JP2023127000A - 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023127000A JP2023127000A JP2020134018A JP2020134018A JP2023127000A JP 2023127000 A JP2023127000 A JP 2023127000A JP 2020134018 A JP2020134018 A JP 2020134018A JP 2020134018 A JP2020134018 A JP 2020134018A JP 2023127000 A JP2023127000 A JP 2023127000A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- laminate
- resin layer
- warpage
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
- C03C27/10—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of adhesive specially adapted for that purpose
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】反りを有し、かつ、高温に晒された後も反りが維持される積層体を容易に製造できる積層体の製造方法、反りを有する積層体、および半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成する工程と、前駆体積層体を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、樹脂層を形成し、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置される樹脂層とを備え、反りを有する積層体を得る工程とを有する、反りを有する。【選択図】図１
Description
本発明は、積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法に関する。
集積回路等を備えた半導体デバイスは、ボンディングワイヤ、または半田ボール等により再配線層（ＲＤＬ）と電気的に接続されて実装されており、さらに樹脂で封止されて半導体パッケージとされている。
半導体パッケージは、例えば、以下の方法で製造される。まず、ガラス基板上に再配線層を形成した後に、半導体デバイスをボンディングワイヤ、または半田ボール等により再配線層と電気的に接続する。その後、半導体デバイスを樹脂で封止する。そして、ガラス基板から、樹脂で封止された半導体デバイスが実装された再配線層を剥離することにより半導体パッケージが得られる。半導体パッケージの製造工程における熱による基板の変形を考慮して、半導体パッケージの製造に用いられるガラス基板には、特許文献１に記載されるような反りを有するガラス基板が用いられる。特許文献１には、反りが２～３００μｍであり、反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°であるガラス基板が記載されている。
半導体パッケージは、例えば、以下の方法で製造される。まず、ガラス基板上に再配線層を形成した後に、半導体デバイスをボンディングワイヤ、または半田ボール等により再配線層と電気的に接続する。その後、半導体デバイスを樹脂で封止する。そして、ガラス基板から、樹脂で封止された半導体デバイスが実装された再配線層を剥離することにより半導体パッケージが得られる。半導体パッケージの製造工程における熱による基板の変形を考慮して、半導体パッケージの製造に用いられるガラス基板には、特許文献１に記載されるような反りを有するガラス基板が用いられる。特許文献１には、反りが２～３００μｍであり、反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°であるガラス基板が記載されている。
上述の特許文献１のガラス基板は、成形工程および徐冷工程を経て反りが形成されている。徐冷工程の徐冷温度を調整して、反りおよび反りによる傾斜角度を調整しているが、反り量等の調整が容易ではない。
そこで、本発明は、反りを有し、かつ、高温に晒された後も反りが維持される積層体を容易に製造できる積層体の製造方法を提供することを目的とし、また、本発明は、反りを有する積層体を提供すること、および半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
そこで、本発明は、反りを有し、かつ、高温に晒された後も反りが維持される積層体を容易に製造できる積層体の製造方法を提供することを目的とし、また、本発明は、反りを有する積層体を提供すること、および半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上述の目的を達成できることを見出した。
本発明の態様は、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成する工程と、前駆体積層体を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、樹脂層を形成し、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置される樹脂層とを備え、反りを有する積層体を得る工程とを有する、反りを有する積層体の製造方法を提供するものである。
２枚のガラス基板の平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
前駆体積層体を形成する工程の後に、前駆体積層体のガラス基板に対して、面取り、研削、および研磨のうち、少なくとも１つを行う工程をさらに有することが好ましい。
熱硬化性樹脂層の熱硬化の際の温度は、４００℃以下であることが好ましい。
熱硬化性樹脂層の熱硬化は、熱硬化開始温度よりも２０℃以上高い温度で行うことが好ましい。
本発明の態様は、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成する工程と、前駆体積層体を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、樹脂層を形成し、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置される樹脂層とを備え、反りを有する積層体を得る工程とを有する、反りを有する積層体の製造方法を提供するものである。
２枚のガラス基板の平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
前駆体積層体を形成する工程の後に、前駆体積層体のガラス基板に対して、面取り、研削、および研磨のうち、少なくとも１つを行う工程をさらに有することが好ましい。
熱硬化性樹脂層の熱硬化の際の温度は、４００℃以下であることが好ましい。
熱硬化性樹脂層の熱硬化は、熱硬化開始温度よりも２０℃以上高い温度で行うことが好ましい。
本発明の態様は、第１ガラス基板と、樹脂層と、第２ガラス基板とをこの順に有する積層体であって、積層体は反りを有する、積層体を提供するものである。
第１ガラス基板の外側の表面が凸となるように第１ガラス基板と樹脂層と第２ガラス基板とが湾曲しており、かつ湾曲した第１ガラス基板上に電子デバイスが配置されることが好ましい。
第１ガラス基板と第２ガラス基板との平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
積層体は、総厚が０．３～３．０ｍｍであることが好ましい。
積層体の反り量は、０μｍ超５００μｍ以下であることが好ましい。
２５０℃で３時間加熱した後の反り量が０μｍ超５００μｍ以下であることが好ましい。
本発明の態様は、第１ガラス基板と、樹脂層と、第２ガラス基板とをこの順に有し、かつ反りを有する、積層体を用意する工程と、第１ガラス基板の表面に再配線層を形成する工程と、半導体デバイスを再配線層と電気的に接続する工程と、半導体デバイスを樹脂を用いて封止する工程と、樹脂で封止された半導体デバイスが実装された再配線層を第１ガラス基板から剥離する工程とを有する、半導体パッケージの製造方法を提供するものである。
第１ガラス基板の外側の表面が凸となるように第１ガラス基板と樹脂層と第２ガラス基板とが湾曲しており、かつ湾曲した第１ガラス基板上に電子デバイスが配置されることが好ましい。
第１ガラス基板と第２ガラス基板との平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
積層体は、総厚が０．３～３．０ｍｍであることが好ましい。
積層体の反り量は、０μｍ超５００μｍ以下であることが好ましい。
２５０℃で３時間加熱した後の反り量が０μｍ超５００μｍ以下であることが好ましい。
本発明の態様は、第１ガラス基板と、樹脂層と、第２ガラス基板とをこの順に有し、かつ反りを有する、積層体を用意する工程と、第１ガラス基板の表面に再配線層を形成する工程と、半導体デバイスを再配線層と電気的に接続する工程と、半導体デバイスを樹脂を用いて封止する工程と、樹脂で封止された半導体デバイスが実装された再配線層を第１ガラス基板から剥離する工程とを有する、半導体パッケージの製造方法を提供するものである。
