；Ｔｒｉｖａｒｉｓ（トリアムシノロンアセトニド懸濁注射液）；トリセノックス（三酸化ヒ素注射薬）；Ｔｗｉｎｒｉｘ；腸チフスＶｉ；Ｕｌｔｒａｖｉｓｔ（イオプロミド注射薬）；ウロホリトロピン注射用（Ｍｅｔｒｏｄｉｎ）；ウロキナーゼ注射薬（Ｋｉｎｌｙｔｉｃ）；ウステキヌマブ（ステラーラ注射薬）；ウルトラレンテ（Ｕ）；バリウム（ジアゼパム）；バルプロ酸ナトリウム注射薬（Ｄｅｐａｃｏｎ）；Ｖａｌｔｒｏｐｉｎ（ソマトロピン注射薬）；バルプロ酸ナトリウム（バルプロ酸ナトリウム注射薬）；バルプロ酸ナトリウム注射薬（バルプロ酸ナトリウム）；バプリゾール（コニバプタンＨｃｌ注射薬）；ＶＡＱＴＡ；バソビスト（ガドホスベセット三ナトリウム静注用）；ベクティビックス（パニツムマブ静注用）；ヴェノファー（含糖酸化鉄注射薬）；ベルテポルフィン注射薬（ビスダイン）；ヴィバティブ（テラバンシン注射用）；ビクトーザ（リラグルチド［ｒＤＮＡ］注射薬）；ビンパット（ラコサミド錠及び注射薬）；ビンブラスチン硫酸塩（ビンブラスチン硫酸塩注射薬）；Ｖｉｎｃａｓａｒ ＰＦＳ（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）；ビクトーザ；ビンクリスチン硫酸塩（ビンクリスチン硫酸塩注射薬）；ビスダイン（ベルテポルフィン注射薬）；ビタミンＢ－１２；ビビトロル（ナルトレキソンＸＲ注射薬）；ボルベン（塩化ナトリウム中ヒドロキシエチルデンプン（Ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌ Ｓｔａｒｃｈ ｉｎ Ｓｏｄｉｕｍ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）注射薬）；ゼローダ；ゼニカル（オルリスタット）；Ｘｅｏｍｉｎ（インコボツリナムトキシンＡ注射用）；ゾレア；ザンタック注射薬（ラニチジン塩酸塩注射薬）；Ｚｅｍｐｌａｒ注射薬（パリカルシトール注射薬フリップトップ型バイアル）；Ｚｅｍｕｒｏｎ（ロクロニウム臭化物注射薬）；ゼナパックス（ダクリズマブ）；ゼバリン；ジドブジン注射薬（レトロビルＩＶ）；ジスロマック注射薬（アジスロマイシン）；Ｚｎ－ジエチレントリアミン五酢酸（ペンテト酸亜鉛三ナトリウム注射薬）；ゾフラン注射薬（オンダンセトロン塩酸注射薬）；Ｚｉｎｇｏ；ゾレドロン酸注射用（ゾメタ）；ゾレドロン酸注射薬（リクラスト）；ゾメタ（ゾレドロン酸注射用）；ゾシン（ピペラシリン及びタゾバクタム注射薬）；Ｚｙｐｒｅｘａ Ｒｅｌｐｒｅｖｖ（徐放性オランザピン懸濁注射液）
液剤（非注射型）
エビリファイ；ＡｃｃｕＮｅｂ（アルブテロール硫酸塩吸入液）；Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ（薬用炭懸濁液）；薬用炭懸濁液（Ａｃｔｉｄｏｓｅ Ａｑｕａ）；アドベア；Ａｇｅｎｅｒａｓｅ経口液（アンプレナビル経口液）；Ａｋｔｅｎ（リドカイン塩酸塩眼用ゲル）；Ａｌａｍａｓｔ（ペミロラストカリウム点眼液）；アルブミン（ヒト）５％溶液（ブミネート５％）；アルブテロール硫酸塩吸入液；Ａｌｉｎｉａ；Ａｌｏｃｒｉｌ；アルファガン；Ａｌｒｅｘ；オルベスコ；アンプレナビル経口液；Ａｎａｌｐｒａｍ－ＨＣ；アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液（Ｂｒｏｖａｎａ）；アリストスパン注射薬２０ｍｇ（トリアムシノロンヘキサアセトニド懸濁注射液）；アサコール；アズマネックス；Ａｓｔｅｐｒｏ；Ａｓｔｅｐｒｏ（アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー）；アトロベント鼻用スプレー（臭化イプラトロピウム鼻用スプレー）；アトロベント鼻用スプレー０．０６；オーグメンチンＥＳ－６００；Ａｚａｓｉｔｅ（アジスロマイシン点眼液）；アゼライン酸（Ｆｉｎａｃｅａゲル）；アゼラスチン塩酸塩鼻用スプレー（Ａｓｔｅｐｒｏ）；Ａｚｅｌｅｘ（アゼライン酸クリーム）；エイゾプト（ブリンゾラミド懸濁性点眼液）；静菌性生理食塩水（Ｂａｃｔｅｒｉｏｓｔａｔｉｃ Ｓａｌｉｎｅ）；平衡塩類（ｂａｌａｎｃｅｄ ｓａｌｔ）；ベポタスチン；バクトロバン鼻腔用；バクトロバン；Ｂｅｃｌｏｖｅｎｔ；Ｂｅｎｚａｃ Ｗ；Ｂｅｔｉｍｏｌ；ベトプティックエス；Ｂｅｐｒｅｖｅ；ビマトプロスト点眼液；Ｂｌｅｐｈ １０（スルファセタミドナトリウム点眼液１０％）；ブリンゾラミド懸濁性点眼液（エイゾプト）；ブロムフェナク点眼液（Ｘｉｂｒｏｍ）；Ｂｒｏｍｈｉｓｔ；Ｂｒｏｖａｎａ（アルフォルモテロール酒石酸塩吸入液）；ブデソニド吸入用懸濁液（パルミ皮膜吸入液）；Ｃａｍｂｉａ（ジクロフェナクカリウム経口液用）；Ｃａｐｅｘ；Ｃａｒａｃ；Ｃａｒｂｏｘｉｎｅ－ＰＳＥ；Ｃａｒｎｉｔｏｒ；Ｃａｙｓｔｏｎ（アズトレオナム吸入液用）；セルセプト；Ｃｅｎｔａｎｙ；Ｃｅｒｕｍｅｎｅｘ；Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液（シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液）；Ｃｉｐｒｏｄｅｘ；シプロフロキサシンＨＣＬ点眼液（Ｃｉｌｏｘａｎ点眼液）；クレマスチンフマル酸塩シロップ（クレマスチンフマル酸塩シロップ）；ＣｏＬｙｔｅ（ＰＥＧ電解質溶液）；Ｃｏｍｂｉｖｅｎ；コムタン；Ｃｏｎｄｙｌｏｘ；Ｃｏｒｄｒａｎ；Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ懸濁性点眼液；Ｃｏｒｔｉｓｐｏｒｉｎ耳用懸濁液；クロモリンナトリウム吸入液（ＩｎｔａｌＮｅｂｕｌｉｚｅｒ溶液）；ロモリンナトリウム点眼液（Ｏｐｔｉｃｒｏｍ）；電解質加結晶アミノ酸溶液（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ａｍｉｎｏ Ａｃｉｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅｓ）（Ａｍｉｎｏｓｙｎ電解質）；Ｃｕｔｉｖａｔｅ；Ｃｕｖｐｏｓａ（グリコピロレート経口液）；シアノコバラミン（ＣａｌｏＭｉｓｔ鼻用スプレー）；サイクロスポリン経口液（Ｇｅｎｇｒａｆ経口液）；サイクロジル；Ｃｙｓｖｉｅｗ（ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））；ＤｅｒｍＯｔｉｃオイル（フルオシノロンアセトニドオイル点耳薬（Ｏｉｌ Ｅａｒ Ｄｒｏｐｓ））；デスモプレシン酢酸塩鼻用スプレー；ＤＤＡＶＰ；Ｄｅｒｍａ－Ｓｍｏｏｔｈｅ／ＦＳ；デキサメサゾンＩｎｔｅｎｓｏｌ；ダイアニール低カルシウム；ダイアニールＰＤ；ジクロフェナクカリウム経口液用（Ｃａｍｂｉａ）；ジダノシン小児用散経口液用（ヴァイデックス）；ディフェリン；ディランチン１２５（フェニトイン経口懸濁液）；Ｄｉｔｒｏｐａｎ；ドルゾラミド塩酸塩点眼液（トルソプト）；ドルゾラミド塩酸塩－チモロールマレイン酸塩点眼液（コソプト）；ドボネックススカルプ（Ｓｃａｌｐ）（カルシポトリエン溶液）；ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液（ビブラマイシン経口用）；Ｅｆｕｄｅｘ；エラプレース（イデュルスルファーゼ溶液）；Ｅｌｅｓｔａｔ（エピナスチンＨＣｌ点眼液）；Ｅｌｏｃｏｎ；エピナスチンＨＣｌ点眼液（Ｅｌｅｓｔａｔ）；エピビルＨＢＶ；Ｅｐｏｇｅｎ（エポエチンアルファ）；エリスロマイシン局所用液１．５％（Ｓｔａｔｉｃｉｎ）；Ｅｔｈｉｏｄｏｌ（エチオダイズド油）；エトスクシミド経口液（ザロンチン経口液）；オイラックス；Ｅｘｔｒａｎｅａｌ（イコデキストリン腹膜透析溶液）；Ｆｅｌｂａｔｏｌ；フェリデックスＩ．Ｖ．（フェルモキシデス注射可能溶液）；Ｆｌｏｖｅｎｔ；Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬（オフロキサシン耳科用液）；Ｆｌｏ－Ｐｒｅｄ（プレドニゾロン酢酸エステル経口懸濁液）；Ｆｌｕｏｒｏｐｌｅｘ；フルニソリド点鼻液（フルニソリド鼻用スプレー．０２５％）；フルオロメトロン懸濁性点眼液（ＦＭＬ）；フルルビプロフェンナトリウム点眼液（Ｏｃｕｆｅｎ）；ＦＭＬ；Ｆｏｒａｄｉｌ；フマル酸ホルモテロール吸入液（Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ）；フォサマックス；フラダンチン（ニトロフラントイン経口懸濁液）；フロキソン；ガンマガード液（静注用免疫グロブリン（ヒト）１０％）；ガントリシン（アセチルスルフイソキサゾール小児用懸濁液）；ガチフロキサシン点眼液（Ｚｙｍａｒ）；Ｇｅｎｇｒａｆ経口液（サイクロスポリン経口液）；グリコピロレート経口液（Ｃｕｖｐｏｓａ）；ハルシノニド局所用液（Ｈａｌｏｇ溶液）；Ｈａｌｏｇ溶液（ハルシノニド局所用液）；ＨＥＰ－ＬＯＣＫ Ｕ／Ｐ（防腐剤無添加ヘパリンロック用フラッシュ液）；ヘパリンロック用フラッシュ液（Ｈｅｐｆｌｕｓｈ １０；ヘキサミノレブリナート塩酸塩膀胱内溶液（Ｉｎｔｒａｖｅｓｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（Ｃｙｓｖｉｅｗ）；酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液（Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ）；ヒドロキノン３％局所用液（Ｍｅｌｑｕｉｎ－３局所用液）；ＩＡＰ拮抗薬；Ｉｓｏｐｔｏ；臭化イプラトロピウム鼻用スプレー（アトロベント鼻用スプレー）；イトラコナゾール経口液（スポラノックス経口液）；ケトロラクトロメタミン点眼液（Ａｃｕｌａｒ ＬＳ）；カレトラ；ラノキシン；レクシヴァ；ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用（ルプロンデポ１１．２５ｍｇ）；レボベタキソロール塩酸塩懸濁性点眼液（ベタキソン）；レボカルニチン錠、経口液、無糖（Ｃａｒｎｉｔｏｒ）；レボフロキサシン点眼液０．５％（Ｑｕｉｘｉｎ）；リドカインＨＣｌ無菌液（キシロカインＭＰＦ無菌液）；Ｌｏｋ Ｐａｋ（ヘパリンロック用フラッシュ液）；ロラゼパムＩｎｔｅｎｓｏｌ；Ｌｏｒｔａｂ Ｅｌｉｘｉｒ（酒石酸水素ヒドロコドン及びアセトアミノフェン経口液）；Ｌｏｔｅｍａｘ（エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液）；エタボン酸ロテプレドノール懸濁性点眼液（Ａｌｒｅｘ）；低カルシウム腹膜透析溶液（ダイアニール低カルシウム）；ルミガン（ビマトプロスト点眼液０．０３％緑内障用）；ルプロンデポ１１．２５ｍｇ（ロイプロリド酢酸塩デポー懸濁液用）；メゲストロール酢酸塩経口懸濁液（メゲストロール酢酸塩経口懸濁液）；ＭＥＫ阻害薬；Ｍｅｐｒｏｎ；Ｍｅｓｎｅｘ；メスチノン；メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ）（Ｒｏｗａｓａ）；Ｍｅｌｑｕｉｎ－３局所用液（ヒドロキノン３％局所用液）；ＭｅｔＭａｂ；メチルドーパートＨｃｌ（メチルドーパート塩酸塩注射薬、溶液）；Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液（メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ）；酢酸メチルプレドニゾロン懸濁注射液（デポメロドール）；メチルフェニデートＨＣｌ経口液５ｍｇ／５ｍＬ及び１０ｍｇ／５ｍＬ（Ｍｅｔｈｙｌｉｎ経口液）；コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム（ソルメドロール）；メチプラノロール点眼液（Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ）；Ｍｉｇｒａｎａｌ；Ｍｉｏｃｈｏｌ－Ｅ（アセチルコリン塩化物眼内溶液（Ｉｎｔｒａｏｃｕｌａｒ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））；Ｍｉｃｒｏ－Ｋ液体懸濁液用（塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用）；ミノシン（ミノサイクリン塩酸経口懸濁液）；ナサ皮膜；ネオマイシン硫酸塩及びポリミキシンＢ硫酸塩及びヒドロコルチゾン；ネパフェナク懸濁性点眼液（ネバナック）；ネバナック（ネパフェナク懸濁性点眼液）；ニトロフラントイン経口懸濁液（フラダンチン）；Ｎｏｘａｆｉｌ（ポサコナゾール経口懸濁液）；ニスタチン（経口）（ニスタチン経口懸濁液）；ニスタチン経口懸濁液（ニスタチン（経口））；Ｏｃｕｆｅｎ（フルルビプロフェンナトリウム点眼液）；オフロキサシン点眼液（オフロキサシン点眼液）；オフロキサシン耳科用液（Ｆｌｏｘｉｎ耳用薬）；オロパタジン塩酸点眼液（Ｐａｔａｄａｙ）；Ｏｐｔｉｃｒｏｍ（クロモリンナトリウム点眼液）；Ｏｐｔｉｐｒａｎｏｌｏｌ（メチプラノロール点眼液）；パタノール；Ｐｅｄｉａｐｒｅｄ；ＰｅｒｉｏＧａｒｄ；フェニトイン経口懸濁液（ディランチン１２５）；Ｐｈｉｓｏｈｅｘ；ポサコナゾール経口懸濁液（Ｎｏｘａｆｉｌ）；塩化カリウム徐放製剤液体懸濁液用（Ｍｉｃｒｏ－Ｋ液体懸濁液用）；Ｐａｔａｄａｙ（オロパタジン塩酸点眼液）；Ｐａｔａｎａｓｅ鼻用スプレー（オロパタジン塩酸鼻用スプレー）；ＰＥＧ電解質溶液（ＣｏＬｙｔｅ）；ペミロラストカリウム点眼液（Ａｌａｍａｓｔ）；Ｐｅｎｌａｃ（シクロピロクス局所用液）；ＰＥＮＮＳＡＩＤ（ジクロフェナクナトリウム局所用液）；Ｐｅｒｆｏｒｏｍｉｓｔ（フマル酸ホルモテロール吸入液）；腹膜透析溶液；フェニレフリン塩酸塩点眼液（ネオシネフリン）；フォスフォリンアイオダイド（エコチオパートヨウ化物点眼液用）；ポドフィロックス（ポドフィロックス局所用液）；Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ（プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液）；プララトレキサート溶液静注用（フォロチン）；Ｐｒｅｄ Ｍｉｌｄ；Ｐｒｅｄｎｉｓｏｎｅ Ｉｎｔｅｎｓｏｌ；プレドニゾロン酢酸エステル懸濁性点眼液（Ｐｒｅｄ Ｆｏｒｔｅ）；プレバシド；ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液（滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ））；プロエアー；Ｐｒｏｇｌｙｃｅｍ；プロハンス（ガドテリドール注射薬溶液）；塩酸プロパラカイン点眼液（Ａｌｃａｉｎｅ）；Ｐｒｏｐｉｎｅ；パルミ皮膜；プルモザイム；Ｑｕｉｘｉｎ（レボフロキサシン点眼液０．５％）；ＱＶＡＲ；ラパミューン；レベトール；Ｒｅｌａｃｏｎ－ＨＣ；ロタリックス（経口生ロタウイルスワクチン懸濁液）；経口生ロタウイルスワクチン懸濁液（ロタリックス）；Ｒｏｗａｓａ（メサラミン注腸剤（Ｒｅｃｔａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ Ｅｎｅｍａ））；サブリル（ビガバトリン経口液）；サクロシダーゼ経口液（Ｓｕｃｒａｉｄ）；サンディミュン；Ｓｅｐｒａ；Ｓｅｒｅｖｅｎｔ Ｄｉｓｋｕｓ；ソルコーテフ（ヒドロコルチゾンコハク酸エステルナトリウム）；ソルメドロール（コハク酸メチルプレドニゾロンナトリウム）；スピリーバ；スポラノックス経口液（イトラコナゾール経口液）；Ｓｔａｔｉｃｉｎ（エリスロマイシン局所用液１．５％）；スタレボ；Ｓｔａｒｌｉｘ；滅菌血液濾過（Ｓｔｅｒｉｌｅ Ｈｅｍｏｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）血液濾過透析溶液（Ｈｅｍｏｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）（ＰｒｉｓｍａＳｏｌ溶液）；Ｓｔｉｍａｔｅ；スクラルファート（カラファート懸濁液）；スルファセタミドナトリウム点眼液１０％（Ｂｌｅｐｈ １０；Ｓｙｎａｒｅｌ点鼻液（子宮内膜症用酢酸ナファレリン点鼻液）；Ｔａｃｌｏｎｅｘ Ｓｃａｌｐ（カルシポトリエン及びジプロピオン酸ベタメタゾン局所懸濁液（Ｔｏｐｉｃａｌ Ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ））；タミフル；トービイ；ＴｏｂｒａＤｅｘ；Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ（トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％）；トブラマイシン／デキサメサゾン懸濁性点眼液０．３％／０．０５％（Ｔｏｂｒａｄｅｘ ＳＴ）；チモロール；Ｔｉｍｏｐｔｉｃ；トラバタンズ；トレプロスチニル吸入液（Ｔｙｖａｓｏ）；トルソプト（ドルゾラミド塩酸塩点眼液）；Ｔｙｖａｓｏ（トレプロスチニル吸入液）；ベントリン；ブイフェンド；ビブラマイシン経
口用（ドキシサイクリンカルシウム経口懸濁液）；ヴァイデックス（ジダノシン小児用散経口液用）；ビガバトリン経口液（サブリル）；Ｖｉｏｋａｓｅ；ビラセプト；ビラミューン；ビタミンＫ１（ビタミンＫ１の流体コロイド溶液）；ボルタレン眼科用薬（ジクロフェナクナトリウム点眼液）；ザロンチン経口液（エトスクシミド経口液）；ザイアジェン；ザイボックス；Ｚｙｍａｒ（ガチフロキサシン点眼液）；Ｚｙｍａｘｉｄ（ガチフロキサシン点眼液）
薬物の種類
５α還元酵素阻害薬；５－アミノサリチル酸塩；５ＨＴ３受容体拮抗薬；アダマンタン抗ウイルス薬；副腎皮質ステロイド；副腎皮質ホルモン阻害薬；アドレナリン作動性気管支拡張薬；高血圧性緊急疾患用薬；肺高血圧症用薬剤；アルドステロン受容体拮抗薬；アルキル化薬；αアドレナリン受容体拮抗薬；αグルコシダーゼ阻害薬；代替薬；殺アメーバ薬；アミノグリコシド；アミノペニシリン類；アミノサリチル酸塩；アミリン類似体；鎮痛薬配合剤；鎮痛薬；アンドロゲン及びアナボリックステロイド；アンジオテンシン変換酵素阻害薬；アンジオテンシンＩＩ阻害薬；肛門直腸製剤；食欲抑制薬；制酸薬；駆虫薬；抗血管原性眼用薬；抗ＣＴＬＡ－４モノクローナル抗体；感染症薬；抗アドレナリン作動薬、中枢作用型；抗アドレナリン作動薬、末梢作用型；抗アンドロゲン薬；抗狭心症薬；抗不整脈薬；抗喘息薬配合剤；抗生物質／抗腫瘍薬；抗コリン性制吐剤；抗コリン性抗パーキンソン薬；抗コリン性気管支拡張薬；抗コリン性変時性薬；抗コリン作動薬／鎮痙薬；凝固阻止剤；抗痙攣薬；抗うつ薬；抗糖尿病薬；抗糖尿病薬配合剤；止瀉薬；抗利尿ホルモン；解毒薬；制吐薬／抗暈眩薬；抗真菌薬；抗ゴナドトロピン薬；痛風治療薬；抗ヒスタミン薬；高脂血症用薬；高脂血症用配合剤；降圧配合剤；尿酸降下薬；抗マラリア薬；抗マラリア薬配合剤；抗マラリア薬キノリン類；代謝拮抗薬；抗片頭痛薬；抗腫瘍性解毒剤；抗腫瘍性インターフェロン；抗腫瘍性モノクローナル抗体；抗腫瘍薬；抗パーキンソン薬；抗血小板薬；抗緑膿菌ペニシリン系薬；抗乾癬薬；抗精神病薬；抗リウマチ薬；防腐薬及び殺菌薬；抗甲状腺薬；抗毒素及び抗蛇毒素；抗結核薬；抗結核薬配合剤；鎮咳薬；抗ウイルス薬；抗ウイルス配合剤；抗ウイルスインターフェロン；抗不安薬、鎮静薬、及び催眠薬；アロマターゼ阻害薬；非定型抗精神病薬；アゾ－ル抗真菌薬；細菌性ワクチン；バルビツール酸系抗痙攣薬；バルビツール薬；ＢＣＲ－ＡＢＬチロシンナーゼ阻害薬；ベンゾジアゼピン系抗痙攣薬；ベンゾジアゼピン；βアドレナリン遮断薬；βラクタマーゼ阻害薬；胆汁酸金属イオン封鎖剤；生物学的製剤；ビスホスホネート製剤；骨吸収阻害薬；気管支拡張薬配合剤；気管支拡張薬；カルシトニン；カルシウムチャネル遮断薬；カルバメート系抗痙攣薬；カルバペネム；炭酸脱水酵素阻害抗痙攣薬；炭酸脱水酵素阻害薬；心緊張薬（ｃａｒｄｉａｃ ｓｔｒｅｓｓｉｎｇ ａｇｅｎｔ）；心選択性β遮断薬；心血管作動薬；カテコールアミン；ＣＤ２０モノクローナル抗体；ＣＤ３３モノクローナル抗体；ＣＤ５２モノクローナル抗体；中枢神経系薬；セファロスポリン；耳垢水；キレート剤；ケモカイン受容体拮抗薬；クロライドチャネルアクチベーター；コレステロール吸収阻害薬；コリン作動薬；コリン作動性筋興奮薬；コリンエステラーゼ阻害薬；中枢興奮薬；凝固調整剤；コロニー刺激因子；避妊薬；副腎皮質刺激ホルモン；クマリン類及びインダンジオン類；ｃｏｘ－２阻害薬；充血除去薬；外皮用薬；診断的放射性医薬品；ジベンザゼピン系抗痙攣薬；消化酵素；ジペプチジルペプチダーゼ４阻害薬；利尿薬；ドパミン作用性抗パーキンソン薬；アルコール依存性に使用される薬物；エキノカンジン；ＥＧＦＲ阻害薬；エストロゲン受容体拮抗薬；エストロゲン；去痰薬；第Ｘａ因子阻害剤；脂肪酸誘導体抗痙攣薬；フィブリン酸誘導体；第１世代セファロスポリン；第４世代セファロスポリン；機能性腸疾患薬；胆石可溶化薬；ＧＡＢＡ類似体；ＧＡＢＡ再取り込み阻害薬；ＧＡＢＡトランスアミナーゼ阻害薬；胃腸薬；全身麻酔薬；尿生殖路薬；胃腸刺激薬；グルココルチコイド；グルコース上昇剤；グリコペプチド系抗生物質；糖タンパク質血小板阻害薬；グリシルシクリン類；ゴナドトロピンおうｓｈホルモン；ゴナドトロピン放出ホルモン拮抗薬；ゴナドトロピン；Ｉ群抗不整脈薬；ＩＩ群抗不整脈薬；ＩＩＩ群抗不整脈薬；ＩＶ群抗不整脈薬；Ｖ群抗不整脈薬；成長ホルモン受容体遮断薬；成長ホルモン；ヘリコバクターピロリ除菌薬；Ｈ２拮抗薬；造血幹細胞モビライザー（ｍｏｂｉｌｉｚｅｒ）；へパリン拮抗薬；へパリン；ＨＥＲ２阻害薬；植物製品；ヒストン脱アセチル化酵素阻害薬；ホルモン補充療法；ホルモン；ホルモン／抗腫瘍薬；ヒダントイン系抗痙攣薬；違法（ストリート）薬物；免疫グロブリン；免疫薬；免疫抑制薬；インポテンス薬；インビボ診断生物学的製剤；インクレチンミメティクス；吸入感染症薬；吸入コルチコステロイド；強心薬；インスリン；インスリン様増殖因子；インテグラーゼ鎖移転阻害薬；インターフェロン；静脈内栄養製品；ヨード造影剤；イオン化ヨード造影剤；鉄製品；ケトライド類；緩下薬；鎮癩薬；ロイコトリエン調整剤；リンコマイシン誘導体；脂質化グリコペプチド；局所注射麻酔薬；ループ利尿薬；肺表面活性剤；リンパ管染色剤；リソソーム酵素；マクロライド誘導体；マクロライド類；磁気共鳴イメージング造影剤；肥満細胞安定化剤；医療ガス；メグリチニド類；代謝薬；メチルキサンチン類；ミネラルコルチコイド；ミネラル及び電解質；その他薬剤；その他鎮痛薬；その他抗生物質；その他抗痙攣薬；その他抗うつ薬；その他抗糖尿病薬；その他制吐剤；その他抗真菌薬；その他高脂血症用薬；その他抗マラリア薬；その他抗腫瘍薬；その他抗パーキンソン；その他抗精神病薬；その他抗結核薬；その他抗ウイルス薬；その他抗不安薬、鎮静薬及び催眠薬；その他生物学的製剤；その他骨吸収阻害薬；その他心血管作動薬；その他中枢神経系薬；その他凝固調整剤；その他利尿薬；その他尿生殖路薬；その他ＧＩ薬；その他ホルモン；その他代謝薬；その他眼用薬；その他耳用薬；その他呼吸薬；その他性ホルモン；その他局所薬；その他未分類薬；その他腟用薬；有糸分裂阻害薬；モノアミン酸化酵素阻害薬；モノクローナル抗体；口及び咽喉製品；ｍＴＯＲ阻害薬；ｍＴＯＲキナーゼ阻害薬；粘液溶解薬；マルチキナーゼ阻害薬；筋弛緩薬；散瞳薬；麻薬性鎮痛薬配合剤；麻薬性鎮痛薬；鼻用感染症薬；鼻用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬；鼻用潤滑剤及び灌注剤；鼻用製剤；鼻用ステロイド；天然ペニシリン系薬；ノイラミニダーゼ阻害薬；神経筋遮断薬；次世代セファロスポリン；ニコチン酸誘導体；硝酸薬；非ヌクレオシド系逆転写酵素阻害薬；非心選択性β遮断薬；非ヨード造影剤；非イオン性ヨード造影剤；非スルホニル尿素；非ステロイド性抗炎症薬；ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬；ノルエピネフィリン－ドパミン再取り込み阻害薬；ヌクレオシド系逆転写酵素阻害薬（ＮＲＴＩｓ）；栄養補助食品；栄養製品；眼用麻酔薬；眼用感染症薬；眼用抗炎症薬；眼用抗ヒスタミン薬及び充血除去薬；眼用診断用薬；眼用緑内障薬；眼用潤滑剤及び灌注剤；眼用製剤；眼用ステロイド；感染症薬追加眼用ステロイド；眼外科薬；経口栄養補助食；耳用麻酔薬；耳用感染症薬；耳用製剤；耳用ステロイド；感染症薬追加耳用ステロイド；オキサゾリジンジオン系抗痙攣薬；上皮小体ホルモン及び類似体；ペニシリナーゼ耐性ペニシリン；ペニシリン系薬；末梢性オピオイド受容体拮抗薬；末梢性血管拡張薬；末梢作用型抗肥満薬；フェノチアジン制吐剤；フェノチアジン系抗精神病薬；フェニルピペラジン系抗うつ薬；血漿増量剤；血小板凝集阻害薬；血小板刺激剤；ポリエン類；カリウム保持性利尿薬；プロバイオティクス；黄体ホルモン受容体調節薬；プロゲスチン；プロラクチン阻害薬；プロスタグランジンＤ２拮抗薬；タンパク分解酵素阻害薬；プロトンポンプ阻害薬；ソラレン類；精神治療薬；精神治療用複合剤；プリンヌクレオシド；ピロリジン抗痙攣薬；キノロン剤；造影剤；放射線補助剤；放射線剤；放射線共役剤；放射性医薬品；ＲＡＮＫリガンド阻害薬；遺伝子組換えヒトエリスロポエチン；レニン阻害薬；呼吸薬；呼吸吸入薬製品；リファマイシン誘導体；サリチル酸塩；硬化剤；第２世代セファロスポリン；選択的エストロゲン受容体調節薬；選択的セロトニン再取り込み阻害薬；セロトニン－ノルエピネフィリン再取り込み阻害薬；セロトニン作動性神経腸調節薬；性ホルモン複合剤；性ホルモン；骨格筋弛緩薬複合剤；骨格筋弛緩薬；禁煙薬；ソマトスタチン及びソマトスタチン類似体；殺精子剤；スタチン；滅菌洗浄溶液；ストレプトミセス誘導体；スクシンイミド抗痙攣薬；スルホンアミド；スルホニル尿素；合成排卵誘発剤；四環系抗うつ薬；テトラサイクリン；治療用放射性医薬品；サイアザイド系利尿薬；チアゾリジンジオン類；チオキサンテン；第３世代セファロスポリン；トロンビン阻害剤；血栓溶解薬；甲状腺剤；陣痛抑制薬；局所座瘡薬；局所薬；局所麻酔薬；局所感染症薬；局所抗生物質；局所抗真菌薬；局所抗ヒスタミン薬；局所抗乾癬薬；局所抗ウイルス薬；局所収斂薬；局所排膿促進薬；局所脱色剤；局所皮膚軟化薬；局所角質溶解薬；局所ステロイド；感染症薬追加局所ステロイド；トキソイド；トリアジン抗痙攣薬；三環系抗うつ薬；三官能性モノクローナル抗体；腫瘍壊死因子（ＴＮＦ）阻害薬；チロシンナーゼ阻害薬；超音波造影剤；上気道用複合剤；尿素抗痙攣薬；尿路感染症薬；尿路鎮痙薬；尿ｐＨ調整剤；子宮収縮薬；ワクチン；混合ワクチン；腟抗感染薬；膣坐剤；血管拡張薬；バソプレッシン拮抗薬；昇圧薬；ＶＥＧＦ／ＶＥＧＦＲ阻害薬；ウイルス性ワクチン；関節内補充薬；ビタミンミネラル複合体；ビタミン；
