[go: up one dir, main page]

JP2023081016A - 基板搬送装置及び基板搬送方法 - Google Patents

基板搬送装置及び基板搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023081016A
JP2023081016A JP2021194651A JP2021194651A JP2023081016A JP 2023081016 A JP2023081016 A JP 2023081016A JP 2021194651 A JP2021194651 A JP 2021194651A JP 2021194651 A JP2021194651 A JP 2021194651A JP 2023081016 A JP2023081016 A JP 2023081016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
hall element
substrate
unit
tile
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021194651A
Other languages
English (en)
Inventor
健弘 新藤
Takehiro Shindo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2021194651A priority Critical patent/JP2023081016A/ja
Priority to US18/055,899 priority patent/US20230166924A1/en
Priority to KR1020220156770A priority patent/KR102723103B1/ko
Priority to CN202211467269.1A priority patent/CN116207021A/zh
Publication of JP2023081016A publication Critical patent/JP2023081016A/ja
Priority to KR1020240145670A priority patent/KR20240155847A/ko
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G54/00—Non-mechanical conveyors not otherwise provided for
    • B65G54/02—Non-mechanical conveyors not otherwise provided for electrostatic, electric, or magnetic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】搬送精度を向上する基板搬送装置及び基板搬送方法を提供する。【解決手段】搬送室に設けられ、コイル及びホール素子を有するタイル形状ユニットと、永久磁石を有し、前記タイル形状ユニット上を移動して基板を搬送する搬送ユニットと、前記ホール素子の温度を検出する温度センサと、前記ホール素子の温度及び前記ホール素子の検出値に基づいて前記搬送ユニットの位置を推定する制御部と、を備える、基板搬送装置。【選択図】図４