本発明によれば、反りを有し、かつ、高温に晒された後も反りが維持される積層体を容易に製造できる。また、反りを有する積層体を提供できる。さらには、半導体パッケージを製造できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態は本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す実施形態に制限されることはない。なお、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明の積層体の製造方法の特徴としては、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成し、前駆体積層体を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、２枚のガラス基板の間に樹脂層を形成する。これにより、２枚のガラス基板の間に樹脂層が配置された、反りを有する積層体を得る。前駆体積層体を変形させた状態で、樹脂層を形成するため、熱硬化性樹脂を硬化させる程度の温度で、反りを有する積層体を形成できる。このため、温度を高くする必要がなく、積層体を容易に製造できる。さらには、反りを有する積層体は、樹脂層が熱硬化しており、高温に晒された後も反りが維持される。しかも、積層体では、ガラス基板の種類を問わず、ガラス基板の選択範囲が広い。以下、積層体の製造方法について説明する。
＜積層体の製造方法＞
［積層体の製造方法の一例］
図１（ａ）～（ｄ）は本発明の実施形態の積層体の製造方法を工程順に示す模式的断面図であり、図２は本発明の実施形態の積層体の一例を模式的断面図である。製造される積層体３０（図２参照）は、反りを有し、２枚のガラス基板の間に樹脂層が配置されており、第１ガラス基板１４（図１（ｂ）参照）と、第２ガラス基板１０（図１（ｂ）参照）とを有する。第１ガラス基板１４（図１（ｂ）参照）と、第２ガラス基板１０（図１（ｂ）参照）とは、いずれも円板である。
まず、図１（ａ）に示すように、第２ガラス基板１０の一方の面（表面１０ａ）に熱硬化性樹脂層１２を形成する。図１（ａ）では熱硬化性樹脂層１２は未硬化状態である。
次に、図１（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂層１２の第２ガラス基板１０の反対側の表面１２ａに、第１ガラス基板１４を配置する。これにより、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層１２とを有する前駆体積層体１６が形成される。
次に、図１（ｃ）に示すように、前駆体積層体１６の周縁１６ｃを面取りする。さらに第１ガラス基板１４の表面１４ａおよび第２ガラス基板１０の表面１０ａに研削および研磨を行う。これにより、前駆体積層体１６の厚み、およびＴＴＶ（Total Thickness Variation）を調整する。なお、面取り、研削および研磨を実施することが好ましいが、必ずしも実施する必要はない。面取り、研削および研磨のうち、少なくとも面取りを実施することが望ましい。
［積層体の製造方法の一例］
図１（ａ）～（ｄ）は本発明の実施形態の積層体の製造方法を工程順に示す模式的断面図であり、図２は本発明の実施形態の積層体の一例を模式的断面図である。製造される積層体３０（図２参照）は、反りを有し、２枚のガラス基板の間に樹脂層が配置されており、第１ガラス基板１４（図１（ｂ）参照）と、第２ガラス基板１０（図１（ｂ）参照）とを有する。第１ガラス基板１４（図１（ｂ）参照）と、第２ガラス基板１０（図１（ｂ）参照）とは、いずれも円板である。
まず、図１（ａ）に示すように、第２ガラス基板１０の一方の面（表面１０ａ）に熱硬化性樹脂層１２を形成する。図１（ａ）では熱硬化性樹脂層１２は未硬化状態である。
次に、図１（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂層１２の第２ガラス基板１０の反対側の表面１２ａに、第１ガラス基板１４を配置する。これにより、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層１２とを有する前駆体積層体１６が形成される。
次に、図１（ｃ）に示すように、前駆体積層体１６の周縁１６ｃを面取りする。さらに第１ガラス基板１４の表面１４ａおよび第２ガラス基板１０の表面１０ａに研削および研磨を行う。これにより、前駆体積層体１６の厚み、およびＴＴＶ（Total Thickness Variation）を調整する。なお、面取り、研削および研磨を実施することが好ましいが、必ずしも実施する必要はない。面取り、研削および研磨のうち、少なくとも面取りを実施することが望ましい。
次に、図１（ｄ）に示すように、前駆体積層体１６を、室温（２５℃）で型２０に取り付ける。型２０は、上型２２と下型２４とを有する。上型２２と下型２４とは、例えば、カーボンで構成される。上型２２は、形状が凹面状の凹部２２ａを有する。下型２４は形状が凸面状の凸部２４ａを有する。型２０は、上型２２の凹部２２ａと、下型２４の凸部２４ａとが対向して配置される。凹部２２ａと凸部２４ａとに挟まれる空間により型２０の内壁形状が構成される。上型２２の凹部２２ａにより第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸となるように変形し、下型２４の凸部２４ａにより第２ガラス基板１０の表面１０ａが凹となるように変形する。
上型２２に第１ガラス基板１４が表面１４ａ側を向けて配置され、下型２４に第２ガラス基板１０が表面１０ａ側を向けて配置される。上型２２と下型２４とをボルト２６とナット２７とを用いて締めることにより上型２２の凹部２２ａの形状に合わせて第１ガラス基板１４を変形させ、下型２４の凸部２４ａの形状に合わせて第２ガラス基板１０を変形させる。これにより、第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸となるように第１ガラス基板１４が変形する。
次に、前駆体積層体１６を加熱し、熱硬化性樹脂層１２の熱硬化を行い、樹脂層１３（図２参照）を形成する。前駆体積層体１６の加熱は、例えば、窒素雰囲気で、温度２５℃から２５０℃まで１０℃／分の速度で昇温した後、２５０℃で３０分間保持した後、２５０℃から１５０℃まで－１０℃／分の速度で冷却する。
上型２２に第１ガラス基板１４が表面１４ａ側を向けて配置され、下型２４に第２ガラス基板１０が表面１０ａ側を向けて配置される。上型２２と下型２４とをボルト２６とナット２７とを用いて締めることにより上型２２の凹部２２ａの形状に合わせて第１ガラス基板１４を変形させ、下型２４の凸部２４ａの形状に合わせて第２ガラス基板１０を変形させる。これにより、第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸となるように第１ガラス基板１４が変形する。
次に、前駆体積層体１６を加熱し、熱硬化性樹脂層１２の熱硬化を行い、樹脂層１３（図２参照）を形成する。前駆体積層体１６の加熱は、例えば、窒素雰囲気で、温度２５℃から２５０℃まで１０℃／分の速度で昇温した後、２５０℃で３０分間保持した後、２５０℃から１５０℃まで－１０℃／分の速度で冷却する。
型２０の冷却後、ボルト２６からナット２７を外して型２０から前駆体積層体１６を取り出す。これにより、図２に示すように第１ガラス基板１４と、樹脂層１３と、第２ガラス基板１０とをこの順に有し、かつ反りを有する積層体３０を得る。積層体３０は高温に晒された後も反りが維持される。図２に示す積層体３０は、外形が円形である。
なお、第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０とを、それぞれ円板としたが、形状は特に限定されるものではなく、例えば、矩形でもよい。また、第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０とは、積層して変形させて積層体３０とするため、相似形であることが好ましい。
また、積層体３０を製造する際に、円板のガラス基板を用いることなく、例えば、矩形の第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０を用い、前駆体積層体を形成した後、円形に切断して、面取り、研削、研磨を実施して、外形が円形の前駆体積層体としてもよい。
なお、第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０とを、それぞれ円板としたが、形状は特に限定されるものではなく、例えば、矩形でもよい。また、第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０とは、積層して変形させて積層体３０とするため、相似形であることが好ましい。
また、積層体３０を製造する際に、円板のガラス基板を用いることなく、例えば、矩形の第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０を用い、前駆体積層体を形成した後、円形に切断して、面取り、研削、研磨を実施して、外形が円形の前駆体積層体としてもよい。
＜積層体＞
図２に示す積層体３０は、上述のように外形が円形である。積層体３０は、例えば、第２ガラス基板１０の表面１０ａを平面Ｂに接して、平面Ｂ上に配置した場合、第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸になるように第１ガラス基板１４と樹脂層１３と第２ガラス基板１０とが湾曲している。上述のように第２ガラス基板１０の表面１０ａを平面Ｂに接して平面Ｂ上に配置した場合における、第１ガラス基板１４が沿った状態での外径が積層体３０の直径Ｄとなる。直径Ｄは、特に限定されるものではないが、半導体ウエハと同程度の大きさとすることができ、例えば、８インチ、または１２インチである。
