JP2023170357A - 光モジュール用パッケージおよび光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】本開示は、隣接する信号配線間のクロストークを低減する光モジュール用パッケージを提供する。
【解決手段】表面配線層と、前記表面配線層との間に絶縁層を含む内部配線層と、を有する基板を備え、前記表面配線層は、第１方向に沿って延在する第１信号端子と、前記第１方向と交差する第２方向に配置され、前記第１方向に沿って延在する第２信号端子と、前記第１信号端子と前記第２信号端子との間に設けられ、前記第１方向に沿って延在するグランド端子と、を含み、前記内部配線層は、前記第１方向および前記第２方向に延在するグランドパターンを含み、前記基板は、前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記グランド端子の内側に配置されるとともに前記第１方向に延在する溝部を含み、前記溝部は、前記基板に垂直な方向に沿って前記絶縁層を貫通し、前記内部配線層のグランドパターンを前記表面配線層から露出させる光モジュール用パッケージ。
【選択図】図７

Description

本開示は、光モジュール用パッケージおよび光モジュールに関する。

特許文献１には、両主面上のそれぞれの上面に信号線用配線導体と、グランド線用配線導体と、を有するフレキシブル配線基板が開示されている。特許文献１には、信号線用配線導体と、グランド線用配線導体のそれぞれが上、下で対象になる位置にそれぞれ信号線用配線導体と、グランド線用配線導体を設けることが開示されている。また、特許文献１には、フレキシブル配線基板の互いのそれぞれの信号線用配線導体と、グランド線用配線導体を結びつけるためのビア導体を長さ方向に等ピッチ間隔で形成することが開示されている。

特許文献２には、配線基板の上面に半導体素子が実装されている半導体装置が開示されている。特許文献２には、配線基板が有する二列目の信号端子と四列目の信号端子に接続された層間接続ビアの間にグランドの層間接続ビアを配置することが開示されている。特許文献２には、層間接続ビアがシールドの役割を果たし、差動ペアの異なる信号間のクロストークを抑制することが開示されている。

特開２０１５－０１５５１３号公報 特開２０１０－１９２７６７号公報

光モジュールにおいて、高速の電気信号を光信号に変換して送受信する際に、３０ＧＨｚ以上の周波数領域において、隣接する信号配線間のクロストークが大きくなり光信号の送受信特性が制限される場合がある。

本開示は、隣接する信号配線間のクロストークを低減する光モジュール用パッケージを提供する。

本開示は、表面配線層と、前記表面配線層との間に絶縁層を含む内部配線層と、を有する基板を備え、前記表面配線層は、第１方向に沿って延在する第１信号端子と、前記第１信号端子に対して前記第１方向と交差する第２方向に配置されるとともに前記第１方向に沿って延在する第２信号端子と、前記第１信号端子と前記第２信号端子との間に設けられるとともに前記第１方向に沿って延在する第１グランド端子と、を含み、前記内部配線層は、前記第１方向および前記第２方向に延在するグランドパターンを含み、前記基板は、前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１グランド端子の内側に配置されるとともに前記第１方向に延在する溝部を含み、前記溝部は、前記基板に垂直な方向に沿って前記絶縁層を貫通し、前記内部配線層のグランドパターンを前記表面配線層から露出させる光モジュール用パッケージである。

本開示の光モジュール用パッケージによれば、隣接する信号配線間のクロストークを低減できる。

図１は、本実施形態に係る光トランシーバの構成の概略を示す図である。 図２は、本実施形態に係る光モジュールアセンブリの斜視図である。 図３は、本実施形態に係る光モジュールの斜視図である。 図４は、本実施形態に係るフレキシブルプリント基板の上面図である。 図５は、本実施形態に係るフレキシブルプリント基板の下面図である。 図６は、本実施形態に係る光モジュールの端子部の上面図である。 図７は、本実施形態に係る光モジュールの基板の斜視図である。 図８は、本実施形態に係る光モジュールの端子部を説明する図である。 図９は、本実施形態に係る光モジュールの端子部を説明する図である。 図１０は、本実施形態に係る光モジュールの変形例の斜視図である。 図１１Ａは、比較例のグランドパターンの上面図である。 図１１Ｂは、比較例のグランドパターンの上面図である。

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。

（１）本開示の光モジュール用パッケージは、表面配線層と、前記表面配線層との間に絶縁層を含む内部配線層と、を有する基板を備える。また、前記表面配線層は、第１方向に沿って延在する第１信号端子と、前記第１信号端子に対して前記第１方向と交差する第２方向に配置されるとともに前記第１方向に沿って延在する第２信号端子と、前記第１信号端子と前記第２信号端子との間に設けられるとともに前記第１方向に沿って延在する第１グランド端子と、を含む。さらに、前記内部配線層は、前記第１方向および前記第２方向に延在するグランドパターンを含む。さらにまた、前記基板は、前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１グランド端子の内側に配置されるとともに前記第１方向に延在する溝部を含む。また、前記溝部は、前記基板に垂直な方向に沿って前記絶縁層を貫通し、前記内部配線層のグランドパターンを前記表面配線層から露出させる。

本開示の光モジュール用パッケージによれば、隣接する信号配線間のクロストークを低減できる。

（２）上記（１）において、前記基板は、前記第１方向に垂直な端面を有し、前記溝部は前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１方向に沿って前記端面まで延びている。

本開示の光モジュール用パッケージによれば、隣接する信号配線間のクロストークをより低減できる。

（３）上記（１）または（２）において、前記溝部の前記基板に垂直な方向に平行な側面はメタライズされている。

本開示の光モジュール用パッケージによれば、グランド端子と信号端子の間隔を変更せずに、隣接する信号配線間のクロストークをより低減できる。また、本開示の光モジュール用パッケージによれば、フレキシブルプリント基板を接続する際にハンダの流れを促進して、ハンダの充填を十分行うことができる。

（４）本開示の光モジュールは、上記（１）から（３）のいずれかに記載の光モジュール用パッケージを含む。

本開示の光モジュールによれば、隣接する信号配線間のクロストークを低減できる。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の光モジュールの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

なお、各実施形態に係る明細書および図面の記載に関して、実質的に同一のまたは対応する機能を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する場合がある。また、理解を容易にするために、図面における各部の縮尺は、実際とは異なる場合がある。

平行、直角、直交、水平、垂直などの方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、弓状に丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直には、略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直が含まれてもよい。例えば、略平行は、２つの線あるいは２つの面が互いに完全に平行でなくても、製造上許容される範囲内で互いに平行として扱うことができることを意味する。他の略直角、略直交、略水平および略垂直についても、略平行と同様に、２つの線または２つの面の相互の位置関係が製造上許容される範囲内であればそれぞれに当該することが意図される。

本実施形態に係る光トランシーバ１について説明する。図１は、本実施形態に係る光トランシーバ１の構成の概略を示す図である。

光トランシーバ１は、光モジュール１０Ｔ、１０Ｒと、フレキシブルプリント基板２０Ｔ、２０Ｒと、回路基板３０と、を備える。光モジュール１０Ｔ、１０Ｒは、本開示の実施形態に係る光モジュール１０の一例である。

［光モジュール］
光モジュール１０Ｔ、１０Ｒは、電気信号と光信号とを相互に変換する。光モジュール１０Ｔは、例えば、ＴＯＳＡ（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ ＳｕｂＡｓｓｅｍｂｌｙ）である。光モジュール１０Ｒは、例えば、ＲＯＳＡ（Ｒｅｃｅｉｖｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ ＳｕｂＡｓｓｅｍｂｌｙ）である。

光モジュール１０Ｔは、例えば、ドライバ（駆動回路）１１と、送信用光素子１２と、を備える。送信用光素子１２は、例えば、発光素子あるいは光変調器である。

ドライバ１１は、例えば、回路基板３０が備えるＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）３１からの送信信号Ｔｘ２に基づいて、送信用光素子１２を駆動する駆動信号Ｔｄを送信用光素子１２に出力する。