Description

本発明は、基板搬送装置及び基板搬送方法に関する。
特許文献１には、搬送室内に設けられた平面モータ上で磁気浮上し、基板を搬送する搬送ユニットを備える基板搬送装置が開示されている。
特開２０２１－８６９８６号公報
一の側面では、搬送精度を向上する基板搬送装置及び基板搬送方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、搬送室に設けられ、コイル及びホール素子を有するタイル形状ユニットと、永久磁石を有し、前記タイル形状ユニット上を移動して基板を搬送する搬送ユニットと、前記ホール素子の温度を検出する温度センサと、前記ホール素子の温度及び前記ホール素子の検出値に基づいて前記搬送ユニットの位置を推定する制御部と、を備える、基板搬送装置が提供される。
一の側面によれば、搬送精度を向上する基板搬送装置及び基板搬送方法を提供することができる。
一実施形態に係る基板処理システムの一例の構成を示す平面図。 一実施形態に係る搬送ユニットの一例を示す斜視図。 基板搬送装置の駆動原理を説明する斜視図。 温度センサの配置を示す平面図の一例。 精度要求領域におけるタイル内の温度センサの配置を説明する平面図の一例。 制御部の機能ブロック図の一例。 載置台に基板を載置する際の搬送ユニットの位置合わせを説明する平面図の一例。 載置台に基板を載置する際の搬送ユニットの位置合わせを説明する平面図の他の一例。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
＜基板処理システム１００＞
一実施形態に係る基板処理システム１００の全体構成の一例について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理システム１００の一例の構成を示す平面図である。
図１に示す基板処理システム１００は、クラスタ構造（マルチチャンバタイプ）のシステムである。基板処理システム１００は、複数の処理室１１０と、真空搬送室１２０と、ロードロック室１３０と、大気搬送室１４０と、ロードポート１５０と、制御部１６０と、を備えている。なお、図１において、真空搬送室１２０の長手方向をＸ方向とし、真空搬送室１２０の短手方向（幅方向）をＹ方向とし、真空搬送室１２０の高さ方向をＺ方向として説明する。
処理室１１０は、所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にて半導体ウェハ（以下、「基板Ｗ」ともいう。）に所望の処理（エッチング処理、成膜処理、クリーニング処理、アッシング処理等）を施す。処理室１１０は、真空搬送室１２０に隣接して配置される。処理室１１０と真空搬送室１２０とは、ゲートバルブ１１２の開閉により連通する。処理室１１０は、基板Ｗを載置する載置台１１１を有する。なお、処理室１１０における処理のための各部の動作は、制御部１６０によって制御される。
真空搬送室１２０は、ゲートバルブ１１２，１３２を介して、複数の室（処理室１１０、ロードロック室１３０）と連結され、所定の真空雰囲気に減圧されている。また、真空搬送室１２０の内部には、基板Ｗを搬送する基板搬送装置１２５が設けられている。基板搬送装置１２５は、真空搬送室１２０に配置される平面モータ１０と、平面モータ１０上を移動可能な複数の搬送ユニット３０（３０Ａ，３０Ｂ）と、を有する。搬送ユニット３０は、平面モータ１０上を移動可能なムーバー３１と、基板Ｗを保持することが可能に構成されたアーム３２と、を有する。基板搬送装置１２５は、ゲートバルブ１１２の開閉に応じて、処理室１１０と真空搬送室１２０との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。また、基板搬送装置１２５は、ゲートバルブ１３２の開閉に応じて、ロードロック室１３０と真空搬送室１２０との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。なお、基板搬送装置１２５の動作、ゲートバルブ１１２，１３２の開閉は、制御部１６０によって制御される。なお、基板搬送装置１２５（平面モータ１０、搬送ユニット３０）については、図２から図４を用いて後述する。
また、真空搬送室１２０内には、搬送ユニット３０の移動に際して、高い位置合わせ精度を求められる精度要求領域２００（図１において、二点鎖線で示す。）を有している。例えば、搬送ユニット３０が処理室１１０の載置台１１１に基板Ｗを受け渡す及び／又は載置台１１１から基板Ｗを受け取る際の搬送ユニット３０の位置は、高い位置合わせ精度を求められる精度要求領域２００となる。搬送ユニット３０がロードロック室１３０の載置台１３１に基板Ｗを受け渡す及び／又は載置台１１１から基板Ｗを受け取る際の搬送ユニット３０の位置を、精度要求領域２００としてもよい。
一方、真空搬送室１２０内において、精度要求領域２００と他の精度要求領域２００とを接続する搬送領域２１０（真空搬送室１２０内において精度要求領域２００以外の領域）は、精度要求領域２００ほどの搬送ユニット３０の位置合わせ精度は求められない領域である。
