JP2023150244A - Manufacturing method of light-emitting device and light-emitting device - Google Patents
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Abstract
【課題】光取出し効率を高めることができる発光装置の製造方法及び発光装置を提供する。【解決手段】発光装置の製造方法は、1つ又は複数の発光素子20が配置されている基板10上に、発光素子20を離隔して囲むように第1部材301を塗布する工程と、塗布された第1部材301上に、発光素子20を離隔して囲むように第2部材302を塗布する工程と、を含み、第1部材301及び第2部材302は光反射性を有し、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が異なる。【選択図】図4CThe present invention provides a method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device that can improve light extraction efficiency. A method for manufacturing a light emitting device includes a step of applying a first member 301 on a substrate 10 on which one or more light emitting elements 20 are arranged so as to surround the light emitting elements 20 at a distance; a step of applying a second member 302 on the first member 301 so as to surround the light emitting element 20 at a distance, the first member 301 and the second member 302 have light reflective properties and emit light. The light reflectance at the emission peak wavelength of the element 20 is different. [Selection diagram] Figure 4C
Description
本開示は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。 The present disclosure relates to a method of manufacturing a light emitting device and a light emitting device.
基板上に発光素子を配置して透光性の樹脂で封止する発光装置が知られている。例えば特許文献1、2には、発光素子等を封止する樹脂をせき止めるために光反射性のダム材を環状に設けた発光装置が記載されている。
2. Description of the Related Art Light-emitting devices are known in which a light-emitting element is placed on a substrate and sealed with a light-transmitting resin. For example,
本開示に係る実施形態は、光取出し効率を高めることができる発光装置の製造方法及び発光装置を提供することを課題とする。 An object of embodiments according to the present disclosure is to provide a method for manufacturing a light-emitting device and a light-emitting device that can improve light extraction efficiency.
実施形態に開示される発光装置の製造方法は、1つ又は複数の発光素子が配置されている基板上に、前記発光素子を離隔して囲むように第1部材を塗布する工程と、塗布された前記第1部材上に、前記発光素子を離隔して囲むように第2部材を塗布する工程と、を含み、前記第1部材及び前記第2部材は光反射性を有し、前記発光素子の発光ピーク波長における光反射率が異なる。 A method for manufacturing a light emitting device disclosed in the embodiments includes a step of applying a first member onto a substrate on which one or more light emitting elements are arranged so as to surround the light emitting elements at a distance, applying a second member on the first member so as to surround the light emitting element at a distance, the first member and the second member having light reflectivity, The light reflectance at the emission peak wavelength is different.
また、実施形態に開示される発光装置は、1つ又は複数の発光素子と、前記発光素子が配置されている基板と、前記基板上で前記発光素子を離隔して囲む第1枠と、前記第1枠上で前記発光素子を離隔して囲む第2枠と、を備え、前記第1枠及び前記第2枠は光反射性を有し、前記発光素子の発光ピーク波長における光反射率が異なる。 Further, the light emitting device disclosed in the embodiment includes one or more light emitting elements, a substrate on which the light emitting elements are arranged, a first frame that surrounds the light emitting elements at a distance on the substrate, and a first frame that surrounds the light emitting elements at a distance on the substrate; a second frame that surrounds the light emitting element at a distance on the first frame, the first frame and the second frame have light reflectivity, and the light reflectance at the light emission peak wavelength of the light emitting element is different.
本開示の実施形態によれば、発光装置の光取出し効率を高めることができる。 According to the embodiments of the present disclosure, the light extraction efficiency of the light emitting device can be increased.
以下、本開示に係る実施形態について説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本開示に係る技術的思想を具現化するための発光装置及び発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張又は簡略化していることがある。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。 Embodiments according to the present disclosure will be described below. However, the embodiments described below illustrate a light-emitting device and a method for manufacturing a light-emitting device for realizing the technical idea according to the present disclosure, and are not limited to the following. In addition, the dimensions, materials, shapes, relative positions, etc. of the components described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present invention, unless specifically stated, and are merely illustrative. Not too much. Note that the sizes, positional relationships, etc. of members shown in each drawing may be exaggerated or simplified for clarity of explanation. Furthermore, in the embodiments, "covering" is not limited to the case of direct contact, but also includes the case of covering indirectly, for example, via another member.
実施形態に係る発光装置1について図面を参照しながら説明する。図1は、発光装置1の概略を例示する斜視図である。図2Aは、発光装置1の概略を例示する平面図である。図2Bは、図2AのIIB-IIB線における概略断面図である。
A
発光装置1は、電極端子13を有する基板10上に発光素子20を直接配置するCOB(Chip On Board)型の発光装置である。
発光装置1は、1つ又は複数(図2Aでは1つ)の発光素子20と、発光素子20が配置されている基板10と、基板10上で発光素子20を離隔して囲む第1枠31と、第1枠31上で発光素子20を離隔して囲む第2枠32と、を備えている。第1枠31及び第2枠32は光反射性を有し、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が異なっている。発光装置1は、一例として、第1枠31及び第2枠32が枠体30を構成し、枠体30で囲まれる内側には、発光素子20を覆う封止部材40が設けられている。以下、発光装置1の各構成について説明する。
The
The
(基板)
基板10は、発光装置1の土台となり、発光素子20が配置される部材である。基板10は、板状の基材11の上面に、外部電源と接続される電極端子13及び電極端子13から連続する配線12を有している。
基材11は、一例として、平面視において矩形状に形成されている。この基材11は、矩形でない多角形状や円形状であってもよい。基材11は、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン若しくはポリイミドなどの樹脂、又はセラミックス若しくはガラスなどの絶縁性の材料とすることができる。
(substrate)
The
As an example, the
なお、基材11の上面には、表面での光反射性を高めるために、光反射部材が配置されていてもよい。光反射部材は、白色であることが好ましく、母材中に、例えば酸化チタン、酸化マグネシウムなどの白色顔料を含有させたものとすることが好ましい。光反射部材の母材は、例えばシリコーンなどの樹脂又は変性樹脂が挙げられる。また、光反射部材は、さらに酸化珪素、酸化アルミニウムなどの光反射性物質の粒子をフィラーとして含んでいてもよい。
Note that a light reflecting member may be disposed on the upper surface of the
配線12は、一例として、発光素子20が配置される円形状の領域を囲むように、正極及び負極の電極端子13から連続して、それぞれ半円形状に形成されている。