送信用光素子１２は、駆動信号Ｔｄに応じて送信光信号Ｌｔを出力する。送信用光素子１２から出力された送信光信号Ｌｔは、光ファイバを経由して別の光トランシーバに伝送される。送信用光素子１２は、例えば、レーザダイオードあるいはマッハツェンダー型光変調器である。

光モジュール１０Ｒは、例えば、トランスインピーダンスアンプ１３と、受信用光素子１４と、を備える。トランスインピーダンスアンプ１３は、受信用光素子１４からの電流信号である受信信号Ｒｉを電圧信号である受信信号Ｒｘ２に変換して、回路基板３０が備えるＤＳＰ３１に出力する。

受信用光素子１４は、例えば、フォトダイオードである。受信用光素子１４は、光ファイバを介して別の光トランシーバから受信した受信光信号Ｌｒを受信信号Ｒｉに変換する。

光トランシーバ１は、さらに光源１５（不図示）を備えていてもよい。光源１５は、例えば波長可変レーザである。光源１５は、所定のピーク波長を有する連続光（ＣＷ光）Ｌｂを生成し、送信用光素子１２に出力する。例えば、送信用光素子１２が光変調器の場合、光源１５から供給されるＣＷ光Ｌｂを駆動信号Ｔｄに応じて変調して送信光信号Ｌｔを生成する。また、受信用光素子１４は、９０°光ハイブリッドを備えていてもよい。受信用光素子１４は、受信光信号ＬｒをＣＷ光Ｌｂと干渉させて生成された光信号から受信信号Ｒｉを生成してもよい。

［フレキシブルプリント基板］
フレキシブルプリント基板２０Ｔ、２０Ｒは、光モジュール１０Ｔ、１０Ｒと回路基板３０とをそれぞれ電気的に接続する。フレキシブルプリント基板２０Ｔ、２０Ｒは、複数の信号配線を有する。フレキシブルプリント基板２０Ｔ、２０Ｒの信号配線は、例えば、伝送線路を形成する。例えば、フレキシブルプリント基板２０Ｔ、２０Ｒは、１つの差動信号を伝送するために、一対の信号配線から成る差動信号配線を備える。差動信号配線は、高速の差動信号を良好な波形品質にて伝送するために、例えば、差動伝送線路を形成する。

［回路基板］
回路基板３０は、例えば、光トランシーバ１の内部を制御する制御回路を備える。例えば、制御回路は、光モジュール１０Ｔ、１０Ｒの動作を制御するための検出回路やマイクロコントローラ等を含む。また、回路基板３０は、光トランシーバ１が接続されるホスト（伝送装置）と光トランシーバ１の監視・制御のための通信を行う。さらに、回路基板３０は、例えば、ホストとの通信に基づいて、光モジュール１０Ｔ、１０Ｒを制御する。回路基板３０は、ホストからの問合せに応じて光モジュール１０Ｔ、１０Ｒの動作状態に関する情報をホストに送信する。

回路基板３０は、例えば、ＤＳＰ３１を備える。ＤＳＰ３１は、ホストから送信される送信信号Ｔｘ１をドライバ１１への送信信号Ｔｘ２に変換する。例えば、ＤＳＰ３１がＣＤＲ（Ｃｌｏｃｋ Ｄａｔａ Ｒｅｃｏｖｅｒｙ）回路を含む場合、送信信号Ｔｘ１から波形整形された信号を生成して送信信号Ｔｘ２として出力する。また、ＤＳＰ３１は、トランスインピーダンスアンプ１３からの受信信号Ｒｘ２をホストに送信する受信信号Ｒｘ１に変換する。例えば、ＤＳＰ３１がＣＤＲ回路を含む場合、受信信号Ｒｘ２から波形整形された信号を生成して受信信号Ｒｘ１として出力する。ＤＳＰ３１は、例えば、送信信号Ｔｘ１および受信信号Ｒｘ１を伝達する信号配線とは別に用意された専用の信号配線を介してホストと監視制御のための制御信号Ｃｔｌ１を送受信する。

次に、光トランシーバ１に用いられる構成について詳細を説明する。なお、図には、説明の便宜のためＸＹＺ直交座標系が示される場合がある。例えば、図面の紙面に対して垂直な座標軸について、座標軸の丸の中にバツ印を示す場合は紙面に対して奥の方向が座標軸の正の領域であることを表す。また、図面の紙面に対して垂直な座標軸について、座標軸の丸の中に黒丸印を示す場合は紙面に対して手前側が座標軸の正の領域であることを表す。ただし、当該座標系は、説明のために主に方向を示すものであって、本開示の光モジュール等の座標および姿勢のそれぞれについて限定するものではない。

なお、本開示では、特に説明しない限り、Ｘ軸は光モジュール１０Ｔ、１０Ｒの端子が並ぶ方向、Ｙ軸は光モジュール１０Ｔ、１０Ｒの端子の厚み方向、Ｚ軸は光モジュール１０Ｔ、１０Ｒの端子が延びる方向とする。例えば、送信信号Ｔｘ２および受信信号Ｒｘ２は、Ｚ軸に沿って回路基板３０と光モジュール１０Ｔ、１０Ｒとの間を伝達される。また、特に断らない限り、各図に示される同一の名称の座標軸は、互いに同一のものを表す。例えば、図２におけるＸ軸は、図３におけるＸ軸と同一のものを表している。

［光モジュールアセンブリ］
光モジュールアセンブリ２は、光モジュール１０Ｔまたは１０Ｒと、光モジュール１０Ｔまたは１０Ｒに対応するフレキシブルプリント基板２０Ｔまたは２０Ｒと、を備える。
以下では、光モジュールアセンブリ２が光モジュール１０Ｔとフレキシブルプリント基板２０Ｔとによって構成される場合について説明する。図２は、本実施形態に係る光モジュールアセンブリ２の斜視図である。光モジュールアセンブリ２が備える光モジュール１０Ｔとフレキシブルプリント基板２０Ｔとは、ハンダ付け等により電気的に接続される。

［光モジュール］
光モジュール１０Ｔは、ドライバ１１および送信用光素子１２に加えてパッケージ１６を備える。図３は、本実施形態に係る光モジュール１０Ｔの斜視図である。パッケージ１６の内部には、例えば、ドライバ１１、送信用光素子１２、が収容されている。

パッケージ１６は、例えば、直方体状の外形を有する。より詳細には、パッケージ１６は、基板１６ａと、載置基板１６ｂと、側壁部１６ｃと、蓋部１６ｄと、を備える。

基板１６ａは、例えば、光モジュール１０Ｔの外部からの信号を光モジュール１０Ｔの内部に導入する。なお、基板１６ａは、光モジュール１０Ｔの内部からの信号を光モジュール１０Ｔの外部に出力してもよい。基板１６ａは、パッケージ１６の内部と外部との間で信号を伝達するための信号配線を有する。そのような信号配線をフィードスルーともいう。また、そのような信号配線を有する基板１６ａのことをフィードスルーということがある。

基板１６ａは、例えば、セラミック基板である。基板１６ａは、表面および内部に配線層を有する多層配線基板である。基板１６ａは、例えば、配線層と配線層の間にセラミックで形成される絶縁層を有する。光モジュール１０Ｔは、基板１６ａに端子部１０ａを有する。配線層には、送信信号Ｔｘ２や受信信号Ｒｘ２を伝達するための信号配線、グランド線および内部に電力を供給するための電源線等が設けられる。端子部１０ａは、例えば、基板１６ａの表面の配線層（第１配線層）に設けられる。

載置基板１６ｂは、四角の平板状の外形を有する。載置基板１６ｂは、例えば、ＸＺ平面に平行な上面を有する。載置基板１６ｂの上面には、例えば、光モジュール１０Ｔが備えるドライバ１１および送信用光素子１２が載置される。載置基板１６ｂは、側壁部１６ｃの下側（－Ｙ側）を閉塞する。載置基板１６ｂは、例えば、側壁部１６ｃの下側と接合されているか、側壁部１６ｃと一体で形成されている。