ロードロック室１３０は、真空搬送室１２０と大気搬送室１４０との間に設けられている。ロードロック室１３０は、基板Ｗを載置する載置台１３１を有する。ロードロック室１３０は、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えることができるようになっている。ロードロック室１３０と真空雰囲気の真空搬送室１２０とは、ゲートバルブ１３２の開閉により連通する。ロードロック室１３０と大気雰囲気の大気搬送室１４０とは、ドアバルブ１３３の開閉により連通する。なお、ロードロック室１３０内の真空雰囲気または大気雰囲気の切り替えは、制御部１６０によって制御される。
大気搬送室１４０は、大気雰囲気となっており、例えば清浄空気のダウンフローが形成されている。また、大気搬送室１４０の内部には、基板Ｗを搬送する搬送装置（図示せず）が設けられている。搬送装置（図示せず）は、ドアバルブ１３３の開閉に応じて、ロードロック室１３０と大気搬送室１４０との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。なお、搬送装置（図示せず）の動作、ドアバルブ１３３の開閉は、制御部１６０によって制御される。
また、大気搬送室１４０の壁面には、ロードポート１５０が設けられている。ロードポート１５０は、基板Ｗが収容されたキャリア（図示せず）又は空のキャリアが取り付けられる。キャリアとしては、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）等を用いることができる。
搬送装置（図示せず）は、ロードポート１５０に取り付けられたキャリアに収容された基板Ｗを取り出して、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置することができる。また、搬送装置（図示せず）は、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを取り出して、ロードポート１５０に取り付けられたキャリアに収容することができる。
制御部１６０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＨＤＤ（Hard Disk Drive）を有する。制御部１６０は、ＨＤＤに限らずＳＳＤ（Solid State Drive）等の他の記憶領域を有してもよい。ＨＤＤ、ＲＡＭ等の記憶領域には、プロセスの手順、プロセスの条件、搬送条件が設定されたレシピが格納されている。
ＣＰＵは、レシピに従って各処理室１１０における基板Ｗの処理を制御し、基板Ｗの搬送を制御する。ＨＤＤやＲＡＭには、各処理室１１０における基板Ｗの処理や基板Ｗの搬送を実行するためのプログラムが記憶されてもよい。プログラムは、記憶媒体に格納して提供されてもよいし、ネットワークを通じて外部装置から提供されてもよい。
次に、基板処理システム１００の動作の一例について説明する。ここでは、基板処理システム１００の動作の一例として、ロードポート１５０に取り付けられたキャリアに収容された基板Ｗを処理室１１０で処理を施し、ロードポート１５０に取り付けられた空のキャリアに収容する動作に沿って説明する。なお、動作の開始時点において、ゲートバルブ１１２，１３２、ドアバルブ１３３は閉じており、ロードロック室１３０内は大気雰囲気となっている。
制御部１６０は、ドアバルブ１３３を開ける。制御部１６０は、大気搬送室１４０内の搬送装置を制御して、ロードポート１５０のキャリアから基板Ｗを取り出し、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置する。基板Ｗがロードロック室１３０の載置台１３１に載置され、搬送装置がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ドアバルブ１３３を閉じる。
制御部１６０は、ロードロック室１３０の排気装置（図示せず）を制御して室内の空気を排気し、ロードロック室１３０を大気雰囲気から真空雰囲気へと切り替える。
次に、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを、処理室１１０に搬送して、載置台１１１に載置する。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を開ける。制御部１６０は、後述する基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２をロードロック室１３０に挿入し、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを保持して、真空搬送室１２０へと搬送する。アーム３２がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を閉じる。