図３は本発明の実施形態の積層体の使用例の一例を模式的断面図である。なお、図３において、図２に示す積層体３０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
積層体３０は、上述のように第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸となるように第１ガラス基板１４と樹脂層１３と第２ガラス基板１０とが湾曲している。なお、第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａとは、第１ガラス基板１４の樹脂層１３の反対側の面のことである。
図２に示す積層体３０は、上述のように外形が円形である。積層体３０は、例えば、第２ガラス基板１０の表面１０ａを平面Ｂに接して、平面Ｂ上に配置した場合、第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸になるように第１ガラス基板１４と樹脂層１３と第２ガラス基板１０とが湾曲している。上述のように第２ガラス基板１０の表面１０ａを平面Ｂに接して平面Ｂ上に配置した場合における、第１ガラス基板１４が沿った状態での外径が積層体３０の直径Ｄとなる。直径Ｄは、特に限定されるものではないが、半導体ウエハと同程度の大きさとすることができ、例えば、８インチ、または１２インチである。
図３は本発明の実施形態の積層体の使用例の一例を模式的断面図である。なお、図３において、図２に示す積層体３０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
積層体３０は、上述のように第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸となるように第１ガラス基板１４と樹脂層１３と第２ガラス基板１０とが湾曲している。なお、第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａとは、第１ガラス基板１４の樹脂層１３の反対側の面のことである。
また、積層体３０の総厚ｈ（図２）は、搬送工程のハンドリング、および再配線層４２を剥離することから、好ましくは０．３～３．０ｍｍ、より好ましくは０．５～２．０ｍｍである。積層体３０の総厚ｈは、分光レーザー変位計を用いて測定する。
また、積層体３０の反り量は、好ましくは０μｍ超５００μｍ以下、より好ましくは５０～３００μｍである。積層体３０の反り量が０μｍ超であると、電子デバイスのパッケージング工程での反り矯正効果が十分であり、反り量が５００μｍ以下であると、電子デバイスのパッケージング工程での基板の保持（チャッキング）がしやすくなる。
積層体３０は、２５０℃で３時間加熱した後の反り量は、好ましくは０μｍ超５００μｍ以下、より好ましくは５０～３００μｍである。２５０℃で３時間加熱した後の反り量が０μｍ超５００μｍ以下であれば、積層体３０に高温に晒された後も反りが維持され、半導体パッケージの製造に繰り返して利用することができる。
なお、２５０℃で３時間加熱した後とは、窒素雰囲気において２５０℃で３時間加熱した後、積層体が室温（２５℃）になった状態のことである。
また、積層体３０の反り量は、好ましくは０μｍ超５００μｍ以下、より好ましくは５０～３００μｍである。積層体３０の反り量が０μｍ超であると、電子デバイスのパッケージング工程での反り矯正効果が十分であり、反り量が５００μｍ以下であると、電子デバイスのパッケージング工程での基板の保持（チャッキング）がしやすくなる。
積層体３０は、２５０℃で３時間加熱した後の反り量は、好ましくは０μｍ超５００μｍ以下、より好ましくは５０～３００μｍである。２５０℃で３時間加熱した後の反り量が０μｍ超５００μｍ以下であれば、積層体３０に高温に晒された後も反りが維持され、半導体パッケージの製造に繰り返して利用することができる。
なお、２５０℃で３時間加熱した後とは、窒素雰囲気において２５０℃で３時間加熱した後、積層体が室温（２５℃）になった状態のことである。
（半導体パッケージおよびその製造方法）
図３に示すように、湾曲した第１ガラス基板１４の表面１４ａに、半導体パッケージ４０が設けられる。半導体パッケージ４０は、例えば、再配線層４２上に電子デバイス４４が実装されている。湾曲した第１ガラス基板１４上に電子デバイス４４が配置される。第１ガラス基板１４の樹脂層１３の反対側の面、すなわち、第１ガラス基板１４の表面１４ａが電子デバイス４４の形成される面である。再配線層４２と電子デバイス４４とはボンディングワイヤ、または半田ボール等により電気的に接続されている。電子デバイス４４は樹脂４６により封止されている。再配線層４２は第１ガラス基板１４の表面１４ａに形成されている。再配線層４２を第１ガラス基板１４の表面１４ａから剥離することにより、半導体パッケージ４０が取り出される。
電子デバイス４４は、集積回路等を有する半導体デバイス等であり、具体的には、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、およびＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等である。
樹脂４６は、電子デバイス４４を封止する封止樹脂であり、半導体パッケージに用いられるものが適宜利用可能である。樹脂４６としては、例えば、エポキシ樹脂等の公知の熱硬化性樹脂に、シリカの微粒子を混ぜたものが用いられる。
図３に示すように、湾曲した第１ガラス基板１４の表面１４ａに、半導体パッケージ４０が設けられる。半導体パッケージ４０は、例えば、再配線層４２上に電子デバイス４４が実装されている。湾曲した第１ガラス基板１４上に電子デバイス４４が配置される。第１ガラス基板１４の樹脂層１３の反対側の面、すなわち、第１ガラス基板１４の表面１４ａが電子デバイス４４の形成される面である。再配線層４２と電子デバイス４４とはボンディングワイヤ、または半田ボール等により電気的に接続されている。電子デバイス４４は樹脂４６により封止されている。再配線層４２は第１ガラス基板１４の表面１４ａに形成されている。再配線層４２を第１ガラス基板１４の表面１４ａから剥離することにより、半導体パッケージ４０が取り出される。
電子デバイス４４は、集積回路等を有する半導体デバイス等であり、具体的には、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、およびＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等である。
樹脂４６は、電子デバイス４４を封止する封止樹脂であり、半導体パッケージに用いられるものが適宜利用可能である。樹脂４６としては、例えば、エポキシ樹脂等の公知の熱硬化性樹脂に、シリカの微粒子を混ぜたものが用いられる。
（積層体の反り量）
図４（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態の積層体の反り量の測定方法を説明する模式的断面図である。
積層体３０の反り量は、図４（ａ）に示すように、積層体３０を、第２ガラス基板１０の表面１０ａを精密定盤５０の表面５０ａに向けて配置して測定する。反り量の測定には、レーザー変位計５２が用いられる。レーザー変位計５２からレーザー光Ｌを第１ガラス基板１４の表面１４ａに照射して、精密定盤５０の表面５０ａからレーザー光Ｌを照射した第１ガラス基板１４の表面１４ａ迄の高さを測定する。例えば、精密定盤５０の表面５０ａに平行な一方向に沿って、３ｍｍ間隔でレーザー光Ｌを照射して、各照射位置における高さを測定する。これにより、第１ガラス基板１４の面内の最大高さｈｃと、端部の高さｈｉとを得る。
積層体３０の厚さ方向において、第１ガラス基板１４の面内の最大高さｈｃから第１ガラス基板１４の端部の高さｈｉを引いた値（ｈｃ－ｈｉ）を、反り量として算出する。
図４（ａ）に示すように、積層体３０が凸形状になっている場合、すなわち、第２ガラス基板１０の表面１０ａの端部が精密定盤５０の表面５０ａに接し、中央が精密定盤５０の表面５０ａに接していない状態における積層体３０の反り量はプラスである。一方、図４（ｂ）に示すように、積層体３０が凹形状になっている場合、すなわち、第２ガラス基板１０の表面１０ａの端部が精密定盤５０の表面５０ａに接しておらず、中央が精密定盤５０の表面５０ａに接している状態における積層体の反り量は、面内の最小高さｈｍと端部の高さｈｉとの差分である。この場合、反り量はマイナスである。
図４（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態の積層体の反り量の測定方法を説明する模式的断面図である。
積層体３０の反り量は、図４（ａ）に示すように、積層体３０を、第２ガラス基板１０の表面１０ａを精密定盤５０の表面５０ａに向けて配置して測定する。反り量の測定には、レーザー変位計５２が用いられる。レーザー変位計５２からレーザー光Ｌを第１ガラス基板１４の表面１４ａに照射して、精密定盤５０の表面５０ａからレーザー光Ｌを照射した第１ガラス基板１４の表面１４ａ迄の高さを測定する。例えば、精密定盤５０の表面５０ａに平行な一方向に沿って、３ｍｍ間隔でレーザー光Ｌを照射して、各照射位置における高さを測定する。これにより、第１ガラス基板１４の面内の最大高さｈｃと、端部の高さｈｉとを得る。