側壁部１６ｃは、パッケージ１６の側壁を形成する。側壁部１６ｃは、ＹＺ面に平行な一対の側壁（以下、横壁という）と、ＸＹ面に平行な一対の側壁（以下、前壁および後壁という）と、を有する。前壁には基板１６ａが設けられている。後壁は、Ｚ軸方向において前壁の反対側に位置する。後壁には、例えば、送信光信号Ｌｔを外部に出力するための光学部品（不図示）が設けられている。前壁および後壁は、それぞれ一対の横壁と接続されている。一対の横壁、前壁および後壁は、内側に空間（内部空間）を構成する。内部空間は、ＸＺ平面において一対の横壁、前壁および後壁によって周囲を囲まれている。内部空間には、光モジュール１０Ｔが備えるドライバ１１および送信用光素子１２が収容される。

蓋部１６ｄは、側壁部１６ｃの上側（＋Ｙ側）を閉塞する。例えば、蓋部１６ｄは、側壁部１６ｃの上側と接合される。蓋部１６ｄは、例えば、金属製のリッドであり、シーム溶接によって側壁部１６ｃの上部に接合される。内部空間は、基板１６ａ、載置基板１６ｂ、側壁部１６ｃおよび蓋部１６ｄにより画成される。例えば、内部空間がパッケージ１６の外部から隔絶されるように、パッケージ１６は、気密封止される。なお、光モジュール１０Ｒは、光モジュール１０Ｔのパッケージ１６と同様のパッケージを有し、そのパッケージの内部空間にトランスインピーダンスアンプ１３および受信用光素子１４を収容する。光モジュール１０Ｒのパッケージについての説明は省略する。

［フレキシブルプリント基板］
フレキシブルプリント基板２０Ｔの構成について詳細を説明する。図４は、本実施形態に係るフレキシブルプリント基板２０Ｔの上面図である。具体的には、図４は、フレキシブルプリント基板２０ＴをＹ軸の正の領域からＹ軸の負の領域に向かって見たときの上面図である。図５は、本実施形態に係るフレキシブルプリント基板２０Ｔの下面図である。具体的には、図５は、フレキシブルプリント基板２０ＴをＹ軸の負の領域からＹ軸の正の領域に向かって見たときの上面図である。なお、フレキシブルプリント基板２０Ｒは、フレキシブルプリント基板２０Ｔの構成と同様の構成を有する。フレキシブルプリント基板２０Ｒについては詳細な説明を省略する。

フレキシブルプリント基板２０Ｔは、Ｚ軸方向に沿って延在する。フレキシブルプリント基板２０Ｔは、例えば、延在する方向（Ｚ軸方向）の両端で同様の形状を有する。なお、両端での形状が異なっていてもよい。図４および図５では、フレキシブルプリント基板２０Ｔの光モジュール１０Ｔと接続する側（Ｚ軸の負側）の端部について示し、フレキシブルプリント基板２０Ｔの光モジュール１０Ｔと接続する側の反対側（Ｚ軸の正側）の端部については説明を省略する。

フレキシブルプリント基板２０Ｔは、絶縁層Ｌｍの上面ＬｍＳ１に一対の信号配線ＷａＳ１ｐおよび信号配線ＷａＳ１ｎを有する。一対の信号配線ＷａＳ１ｐおよび信号配線ＷａＳ１ｎは、上面の配線層の一部として形成される。信号配線ＷａＳ１ｐおよび信号配線ＷａＳ１ｎのそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って延在する。信号配線ＷａＳ１ｐおよび信号配線ＷａＳ１ｎには、差動信号が伝送される。信号配線ＷａＳ１ｐおよび信号配線ＷａＳ１ｎは、例えば、伝送線路として形成される。

フレキシブルプリント基板２０Ｔは、絶縁層Ｌｍの上面ＬｍＳ１における光モジュール１０Ｔと接続する側の端部に、信号配線ＷａＳ１ｐと接続する信号端子ＦａＳ１ｐを有する。フレキシブルプリント基板２０Ｔは、上面ＬｍＳ１における光モジュール１０Ｔと接続する側の端部に、信号配線ＷａＳ１ｎと接続する信号端子ＦａＳ１ｎを有する。信号端子ＦａＳ１ｐと信号端子ＦａＳ１ｎとをまとめて差動信号端子ＦａＳ１という場合がある。

同様に、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、絶縁層Ｌｍの上面ＬｍＳ１に一対の信号配線ＷａＳ２ｐおよび信号配線ＷａＳ２ｎを有する。一対の信号配線ＷａＳ２ｐおよび信号配線ＷａＳ２ｎは、上面の配線層の一部として形成される。信号配線ＷａＳ２ｐおよび信号配線ＷａＳ２ｎのそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って延在する。信号配線ＷａＳ２ｐおよび信号配線ＷａＳ２ｎには、信号配線ＷａＳ１ｐおよび信号配線ＷａＳ１ｎが伝送する差動信号とは異なる差動信号が伝送される。信号配線ＷａＳ２ｐおよび信号配線ＷａＳ２ｎは、例えば、伝送線路として形成される。フレキシブルプリント基板２０Ｔは、上面ＬｍＳ１における光モジュール１０Ｔと接続する側の端部に、信号配線ＷａＳ２ｐと接続する信号端子ＦａＳ２ｐと、信号配線ＷａＳ２ｎと接続する信号端子ＦａＳ２ｎと、を有する。信号端子ＦａＳ２ｐと信号端子ＦａＳ２ｎとをまとめて差動信号端子ＦａＳ２という場合がある。

また、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、上面ＬｍＳ１に一対の信号配線ＷａＳ３ｐおよび信号配線ＷａＳ３ｎと、一対の信号配線ＷａＳ４ｐおよび信号配線ＷａＳ４ｎと、を有する。一対の信号配線ＷａＳ３ｐおよび信号配線ＷａＳ３ｎは、一対の信号配線ＷａＳ１ｐおよび信号配線ＷａＳ１ｎと同様の構成を有する。一対の信号配線ＷａＳ４ｐおよび信号配線ＷａＳ４ｎは、一対の信号配線ＷａＳ１ｐおよび信号配線ＷａＳ１ｎと同様の構成を有する。一対の信号配線ＷａＳ３ｐおよび信号配線ＷａＳ３ｎと、一対の信号配線ＷａＳ４ｐおよび信号配線ＷａＳ４ｎと、については詳細な説明を省略する。

さらに、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、信号配線ＷａＳ３ｐと接続する信号端子ＦａＳ３ｐおよび信号配線ＷａＳ３ｎと接続する信号端子ＦａＳ３ｎと、信号配線ＷａＳ４ｐと接続する信号端子ＦａＳ４ｐおよび信号配線ＷａＳ４ｎと接続する信号端子ＦａＳ４ｎと、を有する。信号端子ＦａＳ３ｐおよび信号端子ＦａＳ３ｎと、信号端子ＦａＳ４ｐおよび信号端子ＦａＳ４ｎと、については詳細な説明を省略する。

信号配線ＷａＳ１ｐ、信号配線ＷａＳ１ｎ、信号配線ＷａＳ２ｐ、信号配線ＷａＳ２ｎ、信号配線ＷａＳ３ｐ、信号配線ＷａＳ３ｎ、信号配線ＷａＳ４ｐおよび信号配線ＷａＳ４ｎは、Ｘ軸の負側から順に上面ＬｍＳ１に並んで配置される。フレキシブルプリント基板２０Ｔは、上面ＬｍＳ１に、信号配線ＷａＳ１ｐ、信号配線ＷａＳ１ｎおよび他の信号配線を覆うように、絶縁被覆Ｌｇａを有する。絶縁被覆Ｌｇａは、絶縁性を有する材料で形成され、例えば、各信号配線が他の配線等と電気的に接触することや信号配線が外部との接触によって傷つくことを防ぐ。絶縁被覆Ｌｇａは、例えば、カバーレイであってもよいし、ソルダーレジストであってもよい。