制御部１６０は、搬送先の処理室１１０のゲートバルブ１１２を開ける。制御部１６０は、基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２を処理室１１０に挿入し、保持している基板Ｗを処理室１１０の載置台１１１に載置する。アーム３２が処理室１１０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１１２を閉じる。
制御部１６０は、処理室１１０を制御して、基板Ｗに所望の処理を施す。
基板Ｗの処理が終了すると、処理室１１０の載置台１１１に載置された基板Ｗを、ロードロック室１３０に搬送して、載置台１３１に載置する。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブ１１２を開ける。制御部１６０は、基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２を処理室１１０に挿入し、処理室１１０の載置台１１１に載置された基板Ｗを保持して、真空搬送室１２０へと搬送する。アーム３２が処理室１１０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１１２を閉じる。
制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を開ける。制御部１６０は、基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２をロードロック室１３０に挿入し、保持している基板Ｗをロードロック室１３０の載置台１３１に載置する。アーム３２がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を閉じる。
制御部１６０は、ロードロック室１３０のガス供給装置（図示せず）を制御して室内に例えば清浄空気を供給し、ロードロック室１３０を真空雰囲気から大気雰囲気へと切り替える。
制御部１６０は、ドアバルブ１３３を開ける。制御部１６０は、搬送装置（図示せず）を制御して、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを取り出し、ロードポート１５０のキャリアに収容する。基板Ｗがロードロック室１３０の載置台１３１から取り出され、搬送装置（図示せず）がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ドアバルブ１３３を閉じる。
なお、基板処理システム１００において、基板搬送装置１２５は、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを処理室１１０の載置台１１１に搬送し、処理済の基板Ｗを処理室１１０の載置台１１１からロードロック室１３０の載置台１３１に搬送する構成を例に説明したが、これに限られるものではない。基板搬送装置１２５は、一の処理室１１０の載置台１１１に載置された基板Ｗを他の処理室１１０の載置台１１１に搬送する構成であってもよい。
＜基板搬送装置１２５＞
次に、基板搬送装置１２５について、更に説明する。基板搬送装置１２５は、真空搬送室１２０に配置される平面モータ１０と、平面モータ１０上を移動可能な搬送ユニット３０と、を有する。なお、後述する図４に示すように、平面モータ１０は、複数のタイル形状ユニット１１（図３参照）が真空搬送室１２０内に配列されて形成される。
図２は、一実施形態に係る搬送ユニット３０の一例を示す斜視図である。搬送ユニット３０は、ムーバー３１と、アーム３２とを有する。ムーバー３１は、平面モータ１０上を磁気浮上して移動することが可能に構成されている。アーム３２は、一端側がムーバー３１に固定され、他端側に基板Ｗを保持することが可能に構成されている。また、搬送ユニット３０は、真空搬送室１２０内に複数台設けられていてもよい。
平面モータ１０のタイル形状ユニット１１及び搬送ユニット３０のムーバー３１について、図３を用いて更に説明する。図３は、基板搬送装置１２５の駆動原理を説明する斜視図である。
平面モータ１０のタイル形状ユニット１１には、非磁性体金属または樹脂で形成される筐体１４内に複数のコイル１５が配列されている。コイル１５は、電流が供給されることにより、磁場を発生する。制御部１６０（図１参照）は、各コイル１５に通電する電流値を個別に制御可能に構成されている。
ムーバー３１は、複数の永久磁石３５が配列されている。コイル１５が生成する磁場によって、ムーバー３１は、タイル形状ユニット１１上で磁気浮上することができる。また、コイル１５が生成する磁場によって、ムーバー３１は、タイル形状ユニット１１上を移動することができ、複数のタイル形状ユニット１１で形成される平面モータ１０上を移動することができる。