診断試験
１７－ヒドロキシプロゲステロン；ＡＣＥ（アンジオテンシンＩ変換酵素）；アセトアミノフェン；酸性ホスファターゼ；副腎皮質刺激ホルモン；活性凝固時間；活性化プロテインＣ耐性；副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）；アラニンアミノトランスフェラーゼ（ＡＬＴ）；アルブミン；アルドラーゼ；アルドステロン；アルカリフォスファターゼ；アルカリフォスファターゼ（ＡＬＰ）；α１－抗トリプシン；α－フェトプロテイン；α－フェトプロティエン（ｆｅｔｏｐｒｏｔｉｅｎ）；アンモニアレベル；アミラーゼ；ＡＮＡ（抗核アントボディ（ａｎｔｉｎｕｃｌｅａｒ ａｎｔｂｏｄｉｅｓ））；ＡＮＡ（抗核抗体）；アンジオテンシン変換酵素（ＡＣＥ）；アニオンギャップ；抗カルジオリピン抗体；抗カルジオリピンアンティブボディ（ａｎｔｉｖｂｏｄｉｅｓ）（ＡＣＡ）；抗セントロメア抗体；抗利尿ホルモン；抗ＤＮＡ；抗デオキシリボヌクレアーゼＢ；抗グリアジン抗体；抗糸球体基底膜抗体；抗ＨＢｃ（Ｂ型肝炎コア抗体；抗ＨＢｓ（Ｂ型肝炎表面抗体；抗リン脂質抗体；抗ＲＮＡポリメラーゼ；抗スミス（Ｓｍ）抗体；抗平滑筋抗体；抗ストレプトリジンＯ価（ＡＳＯ）；抗トロンビンＩＩＩ；抗Ｘａ活性；抗Ｘａアッセイ；アポリポタンパク；ヒ素；アスパラギン酸アミノトランスフェラーゼ（ＡＳＴ）；Ｂ１２；塩基好性白血球；β２－ミクログロブリン；β－ヒドロキシブチレート；Ｂ－ＨＣＧ；ビリルビン；直接ビリルビン；間接ビリルビン；総ビリルビン；出血時間；血液ガス（動脈性）；血液尿素窒素（ＢＵＮ）；血液尿素窒素；ＢＵＮ；ＣＡ１２５；ＣＡ１５－３；ＣＡ１９－９；カルシトニン；カルシウム；カルシウム（イオン化）；一酸化炭素（ＣＯ）；ＣＥＡ（癌胎児性抗原）；全血球計算（値）、全血算；癌胎児性抗原；ＣＥＡ；セルロプラスミン；ＣＨ５０クロライド（ＣＨ５０Ｃｈｌｏｒｉｄｅ）；コレステロール；コレステロール、ＨＤＬ；血栓溶解時間；血餅退縮時間；ＣＭＰ；ＣＯ２；寒冷凝集素；補体第３成分；銅；副腎皮質刺激ホルモン放出ホルモン（ＣＲＨ）刺激試験；コルチゾル；皮膜ロシン刺激試験；Ｃペプチド；ＣＰＫ（総）；ＣＰＫ－ＭＢ；Ｃ反応性タンパク；クレアチニン；クレアチニンキナーゼ（ＣＫ）；クリオグロブリン；ＤＡＴ（直接抗グロブリン試験）；Ｄダイマー；デキタメタゾン抑制試験；ＤＨＥＡ－Ｓ；希釈ラッセルクサリ蛇毒；楕円赤血球；好酸球；赤血球沈降速度（ＥＳＲ）；エストラジオール；エストリオール；エタノール；エチレングリコール；ユーグロブリン溶解；第Ｖ因子ライデン；第ＶＩＩＩ因子阻害薬；第ＶＩＩＩ因子レベル；フェリチン；フィブリン体分解産物；フィブリノーゲン；葉酸塩；葉酸塩（血清；ナトリウム分画排泄率（ＦＥＮＡ）；ＦＳＨ（卵胞刺激因子）；ＦＴＡ－ＡＢＳ；γグルタミルトランスフェラーゼ（ＧＧＴ）；ガストリン；ＧＧＴＰ（γグルタミルトランスフェラーゼ）；グルコース；成長ホルモン；ハプトグロビン；ＨＢｅＡｇ（Ｂ型肝炎ｅ抗原）；ＨＢｓ－Ａｇ（Ｂ型肝炎表面抗原）；ヘリコバクターピロリ；ヘマトクリット（赤血球容積率）；ヘマトクリット（ＨＣＴ））；ヘモグロビン；ヘモグロビンＡ１Ｃ；ヘモグロビン電気泳動；Ａ型肝炎抗体；Ｃ型肝炎抗体；ＩＡＴ（間接抗グロブリン試験）；免疫固定法（ＩＦＥ）；鉄；乳酸脱水素酵素（ＬＤＨ）；乳酸（乳酸塩）；ＬＤＨ；ＬＨ（ルーティナイジング（Ｌｅｕｔｉｎｉｚｉｎｇ）ホルモン；リパーゼ；ループス抗凝固因子；リンパ球；マグネシウム；ＭＣＨ（平均赤血球ヘモグロビン量；ＭＣＨＣ（平均赤血球ヘモグロビン濃度）；ＭＣＶ（平均赤血球容積）；マロン酸メチル；単球；ＭＰＶ（平均血小板容積）；ミオグロビン；好中球；上皮小体ホルモン；リン；血小板（ｐｌｔ）；カリウム；プレアルブミン；プロラクチン；前立腺特異抗原（ＰＳＡ）；タンパク質Ｃ；タンパク質Ｓ；ＰＳＡ（前立腺特異抗原）；ＰＴ（プロトロンビン時間）；ＰＴＴ（部分トロンボプラスチン時間）；ＲＤＷ（赤血球分布幅）；レニン；レンニン；網状赤血球数；網状赤血球；リウマチ因子（ＲＦ）；血沈速度；血清グルタミン酸ピルビン酸トランスアミナーゼ（ＳＧＰＴ；血清タンパク電気泳動（ＳＰＥＰ）；ナトリウム；Ｔ３レジン摂取率（Ｔ３ＲＵ）；フリーＴ４；トロンビン時間；甲状腺刺激ホルモン（ＴＳＨ）；チロキシン（Ｔ４）；全鉄結合能（ＴＩＢＣ）；総タンパク；トランスフェリン（鉄結合性グロブリン）；トランスフェリン飽和剤；トリグリセリド（ＴＧ）；トロポニン；尿酸；シアノコバラミン（ビタミンＢ１２）；白血球（ＷＢＣ）；ウィダール試験。
本発明の別の態様は、容器、特に壁により少なくとも部分的に画定された内腔を有する容器、より詳細には容器壁の内面に１つ又は複数の皮膜を塗布する方法であり、プラスチック壁が内腔に面する内面及び外面を有する。１つ又は複数の皮膜は、上述した皮膜の任意の組合せを含み得る。
一実施形態では、方法は、内腔内にプラズマを生成するのに十分な電力を印加し、前駆体ガスを堆積時間にわたって供給して皮膜又は層を生成し、次いで前記プラズマを消すことを含むステップにより、１つ又は複数の皮膜又は層の少なくとも１つ、任意選択的に１つ又は複数の皮膜又は層の各々を塗布することを含む。プラズマは、パルスＲＦ電源を使用して生成し得、少なくとも１００Ｗの電力及び少なくとも５Ｈｚのパルス周波数を有し得る。
比較的高い電力及び周波数の使用により、現場で使用される従来のＰＥＣＶＤ被覆方法と比較して短い堆積時間且つ／又は薄い厚さで塗布することができる、所望の性質を有する高密度の皮膜又は層が提供される。比較的高い電力の使用により、同じＲＦ電源を使用してより多数の容器、例えば少なくとも１２個の容器又は少なくとも１６個の容器を一度に被覆できるとともに、各容器の内腔内のプラズマ条件及び安定性にわたりよりよい制御が可能になり、それにより、容器被覆間でのより大きな一貫性が可能になる。比較的高い電力で動作する場合、パルスを使用して、容器壁を構成する熱可塑性物質の過熱及び変形を防止する。
幾つかの実施形態では、容器内腔内のガス分布を改善するために、パルスＲＦ電力も使用し得る。上述した等の容器の内面を被覆する従来の方法では、前駆体ガスは、内腔内に延び、前駆体ガスを内腔の長さ全体を通して比較的均一に流す複数の出口を有する構成要素により、内腔に導入される。容器の開口部を通して前駆体ガスを内腔に直接導入すると、容器開口部近くの皮膜の厚さが、容器開口部から離れたところ、例えば容器の閉端部近くの皮膜の厚さよりもはるかに厚くなる比均一な皮膜になるため、これは必要である。しかしながら、内腔内に延びるガス出口構成要素の使用は、幾つかの被覆サイクル後、構成要素自体への皮膜の蓄積に起因して、その構成要素を取り出し、クリーニング且つ／又は交換することが必要になる望ましくない結果を生じさせる。例えば、従来のプロセス中、ガス出口構成要素を取り出して交換するために、１．５時間の動作毎に被覆プロセスを停止する必要があり得、プロセスには約１０分かかり得、容器被覆スループットの約１０％が失われることになる。
幾つかの実施形態では、前駆体ガス流量及びＲＦ電力のパルスは、内腔内の前駆体ガスの分布を改善するために、容器の開端部を通して、いかなるガス出口構成要素も内腔内に位置せずに前駆体ガスを内腔内に直接供給することができるように制御し得る。例えば、ＲＦ電力のパルス率は、パルス間の時間により、内腔に導入されたガスを、内腔全体を通して実質的に均一に分布させ、実質的に均一な厚さを有する皮膜に繋がるように制御し得る。幾つかの実施形態では、区画、例えばアルミニウムスクリーンがガス入口（容器内腔外部に位置する）と容器内腔との間に配置され、区画は前駆体ガスを透過するが、プラズマが内腔外部で点火されないようにする。
本開示の方法の実施形態は、ａ．プラスチック壁により少なくとも部分的に画定される内腔を有する容器を提供するステップであって、プラスチック壁は、内腔に面する内側面及び外面を有する、提供するステップと、ｂ．内腔に部分真空を引くステップと、ｃ．内腔内にプラズマを生成するのに十分な電力を印加し、シロキサン、任意選択的に酸素、及び任意選択的に不活性ガス希釈剤を含む前駆体ガスを堆積時間にわたって供給して、タイ皮膜又は層を内側面上に生成し、次いでプラズマを消すことを含むタイＰＥＣＶＤ被覆ステップにより、ＳｉＯｘＣｙのタイ皮膜又は層を任意選択的に塗布するステップであって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定される、タイ皮膜又は層を任意選択的に塗布するステップと、ｄ．内腔内にプラズマを生成するのに十分な電力を印加し、シロキサン及び酸素を含む前駆体ガスを堆積時間にわたって供給して、バリア皮膜又は層を内側面上、任意選択的にタイ皮膜又は層を有するようにステップｃに従って処理された内側面上に生成し、次いでプラズマを消すことを含むバリアＰＥＣＶＤ被覆ステップにより、内腔内の部分真空を破壊せずに保ちながら、ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層を塗布するステップであって、ｘはＸＰＳによって測定される１．５～２．９である、バリア皮膜又は層を塗布するステップと、ｅ．内腔内にプラズマを生成するのに十分な電力を印加し、シロキサン、任意選択的に酸素、及び任意選択的に不活性ガス希釈剤を含む前駆体ガスを堆積時間にわたって供給して、ｐＨ保護皮膜又は層を生成し、次いでプラズマを消すことを含むｐＨ保護ＰＥＣＶＤ被覆ステップにより、ＳｉＯｘＣｙのｐＨ保護皮膜又は層を任意選択的に塗布するステップであって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、ｐＨ保護皮膜又は層を任意選択的に塗布するステップとを含み得る。ステップｄにおけるプラズマは、少なくとも２００Ｗ、任意選択的に少なくとも２２５Ｗ、任意選択的に少なくとも２５０Ｗ、任意選択的に少なくとも２７５Ｗ、任意選択的に少なくとも３００Ｗ、任意選択的に少なくとも３２５Ｗ、任意選択的に少なくとも３５０Ｗ、任意選択的に少なくとも３７５Ｗ、任意選択的に少なくとも４００Ｗの電力及び少なくとも５０Ｈｚ、少なくとも７５Ｈｚ、少なくとも１００Ｈｚ、少なくとも１２５Ｈｚ、少なくとも１５０Ｈｚ、少なくとも１７５Ｈｚ、少なくとも２００Ｈｚ、少なくとも２２５Ｈｚ、少なくとも２５０Ｈｚのパルス周波数を有するパルスＲＦを使用して生成し得る。
ステップｃ及び／又はｅが実行される場合、それらのステップにおけるプラズマも、上記識別した範囲の何れか内の電力及びパルス周波数を有するパルスＲＦを使用して生成し得る。さらに、ステップｃ及び／又はｅが実行される場合、同じシロキサン前駆体をステップｃ、ｄ、及び／又はｅの各々で使用し得る。幾つかの実施形態では、そのシロキサン前駆体は、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯ、又はそれらの組合せを含み得る。幾つかの実施形態では、そのシロキサン前駆体はＨＭＤＳＯであり得る。さらに、ステップｃ及び／又はｅが実行される場合、ステップｃ、ｄ、及び／又はｅは、容器内の部分真空を破壊せずに又は別個の被覆ステーション間で容器を移動させずに実行し得る。
ステップｄの堆積時間は、所望の厚さ、即ち所望の酸素透過率（ＯＴＲ）を有する容器を提供する厚さを有するバリア層を提供するように選択し得る。例えば、ステップｄの堆積時間は２０秒以下、任意選択的に１５秒以下、任意選択的に１０秒以下、任意選択的に２～１５秒、任意選択的に３～１０秒、任意選択的に３～７秒であり得る。それに関連して、堆積時間は、少なくとも１０ｎｍ、任意選択的に少なくとも１５ｎｍ、任意選択的に少なくとも２０ｎｍ、任意選択的に１０～１００ｎｍ、任意選択的に１０～７５ｎｍ、任意選択的に１０～５０ｎｍ、任意選択的に１５ｎｍ～５０ｎｍ、任意選択的に２０ｎｍ～４５ｎｍの平均厚を有するバリア皮膜又は層を生成するように選択し得る（電力、パルス周波数等に基づいて）。
ステップｃの堆積時間も所望の厚さを有するタイ層を提供するように選択し得る。例えば、ステップｃの堆積時間は、１５秒以下、任意選択的に１０秒以下、任意選択的に５秒以下、任意選択的に２秒～１２秒、任意選択的に３秒～１０秒、任意選択的に３秒～７秒であり得る。それに関連して、堆積時間は、少なくとも５ｎｍ、任意選択的に少なくとも１０ｎｍ、任意選択的に５～３０ｎｍ、任意選択的に１０～３０ｎｍ、任意選択的に１０～２５ｎｍ、任意選択的に１５～２５ｎｍの平均厚を有するタイ皮膜又は層を生成するように選択し得る（電力、パルス周波数等に基づいて）。
ステップｅにおける堆積時間も所望の厚さを有するタイ層を提供するように選択し得る。例えば、ステップｅの堆積時間は、２５秒以下、任意選択的に２０秒以下、任意選択的に１５秒以下、任意選択的に１０秒以下、任意選択的に４秒～２０秒、任意選択的に５秒～２０秒、任意選択的に５秒～１５秒、任意選択的に５秒～１０秒であり得る。それに関連して、堆積時間は、少なくとも３０ｎｍ、任意選択的に少なくとも４０ｎｍ、任意選択的に少なくとも５０ｎｍの平均厚を有するｐＨ保護皮膜又は層を生成するように選択し得る（電力、パルス周波数等に基づいて）。
幾つかの実施形態では、方法は、内腔内にプラズマを生成するのに十分な電力を印加し、シロキサン、任意選択的に酸素、及び任意選択的に不活性ガス希釈剤を含む前駆体ガスを堆積時間にわたって供給して、潤滑皮膜又は層を生成し、次いでプラズマを消すことを含む潤滑ＰＥＣＶＤ被覆ステップにより、バリア皮膜若しくは層又は存在する場合にはｐＨ保護皮膜若しくは層と内腔との間にＳｉＯxＣyの潤滑皮膜又は層を塗布することを含むステップｆを更に含み得、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定される。ステップｆにおけるプラズマも、少なくとも２００Ｗ、任意選択的に少なくとも２２５Ｗ、任意選択的に少なくとも２５０Ｗ、任意選択的に少なくとも２７５Ｗ、任意選択的に少なくとも３００Ｗ、任意選択的に少なくとも３２５Ｗ、任意選択的に少なくとも３５０Ｗ、任意選択的に少なくとも３７５Ｗ、任意選択的に少なくとも４００Ｗの電力及び少なくとも５０Ｈｚ、少なくとも７５Ｈｚ、少なくとも１００Ｈｚ、少なくとも１２５Ｈｚ、少なくとも１５０Ｈｚ、少なくとも１７５Ｈｚ、少なくとも２００Ｈｚ、少なくとも２２５Ｈｚ、少なくとも２５０Ｈｚのパルス周波数を有するパルスＲＦを使用して生成し得る。
ステップｃ、ｄ、ｅ、及び／又はｆにおけるプラズマは、少なくとも２５％、任意選択的に少なくとも３０％、任意選択的に少なくとも３５％、任意選択的に少なくとも４０％、任意選択的に少なくとも４５％、任意選択的に少なくとも５０％、任意選択的に少なくとも５５％のデューティサイクルでパルスＲＦを使用して生成し得る。幾つかの実施形態では例えば、プラズマは２５％～９９％のデューティサイクルを有し得る。幾つかの実施形態では、ステップｃ、ｄ、ｅ、及び／又はｆにおけるプラズマは、２５０Ｗ～１０００Ｗのパルス高電力レベル及び／又は０Ｗのパルス低電力レベルを有するパルスＲＦを使用して生成し得る。幾つかの実施形態では、ステップｃ、ｄ、ｅ、及び／又はｆにおけるプラズマは、１５０ｋＨｚ～５００ｋＨｚのパルス列周波数を有し得る。
幾つかの実施形態では、１つ又は複数の前駆体ガスは、容器の内腔内に延びるガス送達デバイス又はガス入口プローブを通して容器の内腔に導入し得る。
他の実施形態では、１つ又は複数の前駆体ガスは、容器の開口部、例えば開端部を通して容器の内腔に直接供給し得る。例えば、プラズマのパルス率は、ガス送達デバイス又はガス出口が容器内腔内に位置するように制御し得る。代わりに例えば、ガス出口は容器開口部の外部（例えば図示のシステムでは下）に位置し得、容器開口部及び１つ又は複数の前駆体ガスは、区画を通ってから内腔に入り得る。区画は、１つ又は複数の前駆体ガスは透過するが、容器内腔外部でのプラズマの点火を防止するように構成し得、即ち、プラズマスクリーンとして動作するように構成し得る。例えば、区画は金属メッシュ又は有孔金属板を含み得る。
本明細書に記載される等のシステムを使用して、上記方法を使用して、８個以上の容器を同時に、任意選択的に１２個以上の容器を同時に、任意選択的に１６個以上の容器を同時に被覆し得る。複数の容器を同時に被覆する場合、複数の容器の各々の内腔内のプラズマは、同じ電源により生成し得る。例えば、容器の各々は同じ電極の別個のキャビティに配置し得る。複数の容器を同時に被覆する場合、複数の容器の各々の内腔に導入された１つ又は複数の前駆体ガスは、同じガス供給源からのものであり得、ガスマニフォルドにより複数の容器の各々に等しく分配され得、複数の容器の各々の内腔に引かれた真空は、同じ真空源からのものであり得、真空マニフォルドにより複数の容器の各々に等しく分配され得、又はこれら両方である。
幾つかの実施形態では、方法は、複数の容器の各々を複数の金属ＲＦ電極の開口部の１つに配置することと、単一の真空及び／又は真空ラインと動作可能に接続された排出マニフォルドを使用して複数の容器の各々の内部容量を排気することと、単一の前駆体ガス供給ラインと動作可能に接続されたガス入口マニフォルドを使用して複数の容器の各々に１つ又は複数のソースガスを導入することと、１つ又は複数のソースガス及び金属ＲＦ電極に印加されるパルスＲＦ信号を使用して複数の容器の各々内にプラズマを生成することと、プラズマを使用して、複数の容器の各々における少なくとも１つのバリア皮膜又は層を含む皮膜を堆積させることとを含み得る。
複数の容器が同時に被覆されている幾つかの実施形態では、ステップｃ、ｄ、及びｅの組合せ－即ち複数の容器の各々への本明細書に記載される三層皮膜セットの塗布－は、１２０秒未満、任意選択的に１１０秒未満、任意選択的に１００秒未満、任意選択的に９０秒未満、任意選択的に８０秒未満、任意選択的に７５秒未満、任意選択的に７０秒未満、任意選択的に６５秒未満で実行し得る。
提供される皮膜の均一性に起因して、複数の容器が同時に被覆される幾つかの実施形態では、被覆容器の各々は、その他の被覆容器の各々と実質的に同じ酸素透過率定数を有し得る。同様に、提供される皮膜の均一性に起因して、複数の容器が同時に被覆される幾つかの実施形態では、被覆容器の各々は、ｐＨ９を有する溶液に７２時間接触した場合、その他の被覆容器の各々と実質的に同じケイ素溶解量及び／又はケイ素溶解速度を有し得る。
幾つかの実施形態では、方法は、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより、容器壁の外面に１つ又は複数の皮膜を塗布するステップを更に含み得る。１つ又は複数の皮膜を容器壁の外面に塗布するステップは、上述した内壁被覆と同じシステムで、例えば容器を別個の被覆ステーションに移動させずに実行し得る。容器壁の外面に塗布される１つ又は複数の皮膜は、例えば米国特許出願公開第２０１８／００４９９４５Ａ１号明細書に記載される等の帯電防止且つ／又は傷防止皮膜を含み得、この特許出願は全体的に参照により本明細書に援用される。
任意の実施形態では、方法は、プラスチック壁がＣＯＰ樹脂若しくはＣＯＣ樹脂を含み、基本的にＣＯＰ樹脂若しくはＣＯＣ樹脂からなり、又はＣＯＰ樹脂若しくはＣＯＣ樹脂からなるものを含め、オン又は複数のプラスチック容器上に所望の皮膜を提供し得る。任意の実施形態では、方法は、プラスチック壁が、環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂を含み、基本的にＣＢＣ樹脂からなり、又はＣＢＣ樹脂からなるもの、任意選択的にプラスチック壁がＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦ、及びＶＩＶＩＯＮ（商標）１３２５からなる群から選択されるＣＢＣ樹脂を含み、又はそのようなＣＢＣ樹脂からなるもの、任意選択的に、プラスチック壁がＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０及びＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦからなる群から選択されるＣＢＣ樹脂を含み、又はそのようなＣＢＣ樹脂からなるもの、任意選択的に、プラスチック壁がＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０を含み、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０からなるもの、任意選択的に、プラスチック壁はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦを含み、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦからなるものを含め、オン又は複数のプラスチック容器上に所望の皮膜を提供し得る。
本発明の別の態様は、容器、特にプラスチック壁により少なくとも部分的に画定された内腔を有する容器、より詳細には容器壁の内面に１つ又は複数の皮膜を塗布するシステムであり、プラスチック壁は内腔に面する内面及び外面を有する。１つ又は複数の皮膜は、上述した皮膜の任意の組合せを含み得る。
幾つかの実施形態では、システムは、容器内腔内に位置するガス出口を利用し得る。他の実施形態では、システムは、前駆体ガスが容器開口部を通して容器内腔に直接流入するように、容器内腔の外部、例えば容器の開口部の下に位置するガス出口を利用し得る。
したがって、本開示のシステムの実施形態は、無線周波数（ＲＦ）電源と、各々が容器を受けるように構成された複数の開口部を備えたＲＦ電極と、単一のガス入口を、各容器に１つずつの複数のガスソース入力に分割するように動作可能な入口ガスマニフォルドと、各容器を単一の排出ラインに排出するように動作可能な排出マニフォルドとを備え得る。システムは、ＲＦ電極の開口部において複数の容器を受けることと、排出マニフォルドを介して単一の真空ラインを使用して複数の容器の各々の内部容量を排気することと、ガス入口マニフォルドを介して単一のソースラインを使用して複数の容器の各々に１つ又は複数のソースガスを導入することと、１つ又は複数のソースガス及びＲＦ電源により金属ＲＦ電極に印加されたパルスＲＦ信号を使用して、複数の容器の各々内でプラズマを生成することと、プラズマを使用して、複数の容器の各々に、少なくとも１つのバリア皮膜又は層を含む皮膜を堆積させることとを行うように動作可能であり得る。