電極端子13は、配線12よりも幅広の領域となるように、基材11の対向する角部にそれぞれ矩形に配置されている。
配線12は、ボンディングワイヤ14によって発光素子20と接続されている。発光素子20は、基板10上にフェイスアップ実装により配置されている。一方、ボンディングワイヤ14を使用せず発光素子20を基板10上にフリップチップ実装により配置することもできる。この場合、配線12は、発光素子20の素子電極の位置に合わせて形成してもよい。
配線12及び電極端子13の材料は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、チタン、パラジウム、ロジウム、銀、白金、金などの金属又はこれらの合金とすることができる。配線12及び電極端子13は、これらの材料を単層又は多層で形成してもよく、さらにめっきされていてもよい。ボンディングワイヤ14は、例えば金、銅、銀、白金、アルミニウム又はこれらの合金からなる線状の部材である。
For example, the
The
The
The material of the
(発光素子)
発光素子20は、電流が流れることで発光する半導体素子であり、例えばLEDチップとすることができる。発光素子20は、少なくとも半導体積層体を備えている。
半導体積層体は、例えば、サファイア又は窒化ガリウム等の支持基板と、支持基板上に配置されるn型半導体層およびp型半導体層と、これらに挟まれた発光層とを含む。なお、半導体積層体は、支持基板が除去されたものを用いてもよい。また、発光層の構造としては、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造(SQW)のように単一の活性層を持つ構造でもよいし、多重量子井戸構造(MQW)のようにひとまとまりの活性層群を持つ構造でもよい。発光層は、可視光又は紫外光を発光可能である。発光層は、可視光として、青色から赤色までを発光可能である。このような発光層を含む半導体積層体としては、例えばInxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)を含むことができる。
(Light emitting element)
The
The semiconductor stack includes, for example, a support substrate made of sapphire or gallium nitride, an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer disposed on the support substrate, and a light-emitting layer sandwiched therebetween. Note that the semiconductor stack may be one in which the supporting substrate is removed. In addition, the structure of the light emitting layer may be a structure with a single active layer such as a double heterostructure or a single quantum well structure (SQW), or a structure with a single active layer such as a multiple quantum well structure (MQW). A structure having a group of layers may be used. The light emitting layer is capable of emitting visible light or ultraviolet light. The light emitting layer is capable of emitting visible light ranging from blue to red. A semiconductor stack including such a light emitting layer can include, for example, In x Al y Ga 1-x-y N (0≦x, 0≦y, x+y≦1).
半導体積層体は、上述した発光色を発光可能な発光層を少なくとも1つ含むことができる。例えば、半導体積層体は、n型半導体層とp型半導体層との間に1つ以上の発光層を含む構造であってもよいし、n型半導体層と発光層とp型半導体層とを順に含む構造が複数回繰り返された構造であってもよい。半導体積層体が複数の発光層を含む場合、発光色が異なる発光層を含んでいてもよいし、発光色が同じ発光層を含んでいてもよい。なお、発光色が同じとは、使用上同じ発光色とみなせる範囲、例えば、主波長で数nm程度のばらつきがあってもよい。発光色の組み合わせとしては適宜選択することができ、例えば、青色光と青色光、緑色光と緑色光、赤色光と赤色光、紫外光と紫外光、青色光と緑色光、青色光と赤色光、又は緑色光と赤色光などが挙げられる。
なお、発光素子20と併せて、正極及び負極の配線12間には保護素子15を設けてもよい。保護素子15は、例えばツェナーダイオードやバリスタ、抵抗、キャパシタとすることができる。
基板10の上面から発光素子20の上面までの高さは、150μm以上400μm以下が好ましく、200μm以上350μm以下が特に好ましい。
The semiconductor stacked body can include at least one light-emitting layer capable of emitting light of the above-mentioned color. For example, the semiconductor stack may have a structure that includes one or more light emitting layers between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, or a structure that includes an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type semiconductor layer. It may be a structure in which the structures included in this order are repeated multiple times. When the semiconductor laminate includes a plurality of light-emitting layers, it may include light-emitting layers that emit light of different colors, or it may contain light-emitting layers that emit light of the same color. Note that the same emission color may mean a range that can be considered to be the same emission color in use, for example, a variation of several nanometers in the main wavelength. The combination of emitted light colors can be selected as appropriate, for example, blue light and blue light, green light and green light, red light and red light, ultraviolet light and ultraviolet light, blue light and green light, blue light and red light. , or green light and red light.
In addition to the
The height from the top surface of the
(枠体)
枠体30は、発光装置1における発光領域を区画する枠となる部材である。枠体30は、光反射性を有することが好ましい。枠体30は、基板10上で発光素子20を離隔して囲んでいる。枠体30は、配線12よりも太い幅で、配線12を覆うように円形状に形成され、発光素子20が配置される領域を囲んでいる。枠体30は、発光素子20が配置される領域に合わせて、楕円形状や四角形状、五角形状、六角形状等の多角形状としてもよい。
枠体30は、断面視において、基板10に向かって裾広がりとなっていることが好ましい。枠体30は、基板10の上面からの高さが、少なくとも発光素子20の上面よりも高くなるように形成されている。基板10の上面からの枠体30の高さは、300μm以上1200μm以下が好ましく、400μm以上1000μm以下が特に好ましい。
枠体30は、配線12を覆う第1枠31と、第1枠31上に設けられる第2枠32と、を備えている。
(Frame)
The
It is preferable that the
The
(第1枠)
第1枠31は、枠体30における基板10側に位置する部材である。第1枠31は、枠体30の裾広がりの部分を形成している。第1枠31は、基板10の上面と10度以上45度以下の角をなして発光素子20に向かって下る傾斜面35を有することが好ましく、15度以上40度以下が特に好ましい。平面視における第1枠31の幅は、700μm以上1450μm以下が好ましく、1000μm以上1300μm以下が特に好ましい。この第1枠31は、光反射性を有している。第1枠31は、第2枠32とは発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が異なる。ここで光反射率が異なるとは、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が少なくとも3%以上異なることをいい、好ましくは5%以上、更に好ましくは8%以上異なることをいう。
発光素子20の発光ピーク波長における第1枠31の光反射率は、90%以上、好ましくは95%以上、更に好ましくは97%以上である。一方、発光素子20の発光ピーク波長における第2枠32の光反射率は、第1枠31よりも少なくとも3%以上異なり、かつ、90%以上、好ましくは95%以上、更に好ましくは97%以上である。
(1st slot)
The
The light reflectance of the
(第2枠)
第2枠32は、枠体30における上方側に位置する部材である。第2枠32の上端部は、枠体30の上端部を形成している。平面視における第2枠32の幅は第1枠31よりも狭く、400μm以上1400μm以下が好ましく、600μm以上1200μm以下が特に好ましい。断面視における第2枠32の形状は、楕円形状や円形状となっている。第2枠32の下面側は、基板10と接していてもよく、下面の一部が平らになっていてもよい。
(Second frame)
The
第1枠31及び第2枠32の材料は、光反射性及び絶縁性の樹脂又はセラミックスとすることができる。そして、第1枠31及び第2枠32は、母材が同じ材料としてもよい。また、第1枠31及び第2枠32は、母材を樹脂とする場合は、母材とする樹脂に光反射性物質の粒子をフィラーとして分散させたものとすることができる。また、母材をセラミックスとする場合は、光反射性物質のセラミックスとすることができ、異なる種類の光反射性物質を含有させてもよい。
第1枠31及び第2枠32は、両方を樹脂としてもよく、両方をセラミックスとしてもよく、一方を樹脂、他方をセラミックスとしてもよい。両方を樹脂又はセラミックスとする場合は、密着性及び熱膨張率の観点から、母材が同じであることが好ましい。
樹脂の母材は、例えば、ジメチルシリコーン樹脂、フェニルシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等とすることができ、耐熱性の高いジメチルシリコーン樹脂とすることが好ましい。
セラミックスの母材は、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウムなどとすることができる。
The material of the
The
The base material of the resin can be, for example, dimethyl silicone resin, phenyl silicone resin, epoxy resin, etc., and preferably dimethyl silicone resin has high heat resistance.