フレキシブルプリント基板２０Ｔは、光モジュール１０Ｔと接続する側の端部におけるＸ軸の負側の端部に、グランドパターンＦａＧ１を有する。また、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、信号端子ＦａＳ１ｎと信号端子ＦａＳ２ｐとの間、いいかえると、差動信号端子ＦａＳ１と差動信号端子ＦａＳ２との間に、グランドパターンＦａＧ２を有する。同様に、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、信号端子ＦａＳ２ｎと信号端子ＦａＳ３ｐとの間、いいかえると、差動信号端子ＦａＳ２と差動信号端子ＦａＳ３との間に、グランドパターンＦａＧ３を有する。また、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、信号端子ＦａＳ３ｎと信号端子ＦａＳ４ｐとの間、いいかえると、差動信号端子ＦａＳ３と差動信号端子ＦａＳ４との間に、グランドパターンＦａＧ４を有する。光モジュール１０Ｔと接続する側の端部におけるＸ軸の正側の端部に、グランドパターンＦａＧ５を有する。

フレキシブルプリント基板２０Ｔは、絶縁層Ｌｍの下面ＬｍＳ２にグランドパターンＷｂＧを有する。グランドパターンＷｂＧは、Ｘ軸方向およびＺ軸方向に延在する平面状のパターンであり、例えば、いわゆるベタパターンとして形成される。グランドパターンＷｂＧは、下面ＬｍＳ２の配線層の一部として形成される。また、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、絶縁層Ｌｍの下面ＬｍＳ２における光モジュール１０Ｔと接続する側の端部に、Ｘ軸の負側から順に、グランド端子ＦｂＧ１、グランド端子ＦｂＧ２、グランド端子ＦｂＧ３、グランド端子ＦｂＧ４およびグランド端子ＦｂＧ５を有する。グランド端子ＦｂＧ１、グランド端子ＦｂＧ２、グランド端子ＦｂＧ３、グランド端子ＦｂＧ４およびグランド端子ＦｂＧ５のそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って延在してグランドパターンＷｂＧに接続される。なお、Ｘ軸方向に沿って配置されるグランド端子ＦｂＧ１、信号端子ＦｂＳ１ｐ、信号端子ＦｂＳ１ｎおよびグランド端子ＦｂＧ２による構成をＧＳＳＧ構成ともいう。ここで、Ｓは信号配線（信号端子）を意味し、Ｇはグランド配線（グランド端子）を意味する。

グランドパターンＦａＧ１は、スルーホールビア（以下、単にビアという）を介してグランド端子ＦｂＧ１と電気的に接続される。図４および図５に示される円は、ビアを表している。ビアは、Ｙ軸方向に沿って絶縁層Ｌｍを貫通し、上面ＬｍＳ１の配線層と下面ＬｍＳ２の配線層とを電気的に接続するよう内部はメッキが施されている。同様に、グランドパターンＦａＧ２は、ビアを介してグランド端子ＦｂＧ２と電気的に接続される。グランドパターンＦａＧ３、グランドパターンＦａＧ４およびグランドパターンＦａＧ５についても同様に、ビアを介してそれぞれグランド端子ＦｂＧ３、グランド端子ＦｂＧ４およびグランド端子ＦｂＧ５と電気的に接続される。

フレキシブルプリント基板２０Ｔは、グランド端子ＦｂＧ１とグランド端子ＦｂＧ２との間に、信号端子ＦｂＳ１ｐおよび信号端子ＦｂＳ１ｎを有する。信号端子ＦｂＳ１ｐは、信号端子ＦａＳ１ｐとビアを介して電気的に接続される。信号端子ＦｂＳ１ｎは、信号端子ＦａＳ１ｎとビアを介して電気的に接続される。

同様に、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、グランド端子ＦｂＧ２とグランド端子ＦｂＧ３との間に、信号端子ＦｂＳ２ｐおよび信号端子ＦｂＳ２ｎを有する。信号端子ＦｂＳ２ｐは、信号端子ＦａＳ２ｐとビアを介して電気的に接続される。信号端子ＦｂＳ２ｎは、信号端子ＦａＳ２ｎとビアを介して電気的に接続される。

また、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、グランド端子ＦｂＧ３とグランド端子ＦｂＧ４との間に、信号端子ＦｂＳ３ｐおよび信号端子ＦｂＳ３ｎを有する。信号端子ＦｂＳ３ｐは、信号端子ＦａＳ３ｐとビアを介して電気的に接続される。信号端子ＦｂＳ３ｎは、信号端子ＦａＳ３ｎとビアを介して電気的に接続される。

さらに、フレキシブルプリント基板２０Ｔは、グランド端子ＦｂＧ４とグランド端子ＦｂＧ５との間に、信号端子ＦｂＳ４ｐおよび信号端子ＦｂＳ４ｎを有する。信号端子ＦｂＳ４ｐは、信号端子ＦａＳ４ｐとビアを介して電気的に接続される。信号端子ＦｂＳ４ｎは、信号端子ＦａＳ４ｎとビアを介して電気的に接続される。

フレキシブルプリント基板２０Ｔは、下面ＬｍＳ２に、グランドパターンＷｂＧを覆うように、絶縁被覆Ｌｇｂを有する。絶縁被覆Ｌｇｂは、絶縁性を有する材料で形成され、例えば、グランドパターンが他の配線等と電気的に接触することやグランドパターンが外部との接触によって傷つくことを防ぐ。絶縁被覆Ｌｇｂは、例えば、カバーレイであってもよいし、ソルダーレジストであってもよい。なお、絶縁被覆Ｌｇｂは、信号端子ＦｂＳ１ｐおよび信号端子ＦｂＳ１ｎ等の配線層を露出させる必要がある部分以外を覆っていてもよい。

フレキシブルプリント基板２０Ｔにおいて、信号配線ＷａＳ１ｐおよび信号配線ＷａＳ１ｎと、グランドパターンＷｂＧとは、伝送線路を構成する。同様に、信号配線ＷａＳ２ｐおよび信号配線ＷａＳ２ｎ、信号配線ＷａＳ３ｐおよび信号配線ＷａＳ３ｎ並びに信号配線ＷａＳ４ｐおよび信号配線ＷａＳ４ｎと、グランドパターンＷｂＧとは、伝送線路を構成する。伝送線路は、例えば、マイクロストリップラインであってもよく、グランデッドコプレーナ線路であってもよい。

フレキシブルプリント基板２０Ｔの下面ＬｍＳ２に形成される複数のグランド端子および複数の信号端子は、光モジュール１０Ｔの端子部１０ａに形成されるグランド端子および複数の信号端子にハンダにより接続される。このとき、フレキシブルプリント基板２０Ｔのグランド端子は、光モジュール１０Ｔのグランド端子と一対一で接続され、フレキシブルプリント基板２０Ｔの複数の信号端子は、それぞれに対応する光モジュール１０Ｔの複数の信号端子と一対一で接続される。

フレキシブルプリント基板２０Ｔと光モジュール１０Ｔとを接続する際には、接続部分での信号の反射を低減するために、フレキシブルプリント基板２０Ｔと光モジュール１０Ｔとの間でインピーダンスが整合するように接続する。なお、フレキシブルプリント基板２０Ｔの上下が反転した状態で、フレキシブルプリント基板２０Ｔの上面ＬｍＳ１に形成される複数のグランド端子および複数の信号端子が、光モジュール１０Ｔの端子部１０ａに形成される対応するグランド端子および複数の信号端子にハンダにより接続されてもよい。フレキシブルプリント基板２０Ｔの上下を反転した場合には、差動信号端子ＦａＳ１、ＦａＳ２、ＦａＳ３、ＦａＳ４のＸ軸方向の順番は上下を反転する前と反対になるが、フレキシブルプリント基板２０Ｔの複数の信号端子と光モジュール１０Ｔの複数の信号端子とが互いに正しく対応するように適宜差動信号の順番を入れ替えればよい。