本発明の任意の実施形態による容器の概略断面図である。 図１の容器壁及び皮膜の一部の拡大詳細図である。 流体を含み、プランジャの形態のクロージャで閉じられた図１及び図２の容器としてのシリンジバレルの形態の製薬包装の概略図である。 流体を含み、クロージャで閉じられた図１及び図２の容器としてのバイアルの形態の製薬包装の概略図である。 流体を含み、追加の容器壁を画定する被覆シートの形態のクロージャで閉じられた図１及び図２の容器としてのブリスター包装の形態の製薬包装の概略図である。 本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器を示す。 本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器の側面図を示す。 本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器の上面図を示す。 本開示の一実施形態例によるＲＦ電極の種々の図を示す。 本開示の一実施形態例によるＲＦ電極の種々の図を示す。 本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ容器堆積装置を示す。 本開示の一実施形態例による入口プローブのないパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ容器堆積装置を示す。 本開示の一実施形態例による入口プローブのないパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシリンジ堆積装置を示す。 本開示の一実施形態例による内部容器堆積及び外部容器堆積の両方でのパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ装置を示す。 本開示の一実施形態例による内部容器堆積及び外部容器堆積の両方でのパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ装置を示す。 本開示の一実施形態例による内部容器堆積及び外部容器堆積の両方での単一容器パルスＲＦ ＰＥＣＶＤ装置の断面図を示す。 本開示の一実施形態例による１６個の容器が同時に被覆されるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおける層厚と層成長時間との関係を示す。 本開示の一実施形態例によるバリア層を有するバイアルの酸素透過率と層厚との関係を示す。 本開示の一実施形態例による１６容器パルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおけるバイアル成長のコンターマップを示す。 本開示の一実施形態例による１６容器パルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおけるバイアル成長のコンターマップを示す。 本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおいて被覆されたバイアルの溶解速度の実験計画散布図を示す。 本開示の一実施形態例による酸素バリア性能とプラズマパルス率との関係を示す。 本開示の一実施形態例による酸素バリア性能とプラズマパルス率との関係を示す。 本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおける容器間の圧力均一性を示す。 本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおける容器間のガス流下での圧力均一性を示す。 本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおいて被覆された容器の被覆完全性を示す。 本開示の一実施形態例による、８時間の連続動作にわたる２つの異なるシステムでのパルスＲＦ ＰＥＣＶＤプロセスを比較するプロットである。 本開示の一実施形態例による、非被覆状態及びバリア層が被覆された状態の両方での種々の容器壁材料の酸素透過率（ＯＴＲ）を示すプロットである。 本開示の一実施形態例によるＲＦ電極の斜視図である。
本発明に関しては、以下の定義及び略称が使用される。
パルスＲＦ ＰＥＣＶＤとはパルス無線周波数プラズマ化学気相成長法であり、プラズマを利用し、ＲＦ周波数でパルスされるプラズマを利用した前駆体材料の解離により堆積を強化する。他のシナリオ例では、プラズマはマイクロ波周波数でパルスし得る。
用語「少なくとも」は、本発明の文脈では、同用語に続く整数「以上」を意味する。「を含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は他の要素又はステップを排除せず、不定冠詞「１つの（ａ）」又は「１つの（ａｎ）」は別段の定めがなければ複数を排除しない。パラメータ範囲が示される場合は常に、範囲の限界として与えられるパラメータ値及び上記範囲内にある全てのパラメータ値を開示することが意図される。
例えば潤滑剤の堆積、処理ステーション、又は処理デバイスに対する「第１の」及び「第２の」又は類似の言及は、存在する最小数の堆積、処理ステーション、又はデバイスを指し、必ずしも堆積、処理ステーション、及びデバイスの順序又は総数を表すわけではなく、又は記載された数を超える追加の堆積、処理ステーション、及びデバイスを要求するものではない。これらの用語は、処理ステーションの数又は各ステーションで実行される特定の処理を限定しない。例えば、「第１の」堆積は、本明細書の文脈では、限定されることなく、唯一の堆積であっても、又は複数の堆積物の何れか１つであってもよい。換言すれば、「第１の」堆積という記載では、第２の又は更なる堆積も有する実施形態が可能であるが、そのような実施形態が必要とされるわけではない。
本発明の目的では、「有機ケイ素前駆体」は、酸素原子又は窒素原子及び有機炭素原子（有機炭素原子は少なくとも１個の水素原子と結合した炭素原子である）に結合した四価ケイ素原子である、以下の結合の少なくとも１つを有する化合物である。
揮発性の有機ケイ素前駆体は、ＰＥＣＶＤ装置に蒸気として供給することができるような前駆体として定義され、任意選択的な有機ケイ素前駆体である。任意選択的に、有機ケイ素前駆体は、直鎖シロキサン、単環シロキサン、多環シロキサン、ポリシルセスキオキサン、アルキルトリメトキシシラン、直鎖シラザン、単環シラザン、多環シラザン、ポリシルセスキアザン、及びこれらの前駆体の任意の２つ以上の組合せからなる群から選択される。
本明細書及び特許請求の範囲において、ＰＥＣＶＤ前駆体、ガス反応物又はプロセスガス、及びキャリアガスの供給量は、「標準体積（ｓｔａｎｄａｒｄ ｖｏｌｕｍｅ）」で表されることがある。チャージガス又は他の一定量のガスの標準体積は、（実際の送達温度及び送達圧力を考慮しない）標準温度及び圧力において一定量のガスが占める体積である。標準体積は様々な体積の単位を使用して測定することができるが、それでもなお本開示及び特許請求の範囲の範囲内であることができる。例えば、同じ一定量のガスを、標準立方センチメートルの数値、標準立方メートルの数値、又は標準立方フィートの数値として表すことができる。標準体積は様々な標準温度及び圧力を使用して定義することもできるが、それでもなお本開示及び特許請求の範囲の範囲内であることができる。例えば、標準温度が０℃、標準圧力が７６０トル（従来のまま）である可能性もあれば、標準温度が２０℃、標準圧力が１トルである可能性もある。しかし、所与の場合においてどのような標準を使用したとしても、２つ以上の異なるガスの相対体積を特定のパラメータを明示せずに比較する場合、特に明示しない限りは、各ガスに対して同じ体積、標準温度、及び標準圧力の単位が使用される。
本明細書では、ＰＥＣＶＤ前駆体、ガス反応物又はプロセスガス、及びキャリアガスの対応する供給速度は、単位時間当たりの標準体積で表される。例えば、実施例において、流量は標準立方センチメートル／分として表され、ｓｃｃｍと略される。他のパラメータと同様に、秒又は時間等の他の時間単位を使用できるが、２つ以上のガスの流量を比較する場合、特に明記されない限りは一貫したパラメータが使用されるべきである。
「容器」は、本発明の文脈では、少なくとも１つの開口部と、内面又は内側面を画定する壁とを有する任意のタイプの容器であることができる。基板は、内腔を有する容器の壁であることができる。本発明は特定の容量の薬剤包装又は他の容器に必ずしも限定されるわけではないが、内腔が０．５～５０ｍＬ、任意選択的に１～１０ｍＬ、任意選択的に０．５～５ｍＬ、任意選択的に１～３ｍＬの空隙容量を有する薬剤包装又は他の容器が企図される。基板表面は、少なくとも１つの開口部と、内面又は内側面とを有する容器の内面又は内側面の一部分又は全てであることができる。薬剤包装の幾つかの例としては、バイアル、プラスチック被覆バイアル、シリンジ、プラスチック被覆シリンジ、ブリスターパック、アンプル、プラスチック被覆アンプル、カートリッジ、ボトル、プラスチック被覆ボトル、パウチ、ポンプ、噴霧器、ストッパ、針、プランジャ、キャップ、ステント、カテーテル、又はインプラントが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の文脈における「少なくとも」という用語は、前述用語の後に続く整数「以上」であることを意味する。したがって、本発明の文脈における容器は、１つ又は複数の開口部を有する。試料管の開口部（１つの開口部）又はシリンジバレルの開口部（２つの開口部）のように、１つ又は２つの開口部が好ましい。容器が２つの開口部を有する場合、それらは同一又は異なるサイズである場合がある。開口部が２つ以上である場合、１つの開口部は本発明に記載のＰＥＣＶＤ被覆方法のガス吸入のために使用することができ、一方、その他の開口部は蓋をするか、又は開口状態にされる。本発明に記載の容器は、例えば血液又は尿のような生物学的流体を採取又は貯蔵する試料管、生物学的に活性な化合物又は組成物、例えば薬品又は医薬組成物を貯蔵／搬送するシリンジ（又はシリンジバレル等その一部）、生体物質又は生物学的に活性な化合物又は組成物を貯蔵するバイアル、生体物質又は生物学的に活性な化合物又は組成物を搬送する導管、例えばカテーテル、流体例えば生体物質又は生物学的に活性な化合物又は組成物を保持するキュベットであることができる。
容器はあらゆる形状のものとすることができ、その開端部の少なくとも１つに隣接する、実質的に円筒状の壁を有する容器が好ましい。一般に、容器の内側壁は、例えば、試料管又はシリンジバレル内のような円筒状の形状である。試料管及びシリンジ又はそれらの部品（例えばシリンジバレル）が企図される。
「疎水性層」は、本発明の文脈においては、皮膜又は層が、皮膜又は層で被覆された表面のぬれ張力を、対応する非被覆表面と比べて低下させることを意味する。疎水性はしたがって、非被覆基板及び皮膜又は層両方の機能である。用語「疎水性」が使用される他の文脈の適切な代替物にも同じことが当てはまる。用語「親水性」は逆、即ち、基準サンプルと比較してぬれ張力が増大することを意味する。本疎水性層は、その疎水性及び疎水性を提供するプロセス条件によって主に定義される。
ｗ、ｘ、ｙ、及びｚのこれらの値は、本明細書を通じて実験組成物ＳｉwＯxＣyＨzに適用可能である。本明細書を通じて使用されるｗ、ｘ、ｙ、及びｚの値は、分子内の原子の数又はタイプに対する限定としてではなく、（例えば、皮膜又は層の）比率又は実験式として理解すべきである。例えば、分子組成Ｓｉ4Ｏ4Ｃ8Ｈ24を有するオクタメチルシクロテトラシロキサンは、分子式のｗ、ｘ、ｙ、及びｚの各々を最大公約数である４で割ることにより得た以下の実験式：Ｓｉ1Ｏ1Ｃ2Ｈ6によって記述することができる。ｗ、ｘ、ｙ、及びｚの値はまた、整数に限定されない。例えば、（非環式）オクタメチルトリシロキサンの分子組成Ｓｉ3Ｏ2Ｃ8Ｈ24はＳｉ1Ｏ0.67Ｃ2.67Ｈ8に可約である。また、ＳｉＯxＣyＨzはＳｉＯxＣyへの均等物として説明されるが、ＳｉＯxＣyの存在を示すために、任意の割合で水素の存在を示す必要はない。
「ぬれ張力」とは、表面の疎水性又は親水性の特定の測定値である。本発明の文脈における任意選択的なぬれ張力の測定方法は、ＡＳＴＭＤ２５７８又はＡＳＴＭＤ２５７８内で説明される方法の改良法である。この方法では、標準のぬれ張力溶液（ダイン溶液と呼ばれる）を使用して、溶液が厳密に２秒間でプラスチックフィルム表面の湿潤状態にどれだけ近づくかを特定する。これがフィルムのぬれ張力である。本明細書で利用される手順はＡＳＴＭＤ２５７８のものとは異なり、基板は平坦プラスチックフィルムではなく、「ＰＥＴ管を形成するためのプロトコル」に従い製造され、（対照を除き）管内部を疎水性皮膜又は層で被覆するためのプロトコルに従い被覆された管である（欧州特許出願公開第２２５１６７１Ａ２号明細書の実施例９を参照）。
原子比率はＸＰＳによって特定することができる。したがって、ＸＰＳによって測定されないＨ原子を考慮に入れて、皮膜又は層は、一態様では、化学式ＳｉwＯxＣyＨz（又はその均等物ＳｉＯxＣy）を有し、例えば、ｗは１であり、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、ｚは約２～約９である。典型的には、そのような皮膜又は層はひいては、１００％炭素＋酸素＋ケイ素に正規化された３６％～４１％炭素を含む。
「シリンジ」という用語は、カートリッジ、「ペン」型注射器、及び他の１つ又は複数の構成要素と共に組み立てられて機能的なシリンジを提供するようになっている他の種類のバレル又はリザーバを含むように広く定義される。「シリンジ」はまた、内容物を分注するための機構を提供する、オートインジェクタ等の関連物品を含むように広く定義される。
皮膜若しくは層又は処理は、それが表面のぬれ張力を、対応する非被覆面又は非処理面と比較して低下させる場合、「疎水性」と定義される。したがって、疎水性は非処理基板と処理の両方の機能である。
「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、他の要素又はステップを排除しない。
不定冠詞「１つの（ａ）」又は「１つの（ａｎ）」は複数を排除しない。
詳細な説明
本発明について、幾つかの実施形態が示されている添付図面を参照してより十分にこれより説明する。しかしながら、本発明は、多くの異なる形態で実施することが可能であり、本明細書に記載される実施形態に限定されるものとして解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は本発明の例であり、本発明は、特許請求の範囲の言葉によって示される全範囲を有する。同様の番号は、全体を通して同様又は対応する要素を指す。以下の開示は、特定の実施形態に限定されると特記される場合を除き、全ての実施形態に関連する。
本開示の実施形態は、例えば注射可能な溶液の包含に適した被覆容器を達成するために、熱可塑性材料から少なくとも部分的に作られた容器の皮膜に関する。これは、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤ被覆プロセスを使用して、酸素バリア、任意選択的に水蒸気透過（又は水分）バリア、任意選択的にタイ層、及び任意選択的にｐＨ保護層として機能する多様な層を塗布して達成し得る。パルスＲＦ ＰＥＣＶＤを使用することにより、皮膜欠点を最小に抑えることができ、一度に被覆される容器の数が増えるに伴ってプロセス時間を短縮することができる。パルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムは、入力マニフォルドを介して各容器にガスを提供する単一のソースと、排出マニフォルドを介して各容器／チャンバを排出する単一の真空ラインとを備え得る。このようにして、複数の容器にわたり高度の層均一性が可能になる。さらに、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤは、より薄く、より高密度の層を用いて同様又は改善した層性能を可能にするより高密度の層を提供するように制御し得る。
容器及び皮膜セット
最も広く図１及び図２の詳細図に示される本発明の一態様は、内腔２１２を囲む壁２１４と、内腔２１２に面する壁２１４の少なくとも一部分上の容器皮膜又は層セット２８５とを含む容器２１０である。容器は、より具体的にはバイアル、シリンジ、ブリスターパック、アンプル、カートリッジ、ボトル、パウチ、ポンプ、スプレー、ストッパ、ニードル、プランジャ、キャップ、ステント、カテーテル、インプラント、又は流体の他の任意のタイプのコンテナ若しくは導管であり得る。図１～図５は、少なくとも１つの開口部を有する容器を示し、シリンジバレル等の２つ以上の開口部を有する容器又はパウチ、ブリスターパック、若しくはアンプル等の開口部のない容器を包含することが理解されるべきである。
容器皮膜又は層セット２８５の一実施形態は、図１、図２に示される少なくとも１つのタイ皮膜又は層２８９、少なくとも１つのバリア皮膜又は層２８８、及び少なくとも１つのｐＨ保護皮膜又は層２８６である。容器皮膜又は層セットのこの実施形態は時には「三層皮膜」として知られ、ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層２８８は、各々、本明細書に定義されたＳｉＯｘＣｙの有機層であるｐＨ保護皮膜又は層２８６とタイ皮膜又は層２８９との間に狭設されることにより、さもなければそれを除去するほど十分高いｐＨを有する内容物から保護される。この三層皮膜の具体例を本明細書に提供する。ｎｍ単位の各層の企図される厚さ（括弧内に好ましい範囲）を三層厚表に与える。
容器２１０及び図１のクロージャの幾つかの特定の調整皮膜セット２８５、２８５ａ、及び２８５ｂを皮膜セット表に示す。
皮膜セット表のセット１～４及び７、８、及び１０は、シリンジに有用な代替に数えられる。セット１のシリンジバレル壁（左列）は、上述した三層皮膜の一例であり、セット７は、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤ潤滑皮膜又は層がセットの上層である三層皮膜の変更である。
セット１の三層皮膜セット２８５は、図２に示され、一実施形態では、プラスチック、例えばＣＯＰシリンジバレルに塗布される。
セット１の三層皮膜セット２８５は、第１の層として、プラスチック基板へのバリア皮膜又は層の付着を改善する付着又はタイ皮膜又は層２８９を含む。付着又はタイ皮膜又は層２８９は、バリア皮膜又は層２８８への応力を軽減するとも考えられ、バリア層が、熱膨張又は収縮若しくは機械的衝撃からのダメージをあまり受けないようにする。付着又はタイ皮膜又は層２８９は、バリア皮膜又は層２８８とプラスチック基板との間で欠陥を切り離すとも考えられる。これは、付着又はタイ皮膜又は層２８９が塗布されるときに形成され得る任意のピンホール又は他の欠陥が、バリア皮膜又は層２８８が塗布されるときに継続されない傾向があり、したがって、ある皮膜におけるピンホール又は他の欠陥が別の皮膜における欠陥と並ばないため、生じると考えられる。付着又はタイ皮膜又は層２８９は、バリア層としていくらかの効果を有し、したがって、バリア皮膜又は層２８９を通って延びる漏出路を提供する欠陥であっても、付着又はタイ皮膜又は層２８９によってブロックされる。
セット１の三層皮膜セット２８５は、第２の層として、バレル壁に透過した酸素へのバリア及び任意選択的にプラスチックバレル壁を透過し得る水分へのバリアを提供するバリア皮膜又は層２８８を含む。バリア皮膜又は層２８８は、内腔２１４の内容物によるバレル壁２１４の組成物の抽出へのバリアでもある。
セット１の三層皮膜セット２８５は、第３の層として、界面活性剤が存在する場合を含め、ｐＨ４～８のシリンジの内容物からの、下にあるバリア皮膜又は層２８８の保護を提供するｐＨ保護皮膜又は層２８６を含む。製造時から使用時までシリンジの内容物と接触するプレフィルドシリンジの場合、ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、プレフィルドシリンジの意図される保管寿命にわたって有効な酸素及び／又は水分バリアを維持するのに十分に、バリア皮膜又は層２８８の攻撃を防止又は阻止する。
セット５、６、及び９は、例えばバイアルに有用である。皮膜セット２８５ｂとしての潤滑剤堆積は、表面全体が潤滑剤で被覆されて、バイアルネックへの挿入を支援するケイ素処理された隔壁を表し、したがって、クロージャの接面に皮膜は必要ないが、被覆される。
セット６によって表される容器壁皮膜セット２８５は、別の三層皮膜セットであり、ここでも図２に示され、一実施形態では、プラスチック、例えばＣＯＰバイアルに塗布される。三層皮膜は、上述したセット１のシリンジ三層皮膜と同じ層を有し、同じ性能を提供する。
幾つかの実施形態では、容器壁の少なくとも一部分は、ＵＳＩ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（台湾）製のＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦ、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）１３２５等のＶＩＶＩＯＮ（商標）ファミリ等の環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂を含み得る。環式ブロックコポリマーは、スチレンに基づく完全水素化されたポリマー及びアニオン重合化を介して共役されたジエン類である。環式ブロックコポリマーは、低コスト原材料並びに重合化及び仕上げプロセスで使用される低コスト触媒に少なくとも部分的に起因して、ＣＯＰ及びＣＯＣ樹脂よりも低コストの材料である。本明細書に記載されるＰＥＣＶＤ被覆プロセス及びシステムの実施形態は、本明細書に記載されるように、製薬包装、例えばバイアル、シリンジバレル等として機能するのに十分なバリア性、例えば酸素バリア性を有するＣＢＣ容器壁を提供する皮膜セットを塗布するのに使用し得る。
皮膜又は層
タイ皮膜又は層２８９は少なくとも２つの機能を有する。タイ皮膜又は層２８９の一機能は、基板、特に熱可塑性基板へのバリア皮膜又は層２８８の付着を改善することであるが、タイ層は、ガラス基板又は別の皮膜若しくは層への接着を改善するのに使用することもできる。例えば、タイ皮膜又は層は、付着皮膜又は層とも呼ばれ、基板に塗布することができ、バリア層は付着層に塗布されて、基板へのバリア層又は皮膜の付着を改善することができる。
タイ皮膜又は層２８９の別の機能が発見されている：バリア皮膜又は層２８８の下に塗布されるタイ皮膜又は層２８９は、バリア皮膜又は層２８８上に塗布されたｐＨ保護皮膜又は層２８６の機能を改善することができる。
タイ皮膜又は層２８９は、ＳｉＯｘＣｙで構成、ＳｉＯｘＣｙを含有、又は基本的にＳｉＯｘＣｙからなることができ、ｘは０．５～２．４であり、ｙは０．６～３である。代替的には、原子比率は式ＳｉｗＯｘＣｙとして表現することができ、タイ皮膜又は層２８９でのＳｉ、Ｏ、及びＣの原子比率は、幾つかの選択肢として、
・Ｓｉ １００：Ｏ ５０～１５０：Ｃ ９０～２００（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．５～１．５、ｙ＝０．９～２）；
・Ｓｉ １００：Ｏ ７０～１３０：Ｃ ９０～２００（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．７～１．３、ｙ＝０．９～２）
・Ｓｉ １００：Ｏ ８０～１２０：Ｃ ９０～１５０（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．８～１．２、ｙ＝０．９～１．５）
・Ｓｉ １００：Ｏ ９０～１２０：Ｃ ９０～１４０（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．９～１．２、ｙ＝０．９～１．４）、又は
・Ｓｉ １００：Ｏ ９２～１０７：Ｃ １１６～１３３（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．９２～１．０７、ｙ＝１．１６～１．３３）
である。
原子比率は、ＸＰＳにより突き止めることができる。したがって一態様では、ＸＰＳにより測定されないＨ原子を考慮して、タイ皮膜又は層２８９は、式ＳｉwＯxＣyＨz（又はその均等のＳｉＯxＣy）を有してもよく、例えば、式中、ｗは１であり、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、ｚは約２～約９である。典型的には、タイ皮膜又は層２８９は、１００％の炭素＋酸素＋ケイ素に対して正規化された３６％～４１％の炭素を含有する。
任意選択的に、タイ皮膜又は層は、本明細書の他の箇所に記載されているｐＨ保護皮膜又は層２８６と組成が類似していても又は同一であってもよいが、これは必要条件ではない。
タイ皮膜又は層２８９は一般に、任意の実施形態では、特に化学蒸着によって塗布される場合、５ｎｍ～１００ｎｍ厚、好ましくは５～２０ｎ厚であることが企図される。これらの厚さは重要ではない。一般に、タイ皮膜又は層２８９は、その機能が基板の表面性質を変えることであるため、比較的薄いが、必ずしもそうである必要はない。