この様な構成により、制御部１６０（図１参照）は、平面モータ１０（タイル形状ユニット１１）の各コイル１５の電流値を制御することで、搬送ユニット３０（ムーバー３１）の位置（水平方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）の位置、高さ方向（Ｚ軸方向）の位置（浮上量））及び向き（Ｘ軸回りの傾き、Ｙ軸回りの傾き、Ｚ軸回りの傾き）を制御することができるように構成されている。
また、タイル形状ユニット１１には、筐体１４内に複数のホール素子（位置検出センサ）１６が設けられている。ホール素子１６は、磁気センサの一例であって、ムーバー３１の位置及び向きを検出するためのセンサである。即ち、ホール素子１６は、ムーバー３１の永久磁石３５が形成する磁束密度に応じた検出値（ホール電圧）を検出する。ホール素子１６の検出値は、制御部１６０（図１参照）に入力される。制御部１６０は、複数のホール素子１６の検出値に基づいて各ホール素子１６の位置（磁束計測位置）における磁束密度を算出し、算出した複数の磁束計測位置における磁束密度に基づいてムーバー３１の位置及び向きを推定する。
ここで、タイル形状ユニット１１の筐体１４内には、複数のコイル１５及びホール素子１６が設けられている。また、搬送ユニット３０を平面モータ１０上で浮上及び移動させる際、搬送ユニット３０の位置に対応したコイル１５に通電される。コイル１５に通電した際、コイル１５が発熱し、コイル１５の熱がホール素子１６に伝熱する。また、コイル１５の熱は、隣接するタイル形状ユニット１１内のホール素子１６にも伝熱する。このため、ホール素子１６に温度差が生じることがある。
ホール素子１６は、温度が上昇すると感度が低下する。このため、複数のホール素子１６の間において温度差が生じると、複数のホール素子１６の間に感度の差が生じる。これにより、ホール素子１６で検出した磁束密度に基づいて推定したムーバー３１の位置及び向きが、実際のムーバー３１の位置及び向きとズレるおそれがある。これにより、搬送ユニット３０の位置合わせ精度が低下するおそれがある。
ここで、本実施例の平面モータ１０は、タイル形状ユニット１１の筐体１４内に温度センサ１７が設けられている。温度センサ１７は、例えば熱電対を用いることができる。温度センサ１７の検出値は、制御部１６０（図１参照）に入力される。
次に、温度センサ１７（１７Ａ，１７Ｂ）の配置について、図４及び図５を用いて説明する。図４は、温度センサ１７の配置を示す平面図の一例である。
本実施例の平面モータ１０は、複数のタイル形状ユニット１１が配列されて形成される。平面モータ１０上には、精度要求領域２００が設けられている。平面モータ１０の精度要求領域２００には、温度センサ１７Ａが設けられている。
図５は、精度要求領域２００におけるタイル形状ユニット１１内の温度センサ１７Ａの配置を説明する平面図の一例である。
図５（ａ）に示すように、温度センサ１７Ａは、各ホール素子１６に個別に設けられていてもよい。これにより、精度要求領域２００における各ホール素子１６の温度を精度よく検出することができる。
また、図５（ｂ）に示すように、温度センサ１７Ａは、タイル形状ユニット１１内に複数のホール素子１６が設けられていてもよい。例えば、矩形状のタイル形状ユニット１１において、角部及び中央部に温度センサ１７Ａが設けられていてもよい。これにより、温度センサ１７Ａで検出した温度に基づいて、精度要求領域２００におけるタイル形状ユニット１１内の温度分布を推定し、精度要求領域２００における各ホール素子１６の温度を推定することができる。また、温度センサ１７Ａの数を低減して、タイル形状ユニット１１のコストを低減することができる。
図４に戻り、平面モータ１０には、平面モータ１０全体の温度分布を計測するための温度センサ１７Ｂが設けられている。例えば、複数のタイル形状ユニット１１が配列され矩形状に形成された平面モータ１０において、外周の辺に沿って複数の温度センサ１７Ｂが設けられ、平面モータ１０の中央側に温度センサ１７Ｂが設けられていてもよい。これにより、温度センサ１７Ｂで検出した温度に基づいて、平面モータ１０内の温度分布を推定し、精度要求領域２００における各ホール素子１６の温度を推定することができる。
次に、搬送ユニット３０の位置を推定する制御部１６０について図６を用いて説明する。図６は、制御部１６０の機能ブロック図の一例である。制御部１６０は、温度取得部１６１と、ホール素子温度推定部１６２と、磁束密度算出部１６３と、位置推定部１６４と、を有する。なお、制御部１６０の記憶部には、温度センサ１７（１７Ａ，１７Ｂ）の位置（温度計測位置）と、ホール素子１６の位置（磁束計測位置）と、が記憶されている。
温度取得部１６１は、温度センサ１７の検出値が入力され、温度センサ１７で検出した各温度計測位置の温度を取得する。