積層体３０の厚さ方向において、第１ガラス基板１４の面内の最大高さｈｃから第１ガラス基板１４の端部の高さｈｉを引いた値（ｈｃ－ｈｉ）を、反り量として算出する。
図４（ａ）に示すように、積層体３０が凸形状になっている場合、すなわち、第２ガラス基板１０の表面１０ａの端部が精密定盤５０の表面５０ａに接し、中央が精密定盤５０の表面５０ａに接していない状態における積層体３０の反り量はプラスである。一方、図４（ｂ）に示すように、積層体３０が凹形状になっている場合、すなわち、第２ガラス基板１０の表面１０ａの端部が精密定盤５０の表面５０ａに接しておらず、中央が精密定盤５０の表面５０ａに接している状態における積層体の反り量は、面内の最小高さｈｍと端部の高さｈｉとの差分である。この場合、反り量はマイナスである。
［積層基板の製造方法］
積層基板の製造方法では、上述のように、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成する工程（前駆体積層体形成工程）と、前駆体積層体を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、樹脂層を形成する工程（成形工程）とを、少なくとも有する。以下、上述の各工程について説明する。
積層基板の製造方法では、上述のように、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成する工程（前駆体積層体形成工程）と、前駆体積層体を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、樹脂層を形成する工程（成形工程）とを、少なくとも有する。以下、上述の各工程について説明する。
（前駆体積層体形成工程）
＜熱硬化性樹脂層形成工程＞
熱硬化性樹脂層形成工程は、熱硬化性樹脂層として、例えば、熱硬化性シリコーンの層を第２ガラス基板１０の表面１０ａに形成する。
熱硬化性樹脂層（熱硬化性シリコーンの層）の形成方法は、特に限定されるものではなく、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、およびグラビアコート法が用いられる。
＜熱硬化性樹脂層形成工程＞
熱硬化性樹脂層形成工程は、熱硬化性樹脂層として、例えば、熱硬化性シリコーンの層を第２ガラス基板１０の表面１０ａに形成する。
熱硬化性樹脂層（熱硬化性シリコーンの層）の形成方法は、特に限定されるものではなく、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、およびグラビアコート法が用いられる。
＜積層工程＞
積層工程は、熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を積層する工程である。第１ガラス基板１４を熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａ上に積層する方法の具体例としては、常圧環境下で熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を重ねる方法が挙げられる。必要に応じて、熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を重ねた後、ロールまたはプレスを用いて熱硬化性樹脂層に第１ガラス基板１４を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、熱硬化性樹脂層１２と第１ガラス基板１４との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
真空ラミネート法または真空プレス法により圧着すると、気泡の混入が抑制され、かつ、良好な密着が実現でき、好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱処理により気泡が成長しにくいという利点もある。
熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を積層する際には、熱硬化性樹脂層に接触する第１ガラス基板１４の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。
積層工程は、熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を積層する工程である。第１ガラス基板１４を熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａ上に積層する方法の具体例としては、常圧環境下で熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を重ねる方法が挙げられる。必要に応じて、熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を重ねた後、ロールまたはプレスを用いて熱硬化性樹脂層に第１ガラス基板１４を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、熱硬化性樹脂層１２と第１ガラス基板１４との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
真空ラミネート法または真空プレス法により圧着すると、気泡の混入が抑制され、かつ、良好な密着が実現でき、好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱処理により気泡が成長しにくいという利点もある。
熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を積層する際には、熱硬化性樹脂層に接触する第１ガラス基板１４の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。
＜面取り工程＞
面取り工程は、前駆体積層体１６の周縁１６ｃの面取りを行う工程である。面取り方法は、特に限定されるものではなく、ガラス基板用の面取り機を用いる方法等、公知の方法を利用できる。
また、面取りの後、前駆体積層体１６の表面、裏面等を、研削機等を用いて研削を、研磨機を用いて研磨を実施してもよい。
面取り等を実施することにより、前駆体積層体１６を型に設置する際に、型に傷がつくことを防止できる。
また、前駆体積層体１６の表面、裏面等を、研削、研磨することにより、前駆体積層体１６の厚み、およびＴＴＶ（Total Thickness Variation）を調整できる。
面取り工程は、前駆体積層体１６の周縁１６ｃの面取りを行う工程である。面取り方法は、特に限定されるものではなく、ガラス基板用の面取り機を用いる方法等、公知の方法を利用できる。
また、面取りの後、前駆体積層体１６の表面、裏面等を、研削機等を用いて研削を、研磨機を用いて研磨を実施してもよい。
面取り等を実施することにより、前駆体積層体１６を型に設置する際に、型に傷がつくことを防止できる。
また、前駆体積層体１６の表面、裏面等を、研削、研磨することにより、前駆体積層体１６の厚み、およびＴＴＶ（Total Thickness Variation）を調整できる。
（成形工程）
成形工程は、前駆体積層体１６を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層１２の熱硬化を行い、樹脂層１を形成する工程である。上述のように、型２０（図１（ｄ）参照）に前駆体積層体１６を取り付け、上型２２の凹部２２ａの形状に合わせて第１ガラス基板１４を変形させ、下型２４の凸部２４ａの形状に合わせて第２ガラス基板１０を変形させる。この状態で、前駆体積層体１６を加熱し、熱硬化性樹脂層１２の熱硬化を行い、樹脂層１３（図２参照）を形成する。
熱硬化性樹脂層１２が、熱硬化性シリコーンで構成されている場合、熱処理により硬化されて樹脂層１３としてシリコーン樹脂層が形成される。
熱硬化性シリコーンとしては、例えば、縮合反応型シリコーンおよび付加反応型シリコーンが用いられる。シリコーン樹脂層については後に説明する。
熱硬化処理の条件は、例えば、熱硬化させる温度条件は、５０～４００℃が好ましく、１００～３００℃がより好ましい。加熱時間は、１０～３００分が好ましく、２０～１２０分がより好ましい。
熱硬化性樹脂層の熱硬化の際の温度は、好ましくは４００℃以下、より好ましくは３００℃以下である。これにより、成形時の温度が高温になることが抑制される。
また、熱硬化性樹脂層の熱硬化は、熱硬化開始温度よりも好ましくは２０℃以上、より好ましくは５０℃以上高い温度で行う。上述の温度で熱硬化性樹脂層を熱硬化させることにより、確実に熱硬化させることができ、樹脂層が得られる。
なお、硬化開始温度の定義については、熱硬化性樹脂を昇温速度１０℃／分の条件で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行い、ＤＳＣ曲線のベースラインとピークの変曲点における接線との交点を硬化開始温度とする。
成形工程は、前駆体積層体１６を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層１２の熱硬化を行い、樹脂層１を形成する工程である。上述のように、型２０（図１（ｄ）参照）に前駆体積層体１６を取り付け、上型２２の凹部２２ａの形状に合わせて第１ガラス基板１４を変形させ、下型２４の凸部２４ａの形状に合わせて第２ガラス基板１０を変形させる。この状態で、前駆体積層体１６を加熱し、熱硬化性樹脂層１２の熱硬化を行い、樹脂層１３（図２参照）を形成する。