幾つかの実施形態では、タイ皮膜又は層２８９は省き得る。他の実施形態では、薄いタイ皮膜又は層２８９をパルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって塗布し得る。上記ＳｉＯｘＣｙに加えて、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって塗布されるタイ皮膜又は層２８９は、続けて塗布されるバリア皮膜又は層２８８と容器壁２１４又はそこに既に塗布された任意の皮膜との付着を改善するのに有効である任意の材料であり得る。そのような材料には、金属及び金属酸化物、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＢｉxＴｉyＯz、Ｉｎ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3：Ｓｎ、Ｉｎ2Ｏ3：Ｆ、Ｉｎ2Ｏ3：Ｚｒ、ＳｎＯ2、ＳｎＯ2：Ｓｂ、ＺｎＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、Ｇａ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｏＯx、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x、ＬａＣｏＯ3、ＬａＮｉＯ3、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＷがある。幾つかの実施形態では、タイ皮膜又は層２８９として酸化亜鉛（ＺｎＯ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）をパルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって塗布し得る。ポリマーフィルムへのその付着に起因して、特に酸化亜鉛（ＺｎＯ）は高品質タイ皮膜又は層２８９として機能し得る。
タイ皮膜又は層２８９がパルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって塗布される場合、タイ皮膜又は層の厚さは一般に２ｎｍ～１００ｎｍ厚、好ましくは２～２０ｎｍ厚であり得る。これらの厚さは重要ではない。一般に、タイ皮膜又は層２８９は、その機能が基板の表面性質を変えることであるため、比較的薄いが、必ずしもそうである必要はない。
幾つかの実施形態では、バリア皮膜又は層２８８は、酸素バリア層３０１と水分バリア層３００とに分割し得、これらは隣接皮膜として塗布されてよく、又は塗布されなくてもよい。したがって、幾つかの実施形態では、タイ皮膜又は層２８９は、容器壁２１４と、酸素バリア層及び水分バリア層の両方を含むバリア皮膜２８８との間にパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布し得る。しかしながら、他の実施形態では、皮膜又は層２８９は、酸素バリア層３０１と水分バリア層３００との間にパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布し得る。例えば、水分バリア層３００は、例えばパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより容器壁２１４に塗布し得、その後、タイ皮膜又は層２８９を塗布し得、その後、酸素バリア層３０１を塗布し得る。
一例では、例えば、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤを使用して、水分バリア層（例えばＡｌ2Ｏ3の）、タイ皮膜又は層２８９、ＳｉＯxの酸素バリア層、及びｐＨ保護皮膜又は層２８６を塗布する。
他の実施形態では、複数のタイ皮膜又は層２８９を塗布し得る。例えば、第１のタイ皮膜又は層２８９をパルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって塗布し得、その後、水分バリア（例えばＡｌ2Ｏ3）等の第１のバリア層が続き、その後、第２のタイ皮膜又は層が続き、その後、酸素バリア（例えばＳｉＯｘ）等の第２のバリア層が続き、その後、ｐＨ保護皮膜又は層２８６が続き得る。
更に他の例では、水分バリア層（例えばＡｌ2Ｏ3の）はパルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって容器壁に塗布され、その後、ＳｉＯxの酸素バリア層が塗布され、その後、ｐＨ保護皮膜又は層２８６が塗布される。
バリア層
バリア皮膜又は層２８８は任意選択的に、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって製薬包装、特に熱可塑性包装の容器上に堆積して、酸素、二酸化炭素、又は他のガスが容器に入るのを防ぎ、且つ／又は医薬材料が包装壁内に侵入又は包装壁を通して侵入するのを防ぐことができる。
バリア皮膜又は層は、本明細書に定義される任意の実施形態では（特定の場合で別段のことが指定される場合を除き）、任意選択的に、本明細書に記載されるようにパルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって塗布される皮膜又は層である。バリア層は任意選択的に、「ＳｉＯx」皮膜として特徴付けられ、ケイ素、酸素、及び任意選択的に他の要素を含み、ここで、ｘは、酸素原子とケイ素原子との比率であり、約１．５～約２．９又は１．５～約２．６若しくは約２である。ｘのこれらの代替の定義は、本明細書におけるＳｉＯxという用語の任意の使用に適用される。バリア皮膜又は層は、例えば、医薬包装又は他の容器、例えば試料収集管、シリンジバレル、バイアル、若しくは別のタイプの容器の内部に塗布される。
バリア皮膜２８８はＳｉＯxを含み、又は基本的にＳｉＯxからなり得、ｘは１．５～２．９であり、２～１０００ｎｍ厚であり、ＳｉＯｘのバリア皮膜２８８は、内腔２１２に面する内側面２２０と、壁２１４、物品表面２５４に面する外面２２２とを有し、バリア皮膜２８８は、非被覆容器２５０と比較して、内腔２１２への大気ガスの侵入を低減するのに有効である。１つの適したバリア組成は、例えば、ｘが２．３である組成である。
例えば、任意の実施形態の２８８等のバリア皮膜又は層は、少なくとも２ｎｍ、少なくとも４ｎｍ、少なくとも７ｎｍ、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも２０ｎｍ、少なくとも３０ｎｍ、少なくとも４０ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも４００ｎｍ、少なくとも５００ｎｍ、少なくとも６００ｎｍ、少なくとも７００ｎｍ、少なくとも８００ｎｍ、又は少なくとも９００ｎｍの厚さで塗布することができる。バリア皮膜又は層は、最高で１０００ｎｍ、最高でも９００ｎｍ、最高でも８００ｎｍ、最高でも７００ｎｍ、最高でも６００ｎｍ、最高でも５００ｎｍ、最高でも４００ｎｍ、最高でも３００ｎｍ、最高でも２００ｎｍ、最高でも１００ｎｍ、最高でも９０ｎｍ、最高でも８０ｎｍ、最高でも７０ｎｍ、最高でも６０ｎｍ、最高でも５０ｎｍ、最高でも４０ｎｍ、最高でも３０ｎｍ、最高でも２０ｎｍ、最高でも１０ｎｍ、最高でも５ｎｍの厚さであることができる。２～１００ｎｍの範囲、任意選択的に５～２０ｎｍの範囲が特に企図され、その場合、バリア皮膜又は層はパルスＲＦプラズマＰＥＣＶＤによって塗布される。上記の最小厚の何れか１つに、それ以上の上記の最大厚の何れか１つを加えたもので構成される特定の厚さ範囲も明確に企図される。
バリア皮膜又は層がパルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって塗布される場合、バリア皮膜又は層の厚さは、例えば、１～５０ｎｍ厚、代替的には１～２０ｎｍ厚、代替的には２～１９ｎｍ厚、代替的には２～１５ｎｍ厚であり得る。
ＳｉＯｘ又は他のバリア皮膜若しくは層の厚さは、例えば、透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）によって測定することができ、その組成はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定することができる。本明細書に記載されるプライマー皮膜又は層は、プラスチック又はガラスから作られた多様な製薬包装又は他の容器、例えばプラスチック管、バイアル、及びシリンジに塗布することができる。
ｘが１．５～２．９であるＳｉＯｘのバリア皮膜又は層２８８は、充填された製薬包装又は他の容器２１０において、バリア皮膜又は層２８８が熱可塑性壁２１４の内面又は内側面２２０と流体２１８との間に配置されるように、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって熱可塑性壁２１４に直接又は間接的に（例えば、タイ皮膜又は層２８９がそれらの間に介在することができる）塗布される。
ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層２８８は、熱可塑性壁２１４によって支持される。本明細書の他の箇所又は米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されるバリア皮膜又は層２８８は、任意の実施形態で使用することができる。
本明細書で定義されるＳｉＯｘ等の特定のバリア皮膜又は層２８８は、本明細書の他の箇所に記載されている被覆容器、特にバリア皮膜又は層が内容物に直接接触する被覆容器の比較的高いｐＨの特定の内容物により攻撃されると、６ヶ月未満でバリア改善率が測定可能な程度低下するという特徴を有することが判明した。この問題は、本明細書で考察されるｐＨ保護皮膜又は層を使用して対処することができる。
ＳｉＯxのバリア皮膜又は層２８８は、本明細書の他の箇所で考察されるように、プライマー皮膜又は層２８３として機能することもできる。
幾つかの実施形態では、バリア皮膜又は層２８８は、他の方法により堆積した同様のバリア皮膜よりも高密度を有し、欠陥の少ない、上述したＳｉＯxバリア被覆等のパルスＲＦ ＰＥＣＶＤによって塗布し得る。その結果、バリア皮膜又は層２８８は、従来のＰＥＣＶＤにより塗布されるバリア皮膜又は層と比較した場合、なお同じ酸素バリ性を提供しながら、薄い厚さを有し得る。本開示の実施形態によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布されたバリア皮膜又は層２８８が、薄い厚さで塗布される場合であっても、従来の（非パルス）ＰＥＣＶＤにより塗布された同じ組成のバリア皮膜又は層と比較した場合、改善したガスバリア性を有し得ることも示されている。
幾つかの実施形態では、バリア皮膜又は層２８８は、上述したＳｉＯｘ層に加えて１つ又は複数の層を含み得る。例えば、幾つかの実施形態では、１つ又は複数の追加のバリア層を塗布することもできる。
幾つかの実施形態では、ＳｉＯｘ酸素バリアに加えて追加の水分バリア層、即ち水蒸気バリア層を塗布することが望ましいことがある。例えば、容器壁を構成し得る幾つかのプラスチック材料はそれ自体、適切な水分バリア性質を有し得るが、他のプラスチック材料では、１つ又は複数の水分バリア皮膜又は層が塗布される必要があり得る。幾つかの実施形態では、水分バリア皮膜又は層は、本明細書に記載されるように、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布し得る。
幾つかの実施形態では、例えば、バリア皮膜又は層２８８は、（ｉ）パルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布されるＳｉＯｘ酸素バリア層及び（ｉｉ）水分バリア層、例えばパルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布されるＡｌ2Ｏ3の両方を含み得る。これらの層を同じプロセスで堆積することにより、プロセスステップ数が少なくなるため、歩留まりを改善し得、プロセス時間を短縮することができる。酸素バリア層及び水分バリア層は、互いに隣接するように順次塗布されてもよく、又は１つ若しくは複数の皮膜又は層（例えば上述したタイ皮膜若しくは層）によって隔てられてもよい。順次塗布される場合、ＳｉＯx酸素バリア層をまず塗布し得、水分バリア層を次に塗布し得、又はこの逆であり得る。
代替の実施形態では、バリア皮膜又は層２８８は、適切な酸素及び／又は水分バリア性を容器に提供する任意の１つ又は複数の材料を含み得、又は基本的にそれ（ら）からなり得る。そのような材料は、金属及び金属酸化物、例えばＡｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＢｉxＴｉyＯz、Ｉｎ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3：Ｓｎ、Ｉｎ2Ｏ3：Ｆ、Ｉｎ2Ｏ3：Ｚｒ、ＳｎＯ2、ＳｎＯ2：Ｓｂ、ＺｎＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、Ｇａ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｏＯx、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x、ＬａＣｏＯ3、ＬａＮｉＯ3、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＷを含み得る。幾つかの実施形態では、１つ又は複数の材料は原子層堆積（ＡＬＤ）により提供し得る。
ｐＨ保護皮膜又は層
本発明者らは、ＳｉＯxのバリア層又は皮膜は、幾つかの流体、例えば、約５を越えるｐＨを有する水性組成物によって腐食又は溶解することを発見した。化学蒸着によって塗布される皮膜は非常に薄い－数十～数百ナノメートル厚－ことがあるため、比較的低速の腐食であっても、製品包装の所望の保管寿命よりも短時間でバリア層の有効性をなくし、又は低下させ得る。これは特に、流体製薬組成物の場合に問題であり、その理由は、流体製薬組成物の多くが、血液及び他の人間又は動物の流体のｐＨと同様に、概ね７又はより広く５～９の範囲のｐＨを有するためである。製薬のｐＨが高いほど、ＳｉＯx皮膜をより高速で腐食又は溶解する。任意選択的に、この問題は、ｐＨ保護皮膜又は層２８６を用いてバリア皮膜若しくは層２８８又は他のｐＨの影響を受けやすい材料を保護することによって対処することができる。
任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、各々先に定義されたＳｉwＯxＣyＨz（若しくはその均等物ＳｉＯxＣy）又はＳｉwＮxＣyＨz若しくはその均等物Ｓｉ（ＮＨ）xＣyで構成され、それを含有し、又は基本的にそれからなることができる。Ｓｉ：Ｏ：Ｃ：又はＳｉ：Ｎ：Ｃの原子比率はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって突き止めることができる。Ｈ原子を考慮に入れて、ｐＨ保護皮膜又は層はしたがって、一態様では、式ＳｉwＯxＣyＨz又はその均等物ＳｉＯxＣyを有し得、例えば、式中、ｗは１であり、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、ｚは約２～約９である。
典型的には、式ＳｉwＯxＣyとして表現される場合、Ｓｉ、Ｏ、及びＣの原子比率は、幾つかの選択肢として、
・Ｓｉ １００：Ｏ ５０～１５０：Ｃ ９０～２００（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．５～１．５、ｙ＝０．９～２）；
・Ｓｉ １００：Ｏ ７０～１３０：Ｃ ９０～２００（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．７～１．３、ｙ＝０．９～２）
・Ｓｉ １００：Ｏ ８０～１２０：Ｃ ９０～１５０（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．８～１．２、ｙ＝０．９～１．５）
・Ｓｉ １００：Ｏ ９０～１２０：Ｃ ９０～１４０（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．９～１．２、ｙ＝０．９～１．４）、
・Ｓｉ １００：Ｏ ９２～１０７：Ｃ １１６～１３３（即ち、ｗ＝１、ｘ＝０．９２～１．０７、ｙ＝１．１６～１．３３）、又は
・Ｓｉ １００：Ｏ ８０～１３０：Ｃ ９０～１５０
である。
代替的には、ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定されるように、１００％の炭素、酸素、及びケイ素に対して正規化された５０％未満の炭素及び２５％超のケイ素という原子濃度を有することができる。代替的には、原子濃度は、２５～４５％炭素、２５～６５％ケイ素、及び１０～３５％酸素である。
代替的には、原子濃度は、３０～４０％炭素、３２～５２％ケイ素、及び２０～２７％酸素である。代替的には、原子濃度は、３３～３７％炭素、３７～４７％ケイ素、及び２２～２６％酸素である。
ｐＨ保護皮膜又は層の厚さは、例えば、１０ｎｍ～１０００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～１０００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～９００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～８００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～７００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～６００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～５００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～４００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～３００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～２００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～１００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～５０ｎｍ；代替的には２０ｎｍ～１０００ｎｍ；代替的には５０ｎｍ～１０００ｎｍ；代替的には１０ｎｍ～１０００ｎｍ；代替的には５０ｎｍ～８００ｎｍ；代替的には１００ｎｍ～７００ｎｍ；又は代替的には３００～６００ｎｍであることができる。
任意選択的に、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定されるように、１００％の炭素、酸素、及びケイ素に対して正規化された保護層中の炭素の原子濃度は、有機ケイ素前駆体の原子式中の炭素の原子濃度よりも大きい値を有することができる。例えば、炭素の原子濃度が、１～８０原子パーセント、代替的には１０～７０原子パーセント、代替的には２０～６０原子パーセント、代替的には３０～５０原子パーセント、代替的には３５～４５原子パーセント、代替的には３７～４１原子パーセント増大した実施形態が企図される。
任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層中の炭素と酸素との原子比率は、有機ケイ素前駆体と比較して増大させることができ、且つ／又は酸素とケイ素との原子比率は、有機ケイ素前駆体と比較して低減することができる。
任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって特定されるように、１００％の炭素、酸素、及びケイ素に対して正規化された、供給ガスの原子式中のケイ素の原子濃度よりも低いケイ素原子濃度を有することができる。例えば、ケイ素の原子濃度が１～８０原子パーセント、代替的には１０～７０原子パーセント、代替的には２０～６０原子パーセント、代替的には３０～５５原子パーセント、代替的には４０～５０原子パーセント、代替的には４２～４６原子パーセント低減する実施形態が企図される。
別の選択肢として、任意の実施形態において、有機ケイ素化合物前駆体の合計式と比較して、原子比率Ｃ：Ｏを増大させ、且つ／又は原子比率Ｓｉ：Ｏを減少することができる合計式を特徴とすることができるｐＨ保護皮膜又は層が企図される。
ｐＨ保護皮膜又は層２８６は一般に、完成品においてバリア皮膜又は層２８８と流体２１８との間に配置される。ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、熱可塑性壁２１４によって支持される。
ｐＨ保護皮膜又は層２８６は任意選択的に、少なくとも６ヶ月の期間にわたり、流体２１８による攻撃を受けてもバリア皮膜又は層２８８が少なくとも実質的に溶解しないように維持するのに有効である。
ｐＨ保護皮膜又は層は、Ｘ線反射率（ＸＲＲ）によって特定される、１．２５～１．６５ｇ／ｃｍ3、代替的には１．３５～１．５５ｇ／ｃｍ3、代替的には１．４～１．５ｇ／ｃｍ3、代替的には１．４～１．５ｇ／ｃｍ3、代替的には１．４４～１．４８ｇ／ｃｍ3の密度を有することができる。任意選択的に、有機ケイ素化合物は、オクタメチルシクロテトラシロキサンとすることができ、ｐＨ保護皮膜又は層は、同じＰＥＣＶＤ反応条件下で有機ケイ素化合物としてＨＭＤＳＯから作られたｐＨ保護皮膜又は層の密度よりも高い値であることができる密度を有することができる。
ｐＨ保護皮膜又は層は任意選択的に、非被覆面及び／又は前駆体としてＨＭＤＳＯを使用するバリア被覆面と比較して、ｐＨ保護皮膜又は層と接触した化合物又は組成物の成分の沈殿を防止又は低減することができ、特に、インスリンの沈殿又は血液凝固を防止又は低減することができる。
ｐＨ保護皮膜又は層は任意選択的に、ＲＭＳ表面粗度値（ＡＦＭによって測定される）約５～約９、任意選択的に約６～約８、任意選択的に約６．４～約７．８を有することができる。ＡＦＭによって測定されるｐＨ保護皮膜又は層のＲａ表面粗度値は、約４～約６、任意選択的に約４．６～約５．８であることができる。ＡＦＭによって測定されるｐＨ保護皮膜又は層のＲｍａｘ表面粗度値は、約７０～約１６０、任意選択的に約８４～約１４２、任意選択的に約９０～約１３０であることができる。
ｐＨ保護の内側面は、ＡＳＴＭ Ｄ７３３４－０８「前進接触角測定による皮膜、基板、及び顔料の表面濡れ性に関する標準的技法（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｐｒａｃｔｉｃｅ ｆｏｒ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗｅｔｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ Ｃｏａｔｉｎｇｓ， Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ａｎｄ Ｐｉｇｍｅｎｔｓ ｂｙ Ａｄｖａｎｃｉｎｇ Ｃｏｎｔａｃｔ Ａｎｇｌｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）」に準拠して、ｐＨ保護面上の水滴のゴニオメータ角度測定により測定した場合、接触角（蒸留水との）９０°～１１０°、任意選択的に８０°から１２０°、任意選択的に７０°～１３０°を有することができる。
パッシベーション層又はｐＨ保護皮膜若しくは層２８６は任意選択的に、
Ｏパラメータ＝（１２５３ｃｍ-1における強度／１０００～１１００ｃｍ-1の範囲の最大強度）
として測定される、０．４未満の、減衰全反射（ＡＴＲ）を用いて測定されるＯパラメータを示す。
Ｏパラメータは、最も広くは０．４～０．９のＯパラメータ値を請求する米国特許第８，０６７，０７０号明細書において定義される。１２５３ｃｍ-1において０．０４２４の吸光度及び１０００～１１００ｃｍ-1において０．０８の最大吸光度を得るための波数及び吸光度スケールの補間の結果として計算されたＯパラメータ０．５３を示すために注釈されること以外は、米国特許第８，０６７，０７０号明細書の図５と同じである図６に示すように、Ｏパラメータは、上記式の分子及び分母を見つけるための、ＦＴＩＲ振幅対波数プロットの物理的分析から測定することができる。Ｏパラメータは、デジタル波数対吸光度データから測定することもできる。