The ceramic base material can be boron nitride, aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, silicon dioxide, zirconium oxide, or the like.
光反射性物質は、酸化チタン、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト等を使用することができる。発光素子20の発光色が紫外光である場合は、酸化チタン以外のフィラー、例えばチタン酸カリウムや酸化ジルコニウム、酸化イットリウム等を使用することができる。
セラミックスの光反射率は光反射性物質の種類によって、樹脂の光反射率はフィラーの種類や含有量によって調節することができる。なお、フィラーの含有量を大きくすると、樹脂の粘度は大きくなる傾向がある。
As the light reflective material, titanium oxide, silicon dioxide, zirconium oxide, potassium titanate, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, mullite, etc. can be used. When the emission color of the
The light reflectance of ceramics can be adjusted by the type of light-reflective substance, and the light reflectance of resin can be adjusted by the type and content of filler. Note that when the filler content is increased, the viscosity of the resin tends to increase.
第1枠31及び第2枠32は、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が異なる。すなわち、発光素子20の発光ピーク波長における第1枠31の光反射率を第2枠32の光反射率よりも大きくすることができ、また、小さくすることができる。
第1枠31の光反射率を大きくすることで、第1枠31及び第2枠32の熱や光による劣化を抑制することができる。この観点からは、第1枠31の光反射率は、第2枠32の光反射率よりも大きいことが好ましい。
一方、傾斜面35の形成の観点からは、光反射率を大きくしない方が形状の調整を行いやすい場合がある。このような場合には、第1枠31の光反射率を小さくし、第2枠32の光反射率を大きくすることができる。
The
By increasing the light reflectance of the
On the other hand, from the viewpoint of forming the
発光装置1は、第1枠31及び第2枠32で枠体30を構成することができる。枠体30は、基板10からの所定の幅及び高さを確保しながら、高い光反射性を有することが求められる。しかし、枠体30の形成において、光反射性と形状の調節しやすさとがトレードオフとなる場合もある。発光装置1は、光反射率の異なる第1枠31及び第2枠32が、枠体30において光反射性及び形状の調節しやすさを相互に補完して、枠体30における形状と光反射性とを両立させ、光取出し効率を高めることができる。
In the
発光装置1は、第1枠31が、基板10の上面と10度以上45度以下の角をなして発光素子20に向かって下る傾斜面35を有することが好ましい。
これにより、発光装置1は、発光素子20の側面からの光を上方に反射させて、発光面から光をさらに効率よく取り出すことができる。
In the
Thereby, the light-emitting
発光装置1は、第1枠31及び第2枠32が、母材が同じである樹脂を材料とすることが好ましい。これにより、発光装置1は、第1枠31と第2枠32との密着性を向上させて、枠体30の信頼性を高めることができる。ここで第1枠31及び第2枠32の母材が同じであっても、第1枠31と第2枠32の光反射率は異なる。第1枠31を硬化、若しくは固化する前に第2枠32を塗布した場合、第1枠31と第2枠32との界面が生じないこともある。
In the
発光装置1は、第1枠31がセラミックスを材料とし、第2枠32が樹脂を材料とすることが好ましい。これにより、発光装置1は、発光素子20からの距離が近い位置に、光反射率及び耐熱性の高いセラミックスを配置して、光取出し効率を高め、信頼性の向上を図ることができる。そして、第1枠31のセラミックスよりも第2枠32の樹脂にフィラーを多く含有させることで、光反射率を高めると共に、粘度を大きくして枠体30の高さを確保することができる。なお、第1枠31にセラミックスの空隙が生じた場合でも、第2枠32の樹脂が空隙を埋めることができるため、空隙による割れや欠けを低減することができる。
In the
発光装置1は、第1枠31が樹脂を材料とし、第2枠32がセラミックスを材料とすることが好ましい。これにより、発光装置1は、形状の調節をしやすい樹脂で所望の形状に第1枠31を形成し、光反射率の高いセラミックスで第2枠32を形成して、光取出し効率の向上を図ることができる。また、第2枠32にアルカリ成分が溶出しやすいセラミックス材料を使用する場合、第2枠32が直接、配線12と接触しないため、配線12の腐食を抑制することもできる。ただし、第1枠31の樹脂は、そのアルカリ成分を透過しない部材、若しくは、透過し難い部材であることが好ましい。
In the
発光素子20の発光ピーク波長における第1枠31の光反射率は、第2枠32の光反射率よりも大きいことが好ましい。これにより、発光装置1は、発光素子20の近くで下方に位置する第1枠31の光反射率を高くして、第1枠31及び第2枠32の熱や光による劣化を効果的に抑制することができる。
The light reflectance of the
(封止部材)
封止部材40は、発光装置1の発光領域を形成する部材である。封止部材40の上面は、発光装置1の発光面を形成する。また、封止部材40は、発光素子20及びボンディングワイヤ14を覆い、保護する部材である。封止部材40は、枠体30で囲まれる内側に充填されている。封止部材40の周縁部の高さは、枠体30の上端部の高さ以下とすることができ、ここでは、枠体30の上端部の高さとなっている。封止部材40は、中央部の高さが周縁部よりも高く、断面視凸形状であることが好ましい。これにより、発光装置1は、上方から見た輝度を高めることができる。
封止部材40は、絶縁性及び透光性を有し、耐候性及び耐光性に優れることが好ましい。封止部材40の材料は、例えば、例えばシリコーン、エポキシ、フェノール、ポリカーボネート、アクリル等を母材とする樹脂とすることができる。封止部材40は、波長変換物質や光反射性物質をフィラーとして含有していてもよい。
(Sealing member)
The sealing
It is preferable that the sealing
波長変換物質は、発光素子20が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する。例えば、発光素子20の発する一次光と、波長変換物質が発する二次光と、を混色して、白色光が得られるようにすることができる。波長変換物質は、発光素子20の近くに偏在していることが好ましく、これにより、波長変換の効率を高めることができる。
光反射性物質は、発光素子20又は波長変換物質が発する光を拡散させて、発光面における輝度の均一化を図ることができる。光反射性物質は、封止部材40に分散されていることが好ましい。
封止部材40は、含有する波長変換物質や光反射性物質の有無又は種類が異なる材料を積層させたものとしてもよい。
The wavelength conversion material absorbs at least a portion of the primary light emitted by the
The light-reflecting material can diffuse the light emitted by the light-emitting
The sealing