熱硬化性樹脂層１２が、熱硬化性シリコーンで構成されている場合、熱処理により硬化されて樹脂層１３としてシリコーン樹脂層が形成される。
熱硬化性シリコーンとしては、例えば、縮合反応型シリコーンおよび付加反応型シリコーンが用いられる。シリコーン樹脂層については後に説明する。
熱硬化処理の条件は、例えば、熱硬化させる温度条件は、５０～４００℃が好ましく、１００～３００℃がより好ましい。加熱時間は、１０～３００分が好ましく、２０～１２０分がより好ましい。
熱硬化性樹脂層の熱硬化の際の温度は、好ましくは４００℃以下、より好ましくは３００℃以下である。これにより、成形時の温度が高温になることが抑制される。
また、熱硬化性樹脂層の熱硬化は、熱硬化開始温度よりも好ましくは２０℃以上、より好ましくは５０℃以上高い温度で行う。上述の温度で熱硬化性樹脂層を熱硬化させることにより、確実に熱硬化させることができ、樹脂層が得られる。
なお、硬化開始温度の定義については、熱硬化性樹脂を昇温速度１０℃／分の条件で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行い、ＤＳＣ曲線のベースラインとピークの変曲点における接線との交点を硬化開始温度とする。
以下、積層体について説明する。
＜第１ガラス基板、第２ガラス基板＞
第１ガラス基板、および第２ガラス基板を構成するガラスは、特に限定されるものではない。ガラスの種類としては、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。また、ＡＧＣ株式会社製商品名「ＦＬ９００」、「ＦＬ９６０」を用いることもできる。
ガラス板の製造方法としては、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形する方法が挙げられる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、およびスロットダウンドロー法が挙げられる。
＜第１ガラス基板、第２ガラス基板＞
第１ガラス基板、および第２ガラス基板を構成するガラスは、特に限定されるものではない。ガラスの種類としては、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。また、ＡＧＣ株式会社製商品名「ＦＬ９００」、「ＦＬ９６０」を用いることもできる。
ガラス板の製造方法としては、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形する方法が挙げられる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、およびスロットダウンドロー法が挙げられる。
上述のように、第１ガラス基板、および第２ガラス基板を構成するガラスは、特に限定されるものではないが、第１ガラス基板と第２ガラス基板との平均熱膨張係数の差は、１．５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、平均熱膨張係数の差の下限値は０ｐｐｍ／℃である。なお、第１ガラス基板と第２ガラス基板とが同じガラス基板である場合、平均熱膨張係数の差を０ｐｐｍ／℃とする。
平均熱膨張係数の差が小さいことにより、成形工程またはデバイス作製工程での加熱によって、ガラス基板に割れが発生することが抑制される。
一方、平均熱膨張係数の差が３ｐｐｍ／℃以上と大きすぎると、成形工程またはデバイス作製工程での加熱によって、第１ガラス基板または第２ガラス基板に割れが発生する可能がある。
第１ガラス基板と第２ガラス基板との平均熱膨張係数は、 ＪＩＳ Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて測定した、温度３０～２２０℃の平均熱膨張係数である。
なお、第１ガラス基板の厚みおよび第２ガラス基板の厚みは、それぞれ０．１～１．８ｍｍが好ましく、積層体の作製工程および成形工程、またはデバイス作製工程での加熱による割れ等の発生の観点から、０．１５～１．０ｍｍがより好ましい。なお、上記の第１ガラス基板の厚みおよび第２ガラス基板の厚みの好適範囲は、積層体作製前の厚みと、積層体における厚みとの両方の好適範囲を示す。
第１ガラス基板および第２ガラス基板の厚みは、分光レーザー変位計を用いて測定できる。
平均熱膨張係数の差が小さいことにより、成形工程またはデバイス作製工程での加熱によって、ガラス基板に割れが発生することが抑制される。
一方、平均熱膨張係数の差が３ｐｐｍ／℃以上と大きすぎると、成形工程またはデバイス作製工程での加熱によって、第１ガラス基板または第２ガラス基板に割れが発生する可能がある。
第１ガラス基板と第２ガラス基板との平均熱膨張係数は、 ＪＩＳ Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて測定した、温度３０～２２０℃の平均熱膨張係数である。
なお、第１ガラス基板の厚みおよび第２ガラス基板の厚みは、それぞれ０．１～１．８ｍｍが好ましく、積層体の作製工程および成形工程、またはデバイス作製工程での加熱による割れ等の発生の観点から、０．１５～１．０ｍｍがより好ましい。なお、上記の第１ガラス基板の厚みおよび第２ガラス基板の厚みの好適範囲は、積層体作製前の厚みと、積層体における厚みとの両方の好適範囲を示す。
第１ガラス基板および第２ガラス基板の厚みは、分光レーザー変位計を用いて測定できる。
＜樹脂層＞
樹脂層１３は、第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０とを積層し、かつ変形した状態を保持するものである。第１ガラス基板と第２ガラス基板とが変形した状態で、熱硬化性樹脂層１２が硬化して樹脂層１３を得ている。これにより、樹脂層１３が第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０との変形した状態を保持する。
樹脂層１３の厚みは、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。一方、樹脂層１３の厚みは、１μｍ超が好ましく、４μｍ以上がより好ましい。上述の厚みは、５点以上の任意の位置における樹脂層１３の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
樹脂層１３は、第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０とを積層し、かつ変形した状態を保持するものである。第１ガラス基板と第２ガラス基板とが変形した状態で、熱硬化性樹脂層１２が硬化して樹脂層１３を得ている。これにより、樹脂層１３が第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０との変形した状態を保持する。
樹脂層１３の厚みは、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。一方、樹脂層１３の厚みは、１μｍ超が好ましく、４μｍ以上がより好ましい。上述の厚みは、５点以上の任意の位置における樹脂層１３の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
＜シリコーン樹脂層＞
樹脂層１３は、熱硬化性樹脂層１２が熱硬化性シリコーンで構成されていれば、シリコーン樹脂層である。シリコーン樹脂層は、樹脂層１３を構成する層の一例である。シリコーン樹脂層は、主に、シリコーン樹脂からなるものである。シリコーン樹脂の構造は特に制限されない。シリコーン樹脂は、通常、硬化処理によってシリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。
硬化性シリコーンの具体例としては、縮合反応型シリコーン、および付加反応型シリコーンが挙げられる。硬化性シリコーンの重量平均分子量は、５，０００～６０，０００が好ましく、５，０００～３０，０００がより好ましい。
樹脂層１３は、熱硬化性樹脂層１２が熱硬化性シリコーンで構成されていれば、シリコーン樹脂層である。シリコーン樹脂層は、樹脂層１３を構成する層の一例である。シリコーン樹脂層は、主に、シリコーン樹脂からなるものである。シリコーン樹脂の構造は特に制限されない。シリコーン樹脂は、通常、硬化処理によってシリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。
硬化性シリコーンの具体例としては、縮合反応型シリコーン、および付加反応型シリコーンが挙げられる。硬化性シリコーンの重量平均分子量は、５，０００～６０，０００が好ましく、５，０００～３０，０００がより好ましい。
シリコーン樹脂層は、シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を塗布して、熱硬化性樹脂層を形成し、熱処理により形成する。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンの他に、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤、および金属化合物等を含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素の具体例としては、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス、アルミニウム、およびスズが挙げられる。金属化合物の含有量は、適宜調整される。