米国特許第８，０６７，０７０号明細書では、双方がともに非環式シロキサン類であるＨＭＤＳＯ及びＨＭＤＳＮのみによる実験に依拠して、請求されるＯパラメータ範囲が優れたｐＨ保護皮膜又は層を提供すると主張されている。驚くべきことに、本発明者らは、ＰＥＣＶＤ前駆体が環式シロキサン、例えばＯＭＣＴＳである場合、米国特許第８，０６７，０７０号明細書において請求された範囲外の、ＯＭＣＴＳを使用するＯパラメータが、ＨＭＤＳＯを用いて米国特許第８，０６７，０７０号明細書において得られるものよりも更に良好な結果を提供することができることを発見した。
代替的には、図１～図５の実施形態において、Ｏパラメータは、０．１～０．３９、又は０．１５～０．３７、又は０．１７～０．３５の値を有する。
本発明の更に別の態様は、今述べられ、図１～図５に例示される複合材料であり、パッシベーション層は、
Ｎパラメータ＝（８５０ｃｍ-1における強度／７９９ｃｍ-1における強度）
として測定される、減衰全反射（ＡＴＲ）を用いて測定される０．７未満のＮパラメータを示す。
Ｎパラメータもまた米国特許第８，０６７，０７０号明細書に記載されており、２つの特定波数－これら波数のどちらも範囲ではない－における強度が使用されること以外はＯパラメータと同様に測定される。米国特許第８，０６７，０７０号明細書は、０．７～１．６のＮパラメータを有する不活性化層を請求する。同じく、本発明者らは、上述のように、０．７を下回るＮパラメータを有するｐＨ保護皮膜又は層２８６を用いてより良好な皮膜を作製した。代替的には、Ｎパラメータは、少なくとも０．３、又は０．４～０．６、又は少なくとも０．５３の値を有する。
流体２１８に直接接触する場合のｐＨ保護皮膜又は層２８６の腐食、熔解、又は溶出の速度（関連する概念で異なる名称）は、流体２１８に直接接触する場合のバリア皮膜又は層２８８の腐食速度未満である。
ｐＨ保護皮膜又は層の厚さは、任意の実施形態では、５０～５００ｎｍ、好ましくは１００～２００ｎｍの範囲であることが企図される。
ｐＨ保護皮膜又は層２８６は、少なくとも、バリア皮膜が製薬包装又は他の容器２１０の保管寿命中、バリアとして機能できるようにするのに十分な時間にわたり、流体２１８をバリア皮膜又は層２８８から分離するのに有効である。
ｐＨ保護皮膜又は層がかなりの有機成分を有する、ポリシロキサン前駆体から形成されるＳｉＯxＣy又はＳｉ（ＮＨ）xＣyの特定のｐＨ保護皮膜又は層は、流体に曝露されても急速に浸食せず、実際、流体が５～９の範囲内の高ｐＨを有するとき、浸食又は溶解は比較的遅い。例えば、ｐＨ８では、前駆体オクタメチルシクロテトラシロキサン、即ちＯＭＣＴＳから作られたｐＨ保護皮膜又は層の溶解速度は非常に遅い。したがって、ＳｉＯｘＣy又はＳｉ（ＮＨ）xＣyのこれらのｐＨ保護皮膜又は層を、ＳｉＯｘのバリア層を被覆するのに使用することができ、それを薬剤包装内の流体から保護することによりバリア層の利点を保持する。保護層はＳｉＯｘ層の少なくとも一部分に塗布され、さもなければ内容物がＳｉＯｘ層と接触することになる、容器内に保管される内容物からＳｉＯｘ層を保護する。
本発明は以下の理論の精度に依拠するものではないが、更に、浸食を回避するために有効なｐＨ保護皮膜又は層は、本開示に記載のシロキサン類及びシラザン類から製造することができると考えられる。環式シロキサン又は直鎖シラザン前駆体、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）から堆積されたＳｉＯxＣy又はＳｉ（ＮＨ）xＣy皮膜は、インタクトな環式シロキサン環及び前駆体構造の繰り返し単位が比較的長く連続したものを含むと考えられる。これらの皮膜は、ナノ多孔質であるが構造化され且つ疎水性であると考えられ、これら特性はｐＨ保護皮膜又は層、また保護皮膜又は層としてのそれらの成功に寄与すると考えられる。これは、例えば米国特許第７，９０１，７８３号明細書に示されている。
ＳｉＯxＣy又はＳｉ（ＮＨ）xＣy皮膜は、直鎖シロキサン又は直鎖シラザン前駆体、例えばヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）又はテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）から堆積することもできる。
任意選択的に、任意の実施形態のｐＨ保護皮膜又は層２８６のＦＴＩＲ吸光スペクトルは、０．７５よりも大きい、通常、約１０００ｃｍ-1と１０４０ｃｍ-1との間に配置されるＳｉ－Ｏ－Ｓｉ対称伸縮ピークの最大振幅と、通常、約１０６０ｃｍ-1と約１１００ｃｍ-1に配置されるＳｉ－Ｏ－Ｓｉ非対称伸縮ピークとの比率を有する。代替的には、任意の実施形態では、この比率は少なくとも０．８、少なくとも０．９、少なくとも１．０、少なくとも１．１、又は少なくとも１．２であることができる。代替的には、任意の実施形態において、この比率は多くとも１．７、多くとも１．６、多くとも１．５、多くとも１．４、又は多くとも１．３であることができる。ここに述べた任意の最小比率をここに述べた任意の最大比率と組み合わせることができる。
任意選択的に、任意の実施形態において、薬剤のない状態のｐＨ保護皮膜又は層２８６は非油性の外観を有する。この外観により、場合によっては、効果的なｐＨ保護皮膜又は層が、場合によっては油性（即ち光沢のある）外観を有することが認められている潤滑層と区別されることが認められている。
任意選択的に、任意の実施形態におけるｐＨ保護被覆又は層２８６について、注射用水で希釈され、濃縮硝酸でｐＨ８に調整され、０．２ｗｔ．％ポリソルベート８０界面活性剤を含有し（溶解試薬の変化を回避するために薬剤のない状態で測定した）、４０℃である５０ｍＭリン酸カリウム緩衝液によるケイ素溶解速度は１７０ｐｐｂ／日未満である。（ポリソルベート８０は、例えば、Ｔｗｅｅｎ（登録商標）－８０としてＵｎｉｑｅｍａ Ａｍｅｒｉｃａｓ ＬＬＣ，Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ Ｄｅｌａｗａｒｅから入手可能な一般的な製剤の原料である。）
任意選択的に、任意の実施形態におけるｐＨ保護被覆又は層２８６について、ケイ素溶解速度は、１６０ｐｐｂ／日未満、１４０ｐｐｂ／日未満、１２０ｐｐｂ／日未満、１００ｐｐｂ／日未満、９０ｐｐｂ／日未満、又は８０ｐｐｂ／日未満である。任意選択的に、任意の実施形態では、ケイ素溶解速度は、１０ｐｐｂ／日超、又は２０ｐｐｂ／日超、３０ｐｐｂ／日超、４０ｐｐｂ／日超、５０ｐｐｂ／日超、又は６０ｐｐｂ／日超である。任意の実施形態におけるｐＨ保護被覆又は層２８６について、ここで記載した任意の最低速度はここで記載した任意の最大速度と組み合わせることができる。
任意選択的に、任意の実施形態におけるｐＨ保護被覆又は層２８６について、容器からｐＨ８の試験組成物への溶解時のｐＨ保護皮膜又は層及びバリア皮膜の総ケイ素含有量は、６６ｐｐｍ未満、６０ｐｐｍ未満、５０ｐｐｍ未満、４０ｐｐｍ未満、３０ｐｐｍ未満、又は２０ｐｐｍ未満である。
本発明者らは、本明細書に記載のｐＨ保護皮膜又は層の以下の作用理論を提供する。本発明は、この理論の精度にも、この理論の使用により予測可能な実施形態にも限定されるものではない。
ＳｉＯxバリア層の溶解速度は、層内のＳｉＯ結合に依存するものと考えられる。酸素結合部位（シラノール）は溶解速度を増加させると考えられる。
ｐＨ保護皮膜又は層はＳｉＯｘバリア層のシラノール部位と結合してＳｉＯｘ表面を「修復」、即ち不動態化するため、溶解速度を劇的に低下させると考えられる。この仮説では、ｐＨ保護層の厚さは主要な保護手段ではない－主要な手段はＳｉＯｘ表面の不動態化である。任意の実施形態では、本明細書に記載されるｐＨ保護皮膜又は層は、ｐＨ保護皮膜又は層の架橋結合密度を増加することにより改善することができると企図される。
疎水性層
ＳｉwＯxＣy又はその均等物ＳｉＯxＣyの保護又は潤滑皮膜又は層は、ｐＨ保護皮膜又は層としても機能するか否かに応じて、疎水性層としての有用性を有することもできる適した疎水性皮膜又は層及びそれらの用途、性質、及び使用は、米国特許第７，９８５，１８８号明細書に記載されている。両タイプの皮膜又は層の性質を有する二重機能保護／疎水性皮膜又は層は、本発明の任意の実施形態に提供することができる。
一実施形態は、疎水性ｐＨ保護皮膜又は層を基板上に形成するのに有効な条件下で実行することができる。任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層の疎水特性は、ガス反応物中の有機ケイ素前駆体に対するＯ2の比率を設定することにより且つ／又はプラズマの生成に使用される電力を設定することにより、設定することができる。任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は、非被覆面よりも低いぬれ張力、任意選択的に２０～７２ｄｙｎｅ／ｃｍ、任意選択的に３０～６０ｄｙｎｅ／ｃｍ、任意選択的に３０～４０ｄｙｎｅ／ｃｍ、任意選択的に３４ｄｙｎｅ／ｃｍを有することができる。任意選択的に、ｐＨ保護皮膜又は層は、非被覆面よりも高い疎水性を有することができる。
任意の記載される実施形態による皮膜又は層の使用は、任意の実施形態において、（ｉ）非被覆面よりも低い摩擦抵抗を有する潤滑皮膜、（ｉｉ）流体と接触するバリア皮膜の溶解を防止するｐＨ保護皮膜又は層、及び／又は（ｉｉｉ）非被覆面よりも疎水性が高い疎水性層として企図される。
パルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステム
図６は、本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器を示す。図６を参照して、ＲＦ電源６０１と、ＲＦ電極６０３と、容器キャビティ６０５と、カメラ６０７と、排出マニフォルド６０９と、ガス入口マニフォルド６１１と、真空ライン６１３とを備えたパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器６００が示される。各容器キャビティ６０５の底部には容器ホルダ１１０５、１１０７があり、それらに対して容器の開口部が配置され、それらを通して前駆体ガスが容器に流入し（ガス入口マニフォルド６１１から）、排出ガスが容器から流出する（排出マニフォルド６０９に）。
ＲＦ電源６０１は例えば、所望の電力レベル、デューティサイクル、パルス持続時間、及び周波数のＲＦ信号をＲＦ電極６０３に提供するのに適した回路を備え得る。ＲＦ電源６０１は、ＲＦ電極６０３に合うように出力インピーダンスを調整する調整可能な整合インピーダンスネットワークを備え得る。ＲＦ電源６０１は、プラズマを最適に制御するために１００ｍＶ解像度を有するＲＦ電圧を提供し得る。加えて、生成されたＲＦ信号は、２５０Ｗ～１０００Ｗの高電力パルスを有し得るが、他のパラメータに応じて電力は数ｋＷに増大させ得る。低電力パルスは０Ｗであり得、電力周波数は例えば１３．６５ＭＨｚであり得る。デューティサイクルは１％～９９％、好ましくは５０％～９９％の間で変化し得る。パルス列周波数は２５０Ｈｚ～５０００Ｈｚの範囲であり得、範囲は１００００Ｈｚまで拡張し得る。
ＲＦ電極６０３は、ＲＦ電源から、容器キャビティ６０５及び容器自体によって画定される個々のＰＥＣＶＤチャンバにＲＦ信号を通信させる金属構成要素を備え得る。ＲＦ電極６０３は上面に複数のオリフィスを備え、オリフィス内で、被覆される容器が個々の容器キャビティ６０５に配置される。
容器キャビティ６０５は、被覆される容器の部分が配置され、各々が実質的に容器壁を囲むＲＦ電極６０３の部分を備える。ＲＦ電極６０３と接地板（図示せず）との間の電位は、ガス入口マニフォルド６１１によって提供される入力ガスを用いてプラズマを生成するように構成される。この例では、１行８個で２行の１６個の容器キャビティ６０５があるが、本開示はそのように限定されない。
幾つかの実施形態では、容器キャビティ６０５は、例えば図２９に示されるように、カメラ６０７が、印加されたＲＦ信号により各容器で生成されたプラズマを見られるようにする、容器キャビティを画定する「窓」開口部６０３ＡをＲＦ電極６０３の壁に有し得る。幾つかの実施形態では、各容器キャビティ６０５には、１つのみの窓開口部が提供される。従来のシステムは、例えばプラズマ安定性を上げるために、複数の窓を備える。しかしながら、本設計の平板電極６０３及び容器キャビティ６０５は、各容器キャビティを画定するＲＦ電極の壁が１つのみの窓を持てるようにする。窓等の電極におけるギャップは一般に、被覆均一性を低下させるため、１つのみの窓へのこの低減は、容器壁の内面に塗布される皮膜をより均一にすることができる。
カメラ６０７は、例えば、堆積をモニタリングするためのＣＣＤ又はＣＭＯＳイメージングセンサを備え得る。カメラ６０７は、プラズマの強度、均一性、及び／又は色をモニタして、例えば、プラズマ条件が堆積に向けて正しく構成されていること及び／又は皮膜の堆積中に維持されていることを保証するために利用し得る。図６～図１０に示される等の幾つかの実施形態では、全ての、例えば１６個のチャンバの堆積をモニタするために、２台以上のカメラが必要であり得る。その図示の実施形態では例えば、カメラ６０７は電極６０３の各側に配置し得る。例えば図２９に示されるものを含め、他の実施形態では、容器キャビティ６０５は、単一のカメラ６０７を利用して、被覆中の全ての容器におけるプラズマをモニタし得るように配置され構成し得る。例えば、図２９に示されるように、第１の行における容器キャビティ６０５を第２の行における容器キャビティと互い違いにすることにより、各キャビティは単一の窓６０３ａを有し得、全ての窓は同じ方向に面する。したがって、１つ又は複数のカメラ６０７、好ましくは図示の実施形態に示されるカメラは、電極６０３の片側に配置され、ＰＥＣＶＤ被覆プロセス中、両行のキャビティに含まれる容器内のプラズマ条件をモニタするのに使用し得る。
一実施形態では、カメラ６０７は、可視光範囲のプラズマの画像を捕捉し調べ得る。別の実施形態では、カメラ６０７は赤外線範囲のプラズマの画像を捕捉し調べ得る。別の実施形態では、カメラ６０７は紫外線（ＵＶ）範囲のプラズマの画像を捕捉し調べ得る。これらの波長範囲の何れか１つ又は複数内の光を捕捉し調べて、プラズマプロセスの品質を査定し得る。
捕捉された画像の調査は、カメラ６０７と動作可能にリンクされ、任意選択的にディスプレイ及び／又はユーザインタフェースと更に動作可能にリンクされたプロセッサにより実行し得る。カメラ６０７によって捕捉された画像の調査により、１つ又は複数の容器内のプラズマが１つ又は複数の性質、例えば強度、均一性、又は色の予め定義され許容可能範囲内にない場合、オペレータに警告し得、ＰＥＣＶＤ変数（例えばガス流量、真空レベル、ＲＦ電力レベル、パルス率等）の１つ又は複数を調整し得、且つ／又はプロセスをシステムメンテナンスのために停止し得る。プラズマが許容不可能と見なされた容器は破棄し得る。
排出マニフォルド６０９は、複数の排出出力を１つに組み合わせられるようにし、単一の真空系／ポンプが複数のチャンバを等しく真空にできるようにし、したがって、複数の容器内腔の各々内で均一で一貫して再現可能な真空を提供するガス流ラインのネットワークを備える。この例では、両側の排出マニフォルド６０９の各々は、８つの容器内腔からの出力を１つの出力ラインに結合し、各出力ラインは真空ライン６１３において一緒に結合される。
真空ライン６１３は、排出マニフォルド６０９を介して容器キャビティに真空を提供し得、真空は１つ又は複数のポンプ（図示せず）によって可能にし得る。同じ圧力を各容器に提供することにより、堆積プロセスでの容器間均一性を保証し得る。
ガス入口マニフォルド６１１は、被覆される容器にガスを供給するために、単一の入力ガスラインを複数の入力ラインに分割し、単一の入力ポート６１１Ａがガスを各容器に等しく提供できるようにし、したがって、複数の容器内腔の各々において均一で一貫して再現可能な前駆体ガス流を提供するガス流ラインのネットワークを備える。この例では、ガス入口マニフォルドは、ガス入力ポート６１１Ａの出力を１６個の容器間で等しく分割する。
図７は、本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器の側面図を示す。図７を参照して、ＲＦ電極６０３と、カメラ６０７と、排出マニフォルド６０９と、ガス入口マニフォルド６１１と、真空ライン６１３とを備えたパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器６００を示す。
パルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器６００のこの側面図は、ガス入口マニフォルド６１１及び入口マニフォルドの逆側にも存在する排出マニフォルド６０９の向きを示す。他の実施形態では、ガス入口マニフォルド６１１及び排出マニフォルド６０９が、排出マニフォルドが実質的に中央に配置され、ガス入口マニフォルドが排出マニフォルドの対向する２つの側に存在するように、図示の実施形態に示される向きとは逆向きであり得ることが企図される。
図８は、本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器の上面図を示す。図８を参照して、ＲＦ電極６０３と、容器キャビティ６０５と、カメラ６０７とを備えたパルスＲＦ ＰＥＣＶＤを示す。
パルスＲＦ ＰＥＣＶＤ反応器６００の上面図は、ＲＦ電極６０３における容器キャビティ６０５を示し、１行８個で２行の容器キャビティは、１６個の容器の同時処理を可能にする。加えて、ＲＦ電極６０３は、ＲＦ電源６０１上の相互接続から、容器キャビティ６０５を画定するＲＦ電極の部分が延びる上板まで拡張する。
図９及び図１０は、本開示の一実施形態例によるＲＦ電極の種々の図を示す。図９を参照して、ＲＦ電極６０３の側面図及び上面図を示し、上面図は、被覆される容器が配置される１６個の容器キャビティ６０５を示し、側面図は、ＲＦ電極６０３の上面から下の容器キャビティの垂直広がりを示す。一シナリオ例では、ＲＦ電極は銅を含むが、所望の導電率に応じて他の金属も可能である。
図１０は、１６個の容器キャビティ６０５を示すＲＦ電極６０３の斜角図である。図は、被覆される容器において均一のプラズマを可能にする円筒形状の容器キャビティを示す。
図１１は、本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ容器堆積装置を示す。図１１を参照して、容器２１０の開口部が容器ホルダ１１０５において下に向けられた状態で容器キャビティ６０５内に配置された容器２１０、ここではバイアルの断面図及び拡大断面図を示す。この例では、パルスＰＥＣＶＤ堆積プロセス中、容器２１０に１つ又は複数の前駆体ガスを供給するためのガス送達プローブ１１０１も示されている。加えて、ガス送達プローブ１１０１は内部電極として機能し得（例えば金属を含み得、接地し得る）、したがって、ＲＦ電極６０３がＲＦ信号を提供する状態で、電場が生成され、それにより、堆積プロセス中、容器２１０内にプラズマが点火される。
図１１は、真空ポート１１０３の開口部にわたって延び、プラズマがスクリーン１１０７の上且つ容器２１０内に閉じ込められることを保証するプラズマスクリーン１１０７も示す。任意の実施形態において、プラズマスクリーン１１０７は多様な形態の何れをとってもよい。幾つかの実施形態では例えば、プラズマスクリーン１１０７は、図示の実施形態に示されるように、有孔格子、例えば有孔金属円盤又は有孔金属板を含み得る。他の実施形態では、プラズマスクリーン１１０７は金属メッシュを含み得る。
パルスプラズマＰＥＣＶＤ被覆プロセス中、１つ又は複数の前駆体ガスがガス入口マニフォルド６１１からガス送達プローブ１１０１に、そして容器２１０内に流れ、容器２１０において、パルスＲＦ信号によってプラズマを生成し得、それにより、容器２１０の壁の内面上に所望の皮膜の堆積を生じさせる。所望レベルの真空が、上述した排出マニフォルド６０９への真空ポート１１０３を通したガス流によって維持される。ガス送達プローブ１１０１の出口は、容器の、真空引きされる開口部とは逆の端部近くに位置するため、前駆体ガスは容器の長さに沿って流れて、実質的に均一な分布のガスを提供し、皮膜を容器の壁に沿って実質的に均一の塗布することができる。
ガス送達プローブ１１０１は容器２１０内に均一なガス分布を提供し得るが、他の実施形態では、プラズマを生成するＲＦ場をパルスすることにより、プローブ１１０１をなくすことができ、その理由は、各パルス前に前駆体ガスが容器内で分散するのに十分な時間をパルス間に提供するようにパルス（及び前駆体ガス流）を制御し得るためである。そのような一実施形態の一例を図１２に示す。
図１２は、本開示の一実施形態例による、ガス送達プローブなしのパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ容器被覆システムを示す。図１２を参照して、図１１と同様であるが、容器２１０内にガス送達プローブがない、容器キャビティ６０５内に配置された容器２１０、ここではバイアルの断面図及び拡大断面図を示す。この例では、前駆体ガス入口ライン１２０１は存在するが、容器２１０の内腔内に延出しない。その代わり、ガス入口ライン１２０１は、ガス入口ラインの開口部にわたって延び、プラズマがスクリーン１１０７の上且つ容器２１０内に閉じ込められることを保証するプラズマスクリーン１１０７により、容器の内腔から分離される。
図１１に示される装置と同様に、容器２１０の開口部は容器ホルダ１１０５において下方に向けられる。この例では、ＲＦ電極６０３がＲＦ信号を提供する状態で、電場がＲＦ電極６０３とプラズマスクリーン１１０７との間に生成され、「内部」（この場合、容器の内部ではないが）電極として機能し得（例えば、金属を含み得、接地し得る）、それにより、堆積プロセス中、容器２１０内でプラズマを点火する。図示の実施形態では、プラズマスクリーン１１０７は、ガス入口ライン１２０１の出口及び真空ポート１１０３の入口の両方にわたって延びる。しかしながら、他の実施形態では、第１のプラズマスクリーン１１０７はガス入口ライン１２０１と関連し得、第２のプラズマスクリーン１１０７は真空ポート１１０３と関連し得る。
図１３は、本開示の一実施形態例による、シリンジバレルの内面を被覆するように構成され、入口プローブのないパルスＲＦ ＰＥＣＶＤバレル被覆システムを示す。図１３を参照して、図１２に示されるものと同様であるが、ガス入口プローブのない、容器キャビティ６０５内に配置されたシリンジバレル２５２の断面図及び拡大断面図を示す。この例ではむしろ、ガス入口ライン１２０１はシリンジバレル２５２の内腔からスクリーン１１０７から分離される。別の（非限定的な）実施形態では、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤシリンジバレル被覆システムは、図１１に示されるシステムと同様に、シリンジバレル２５２の内腔内に延びるガス入口プローブを備え得る。
図１１及び図１２に示される装置と同様に、シリンジバレル２５２の後部開口部は、容器ホルダ１１０５において下方に向けられる。この例では、ＲＦ電極６０３がＲＦ信号を提供する状態で、電場がＲＦ電極６０３とプラズマスクリーン１１０７との間に生成され、「内部」（この場合、容器の内部ではないが）電極として機能し得（例えば、金属を含み得、接地し得る）、それにより、堆積プロセス中、シリンジバレル２５２の内腔内でプラズマを点火する。
図１４、図１５、及び図１６は、本開示の一実施形態例による、容器の内面及び容器の外面の両方に皮膜を提供するように構成されたパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムを示す。図１４を参照して、４つの容器チャンバ１４０１Ａ～１４０１Ｄを有するパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステム１４００を示し、各チャンバは、１つ又は複数の皮膜又は層を容器の内面に堆積させ、１つ又は複数の皮膜又は層を容器の外面に堆積させるように動作可能である。容器２０１の外面に塗布することが望まれる皮膜の一例は、帯電防止皮膜であり、帯電により、汚染物が容器内に引き込まれることに繋がる恐れがある。図１５は、堆積チャンバ１４０１Ａ及び１４０１Ｂを有する、図１４のクワッドパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ被覆システム１４００の断面図を示す。図１６は単一の容器被覆システムの断面図を示し、例えば単一の堆積チャンバ１４０１Ａを更に詳細に示す。
図６～図１３の何れかの実施形態（又は上述した、図示されていない代替の実施形態）に関して上述した構成要素に加えて、システムは上部封止要素１４１１を備え得、これは、容器が電極６０３の容器キャビティ６０５内に挿入されると、容器２１０を覆って閉じられる。このようにして、被覆チャンバ１４１３は容器２１０の外壁の周囲に形成し得る。