[発光装置の製造方法]
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法について、図3乃至図5Bを参照しながら説明する。図3は、発光装置の製造方法を例示するフローチャートである。図4Aは、基板10に発光素子20を配置した状態の概略を例示する平面図である。図4Bは、第1部材301を配置した状態の概略を例示する平面図である。図4Cは、第2部材302を配置した状態の概略を例示する平面図である。図4Dは、封止部材40を配置した状態の概略を例示する平面図である。図5Aは、第1部材301を塗布している状態の概略を例示する断面図である。図5Bは、第2部材302を塗布している状態の概略を例示する断面図である。
[Method for manufacturing light emitting device]
Next, a method for manufacturing the light emitting device according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 3 to 5B. FIG. 3 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a light emitting device. FIG. 4A is a plan view schematically illustrating a state in which the
発光装置の製造方法は、1つ又は複数の発光素子20が配置されている基板10上に、発光素子20を離隔して囲むように第1部材301を塗布する工程S21と、塗布された第1部材301上に、発光素子20を離隔して囲むように第2部材302を塗布する工程S22と、を含み、第1部材301及び第2部材302は光反射性を有し、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が異なる。
なお、第1部材301を塗布する工程S21及び第2部材302を塗布する工程S22を合わせて、塗布工程S20とする。また、第1部材301及び第2部材302を合わせて、枠部材300とする。
発光装置の製造方法は、塗布工程S20の前に行われ、発光素子20が配置されている基板10を準備する準備工程S10と、塗布工程S20の間又は後に行われ、枠部材300を硬化させて枠体30を形成する硬化工程S30と、硬化工程S30の後に行われ、枠体30に囲まれる内側に封止部材40を形成する封止工程S40とをさらに含む。以下、発光装置の製造方法の各工程について説明する。ここで、硬化、硬化工程と記載するが、固化、固化工程であってもよい。また、硬化を固化、反対に、固化を硬化と表記することもあるが、液状のものを固形化するという趣旨である。
The method for manufacturing a light emitting device includes a step S21 of applying a
Note that the process S21 of applying the
The method for manufacturing a light emitting device includes a preparation step S10, which is performed before the coating step S20 and prepares the
(準備工程)
準備工程S10は、発光素子20が配置されている基板10を準備する工程である。はじめに、基材11の上面に、例えばエッチングによって、正極及び負極の配線12及び電極端子13を形成する。配線12は、発光素子20を配置する領域を囲むように形成している。この領域に、発光素子20を配置する前に、光反射部材を設けてもよい。発光素子20は、この領域の中心に配置することが好ましい。
発光素子20は、接着部材によって、基材11又は光反射部材に接着される。発光素子20は、一対の素子電極を有する面が上面となるように配置され、一対の素子電極は、ボンディングワイヤ14によって配線12と接続される。また、正極及び負極の配線12の間に、保護素子15を設けている。
(Preparation process)
The preparation step S10 is a step of preparing the
The
(塗布工程)
塗布工程S20は、第1部材301及び第2部材302を塗布する工程である。塗布工程S20は、基板10上に、発光素子20を離隔して囲むように第1部材301を塗布する工程S21と、塗布された第1部材301上に、発光素子20を離隔して囲むように第2部材302を塗布する工程S22と、を行う。塗布工程S20は、硬化前若しくは固化前で流動性を有する枠部材300の材料をディスペンサノズルによって塗布して行うことができる。
第1部材301を塗布する工程S21は、ディスペンサの第1ノズル81から第1部材の材料301Aを吐出しながら、第1ノズル81を進行させて行う。第1ノズル81の進行は、発光素子20を配置する領域の周りを時計回り又は反時計回りに周回するように行うことができる。ここでは、配線12に沿って反時計回りの方向D1に周回させている。なお、図5Aは、第1ノズル81が通過した後の状態を例示している。
(Coating process)
The coating step S20 is a step of coating the
The step S21 of applying the
第2部材302を塗布する工程S22は、ディスペンサの第2ノズル82から第2部材の材料302Aを吐出しながら、第2ノズル82を進行させて行う。第2ノズル82の進行は、第1ノズル81と同様に、発光素子20を配置する領域の周りを時計回り又は反時計回りに周回するように行うことができる。ここでは、第1部材301に沿って反時計回りの方向D1に周回させている。図5Bは、第2ノズル82が通過した後の状態を例示している。なお、第1ノズル81及び第2ノズル82は、ノズル80として説明する場合がある。
The step S22 of applying the
第1部材301は、第2部材302を配置後に裾広がりの形状となるように塗布する。第1部材301の形状は、粘度によって調節することができる。ここでは、発光素子20側に、基板10の上面と10度以上45度以下の角をなす傾斜面350が形成されるように、粘度を調節している。なお、粘度を低くすると傾斜面350の傾斜が緩やかになる傾向がある。また、基材11や配線12に対する第1部材301の濡れ性を所定の範囲とすることで、第1部材301が必要以上に横方向に広がらないようにすることが好ましい。つまり第1部材301を基板10上に塗布した際、裾広がりの形状となっていなくても、第2部材302を第1部材301上に塗布することで、第1部材301が横方向に広がり、裾広がりの形状とするものであってもよい。このようにすることで第1部材301の横方向への広がりを抑制すると共に、枠部材300の高さを高くすることができる。例えば、第1部材301の塗布時の基板10に対する傾斜面350Aの角度は70度以上150度以下となっていてもよい。
The
また、第2部材302を配置後における第1部材301の幅は、700μm以上1450μm以下が好ましく、1000μm以上1300μm以下が特に好ましい。第2部材302を塗布する前、かつ、押し付ける等の加工前における第1部材301の高さは、200μm以上1000μm以下が好ましく、300μm以上800μm以下が特に好ましい。第1ノズル81の内径は100μm以上600μm以下が好ましく、200μm以上450μm以下が特に好ましい。第1部材301は、第1ノズル81を1回又は複数回周回させて塗布する。
Further, the width of the
一方、第2部材302は、高さを増やすことを優先して塗布する。第2部材302の形状も、粘度によって調節することができる。第2部材302の粘度は、第1部材301の粘度よりも高いことが好ましい。
第2部材302の上端部の高さは、基板10の上面を基準にして、発光素子20の上面の高さの2倍以上であることが好ましい。第2部材302は、第2ノズル82を複数回周回させて、複数回重ねて塗布することができる。
ノズル80の周回では、周回の終点が始点と重ならずに連続するように、材料の吐出を止めるのが好ましい。これにより、枠部材300の高さの変化を抑えることができる。