樹脂層１３としては、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、ナフトキサン系樹脂、炭化水素系樹脂、ポリイミド系樹脂、エラストマー等を含むものが挙げられる。樹脂層１３は、例えば、炭化水素系樹脂、アクリル－スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー等、またはこれらを組み合わせた樹脂で構成することもできる。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンの他に、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤、および金属化合物等を含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素の具体例としては、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス、アルミニウム、およびスズが挙げられる。金属化合物の含有量は、適宜調整される。
樹脂層１３としては、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、ナフトキサン系樹脂、炭化水素系樹脂、ポリイミド系樹脂、エラストマー等を含むものが挙げられる。樹脂層１３は、例えば、炭化水素系樹脂、アクリル－スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー等、またはこれらを組み合わせた樹脂で構成することもできる。
以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。後述する例１～１７は実施例であり、例１８、１９は比較例である。例１～１８は、いずれも外形が円形の積層体とした。例１９は外形が円形のガラス基板単板とした。
＜評価＞
《耐熱試験》
円形の積層体をイナートガスオーブンに入れ、窒素雰囲気において２５０℃で３時間加熱した。オーブンから取り出した円形の積層体が室温（２５℃）になったことを確認した後、反り量を測定した。反り量の測定方法は後に説明する。
《耐熱試験》
円形の積層体をイナートガスオーブンに入れ、窒素雰囲気において２５０℃で３時間加熱した。オーブンから取り出した円形の積層体が室温（２５℃）になったことを確認した後、反り量を測定した。反り量の測定方法は後に説明する。
＜硬化性シリコーンおよび硬化性組成物の調製＞
《硬化性シリコーンの調製》
オルガノハイドロジェンシロキサンとアルケニル基含有シロキサンとを混合することにより、硬化性シリコーンを得た。硬化性シリコーンの組成は、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位のモル比が９：５９：３２、有機基のメチル基とフェニル基とのモル比が４４：５６、全アルケニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７、平均ＯＸ基数が０．１であった。平均ＯＸ基数は、Ｓｉ原子１個に平均で何個のＯＸ基（Ｘは水素原子または炭化水素基）が結合しているかを表した数値である。
《硬化性シリコーンの調製》
オルガノハイドロジェンシロキサンとアルケニル基含有シロキサンとを混合することにより、硬化性シリコーンを得た。硬化性シリコーンの組成は、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位のモル比が９：５９：３２、有機基のメチル基とフェニル基とのモル比が４４：５６、全アルケニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７、平均ＯＸ基数が０．１であった。平均ＯＸ基数は、Ｓｉ原子１個に平均で何個のＯＸ基（Ｘは水素原子または炭化水素基）が結合しているかを表した数値である。
《硬化性組成物１の調製》
ジエチレングリコールジエチルエーテル（「ハイソルブＥＤＥ」、東邦化学工業株式会社製）（１９８６ｇ）と硬化性シリコーン（２９９７ｇ）を混合した溶液に、硬化性シリコーンに対する白金元素の含有量が１２０ｐｐｍとなるようにPlatinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane（ＣＡＳ Ｎｏ. ６８４７８－９２－２）を加えて、混合物Ａを得た。混合物Ａにメチルフェニル変性シリコーン（「ＡＰ １０００」、旭化成ワッカーシリコーン株式会社製）（４．５ｇ）を混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物を得た。
ジエチレングリコールジエチルエーテル（「ハイソルブＥＤＥ」、東邦化学工業株式会社製）（１９８６ｇ）と硬化性シリコーン（２９９７ｇ）を混合した溶液に、硬化性シリコーンに対する白金元素の含有量が１２０ｐｐｍとなるようにPlatinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane（ＣＡＳ Ｎｏ. ６８４７８－９２－２）を加えて、混合物Ａを得た。混合物Ａにメチルフェニル変性シリコーン（「ＡＰ １０００」、旭化成ワッカーシリコーン株式会社製）（４．５ｇ）を混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物を得た。
以下、例１～１９について説明する。
＜例１～１７＞
《ガラス基板の準備》
第１ガラス基板、および第２ガラス基板として表１に記載のガラス基板を準備した。第１ガラス基板のサイズは４５０ｍｍ×４５０ｍｍ、第２ガラス基板のサイズは５００ｍｍ×５００ｍｍとした。ガラス基板は、水系ガラス洗浄剤（「ＰＫ－ＬＣＧ２１３」、株式会社パーカーコーポレーション製）を用いて洗浄し、その後、純水で洗浄した。
＜例１～１７＞
《ガラス基板の準備》
第１ガラス基板、および第２ガラス基板として表１に記載のガラス基板を準備した。第１ガラス基板のサイズは４５０ｍｍ×４５０ｍｍ、第２ガラス基板のサイズは５００ｍｍ×５００ｍｍとした。ガラス基板は、水系ガラス洗浄剤（「ＰＫ－ＬＣＧ２１３」、株式会社パーカーコーポレーション製）を用いて洗浄し、その後、純水で洗浄した。
《ガラス基板の物性の測定方法》
（平均熱膨張係数）
ＪＩＳ Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて３０～２２０℃の平均熱膨張係数を測定した。
（厚さ）
ガラス基板の板厚を分光レーザー変位計（株式会社キーエンス製）により測定した。
（平均熱膨張係数）
ＪＩＳ Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて３０～２２０℃の平均熱膨張係数を測定した。
（厚さ）
ガラス基板の板厚を分光レーザー変位計（株式会社キーエンス製）により測定した。
《前駆体積層体の作製》
調製した硬化性組成物を、ダイコーターを用いて第２ガラス基板に塗布し、ホットプレートを用いて１２０℃で３分間加熱することにより、厚さ１０μｍのシリコーン樹脂層を形成した。続いて、第２ガラス基板上のシリコーン樹脂層面と第１ガラス基板とを貼合装置を用いて貼り合わせ、前駆体積層体を作製した。ガラスカッターを用いて前駆体積層体の両面にスクライブ線を形成した後、前駆体積層体の端部に応力を与えて割断し、直径３００ｍｍの円形の前駆体積層体を得た。次に円形の前駆体積層体の端部をガラス用砥石で面取りした。その後、円形の前駆体積層体の片面または両面を研削、研磨加工し、所望の板厚にした。
調製した硬化性組成物を、ダイコーターを用いて第２ガラス基板に塗布し、ホットプレートを用いて１２０℃で３分間加熱することにより、厚さ１０μｍのシリコーン樹脂層を形成した。続いて、第２ガラス基板上のシリコーン樹脂層面と第１ガラス基板とを貼合装置を用いて貼り合わせ、前駆体積層体を作製した。ガラスカッターを用いて前駆体積層体の両面にスクライブ線を形成した後、前駆体積層体の端部に応力を与えて割断し、直径３００ｍｍの円形の前駆体積層体を得た。次に円形の前駆体積層体の端部をガラス用砥石で面取りした。その後、円形の前駆体積層体の片面または両面を研削、研磨加工し、所望の板厚にした。
《積層体の成形》
成形方法について図１（ｄ）を用いて説明する。円形の前駆体積層体を室温でカーボン型（型２０（図１（ｄ）参照））に取り付け、カーボン型のボルトとナットを締めることで円形の前駆体積層体をカーボン型の内壁形状（凹部２２ａの形状と凸部２４ａの形状（図１（ｄ）参照））に変形させた。続いて、カーボン型に取り付けた円形の前駆体積層体をイナートガスオーブンに入れ、窒素雰囲気で加熱した。２５℃から２５０℃まで１０℃／分の速度で昇温した後、２５０℃で３０分間保持、２５０℃から１５０℃まで－１０℃／分の速度で冷却した。１５０℃まで冷却した時点でイナートガスオーブンに大気を導入し、カーボン型に取り付けた円形の前駆体積層体をオーブンから取り出した。室温（２５℃）になったことを確認した後、カーボン型から円形の前駆体積層体を取り出し、外形が円形の積層体を得て、積層体の総厚および円形の積層体の反り量を測定した。