＜基板１６ａの詳細＞
光モジュール１０Ｔの端子部１０ａを構成する基板１６ａについて詳細を説明する。図６は、本実施形態に係る光モジュール１０Ｔの端子部１０ａの上面図である。具体的には、図６は、光モジュール１０ＴをＹ軸の正の領域からＹ軸の負の領域に向かって見たときの（あるいは、Ｙ軸方向からの平面視における）上面図である。

光モジュール１０Ｔは、端子部１０ａに、より具体的には基板１６ａの上面１６ａＳに、Ｘ軸の負側の端からＸ軸の正側に向かって順に、グランド端子ＴａＧ１、信号端子ＴａＳ１ｐ、信号端子ＴａＳ１ｎおよびグランド端子ＴａＧ２を有する。グランド端子ＴａＧ１、信号端子ＴａＳ１ｐ、信号端子ＴａＳ１ｎおよびグランド端子ＴａＧ２は、上面１６ａＳの配線層の一部として形成される。信号端子ＴａＳ１ｐおよび信号端子ＴａＳ１ｎのそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って延在する。信号端子ＴａＳ１ｐおよび信号端子ＴａＳ１ｎをまとめて差動信号端子ＴａＳ１という場合がある。なお、Ｘ軸方向に沿って配置されるグランド端子ＴａＧ１、信号端子ＴａＳ１ｐ、信号端子ＴａＳ１ｎおよびグランド端子ＴａＧ２による構成は、ＧＳＳＧ構成の一例である。

また、光モジュール１０Ｔは、上面１６ａＳに、グランド端子ＴａＧ２に隣接してＸ軸の正側に向かって順に、信号端子ＴａＳ２ｐ、信号端子ＴａＳ２ｎおよびグランド端子ＴａＧ３を有する。信号端子ＴａＳ２ｐおよび信号端子ＴａＳ２ｎのそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って延在する。信号端子ＴａＳ２ｐおよび信号端子ＴａＳ２ｎをまとめて差動信号端子ＴａＳ２という場合がある。なお、Ｘ軸方向に沿って配置されるグランド端子ＴａＧ２、信号端子ＴａＳ２ｐ、信号端子ＴａＳ２ｎおよびグランド端子ＴａＧ３による構成は、ＧＳＳＧ構成の一例である。このように、このＧＳＳＧ構成と上述のＧＳＳＧ構成とは、端のグランド端子（Ｇ）を互いに共有して構成されてもよい。したがって、例えば、ＧＳＳＧＳＳＧと表記されるように構成されてもよい。

さらに、光モジュール１０Ｔは、上面１６ａＳに、グランド端子ＴａＧ３に隣接してＸ軸の正側に向かって順に、信号端子ＴａＳ３ｐ、信号端子ＴａＳ３ｎおよびグランド端子ＴａＧ４を有する。信号端子ＴａＳ３ｐおよび信号端子ＴａＳ３ｎのそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って延在する。信号端子ＴａＳ３ｐおよび信号端子ＴａＳ３ｎをまとめて差動信号端子ＴａＳ３という場合がある。Ｘ軸方向に沿って配置されるグランド端子ＴａＧ３、信号端子ＴａＳ３ｐ、信号端子ＴａＳ３ｎおよびグランド端子ＴａＧ４による構成は、ＧＳＳＧ構成の一例である。Ｘ軸方向に沿って配置されるグランド端子ＴａＧ３、信号端子ＴａＳ３ｐ、信号端子ＴａＳ３ｎおよびグランド端子ＴａＧ４による構成は、グランド端子ＴａＧ２、信号端子ＴａＳ２ｐ、信号端子ＴａＳ２ｎおよびグランド端子ＴａＧ３による構成と同じ形状や間隔等を有していてもよい。

さらにまた、光モジュール１０Ｔは、上面１６ａＳに、グランド端子ＴａＧ４に隣接してＸ軸の正側に向かって順に、信号端子ＴａＳ４ｐ、信号端子ＴａＳ４ｎ、グランド端子ＴａＧ５を有する。信号端子ＴａＳ４ｐおよび信号端子ＴａＳ４ｎのそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って延在する。信号端子ＴａＳ４ｐおよび信号端子ＴａＳ４ｎをまとめて差動信号端子ＴａＳ４という場合がある。Ｘ軸方向に沿って配置されるグランド端子ＴａＧ４、信号端子ＴａＳ４ｐ、信号端子ＴａＳ４ｎおよびグランド端子ＴａＧ５による構成は、ＧＳＳＧ構成の一例である。

グランド端子ＴａＧ１、グランド端子ＴａＧ２、グランド端子ＴａＧ３、グランド端子ＴａＧ４およびグランド端子ＴａＧ５のそれぞれは、上面１６ａＳにおいてＺ軸方向に沿って延在する。なお、各グランド端子のＸ軸方向の長さ（幅）、Ｘ軸方向の間隔（ピッチ）およびＺ軸方向の長さは、互いに同じ値に設定されていてもよい。例えば、グランド端子ＴａＧ１およびグランド端子ＴａＧ２の間隔は、グランド端子ＴａＧ２およびグランド端子ＴａＧ３の間隔と同じ値に設定されてもよい。基板１６ａは、Ｙ軸方向からの平面視においてグランド端子ＴａＧ２の内側に、後述する第２配線層Ｌ２のグランドパターンＴｃＧによって底面が構成される溝部Ｇ２ｈを含む。同様に、基板１６ａは、グランド端子ＴａＧ３の内側に、グランドパターンＴｃＧによって底面が構成される溝部Ｇ３ｈを含む。また、基板１６ａは、グランド端子ＴａＧ４の内側に、グランドパターンＴｃＧによって底面が構成される溝部Ｇ４ｈを含む。

図７は、本実施形態に係る光モジュール１０Ｔの基板１６ａの斜視図である。図７において、基板１６ａの絶縁層は透明として配線層およびビアを実線にて描いている。図８は、本実施形態に係る光モジュール１０Ｔの端子部１０ａについて、図６の領域Ａを拡大した上面図である。具体的には、図８は、光モジュール１０Ｔの端子部をＹ軸の正の領域からＹ軸の負の領域に向かって見たときの上面図である。

図９は、図８のＩ－Ｉ断面における断面図である。具体的には、光モジュール１０Ｔの端子部１０ａを図８のＩ－Ｉ断面で切断し、Ｘ軸の正の領域からＸ軸の負の領域に向かって見たときの断面図である。さらに、図９は、光モジュール１０Ｔの端子部１０ａにフレキシブルプリント基板２０Ｔを接続した状態を示す図である。

基板１６ａは、基板１６ａの上面１６ａＳに設けられる第１配線層（表面配線層）Ｌ１と、第１配線層Ｌ１との間に第１絶縁層Ｌｉ１を含む第２配線層（中間配線層）Ｌ２と、第２配線層Ｌ２との間に第２絶縁層Ｌｉ２を含む第３配線層（内部配線層）Ｌ３と、を有する。すなわち、第３配線層Ｌ３、第２絶縁層Ｌｉ２、第２配線層Ｌ２、第１絶縁層Ｌｉ１および第１配線層Ｌ１は、この順にＹ軸方向に沿ってＹ軸の負の領域からＹ軸の正の領域に向かって積層されている。第１配線層Ｌ１、第２配線層Ｌ２および第３配線層Ｌ３は、ＸＺ平面に平行に形成されている。第１配線層Ｌ１、第２配線層Ｌ２および第３配線層Ｌ３は、導電性を有する金属（例えば、銅箔）によって形成されている。