On the other hand, the
The height of the upper end of the
During the revolution of the nozzle 80, it is preferable to stop discharging the material so that the end point of the revolution continues without overlapping the starting point. Thereby, changes in the height of the
枠部材300は光反射性を有する材料を使用する。枠部材300における、第1部材301及び第2部材302は、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が異なっている。枠部材300の光反射率は大きいことが好ましい。
枠部材300の材料は、樹脂又はセラミックスとすることができる。樹脂の場合は、硬化前の母材によって流動性を有する材料とすることができる。セラミックスの場合は、水等の分散剤にセラミックス粒子を分散させて、固化前に流動性を有する材料とすることができる。
The
The material of the
セラミックスは、樹脂と比較して光反射率を大きくすることができる。しかし、固化前のセラミックスは、樹脂と比較して粘度が高く、光反射性物質を添加すると、さらに粘度が高くなって、塗布による枠部材300の形成が難しくなる場合がある。また、光反射性物質の添加によって急に粘度が高くなる場合があり、粘度の調節が難しい。なお、セラミックスは、樹脂と比較して耐熱性が高いという利点がある。
樹脂は、粘度を調節できる範囲が広く、粘度を少しずつ変化させることができるため、粘度を調節しやすい。樹脂の粘度は、例えばフィラーの含有量によって調節することができ、フィラーの含有量を増やすと粘度が高くなる傾向がある。樹脂の光反射率は、光反射性のフィラーの含有量を増やすことで大きくすることができ、フィラーの含有量を増やした場合でも、塗布による枠部材300の形成に適する範囲の粘度とすることができる。
Ceramics can have higher light reflectance than resin. However, ceramics before solidification has a higher viscosity than resin, and when a light-reflecting substance is added, the viscosity becomes even higher, which may make it difficult to form the
The viscosity of resin can be adjusted over a wide range, and the viscosity can be changed little by little, making it easy to adjust the viscosity. The viscosity of the resin can be adjusted, for example, by adjusting the filler content, and as the filler content increases, the viscosity tends to increase. The light reflectance of the resin can be increased by increasing the content of the light-reflective filler, and even when the content of the filler is increased, the viscosity should be within a range suitable for forming the
枠部材300は、第1部材301及び第2部材302の両方を樹脂とすることができ、母材を同じ樹脂とすることができる。また、第1部材301及び第2部材302は、両方をセラミックスとすることができ、両方をセラミックスとすることで、光反射率を大きくすることができる。
また、枠部材300は、第1部材301をセラミックス、第2部材302を樹脂とすることができ、第1部材301を樹脂、第2部材302をセラミックスとすることができる。
In the
Further, in the
第2部材302は、第2部材302の幅方向の中心が第1部材301の幅方向の中心よりも発光素子20から離れた位置となるように塗布するのが好ましい。例えば、塗布された第1部材301の幅方向の中心線C1よりも外側に狙い線C2を設定し、第2ノズル82の中心が狙い線C2を通るように塗布することができる。
第2部材302の幅は、400μm以上1400μm以下が好ましく、600μm以上1200μm以下が特に好ましい。基板10の上面からの第2部材302の高さは、300μm以上1200μm以下が好ましく、400μm以上1000μm以下が特に好ましい。第2ノズル82の内径は100μm以上600μm以下が好ましく、200μm以上450μm以下が特に好ましい。
The
The width of the
また、枠部材300の幅は、ノズル80からの単位時間あたりの吐出量やノズル80の進行の速さによっても調節することができる。単位時間あたりの吐出量を大きくし、又はノズル80の進行を遅くすることで、太い幅で枠部材300を塗布することができる。そして、平面視において角ができるようにノズル80の進行方向を変える場合には、例えば、進行の速さを変えずに角の付近で吐出量を減らすことで、枠部材300の幅の変化を抑えることができる。
Further, the width of the
(硬化工程)
硬化工程S30は、枠部材300を硬化させて枠体30を形成する工程である。ここでは、「樹脂を用いた硬化」について説明するが、「セラミックスを用いた固化」であっても良い。
硬化工程S30は、第1硬化工程S31及び第2硬化工程S32を行う。第1硬化工程S31は、第2部材302を塗布する工程S22の前に行う工程である。第2硬化工程S32は、第2部材302を塗布する工程S22の後で行う工程である。
第1硬化工程S31は、省略することができる。すなわち、第2部材302は、第1硬化工程S31によって第1部材301を硬化させてから塗布してもよく、第1硬化工程S31を省略して、硬化前の第1部材301上に塗布してもよい。第1硬化工程S31を省略した場合は、第2硬化工程S32によって第1部材301及び第2部材302の両方を硬化させることができる。ただし、第1部材301をセラミックスとする場合には、固化による体積の減少が大きい場合があるため、第1硬化工程S31を行うのが好ましい。
(Curing process)
The curing step S30 is a step of curing the
In the curing step S30, a first curing step S31 and a second curing step S32 are performed. The first curing step S31 is a step performed before the step S22 of applying the
The first curing step S31 can be omitted. That is, the
樹脂は、加熱する、若しくは、紫外線等の光線を照射する等の所定の方法で硬化させる。セラミックスの固化は、加圧オーブンによって行うことが好ましい。加圧しながら固化させることによって、セラミックス内部の空隙を減らし、光反射率を向上させることができる。 The resin is cured by a predetermined method such as heating or irradiation with light such as ultraviolet rays. Preferably, the ceramic is solidified using a pressure oven. By solidifying while applying pressure, it is possible to reduce voids inside the ceramic and improve light reflectance.