成形方法について図１（ｄ）を用いて説明する。円形の前駆体積層体を室温でカーボン型（型２０（図１（ｄ）参照））に取り付け、カーボン型のボルトとナットを締めることで円形の前駆体積層体をカーボン型の内壁形状（凹部２２ａの形状と凸部２４ａの形状（図１（ｄ）参照））に変形させた。続いて、カーボン型に取り付けた円形の前駆体積層体をイナートガスオーブンに入れ、窒素雰囲気で加熱した。２５℃から２５０℃まで１０℃／分の速度で昇温した後、２５０℃で３０分間保持、２５０℃から１５０℃まで－１０℃／分の速度で冷却した。１５０℃まで冷却した時点でイナートガスオーブンに大気を導入し、カーボン型に取り付けた円形の前駆体積層体をオーブンから取り出した。室温（２５℃）になったことを確認した後、カーボン型から円形の前駆体積層体を取り出し、外形が円形の積層体を得て、積層体の総厚および円形の積層体の反り量を測定した。
＜例１８＞
例１と同じ手順で洗浄した第１ガラス基板１４（図５参照）の片面にスパッタリング装置を用いて窒化ケイ素膜１９（ＳｉＮ膜）を成膜し、外形が円形の積層体を得た。窒化ケイ素膜１９（図５参照）の厚みは２００ｎｍとした。窒化ケイ素膜１９の成膜後、積層体の総厚および積層体の反り量を測定した。続いて、例１と同様の耐熱試験を実施し、耐熱試験後の反り量を測定した。
＜例１９＞
第１ガラス基板を作製する際、溶融ガラスを板状に成形、徐冷する工程において、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度を調整することにより、反りを有する第１ガラス基板６０（図６参照）を作製した。第１ガラス基板６０（図６参照）が室温まで冷却されたことを確認した後、反り量を測定した。続いて、例１と同様の耐熱試験を実施し、耐熱試験後の反り量を測定した。なお、例１９では、第１ガラス基板６０（図６参照）の板厚を、下記表１に示す総厚とした。
例１と同じ手順で洗浄した第１ガラス基板１４（図５参照）の片面にスパッタリング装置を用いて窒化ケイ素膜１９（ＳｉＮ膜）を成膜し、外形が円形の積層体を得た。窒化ケイ素膜１９（図５参照）の厚みは２００ｎｍとした。窒化ケイ素膜１９の成膜後、積層体の総厚および積層体の反り量を測定した。続いて、例１と同様の耐熱試験を実施し、耐熱試験後の反り量を測定した。
＜例１９＞
第１ガラス基板を作製する際、溶融ガラスを板状に成形、徐冷する工程において、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度を調整することにより、反りを有する第１ガラス基板６０（図６参照）を作製した。第１ガラス基板６０（図６参照）が室温まで冷却されたことを確認した後、反り量を測定した。続いて、例１と同様の耐熱試験を実施し、耐熱試験後の反り量を測定した。なお、例１９では、第１ガラス基板６０（図６参照）の板厚を、下記表１に示す総厚とした。
＜反り量の測定について＞
積層体の反り量を測定する方法について、図４（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。図４（ａ）および（ｂ）は積層体の反りの様子を模式的に示している。
精密定盤５０の表面５０ａ上に第１ガラス基板１４を上側、第２ガラス基板１０を下側にして積層体３０を配置した。第１ガラス基板１４の表面１４ａの厚さ方向の高さを非接触のレーザー変位計５２によって、精密定盤５０の表面５０ａの平行な方向に沿って、３ｍｍ間隔で測定した。積層体３０の厚さ方向において、第１ガラス基板１４の面内の最大高さから第１ガラス基板１４の端部の高さを引いた値として、反り量を算出した。
図４（ａ）に示すように、積層体３０が凸形状になっている場合における積層体３０の反り量をプラスとし、図４（ｂ）に示すように、積層体３０が凹形状になっている場合における積層体３０の反り量をマイナスとした。
積層体の反り量を測定する方法について、図４（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。図４（ａ）および（ｂ）は積層体の反りの様子を模式的に示している。
精密定盤５０の表面５０ａ上に第１ガラス基板１４を上側、第２ガラス基板１０を下側にして積層体３０を配置した。第１ガラス基板１４の表面１４ａの厚さ方向の高さを非接触のレーザー変位計５２によって、精密定盤５０の表面５０ａの平行な方向に沿って、３ｍｍ間隔で測定した。積層体３０の厚さ方向において、第１ガラス基板１４の面内の最大高さから第１ガラス基板１４の端部の高さを引いた値として、反り量を算出した。
図４（ａ）に示すように、積層体３０が凸形状になっている場合における積層体３０の反り量をプラスとし、図４（ｂ）に示すように、積層体３０が凹形状になっている場合における積層体３０の反り量をマイナスとした。
例１８においては、図５に示す通り、精密定盤５０の表面５０ａ上に窒化ケイ素膜１９の非成膜面を上側、成膜面側を下側にして窒化ケイ素膜１９付き第１ガラス基板１４を配置した。レーザー変位計５２によって、非成膜面側の厚さ方向の高さを測定し、基板の面内の最大高さから端部の高さを引いた値として、反り量を算出した。
例１９においては、図６に示す通り、積層体と同様に、精密定盤５０の表面５０ａ上に第１ガラス基板６０を配置し、レーザー変位計５２によって、第１ガラス基板６０の面内の最大高さから端部の高さを引いた値として、反り量を算出した。
なお、図５および図６において、図４（ａ）および（ｂ）に示す構成物と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
また、積層体の総厚は分光レーザー変位計（株式会社キーエンス製）により測定した。
例１９においては、図６に示す通り、積層体と同様に、精密定盤５０の表面５０ａ上に第１ガラス基板６０を配置し、レーザー変位計５２によって、第１ガラス基板６０の面内の最大高さから端部の高さを引いた値として、反り量を算出した。
なお、図５および図６において、図４（ａ）および（ｂ）に示す構成物と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
また、積層体の総厚は分光レーザー変位計（株式会社キーエンス製）により測定した。
＜評価結果のまとめ＞
上述の表１に示すように、所定の要件を満たす例１～１７では、耐熱試験前後で反り量の変化が小さく耐熱性が優れていた。
例１８は窒化ケイ素膜（ＳｉＮ膜）ＳｉＮ膜により反ったガラス基板を作製できるが、耐熱試験での加熱によってＳｉＮ膜の応力が緩和し、反り量が小さくなった。このことから、例１８では半導体プロセス中の反りを抑制することができない。
例１９は耐熱試験前後での反り量の変化がなく問題がないが、高温で成形しているため、成形精度高く反りを有するガラス基板を作ることが容易ではない。単位時間当たりの製造量等の生産効率、および製造コスト的に不利である。
上述の表１に示すように、所定の要件を満たす例１～１７では、耐熱試験前後で反り量の変化が小さく耐熱性が優れていた。
例１８は窒化ケイ素膜（ＳｉＮ膜）ＳｉＮ膜により反ったガラス基板を作製できるが、耐熱試験での加熱によってＳｉＮ膜の応力が緩和し、反り量が小さくなった。このことから、例１８では半導体プロセス中の反りを抑制することができない。
例１９は耐熱試験前後での反り量の変化がなく問題がないが、高温で成形しているため、成形精度高く反りを有するガラス基板を作ることが容易ではない。単位時間当たりの製造量等の生産効率、および製造コスト的に不利である。
１０ 第２ガラス基板
１０ａ、１２ａ、１４ａ、５０ａ 表面
１２ 熱硬化性樹脂層
１３ 樹脂層
１４ 第１ガラス基板
１６ 前駆体積層体
１６ｃ 周縁
１９ 窒化ケイ素膜
２０ 型
２２ 上型
２２ａ 凹部
２４ 下型
２４ａ 凸部
２６ ボルト
２７ ナット
３０ 積層体
４０ 半導体パッケージ
４２ 再配線層
４４ 電子デバイス
５０ 精密定盤
５２ レーザー変位計
６０ 第１ガラス基板
Ｂ 平面
Ｄ 直径
Ｌ レーザー光
ｈ 総厚
ｈｃ 面内の最大高さ
ｈｉ 端部の高さ
ｈｍ 面内の最小高さ
１０ａ、１２ａ、１４ａ、５０ａ 表面
１２ 熱硬化性樹脂層
１３ 樹脂層
１４ 第１ガラス基板
１６ 前駆体積層体
１６ｃ 周縁
１９ 窒化ケイ素膜
２０ 型
２２ 上型
２２ａ 凹部
２４ 下型
２４ａ 凸部
２６ ボルト
２７ ナット
３０ 積層体
４０ 半導体パッケージ
４２ 再配線層
４４ 電子デバイス
５０ 精密定盤
５２ レーザー変位計
６０ 第１ガラス基板
Ｂ 平面
Ｄ 直径
Ｌ レーザー光
ｈ 総厚
ｈｃ 面内の最大高さ
ｈｉ 端部の高さ
ｈｍ 面内の最小高さ
Claims (12)
- ２枚のガラス基板と、前記２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成する工程と、
前記前駆体積層体を変形させた状態で、前記熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、樹脂層を形成し、前記２枚のガラス基板と、前記２枚のガラス基板の間に配置される樹脂層とを備え、反りを有する積層体を得る工程とを有する、反りを有する積層体の製造方法。 - 前記２枚のガラス基板の平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下である、請求項１に記載の積層体の製造方法。
- 前記前駆体積層体を形成する工程の後に、前記前駆体積層体のガラス基板に対して、面取り、研削、および研磨のうち、少なくとも１つを行う工程をさらに有する、請求項１または２に記載の積層体の製造方法。
- 前記熱硬化性樹脂層の前記熱硬化の際の温度は、４００℃以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
- 前記熱硬化性樹脂層の前記熱硬化は、熱硬化開始温度よりも２０℃以上高い温度で行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