ホール素子温度推定部１６２は、温度取得部１６１が取得した各温度計測位置の温度に基づいて、各ホール素子１６の温度を推定する。例えば、精度要求領域２００内のホール素子１６の温度を推定する場合、ホール素子温度推定部１６２は、温度センサ１７Ａで検出した各温度計測位置の温度に基づいて、精度要求領域２００内のタイル形状ユニット１１の温度分布を推定し、推定したタイル形状ユニット１１の温度分布に基づいて、各ホール素子１６の温度を推定する。また、搬送領域２１０（図１参照）内のホール素子１６の温度を推定する場合、ホール素子温度推定部１６２は、温度センサ１７Ｂで検出した各温度計測位置の温度に基づいて、平面モータ１０の温度分布を推定し、推定した平面モータ１０の温度分布に基づいて、各ホール素子１６の温度を推定する。
磁束密度算出部１６３は、ホール素子温度推定部１６２で推定した各ホール素子１６の温度及びホール素子１６の検出値（ホール電圧）が入力され、ホール素子１６で検出した各磁束計測位置の磁束密度を算出する。ここで、磁束密度算出部１６３は、ホール素子温度推定部１６２で推定したホール素子１６の温度と、ホール素子１６の温度特性と、に基づいて、ホール素子１６の検出値を補償する。これにより、磁束密度算出部１６３は、ホール素子１６の温度特性が補償された各磁束計測位置の磁束密度を算出する。
位置推定部１６４は、磁束密度算出部１６３で算出された磁束密度に基づいて、搬送ユニット３０（永久磁石３５）の位置及び向きを推定する。
図７は、載置台１１１に基板Ｗを載置する際の搬送ユニット３０の位置合わせを説明する平面図の一例である。
精度要求領域２００には、温度センサ１７Ａ（図４，５参照）が設けられている。これにより、精度要求領域２００において、搬送ユニット３０の位置合わせを行う際、ホール素子１６の温度で補正して、精度よく搬送ユニット３０の位置を検出することができる。これにより、搬送ユニット３０の位置合わせ精度を向上させることができる。また、基板Ｗを載置台１１１に精度よく載置することができる。
なお、ホール素子１６の温度を検出する温度センサ１７として、タイル形状ユニット１１内に設けられた熱電対を例に説明したが、これに限られるものではない。ホール素子１６の温度を検出する温度センサ１７として、例えば、真空搬送室１２０内の天井に設けられ精度要求領域２００内のタイル形状ユニット１１を撮像するサーモカメラを用いてもよい。ホール素子温度推定部１６２は、サーモカメラで撮像したタイル形状ユニット１１の温度分布に基づいて、各ホール素子１６の温度を推定する。
また、ホール素子温度推定部１６２は、各コイル１５の通電量に基づいて各コイル１５の発熱量を推定してもよい。そして、ホール素子温度推定部１６２は、推定した各コイル１５の発熱量と、温度センサ１７で検出した各温度計測位置での温度に基づいて、タイル形状ユニット１１（平面モータ１０）の温度分布を推定し、推定したタイル形状ユニット１１（平面モータ１０）の温度分布に基づいて、各ホール素子１６の温度を推定してもよい。これにより、コイル１５の発熱量を考慮してタイル形状ユニット１１（平面モータ１０）の温度分布を推定することができるので、各ホール素子１６の温度をより精度よく推定することができる。よって、搬送ユニット３０の位置及び向きを更に精度よく推定することができる。
次に、精度要求領域２００における位置合わせ精度を向上する他の構成について、図８を用いて説明する。図８は、載置台１１１に基板Ｗを載置する際の搬送ユニット３０の位置合わせを説明する平面図の他の一例である。
精度要求領域２００内の搬送ユニット３０の位置を検出する位置検出センサ１８が設けられている。位置検出センサ１８は、例えば、真空搬送室１２０の側壁に設けられたレーザ変位計である。位置検出センサ１８は、真空搬送室１２０のゲートバルブ１１２が配置される側壁に設けられた２つの位置検出センサ１８Ａと、真空搬送室１２０の他の側壁に設けられた２つの位置検出センサ１８Ｂと、を有し、搬送ユニット３０（ムーバー３１）の位置及び向きを検出する。これにより、搬送ユニット３０の位置合わせ精度を向上させることができる。また、基板Ｗを載置台１１１に精度よく載置することができる。
なお、精度要求領域２００内の搬送ユニット３０の位置を検出する位置検出センサ１８として、真空搬送室１２０の側壁に設けられたレーザ変位計を例に説明したが、これに限られるものではない。精度要求領域２００内の搬送ユニット３０の位置を検出する位置検出センサ１８として、例えば、真空搬送室１２０の天井に設けられ精度要求領域２００内の搬送ユニット３０を撮像する撮像装置（例えば、ＣＣＤカメラ）を用いてもよい。
以上、基板処理システム１００について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
１０ 平面モータ
１１ タイル形状ユニット
１５ コイル
１６ ホール素子
１７ 温度センサ
１８ 位置検出センサ
３０，３０Ａ～３０Ｃ 搬送ユニット
３１ ムーバー
３２ アーム
３５ 永久磁石
１００ 基板処理システム
１１０ 処理室
１２０ 真空搬送室（搬送室）
１３０ ロードロック室
１４０ 大気搬送室
１５０ ロードポート
１６０ 制御部
２００ 精度要求領域
２１０ 搬送領域