(封止工程)
封止工程S40は、枠体30に囲まれる内側に封止部材40を形成する工程である。封止部材40の形成は、未硬化の封止部材40の材料を配置して、硬化させることによって行う。封止部材40の材料は、例えば熱硬化性樹脂とすることができ、波長変換物質や光反射性物質をフィラーとして含有させてもよい。
封止部材40は、枠体30に囲まれる内側において、少なくとも基板10の上面、発光素子20、ボンディングワイヤ14及び第1枠31を覆うように形成する。封止部材40は、中央部の高さを周縁部よりも高く形成し、断面視凸形状とすることが好ましい。
(Sealing process)
The sealing step S40 is a step of forming the sealing
The sealing
発光装置の製造方法は、光反射率が異なる第1部材301及び第2部材302を組み合わせることで、枠部材300の光反射性と塗布による形状の調節との両立を図り、光取出し効率を高めた発光装置を製造することができる。
The method for manufacturing a light emitting device is to combine a
発光装置の製造方法は、第2部材302の粘度を第1部材301の粘度よりも高くすることが好ましい。これにより、発光装置の製造方法は、第1部材301を裾広がりの形状に塗布し、第2部材302によって枠部材300の高さを確保することができる。
In the method for manufacturing a light emitting device, it is preferable that the viscosity of the
発光装置の製造方法は、第1部材301及び第2部材302が、母材が同じである樹脂を材料とすることが好ましい。これにより、発光装置の製造方法は、第1部材301及び第2部材302の粘度を調節して、それぞれを所望の形状に塗布しやすい。また、母材を同じとすることで、第1部材301と第2部材302との密着性を高めることができる。
In the method for manufacturing a light emitting device, it is preferable that the
発光装置の製造方法は、第1部材301がセラミックスを材料とし、第2部材302が樹脂を材料とすることが好ましい。これにより、第1部材301の光反射率を大きくすることができ、第2部材302は、粘度を大きくして高さを増やすように塗布しやすい。発光素子20の近くに位置する第1部材301の耐熱性を高めることで、発光装置の信頼性の向上を図ることができる。第2部材302の粘度は、光反射性のフィラーの含有量を増やすことで大きくなり、光反射率も大きくすることができる。なお、セラミックスは、固化させることで光反射性物質の充填性を高めて、光反射率をさらに大きくすることができる。
In the method for manufacturing a light emitting device, it is preferable that the
発光装置の製造方法は、第1部材301が樹脂を材料とし、第2部材302がセラミックスを材料とすることが好ましい。これにより、第1部材301は、粘度を調節して所望の形状に塗布しやすい。そして、第2部材302によって光反射率を大きくすることができる。
発光装置の製造方法は、形状の調節における樹脂の優位性と、光反射率におけるセラミックスの優位性とを組み合わせて、所望の形状で光反射率の大きい枠体30を形成し、光取出し効率を高めた発光装置を製造することができる。
In the method for manufacturing a light emitting device, it is preferable that the
The method for manufacturing a light emitting device combines the advantages of resin in adjusting the shape and the advantages of ceramics in light reflectance to form a
発光装置の製造方法における第2部材302を塗布する工程S22は、第2部材302を複数回重ねて塗布することが好ましい。
これにより、第2部材302の幅が太くなることを抑えて、所望の高さとなるように第2部材302を塗布することができる。
In the step S22 of applying the
Thereby, the width of the
発光装置の製造方法における第2部材302を塗布する工程S22は、第2部材302の幅方向の中心を第1部材301の幅方向の中心よりも発光素子20から離れた位置とすることが好ましい。
これにより、第2部材302を塗布することによる第1部材301の内径の減少を抑えることができる。また、枠部材300の内周の側面の平滑化を図ることができる。
In the step S22 of applying the
Thereby, reduction in the inner diameter of the
(製造方法の変形例)
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の第1変形例を説明する。第1変形例は、1つ又は複数の発光素子20が配置されている基板10上に、発光素子20を離隔して囲むように第1部材301を塗布する工程S21と、塗布された第1部材301上に、発光素子20を離隔して囲むように第2部材302を塗布する工程S22と、を含み、第1部材301を塗布する工程S21は、第1部材301をノズルから吐出させて塗布し、基板10に垂直な方向において、ノズルの吐出口の位置以上の高さになるように第1部材301を塗布する。
(Variation of manufacturing method)
Next, a first modification of the method for manufacturing the light emitting device according to the embodiment will be described. The first modification includes a step S21 of applying a
第1変形例は、第1部材301を塗布する工程S21における第1ノズル81の位置が、実施形態に係る製造方法と異なる。また、第2部材302を塗布する工程S22において、第1ノズル81を使用する場合がある。その他の点は、実施形態に係る製造方法と共通する。
図6Aは、第1部材301を塗布している状態の概略を例示する断面図である。図6Bは、第2部材302を塗布している状態の概略を例示する断面図である。
The first modification differs from the manufacturing method according to the embodiment in the position of the first nozzle 81 in step S21 of applying the
FIG. 6A is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which the
第1変形例における第1部材301を塗布する工程S21では、第1ノズル81を基板10に近づけて、材料301Aを基板10に押し付けるように塗布している。材料301Aを基板10に押し付けるように塗布するために、第1ノズル81を基板10に近づけることに加え、材料301Aの単位時間あたりの吐出量を大きくし、第1ノズル81の進行を遅くすることができる。第1部材301は、基板10上に広がるように塗布されている。第1部材301の上端部は、第1ノズル81の吐出口81A以上の高さに盛り上がっている。第1部材301は、第1ノズル81の側面81Bに接していないことが好ましい。
第1部材301及び第2部材302の材料は、実施形態に係る製造方法と同様である。ただし、第1変形例では、第1部材301及び第2部材302の粘度は、同じでも異なっていてもよい。第1部材301は、粘度を低くしなくても、裾広がりの形状に塗布することができる。また、第1部材301及び第2部材302の発光素子20の発光ピーク波長における光反射率は、同じでも異なっていてもよい。
In step S21 of applying the
The materials of the
また、第1部材301及び第2部材302の母材の材料を同じとし、第2部材302を塗布する工程S22において、第1部材301を塗布する工程S21で使用した第1ノズル81を第1部材301から離して、第2ノズル82が第2部材302を吐出する予定の高さまで移動させ、第1ノズル81を使用して第2部材302を塗布してもよい。
さらに、第1部材301の材料301Aをそのまま第2部材302の材料302Aとして使用してもよい。
Further, the material of the base material of the
Furthermore, the
発光装置の製造方法の第1変形例は、第1部材301が、粘度によって形状を調節する場合と比較して高い粘度であっても、裾広がりの形状に塗布することができる。例えば、第1部材301及び第2部材302の粘度は同程度であってもよく、材料の選択の範囲を広げることができ、光取出し効率を高める発光装置を製造することができる。
また、第1変形例は、第1部材301を塗布する工程S21及び第2部材302を塗布する工程S22において同じノズルを使用して、製造工程を簡略化することができる。
In the first modification of the method for manufacturing a light emitting device, even if the
Furthermore, in the first modification, the same nozzle can be used in the step S21 of applying the