- 第１ガラス基板と、樹脂層と、第２ガラス基板とをこの順に有する積層体であって、
前記積層体は反りを有する、積層体。 - 前記第１ガラス基板の外側の表面が凸となるように前記第１ガラス基板と前記樹脂層と前記第２ガラス基板とが湾曲しており、かつ湾曲した前記第１ガラス基板上に電子デバイスが配置される、請求項６に記載の積層体。
- 前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下である、請求項６または７に記載の積層体。
- 前記積層体は、総厚が０．３～３．０ｍｍである、請求項６～８のいずれか１項に記載の積層体。
- 前記積層体の反り量は、０μｍ超５００μｍ以下である、請求項６～９のいずれか１項に記載の積層体。
- ２５０℃で３時間加熱した後の反り量が０μｍ超５００μｍ以下である、請求項６～１０のいずれか１項に記載の積層体。
- 第１ガラス基板と、樹脂層と、第２ガラス基板とをこの順に有し、かつ反りを有する、積層体を用意する工程と、
前記第１ガラス基板の表面に再配線層を形成する工程と、
半導体デバイスを前記再配線層と電気的に接続する工程と、
前記半導体デバイスを樹脂を用いて封止する工程と、
前記樹脂で封止された前記半導体デバイスが実装された前記再配線層を前記第１ガラス基板から剥離する工程とを有する、半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020134018A JP2023127000A (ja) | 2020-08-06 | 2020-08-06 | 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 |
| PCT/JP2021/028381 WO2022030392A1 (ja) | 2020-08-06 | 2021-07-30 | 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 |
| TW110128714A TW202218076A (zh) | 2020-08-06 | 2021-08-04 | 積層體之製造方法、積層體及半導體封裝之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020134018A JP2023127000A (ja) | 2020-08-06 | 2020-08-06 | 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023127000A true JP2023127000A (ja) | 2023-09-13 |
Family
ID=80118017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020134018A Pending JP2023127000A (ja) | 2020-08-06 | 2020-08-06 | 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023127000A (ja) |
| TW (1) | TW202218076A (ja) |
| WO (1) | WO2022030392A1 (ja) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4969966A (en) * | 1989-06-26 | 1990-11-13 | Water Bonnet Manufacturing, Inc. | Method of producing curved laminated glass panels |
| JP3213979B2 (ja) * | 1991-09-19 | 2001-10-02 | 株式会社ブリヂストン | 合わせガラス |
| JP3329586B2 (ja) * | 1994-07-08 | 2002-09-30 | 新東工業株式会社 | ガラスパネルのギャップ出し治具 |
| WO2011155403A1 (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-15 | 日本電気硝子株式会社 | 湾曲状ガラス樹脂積層体の製造方法 |
| US20150122406A1 (en) * | 2012-06-08 | 2015-05-07 | Corning Incorporated | Process for laminating thin glass laminates |
| KR102436788B1 (ko) * | 2014-12-04 | 2022-08-26 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 유리판 |
| CN113307471A (zh) * | 2015-07-24 | 2021-08-27 | Ａｇｃ株式会社 | 玻璃基板、捆包体以及玻璃基板的制造方法 |
| KR20190054068A (ko) * | 2016-09-16 | 2019-05-21 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 유리 기판 및 적층 기판 |
| JP7153455B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-10-14 | 日本板硝子株式会社 | ガラス積層体 |
| CN111741936B (zh) * | 2018-12-21 | 2023-05-05 | Ａｇｃ株式会社 | 层叠体和层叠体的制造方法 |
-
2020
- 2020-08-06 JP JP2020134018A patent/JP2023127000A/ja active Pending
-
2021
- 2021-07-30 WO PCT/JP2021/028381 patent/WO2022030392A1/ja active Application Filing
- 2021-08-04 TW TW110128714A patent/TW202218076A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202218076A (zh) | 2022-05-01 |
| WO2022030392A1 (ja) | 2022-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI704032B (zh) | 玻璃板、積層體、半導體封裝及其製造方法、電子機器 | |
| TWI589665B (zh) | Temporary adhesive material for wafer processing, member for wafer processing using the temporary adhesive material for wafer processing, method for manufacturing wafer processed body, and thin wafer | |
| WO2016111152A1 (ja) | 支持ガラス基板及びその製造方法 | |
| JP6443350B2 (ja) | ガラス積層体 | |
| TWI665170B (zh) | 半導體用支撐玻璃基板及用其的積層基板 | |
| JP6674147B2 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 | |
| TWI701221B (zh) | 支持玻璃基板的製造方法及半導體封裝體的製造方法 | |
| WO2016035674A1 (ja) | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 | |
| JP6631935B2 (ja) | ガラス板の製造方法 | |
| TWI613843B (zh) | 散熱基板、具有散熱基板的裝置及散熱基板的製造方法 | |
| JP7700793B2 (ja) | 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 | |
| WO2022030392A1 (ja) | 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 | |
| JP2017132036A (ja) | 支持体およびその製造方法ならびにガラス積層体 | |
| TW201910285A (zh) | 支持玻璃基板及使用此之層積基板 | |
| TWI841614B (zh) | 積層體、導通檢查方法、及電子裝置之製造方法 | |
| JP7051053B2 (ja) | 支持ガラス基板及びそれを用いた積層体 | |
| JP2018094763A (ja) | 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材 | |
| KR101766646B1 (ko) | 금속 판을 포함하는 반도체 패키징 구조 제조방법 | |
| JP2023054825A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2020045281A (ja) | ガラス板 | |
| JP2011039366A (ja) | 光アイソレータ用積層体と光アイソレータ及びそれらの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20210913 |