上部封止要素１４１１の少なくとも一部は、電極６０３のＰＥＣＶＤ被覆プロセスの一環として作用する金属構成要素であり得る。図示の実施形態では例えば、電極６０３に接触し、被覆チャンバ１４１３の壁の一部を形成する要素１４１１Ａは、ＰＥＣＶＤ被覆プロセス中、外部電極の一部として機能する金属構成要素である。望ましくは、要素１４１１Ａは電極６０３と同じ金属で作られる。例えば、電極６０３が銅である場合、要素１４１１Ａも望ましくは銅である。代替的には、電極６０３がアルミニウムである場合、要素１４１１Ａも望ましくはアルミニウムである。
図１４～図１５に示される等の幾つかの実施形態では、上部封止要素１４１１は、１つ又は複数の前駆体ガスをチャンバ１４１３に供給する前駆体ガス入口マニフォルド１４０５、所望の真空をチャンバ１４１３に提供する真空／排出マニフォルド１４０３、又は両方を備え得、又はこれ（ら）と動作可能に接続し得る。例えば、図示の実施形態の上部封止要素１４１１は、（ａ）１つ又は複数の前駆体ガスをチャンバ１４１３に導入するガス入口マニフォルド１４０５及び関連するガス入口１２０１と、（ｂ）所望の真空を維持するために排出ガスをチャンバ１４１３から出す排出マニフォルド１４０３及び関連する真空ポート１１０３との両方を備える。前駆体ガス入口１２０１及び排出ガス出口、即ち真空ポート１１０３は、図１２、図１３に示される（容器の内面に被覆するための）ものと同様に構成し得る。例えば、前駆体ガス入口及び排出ガス出口は両方とも、本明細書に記載される等のように、プラズマスクリーン１１０７によりチャンバ１４１３から分離し得る。
他の（示されていない）実施形態では、１つ又は複数の前駆体ガスをチャンバ１４１３に導入するガス入口マニフォルド１４０５及び関連するガス入口１２０１、排出ガスをチャンバ１４１３から出す排出マニフォルド１４０３及び関連する出口１１０３、又は両方は、上部封止要素１４１１の代わりに容器ホルダ１１０５と関連し得る。幾つかの実施形態では例えば、１つ又は複数の前駆体ガスをチャンバ１４０３に導入するガス入口マニフォルド１４０５及び関連する入口は、例えば、上部封止要素１４１１及び容器ホルダ１１０５の一方と関連することにより、容器の一端部に位置し得、チャンバ１４０３内に真空を生み出す排出マニフォルド１４０３及び関連する出口は、例えば、上部封止要素及び容器ホルダの他方と関連することにより、容器の他端部に位置し得る。そのような一実施形態では、前駆体ガスは、ガス入口と排出出口との間を容器の長さに沿って移動する。
ＲＦ電極６０３（及び上述したように任意選択的に１４１１Ａ）は、上述したように１つ又は複数のＰＥＣＶＤ皮膜を容器の内面に塗布するために、容器２１０内部でプラズマを点火するＲＦ電場を提供し得る。この実施形態では、ＲＦ電極６０３（及び上述したように任意選択的に１４１１Ａ）は、容器の外面に１つ又は複数のＰＥＣＶＤ皮膜を塗布するために、チャンバ１４１３内でプラズマを点火するＲＦ電場を提供することもできる。チャンバ１４１３内のプラズマは、例えば、接地された「内部」（スクリーン自体は容器又はチャンバの何れの内部にもないが）電極としてガスプローブ入口１１０１及び／又はプラズマスクリーン１１０７を使用して、電場を生成することにより、容器２１０内のプラズマと同様に点火し得る。プラズマは、容器２１０又はチャンバ１４１３の何れか内で、各々へのガス流を制御することによって形成し得る（例えば、チャンバ１４１３にガス流がない場合、そのチャンバ内でプラズマは形成されず、容器２１０にガス流がない場合、容器内でプラズマは形成されない）。
図１６は、本開示の一実施形態例による、容器の内面及び外面の両方を被覆するように構成された単一容器パルスＲＦ ＰＥＣＶＤ被覆システム１６００の断面図を示す。頂部及び底部におけるガス入口はそれぞれ、容器２１０の外面及び内面にソースガスを提供する。入口ガスプローブ１１０１は、ソースガスを容器２０１の内部に提供し得る。上述した他の実施形態と同様に、ＲＦ電極６０３等のＲＦ電極（及び任意選択的に上部封止要素の要素１４１１Ａ）は、電場がＲＦ電極６０３と入口ガスプローブ１１０１との間に生成され、それにより、堆積中、容器２１０内でプラズマを点火するように、ＲＦ信号を提供し得る。代替の実施形態では、システムは、図１２及び図１３に示される実施形態に関して上述した等、ガス入口プローブ１１０１を有さないように構成し得る。
ＰＥＣＶＤ被覆プロセス
プロセスを実行するために、基本的に、内腔２１２を画定する熱可塑性ポリマー材料からなる壁２１４を含む容器２１０が提供される。任意選択的に、任意の実施形態では、壁はポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）；ポリオレフム（ｐｏｌｙｏｌｅｆｍ）、環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）、環式オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環式オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、又はポリカーボネート、好ましくはＣＯＰ、ＣＯＣ、又はＣＢＣを含む。任意選択的に、任意の実施形態では、容器内腔は、２～１２ｍＬ、任意選択的に３～５ｍＬ、任意選択的に８～１０ｍＬの容量を有する。壁２１４は、内腔に面する内側面３０３と、外側面３０５とを有する。
部分真空が内腔内に引かれる。幾つかの実施形態例えば、部分真空は約２０～約６０ミリトル、代替的には約３０～約５０ミリトルであり得る。
内腔内の部分真空を破壊せずに保ちながら、ＳｉＯｘＣｙのタイ皮膜又は層２８９は任意選択的に、シロキサン前駆体、好ましくは線状シロキサン前駆体、任意選択的に酸素を含む前駆体ガス及び任意選択的にプラズマを安定化させるための不活性ガス希釈剤を供給しながら、プラズマを内腔内に生成するのに十分なパルスＲＦ電力（代替的には同じ概念は本明細書において「エネルギー」と呼ばれる）を印加することを含むパルスＰＥＣＶＤタイ層被覆ステップにより塗布される。幾つかの実施形態では、前駆体ガスを導入し得、プラズマの点火前、ガス成分の比率を安定化し得る。次いで、内腔内の部分真空を破壊せずに維持しながら、プラズマを消し得、それにはＳｉＯxＣyのタイ皮膜又は層の塗布を停止させる効果がある。
タイＰＥＣＶＤ被覆プロセスで使用されたプラズマが消えた後且つバリアＰＥＣＶＤ被覆プロセスが開始される前、タイＰＥＣＶＤ被覆プロセスで採用されたガスの供給を停止し、例えば、シロキサン前駆体に対する酸素の比率を上げ、任意選択的にガス供給から不活性ガス（例えばアルゴン）を低減又はなくすことにより、バリア皮膜又は層の堆積により適したガス供給に置換又は単に変更することができる。
内腔内の部分真空を破壊せずに維持しながら、バリア皮膜又は層２８８は、シロキサン、好ましくは線状シロキサン及び酸素を含む前駆体ガスを供給しながら、内腔内にプラズマを生成するのに十分なパルスＲＦ電力を印加することを含むパルスＰＥＣＶＤバリア被覆ステップにより塗布される。幾つかの実施形態では、前駆体ガスを導入し得、プラズマの点火前、ガス成分の比率を安定化し得る。バリア皮膜又は層を塗布した後、内腔内の部分真空を破戒せずに維持しながら、プラズマを消し得、それにはバリア皮膜又は層の塗布を停止させる効果がある。ＸＰＳにより測定されるようにｘは１．５～２．９であるＳｉＯｘのバリア皮膜又は層は、バリア被覆ステップの結果として、タイ皮膜又は層と内腔との間に生成される。
バリアＰＥＣＶＤ被覆プロセスで使用されたプラズマが消えた後且つ任意選択的にｐＨ保護ＰＥＣＶＤ被覆プロセスが使用される場合、ｐＨ保護ＰＥＣＶＤ被覆プロセスが開始される前、バリアＰＥＣＶＤ被覆プロセスで採用されたガスの供給を停止し、例えば、シロキサン前駆体に対する酸素の比率を下げ、任意選択的にガス供給に不活性ガス（例えばアルゴン）を増大又は導入することにより、ｐＨ保護皮膜又は層の堆積により適したガス供給に置換又は単に変更することができる。
次いで、内腔内の部分真空を破壊せずに維持しながら、ＳｉＯxＣyのｐＨ保護皮膜又は層２８６をパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ ｐＨ保護被覆ステップにより塗布し得る。ｐＨ保護皮膜又は層は任意選択的に、バリア皮膜又は層と内腔との間に塗布される。ｐＨ保護ＰＥＣＶＤステップは、シロキサン前駆体、好ましくは線状シロキサン前駆体、任意選択的に酸素、及び任意選択的にプラズマを安定化させるための不活性ガス希釈剤を含む前駆体ガスを供給しながら、内腔内にプラズマを生成するのに十分なパルスＲＦ電力を印加することを含む。幾つかの実施形態では、前駆体ガスを導入し得、プラズマの点火前、ガス成分の比率を安定化し得る。
ｐＨ保護皮膜層が最後の層である場合、真空を破り得、被覆された容器を取り出し得る。他方、潤滑層等の別の層が塗布される場合、内腔内の部分真空を破壊せずに維持しながら、ＳｉＯxＣyの潤滑皮膜又は層をパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ潤滑被覆ステップにより塗布し得る。潤滑ＰＥＣＶＤステップは、シロキサン前駆体、好ましくは線状シロキサン前駆体、任意選択的に酸素、及び任意選択的にプラズマを安定化させるための不活性ガス希釈剤を含む前駆体ガスを供給しながら、内腔内にプラズマを生成するのに十分なパルスＲＦ電力を印加することを含む。潤滑皮膜を塗布した後、内腔内の部分真空を破壊せずに維持しながら、プラズマを消し得、それには潤滑皮膜又は層の塗布を停止させる効果がある。
任意選択的に任意の実施形態では、任意選択的なタイ皮膜又は層、バリア皮膜又は層、及び任意選択的なｐＨ保護皮膜又は層の堆積に使用される各線状シロキサン前駆体は、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）又はテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）であることができ、好ましくはＨＭＤＳＯであることができる。任意選択的に任意の実施形態では、例えばタイＰＥＣＶＤ被覆プロセス、バリアＰＥＣＶＤ被覆プロセス、及び任意選択的にｐＨ保護ＰＥＣＶＤ被覆プロセスであることができる各被覆プロセスにおいて、同じ線状シロキサン前駆体が使用される。同じシロキサンの使用により、異なるシロキサンを供給する弁装置の必要がない同じ被覆機器の使用が可能になり、被覆プロセスのスループットが増大する（ガス間を切り替えるために必要な時間がなくなることにより）。任意選択的に任意の実施形態では、技術は、本明細書又は特許請求の範囲に記載されるプロセスを採用して、複数の皮膜を生成するために任意の前駆体を使用する任意のプラズマ化学気相成長プロセスの使用に向けて更に一般化することができる。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてバリア皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供される高電力ＲＦパルスは、２１８～６００ワットであり、任意選択的に２１８～４３６ワット、任意選択的に４５０～５００ワット、任意選択的に２５０～３００ワットである。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてタイ皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供される高電力ＲＦパルスは、１００～３５０ワットであり、任意選択的に２００～２７０ワット、任意選択的に１３５～３５０ワット、任意選択的に１００～２００ワットである。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてｐＨ保護皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供される高電力ＲＦパルスは、１００～３５０ワットであり、任意選択的に２００～２７０ワット、任意選択的に１３５～３５０ワット、任意選択的に１００～２００ワットである。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいて潤滑皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供される高電力ＲＦパルスは、２～１０００ワットであり、任意選択的に３～５０ワットである。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてバリア皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるＲＦ電力は、２～１０，０００Ｈｚ、任意選択的に２５０～１０，０００Ｈｚ、任意選択的に３０～５００Ｈｚ、任意選択的に２～２５Ｈｚのパルス列周波数でパルスし得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてタイ皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるＲＦ電力は、１０～１０，０００Ｈｚ、任意選択的に２５０～１０，０００Ｈｚ、任意選択的に３０～５００Ｈｚ、任意選択的に２～２５Ｈｚのパルス列周波数でパルスし得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてｐＨ保護皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるＲＦ電力は、１０～１０，０００Ｈｚ、任意選択的に２５０～１０，０００Ｈｚ、任意選択的に２０～４００Ｈｚ、任意選択的に１０～２０Ｈｚのパルス列周波数でパルスし得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいて潤滑皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるＲＦ電力は、１～１０，０００Ｈｚ、任意選択的に１００～１０，０００Ｈｚのパルス列周波数でパルスし得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてバリア皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるＲＦ電力は、１３．５６～７２ＭＨｚの電力周波数でパルスし得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてタイ皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるＲＦ電力は、１３．５６～７２ＭＨｚの電力周波数でパルスし得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてｐＨ保護皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるＲＦ電力は、１３．５６～７２ＭＨｚの電力周波数でパルスし得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいて潤滑皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるＲＦ電力は、１３．５６～７２ＭＨｚの電力周波数でパルスし得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてバリア皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるパルスＲＦ電力は、２０～９９％、任意選択的に８０～９９％、任意選択的に９６～９９％、任意選択的に２０～５０％のデューティサイクルを有し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてタイ皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるパルスＲＦ電力は、１５～９９％、任意選択的に２５～８０％、任意選択的に８０～９９％、任意選択的に１５～２５％のデューティサイクルを有し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいてｐＨ保護皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるパルスＲＦ電力は、１５～９９％、任意選択的に２５～８０％、任意選択的に８０～９９％、任意選択的に１５～２５％のデューティサイクルを有し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、本明細書に示された等の１６アップコータにおいて潤滑皮膜又は層を塗布するために内腔内にプラズマを生成するために提供されるパルスＲＦ電力は、１０～９９％、任意選択的に６０～８０％のデューティサイクルを有し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、バリア皮膜又は層を塗布するために生成されるプラズマは、３～４０秒、任意選択的に６～４０秒、任意選択的に６～３０秒、任意選択的に６～２５秒、任意選択的に６～２０秒、任意選択的に６～１５秒、任意選択的に７～４０秒、任意選択的に７～３０秒、任意選択的に７～２５秒、任意選択的に７～２０秒、任意選択的に７～１５秒、任意選択的に１０～４０秒、任意選択的に１０～３０秒、任意選択的に１０～２５秒、任意選択的に１０～２０秒、任意選択的に１０～１５秒の堆積時間にわたって塗布し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、タイ皮膜又は層を塗布するために生成されるプラズマは、２～５秒、任意選択的に２～３．５秒、任意選択的に３．５～５秒の堆積時間にわたって塗布し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、ｐＨ保護皮膜又は層を塗布するために生成されるプラズマは、１０～４０秒、任意選択的に１０～３０秒、任意選択的に１０～２０秒、任意選択的に１０～１５秒任意選択的に１５～２０秒の堆積時間にわたって塗布し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、潤滑皮膜又は層を塗布するために生成されるプラズマは、１０～１２０秒、任意選択的に３０～９０秒の堆積時間にわたって塗布し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、三層（タイ層、バリア層、ｐＨ保護層）皮膜を本明細書に示される等の１６アップコータにより１６個の容器に同時に、１２０秒未満、任意選択的に１１０秒未満、任意選択的に１００秒未満、任意選択的に９０秒未満、任意選択的に８０秒未満、任意選択的に７５秒未満、任意選択的に７０秒未満、任意選択的に６５秒未満で塗布し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、バリア皮膜又は層は、１～１０ｓｃｃｍ、任意選択的に３～５ｓｃｃｍの任意選択的にＨＭＤＳＯのシロキサン前駆体供給率と、１０～１００ｓｃｃｍ、任意選択的に２０～５０ｓｃｃｍの酸素前駆体供給率とを使用して、本明細書に示される等の１６アップコータで塗布し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、タイ皮膜又は層は、６～１０ｓｃｃｍ、任意選択的に８～９ｓｃｃｍの任意選択的にＨＭＤＳＯのシロキサン前駆体供給率と、１．７～４ｓｃｃｍ、任意選択的に２．５～４ｓｃｃｍの酸素前駆体供給率と、５０～ｌ００ｓｃｃｍ、任意選択的に８０～１００ｓｃｃｍの不活性ガス（例えばアルゴン）供給率とを使用して、本明細書に示される等の１６アップコータで塗布し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、ｐＨ保護皮膜又は層は、６～１０ｓｃｃｍ、任意選択的に８～９ｓｃｃｍの任意選択的にＨＭＤＳＯのシロキサン前駆体供給率と、１．７～４ｓｃｃｍ、任意選択的に２．５～４ｓｃｃｍの酸素前駆体供給率と、５０～ｌ００ｓｃｃｍ、任意選択的に８０～１００ｓｃｃｍの不活性ガス（例えばアルゴン）供給率とを使用して、本明細書に示される等の１６アップコータで塗布し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、潤滑皮膜又は層は、１～３０ｓｃｃｍ、任意選択的に２５～３０ｓｃｃｍの任意選択的にＯＭＣＴＳのシロキサン前駆体供給率と、０～１００ｓｃｃｍ、任意選択的に０～１０ｓｃｃｍの酸素前駆体供給率と、０～１００ｓｃｃｍの窒素前駆体供給率と、０～ｌ００ｓｃｃｍ、任意選択的に０～２０ｓｃｃｍの不活性ガス（例えばアルゴン）供給率とを使用して、本明細書に示される等の１６アップコータで塗布し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、同じＲＦ電源、同じ真空源、同じ前駆体ガス源、又はそれらの任意の組合せを使用して、少なくとも１２個の容器、代替的には少なくとも１６個の容器を同時に被覆し得る（例えば１２アップコータ、１６アップコータ、２４アップコータ、３２アップコータ等において）。任意選択的に、各被覆ステップ中、前駆体ガスはガスマニフォルドにより全ての容器に等しく分配し得る。任意選択的に、各被覆ステップ中、真空は真空マニフォルドにより全ての容器に等しく分配し得る。
任意選択的に任意の実施形態では、前駆体ガスは、容器開口部、例えば容器の開端部を通して内腔に直接供給し得る。他の実施形態では、前駆体ガスは、容器の内腔内に位置するガス出口プローブを通して供給し得る。任意選択的に任意の実施形態では、容器の外面は、ＰＥＣＶＤ及び任意選択的にパルスＰＥＣＶＤにより帯電防止且つ／又は傷防止皮膜等を被覆することもできる。
パルスＲＦプラズマは、容器間及び実行間でより安定したプラズマを可能にする。同様に、本明細書に記載される１６容器被覆システムは、真空の圧力、ガス流、及び電力等の測定される入力のより多くの解像を可能にする。調整可能なＲＦ生成器は、よりよいプラズマ制御を提供する１００ｍＶ解像度を提供する。加えて、ＲＦ生成器の整合ネットワークは、例えば電極ジオメトリ等の反応器レイアウトの任意の変更に合うように調整することができる広範囲のコンダクタンスをカバーする改善された調整可能性を提供する。ＲＦ電源６０１の整合ネットワークは、バイアル、シリンジ等の異なるサイズ且つ／又は形状の容器で異なり得るプロセス入力にシステム設計を合わせるように調整し得る。
上述したように１６容器被覆システムでの単一のガス源及び単一の排出源を用いて充填する容量の増大に伴い、解像度が増し、質量流量コントローラ及び圧力ゲージの実行間変動誤差が小さくなる。さらに、プラズマＲＦ電力のパルス化は、被覆プロセス中の熱負荷の影響を最小に抑え、それにより、従来のシステムよりも高い電力が可能になり、可能な限り最良のバリア性能を取得することができる。真空を破ることなく三層皮膜を堆積することは、別個の層被覆で生じる、層間での環境への露出がないため、プロセス時間を大幅に短縮し、層品質を改善することができる。
さらに、単一の電極及び接続を有するＲＦ電極設計は、被覆するあらゆる容器に電極を有する場合と比較してプラズマ均一性の改善に繋がるとともに、ＲＦ信号が印加されるとき、寄生効果を最小に抑える。皮膜層の目標は、酸素バリア等のガスバリアとしてのガラスの性能を模倣することができるバリアを提供することである。最適化されたバリアは、安定したプラズマ、効率的なハードウェア及び制御を用いて高密度被覆成長に伴う欠陥を低減した。１６個以上の容器へのシステム容量の増大により、安定したプロセス圧力及びガス送達制御を用いて安定性を電気的に改善することができる。ＲＦ電源６０１は１ｋＷ以上のＲＦ電力を提供し得、１ｋＷでは、ＲＦエネルギーはより再現可能であり、１００ｍＶ解像度制御を可能にする。
図２１は、本開示の一実施形態例によるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおいて被覆されたバイアルの溶解速度の実験計画法散布図を示す。図２１を参照して、実験計画は、ｐＨ保護層で３００～３５０Ｗ電力範囲において、サイクル時間が１０秒又は１５秒であることができ、各チャック位置１～１６で基本的に平らなＳｉ（μｇ）プロットにより示される、１６個全ての部分にわたって溶解当たりの性能（ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｐｅｒ ｄｉｓｓｏｌｕｔｉｏｎ）Ｓｉ（μｇ）が等しいことを示す。これとは対照的に、被覆性能のいくらかのばらつきが２００Ｗ等の低電力で生じ得ることが示されている。
実施例１