Claims (8)

  1. 搬送室に設けられ、コイル及びホール素子を有するタイル形状ユニットと、
    永久磁石を有し、前記タイル形状ユニット上を移動して基板を搬送する搬送ユニットと、
    前記ホール素子の温度を検出する温度センサと、
    前記ホール素子の温度及び前記ホール素子の検出値に基づいて前記搬送ユニットの位置を推定する制御部と、を備える、
    基板搬送装置。
  2. 前記搬送室は、前記搬送ユニットの位置合わせを行う精度要求領域を有し、
    前記温度センサは、前記精度要求領域の前記ホール素子の温度を検出する、
    請求項１に記載の基板搬送装置。
  3. 前記制御部は、
    前記温度センサの検出値に基づいて前記タイル形状ユニットの温度分布を推定し、
    推定した前記温度分布に基づいて、前記ホール素子の温度を推定する、
    請求項１または請求項２に記載の基板搬送装置。
  4. 前記制御部は、
    前記コイルの通電量及び前記温度センサの検出値に基づいて前記タイル形状ユニットの温度分布を推定し、
    推定した前記温度分布に基づいて、前記ホール素子の温度を推定する、
    請求項１または請求項２に記載の基板搬送装置。
  5. 温度センサは、前記タイル形状ユニット内に設けられた熱電対である、
    請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板搬送装置。
  6. 搬送室に設けられ、コイル及びホール素子を有するタイル形状ユニットと、
    永久磁石を有し、前記タイル形状ユニット上を移動して基板を搬送する搬送ユニットと、
    前記ホール素子の検出値に基づいて前記搬送ユニットの位置を推定する制御部と、を備え、
    前記搬送室は、前記搬送ユニットの位置合わせを行う精度要求領域を有し、
    前記精度要求領域の前記搬送ユニットの位置を検出する位置センサを備える、
    基板搬送装置。
  7. 前記位置センサは、レーザ変位計である、
    請求項６に記載の基板搬送装置。
  8. 搬送室に設けられ、コイル及びホール素子を有するタイル形状ユニットと、永久磁石を有し、前記タイル形状ユニット上を移動して基板を搬送する搬送ユニットと、前記ホール素子の温度を検出する温度センサと、を備える、基板搬送装置の基板搬送方法であって、
    前記ホール素子の温度及び前記ホール素子の検出値に基づいて前記搬送ユニットの位置を推定し、前記搬送ユニットを位置合わせする、
    基板搬送方法。
JP2021194651A 2021-11-30 2021-11-30 基板搬送装置及び基板搬送方法 Pending JP2023081016A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021194651A JP2023081016A (ja) 2021-11-30 2021-11-30 基板搬送装置及び基板搬送方法
US18/055,899 US20230166924A1 (en) 2021-11-30 2022-11-16 Substrate transfer device and substrate transfer method
KR1020220156770A KR102723103B1 (ko) 2021-11-30 2022-11-21 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법
CN202211467269.1A CN116207021A (zh) 2021-11-30 2022-11-22 基板输送装置及基板输送方法
KR1020240145670A KR20240155847A (ko) 2021-11-30 2024-10-23 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021194651A JP2023081016A (ja) 2021-11-30 2021-11-30 基板搬送装置及び基板搬送方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023081016A true JP2023081016A (ja) 2023-06-09