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の第2変形例を説明する。第2変形例は、第1部材301の内周の側面に連続して、基板10の上面と10度以上45度以下の角をなして発光素子20に向かって下る傾斜面350Aを形成するように第3部材303を塗布する工程S23をさらに含み、第3部材303は光反射性を有し、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が第2部材302と異なる。
Next, a second modification of the method for manufacturing the light emitting device according to the embodiment will be described. In the second modification, an
第2変形例は、実施形態に係る発光装置の製造方法と比較して、塗布工程S20が、第3部材303を塗布する工程S23をさらに含む。硬化工程S30は、第3硬化工程S33をさらに含む。その他の点は、実施形態に係る製造方法と共通する。なお、第1部材301、第2部材302及び第3部材303を合わせて、枠部材300とする。
図7は、発光装置の製造方法の第2変形例を例示するフローチャートである。図8Aは、第1部材301を塗布している状態の概略を例示する断面図である。図8Bは、第3部材303を塗布している状態の概略を例示する断面図である。図8Cは、第2部材302を塗布している状態の概略を例示する断面図である。
In the second modification, as compared to the method for manufacturing a light emitting device according to the embodiment, the coating step S20 further includes a step S23 of coating the
FIG. 7 is a flowchart illustrating a second modification of the method for manufacturing a light emitting device. FIG. 8A is a cross-sectional view schematically illustrating a state in which the
第2変形例の塗布工程S20は、第1部材301を塗布する工程S21、第3部材303を塗布する工程S23、第2部材302を塗布する工程S22の順に行う。第1部材301及び第2部材302の塗布は、実施形態に係る製造方法と同様に行う。ただし、第1部材301は、裾広がりの形状でなくてもよく、基板10の上面との間に凹部340を有していてもよい。第1部材301の断面形状は、例えば円形状や楕円形状であってもよい。
第3部材303は、第1部材301の内周の側面に連続して、傾斜面350Aを形成するように塗布する。傾斜面350Aは、基板10の上面と10度以上45度以下の角をなして発光素子20に向かって下るように形成することが好ましく、15度以上40度以下が特に好ましい。
The coating step S20 of the second modification is performed in the following order: step S21 of applying the
The
第3部材303の塗布は、第1部材301の内周の基板10寄りの側面に向けて、ジェットディスペンサ90から第3部材303の材料を噴霧して行う。ここでは、ジェットディスペンサ90は、第1部材301に沿って反時計回りに周回するように移動させている。なお、図8Bは、ジェットディスペンサ90が通過した後の状態を例示している。
第3部材303の塗布の後に、第2部材302を塗布する。第2部材302を塗布した後、第1部材301及び第3部材303を合わせた部分の断面視形状は、台形のような形状となっている。
The application of the
After applying the
第1部材301及び第2部材302の材料は、実施形態に係る製造方法と同様である。第1部材301及び第2部材302は、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が異なっている。第1部材301及び第2部材302の粘度は、同じでも異なっていてもよい。
第3部材303の材料は、第1部材301及び第2部材302と同様に、樹脂又はセラミックスとすることができる。第3部材303は、第1部材301よりも粘度が低いことが好ましい。第3部材303は、粘度が低いことで、傾斜面350Aを形成する塗布を行いやすい。第3部材303は光反射性を有し、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率は、第2部材302と異なっている。
The materials of the
The material of the
第2変形例の硬化工程S30は、第1硬化工程S31、第2硬化工程S32及び第3硬化工程S33を行う。第1硬化工程S31は、第3部材303を塗布する工程S23の前に行う工程である。第2硬化工程S32は、第2部材302を塗布する工程S22の前に行う工程である。第3硬化工程S33は、第2部材302を塗布する工程S22の後で行う工程である。
第1硬化工程S31は、省略することができる。すなわち、第3部材303は、第1硬化工程S31によって第1部材301を硬化させてから塗布してもよく、第1硬化工程S31を省略して、硬化前の第1部材301の内周の側面に塗布してもよい。
The curing process S30 of the second modification includes a first curing process S31, a second curing process S32, and a third curing process S33. The first curing step S31 is a step performed before the step S23 of applying the
The first curing step S31 can be omitted. That is, the
また、第1硬化工程S31及び第2硬化工程S32を省略してもよい。すなわち、第2部材302は、第1部材301及び第3部材303を硬化させてから塗布してもよく、硬化前の第1部材301上に塗布してもよい。第1硬化工程S31及び第2硬化工程S32を省略した場合は、第3硬化工程S33によって第1部材301、第2部材302及び第3部材303を硬化させることができる。ただし、例えば第1部材301をセラミックスとする場合には、第1硬化工程S31又は第2硬化工程S32を行うことが好ましい。
Furthermore, the first curing step S31 and the second curing step S32 may be omitted. That is, the
発光装置の製造方法の第2変形例は、第1部材301が裾広がりでない場合でも、内周の側面に傾斜面350Aを有するように、形状を修正することができる。例えば、第1部材301の内周の側面が、基板10の上面との間に凹部340を有する場合でも、第3部材303を塗布して、傾斜面350Aを形成することができる。このため、粘度の高い材料であっても、第1部材301に使用することができる。また、第2変形例は、光反射率が異なる第2部材302及び第3部材303を組み合わせることで、枠部材300における材料の選択の範囲を広げて形状と光反射率との両立を図り、光取出し効率を高めた発光装置を製造することができる。
In the second modification of the method for manufacturing a light emitting device, even when the
次に、発光素子20の個数が複数である発光装置1Bについて説明する。図9に示すように、発光装置1Bは、一例として、10個の発光素子20を備えている。10個の発光素子20は、ボンディングワイヤ14によって直列に接続されている。発光素子20は、互いの距離が同程度となるように配置されていることが好ましい。
発光素子20の個数以外の点では、発光装置1Bの構成及び製造方法は、すでに説明した発光装置1の構成及び発光装置の製造方法と共通する。
なお、10個の発光素子20は、例えば5個ずつ直列に接続したものを並列に接続してもよい。接続の態様は、発光素子20の特性に合わせて変更することができる。
Next, a light emitting device 1B including a plurality of
Except for the number of
Note that the ten
発光装置1Bにおいて、発光素子20は、第1波長を発光ピーク波長とする第1発光素子及び第1波長と異なる第2波長を発光ピーク波長とする第2発光素子を含むことができる。この場合、第1枠31及び第2枠32の一方は、第1波長における光反射率が第2波長における光反射率よりも大きく、第1枠31及び第2枠32の他方は、第2波長における光反射率が第1波長における光反射率よりも大きいことが好ましい。
これにより、発光装置1Bは、発光素子20の異なる発光ピーク波長のそれぞれに第1枠31及び第2枠32の光反射率が大きい波長帯を合わせることができ、第1発光素子及び第2発光素子からの光に対し、別々に光反射性の向上を図ることができる。
In the light emitting device 1B, the
As a result, the light emitting device 1B can match the wavelength bands in which the light reflectance of the
なお、発光装置の製造方法の第2変形例において、第1部材301及び第2部材302の発光素子20の発光ピーク波長における光反射率は、同じでも異なっていてもよい。また、塗布工程S20の順序は、第1部材301及び第2部材302を塗布した後に、第3部材303を塗布するようにしてもよい。