本明細書に記載される方法及びシステムの一実施形態を使用して被覆された１０ｍＬバイアルのバリア層の性能を特徴付けるために、８０個のＣＯＰ容器に、９つの異なる定義された時間期間の１つにわたってバリア層を被覆した（他の全ての被覆パラメータは同じままの状態で）。各時間期間で、５個の容器を被覆した。５個の容器のうちの２個は、厚さ試験に使用し、５個の容器のうちの３個はＯＴＲ試験に使用した。各容器で、２秒の接着（タイ）層をまず塗布し、それにより、バリア層でプラズマが最小遅延で点火することを保証した。被覆パラメータを以下の表１に示す。
次いで被覆されたサンプルをバリア層厚（フィルメトリクスセンサによる）及び酸素透過率（ＯＴＲ）について試験した。厚さデータから、全般的な傾向として、バリア層の堆積時間が増えるにつれて、層厚は大方安定した率で増大する。
結果を図１７に示す。特に、図１７は、本開示の一実施形態例による、１６個の容器が同時に被覆されるパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおける層厚と層成長時間との関係を示す。図１７を参照して、例えば２０秒超等の長い堆積時間でいくらかの非線形性を有する、時間に伴う略線形の厚さ変動を示す厚さプロットを示す。
酸素透過率試験の結果を図１８に示す。特に、図１８は、本開示の一実施形態例によるバリア層を有するバイアルの酸素透過率と層厚との関係を示す。図１８を参照すると、ＯＴＲ結果は、堆積時間が増えるにつれて、ＯＴＲは１０秒前後まで低下し、その時点で、それ以上堆積時間が増えてもＯＴＲは低いままであることを示し、１０秒を越えると、それ以上時間を追加しても性能が増大しないことを示す。
厚さ試験の一環として、皮膜のコンターマップも作成した。結果を図１９及び図２０に示す。図を参照すると、コンターマップは、厚さ変動が、バイアルの長さに沿った漸次的移行に起因するのではなく、ランダムであることを示す。
実施例２
パルス率（周波数及びデューティサイクル）は、皮膜セット、例えば本明細書に記載される三層皮膜のバリア性能に影響し得る。パルス率の影響を実証するために、様々なパルス率を使用して三層（タイ層、バリア層、ｐＨ保護層）を１０ｍＬ ＣＯＰ容器に被膜した。種々のデューティサイクル及び種々の周波数を使用してバリア層を塗布するための被膜パラメータを以下の表に示す。
２５％ＤＣでのパルス：
５０％ＤＣでのパルス：
８０％ＤＣでのパルス：
種々のＤＣでのパルス：
酸素透過率（ＯＴＲ）試験を被覆されたサンプルで利用して、バリア層性能を評価した。試験を実行するために、センサを被覆されたバイアル内に配置し、バイアルをグローブボックス内のガラススライド上にエポキシ樹脂で接着した。様々なポイントでの酸素分圧をＭｏｃｏｎ－Ｏｐｔｅｃｈ酸素－白金システムにより測定した。次いでこれらの読み取り値をマクロにより、バイアルのバリア層性能を判断する尺度であるＯＴＲ定数に変換した。典型的には、被覆されていないバイアルは約０．００７のＯＴＲ定数を有する。ガラスは参照値０を有する。
結果を図２２及び図２３に示し、これらは、ＯＴＲ定数とプラズマパルス率との関係を示す。図２２は、周波数の増大に伴ってＯＴＲが改善することを示し、改善は、０．０００２５ｄ-1未満のＯＴＲ定数では２００Ｈｚを越えると横ばいになる。同様に、図２３はデューティサイクルの増大に伴ってＯＴＲが改善することを示し、改善は、０．０００２５ｄ-1未満のＯＴＲ定数では５０％を越えると横ばいになる。結果は、ＲＦ電力パルス周波数の制御を通してバリア層ＯＴＲの有意な改善が得られることを実証している。即ち、周波数が高くなり、デューティサイクルパルスが高くなると、ＯＴＲ定数は低くなり、バリア性能はよくなるが、効果は、特定の周波数及びデューティサイクルを越えると横ばいになる。
実施例３
本明細書に記載される１６キャビティシステムの一実施形態等の高容量システムで被覆される容器の皮膜間の一貫性を得るためには、各容器内の真空圧が、マルチキャビティシステム内の他のあらゆる容器内の真空圧と実質的に同一であることが重要である。各被覆ステップ中に各容器に導入される前駆体ガスの量が、マルチキャビティシステム内の他のあらゆる容器に導入される前駆体ガスの量と実質的に同一であることも重要である。
図２４は、本開示の一実施形態例による１６キャビティパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムに配置された容器間で達成された真空圧均一性を示す。図２４を参照して、上述したように、排出マニフォルドを備えた１６キャビティパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステム内の各容器の真空下の圧力読み取り値を示す。プロットから分かるように、圧力は、被覆中の１６個全ての容器（部品とも呼ばれる）にわたって高度に均一であり、標準偏差０．０７％、平均０．０１７４トルである。
図２５は、本開示の一実施形態例による１６キャビティパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムに配置された容器間の前駆体ガス流下で達成された圧力均一性を示す。図２５を参照して、上述したガス分配マニフォルドを備えた１６キャビティパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステム内の各容器の３０ｓｃｃｍモノマーガス流下の圧力読み取り値を示す。プロットから分かるように、圧力は、被覆中の１６個全ての容器（部品とも呼ばれる）にわたって高度に均一であり、標準偏差０．５４％、平均０．１０２１トルである。
実施例４
更なる試験を実行して、本開示の一実施形態による１６キャビティパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおいて被覆された容器にわたって塗布された皮膜の一貫性及び被覆完全性を分析した。本開示の一実施形態による１６キャビティパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムにおいてサンプルバイアルを被覆し、次いで、ｐＨ９を有する流体と接触して３日後の総ケイ素溶解について、被覆された各容器を試験した。
以下のパラメータに従って容器を被覆した：
試験目的で各容器内の圧力及びガス流の安定化を保証するために、５秒の開始遅延（即ち、ＲＦ電力が各被覆ステップでオンになる前の時間）が含まれた。開始遅延時間は５秒未満、恐らくは５秒よりもはるかに短い時間に最小化することができると考えられるが、一貫性に大きな犠牲を伴う。
次いで、総ケイ素溶解について容器を試験した。試験方法は、誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ－ＯＥＳ）を使用してケイ素を定量化する。ｐＨ９溶液を使用して、制御された条件下で設定された時間期間にわたり容器の皮膜からケイ素を抽出して、ロット間の変動及び皮膜の保護層の組成一貫性についての情報を提供する。この方法は、剥離の目視査定を通した接着層の存在及び／又は機能を確認する手段も提供する。
試験のために、各容器に、ｐＨ９に調整された５０ｍＭのリン酸カリウム溶液を充填した。次いで、ストッパ（いかなるシリコーン油も除去するように処理された）を内腔開口部に挿入した。充填され、封止されたコンテナを次いで、４０℃のインキュベータに配置し、約７２時間、そこに留めた。目視検査を利用して、微粒子又は剥離がないことを確認した。次いで容器を開封し、内容物をポリプロピレン遠心分離管に注ぎ入れ、２％硝酸で希釈した。次いで、較正基準を使用して正確な測定を保証して、ＩＣＰ－ＯＥＳにより、例えばＥＳＩオートサンプラ又は均等物を有するＩＣＰ－ＯＥＳ Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｏｐｔｉｍａ８３００により、希釈溶液を分析した。
被覆完全性及び一貫性試験の結果を図２６に示す。図２６を参照すると、本開示の一実施形態による１６キャビティパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムを使用して被覆された１６個の各容器の溶解ケイ素の総質量を示す。図２６の結果は、試験方法の誤差内で実質的に等しい被覆完全性性能を実証している。
実施例５
追加の試験を実行して、８時間の連続生産にわたり複数の１６キャビティパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムを使用して容器に塗布された皮膜の酸素バリア性の一貫性を分析した。
以下のパラメータに従ってバイアルを被覆した。
試験目的で各容器内の圧力及びガス流の安定化を保証するために、５秒の開始遅延（即ち、ＲＦ電力が各被覆ステップでオンになる前の時間）が含まれた。開始遅延時間は５秒未満、恐らくは５秒よりもはるかに短い時間に最小化することができると考えられるが、一貫性に大きな犠牲を伴う。
２つの異なるシステムの各々により被覆された１６個の容器を選択し、上述したように酸素透過率（ＯＴＲ）について試験した。試験の結果を図２７に示す。図２７を参照して、８時間にわたって動作した２つの異なる被覆システム、即ちコータでの、キャビティ又はパック位置＃１～＃１６により識別される被覆された容器のＯＴＲ定数測定値を示す。結果は、容器間で等しい酸素バリア性能を示し、ＯＴＲ差は試験方法の誤差内である。幾つかの負の値は、酸素侵入変化がないことに起因し、酸素透過率試験の持続時間にわたり完全なバリ性能を意味する。
実施例６
追加の試験を実行して、本開示の一実施形態による１６キャビティパルスＲＦ ＰＥＣＶＤシステムを使用して被覆したＣＢＣ容器の酸素バリア性を分析し、それらの酸素バリア性を同じ条件下で被覆したＣＯＰ容器と比較した。
以下のパラメータに従って（１）ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ ＣＢＣ、（２）ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦ ＣＢＣ、及び（３）ＺＥＯＮＥＸ（登録商標）６９０Ｒ ＣＯＰ（Ｚｅｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｌ．Ｐ．製）の１０ｍＬバイアルを被覆した。
試験目的で各容器内の圧力及びガス流の安定化を保証するために、５秒の開始遅延（即ち、ＲＦ電力が各被覆ステップでオンになる前の時間）が含まれた。開始遅延時間は５秒未満、恐らくは５秒よりもはるかに短い時間に最小化することができると考えられるが、一貫性に大きな犠牲を伴う。
次いで、被覆されたバイアルを上述したように酸素透過率（ＯＴＲ）について試験した。各タイプのバイアルの被覆されていないサンプルも対照としてＯＴＲについて試験し、皮膜セットによって提供されるＯＴＲの改善を実証した。
図２８は結果を示すプロットである。結果により、２つのＣＢＣ樹脂から作られたバイアルが、ＣＯＰ樹脂から作られたバイアルよりもはるかに高い、特に約４倍の酸素透過率定数を有したことが実証された。しかしながら、とりわけ、皮膜の塗布は、２つのＣＢＣ樹脂から作られたバイアルの酸素透過率定数を、被覆されていないＣＢＣバイアルの酸素透過率定数の約２％～約５％に低下させ、即ち、約９５％～約９８％低減し、被覆されたＣＯＰバイアルと酸素透過率定数に比較的近い酸素透過率定数を有するＣＢＣ容器を生成した。さらに、バリア皮膜の厚さを変えることにより、ＣＢＣ樹脂から作られたバイアルのＯＴＲ定数を更に低減することができると考えられる。
幾つかの実施形態では例えば、ＣＢＣ樹脂で作られた壁を有する容器、例えばバイアルにバリア皮膜を被覆して、０．００２０未満、代替的には０．００１５未満、代替的には０．００１３未満、代替的には０．００１０未満、代替的には０．０００９未満、代替的には０．０００８未満、代替的には０．０００７未満、代替的には０．０００６未満、代替的には０．０００５未満、代替的には０．０００４未満、代替的には０．０００３未満、代替的には０．０００２未満、代替的には０．０００１未満の酸素透過率定数（ｄ－１）を有する壁を提供し得る。
記載の実施形態が、当技術分野でのものよりも優れた幾つかの利点を有する独自で新規の方法、システム、及び被覆容器を提供することが分かる。本発明を実施する特定の具体的な構造が本明細書に示され説明されているが、基礎となる本発明の概念の趣旨及び範囲から逸脱せずに、部品の種々の変更及び再配置を行い得、添付の特許請求の範囲によって示される場合を除き、本明細書に示され説明される特定の形態に限定されないことが当業者には明らかになろう。
図面では以下の参照符号が使用される：
２１０ 製薬包装
２１２ 内腔
２１４ 壁
２１６ 外面
２１８ 流体
２２０ 内側面（２８８の）
２２２ 外面（２８８の）
２２４ 内側面（２８６の）
２２６ 外面（２８６の）
２２８ バイアル
２３０ ブリスター包装
２５０ シリンジバレル
２５２ シリンジ
２５４ 内面又は内側面（２５０の）
２５６ 後端部（２５０の）
２５８ プランジャ（２５２の）（相対的に摺動する部分）
２５９ 潤滑剤
２６０ 前端部（２５０の）
２６２ クロージャ
２６４ 内面又は内側面（２６２の）
２６８ 容器
２７０ クロージャ
２７２ 内部に面した表面
６００ パルスプラズマＰＥＣＶＤ反応器
６０１ ＲＦ電源
６０３ ＲＦ電極
６０５ 容器キャビティ
６０７ カメラ
６０９ 排気マニフォルド
６１１ ガス入口マニフォルド
６１１Ａ 入力ポート
６１３ 真空ライン
２７４ 内腔
２７６ 壁接触面
２７８ 内面又は内側面（２８０の）
２８０ 容器壁
２８１ 潤滑皮膜又は層
２８２ ストッパ
２８３ プライマー皮膜又は層
２８４ シールド
２８５ 容器皮膜又は層セット
２８６ ｐＨ保護皮膜又は層
２８７ 潤滑剤の堆積
２８８ バリア層
２８９ タイコート皮膜又は層
２９０ 被覆装置、例えば２５０
２９２ 内面又は内側面（２９４の）
２９４ 制限付き開口部（２５０の）
２９６ 処理容器
２９８ 外面（２５０の）
１１０１ ガス送達プローブ
１１０５ 容器ホルダ
１１０７ プラズマスクリーン
１２０１ 入口ライン
１４００ クワッドパルスＲＦ ＰＥＣＶＤ
１４０１Ａ－Ｃ 堆積チャンバ
１４０５ マニフォルド
１４０７ マニフォルド
１６００ パルスＲＦ ＰＥＣＶＤ
１６０７ マニフォルド

Claims (97)

  1. 容器、任意選択的に先行する請求項の何れか一項に記載の容器に皮膜セットを準備する方法であって、
    ａ．少なくとも部分的にプラスチック壁によって画定された内腔を有する容器を提供することであって、前記プラスチック壁は、前記内腔に面する内側面及び外面を有する、提供することと、
    ｂ．前記内腔を部分真空引きすることと、
    ｃ．前記内腔内にプラズマを生成するのに十分な電力を印加し、シロキサン、任意選択的に酸素、及び任意選択的に不活性ガス希釈剤を含む前駆体ガスを堆積時間にわたって供給して、タイ皮膜又は層を前記内側面上に生成し、次いで前記プラズマを消すことを含むタイＰＥＣＶＤ被覆ステップにより、ＳｉＯｘＣｙの前記タイ皮膜又は層を任意選択的に塗布することであって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定される、タイ皮膜又は層を任意選択的に塗布することと、
    ｄ．前記内腔内にプラズマを生成するのに十分な電力を印加し、シロキサン及び酸素を含む前駆体ガスを堆積時間にわたって供給して、バリア皮膜又は層を前記内側面上、任意選択的にタイ皮膜又は層を有するようにステップｃに従って処理された前記内側面上に生成し、次いで前記プラズマを消すことを含むバリアＰＥＣＶＤ被覆ステップにより、前記内腔内の前記部分真空を破壊せずに保ちながら、ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層を塗布することであって、ｘはＸＰＳによって測定される１．５～２．９である、バリア皮膜又は層を塗布することと、
    ｅ．前記内腔内にプラズマを生成するのに十分な電力を印加し、シロキサン、任意選択的に酸素、及び任意選択的に不活性ガス希釈剤を含む前駆体ガスを堆積時間にわたって供給して、ｐＨ保護皮膜又は層を生成し、次いで前記プラズマを消すことを含むｐＨ保護ＰＥＣＶＤ被覆ステップにより、前記バリア皮膜又は層と前記内腔との間に、ＳｉＯｘＣｙの前記ｐＨ保護皮膜又は層を任意選択的に塗布することであって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、ｐＨ保護皮膜又は層を任意選択的に塗布することと、
    を含み、
    ステップｄにおける前記プラズマは、少なくとも２００Ｗ、任意選択的に少なくとも２２５Ｗ、任意選択的に少なくとも２５０Ｗ、任意選択的に少なくとも２７５Ｗ、任意選択的に少なくとも３００Ｗ、任意選択的に少なくとも３２５Ｗ、任意選択的に少なくとも３５０Ｗ、任意選択的に少なくとも３７５Ｗ、任意選択的に少なくとも４００Ｗの電力及び少なくとも５０Ｈｚ、任意選択的に少なくとも７５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１００Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１２５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１５０Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１７５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２００Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２２５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２５０Ｈｚのパルス周波数を有するパルスＲＦを使用して生成される、方法。
  2. ステップｃが実行される、請求項１に記載の方法。
  3. ステップｃにおける前記プラズマは、少なくとも２００Ｗ、任意選択的に少なくとも２２５Ｗ、任意選択的に少なくとも２５０Ｗ、任意選択的に少なくとも２７５Ｗ、任意選択的に少なくとも３００Ｗ、任意選択的に少なくとも３２５Ｗ、任意選択的に少なくとも３５０Ｗ、任意選択的に少なくとも３７５Ｗ、任意選択的に少なくとも４００Ｗの電力及び少なくとも５０Ｈｚ、任意選択的に少なくとも７５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１００Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１２５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１５０Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１７５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２００Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２２５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２５０Ｈｚのパルス周波数を有するパルスＲＦを使用して生成される、請求項２に記載の方法。
  4. ステップｅが実行される、請求項１～３の何れか一項に記載の方法。
  5. ステップｅにおける前記プラズマは、少なくとも２００Ｗ、任意選択的に少なくとも２２５Ｗ、任意選択的に少なくとも２５０Ｗ、任意選択的に少なくとも２７５Ｗ、任意選択的に少なくとも３００Ｗ、任意選択的に少なくとも３２５Ｗ、任意選択的に少なくとも３５０Ｗ、任意選択的に少なくとも３７５Ｗ、任意選択的に少なくとも４００Ｗの電力及び少なくとも５０Ｈｚ、任意選択的に少なくとも７５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１００Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１２５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１５０Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１７５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２００Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２２５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２５０Ｈｚのパルス周波数を有するパルスＲＦを使用して生成される、請求項４に記載の方法。
  6. 各ステップで同じシロキサン前駆体が使用される、請求項１～５の何れか一項に記載の方法。
  7. 前記シロキサン前駆体は、ＨＭＤＳＯ、ＴＭＤＳＯ、又はそれらの組合せ及び任意選択的にＨＭＤＳＯを含む、請求項６に記載の方法。
  8. 各ステップは、前記部分真空を破壊せずに又は前記容器を移動させずに実行される、請求項１～７の何れか一項に記載の方法。
  9. ステップｄの前記堆積時間は２０秒以下、任意選択的に１５秒以下、任意選択的に１０秒以下、任意選択的に２～１５秒、任意選択的に３～１０秒、任意選択的に３～７秒であり、少なくとも１０ｎｍ、任意選択的に少なくとも１５ｎｍ、任意選択的に少なくとも２０ｎｍ、任意選択的に１０～１００ｎｍ、任意選択的に１０～７５ｎｍ、任意選択的に１０～５０ｎｍ、任意選択的に１５ｎｍ～５０ｎｍ、任意選択的に２０ｎｍ～４５ｎｍの平均厚を有するバリア皮膜又は層を生成する、請求項１～８の何れか一項に記載の方法。
  10. ステップｃの前記堆積時間は１５秒以下、任意選択的に１０秒以下、任意選択的に５秒以下、任意選択的に２秒～１２秒、任意選択的に３秒～１０秒、任意選択的に３秒～７秒であり、少なくとも５ｎｍ、任意選択的に少なくとも１０ｎｍ、任意選択的に５～３０ｎｍ、任意選択的に１０～３０ｎｍ、任意選択的に１０～２５ｎｍ、任意選択的に１５～２５ｎｍの平均厚を有するタイ皮膜又は層を生成する、請求項１～９の何れか一項に記載の方法。
  11. ステップｅにおける前記堆積時間は、２５秒以下、任意選択的に２０秒以下、任意選択的に１５秒以下、任意選択的に１０秒以下、任意選択的に４秒～２０秒、任意選択的に５秒～２０秒、任意選択的に５秒～１５秒、任意選択的に５秒～１０秒であり、少なくとも３０ｎｍ、任意選択的に少なくとも４０ｎｍ、任意選択的に少なくとも５０ｎｍ、任意選択的に４０ｎｍ～１１０ｎｍ、任意選択的に４０ｎｍ～１００ｎｍ、任意選択的に５０ｎｍ～１１０ｎｍ、任意選択的に５０ｎｍ～１００ｎｍの平均厚を有するｐＨ保護皮膜又は層を生成する、請求項１～１０の何れか一項に記載の方法。
  12. ｆ．前記内腔内にプラズマを生成するのに十分な電力を印加し、シロキサン、任意選択的に酸素、及び任意選択的に不活性ガス希釈剤を含む前駆体ガスを堆積時間にわたって供給して、潤滑皮膜又は層を生成し、次いで前記プラズマを消すことを含む潤滑ＰＥＣＶＤ被覆ステップにより、前記バリア皮膜若しくは層又は存在する場合には前記ｐＨ保護皮膜若しくは層と前記内腔との間にＳｉＯxＣyの前記潤滑皮膜又は層を塗布することを更に含み、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、請求項１～１１の何れか一項に記載の方法。
  13. ステップｆにおける前記プラズマは、少なくとも２００Ｗ、任意選択的に少なくとも２２５Ｗ、任意選択的に少なくとも２５０Ｗ、任意選択的に少なくとも２７５Ｗ、任意選択的に少なくとも３００Ｗ、任意選択的に少なくとも３２５Ｗ、任意選択的に少なくとも３５０Ｗ、任意選択的に少なくとも３７５Ｗ、任意選択的に少なくとも４００Ｗの電力及び少なくとも５０Ｈｚ、任意選択的に少なくとも７５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１００Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１２５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１５０Ｈｚ、任意選択的に少なくとも１７５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２００Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２２５Ｈｚ、任意選択的に少なくとも２５０Ｈｚのパルス周波数を有するパルスＲＦを使用して生成される、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記前駆体ガスは、前記容器の開端部を通して前記内腔内に直接供給される、請求項１～１３の何れか一項に記載の方法。