（第１配線層）
基板１６ａは、第１配線層Ｌ１に、グランド端子として、グランド端子ＴａＧ１、グランド端子ＴａＧ２、グランド端子ＴａＧ３、グランド端子ＴａＧ４およびグランド端子ＴａＧ５を有する。また、基板１６ａは、第１配線層Ｌ１に、信号端子として、信号端子ＴａＳ１ｐ、信号端子ＴａＳ１ｎ、信号端子ＴａＳ２ｐ、信号端子ＴａＳ２ｎ、信号端子ＴａＳ３ｐ、信号端子ＴａＳ３ｎ、信号端子ＴａＳ４ｐおよび信号端子ＴａＳ４ｎを有する。信号端子ＴａＳ１ｐおよび信号端子ＴａＳ１ｎは、１つの差動信号を伝達するために使用される。図６は、４つの差動信号が互いに並行して伝達される場合の実施形態の一例を示している。１つの差動信号あるいは１つの差動信号配線を、チャネルともいう。すなわち、図６は、４チャネルを扱う場合の実施形態の一例を示している。１つのチャネルのみ扱う場合には、第１配線層Ｌ１は、少なくともグランド端子ＴａＧ１、信号端子ＴａＳ１ｐ、信号端子ＴａＳ１ｎおよびグランド端子ＴａＧ２を有していればよい。その場合に、グランド端子ＴａＧ１、信号端子ＴａＳ１ｐ、信号端子ＴａＳ１ｎおよびグランド端子ＴａＧ２は、上述のＧＳＳＧ構成となるように構成されてもよい。また、２つのチャネルを扱う場合には、第１配線層Ｌ１は、少なくともグランド端子ＴａＧ１、信号端子ＴａＳ１ｐ、信号端子ＴａＳ１ｎ、グランド端子ＴａＧ２、信号端子ＴａＳ２ｐ、信号端子ＴａＳ２ｎおよびグランド端子ＴａＧ３、を有していればよい。その場合に、グランド端子ＴａＧ１、信号端子ＴａＳ１ｐ、信号端子ＴａＳ１ｎ、グランド端子ＴａＧ２、信号端子ＴａＳ２ｐ、信号端子ＴａＳ２ｎおよびグランド端子ＴａＧ３は、上述のＧＳＳＧＳＳＧ構成となるように構成されてもよい。

グランド端子および信号端子のそれぞれは、導電性を有する部材により形成される。グランド端子および信号端子のそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って延在する。グランド端子は、Ｘ軸方向に横幅Ｗ１（図８参照）を有する。グランド端子ＴａＧ２は、溝部Ｇ２ｈ部分に開口を有する。同様に、グランド端子ＴａＧ３は、溝部Ｇ３ｈ部分に開口を有する。グランド端子ＴａＧ４は、溝部Ｇ４ｈ部分に開口を有する。信号端子の横幅、一対の信号端子間の距離および信号端子とグランド端子との距離は、絶縁層のＹ軸方向の厚さ、絶縁層の比誘電率等に応じて差動伝送線路が形成されるように決められる。なお、一方で、光モジュール１０Ｔの小型化あるいは高密度実装のためには、端子部１０ａのＸ軸方向の長さ（例えば、光モジュール１０Ｔの横幅Ｗに等しい）は、小さい値となることが好ましい（図６参照）。したがって、グランド端子の横幅Ｗ１、信号端子の横幅、一対の信号端子間の距離および信号端子とグランド端子との距離は、小さい値とされることが好ましい。

（第１絶縁層）
基板１６ａは、第１配線層Ｌ１および第２配線層Ｌ２との間に、第１絶縁層Ｌｉ１を有する。第１絶縁層Ｌｉ１は、例えば、セラミック材料を含むグリーンシートとして成形され、焼結によって形成される。第１絶縁層Ｌｉ１は、絶縁性を有する材料によって形成され、第１配線層Ｌ１と第２配線層Ｌ２とを電気的に絶縁する。第１絶縁層Ｌｉ１の厚さｔ１は、例えば、１００から３００マイクロメートルである。なお、基板１６ａには、第１配線層Ｌ１に設けられた配線あるいは端子と第２配線層Ｌ２に設けられた配線とを電気的に接続するために第１絶縁層Ｌｉ１を貫通するビアが設けられる。ビアについては、後述する。

（第２配線層）
基板１６ａは、第２配線層Ｌ２に、グランド端子ＴａＧ１の下にグランドパターンＴｂＧ１を有する。同様に、基板１６ａは、グランド端子ＴａＧ２の下にグランドパターンＴｂＧ２、グランド端子ＴａＧ３の下にグランドパターンＴｂＧ３、グランド端子ＴａＧ４の下にグランドパターンＴｂＧ４およびグランド端子ＴａＧ５の下にグランドパターンＴｂＧ５を有する。グランドパターンＴｂＧ２は、溝部Ｇ２ｈ部分が貫通する穴を有する。同様に、グランドパターンＴｂＧ３は、溝部Ｇ３ｈ部分が貫通する穴を有する。グランドパターンＴｂＧ４は、溝部Ｇ４ｈ部分が貫通する穴を有する。

なお、第２配線層Ｌ２において、信号端子ＴａＳ１ｐ、信号端子ＴａＳ１ｎ、信号端子ＴａＳ２ｐ、信号端子ＴａＳ２ｎ、信号端子ＴａＳ３ｐ、信号端子ＴａＳ３ｎ、信号端子ＴａＳ４ｐおよび信号端子ＴａＳ４ｎのそれぞれの下には、電極等の導電性部材は設けられていない。この電極等の導電性部材のない領域では、第１絶縁層と第２絶縁層とが互いに接触して形成されている。

（第２絶縁層）
基板１６ａは、第２配線層Ｌ２および第３配線層Ｌ３との間に、第２絶縁層Ｌｉ２を有する。第２絶縁層Ｌｉ２は、例えば、セラミック材料を含むグリーンシートとして成形され、焼結によって形成される。第２絶縁層Ｌｉ２は、絶縁性を有する材料によって形成され、第２配線層Ｌ２と第３配線層Ｌ３とを電気的に絶縁する。第２絶縁層Ｌｉ２の厚さｔ２は、例えば、１００から３００マイクロメートルである。なお、第２絶縁層Ｌｉ２には、第２配線層Ｌ２に設けられた配線と第３配線層Ｌ３に設けられた配線とを電気的に接続するためにビアが設けられる。

（第３配線層）
基板１６ａは、第３配線層Ｌ３に、グランド端子ＴａＧ１の下からグランド端子ＴａＧ５の下まで、Ｘ軸方向にわたって設けられるグランドパターンＴｃＧを有する。したがって、グランドパターンＴｃＧはＹ軸方向およびＸ軸方向に沿って延在する。グランドパターンＴｃＧは、いわゆるベタパターン（ベタグランド）であってもよい。Ｙ軸方向からの平面視において、グランド端子ＴａＧ１、ＴａＧ２、ＴａＧ３、ＴａＧ４およびＴａＧ５はグランドパターンＴｂＧ３の中に含まれる。グランドパターンＴｃＧは、溝部Ｇ２ｈ、溝部Ｇ３ｈおよび溝部Ｇ４ｈのそれぞれの底面を構成する。

なお、第１絶縁層Ｌｉ１および第２絶縁層Ｌｉ２をまとめて絶縁層という場合がある。すなわち、第３配線層（内部配線層）Ｌ３は、第１配線層（表面配線層）Ｌ１との間に絶縁層を含む。なお、基板１６ａは、第３配線層Ｌ３の下側、すなわち、第３配線層Ｌ３と基板１６ａの下面にも絶縁層を含んでいる。したがって、第３配線層Ｌ３は、Ｙ軸方向に沿って絶縁層に挟まれて形成されている。

（溝部）
次に溝部について関連する図を参照しながら詳細に説明する。なお、溝部Ｇ２ｈ、溝部Ｇ３ｈおよび溝部Ｇ４ｈは、いずれも同様の構成を有していることから、ここでは、グランド端子ＴａＧ３の溝部Ｇ３ｈを例に図８および図９を用いて説明する。