Family

ID=86500805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021194651A Pending JP2023081016A (ja) 2021-11-30 2021-11-30 基板搬送装置及び基板搬送方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230166924A1 (ja)
JP (1) JP2023081016A (ja)
KR (2) KR102723103B1 (ja)
CN (1) CN116207021A (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024050A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Nsk Ltd 微小位置決め装置
JP2013205550A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Olympus Corp 位置検出装置及び位置制御装置
WO2015098892A1 (ja) * 2013-12-26 2015-07-02 コニカミノルタ株式会社 電子デバイスの印刷製造システム
JP2018504784A (ja) * 2015-01-23 2018-02-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 半導体処理設備
JP2018142806A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 ローム株式会社 アクチュエータドライバおよび撮像装置
JP2018146983A (ja) * 2012-10-02 2018-09-20 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2018151565A (ja) * 2017-03-14 2018-09-27 株式会社リコー 画像投影装置
WO2021220080A1 (en) * 2020-04-26 2021-11-04 Corephotonics Ltd. Temperature control for hall bar sensor correction

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332378A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Sharp Corp 物品の位置決め方法および位置決め装置、並びに半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JP7370233B2 (ja) 2019-11-29 2023-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024050A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Nsk Ltd 微小位置決め装置
JP2013205550A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Olympus Corp 位置検出装置及び位置制御装置
JP2018146983A (ja) * 2012-10-02 2018-09-20 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2015098892A1 (ja) * 2013-12-26 2015-07-02 コニカミノルタ株式会社 電子デバイスの印刷製造システム
JP2018504784A (ja) * 2015-01-23 2018-02-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 半導体処理設備
JP2018142806A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 ローム株式会社 アクチュエータドライバおよび撮像装置
JP2018151565A (ja) * 2017-03-14 2018-09-27 株式会社リコー 画像投影装置
WO2021220080A1 (en) * 2020-04-26 2021-11-04 Corephotonics Ltd. Temperature control for hall bar sensor correction

Also Published As

Publication number Publication date
KR102723103B1 (ko) 2024-10-28
KR20230081641A (ko) 2023-06-07
CN116207021A (zh) 2023-06-02
US20230166924A1 (en) 2023-06-01
KR20240155847A (ko) 2024-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7606551B2 (ja) 搬送システム
US12183612B2 (en) Substrate transfer apparatus, substrate transfer method, and substrate processing system
TWI854061B (zh) 基板搬運裝置及基板處理系統
KR102811550B1 (ko) 기판을 반송하는 장치 및 기판을 반송하는 방법
US20220399219A1 (en) Wafer alignment apparatus and method for multi-cassette load port
JP7236934B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理システムの制御方法
JP2023081016A (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法
US20230307278A1 (en) Substrate processing system
JP2012049306A (ja) プラズマ処理装置
US20250163568A1 (en) Shutter disk system
US20250232994A1 (en) Substrate Transfer Module and Method for Manufacturing Substrate Transfer Module
KR20250112686A (ko) 기판 반송 모듈 및 기판 반송 모듈의 제조 방법
JP2023072556A (ja) 基板搬送装置
WO2025126368A1 (ja) 搬送装置および搬送装置の制御方法
KR20250110718A (ko) 반송 시스템 및 반도체 제조 방법
CN117810141A (zh) 基板输送模块和基板输送方法
JP2025109519A (ja) 搬送システム及び半導体製造方法
KR20250079875A (ko) 반송 모듈, 및 반도체 제조 장치에 있어서의 기판 반송 방법
CN112652565A (zh) 对准装置、对准方法、成膜装置及成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240903

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20250430

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20250424

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20250609

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250701