  15. ガス出口は前記内腔内に位置しない、請求項１～１４の何れか一項に記載の方法。
  16. 前記前駆体ガスは、前記内腔に入る直前、区画に通って流れ、前記区画は、前記前駆体ガスを透過するが、前記プラズマが前記内腔の外部で点火されるのを防ぐ、請求項１４又は１５に記載の方法。
  17. 前記区画はプラズマスクリーンを備える、請求項１６に記載の方法。
  18. ガス出口が、前記容器の前記開端部及び前記区画が存在する場合には前記区画の下に位置する、請求項１４～１７の何れか一項に記載の方法。
  19. 前記容器は、少なくとも１１個、任意選択的に少なくとも１５個の他の容器と同時に各被覆ステップを受け、
    前記容器の各々の前記内腔内の前記プラズマは、同じ電源により生成される、請求項１～１８の何れか一項に記載の方法。
  20. 前記容器の各々の前記内腔に導入される前記前駆体ガスは、同じガス供給源からのものである、請求項１９に記載の方法。
  21. 前記前駆体ガスは、ガスマニフォルドにより前記容器の各々に等しく分配される、請求項２０に記載の方法。
  22. 前記容器の各々の前記内腔に引かれる前記真空は、同じ真空源からのものである、請求項１～２１の何れか一項に記載の方法。
  23. 前記真空は、真空マニフォルドにより前記容器の各々に等しく分配される、請求項２２に記載の方法。
  24. 前記容器の各々は、同じ前記電極の別個のキャビティに配置される、請求項１９～２３の何れか一項に記載の方法。
  25. ステップｃ、ｄ、及びｅの組合せは、１２０秒未満、任意選択的に１１０秒未満、任意選択的に１００秒未満、任意選択的に９０秒未満、任意選択的に８０秒未満、任意選択的に７５秒未満、任意選択的に７０秒未満、任意選択的に６５秒未満で実行される、請求項１９～２４の何れか一項に記載の方法。
  26. ＰＥＣＶＤにより前記容器壁の外面に皮膜を塗布するステップを更に含む請求項１～２５の何れか一項に記載の方法。
  27. 前記皮膜を前記容器の外面に塗布するステップは、ステップｃ～ｆの少なくとも１つと同時に実行される、請求項２６に記載の方法。
  28. 前記容器の外面に塗布される前記皮膜は、帯電防止且つ／又は傷防止皮膜である、請求項２６又は２７に記載の方法。
  29. 前記プラスチック壁は、ＣＯＰ樹脂若しくはＣＯＣ樹脂を含み、又はＣＯＰ樹脂若しくはＣＯＣ樹脂からなる、請求項１～２８の何れか一項に記載の方法。
  30. 前記プラスチック壁は環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂を含み、又は環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂からなり、任意選択的に、前記プラスチック壁は、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦ、及びＶＩＶＩＯＮ（商標）１３２５からなる群から選択されるＣＢＣ樹脂を含み、又はそのようなＣＢＣ樹脂からなり、任意選択的に、前記プラスチック壁は、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０及びＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦからなる群から選択されるＣＢＣ樹脂を含み、又はそのようなＣＢＣ樹脂からなり、任意選択的に、前記プラスチック壁はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０を含み、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０からなり、任意選択的に、前記プラスチック壁はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦを含み、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦからなる、請求項１～２９の何れか一項に記載の方法。
  31. ステップｄにおける前記プラズマは、少なくとも２５％、任意選択的に少なくとも３０％、任意選択的に少なくとも３５％、任意選択的に少なくとも４０％、任意選択的に少なくとも４５％、任意選択的に少なくとも５０％、任意選択的に少なくとも５５％のデューティサイクルでパルスＲＦを使用して生成される、請求項１～３０の何れか一項に記載の方法。
  32. ステップｃにおける前記プラズマは、少なくとも２５％、任意選択的に少なくとも３０％、任意選択的に少なくとも３５％、任意選択的に少なくとも４０％、任意選択的に少なくとも４５％、任意選択的に少なくとも５０％、任意選択的に少なくとも５５％のデューティサイクルでパルスＲＦを使用して生成される、請求項１～３１の何れか一項に記載の方法。
  33. ステップｅにおける前記プラズマは、少なくとも２５％、任意選択的に少なくとも３０％、任意選択的に少なくとも３５％、任意選択的に少なくとも４０％、任意選択的に少なくとも４５％、任意選択的に少なくとも５０％、任意選択的に少なくとも５５％のデューティサイクルでパルスＲＦを使用して生成される、請求項１～３２の何れか一項に記載の方法。
  34. 前記被覆された容器の各々は、その他の被覆された容器の各々と実質的に同じ酸素透過率定数を有する、請求項１～３３の何れか一項に記載の方法。
  35. 前記被覆された容器の各々は、ｐＨ９を有する溶液と７２時間にわたって接触した場合、その他の被覆された容器の各々と実質的に同じケイ素溶解速度を有する、請求項１～３４の何れか一項に記載の方法。
  36. 容器を被覆する方法であって、
    複数の容器を金属ＲＦ電極の開口部に配置することと、
    排出マニフォルドを介して単一の真空ラインを使用して前記複数の容器の各々の内部容量を排気することと、
    ガス入口マニフォルドを介して単一のソースラインを使用して前記複数の容器の各々に１つ又は複数のソースガスを導入することと、
    前記１つ又は複数のソースガス及び前記金属ＲＦ電極に印加されるパルスＲＦ信号を使用して、前記複数の容器の各々内でプラズマを生成することと、
    前記プラズマを使用して、前記複数の容器の各々に少なくとも１つのバリア皮膜又は層を含む皮膜を堆積させることと、
    を含む、方法。
  37. 前記パルスＲＦ信号は、２５０Ｗ～１０００Ｗのパルス高電力レベルを有する、請求項３６に記載の方法。
  38. 前記パルスＲＦ信号は、０Ｗのパルス低電力レベルを有する、請求項３６又は３７に記載の方法。
  39. 前記パルスＲＦ信号は、２５％～９９％のデューティサイクルを有する、請求項３６～３８の何れか一項に記載の方法。
  40. 前記パルスＲＦ信号は、１５０ｋＨｚ～５００ｋＨｚのパルス列周波数を有する、請求項３６～３９の何れか一項に記載の方法。
  41. 前記容器内にガス入口プローブなしで、前記１つ又は複数のソースガスを各容器に導入することを含む請求項３６～４０の何れか一項に記載の方法。
  42. 前記容器内のガス入口プローブを使用して、前記１つ又は複数のソースガスを各容器に導入することを含む請求項３６～４１の何れか一項に記載の方法。
  43. 前記皮膜はタイ皮膜又は層を更に含み、前記タイ皮膜又は層は、前記バリア皮膜又は層に面する内側面と、前記壁内側面に面する外面とを有する、請求項３６～４２の何れか一項に記載の方法。
  44. 前記タイ皮膜又は層はＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含み、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３である、請求項４３に記載の方法。
  45. 前記皮膜はｐＨ皮膜又は層を更に含み、前記ｐＨ皮膜又は層は、前記内腔に面する内側面と、前記バリア皮膜又は層に面する外面とを有する、請求項３６～４４の何れか一項に記載の方法。
  46. 前記ｐＨ保護皮膜又は層はＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含み、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３である、請求項４５に記載の方法。
  47. 被覆されている容器壁は、熱可塑性物質を含み、又は熱可塑性物質からなり、任意選択的に、被覆されている容器壁は環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂を含み、又は環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂からなり、任意選択的に、被覆されている容器壁は、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦ、及びＶＩＶＩＯＮ（商標）１３２５からなる群から選択されるＣＢＣ樹脂を含み、又はそのようなＣＢＣ樹脂からなり、任意選択的に、前記被覆されている容器壁は、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０及びＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦからなる群から選択されるＣＢＣ樹脂を含み、又はそのようなＣＢＣ樹脂からなり、任意選択的に、前記被覆されている容器壁はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０を含み、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０からなり、任意選択的に、前記被覆されている容器壁はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦを含み、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦからなる、請求項３６～４６の何れか一項に記載の方法。
  48. 容器、任意選択的に先行する請求項の何れか一項に記載の容器に皮膜セットを準備するシステムであって、
    無線周波数（ＲＦ）電源と、
    容器を受けるように動作可能な複数の開口部を備えたＲＦ電極と、
    単一のガス入口を、各容器に１つずつの複数のガスソース入力に分割するように動作可能な入口ガスマニフォルドと、
    各容器を単一排出ラインに排出するように動作可能な排出マニフォルドと、
    を備え、
    前記システムは、
    前記ＲＦ電極の前記開口部において複数の容器を受けることと、
    前記排出マニフォルドを介して単一の真空ラインを使用して前記複数の容器の各々の内部容量を排気することと、
    前記ガス入口マニフォルドを介して単一のソースラインを使用して前記複数の容器の各々に１つ又は複数のソースガスを導入することと、
    前記１つ又は複数のソースガス及び前記ＲＦ電源により前記金属ＲＦ電極に印加されたパルスＲＦ信号を使用して、前記複数の容器の各々内でプラズマを生成することと、
    前記プラズマを使用して、前記複数の容器の各々に、少なくとも１つのバリア皮膜又は層を含む皮膜を堆積させることと、
    を行うように動作可能である、システム。
  49. 前記パルスＲＦ信号は、２５０Ｗ～１０００Ｗのパルス高電力レベルを有する、請求項４８に記載のシステム。
  50. 前記パルスＲＦ信号は、０Ｗのパルス低電力レベルを有する、請求項４８又は４９に記載のシステム。
  51. 前記パルスＲＦ信号は、２５％～９９％のデューティサイクルを有する、請求項４８～５０の何れか一項に記載のシステム。
  52. 前記パルスＲＦ信号は、１５０ｋＨｚ～５００ｋＨｚのパルス列周波数を有する、請求項４８～５１の何れか一項に記載のシステム。
  53. 前記容器内にガス入口プローブなしで、前記１つ又は複数のソースガスを各容器に導入することを含む請求項４８～５２の何れか一項に記載のシステム。
  54. 前記容器内のガス入口プローブを使用して、前記１つ又は複数のソースガスを各容器に導入することを含む請求項４８～５３の何れか一項に記載のシステム。
  55. 前記皮膜はタイ皮膜又は層を更に含み、前記タイ皮膜又は層は、前記バリア皮膜又は層に面する内側面と、前記壁内側面に面する外面とを有する、請求項４８～５４の何れか一項に記載のシステム。
  56. 前記タイ皮膜又は層はＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含み、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３である、請求項５５に記載のシステム。
  57. 前記皮膜はｐＨ皮膜又は層を更に含み、前記ｐＨ皮膜又は層は、前記内腔に面する内側面と、前記バリア皮膜又は層に面する外面とを有する、請求項４８～５６の何れか一項に記載のシステム。
  58. 前記ｐＨ保護皮膜又は層はＳｉＯxＣy又はＳｉＮxＣyを含み、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３である、請求項５７に記載のシステム。
  59. プラスチック壁により少なくとも部分的に画定される内腔を有する容器であって、前記プラスチック壁は、内腔に面する内側面と、外面と、前記内側面上の皮膜セットとを有し、前記皮膜セットは、
    ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層であって、ｘはＸＰＳによって測定される１．５～２．９である、バリア皮膜又は層と、
    任意選択的に、
    ＳｉＯｘＣｙ又はＳｉＮｘＣｙのタイ皮膜又は層であって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、タイ皮膜又は層及び
    ＳｉＯｘＣｙ又はＳｉＮｘＣｙのｐＨ保護皮膜又は層であって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、ｐＨ保護皮膜又は層
    の少なくとも一方、好ましくは両方と、
    を含み、
    前記容器は環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂から作られ、
    前記容器の壁の前記酸素透過率（ｄ-1）は、０．０２０未満、任意選択的に０．０１５未満、任意選択的に０．０１０未満、任意選択的に０．００５未満、任意選択的に０．００２５未満、任意選択的に０．００１５未満、任意選択的に０．００１０未満、任意選択的に０．０００８未満、任意選択的に０．０００６未満、任意選択的に０．０００５未満である、容器。
  60. 前記容器は、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦ、及びＶＩＶＩＯＮ（商標）１３２５からなる群から選択されるＣＢＣ樹脂で作られ、任意選択的に、前記容器は、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０及びＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦからなる群から選択されるＣＢＣ樹脂で作られ、任意選択的に、前記容器はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０で作られ、任意選択的に、前記容器はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦで作られる、請求項５９に記載の容器。
  61. 前記バリア皮膜又は層は、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布される、請求項５９又は６０に記載の容器。
  62. 前記バリア皮膜又は層の堆積時間は、４０秒未満、任意選択的に３０秒未満、任意選択的に２５秒未満、任意選択的に２０秒未満、任意選択的に１５秒未満、任意選択的に１０秒未満である、請求項６１に記載の容器。
  63. 前記バリア皮膜又は層は、５００ｎｍ未満、任意選択的に４００ｎｍ未満、任意選択的に３００ｎｍ未満、任意選択的に２００ｎｍ未満、任意選択的に１５０ｎｍ未満、任意選択的に１２５ｎｍ未満、任意選択的に１００ｎｍ未満、任意選択的に８０ｎｍ未満、任意選択的に６０ｎｍ未満、任意選択的に５０ｎｍ未満、任意選択的に４０ｎｍ未満、任意選択的に３０ｎｍ未満、任意選択的に２５ｎｍ未満、任意選択的に２０ｎｍ未満、任意選択的に１５ｎｍ未満、任意選択的に１０ｎｍ未満の平均厚を有する、請求項５９～６２の何れか一項に記載の容器。
  64. 前記皮膜セットは前記タイ皮膜又は層を含む、請求項５９～６３の何れか一項に記載の容器。
  65. 前記皮膜セットは前記ｐＨ保護皮膜又は層を含む、請求項５９～６４の何れか一項に記載の容器。
  66. 前記皮膜セットは、前記タイ皮膜又は層及び前記ｐＨ保護皮膜又は層の両方を含む、請求項５９～６５の何れか一項に記載の容器。
  67. 前記容器は、シリンジバレル、バイアル、又は採血管である、請求項５９～６６の何れか一項に記載の容器。
  68. 前記容器はシリンジバレルである、請求項５９～６７の何れか一項に記載の容器。
  69. 前記容器はバイアルである、請求項５９～６７の何れか一項に記載の容器。
  70. 前記容器は採血管である、請求項５９～６７の何れか一項に記載の容器。
  71. 前記皮膜セットは潤滑皮膜を更に含む、請求項５９～７０の何れか一項に記載の容器。
  72. 少なくとも１つの皮膜を前記外面に更に備える請求項５９～７１の何れか一項に記載の容器。
  73. 前記外面上の前記皮膜は、帯電防止皮膜、傷防止皮膜、又はそれらの組合せを含む、請求項７２に記載の容器。
  74. 前記内腔に含まれ、５よりも大きいｐＨを有する流体を更に含む請求項５９～７３の何れか一項に記載の容器。
  75. 前記ｐＨ保護皮膜又は層及び前記タイ皮膜又は層は一緒に、少なくとも６ヶ月の期間にわたり、前記流体による攻撃の結果として、前記バリア皮膜又は層を少なくとも実質的に溶解しない状態に保つのに有効である、請求項７４に記載の容器。
  76. 前記内腔に含まれる流体は５～９のｐＨを有し、前記包装の計算保管寿命は、保管温度４℃で６ヶ月超である、請求項７４又は７５に記載の容器。
  77. 前記タイ皮膜又は層と前記ｐＨ保護皮膜又は層との組合せは、前記包装（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）の前記計算保管寿命を延ばすのに有効である、請求項７４～７６の何れか一項に記載の容器。
  78. 少なくとも部分的にプラスチック壁によって画定された内腔を有する容器であって、前記プラスチック壁は、前記内腔に面する内側面、外面、及び前記内側面上の皮膜セットを有し、前記皮膜セットは、
    ＳｉＯｘのバリア皮膜又は層であって、ｘはＸＰＳによって測定される１．５～２．９である、バリア皮膜又は層と、
    任意選択的に、
    ＳｉＯｘＣｙ又はＳｉＮｘＣｙのタイ皮膜又は層であって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、タイ皮膜又は層及び
    ＳｉＯｘＣｙ又はＳｉＮｘＣｙのｐＨ保護皮膜又は層であって、ｘは約０．５～約２．４であり、ｙは約０．６～約３であり、これらは各々、ＸＰＳによって測定される、ｐＨ保護皮膜又は層
    の少なくとも一方、好ましくは両方と、
    を含み、
    ＳｉＯｘの前記バリア皮膜又は層は、２００ｎｍ未満、任意選択的に１５０ｎｍ未満、任意選択的に１２５ｎｍ未満、任意選択的に１００ｎｍ未満、任意選択的に８０ｎｍ未満、任意選択的に６０ｎｍ未満、任意選択的に５０ｎｍ未満、任意選択的に４０ｎｍ未満、任意選択的に３０ｎｍ未満、任意選択的に２５ｎｍ未満、任意選択的に２０ｎｍ未満、任意選択的に１５ｎｍ未満、任意選択的に１０ｎｍ未満の平均厚を有し、
    前記容器の壁の前記酸素透過率（ｄ-1）は、０．０２０未満、任意選択的に０．０１５未満、任意選択的に０．０１０未満、任意選択的に０．００５未満、任意選択的に０．００２５未満、任意選択的に０．００１５未満、任意選択的に０．００１０未満、任意選択的に０．０００８未満、任意選択的に０．０００６未満、任意選択的に０．０００５未満、任意選択的に０．０００４未満、任意選択的に０．０００３未満、任意選択的に０．０００２未満、任意選択的に０．０００１未満である、容器。
  79. 前記バリア皮膜又は層は、パルスＲＦ ＰＥＣＶＤにより塗布される、請求項７８に記載の容器。
  80. 前記バリア皮膜又は層の堆積時間は、３０秒未満、任意選択的に２５秒未満、任意選択的に２０秒未満、任意選択的に１５秒未満、任意選択的に１０秒以下である、請求項７９に記載の容器。
  81. 前記皮膜セットは前記タイ皮膜又は層を含む、請求項７８～８０の何れか一項に記載の容器。
  82. 前記皮膜セットは前記ｐＨ保護皮膜又は層を含む、請求項７８～８１の何れか一項に記載の容器。
  83. 前記皮膜セットは、前記タイ皮膜又は層及び前記ｐＨ保護皮膜又は層の両方を含む、請求項７８～８２の何れか一項に記載の容器。
  84. 前記容器は、シリンジバレル、バイアル、又は採血管である、請求項７８～８３の何れか一項に記載の容器。
  85. 前記容器はシリンジバレルである、請求項７８～８４の何れか一項に記載の容器。
  86. 前記容器はバイアルである、請求項７８～８４の何れか一項に記載の容器。
  87. 前記容器は採血管である、請求項７８～８４の何れか一項に記載の容器。
  88. 前記皮膜セットは潤滑皮膜を更に含む、請求項７８～８７の何れか一項に記載の容器。
  89. 少なくとも１つの皮膜を前記外面に更に備える請求項７８～８８の何れか一項に記載の容器。
  90. 前記外面上の前記皮膜は、帯電防止皮膜、傷防止皮膜、又はそれらの組合せを含む、請求項８９に記載の容器。
  91. 前記内腔に含まれ、５よりも大きいｐＨを有する流体を更に含む請求項７８～９０の何れか一項に記載の容器。
  92. 前記ｐＨ保護皮膜又は層及び前記タイ皮膜又は層は一緒に、少なくとも６ヶ月の期間にわたり、前記流体による攻撃の結果として、前記バリア皮膜又は層を少なくとも実質的に溶解しない状態に保つのに有効である、請求項９１に記載の容器。
  93. 前記内腔に含まれる流体は５～９のｐＨを有し、前記包装の計算保管寿命は、保管温度４℃で６ヶ月超である、請求項９１に記載の容器。
  94. 前記タイ皮膜又は層と前記ｐＨ保護皮膜又は層との組合せは、前記包装（総Ｓｉ／Ｓｉ溶解速度）の前記計算保管寿命を延ばすのに有効である、請求項９１に記載の容器。
  95. 前記プラスチック壁は、ＣＯＰ樹脂若しくはＣＯＣ樹脂を含み、又はＣＯＰ樹脂若しくはＣＯＣ樹脂からなる、請求項７８～９４の何れか一項に記載の容器。
  96. 前記プラスチック壁は、環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂を含み、又は環式ブロックコポリマー（ＣＢＣ）樹脂からなる、請求項７８～９４の何れか一項に記載の容器。
  97. 前記プラスチック壁は、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦ、及びＶＩＶＩＯＮ（商標）１３２５からなる群から選択されるＣＢＣ樹脂を含み、又はそのようなＣＢＣ樹脂からなり、任意選択的に、前記プラスチック壁は、ＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０及びＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦからなる群から選択されるＣＢＣ樹脂を含み、又はそのようなＣＢＣ樹脂からなり、任意選択的に、前記プラスチック壁はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０を含み、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０からなり、任意選択的に、前記プラスチック壁はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦを含み、又はＶＩＶＩＯＮ（商標）０５１０ＨＦからなる、請求項９６に記載の容器。
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