グランド端子ＴａＧ３は、基板１６ａに垂直な方向（Ｙ軸方向）から見たとき（すなわち、Ｙ軸方向からの平面視において）、信号端子ＴａＳ２ｎと信号端子ＴａＳ３ｐとの間に配置される。なお、グランド端子ＴａＧ３は、差動信号端子ＴａＳ２と差動信号端子ＴａＳ３との間に設けられている（図６参照）。溝部Ｇ３ｈは、Ｙ軸方向からの平面視において、グランド端子ＴａＧ３の内側に設けられる。溝部Ｇ３ｈは、Ｙ軸方向に沿って、第１配線層Ｌ１から第３配線層Ｌ３まで、第１絶縁層Ｌｉ１、第２配線層Ｌ２および第２絶縁層Ｌｉ２を貫通する穴として設けられる。溝部Ｇ３ｈは、例えば、基板１６ａの製造工程において、第１絶縁層Ｌｉ１および第２絶縁層Ｌｉ２のそれぞれに対応するグリーンシートの層を所定の形状となるように金型で打ち抜くことで形成される。図９に示すように、溝部Ｇ３ｈの内部には、はんだＳＬＤが充填される。グランド端子ＴａＧ３は、はんだＳＬＤと電気的に接続されている。はんだＳＬＤは、端子部１０ａのグランド端子ＴａＧ３がフレキシブルプリント基板２０Ｔのグランド端子ＦｂＧ３に電気的に接続されることにより、電位がグランド電位となる。したがって、溝部Ｇ３ｈは、信号端子ＴａＳ２ｎおよび信号端子ＴａＳ３ｐの互いの電磁気による影響を遮断するシールドとして作用する。はんだＳＬＤには、溝部Ｇ３ｈの内部に充填されていてＸ軸方向に沿って電磁場が漏洩する空間がないことから、高速信号に対しても十分な遮断効果を有する。

本実施形態に係る光モジュール１０Ｔのパッケージ１６によれば、間にグランド端子を挟んで設けられた２つの信号端子において、一方の信号端子で発生した電磁場が、グランド端子の部分から漏れて、他方の信号端子に伝わることを防止できる。すなわち、本実施形態に係る光モジュールによれば、隣接する信号端子間のクロストークを抑制できる。溝部の内部がはんだによって充填され、溝部内のはんだがグランド電位とされることによって２つの信号端子間に電磁界に対するシールドが形成され、一方の信号端子で発生した電磁場は他方の信号端子に広がらないようより確実に遮断される。

例えば、比較例の一つとして、グランド端子ＴａＧ３をグランドパターンＴｂＧ３およびグランドパターンＴｃＧと電気的に接続するためにＹ軸方向に延びるビアを設けることが考えられる。例えば、図１１Ａに示すように、グランドパターンＴｂＧ３についてグランドパターンＴｃＧと接続するためのビアＶｂ１、Ｖｂ２、Ｖｂ３を設けた場合、グランドパターンＴｂＧ３は、ビアＶｂ１、Ｖｂ２、Ｖｂ３のそれぞれの中心を通る直線を中心線としてＸ軸方向に横幅Ｗ１１を有する。横幅Ｗ１１は、例えば、パッケージの製造上の制約によって決まる値（最小値）に設定される。ビアＶｂ１、Ｖｂ２、Ｖｂ３は、一定の間隔ｐｂでＺ軸方向に沿って配置されている。間隔ｐｂは、例えば、パッケージの製造上の制約によって決まる値（最小値）に設定される。このように設けられたビアＶｂ１、Ｖｂ２、Ｖｂ３によっても、信号の速度が比較的遅い場合には互いに隣接する信号端子ＴａＳ２ｎおよび信号端子ＴａＳ３ｐ間のクロストークを低減する効果を期待できる。しかし、信号速度が速くなると高い周波数（例えば、３０ＧＨｚ以上）の周波数成分が十分に遮断されなくなり、クロストークが起こり得る。

そのような高速の信号に対して、上記比較例の変形例として、図１１Ｂに示すように、一定の間隔ｐｂ１でＺ軸方向に沿って一列に配置されるビアＶｂ１１、Ｖｂ１２、Ｖｂ１３と、同様に一定の間隔ｐｂ２でＺ軸方向に沿って一列に配置されるビアＶｂ２１、Ｖｂ２２、Ｖｂ２３と、をＸ軸方向に沿って並べて配置することが考えられる。このとき、ビアＶｂ１１およびビアＶｂ２１は、Ｚ軸方向において同じ位置に配置される。ビアＶｂ１２およびビアＶｂ２２、ビアＶｂ１３およびビアＶｂ２３についても同様に同じ位置に配置される。ビアＶｂ１１、Ｖｂ１２、Ｖｂ１３の列とビアＶｂ２１、Ｖｂ２２、Ｖｂ２３の列との間隔ｐｂは、例えば、パッケージの製造上の制約によって決まる値（最小値）に設定される。このとき、グランドパターンＴｂＧ３は、Ｘ軸方向に横幅Ｗ１２を有する。横幅Ｗ１２は、比較例の横幅Ｗ１１に対してＷ１２≧Ｗ１１＋ｐｂと表される。なお、この比較例の変形例において、Ｘ軸方向にビアの数が２倍に増えることによって上述の比較例と比べて相対的にクロストークを低減する効果が向上することが期待できる。しかし、それでも高い周波数（例えば、３０ＧＨｚ以上）の周波数成分を十分に遮断することはできない。

ところで、本開示の実施形態に係る光モジュール１０Ｔにおいて、溝部Ｇ３ｈが設けられたグランドパターンＴｂ３Ｇの横幅Ｗ１（図８参照）は、上述の比較例の横幅Ｗ１１よりも大きくなるが、上述の変形例の横幅Ｗ１２より小さくすることができる。横幅Ｗ１は、端子部１０ａのＸ軸方向の長さ（図６の横幅Ｗに相当）を小さくして光モジュール１０Ｔを小型化するために、小さいことが好ましい。上述したように、溝部Ｇ３ｈに充填されたはんだによってＸ軸方向に沿って電磁場が漏洩する隙間がなくシールドが形成されるため、高い周波数（例えば、３０ＧＨｚ以上）の周波数成分を十分に遮断することができる。したがって、本開示の実施形態に係る光モジュール１０Ｔによって、横幅Ｗ１の増大を抑えながらも隣接する信号端子間のクロストークをより確実に低減することができる。

なお、Ｚ軸方向が第１方向の一例、Ｘ軸方向が第１方向に交差する第２方向の一例、である。また、例えば、グランド端子ＴａＧ３を第１グランド端子として例示すると、信号端子ＴａＳ２ｎが第１信号端子の一例、信号端子ＴａＳ３ｐが第２信号端子の一例である。さらに、グランドパターンＴｃＧがグランドパターンの一例、である。

＜変形例１＞
図１０は、本実施形態に係る光モジュール１０Ｔのパッケージ１６の変形例であるパッケージ１６Ａを示す図である。パッケージ１６Ａは、パッケージ１６が有する基板１６ａに換えて基板１６ａＡを備える点においてパッケージ１６と相違している。

基板１６ａＡは、Ｚ軸方向に垂直な端面１６ａＡＳ１を備える。パッケージ１６Ａは、基板１６ａＡを有し、基板１６ａＡは、グランド端子ＴａＧ１Ａ、ＴａＧ２Ａ、ＴａＧ３Ａ、ＴａＧ４ＡおよびＴａＧ５Ａを有する。グランド端子ＴａＧ１Ａ、ＴａＧ２Ａ、ＴａＧ３Ａ、ＴａＧ４ＡおよびＴａＧ５Ａは、端面１６ａＡＳ１まで延びて設けられる。グランド端子ＴａＧ２Ａにおいて、溝部Ｇ２ｈＡは、Ｙ軸方向からの平面視において、グランド端子ＴａＧ２Ａの内側にて端面１６ａＡＳ１まで延びて設けられる。溝部Ｇ２ｈＡのＹＺ平面に平行な側面は、導電性を有する金属材料によってメタライズされてメタライズ層ＧＭ２が形成される。同様に、グランド端子ＴａＧ３Ａにおいて、溝部Ｇ３ｈＡは、Ｙ軸方向からの平面視において、グランド端子ＴａＧ３Ａの内側にて端面１６ａＡＳ１まで延びて設けられる。溝部Ｇ３ｈＡのＹＺ平面に平行な側面は、導電性を有する金属材料によってメタライズされてメタライズ層ＧＭ３が形成される。また、グランド端子ＴａＧ４Ａにおいて、溝部Ｇ４ｈＡは、Ｙ軸方向からの平面視において、グランド端子ＴａＧ４Ａの内側にて端面１６ａＡＳ１まで延びて設けられる。溝部Ｇ４ｈＡのＹＺ平面に平行な側面は、導電性を有する金属材料によってメタライズされてメタライズ層ＧＭ４が形成される。