In the second modification of the method for manufacturing a light emitting device, the light reflectances of the
1 発光装置
1A 発光装置(1つの発光素子)
1B 発光装置(複数の発光素子)
10 基板
11 基材
12 配線
13 電極端子
14 ボンディングワイヤ
15 保護素子
20 発光素子
30 枠体
31 第1枠
32 第2枠
35 傾斜面
40 封止部材
80 ノズル
81 第1ノズル
81A 吐出口(第1ノズル)
81B 側面(第1ノズル)
82 第2ノズル
90 ジェットディスペンサ
300 枠部材
301 第1部材
301A 材料(第1部材)
302 第2部材
302A 材料(第2部材)
303 第3部材
340 凹部
350A 傾斜面(塗布工程)
1 Light-emitting device 1A Light-emitting device (one light-emitting element)
1B Light emitting device (multiple light emitting elements)
10
81B Side (first nozzle)
82
302
303
Claims (17)
塗布された前記第1部材上に、前記発光素子を離隔して囲むように第2部材を塗布する工程と、を含み、
前記第1部材及び前記第2部材は光反射性を有し、前記発光素子の発光ピーク波長における光反射率が異なる発光装置の製造方法。 Applying a first member onto a substrate on which one or more light emitting elements are arranged so as to surround the light emitting elements at a distance;
a step of applying a second member on the applied first member so as to spaced apart from and surround the light emitting element;
The method for manufacturing a light emitting device, wherein the first member and the second member have light reflectivity, and have different light reflectances at the emission peak wavelength of the light emitting element.
前記第3部材は光反射性を有し、前記発光素子の発光ピーク波長における光反射率が前記第2部材と異なる請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。 A third member is applied so as to form an inclined surface continuous with the inner peripheral side surface of the first member, forming an angle of 10 degrees or more and 45 degrees or less with the upper surface of the substrate, and descending toward the light emitting element. further including the process,
3. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the third member has light reflectivity and has a different light reflectance from the second member at the emission peak wavelength of the light emitting element.
塗布された前記第1部材上に、前記発光素子を離隔して囲むように第2部材を塗布する工程と、を含み、
前記第1部材を塗布する工程は、前記第1部材をノズルから吐出させて塗布し、前記基板に垂直な方向において、前記ノズルの吐出口の位置以上の高さになるように前記第1部材を塗布する発光装置の製造方法。 Applying a first member onto a substrate on which one or more light emitting elements are arranged so as to surround the light emitting elements at a distance;
a step of applying a second member on the applied first member so as to spaced apart from and surround the light emitting element;
The step of applying the first member includes applying the first member by discharging it from a nozzle, and applying the first member so that the first member is at a height equal to or higher than the position of the discharge port of the nozzle in a direction perpendicular to the substrate. A method of manufacturing a light emitting device by coating.
前記第2部材を塗布する工程は、前記第1部材から前記ノズルを離して前記ノズルから前記第2部材を吐出させて塗布する請求項4に記載の発光装置の製造方法。 The base materials of the first member and the second member are the same,
5. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 4, wherein in the step of applying the second member, the second member is applied by separating the nozzle from the first member and discharging the second member from the nozzle.
前記発光素子が配置されている基板と、
前記基板上で前記発光素子を離隔して囲む第1枠と、
前記第1枠上で前記発光素子を離隔して囲む第2枠と、を備え、
前記第1枠及び前記第2枠は光反射性を有し、前記発光素子の発光ピーク波長における光反射率が異なる発光装置。 one or more light emitting elements;
a substrate on which the light emitting element is arranged;
a first frame surrounding the light emitting element at a distance on the substrate;
a second frame that surrounds the light emitting element at a distance on the first frame;
A light emitting device in which the first frame and the second frame have light reflectivity, and have different light reflectances at a light emission peak wavelength of the light emitting element.
前記第1枠及び前記第2枠の一方は、前記第1波長における光反射率が前記第2波長における光反射率よりも大きく、
前記第1枠及び前記第2枠の他方は、前記第2波長における光反射率が前記第1波長における光反射率よりも大きい請求項11乃至請求項16の何れか一項に記載の発光装置。 The light emitting element includes a first light emitting element whose peak emission wavelength is a first wavelength and a second light emitting element whose peak emission wavelength is a second wavelength different from the first wavelength,
One of the first frame and the second frame has a light reflectance at the first wavelength greater than a light reflectance at the second wavelength,
The light emitting device according to any one of claims 11 to 16, wherein the other of the first frame and the second frame has a higher light reflectance at the second wavelength than at the first wavelength. .
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