溝部Ｇ２ｈＡ、溝部Ｇ３ｈＡおよび溝部Ｇ４ｈＡのそれぞれが、Ｚ軸方向に沿って端面１６ａＡＳ１まで形成されることにより、信号端子からのＸ軸方向に沿った電磁場の漏れをより確実に抑制することができる。さらに、溝部Ｇ２ｈＡ、溝部Ｇ３ｈＡおよび溝部Ｇ４ｈＡのそれぞれの側面がメタライズされることにより、フレキシブルプリント基板を端子部に接続する際に溝部の内部へのハンダの流れを促進して、溝部でのハンダの充填を確実に行うことができる。

なお、基板１６ａＡは、グランド端子ＴａＧ１Ａにおいて、端面１６ａＡＳ１にも開口する溝ＧＣ１を有する。溝ＧＣ１のＹＺ平面に平行な側面はメタライズされて、メタライズ層ＧＭ１を有する。同様に、基板１６ａＡは、グランド端子ＴａＧ５Ａにおいて、端面１６ａＡＳ１にも開口する溝ＧＣ５を有する。溝ＧＣ５のＹＺ平面に平行な側面はメタライズされて、メタライズ層ＧＭ５を有する。

また、メタライズ層については、基板１６ａの溝部Ｇ２ｈ、溝部Ｇ３ｈおよび溝部Ｇ４ｈの側面に設けてもよい。

＜変形例２＞
本実施形態に係る光モジュール１０として、ＴＯＳＡの例として光モジュール１０Ｔを用いて説明したが、光モジュール１０はＴＯＳＡに限らない。例えば、光モジュール１０として、ＲＯＳＡ（Ｒｅｃｅｉｖｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ－Ａｓｓｅｍｂｌｙ）の例として光モジュール１０Ｒであってもよい。また、例えば、光モジュール１０として、光源、光変調器および光受信器が一つのパッケージに収容された光モジュールであってもよい。すなわち、パッケージ１６は、複数の高速信号を入出力するさまざまな光モジュール用パッケージとして適用可能である。

また、本実施形態に係る光モジュール１０において、信号端子により伝送される信号は、差動信号として説明したが、信号端子に伝送される信号は、シングルエンドの信号であってもよい。

１ 光トランシーバ
２ 光モジュールアセンブリ
１０、１０Ｔ、１０Ｒ 光モジュール
１０ａ 端子部
１１ ドライバ（駆動回路）
１２ 送信用光素子
１３ トランスインピーダンスアンプ
１４ 受信用光素子
１５ 光源
１６、１６Ａ パッケージ
１６ａ、１６ａＡ 基板
１６ａＡＳ１ 端面
１６ａＳ 上面
１６ｂ 載置基板
１６ｃ 側壁部
１６ｄ 蓋部
２０Ｔ、２０Ｒ フレキシブルプリント基板
３０ 回路基板
Ａ 領域
ＦａＧ１、ＦａＧ２、ＦａＧ３、ＦａＧ４、ＦａＧ５ グランドパターン
ＦａＳ１ｎ、ＦａＳ１ｐ、ＦａＳ２ｎ、ＦａＳ２ｐ、ＦａＳ３ｎ、ＦａＳ３ｐ、ＦａＳ４ｎ、ＦａＳ４ｐ 信号端子
ＦａＳ１、ＦａＳ２、ＦａＳ３、ＦａＳ４ 差動信号端子
ＦｂＧ１、ＦｂＧ２、ＦｂＧ３、ＦｂＧ４、ＦｂＧ５ グランド端子
ＦｂＳ１ｎ、ＦｂＳ１ｐ、ＦｂＳ２ｎ、ＦｂＳ２ｐ、ＦｂＳ３ｎ、ＦｂＳ３ｐ、ＦｂＳ４ｎ、ＦｂＳ４ｐ 信号端子
Ｇ２ｈ、Ｇ２ｈＡ、Ｇ３ｈ、Ｇ３ｈＡ、Ｇ４ｈ、Ｇ４ｈＡ 溝部
ＧＣ１、ＧＣ５ 溝
ＧＭ１、ＧＭ２、ＧＭ３、ＧＭ４、ＧＭ５ メタライズ層
Ｌ１ 第１配線層（表面配線層）
Ｌ２ 第２配線層
Ｌ３ 第３配線層（内部配線層）
Ｌｉ１ 第１絶縁層
Ｌｉ２ 第２絶縁層
Ｌｇａ 絶縁被覆
Ｌｇｂ 絶縁被覆
Ｌｍ 絶縁層
ＬｍＳ１ 上面
ＬｍＳ２ 下面
Ｌｂ ＣＷ光
Ｌｒ 受信光信号
Ｌｔ 送信光信号
Ｒｉ 受信信号
Ｒｘ１ 受信信号
Ｒｘ２ 受信信号
ＴａＧ１、ＴａＧ１Ａ、ＴａＧ２、ＴａＧ３、ＴａＧ４、ＴａＧ５、ＴａＧ５Ａ グランド端子
ＴａＳ１、ＴａＳ２、ＴａＳ３、ＴａＳ４ 差動信号端子
ＴａＳ１ｎ、ＴａＳ１ｐ、ＴａＳ２ｎ、ＴａＳ２ｐ、ＴａＳ３ｎ、ＴａＳ３ｐ、ＴａＳ４ｎ、ＴａＳ４ｐ 信号端子
ＴｂＧ１、ＴｂＧ２、ＴｂＧ３、ＴｂＧ４、ＴｂＧ５ グランドパターン
ＴｃＧ グランドパターン
Ｔｄ 駆動信号
Ｔｘ１、Ｔｘ２ 送信信号
ＷａＳ１ｎ、ＷａＳ１ｐ、ＷａＳ２ｎ、ＷａＳ２ｐ、ＷａＳ３ｎ、ＷａＳ３ｐ、ＷａＳ４ｎ、ＷａＳ４ｐ 信号配線
ＷｂＧ グランドパターン
ｔ１、ｔ２ 厚さ
Ｗ、Ｗ１、Ｗ１１、Ｗ１２ 横幅
ｐｂ、ｐｂ１、ｐｂ２ 間隔

Claims (4)

1. 表面配線層と、
   前記表面配線層との間に絶縁層を含む内部配線層と、
   を有する基板を備え、
   前記表面配線層は、第１方向に沿って延在する第１信号端子と、前記第１信号端子に対して前記第１方向と交差する第２方向に配置されるとともに前記第１方向に沿って延在する第２信号端子と、前記第１信号端子と前記第２信号端子との間に設けられるとともに前記第１方向に沿って延在する第１グランド端子と、を含み、
   前記内部配線層は、前記第１方向および前記第２方向に延在するグランドパターンを含み、
   前記基板は、前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１グランド端子の内側に配置されるとともに前記第１方向に延在する溝部を含み、
   前記溝部は、前記基板に垂直な方向に沿って前記絶縁層を貫通し、前記内部配線層のグランドパターンを前記表面配線層から露出させる、
   光モジュール用パッケージ。
2. 前記基板は、前記第１方向に垂直な端面を有し、
   前記溝部は、前記基板に垂直な方向からの平面視において、前記第１方向に沿って前記端面まで延びている、
   請求項１に記載の光モジュール用パッケージ。
3. 前記溝部の前記基板に垂直な方向に平行な側面はメタライズされている、
   請求項１に記載の光モジュール用パッケージ。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の光モジュール用パッケージを含む光モジュール。

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